JP2010139264A - 半導体センサ及び半導体センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】錘部の移動に伴ってこれに連結された可撓部が変形する構成の半導体センサにおいて、その厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整できるようにする。
【解決手段】一部が可撓部Fとして構成される薄肉部12と、その主面12dから突出して薄肉部12と共に錘部Mを構成する厚肉の凸部11Bと、可撓部Fの変形又は変位を検出する検出手段121とを備え、凸部11Bに隣り合う薄肉部12の主面12dに、薄肉部12及び凸部11Bと異なる種類の異種材料からなる調整層13が形成され、積層された薄肉部12及び調整層13により可撓部Fが構成されている半導体センサ1を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】一部が可撓部Fとして構成される薄肉部12と、その主面12dから突出して薄肉部12と共に錘部Mを構成する厚肉の凸部11Bと、可撓部Fの変形又は変位を検出する検出手段121とを備え、凸部11Bに隣り合う薄肉部12の主面12dに、薄肉部12及び凸部11Bと異なる種類の異種材料からなる調整層13が形成され、積層された薄肉部12及び調整層13により可撓部Fが構成されている半導体センサ1を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、加速度、傾斜、角速度等の物理量を検出する半導体センサ、及びその製造方法に関する。
近年、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて製造される加速度センサやジャイロセンサ等の半導体センサは、ビームやダイヤフラム等の可撓部を備えており、可撓部の変形や変位を電気信号に変換する半導体センサでは、可撓部に錘部を結合することによってその感度を高めている。
例えば特許文献1には、シリコン半導体基板によって形成された枠状の支持部及びその内側に配された錘部と、シリコン半導体基板の一部の層からなり支持部及び錘部の間に配された梁部(可撓部)とを備えた半導体センサが記載されている。この半導体センサにおいて、支持部及び錘部は、シリコン半導体基板を構成するシリコン窒化膜の一方の主面にシリコン酸化膜及び単結晶シリコン層を積層して構成されている。さらに、梁部の強度及び柔軟性を容易に調整できるように、梁部をなすシリコン窒化膜の他方の主面に樹脂膜を形成している。
特開2006−295149号公報
例えば特許文献1には、シリコン半導体基板によって形成された枠状の支持部及びその内側に配された錘部と、シリコン半導体基板の一部の層からなり支持部及び錘部の間に配された梁部(可撓部)とを備えた半導体センサが記載されている。この半導体センサにおいて、支持部及び錘部は、シリコン半導体基板を構成するシリコン窒化膜の一方の主面にシリコン酸化膜及び単結晶シリコン層を積層して構成されている。さらに、梁部の強度及び柔軟性を容易に調整できるように、梁部をなすシリコン窒化膜の他方の主面に樹脂膜を形成している。
しかしながら、特許文献1に記載の半導体センサでは、シリコン窒化膜の他方の主面に樹脂膜を追加しているため、半導体センサの厚みがシリコン半導体基板の厚さ寸法よりも大きくなり、近年要求の高まっている半導体センサの薄型化を阻害する虞がある。
また、梁部の強度や柔軟性は樹脂膜の厚みを変化することで調整されるが、結果として、半導体センサの特性が異なる毎に半導体センサの厚みが変化するため、半導体センサの各種電子機器への組み込みが面倒になる、という問題もある。
