JP2010123813A - Balun-mounted device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、無線回路等に用いられるバラン(バランストランス・不平衡−平衡変換器)が基板上に実装されてなる、バラン実装デバイスに関する。 The present invention relates to a balun mounting device in which a balun (balance transformer / unbalance-balance converter) used in a radio circuit or the like is mounted on a substrate.
バランは、第1平衡信号伝送路と、第1平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられた第2平衡信号伝送路と、これら2つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路とを備え、不平衡信号伝送路は、一端が不平衡信号入出力端、他端が開放端となり、2つの平衡信号伝送路は、一端が平衡信号出入力端、他端が接地端となった構造を備える。この種のバランは、2つの平衡信号出入力端から平衡信号が入力されたときには、平衡信号伝送路から不平衡信号伝送路への電磁結合により、平衡信号を不平衡信号に変換して不平衡信号入出力端から不平衡信号を出力し、逆に不平衡信号入出力端から不平衡信号を入力したときには、不平衡信号伝送路から平衡信号伝送路への電磁結合により、不平衡信号を平衡信号に変換して2つの平衡信号出入力端から平衡信号を出力する。 The balun is provided opposite to the first balanced signal transmission path, the second balanced signal transmission path provided independently of the first balanced signal transmission path, and the two balanced signal transmission paths. An unbalanced signal transmission line, one end of which is an unbalanced signal input / output end and the other end is an open end, and two balanced signal transmission lines have one end of a balanced signal input / output end and the other end. It has a structure that becomes the ground end. When a balanced signal is input from two balanced signal input / output ends, this type of balun converts the balanced signal to an unbalanced signal by electromagnetic coupling from the balanced signal transmission path to the unbalanced signal transmission path. When an unbalanced signal is output from the signal input / output end and an unbalanced signal is input from the unbalanced signal input / output end, the unbalanced signal is balanced by electromagnetic coupling from the unbalanced signal transmission path to the balanced signal transmission path. It converts into a signal and outputs a balanced signal from two balanced signal input / output terminals.
積層型バランは、不平衡信号伝送路と、2つの平衡信号伝送路とが、絶縁層(誘電体層)を介して上下(絶縁層の厚さ方向)に積層された構造を有する。従来の積層型バランは、低温同時焼成セラミックス(LTCC:Low Temperature Co−fired Ceramics)技術をベースとしたもの(例えば特許文献1)が知られている。
従来の積層型バランは、不平衡信号伝送路の層および平衡信号伝送路の層のほか、入力部の端子層、接地(GND)層などを含む多数の層からなり、かつ実装のための端子部を側面に施す必要がある。このため、従来の積層型バランの製造は、非常に複雑で高度な製造技術が必要とされ、結果的に高コストとなっている。 A conventional laminated balun is composed of a number of layers including an unbalanced signal transmission line layer and a balanced signal transmission line layer, a terminal layer of an input section, a ground (GND) layer, and the like, and is a terminal for mounting. It is necessary to apply the part to the side. For this reason, the production of a conventional laminated balun requires a very complicated and advanced production technique, resulting in high costs.
また、バランにおいて、2つの平衡信号伝送路はそれぞれ1/4波長以下のサイズで、不平衡信号伝送路は、2つの平衡信号伝送路を合計したサイズで作製される。信号の周波数が低いと、信号の波長が長くなるため、伝送路の長さも長くなる。
一方、高周波回路設計においては、デバイスの出入力のインピーダンスを50Ωに設計する場合が多い。そこで、バランにおいても、不平衡入力のインピーダンスを50Ωにすることが求められ、かつ挿入損失(通過損失)を可能な限り小さくすることが要求される。このため、高周波回路にバランを組み込むには、バランの挿入損失(通過損失)の低減のために配線の直流抵抗値を可能な限り小さくする必要がある。
Further, in the balun, each of the two balanced signal transmission lines has a size of ¼ wavelength or less, and the unbalanced signal transmission line has a total size of the two balanced signal transmission lines. If the frequency of the signal is low, the wavelength of the signal becomes long, so that the length of the transmission path also becomes long.
