JP2010134005A - Stroboscopic device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stroboscopic device 1 for controlling emitted light quantity without considering crossing of component elements which participate in light emission of a flash discharge tube 2. <P>SOLUTION: The stroboscopic device 1 includes: the flash discharge tube 2; an IGBT 4 for controlling light emission of the flash discharge tube 2; and a light emission control circuit 6 for controlling the light emission of the flash discharge tube 2 by performing on/off operation of the IGBT 4. The stroboscopic device 1 includes an emitted light quantity correction means for correcting variance of emitted light quantity in light emitting time required from starting light emission of the flash discharge tube 2 until turning off the IGBT 4 by the light emission control circuit 6, to put it more concretely, correcting timing to turn off the IGBT 4 by a discharge means for varying discharge current for discharging gate charge of the IGBT 4. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、閃光放電管と、閃光放電管の発光を制御する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下、単に「IGBT」という)と、IGBTをオン・オフ動作させて閃光放電管の発光を制御する発光制御回路とを備えるストロボ装置に関し、特に、発光光量を補正可能なストロボ装置に関するものである。   The present invention relates to a flash discharge tube, an insulated gate bipolar transistor (hereinafter simply referred to as “IGBT”) for controlling light emission of the flash discharge tube, and light emission for controlling light emission of the flash discharge tube by turning on / off the IGBT. The present invention relates to a strobe device including a control circuit, and more particularly to a strobe device capable of correcting a light emission amount.

ストロボ発光を伴うストロボ撮影では、例えば、ストロボ発光(以下、単に「本発光」という)のストロボ光量を決定するため、本発光の前に(以下、単に「プリ発光」という)適当なストロボ光量で露光を行い、その結果から本発光のストロボ光量を決定し、本発光のストロボ光量となるように発光光量を制御して、撮影されている。   In strobe shooting with strobe lighting, for example, in order to determine the strobe light amount for strobe light emission (hereinafter simply referred to as “main light emission”), an appropriate strobe light amount (hereinafter simply referred to as “pre-flash”) is used before the main light emission. The exposure is performed, and the strobe light amount of the main light emission is determined from the result, and the light amount of the light emission is controlled to be the main light strobe light amount.

従来技術のストロボ装置(特許文献1参照)は、キセノン管などの閃光放電管と、閃光放電管を励起するためのトリガ回路と、閃光放電管の発光を制御するIGBTと、閃光放電管で放電させる電荷を蓄積する(充電する)メインコンデンサと、IGBTをオン・オフ動作させて閃光放電管の発光を制御する発光制御回路とを備えている。よって、ストロボ装置は、例えば、閃光放電管と直列に接続されているIGBTをコレクタ−エミッタ間が導通状態にあるオン状態にすると、メインコンデンサに蓄積された電荷を閃光放電管で放電させて、閃光放電管の発光を開始させることができる。また、IGBTをコレクタ−エミッタ間が遮断状態にあるオフ状態にすると、閃光放電管の発光を停止させることができる。   A conventional strobe device (see Patent Document 1) includes a flash discharge tube such as a xenon tube, a trigger circuit for exciting the flash discharge tube, an IGBT for controlling light emission of the flash discharge tube, and a discharge by the flash discharge tube. A main capacitor for accumulating (charging) the charge to be generated, and a light emission control circuit for controlling the light emission of the flash discharge tube by turning on / off the IGBT. Therefore, the strobe device, for example, when the IGBT connected in series with the flash discharge tube is turned on so that the collector-emitter is in a conductive state, the electric charge accumulated in the main capacitor is discharged by the flash discharge tube, Light emission from the flash discharge tube can be started. Further, when the IGBT is turned off, in which the collector-emitter is cut off, light emission from the flash discharge tube can be stopped.

しかし、閃光放電管は、発光停止を開始してIGBTがオフ状態になっても、しばらくは閃光放電管内の封入ガスが発光を続ける。したがって、他の従来技術のストロボ装置(特許文献2参照)は、閃光放電管の発光停止から完全に発光が停止するまでのオーバーラン光量を予測して、オーバーラン光量を含めた発光光量で閃光放電管を発光停止させる制御を行っていた。
特開2000−347253号公報 特開2007−232864号公報
However, even if the flash discharge tube starts light emission stop and the IGBT is turned off, the sealed gas in the flash discharge tube continues to emit light for a while. Accordingly, another conventional strobe device (see Patent Document 2) predicts the overrun light amount from the stop of light emission of the flash discharge tube to the complete stop of light emission, and flashes with the emitted light amount including the overrun light amount. Control was performed to stop the light emission of the discharge tube.
JP 2000-347253 A JP 2007-232864 A

しかし、閃光放電管は製造時の精度などにより、アーク長や封入ガス圧などのばらつきがあり、同一の条件で制御して発光させた場合であっても、閃光放電管ごとに発光光量のばらつきが生じてしまう。したがって、ストロボ装置の発光制御時にオーバーラン光量を考慮しただけでは、予定していた発光光量に対し実際の発光光量に過不足が生じ、制御が不安定になってしまう。   However, flash discharge tubes have variations in arc length, sealed gas pressure, etc., depending on the accuracy of manufacturing, etc. Even if they are controlled to emit light under the same conditions, there are variations in the amount of emitted light for each flash discharge tube. Will occur. Therefore, if only the overrun light quantity is taken into consideration during the light emission control of the strobe device, the actual light emission quantity becomes excessive or insufficient with respect to the planned light emission quantity, and the control becomes unstable.

よって、本発明は、上記の如き従来の問題点に鑑みてなされたもので、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差を考慮せずに、発光光量を制御することができるストロボ装置を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and a strobe device capable of controlling the amount of emitted light without considering the tolerance of components involved in the light emission of the flash discharge tube. The issue is to provide.

本発明に係るストロボ装置は、上記課題を解決するためになされたもので、閃光放電管と、閃光放電管の発光を制御するIGBTと、IGBTをオン・オフ動作させて閃光放電管の発光を制御する発光制御回路とを備えるストロボ装置において、発光制御回路が閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつきを閃光放電管の発光開始からIGBTがオフするまでにかかる発光時間で補正可能な発光光量補正手段を備えることを特徴とする。   The strobe device according to the present invention has been made to solve the above-described problems. The flash discharge tube, the IGBT for controlling the light emission of the flash discharge tube, and the on / off operation of the IGBT to emit light from the flash discharge tube. In a strobe device having a light emission control circuit to control, the light emission control circuit takes a variation in the amount of emitted light due to the tolerance of components involved in the light emission of the flash discharge tube from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off. A light emission amount correction unit capable of correcting the light emission time is provided.

かかる構成からなるストロボ装置によれば、閃光放電管の発光開始からIGBTがオフするまでにかかる発光時間を適当な時間に補正することで、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差による発光光量のばらつきを製造されるそれぞれのストロボ装置で一律とすることができる。そして、この補正後の発光時間によりストロボ装置の発光光量を制御することで、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差による発光光量のばらつきを考慮する必要がなくなり、これらの複雑な制御のための部品が不要となり、ストロボ装置の小型化・軽量化を図ることができる。例えば、工場での組立工程において、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差による発光光量のばらつきを補正することで、出荷後の撮影では、この構成要素の公差以外から発光光量を決定することができる。   According to the strobe device having such a configuration, by correcting the light emission time from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off to an appropriate time, light emission due to the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube The variation in the amount of light can be made uniform for each strobe device manufactured. By controlling the light emission amount of the strobe device based on the light emission time after correction, it becomes unnecessary to consider the variation in the light emission amount due to the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube. This eliminates the need for parts for reducing the size and weight of the strobe device. For example, in the assembly process at the factory, by correcting the variation in the amount of emitted light due to the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube, the amount of emitted light is determined from other than the tolerance of this component in the post-shipment shooting. be able to.

また、本発明に係るストロボ装置の発光光量補正手段は、ゲート電荷を放電させる放電電流を可変とする放電手段により、閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間を補正する構成を採用することができる。   Further, the light emission amount correction means of the strobe device according to the present invention is configured to correct the light emission time from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off by the discharge means that changes the discharge current for discharging the gate charge. Can be adopted.

