JP2010124166A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路装置において用いられるサンプリングクロックの生成技術に関し、特に、デジタルカメラなどに用いられるサンプリングクロックの生成に有効な技術に関する。 The present invention relates to a technique for generating a sampling clock used in a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique effective for generating a sampling clock used in a digital camera or the like.
デジタルカメラなどにおけるサンプリングクロック調整用などとして、DLL(Delay Locked Loop)回路が広く用いられている。このDLL回路は、基本構成として遅延素子、位相周波数比較器、チャージポンプ、およびループフィルタから構成される負帰還回路である。 A DLL (Delay Locked Loop) circuit is widely used for adjusting a sampling clock in a digital camera or the like. This DLL circuit is a negative feedback circuit including a delay element, a phase frequency comparator, a charge pump, and a loop filter as a basic configuration.
この回路に期待される機能は、入力クロックに対し、遅延素子の出力クロックがちょうど1周期遅れにロックさせる。負帰還動作によって、プロセス、電源電圧、温度のばらつきに依存しないクロック遅延を生成できる。 The expected function of this circuit is to lock the output clock of the delay element to exactly one cycle behind the input clock. The negative feedback operation can generate a clock delay independent of process, power supply voltage, and temperature variations.
DLL回路を構成する位相周波数比較器は、内部にラッチ回路を含むため、DLL回路が1周期遅れにロックするよう期待動作をさせるには、予めラッチ回路の内部状態をリセットする必要がある。 Since the phase frequency comparator constituting the DLL circuit includes a latch circuit therein, it is necessary to reset the internal state of the latch circuit in advance in order for the DLL circuit to perform an expected operation so as to be delayed by one cycle.
その上、たとえ動作開始時にリセットさせて期待通りの動作をさせても、たとえば、サージが印加され位相周波数比較器の2つの入力クロックに予期せぬパルスが発生し、そのエッジを検出した場合、正常ロックからはずれてしまう。 In addition, even if the operation is performed as expected by resetting at the start of the operation, for example, when a surge is applied and an unexpected pulse is generated in the two input clocks of the phase frequency comparator and its edge is detected, The normal lock will be lost.
その場合、2周期、またはそれ以上の整数倍周期の遅延時間にロックしたりする(擬似ロック)。または0周期目にロックさせようとし、遅延素子の遅延時間最小値に収束してしまう現象に陥る。前者の擬似ロックは、可変遅延ライン各段から出力される複数のクロックの遅延時間を検出する遅延検出回路を設けることによって対策可能であるが、後者の現象、すなわちロックはずれは新たな対策が必要となった。 In that case, it is locked to a delay time of two cycles or an integer multiple cycle (pseudo lock). Or, it tries to lock in the 0th cycle and falls into a phenomenon that converges to the minimum delay time of the delay element. The former pseudo-lock can be countered by providing a delay detection circuit that detects the delay time of multiple clocks output from each stage of the variable delay line, but the latter phenomenon, that is, loss of lock requires a new countermeasure. It became.
DLL回路におけるロックはずれの対策技術としては、たとえば、遅延素子の遅延時間が最小値となるときの、ループフィルタ容量電圧値である制御電圧に着目し、位相周波数比較器をリセットするものがある。 As a countermeasure technique against the loss of lock in the DLL circuit, for example, there is a technique of resetting the phase frequency comparator by paying attention to the control voltage that is the loop filter capacitance voltage value when the delay time of the delay element becomes the minimum value.
遅延素子が、その遅延時間が小さくなるほど制御電圧が上昇する伝達特性を持つ場合、ある電圧値以上になるとロックはずれと判定する。回路構成としては電圧比較器を設け、その一つの入力には制御電圧を、他方の入力には任意に設定したバイアス電圧を与える。 When the delay element has a transfer characteristic in which the control voltage increases as the delay time becomes smaller, it is determined that the lock is lost when the delay element exceeds a certain voltage value. As a circuit configuration, a voltage comparator is provided, and a control voltage is given to one input, and a bias voltage arbitrarily set is given to the other input.
たとえば、電源電圧が約3V動作の回路では、約2.5Vをバイアス電圧として与え、制御電圧が約2.5V以上の場合にロックはずれと判定し、位相周波数比較器、および制御電圧をリセットする。また、約2.5V未満の場合には、正常ロック状態と判定する。 For example, in a circuit whose power supply voltage is about 3V, about 2.5V is applied as a bias voltage, and when the control voltage is about 2.5V or more, it is determined that the lock is lost, and the phase frequency comparator and the control voltage are reset. . If it is less than about 2.5 V, it is determined that the lock is normal.
なお、この種のDLL回路としては、制御回路が第1のクロックの供給を開始すると、位相周波数比較器が第2のクロックのエッジを先のタイミングのエッジとして、このタイミングの直後の第1のクロックのエッジとの比較動作を実行し、遅延回路がクロック1周期よりも小さい遅延時間に設定されている際に、第2のクロックのエッジを第1のクロック信号の対応エッジより1サイクル後のエッジと比較することにより、遅延時間を入力クロックの1周期に安定させるものが知られている(たとえば、特許文献1参照)。
ところが、上記のような電圧比較を有するDLL回路におけるロックはずれの防止技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。 However, the present inventor has found that there is the following problem in the technique for preventing the loss of lock in the DLL circuit having the voltage comparison as described above.
すなわち、上記したロックはずれ対策では、外部から判定用のバイアス電圧を供給する必要があるので、そのバイアス電圧設定が電源電圧、動作周波数、プロセス、温度などを考慮し選択する必要があり、電圧設定が困難であるという問題がある。 In other words, since the above-mentioned countermeasure against loss of lock requires supplying a bias voltage for determination from the outside, it is necessary to select the bias voltage setting in consideration of the power supply voltage, operating frequency, process, temperature, etc. There is a problem that is difficult.
また、制御電圧とバイアス電圧とを比較する比較器を新たに設けなければならないので、電力消費が増加してしまうという問題も生じてしまうことになる。 Further, since a new comparator for comparing the control voltage and the bias voltage must be provided, there arises a problem that the power consumption increases.