On the other hand, in high frequency circuit design, the input / output impedance of the device is often designed to be 50Ω. Therefore, the balun is also required to make the impedance of the unbalanced input 50Ω and to reduce the insertion loss (passage loss) as much as possible. For this reason, in order to incorporate a balun into a high-frequency circuit, it is necessary to make the DC resistance value of the wiring as small as possible in order to reduce the insertion loss (passage loss) of the balun.
現在、LTCCの量産工程で用いられている配線のデザインルールは、L/S=60/60μm(ライン幅L=60μm、スペースS=60μm)かつ配線厚さ10μm程度である。この程度の寸法の配線を積層型バランの製造に用いることができれば、一般的に1dB未満の低挿入損失が実現可能である。
しかしながら、上記デザインルールをウエハレベルパッケージ(WLP:Wafer Level Package)技術による半導体加工プロセスに採用する場合、WLP技術にとっては通常より大きめのデザインルールとなるため、不平衡入力インピーダンスを50Ωに保つには、積層型バランを構成する上下の伝送路間の絶縁層の厚さを数十μm程度確保する必要がある。ところが、WLP技術において数十μm程度の厚さの絶縁樹脂層を形成した場合、開口およびビアを形成するのは容易ではない。一般に、絶縁樹脂層に開口できる穴のアスペクト比(開口径と樹脂層の厚さとの比)は樹脂ごとに決まっており、厚い樹脂層に開口を設けるには、樹脂層の厚さに比例して開口径を大きくする必要があり、ビアに大きな面積を占有されるといった問題が生じる。
Currently, the design rule of the wiring used in the mass production process of LTCC is L / S = 60/60 μm (line width L = 60 μm, space S = 60 μm) and wiring thickness of about 10 μm. If wiring having such a size can be used for manufacturing a laminated balun, a low insertion loss of generally less than 1 dB can be realized.
However, when the above design rule is adopted in a semiconductor processing process using wafer level package (WLP) technology, the design rule is larger than usual for the WLP technology, so that the unbalanced input impedance is kept at 50Ω. It is necessary to secure a thickness of about several tens of μm for the insulating layer between the upper and lower transmission lines constituting the laminated balun. However, when an insulating resin layer having a thickness of about several tens of μm is formed in the WLP technique, it is not easy to form openings and vias. In general, the aspect ratio of the hole that can be opened in the insulating resin layer (ratio of the opening diameter to the thickness of the resin layer) is determined for each resin, and in order to provide an opening in a thick resin layer, it is proportional to the thickness of the resin layer. Therefore, there is a problem that the opening diameter needs to be increased and a large area is occupied by the via.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、積層型バランの上下の伝送路を絶縁する樹脂層に開口を設けることなく、下側の伝送路と樹脂層の上側に形成された電極パッドとを電気的に接続することが可能なバラン実装デバイスを提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an electrode formed on the lower transmission line and the upper side of the resin layer without providing an opening in the resin layer that insulates the upper and lower transmission lines of the laminated balun. It is an object of the present invention to provide a balun mounting device that can be electrically connected to a pad.
