JP2010154459A - High-frequency amplifying device - Google Patents

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JP2010154459A JP2008332994A JP2008332994A JP2010154459A JP 2010154459 A JP2010154459 A JP 2010154459A JP 2008332994 A JP2008332994 A JP 2008332994A JP 2008332994 A JP2008332994 A JP 2008332994A JP 2010154459 A JP2010154459 A JP 2010154459A
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Yasuhiro Takeda
康弘 武田
Yoichi Okubo
陽一 大久保
Manabu Nakamura
学 中村
Taizo Ito
太造 伊藤
Toshio Nojima
俊雄 野島
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency amplifying device capable of aiming at a higher efficiency by improving the gain of the high-frequency amplifying device that is a Doherty amplifier, combined with a general distortion compensation method and by bringing the distortion compensation amount to that of an AB class amplifier. <P>SOLUTION: The high-frequency amplifying device includes a freuqnecy-doubling wave injection Doherty amplifier 10, having a frequency-doubling wave generating section; an adaptive bias control circuit 116, and a distortion compensating section by pre-distortion, wherein the gain when the input level is low is improved by injecting a second-order harmonics generated in the double-frequency wave generating section and the phase and amplitude of which are adjusted into a carrier amplifier of a Doherty amplifying section and at the same time; and the adaptive bias control circuit 116 appropriately controls the gate voltage of a peak amplifier, according to the input level to improve the gain in the vicinity of saturation and improve the distortion compensation amount. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、高周波信号を増幅する高周波増幅装置に係り、特にドハティ増幅器と一般的な歪補償とを組み合わせた場合の歪補償特性を向上させて、電力変換効率の一層の向上を図ることができる高周波増幅装置に関する。   The present invention relates to a high-frequency amplifier that amplifies a high-frequency signal, and in particular, can improve distortion compensation characteristics when combining a Doherty amplifier and general distortion compensation, and can further improve power conversion efficiency. The present invention relates to a high frequency amplification device.

[先行技術の説明]
高速データ通信を実現するため、互いに直交する複数のキャリアを用いるOFDM(直交周波数多重変調方式:Orthogonal Frequency Division Multiplexing)が、無線LANや地上波ディジタル放送などの分野において採用されている。しかし、OFDMによる変調は多数のキャリアを用いているために、信号波形のピーク電力対平均電力比(PAPR)が高くなるという欠点がある。
そこで、このようなマイクロ波信号を増幅するには、増幅器の実動作時における平均電力と飽和電力との差として与えられるバックオフを十分に大きな状態で動作させる必要がある。
しかし、一般的な増幅器では、バックオフの大きな状態では効率が大幅に低下するというトレイドオフの関係があり、高い効率は、増幅器の出力が最大出力電力に近づくまで得られない。
[Description of Prior Art]
In order to realize high-speed data communication, OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing) using a plurality of carriers orthogonal to each other is employed in fields such as wireless LAN and terrestrial digital broadcasting. However, since modulation by OFDM uses a large number of carriers, there is a drawback that the peak power to average power ratio (PAPR) of the signal waveform becomes high.
Therefore, in order to amplify such a microwave signal, it is necessary to operate the backoff given as a difference between the average power and the saturation power during actual operation of the amplifier in a sufficiently large state.
However, in general amplifiers, there is a trade-off relationship in which the efficiency is significantly reduced in a large backoff state, and high efficiency cannot be obtained until the output of the amplifier approaches the maximum output power.

[ドハティ増幅器]
出力レベルが高く高効率な増幅器として、ドハティ増幅器が知られている。
ドハティ増幅器は、AB級にバイアスされたキャリア増幅器と、C級にバイアスされたピーク増幅器を並列で利用する。通常はキャリア増幅器が動作するが、瞬時的な大きいピーク成分はピーク増幅器を起動し、出力端でキャリア増幅器と合成する。通常はキャリア増幅器だけが少ないバックオフで動作するので、AB級の単体動作に比べて高効率を得られる。
ドハティ増幅器の構成及び動作は例えば特開2008−125044号公報(特許文献1)に記載されている。
[Doherty amplifier]
A Doherty amplifier is known as an amplifier having a high output level and high efficiency.
The Doherty amplifier uses a carrier amplifier biased to class AB and a peak amplifier biased to class C in parallel. Normally, the carrier amplifier operates, but an instantaneous large peak component activates the peak amplifier and synthesizes it with the carrier amplifier at the output end. Normally, only the carrier amplifier operates with a small back-off, so that high efficiency can be obtained as compared with class AB single-unit operation.
The configuration and operation of the Doherty amplifier are described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2008-125044 (Patent Document 1).

[歪補償]
また、増幅器の非線形歪を補償する一般的な歪補償方式としては、フィードフォワード歪補償、フィードバック歪補償、プレディストーション歪補償がある。
[プレディストーション方式:図9]
ここで、従来の歪補償方式の一例について図9を用いて説明する。図9は、一般的なプレディストーション歪補償機能を備えた増幅装置の概略構成ブロック図である。
プリディストーションは、電力増幅器の逆特性を前段に設けることで、相互変調歪を低減する方法であり、この逆特性を、温度変化や個体差に応じて適応的に制御する。
[Distortion compensation]
As general distortion compensation methods for compensating for nonlinear distortion of an amplifier, there are feedforward distortion compensation, feedback distortion compensation, and predistortion distortion compensation.
[Predistortion method: Fig. 9]
Here, an example of a conventional distortion compensation method will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic configuration block diagram of an amplifying apparatus having a general predistortion distortion compensation function.
Predistortion is a method of reducing intermodulation distortion by providing an inverse characteristic of a power amplifier in the previous stage, and this inverse characteristic is adaptively controlled in accordance with temperature changes and individual differences.

図9に示すように、プレディストーション歪補償機能を備えた従来の増幅装置は、プリディストータ101と、D/A変換器102と、直交変調器103と、発振器104と、電力増幅器105と、方向性結合器106と、ミキサ107と、発振器108と、A/D変換器109と、歪検出部112と、制御部118とから構成されている。歪検出部112は更に、FFT演算部(図ではFFT)110と、IM演算部111とから構成されている。   As shown in FIG. 9, a conventional amplifying apparatus having a predistortion distortion compensation function includes a predistorter 101, a D / A converter 102, a quadrature modulator 103, an oscillator 104, a power amplifier 105, A directional coupler 106, a mixer 107, an oscillator 108, an A / D converter 109, a distortion detector 112, and a controller 118 are included. The distortion detection unit 112 further includes an FFT calculation unit (FFT in the figure) 110 and an IM calculation unit 111.

プリディストータ101は、制御部118からの指示に従って入力信号に対して非線形歪の逆特性を付加する歪補償を行う。
D/A変換器102は、歪補償されたディジタル入力信号をアナログ信号に変換する。
発振器104は、RF周波数を発振するものである。
直交変調器103は、入力されたアナログ信号を直交変調して発振器104の周波数でアップコンバートする。
電力増幅器105は、入力されたRF信号を所定の増幅率で増幅して出力する。
The predistorter 101 performs distortion compensation for adding an inverse characteristic of nonlinear distortion to the input signal in accordance with an instruction from the control unit 118.
The D / A converter 102 converts the distortion-compensated digital input signal into an analog signal.
The oscillator 104 oscillates the RF frequency.
The quadrature modulator 103 performs quadrature modulation on the input analog signal and up-converts it with the frequency of the oscillator 104.
The power amplifier 105 amplifies the input RF signal with a predetermined amplification factor and outputs it.

方向性結合器106は、電力増幅器105からの出力信号を分岐してフィードバックする。
ミキサ107は、発振器108からの信号と方向性結合器106から分岐された信号とを合成してIF周波数にダウンコンバートする。
A/D変換器109は、ダウンコンバートされた信号をクロック2(CLK2)でA/D変換してサンプリングする。
The directional coupler 106 branches the output signal from the power amplifier 105 and feeds it back.
The mixer 107 synthesizes the signal from the oscillator 108 and the signal branched from the directional coupler 106 and down-converts them to the IF frequency.
The A / D converter 109 performs A / D conversion on the down-converted signal with the clock 2 (CLK2) and samples the signal.

