JP2010157554A - Ｍｅｍｓセンサパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型化を実現でき、安価に生産できるＭＥＭＳセンサパッケージ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ワイヤボンディングによりＭＥＭＳセンサの電極パッドとベース基板のボンディングパッドを接続し、このワイヤボンディング部とＭＥＭＳセンサを封止樹脂により封止してなるＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、上記ベース基板にその表裏面を貫通するスルーホールを設け、このスルーホール内に、封止樹脂で位置固定されるＭＥＭＳセンサを埋設した。
【選択図】図１

Description

本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を利用したＭＥＭＳセンサを有するＭＥＭＳセンサパッケージ及びその製造方法に関する。

近年では、加速度計、光通信、生物医学システムなど多くの技術分野で、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）を利用したＭＥＭＳセンサが注目されている。

ＭＥＭＳセンサは、具体的には例えば圧力センサ、加速度センサ、角速度センサ等として用いられ、図１３、１４に示されるように封止樹脂または外装ケースによって完全に覆われたＭＥＭＳセンサパッケージの状態で回路基板に実装される。図１３に示される従来構造のＭＥＭＳセンサパッケージ１００は、ベース基板１１１にＭＥＭＳセンサ１１２を接着固定し、ＭＥＭＳセンサ１１２の電極パッドとベース基板１１１の電極パッドをワイヤボンディングにより接続し、このワイヤボンディング部１１３及びＭＥＭＳセンサ１１２を封止樹脂１１４で完全に覆って封止することで形成されている。また、図１４に示される従来構造のＭＥＭＳセンサパッケージ２００は、ベース基板２１１にＭＥＭＳセンサ２１２を接着固定し、ＭＥＭＳセンサ２１２の電極パッドとベース基板２１１の電極パッドをワイヤボンディングにより接続し、このワイヤボンディング部２１３及びＭＥＭＳセンサ２１２を覆う金属や樹脂等からなる外装ケース２１５をベース基板２１１に接合することで形成されている。
特開平８−８３８７８号公報

このようなＭＥＭＳセンサパッケージは、実装される小型機器の薄型化を実現するために、パッケージ高さに大きな制約がある。具体的には現状のパッケージ高さが１．０ｍｍを超えているのに対し、将来的には０．６ｍｍ以下に抑えたいという要求がある。しかしながら、従来構造では、パッケージ高さＨが基板厚みｈ１、センサ厚みｈ２、ワイヤボンディング高さｈ３及び樹脂高さｈ４またはケース高さｈ５の合計（Ｈ＝ｈ１＋ｈ２＋ｈ３＋ｈ４orｈ５）となるので、上記要求に応えることが難しい。パッケージ高さＨを低減するには、基板厚みｈ１を小さくすることも考えられるが、基板厚みｈ１が小さすぎると強度不足となって基板の割れや反りが生じてしまうので、基板厚みｈ１は一定以上に確保する必要がある。強度不足を回避するには、基板面積を減らして基板厚みｈ１を低減することが考えられるが、この場合には基板あたりの取り個数が激減し、製造コストが増大する問題がある。

本発明は、薄型化を実現でき、安価に生産できるＭＥＭＳセンサパッケージ及びその製造方法を得ることを目的とする。

本発明は、ベース基板の表裏面を貫くスルーホールを形成し、このスルーホール内にＭＥＭＳセンサを配置すれば、ベース基板の厚みとセンサ厚みの重複分だけパッケージ高さを省けること、また、ベース基板のスルーホールを粘着テープで塞げば、該粘着テープによりＭＥＭＳセンサをスルーホール内で容易に位置決めできることに着目して完成されたものである。

すなわち、本発明は、導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板を備え、ワイヤボンディングによりＭＥＭＳセンサの電極パッドと該ベース基板のボンディングパッドを接続し、このワイヤボンディング部とＭＥＭＳセンサを封止樹脂により封止してなるＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、前記ベース基板にその表裏面を貫通するスルーホールを設け、このスルーホール内に、前記封止樹脂で位置固定される前記ＭＥＭＳセンサを埋設したことを特徴としている。