前記課題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板上に形成された第1絶縁樹脂層と、前記第1絶縁樹脂層上に設けられ、一端を第1平衡信号出入力端とし、他端を第1接地端とする第1平衡信号伝送路と、前記第1絶縁樹脂層上に前記第1平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられ、一端を第2平衡信号出入力端とし、他端を第2接地端とする第2平衡信号伝送路と、前記2つの平衡信号伝送路上および前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面上において、前記2つの平衡信号伝送路に対向して設けられ、一端を不平衡信号入出力端とし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路と、前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第1平衡信号出入力端に接続された第1平衡信号出入力引き出し配線と、前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第2平衡信号出入力端に接続された第2平衡信号出入力引き出し配線と、前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第1接地端に接続された第1接地引き出し配線と、前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第2接地端に接続された第2接地引き出し配線とを少なくとも備え、前記断面台形状の樹脂構造物の頂面上には、前記不平衡信号入出力端と、前記2つの平衡信号出入力引き出し配線と、前記2つの接地引き出し配線とのそれぞれと接続する電極パッドが形成されていることを特徴とするバラン実装デバイスを提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate, a first insulating resin layer formed on the substrate, and the first insulating resin layer, and has one end as a first balanced signal input / output end, A first balanced signal transmission path having the other end as a first ground terminal and the first balanced signal transmission path on the first insulating resin layer are electrically independent from each other, and one end is provided as a second balanced signal output. A second balanced signal transmission line having an input end and the other end as a second grounding end, and a top surface of a resin structure having a trapezoidal cross section formed on the two balanced signal transmission lines and the first insulating resin layer Above, formed on the first insulating resin layer, the unbalanced signal transmission line provided opposite to the two balanced signal transmission lines, having one end as an unbalanced signal input / output end and the other end as an open end. Connected to the first balanced signal input / output terminal from the top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section, through the side surface Connected to the second balanced signal input / output terminal via the first balanced signal input / output lead wire and the top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section formed on the first insulating resin layer. The second balanced signal input / output lead wiring and the first grounding end connected to the first grounding terminal through the side surface from the top surface of the trapezoidal resin structure formed on the first insulating resin layer. One ground lead wiring and a second ground lead wiring connected to the second ground end through the side surface from the top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section formed on the first insulating resin layer. At least provided on the top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section is connected to each of the unbalanced signal input / output terminal, the two balanced signal input / output lead wires, and the two ground lead wires. A rose characterized by an electrode pad being formed To provide an implementation device.
本発明においては、前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記平衡信号出入力引き出し配線を介して平衡信号出入力端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられている構成とすることも可能である。
また、前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記接地引き出し配線を介して接地端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられている構成とすることも可能である。
また、前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記平衡信号出入力引き出し配線を介して平衡信号出入力端に接続された電極パッドと、前記接地引き出し配線を介して接地端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられている構成とすることも可能である。
In the present invention, the electrode pad connected to the unbalanced signal input / output terminal and the electrode pad connected to the balanced signal output / input terminal via the balanced signal output input / output lead line have the same trapezoidal cross section. It is also possible to adopt a configuration provided on the resin structure.
The electrode pad connected to the unbalanced signal input / output terminal and the electrode pad connected to the ground terminal via the ground lead wiring are provided on a resin structure having the same trapezoidal cross section. It is also possible to have a configuration.
In addition, an electrode pad connected to the unbalanced signal input / output terminal, an electrode pad connected to the balanced signal output / input terminal via the balanced signal input / output lead line, and a ground terminal via the ground lead wiring It is also possible to adopt a configuration in which the connected electrode pads are provided on a resin structure having the same trapezoidal cross section.
前記不平衡信号伝送路は、前記第1平衡信号伝送路に対向した部分と、前記第2平衡信号伝送路に対向した部分とが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられていることが好ましい。
前記電極パッドにはバンプが搭載されていることが好ましい。
前記電極パッドは、前記引き出し配線よりも厚さが厚くなるように形成されてなることが好ましい。
In the unbalanced signal transmission path, a portion facing the first balanced signal transmission path and a portion facing the second balanced signal transmission path are provided on a resin structure having a trapezoidal cross section. Preferably it is.
It is preferable that bumps are mounted on the electrode pads.
It is preferable that the electrode pad is formed to be thicker than the lead wiring.
本発明によれば、下側の伝送路の上に断面台形状の樹脂構造物を積層し、その上に上側の伝送路を形成して積層型バランを基板上に構成し、断面台形状の樹脂構造物の側面に沿って引き出し配線を設けているので、積層型バランの上下の伝送路を絶縁する樹脂層に開口を設けることなく、下側の伝送路と樹脂層の上側に形成された電極パッドとを電気的に接続することが可能になる。 According to the present invention, a resin structure having a trapezoidal cross section is laminated on the lower transmission line, and an upper transmission line is formed thereon to form the laminated balun on the substrate. Since the lead wiring is provided along the side surface of the resin structure, it is formed on the lower transmission line and the upper side of the resin layer without providing an opening in the resin layer that insulates the upper and lower transmission lines of the laminated balun. The electrode pad can be electrically connected.