歪検出部112は、入力されたサンプリング信号に含まれる歪を検出して歪値として制御部118に出力する。
歪検出部112のFFT演算部110は、入力された信号をFFT(Fast Fourier Transform;高速フーリエ変換)によってスペクトラムを求める。
IM演算部111は、変調信号のキャリア数とその離調周波数から相互変調歪の周波数を算出し、スペクトラムに基づいて、当該周波数における電力値を歪値として制御部118に出力する。
そして、制御部118は、入力された歪値が小さくなるようにプリディストータ101を適応的に制御する。
The distortion detection unit 112 detects distortion included in the input sampling signal and outputs it to the control unit 118 as a distortion value.
The FFT calculation unit 110 of the distortion detection unit 112 obtains a spectrum of the input signal by FFT (Fast Fourier Transform).
The IM calculation unit 111 calculates the frequency of intermodulation distortion from the number of carriers of the modulation signal and the detuning frequency, and outputs the power value at the frequency to the control unit 118 as a distortion value based on the spectrum.
Then, the control unit 118 adaptively controls the predistorter 101 so that the input distortion value becomes small.

上記構成の増幅装置における動作について説明する。
デジタルI/Q形式で入力されたIF周波数の入力信号は、プリディストータ101で非線形歪が歪補償されて、D/A変換器102でアナログ信号に変換され、直交変調器103で直交変調されると共にRF周波数にアップコンバートされ、電力増幅器105で所定の増幅率で増幅されて出力される。
The operation of the amplification device having the above configuration will be described.
The IF signal input in the digital I / Q format is compensated for nonlinear distortion by the predistorter 101, converted to an analog signal by the D / A converter 102, and orthogonally modulated by the orthogonal modulator 103. And up-converted to an RF frequency, amplified by the power amplifier 105 with a predetermined amplification factor, and output.

一方、電力増幅器105の出力の一部は、方向性結合器106によって取り出され、ミキサ107でIF周波数にダウンコンバートされ、A/D変換器109でディジタル信号に変換されて、歪検出部112のFFT演算部110によってスペクトラム検出され、IM演算部111で算出された相互変調歪(IM3,IM5)における電力値を算出し、歪値として制御部118に出力される。
そして、制御部118が、歪値を小さくするよう、プリディストータ101を適応的に制御するようになっている。
On the other hand, a part of the output of the power amplifier 105 is taken out by the directional coupler 106, down-converted to an IF frequency by the mixer 107, converted into a digital signal by the A / D converter 109, and The spectrum is detected by the FFT calculation unit 110, the power value in the intermodulation distortion (IM3, IM5) calculated by the IM calculation unit 111 is calculated, and the distortion value is output to the control unit 118.
The control unit 118 adaptively controls the predistorter 101 so as to reduce the distortion value.

増幅装置の非線形特性が相互変調歪として現れるのは、奇数次歪であるため、増幅装置の非線形の逆特性を付加するプリディストータにおける処理は式(1)で近似できる。
y=x+α・|x|2・x+β・|x|4・x+γ・|x|6・x 式(1)
ここで、x、yはプリディストータ101の入力信号及び出力信号であり、複素数である。制御部118は、歪検出部112で得られた歪値が小さくなるように、摂動法を用いてα、β、γの値を制御する。
Since the nonlinear characteristic of the amplifying device appears as intermodulation distortion is odd-order distortion, the processing in the predistorter that adds the nonlinear inverse characteristic of the amplifying apparatus can be approximated by equation (1).
y = x + α · | x | 2 · x + β · | x | 4 · x + γ · | x | 6 · x Equation (1)
Here, x and y are an input signal and an output signal of the predistorter 101, and are complex numbers. The control unit 118 controls the values of α, β, and γ using a perturbation method so that the strain value obtained by the strain detection unit 112 becomes small.

[プリディストータの構成:図10]
ここで、プリディストータ101の概略構成について図10を用いて説明する。図10は、プリディストータ101の概略構成を示すブロック図である。
図10に示すように、プリディストータ101は、複数の乗算器と加算器を備え、入力信号(x)から、3乗、5乗、7乗の成分を算出し、各々に係数α、β、γを乗算して式(1)に基づいて出力信号(y)を得る構成となっている。
[Configuration of predistorter: FIG. 10]
Here, a schematic configuration of the predistorter 101 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a block diagram showing a schematic configuration of the predistorter 101.
As shown in FIG. 10, the predistorter 101 includes a plurality of multipliers and adders, calculates the third, fifth, and seventh power components from the input signal (x), and has coefficients α and β respectively. , Γ is multiplied to obtain an output signal (y) based on equation (1).

α、β、γは複素数で、
α = A3・exp(j*Φ3)
β = A5・exp(j*Φ5)
γ = A7・exp(j*Φ7) 式(2)
と表される。
そこで、制御部118ではこれらの係数を、Φ3→A3→Φ5→A5→Φ7→A7→Φ3…の順番で摂動法によって循環的に制御する。
α, β, and γ are complex numbers.
α = A3 · exp (j * Φ3)
β = A5 · exp (j * Φ5)
γ = A7 · exp (j * Φ7) Equation (2)
It is expressed.
Therefore, the control unit 118 cyclically controls these coefficients by the perturbation method in the order of Φ3 → A3 → Φ5 → A5 → Φ7 → A7 → Φ3.

[制御における制御:図11]
制御部118における摂動法を用いた制御について図11を用いて説明する。図11は、制御部118における摂動法を用いた制御を示すフローチャート図である。
図11に示すように、制御部118は、処理が開始されると、まず初期設定として更新対象係数(K、ここではまずΦ3)の設定、設定回数、前回の歪値の読み込みを行う(200)。
[Control in control: FIG. 11]
Control using the perturbation method in the control unit 118 will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart showing the control using the perturbation method in the control unit 118.
As shown in FIG. 11, when the processing is started, the control unit 118 first sets an update target coefficient (K, here, first Φ3) as an initial setting, reads the number of times of setting, and reads the previous distortion value (200). ).

そして、歪検出部112において算出された現在の歪値が入力されると、制御部118は、現在の歪値と前回の歪値との大小を比較し(201)、現在の歪値の方が小さくなっていれば(Yesの場合)更に同じ方向に係数を更新する(K=K+Step)(203)。
また、処理101において歪値が大きくなっていれば(Noの場合)、制御部118は、更新方向を反転(Step=Step * (−1))させて(202)、処理203に移行して係数の更新を行う。
When the current distortion value calculated by the distortion detection unit 112 is input, the control unit 118 compares the current distortion value with the previous distortion value (201), and determines the current distortion value. Is smaller (in the case of Yes), the coefficient is further updated in the same direction (K = K + Step) (203).
Further, if the distortion value is large in the process 101 (in the case of No), the control unit 118 reverses the update direction (Step = Step * (− 1)) (202), and proceeds to the process 203. Update the coefficients.

次に、制御部118は、同じ係数(ここではΦ3)を連続して何回更新したかをカウントし(204)、処理201において「現在の歪値」として検出した歪値を保存する(205)。ここで保存した歪値は次回の処理201で「前回の歪値」として用いるものである。
そして、制御部118は、記憶されている更新回数と処理200の初期設定において設定しておいた設定回数とを比較し(206)、更新回数が設定回数以下であれば(Noの場合)処理201に戻って、Φ3の係数更新を繰り返す。
Next, the control unit 118 counts how many times the same coefficient (here, Φ3) has been continuously updated (204), and stores the distortion value detected as the “current distortion value” in the process 201 (205). ). The distortion value stored here is used as the “previous distortion value” in the next processing 201.
Then, the control unit 118 compares the stored number of updates with the set number set in the initial setting of the process 200 (206), and if the update number is equal to or less than the set number (if No), the process Returning to 201, the coefficient update of Φ3 is repeated.

また、処理206において、更新回数が設定回数を超えた場合(Yesの場合)には、制御部118は、更新対象係数を変更する(207)。ここでは、更新対象係数をΦ3からA3に変更する。そして、制御部118は、記憶されている更新回数をクリアする(208)。
制御部118では、このような摂動法を用いた制御によって歪値が小さくなるようにプリディストータ101の係数を制御する。このようにして、増幅装置における非線形の逆特性を、べき級数を用いたプリディストータで近似することができ、歪補償が可能となるものである。
In the process 206, when the number of updates exceeds the set number (in the case of Yes), the control unit 118 changes the update target coefficient (207). Here, the update target coefficient is changed from Φ3 to A3. Then, the control unit 118 clears the stored number of updates (208).
The control unit 118 controls the coefficient of the predistorter 101 so that the distortion value becomes small by the control using such a perturbation method. In this way, the non-linear inverse characteristic in the amplifying apparatus can be approximated by a predistorter using a power series, and distortion compensation is possible.