さらに、特許文献1の技術においては、ロックはずれから正常ロックに自動復帰させるために別途の発振器が必要となってしまい、それにより、レイアウト面積、消費電力、ならびに雑音増加などの問題が生じる恐れがある。 Furthermore, in the technique of Patent Document 1, a separate oscillator is required to automatically return from lock loss to normal lock, which may cause problems such as layout area, power consumption, and noise increase. is there.
本発明の目的は、DLL回路においてロックはずれが発生しても、短時間で確実に正常ロック状態に復帰させることのできる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of reliably returning to a normal lock state in a short time even when a lock loss occurs in a DLL circuit.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
本発明は、DLL回路に関するものであり、直列接続された複数の遅延素子からなり、DLL回路への入力クロックである基本クロックを遅延させて遅延クロックとして出力する遅延回路と、該遅延回路が生成した遅延クロックと基本クロックとの位相差を検出し、UPパルス、またはDOWNパルスを生成する位相周波数比較器と、該位相周波数比較器から出力されるUPパルス、またはDOWNパルスに応じて、制御電圧を発生させるチャージポンプ回路と、遅延回路における遅延素子からそれぞれ出力される遅延信号から、遅延素子の遅延時間が縮小し、最小値に収束するロックはずれを検出し、そのロックはずれから正常ロックに復帰させる制御を行うロックはずれ検出制御手段とを備えたクロック発生部を有したものである。 The present invention relates to a DLL circuit, comprising a plurality of delay elements connected in series, a delay circuit that delays a basic clock that is an input clock to the DLL circuit and outputs the delayed clock, and the delay circuit generates the delay circuit A phase frequency comparator that detects a phase difference between the delayed clock and the basic clock and generates an UP pulse or DOWN pulse, and a control voltage according to the UP pulse or DOWN pulse output from the phase frequency comparator The delay time of the delay element is reduced from the delay signal output from the delay element in the delay circuit and the charge pump circuit that generates the error, the lock failure that converges to the minimum value is detected, and the lock is restored from the failure to the normal lock And a clock generation unit having a lock deviation detection control means for performing control.
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。 Moreover, the outline | summary of the other invention of this application is shown briefly.
本発明は、前記ロックはずれ検出制御手段が、各々の遅延素子から出力される遅延信号の電圧レベルを取り込み、取り込んだ電圧レベルの組み合わせが所定の組み合わせとなった際に最小遅延時間検出信号を出力する遅延検出回路と、該遅延検出回路から最小遅延時間検出信号が出力され、かつ位相周波数比較器からUPパルスが出力されている際に、ロックはずれと判定し、ロックはずれ検出信号を出力するロックはずれ検出部と、該ロックはずれ検出部から出力されたロックはずれ検出信号基づいて、所定の期間、リセット信号を出力し、位相周波数比較器をリセットするリセット制御部とを備えたものである。 In the present invention, the lock loss detection control means takes in the voltage level of the delay signal output from each delay element, and outputs the minimum delay time detection signal when the combination of the taken voltage levels becomes a predetermined combination. A delay detection circuit that outputs a minimum deviation time detection signal from the delay detection circuit and an UP pulse from the phase frequency comparator. A loss detection unit and a reset control unit that outputs a reset signal for a predetermined period and resets the phase frequency comparator based on the lock loss detection signal output from the lock loss detection unit.
さらに、本発明は、前記遅延検出回路が、最小遅延時間検出信号を出力する電圧レベルの所定の組み合わせが、すべての前記遅延素子からHレベルの信号が出力される組み合わせとなるものである。 Further, according to the present invention, the predetermined combination of voltage levels at which the delay detection circuit outputs the minimum delay time detection signal is a combination in which H level signals are output from all the delay elements.
また、本発明は、前記ロックはずれ検出制御手段が、リセット制御部から出力されるリセット信号に基づいて、チャージポンプ回路から出力される制御電圧を電源電圧にショートするスイッチ部を備えたものである。 According to the present invention, the lock loss detection control means includes a switch unit that short-circuits the control voltage output from the charge pump circuit to the power supply voltage based on a reset signal output from the reset control unit. .
さらに、本発明は、前記遅延検出回路が、UPパルスのグリッチをマスキングするために遅延回路が発生する8/9位相のクロックを最小遅延時間検出信号として出力するものである。 Further, according to the present invention, the delay detection circuit outputs an 8 / 9-phase clock generated by the delay circuit as a minimum delay time detection signal in order to mask the glitch of the UP pulse.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
(1)ロックはずれを確実に排除することができ、安定した高精度なサンプリングクロックを生成することができる。 (1) It is possible to surely eliminate the loss of lock and generate a stable and highly accurate sampling clock.
(2)上記(1)により、デジタルカメラなどの電子機器に用いた場合、該電子機器の性能、および信頼性を向上させることができる。 (2) According to the above (1), when used in an electronic device such as a digital camera, the performance and reliability of the electronic device can be improved.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.
図1は、本発明の一実施の形態によるデジタルカメラシステムなどに用いられる画像前処理部のブロック図、図2は、図1の画像前処理部に設けられたDLL回路における構成の一例を示したブロック図、図3は、図2のDLL回路に用いられる位相周波数比較器の一例を示す回路図、図4は、図3の位相周波数比較器における状態遷移図、図5は、図4の状態遷移におけるタイミングチャート、図6は、図2のDLL回路に設けられた遅延素子各段のクロック波形の一例を示した説明図、図7は、図2のDLL回路に設けられた位相周波数比較器の伝達特性を示した説明図、図8は、図2のDLL回路に設けられた遅延検出回路の回路構成例を示す説明図、図9は、図8の遅延検出回路から出力される最小遅延時間検出信号の説明図である。 FIG. 1 is a block diagram of an image preprocessing unit used in a digital camera system or the like according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows an example of a configuration of a DLL circuit provided in the image preprocessing unit of FIG. FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a phase frequency comparator used in the DLL circuit of FIG. 2, FIG. 4 is a state transition diagram in the phase frequency comparator of FIG. 3, and FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of a clock waveform at each stage of the delay element provided in the DLL circuit of FIG. 2, and FIG. 7 is a phase frequency comparison provided in the DLL circuit of FIG. FIG. 8 is an explanatory diagram showing a circuit configuration example of a delay detection circuit provided in the DLL circuit of FIG. 2, and FIG. 9 is a minimum output from the delay detection circuit of FIG. It is explanatory drawing of a delay time detection signal.