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図1は、本発明の第1形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。図2は、バラン実装デバイスの全体構成例を示す斜視図である。図3は、図2に示すバランの接地端子部および不平衡信号入出力端子部を示す部分拡大斜視図である。
図1は、図2に示すバラン実装デバイス100のI−I線を図の左側に、II−II線に沿う断面図を右側に配置した断面図である。図2および図3には、バラン実装デバイス100のバランを構成する伝送路(配線)が図示され、断面台形状の樹脂構造物24は省略されている。
The present invention will be described below with reference to the drawings based on the best mode.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a main part of a balun mounting device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing an overall configuration example of the balun mounting device. 3 is a partially enlarged perspective view showing a ground terminal portion and an unbalanced signal input / output terminal portion of the balun shown in FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view of the
図4は、図2に示すバランの模式的平面図である。図5は、図4のA−A線に沿う断面図である。図6は、図4のB−B線に沿う断面図である。図7は、図4のC−C線に沿う断面図である。図4〜図7では、バランの構造を説明するために、平衡信号伝送路30,35および不平衡信号伝送路50が直線状に展開して図示されている。
なお、以下の説明に用いる図面は模式的なものであって、大きさや縦横比率は、実際とは異なる場合がある。
FIG. 4 is a schematic plan view of the balun shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 4 to 7, the balanced
The drawings used in the following description are schematic, and the size and aspect ratio may be different from the actual ones.
このバラン実装デバイスは、図2に示すように、基板10と、基板10上に形成された第1絶縁樹脂層22と、第1絶縁樹脂層22上に設けられた2つの平衡信号伝送路30,35と、断面台形状の樹脂構造物24(図2中には図示せず。)の頂面上において、2つの平衡信号伝送路30,35に対向して設けられた不平衡信号伝送路50とを備える。
基板10は、例えばシリコン(Si)などの半導体基板や、ガラス基板などの絶縁性基板である。
As shown in FIG. 2, the balun mounting device includes a
The
平衡信号伝送路30,35は、電気的に互いに独立して設けられた第1平衡信号伝送路30および第2平衡信号伝送路35からなる。
第1平衡信号伝送路30は、一端を第1平衡信号出入力端30aとし、他端を第1接地端30bとする。第1平衡信号出入力端30aは、第1平衡信号出入力引き出し配線31を介して第1平衡信号出入力端子部60に接続されている。また、第1接地端30bは、第1接地引き出し配線32を介して第1接地端子部70に接続されている。
同様に、第2平衡信号伝送路35は、一端を第2平衡信号出入力端35aとし、他端を第2接地端35bとし、第2平衡信号出入力端35aは、第2平衡信号出入力引き出し配線36を介して第2平衡信号出入力端子部65に接続され、第2接地端35bは、第2接地引き出し配線37を介して第2接地端子部75に接続されている。
The balanced
The first balanced
Similarly, the second balanced
不平衡信号伝送路50は、一端を不平衡信号入出力端50aとし、他端を開放端50bとする。不平衡信号伝送路50は、不平衡信号入出力端50aと開放端50bとの間に、第1平衡信号伝送路30に対向した部分50cと、第2平衡信号伝送路35に対向した部分50dとを有する。不平衡信号入出力端50aは、不平衡信号入出力端子部90に接続されている。
The unbalanced
本形態例においては、図1、図2に示すように、不平衡信号伝送路50の第1平衡信号伝送路30に対向した部分50cおよび第1平衡信号伝送路30が、内周にスペースE1を有するように平面スパイラル型に配置されるとともに、不平衡信号伝送路50の第2平衡信号伝送路35に対向した部分50dおよび第2平衡信号伝送路35が、内周にスペースE2を有するように平面スパイラル型に配置されている。
また、図2、図4、図5に示すように、不平衡信号伝送路50の第1平衡信号伝送路30に対向した部分50cと第2平衡信号伝送路35に対向した部分50dとの間は、中間部50eによって接続されている。
本形態例では、平面スパイラルの巻き方向(内周から外周への巻き方向)は、第1平衡信号伝送路30と第2平衡信号伝送路35とで互いに反対であり、かつ、不平衡信号伝送路50の2つの平面スパイラル状の部分50c,50dで互いに反対である。不平衡信号伝送路50においては、不平衡信号入出力端50aから開放端50bに向けて(あるいはその逆に)流れる電流の向きに沿って配線が巻き回される方向が、2つの平面スパイラル状の部分50c,50dについて互いに逆になっている。
伝送路30,35,50をスパイラル型に設けることにより、方形や楕円等の狭いスペースに長い伝送路を配置できる。このため、スパイラル型とすることによって、バランが占有するスペースを低減して、かつ長い伝送路を有するバランを実現できる。
なお、本発明においては、伝送路の形状は、平面スパイラルのほか、ミアンダ状、直線状等でも良い。
In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the
As shown in FIGS. 2, 4, and 5, between the
In this embodiment, the winding direction of the planar spiral (winding direction from the inner periphery to the outer periphery) is opposite to each other in the first balanced
By providing the
In the present invention, the shape of the transmission line may be a meander shape, a straight line shape, etc. in addition to a planar spiral.