[歪補償を備えたドハティ増幅器]
尚、一般的なドハティ増幅器と一般的な歪補償方式とを組み合わせて、ドハティ増幅器における非線形性を抑え、一層の効率向上を図る増幅装置も考案されている
[Doherty amplifier with distortion compensation]
An amplifying apparatus has been devised that combines a general Doherty amplifier and a general distortion compensation method to suppress nonlinearity in the Doherty amplifier and further improve efficiency.

[先行技術文献]
尚、高効率化を図る増幅器に関する先行技術としては、特開2005−204208号公報(特許文献2)がある。
特許文献2には、増幅対象となる基本波信号に対する奇数次の高調波信号を発生させ、当該奇数次の高調波信号を増幅対象となる基本波信号と合成して矩形波信号を生成し、矩形波信号を能動素子により増幅し、当該能動素子の出力端から負荷側を見た場合における奇数次の高調波信号に対するインピーダンスの値を無限大とすると共に、偶数次の高調波信号に対するインピーダンスの値をゼロとするようにして、高効率化を実現できる増幅器が記載されている。
[Prior art documents]
As a prior art related to an amplifier that achieves high efficiency, there is JP-A-2005-204208 (Patent Document 2).
Patent Document 2 generates an odd-order harmonic signal for a fundamental wave signal to be amplified, generates a rectangular wave signal by combining the odd-order harmonic signal with the fundamental wave signal to be amplified, When the rectangular wave signal is amplified by an active element and the load side is viewed from the output end of the active element, the impedance value for the odd-order harmonic signal is infinite, and the impedance for the even-order harmonic signal is An amplifier that can achieve high efficiency by setting the value to zero is described.

特開2008−125044号公報JP 2008-125044 A 特開2005−204208号公報JP-A-2005-204208

しかしながら、一般的なドハティ増幅器と一般的な歪補償方式とを組み合わせた従来の高周波増幅装置では、ドハティ増幅器のゲインが飽和付近及び低入力時において低下しているために、歪補償量が従来のAB級増幅器の歪補償量と比較して低くなってしまい、相互変調歪の劣化のために効率を限界まで引き出すことができないという問題点があった。   However, in a conventional high-frequency amplifier that combines a general Doherty amplifier and a general distortion compensation method, the gain of the Doherty amplifier is reduced near saturation and at a low input, so that the distortion compensation amount is the same as the conventional one. There is a problem that the amount of distortion compensation becomes lower than that of the class AB amplifier, and the efficiency cannot be brought out to the limit due to degradation of intermodulation distortion.

尚、上記特許文献1では、奇数次高調波を増幅器入力に注入することは記載されているが、偶数次高周波を注入することは記載されていない。   In addition, although the said patent document 1 describes injecting odd-order harmonics into the amplifier input, it does not describe injecting even-order high-frequency waves.

本発明は、上記実情を鑑みて為されたもので、ドハティ増幅器と一般的な歪補償方式とを組み合わせた高周波増幅装置のゲインを向上させ、歪補償量をAB級増幅器における歪補償量に近づけ、一層の高効率を図ることができる高周波増幅装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and improves the gain of a high-frequency amplifier that combines a Doherty amplifier and a general distortion compensation method so that the distortion compensation amount approaches that of a class AB amplifier. Another object of the present invention is to provide a high-frequency amplifier that can achieve higher efficiency.

上記従来例の問題点を解決するための本発明は、AB級で動作するキャリア増幅器と、B級又はC級で動作するピーク増幅器路とを有し、キャリア増幅器とピーク増幅器の出力を合成して出力するドハティ増幅器を備えた高周波増幅装置であって、入力された基本周波数の信号から2次高調波を発生し、2次高調波の位相及び振幅を調整して、ドハティ増幅器のキャリア増幅器、又は前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器の双方に出力する2次高調波発生回路と、ドハティ増幅器への入力レベルに応じてドハティ増幅器のピーク増幅器のゲート電圧を制御するアダプティブバイアス制御回路とを備えたことを特徴としている。   The present invention for solving the problems of the above conventional example has a carrier amplifier operating in class AB and a peak amplifier path operating in class B or class C, and combines the outputs of the carrier amplifier and the peak amplifier. A high frequency amplification device including a Doherty amplifier that outputs a second harmonic from an input fundamental frequency signal, adjusts the phase and amplitude of the second harmonic, and a carrier amplifier of the Doherty amplifier, Or a second harmonic generation circuit that outputs to both the carrier amplifier and the peak amplifier, and an adaptive bias control circuit that controls the gate voltage of the peak amplifier of the Doherty amplifier according to the input level to the Doherty amplifier. It is characterized by.

また、本発明は、上記高周波増幅装置において、ドハティ増幅器で発生する非線形歪を補償する歪補償回路を備えたことを特徴としている。   Further, the present invention is characterized in that the above-described high-frequency amplifier device includes a distortion compensation circuit that compensates for nonlinear distortion generated in the Doherty amplifier.

本発明によれば、ドハティ増幅器を備えた高周波増幅装置であって、入力された基本周波数の信号から2次高調波を発生し、2次高調波の位相及び振幅を調整して、ドハティ増幅器のキャリア増幅器、又は前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器の双方に出力する2次高調波発生回路と、ドハティ増幅器への入力レベルに応じてドハティ増幅器のピーク増幅器のゲート電圧を制御するアダプティブバイアス制御回路とを備えた高周波増幅装置としているので、増幅器への2次高調波の注入により低入力レベル時のゲインを向上させると共に、入力レベルに応じてピーク増幅器のゲート電圧を制御することにより飽和付近のゲインを向上させることができ、一層の効率化を図ることができる効果がある。   According to the present invention, a high frequency amplifying apparatus including a Doherty amplifier generates a second harmonic from an input fundamental frequency signal, adjusts the phase and amplitude of the second harmonic, A carrier amplifier, or a second harmonic generation circuit that outputs to both the carrier amplifier and the peak amplifier, and an adaptive bias control circuit that controls the gate voltage of the peak amplifier of the Doherty amplifier according to the input level to the Doherty amplifier. Because it is a high-frequency amplification device, the gain at the low input level is improved by injecting the second harmonic into the amplifier, and the gain near saturation is controlled by controlling the gate voltage of the peak amplifier according to the input level. There is an effect that it is possible to improve the efficiency.

また、本発明によれば、ドハティ増幅器で発生する非線形歪を補償する歪補償回路を備えた上記高周波増幅装置としているので、ドハティ増幅器と一般的な歪補償との組み合わせであってもAB級増幅器に近い十分な歪補償量を実現し、更なる効率化を図ることができる効果がある。   In addition, according to the present invention, the above-described high-frequency amplification device is provided with a distortion compensation circuit that compensates for nonlinear distortion generated in the Doherty amplifier. Therefore, even if a combination of Doherty amplifier and general distortion compensation is used, a class AB amplifier A sufficient amount of distortion compensation close to the above can be realized, and further efficiency can be improved.

[発明の概要]
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態に係る高周波増幅装置は、ドハティ増幅器とプリディストーション歪補償とを組み合わせた構成の増幅装置であって、ドハティ増幅器のピーク増幅器のバイアス電圧を入力レベルに応じて制御するアダプティブバイアス制御回路を備えて、飽和付近でのゲインを向上させると共に、キャリア増幅器の入力に位相及び振幅を調整した2次高調波を注入する2次高調波発生部を備えて、低入力時におけるゲインを向上させ、飽和付近及び低入力時のゲイン低下による歪補償の劣化を抑制し、歪補償特性を向上させて増幅器全体の効率を向上を図ることができるものである。
[Summary of Invention]
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
A high-frequency amplifier according to an embodiment of the present invention is an amplifier having a configuration in which a Doherty amplifier and predistortion distortion compensation are combined, and an adaptive bias that controls a bias voltage of a peak amplifier of the Doherty amplifier according to an input level. A control circuit is provided to improve the gain in the vicinity of saturation and a second harmonic generation unit that injects a second harmonic whose phase and amplitude are adjusted to the input of the carrier amplifier. Thus, it is possible to improve the overall efficiency of the amplifier by improving the distortion compensation characteristics by suppressing the deterioration of the distortion compensation due to the gain reduction near saturation and at the time of low input.