かかる構成からなるストロボ装置によれば、放電電流を変えることにより、ゲート電荷の放電時間が変わり、IGBTがオフするタイミングを変えることができることから、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差による発光光量のばらつきによる発光光量の過不足を閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間で補正することができる。   According to the strobe device having such a configuration, the discharge time of the gate charge can be changed by changing the discharge current, and the timing at which the IGBT is turned off can be changed. Therefore, depending on the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube. Excess or deficiency in the amount of emitted light due to the variation in the amount of emitted light can be corrected by the light emission time required from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off.

また、本発明に係るストロボ装装置の発光光量補正手段は、閃光放電管に対する発光停止の開始からゲート電荷の放電開始をアナログ遅延回路によって遅延させる遅延手段により、閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間を補正する構成を採用することができる。   Further, the light emission quantity correction means of the strobe device according to the present invention includes a delay means for delaying the start of discharge of the gate charge from the start of the light emission stop to the flash discharge tube by an analog delay circuit, and the IGBT from the start of light emission of the flash discharge tube. It is possible to employ a configuration that corrects the light emission time required for turning off.

かかる構成からなるストロボ装置によれば、アナログ遅延回路の遅延時間を変えることにより、ゲート電荷の放電開始のタイミングが変わり、IGBTがオフするタイミングを変えることができることから、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差による発光光量のばらつきによる発光光量の過不足を閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間で補正することができる。   According to the strobe device having such a configuration, by changing the delay time of the analog delay circuit, the gate charge discharge start timing can be changed and the IGBT turn-off timing can be changed. Excess or deficiency in the amount of emitted light due to variations in the amount of emitted light due to the tolerance of the constituent elements to be corrected can be corrected by the light emission time required from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off.

また、本発明に係るストロボ装置の発光光量補正手段は、閃光放電管に対する発光停止の開始からゲート電荷の放電開始をデジタル遅延回路によって遅延させる遅延手段により、閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間を補正する構成を採用することができる。   In addition, the light emission amount correction means of the strobe device according to the present invention turns off the IGBT from the start of light emission of the flash discharge tube by delay means for delaying the start of discharge of gate charge from the start of light emission stop to the flash discharge tube by a digital delay circuit. It is possible to adopt a configuration that corrects the light emission time required for the operation.

かかる構成からなるストロボ装置によれば、デジタル遅延回路の遅延時間を変えることにより、ゲート電荷の放電開始のタイミングが変わり、IGBTがオフするタイミングを変えることができることから、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差による発光光量のばらつきによる発光光量の過不足を閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間で補正することができる。   According to the strobe device having such a configuration, by changing the delay time of the digital delay circuit, the gate charge discharge start timing can be changed and the IGBT turn-off timing can be changed. Excess or deficiency in the amount of emitted light due to variations in the amount of emitted light due to the tolerance of the constituent elements to be corrected can be corrected by the light emission time required from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off.

以上の如く、本発明は、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差を考慮せずに、発光光量を制御することができる。   As described above, according to the present invention, the amount of emitted light can be controlled without taking into account the tolerance of components involved in the light emission of the flash discharge tube.

以下、本発明に係るストロボ装置の実施形態について、図面を参酌しつつ説明する。
(第一実施形態)
まず、第一実施形態に係るストロボ装置の構造について、図1を参酌しつつ説明する。ストロボ装置1は、キセノン管などの閃光放電管2と、閃光放電管2を励起するためのトリガ回路3と、閃光放電管2の発光を制御するIGBT4と、閃光放電管2で放電する電荷を蓄積する(充電する)メインコンデンサ5と、IGBT4をオン・オフ動作させて閃光放電管2の発光を制御する発光制御回路6と、電源Vddから供給される電源電圧をIGBT4の駆動電圧に合わせるために昇圧する昇圧回路7とを備えている。
Hereinafter, embodiments of a strobe device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
First, the structure of the strobe device according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The strobe device 1 includes a flash discharge tube 2 such as a xenon tube, a trigger circuit 3 for exciting the flash discharge tube 2, an IGBT 4 for controlling light emission of the flash discharge tube 2, and a charge discharged by the flash discharge tube 2. The main capacitor 5 to be stored (charged), the light emission control circuit 6 for controlling the light emission of the flash discharge tube 2 by turning on / off the IGBT 4, and the power supply voltage supplied from the power source Vdd to match the drive voltage of the IGBT 4 And a booster circuit 7 for boosting the voltage.

発光制御回路6は、閃光放電管2を発光開始させるためにIGBT4を充電してオン状態にさせるゲート充電手段8と、閃光放電管2を発光停止させるためにIGBT4を放電してオフ状態にさせるゲート放電手段9とを備えている。   The light emission control circuit 6 charges the IGBT 4 to turn on the light to turn on the flash discharge tube 2 and turns it on, and discharges the IGBT 4 to turn off the light to stop the light emission of the flash discharge tube 2. And gate discharge means 9.

ゲート充電手段8は、入力される発光信号Sがオン状態になると、IGBT4のゲート電荷の充電を開始して、IGBT4をオン状態にさせるゲート充電回路10と、発光信号Sのオン・オフ動作によって、ゲート充電手段8とゲート放電手段9とが切り替わるゲート充放電切替回路11とを備えている。ここで、ゲート充放電切替回路11は、発光信号Sがオン状態になると、ゲート充電手段8に切り替わり、発光信号Sがオフ状態になると、ゲート放電手段9に切り替わるようになっている。   When the input light emission signal S is turned on, the gate charging unit 8 starts charging the gate charge of the IGBT 4 to turn on the IGBT 4 and the on / off operation of the light emission signal S. A gate charge / discharge switching circuit 11 for switching between the gate charging means 8 and the gate discharging means 9 is provided. Here, the gate charge / discharge switching circuit 11 switches to the gate charging means 8 when the light emission signal S is turned on, and switches to the gate discharge means 9 when the light emission signal S is turned off.

よって、ゲート充電手段8は、発光信号Sがオン状態になると、ゲート充放電切替回路11がゲート充電回路10に切り替わり、ゲート充電回路10がIGBT4のゲート電荷の充電を開始して、ゲート電圧Vgが上昇する。そして、ゲート電圧Vgが閾値Vthを超えると、IGBT4がオン状態になる。   Therefore, when the light emission signal S is turned on, the gate charging means 8 switches the gate charge / discharge switching circuit 11 to the gate charging circuit 10, and the gate charging circuit 10 starts charging the gate charge of the IGBT 4, and the gate voltage Vg Rises. When the gate voltage Vg exceeds the threshold value Vth, the IGBT 4 is turned on.

ゲート放電手段9は、入力される発光信号Sがオフ状態になると、IGBT4のゲート電荷の放電を開始して、IGBT4をオフ状態にさせるゲート放電回路12と、発光信号Sのオン・オフ動作によって、ゲート充電手段8とゲート放電手段9とが切り替わるゲート充放電切替回路11とを備えている。また、ゲート放電回路12は、IGBT4の保護のため、IGBT4の放電を二段階で行うようになっており、可変の電流源I1gによる放電電流でゲート電荷を放電させる第一段階ゲート放電回路13と、固定の電流源I2gによる放電電流でゲート電荷を放電させる第二段階ゲート放電回路14と、さらに、ゲート電圧Vgによって、第一段階ゲート放電回路13と第二段階ゲート放電回路14とが切り変わるゲート放電切替回路15と、ゲート電圧Vgとゲート基準電圧Vrefとを比較した結果を出力するゲート放電電圧比較回路16とを備えている。   When the light emission signal S to be input is turned off, the gate discharge means 9 starts discharging the gate charge of the IGBT 4 to turn off the IGBT 4 and the on / off operation of the light emission signal S. A gate charge / discharge switching circuit 11 for switching between the gate charging means 8 and the gate discharging means 9 is provided. Further, the gate discharge circuit 12 is configured to discharge the IGBT 4 in two stages for protecting the IGBT 4, and a first stage gate discharge circuit 13 for discharging the gate charge with a discharge current from the variable current source I1g; The second stage gate discharge circuit 14 for discharging the gate charge with the discharge current from the fixed current source I2g, and the first stage gate discharge circuit 13 and the second stage gate discharge circuit 14 are switched by the gate voltage Vg. A gate discharge switching circuit 15 and a gate discharge voltage comparison circuit 16 that outputs a result of comparing the gate voltage Vg and the gate reference voltage Vref are provided.

