JP2010128458A - Image holder for image forming apparatus, process cartridge and image forming apparatus - Google Patents

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JP2010128458A
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英一 廣瀬
Koji Horiba
幸治 堀場
Akira Imai
彰 今井
Takeshi Agata
岳 阿形
Katsuhiro Sato
克洋 佐藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image holder for an image forming apparatus having excellent stability in repeated use. <P>SOLUTION: In the image holder for an image forming apparatus, a photosensitive layer containing a compound represented by general formula (I) is formed on a support, wherein a plurality of symbols Ar each independently represent H, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group or a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group containing an aromatic heterocycle, and n represents an integer of 1-3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、画像形成装置用像保持体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関するものである。   The present invention relates to an image carrier for an image forming apparatus, a process cartridge, and an image forming apparatus.

有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有する感光体は、従来用いられてきた無機光導電体(セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム又はシリコン等)を主成分として含有する感光体に比較して、製造が比較的容易であること、安価であること、取扱いが容易であること、熱安定性が優れていること等多くの利点を有し、盛んに研究がなされている。   A photoreceptor having a photosensitive layer containing an organic photoconductive compound as a main component is compared with a photoreceptor containing an inorganic photoconductor (such as selenium, zinc oxide, cadmium sulfide or silicon), which has been conventionally used, as a main component. Therefore, it has been actively researched with many advantages such as being relatively easy to manufacture, inexpensive, easy to handle, and excellent thermal stability.

特に、光導電体の電荷発生機能と電荷輸送機能とをそれぞれ別個の機能層に分担させ、前者の発生機能を有する材料を電荷発生層に、後者の輸送機能を有する材料を電荷輸送層にそれぞれ含有させる、積層タイプの機能分離型感光層を有する感光体がすでに実用化されている。   In particular, the charge generation function and the charge transport function of the photoconductor are assigned to separate functional layers, the former material having the generation function is used as the charge generation layer, and the latter material having the transport function is used as the charge transport layer. A photoreceptor having a laminated type function separation type photosensitive layer to be contained has already been put into practical use.

中でも、光導電性化合物として、その高い電荷移動度からテトラアリールベンジジン化合物が盛んに研究されている。(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4及び特許文献5参照)。
また、フェノチアジン誘導体を用いた有機感光体が提案されている(例えば、特許文献6及び特許文献7参照)。
米国特許第4,047,948号明細書 米国特許第4,299,897号明細書 特開昭61−132955号公報 特開昭62−267749号公報 特開平3−138654号公報 特開平10−59952号公報 特開平11−158165号公報
Among them, as a photoconductive compound, a tetraarylbenzidine compound has been actively studied because of its high charge mobility. (For example, refer patent document 1, patent document 2, patent document 3, patent document 4, and patent document 5).
Further, organic photoreceptors using phenothiazine derivatives have been proposed (see, for example, Patent Document 6 and Patent Document 7).
U.S. Pat. No. 4,047,948 US Pat. No. 4,299,897 Japanese Patent Laid-Open No. 61-132955 Japanese Patent Laid-Open No. 62-26749 JP-A-3-138654 Japanese Patent Laid-Open No. 10-59952 Japanese Patent Laid-Open No. 11-158165

本発明の課題は、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an image carrier for an image forming apparatus in which a change in residual potential due to repeated use is low as compared with the invention described in Patent Document 1.

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項1に係る発明は、支持体と、該支持体上に下記一般式(I)で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。
The above problem is solved by the following means. That is,
The invention according to claim 1 is an image carrier for an image forming apparatus having a support and a photosensitive layer containing a compound represented by the following general formula (I) on the support.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

一般式(I)中、Arは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の1価の芳香族基、又は芳香族複素環を含む置換もしくは未置換の1価の芳香族基を表し、nは1以上3以下の整数を表す。   In general formula (I), each Ar independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group, or a substituted or unsubstituted 1 containing an aromatic heterocyclic ring. Represents a valent aromatic group, and n represents an integer of 1 to 3.

請求項2に係る発明は、請求項1記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも1つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided an image forming apparatus for an image forming apparatus according to the first aspect, a charging unit for charging the image holding body for the image forming apparatus, and exposing the charged image holding body for the image forming apparatus. An exposure unit that forms an electrostatic latent image; a developing unit that develops the electrostatic latent image to form a toner image; a transfer unit that transfers the toner image to a transfer target; and an image carrier for the image forming apparatus. And a process cartridge having at least one selected from cleaning means for cleaning.

請求項3に係る発明は、請求項1記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。   According to a third aspect of the present invention, the image forming apparatus image holding body according to the first aspect, charging means for charging the image forming apparatus image holding body, and the charged image forming apparatus image holding body are exposed. An image forming apparatus comprising: an exposure unit that forms an electrostatic latent image; a developing unit that develops the electrostatic latent image to form a toner image; and a transfer unit that transfers the toner image to a transfer target. is there.

請求項1に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項2に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を有するプロセスカートリッジが提供される。
請求項3に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置が提供される。
According to the first aspect of the present invention, there is provided an image carrier for an image forming apparatus in which the variation of the residual potential due to repeated use is lower than that of the invention described in Patent Document 1.
According to the second aspect of the present invention, there is provided a process cartridge having an image carrier for an image forming apparatus in which the variation of the residual potential due to repeated use is low as compared with the invention described in Patent Document 1.
According to the third aspect of the present invention, an image forming apparatus having an image carrier for an image forming apparatus in which the variation of the residual potential due to repeated use is lower than that of the invention described in Patent Document 1.

以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
本実施形態では、上記一般式(I)で示される化合物を電荷輸送材料として用いることにより、画像形成装置用像保持体が提供される。すなわち、導電性支持体上に感光層が形成された画像形成装置用像保持体であって、当該感光層は上記一般式(I)で示される化合物を含有する。
なお、本実施形態における導電性支持体とは、JIS K 7194「導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が10Ω・cm未満であるような導電性材料で形成されるか、或いは、基材表面に該導電性材料で形成された導電層を有する支持体を指す。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
In this embodiment, an image carrier for an image forming apparatus is provided by using the compound represented by the general formula (I) as a charge transport material. That is, an image carrier for an image forming apparatus in which a photosensitive layer is formed on a conductive support, and the photosensitive layer contains the compound represented by the general formula (I).
The conductive support in this embodiment is a conductive material having a volume resistivity measured based on JIS K 7194 “Resistivity Test Method by Conductive Plastic Four-Probe Method” of less than 10 7 Ω · cm. It refers to a support formed of a conductive material or having a conductive layer formed of the conductive material on a substrate surface.

該画像形成装置用像保持体における感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一層に含む単層型感光層、又は電荷発生材料を含む層と電荷輸送材料を含む層とが隣接するように別個に設けられている機能分離型感光層のいずれでもよく、電荷輸送材料として上記一般式(I)で示される化合物を含有させるものである。   The photosensitive layer in the image carrier for the image forming apparatus is a single layer type photosensitive layer containing the charge generating material and the charge transporting material in the same layer, or a layer containing the charge generating material and a layer containing the charge transporting material are adjacent to each other. Thus, any of the function-separated photosensitive layers provided separately may contain the compound represented by the above general formula (I) as a charge transport material.

また、電荷発生材料としては、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン又はヒドロキシガリウムフタロシアニン等の公知の電荷発生材料を用いうる。なお、該画像形成装置用像保持体は、最表面上(導電性支持体から最も離れた位置)に保護層を備えたものであってもよく、この場合における保護層は、電荷輸送性を有する架橋性シリコーン樹脂を含んでなることが好ましい。   As the charge generation material, a known charge generation material such as oxytitanium phthalocyanine, chlorogallium phthalocyanine, or hydroxygallium phthalocyanine can be used. The image carrier for an image forming apparatus may be provided with a protective layer on the outermost surface (position farthest from the conductive support). In this case, the protective layer has a charge transport property. It preferably comprises a crosslinkable silicone resin.

(画像形成装置用像保持体)
本実施形態に係る画像形成装置用像保持体は、支持体上に、下記一般式(I)で示される化合物を含有する感光層が形成された画像形成装置用像保持体である。
ここで一般式(I)で示される化合物について説明する。
(Image carrier for image forming apparatus)
The image carrier for an image forming apparatus according to the exemplary embodiment is an image carrier for an image forming apparatus in which a photosensitive layer containing a compound represented by the following general formula (I) is formed on a support.
Here, the compound represented by formula (I) will be described.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

一般式(I)中、Arは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の1価の芳香族基、又は芳香族複素環を含む置換もしくは未置換の1価の芳香族基を表し、nは1以上3以下の整数を表す。   In general formula (I), each Ar independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group, or a substituted or unsubstituted 1 containing an aromatic heterocyclic ring. Represents a valent aromatic group, and n represents an integer of 1 to 3.

一般式(I)におけるArを表す基として具体的には、例えば、下記の基が挙げられる。   Specific examples of the group representing Ar in the general formula (I) include the following groups.

一般式(I)におけるArが表すアルキル基としては、例えば、炭素数1以上10以下(好ましくは1以上8以下、より好ましくは1以上6以下)のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基等が挙げられる。当該アルキル基は、直鎖状であってもよく、分鎖状であってもよい。   Examples of the alkyl group represented by Ar in the general formula (I) include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms). Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. The alkyl group may be linear or branched.

一般式(I)におけるArが表す1価の芳香族基は、芳香族環数は特に制限されないが、具体的には例えば、置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換の芳香族環数2以上20以下の1価の多核芳香族炭化水素、又は置換もしくは未置換の芳香族環数2以上20以下の1価の縮合芳香族炭化水素基が挙げられる。 The monovalent aromatic group represented by Ar in the general formula (I) is not particularly limited in the number of aromatic rings, but specifically, for example, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted aromatic ring number. Examples thereof include a monovalent polynuclear aromatic hydrocarbon group having 2 or more and 20 or less, or a monovalent condensed aromatic hydrocarbon group having 2 or more and 20 or less substituted or unsubstituted aromatic rings.

ここで、「多核芳香族炭化水素」とは、具体的には以下に定義される多環式芳香族を意味する。即ち、「多核芳香族炭化水素」とは炭素と水素から構成される芳香環が2個以上存在し、環同士が炭素−炭素結合によって結合している炭化水素を表す。具体的にはビフェニル、ターフェニル、又はスチルベン等が挙げられる。   Here, the “polynuclear aromatic hydrocarbon” specifically means a polycyclic aromatic as defined below. That is, the “polynuclear aromatic hydrocarbon” represents a hydrocarbon in which two or more aromatic rings composed of carbon and hydrogen are present and the rings are bonded by a carbon-carbon bond. Specific examples include biphenyl, terphenyl, and stilbene.

また、「縮合芳香族炭化水素」とは、具体的には以下に定義される多環式芳香族を意味する。即ち、「縮合芳香族炭化水素」とは、炭素と水素から構成される芳香環が2個以上存在し、これらの芳香環同士が1対の隣接して結合する炭素原子を共有している炭化水素を表す。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ペリレン、又はフルオレン等が挙げられる。   The “condensed aromatic hydrocarbon” specifically means a polycyclic aromatic as defined below. That is, the “condensed aromatic hydrocarbon” is a carbonization in which two or more aromatic rings composed of carbon and hydrogen exist, and these aromatic rings share a pair of adjacent bonded carbon atoms. Represents hydrogen. Specific examples include naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, perylene, and fluorene.

一般式(I)におけるArが表す、芳香族複素環を含む置換もしくは未置換の1価の芳香族基は、芳香族複素環の少なくとも1種を含む1価の芳香族基を示し、芳香族環数、複素環数は特に制限はない。ここで、「芳香族複素環」とは、炭素と水素以外の元素も含む芳香環を表す。その環骨格を構成する原子数(Nr)はNr=5及び/又は6が好ましく用いられる。また、環骨格を構成する炭素原子以外の原子(異種原子)の種類及び数は限定されないが、例えば、硫黄原子、窒素原子、又は酸素原子等が好ましく用いられ、前記環骨格中に2種以上及び/又は2個以上の異種原子が含まれていてもよい。特に、5員環構造を有する複素環としてはチオフェン、ピロール、フラン、又はこれらの3位及び4位の炭素をさらに窒素で置換した複素環が好ましく用いられ、6員環構造を有する複素環としてはピリジン環が好適に挙げられる。   The substituted or unsubstituted monovalent aromatic group containing an aromatic heterocycle represented by Ar in the general formula (I) represents a monovalent aromatic group containing at least one aromatic heterocycle, and is aromatic. There are no particular restrictions on the number of rings and heterocycles. Here, the “aromatic heterocycle” represents an aromatic ring containing an element other than carbon and hydrogen. Nr = 5 and / or 6 is preferably used as the number of atoms (Nr) constituting the ring skeleton. Further, the type and number of atoms (heterogeneous atoms) other than carbon atoms constituting the ring skeleton are not limited, but for example, a sulfur atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom is preferably used, and two or more kinds in the ring skeleton are used. And / or two or more heteroatoms may be included. In particular, as the heterocyclic ring having a 5-membered ring structure, thiophene, pyrrole, furan, or a heterocyclic ring in which the 3- and 4-position carbons thereof are further substituted with nitrogen is preferably used. Preferable examples include pyridine ring.

また、「芳香族複素環を含む1価の芳香族基」は、骨格を形成する原子団中に、少なくとも1種の前記芳香族複素環を含む結合基を表す。これらは全てが共役系で構成されたもの、あるいは一部が共役系で構成されたもののいずれでもよいが、電荷輸送性の点で、全てが共役系で構成されたものが好ましい。具体的には、例えば、フェニルチオフェン環、フェニルピロール環、又はフェニルピリジン環等が挙げられる。   The “monovalent aromatic group containing an aromatic heterocyclic ring” represents a linking group containing at least one kind of the aromatic heterocyclic ring in an atomic group forming a skeleton. These may be either all composed of a conjugated system or partly composed of a conjugated system, but those composed entirely of a conjugated system are preferred from the viewpoint of charge transportability. Specific examples include a phenylthiophene ring, a phenylpyrrole ring, or a phenylpyridine ring.