また、本発明の実施の形態に係る高周波増幅装置は、上記構成に加えて2次高調波をピーク増幅器にも注入することにより、一層の効率向上を図ることができるものである。   In addition to the above configuration, the high-frequency amplifier according to the embodiment of the present invention can further improve efficiency by injecting the second harmonic into the peak amplifier.

[第1の実施の形態:図1]
本発明の第1の実施の形態に係る高周波増幅装置について図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る高周波増幅装置(第1の増幅装置)の構成ブロック図である。
図1に示すように、第1の増幅装置は、プリディストータ101と、D/A変換器102と、直交変調器103と、発振器104と、2倍波注入ドハティ増幅器10と、方向性結合器106と、ミキサ107と、発振器108と、A/D変換器109と、歪検出部112と、制御部118と、アダプティブバイアス制御回路116と、遅延補正回路115と、方向性結合器119とを備えている。歪検出部112は更に、FFT演算部110と、IM演算部111とから構成されている。
[First Embodiment: FIG. 1]
A high-frequency amplifier according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a high-frequency amplification device (first amplification device) according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the first amplifying device includes a predistorter 101, a D / A converter 102, a quadrature modulator 103, an oscillator 104, a second harmonic injection Doherty amplifier 10, and a directional coupling. 106, mixer 107, oscillator 108, A / D converter 109, distortion detection unit 112, control unit 118, adaptive bias control circuit 116, delay correction circuit 115, and directional coupler 119 It has. The distortion detection unit 112 further includes an FFT calculation unit 110 and an IM calculation unit 111.

上記構成部分の内、プリディストータ101と、D/A変換器102と、直交変調器103と、発振器104と、方向性結合器106と、ミキサ107と、発振器108と、A/D変換器109と、歪検出部112と、制御部118は、プリディストーションによる歪補償を行う部分(歪補償部)であり、図9に示した従来のプリディストーション機能を備えた増幅装置における各部と構成及び動作が同一であるため、ここでは説明を省略する。   Among the above components, the predistorter 101, the D / A converter 102, the quadrature modulator 103, the oscillator 104, the directional coupler 106, the mixer 107, the oscillator 108, and the A / D converter. 109, the distortion detection unit 112, and the control unit 118 are portions for performing distortion compensation by predistortion (distortion compensation unit), and each component and configuration in the conventional amplifying apparatus having the predistortion function shown in FIG. Since the operation is the same, the description is omitted here.

第1の増幅装置における特徴部分について説明する。
方向性結合器119は、直交変調器103から出力された信号を分岐する。
遅延補正回路115は、伝送線路やフィルタ等で構成され、入力された信号を、アダプティブバイアス回路116に分岐された信号に合わせて遅延する。
アダプティブバイアス回路116は、入力レベルに応じて、2倍波注入ドハティ増幅器10のピーク増幅器のバイアス電圧を制御する。アダプティブバイアス回路116の構成については後で説明する。
2倍波注入ドハティ増幅器10は、一般的なドハティ増幅器の構成に加えて、キャリア増幅器の入力に2次高調波を注入する2倍波発生部を備えたものである。2倍波発生部の構成については後で説明する。
The characteristic part in the first amplifying device will be described.
The directional coupler 119 branches the signal output from the quadrature modulator 103.
The delay correction circuit 115 includes a transmission line, a filter, and the like, and delays the input signal in accordance with the signal branched to the adaptive bias circuit 116.
The adaptive bias circuit 116 controls the bias voltage of the peak amplifier of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 according to the input level. The configuration of the adaptive bias circuit 116 will be described later.
The second harmonic injection Doherty amplifier 10 is provided with a second harmonic generation unit that injects a second harmonic into the input of the carrier amplifier in addition to the configuration of a general Doherty amplifier. The configuration of the second harmonic generation unit will be described later.

[アダプティブバイアス制御回路116:図2]
次に、アダプティブバイアス制御回路116の構成について図2を用いて説明する。図2は、アダプティブバイアス制御回路116の構成例を示す回路図である。
図2に示すように、アダプティブバイアス制御回路116は、入力端子と、入力された信号のレベルを調整するレベル調整用回路と、入力信号との整合をとる整合用抵抗と、ゲート電圧の傾きを調整する傾き調整用の抵抗と、入力信号を検波する検波用ショットキーダイオードと、無入力信号時のアイドル電流を流すためのオフセット用電源と、検波後の不要な波を除去するLPFと、検波電圧にリミットをかけるためのリミット用ショットキーダイオードと、リミット用電源と、出力端子とを備えている。
そして、アダプティブバイアス制御回路116の出力端子は、後述する2倍波注入ドハティ増幅器10のゲート端子12に接続され、ピーク増幅器にゲート電圧を供給するものである。
[Adaptive Bias Control Circuit 116: FIG. 2]
Next, the configuration of the adaptive bias control circuit 116 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the adaptive bias control circuit 116.
As shown in FIG. 2, the adaptive bias control circuit 116 includes an input terminal, a level adjustment circuit for adjusting the level of the input signal, a matching resistor for matching the input signal, and the slope of the gate voltage. A slope adjusting resistor to adjust, a detection Schottky diode for detecting an input signal, an offset power source for flowing an idle current at the time of no input signal, an LPF for removing unnecessary waves after detection, and detection A limit Schottky diode for limiting the voltage, a limit power source, and an output terminal are provided.
An output terminal of the adaptive bias control circuit 116 is connected to a gate terminal 12 of a second harmonic injection Doherty amplifier 10 described later, and supplies a gate voltage to the peak amplifier.

[アダプティブバイアス制御回路116の動作:図2、図6(a)]
次に、アダプティブバイアス制御回路116によるピーク増幅器のゲート電圧の制御について図2及び図6(a)を用いて説明する。図6(a)は、アダプティブバイアス制御回路116によるピーク増幅器のゲート電圧の制御例を示す説明図である。
図2に示したアダプティブバイアス回路116では、オフセット用電源によって図6(a)のA領域(ピーク増幅器はCクラス動作を行う電圧)におけるゲート電圧を制御する。
[Operation of Adaptive Bias Control Circuit 116: FIG. 2, FIG. 6 (a)]
Next, the control of the gate voltage of the peak amplifier by the adaptive bias control circuit 116 will be described with reference to FIG. 2 and FIG. FIG. 6A is an explanatory diagram showing an example of controlling the gate voltage of the peak amplifier by the adaptive bias control circuit 116.
In the adaptive bias circuit 116 shown in FIG. 2, the gate voltage in the A region (the peak amplifier performs the C class operation) in FIG. 6A is controlled by the offset power supply.

また、傾き調整用の抵抗によって図6(a)のB領域(ピーク増幅器はCからABクラス動作を行う電圧)におけるゲート電圧を制御する。
そして、リミット用ショットキーダイオードとリミット用電源で図6(a)のC領域(ピーク増幅器はABクラス動作を行う電圧)におけるゲート電圧を制御する。
結果的にはピーク増幅器のアイドル電流を入力レベルに応じて変化させることが可能となる。
In addition, the gate voltage in the B region (the peak amplifier performs the AB class operation from C to C) in FIG. 6A is controlled by the inclination adjusting resistor.
Then, the gate voltage in the region C (the peak amplifier performs the AB class operation) in FIG. 6A is controlled by the limit Schottky diode and the limit power source.
As a result, the idle current of the peak amplifier can be changed according to the input level.

第1の増幅装置では、アダプティブバイアス制御回路116を設けたことにより、ピーク増幅器のバイアス電圧を入力レベルに応じて制御して、飽和付近のゲインの低下を補うことができ、AB級増幅器と同等の歪補償が可能となる非線形性を確保することができるものである。   In the first amplifying apparatus, by providing the adaptive bias control circuit 116, the bias voltage of the peak amplifier can be controlled in accordance with the input level to compensate for the decrease in gain near saturation, which is equivalent to the class AB amplifier. Therefore, it is possible to ensure non-linearity that enables distortion compensation.

[2倍波注入ドハティ増幅器10:図3,図4]
次に、第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10について説明する。
第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10は、一般的なドハティ増幅器とほぼ同様の構成を備えたドハティ増幅部と、2次高調波を発生する2倍波発生部とから構成されている。
[Double Harmonic Injection Doherty Amplifier 10: FIGS. 3 and 4]
Next, the second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplifying device will be described.
The second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplifying device includes a Doherty amplification unit having a configuration substantially similar to that of a general Doherty amplifier, and a second harmonic generation unit that generates second harmonics. Yes.