また、梁部の強度や柔軟性は樹脂膜の厚みを変化することで調整されるが、結果として、半導体センサの特性が異なる毎に半導体センサの厚みが変化するため、半導体センサの各種電子機器への組み込みが面倒になる、という問題もある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体センサの厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整できる半導体センサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の半導体センサは、一部が可撓性を有する可撓部として構成される薄肉部と、前記薄肉部の主面から突出して前記薄肉部と共に錘部を構成する厚肉の凸部と、前記錘部の移動に伴う前記可撓部の変形又は変位を検出する検出手段とを備え、前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記薄肉部及び前記凸部と異なる種類の異種材料からなる調整層が形成され、積層された前記薄肉部及び前記調整層により前記可撓部が構成されていることを特徴とする。
本発明の半導体センサは、一部が可撓性を有する可撓部として構成される薄肉部と、前記薄肉部の主面から突出して前記薄肉部と共に錘部を構成する厚肉の凸部と、前記錘部の移動に伴う前記可撓部の変形又は変位を検出する検出手段とを備え、前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記薄肉部及び前記凸部と異なる種類の異種材料からなる調整層が形成され、積層された前記薄肉部及び前記調整層により前記可撓部が構成されていることを特徴とする。
この半導体センサによれば、錘部も構成する薄肉部の厚さを変えることなく、剛体調整層の厚さ寸法を変化させるだけで、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整することができる。また、固有振動数やQ値(振動の状態を表す無次元数)等の可撓部の振動特性を簡単に所望の値に調整することができる。
さらに、可撓部をなす調整層は、錘部をなす凸部と共に薄肉部の同一の主面に形成されているため、調整層を追加しても半導体センサの厚みが増加することを防止して、半導体センサの薄型化を図ることができる。
また、調整層の厚みを変化させても、半導体センサの厚さ寸法の変化を防止できるため、半導体センサの各種電子機器への組み込みも容易に行うことができる。
さらに、可撓部をなす調整層は、錘部をなす凸部と共に薄肉部の同一の主面に形成されているため、調整層を追加しても半導体センサの厚みが増加することを防止して、半導体センサの薄型化を図ることができる。
また、調整層の厚みを変化させても、半導体センサの厚さ寸法の変化を防止できるため、半導体センサの各種電子機器への組み込みも容易に行うことができる。
なお、前記半導体センサにおいては、前記調整層が、相互に弾性係数の異なる複数の前記異種材料からなる複数の異種材料層によって構成されていてもよい。
この場合には、異種材料層の積層数や各異種材料層の厚さ寸法を変化させることで、可撓部の固有振動数やQ値を高い精度で調整することが可能となる。
この場合には、異種材料層の積層数や各異種材料層の厚さ寸法を変化させることで、可撓部の固有振動数やQ値を高い精度で調整することが可能となる。
そして、本発明の半導体センサの製造方法は、シリコンバルクの異方性エッチングにより、薄肉部の主面から突出する厚肉の凸部を形成して、前記薄肉部及びこれに積層された前記凸部により錘部を構成すると共に、前記凸部に隣り合う前記薄肉部により可撓性を有する可撓部の一部を構成するセンサ形成工程と、前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記シリコンバルクと異なる種類の異種材料を堆積してなる調整層を形成することで、前記薄肉部及びこれに積層された前記調整層により前記可撓部を構成する可撓部形成工程と、を備えることを特徴とする。
この製造方法を実施することで前記半導体センサを製造することができる。
この製造方法を実施することで前記半導体センサを製造することができる。
なお、前記半導体センサの製造方法においては、例えば可撓部形成工程後に前記調整層の厚さ寸法を変化させる調整工程を実施してもよい。また、前記調整工程は、ドライエッチング等により前記調整層の厚みを減少させる可撓部エッチング工程、及び、前記異種材料を追加して前記調整層の厚みを増加させる追加堆積工程のいずれか一方、あるいは両方を備えていてもよい。
前記調整工程を実施することで、可撓部の振動特性をさらに高精度に調整することが可能となる。すなわち、可撓部形成工程を経た半導体センサに対して、可撓部の振動特性を測定する測定工程を実施する。この際、測定された可撓部の固有振動数やQ値が所望の値を示していない場合に、上述した調整工程を実施することで可撓部の固有振動数やQ値を所望の値に一致させたり近づけることができる。