一般式(I)におけるArが表す基に置換し得る置換基としては、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、又はハロゲン原子等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1以上10以下のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、又はヘキシル基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1以上10以下のものが好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、又はイソプロポキシ基等が挙げられる。前記アリール基としては、炭素数6以上20以下のものが好ましく、例えばフェニル基、又はトルイル基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、炭素数7以上20以下のものが好ましく、例えばベンジル基、又はフェネチル基等が挙げられる。置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基が挙げられる。   Examples of the substituent that can be substituted with the group represented by Ar in formula (I) include a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a phenoxy group, an aryl group, an aralkyl group, a substituted amino group, and a halogen atom. . As said alkyl group, a C1-C10 thing is preferable, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, or a hexyl group etc. are mentioned. As said alkoxy group, a C1-C10 thing is preferable, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, or an isopropoxy group etc. are mentioned. As said aryl group, a C6-C20 thing is preferable, for example, a phenyl group or a toluyl group etc. are mentioned. As said aralkyl group, a C7-C20 thing is preferable, for example, a benzyl group or a phenethyl group etc. are mentioned. Examples of the substituent of the substituted amino group include an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group.

また、一般式(I)におけるnは、1以上3以下の整数を示すが、1以上2以下の整数を示すことが好適である。   Further, n in the general formula (I) represents an integer of 1 to 3, but preferably represents an integer of 1 to 2.

ここで、繰り返し使用による残留電位の変動が低いという観点から、一般式(I)で示される化合物としては、好適には、
Arが、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、又はチオフェン環等のアリール基、を表し、nが1以上2以下の整数を表す化合物であり、
さらに好適には、
Arが、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、又はチオフェン環を表し、nが2を表す化合物である。
Here, from the viewpoint that the fluctuation of the residual potential due to repeated use is low, the compound represented by the general formula (I) is preferably
Ar is each independently an alkyl group, a phenyl group, or an aryl group such as a thiophene ring, and n is a compound that represents an integer of 1 to 2.
More preferably,
In the compound, Ar independently represents an alkyl group, a phenyl group, or a thiophene ring, and n represents 2.

これらの中でも、繰り返し使用による残留電位の変動が低いという観点から一般式(I)で示される化合物として、特に好適には、下記一般式(II)で示される化合物である。   Among these, the compound represented by the following general formula (II) is particularly preferable as the compound represented by the general formula (I) from the viewpoint that the fluctuation of the residual potential due to repeated use is low.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

一般式(II)中、Rは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基を表し、nは1以上3以下の整数を表す。   In general formula (II), R represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkoxy group each independently, and n represents an integer of 1 or more and 3 or less.

一般式(II)におけるRが表すアルキル基としては、例えば、炭素数1以上10以下(好ましくは1以上8以下、より好ましくは1以上6以下)のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基等が挙げられる。当該アルキル基は、直鎖状であってもよく、分鎖状であってもよい。
一般式(II)におけるRが表すアルコキシ基としては、例えば、炭素数1以上10以下(好ましくは3以上8以下、より好ましくは3以上6以下)のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、又はイソプロポキシ基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group represented by R in the general formula (II) include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms). Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. The alkyl group may be linear or branched.
Examples of the alkoxy group represented by R in the general formula (II) include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 3 to 8 and more preferably 3 to 6). For example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, etc. are mentioned.

また、一般式(II)におけるnは、1以上3以下の整数を示すが、1以上2以下の整数を示すことが好適である。   Further, n in the general formula (II) represents an integer of 1 to 3, but preferably represents an integer of 1 to 2.

以下、上記一般式(I)で示される化合物の具体例につき、例示するが、これらに限定されるものではない。   Hereinafter, specific examples of the compound represented by the general formula (I) will be exemplified, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

Figure 2010128458
Figure 2010128458

以下、本実施形態の一般式(I)で示されるフェノチアジン化合物の製造方法について説明する。
本実施形態の一般式(I)で示されるフェノチアジン化合物は、例えば、クロスカップリングビアリール合成を利用して得られる。クロスカップリングビアリール合成は、例えば、Suzuki反応、Kharasch反応、Negishi反応、Stille反応、Grignard反応、又はUllmann反応などが用いられる。
Hereinafter, the manufacturing method of the phenothiazine compound shown by general formula (I) of this embodiment is demonstrated.
The phenothiazine compound represented by the general formula (I) of the present embodiment can be obtained using, for example, cross-coupling biaryl synthesis. In the cross-coupling biaryl synthesis, for example, the Suzuki reaction, the Kharasch reaction, the Negishi reaction, the Stille reaction, the Grignard reaction, or the Ullmann reaction is used.

本実施形態のフェノチアジン化合物は、例えば、下記のようにして合成されるが、合成方法はこれに限定するものではない。本実施形態のフェノチアジン化合物は、具体的には例えば、一般式(III)で示される化合物と、一般式(IV)で示される化合物とを、溶媒中において、必要に応じて、例えば金属、金属触媒、及び塩基の少なくとも1種の存在下で、反応させることで得られる。   Although the phenothiazine compound of this embodiment is synthesize | combined as follows, for example, the synthesis | combining method is not limited to this. Specifically, the phenothiazine compound of the present embodiment is, for example, a compound represented by the general formula (III) and a compound represented by the general formula (IV) in a solvent, for example, a metal or metal It can be obtained by reacting in the presence of at least one of a catalyst and a base.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

ここで、一般式(III)及び一般式(IV)中、X及びGは、それぞれ独立にハロゲン原子、B(OH)、又は、以下に示す構造が挙げられる。 Here, in general formula (III) and general formula (IV), X and G are a halogen atom, B (OH) 2 , or the structure shown below independently, respectively.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

nは1以上3以下の整数を示す。   n represents an integer of 1 to 3.

上記反応の際に用いる金属としては、例えば、Pd、Cu、Ti,Sn,Ni,又はPt等が挙げられる。
また、金属触媒としては、金属錯体(例えば、Pd(P(C、Pd(OCOCH、Pd(dba)、Pd(P(CCl、Pd(dppf)Cl、又はPd/C、Ni(C)等(なお、dbaはジベンジリデンアセトン、dppfはビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセンを表す。))等が挙げられる。
塩基としては、無機塩基(例えば、NaCo、KCo、CsCO、又はBa(OH)など)、有機塩基(例えばN(C、NH((CHCH)、NH(C、NH(CH、N(CH、DBU(1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7)、DMAP(N,N−ジメチル−4−アミノピリジン)、又はピリジンなど)が挙げられる。
また、溶媒としては、反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、例えば、芳香族炭化水素溶媒(例えばベンゼン、トルエン、キシレン、又はメシチレン等)、エーテル溶媒(例えばジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン、又はジオキサン等)、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、又は水、等が挙げられる。また、溶媒としては、P(C、P(o−CH、P(C(CH、又はP(C等を用いてもよい。
Examples of the metal used in the above reaction include Pd, Cu, Ti, Sn, Ni, or Pt.
As the metal catalyst, metal complexes (e.g., Pd (P (C 6 H 5) 3) 4, Pd (OCOCH 3) 2, Pd 2 (dba) 3, Pd (P (C 6 H 5) 3) 2 Cl 2 , Pd (dppf) 2 Cl 2 , or Pd / C, Ni (C 5 H 7 O 2 ) 2 ) or the like (where dba represents dibenzylideneacetone and dppf represents bis (diphenylphosphino) ferrocene. )) And the like.
Examples of the base include an inorganic base (for example, Na 2 Co 3 , K 2 Co 3 , Cs 2 CO 3 , or Ba (OH) 2 ), an organic base (for example, N (C 2 H 5 ) 3 , NH ((CH 3 ) 2 CH) 2 , NH (C 2 H 5 ) 2 , NH (CH 3 ) 2 , N (CH 3 ) 3 , DBU (1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7), DMAP (N, N-dimethyl-4-aminopyridine) or pyridine).
The solvent may be any solvent that does not significantly inhibit the reaction. For example, an aromatic hydrocarbon solvent (such as benzene, toluene, xylene, or mesitylene), an ether solvent (such as diethyl ether, tetrahydrofuran, or dioxane). ), Acetonitrile, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, or water. Further, as the solvent, P (C 6 H 5) 3, P (o-CH 3 C 6 H 4) 3, P (C (CH 3) 3) 3, or P (C 2 H 5) 3, etc. It may be used.

ここで、上記反応の際に用いる金属、及び金属触媒の使用量は、特に限定されるものではないが、例えば、上記一般式(III)で示される化合物に対してモル比で0.001モル%以上10モル%以下であり、より好ましくは、0.01モル%以上5.0モル%以下である。
また、塩基の使用量は、例えば、上記一般式(III)で示される化合物に対してモル比で0.5モル%以上4.0モル%以下の範囲であり、より好ましくは1.0モル%以上2.5モル%以下の範囲である。
Here, the amount of the metal and the metal catalyst used in the reaction is not particularly limited, and for example, 0.001 mol in terms of a molar ratio with respect to the compound represented by the general formula (III). % To 10 mol%, more preferably 0.01 mol% to 5.0 mol%.
The amount of the base used is, for example, in the range of 0.5 mol% or more and 4.0 mol% or less, more preferably 1.0 mol, relative to the compound represented by the general formula (III). % Or more and 2.5 mol% or less.

また、上記反応は、例えば、常圧下、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下に実施されるが、加圧条件下に実施してもよい。また、上記反応は、例えば反応温度20℃以上300℃以下の範囲で実施されるが、より好ましくは50℃以上180℃以下の範囲である。ここで、反応時間は反応条件により異なるが、数分以上20時間以下の範囲から選択すればよい。   Moreover, although the said reaction is implemented under inert gas atmosphere, such as nitrogen and argon, for example, under normal pressure, you may implement it on pressurization conditions. The above reaction is carried out, for example, at a reaction temperature in the range of 20 ° C. to 300 ° C., more preferably in the range of 50 ° C. to 180 ° C. Here, although reaction time changes with reaction conditions, what is necessary is just to select from the range of several minutes or more and 20 hours or less.

そして、上記反応後、反応溶液を水中に投入して、よく攪拌し、反応生成物が固形物(結晶物)の場合は吸引濾過で濾取することにより粗生成物が得られる。一方、反応生成物が油状物の場合には、酢酸エチル、トルエン等の適当な溶剤で抽出して粗生成物が得られる。その後、得られた組成生物をカラム精製(シリカゲル、アルミナ、活性白土、又は活性炭等を用いたカラム精製)するか、又は溶液中にこれらの吸着剤を添加し、不要分を吸着させる等の処理を行い精製する。また、反応生成物が結晶の場合には、さらに適当な溶剤(例えばヘキサン、メタノール、アセトン、エタノール、酢酸エチル、又はトルエン等)から、再結晶させて精製する。このようにして、目的とする一般式(I)で示されるフェノチアジン化合物が得られる。   Then, after the above reaction, the reaction solution is poured into water, stirred well, and when the reaction product is a solid (crystal), a crude product is obtained by filtration by suction filtration. On the other hand, when the reaction product is an oily product, a crude product is obtained by extraction with an appropriate solvent such as ethyl acetate or toluene. Then, column purification (column purification using silica gel, alumina, activated clay, activated carbon, etc.) of the obtained composition organisms, or treatment such as adding these adsorbents to the solution to adsorb unnecessary components To purify. When the reaction product is a crystal, it is further purified by recrystallization from an appropriate solvent (for example, hexane, methanol, acetone, ethanol, ethyl acetate, or toluene). In this way, the desired phenothiazine compound represented by the general formula (I) is obtained.

本実施形態の画像形成装置用像保持体の感光層は、前記一般式(I)で示されるフェノチアジン化合物を用いることにより、バインダーとの相溶性に優れ、得られた塗布膜は膜厚にむらがない。また本実施形態の画像形成装置用像保持体は、前記一般式(I)で示されるフェノチアジン化合物を含有する感光層を有することで、繰返し使用による残留電位変動も低く、優れた環境維持性を発揮する。さらに本実施形態の画像形成装置及びプロセスカートリッジでは、本実施形態の画像形成装置用像保持体を用いるものであるために、長期にわたって良好な画質が得られ、環境負荷の低減や大幅なコストダウンにもなる。   The photosensitive layer of the image carrier for the image forming apparatus of this embodiment is excellent in compatibility with the binder by using the phenothiazine compound represented by the general formula (I), and the obtained coating film has uneven film thickness. There is no. Further, the image carrier for an image forming apparatus of the present embodiment has a photosensitive layer containing the phenothiazine compound represented by the general formula (I), so that residual potential fluctuation due to repeated use is low, and excellent environmental sustainability. Demonstrate. Furthermore, since the image forming apparatus and the process cartridge according to the present embodiment use the image carrier for the image forming apparatus according to the present embodiment, good image quality can be obtained over a long period of time, and the environmental load is reduced and the cost is greatly reduced. It also becomes.

本実施形態の画像形成装置用像保持体は、導電性支持体上に感光層を有する画像形成装置用像保持体であって、該感光層に上記した一般式(I)で示される化合物を含有することを特徴とする。
図1から図3は、それぞれ本実施形態の画像形成装置用像保持体の第1から第3実施形態を示す模式断面図である。
いずれも画像形成装置用像保持体1を導電性支持体2及び感光層3の積層方向に沿って切断したものである。
The image carrier for an image forming apparatus according to the exemplary embodiment is an image carrier for an image forming apparatus having a photosensitive layer on a conductive support, and the compound represented by the general formula (I) is added to the photosensitive layer. It is characterized by containing.
1 to 3 are schematic cross-sectional views showing first to third embodiments of the image carrier for an image forming apparatus according to this embodiment, respectively.
In either case, the image carrier 1 for an image forming apparatus is cut along the stacking direction of the conductive support 2 and the photosensitive layer 3.

図1及び図2に示す、第1及び第2実施形態に係る画像形成装置用像保持体1は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが異なる層に含有される機能分離型感光層を備えるものである。すなわち、感光層3中において、電荷発生物質を含有する層(電荷発生層5)と電荷輸送物質を含有する層(電荷輸送層6)とが別個に形成され、それらが隣接するように積層されている。   The image carrier 1 for an image forming apparatus according to the first and second embodiments shown in FIGS. 1 and 2 includes a function-separated type photosensitive layer in which a charge generation material and a charge transport material are contained in different layers. It is. That is, in the photosensitive layer 3, a layer containing a charge generation material (charge generation layer 5) and a layer containing a charge transport material (charge transport layer 6) are formed separately and laminated so that they are adjacent to each other. ing.

一方、図3に示す、第3実施形態に係る画像形成装置用像保持体1は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが同一の層に含有される単層型感光層を備えるものである。すなわち、感光層3中において、電荷発生物質と電荷輸送物質と含有する電荷発生・輸送層8が一層形成されている。   On the other hand, the image carrier 1 for an image forming apparatus according to the third embodiment shown in FIG. 3 includes a single-layer type photosensitive layer in which the charge generation material and the charge transport material are contained in the same layer. That is, a charge generation / transport layer 8 containing a charge generation material and a charge transport material is formed in the photosensitive layer 3.