本実施の形態1において、画像前処理部1は、たとえば、デジタルカメラシステムなどに用いられる画像前処理用半導体集積回路装置である。この画像前処理部1は、各画素から取り込んだ信号レベルと基準となる黒レベルとをそれぞれ交互にサンプリングし、それらを比較することにより信号レベルを決定する。 In the first embodiment, the image preprocessing unit 1 is a semiconductor integrated circuit device for image preprocessing used in, for example, a digital camera system. The image preprocessing unit 1 alternately samples the signal level captured from each pixel and the reference black level, and determines the signal level by comparing them.
画像前処理部1は、図1に示すように、CDS(差電圧検出部)2、PGA(差電圧増幅部)3、A/D変換器4、ロジック回路5、クロック発生部となるDLL回路6、ならびにタイミング発生器7から構成されており、これらが1チップ化した半導体集積回路装置となって構成されている。
As shown in FIG. 1, the image preprocessing unit 1 includes a CDS (differential voltage detection unit) 2, a PGA (differential voltage amplification unit) 3, an A / D converter 4, a
CDS2には、撮像素子8が接続されている。撮像素子8は、たとえばCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサなどからなり、レンズによって結像した映像を電圧信号に変換する。この撮像素子8は、基準となる黒レベルと取り込んだ信号レベルとを交互に出力する。
An
CDS2は、相関二重サンプリング回路であり、撮像素子8から出力される黒レベルと信号レベルとをDLL回路6から出力される黒レベルサンプリングクロックSPBLK、信号サンプリングクロックSPSIGに同期してサンプリングし、その差信号を出力する。
CDS2 is a correlated double sampling circuit that samples the black level and signal level output from the
CDS2が検出した差信号は、PGA3で増幅し、A/D変換器4でデジタル値に変換して出力される。このA/D変換器4には、DSP9が接続されている。DSP9は、A/D変換器4から出力されたデジタルデータを処理する。
The difference signal detected by the
ロジック回路5には、DLL回路6が接続されている。このロジック回路5からは、位相遅延の設定信号が出力される。また、DLL回路6には、タイミング発生器7が接続されている。
A
タイミング発生器7は、外部入力された外部クロックから、DLL回路6に供給する基本クロックREFを生成して出力する。DLL回路6は、入力された基本クロックから、CDS2に供給する信号サンプリングクロックSPSIG、黒レベルサンプリングクロックSPBLK、および撮像素子8に供給するサンプリング信号、PGA3に供給するサンプリング信号、およびA/D変換器4に供給するサンプリング信号をそれぞれ生成する。
The
図2は、DLL回路6における構成の一例を示したブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the
DLL回路6は、図示するように、クロック発生器10、位相周波数比較器11、チャージポンプ12、遅延回路13、ループフィルタ容量14、ロックはずれ検出制御手段を構成する遅延検出回路15、およびロックはずれ検出制御手段を構成するロックはずれ検出制御部16から構成されている。
As shown in the figure, the
ロックはずれ検出制御部16は、DLL回路6に後述するロックはずれが発生したことを検出し、そのロックはずれから正常ロックに復帰させる制御を行う。
The lock detachment
また、ロックはずれ検出制御部16は、リセット制御部となるリセット期間保持カウンタ17、制御電圧ショート用スイッチ18、UPパルスカウンタ19、カウンタ制御部20、カウンタ入力制御部21、ならびにカウンタリセット制御部22から構成されている。
Further, the unlock
さらに、制御電圧ショート用スイッチ18、UPパルスカウンタ19、カウンタ制御部20、カウンタ入力制御部21、およびカウンタリセット制御部22によってロックはずれ検出部が構成されている。
Further, the control voltage short-
位相周波数比較器11の一方の入力部、ならびに遅延検出回路15の入力部には、クロック発生器10から出力される基本クロックがそれぞれ入力されるように接続されている。
The basic clock output from the
また、遅延回路13の出力部には、位相周波数比較器11の他方の入力部が接続されている。位相周波数比較器11は、基本クロックと遅延回路13から出力された遅延クロックとの位相差を比較し、UPパルス、DOWNパルスを生成する。
The other input unit of the
位相周波数比較器11には、チャージポンプ12が接続されており、該チャージポンプ12には、ループフィルタ容量14が接続されている。チャージポンプ12は、位相周波数比較器11から出力されるUPまたはDOWNパルスに応じて、充電電流または放電電流をパルス状にそれぞれ発生させる。
A
ループフィルタ容量14は、チャージポンプ12が発生した充放電電流を時間積分して制御電圧CNTLを生成し、遅延回路13に出力する。遅延回路13は、基本クロックに対して電圧制御CNTLに対応した時間だけ遅延した遅延クロックを出力する。
The
遅延回路13は、複数の遅延素子が直列接続された構成からなり、該遅延素子は、たとえば、直列接続された2つのインバータなどから構成されている。さらに、遅延回路13を構成する遅延素子の各段の出力部には、遅延検出回路15に設けられた複数の入力部がそれぞれ接続されている。
The
遅延検出回路15は、遅延素子の遅延時間を検出し、その検出結果に応じて、擬似ロック検出信号K1、および最小遅延時間検出信号K2を出力する。カウンタ制御部20は、インバータ20aと否定論理和回路20bとから構成されている。
The
カウンタ制御部20は、擬似ロック検出信号K1、およびUPパルスカウンタ19から出力されるロックはずれ検出信号K3の信号状態に応じて、リセット期間保持カウンタ17の動作制御を行う。
The
インバータ20aの入力部には、遅延検出回路15から出力される擬似ロック検出信号K1が入力されるように接続されており、該インバータ20aの出力部には、否定論理和回路20bの一方の入力部が接続されている。
The pseudo lock detection signal K1 output from the
否定論理和回路20bの他方の入力部には、ロックはずれ検出信号K3が入力されるように接続されており、該否定論理和回路20bの出力部には、リセット期間保持カウンタ17の一方の入力部が接続されている。
The other input part of the negative
また、カウンタ入力制御部21は、否定論理和回路からなり、該否定論理和回路の一方の入力部には、遅延検出回路15から出力される最小遅延時間検出信号K2が入力されるように接続されており、否定論理和回路の他方の入力部には、位相周波数比較器11のUPパルスが入力されるように接続されている。
The counter
そして、否定論理和回路の出力部には、UPパルスカウンタ19の一方の入力部が接続されている。また、カウンタリセット制御部22は、論理積回路からなり、該論理積回路の一方の入力部には、外部リセット信号が入力される外部リセット端子に接続されている。外部リセット端子からの外部リセット信号は、リセット期間保持カウンタ17にも入力されるように接続されている。