本発明によれば、半導体センサの厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整することができる。
以下、図1〜3を参照して本発明の一実施形態に係る半導体センサについて説明する。図1に示すように、この実施形態に係る半導体センサ1は、平面視環状に形成された支持部Sと、支持部Sの内側に間隔をあけて配された平面視略矩形の錘部Mと、可撓性を有して支持部Sと錘部Mとを一体に連結する複数の可撓部Fと、検出手段としてのピエゾ抵抗部121とを備えている。すなわち、この半導体センサ1は、慣性力に応じた可撓部Fの変形又は変位をピエゾ抵抗部121によって電気信号に変換することで加速度を検出する加速度センサとして構成されており、また、MEMS技術を用いてSOI(Silicon on Insulator)ウエハ(シリコンバルク)10によって製造されている。
支持部S及び錘部Mは、ベースウエハ11上に半導体層(SOI層)12を積層したSOIウエハ10によって構成されており、支持部S及び錘部Mの厚さ寸法は、SOIウエハ10の厚さ寸法に等しい。言い換えれば、支持部Sは、半導体層(薄肉部)12、及び、その下面(主面)12dの周縁から突出する平面視環状の枠体部11Aをなすベースウエハ11によって構成されている。また、錘部Mは、半導体層(薄肉部)12、及び、枠体部11Aの内側に間隔をあけるように半導体層12の下面12dの中央部分から突出する凸部11Bをなすベースウエハ11によって構成されている。
なお、ベースウエハ11は、単結晶シリコン層111上に二酸化シリコン(SiO2)からなる酸化層112を積層して構成され、半導体層12は酸化層112上に積層されている。また、酸化層112は、単結晶シリコン(Si)からなるベースウエハ11の熱酸化された表層である。
なお、ベースウエハ11は、単結晶シリコン層111上に二酸化シリコン(SiO2)からなる酸化層112を積層して構成され、半導体層12は酸化層112上に積層されている。また、酸化層112は、単結晶シリコン(Si)からなるベースウエハ11の熱酸化された表層である。
可撓部Fは、SOIウエハ10の半導体層12の一部、及び、半導体層12の下面12dに積層された調整層13によって構成されている。調整層13は、樹脂材料からなり、枠体部11A及び凸部11Bの間に位置する半導体層12の下面12dに形成されている。調整層13の厚さ寸法はベースウエハ11の厚さ寸法よりも小さく設定され、調整層13の先端面13dがベースウエハ11の下面11dから窪んだ位置に配されている。この調整層13を構成する樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、あるいは、感光性樹脂などが挙げられる。
この可撓部Fは、支持部Sに対する錘部Mの移動に伴って変形すれば、例えば支持部Sの内縁全体に連結されるダイヤフラム状に形成されていてもよいし、支持部Sの周方向に複数に分割して形成されていてもよい。また、可撓部Fは、例えば支持部Sと錘部Mとの間に1つだけ形成される片持ち梁状に形成されてもよい。
ピエゾ抵抗部121は、可撓部Fをなす半導体層12の上面12c側に複数形成されており、半導体層12上にはピエゾ抵抗部121の図示しない配線等が形成されている。
ピエゾ抵抗部121は、可撓部Fをなす半導体層12の上面12c側に複数形成されており、半導体層12上にはピエゾ抵抗部121の図示しない配線等が形成されている。
上記構成の半導体センサ1を製造する場合には、はじめに、SOIウエハ10の半導体層12に不純物を注入してピエゾ抵抗部121を形成する工程や、半導体層12を可撓部Fの平面視形状に合わせてエッチングする工程や、半導体層12上にピエゾ抵抗部121の配線を形成する工程を実施しておく。これらの工程は、特開平8−274349号公報等に開示されているように公知であるため、その説明を省略する。