より詳しくは、第1実施形態に係る画像形成装置用像保持体1においては、導電性支持体2上に下引き層4、電荷発生層5及び電荷輸送層6がこの順で積層されて感光層3が構成されており、第2実施形態に係る画像形成装置用像保持体1においては、導電性支持体2上に下引き層4、電荷発生層5、電荷輸送層6及び保護層7がこの順で積層されて感光層3が構成されている。また、第3実施形態に係る画像形成装置用像保持体1においては、導電性支持体2上に下引き層4及び電荷発生・輸送層8がこの順で積層されて感光層3が構成されている。   More specifically, in the image carrier 1 for an image forming apparatus according to the first embodiment, an undercoat layer 4, a charge generation layer 5, and a charge transport layer 6 are laminated in this order on a conductive support 2. In the image carrier 1 for an image forming apparatus according to the second embodiment, the undercoat layer 4, the charge generation layer 5, the charge transport layer 6, and the protective layer 7 are formed on the conductive support 2. Are laminated in this order to form the photosensitive layer 3. In the image carrier 1 for an image forming apparatus according to the third embodiment, the undercoat layer 4 and the charge generation / transport layer 8 are laminated in this order on the conductive support 2 to form the photosensitive layer 3. ing.

なお、図示を省略するが、第2実施形態の変形態様として、第2実施形態における電荷発生層5と電荷輸送層6との積層順を逆にした態様や、第3実施形態の変形態様として、第3実施形態の電荷発生・輸送層8上に、第1及び第2実施形態において用いられる成分からなる保護層7を形成させた態様も挙げられる。   In addition, although illustration is abbreviate | omitted, as a deformation | transformation aspect of 2nd Embodiment, the aspect which reversed the lamination | stacking order of the charge generation layer 5 and the charge transport layer 6 in 2nd Embodiment, or a deformation | transformation aspect of 3rd Embodiment Another example is a mode in which the protective layer 7 made of the components used in the first and second embodiments is formed on the charge generation / transport layer 8 of the third embodiment.

導電性支持体2としては、アルミニウムがドラム状、シート状、又はプレート状等の形状のものとして使用されるが、これらに限定されるものではない。導電性支持体2には陽極酸化処理や、ベーマイト処理、又はホーニング処理等を行ってもよい。   As the conductive support 2, aluminum is used in a drum shape, a sheet shape, a plate shape, or the like, but is not limited thereto. The conductive support 2 may be subjected to anodic oxidation treatment, boehmite treatment, honing treatment or the like.

導電性支持体2と感光層3で挟まれる領域又は導電性支持体2と電荷発生・輸送層8で挟まれる領域には、図1から図3に示すように下引き層4が設けられる。下引き層4としては、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、又はジルコニウムカップリング剤等の有機ジルコニウム化合物;チタンキレート化合物、チタンアルコキシド化合物、又はチタネートカップリング剤等の有機チタン化合物;アルミニウムキレート化合物、又はアルミニウムカップリング剤等の有機アルミニウム化合物のほか;アンチモンアルコキシド化合物、ゲルマニウムアルコキシド化合物、インジウムアルコキシド化合物、インジウムキレート化合物、マンガンアルコキシド化合物、マンガンキレート化合物、スズアルコキシド化合物、スズキレート化合物、アルミニウムシリコンアルコキシド化合物、アルミニウムチタンアルコキシド化合物、又はアルミニウムジルコニウムアルコキシド化合物、等の有機金属化合物が用いられる。特に有機ジルコニウム化合物、有機チタニル化合物、又は有機アルミニウム化合物は好ましく使用される。   As shown in FIGS. 1 to 3, an undercoat layer 4 is provided in a region sandwiched between the conductive support 2 and the photosensitive layer 3 or a region sandwiched between the conductive support 2 and the charge generation / transport layer 8. As the undercoat layer 4, an organic zirconium compound such as a zirconium chelate compound, a zirconium alkoxide compound, or a zirconium coupling agent; an organic titanium compound such as a titanium chelate compound, a titanium alkoxide compound, or a titanate coupling agent; an aluminum chelate compound, or In addition to organoaluminum compounds such as aluminum coupling agents; antimony alkoxide compounds, germanium alkoxide compounds, indium alkoxide compounds, indium chelate compounds, manganese alkoxide compounds, manganese chelate compounds, tin alkoxide compounds, tin chelate compounds, aluminum silicon alkoxide compounds, aluminum Titanium alkoxide compound or aluminum zirconium alkoxide compound Organometallic compounds such is used. In particular, an organic zirconium compound, an organic titanyl compound, or an organic aluminum compound is preferably used.

また、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス2メトキシエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−2−アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプロプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、又はβ−3,4−エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を更に含有させて使用する。   Also, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris-2-methoxyethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyl Triethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-2-aminoethylaminopropyltrimethoxysilane, γ-mercapropropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, or β-3,4-epoxycyclohexyl A silane coupling agent such as trimethoxysilane is further contained.

更に、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリ−N−ビニルイミダゾール、ポリエチレノキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリアミド、ポリイミド、カゼイン、ゼラチン、ポリエチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリウレタン、ポリグルタミン酸、又はポリアクリル酸等の公知の結着樹脂を更に含有させ得る。これらの混合割合は、必要に応じて設定される。
また、下引き層中には電子輸送性顔料を混合/分散して使用し得る。
Furthermore, polyvinyl alcohol, polyvinyl methyl ether, poly-N-vinylimidazole, polyethylene oxide, ethyl cellulose, methyl cellulose, ethylene-acrylic acid copolymer, polyamide, polyimide, casein, gelatin, polyethylene, polyester, phenol resin, vinyl chloride- A known binder resin such as vinyl acetate copolymer, epoxy resin, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl pyridine, polyurethane, polyglutamic acid, or polyacrylic acid may be further contained. These mixing ratios are set as necessary.
Further, an electron transporting pigment can be mixed / dispersed in the undercoat layer.

電子輸送性顔料としては、特開昭47−30330号公報に記載のペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、又はキナクリドン顔料等の有機顔料が挙げられる。また、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、又はハロゲン原子等の電子吸引性の置換基を有するビスアゾ顔料やフタロシアニン顔料等の有機顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタン等の無機顔料が挙げられる。これらの顔料の中では、ペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタンが好ましい。   Examples of the electron transporting pigment include organic pigments such as perylene pigments, bisbenzimidazole perylene pigments, polycyclic quinone pigments, indigo pigments, and quinacridone pigments described in JP-A-47-30330. Further, organic pigments such as bisazo pigments and phthalocyanine pigments having electron-withdrawing substituents such as cyano group, nitro group, nitroso group, or halogen atom, and inorganic pigments such as zinc oxide or titanium oxide. Among these pigments, a perylene pigment, a bisbenzimidazole perylene pigment, a polycyclic quinone pigment, zinc oxide, or titanium oxide is preferable.

またこれらの顔料の表面は、上記カップリング剤や、バインダ等で表面処理してもよい。電子輸送性顔料の含有量は、下引き層全量中95重量%以下、好ましくは90重量%以下で使用される。   In addition, the surface of these pigments may be surface-treated with the above coupling agent or binder. The content of the electron transporting pigment is 95% by weight or less, preferably 90% by weight or less, based on the total amount of the undercoat layer.

下引き層中に電子輸送性顔料を混合/分散する方法は、ボールミル、ロールミル、サンドミル、又はアトライター、超音波等を用いる常法が適用される。混合/分散は有機溶剤中で行われるが、有機溶剤としては、有機金属化合物や樹脂を溶解し、また、電子輸送性顔料を混合/分散したときにゲル化や凝集を起こさないものであれば如何なるものでも使用される。例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、又はトルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは2種以上混合して用いる。   As a method for mixing / dispersing the electron transporting pigment in the undercoat layer, a conventional method using a ball mill, a roll mill, a sand mill, an attritor, an ultrasonic wave, or the like is applied. Mixing / dispersing is carried out in an organic solvent, as long as the organic solvent dissolves an organometallic compound or resin and does not cause gelation or aggregation when an electron transporting pigment is mixed / dispersed. Anything is used. For example, methanol, ethanol, n-propanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, n-butyl acetate, dioxane, tetrahydrofuran, methylene chloride, chloroform, chlorobenzene Or usual organic solvents, such as toluene, are used individually or in mixture of 2 or more types.

下引き層の厚みは、0.1μm以上30μm以下が好ましく、より好ましくは0.2μm以上25μm以下が適当である。
また、下引き層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
The thickness of the undercoat layer is preferably from 0.1 μm to 30 μm, and more preferably from 0.2 μm to 25 μm.
The coating method used when providing the undercoat layer is a normal method such as blade coating method, Mayer bar coating method, spray coating method, dip coating method, bead coating method, air knife coating method, or curtain coating method. Is used.

前記成分を含有する下引き層形成用組成物を塗布して形成された塗膜を乾燥させて下引き層を得るが、通常、乾燥は溶剤を蒸発させ、製膜され得る温度で行われる。特に、酸性溶液処理、ベーマイト処理を行った基材は、基材の欠陥隠蔽力が不十分となり易いため、下引き層を形成することが好ましい。   An undercoat layer is obtained by drying a coating film formed by applying an undercoat layer-forming composition containing the above-mentioned components. Usually, drying is carried out at a temperature at which a solvent can be evaporated to form a film. In particular, a base material that has been subjected to an acidic solution treatment or a boehmite treatment is preferably formed with an undercoat layer because the defect concealing power of the base material tends to be insufficient.

電荷発生層5に含有される電荷発生材料は、ビスアゾ、又はトリスアゾ等のアゾ顔料;ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料;ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、又はフタロシアニン顔料等既知のものを使用し得るが、とくに金属及び無金属フタロシアニン顔料が好ましい。その中でも、特開平5−263007号公報及び、特開平5−279591号公報に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平5−98181号公報に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平5−140472号公報及び、特開平5−140473号公報に開示されたジクロロスズフタロシアニン、又は特開平4−189873号公報及び、特開平5−43813号公報に開示されたチタニルフタロシアニンが特に好ましい。   The charge generation material contained in the charge generation layer 5 is an azo pigment such as bisazo or trisazo; a fused aromatic pigment such as dibromoanthanthrone; a perylene pigment, a pyrrolopyrrole pigment, or a phthalocyanine pigment. Although metal and metal-free phthalocyanine pigments are particularly preferred. Among these, hydroxygallium phthalocyanine disclosed in JP-A-5-263007 and JP-A-5-279591, chlorogallium phthalocyanine disclosed in JP-A-5-98181, JP-A-5-140472 and Dichlorotin phthalocyanine disclosed in JP-A-5-140473 or titanyl phthalocyanine disclosed in JP-A-4-189873 and JP-A-5-43813 is particularly preferable.

電荷発生層は、電荷発生材料と結着樹脂とを混合して形成するが、このような結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、又はポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択し得る。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、又はポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは2種以上混合して用いる。
なお本発明における絶縁性樹脂とは、JIS K 7194「導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が1012Ω・cm以上であるような絶縁性樹脂を指す。
The charge generation layer is formed by mixing a charge generation material and a binder resin. Such a binder resin is selected from a wide range of insulating resins, and includes poly-N-vinylcarbazole, polyvinyl anthracene. , Polyvinylpyrene, or an organic photoconductive polymer such as polysilane. Preferred binder resins include polyvinyl butyral resin, polyarylate resin (polycondensate of bisphenol A and phthalic acid, etc.), polycarbonate resin, polyester resin, phenoxy resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyamide resin, acrylic resin Insulating resin such as, but not limited to, polyacrylamide resin, polyvinyl pyridine resin, cellulose resin, urethane resin, epoxy resin, casein, polyvinyl alcohol resin, or polyvinyl pyrrolidone resin. These binder resins are used alone or in combination of two or more.
The insulating resin in the present invention is an insulating resin having a volume resistivity measured based on JIS K 7194 “Resistivity testing method of conductive plastic by four-probe method” of 10 12 Ω · cm or more. Point to.

電荷発生材料と結着樹脂の配合比(重量比)は10:1から1:10の範囲が好ましく、より好ましくは8:3から3:8である。
またこれらを分散させる方法としてはボールミル分散法、アトライター分散法、又はサンドミル分散法等の通常の方法を用いるが、この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しない条件が必要とされる。ちなみに本実施形態で用いた前記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化していないことが確認されている。
The blending ratio (weight ratio) of the charge generating material and the binder resin is preferably in the range of 10: 1 to 1:10, more preferably 8: 3 to 3: 8.
In addition, as a method for dispersing them, a normal method such as a ball mill dispersion method, an attritor dispersion method, or a sand mill dispersion method is used. At this time, the condition that the crystal form of the charge generation material is not changed by the dispersion is required. . Incidentally, it has been confirmed that the crystal form does not change before dispersion for any of the dispersion methods used in this embodiment.

更にこの分散の際、電荷発生材料の粒子を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下、更に好ましくは0.15μm以下の粒子サイズにすることが有効である。
またこれらの分散に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、又はトルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは2種以上混合して用いる。
Further, at the time of dispersion, it is effective to make the particles of the charge generating material have a particle size of 0.5 μm or less, preferably 0.3 μm or less, more preferably 0.15 μm or less.
Moreover, as a solvent used for these dispersions, methanol, ethanol, n-propanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, n-butyl acetate, dioxane, tetrahydrofuran Ordinary organic solvents such as methylene chloride, chloroform, chlorobenzene, or toluene are used alone or in admixture of two or more.

電荷発生層の厚みは0.1μm以上5μm以下が好ましく、より好ましくは0.2μm以上2.0μm以下である。また、電荷発生層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。   The thickness of the charge generation layer is preferably from 0.1 μm to 5 μm, more preferably from 0.2 μm to 2.0 μm. In addition, as a coating method used when the charge generation layer is provided, a normal method such as a blade coating method, a Meyer bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, or a curtain coating method is used. Is used.

