JP2010147627A - Piezoelectric vibrator and method for manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 472
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 149
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 149
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 55
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 96
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 42
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、圧電振動子およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a piezoelectric vibrator and a manufacturing method thereof.
近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電振動子は、より一層の小型化が要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有する水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで3層の基板を互いに接合することにより封止する技術が提案されている(特許文献1参照)。 In recent years, with the miniaturization of electronic devices, piezoelectric vibrators such as quartz vibrators are required to be further miniaturized. As a technique for realizing miniaturization of the element, for example, a technique of sealing a quartz substrate having a quartz crystal resonator by sandwiching a quartz substrate having a similar shape from above and below and bonding the three layers of substrates together is proposed. (See Patent Document 1).
また、このような技術を適用することにより、複数の水晶振動子を有する水晶基板を用いた場合には、上下方向から基板を接合した後に基板を切断することにより、小型の複数の圧電デバイスを得ることができ、工程数の削減を図ることができる。 In addition, by applying such a technique, when a quartz substrate having a plurality of quartz resonators is used, a plurality of small piezoelectric devices can be obtained by cutting the substrate after bonding the substrates from above and below. Thus, the number of steps can be reduced.
一方、このような圧電振動子は、たとえば圧電振動子を保護する目的から、樹脂モールドが施されることがある。
しかしながら、圧電振動子に樹脂モールドを施す場合は、両者の接着性が不足することがあった。また、圧電振動子および樹脂モールドは、材質が互いに異なり熱膨張係数も異なる。そのため、温度変化等があると、より界面の剥離が生じやすくなっていた。このような接着性の不足や界面の剥離(デラミネーション)が生じると、圧電振動子および樹脂モールドの分離に至る場合があった。 However, when a resin mold is applied to the piezoelectric vibrator, the adhesiveness between the two may be insufficient. The piezoelectric vibrator and the resin mold are made of different materials and have different thermal expansion coefficients. Therefore, when there is a temperature change or the like, the interface is more easily peeled off. When such adhesive shortage or interface peeling (delamination) occurs, the piezoelectric vibrator and the resin mold may be separated.
本発明にかかるいくつかの態様の目的の1つは、3層の基板を積層した積層体、および該積層体から分離しにくい樹脂部材を有する圧電振動子を提供することにある。 An object of some embodiments according to the present invention is to provide a piezoelectric vibrator having a laminate in which three layers of substrates are laminated and a resin member that is difficult to separate from the laminate.
本発明にかかるいくつかの態様の目的の1つは、3層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子の製造方法を提供することにある。 One of the objects of some embodiments according to the present invention is to provide a method of manufacturing a piezoelectric vibrator in which a resin member that is difficult to separate is formed in a laminate in which three layers of substrates are laminated.
本発明にかかる圧電振動子は、
下側基板と、
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記上側基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記上側基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する。
The piezoelectric vibrator according to the present invention is
A lower substrate,
An intermediate substrate provided on the lower substrate and having a vibrating portion;
An upper substrate provided on the intermediate substrate;
A resin member that covers at least the upper surface and the side surface of the upper substrate and the side surface of the intermediate substrate;
Have
A part of the resin member exists in a region below the lower surface of the upper substrate, above the lower surface of the lower substrate, and inside the outline in plan view of the upper substrate.
このような圧電振動子は、3層の基板を積層した積層体、および該積層体と分離しにくい樹脂部材を有する。 Such a piezoelectric vibrator includes a laminate in which three layers of substrates are laminated, and a resin member that is difficult to separate from the laminate.
本発明にかかる圧電振動子において、
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記上側基板の輪郭よりも外側にあることができる。
In the piezoelectric vibrator according to the present invention,
In plan view, the contour of the lower substrate may be outside the contour of the upper substrate.
本発明にかかる圧電振動子において、
平面視において、前記中間基板および前記下側基板の輪郭が一致していることができる。
In the piezoelectric vibrator according to the present invention,
In plan view, the contours of the intermediate substrate and the lower substrate can be matched.
本発明にかかる圧電振動子において、
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記中間基板の輪郭よりも内側にあることができる。
In the piezoelectric vibrator according to the present invention,
In plan view, the contour of the lower substrate may be inside the contour of the intermediate substrate.
本発明にかかる圧電振動子は、
下側基板と、
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記中間基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記中間基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する。
The piezoelectric vibrator according to the present invention is
A lower substrate,
An intermediate substrate provided on the lower substrate and having a vibrating portion;
An upper substrate provided on the intermediate substrate;
A resin member that covers at least the upper surface and side surfaces of the upper substrate, the side surfaces of the intermediate substrate, and the side surfaces of the lower substrate;
Have
A part of the resin member exists in a region below the lower surface of the intermediate substrate, above the lower surface of the lower substrate, and inside the contour in plan view of the intermediate substrate.
このような圧電振動子は、3層の基板を積層した積層体、および該積層体と分離しにくい樹脂部材を有する。 Such a piezoelectric vibrator includes a laminate in which three layers of substrates are laminated, and a resin member that is difficult to separate from the laminate.
本発明にかかる圧電振動子の製造方法は、
下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板の、少なくとも前記上側基板を切削し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成するハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、側面および下面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の上面と、を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記下側基板および前記樹脂層を切断して個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い。
A method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention includes:
Preparing a lower substrate, an intermediate substrate having a vibrating portion, and an upper substrate;
Laminating the lower substrate, the intermediate substrate, and the upper substrate to form a laminated substrate;
A half dicing step of cutting at least the upper substrate of the laminated substrate and forming a hole communicating from the upper substrate side to the upper surface of the lower substrate;
Providing a resin raw material from the upper substrate side, and forming a resin layer so as to cover the upper surface, the side surface and the lower surface of the upper substrate, the side surface of the intermediate substrate, and the upper surface of the lower substrate;
A dicing step of cutting the lower substrate and the resin layer to form individual pieces;
Have
The thickness of the blade used in the dicing process is thinner than the thickness of the blade used in the half dicing process.
このようにすれば、3層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。 In this way, it is possible to easily manufacture a piezoelectric vibrator in which a resin member that is difficult to separate into a laminated body in which three layers of substrates are laminated is formed.
本発明にかかる圧電振動子の製造方法において、
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成することができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
The intermediate substrate has a plate-like frame portion,
In the half dicing step, the upper substrate and the frame portion can be cut to form a hole that communicates from the upper substrate side to the upper surface of the lower substrate.