One input portion of the UP pulse counter 19 is connected to the output portion of the NOR circuit. The counter reset
論理積回路の他方の入力部、スイッチ部となる制御電圧ショート用スイッチ18の制御端子、ならびに位相周波数比較器11の制御端子には、リセット期間保持カウンタ17から出力されるリセット信号が入力されるようにそれぞれ接続されている。
The reset signal output from the reset
また、カウンタリセット制御部22の出力部には、UPパルスカウンタ19のリセット端子に接続されている。リセット期間保持カウンタ17は、カウンタ制御部20からの出力信号、または外部リセット信号に基づいて、所定の期間、リセット信号を出力する。制御電圧ショート用スイッチ18は、リセット期間保持カウンタ17から出力されるリセット信号に基づいて、チャージポンプ12から出力される制御電圧CNTLを電源電圧にショートする。
The output of the
ここでロックはずれについて説明する。 Here, the unlocking will be described.
図3は、本実施例に用いる位相周波数比較器11の例、図4は、その位相周波数比較器11における状態遷移図を示したものである。位相周波数比較器11は、図3に示すように、インバータIv1〜Iv3、ならびに否定論理積回路ND1〜ND9によって構成されている。
FIG. 3 shows an example of the
また、図4において、図中の円が内部状態および出力状態を表し、円内の左から順に、図3で示すA、Bの状態および出力であるUP、DOWN端子の状態を表す。円と円を結ぶ矢印が状態遷移を表し、状態遷移が起きる条件は、入力端子であるDELおよびREFの状態が矢印の付近に示したHおよびLの組合せとなった場合に遷移が発生する。 In FIG. 4, circles in the drawing represent the internal state and the output state, and the states A and B shown in FIG. 3 and the states of the UP and DOWN terminals, which are outputs, are shown in order from the left in the circle. An arrow connecting the circles represents a state transition, and the condition for the state transition occurs when the state of the input terminals DEL and REF is a combination of H and L shown in the vicinity of the arrow.
また、入力端子であるDELおよびREFの状態の中のXは、HレベルまたはLレベルのいずれでもよいことをあらわす。この状態遷移図と図5のタイミングチャートに基づいて、ロック状態およびロックはずれの起こる仕組みを以下に説明する。 In addition, X in the states of DEL and REF which are input terminals indicates that either the H level or the L level may be used. Based on this state transition diagram and the timing chart of FIG. 5, the mechanism in which the locked state and the unlocking occur will be described below.
また、図5においては、上方から下方にかけて、位相周波数比較器11に入力される基本クロックが入力される基本クロック端子REF、位相周波数比較器11に入力される遅延回路からの遅延クロックが入力される遅延クロック端子DEL、位相周波数比較器11から出力されるUPパルスが出力される出力端子UP、ならびに位相周波数比較器11から出力されるDOWNパルスが出力される出力端子DOWNの信号状態をそれぞれ示しており、ロック状態から、遅延クロック端子DELにハザードが入った場合にロックはずれに状態遷移する過程である。
In FIG. 5, from the top to the bottom, the basic clock terminal REF to which the basic clock input to the
基本クロック端子REF、およびLレベルのエッジが合ったロック状態では、図4に示すように、理想的には状態J101、および状態J104間で交互に遷移し続ける。このとき、位相周波数比較器11の出力であるUPパルスはHレベル、DOWNパルスは、Lレベルを出し続け、チャージポンプの充放電が停止している。
In the locked state in which the edge of the basic clock terminal REF and the L level match, ideally, the state J101 and the state J104 continue to alternate alternately as shown in FIG. At this time, the UP pulse, which is the output of the
状態J101でハザードがDEL端子に入った場合、ハザードのライズエッジを検出して状態J101から状態J105へ遷移することが、図4、および図5の対応で読み取れる。 When the hazard enters the DEL terminal in the state J101, it can be read in correspondence with FIGS. 4 and 5 that the rise edge of the hazard is detected and the state transitions from the state J101 to the state J105.
なお、図4の太線矢印が、図5でのハザード発生後の状態遷移を表す。状態J105では、本来出力されないUPパルスが出力されることにより、チャージポンプが充電動作を行う。その結果、遅延素子の遅延時間は縮小し、最小値に収束する。この現象がロックはずれである。 4 represents the state transition after the occurrence of the hazard in FIG. In the state J105, the charge pump performs a charging operation by outputting an UP pulse that is not originally output. As a result, the delay time of the delay element is reduced and converges to the minimum value. This phenomenon is out of lock.
図6は遅延素子総段数を72段として主な段数でクロック波形を示したものである。図6(a)はロックはずれの状態に安定した場合を示しており、図6(b)は正常ロックの状態に安定した場合を示しており、図6(c)は擬似ロックの状態に安定した場合を示している。 FIG. 6 shows the clock waveforms with the main number of stages, with the total number of stages of delay elements being 72. FIG. 6A shows a case where the lock is stably released, FIG. 6B shows a case where the lock is stable, and FIG. 6C shows a case where the lock is stable. Shows the case.