電荷輸送層6としては、前記一般式(I)で示される化合物を含有する他は、公知の技術によって形成されたものを使用し得る。この電荷輸送層6は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して形成されるか、あるいは高分子電荷輸送材を含有して形成される。
電荷輸送材料としては、前記一般式(I)で示される化合物を用いる。また一般式(I)で示される化合物のほか、p−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物、2,4,7−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物といった他の電荷輸送材料を1種以上混合して用いるが、これらに限定されるものではない。
As the charge transport layer 6, a layer formed by a known technique can be used except that it contains the compound represented by the general formula (I). The charge transport layer 6 is formed containing a charge transport material and a binder resin, or is formed containing a polymer charge transport material.
As the charge transport material, the compound represented by the general formula (I) is used. In addition to the compound represented by the general formula (I), quinone compounds such as p-benzoquinone, chloranil, bromanyl and anthraquinone; tetracyanoquinodimethane compounds, fluorenone compounds such as 2,4,7-trinitrofluorenone, Electron transport compounds such as xanthone compounds, benzophenone compounds, cyanovinyl compounds, ethylene compounds, triarylamine compounds, benzidine compounds, arylalkane compounds, aryl-substituted ethylene compounds, stilbene compounds, anthracene compounds One or more other charge transport materials such as a compound and a hole transporting compound such as a hydrazone compound are mixed and used, but are not limited thereto.

電荷輸送層全量中、前記一般式(I)で示される化合物の含有量は、5質量%以上70質量%以下であり、より好ましくは10質量%以上60質量%以下であり、更に好ましくは20質量%以上50質量%以下である。
また前記一般式(I)で示される化合物以外の化合物を電荷輸送材料として併用する場合は、電荷輸送材料全量中、前記一般式(I)で示される化合物の含有量は、1質量%以上であるのが好ましく、5質量%以上であるのがより好ましい。
In the total amount of the charge transport layer, the content of the compound represented by the general formula (I) is 5% by mass to 70% by mass, more preferably 10% by mass to 60% by mass, and still more preferably 20%. It is not less than 50% by mass.
When a compound other than the compound represented by the general formula (I) is used as a charge transport material, the content of the compound represented by the general formula (I) is 1% by mass or more in the total amount of the charge transport material. It is preferable to be 5% by mass or more.

前記一般式(I)で示される化合物と混合する化合物としては、以下の一般式(V)または一般式(VI)で示される化合物が好ましい。   As the compound to be mixed with the compound represented by the general formula (I), a compound represented by the following general formula (V) or general formula (VI) is preferable.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

一般式(V)中、Rは水素原子又はメチル基を示す。nは1又は2を示す。Ar及びArはそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を示し、置換アリール基の置換基としてはハロゲン原子、炭素数が1以上5以下のアルキル基、炭素数が1以上5以下のアルコキシ基、又は炭素数が1以上3以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。 In general formula (V), R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group. n represents 1 or 2. Ar 2 and Ar 3 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. The substituent of the substituted aryl group is a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a carbon number having 1 to 5 carbon atoms. Examples thereof include a substituted amino group substituted with an alkoxy group or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

一般式(VI)中、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基又は炭素数1以上5以下のアルコキシ基を示す。R、R、RおよびRはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、炭素数1以上2以下のアルキル基で置換された置換アミノ基、又は、置換若しくは未置換のアリール基を示す。p及びqはそれぞれ独立に、0以上2以下の整数を示す。 In general formula (VI), R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or an alkyl having 1 to 2 carbon atoms A substituted amino group substituted with a group or a substituted or unsubstituted aryl group is shown. p and q each independently represent an integer of 0 or more and 2 or less.

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン-ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン-アルキッド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、スチレン-アルキッド樹脂や、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリシラン、又は特開平8−176293号公報や特開平8−208820号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等高分子電荷輸送材が用いられる。これらの結着樹脂は単独あるいは2種以上混合して用いる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量比)は10:1から1:10が好ましく、より好ましくは8:3から3:8である。   The binder resin used for the charge transport layer is polycarbonate resin, polyester resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin, styrene-butadiene copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile. Copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, silicone resin, silicone-alkyd resin, phenol-formaldehyde resin, styrene-alkyd resin, poly-N-vinyl Carbazole, polysilane, or a polymer charge transport material such as a polyester-based polymer charge transport material disclosed in JP-A-8-176293 or JP-A-8-208820 is used. These binder resins are used alone or in combination of two or more. The blending ratio (weight ratio) between the charge transport material and the binder resin is preferably 10: 1 to 1:10, more preferably 8: 3 to 3: 8.

また、電荷輸送材料としては高分子電荷輸送材も用いられる。高分子電荷輸送材としては、ポリ−N−ビニルカルバゾール、又はポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平8−176293号公報や特開平8−208820号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材は、とくに好ましいものである。高分子電荷輸送材はそれだけでも電荷輸送層として使用されるが、上記結着樹脂と混合して成膜してもよい。   A polymer charge transport material is also used as the charge transport material. As the polymer charge transporting material, known materials having charge transporting properties such as poly-N-vinylcarbazole or polysilane are used. In particular, polyester polymer charge transport materials disclosed in JP-A-8-176293 and JP-A-8-208820 are particularly preferable. The polymer charge transporting material alone is used as a charge transporting layer, but may be mixed with the binder resin to form a film.

高分子電荷輸送材としては、下記一般式(VII−1)又は下記一般式(VII−2)で示される高分子化合物が好ましい。   The polymer charge transport material is preferably a polymer compound represented by the following general formula (VII-1) or the following general formula (VII-2).

Figure 2010128458
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前記一般式(VII−1)及び一般式(VII−2)中、Aはそれぞれ独立に、下記一般式(VIII−1)及び一般式(VIII−2)で示される構造から選択される少なくとも1種を示し、Rはそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、炭素数1以上6以下の1価の直鎖状炭化水素基、炭素数2以上10以下の1価の分枝鎖状炭化水素基、又はヒドロキシ基を示す。Yはそれぞれ独立に、2価のアルコール残基を表示し、Zはそれぞれ独立に、2価のカルボン酸残基を示し、mはそれぞれ独立に、1以上5以下の整数を示し、gはそれぞれ独立に、5以上5000以下の整数を示す。また、B及びB’はそれぞれ独立に、−O−(Y−O)−H、又はO−(Y−O)−CO−Z−CO−OR10で表される基(ただし、Y、Zおよびmは上記と同義である。R10は水素原子、アルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表す)を示す。 In General Formula (VII-1) and General Formula (VII-2), A 1 is independently selected from at least a structure represented by General Formula (VIII-1) and General Formula (VIII-2) below. 1 type, R 9 is independently a substituted or unsubstituted monovalent polynuclear aromatic hydrocarbon group having 2 to 10 aromatic rings, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic ring having 2 to 10 aromatic rings. A condensed aromatic hydrocarbon group, a monovalent linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a monovalent branched hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, or a hydroxy group. Each Y 1 independently represents a divalent alcohol residue, each Z 1 independently represents a divalent carboxylic acid residue, each m independently represents an integer of 1 to 5, and g Each independently represents an integer of 5 or more and 5000 or less. B and B ′ are each independently a group represented by —O— (Y 1 —O) m —H or O— (Y 1 —O) m —CO—Z 1 —CO—OR 10 ( Y 1 , Z 1 and m are as defined above, and R 10 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted aralkyl group.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

一般式(VIII−1)及び一般式(VIII−2)中、Arはそれぞれ独立に、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を示し、Xは、置換若しくは未置換のフェニレン基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の2価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の2価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の2価の芳香族複素環基を表し、jはそれぞれ独立に、0又は1を示し、Tはそれぞれ独立に、炭素数1以上6以下の2価の直鎖状炭化水素基又は炭素数2以上10以下の2価の分枝鎖状炭化水素基を示す。   In general formula (VIII-1) and general formula (VIII-2), Ar is each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted monovalent polynuclear aromatic having 2 to 10 aromatic rings. A hydrocarbon group, a monovalent condensed aromatic hydrocarbon group having 2 or more and 10 or less substituted or unsubstituted aromatic rings or a substituted or unsubstituted monovalent aromatic heterocyclic group, and X is substituted or unsubstituted A divalent polynuclear aromatic hydrocarbon group having 2 to 10 substituted or unsubstituted aromatic rings, a divalent condensed aromatic hydrocarbon group having 2 to 10 substituted or unsubstituted aromatic rings, Or a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group, j independently represents 0 or 1, and T independently represents a divalent linear hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms. Group or divalent having 2 to 10 carbon atoms It shows a branch chain hydrocarbon group.

電荷輸送層の厚みは5μm以上50μm以下が好ましく、より好ましくは10μm以上30μm以下である。
塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
The thickness of the charge transport layer is preferably 5 μm or more and 50 μm or less, more preferably 10 μm or more and 30 μm or less.
As a coating method, a normal method such as a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, or a curtain coating method is used.

電荷輸送層を設けるときに用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、又はクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類;アセトン、又は2−ブタノン等のケトン類;塩化メチレン、クロロホルム、又は塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類;テトラヒドロフラン、又はエチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独あるいは2種以上混合して用いる。   Solvents used when providing the charge transport layer include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, or chlorobenzene; ketones such as acetone or 2-butanone; methylene chloride, chloroform, or ethylene chloride. Halogenated aliphatic hydrocarbons: normal organic solvents such as tetrahydrofuran or cyclic ethers such as ethyl ether or a mixture of two or more of them are used.

また、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加してもよい。
酸化防止剤としては例えば、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン若しくはそれらの誘導体、有機硫黄化合物、又は有機燐化合物等が挙げられる。
光安定剤の例としては例えば、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオカルバメート、又はテトラメチルピペリジン等の誘導体が挙げられる。
Moreover, you may add additives, such as antioxidant, a light stabilizer, and a heat stabilizer, in a photosensitive layer.
Examples of the antioxidant include hindered phenol, hindered amine, paraphenylenediamine, arylalkane, hydroquinone, spirochroman, spiroidanone or their derivatives, organic sulfur compounds, or organic phosphorus compounds.
Examples of light stabilizers include derivatives such as benzophenone, benzotriazole, dithiocarbamate, or tetramethylpiperidine.

また、少なくとも1種の電子受容性物質を含有してもよい。使用される電子受容物質としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、o−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、又はフタル酸等が挙げられる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系、又はCl、CN、NO等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。 Moreover, you may contain an at least 1 sort (s) of electron-accepting substance. Examples of the electron acceptor used include succinic anhydride, maleic anhydride, dibromomaleic anhydride, phthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, o-dinitrobenzene, m -Dinitrobenzene, chloranil, dinitroanthraquinone, trinitrofluorenone, picric acid, o-nitrobenzoic acid, p-nitrobenzoic acid, or phthalic acid. Of these, fluorenone-based, quinone-based, or benzene derivatives having an electron-withdrawing substituent such as Cl, CN, NO 2 are particularly preferable.

本実施形態の画像形成装置用像保持体は、保護層(表面層)を備えるようにしてもよいが、保護層を高強度保護層(高強度表面層)とすることが好ましい。この高強度保護層としては、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散したもの、通常の電荷輸送層材料にフッ素樹脂、アクリル樹脂等の潤滑性粒子を分散したもの、シリコーンや、アクリル等のハードコート剤等が使用される。高強度保護層は、電荷輸送性を有し、架橋構造を有するシロキサン系樹脂を含むものが好ましく、このうち特に、下記一般式(IX)で示される構造のものが好ましい。   The image carrier for an image forming apparatus of the present embodiment may be provided with a protective layer (surface layer), but the protective layer is preferably a high-strength protective layer (high-strength surface layer). As this high-strength protective layer, conductive particles are dispersed in a binder resin, lubricating particles such as fluorine resin and acrylic resin are dispersed in a normal charge transport layer material, hard coat such as silicone and acrylic An agent or the like is used. The high-strength protective layer preferably has a charge transporting property and contains a siloxane-based resin having a crosslinked structure, and among these, a layer having a structure represented by the following general formula (IX) is particularly preferable.

G−D−F (IX)
一般式(IX)におけるGは無機ガラス質ネットワークサブグループ、Dは可とう性有機サブユニット、Fは電荷輸送性サブユニットを意味する。Fとしては、光キャリア輸送特性を有する構造として、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物、キノン系化合物、フルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、又はエチレン系化合物等が挙げられる。
G-D-F (IX)
In general formula (IX), G represents an inorganic glassy network subgroup, D represents a flexible organic subunit, and F represents a charge transporting subunit. As F, a structure having photocarrier transport properties includes a triarylamine compound, a benzidine compound, an arylalkane compound, an aryl-substituted ethylene compound, a stilbene compound, an anthracene compound, a hydrazone compound, a quinone compound, Examples include fluorenone compounds, xanthone compounds, benzophenone compounds, cyanovinyl compounds, and ethylene compounds.

一般式(IX)におけるGは、好ましくは反応性を有するSi基であり、この基は互いに架橋反応を生じて3次元的なSi−O−Si結合である無機ガラス質ネットワークを形成する。
一般式(IX)におけるDは、電荷輸送性を付与するためのFを、3次元的な無機ガラス質ネットワークに直接結合で結びつけるためのものである。
G in the general formula (IX) is preferably a reactive Si group, which causes a cross-linking reaction with each other to form an inorganic glassy network that is a three-dimensional Si—O—Si bond.
D in the general formula (IX) is for binding F for imparting charge transporting properties directly to a three-dimensional inorganic glassy network.

一般式(IX)で表される化合物において、Dで表される、無機ガラス質ネットワークに直接結合で結びつける基は、一般式(IX)で表される化合物を加水分解した際に生じるシラノール基と結合する基を意味し、−Si(R11)(3−a)Qaで示される基、エポキシ基、イソシアネート基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子等の基がよい。これらのうち、−Si(R11)(3−a)Qaで示される基、エポキシ基、又はイソシアネート基を有する化合物が好ましい。なお、R11は、水素原子、アルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基であり、Qは加水分解性基である。aは、0から3の整数である。
なおこれらの基を分子内に2つ以上持つものが硬化膜の架橋構造が3次元的になるため好ましい。
In the compound represented by the general formula (IX), the group represented by D and directly bonded to the inorganic glassy network is a silanol group generated when the compound represented by the general formula (IX) is hydrolyzed. A group to be bonded is meant, and a group represented by -Si (R 11 ) (3-a) Qa, an epoxy group, an isocyanate group, a carboxy group, a hydroxy group, or a halogen atom is preferable. Among these, a compound having a group represented by —Si (R 11 ) (3-a) Qa, an epoxy group, or an isocyanate group is preferable. R 11 is a hydrogen atom, an alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group, and Q is a hydrolyzable group. a is an integer of 0 to 3.
Those having two or more of these groups in the molecule are preferable because the crosslinked structure of the cured film becomes three-dimensional.