本発明にかかる圧電振動子の製造方法は、
下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板を、前記上側基板側から切削し、第1溝を形成する第1ハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、および前記第1溝の内部に第1樹脂層を形成する工程と、
前記積層基板を、前記下側基板側から切削し、前記下側基板側に前記第1樹脂層を露出させる第2溝を形成する第2ハーフダイシング工程と、
前記下側基板側から前記樹脂原料を付与して、前記第2溝の内部に、前記第1樹脂層に連続する第2樹脂層を形成する工程と、
前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を切断して、個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記第1ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第2ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄く、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第1ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い。
A method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention includes:
Preparing a lower substrate, an intermediate substrate having a vibrating portion, and an upper substrate;
Laminating the lower substrate, the intermediate substrate, and the upper substrate to form a laminated substrate;
Cutting the laminated substrate from the upper substrate side to form a first groove, and a first half dicing step;
Applying a resin raw material from the upper substrate side and forming a first resin layer on the upper surface of the upper substrate and in the first groove;
A second half dicing step of cutting the laminated substrate from the lower substrate side and forming a second groove exposing the first resin layer on the lower substrate side;
Applying the resin raw material from the lower substrate side and forming a second resin layer continuous with the first resin layer inside the second groove;
A dicing step of cutting the first resin layer and the second resin layer to form individual pieces;
Have
The thickness of the blade used in the first half dicing step is thinner than the thickness of the blade used in the second half dicing step,
The thickness of the blade used in the dicing process is thinner than the thickness of the blade used in the first half dicing process.
このようにすれば、3層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。 In this way, it is possible to easily manufacture a piezoelectric vibrator in which a resin member that is difficult to separate into a laminated body in which three layers of substrates are laminated is formed.
本発明にかかる圧電振動子の製造方法において、
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記第1ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成することができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
The intermediate substrate has a plate-like frame portion,
In the first half dicing step, the upper substrate and the frame portion may be cut to form a hole that communicates from the upper substrate side to the upper surface of the lower substrate.
以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例として説明するものである。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiment will be described as an example of the present invention.
1.圧電振動子
図1は、本実施形態にかかる圧電振動子100の一例を模式的に示す断面図である。図2は、圧電振動子100を模式的に示す平面図である。なお、図1および図2においては、中間基板20の詳細は省略して描いてある。
1. Piezoelectric Vibrator FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a
圧電振動子100は、下側基板10と、中間基板20と、上側基板30と、樹脂部材40とを有する。
The
1.1.下側基板および上側基板
下側基板10は、本実施形態の圧電振動子100の下部に設けられる基板である。下側基板10の上には、中間基板20が設けられる。下側基板10の平面的な形状は、たとえば、図2に示すような矩形とすることができる。下側基板10の形状は、中間基板20が後述する段差構造を有する場合は、図1に示すような平板状の形状を有することができる。また、中間基板20が段差構造を有さない場合、中間基板20に形成される圧電振動部21の動作を阻害しないように、下側基板10の上面10aには、適宜凹部が形成されてもよい。下側基板10および中間基板20は、平面的に見て環状の接触面を有するように積層されることができる。下側基板10の上面10aは、中間基板20および上側基板30が積層された状態において、内部に形成される空洞の下部壁となることができる。
1.1. Lower substrate and upper substrate The
上側基板30は、中間基板20の上に設けられる。上側基板30の平面的な形状は、たとえば、図2に示すような矩形の形状とすることができる。上側基板30の形状は、中間基板20が後述する段差構造を有する場合は、図1に示すような平板状の形状を有することができる。また中間基板20が段差構造を有さない場合、中間基板20に形成される圧電振動部21の動作を阻害しないように、上側基板30の下面30cには、適宜凹部が形成されてもよい。上側基板30および中間基板20は、平面的に見て環状の接触面を有するように積層されることができる。上側基板30の下面30cは、中間基板20および下側基板10が積層された状態において、内部に形成される空洞の上部壁となることができる。
The