次に、ベースウエハ11をDeep−RIE等により異方性エッチングすることで、図2に示すように、ベースウエハ11を枠体部11Aと凸部11Bとに区画する環状の区画凹部H1を形成するセンサ形成工程を実施する。これにより、半導体層12及びこれに積層された平面視環状の枠体部11Aによって支持部Sが構成され、半導体層12及びこれに積層された凸部11Bによって錘部Mが構成される。また、区画凹部H1の深さ寸法はベースウエハ11の厚さ寸法と同等に設定されているため、枠体部11A及び凸部11Bの間に位置する半導体層12の下面12dが露出する。この下面12dが露出した半導体層12の部分は可撓部Fの一部を構成している。
そして、図3に示すように、区画凹部H1をなす半導体層12の下面12dに樹脂材料を堆積して、樹脂材料14からなる調整層13を形成する可撓部形成工程を実施する。
この工程においては、はじめに、ベースウエハ11の下面11d側から樹脂材料14を塗布して区画凹部H1に入り込ませる。樹脂材料14の具体的な塗布方法としては、例えばスピンコート法、ディップコート法、スプレーによる塗布等のようにベースウエハ11の下面11d及び半導体層12の下面12d全体にわたって樹脂材料14を塗布する方法や、ディスペンサーにより区画凹部H1及びその近傍のみに局所的に樹脂材料14を塗布する方法、また、区画凹部H1の平面視形状に合わせてパターニングされた樹脂材料14を印刷する方法が挙げられる。
この工程においては、はじめに、ベースウエハ11の下面11d側から樹脂材料14を塗布して区画凹部H1に入り込ませる。樹脂材料14の具体的な塗布方法としては、例えばスピンコート法、ディップコート法、スプレーによる塗布等のようにベースウエハ11の下面11d及び半導体層12の下面12d全体にわたって樹脂材料14を塗布する方法や、ディスペンサーにより区画凹部H1及びその近傍のみに局所的に樹脂材料14を塗布する方法、また、区画凹部H1の平面視形状に合わせてパターニングされた樹脂材料14を印刷する方法が挙げられる。
次いで、ベースウエハ11の下面11dに残存する樹脂材料14をスクイーズや研磨、ドライエッチング等の方法により除去する。なお、樹脂材料14が感光性樹脂である場合には、露光現像によりベースウエハ11の下面11dに残存する樹脂材料を除去することもできる。
その後、真空脱泡により区画凹部H1内の樹脂材料14中に含まれる気泡を除去し、さらに、この樹脂材料14を硬化させることで図1に示す調整層13が形成される。なお、この際には、樹脂材料14を200℃〜400℃の間で硬化させることで、区画凹部H1内に形成される調整層13の先端面13dの平坦化を図ることができる。
その後、真空脱泡により区画凹部H1内の樹脂材料14中に含まれる気泡を除去し、さらに、この樹脂材料14を硬化させることで図1に示す調整層13が形成される。なお、この際には、樹脂材料14を200℃〜400℃の間で硬化させることで、区画凹部H1内に形成される調整層13の先端面13dの平坦化を図ることができる。
そして、この可撓部形成工程の終了後に、ダイシング等の後工程を実施することで、図1に示す半導体センサ1の製造が完了する。
なお、前述した可撓部形成工程は、上述したようにウエハレベルで実施することが好ましいが、例えばダイシングして個片化された半導体センサ1の状態で実施しても構わない。また、個片化された半導体センサ1の状態で可撓部形成工程を実施する場合には、ディスペンサーを用いて樹脂材料14を塗布することが好ましい。
なお、前述した可撓部形成工程は、上述したようにウエハレベルで実施することが好ましいが、例えばダイシングして個片化された半導体センサ1の状態で実施しても構わない。また、個片化された半導体センサ1の状態で可撓部形成工程を実施する場合には、ディスペンサーを用いて樹脂材料14を塗布することが好ましい。
上記半導体センサ1によれば、その厚みを変えることなく、可撓部Fの強度や柔軟性を容易に調整することができる。すなわち、支持部Sや錘部Mも構成する半導体層12の厚さを変えることなく、調整層13の厚さ寸法を変化させるだけで、可撓部Fの強度や柔軟性を容易に調整することができる。また、固有振動数やQ値等の可撓部Fの振動特性を簡単に所望の値に調整することができる。
さらに、可撓部Fをなす調整層13は、支持部Sをなす枠体部11Aや錘部Mをなす凸部11Bと共に半導体層12の同一の下面12dに形成されているため、調整層13を追加しても半導体センサ1の厚みが増加することを防止して、半導体センサ1の薄型化を図ることができる。