この平面スパイラルにおいては、不平衡信号伝送路50の不平衡信号入出力端50aおよび開放端50bと、平衡信号伝送路30,35の接地端30b,35bとが内周側に配置され、不平衡信号伝送路50の中間部50eと平衡信号伝送路30,35の平衡信号出入力端30a,35aとが外周側に配置されている。
また、第1接地端子部70は、平面スパイラル内周の第1スペースE1内に配置され、第2接地端子部75および不平衡信号入出力端子部90は、平面スパイラル内周の第2スペースE2内に配置されている。2つの平衡信号出入力端子部60,65は、平面スパイラルの外側に配置されている。
In this planar spiral, the unbalanced signal input /
The first
2つの平衡信号伝送路30,35は、例えば銅めっき等のめっき金属などから構成することができる。2つの平衡信号伝送路30,35が同じ導体材料から、第1平衡信号伝送路30の伝送路長L1と第2平衡信号伝送路35の伝送路長L2とが等しいように形成されることが好ましい。ここで、伝送路長L1,L2は、スパイラルに沿った伝送路の長さである。2つの平衡信号伝送路30,35の幅Wおよび厚さTは、幅W同士および厚さT同士が互いに等しくなるように形成されることが好ましい。
The two balanced
図5〜図7に示すように、第1絶縁樹脂層22の厚さh1は、基板10全面でなるべく均一にすることが好ましい。なお、第1絶縁樹脂層22の厚さh1は、基板10の上面と平衡信号伝送路30,35の下面との距離に対応する。
第1絶縁樹脂層22を構成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂などの感光性樹脂は、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能なので好ましい。第1絶縁樹脂層22は、基板10上の全面に塗布されるので、熱硬化性樹脂などでも良い。
As shown in FIGS. 5 to 7, the thickness h <b> 1 of the first insulating
Examples of the resin constituting the first insulating
図1および図5〜図7に示すように、不平衡信号伝送路50は、2つの平衡信号伝送路30,35上および第1絶縁樹脂層22上に形成された断面台形状の樹脂構造物24の頂面上に形成されている。不平衡信号伝送路50の下に設けられる樹脂構造物24は、例えば、それぞれの平衡信号伝送路30,35に沿って環状に(スペースE1,E2の周囲)に形成される。
「断面台形状」とは、樹脂構造物24の頂面が下面よりも幅が狭くなるように、両側の側面が頂面に向けて傾斜した斜面となっていることを意味する。この斜面は、樹脂構造物24の側面に沿って、後述する引き出し配線31,32,36,37が形成されるときの土台となる。
As shown in FIGS. 1 and 5 to 7, the unbalanced
The “cross-sectional trapezoidal shape” means that the side surfaces on both sides are inclined slopes toward the top surface so that the top surface of the
不平衡信号伝送路50は、2つのスパイラル状の部分50c,50dが中間部50eにより接続され、少なくとも、一端の不平衡信号入出力端50aから他端の開放端50bまでの範囲で連なった1本の伝送路である。不平衡信号伝送路50の中間部50eは、平面スパイラルの外周端同士を接続する位置に設けられている。
The unbalanced
不平衡信号伝送路50は、例えば銅めっき等のめっき金属などから構成することができる。不平衡信号伝送路50は、2つの平衡信号伝送路30,35と同じ導体材料から形成されることが好ましい。また、不平衡信号伝送路50の幅Wおよび厚さTは、2つの平衡信号伝送路30,35の幅Wおよび厚さTと、それぞれ幅W同士および厚さT同士が等しくなるように形成されることが好ましい。
The unbalanced
中間部50eは、2つの平面スパイラル状の部分50c,50d同士の間隔gに対応する長さを有する。2つのスパイラル状の部分50c,50dの長さL1,L2は、それぞれ平衡信号伝送路30,35の伝送路長L1,L2に等しい。