ここで、ゲート放電電圧比較回路16は、コンパレータなどであり、非反転入力端子16aに印加されているゲート電圧Vgが基準電圧入力端子16bに印加されているゲート基準電圧Vref未満であれば、出力端子16cの電位が低レベルのままであるが、ゲート電圧Vgがゲート基準電圧Vref以上になると、出力端子16cの電位が低レベルから高レベルに反転するようになっている。また、ゲート放電切替回路15は、出力端子16cが高レベルを出力するとき、第一段階ゲート放電回路13に切り替わり、出力端子16cが低レベルを出力するとき、第二段階ゲート放電回路14に切り替わるようになっている。   Here, the gate discharge voltage comparison circuit 16 is a comparator or the like, and outputs if the gate voltage Vg applied to the non-inverting input terminal 16a is less than the gate reference voltage Vref applied to the reference voltage input terminal 16b. Although the potential of the terminal 16c remains at a low level, when the gate voltage Vg becomes equal to or higher than the gate reference voltage Vref, the potential of the output terminal 16c is inverted from a low level to a high level. The gate discharge switching circuit 15 switches to the first stage gate discharge circuit 13 when the output terminal 16c outputs a high level, and switches to the second stage gate discharge circuit 14 when the output terminal 16c outputs a low level. It is like that.

よって、ゲート放電手段9は、発光信号Sがオフ状態になると、ゲート充放電切替回路11がゲート放電回路12に切り替わり、ゲート電圧Vgがゲート基準電圧Vrefより高いとき、ゲート放電電圧比較回路16が高レベルを出力し、ゲート放電切替回路15が第一段階ゲート放電回路13に切り替わり、ゲート抵抗R1gによる放電電流でゲート電荷を放電する。そして、ゲート電圧Vgがゲート基準電圧Vrefより低くなると、ゲート放電切替回路15が第二段階ゲート放電回路14に切り替わる。また、ゲート電圧Vgがゲート基準電圧Vrefより低いときや低くなったときは、ゲート放電電圧比較回路16が低レベルを出力し、ゲート放電切替回路15が第二段階ゲート放電回路14に切り替わり、ゲート抵抗R2gによる放電電流でゲート電荷を放電する。そして、ゲート電圧Vgが閾値Vthより低くなると、IGBT4がオフ状態になる。   Therefore, when the light emission signal S is turned off, the gate discharge means 9 switches the gate charge / discharge switching circuit 11 to the gate discharge circuit 12, and when the gate voltage Vg is higher than the gate reference voltage Vref, the gate discharge voltage comparison circuit 16 A high level is output, and the gate discharge switching circuit 15 is switched to the first-stage gate discharge circuit 13, and the gate charge is discharged by the discharge current by the gate resistor R1g. When the gate voltage Vg becomes lower than the gate reference voltage Vref, the gate discharge switching circuit 15 is switched to the second stage gate discharge circuit 14. When the gate voltage Vg is lower or lower than the gate reference voltage Vref, the gate discharge voltage comparison circuit 16 outputs a low level, the gate discharge switching circuit 15 is switched to the second stage gate discharge circuit 14, and the gate The gate charge is discharged by the discharge current generated by the resistor R2g. When the gate voltage Vg becomes lower than the threshold value Vth, the IGBT 4 is turned off.

さらに、ゲート放電手段9は、第一段階ゲート放電回路13の複数の電流源I1gの一つを選択することで、ゲート電荷の放電速度が変わり、IGBT4がオフ状態になるタイミングが変わることから、閃光放電管2が発光停止するタイミングを補正することができる発光光量補正手段であり、第一段階ゲート放電回路は、補正手段である。   Furthermore, since the gate discharge means 9 selects one of the plurality of current sources I1g of the first stage gate discharge circuit 13, the discharge rate of the gate charge changes and the timing at which the IGBT 4 is turned off changes. The light emission quantity correction means can correct the timing at which the flash discharge tube 2 stops emitting light, and the first stage gate discharge circuit is a correction means.

次に、第一実施形態に係るストロボ装置1について、発光光量のばらつきを各構成要素の組み立て後に発光制御回路6のゲート放電手段9で補正する方法を、図2を参酌しつつ、説明する。   Next, with respect to the strobe device 1 according to the first embodiment, a method for correcting the variation in the amount of emitted light by the gate discharge means 9 of the light emission control circuit 6 after assembling each component will be described with reference to FIG.

まず、ストロボ装置1の発光光量を計測して、閃光放電管2の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつき量を計測する。発光光量の算出方法は、従来技術と同様とし、ストロボ装置1に模擬的にテスト発光信号Stを入力し、発光光量を算出するものである。ここで、テスト発光信号Stとは、発光開始から発光停止までオン状態が継続するパルス状の信号とする。   First, the amount of emitted light of the strobe device 1 is measured, and the amount of variation in the amount of emitted light caused by the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube 2 is measured. The method for calculating the amount of emitted light is the same as that of the prior art, and the test light emission signal St is input to the strobe device 1 in a simulated manner to calculate the amount of emitted light. Here, the test light emission signal St is a pulse-like signal that is kept on from the start of light emission to the stop of light emission.

最初に、組み立て後の発光制御回路6の入力端子Iにテスト発光信号Stを入力する。テスト発光信号Stがオフ状態からオン状態になると(S0)、ゲート充電手段8のゲート充放電切替回路11がゲート充電回路10に切り替わり、ゲート充電回路10がIGBT4のゲート電荷を充電する(S1)。次に、ゲート電圧Vgが閾値Vthを超え、IGBT4がオン状態になる(S2)。IGBT4がオン状態になることで、メインコンデンサ5に蓄積された電荷がトリガ回路3に流れ、閃光放電管2にトリガ電圧が印加され、閃光放電管2が発光開始する(S3)。   First, the test light emission signal St is input to the input terminal I of the light emission control circuit 6 after assembly. When the test light emission signal St changes from the OFF state to the ON state (S0), the gate charge / discharge switching circuit 11 of the gate charging means 8 is switched to the gate charging circuit 10, and the gate charging circuit 10 charges the gate charge of the IGBT 4 (S1). . Next, the gate voltage Vg exceeds the threshold value Vth, and the IGBT 4 is turned on (S2). When the IGBT 4 is turned on, the electric charge accumulated in the main capacitor 5 flows to the trigger circuit 3, the trigger voltage is applied to the flash discharge tube 2, and the flash discharge tube 2 starts to emit light (S3).

次に、テスト発光信号Stがオン状態からオフ状態になる(S4)と、ゲート放電手段9のゲート充放電切替回路11がゲート放電回路12に切り替わり、ゲート放電電圧比較回路16がゲート基準電圧VrefよりIGBT4のゲート電圧Vgが高いため、ゲート放電切替回路15が第一段階ゲート放電回路13に切り替わり、IGBT4が第一段階ゲート放電回路13の選択された電流源I1gによりゲート電荷を放電される(S5)。   Next, when the test light emission signal St changes from the on state to the off state (S4), the gate charge / discharge switching circuit 11 of the gate discharge means 9 switches to the gate discharge circuit 12, and the gate discharge voltage comparison circuit 16 switches to the gate reference voltage Vref. Since the gate voltage Vg of the IGBT 4 is higher, the gate discharge switching circuit 15 is switched to the first stage gate discharge circuit 13, and the IGBT 4 is discharged by the selected current source I1g of the first stage gate discharge circuit 13 ( S5).