[2倍波発生部:図3]
まず、第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10の2倍波発生部について図3を用いて説明する。図3は、第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10の2倍波発生部の構成ブロック図である。
図3に示すように、2倍波注入ドハティ増幅器10の2倍波発生部は、入力端子21と、分配器22と、基本波調整回路31と、2倍波発生回路30と、出力端子A及び出力端子Bとから構成されている。
[Double harmonic generator: Fig. 3]
First, the second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplifying device will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a configuration block diagram of the second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplification device.
As shown in FIG. 3, the second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 includes an input terminal 21, a divider 22, a fundamental wave adjustment circuit 31, a second harmonic generation circuit 30, and an output terminal A. And an output terminal B.

ここで、入力端子21は、図1に示した遅延補正回路115の出力端子に接続されている。また、出力端子Aは、図4に示すドハティ増幅部の入力端子1(A)に接続されており、出力端子Bは、図4に示すドハティ増幅部の2倍波入力端子13(B)に接続されている。   Here, the input terminal 21 is connected to the output terminal of the delay correction circuit 115 shown in FIG. The output terminal A is connected to the input terminal 1 (A) of the Doherty amplifier shown in FIG. 4, and the output terminal B is connected to the second harmonic input terminal 13 (B) of the Doherty amplifier shown in FIG. It is connected.

基本波調整回路31は、2倍波注入ドハティ増幅器10のドハティ増幅部に入力される基本周波数の入力信号を調整するものであり、遅延補正回路23と、可変減衰器24と、増幅器25とから構成されている。
遅延補正回路23は、2倍波発生回路30を経由する信号と位相を合わせるよう、入力された信号を遅延して位相の調整を行う。
可変減衰器24及び増幅器25は、後述するドハティ増幅部への入力レベルが適切な入力レベルとなるよう信号の振幅を調整する。
The fundamental wave adjustment circuit 31 adjusts the fundamental frequency input signal input to the Doherty amplification unit of the double wave injection Doherty amplifier 10, and includes a delay correction circuit 23, a variable attenuator 24, and an amplifier 25. It is configured.
The delay correction circuit 23 adjusts the phase by delaying the input signal so as to match the phase with the signal passing through the second harmonic generation circuit 30.
The variable attenuator 24 and the amplifier 25 adjust the amplitude of the signal so that the input level to the later-described Doherty amplifier becomes an appropriate input level.

2倍波発生回路30は、入力された基本周波数の信号から2次高調波を生成して調整するものであり、高調波発生器26と、増幅器27と、可変移相器28と、可変減衰器29とから構成されている。
高調波発生回路26は、入力された基本周波数の信号から2次高調波を発生するものであり、例えば、入力整合回路と、ダイオードと、出力整合回路とが直列に接続された構成である。
増幅器27は、2次高調波を増幅し、可変移相器28は、2次高調波の位相の調整を行い、可変減衰器29は、適切な注入レベルとなるよう2次高調波の振幅の調整を行う。
尚、基本波調整回路31及び2倍波発生回路30は、出力される基本周波数信号と2次高調波の位相及び振幅の関係が最適となるように調整するものである。
The second harmonic generation circuit 30 generates and adjusts the second harmonic from the input fundamental frequency signal. The harmonic generator 26, the amplifier 27, the variable phase shifter 28, the variable attenuation, and the like. And a container 29.
The harmonic generation circuit 26 generates a second harmonic from an input fundamental frequency signal, and has, for example, a configuration in which an input matching circuit, a diode, and an output matching circuit are connected in series.
The amplifier 27 amplifies the second harmonic, the variable phase shifter 28 adjusts the phase of the second harmonic, and the variable attenuator 29 adjusts the amplitude of the second harmonic so as to obtain an appropriate injection level. Make adjustments.
The fundamental wave adjusting circuit 31 and the second harmonic wave generating circuit 30 adjust so that the relationship between the fundamental frequency signal to be output and the phase and amplitude of the second harmonic is optimized.

[2倍波発生部の動作:図3]
2倍波注入ドハティ増幅器10の2倍波発生部では、入力端子21から入力された基本周波数信号は、分配器22で分配され、その一方は基本波調整回路31に入力されて、遅延補正回路23で遅延され、可変減衰器24及び増幅器25でレベル調整されて、出力端子Aから出力され、後述するドハティ増幅部の入力端子1に入力される。
[Operation of second harmonic generation unit: Fig. 3]
In the second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10, the fundamental frequency signal input from the input terminal 21 is distributed by the distributor 22, and one of the signals is input to the fundamental wave adjustment circuit 31, and the delay correction circuit. 23, the level is adjusted by the variable attenuator 24 and the amplifier 25, is output from the output terminal A, and is input to the input terminal 1 of the Doherty amplifier described later.

分配器22で分配されたもう一方の基本周波数信号は、2倍波発生回路30に入力されて、高調波発生器26で2次高調波が生成され、2次高調波は、増幅器27で増幅され、可変移相器28で位相調整され、可変減衰器29でレベル調整されて、出力端子Bからドハティ増幅部の2倍波入力端子13よりキャリア増幅器4の入力整合回路41に入力される。   The other fundamental frequency signal distributed by the distributor 22 is input to the second harmonic generation circuit 30, a second harmonic is generated by the harmonic generator 26, and the second harmonic is amplified by the amplifier 27. Then, the phase is adjusted by the variable phase shifter 28, the level is adjusted by the variable attenuator 29, and is input from the output terminal B to the input matching circuit 41 of the carrier amplifier 4 from the second harmonic input terminal 13 of the Doherty amplifier.

[ドハティ増幅部:図4]
次に、2倍波注入ドハティ増幅器10のドハティ増幅部について図4を用いて説明する。図4は、第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10のドハティ増幅部の構成ブロック図である。
図4に示すように、ドハティ増幅部は、入力端子1(A)と、出力端子8と、分配器2と、移相器3と、キャリア増幅器4と、ピーク増幅器5と、ドハティ合成部6と、λ/4変成器7と、出力端子8とから構成されている。
[Doherty amplifier: Fig. 4]
Next, the Doherty amplification unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a configuration block diagram of the Doherty amplification unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplification device.
As shown in FIG. 4, the Doherty amplification unit includes an input terminal 1 (A), an output terminal 8, a distributor 2, a phase shifter 3, a carrier amplifier 4, a peak amplifier 5, and a Doherty combining unit 6. And a λ / 4 transformer 7 and an output terminal 8.

更に、キャリア増幅器4は、入力整合回路41と、増幅素子42と、出力整合回路43とから構成され、ピーク増幅器5は、入力整合回路51と、増幅素子52と、出力整合回路53とから構成されている。
また、ドハティ合成部6は、λ/4変成器61と、合成点62とから構成されている。
Further, the carrier amplifier 4 includes an input matching circuit 41, an amplification element 42, and an output matching circuit 43. The peak amplifier 5 includes an input matching circuit 51, an amplification element 52, and an output matching circuit 53. Has been.
The Doherty combining unit 6 includes a λ / 4 transformer 61 and a combining point 62.

そして、第1の増幅装置の特徴部分として、ドハティ増幅部には、キャリア増幅器4の入力整合回路41に2倍波発生部から入力される2次高調波を注入する2倍波入力端子13(B)が設けられ、ピーク増幅器5の増幅素子52のゲート電圧を制御するゲート端子12が設けられている。
そして、図3、図4において、「A」で示された端子同士が接続され、「B」で示された端子同士が接続されて、2倍波注入ドハティ増幅器10を構成している。
As a characteristic part of the first amplifying device, a second harmonic input terminal 13 (injecting a second harmonic input from the second harmonic generator into the input matching circuit 41 of the carrier amplifier 4 is input to the Doherty amplifier. B) is provided, and a gate terminal 12 for controlling the gate voltage of the amplifying element 52 of the peak amplifier 5 is provided.
3 and 4, the terminals indicated by “A” are connected to each other, and the terminals indicated by “B” are connected to each other to constitute the double wave injection Doherty amplifier 10.

2倍波入力端子13からは、上述した2倍波発生部のB端子から、位相及び振幅が適切に調整された2次高調波が入力される。これにより、電圧電流波形の重なりを減らして低入力レベルで動作するキャリア増幅器4の効率向上を図るものである。2次高調波注入の効果は、特に低入力レベルにおいて顕著であり、低入力レベルにおけるドハティ増幅部のゲインを向上させるものである。   From the second harmonic input terminal 13, a second harmonic whose phase and amplitude are appropriately adjusted is input from the B terminal of the second harmonic generation unit described above. Thus, the efficiency of the carrier amplifier 4 operating at a low input level is reduced by reducing the overlap of the voltage / current waveforms. The effect of the second harmonic injection is particularly remarkable at a low input level, and improves the gain of the Doherty amplifier at the low input level.