不平衡信号伝送路50の不平衡信号入出力端50aから開放端50bまでの長さLは、2つのスパイラル状の部分50c,50dの長さL1,L2と、中間部50eの長さgとの和(L=L1+g+L2)に相当する。
なお、図4に示す伝送路長L1,L2は、平衡信号伝送路30,35と不平衡信号伝送路50とが、断面台形状の樹脂構造物24からなる第2絶縁樹脂層を介して上下に対向している部分の長さを表している。
The
The length L from the unbalanced signal input /
Note that the transmission line lengths L1 and L2 shown in FIG. 4 are such that the balanced
図5〜図7に示すように、平衡信号伝送路30,35上における樹脂構造物24の厚さdは、平衡信号伝送路30,35に沿う全長でなるべく均一にすることが好ましい。なお、樹脂構造物24の厚さdは、平衡信号伝送路30,35の上面と不平衡信号伝送路50の下面との距離に対応する。第1絶縁樹脂層22上における樹脂構造物24の厚さは、計算上は、平衡信号伝送路30,35の厚さTと、平衡信号伝送路30,35上における樹脂構造物24の厚さdとの和(T+d)に相当する。しかし、樹脂構造物24は、第1絶縁樹脂層22とその上に形成した平衡信号伝送路30,35による凹凸面の上に形成されるので、平衡信号伝送路30,35から離れた箇所では、必ずしも樹脂構造物24の厚さが均一でなくでも構わない。
As shown in FIGS. 5 to 7, the thickness d of the
平衡信号伝送路30,35の上面と不平衡信号伝送路50の下面との距離dは、特に限定されるものではないが、d=5〜40μmが挙げられる。
断面台形状の樹脂構造物24を構成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂などの感光性樹脂は、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能なので好ましい。
The distance d between the upper surfaces of the balanced
Examples of the resin constituting the
不平衡信号伝送路50の上には、第3絶縁樹脂層として、封止樹脂層26を設けることができる。不平衡信号伝送路50上における封止樹脂層26の厚さh2は、不平衡信号伝送路50の上面と封止樹脂層26の上面との距離に相当する。
封止樹脂層26を構成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂などの感光性樹脂は、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能なので好ましい。封止樹脂層26は、デバイスの全面に塗布されるので、熱硬化性樹脂などでも良い。
On the unbalanced
Examples of the resin constituting the sealing
図1、図2、図4、図6に示すように、平衡信号出入力引き出し配線31,36は、第1絶縁樹脂層22上に形成された断面台形状の樹脂構造物24の頂面上に、それぞれ形成された平衡信号出入力電極パッド51,56(第1平衡信号出入力電極パッド51および第2平衡信号出入力電極パッド56)と接続されている。また、平衡信号出入力引き出し配線31,36は、樹脂構造物24の頂面から側面を経由して、平衡信号出入力端30a,35aに接続されている。平衡信号出入力電極パッド51,56は、平衡信号出入力端子部60,65において平衡信号を出入力するための電極パッドである。
封止樹脂層26は、平衡信号出入力電極パッド51,56の少なくとも一部を露出するための開口部26a,26cを有する。なお、図1には、第2平衡信号出入力端子部65の断面構造を示すが、第1平衡信号出入力端子部60も同様である。
なお、第1平衡信号出入力引き出し配線31の長さL1a(第1平衡信号出入力端30aから第1平衡信号出入力電極パッド51までの長さ)と、第2平衡信号出入力引き出し配線36の長さL2a(第2平衡信号出入力端35aから第2平衡信号出入力電極パッド56までの長さ)は、振幅バランス特性および位相バランス特性を向上させるため、互いに等しいこと(L1a=L2a)が好ましい。