やがて、ゲート電圧Vgがゲート基準電圧Vrefより低くなり(S6)、ゲート放電切替回路15が第二段階ゲート放電回路14に切り替わり、IGBT4が第二段階ゲート放電回路14の電流源I2gによりゲート電荷を放電される(S7)。   Eventually, the gate voltage Vg becomes lower than the gate reference voltage Vref (S6), the gate discharge switching circuit 15 is switched to the second stage gate discharge circuit 14, and the IGBT 4 supplies the gate charge by the current source I2g of the second stage gate discharge circuit 14. It is discharged (S7).

さらに、ゲート電圧Vgが閾値Vthより低くなり、IGBT4がオフ状態になって(S8)、閃光放電管2が発光停止する(S9)。その間、閃光放電管2が発光開始してから閃光放電管2が完全に発光停止するまでの発光光量を、テスト発光光量Qtとして発光光量計測装置で測定する。   Further, the gate voltage Vg becomes lower than the threshold value Vth, the IGBT 4 is turned off (S8), and the flash discharge tube 2 stops emitting light (S9). In the meantime, the emitted light quantity from when the flash discharge tube 2 starts to emit light until the flash discharge tube 2 completely stops emitting light is measured by the emitted light quantity measuring device as the test emitted light quantity Qt.

次に、基準発光光量Qと、発光光量計測装置で計測されたテスト発光光量Qtとを比較して誤差光量を求め、テスト発光光量Qtと基準発光光量Qとを一致させるために、閃光放電管2の発光時間Trを補正する。具体的には、テスト発光光量Qtが基準発光光量Qより多く発光過剰なときは、第一段階ゲート放電回路13の電流源I1gを減らして、IGBT4のゲート電荷の放電速度を上げることで閃光放電管2の発光時間Trを短縮する。
短縮された発光時間分、誤差光量に当たる発光光量が低減されてテスト発光光量Qtと基準発光光量Qが一致する。
Next, in order to obtain the error light amount by comparing the reference light emission amount Q and the test light emission amount Qt measured by the light emission amount measurement device, the flash discharge tube is used to match the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q. 2 emission time Tr is corrected. Specifically, when the test light emission amount Qt is larger than the reference light emission amount Q and the light emission is excessive, the current source I1g of the first stage gate discharge circuit 13 is reduced to increase the discharge rate of the gate charge of the IGBT 4, thereby causing the flash discharge. The light emission time Tr of the tube 2 is shortened.
The light emission amount corresponding to the error light amount is reduced by the shortened light emission time, and the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q coincide with each other.

また、テスト発光光量Qtが基準発光光量Qより少なく発光不足なときは、第一段階ゲート放電回路13の電流源I1gを増やし、IGBT4のゲート電荷の放電速度を下げることで閃光放電管2の発光時間Trを延長し、テスト発光光量Qtと基準発光光量Qを一致させる。   Further, when the test light emission quantity Qt is less than the reference light emission quantity Q and the light emission is insufficient, the current source I1g of the first stage gate discharge circuit 13 is increased and the discharge rate of the gate charge of the IGBT 4 is lowered to reduce the emission of the flash discharge tube 2. The time Tr is extended to make the test light emission quantity Qt and the reference light emission quantity Q coincide.

このようにして補正した第一段階ゲート放電回路13の複数の電流源I1gのどれを選択するかは、不揮発性メモリであるEEPROMに記録される。   Which of the plurality of current sources I1g of the first-stage gate discharge circuit 13 corrected in this way is selected is recorded in the EEPROM which is a nonvolatile memory.

よって、組み立て後に一度、第一段階ゲート放電回路13の複数ある電流源I1gの内、最適なものを選択すれば、次回以降のストロボ装置1の発光光量は、補正した第一段階ゲート放電回路13の電流源I1gにより、ゲート放電を行うことができ、プリ発光においても本発光においても目標ストロボ光量に一致させることができるため、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつきが生じることがなくなる。   Therefore, once an optimum one is selected from the plurality of current sources I1g of the first stage gate discharge circuit 13 once assembled, the light emission quantity of the strobe device 1 after the next time is corrected. The current source I1g can perform gate discharge and can match the target strobe light amount in both pre-light emission and main light emission, so that the light emission amount caused by the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube No variation occurs.

第一実施形態に係るストロボ装置1についての説明は以上である。次に、第二実施形態に係るストロボ装置について、図3を参酌しつつ説明する。また、第一実施形態に係るゲート放電回路12は、IGBT4の保護のため、IGBT4の放電を二段階でおこなうようしたが、第二実施形態では、アナログ遅延回路20の遅延時間を調整することにより、IGBT4の放電を一段階で行えるようにしたものを例とする。なお、第一実施形態に係るストロボ装置1と同様な部分については、同一符号を振り、説明を省略するものとする。
(第二実施形態)
まず、第二実施形態に係るストロボ装置17の構造について説明する。第二実施形態に係る発光制御回路18は、ゲート充電手段8と、閃光放電管2を発光停止させるためにIGBT4を放電してオフ状態にさせるゲート放電回路19と、入力される発光信号Sをゲート放電回路19に出力するのを遅延するアナログ遅延回路20とを備えている。なお、ゲート放電回路19は、二段階放電を行わないことから、第一実施形態に係るゲート放電回路12のように二段階に分ける必要がなく、第一段階ゲート放電回路13、ゲート放電切替回路15、及び、ゲート放電電圧比較回路16とを備えていないものとする。また、アナログ遅延回路20は、例えば、コンデンサに電荷を充放電するために要する時間を利用して、入力される発光信号Sを遅延させて出力するものであり、遅延回路用のコンデンサと遅延回路用の複数の抵抗を備えている。よって、アナログ遅延回路20は、発光信号Sがオフ状態になると、遅延回路用の複数の抵抗の一つを選択して、遅延回路用のコンデンサへの充電に係る時間分を遅延させることができ、選択された抵抗により遅延時間を変更することができる発光光量補正手段であり、遅延回路用の複数の抵抗値は、遅延手段である。
This completes the description of the strobe device 1 according to the first embodiment. Next, a strobe device according to the second embodiment will be described with reference to FIG. In addition, the gate discharge circuit 12 according to the first embodiment discharges the IGBT 4 in two stages to protect the IGBT 4, but in the second embodiment, the delay time of the analog delay circuit 20 is adjusted. For example, the IGBT 4 can be discharged in one stage. In addition, about the part similar to the flash device 1 which concerns on 1st embodiment, the same code | symbol shall be attached and description shall be abbreviate | omitted.
(Second embodiment)
First, the structure of the strobe device 17 according to the second embodiment will be described. The light emission control circuit 18 according to the second embodiment includes a gate charging unit 8, a gate discharge circuit 19 that discharges the IGBT 4 to stop light emission to stop the flash discharge tube 2, and an input light emission signal S. An analog delay circuit 20 that delays output to the gate discharge circuit 19 is provided. Since the gate discharge circuit 19 does not perform two-stage discharge, it is not necessary to divide into two stages unlike the gate discharge circuit 12 according to the first embodiment, and the first-stage gate discharge circuit 13 and the gate discharge switching circuit are not required. 15 and the gate discharge voltage comparison circuit 16 are not provided. The analog delay circuit 20 delays and outputs the input light emission signal S using, for example, the time required to charge and discharge the capacitor, and includes a delay circuit capacitor and a delay circuit. It has a plurality of resistors. Therefore, when the light emission signal S is turned off, the analog delay circuit 20 can select one of a plurality of resistors for the delay circuit and delay the time required for charging the capacitor for the delay circuit. The light emission amount correction means can change the delay time by the selected resistance, and the plurality of resistance values for the delay circuit are delay means.

次に、第二実施形態に係るストロボ装置17について、発光光量のばらつきを各構成要素の組み立て後に発光制御回路18のアナログ遅延回路20で補正する方法を、図4を参酌しつつ、説明する。なお、第一実施形態と同様に、まず、ストロボ装置17の発光光量を計測して、閃光放電管2の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつき量をストロボ装置17に模擬的にテスト発光信号Stを入力し、発光光量を算出するものとする。   Next, with respect to the strobe device 17 according to the second embodiment, a method of correcting the variation in the amount of emitted light by the analog delay circuit 20 of the light emission control circuit 18 after assembling each component will be described with reference to FIG. As in the first embodiment, first, the amount of light emitted by the strobe device 17 is measured, and the amount of variation in the amount of light emitted due to the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube 2 is simulated in the strobe device 17. Assume that the test light emission signal St is inputted and the amount of emitted light is calculated.