このように、下側基板10および上側基板30は、中間基板20を挟むように設けられる。そして積層された3つの基板の内部には、空洞が形成される。この空洞は、中間基板20に形成される圧電振動部21が動作するための空間である。また、この空洞は、密閉されることができるため、圧電振動部21を減圧空間や不活性ガス雰囲気に設置することができる。
Thus, the
下側基板10および上側基板30の材質としては、絶縁性の材質であれば特に限定されず、水晶、ガラス等を用いることができる。下側基板10および上側基板30の材質は、中間基板20の熱膨張率と同一の熱膨張率を有する材質が好ましく、中間基板10と同一の材質であることが好ましい。したがって、たとえば、中間基板20が水晶で形成される場合には、下側基板10および上側基板30は、水晶からなることが好ましい。
The material of the
1.2.中間基板
図3および図4は、本実施形態にかかる圧電振動子100に用いられる中間基板20の一例を模式的に示す上面図および下面図である。図5〜図7は、本実施形態にかかる中間基板20を模式的に示す断面図であり、図5は、図3および図4におけるIIA−IIA切断面に対応する模式図であり、図6は、図3および図4におけるIIB−IIB切断面に対応する模式図であり、図7は、図3および図4におけるIIC−IIC切断面に対応する模式図である。
1.2. Intermediate Substrate FIGS. 3 and 4 are a top view and a bottom view schematically showing an example of the
中間基板20は、下側基板30の上に設けられる。中間基板20は、上側基板30の下に設けられる。すなわち、中間基板20は、下側基板10および上側基板30に挟まれるように設けられる。中間基板20は、圧電振動部21を有する。圧電振動子100が中間基板20を下側基板10および上側基板30によって挟持される構成を採る限り、圧電振動部21は、どのような振動片であってもよい。圧電振動部21の振動片の態様としては、AT振動片、音叉型振動片、ウォーク型振動片などを例示することができる。本実施形態では、中間基板20に圧電振動部21としてAT振動片が形成された態様を例示する。
The
中間基板20は、たとえば、図示のように、圧電振動部21と、圧電振動部21の周囲を取り囲む枠部22と、圧電振動部21と枠部22とを接続する接続部25a、25bと、圧電振動部21の上面に設けられた第1励振電極50と、圧電振動部21の下面に設けられた第2励振電極52と、第1励振電極50と電気的に接続されている第1配線54と、第2励振電極と電気的に接続されている第2配線56と、を有することができる。
As shown in the figure, the
中間基板20は、段差構造や傾斜構造を有していてもよい。たとえば、図5〜図7に示すように、中間基板20の枠部22の領域が上下方向(厚み方向)に厚く、枠部22から内側に向かってしだいに薄くなり、圧電振動部21の領域が他の部分よりも薄く形成されることができる。一方、接続部25a、25bは、圧電振動部21と同じ厚さでもよく、圧電振動部21から枠部22にかけて中間基板20の上下面において傾斜して徐々に厚くなっていてもよい。また、圧電振動部21は、段差構造を採る場合、枠部22の上下方向において中心に位置することができる。中間基板20が、このような段差構造や傾斜構造を有すれば、下側基板10および上側基板30が平板状の形状であっても、下側基板10と上側基板30との間に空洞を形成することができ、圧電振動部21は、他の部材に干渉することなく振動することができる。
The
また、中間基板20は、段差構造等を有さなくてもよい。中間基板20が段差構造等を有さない場合は、下側基板10および上側基板30の中間基板20に接する側の面に凹部を設けることにより、積層したときに空洞を形成することができる。これにより圧電振動部21の振動を可能にすることができる。なお、以下の説明では、図5〜図7に従い、中間基板20が段差構造を有する場合について説明する。
Further, the
中間基板20は、接続部25a、25b以外の領域が圧電振動部21に接触しないように、図に例示するようなC字型のスリット26aを有する。中間基板20において、スリット26aの内側の領域は、圧電振動部21として機能し、スリット26aの外側の領域は、下側基板10および上側基板30と接合するための枠部22として機能する。2箇所に設けられた接続部25a、25bの間にはスリット26bが形成されている。このように、圧電振動部21は、−X軸方向の2つの端部のうちの一方が接続部25a、25bに支持された片持ち梁状の形状を有する。これにより、下側基板10と上側基板30との間に形成される空洞内で圧電振動部21が保持され圧電振動部21の振動が可能となる。
The
枠部22は、中間基板20の外周に環状に形成される。枠部22は、枠部22の内側から外側に連通する第1凹部28aおよび第2凹部28bを有することができる。これらの凹部が設けられると、該凹部に配線等を配置することができ、圧電振動子100の外部と電気的な接続をとるために利用することができる。図示の例では、第1凹部28aおよび第2凹部28bは、枠部22の下面であって、かつ圧電振動部21を挟んで相互に対向する位置に設けられている。詳しくは、第2凹部28bは、枠部22において接続部25a側に設けられており、第1凹部28aは、圧電振動部21を挟んで第2凹部28bと対向する位置に設けられている。これらの凹部が形成された場合は、配線または必要に応じて樹脂等により各凹部を埋めることにより、枠部22の表面を、平坦(面一)にすることができる。
The
中間基板20の材質は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなることができる。圧電振動部21は、上述したように中間基板20に一体的に形成されるため、中間基板20と同じ材質とすることができる。圧電振動部21、接続部25a、25b、および枠部22は、水晶基板からなることが好ましく、たとえば、基板面がX軸に平行でX軸の回りに回転切断して作製されるATカットの水晶基板であることがより好ましい。
The material of the
第1励振電極50は、圧電振動部21の上面に設けられる。第2励振電極52は、圧電振動部21の下面に設けられる。第1励振電極50は、接続部25a上に設けられた第1配線54によって引き出されて、枠部22の内側面に延出している。そして、第1配線54は、さらに圧電振動部21の周囲を回るように設けられ、枠部22の下面であって、接続部25a、25bが設けられた側と対向する側の内側面を通って第1凹部28a内に延びている。第2励振電極52は、接続部25bの下面に設けられた第2配線56によって引き出されて、枠部22の内側面に延出し、枠部22の下面であって、接続部25a、25bが設けられた側の内側面を通って第2凹部28b内に延びている。
The
第1励振電極50、第2励振電極52、第1配線54、および第2配線56の材質としては、たとえば下地としてCr膜を用い、その上にAu膜を有する多層構造を例示することができる。
Examples of the material of the
1.3.積層体
下側基板10、中間基板20および上側基板30は、積層され互いに接着されて積層体となる。下側基板10と中間基板20、および、上側基板30と中間基板20の接着は、たとえば、プラズマ溶接、シーム溶接、超音波接合、また接着剤等を用いて行われることができる。ここに例示した基板間の接着は、各基板と樹脂部材40との接着よりも相対的に強固である。そのため、基板間の接着強度は、以下に述べる樹脂部材40と各基板との接着強度に比較して大きい。したがって、圧電振動子100に各部材を剥離するような外力が加わった場合には、樹脂部材40と各基板との剥離のほうが、基板間における剥離よりも優先して生じると考えることができる。
1.3. Laminate The
1.4.樹脂部材
樹脂部材40は、少なくとも、上側基板30の上面30aおよび側面30bと、中間基板20の側面20bと、を覆うように設けられる。図1に示す例では、樹脂部材40は、上側基板30の上面30a、側面30bおよび下面30cと、中間基板20の側面10bと、下側基板10の上面10aと、を覆っている。樹脂部材40の機能の一つとしては、各基板を覆うことにより、外部から加わる衝撃等から各基板を保護することが挙げられる。また、樹脂部材40は、圧電振動子100を封止(モールド)する機能を有することができる。
1.4. Resin Member The