また、図7は位相周波数比較器11の伝達特性を示したものであり、図7(a)はロックはずれ、図7(b)は正常ロック、ならびに図7(c)は擬似ロックの状態である。この図7において、横軸は遅延素子の遅延時間にあたり、縦軸は位相周波数比較器の出力となり、後段のチャージポンプを充電させるUPパルス、および該チャージポンプを放電させるDOWNパルスのパルス幅である。
FIG. 7 shows the transfer characteristics of the
期待動作である図7(b)の正常ロック状態をもとに説明すると、遅延時間が1周期の場合に、UPパルス、およびDOWNパルスは発生しないため、伝達特性は横軸と交差する。 Referring to the normal lock state of FIG. 7B, which is an expected operation, when the delay time is one cycle, the UP pulse and the DOWN pulse are not generated, so that the transfer characteristics cross the horizontal axis.
遅延時間が1周期より小さい場合、DOWNパルスが発生するため、伝達特性に応じたDOWNパルスを発生する。逆に遅延時間が1周期より大きい場合、伝達特性に応じたUPパルスが発生する。 When the delay time is smaller than one cycle, a DOWN pulse is generated, so that a DOWN pulse corresponding to the transfer characteristic is generated. Conversely, when the delay time is longer than one period, an UP pulse corresponding to the transfer characteristic is generated.
同様に、図7(c)に示す2周期遅れの擬似ロックの場合、伝達特性の横軸との交差点、すなわちロック点は2周期遅れのところとなり、ちょうど伝達特性が横軸方向へ平行移動する。 Similarly, in the case of the two-cycle delayed pseudo lock shown in FIG. 7C, the intersection of the transfer characteristic with the horizontal axis, that is, the lock point is delayed by two cycles, and the transfer characteristic is just translated in the horizontal axis direction. .
また、図7(a)に示すロックはずれの場合には、ハザードにより伝達特性のロック点が0周期に平行移動したことに相当する。その結果、常にUPパルスが出力することにより、現実的には遅延素子の遅延時間は0になることはないので、遅延時間最小値に収束することになる。 7A corresponds to the fact that the lock point of the transfer characteristic is translated in the zero period due to the hazard. As a result, since the UP pulse is always output, the delay time of the delay element does not actually become zero, so that the delay time converges to the minimum value.
次に、本実施の形態によるDLL回路6の動作について説明する。
Next, the operation of the
遅延検出回路15から出力される擬似ロック検出信号K1は、遅延回路13の遅延素子各段の出力電圧レベルであるHLパターンにしたがって擬似ロック範囲にあるときアクティブとする。
The pseudo lock detection signal K1 output from the
このHLパターンとは、遅延素子最終段にライズエッジが到達したときの、遅延素子n段目、およびn+1段目の出力電圧がHレベル、ならびにLレベルの組み合わせになることと定義する。 This HL pattern is defined as the combination of the output voltage at the nth stage and the (n + 1) th stage of the delay element when the rising edge reaches the final stage of the delay element, being a combination of the H level and the L level.
そして、後述する図8に示した遅延検出回路15の構成により、遅延素子最終段にライズエッジが到達するたびに、遅延素子各段の電圧H、またはLレベルが記憶されることとなる。これら各段のフリップフロップに記憶された電圧の組み合わせをもとに擬似ロックとなる条件を、上述のHLパターンにより特定し、ロックはずれを検出する。
With the configuration of the
始めに、図2を用いて各信号の動作を、正常ロックの場合、擬似ロックの場合、ロックはずれの場合に関して説明する。 First, the operation of each signal will be described with reference to FIG. 2 in the case of normal lock, pseudo lock, and unlock.
まず、正常ロック状態の場合、擬似ロック検出信号KはHレベル、ロックはずれ検出信号K3はLレベルとする。そのため、リセット期間保持カウンタ17への入力は、Hレベルに保持され、カウンタ動作は行わず、リセット信号はHレベルに保持される。
First, in the normal lock state, the pseudo lock detection signal K is set to the H level, and the unlock detection signal K3 is set to the L level. Therefore, the input to the reset
その後、擬似ロックを検出した場合、擬似ロック検出信号K1はLレベルに変化するため、リセット期間保持カウンタへの入力はLレベルに変化しカウンタ動作を開始し、所定の期間、リセット信号をLレベルにして制御電圧ショート用スイッチ18をONさせて制御電圧CNTLを電源電圧にショートし、かつ位相周波数比較器11をリセットする。
Thereafter, when a false lock is detected, the false lock detection signal K1 changes to the L level, so the input to the reset period holding counter changes to the L level and starts the counter operation, and the reset signal is set to the L level for a predetermined period. Then, the control
次に、ロックはずれの場合について説明する。 Next, a case where the lock is lost will be described.
遅延検出回路15から出力される最小遅延時間検出信号K2は、擬似ロック検出信号K1同じくHLパターンを利用して、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる条件でアクティブとする。
The minimum delay time detection signal K2 output from the
たとえば、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる場合を特定するには、上述のHLパターンが全段で発生しないことを検出すればよい。これらの記憶された電圧レベルにHLパターンがない場合、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる条件と特定できる。 For example, in order to specify a case where the delay time of the delay element is smaller than one cycle, it is only necessary to detect that the above-described HL pattern does not occur in all stages. When there is no HL pattern at these stored voltage levels, it can be specified that the delay time of the delay element is smaller than one cycle.