また、ゲート端子12は、上述したアダプティブバイアス制御回路116の出力端子に接続されており、入力レベルに応じて、図6(a)に示したようにピーク増幅器5の増幅素子52のゲート電圧を制御するようになっている。ピーク増幅器5のゲート電圧を入力レベルに応じて制御することにより、飽和に近い領域におけるドハティ増幅部のゲインを向上させるものである。   The gate terminal 12 is connected to the output terminal of the adaptive bias control circuit 116 described above, and the gate voltage of the amplifying element 52 of the peak amplifier 5 is changed according to the input level as shown in FIG. It comes to control. By controlling the gate voltage of the peak amplifier 5 according to the input level, the gain of the Doherty amplification unit in a region near saturation is improved.

これにより、第1の増幅装置では、ドハティ増幅器の低入力レベル時と飽和付近のゲインを向上させることができ、一般的な歪補償方式であっても、AB級増幅器に近い歪補償量が得られ、一層の効率改善を図ることができるものである。   As a result, the first amplifying device can improve the gain at the low input level of the Doherty amplifier and near saturation, and even with a general distortion compensation method, a distortion compensation amount close to that of the class AB amplifier can be obtained. Therefore, the efficiency can be further improved.

[ドハティ増幅部の動作:図4]
ドハティ増幅部では、入力端子1から、振幅及び位相を調整された基本周波数の信号が入力され、分配器4で分配され、その一方はキャリア増幅器4に入力されて、2倍波入力端子13からの2倍波と合成されて増幅素子42で増幅され、出力整合回路43を介してλ/4変成器61でインピーダンス変換される。
[Operation of Doherty Amplifier: FIG. 4]
In the Doherty amplifying unit, a signal having a fundamental frequency adjusted in amplitude and phase is input from the input terminal 1, distributed by the distributor 4, one of which is input to the carrier amplifier 4, and is input from the second harmonic input terminal 13. Is amplified by the amplifying element 42 and impedance-converted by the λ / 4 transformer 61 through the output matching circuit 43.

分配器4で分配されたもう一方の信号は、移相器5で位相をキャリア増幅器4に合わせて調整された後、ピーク増幅器5に入力され、アダプティブバイアス制御回路116からのゲート電圧に従って増幅素子52で増幅されて、出力整合回路53でインピーダンス変換されて出力される。   The other signal distributed by the distributor 4 is adjusted in phase by the phase shifter 5 in accordance with the carrier amplifier 4, and then input to the peak amplifier 5, and is amplified by the gate voltage from the adaptive bias control circuit 116. Amplified at 52, impedance-converted by the output matching circuit 53, and output.

合成点62ではλ/4変成器61からの出力とピーク増幅器5からの出力が合成され、更にλ/4変成器7で出力負荷(図示せず)に整合するためインピーダンス変換されて出力端子8から出力される。このようにして2倍波注入ドハティ増幅器10のドハティ増幅部の動作が行われるものである。   At the combining point 62, the output from the λ / 4 transformer 61 and the output from the peak amplifier 5 are combined, and the impedance is converted by the λ / 4 transformer 7 to match an output load (not shown), and the output terminal 8 Is output from. In this way, the operation of the Doherty amplification unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 is performed.

[2次高調波を注入したドレイン電流:図5]
次に、基本波に2次高調波を注入した場合のドレイン電流について図5を用いて説明する。図5は、基本波に2次高調波を注入した場合のドレイン電流を示す説明図である。
図5に示すように、入力電圧として基本波のみをトランジスタに入力した場合(2次高調波注入なし)に出力されるドレイン電流の波形に比べて、2次高調波を注入した場合には、電流が流れる期間が短くなり、F級増幅器における偶数次高調波周波数を短絡した波形のようになる。
基本波のみの入力では、出力される高調波のレベルが低く波形の形状変化が少ないが、2次高調波を注入することで、ドレイン電圧とドレイン電流との重なりを小さくして効率向上を図るものである。
また、基本波の入力レベルが低い時にはドレイン電流が少なく、相互コンダクタンスは小さいのでゲインは低いが、2次高調波を注入することにより、ドレイン電流が多く流れ、相互コンダクタンスが大きくなり、ゲインが向上する。
[Drain current injected with second harmonic: FIG. 5]
Next, the drain current when the second harmonic is injected into the fundamental wave will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the drain current when the second harmonic is injected into the fundamental wave.
As shown in FIG. 5, when the second harmonic is injected as compared to the drain current waveform output when only the fundamental wave is input to the transistor as the input voltage (without the second harmonic injection), The period during which the current flows is shortened, and a waveform in which the even harmonic frequency in the class F amplifier is short-circuited is obtained.
When only the fundamental wave is input, the level of the output harmonic is low and the change in the shape of the waveform is small. By injecting the second harmonic, the overlap between the drain voltage and the drain current is reduced to improve efficiency. Is.
Also, when the fundamental wave input level is low, the drain current is small and the mutual conductance is small, so the gain is low, but by injecting the second harmonic, a large amount of drain current flows, the mutual conductance increases, and the gain improves. To do.

[第1の増幅装置のAM−AM特性の例:図6(b)]
次に、第1の増幅装置のAM−AM特性について図6(b)を用いて説明する。図6(b)は、第1の増幅装置のAM−AM特性の例を示す説明図である。
図6(b)では、横軸は入力レベル、縦軸はゲインを示しており、(D)はAB級増幅器の特性、(E)は一般的なドハティ増幅器の特性、(F)はドハティ増幅器のピーク増幅器のゲート電圧を制御した場合の特性、(G)は第1の増幅装置における2倍波注入ドハティ増幅器10の特性を示している。
[Example of AM-AM characteristic of first amplification device: FIG. 6B]
Next, the AM-AM characteristic of the first amplification device will be described with reference to FIG. FIG. 6B is an explanatory diagram illustrating an example of AM-AM characteristics of the first amplifying device.
In FIG. 6B, the horizontal axis indicates the input level, the vertical axis indicates the gain, (D) indicates the characteristics of the class AB amplifier, (E) indicates the characteristics of a general Doherty amplifier, and (F) indicates the Doherty amplifier. The characteristics when the gate voltage of the peak amplifier is controlled, (G) shows the characteristics of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 in the first amplifier.

図6(b)の(E)に示した一般的なドハティ増幅器は、(D)に示したAB級増幅器に比べて低入力時のゲインが低く、入力レベルが増加するにつれてゲインが上がるものの、飽和付近では再びゲインが低下する。   The general Doherty amplifier shown in (E) of FIG. 6B has a lower gain at the time of low input than the class AB amplifier shown in (D), and the gain increases as the input level increases. In the vicinity of saturation, the gain decreases again.

(F)に示すように、一般のドハティ増幅器に、アダプティブバイアス制御回路等の構成を加えて、ピーク増幅器におけるゲートバイアス電圧を入力レベルに応じて制御すると、ピーク増幅器の飽和付近での効率を向上させることができ、それにより、増幅装置全体のゲインも向上する。しかし、低入力レベルにおける効率はAB級増幅器に比べて低いままである。
尚、ピーク増幅器のバイアス制御としては、図6(a)に示したように制御することが考えられる。
As shown in (F), by adding a configuration such as an adaptive bias control circuit to a general Doherty amplifier and controlling the gate bias voltage in the peak amplifier according to the input level, the efficiency near the saturation of the peak amplifier is improved. Thereby, the gain of the entire amplifying apparatus is also improved. However, the efficiency at low input levels remains low compared to class AB amplifiers.
As a bias control of the peak amplifier, it is conceivable to control as shown in FIG.

また、第1の増幅装置における2倍波注入ドハティ増幅器10では、(F)の増幅装置と同様にピーク増幅器のバイアス制御を行うと共に、キャリア増幅器に2次高調波を注入しており、(G)に示すように、飽和付近でのゲインの低下防ぐことができると共に、低入力レベルにおいてもAB級増幅器と同等のゲインを得ることができることがわかる。   In addition, the second harmonic injection Doherty amplifier 10 in the first amplifying device controls the bias of the peak amplifier as in the amplifying device in (F), and injects the second harmonic into the carrier amplifier. As shown in FIG. 5, it can be understood that a decrease in gain near saturation can be prevented and a gain equivalent to that of a class AB amplifier can be obtained even at a low input level.