図1に示すように、樹脂部材40は、上側基板30の下面30cよりも下方、かつ、下側基板10の下面10cよりも上方、かつ、上側基板10の平面視における輪郭30rよりも内側の領域に、樹脂部材40の一部が存在するように設けられる。以下、このような樹脂部材40の一部のことを「ツメ42」と称することがある。このような樹脂部材40のツメ42は、圧電振動子100から樹脂部材40を取り外すような外力に対して、取り外されることに抵抗する引っかかり(ツメ)の役割を有する。したがって、樹脂部材40に、ツメ42が存在することによって、各基板を覆う樹脂部材40が、圧電振動子100から外れにくくなる。すなわち、樹脂部材40は、下側基板10、中間基板20および上側基板30の3層を積層した積層体と分離しにくい。そして、仮に、温度変化等によって樹脂部材40と各基板との界面が剥離するようなことがあったとしても、樹脂部材40が圧電振動子100から外れることを抑制することができる。
As shown in FIG. 1, the
ツメ42の形状および平面的な配置について、図1、図2、図8、図9を用いて説明する。図8は、本実施形態にかかる圧電振動子100の一例を模式的に示す断面図であり、ツメ42を例示している。図9は、本実施形態にかかる圧電振動子100の一例を模式的に示す平面図であり、ツメ42を例示している。
The shape and planar arrangement of the
ツメ42の形状は、図1の例では、中間基板20の厚み(枠部22の厚み)と同じ厚みを有する形状であるが、これに限定されず、図8に示した2種の例のように、中間基板20の側面の一部に切欠62が設けられ、この切欠62の内部に樹脂部材40の一部が埋められることによってツメ42が形成されていてもよい。このようなツメ42の形状は、本明細書におけるいずれの態様においても適用することができる。
In the example of FIG. 1, the shape of the
また、ツメ42の平面的な配置としては、上側基板30の平面視における輪郭30rよりも内側の領域に、少なくとも1箇所形成されていれば、上記の効果を奏することができる。なお、ツメ42は、上側基板30の平面視における輪郭30rよりも内側の領域に、2箇所以上形成されるほうがより好ましい。具体的には、図9に例示するように、ツメ42を2箇所に形成することができる。また、ツメ42が2箇所に形成される場合は、図9に示すように、樹脂部材40を平面的に見たときに一方のツメ42に対向する位置に形成されることがさらに好ましい。また、ツメ42の平面的な配置としては、図2に例示するように中間基板20の周囲を取り囲むように形成されてもよい。以上例示した形状および配置のツメ42によれば、樹脂部材40が各基板から外れにくくなる効果を奏することができる。このようなツメ42の平面的な配置は、本明細書におけるいずれの態様においても適用することができる。
Further, as a planar arrangement of the
一方、樹脂部材40は、少なくとも、上側基板30の上面30aおよび側面30bと、中間基板20の側面20bと、下側基板10の側面10bと、を覆うように設けることもできる。図10〜図13は、本実施形態にかかる圧電振動子100の例を模式的に示す断面図である。図10〜図13の圧電振動子100は、少なくとも、上側基板30の上面30aおよび側面30bと、中間基板20の側面20bと、下側基板10の側面10bと、を覆っている。これらの例のうち、図10に示す例では、樹脂部材40は、上側基板30の上面30aおよび側面30bと、中間基板20の側面20bおよび下面20cと、下側基板10の側面10bと、を覆って設けられている。図10に示す例では、樹脂部材40は、中間基板20の下面20cよりも下方、かつ、下側基板10の下面10cよりも上方、かつ、中間基板20の平面視における輪郭20rよりも内側の領域に、樹脂部材40の一部が存在するように設けられている。この例においても、樹脂部材40の一部(ツメ42)は、圧電振動子100から樹脂部材40を取り外すような外力に対して、取り外されることに抵抗する引っかかり(ツメ)の役割を有することができる。この例におけるツメ42の形状および平面的な配置は、前述に準じることができる。なお、図11〜図13に例示する圧電振動子100においても、樹脂部材40は、中間基板20の下面20cよりも下方、かつ、下側基板10の下面10cよりも上方、かつ、中間基板20の平面視における輪郭20rよりも内側の領域に、樹脂部材40の一部(ツメ42)が存在するように設けられている。
On the other hand, the
樹脂部材40の材質としては、各基板からなる積層体を衝撃等から保護できる材質、すなわち、各基板よりも剛性の小さい材質であれば特に限定されない。このような材質としては、たとえば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を挙げることができる。
The material of the
樹脂部材40が封止材(モールド)として機能する場合は、樹脂部材40は、少なくとも、上側基板30の上面および側面と、中間基板20の側面と、に密着して設けられる。そのため、樹脂部材40のツメ42の形状は、下側基板10、中間基板20、および上側基板30の外形に依存することになる。図11〜図13の例については、次項において、下側基板10、中間基板20、および上側基板30の形状とともに説明する。
When the
1.5.下側基板、中間基板、および上側基板の形状
圧電振動子100の下側基板10、中間基板20および上側基板30は、樹脂部材40にツメ42を形成するために、以下のような形状とすることができる。以下、樹脂部材40の形状、ならびに上側基板30、中間基板20、および下側基板10の形状の関係について説明する。なお、樹脂部材40におけるツメ42の形状および平面的な配置については、既述のとおりであり説明を省略する。
1.5. The shape of the lower substrate, the intermediate substrate, and the upper substrate The
まず、樹脂部材40が、下側基板10の下面10cよりも上方、かつ、上側基板30の下面30cよりも下方、かつ、上側基板10の平面視における輪郭30rよりも内側の領域に、ツメ42を有する場合について述べる。このような例としては、図1、図8、図11、および図12に示した圧電振動子100が挙げられる。これらの圧電振動子100は、中間基板20の側方に樹脂部材40のツメ42が形成されている。すなわち、中間基板20の輪郭20rが上側基板30の輪郭30rよりも内側に形成されている。
First, the
図1、図8、図11、および図12に例示された圧電振動子100は、中間基板20の側方にツメ42が形成されることにより、ツメ42が上側基板30にかかり、樹脂部材40を積層体から外れにくくなっている。そのため、この場合、下側基板10の形状は任意である。たとえば、平面視において、下側基板10の輪郭10rは、上側基板30の輪郭30rの外側にあることができる(図1、図2および図8参照)。また、下側基板10の輪郭10rは、中間基板20の輪郭20rと一致していることができる(図11参照)。さらに、下側基板10の輪郭10rは、中間基板20の輪郭20rよりも内側にあることができる(図12参照)。下側基板10の大きさは、たとえば、圧電振動子100の製造プロセスにおけるダイシング工程の数を節減する等の目的に応じて適宜設定することができる。
In the
次に、樹脂部材40が、下側基板10の下面10cよりも上方、かつ、中間基板20の下面20cよりも下方、かつ、中間基板20の平面視における輪郭20rよりも内側の領域に、ツメ42を有する場合(図10、図12、図13等)について述べる。図10、図12、図13に例示された圧電振動子100は、下側基板10の側方に樹脂部材40のツメ42が形成されている。
Next, the
図10、図12、図13に例示された圧電振動子100は、下側基板10の側方にツメ42が形成されることにより、ツメ42が中間基板20にかかり、樹脂部材40を積層体から外れにくくなっている。そのため、この場合、上側基板30の形状は任意である。たとえば、平面視において、上側基板30の輪郭30rは、中間基板20の輪郭20rの外側にあることができる(図12参照)。また、上側基板30の輪郭30rは、中間基板20の輪郭20rと一致していることができる(図10参照)。さらに、上側基板30の輪郭30rは、下側基板10の輪郭10rと一致していることができる(図13参照)。上側基板30の大きさは、たとえば、圧電振動子100の製造プロセスにおけるダイシング工程の数を節減する等の目的に応じて適宜設定することができる。
In the