最初に、組み立て後の発光制御回路18の入力端子Iにテスト発光信号Stを入力する。テスト発光信号Stがオフ状態からオン状態になると(S0)、ゲート充電手段8のゲート充放電切替回路11がゲート充電回路10に切り替わり、ゲート充電回路10がIGBT4のゲート電荷が充電される(S1)。次に、ゲート電圧Vgが閾値Vthを超え、IGBT4がオン状態になる(S2)。IGBT4がオン状態になることで、メインコンデンサ5に蓄積された電荷がトリガ回路3に流れ、閃光放電管2にトリガ電圧が印加され、閃光放電管2が発光開始する(S3)。   First, the test light emission signal St is input to the input terminal I of the light emission control circuit 18 after assembly. When the test light emission signal St changes from the OFF state to the ON state (S0), the gate charge / discharge switching circuit 11 of the gate charging means 8 is switched to the gate charging circuit 10, and the gate charging circuit 10 is charged with the gate charge of the IGBT 4 (S1). ). Next, the gate voltage Vg exceeds the threshold value Vth, and the IGBT 4 is turned on (S2). When the IGBT 4 is turned on, the electric charge accumulated in the main capacitor 5 flows to the trigger circuit 3, the trigger voltage is applied to the flash discharge tube 2, and the flash discharge tube 2 starts to emit light (S3).

次に、テスト発光信号Stがオン状態からオフ状態になる(S4)と、テスト発光信号Stがアナログ遅延回路20に入力され、遅延回路用の可変抵抗による充電電流で遅延回路用のコンデンサを充電する(S5)。遅延回路用のコンデンサの充電が完了すると、テスト発光信号Stをゲート放電回路19に出力する(S6)。そして、ゲート放電回路19にテスト発光信号Stが入力され、ゲート放電回路19のゲート充放電切替回路11がゲート放電回路12に切り替わり、ゲート電圧Vgが第二段階ゲート放電回路14のゲート抵抗R2gによりIGBT4のゲート電荷が放電される(S7)。   Next, when the test light emission signal St changes from the on state to the off state (S4), the test light emission signal St is input to the analog delay circuit 20, and the capacitor for the delay circuit is charged with the charging current by the variable resistor for the delay circuit. (S5). When charging of the capacitor for the delay circuit is completed, a test light emission signal St is output to the gate discharge circuit 19 (S6). Then, the test light emission signal St is input to the gate discharge circuit 19, the gate charge / discharge switching circuit 11 of the gate discharge circuit 19 is switched to the gate discharge circuit 12, and the gate voltage Vg is changed by the gate resistance R2g of the second stage gate discharge circuit 14. The gate charge of the IGBT 4 is discharged (S7).

さらに、ゲート電圧Vgが閾値Vthより低くなり、IGBT4がオフ状態になって(S8)、閃光放電管2が発光停止する(S9)。その間、閃光放電管2が発光開始してから閃光放電管2が完全に発光停止するまでの発光光量を、テスト発光光量Qtとして発光光量計測装置で測定する。   Further, the gate voltage Vg becomes lower than the threshold value Vth, the IGBT 4 is turned off (S8), and the flash discharge tube 2 stops emitting light (S9). In the meantime, the emitted light quantity from when the flash discharge tube 2 starts to emit light until the flash discharge tube 2 completely stops emitting light is measured by the emitted light quantity measuring device as the test emitted light quantity Qt.

次に、基準発光光量Qと、発光光量計測装置で計測されたテスト発光光量Qtとを比較して誤差光量を求め、テスト発光光量Qtと基準発光光量Qとを一致させるために、閃光放電管2の発光時間Trを補正する。具体的には、テスト発光光量Qtが基準発光光量Qより多く発光過剰なときは、アナログ遅延回路20の遅延回路用の小さい値の抵抗を選択し、遅延回路用のコンデンサに蓄電された電荷の放電速度を上げて、発光信号Sの遅延時間を短縮する。短縮された発光時間分、誤差光量に当たる発光光量が低減されてテスト発光光量Qtと基準発光光量Qが一致する。   Next, in order to obtain the error light amount by comparing the reference light emission amount Q and the test light emission amount Qt measured by the light emission amount measurement device, the flash discharge tube is used to match the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q. 2 emission time Tr is corrected. Specifically, when the test light emission amount Qt is larger than the reference light emission amount Q and excessive light emission, a resistor having a small value for the delay circuit of the analog delay circuit 20 is selected, and the charge accumulated in the capacitor for the delay circuit is selected. The delay time of the light emission signal S is shortened by increasing the discharge speed. The light emission amount corresponding to the error light amount is reduced by the shortened light emission time, and the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q coincide with each other.

また、テスト発光光量Qtが基準発光光量Qより少なく発光不足なときは、アナログ遅延回路20の遅延回路用の大きい値の抵抗を選択し、遅延回路用のコンデンサに蓄電された電荷の放電速度を下げて、発光信号Sの遅延時間を延長することで、テスト発光光量Qtと基準発光光量Qを一致させる。   When the test light emission quantity Qt is less than the reference light emission quantity Q and the light emission is insufficient, a resistor having a large value for the delay circuit of the analog delay circuit 20 is selected, and the discharge rate of the electric charge stored in the capacitor for the delay circuit is selected. By lowering and extending the delay time of the light emission signal S, the test light emission quantity Qt and the reference light emission quantity Q are matched.

このようにして補正したアナログ遅延回路20の遅延回路用の複数の抵抗のどれを選択するかは、不揮発性メモリであるEEPROMに記録される。   Which of the plurality of resistors for the delay circuit of the analog delay circuit 20 corrected in this way is selected is recorded in the EEPROM which is a nonvolatile memory.

よって、組み立て後に一度、アナログ遅延回路20の遅延回路用の複数ある抵抗の内、最適なものを選択すれば、次回以降のストロボ装置1の発光光量は、アナログ遅延回路20の遅延回路用の選択された抵抗により、ゲート放電を行うことができ、プリ発光においても本発光においても目標ストロボ光量に一致させることができるため、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつきが生じることがなくなる。   Therefore, once an optimum resistor is selected from a plurality of resistors for the delay circuit of the analog delay circuit 20 once assembled, the light emission quantity of the strobe device 1 from the next time onward is selected for the delay circuit of the analog delay circuit 20. The gated discharge can be performed by the resistance, and it can be matched with the target strobe light amount in both the pre-light emission and the main light emission, so that the light emission light amount caused by the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube can be reduced. Variation does not occur.

第二実施形態に係るストロボ装置17についての説明は以上である。次に、第三実施形態に係るストロボ装置について、図5を参酌しつつ説明する。なお、第一及び第二実施形態に係るストロボ装置1、17と同様な部分については、同一符号を振り、説明を省略するものとする。
(第三実施形態)
まず、第三実施形態に係るストロボ装置21の構造について説明する。第三実施形態に係る発光制御回路22は、第二実施形態におけるゲート充電手段8及びゲート放電手段9に当たるIGBT4のゲート電荷の充電と放電を制御するIGBTドライバ23と、入力される発光信号SをIGBTドライバ23に出力するのを遅延するデジタル遅延回路24とを備えている。
This completes the description of the strobe device 17 according to the second embodiment. Next, a strobe device according to the third embodiment will be described with reference to FIG. In addition, about the part similar to strobe device 1 and 17 which concerns on 1st and 2nd embodiment, the same code | symbol shall be attached and description shall be abbreviate | omitted.
(Third embodiment)
First, the structure of the strobe device 21 according to the third embodiment will be described. The light emission control circuit 22 according to the third embodiment includes an IGBT driver 23 that controls charging and discharging of the gate charge of the IGBT 4 that hits the gate charging unit 8 and the gate discharging unit 9 in the second embodiment, and an input light emission signal S. And a digital delay circuit 24 that delays output to the IGBT driver 23.