このＭＥＭＳセンサパッケージは、導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板に、該表裏面を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に、前記スルーホールを塞ぐようにして粘着テープを貼り付ける工程と、前記ベース基板のスルーホール内にＭＥＭＳセンサをボンディングパッド側から挿入し、該スルーホール内に露出させた粘着テープによって該ＭＥＭＳセンサを仮止めする工程と、この仮止め状態で、ワイヤボンディングにより前記ＭＥＭＳセンサの電極パッドと前記ベース基板のボンディングパッドを接続する工程と、前記ベース基板のボンディングパッド側の面に、前記ワイヤボンディング部及び前記ＭＥＭＳセンサを完全に覆うようにして封止樹脂を塗布し、この封止樹脂によって前記ＭＥＭＳセンサの位置を本固定する工程とにより製造できる。ＭＥＭＳセンサの仮固定に用いた粘着テープは、ＭＥＭＳセンサを封止樹脂により本固定した後に剥がすことができる。ＭＥＭＳセンサの本固定後も粘着テープをそのまま残す場合には、ベース基板の実装用電極パッドを設けた側の面に、実装用電極パッドエリアを除いて全面に粘着テープを接着することが好ましい。

本発明は、別の態様によれば、導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板を備え、ワイヤボンディングによりＭＥＭＳセンサの電極パッドと該ベース基板のボンディングパッドを接続し、このワイヤボンディング部とＭＥＭＳセンサを覆うケースを前記ベース基板に接着固定してなるＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、前記ベース基板の表裏面を貫通するスルーホールと、このスルーホールを塞ぐように前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に接着した粘着テープとを設け、前記スルーホール内に、前記粘着テープによって位置固定される前記ＭＥＭＳセンサを埋設したことを特徴としている。

上記態様のＭＥＭＳセンサパッケージは、導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板に、該表裏面を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に、前記スルーホールを塞ぐようにして粘着テープを貼り付ける工程と、前記ベース基板のスルーホール内にＭＥＭＳセンサをボンディングパッド側から挿入し、該スルーホール内に露出させた粘着テープによって該ＭＥＭＳセンサを接着固定する工程と、この接着固定した状態で、ワイヤボンディングにより前記ＭＥＭＳセンサの電極パッドと前記ベース基板のボンディングパッドを接続する工程と、前記ワイヤボンディング部及び前記ＭＥＭＳセンサを完全に覆うケースを、前記ベース基板に接着固定する工程とにより製造できる。ＭＥＭＳセンサを接着固定する粘着テープは、実装用電極パッドエリアを除いて全面に接着することが好ましい。

本発明によれば、ベース基板の表裏面を貫通するスルーホール内にＭＥＭＳセンサを埋設したので、ベース基板の厚みとＭＥＭＳセンサの厚みの重複分だけパッケージ高さを減らすことができ、薄型化され、かつ、安価で生産可能なＭＥＭＳセンサパッケージ及びその製造方法が得られる。

図１〜図８は、本発明の第１実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージ１０を示している。図１はＭＥＭＳセンサパッケージ１０の外観斜視図、図２は図１のII−II線に沿う断面図、図３はＭＥＭＳセンサパッケージ１０を裏面側から見た平面図である。

ＭＥＭＳセンサパッケージ１０は、平面視矩形状のベース基板１１と、ＭＥＭＳセンサ１２と、導電性ワイヤ１３ａによりＭＥＭＳセンサ１２とベース基板１１を導通接続したワイヤボンディング部１３と、このワイヤボンディング部１３及びＭＥＭＳセンサ１２を封止する封止樹脂１４とにより構成されている。