すなわち、第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10では、ピーク増幅器5のゲート電圧を入力レベルに応じて図6(a)に示したように制御することにより、飽和付近におけるゲインの低下を抑制し、更に、キャリア増幅器4に適切な位相及び振幅に調整された2次高調波を注入することにより、低入力レベルにおけるゲインを向上させることができ、全体としてAB級の増幅器と同等のAM−AM特性が得られるものである。   That is, in the second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplifying device, the gain voltage near saturation is reduced by controlling the gate voltage of the peak amplifier 5 as shown in FIG. 6A according to the input level. In addition, by injecting the second harmonic adjusted to an appropriate phase and amplitude into the carrier amplifier 4, the gain at the low input level can be improved, which is equivalent to the class AB amplifier as a whole. An AM-AM characteristic can be obtained.

[第1の増幅装置における歪補償特性の例:図7]
次に、第1の増幅装置の歪補償特性について図7を用いて説明する。図7は、第1の増幅装置の歪補償特性の例を示す説明図である。
図7に示すように、一般的なドハティ増幅器と一般的な歪補償を組み合わせた場合、AB級増幅器の歪補償特性に比べて十分な歪補償が得られず、歪の劣化が見られる。
[Example of distortion compensation characteristics in first amplifying apparatus: FIG. 7]
Next, distortion compensation characteristics of the first amplifying device will be described with reference to FIG. FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating an example of distortion compensation characteristics of the first amplifying device.
As shown in FIG. 7, when a general Doherty amplifier and general distortion compensation are combined, sufficient distortion compensation cannot be obtained compared to the distortion compensation characteristics of the class AB amplifier, and distortion degradation is observed.

これに対して、第1の増幅装置では、アダプティブバイアス制御回路116で、2倍波注入ドハティ増幅器10のピーク増幅器5のゲート電圧を入力レベルに応じて図6(a)に示したように制御すると共に、キャリア増幅器4に位相及び振幅を適切に調整した2次高調波を注入した上で、一般的なプリディストーションによる歪補償を行っている。
これにより、上述したように飽和に近い部分と、低入力レベルでのゲイン低下を防ぎ、図7に示すように、AB級増幅器と同等の歪補償特性が得られるものである。
On the other hand, in the first amplifying device, the adaptive bias control circuit 116 controls the gate voltage of the peak amplifier 5 of the double wave injection Doherty amplifier 10 as shown in FIG. 6A according to the input level. At the same time, the second harmonic wave whose phase and amplitude are appropriately adjusted is injected into the carrier amplifier 4 and then distortion compensation by general predistortion is performed.
Thereby, as described above, the gain near the saturation and the low input level can be prevented, and the distortion compensation characteristic equivalent to the class AB amplifier can be obtained as shown in FIG.

[第1の実施の形態の効果]
第1の実施の形態に係る高周波増幅装置によれば、2倍波注入ドハティ増幅器10と、アダプティブバイアス制御回路116と、プレディストーションによる歪補償部とを備え、ドハティ増幅部のキャリア増幅器4に位相及び振幅を調整した2次高調波を注入すると共に、ピーク増幅器5のゲート電圧を入力レベルに応じて適切に制御した上で歪補償を行う高周波増幅装置としているので、低入力レベル時及び飽和付近のゲインを向上させて、AB級増幅器に近づけることができ、一般的な歪補償を用いてもAB級と同等の歪補償特性を得ることができ、一層の効率向上を図ることができる効果がある。
[Effect of the first embodiment]
According to the high frequency amplification device according to the first embodiment, the second harmonic injection Doherty amplifier 10, the adaptive bias control circuit 116, and the distortion compensation unit by predistortion are provided. In addition, a high-frequency amplifying apparatus that performs distortion compensation after injecting a second-harmonic wave whose amplitude is adjusted and appropriately controlling the gate voltage of the peak amplifier 5 according to the input level is used. The gain can be made close to that of a class AB amplifier, and even if general distortion compensation is used, distortion compensation characteristics equivalent to those of class AB can be obtained, and the efficiency can be further improved. is there.

また、第1の増幅装置では、2倍波注入ドハティ増幅器10の2倍波発生部が、入力された基本周波数信号から2次高調波を生成し、位相及び振幅を調整してドハティ増幅部のキャリア増幅器に注入すると共に、基本周波数の位相及び振幅を調整してドハティ増幅部に入力する増幅装置としているので、基本周波数信号と2次高調波の位相及び振幅の関係を、増幅装置全体で最適なゲインが得られるよう調整することができる効果がある。   In the first amplifying device, the second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 generates a second harmonic from the input fundamental frequency signal, adjusts the phase and amplitude, and adjusts the phase of the Doherty amplification unit. Since it is an amplifier that injects into the carrier amplifier and adjusts the phase and amplitude of the fundamental frequency and inputs them to the Doherty amplifier, the relationship between the phase and amplitude of the fundamental frequency signal and the second harmonic is optimized throughout the amplifier. There is an effect that can be adjusted so that a large gain can be obtained.

また、2倍波注入ドハティ増幅器10の構成はこれに限るものではなく、例えば、ドハティ合成部の伝送線路の長さを0〜λ/2としたり、2倍波注入ドハティ増幅器10の前段にドライブ増幅器を備えてもよい。ドライブ増幅器を、歪補償部の直交変調器103の後段に設けてもよい。更に、歪補償もプリディストーションに限らず、他の方法を用いてもよい。   The configuration of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 is not limited to this. For example, the length of the transmission line of the Doherty combining unit is 0 to λ / 2, or the second harmonic injection Doherty amplifier 10 is driven before the second harmonic injection Doherty amplifier 10. An amplifier may be provided. A drive amplifier may be provided after the quadrature modulator 103 of the distortion compensation unit. Furthermore, distortion compensation is not limited to predistortion, and other methods may be used.

[第2の実施の形態:図8]
次に、本発明の第2の実施の形態に係る高周波増幅装置(第2の増幅装置)について説明する。
第2の増幅装置は、第1の増幅装置の構成に加えて、2倍波注入ドハティ増幅器のドハティ増幅部のピーク増幅器にも2次高調波を注入する構成を備えたものである。
第2の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器の2倍波発生部の構成は、第1の増幅装置とは一部異なっており、図8を用いて後述する。
また、第2の増幅装置のドハティ増幅部は、図4に示した第1の増幅装置とほぼ同じであるため、図示を省略し図4の符号を用いて説明するが、図4の構成に加えて、ピーク増幅器5の入力整合回路51に2次高調波を注入する2倍波入力端子を備えている。
[Second Embodiment: FIG. 8]
Next, a high frequency amplification device (second amplification device) according to a second embodiment of the present invention will be described.
In addition to the configuration of the first amplifying device, the second amplifying device has a configuration for injecting the second harmonic into the peak amplifier of the Doherty amplification unit of the second harmonic injection Doherty amplifier.
The configuration of the second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier of the second amplifying device is partially different from that of the first amplifying device, and will be described later with reference to FIG.
Further, since the Doherty amplification unit of the second amplification device is substantially the same as the first amplification device shown in FIG. 4, the illustration is omitted and will be described using the reference numerals in FIG. 4. In addition, a second harmonic input terminal for injecting a second harmonic into the input matching circuit 51 of the peak amplifier 5 is provided.

図8は、第2の増幅装置の2倍波発生部の構成ブロック図である。
図8に示すように、第2の増幅装置の2倍波発生部は、図3に示した第1の増幅装置の2倍波発生部の構成に、更に、分配器32と、2倍波発生回路37を備え、ピーク増幅器5に2次高調波を注入するものである。
FIG. 8 is a configuration block diagram of a second harmonic generation unit of the second amplification device.
As shown in FIG. 8, the second harmonic generation unit of the second amplifying device has a configuration of the second harmonic generation unit of the first amplifying device shown in FIG. A generation circuit 37 is provided, and second harmonics are injected into the peak amplifier 5.

分配器32は、分配器22で分配された基本周波数信号を2倍波発生回路30(第1の2倍波発生回路)と、2倍波発生回路37(第2の2倍波発生回路)に分配する。   The distributor 32 converts the fundamental frequency signal distributed by the distributor 22 into a second harmonic generation circuit 30 (first second harmonic generation circuit) and a second harmonic generation circuit 37 (second second harmonic generation circuit). To distribute.