デジタル遅延回路24は、発光停止のタイミングを遅延する信号遅延部25と、発光信号Sのオン・オフ状態から発光開始と発光停止を判断する信号受信部26とを備えている。   The digital delay circuit 24 includes a signal delay unit 25 that delays the timing of stopping the light emission, and a signal receiving unit 26 that determines the start and stop of light emission from the on / off state of the light emission signal S.

信号遅延部25は、高周波クロックを発振する発振回路27と、クロックパルスをカウントするパルスカウンタ回路28と、カウント値が基準カウント値になると出力するカウント値比較回路29とを備え、基準カウント値の初期値若しくは補正値を記憶させたEEPROM30と通信可能となっている。   The signal delay unit 25 includes an oscillation circuit 27 that oscillates a high-frequency clock, a pulse counter circuit 28 that counts clock pulses, and a count value comparison circuit 29 that outputs when the count value reaches the reference count value. Communication is possible with the EEPROM 30 in which the initial value or the correction value is stored.

ここで、パルスカウンタ回路28は、発振回路27からのオン・オフ状態を入力する入力端子と、カウント値比較回路29へオン・オフ状態を出力する出力端子と、カウント値をリセットするリセット端子とを備えており、このリセット端子にも発光信号Sが直接入力されるようになっており、発光信号Sがオン状態になるたびにカウント値がリセットされるようになっている。また、EEPROM30は、カウント値比較回路29へ基準カウント値を出力する出力端子と、外部からカウント値を入出力することができる入出力端子とを備えており、外部からカウント値を書き換え可能となっている。また、カウント値は、初期値として、本実施例では、5が入力されている。   Here, the pulse counter circuit 28 has an input terminal for inputting the on / off state from the oscillation circuit 27, an output terminal for outputting the on / off state to the count value comparison circuit 29, and a reset terminal for resetting the count value. The light emission signal S is also directly input to the reset terminal, and the count value is reset each time the light emission signal S is turned on. The EEPROM 30 includes an output terminal that outputs a reference count value to the count value comparison circuit 29 and an input / output terminal that can input and output the count value from the outside, and the count value can be rewritten from the outside. ing. In the present embodiment, 5 is input as the count value as an initial value.

なお、発振回路27は、発振周波数を高く設定することで、遅延時間の精度を高めるようにしてもよい。   Note that the oscillation circuit 27 may increase the accuracy of the delay time by setting the oscillation frequency high.

信号受信部26は、入力される発光信号Sがオン状態になると、オン状態になってIGBTドライバ23に出力し、入力される発光信号Sがオフ状態になると、オン状態になって信号遅延部25に出力し、信号遅延部25からオン状態を出力されるまで、IGBTドライバ23にオン状態で出力し続け、信号遅延部25がオン状態になると、オフ状態になってIGBTドライバ23に出力するように構成されている。   When the input light emission signal S is turned on, the signal receiving unit 26 is turned on and output to the IGBT driver 23. When the input light emission signal S is turned off, the signal reception unit 26 is turned on and the signal delay unit 26 is turned on. Until the ON state is output from the signal delay unit 25, the signal is continuously output to the IGBT driver 23. When the signal delay unit 25 is turned ON, the signal delay unit 25 is turned OFF and output to the IGBT driver 23. It is configured as follows.

例えば、信号受信部26は、信号遅延部25の論理否定と発光信号Sとの論理和の結果をIGBTドライバ23に出力するOR回路31と、発光信号Sの論理否定と信号遅延部25の論理否定との論理積の結果を発振回路27に出力するAND回路32と、AND回路32に発光信号Sの論理否定を出力する第一NOT回路33と、OR回路31及びAND回路32に信号遅延部25の論理否定を出力する第二NOT回路34とを備えている。   For example, the signal receiving unit 26 outputs an OR circuit 31 that outputs the logical sum of the logical negation of the signal delay unit 25 and the light emission signal S to the IGBT driver 23, and the logical negation of the light emission signal S and the logic of the signal delay unit 25. An AND circuit 32 that outputs a logical product of the negative signal to the oscillation circuit 27, a first NOT circuit 33 that outputs a logical negation of the light emission signal S to the AND circuit 32, and a signal delay unit to the OR circuit 31 and the AND circuit 32. And a second NOT circuit 34 that outputs 25 logic negations.

よって、発光制御回路22は、発光信号Sがオン状態になると、OR回路31がオン状態になって、IGBTドライバ23にオン状態を出力する。   Therefore, when the light emission signal S is turned on, the light emission control circuit 22 turns on the OR circuit 31 and outputs an on state to the IGBT driver 23.

また、発光制御回路22は、発光信号Sがオフ状態になると、入力端子Iと接続されたOR回路31の入力端子がオフ状態になるため、第二NOT回路34の出力状態により、OR回路31の出力状態が替わる。まず、カウント値比較回路29は、AND回路32の出力状態がオフ状態であるため、発振回路27は発振しておらず、パルスカウンタ回路28のカウント値がゼロのままであり、基準カウント値である5と異なり、オフ状態である。カウント値比較回路29の出力状態が第二NOT回路34により論理否定されオン状態となるため、AND回路32は、オン状態となる。よって、発振回路27の入力端子がオン状態になり、発振回路27が発振し、発振回路27の発振パルス数をパルスカウンタ回路28によりカウントした結果をカウント値比較回路29に入力する。カウント値比較回路29では、EEPROM30の基準カウント値と比較し、一致すると、第二NOT回路34に出力する。第二NOT回路34で論理否定されてオフ状態になり、OR回路31の入力端子がオフ状態となるため、OR回路31の出力状態がオフ状態になる。よって、IGBTドライバ23の入力がオフ状態になる。   Further, when the light emission signal S is turned off, the light emission control circuit 22 turns off the input terminal of the OR circuit 31 connected to the input terminal I, so that the OR circuit 31 depends on the output state of the second NOT circuit 34. The output state of changes. First, in the count value comparison circuit 29, since the output state of the AND circuit 32 is OFF, the oscillation circuit 27 does not oscillate, the count value of the pulse counter circuit 28 remains zero, and the reference count value Unlike the certain 5, it is in the off state. Since the output state of the count value comparison circuit 29 is logically negated by the second NOT circuit 34 and turned on, the AND circuit 32 is turned on. Therefore, the input terminal of the oscillation circuit 27 is turned on, the oscillation circuit 27 oscillates, and the result of counting the number of oscillation pulses of the oscillation circuit 27 by the pulse counter circuit 28 is input to the count value comparison circuit 29. The count value comparison circuit 29 compares it with the reference count value of the EEPROM 30, and outputs the same to the second NOT circuit 34 if they match. The second NOT circuit 34 is logically negated and turned off, and the input terminal of the OR circuit 31 is turned off, so that the output state of the OR circuit 31 is turned off. Therefore, the input of the IGBT driver 23 is turned off.

さらに、デジタル遅延回路24は、EEPROM30の基準カウント値を書き替えることで、発振回路27の発振パルス数を変えることにより、IGBTドライバ23へ入力する遅延時間を変更することができる発光光量補正手段であり、信号遅延部25は、遅延手段である。   Furthermore, the digital delay circuit 24 is a light emission quantity correction unit that can change the delay time input to the IGBT driver 23 by changing the number of oscillation pulses of the oscillation circuit 27 by rewriting the reference count value of the EEPROM 30. The signal delay unit 25 is a delay unit.

次に、第三実施形態に係るストロボ装置21について、発光光量のばらつきを各構成要素の組み立て後に発光制御回路22のデジタル遅延回路24で補正する方法を、図6を参酌しつつ、説明する。なお、第一及び第二実施形態と同様に、まず、ストロボ装置21の発光光量を計測して、閃光放電管2の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつき量をストロボ装置21に模擬的にテスト発光信号Stを入力し、発光光量を算出するものとする。   Next, with respect to the strobe device 21 according to the third embodiment, a method of correcting the variation in the amount of emitted light with the digital delay circuit 24 of the light emission control circuit 22 after assembling each component will be described with reference to FIG. As in the first and second embodiments, first, the amount of emitted light of the strobe device 21 is measured, and the amount of variation in the amount of emitted light caused by the tolerance of the constituent elements involved in the light emission of the flash discharge tube 2 is determined. It is assumed that a test light emission signal St is input to 21 to calculate the light emission quantity.