以上説明したように、本実施形態にかかる圧電振動子100は、中間基板20および上側基板30の少なくとも一方にかかるツメ42を有する樹脂部材40を有する。すなわち、下側基板10、中間基板20および上側基板30の3層の基板を積層した積層体と、樹脂部材40とが分離しにくい構造である。これにより、圧電振動子100は、たとえば温度変化等によって、仮に基板と樹脂部材40との界面において剥離が生じることがあっても、樹脂部材40が分離しにくい。したがって本実施形態にかかる圧電振動子100は、信頼性が高い。
As described above, the
2.圧電振動子の製造方法
本実施形態にかかる圧電振動子100の製造方法について説明する。図14〜図24は、本実施形態にかかる圧電振動子100の製造工程を示す模式図である。本実施形態では、圧電振動子100の各基板が、いずれも水晶からなる場合を例示する。
2. Method for Manufacturing Piezoelectric Vibrator A method for manufacturing the
2.1.第1の態様
まず、下側基板10の上面よりも上方にのみ樹脂部材40が存在する圧電振動子100(図1、図8等)を製造する工程について述べる。本態様における圧電振動子100の製造方法は、下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、積層基板を形成する工程と、ハーフダイシング工程と、樹脂層を形成する工程と、ダイシング工程と、を有する。
2.1. First Mode First, a process of manufacturing the piezoelectric vibrator 100 (FIGS. 1, 8, etc.) in which the
2.1.1.下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程
以下、下側基板10、振動部21を有する中間基板20、および上側基板30のそれぞれが切り出される水晶基板を、それぞれ、下側水晶板110、中間水晶板120、および上側水晶板130と称する。
2.1.1. Step of preparing the lower substrate, the intermediate substrate having the vibration part, and the upper substrate Hereinafter, the
図14は、各水晶板の模式図であり、これらを積層する様子を示す概略図である。本工程において、下側水晶板110(下側基板)、中間水晶板120(中間基板)、および上側水晶板130(上側基板)を準備する。下側水晶板110、中間水晶板120、および上側水晶板130は、それぞれ複数の下側基板10、中間基板20、および上側基板30が複数行複数列に配列された構造を有する。各水晶板に配列される基板の個数は任意である。1つの水晶板に配列される基板の個数は、他の水晶板に配列される基板の個数と同じであることが好ましい。
FIG. 14 is a schematic view of each crystal plate, and is a schematic view showing how these crystal plates are stacked. In this step, a lower crystal plate 110 (lower substrate), an intermediate crystal plate 120 (intermediate substrate), and an upper crystal plate 130 (upper substrate) are prepared. The
下側水晶板110および上側水晶板130は、切断することによって、「1.1.下側基板および上側基板」の項で述べた下側基板10および上側基板30を形成することができる。下側水晶板110および上側水晶板130には、各水晶板が積層された際に内部に形成される空洞を減圧するための穴や、電極を外部に接続するための穴などが形成されていてもよい。
The
図15は、中間水晶板120の下面を示す概略図である。図16は、中間水晶板120を概略的に示す断面図である。図16は、図15のV−V線断面に対応する。中間水晶板120は、切断することによって、「1.2.中間基板」の項で述べた中間基板20を形成することができる。図15に示すように、中間水晶板120は、圧電振動部21と、接続部25a、25bと、第1励振電極50と、第2励振電極52と、第1配線54と、第2配線56と、圧電振動部21の周囲形成された枠部22と、が形成された領域(切断された際に中間基板20となる領域)を複数有する。中間基板20となる領域は、たとえば、中間水晶板120に、複数行複数列に配列されることができる。
FIG. 15 is a schematic view showing the lower surface of the
本態様では、中間基板20の枠部22の外周は、上側基板30の外周、すなわち上側水晶板130の切断ラインL31、L32の端から離間して形成される。枠部22は、隣り合って配列した枠部22との間に、両者を連結する連結部122を有する。連結部122は、中間水晶板120を一枚の部材として取り扱うことができるようにする機能を有する。連結部122は、たとえば、図15に示す連結部122aのように枠部22と隣り合う枠部22との間の領域全体に形成されていてもよい。この場合、連結部122の厚みは、枠部22の厚みよりも薄く形成されることができる。また、図15に示す連結部122bのように、連結部122は、枠部22と隣り合う枠部22との間の領域の一部に形成され、該領域内の連結部122b以外の部分の中間水晶板120が除去されていてもよい。この場合、連結部122bは、枠部22と同じ厚みに形成されていてもよい。
In this aspect, the outer periphery of the
本態様の中間水晶板120の作製方法の一例について説明する。まず、水晶板を準備し、圧電振動部21が形成される領域、および必要に応じて枠部22と隣り合う枠部22との間の領域を薄化し、段差構造を形成する。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術によって、ウェットエッチングにより行うことができる。
An example of a method for manufacturing the
次に、薄化した領域に、スリット26a、26bとなる領域、および必要に応じて枠部22と隣り合う枠部22との間の連結部122bとなる領域以外の領域の水晶を除去して、圧電振動部21および枠部22を形成する。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したウェットエッチングによって行うことができる。
Next, in the thinned region, the crystal in the region other than the region that becomes the
次に、第1励振電極50、第2励振電極52、第1配線54および第2配線56をたとえばフォトリソグラフィ技術を利用したエッチング、蒸着法やスパッタ法により形成する。この時点で、必要に応じて、圧電振動部21の周波数を調整することができる。周波数の調整は、たとえば、圧電振動部21を振動させて周波数を検出しながら、第1励振電極50または第2励振電極52の厚みを変えることにより行うことができる。
Next, the
以上の工程により中間水晶板120を作製することができ、振動部を有する中間水晶板120(中間基板)が準備される。
The
2.1.2.切断ライン
図14に例示するように、各水晶板における切断ラインは、直交する格子状に設けられる。この例では、各水晶板の切断ラインの中心線は、平面視において、各水晶板が積層されたときに一致している。切断ラインの幅は、ダイシングの際のブレードの厚みに対応している。
2.1.2. Cutting Line As illustrated in FIG. 14, the cutting lines in each quartz plate are provided in an orthogonal lattice shape. In this example, the center line of the cutting line of each crystal plate coincides when the crystal plates are stacked in a plan view. The width of the cutting line corresponds to the thickness of the blade during dicing.