ベース基板１１には、その表裏面１１ａ、１１ｂを貫く円形のスルーホール１１ｃが基板略中央位置に形成され、基板の四隅にそれぞれボンディングパッド１１ｄと実装用電極パッド１１ｅが配置されている。本明細書では、ボンディングパッド１１ｄが形成された面を表面１１ａ、実装用電極パッド１１ｅが形成された面を裏面１１ｂとする。スルーホール１１ｃの平面形状は任意である。ボンディングパッド１１ｄと実装用電極パッド１１ｅは、ベース基板１１の側面に露出形成した側面電極ｆを介して導通している。このベース基板１１には、紙フェノールやガラスエポキシからなるプリント基板またはセラミック基板など広く用いることができる。

ＭＥＭＳセンサ１２は、センサ部品を一つの基材（シリコン基板、ガラス基板または有機材料など）の上に集積化したデバイスであって、具体的には例えば圧力センサ、加速度センサ、角速度センサなどが挙げられる。このＭＥＭＳセンサ１２は、ベース基板１１のスルーホール１１ｃ内に配置され、該ＭＥＭＳセンサ１２とスルーホール１１の間を埋める封止樹脂１４により位置固定されている。ＭＥＭＳセンサ１２の厚みｈ２はベース基板１１の厚みｈ１（スルーホール１１ｃの深さ）より小さいので（ｈ２＜ｈ１）、ＭＥＭＳセンサ１２は、ベース基板１１のスルーホール１１ｃ内に完全に埋め込まれた状態となり、ベース基板１１から突出しない。封止樹脂１４には、例えばエポキシ系樹脂が用いられている。

このＭＥＭＳセンサパッケージ１０において、パッケージ高さＨは、ベース基板１１の厚みｈ１、ワイヤボンディング高さｈ３及び樹脂高さｈ４の合計（Ｈ＝ｈ１＋ｈ３＋ｈ４）となるので、ベース基板１１のスルーホール１１ｃ内に埋設したＭＥＭＳセンサ１２の厚みｈ２分だけパッケージ高さＨを減らすことができ、パッケージ高さＨを所定値（例えば０．５０ｍｍ以下）に抑えられる。この構造によれば、ベース基板１１の厚みｈ１を減らさずにパッケージ薄型化を実現できるので、基板強度を十分に確保でき、また、製造コストを増大させることもない。実際に本実施形態では、ベース基板１１の厚みｈ１＝０．２０ｍｍ以下、ボンディング高さｈ３＝０．１０ｍｍ以下、樹脂高さｈ４＝０．２０ｍｍ以下としたので、パッケージ高さＨ＝０．５０ｍｍ以下を達成できた。

次に、図４〜図８を参照し、本発明の第１実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージ１０の製造方法について説明する。図４及び図６〜図８は、ＭＥＭＳセンサパッケージ１０の製造工程を説明する断面図であり、図５は、図４の製造工程時のベース基板１１を裏面１１ｂ側から見て示す平面図である。

先ず、表裏面１１ａ、１１ｂの四隅に、側面電極１１ｆを介して導通接続したボンディングパッド１１ｄと実装用電極パッド１１ｅをそれぞれ有するベース基板１１を準備する。ベース基板１１には、例えば紙フェノールやガラスエポキシからなるプリント基板またはセラミック基板などを用いることができる。

次に、ベース基板１１の略中央位置に、表裏面１１ａ、１１ｂを貫通するスルーホール１１ｃを形成する。本実施形態のスルーホール１１ｃは円形に形成してあるが、その平面形状は任意である。このスルーホール１１ｃの深さはベース基板１１の厚みｈ１と一致しており、ベース基板１１の厚みｈ１は、基板強度を確保しつつ薄型化を図るために０．１０〜０．２０ｍｍ程度であることが好ましい。

続いて、図４及び図５に示すように、ベース基板１１の裏面１１ｂに、実装用電極パッド１１ｅを除いて裏面全体を覆うように、粘着テープ１５を接着する。粘着テープ１５は、２０〜７０μｍ程度の極めて薄いテープであり、例えば耐熱性を有するダイアタッチテープを用いることができる。この工程により、ベース基板１１のスルーホール１１ｃは裏面１１ｂ側から粘着テープ１５により塞がれ、粘着テープ１５の粘着面が表面１１ａ側に露出する。すなわち、粘着テープ１５がスルーホール１１ｃの底部を構成した状態となる。