As shown in FIGS. 1, 2, 4, and 6, the balanced signal input /
The sealing
The length L1a (the length from the first balanced signal output /
図1、図2、図3、図4に示すように、接地引き出し配線32,37は、第1絶縁樹脂層22上に形成された断面台形状の樹脂構造物24の頂面上に、それぞれ形成された接地電極パッド52,57(第1接地電極パッド52および第2接地電極パッド57)と接続されている。また、接地引き出し配線32,37は、樹脂構造物24の頂面から側面を経由して、接地端30b,35bに接続されている。接地電極パッド52,57は、接地端子部70,75においてバランの平衡信号伝送路30,35の他端を接地するための電極パッドである。
封止樹脂層26は、接地電極パッド52,57の少なくとも一部を露出するための開口部26b,26dを有する。なお、図1には、第2接地端子部75の断面構造を示すが、第1接地端子部70も同様である。
なお、第1接地引き出し配線32の長さL1b(第1接地端30bから第1接地電極パッド52までの長さ)と、第2接地引き出し配線37の長さL2b(第2接地端35bから第2接地電極パッド57までの長さ)は、振幅バランス特性および位相バランス特性を向上させるため、互いに等しいこと(L1b=L2b)が好ましい。
As shown in FIGS. 1, 2, 3, and 4, the
The sealing
Note that the length L1b of the first ground lead wiring 32 (the length from the
図1、図2、図3、図4、図7に示すように、不平衡信号伝送路50の不平衡信号入出力端50aは、第1絶縁樹脂層22上に形成された断面台形状の樹脂構造物24の頂面上に設けられた不平衡信号入出力電極パッド59に接続されている。不平衡信号入出力電極パッド59は、不平衡信号入出力端子部90において不平衡信号を入出力するための電極パッドである。
封止樹脂層26は、不平衡信号入出力電極パッド59の少なくとも一部を露出するための開口部26eを有する。
As shown in FIGS. 1, 2, 3, 4, and 7, the unbalanced signal input / output end 50 a of the unbalanced
The sealing
このように、本形態例のバラン実装デバイスにおいては、平衡信号出入力端30a,35aに接続された平衡信号出入力電極パッド51,56と、接地端30b,35bに接続された接地電極パッド52,57と、不平衡信号入出力端50aに接続された電極パッド59とが断面台形状の樹脂構造物24の頂面上に設けられ、平衡信号出入力端30a,35aと平衡信号出入力電極パッド51,56との接続、ならびに、接地端30b,35bと接地電極パッド52,57との接続が、樹脂構造物24の頂面から側面を経由して配された引き出し配線(平衡信号出入力引き出し配線31,36および接地引き出し配線32,37)を介してなされている。これにより、樹脂構造物24が厚くても、開口およびビアを設けることなく、樹脂構造物24の下の平衡信号伝送路30,35を樹脂構造物24の上の電極パッド51,52,56,57に接続することができる。
As described above, in the balun mounting device of this embodiment, the balanced signal output /
さらに、本形態例のバラン実装デバイスにおいては、それぞれの引き出し配線31,32,36,37は、第1絶縁樹脂層22上において平衡信号伝送路30,35の平衡信号出入力端30a,35aまたは接地端30b,35bから、電極パッド51,52,56,57を有する断面台形状の樹脂構造物24の側面の付近までの間に配された平衡信号伝送路延長部31a,32a,36a,37aと、断面台形状の樹脂構造物24の側面から頂面までの間に配された樹脂構造物側面連絡部31b,32b,36b,37bとを有する。
Furthermore, in the balun mounting device of the present embodiment, each of the