そして、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる条件では、後述の理由により、例えば、8/9位相目のクロックを最小遅延時間検出信号K2としてUPパルスカウンタ19へ出力し、これをアクティブ状態とする。 Under the condition that the delay time of the delay element becomes smaller than one cycle, for example, the clock of the 8 / 9th phase is output to the UP pulse counter 19 as the minimum delay time detection signal K2 for the reason described later, and this is activated. And
それ以外の、遅延素子の遅延時間が1周期以上の条件、すなわち正常ロック状態、または擬似ロック状態では、UPパルスカウンタ19へはクロックを出力せず、L固定レベルを出力する。 In other conditions where the delay time of the delay element is one cycle or more, that is, in the normal lock state or the pseudo lock state, no clock is output to the UP pulse counter 19 and an L fixed level is output.
以上より、この最小遅延時間検出信号K2がアクティブか否かで、まず遅延素子の遅延時間が1周期より小さいか否かを判定し、さらに位相周波数比較器11がUPパルスを出力しているか否かでそれぞれ、ロックはずれの状態か、または正常ロックで1周期遅れに引き込む過渡期の状態かを判定する。
As described above, it is first determined whether or not the delay time of the delay element is smaller than one cycle based on whether or not the minimum delay time detection signal K2 is active, and whether or not the
すなわち、ロックはずれの場合、UPパルスが位相周波数比較器11より出力されているため、最小遅延時間検出信号K2とUPパルスとの2NOR論理(否定論理和回路21)によりクロックがUPパルスカウンタ19に伝達し、ロックはずれ検出信号K3をHレベルに変え、リセット期間保持カウンタ17への入力は、Lレベルに変化することによってカウンタ動作を開始し、所定の期間、リセット信号をLレベルにして制御電圧CNTLを電源電圧にショートし、かつ位相周波数比較器11もリセットされる。
That is, when the lock is lost, since the UP pulse is output from the
また、もしUPパルスが出力されていない場合ならば、正常ロックへと引き込まれる過渡期と判定し、リセットは行わない。ただし、正常ロック状態では、理想的には、UPパルスが出力されないが、現実にはグリッチのように細いUPパルスが発生しえるので、このグリッチをマスキングするために上述の8/9位相クロックでUPパルスとの論理和をとる。 Further, if the UP pulse is not output, it is determined that the transition period is a normal lock and no reset is performed. However, in the normal lock state, an UP pulse is ideally not output, but in reality, a thin UP pulse like a glitch can be generated. Therefore, in order to mask this glitch, the above 8/9 phase clock is used. Logical OR with UP pulse.
その結果、遅延時間が最小の状態を検出したとき、ロックはずれの場合は、UPパルスカウンタ19にクロックが印加され、カウントを開始する。一方、正常ロックに引き込む過渡期の場合は、L信号固定レベルがUPパルスカウンタ19に印加されカウンタが動作しない。 As a result, when the state with the minimum delay time is detected, if the lock is lost, the clock is applied to the UP pulse counter 19 and the counting is started. On the other hand, in the transition period in which normal lock is drawn, the L signal fixed level is applied to the UP pulse counter 19 and the counter does not operate.
このようにして、ロックはずれの場合と正常ロックに引き込む過渡期の場合とを、カウンタ動作の有無で判別できる。なお、UPパルスカウンタ19の回数は複数回であればいずれでもよく、たとえば、8回を選択した。 In this way, it is possible to discriminate between the case of a loss of lock and the case of a transition period during which a normal lock is drawn by the presence or absence of the counter operation. The number of times of the UP pulse counter 19 may be any number as long as it is plural, for example, 8 times is selected.
リセット動作は擬似ロックでも行うため、カウンタ制御部20のインバータ20a、および否定論理和回路20bによって、リセット期間保持カウンタ17の入力でロックはずれ検出信号K3と擬似ロック検出信号K1の論理を取っている。
Since the reset operation is also performed by pseudo lock, the logic of the lock release detection signal K3 and the pseudo lock detection signal K1 is obtained by the input of the reset
以上、ロックはずれを特定し、ロックはずれから復帰するしくみについて説明した。 As described above, the mechanism for identifying the lock failure and the mechanism for recovering from the lock failure has been described.
次に、ロックはずれの対策で新たに必要となった最小遅延時間検出信号を生成する遅延検出回路15の内部構成について説明する。
Next, the internal configuration of the
まず、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる場合を特定するには、上述のHLパターンが全段で発生しないことを検出すればよい。 First, in order to specify a case where the delay time of the delay element is smaller than one cycle, it is only necessary to detect that the above-described HL pattern does not occur in all stages.