保護層は、他のカップリング剤、フッ素化合物を混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。
シランカップリング剤としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、又はジメチルジメトキシシラン、等が用いられる。
市販のハードコート剤としては、KP−85、X−40−9740、X−40−2239(以上、信越シリコーン社製)、AY42−440、AY42−441、又はAY49−208(以上、東レダウコーニング社製)等が用いられる。
The protective layer may be used by mixing other coupling agents and fluorine compounds. As this compound, various silane coupling agents and commercially available silicone hard coat agents are used.
As silane coupling agents, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxy Silane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, tetramethoxysilane, methyltrimethoxysilane, Alternatively, dimethyldimethoxysilane or the like is used.
Examples of commercially available hard coat agents include KP-85, X-40-9740, X-40-2239 (manufactured by Shin-Etsu Silicone), AY42-440, AY42-441, or AY49-208 (manufactured by Toray Dow Corning). Etc.) are used.

保護層にはまた、(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン、3−(ヘプタフルオロイソプロポキシ)プロピルトリエトキシシラン、1H,1H,2H,2H−パーフルオロアルキルトリエトキシシラン、1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルトリエトキシシラン、又は1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルトリエトシキシラン等の含フッ素化合物を加えてもよい。   The protective layer also includes (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl) triethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, 3- (heptafluoroisopropoxy) propyl Triethoxysilane, 1H, 1H, 2H, 2H-perfluoroalkyltriethoxysilane, 1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyltriethoxysilane, or 1H, 1H, 2H, 2H-perfluorooctyltriethoxysilane The fluorine-containing compound may be added.

シランカップリング剤の量は必要に応じて設定されるが、含フッ素化合物の量は、フッ素を含まない化合物1重量部に対して0.25重量部以下とすることが望ましい。また、上記した−Si(R11)(3−a)Qaで示される加水分解性基を有する置換ケイ素基を2個以上有している化合物を併用して用いることがより好ましい。 The amount of the silane coupling agent is set as necessary, but the amount of the fluorine-containing compound is desirably 0.25 parts by weight or less with respect to 1 part by weight of the compound not containing fluorine. Further, it is more preferable to use a compound having two or more substituted silicon groups having a hydrolyzable group represented by -Si (R 11 ) (3-a) Qa.

これらのコーティング液の調整は、無溶媒で行うか、必要に応じてメタノール、エタノール、プロパノール、又はブタノール等のアルコール類;アセトン、又はメチルエチルケトン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、又はジオキサン等のエーテル類等が使用されるが、好ましくは沸点が100℃以下のものである。これらは、必要に応じ混合して使用される。溶剤量は必要に応じ設定されるが、一般式(IX)で示される化合物1重量部に対し0.5重量部以上30重量部以下、好ましくは、1重量部以上20重量部以下で使用される。   These coating solutions are prepared without a solvent or, if necessary, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, or butanol; ketones such as acetone or methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran, diethyl ether, or dioxane. Are used, and those having a boiling point of 100 ° C. or lower are preferred. These are mixed and used as necessary. The amount of the solvent is set as necessary, but it is 0.5 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, based on 1 part by weight of the compound represented by the general formula (IX). The

反応温度及び時間は原料の種類によっても異なるが、通常、0℃以上100℃以下、好ましくは10℃以上70℃以下、特に好ましくは、15℃以上50℃以下の温度で行う。反応時間に特に制限はないが、反応時間は10分から100時間の範囲で行うことが好ましい。   Although the reaction temperature and time vary depending on the type of raw material, it is usually 0 to 100 ° C., preferably 10 to 70 ° C., particularly preferably 15 to 50 ° C. The reaction time is not particularly limited, but the reaction time is preferably in the range of 10 minutes to 100 hours.

硬化触媒としては、塩酸、酢酸、リン酸、又は硫酸等のプロトン酸、アンモニア、又はトリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、又はオクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ−n−ブチルチタネート、又はテトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、アルミニウムトリブトキシド、又はアルミニウムトリアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、又はジルコニウム塩等が挙げられるが、金属化合物が好ましく、更に、金属のアセチルアセトナート、あるいは、アセチルアセテートが好ましく、特にアルミニウムトリアセチルアセトナートが好ましい。   Examples of the curing catalyst include a protic acid such as hydrochloric acid, acetic acid, phosphoric acid, or sulfuric acid, a base such as ammonia or triethylamine, an organic tin compound such as dibutyltin diacetate, dibutyltin dioctoate, or stannous oxalate, tetra- Organotitanium compounds such as n-butyl titanate or tetraisopropyl titanate, organoaluminum compounds such as aluminum tributoxide or aluminum triacetylacetonate, iron salts, manganese salts, cobalt salts, zinc salts or zirconium salts of organic carboxylic acids However, metal compounds are preferred, metal acetylacetonate or acetylacetate is preferred, and aluminum triacetylacetonate is particularly preferred.

硬化触媒の使用量は必要に応じ設定されるが、加水分解性ケイ素置換基を含有する材料の合計量に対して0.1重量%以上20重量%以下が好ましく、0.3重量%以上10重量%以下がより好ましい。
硬化温度は、必要に応じ設定されるが、所望の強度を得るためには60℃以上、より好ましくは80℃以上に設定される。硬化時間は、必要に応じ設定されるが、10分から5時間が好ましい。
また、硬化反応を行ったのち、高湿度状態に保つことも有効である。更に、用途によっては、ヘキサメチルジシラザンや、又はトリメチルクロロシラン等を用いて表面処理を行い、疎水化する。
The amount of the curing catalyst used is set as necessary, but is preferably 0.1% by weight or more and 20% by weight or less, and preferably 0.3% by weight or more and 10% by weight or less with respect to the total amount of materials containing hydrolyzable silicon substituents. More preferably, it is less than wt%.
The curing temperature is set as required, but is set to 60 ° C. or higher, more preferably 80 ° C. or higher in order to obtain a desired strength. The curing time is set as required, but is preferably 10 minutes to 5 hours.
It is also effective to maintain a high humidity state after the curing reaction. Further, depending on the application, surface treatment is performed using hexamethyldisilazane, trimethylchlorosilane, or the like to make it hydrophobic.

画像形成装置用像保持体の保護層には、酸化防止剤を添加することが好ましい。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系又はヒンダードアミン系が望ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、又はベンズイミダゾール系酸化防止剤、等の公知の酸化防止剤を用いてもよい。酸化防止剤の添加量としては、保護層全量中、20重量%以下が望ましく、10重量%以下が更に望ましい。
It is preferable to add an antioxidant to the protective layer of the image carrier for the image forming apparatus.
Antioxidants are preferably hindered phenols or hindered amines, organic sulfur antioxidants, phosphite antioxidants, dithiocarbamate antioxidants, thiourea antioxidants, or benzimidazole antioxidants. You may use well-known antioxidants, such as an agent. The addition amount of the antioxidant is preferably 20% by weight or less and more preferably 10% by weight or less in the total amount of the protective layer.

ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、2,5−ジ−t−ブチルヒドロキノン、N,N’−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシヒドロシンナマイド、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、2,4−ビス[(オクチルチオ)メチル]−o−クレゾール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,5−ジ−t−アミルヒドロキノン、2−t−ブチル−6−(3−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート、又は4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、等が挙げられる。   Examples of the hindered phenol antioxidant include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butylhydroquinone, N, N′-hexamethylenebis (3,5-di -T-butyl-4-hydroxyhydrocinnamide, 3,5-di-t-butyl-4-hydroxy-benzylphosphonate-diethyl ester, 2,4-bis [(octylthio) methyl] -o-cresol, 2, 6-di-t-butyl-4-ethylphenol, 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-ethyl-6-t-butylphenol), 4 , 4′-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 2,5-di-tert-amylhydroquinone, 2-tert-butyl-6- (3-butyl-2-hydroxy-5-methyl) Benzyl) -4-methylphenyl acrylate, or 4,4'-butylidenebis (3-methyl -6-t-butylphenol), and the like.

また画像形成装置用像保持体の保護層には、アルコールに溶解する樹脂を加えてもよい。アルコール系溶剤に可溶な樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、又はブチラールの一部がホルマールやアセトアセタール等で変性された部分アセタール化ポリビニルアセタール樹脂等のポリビニルアセタール樹脂(例えば積水化学社製エスレックB、K等)、ポリアミド樹脂、セルロ−ス樹脂、又はフェノール樹脂等が挙げられる。特に、電気特性上ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。上記樹脂の重量平均分子量は2000以上100,000以下が好ましく、5,000以上50,000以下が更に好ましい。
樹脂の添加量は1%以上40%以下が好ましく、より好ましくは1%以上30%以下であり、5%以上20%以下が特に好ましい。
Further, a resin that dissolves in alcohol may be added to the protective layer of the image carrier for the image forming apparatus. Examples of resins soluble in alcohol solvents include polyvinyl acetal resins such as polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, or partially acetalized polyvinyl acetal resin in which a part of butyral is modified with formal, acetoacetal, or the like (for example, Sekisui Chemical Co., Ltd. S-Rec B, K, etc.), polyamide resin, cellulose resin, or phenol resin. In particular, polyvinyl acetal resin is preferable in terms of electrical characteristics. The weight average molecular weight of the resin is preferably 2000 or more and 100,000 or less, and more preferably 5,000 or more and 50,000 or less.
The addition amount of the resin is preferably 1% to 40%, more preferably 1% to 30%, and particularly preferably 5% to 20%.

更に、保護層に各種粒子を添加してもよい。それらは、単独で用いてもよいが、併用してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ又はシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、平均粒子径1nm以上100nm以下、好ましくは10nm以上30nm以下の酸性またはアルカリ性の水分散液、あるいはアルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれ、一般に市販されているものを使用する。最表面層中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、製膜性、電気特性、強度の面から最表面層の全固形分中の0.1重量%以上50重量%以下、好ましくは0.1重量%以上30重量%以下である。   Furthermore, various particles may be added to the protective layer. They may be used alone or in combination. An example of the particles is silicon-containing particles. The silicon-containing particles are particles containing silicon as a constituent element, and specifically include colloidal silica or silicone particles. The colloidal silica used as the silicon-containing particles is from an acid or alkaline aqueous dispersion having an average particle diameter of 1 nm to 100 nm, preferably 10 nm to 30 nm, or dispersed in an organic solvent such as alcohol, ketone or ester. Use one that is selected and generally commercially available. The solid content of colloidal silica in the outermost surface layer is not particularly limited, but it is 0.1% by weight or more in the total solid content of the outermost surface layer in terms of film forming properties, electrical characteristics, and strength. % By weight or less, preferably 0.1% by weight or more and 30% by weight or less.

ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、球状で、平均粒子径1nm以上500nm以下、好ましくは10nm以上100nm以下の、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、又はシリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものを使用する。画像形成装置用像保持体における最表面層中のシリコーン粒子の含有量は、最表面層の全固形分中の0.1重量%以上30重量%以下が好ましく、0.5重量%以上10重量%以下がより好ましい。   Silicone particles used as silicon-containing particles are spherical and have an average particle diameter of 1 nm to 500 nm, preferably 10 nm to 100 nm, selected from silicone resin particles, silicone rubber particles, or silicone surface-treated silica particles, and are generally commercially available. Use what you have. The content of the silicone particles in the outermost surface layer in the image carrier for an image forming apparatus is preferably 0.1% by weight or more and 30% by weight or less, and more preferably 0.5% by weight or more and 10% by weight in the total solid content of the outermost surface layer. % Or less is more preferable.

また、その他の粒子としては、4フッ化エチレン、3フッ化エチレン、6フッ化プロピレン、フッ化ビニル、又はフッ化ビニリデン等のフッ素系粒子や「第8回ポリマー材料フォーラム講演予稿集、p89」に示される、前記フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂を含む粒子、ZnO-Al2O3、SnO2-Sb2O3、In2O3-SnO2、ZnO-TiO2、ZnO-TiO2、MgO-Al2O3、FeO-TiO2、TiO2、SnO2、In2O3、ZnO、又はMgO等の半導電性金属酸化物が挙げられる。
ここで半導電性とは、JIS K 7194「導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が10Ω・cm以上1011Ω・cm以下であることを意味する。
Other particles include fluorine-based particles such as ethylene tetrafluoride, trifluoride ethylene, propylene hexafluoride, vinyl fluoride, or vinylidene fluoride, and “8th Polymer Material Forum Lecture Proceedings, p89”. Particles containing a copolymer obtained by copolymerizing the fluororesin and a monomer having a hydroxyl group, ZnO-Al 2 O 3 , SnO 2 -Sb 2 O 3 , In 2 O 3 -SnO 2 , ZnO-TiO 2 , Examples thereof include semiconductive metal oxides such as ZnO—TiO 2 , MgO—Al 2 O 3 , FeO—TiO 2 , TiO 2 , SnO 2 , In 2 O 3 , ZnO, or MgO.
Here, semi-conductive means that the volume resistivity measured based on JIS K 7194 “Resistivity Test Method by Conductive Plastic Four-Probe Method” is 10 7 Ω · cm or more and 10 11 Ω · cm or less. means.

また、保護層にシリコーンオイル等のオイルを添加し得る。シリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、又はフェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル;アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、又はフェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル;ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、又はドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類;1,3,5−トリメチル−1,3,5−トリフェニルシクロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、又は1,3,5,7,9−ペンタメチル−1,3,5,7,9−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類;ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類;3−(3,3,3−トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類;メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、又はフェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類;ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等の環状のシロキサン等が挙げられる。   In addition, an oil such as silicone oil can be added to the protective layer. Examples of the silicone oil include silicone oils such as dimethylpolysiloxane, diphenylpolysiloxane, or phenylmethylsiloxane; amino-modified polysiloxane, epoxy-modified polysiloxane, carboxyl-modified polysiloxane, carbinol-modified polysiloxane, methacryl-modified polysiloxane, Reactive silicone oils such as mercapto-modified polysiloxane or phenol-modified polysiloxane; cyclic dimethylcyclosiloxanes such as hexamethylcyclotrisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, or dodecamethylcyclohexasiloxane; 1 , 3,5-trimethyl-1,3,5-triphenylcyclotrisiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7- Cyclic methylphenylcyclosiloxanes such as traphenylcyclotetrasiloxane or 1,3,5,7,9-pentamethyl-1,3,5,7,9-pentaphenylcyclopentasiloxane; hexaphenylcyclotrisiloxane Cyclic phenylcyclosiloxanes; fluorine-containing cyclosiloxanes such as 3- (3,3,3-trifluoropropyl) methylcyclotrisiloxane; hydrosilyls such as methylhydrosiloxane mixtures, pentamethylcyclopentasiloxane, or phenylhydrocyclosiloxanes Group-containing cyclosiloxanes; and cyclic siloxanes such as vinyl group-containing cyclosiloxanes such as pentavinylpentamethylcyclopentasiloxane.