続いて、図６に示すように、ＭＥＭＳセンサ１２をベース基板１１の表面１１ａ側からスルーホール１１ｃ内に挿入し、該スルーホール１１ｃの略中央位置に配置する。スルーホール１１ｃの底部には粘着テープ１５の粘着面が露出しているので、この粘着テープ１５によりＭＥＭＳセンサ１２は仮固定される。ここでの仮固定とは、外力を加えなければ粘着テープ１５によりＭＥＭＳセンサ１２が位置固定され、外力を加えればＭＥＭＳセンサ１２を剥がせる状態を意味している。

ＭＥＭＳセンサ１２を仮固定したら、図７に示すように、ベース基板１１のボンディングパッド１１ｄとＭＥＭＳセンサ１２の電極パッド１２ｄをワイヤボンディングにより導通接続する。ワイヤボンディングには、例えばＣｒ、Ｃｕ等からなるφ２５μｍ程度の導電性ワイヤ１３ａを用いる。このワイヤボンディング部１３のボンディング高さｈ３は、０．１０ｍｍ以下となるように調整する。

続いて、図８に示すように、封止樹脂１４でベース基板１１の表面１１ａ側に全体的に覆って、ＭＥＭＳセンサ１２とワイヤボンディング部１３を封止する。封止樹脂１４は、ベース基板１１のスルーホール１１ｃとＭＥＭＳセンサ１２の間にも入り込み、ＭＥＭＳセンサ１２の周囲を埋める。封止樹脂１４が固化することで、該封止樹脂１４によりＭＥＭＳセンサ１２が本固定され、外力が加えられてもＭＥＭＳセンサ１２の位置は変わらない。

ＭＥＭＳセンサ１２を本固定したら、粘着テープ１５を剥がす。これにより、図１〜図３に示されるＭＥＭＳセンサパッケージ１０が得られる。

図９及び図１０は、本発明の第２実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージ２０を示している。ＭＥＭＳセンサパッケージ２０は、ＭＥＭＳセンサ１２の仮固定に用いた粘着テープ１５を剥がさずに残した実施形態であり、粘着テープ１５以外の構成は第１実施形態と同様である。粘着テープ１５は、図９及び図１０では誇張して描いてあるが、実際には２０〜７０μｍ程度の極めて薄いテープである。この粘着テープ１５は、実装用電極パッド１１ｅを除いてベース基板１１の裏面全体に接着されているので、粘着テープ１５を残しておいてもＭＥＭＳセンサパッケージ２０として問題なく、実装用電極パッド１１ｅを介して外部の回路基板に実装可能である。

ＭＥＭＳセンサパッケージ２０において、パッケージ高さＨは、ベース基板１１の厚みｈ１、ワイヤボンディング高さｈ３、樹脂高さｈ４及び粘着テープ厚ｈ６の合計（Ｈ＝ｈ１＋ｈ３＋ｈ５＋ｈ６）となる。従来構造と比べて粘着テープ厚ｈ６の分が増加するが、粘着テープ厚ｈ６は２０〜７０μｍ程度と薄いので、パッケージ高さＨを大きく増大させることはない。よって、結果的には、ベース基板１１のスルーホール１１ｃ内に埋設したＭＥＭＳセンサ１２の厚みｈ２分だけパッケージ高さＨを減らすことができ、パッケージ高さＨを所定値（例えば０．６０ｍｍ以下）に抑えられる。この構造によれば、ベース基板１１の厚みｈ１を減らさずにパッケージ薄型化を実現できるので、基板強度を十分に確保でき、また、製造コストを増大させることもない。実際に本実施形態では、ベース基板１１の厚みｈ１＝０．２０ｍｍ以下、ボンディング高さｈ３＝０．１０ｍｍ以下、樹脂高さｈ４＝０．２０ｍｍ以下、粘着テープ厚ｈ６＝２０〜７０μｍとしたので、パッケージ高さＨ＝０．６０ｍｍ以下を達成できた。