図8は、遅延検出回路15の回路構成例を示す説明図である。この図8では、たとえば、遅延回路13の遅延素子が72段で構成されている場合について記載している。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a circuit configuration example of the
遅延検出回路15は、図示するように、フリップフロップ231〜23n、インバータ241〜24m、否定論理積回路251〜25m、論理積回路26、インバータ27、論理和回路28、および論理積回路29から構成されている。
As shown, the
フリップフロップ231〜23nのデータ端子Dには、遅延回路13の遅延素子の1段目〜72段目の出力端子がそれぞれ接続されている。また、フリップフロップ231〜23nのクロック端子CKには、遅延回路13における最終段の遅延素子(72段目の遅延素子)から出力される遅延クロックが入力されるように接続されている。
The output terminals of the first to 72nd stages of the delay elements of the
その結果、最終段である72段目の遅延素子の出力端子からライズエッジが出力した直後に直列接続された遅延素子の各段の出力電圧レベルをフリップフロップ231〜23nにそれぞれ記憶させることができる。
As a result, the output voltage levels of the stages of the delay elements connected in series immediately after the rising edge is output from the output terminal of the 72nd stage delay element, which is the final stage, are stored in the flip-
フリップフロップ231〜23n-1の出力端子Qには、否定論理積回路251〜25mの一方の入力部がそれぞれ接続されている。また、インバータ241〜24mの入力部には、フリップフロップ232〜23nの出力端子Qがそれぞれ接続されており、該インバータ241〜24mの出力部には、否定論理積回路251〜25mの他方の入力部がそれぞれ接続されており、n段目のHLパターンの有無を判別する。
One input portion of the NAND circuit 25 1 to 25 m is connected to the output terminal Q of each of the flip-
否定論理積回路251〜25mの出力部には、論理積回路26に入力部がそれぞれ接続されており、該論理積回路26の出力部には、インバータ27の入力部が接続されている。
An input unit is connected to the
インバータ27の出力部には、論理和回路28の一方の入力部が接続されており、論理和回路28の他方の入力部には、遅延回路13における64段目の遅延素子の出力部が接続されている。
One input part of the
そして、この論理和回路28の出力部から出力される信号が、遅延検出回路15における最小遅延時間検出信号K2となる。
The signal output from the output section of the
また、論理積回路29のそれぞれの入力部には、否定論路積回路2527〜25mの出力部が接続されており、該論理積回路29の出力部から出力される信号が、擬似ロック検出信号K1となる。
Further, the output units of the NOT logic product circuits 25 27 to 25 m are connected to the respective input units of the
否定論理積回路251〜25mは、HLパターンがあればLレベル出力、なければHレベル出力となるため、HLパターンが全段で発生しないことを検出するには、論理積回路26によって該否定論理積回路251〜25mから出力される信号の論理積をとることで実現できる。
Since the NAND circuit 25 1 to 25 m outputs an L level if there is an HL pattern, and outputs an H level if there is no HL pattern, the AND
その結果、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる場合、HLパターンが全段で発生しないので、この論理積回路26の出力はHレベルとなる。この論理積回路26の出力をインバータ27によって反転し、8/9位相クロック、ここでは64段目の遅延素子から出力されるクロックとの論理和を論理和回路28によって取ることで最小遅延時間検出信号K2を生成する。
As a result, when the delay time of the delay element is smaller than one cycle, the HL pattern is not generated in all stages, so that the output of the AND
これにより、遅延素子の遅延時間が1周期より小さくなる場合、64段目クロックを最小遅延時間検出信号K2として出力し、1周期より大きくなる場合、H固定レベルが最小遅延時間検出信号K2として出力する。 Accordingly, when the delay time of the delay element is smaller than one cycle, the 64th stage clock is output as the minimum delay time detection signal K2, and when the delay time is larger than one cycle, the H fixed level is output as the minimum delay time detection signal K2. To do.
以上のように、遅延素子の遅延時間が1周期遅れか否かを判別する役割を、最小遅延時間検出信号K2は持つ。 As described above, the minimum delay time detection signal K2 has a role of determining whether or not the delay time of the delay element is delayed by one cycle.
また、擬似ロック検出信号K1を生成する論理積回路29は、正常ロックでHレベル出力となり、擬似ロックではLレベル出力となるのが期待動作であり、フリップフロップ231〜23nが検出したHLパターンにより、遅延素子の遅延時間がある値以上になった場合に擬似ロックと判定している。
Further, the AND
判定する値としては、本実施の形態における位相周波数比較器11の場合、正常ロック領域最大値は2周期あるが、マージン確保のため、遅延時間が2周期より小さい遅延時間とした。
As a value to be determined, in the case of the
たとえば、遅延時間が1.4周期以上になれば、擬似ロック領域と判定する。そのための回路構成には、図8の場合、遅延素子27段目以降でHLパターンが発生すれば擬似ロック領域と判定すればよく、図8に示すnet27〜net70(否定論理積回路2527〜25mの出力部)までの論理積を論理積回路26で取ることで実現できる。
For example, if the delay time is 1.4 cycles or more, it is determined as a pseudo lock area. In the case of FIG. 8, the circuit configuration for this purpose may be determined as a pseudo-lock region if an HL pattern is generated after the 27th stage of the delay element, and the net 27 to net 70 (negative logical product circuits 25 27 to 25 shown in FIG. The logical product up to the output portion of m ) can be realized by the
次に、遅延検出回路15の期待動作について説明する。
Next, the expected operation of the
まず、最小遅延時間検出信号K2として、8/9位相クロック、この場合、64段目の遅延素子から出力されるクロックを選択した理由を、図9をもとに説明する。 First, the reason why the 8/9 phase clock, in this case, the clock output from the 64th delay element is selected as the minimum delay time detection signal K2, will be described with reference to FIG.
図9(a)は、正常ロック領域内の場合におけるクロック波形であり、図9(b)は、ロックはずれの場合でのクロック波形である。 FIG. 9A shows a clock waveform in the case of the normal lock region, and FIG. 9B shows a clock waveform in the case of the lock release.
正常ロック領域では、そのまま放置すれば1周期遅れに正常ロックしてくれる。位相周波数比較器11のUP出力は理想的にはHレベル固定であるが、実際には、図9に示したようにグリッチが発生し、これがUPパルスカウンタ19を誤動作させる恐れがある。
In the normal lock area, if it is left as it is, it is normally locked with a delay of one cycle. Although the UP output of the
このグリッチをマスキングするために最小遅延時間検出信号K2として、64段目クロックを選択した。なお、最小遅延時間検出信号K2のクロックとしては、このグリッチを防止できるタイミングのクロックであればよい。グリッチ防止ができれば他の段数のクロックでも可能である。 In order to mask this glitch, the 64th stage clock was selected as the minimum delay time detection signal K2. The clock of the minimum delay time detection signal K2 may be any clock that can prevent this glitch. If glitch prevention can be achieved, clocks with other stages are possible.