最初に、組み立て後の発光制御回路22の入力端子Iにテスト発光信号Stを入力する。テスト発光信号Stがオフ状態からオン状態になると(S0)、OR回路31に入力され、出力状態がオン状態になり、IGBTドライバ23に入力され、IGBT4のゲート電荷が充電される(S1)。次に、ゲート電圧Vgが閾値Vthを超え、IGBT4がオン状態になる(S2)。IGBT4がオン状態になることで、メインコンデンサ5に蓄積された電荷がトリガ回路3に流れ、閃光放電管2にトリガ電圧が印加され、閃光放電管2が発光開始する(S3)。   First, the test light emission signal St is input to the input terminal I of the light emission control circuit 22 after assembly. When the test light emission signal St changes from the off state to the on state (S0), the test light emission signal St is input to the OR circuit 31, the output state is turned on, input to the IGBT driver 23, and the gate charge of the IGBT 4 is charged (S1). Next, the gate voltage Vg exceeds the threshold value Vth, and the IGBT 4 is turned on (S2). When the IGBT 4 is turned on, the electric charge accumulated in the main capacitor 5 flows to the trigger circuit 3, the trigger voltage is applied to the flash discharge tube 2, and the flash discharge tube 2 starts to emit light (S3).

次に、テスト発光信号Stがオン状態からオフ状態になる(S4)と、AND回路32の出力状態がオフ状態であるため、発振回路27が発振しておらず、パルスカウンタ回路28のカウント値がゼロのままであり、カウント値比較回路29が基準カウント値と一致しないため、カウント値比較回路29の出力状態がオフ状態となる。よって、第二NOT回路34に接続される一方のAND回路32の入力端子は、オフ状態であるカウント値比較回路29を第二NOT回路34で論理否定されるため、オン状態となり、第一NOT回路33に接続される他方のAND回路32の入力端子は、オフ状態であるテスト発光信号Stを第一NOT回路33で論理否定されるため、オン状態となり、AND回路32の出力状態は、オン状態となる。よって、発振回路27がオン状態となり、発振回路27の出力状態が発振し、発振回路27のパルス数をパルスカウンタ回路28によりカウントし、その結果を出力としてカウント値比較回路29に入力する(S5)。カウント値比較回路29では、EEPROM30の基準カウント値と比較し、一致するまで出力状態をオフ状態のままとし、一致すると出力状態をオン状態にして第二NOT回路34に出力する(S6)。第二NOT回路34で論理否定されて、オフ状態になり、OR回路31の一方の入力端子をオフ状態にする。このとき、OR回路31の入力端子Iに接続された他方の入力端子がオフ状態であるため、OR回路31の出力状態は、オフ状態になる。よって、IGBTドライバ23の入力がオフ状態になり、IGBT4のゲート電荷が放電される(S7)。   Next, when the test light emission signal St changes from the on state to the off state (S4), since the output state of the AND circuit 32 is the off state, the oscillation circuit 27 does not oscillate, and the count value of the pulse counter circuit 28 Remains zero, and the count value comparison circuit 29 does not match the reference count value, so that the output state of the count value comparison circuit 29 is turned off. Therefore, the input terminal of one AND circuit 32 connected to the second NOT circuit 34 is turned on because the logical value of the count value comparison circuit 29 in the off state is negated by the second NOT circuit 34, and the first NOT circuit 34 is turned on. The input terminal of the other AND circuit 32 connected to the circuit 33 is turned on because the test light emission signal St in the off state is logically negated by the first NOT circuit 33, and the output state of the AND circuit 32 is turned on. It becomes a state. Therefore, the oscillation circuit 27 is turned on, the output state of the oscillation circuit 27 oscillates, the number of pulses of the oscillation circuit 27 is counted by the pulse counter circuit 28, and the result is input to the count value comparison circuit 29 (S5). ). The count value comparison circuit 29 compares it with the reference count value of the EEPROM 30, and keeps the output state off until they match, and when they match, it sets the output state to on and outputs it to the second NOT circuit 34 (S6). The logic is negated by the second NOT circuit 34 to turn off, and one input terminal of the OR circuit 31 is turned off. At this time, since the other input terminal connected to the input terminal I of the OR circuit 31 is in an off state, the output state of the OR circuit 31 is in an off state. Therefore, the input of the IGBT driver 23 is turned off, and the gate charge of the IGBT 4 is discharged (S7).

やがて、ゲート電圧Vgが閾値Vthより低くなり、IGBT4がオフ状態になって(S8)、閃光放電管2が発光停止する(S9)。その間、閃光放電管2が発光開始してから閃光放電管2が完全に発光停止するまでの発光光量を、テスト発光光量Qtとして発光光量計測装置で測定する。   Eventually, the gate voltage Vg becomes lower than the threshold value Vth, the IGBT 4 is turned off (S8), and the flash discharge tube 2 stops emitting light (S9). In the meantime, the emitted light quantity from when the flash discharge tube 2 starts to emit light until the flash discharge tube 2 completely stops emitting light is measured by the emitted light quantity measuring device as the test emitted light quantity Qt.

次に、基準発光光量Qと、発光光量計測装置で計測されたテスト発光光量Qtとを比較して誤差光量を求め、テスト発光光量Qtと基準発光光量Qとを一致させるために、閃光放電管2の発光時間Trを補正する。具体的には、テスト発光光量Qtが基準発光光量Qより多く発光過剰なときは、EEPROM30に記録されている基準カウンタ値の補正値を減らして、発振回路27の発振回数を減らし、発光信号Sの遅延時間を短縮することで、閃光放電管2の発光時間Trを短縮する。   Next, in order to obtain the error light amount by comparing the reference light emission amount Q and the test light emission amount Qt measured by the light emission amount measurement device, the flash discharge tube is used to match the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q. 2 emission time Tr is corrected. Specifically, when the test light emission amount Qt is larger than the reference light emission amount Q and the light emission is excessive, the correction value of the reference counter value recorded in the EEPROM 30 is reduced, the number of oscillations of the oscillation circuit 27 is reduced, and the light emission signal S Is shortened, the light emission time Tr of the flash discharge tube 2 is shortened.

短縮された発光時間分だけ閃光放電管2の発光時間Trを短縮し、誤差光量に当たる発光光量が低減されてテスト発光光量Qtと基準発光光量Qが一致する。   The light emission time Tr of the flash discharge tube 2 is shortened by the shortened light emission time, the light emission amount corresponding to the error light amount is reduced, and the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q coincide.

また、テスト発光光量Qtが基準発光光量Qより少なく発光不足なときは、EEPROM30に記録されている基準カウンタ値の補正値を増やして、発振回路27の発振回数を増やし、発光信号Sの遅延時間を延長することで、閃光放電管2の発光時間Trを延長し、誤差光量に当たる発光光量を増加させて、テスト発光光量Qtと基準発光光量Qを一致させる。   When the test light emission amount Qt is less than the reference light emission amount Q and the light emission is insufficient, the reference counter value correction value recorded in the EEPROM 30 is increased, the number of oscillations of the oscillation circuit 27 is increased, and the delay time of the light emission signal S is increased. Is extended, the light emission time Tr of the flash discharge tube 2 is extended, the light emission amount corresponding to the error light amount is increased, and the test light emission amount Qt and the reference light emission amount Q are matched.

このようにして補正した基準カウンタ値は、不揮発性メモリであるEEPROM30に記録される。   The reference counter value corrected in this way is recorded in the EEPROM 30 which is a nonvolatile memory.