なお単層型感光層の場合、当該単層型感光層は、上記電荷発生物質、上記電荷輸送物質(本実施形態の一般式(I)で示される化合物を含む。)及び結着樹脂を含有して形成され得る。なお、電荷輸送物質は高分子電荷輸送物質を含有してもよい。上記結着樹脂としては、上記電荷発生層及び電荷輸送層に用いられる結着樹脂として列挙されたものが用いられる。単層型感光層中の電荷発生物質の含有量は、10重量%以上85重量%以下、好ましくは20重量%以上50重量%以下である。また、単層型感光層中の電荷輸送物質の含有量は5重量以上50重量%以下とすることが好ましい。
塗布に用いる溶剤や塗布方法は、前述のものが用いられる。単層型感光層の膜厚は5μm以上50μm以下が好ましく、10μm以上40μm以下がより好ましい。
In the case of a single layer type photosensitive layer, the single layer type photosensitive layer contains the charge generation material, the charge transport material (including the compound represented by the general formula (I) of the present embodiment), and a binder resin. Can be formed. The charge transport material may contain a polymer charge transport material. As the binder resin, those listed as binder resins used in the charge generation layer and the charge transport layer are used. The content of the charge generating material in the single-layer type photosensitive layer is from 10% by weight to 85% by weight, preferably from 20% by weight to 50% by weight. The content of the charge transport material in the single-layer type photosensitive layer is preferably 5% by weight or more and 50% by weight or less.
The above-mentioned thing is used for the solvent and application | coating method used for application | coating. The film thickness of the single layer type photosensitive layer is preferably 5 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 40 μm or less.

画像形成装置用像保持体の導電性支持体から最も離れた位置に配置される最外部の層には、フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液を塗布、あるいは浸漬処理し得る。   The outermost layer disposed at the position farthest from the conductive support of the image carrier for the image forming apparatus is coated with an aqueous dispersion of a modified resin containing a fluororesin as an essential component, or is immersed. obtain.

画像形成装置用像保持体の上記最外部の層に適用する、フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液について以下に説明する。フッ素系樹脂としては、テトラフルオロエチレンのホモポリマー又はテトラフルオロエチレンとオレフィン、含フッ素オレフィン、パーフルオロオレフィン、又はフルオロアルキルビニルエーテル等とのコポリマー;フッ化ビニリデンのホモポリマー又はフッ化ビニリデンとオレフィン、含フッ素オレフィン、パーフルオロオレフィン、フルオロアルキルビニルエーテル等とのコポリマー;クロロトリフルオロエチレンのホモポリマー又はクロロトリフルオロエチレンとオレフィン、含フッ素オレフィン、パーフルオロオレフィン、フルオロアルキルビニルエーテル等とのコポリマー等が挙げられ、特に、テトラフルオロエチレンのホモポリマー又はコポリマーが好ましく、また、テトラフルオロエチレンのホモポリマーと各種コポリマーを重量比で95:5から10:90で混合して用いることが好ましい。   An aqueous dispersion of a modified resin containing a fluororesin as an essential component applied to the outermost layer of the image carrier for an image forming apparatus will be described below. Examples of fluororesins include tetrafluoroethylene homopolymers or copolymers of tetrafluoroethylene and olefins, fluorine-containing olefins, perfluoroolefins, or fluoroalkyl vinyl ethers; vinylidene fluoride homopolymers or vinylidene fluoride and olefins. Copolymers of fluorine olefins, perfluoroolefins, fluoroalkyl vinyl ethers, etc .; homopolymers of chlorotrifluoroethylene or copolymers of chlorotrifluoroethylene and olefins, fluorine-containing olefins, perfluoroolefins, fluoroalkyl vinyl ethers, etc. In particular, a homopolymer or copolymer of tetrafluoroethylene is preferable, and a homopolymer of tetrafluoroethylene and various copolymers can be used. In an amount ratio of 95: it is preferable to use a mixture with 5 to 10:90.

フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂は、水性分散液として用いられるが、この水性分散液には更にワックス及び/又はシリコーンを含有する。ワックス及び/又はシリコーンを含有させることにより、フッ素系樹脂がブレード内部に浸透することを促進するため好ましい。   A modified resin containing a fluororesin as an essential component is used as an aqueous dispersion, and this aqueous dispersion further contains wax and / or silicone. By containing wax and / or silicone, it is preferable to promote penetration of the fluorine-based resin into the blade.

ここで、ワックスとしては、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、又はペロトラタム等、シリコーンとしては、シリコーンオイル、シリコーングリス、オイルコンパウンド、又はシリコーンワニス等が挙げられる。
フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液には、必要によって、フッ素系あるいはその他ノニオン系、カチオン系、アニオン系又は両性界面活性剤、pH調整剤、溶剤、多価アルコール、柔軟剤、粘度調整剤、光安定剤、又は酸化防止剤等が混合される。浸透層の形成は、ブレード部材をフッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液中に浸漬することにより行うが、減圧下でも行い得る。この際の圧力としては、0.9気圧以下、好ましくは、0.8気圧以下、より好ましくは0.7気圧以下にて処理する。
Here, examples of the wax include paraffin wax, microcrystalline wax, and perotratam. Examples of the silicone include silicone oil, silicone grease, oil compound, and silicone varnish.
For aqueous dispersions of modified resins containing fluorine resin as an essential component, fluorine-based or other nonionic, cationic, anionic or amphoteric surfactants, pH adjusters, solvents, polyhydric alcohols, flexible An agent, a viscosity modifier, a light stabilizer, an antioxidant, or the like is mixed. The penetration layer is formed by immersing the blade member in an aqueous dispersion of a modified resin containing a fluorine-based resin as an essential component, but can also be performed under reduced pressure. The pressure at this time is 0.9 atm or less, preferably 0.8 atm or less, more preferably 0.7 atm or less.

また、水性分散液を40℃以上、好ましくは50℃以上に加熱することが効果的である。更に、0.1気圧以上、好ましくは、0.2気圧以上、より好ましくは0.3気圧以上にて処理することも効果的であり、減圧、加圧、加熱処理を組み合わせることも効果的である。また、スプレーや、塗布法によりブレード部材に付着させたのち、40℃以上、好ましくは50℃以上に加熱することで、浸透層が形成される。更に、フッ素系樹脂を必須成分とする改質樹脂の水性分散液を付着させた後、加熱乾燥を行う前、あるいは行った後にふき取り、あるいは洗浄を行う。   It is also effective to heat the aqueous dispersion to 40 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or higher. Further, it is effective to treat at 0.1 atm or higher, preferably 0.2 atm or higher, more preferably 0.3 atm or higher, and it is also effective to combine decompression, pressurization and heat treatment. is there. Moreover, after making it adhere to a blade member by spraying or the apply | coating method, a osmosis | permeation layer is formed by heating to 40 degreeC or more, Preferably it is 50 degreeC or more. Further, after attaching an aqueous dispersion of a modified resin containing a fluorine-based resin as an essential component, wiping or washing is performed before or after heat drying.

(画像形成装置)
本実施形態の画像形成装置は、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、を備えることを特徴とする。
図4は、本実施形態の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
図4に示す画像形成装置200は、本実施形態の画像形成装置用像保持体207と、画像形成装置用像保持体207を接触帯電方式により帯電させる帯電装置208と、帯電装置208に接続された電源209と、帯電装置208により帯電される画像形成装置用像保持体207を露光して静電潜像を形成する露光装置210と、露光装置210により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置211と、現像装置211により形成されたトナー像を被転写体500に転写する転写装置212と、クリーニング装置213と、除電器214と、定着装置215とを備える。
(Image forming device)
The image forming apparatus according to the present embodiment includes the above-described image carrier for the image forming apparatus according to the present embodiment, a charging device that charges the image carrier for the image forming apparatus, and the charged image carrier for the image forming apparatus. An exposure device that forms an electrostatic latent image by exposing the toner, a developing device that develops the electrostatic latent image to form a toner image, and a transfer device that transfers the toner image to a transfer target. It is characterized by.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a basic configuration of a preferred embodiment of the image forming apparatus of the present embodiment.
An image forming apparatus 200 shown in FIG. 4 is connected to the image holding apparatus for image forming apparatus 207 of the present embodiment, a charging apparatus 208 for charging the image holding apparatus for image forming apparatus 207 by a contact charging method, and the charging apparatus 208. The image forming apparatus image carrier 207 charged by the power source 209 and the charging apparatus 208 is exposed to form an electrostatic latent image, and the electrostatic latent image formed by the exposure apparatus 210 is made of toner. A developing device 211 that develops a toner image, a transfer device 212 that transfers the toner image formed by the developing device 211 to the transfer target 500, a cleaning device 213, a static eliminator 214, and a fixing device 215. Prepare.

図4に示した帯電装置208は、画像形成装置用像保持体207の表面に接触型帯電部材(例えば、帯電ロール)を接触させて像保持体に電圧をに印加し、像保持体表面を帯電させるものである。
接触型帯電部材としては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたローラ状のものが好適に用いられる。なお、接触型帯電部材の形状は、上記したローラ状の他、ブラシ状、ブレード状、又はピン電極状等何れでもよく、画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。
The charging device 208 shown in FIG. 4 applies a voltage to the image holding member by bringing a contact-type charging member (for example, a charging roll) into contact with the surface of the image holding member 207 for the image forming apparatus. It is to be charged.
As the contact-type charging member, a roller-shaped member in which an elastic layer, a resistance layer, a protective layer and the like are provided on the outer peripheral surface of the core material is preferably used. The shape of the contact-type charging member may be any of the above-described roller shape, brush shape, blade shape, pin electrode shape, and the like, and is selected according to the specifications and form of the image forming apparatus.

ローラ状の接触型帯電部材における芯材の材質としては、導電性を有するもの、例えば、鉄、銅、真鍮、ステンレス、アルミニウム、又はニッケル等が用いられる。また、導電性粒子等を分散した樹脂成形品等が用いられる。弾性層の材質としては、導電性あるいは半導電性を有するもの、例えば、ゴム材に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散したものが使用される。抵抗層及び保護層の材質としては結着樹脂に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散し、その抵抗を制御したものである。
これらの接触型帯電部材を用いて像保持体を帯電させる際には、接触型帯電部材に電圧が印加されるが、かかる印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。
なお、図4における接触型帯電部材の代わりに、コロトロン、又はスコロトロン等の非接触方式のコロナ帯電装置も用いられる。これらは画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。
As the core material of the roller-shaped contact-type charging member, a conductive material such as iron, copper, brass, stainless steel, aluminum, or nickel is used. In addition, a resin molded product in which conductive particles are dispersed is used. As the material of the elastic layer, a conductive or semiconductive material, for example, a rubber material in which conductive particles or semiconductive particles are dispersed is used. As the material of the resistance layer and the protective layer, conductive particles or semiconductive particles are dispersed in a binder resin, and the resistance is controlled.
When charging the image carrier using these contact-type charging members, a voltage is applied to the contact-type charging member. The applied voltage may be either a DC voltage or a DC voltage superimposed with an AC voltage. .
Instead of the contact-type charging member in FIG. 4, a non-contact type corona charging device such as corotron or scorotron is also used. These are selected according to the specifications and form of the image forming apparatus.

露光装置210としては、画像形成装置用像保持体表面に、半導体レーザー、LED(light emitting diode)、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。   As the exposure apparatus 210, an optical system apparatus or the like that exposes a light source such as a semiconductor laser, an LED (light emitting diode), a liquid crystal shutter, or the like on the surface of the image carrier for the image forming apparatus in a desired image manner.

現像装置211としては、一成分系、二成分系等の正規または反転現像剤を用いた従来より公知の現像装置等が用いられる。現像装置211に使用されるトナーの形状は特に限定されないが、球形トナーが好ましい。   As the developing device 211, a conventionally known developing device using a regular or reversal developer such as a one-component system or a two-component system is used. The shape of the toner used in the developing device 211 is not particularly limited, but a spherical toner is preferable.

転写装置212としては、ローラ状の接触帯電部材の他、ベルト、フィルム、又はゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。   Examples of the transfer device 212 include a roller-type contact charging member, a contact-type transfer charger using a belt, a film, a rubber blade, or the like, or a scorotron transfer charger or a corotron transfer charger using corona discharge. Can be mentioned.

クリーニング装置213は、転写工程後の画像形成装置用像保持体の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された画像形成装置用像保持体は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。クリーニング装置としては、クリーニングブレードの他、ブラシクリーニング、又はロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、又はシリコーンゴム等が挙げられる。   The cleaning device 213 is for removing residual toner adhering to the surface of the image holding member for the image forming apparatus after the transfer process, and the image holding member for the image forming device thus cleaned has the above-mentioned image formation. Used repeatedly in the process. As the cleaning device, a cleaning blade, brush cleaning, roll cleaning, or the like is used. Of these, it is preferable to use a cleaning blade. Examples of the material for the cleaning blade include urethane rubber, neoprene rubber, and silicone rubber.

上記実施形態は1つの画像形成ユニットを有するものであるが、他の実施形態に係る画像形成装置は、この画像形成ユニットを複数有するタンデム型画像形成装置である。
例えば、画像形成ユニットが4つである場合、4つの画像形成ユニットの各現像装置においては、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブランクの4色の色成分トナーを使用する。また、タンデム型画像形成装置は、4つの画像形成ユニットに共通し記録材料を搬送するベルトと、このベルトを搬送する搬送装置と、各現像装置にトナー像を供給するトナー供給装置と、カラートナー像を記録材料に定着させる定着装置とを備えていることが好ましい。
Although the above embodiment has one image forming unit, an image forming apparatus according to another embodiment is a tandem type image forming apparatus having a plurality of image forming units.
For example, when there are four image forming units, each developing device of the four image forming units uses, for example, four color component toners of yellow, magenta, cyan, and blank. The tandem image forming apparatus includes a belt that is common to the four image forming units and conveys a recording material, a conveyance device that conveys the belt, a toner supply device that supplies a toner image to each developing device, and a color toner. A fixing device for fixing the image to the recording material is preferably provided.