さらに、可撓部Fをなす調整層13は、支持部Sをなす枠体部11Aや錘部Mをなす凸部11Bと共に半導体層12の同一の下面12dに形成されているため、調整層13を追加しても半導体センサ1の厚みが増加することを防止して、半導体センサ1の薄型化を図ることができる。
以上のことから、多数の半導体センサ1を製造する際に半導体層12の厚さ寸法にばらつきがあっても、多数の半導体センサ1における可撓部Fの振動特性を容易に揃えることができ、その結果として、半導体センサ1の歩留まり向上を図ることができる。
また、半導体センサ1の開発に際しては、同一種類のSOIウエハ10を用いて、多種類の可撓部Fの振動特性を有する半導体センサの試作品を製造できるため、開発効率の向上も図ることができる。
さらに、調整層13の厚みを変化させても、半導体センサ1の厚さ寸法の変化を防止できるため、半導体センサ1の各種電子機器への組み込みも容易に行うことができる。
また、半導体センサ1の開発に際しては、同一種類のSOIウエハ10を用いて、多種類の可撓部Fの振動特性を有する半導体センサの試作品を製造できるため、開発効率の向上も図ることができる。
さらに、調整層13の厚みを変化させても、半導体センサ1の厚さ寸法の変化を防止できるため、半導体センサ1の各種電子機器への組み込みも容易に行うことができる。
なお、上記実施形態において、調整層13は、SOIウエハ10と異なる1種類の樹脂材料によって形成されるとしたが、例えば図4に示すように、相互に弾性係数の異なる複数の樹脂材料からなる複数の異種材料層21,23によって構成されてもよい。すなわち、可撓部Fをなす半導体層12の下面12dには、複数の異種材料層21,23を積層してもよい。そして、複数の異種材料層21,23を形成する際には、上記実施形態において示した可撓部形成工程を異種材料層21,23ごとに実施すればよい。
この構成の場合には、異種材料層21,23の積層数や各異種材料層21,23の厚さ寸法を変化させることで、可撓部Fの固有振動数やQ値を高い精度で調整することが可能となる。
この構成の場合には、異種材料層21,23の積層数や各異種材料層21,23の厚さ寸法を変化させることで、可撓部Fの固有振動数やQ値を高い精度で調整することが可能となる。
また、半導体センサ1の製造方法においては、可撓部形成工程後に、調整層13の厚さ寸法を変化させる調整工程を実施してもよい。この調整工程は、調整層13をその先端面13d側からエッチングしてその厚みを減少させる可撓部エッチング工程、及び、樹脂材料を追加して調整層13の厚みを増加させる追加堆積工程のいずれか一方、あるいは両方を備えていてもよい。
可撓部エッチング工程の具体例としては、例えばO2ドライアッシング等のドライエッチングが挙げられる。また、追加堆積工程は、上記実施形態の可撓部形成工程と同様に行えばよい。さらに、追加堆積工程において追加塗布する樹脂材料は、可撓部形成工程において塗布した樹脂材料と同一種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
可撓部エッチング工程の具体例としては、例えばO2ドライアッシング等のドライエッチングが挙げられる。また、追加堆積工程は、上記実施形態の可撓部形成工程と同様に行えばよい。さらに、追加堆積工程において追加塗布する樹脂材料は、可撓部形成工程において塗布した樹脂材料と同一種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
上記調整工程を実施することで、可撓部Fの振動特性をさらに高精度に調整することが可能となる。
すなわち、可撓部形成工程を経た半導体センサ1に対して、可撓部Fの振動特性を測定する測定工程を実施する。この際、測定された可撓部Fの固有振動数やQ値が所望の値を示していない場合に、上述した調整工程を実施することで可撓部Fの固有振動数やQ値を所望の値に一致させたり近づけることができる。
なお、これら測定工程及び調整工程は、1回のみ実施してもよいし、複数回繰り返して実施してもよい。また、これら測定工程や調整工程は、少なくとも可撓部形成工程後に実施されればよく、ダイシング等の後工程の前後のいずれでも実施することが可能である。すなわち、測定工程や調整工程は、ウエハレベルで実施してもよいし、ダイシングして個片化された半導体センサ1の状態で実施しても構わない。