このようにして、正常ロック領域内の場合は、UPパルスのグリッチを最小遅延時間検出信号K2はマスキングし、UPパルスカウンタ19へはL固定レベルを出力する。
In this way, in the normal lock region, the UP pulse glitch is masked by the minimum delay time
また、ロックはずれの場合は、UPパルスカウンタ19へは、否定論理和回路21によって最小遅延時間検出信号K2とUPパルス出力との論理をとり、その論理で生成されたクロックを入力することでカウンタ動作を開始する。
If the lock is lost, the logic of the minimum delay time detection signal K2 and the UP pulse output is obtained by the negative OR
以上説明した、遅延検出回路15において生成する最小遅延時間検出信号K2と、位相周波数比較器11のUPパルスと、否定論理和回路21によって生成されるクロックを入力とするUPパルスカウンタ19を基本構成として、ロックはずれが対策される。
The basic configuration of the UP pulse counter 19 that receives the minimum delay time detection signal K2 generated in the
なお、この例では、UPパルスカウンタ19の入力前段は否定論理和回路21を用いて構成したが、論理和回路であってもよい。
In this example, the preceding stage of the input of the UP pulse counter 19 is configured using the negative OR
それにより、本実施の形態によれば、デジタル値である遅延回路13における遅延素子内の電圧レベルの組み合わせ(HLパターン)によって、ロックはずれ特有の条件を判定することができるので、DLL回路6のロックはずれを確実に排除することができる。
As a result, according to the present embodiment, it is possible to determine the conditions specific to the loss of lock based on the combination (HL pattern) of the voltage levels in the delay elements in the
本発明は、デジタルカメラなどに用いられる高精度なサンプリングクロックの生成技術に適している。 The present invention is suitable for a technique for generating a highly accurate sampling clock used in a digital camera or the like.
1 画像前処理部
2 CDS
3 PGA
4 A/D変換器
5 ロジック回路
6 DLL回路
7 タイミング発生器
8 撮像素子
9 DSP
10 クロック発生器
11 位相周波数比較器
12 チャージポンプ
13 遅延回路
14 ループフィルタ容量
15 遅延検出回路
16 ロックはずれ検出制御部
17 リセット期間保持カウンタ
18 制御電圧ショート用スイッチ
19 UPパルスカウンタ
20 カウンタ制御部
20a インバータ
20b 否定論理和回路
21 カウンタ入力制御部
22 カウンタリセット制御部
231〜23n フリップフロップ
241〜24m インバータ
251 〜25m 否定論理積回路
26 論理積回路
27 インバータ
28 論理和回路
29 論理積回路
K1 擬似ロック検出信号
K2 最小遅延時間検出信号
K3 ロックはずれ検出信号
1
3 PGA
4 A /
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記遅延回路が生成した遅延クロック信号と基本クロック信号との位相差を検出し、UPパルス、またはDOWNパルスを生成する位相周波数比較器と、
前記位相周波数比較器から出力されるUPパルス、またはDOWNパルスに応じて、制御電圧を発生させるチャージポンプ回路と、
前記遅延回路における前記遅延素子からそれぞれ出力される遅延クロック信号から、前記遅延素子の遅延時間が縮小し、最小値に収束するロックはずれを検出し、前記ロックはずれから正常ロックに復帰させる制御を行うロックはずれ検出制御手段とを備えたクロック発生部を有したことを特徴とする半導体集積回路装置。 A delay circuit composed of a plurality of delay elements connected in series, arbitrarily delaying a basic clock and outputting it as a delayed clock signal;
A phase frequency comparator that detects a phase difference between a delayed clock signal generated by the delay circuit and a basic clock signal, and generates an UP pulse or a DOWN pulse;
A charge pump circuit for generating a control voltage in response to an UP pulse or a DOWN pulse output from the phase frequency comparator;
The delay time of the delay element is reduced from the delay clock signal output from each of the delay elements in the delay circuit, the lock loss that converges to the minimum value is detected, and control is performed to restore the lock to normal lock. A semiconductor integrated circuit device comprising: a clock generation unit including a lock loss detection control unit.
前記ロックはずれ検出制御手段は、
各々の前記遅延素子から出力される遅延クロック信号の電圧レベルを取り込み、前記電圧レベルの組み合わせが任意の組み合わせとなった際に最小遅延時間検出信号を出力する遅延検出回路と、
前記遅延検出回路から最小遅延時間検出信号が出力され、かつ前記位相周波数比較器からUPパルスが出力されている際に、ロックはずれと判定し、ロックはずれ検出信号を出力するロックはずれ検出部と、
前記ロックはずれ検出部から出力されたロックはずれ検出信号に基づいて、任意の期間、リセット信号を出力し、前記位相周波数比較器をリセットするリセット制御部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
The unlock detection control means includes:
A delay detection circuit that takes in the voltage level of the delayed clock signal output from each of the delay elements, and outputs a minimum delay time detection signal when the combination of the voltage levels becomes an arbitrary combination;
When a minimum delay time detection signal is output from the delay detection circuit and an UP pulse is output from the phase frequency comparator, it is determined that lock is lost, and a lock error detection unit that outputs a lock error detection signal;
A semiconductor integrated circuit comprising: a reset controller that outputs a reset signal for an arbitrary period based on the lock deviation detection signal output from the lock deviation detection unit and resets the phase frequency comparator apparatus.
前記遅延検出回路が最小遅延時間検出信号を出力する前記電圧レベルの任意の組み合わせは、すべての前記遅延素子からH信号が出力される組み合わせであることを特徴とする半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 2.
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein any combination of the voltage levels at which the delay detection circuit outputs a minimum delay time detection signal is a combination in which H signals are output from all the delay elements.
前記ロックはずれ検出制御手段は、
前記リセット制御部から出力されるリセット信号に基づいて、前記チャージポンプ回路から出力される制御電圧を電源電圧にショートするスイッチ部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 1 to 3,
The unlock detection control means includes:
A semiconductor integrated circuit device comprising: a switch unit that short-circuits a control voltage output from the charge pump circuit to a power supply voltage based on a reset signal output from the reset control unit.
前記遅延検出回路は、
前記遅延回路が発生する8/9位相のクロック信号を最小遅延時間検出信号として出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 1 to 4,
The delay detection circuit includes:
8. A semiconductor integrated circuit device, wherein an 8/9 phase clock signal generated by the delay circuit is output as a minimum delay time detection signal.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR101197462B1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-11-09 | 주식회사 실리콘웍스 | Circuit and method for preventing false lock and delay locked loop using thereof |
-
2008
- 2008-11-19 JP JP2008295119A patent/JP2010124166A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101197462B1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-11-09 | 주식회사 실리콘웍스 | Circuit and method for preventing false lock and delay locked loop using thereof |
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