本態様では、下側水晶板110における切断ラインL11、L12は、上側水晶板130の切断ラインL31、L32、および中間水晶板120の切断ラインL21、L22よりも細い。
In this embodiment, the cutting lines L11 and L12 in the
本態様では、上側水晶板130における切断ラインL31、L32は、中間水晶板120の切断ラインL21、L22と同じ幅を有する。ただし、平面視において、切断ラインL31、L32は、中間水晶基板120の枠部22の外周から離間して設けられる。
In this aspect, the cutting lines L31 and L32 in the
中間水晶板120における切断ラインL21、L22は、枠部22と隣り合う枠部22との間の領域に設けられる。そのため、後の工程を経ることでツメ42を有する樹脂部材40を形成することができる。換言すると、中間水晶板120において、枠部22と、切断ラインL21、L22の端と、の間に間隙が存在する。そのため、後の工程でこの空隙に樹脂が侵入し、中間基板20の側方にツメ42が形成されることができる。
The cutting lines L21 and L22 in the
2.1.3.積層基板を形成する工程
本工程において、下側水晶板110(下側基板)、中間水晶板120(中間基板)および上側水晶板130(上側基板)を積層して積層基板200を形成する。図17は、本態様の積層基板200を概略的に示す斜視図である。本工程において、各水晶板の切断ラインは、互いに重なるように積層される。各水晶板間の接合は、プラズマ溶接を適用することが好ましい。具体的には、接合する2枚の水晶板のうち少なくとも一方の接合部にプラズマを照射し、当該接合部を活性化させる。その後、2枚の基板を常温で張り合わせて接合することにより、加熱による応力の発生を軽減して振動数の安定した積層体を形成することができる。この工程により、内部に複数の圧電振動部21を有し、水晶板が3層積層された、積層基板200を形成することができる。
2.1.3. Step of Forming Laminated Substrate In this step, the
2.1.4.ハーフダイシング工程
次に、積層基板200の少なくとも上側水晶板130(上側基板)を切削し、上側基板側から下側水晶板110(下側基板)の上面まで連通する孔を形成する。図18は、本工程を模式的に示す断面図である。図18に示すように、上側水晶板130をハーフダイシングにより切断して上側基板30を形成する。ここで、ハーフダイシングとは、切断対象(ここでは積層基板200)を切り離して個片を形成することなく、切断対象の厚み方向の途中までダイシング(切削)することをいう。この工程では、下側水晶板110が切断されない限り、積層基板200の厚み方向の任意の位置までハーフダイシングすることができる。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。ダイシングの際のブレードの厚みは、切断ラインの幅と一致している。
2.1.4. Half Dicing Step Next, at least the upper crystal plate 130 (upper substrate) of the
本工程を経ると、少なくとも上側水晶板130の切断ラインL31、L32内の水晶が除去される。これにより、上側基板側から下側水晶板110(下側基板)の上面まで連通する孔が形成される。上側基板側から下側水晶板110(下側基板)の上面まで連通する孔が形成される限り、中間水晶板120は、切削されなくてもよい。また、本工程では、少なくとも下側水晶板110は、切断されないため、以降の工程における積層基板200の取り扱いを容易に行うことができる。
After this step, at least the crystals in the cutting lines L31 and L32 of the
図19は、中間水晶板120の連結部が、図16に示す連結部122aのように隣り合う枠部22の間の領域全体に形成されている状態を表す断面図である。このような連結部122aを有する中間水晶板120の場合は、本ハーフダイシング工程では、上側水晶板130に加えて中間水晶板120(連結部122a)も切断する。図19は、連結部122aの一部が除去される様子を示しており、想像線で囲まれた領域の連結部122cが除去される。このようにすれば、上側基板側から下側水晶板110(下側基板)の上面まで連通する孔を形成することができる。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a state in which the connecting portion of the
2.1.5.樹脂層を形成する工程
次に、上側基板30側から樹脂原料を付与して、上側基板30の上面30a、側面30bおよび下面30cと、中間基板20の側面20bと、下側基板10の上面10aと、を覆うように樹脂層40aを形成する。図20は、樹脂層40aが形成された状態を模式的に示す断面図である。樹脂原料としては、流動性を有するものであれば限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂の前駆体等が挙げられる。本工程は、たとえば、樹脂原料を上側基板30側に塗布することによって行うことができる。塗布方法は、特に限定されない。本工程は、積層基板200を減圧状態に設置して行うことができる。このようにすれば、より確実に上側基板側から下側水晶板110(下側基板)の上面まで連通する孔の内部に樹脂原料を侵入させることができる。本工程において、樹脂原料が付与された後、たとえば加熱等により硬化反応を行って樹脂層40aが形成される。
2.1.5. Step of Forming Resin Layer Next, a resin raw material is applied from the
2.1.6.ダイシング工程
次に、下側水晶板110(下側基板)および樹脂層40aを切断して圧電振動子100の個片を形成する。本工程は、下側水晶板110の切断ラインL11、L12の内側の部材(下側水晶板110および樹脂層40a)を除去して行われる(図20参照)。本工程により積層基板200が切断され、下側基板10の上面よりも上方にのみ樹脂部材40が存在する圧電振動子100(図1、図8等参照)が形成される。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。
2.1.6. Dicing Step Next, the lower crystal plate 110 (lower substrate) and the
ダイシングの際のブレードの厚みは、切断ラインの幅と一致している。本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、「2.1.3.ハーフダイシング工程」で用いるダイシング装置のブレードの厚みよりも薄い。本工程において、このようなブレードを用いることにより中間基板20および上側基板30の側方に樹脂部材40が形成された圧電振動子100を形成することができる。また、本工程で使用するブレードの厚みが薄いほど、樹脂部材40の強度が増加する。
The thickness of the blade at the time of dicing coincides with the width of the cutting line. The thickness of the blade of the dicing apparatus used in this step is thinner than the thickness of the blade of the dicing apparatus used in “2.1.3. Half dicing step”. In this step, by using such a blade, the
以上のようにして、第1の態様にかかる下側基板10の上面よりも上方にのみ樹脂部材40が存在する圧電振動子100(図1、図8等)を製造することができる。本態様の圧電振動子の製造方法によれば、3層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。
As described above, the piezoelectric vibrator 100 (FIG. 1, FIG. 8, etc.) in which the
2.2.第2の態様
次に、下側基板10の側方に樹脂部材40が存在する圧電振動子100(図10〜図13等)を製造する工程について述べる。本態様における圧電振動子100の製造方法は、下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、積層基板を形成する工程と、第1ハーフダイシング工程と、第1樹脂層を形成する工程と、第2ハーフダイシング工程と、第2樹脂層を形成する工程と、ダイシング工程と、を有する。
2.2. Second Aspect Next, a process of manufacturing the piezoelectric vibrator 100 (FIGS. 10 to 13 and the like) in which the
2.2.1.下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程
本工程は、第1の態様の「2.1.1.下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程」と同様であるため、説明を省略する。
2.2.1. Step of Preparing Lower Substrate, Intermediate Substrate Having Vibrating Unit, and Upper Substrate This step prepares “2.1.1. Lower Substrate, Intermediate Substrate Having Vibrating Unit, and Upper Substrate of First Mode” Since this is the same as the “step to perform”, the description thereof is omitted.