すなわち、可撓部形成工程を経た半導体センサ1に対して、可撓部Fの振動特性を測定する測定工程を実施する。この際、測定された可撓部Fの固有振動数やQ値が所望の値を示していない場合に、上述した調整工程を実施することで可撓部Fの固有振動数やQ値を所望の値に一致させたり近づけることができる。
なお、これら測定工程及び調整工程は、1回のみ実施してもよいし、複数回繰り返して実施してもよい。また、これら測定工程や調整工程は、少なくとも可撓部形成工程後に実施されればよく、ダイシング等の後工程の前後のいずれでも実施することが可能である。すなわち、測定工程や調整工程は、ウエハレベルで実施してもよいし、ダイシングして個片化された半導体センサ1の状態で実施しても構わない。
また、調整層13やこれを構成する複数の異種材料層21,23は、樹脂材料によって形成されることに限らず、少なくとも可撓性を有する可撓部Fとして機能するように、SOIウエハ10と異なる種類の異種材料によって形成されていればよい。
さらに、可撓部Fは、半導体層12及びこれに積層された調整層13によって構成されるとしたが、例えば半導体層12、酸化層112及びこれに積層された調整層13によって構成されてもよい。この場合には、ベースウエハ11のうち単結晶シリコン層111のみが、支持部Sの枠体部11Aや、錘部Mの凸部11Bを構成することになる。
さらに、可撓部Fは、半導体層12及びこれに積層された調整層13によって構成されるとしたが、例えば半導体層12、酸化層112及びこれに積層された調整層13によって構成されてもよい。この場合には、ベースウエハ11のうち単結晶シリコン層111のみが、支持部Sの枠体部11Aや、錘部Mの凸部11Bを構成することになる。
また、半導体センサ1は支持部Sを備えるとしたが、少なくとも錘部M及び可撓部Fを備えていればよい。
さらに、本発明は、加速度センサに限らず、角速度センサ、圧力センサ、振動センサ、マイクロフォン等の半導体センサにも広く適用することができる。
さらに、本発明は、加速度センサに限らず、角速度センサ、圧力センサ、振動センサ、マイクロフォン等の半導体センサにも広く適用することができる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
1…半導体センサ、10…SOIウエハ(シリコンバルク)、11…ベースウエハ、11A…枠体部、11B…凸部、12…半導体層(薄肉部)、12d…下面(主面)、13…調整層、21,23…異種材料層、121…ピエゾ抵抗部(検出手段)、F…可撓部、M…錘部、S…支持部
Claims (3)
- 一部が可撓性を有する可撓部として構成される薄肉部と、前記薄肉部の主面から突出して前記薄肉部と共に錘部を構成する厚肉の凸部と、前記錘部の移動に伴う前記可撓部の変形又は変位を検出する検出手段とを備え、
前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記薄肉部及び前記凸部と異なる種類の異種材料からなる調整層が形成され、
積層された前記薄肉部及び前記調整層により前記可撓部が構成されていることを特徴とする半導体センサ。 - 前記調整層が、相互に弾性係数の異なる複数の前記異種材料からなる複数の異種材料層によって構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ。
- シリコンバルクの異方性エッチングにより、薄肉部の主面から突出する厚肉の凸部を形成して、前記薄肉部及びこれに積層された前記凸部により錘部を構成すると共に、前記凸部に隣り合う前記薄肉部により可撓性を有する可撓部の一部を構成するセンサ形成工程と、
前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記シリコンバルクと異なる種類の異種材料を堆積してなる調整層を形成することで、前記薄肉部及びこれに積層された前記調整層により前記可撓部を構成する可撓部形成工程と、を備えることを特徴とする半導体センサの製造方法。
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