図１１及び図１２は、本発明の第３実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージ３０を示している。ＭＥＭＳセンサパッケージ３０は、第２実施形態の封止樹脂１４の替わりに、ＭＥＭＳセンサ１２及びボンディング部１３を覆う外装ケース３１をベース基板１１に接着固定し、ＭＥＭＳセンサ１２及びボンディング部１３を密閉した実施形態である。ベース基板１１の裏面１１ｂには、実装用電極パッド１１ｅを除いて裏面全体を覆うように粘着テープ１５が貼られていて、この粘着テープ１５によって、ＭＥＭＳセンサ１２はスルーホール１１ｃの略中央位置に接着固定されている。粘着テープ１５は、図１１及び図１２では誇張して描いてあるが、実際には２０〜７０μｍ程度の極めて薄いテープである。外装ケース３１は、金属または樹脂などで形成可能である。この外装ケース３１以外の構成は、第２実施形態と同様である。

ＭＥＭＳセンサパッケージ３０において、パッケージ高さＨは、ベース基板１１の厚みｈ１、ワイヤボンディング高さｈ３、ケース高さｈ５及び粘着テープ厚ｈ６の合計（Ｈ＝ｈ１＋ｈ３＋ｈ５＋ｈ６）となる。従来構造と比べて粘着テープ厚ｈ６の分が増加するが、粘着テープ厚ｈ６は２０〜７０μｍ程度と薄いので、パッケージ高さＨを大きく増大させることはない。よって、結果的には、ベース基板１１のスルーホール１１ｃ内に埋設したＭＥＭＳセンサ１２の厚みｈ２分だけパッケージ高さＨを減らすことができ、パッケージ高さＨを所定値（例えば０．６０ｍｍ以下）に抑えられる。この構造によれば、ベース基板１１の厚みｈ１を減らさずにパッケージ薄型化を実現できるので、基板強度を十分に確保でき、また、製造コストを増大させることもない。実際に本実施形態では、ベース基板１１の厚みｈ１＝０．２０ｍｍ以下、ボンディング高さｈ３＝０．１０ｍｍ以下、ケース高さｈ５＝０．２０ｍｍ以下、粘着テープ厚ｈ６＝２０〜７０μｍとしたので、パッケージ高さＨ＝０．６０ｍｍ以下を達成できた。

以上の各実施形態によれば、ベース基板１１の表裏面１１ａ、１１ｂを貫通するスルーホール１１ｃ内にＭＥＭＳセンサ１２を埋設したので、ベース基板１１の厚みｈ１とＭＥＭＳセンサ１２の厚みｈ２の重複分だけパッケージ高さＨを減らすことができる。これにより、ベース基板１１の厚みｈ１を減らさずにパッケージ薄型化を実現できるので、基板強度を十分に確保でき、また、製造コストを増大させることもない。すなわち、薄型化され、かつ、安価で生産可能なＭＥＭＳセンサパッケージ及びその製造方法が得られる。

本発明の第１実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージを示す外観斜視図である。 図１のII−II線に沿う断面図である。 同ＭＥＭＳセンサパッケージを裏面側から見て示す平面図である。 本発明の第１実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージの製造工程を示す断面図である。 図４の製造工程時にベース基板を裏面側から見て示した平面図である。 図４の次工程を示す断面図である。 図６の次工程を示す断面図である。 図７の次工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージを示す外観斜視図である。 図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 本発明の第３実施形態によるＭＥＭＳセンサパッケージを示す外観斜視図である。 図１１のXII−XII線に沿う断面図である。 樹脂材料でＭＥＭＳセンサを封止した従来構造のＭＥＭＳセンサパッケージを示す断面図である。 外装ケースでＭＥＭＳセンサを密閉した従来構造のＭＥＭＳセンサパッケージを示す断面図である。