また、本実施形態の画像形成装置は像保持体を200000サイクル以上、更に、250000サイクル、あるいは、300000サイクル以上も使用する場合には、トナーのみを単独に補給する機構を有するものが好ましい。   Further, the image forming apparatus of the present embodiment preferably has a mechanism for supplying only the toner alone when the image carrier is used for 200000 cycles or more, further 250,000 cycles, or 300000 cycles or more.

(プロセスカートリッジ)
本実施形態のプロセスカートリッジは、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体を少なくとも有し、かつ、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置、および前記画像形成装置用像保持体をクリーニングするクリーニング装置から選ばれる少なくとも1つと、を備えることを特徴する。
(Process cartridge)
The process cartridge according to the present embodiment includes at least the image carrier for an image forming apparatus according to the above-described embodiment, and a charging device that charges the image carrier for the image forming apparatus. An exposure device that exposes an image carrier to form an electrostatic latent image, a developing device that develops the electrostatic latent image to form a toner image, a transfer device that transfers the toner image to a transfer target, and the image And at least one selected from a cleaning device for cleaning the image carrier for the forming apparatus.

図5は、本実施形態の画像形成装置用像保持体を備えるプロセスカートリッジの好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
プロセスカートリッジ300は、画像形成装置用像保持体207とともに、帯電装置208、現像装置211、クリーニング装置(クリーニング手段)213、露光のための開口部218、及び、除電露光のための開口部217を取り付けレール216を用いて組み合わせ、そして一体化したものである。
そして、このプロセスカートリッジ300は、現像装置211により形成されたトナー像を被転写体500に転写する転写装置212と、定着装置215と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成するものである。
以上、本実施形態を説明したが、本実施形態は、その要旨の範囲内で様々な変形や変更がされ得る。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a basic configuration of a preferred embodiment of a process cartridge including an image carrier for an image forming apparatus according to this embodiment.
The process cartridge 300 includes an image holder 207 for an image forming apparatus, a charging device 208, a developing device 211, a cleaning device (cleaning means) 213, an opening 218 for exposure, and an opening 217 for discharge exposure. They are combined and integrated using mounting rails 216.
The process cartridge 300 is used for an image forming apparatus main body including a transfer device 212 that transfers a toner image formed by the developing device 211 to the transfer target 500, a fixing device 215, and other components not shown. The image forming apparatus is configured together with the image forming apparatus main body.
Although the present embodiment has been described above, the present embodiment can be variously modified and changed within the scope of the gist.

以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.

<一般式(I)で示されるフェノチアジン化合物の合成>
(合成例1−例示化合物9−)
下記スキームに従い、フェノチアジン(16.1g)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(22.6g)、硫酸銅五水和物(2.0g)、炭酸カリウム(18g)、o−ジクロロベンゼン(100ml)を200ml二口フラスコに入れ、窒素雰囲気下で180℃で6時間加熱した。反応終了後、トルエンを加え濾過した。ロータリーエバポレーターにてろ液の溶媒を留去して、粗生成物を得た。これをカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:ヘキサン=2:5)にて精製し、エタノール+ヘキサンで再結晶し、10−(4−ブロモフェニル)−10H−フェノチアジンを6.4g得た。
<Synthesis of phenothiazine compound represented by general formula (I)>
(Synthesis Example 1-Exemplary Compound 9-)
According to the following scheme, phenothiazine (16.1 g), 1-bromo-4-iodobenzene (22.6 g), copper sulfate pentahydrate (2.0 g), potassium carbonate (18 g), o-dichlorobenzene (100 ml) Was placed in a 200 ml two-necked flask and heated at 180 ° C. for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, toluene was added and filtered. The solvent of the filtrate was distilled off with a rotary evaporator to obtain a crude product. This was purified by column chromatography (chloroform: hexane = 2: 5) and recrystallized from ethanol + hexane to obtain 6.4 g of 10- (4-bromophenyl) -10H-phenothiazine.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

次に、下記スキームに従い、200mlフラスコに塩化アルミニウム(5.0g)、ジクロロメタン(30ml)を加え撹拌した。ジクロロメタン(12ml)に溶解したヘキサン酸クロリド(4.6g)を滴下して、ジクロロメタン(30ml)に溶解した。得られた10−(4−ブロモフェニル)−10H−フェノチアジン(6.0g)を滴下して室温(25℃)で一日撹拌した。反応終了後、5質量%炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、さらにクロロホルムを加えて純水で洗浄し,硫酸ナトリウムで乾燥させた。これをカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル:ヘキサン=1:9)にて精製し,ヘキサン+酢酸エチルで再結晶し、フェノチアジンアシル化合物5.8gを得た。   Next, according to the following scheme, aluminum chloride (5.0 g) and dichloromethane (30 ml) were added to a 200 ml flask and stirred. Hexanoic acid chloride (4.6 g) dissolved in dichloromethane (12 ml) was added dropwise and dissolved in dichloromethane (30 ml). The obtained 10- (4-bromophenyl) -10H-phenothiazine (6.0 g) was added dropwise and stirred at room temperature (25 ° C.) for one day. After completion of the reaction, 5% by mass aqueous sodium hydrogen carbonate solution was added, chloroform was further added, washed with pure water, and dried over sodium sulfate. This was purified by column chromatography (ethyl acetate: hexane = 1: 9) and recrystallized from hexane + ethyl acetate to obtain 5.8 g of a phenothiazine acyl compound.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

次に、下記スキームに従い、300mlフラスコにフェノチアジンアシル化合物(5.8g)を入れ、トリフルオロ酢酸(45ml)に溶解した。さらにトリエチルシラン(5.4g)を加えて、室温(25℃)で5時間撹拌した。反応終了後、10質量%水酸化ナトリウム水溶液を加えて塩基性にし、酢酸エチルを加えて混合溶液を純水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。これをカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)で精製を行い、10−(4−ブロモフェニル)−3,7−ジヘキシル−10H−フェノチアジン4.5gを得た。   Next, according to the following scheme, a phenothiazine acyl compound (5.8 g) was placed in a 300 ml flask and dissolved in trifluoroacetic acid (45 ml). Triethylsilane (5.4 g) was further added, and the mixture was stirred at room temperature (25 ° C.) for 5 hours. After completion of the reaction, 10% by mass aqueous sodium hydroxide solution was added to make it basic, ethyl acetate was added, and the mixed solution was washed with pure water and dried over sodium sulfate. This was purified by column chromatography (hexane) to obtain 4.5 g of 10- (4-bromophenyl) -3,7-dihexyl-10H-phenothiazine.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

次に、下記スキームに従い、300mlフラスコに窒素雰囲気下でテトラ(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.3g)をトルエン(5ml)に溶解させた。続いて10−(4−ブロモフェニル)−3,7−ジヘキシル−10H−フェノチアジン(4.5g)、トルエン(10ml)、1M炭酸水素ナトリウム水溶液(10ml)、エタノール(5ml)、2−クロロチオフェンボロン酸(1.99g)の順に加え、11時間還流した。反応終了後、反応溶液を濾過し純水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。これをカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:ヘキサン=1:9)にて精製を行い、10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル)−3,7−ジヘキシル−10H−フェノチアジン3.6gを得た。   Next, according to the following scheme, tetra (triphenylphosphine) palladium (0.3 g) was dissolved in toluene (5 ml) in a 300 ml flask under a nitrogen atmosphere. Subsequently, 10- (4-bromophenyl) -3,7-dihexyl-10H-phenothiazine (4.5 g), toluene (10 ml), 1M aqueous sodium hydrogen carbonate solution (10 ml), ethanol (5 ml), 2-chlorothiophene boron The acid (1.99 g) was added in that order and refluxed for 11 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was filtered, washed with pure water, and dried over sodium sulfate. This was purified by column chromatography (chloroform: hexane = 1: 9) and 3.6 g of 10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl) -3,7-dihexyl-10H-phenothiazine. Got.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

さらに、下記スキームに従い、100mlフラスコに窒素雰囲気下で塩化ニッケル(0.84g)、トリフェニルホスフィン(6.7g)を入れ、無水DMF(ジメチルホルムアミド:20ml)に溶解させた。その後、50℃まで加熱して亜鉛(0.4g)を加えた。溶液が赤色に変化したのを確認から、さらに50℃で1時間加熱した。その後、DMF(15ml)に溶解した10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル)−3,7−ジヘキシル−10H−フェノチアジン(3.6g)を加えて、さらに50℃で3時間加熱した。反応終了後、純水に反応溶液を入れ撹拌した。濾過し、5質量%EDTA水溶液(エチレンジアミンテトラ酢酸水溶液)及び純水で洗浄し、乾燥して粗生成物を得た。粗生成物を酢酸エチル+ヘキサンで再結晶を行い、[例示化合物9]1.6gを得た。   Further, according to the following scheme, nickel chloride (0.84 g) and triphenylphosphine (6.7 g) were placed in a 100 ml flask under a nitrogen atmosphere and dissolved in anhydrous DMF (dimethylformamide: 20 ml). Then, it heated to 50 degreeC and added zinc (0.4g). After confirming that the solution turned red, the solution was further heated at 50 ° C. for 1 hour. Thereafter, 10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl) -3,7-dihexyl-10H-phenothiazine (3.6 g) dissolved in DMF (15 ml) was added, and further 3 Heated for hours. After completion of the reaction, the reaction solution was put into pure water and stirred. Filtered, washed with 5% by mass EDTA aqueous solution (ethylenediaminetetraacetic acid aqueous solution) and pure water, and dried to obtain a crude product. The crude product was recrystallized from ethyl acetate + hexane to obtain 1.6 g of [Exemplary Compound 9].

Figure 2010128458
Figure 2010128458

(合成例2−例示化合物10−)
合成例1において、ヘキサン酸クロリド(4.6g)の代わりにn−オクタノイルクロリド(5.6g)を用いた以外は、合成例1と同様に行い、[例示化合物10]2.0gを得た。
(Synthesis Example 2-Exemplary Compound 10-)
The same procedure as in Synthetic Example 1 was performed except that n-octanoyl chloride (5.6 g) was used instead of hexanoic acid chloride (4.6 g) in Synthesis Example 1, and 2.0 g of [Exemplary Compound 10] was obtained. It was.

(合成例3−例示化合物23−) (Synthesis Example 3-Exemplary Compound 23-)

下記スキームに従い、200ml二口フラスコに、フェノチアジン(10.0g)、2−クロロ−5−(4−ヨードフェニル)チオフェン(14.5g)、硫酸銅五水和物(1.3g)、炭酸カリウム(10g)、o−ジクロロベンゼン(50ml)を入れ、窒素雰囲気下180℃で13時間加熱した。反応終了後、トルエンを加え濾過し、これをカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:ヘキサン=1:4)及びエタノールとクロロホルムで再結晶を行い、10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル)−10H−フェノチアジンを7.6g得た。   According to the following scheme, in a 200 ml two-necked flask, phenothiazine (10.0 g), 2-chloro-5- (4-iodophenyl) thiophene (14.5 g), copper sulfate pentahydrate (1.3 g), potassium carbonate (10 g) and o-dichlorobenzene (50 ml) were added and heated at 180 ° C. for 13 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, toluene was added and filtered, and this was recrystallized from column chromatography (chloroform: hexane = 1: 4) and ethanol and chloroform to give 10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl. ) 7.6 g of -10H-phenothiazine was obtained.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

次に、下記スキームに従い、300mlフラスコに10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル)−10H−フェノチアジン(7.6g)をクロロホルム(100ml)に溶解させた。N−ブロモスクシンイミド(6.9g)を加えて室温(25℃)で2時間撹拌した。反応終了、純水で洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥させた。これをカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:ヘキサン=1:5)及びヘキサン+クロロホルムで再結晶を行い、3,7−ジブロモ−10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル)−10H−フェノチアジン5.1gを得た。   Next, according to the following scheme, 10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl) -10H-phenothiazine (7.6 g) was dissolved in chloroform (100 ml) in a 300 ml flask. N-bromosuccinimide (6.9 g) was added and stirred at room temperature (25 ° C.) for 2 hours. After completion of the reaction, it was washed with pure water and dried with sodium sulfate. This was recrystallized from column chromatography (chloroform: hexane = 1: 5) and hexane + chloroform, and 3,7-dibromo-10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl) -10H- 5.1 g of phenothiazine was obtained.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

次に、下記スキームに従い、窒素雰囲気下で200mlフラスコにテトラ(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.6g)をトルエン(5ml)に溶解させた。続いて3,7−ジブロモ−10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル)−10H−フェノチアジン(5.0g)、トルエン(50ml)、1M炭酸水素ナトリウム水溶液(50ml)、エタノール(10ml)、2−ヘキシルチオフェンボロン酸(5.6g)の順に加え、16時間還流した。反応終了後,反応溶液を吸引濾過し、純水で洗浄し塩化カルシウムで乾燥させた。これをエタノール+クロロホルムで再結晶を行い、10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル−3,7−ビス(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)−10H−フェノチアジン4.6gを得た。   Next, tetra (triphenylphosphine) palladium (0.6 g) was dissolved in toluene (5 ml) in a 200 ml flask according to the following scheme. Subsequently, 3,7-dibromo-10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl) -10H-phenothiazine (5.0 g), toluene (50 ml), 1M aqueous sodium hydrogen carbonate solution (50 ml), ethanol ( 10 ml) and 2-hexylthiopheneboronic acid (5.6 g) in this order and refluxed for 16 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was filtered with suction, washed with pure water and dried over calcium chloride. This was recrystallized from ethanol + chloroform and 10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl-3,7-bis (5-hexylthiophen-2-yl) -10H-phenothiazine 4.6 g. Got.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

続いて、下記スキームに従い、200mlフラスコに塩化ニッケル(0.8g)、トリフェニルホスフィン(6.7g)を入れ、無水DMF(50ml)に溶解させ、窒素雰囲気下で50℃まで加熱した後、亜鉛(0.4g)を加えた。反応溶液が赤色に換わってから50℃で1時間加熱した。その後、10−(4−(5−クロロチオフェン−2−イル)フェニル−3,7−ビス(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)−10H−フェノチアジン(4.6g)を加え、さらに50℃で2時間加熱した。反応終了後、純水を加え撹拌した。その後、吸引濾過を行い、5%EDTA水溶液及び純水で洗浄して乾燥し、粗生成物を得た。これを酢酸エチル+ヘキサンで再結晶を行い、[例示化合物23]2.7gを得た。   Subsequently, according to the following scheme, nickel chloride (0.8 g) and triphenylphosphine (6.7 g) were placed in a 200 ml flask, dissolved in anhydrous DMF (50 ml), heated to 50 ° C. under a nitrogen atmosphere, and then zinc (0.4 g) was added. After the reaction solution turned red, it was heated at 50 ° C. for 1 hour. Thereafter, 10- (4- (5-chlorothiophen-2-yl) phenyl-3,7-bis (5-hexylthiophen-2-yl) -10H-phenothiazine (4.6 g) was added, and further at 50 ° C. After the reaction was completed, pure water was added and stirred, followed by suction filtration, washing with 5% EDTA aqueous solution and pure water, and drying to obtain a crude product, which was ethyl acetate + hexane. And 2.7 g of [Exemplary Compound 23] was obtained.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

(合成例4−例示化合物15−)
合成例3において、2−ヘキシルチオフェンボロン酸(5.6g)の代わりに、2−チオフェンボロン酸(8.8g)を用いた以外は、合成例3と同様に行い、[例示化合物15]3.1gを得た。
(Synthesis Example 4-Exemplary Compound 15-)
In Synthesis Example 3, the same procedure as in Synthesis Example 3 was performed except that 2-thiopheneboronic acid (8.8 g) was used instead of 2-hexylthiopheneboronic acid (5.6 g), and [Exemplary Compound 15] 3 0.1 g was obtained.