2.2.2.切断ライン
図21に例示するように、本態様においても、各水晶板における切断ラインは、直交する格子状に設けられる。この例においても、各水晶板の切断ラインの中心線は、平面視において、各水晶板が積層されたときに一致している。切断ラインの幅は、ダイシングの際のブレードの厚みに対応している。
2.2.2. Cutting Line As illustrated in FIG. 21, also in this embodiment, cutting lines in each quartz plate are provided in an orthogonal lattice shape. Also in this example, the center line of the cutting line of each crystal plate coincides when the crystal plates are laminated in a plan view. The width of the cutting line corresponds to the thickness of the blade during dicing.
下側水晶板110における切断ラインL11、L12は、中間水晶板120の切断ラインL21、L22および上側水晶板130の切断ラインL31、L32の少なくとも一方よりも太い。そのため、後の工程を経ることでツメ42を有する樹脂部材40を形成することができる。
The cutting lines L11 and L12 in the
上側水晶板130における切断ラインL31、L32の太さは、下側水晶板110の切断ラインL11、L12が、中間水晶板120の切断ラインL21、L22よりも太い場合、特に制限がない。この場合、上側水晶板130の切断ラインL31、L32は、中間水晶板120の切断ラインL21、L22と一致していることができる。
The thickness of the cutting lines L31 and L32 in the
また、上側水晶板130における切断ラインL31、L32は、下側水晶板110の切断ラインL11、L12が、中間水晶板120の切断ラインL21、L22よりも細い場合、中間水晶板120の切断ラインL21、L22よりも細く設けられる。この場合、上側水晶板130の切断ラインL31、L32は、たとえば、下側水晶板110の切断ラインL11、L12と一致していることができる。
The cutting lines L31 and L32 in the
中間水晶板120における切断ラインL21、L22の太さは、下側水晶板110および上側水晶板130の切断ラインの太さにより、適宜設定される。
The thicknesses of the cutting lines L21 and L22 in the
2.2.3.積層基板を形成する工程
本工程は、第1の態様の「2.1.3.積層基板を形成する工程」と同様であるため、説明を省略する。
2.2.3. Step of Forming Multilayer Substrate Since this step is the same as “2.1.3. Step of Forming Multilayer Substrate” in the first aspect, description thereof is omitted.
2.2.4.第1ハーフダイシング工程
本工程では、積層基板200の、上側水晶板130(上側基板)側を切削し、第1溝70を形成する。この工程は、第1の態様の「2.1.4.ハーフダイシング工程」と同様であるため、詳細な説明を省略する。この工程では、下側水晶板110が切断されない限り、積層基板200の厚み方向の任意の位置までハーフダイシングすることができる。この工程により、たとえば、図22に示される構造が形成される。本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、後述の第2ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い。これにより、樹脂部材40にツメ42を形成することができる。また、本工程では、積層基板200は、切断されないため、以降の工程における積層基板200の取り扱いを容易に行うことができる。
2.2.4. First Half Dicing Step In this step, the upper crystal plate 130 (upper substrate) side of the
2.2.5.第1樹脂層を形成する工程
次に、図23に示すように、上側基板30の上面および第1溝70の内部に、第1樹脂層40bを形成する。本工程は、第1の態様の「2.1.5.樹脂層を形成する工程」と実質的に同様であるため、詳細な説明を省略する。本工程は、積層基板200を減圧状態に設置して行うことができる。このようにすれば、より確実に第1ハーフダイシングによって形成された第1溝70の内部に樹脂原料を侵入させることができる。
2.2.5. Step of Forming First Resin Layer Next, as shown in FIG. 23, the
2.2.6.第2ハーフダイシング工程
次に、少なくとも下側水晶板110を切削し、下側基板側に第1樹脂層40bを露出させる第2溝72を形成する。図24は、本工程を模式的に示す断面図である。図24に示すように、下側水晶板110の側からハーフダイシングを行い、第1樹脂層40bを露出させる。この工程では、積層基板200が切断されない限り、積層基板200の厚み方向の任意の位置までハーフダイシングすることができる。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。本工程を経ると、少なくとも下側水晶板110の切断ラインL11、L12内の水晶が除去される。これにより、下側基板側に第1樹脂層40bが露出する。本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、上述の第1ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも厚い。これにより、樹脂部材40にツメ42を形成することができる。また、本工程では、積層基板200は、切断されないため、以降の工程における積層基板200の取り扱いを容易に行うことができる。
2.2.6. Second Half Dicing Step Next, at least the
2.2.7.第2樹脂層を形成する工程
次に、下側基板10側から樹脂原料を付与して、第2溝72の内部に、第1樹脂層40bに連続する第2樹脂層40cを形成する。図25は、第2樹脂層40cが形成された状態を模式的に示す断面図である。樹脂原料としては、第1樹脂層40bを形成するために用いたものを用いることが、第1樹脂層40bと第2樹脂層40cとの接着性を高める点で好ましい。本工程は、たとえば、樹脂原料を下側基板10側に塗布することによって行うことができる。塗布方法は、特に限定されない。本工程は、積層基板200を減圧状態に設置して行うことができる。このようにすれば、より確実に第2ハーフダイシングによって形成された第2溝72の内部に樹脂原料を侵入させることができる。本工程において、樹脂原料が付与された後、たとえば加熱等により硬化反応を行って、第1樹脂層40bと連続する第2樹脂層40cが形成される。
2.2.7. Step of Forming Second Resin Layer Next, a resin raw material is applied from the
2.2.8.ダイシング工程
本工程は、第1樹脂層40bと、第2樹脂層40cとを切断する工程である。したがって、下側水晶板110の代わりに第2樹脂層40cを切断すること以外は、第1の態様の「2.1.6.ダイシング工程」と同様であるため、詳細な説明は省略する。図25の想像線で示すように、本工程により積層基板200が切断され、下側基板10の側方に樹脂部材40が存在する圧電振動子100(図11〜図14等)が製造される。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。
2.2.8. Dicing Step This step is a step of cutting the
本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、第1ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い(図25参照)。本工程において、このようなブレードを用いることにより上面および側面に樹脂部材40が形成された圧電振動子100を形成することができる。
The thickness of the blade of the dicing apparatus used in this step is thinner than the thickness of the blade used in the first half dicing step (see FIG. 25). In this step, by using such a blade, the
以上のようにして、第2態様にかかる下側基板10の側方に樹脂部材40が存在する圧電振動子100(図11〜図14等)を製造することができる。本態様の圧電振動子の製造方法によれば、3層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。
As described above, the piezoelectric vibrator 100 (FIGS. 11 to 14, etc.) in which the
上記圧電振動子100の製造方法において例示した態様において、適宜、中間基板20に形成された配線等に電気的に接続する外部端子等を形成する工程を含んでもよい。
The aspect illustrated in the method for manufacturing the
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and effects). In addition, the present invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
10…下側基板、20…中間基板、30…上側基板、10a,20a,30a…上面、
10b,20b,30b…側面、10c,20c,30c…下面、
10r,20r,30r…輪郭、21…圧電振動部、22…枠部、
25a,25b…接続部、26a,26b…スリット、28a…第1溝部、
28b…第2溝部、40…樹脂部材、40a…樹脂層、40b…第1樹脂層、
40c…第2樹脂層、42…ツメ、50…第1励振電極、52…第2励振電極、
54…第1配線、56…第2配線、62…切欠、70,72…溝、100…圧電振動子、
110…下側水晶基板、120…中間水晶基板、130…上側水晶基板、
200…積層基板、L11,L12,L21,L22,L31,L32…切断ライン
10 ... lower substrate, 20 ... intermediate substrate, 30 ... upper substrate, 10a, 20a, 30a ... upper surface,
10b, 20b, 30b ... side face, 10c, 20c, 30c ... bottom face,
10r, 20r, 30r ... contour, 21 ... piezoelectric vibration part, 22 ... frame part,
25a, 25b ... connection portion, 26a, 26b ... slit, 28a ... first groove portion,
28b ... 2nd groove part, 40 ... Resin member, 40a ... Resin layer, 40b ... 1st resin layer,
40c ... second resin layer, 42 ... claw, 50 ... first excitation electrode, 52 ... second excitation electrode,
54 ... 1st wiring, 56 ... 2nd wiring, 62 ... Notch, 70, 72 ... Groove, 100 ... Piezoelectric vibrator,
110 ... Lower crystal substrate, 120 ... Intermediate crystal substrate, 130 ... Upper crystal substrate,
200 ... laminated substrate, L11, L12, L21, L22, L31, L32 ... cutting line
Claims (9)
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記上側基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記上側基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する、圧電振動子。 A lower substrate,
An intermediate substrate provided on the lower substrate and having a vibrating portion;