よって、組み立て後に一度、基準カウンタ値を補正すれば、次回以降のストロボ装置21の発光光量は、補正した基準カウンタ値により、ゲート放電を行うことができ、プリ発光においても本発光においても目標ストロボ光量に一致させることができるため、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつきが生じることがなくなる。   Therefore, once the reference counter value is corrected after assembly, the light emission quantity of the strobe device 21 from the next time onward can be subjected to gate discharge according to the corrected reference counter value. Since the amount of light can be matched, the amount of emitted light does not vary due to the tolerance of the components involved in the light emission of the flash discharge tube.

なお、本発明に係るストロボ装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。   The strobe device according to the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

例えば、本発明に係るIGBT4のゲート放電について、第一実施形態で二段階で放電する例を、第二・第三実施形態で一段階で放電する例について説明したが、これに限定されるものではなく、IGBT4に合わせて変更することができる。   For example, regarding the gate discharge of the IGBT 4 according to the present invention, the example in which the discharge is performed in two stages in the first embodiment and the example in which the discharge is performed in one stage in the second and third embodiments have been described. Instead, it can be changed according to the IGBT4.

本発明に係るストロボ装置を備えた撮影装置においては、製造時のみならず、使用によって閃光放電管に生じる発光光量変化にも対応するため、撮影装置を調整機器などに接続し、ストロボの発光回数が予め規定された発光回数に達した際に、再度、発光光量測定装置で発光光量を測定して発光光量の過不足を補正しなおし、発光制御を安定させることが出来る。   In the photographing apparatus equipped with the strobe device according to the present invention, not only at the time of manufacture, but also in response to a change in the amount of emitted light that occurs in the flash discharge tube due to use, the photographing device is connected to an adjustment device or the like, When the number of times of light emission reaches a predetermined number, the amount of emitted light is measured again by the emitted light amount measuring device to correct the excess or deficiency of the emitted light amount, and the light emission control can be stabilized.

また、閃光放電管の発光に関与する構成要素について、封入ガス圧の違いなどの精度のばらつきから、製造された構成要素ごとに発光光量のばらつきが生じることがある閃光放電管や、閃光放電管から発光された光が反射率や反射角度の製造公差などにより、必要光量が確保できない場合などにおいても有効であることから、反射鏡などの閃光放電管の発光光路に関与する構成要素も含むことができる。   Also, with regard to the components involved in the light emission of the flash discharge tube, due to variations in accuracy such as the difference in the enclosed gas pressure, the flash light discharge tube or the flash discharge tube in which the amount of emitted light may vary for each manufactured component It is effective even when the required amount of light cannot be secured due to manufacturing tolerances in reflectivity and reflection angle, etc., and it also includes components related to the light emission path of the flash discharge tube such as a reflector. Can do.

本発明に係るストロボ装置は、閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差を考慮せずに、発光光量を制御することが必要な技術分野等の用途に適用できる。   The strobe device according to the present invention can be applied to applications such as technical fields where it is necessary to control the amount of emitted light without taking into account the tolerances of the components involved in the light emission of the flash discharge tube.

第一実施形態に係るストロボ装置1の回路構成を示すブロック図1 is a block diagram showing a circuit configuration of a strobe device 1 according to a first embodiment. 第一実施形態に係るストロボ装置1であって、(a)発光信号S(テスト発光信号St)の波形を示す図、及び、(b)ゲート電圧Vgの波形を示す図FIG. 1 is a strobe device 1 according to a first embodiment, where (a) a diagram showing a waveform of a light emission signal S (test light emission signal St), and (b) a diagram showing a waveform of a gate voltage Vg. 第二実施形態に係るストロボ装置17の回路構成を示すブロック図The block diagram which shows the circuit structure of the flash device 17 which concerns on 2nd embodiment. 第二実施形態に係るストロボ装置17であって、(a)発光信号S(テスト発光信号St)の波形を示す図、(b)アナログ遅延回路20通過後の発光信号Sの波形を示す図、及び、(c)ゲート電圧Vgの波形を示す図The strobe device 17 according to the second embodiment, (a) a diagram showing the waveform of the light emission signal S (test light emission signal St), (b) a diagram showing the waveform of the light emission signal S after passing through the analog delay circuit 20, And (c) a diagram showing a waveform of the gate voltage Vg. 第三実施形態に係るストロボ装置21の回路構成を示すブロック図The block diagram which shows the circuit structure of the flash device 21 which concerns on 3rd embodiment. 第三実施形態に係るストロボ装置21であって、(a)発光信号S(テスト発光信号St)の波形を示す図、(b)AND回路32の出力波形を示す図、(c)発振回路27の出力波形を示す図、(d)パルスカウンタ回路28の出力波形を示す図、(e)カウント値比較回路29の出力波形を示す図、及び、(f)発光制御回路22の出力波形を示す図、(g)ゲート電圧Vgの波形を示す図In the strobe device 21 according to the third embodiment, (a) a diagram illustrating a waveform of the light emission signal S (test light emission signal St), (b) a diagram illustrating an output waveform of the AND circuit 32, and (c) an oscillation circuit 27. (D) shows the output waveform of the pulse counter circuit 28, (e) shows the output waveform of the count value comparison circuit 29, and (f) shows the output waveform of the light emission control circuit 22. (G) The figure which shows the waveform of gate voltage Vg

符号の説明Explanation of symbols

1、17、21 ストロボ装置
2 閃光放電管
4 IGBT
6、18、22 発光制御回路
8 ゲート充電手段
9、19 ゲート放電手段
20 アナログ遅延回路
23 デジタル遅延回路
Vg ゲート電圧
S 発光信号
Tr 発光時間
1, 17, 21 Strobe device 2 Flash discharge tube 4 IGBT
6, 18, 22 Light emission control circuit 8 Gate charging means 9, 19 Gate discharge means 20 Analog delay circuit 23 Digital delay circuit Vg Gate voltage S Light emission signal Tr Light emission time

Claims (5)

閃光放電管と、閃光放電管の発光を制御するIGBTと、IGBTをオン・オフ動作させて閃光放電管の発光を制御する発光制御回路とを備えるストロボ装置において、発光制御回路が閃光放電管の発光に関与する構成要素の公差に起因する発光光量のばらつきを閃光放電管の発光開始からIGBTがオフするまでにかかる発光時間で補正可能な発光光量補正手段を備えることを特徴とするストロボ装置。 In a strobe device comprising a flash discharge tube, an IGBT for controlling the light emission of the flash discharge tube, and a light emission control circuit for controlling the light emission of the flash discharge tube by turning on and off the IGBT, the light emission control circuit is connected to the flash discharge tube. A strobe device comprising: a light emission amount correction unit capable of correcting a variation in a light emission amount caused by a tolerance of a component involved in light emission based on a light emission time required from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off. 発光光量補正手段は、ゲート電荷を放電させる放電電流を可変とする放電手段により、閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間を補正する請求項1に記載のストロボ装置。 The strobe device according to claim 1, wherein the light emission quantity correction means corrects the light emission time from the start of light emission of the flash discharge tube until the IGBT is turned off by the discharge means which makes the discharge current for discharging the gate charge variable. 発光光量補正手段は、閃光放電管に対する発光停止の開始からゲート電荷の放電開始をアナログ遅延回路によって遅延させる遅延手段により、閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間を補正する請求項1に記載のストロボ装置。 The light emission amount correction means corrects the light emission time from the start of the light emission of the flash discharge tube to the turning off of the IGBT by the delay means for delaying the start of the discharge of the gate charge by the analog delay circuit from the start of the light emission stop to the flash discharge tube. The strobe device according to claim 1. 発光光量補正手段は、閃光放電管に対する発光停止の開始からゲート電荷の放電開始をデジタル遅延回路によって遅延させる遅延手段により、閃光放電管の発光開始からIGBTをオフするまでにかかる発光時間を補正する請求項1に記載のストロボ装置。 The light emission amount correction means corrects the light emission time from the start of light emission of the flash discharge tube to the turning off of the IGBT by delay means for delaying the start of discharge of the gate charge by the digital delay circuit from the start of light emission stop to the flash discharge tube. The strobe device according to claim 1. 請求項1から4記載のストロボ装置を備えることを特徴とする撮影装置。 An imaging device comprising the strobe device according to claim 1.
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