また、得られた化合物は、赤外線吸収測定(KBr錠剤法、株式会社 堀場製作所、FT−730、分解能4cm−1))、NMR測定(H−NMR、溶媒:CDCl、VARIAN株式会社製、UNITY−300、300MHz)を行った。
例として、[例示化合物9]の赤外線吸収スペクトルを図6に、H−NMRスペクトルを図7に、[例示化合物23]の赤外線吸収スペクトルを図8に、H−NMRスペクトル(H−NMR、溶媒:CDCl)を図9に示す。
Moreover, the obtained compound is infrared absorption measurement (KBr tablet method, Horiba, Ltd., FT-730, resolution 4 cm −1 )), NMR measurement ( 1 H-NMR, solvent: CDCl 3 , manufactured by Varian Co., Ltd., UNITY-300, 300 MHz).
As an example, the infrared absorption spectrum of [Exemplary Compound 9] is shown in FIG. 6, the 1 H-NMR spectrum is shown in FIG. 7, the infrared absorption spectrum of [Exemplary Compound 23] is shown in FIG. 8, and the 1 H-NMR spectrum ( 1 H— NMR, solvent: CDCl 3 ) is shown in FIG.

(実施例1)
アルミニウム基板上に、ジルコニウム化合物(オルガチックスZC540、マツモト製薬社製)10重量部及びシラン化合物(A1110、日本ユニカー社製)1重量部とi−プロパノール40重量部及びブタノール20重量部からなる溶液を浸漬コーティング法にて塗布し、150℃において10分間加熱乾燥し、膜厚0.6μmの下引き層を形成した。この上に、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4°、16.6°、25.5°及び28.3°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン結晶の1重量部を、ポリビニルブチラール樹脂(エスレックBM−S、積水化学社製)1重量部及び酢酸n−ブチル100重量部と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで1時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層の上に浸漬コーティング法で塗布し、100℃において10分間加熱乾燥し、電荷発生層を形成した。
次に、上記によりえられた例示化合物9を2重量部と、以下に構造を示すビスフェノール(Z)高分子化合物(粘度平均分子量:40,000)3重量部をクロロベンゼン35重量部に加熱溶解後,室温(25℃)に戻した。この塗布液を前記電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、110℃、60分の加熱を行って膜厚20μmの電荷輸送層を形成した。
Example 1
A solution comprising 10 parts by weight of a zirconium compound (Orgatechs ZC540, manufactured by Matsumoto Pharmaceutical Co., Ltd.), 1 part by weight of a silane compound (A1110, manufactured by Nihon Unicar), 40 parts by weight of i-propanol and 20 parts by weight of butanol on an aluminum substrate. The film was applied by a dip coating method and dried by heating at 150 ° C. for 10 minutes to form an undercoat layer having a thickness of 0.6 μm. On top of this, chlorogallium phthalocyanine crystals with strong diffraction peaks at Bragg angles (2θ ± 0.2 °) of 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° in the X-ray diffraction spectrum. 1 part by weight is mixed with 1 part by weight of polyvinyl butyral resin (S-REC BM-S, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) and 100 parts by weight of n-butyl acetate, and dispersed with a glass shaker and a paint shaker for 1 hour. The obtained coating solution was applied onto the undercoat layer by a dip coating method and dried by heating at 100 ° C. for 10 minutes to form a charge generation layer.
Next, 2 parts by weight of Exemplified Compound 9 obtained above and 3 parts by weight of a bisphenol (Z) polymer compound (viscosity average molecular weight: 40,000) having the following structure are heated and dissolved in 35 parts by weight of chlorobenzene. , Returned to room temperature (25 ° C.). This coating solution was applied onto the charge generation layer by dip coating, and heated at 110 ° C. for 60 minutes to form a charge transport layer having a thickness of 20 μm.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

(実施例2〜実施例4)
実施例1で用いた例示化合物9に代えて、例示化合物10、例示化合物23、および例示化合物15をそれぞれ用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
(Example 2 to Example 4)
An image carrier for an image forming apparatus was produced by the method described in Example 1, except that Example Compound 10, Example Compound 23, and Example Compound 15 were used instead of Example Compound 9 used in Example 1. .

(実施例5)
実施例1で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°及び28.3°に強い回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
(Example 5)
Instead of the chlorogallium phthalocyanine crystal used in Example 1, 7.5 °, 9.9 °, 12.5 °, 16.3 ° of the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) in the X-ray diffraction spectrum, An image carrier for an image forming apparatus was produced by the method described in Example 1, except that a hydroxygallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 18.6 °, 25.1 °, and 28.3 ° was used.

(比較例1)
実施例1で用いた例示化合物9に代えて、下記構造の化合物(X)を用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
(Comparative Example 1)
An image carrier for an image forming apparatus was produced by the method described in Example 1 except that the compound (X) having the following structure was used instead of the exemplified compound 9 used in Example 1.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

(比較例2)
実施例1で用いた例示化合物9に代えて、下記構造の化合物(XI)を用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
(Comparative Example 2)
An image carrier for an image forming apparatus was produced by the method described in Example 1 except that the compound (XI) having the following structure was used instead of the exemplified compound 9 used in Example 1.

Figure 2010128458
Figure 2010128458

上記実施例1から実施例5および比較例1から比較例2で得られた、それぞれの画像形成装置用像保持体を用い、電子写真特性について、静電複写紙試験装置(エレクトロスタティックアナライザーEPA−8100、川口電気社製)を用いて、常温常湿(20℃、40%RH)の環境下、−6KVのコロナ放電を行い、帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて800nmの単色光にし、感光体表面上で1μW/cm2になるように調整して、照射した。そして、その表面電位VO(ボルト)、半減露光量E1/2(erg/cm2)を測定し、その後、10ルックスの白色光を1秒間照射し、残留電位VRP(ボルト)を測定した。更に上記の帯電、露光を1000回繰り返した後のV0、E1/2、VRPを測定し、またその変動量をΔV0、ΔE1/2、ΔVRPを評価した(安定性、耐久性)。 Using the respective image forming apparatus image carriers obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2, the electrophotographic characteristics of the electrophotographic copying paper test apparatus (electrostatic analyzer EPA- 8100, manufactured by Kawaguchi Denki Co., Ltd.), charged at −6 KV corona discharge in an environment of normal temperature and normal humidity (20 ° C., 40% RH), and charged with a monochromator using a monochromator. Irradiation was performed with a monochromatic light of 800 nm, adjusted to 1 μW / cm 2 on the surface of the photoreceptor. Then, the surface potential VO (volt) and the half-exposure amount E1 / 2 (erg / cm 2 ) were measured, and then 10 lux white light was irradiated for 1 second, and the residual potential VRP (volt) was measured. Further, V0, E1 / 2, and VRP after 1000 times of the above charging and exposure were measured, and ΔV0, ΔE1 / 2, and ΔVRP were evaluated for their fluctuation amounts (stability and durability).

つぎに上記実施例および比較例で得られた画像形成装置用像保持体を用い、画像形成装置を作製した。画像形成装置用像保持体以外の要素は、富士ゼロックス製プリンターDocucenter C6550Iに搭載されたものを用いた。
各画像形成装置について、高温高湿(28℃、75%RH)の環境下で1万枚分の画像形成テスト(画像濃度10%、シアン100%)を実施した。なお、本テスト条件においては、各カートリッジのプロセスは通常通り行われるが、シアン以外のカートリッジのトナーは使用(供給)されない。テスト後、トナーのクリーニング性(クリーニング不良による帯電器の汚れや画質劣化)、画質(プロセスブラック1dotライン斜め45度細線再現性)を評価した。得られた結果を表1に示す。
Next, an image forming apparatus was produced using the image carrier for the image forming apparatus obtained in the above examples and comparative examples. As elements other than the image carrier for the image forming apparatus, those mounted on a printer Documenter C6550I manufactured by Fuji Xerox were used.
Each image forming apparatus was subjected to an image forming test (image density 10%, cyan 100%) for 10,000 sheets in an environment of high temperature and high humidity (28 ° C., 75% RH). In this test condition, the process of each cartridge is performed as usual, but toners of cartridges other than cyan are not used (supplied). After the test, toner cleaning properties (charger contamination and image quality deterioration due to poor cleaning) and image quality (process black 1 dot line oblique 45 degree fine line reproducibility) were evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

トナーのクリーニング性の評価方法
目視にて、
○:良好
△:部分的(全体の10%程度以下)にスジ状の画質欠陥あり
×:広範にスジ状の画質欠陥あり
の基準で判定した。
Toner cleaning property evaluation method
○: Good △: Partially (about 10% or less of the total) streak-like image quality defect ×: Extensive streak-like image quality defect was determined based on the criteria.

画質は拡大鏡を用いて判断し、以下の評価基準に基づいて評価した。
A:良好
B:部分的に欠陥有り(実用上は問題なし)
C:欠陥有り(細線が再現できていない)
The image quality was judged using a magnifying glass and evaluated based on the following evaluation criteria.
A: Good B: Partially defective (no problem in practical use)
C: Defects (thin lines cannot be reproduced)

Figure 2010128458
Figure 2010128458

上記の結果から、本実施例で得られた画像形成装置用像保持体は、比較例に比べて繰り返し使用による残留電位変動が低いことがわかる。また該画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置で得られた画像は、画質も良好であることがわかる。   From the above results, it can be seen that the image carrier for the image forming apparatus obtained in this example has a lower residual potential variation due to repeated use than in the comparative example. It can also be seen that the image obtained by the image forming apparatus having the image carrier for the image forming apparatus has good image quality.

第1実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an image carrier for an image forming apparatus according to a first embodiment. 第2実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an image carrier for an image forming apparatus according to a second embodiment. 第3実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of an image holding body for an image forming apparatus according to a third embodiment. 実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of an image forming apparatus according to an embodiment. 実施形態に係るプロセスカートリッジの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the process cartridge which concerns on embodiment. 合成例1で得られた化合物の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。3 is a graph showing an infrared absorption spectrum of the compound obtained in Synthesis Example 1. 合成例1で得られた化合物のNMRスペクトルを示すグラフである。3 is a graph showing an NMR spectrum of the compound obtained in Synthesis Example 1. 合成例3で得られた化合物の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。6 is a graph showing an infrared absorption spectrum of the compound obtained in Synthesis Example 3. 合成例3で得られた化合物のNMRスペクトルを示すグラフである。6 is a graph showing an NMR spectrum of the compound obtained in Synthesis Example 3.

符号の説明Explanation of symbols

1 画像形成装置用像保持体
2 導電性支持体
3 感光層
4 下引き層
5 電荷発生層
6 電荷輸送層
7 保護層
8 電荷発生・輸送層
200 画像形成装置
207 画像形成装置用像保持体
208 帯電装置
209 電源
210 露光装置
211 現像装置
212 転写装置
213 クリーニング装置
214 除電器
215 定着装置
216 取り付けレール
217 除電露光のための開口部
218 露光のための開口部
300 プロセスカートリッジ
500 被転写体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image carrier for image forming apparatuses 2 Conductive support 3 Photosensitive layer 4 Subbing layer 5 Charge generation layer 6 Charge transport layer 7 Protective layer 8 Charge generation / transport layer 200 Image forming apparatus 207 Image carrier for image forming apparatus 208 Charging device 209 Power source 210 Exposure device 211 Development device 212 Transfer device 213 Cleaning device 214 Static eliminator 215 Fixing device 216 Mounting rail 217 Opening portion 218 for static elimination exposure Opening portion 300 for exposure Process cartridge 500 Transfer object

Claims (3)

支持体と、該支持体上に下記一般式(I)で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
Figure 2010128458


〔一般式(I)中、Arは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の1価の芳香族基、又は芳香族複素環を含む置換もしくは未置換の1価の芳香族基を表し、nは1以上3以下の整数を表す。〕
An image carrier for an image forming apparatus, comprising: a support; and a photosensitive layer containing a compound represented by the following general formula (I) on the support.
Figure 2010128458


[In the general formula (I), each Ar is independently a substituted or unsubstituted hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group, or an aromatic heterocyclic ring. Represents a monovalent aromatic group, and n represents an integer of 1 to 3. ]
請求項1記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも1つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジ。   2. An image carrier for an image forming apparatus according to claim 1, charging means for charging the image carrier for the image forming apparatus, and exposure for exposing the charged image carrier for the image forming apparatus to form an electrostatic latent image. At least selected from: developing means for developing the electrostatic latent image to form a toner image; transfer means for transferring the toner image to a transfer target; and cleaning means for cleaning the image carrier for the image forming apparatus. And a process cartridge having at least one. 請求項1記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装手段と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置。   2. An image carrier for an image forming apparatus according to claim 1, charging means for charging the image carrier for the image forming apparatus, and exposing the charged image carrier for the image forming apparatus to form an electrostatic latent image. An image forming apparatus comprising: an exposing unit that develops; a developing unit that develops the electrostatic latent image to form a toner image; and a transfer unit that transfers the toner image to a transfer target.
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