An upper substrate provided on the intermediate substrate;
A resin member that covers at least the upper surface and the side surface of the upper substrate and the side surface of the intermediate substrate;
Have
Piezoelectric vibration in which a part of the resin member exists in a region below the lower surface of the upper substrate, above the lower surface of the lower substrate, and inside the contour in plan view of the upper substrate. Child.
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記上側基板の輪郭よりも外側にある、圧電振動子。 In claim 1,
The piezoelectric vibrator in which a contour of the lower substrate is outside a contour of the upper substrate in a plan view.
平面視において、前記中間基板および前記下側基板の輪郭が一致している、圧電振動子。 In claim 1,
A piezoelectric vibrator in which outlines of the intermediate substrate and the lower substrate coincide in a plan view.
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記中間基板の輪郭よりも内側にある、圧電振動子。 In claim 1,
The piezoelectric vibrator in which a contour of the lower substrate is inside a contour of the intermediate substrate in a plan view.
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記中間基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記中間基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する、圧電振動子。 A lower substrate,
An intermediate substrate provided on the lower substrate and having a vibrating portion;
An upper substrate provided on the intermediate substrate;
A resin member that covers at least the upper surface and side surfaces of the upper substrate, the side surfaces of the intermediate substrate, and the side surfaces of the lower substrate;
Have
Piezoelectric vibration in which a part of the resin member exists in a region below the lower surface of the intermediate substrate, above the lower surface of the lower substrate, and inside the contour in plan view of the intermediate substrate. Child.
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板の、少なくとも前記上側基板を切削し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成するハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、側面および下面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の上面と、を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記下側基板および前記樹脂層を切断して個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い、圧電振動子の製造方法。 Preparing a lower substrate, an intermediate substrate having a vibrating portion, and an upper substrate;
Laminating the lower substrate, the intermediate substrate, and the upper substrate to form a laminated substrate;
A half dicing step of cutting at least the upper substrate of the laminated substrate and forming a hole communicating from the upper substrate side to the upper surface of the lower substrate;
Providing a resin raw material from the upper substrate side, and forming a resin layer so as to cover the upper surface, the side surface and the lower surface of the upper substrate, the side surface of the intermediate substrate, and the upper surface of the lower substrate;
A dicing step of cutting the lower substrate and the resin layer to form individual pieces;
Have
The method of manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein a thickness of the blade used in the dicing step is thinner than a thickness of the blade used in the half dicing step.
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成する、圧電振動子の製造方法。 In claim 6,
The intermediate substrate has a plate-like frame portion,
In the half dicing step, the upper substrate and the frame are cut to form a hole that communicates from the upper substrate side to the upper surface of the lower substrate.
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板を、前記上側基板側から切削し、第1溝を形成する第1ハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、および前記第1溝の内部に第1樹脂層を形成する工程と、
前記積層基板を、前記下側基板側から切削し、前記下側基板側に前記第1樹脂層を露出させる第2溝を形成する第2ハーフダイシング工程と、
前記下側基板側から前記樹脂原料を付与して、前記第2溝の内部に、前記第1樹脂層に連続する第2樹脂層を形成する工程と、
前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を切断して、個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記第1ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第2ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄く、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第1ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い、圧電振動子の製造方法。 Preparing a lower substrate, an intermediate substrate having a vibrating portion, and an upper substrate;
Laminating the lower substrate, the intermediate substrate, and the upper substrate to form a laminated substrate;
Cutting the laminated substrate from the upper substrate side to form a first groove, and a first half dicing step;
Applying a resin raw material from the upper substrate side and forming a first resin layer on the upper surface of the upper substrate and in the first groove;
A second half dicing step of cutting the laminated substrate from the lower substrate side and forming a second groove exposing the first resin layer on the lower substrate side;
Providing the resin raw material from the lower substrate side, and forming a second resin layer continuous with the first resin layer inside the second groove;
A dicing step of cutting the first resin layer and the second resin layer to form individual pieces;
Have
The thickness of the blade used in the first half dicing step is thinner than the thickness of the blade used in the second half dicing step,
The method of manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein a thickness of the blade used in the dicing step is thinner than a thickness of the blade used in the first half dicing step.
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記第1ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成する、圧電振動子の製造方法。 In claim 8,
The intermediate substrate has a plate-like frame portion,
In the first half dicing step, the upper substrate and the frame portion are cut to form a hole communicating from the upper substrate side to the upper surface of the lower substrate.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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