符号の説明

１０ ＭＥＭＳセンサパッケージ
１１ ベース基板
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ スルーホール
１１ｄ ボンディングパッド
１１ｅ 実装用電極パッド
１１ｆ 側面電極
１２ ＭＥＭＳセンサ
１３ ワイヤボンディング部
１４ 封止樹脂
１５ 粘着テープ
２０ ＭＥＭＳセンサパッケージ
３０ ＭＥＭＳセンサパッケージ
３１ 外装ケース

Claims (8)

1. 導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板を備え、ワイヤボンディングによりＭＥＭＳセンサの電極パッドと該ベース基板のボンディングパッドを接続し、このワイヤボンディング部とＭＥＭＳセンサを封止樹脂により封止してなるＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、
   前記ベース基板にその表裏面を貫通するスルーホールを設け、このスルーホール内に、前記封止樹脂で位置固定される前記ＭＥＭＳセンサを埋設したことを特徴とするＭＥＭＳセンサパッケージ。
2. 請求項１記載のＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、前記ベース基板の実装用電極パッドを設けた側の面に、該実装用電極パッドエリアを除いて全面に粘着テープを接着したＭＥＭＳセンサパッケージ。
3. 導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板を備え、ワイヤボンディングによりＭＥＭＳセンサの電極パッドと該ベース基板のボンディングパッドを接続し、このワイヤボンディング部とＭＥＭＳセンサを覆うケースを前記ベース基板に接着固定してなるＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、
   前記ベース基板の表裏面を貫通するスルーホールと、このスルーホールを塞ぐように前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に接着した粘着テープとを設け、前記スルーホール内に、前記粘着テープによって位置固定される前記ＭＥＭＳセンサを埋設したことを特徴とするＭＥＭＳセンサパッケージ。
4. 導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板に、該表裏面を貫通するスルーホールを形成する工程と、
   前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に、前記スルーホールを塞ぐようにして粘着テープを貼り付ける工程と、
   前記ベース基板のスルーホール内にＭＥＭＳセンサをボンディングパッド側から挿入し、該スルーホール内に露出させた粘着テープによって該ＭＥＭＳセンサを仮止めする工程と、
   この仮止め状態で、ワイヤボンディングにより前記ＭＥＭＳセンサの電極パッドと前記ベース基板のボンディングパッドを接続する工程と、
   前記ベース基板のボンディングパッド側の面に、前記ワイヤボンディング部及び前記ＭＥＭＳセンサを完全に覆うようにして封止樹脂を塗布し、この封止樹脂によって前記ＭＥＭＳセンサの位置を本固定する工程と、
   を有することを特徴とするＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法。
5. 請求項４記載のＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法において、前記ＭＥＭＳセンサの位置を本固定した後に、前記粘着テープを剥がす工程を有するＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法。
6. 請求項４または５記載のＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法において、前記粘着テープは、実装用電極パッドエリアを除いて前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に接着するＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法。
7. 導通接続したボンディングパッドと実装用電極パッドを表裏面に有するベース基板に、該表裏面を貫通するスルーホールを形成する工程と、
   前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に、前記スルーホールを塞ぐようにして粘着テープを貼り付ける工程と、
   前記ベース基板のスルーホール内にＭＥＭＳセンサをボンディングパッド側から挿入し、該スルーホール内に露出させた粘着テープによって該ＭＥＭＳセンサを接着固定する工程と、
   この接着固定した状態で、ワイヤボンディングにより前記ＭＥＭＳセンサの電極パッドと前記ベース基板のボンディングパッドを接続する工程と、
   前記ワイヤボンディング部及び前記ＭＥＭＳセンサを完全に覆うケースを、前記ベース基板に接着固定する工程と、
   を有することを特徴とするＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法。
8. 請求項７記載のＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法において、前記粘着テープは、実装用電極パッドエリアを除いて前記ベース基板の実装用電極パッド側の面に接着するＭＥＭＳセンサパッケージの製造方法。

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