2倍波発生回路37は、高周波発生器33と、増幅器34と、可変移相器35と、可変減衰器36とを備えており、2倍波発生回路30と同一の構成及び動作であるため、詳細な説明は省略するが、2次高調波を発生してその位相及び振幅を最適に調整する。
そして、2倍波発生回路37の出力端子Cは、ドハティ増幅部のピーク増幅器5の2倍波入力端子に接続されており(図示せず)、ピーク増幅器5の入力整合回路51に2次高調波を注入する。
The second harmonic generation circuit 37 includes a high frequency generator 33, an amplifier 34, a variable phase shifter 35, and a variable attenuator 36, and has the same configuration and operation as the second harmonic generation circuit 30. Although not described in detail, the second harmonic is generated and its phase and amplitude are optimally adjusted.
The output terminal C of the second harmonic generation circuit 37 is connected to the second harmonic input terminal (not shown) of the peak amplifier 5 of the Doherty amplification unit, and the second harmonic is input to the input matching circuit 51 of the peak amplifier 5. Inject waves.

これにより、ピーク増幅器5の飽和付近のゲインを一層向上させることができるため、第2の増幅装置では、ゲインが図6(b)に示した第1の増幅装置に比べて飽和付近で向上し、歪補償量も図7に示した第1の増幅装置に比べて一層AB級増幅器に近づけることができるものである。   As a result, the gain in the vicinity of saturation of the peak amplifier 5 can be further improved, so that the gain in the second amplifying device is improved in the vicinity of saturation as compared with the first amplifying device shown in FIG. The distortion compensation amount can be made closer to the class AB amplifier as compared with the first amplifying apparatus shown in FIG.

第2の増幅装置によれば、キャリア増幅器4に加えてピーク増幅器5にも位相及び振幅を最適に調整された2次高調波を注入することにより、ピーク増幅器5の効率を更に向上させることができ、増幅装置全体のゲインを向上させて、一般の歪補償と組み合わせてもAB級増幅器と同等の歪補償特性とすることができ、一層の効率向上を図ることができる効果がある。   According to the second amplifying device, the efficiency of the peak amplifier 5 can be further improved by injecting the second harmonic whose phase and amplitude are optimally adjusted into the peak amplifier 5 in addition to the carrier amplifier 4. In addition, the gain of the entire amplifying device can be improved, and even when combined with general distortion compensation, the distortion compensation characteristic equivalent to that of the class AB amplifier can be obtained, which has the effect of further improving the efficiency.

本発明は、ドハティ増幅器と一般的な歪補償とを組み合わせた場合の歪補償特性を向上させて、電力変換効率の一層の向上を図ることができる高周波増幅装置に適している。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is suitable for a high frequency amplifying apparatus that can improve the distortion compensation characteristic when combining Doherty amplifier and general distortion compensation, and can further improve the power conversion efficiency.

本発明の第1の実施の形態に係る高周波増幅装置(第1の増幅装置)の構成ブロック図である。1 is a configuration block diagram of a high-frequency amplification device (first amplification device) according to a first embodiment of the present invention. アダプティブバイアス制御回路116の構成例を示す回路図である。3 is a circuit diagram showing a configuration example of an adaptive bias control circuit 116. FIG. 第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10の2倍波発生部の構成ブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a second harmonic generation unit of the second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplifying device. 第1の増幅装置の2倍波注入ドハティ増幅器10のドハティ増幅部の構成ブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a Doherty amplification unit of a second harmonic injection Doherty amplifier 10 of the first amplification device. 基本波に2次高調波を注入した場合のドレイン電流を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the drain current at the time of inject | pouring a 2nd harmonic into a fundamental wave. (a)は、アダプティブバイアス制御回路116によるピーク増幅器のゲート電圧の制御例を示す説明図であり、(b)は、第1の増幅装置のAM−AM特性の例を示す説明図である。(A) is explanatory drawing which shows the example of control of the gate voltage of the peak amplifier by the adaptive bias control circuit 116, (b) is explanatory drawing which shows the example of AM-AM characteristic of a 1st amplifier. 第1の増幅装置の歪補償特性の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the distortion compensation characteristic of a 1st amplifier. 第2の増幅装置の2倍波発生部の構成ブロック図である。It is a block diagram of the second harmonic generation unit of the second amplifying device. 一般的なプレディストーション歪補償機能を備えた増幅装置の概略構成ブロック図である。It is a schematic block diagram of an amplifying apparatus having a general predistortion distortion compensation function. プリディストータ101の概略構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a schematic configuration of a predistorter 101. FIG. 制御部118における摂動法を用いた制御を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the control using the perturbation method in the control part 118. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,21…入力端子、 10…2倍波注入ドハティ増幅器、 2,22,32…分配器、 3…移相器、 4…キャリア増幅器、 5…ピーク増幅器、 6…ドハティ合成部、 7,61…λ/4変成器、 8…出力端子、 12…ゲート端子、 13…2倍波入力端子、 23…遅延補正回路、 24,29,36…可変減衰器、 25,27,34…増幅器、 26,33…高調波発生器、 28,35…可変位相器、 30,37…2倍波発生回路、 31…基本波調整回路、 41,51…入力整合回路、 42,52…増幅素子、 43,53…出力整合回路、 62…合成点、 101…プリディストータ、 102…D/A変換器、 103…直交変調器、 104,108…発振器、 105…電力増幅器、 106,119…方向性結合器、 107…ミキサ、 109…A/D変換器、 110…FFT演算部、 111…IM演算部、 112…歪補償部、 115…遅延補正回路、 116…アダプティブバイアス制御回路、 118…制御部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,21 ... Input terminal, 10 ... Double wave injection Doherty amplifier, 2, 22, 32 ... Divider, 3 ... Phase shifter, 4 ... Carrier amplifier, 5 ... Peak amplifier, 6 ... Doherty combining part, 7, 61 ... λ / 4 transformer, 8 ... output terminal, 12 ... gate terminal, 13 ... double wave input terminal, 23 ... delay correction circuit, 24,29,36 ... variable attenuator, 25,27,34 ... amplifier, 26 , 33 ... Harmonic generator, 28, 35 ... Variable phase shifter, 30, 37 ... Double harmonic generation circuit, 31 ... Fundamental wave adjustment circuit, 41, 51 ... Input matching circuit, 42, 52 ... Amplifying element, 43, 53 ... Output matching circuit 62 ... Composite point 101 ... Predistorter 102 ... D / A converter 103 ... Quadrature modulator 104,108 ... Oscillator 105 ... Power amplifier 106,119 ... Directional coupler , DESCRIPTION OF SYMBOLS 107 ... Mixer 109 ... A / D converter 110 ... FFT operation part 111 ... IM operation part 112 ... Distortion compensation part 115 ... Delay correction circuit 116 ... Adaptive bias control circuit 118 ... Control part

Claims (2)

AB級で動作するキャリア増幅器と、B級又はC級で動作するピーク増幅器路とを有し、前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器の出力を合成して出力するドハティ増幅器を備えた高周波増幅装置であって、
入力された基本周波数の信号から2次高調波を発生し、前記2次高調波の位相及び振幅を調整して、前記ドハティ増幅器のキャリア増幅器、又は前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器の双方に出力する2次高調波発生回路と、
前記ドハティ増幅器への入力レベルに応じて前記ドハティ増幅器のピーク増幅器のゲート電圧を制御するアダプティブバイアス制御回路とを備えたことを特徴とする高周波増幅装置。
A high-frequency amplifier having a carrier amplifier that operates in class AB and a peak amplifier path that operates in class B or C, and a Doherty amplifier that combines and outputs the output of the carrier amplifier and the peak amplifier. And
A second harmonic is generated from the input fundamental frequency signal, and the phase and amplitude of the second harmonic are adjusted and output to the carrier amplifier of the Doherty amplifier or to both the carrier amplifier and the peak amplifier. A second harmonic generation circuit;
A high-frequency amplification device comprising: an adaptive bias control circuit that controls a gate voltage of a peak amplifier of the Doherty amplifier according to an input level to the Doherty amplifier.
ドハティ増幅器で発生する非線形歪を補償する歪補償回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の高周波増幅装置。   2. The high frequency amplifying apparatus according to claim 1, further comprising a distortion compensation circuit for compensating for nonlinear distortion generated in the Doherty amplifier.
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