平衡信号伝送路延長部31a,32a,36a,37aは、平衡信号伝送路30,35と一体的に(平衡信号伝送路30,35と同一の工程で)形成したのち、断面台形状の樹脂構造物24を形成して、平衡信号出入力端30a,35aおよび接地端30b,35bの上が樹脂構造物24に覆われた後では、樹脂構造物24の外側に露出される。このため、樹脂構造物24を形成した後で、その外側に露出された平衡信号伝送路延長部31a,32a,36a,37aと接続されるように、樹脂構造物側面連絡部31b,32b,36b,37bおよび電極パッド51,52,56,57を形成することができる。この場合、樹脂構造物24の形成工程において、上に不平衡信号伝送路50が形成される樹脂構造物24と、上に電極パッド51,52,56,57が形成される樹脂構造物24とを同時に作製して、平衡信号伝送路30,35が樹脂構造物24に覆われても、引き出し配線31,32,36,37の形成に支障を生じることがない。
なお、平衡信号伝送路延長部31a,32a,36a,37aは、その少なくとも一部が、頂面に不平衡信号伝送路50が形成される樹脂構造物24の外側に露出していればよい。平衡信号伝送路延長部31a,32a,36a,37aは、樹脂構造物側面連絡部31b,32b,36b,37bが形成される樹脂構造物24の側面に対しては、必ずしも接している必要はない。つまり、後述する方法により製造する場合、図15において、平衡信号伝送路延長部37aの左端はその左側の樹脂構造物24の側面に接しているが、これが接していないとしても、図16において、樹脂構造物側面連絡部37bが平衡信号伝送路延長部37aと導通するまで、樹脂構造物側面連絡部37bの右端を第1絶縁樹脂層22上で延長すれば良い。
The balanced signal
The balanced signal transmission
本形態例の場合、図1および図2に示すように、電極パッド51,52,56,57,59の上には、それぞれ、はんだバンプ(第1平衡信号出入力バンプ81、第1接地バンプ82、第2平衡信号出入力バンプ86、第2接地バンプ87、不平衡信号入出力バンプ89)が搭載される。これらのバンプ81,82,86,87,89は、封止樹脂層26の開口部26a,26b,26c,26d,26eの内側に配され、封止樹脂層26の上面より上方に突出している。これらのバンプ81,82,86,87,89を用いることにより、バラン実装デバイス100を他の実装基板にフリップチップ実装することができる。なお、フリップチップ実装の安定性を高めるため、バランの伝送路30,35,50に接続されたバンプ81,82,86,87,89以外にもダミーのバンプを適宜設けて、他の実装基板上でバラン実装デバイス100をバランスよく支持できるようにするのが望ましい。
In the case of this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, solder bumps (first balanced signal output /
バラン実装デバイス100を他の実装基板にフリップチップ実装する場合、電極パッド51,52,56,57,59は、引き出し配線31,32,36,37よりも厚さが厚くなるように形成されることが好ましい。これにより、電極パッド51,52,56,57,59上に設けたバンプ81,82,86,87,89を介してバラン実装デバイス100を他の実装基板にフリップチップ実装したときに、他の実装基板上の配線回路と、バラン実装デバイス100の伝送路30,35,50との距離をより大きく離し、配線回路と伝送路30,35,50との相互作用を抑制することができる。
電極パッド51,52,56,57,59を引き出し配線31,32,36,37よりも厚く形成する方法としては、電極パッド51,52,56,57,59において、めっきを選択的に成長させる方法が挙げられる。
なお、電極パッド59は引き出し配線31,32,36,37とは接続されないが、他の電極パッド51,52,56,57と同等の厚さとすることが好ましい。
When the
As a method of forming the
The
多層樹脂体20は、第1絶縁樹脂層22と、断面台形状の樹脂構造物24からなる第2絶縁樹脂層と、封止樹脂層26からなる第3絶縁樹脂層とによって構成された積層構造である。第1絶縁樹脂層22は、基板10上に形成されている。
これらの樹脂層22,24,26は、同じ樹脂を用いて同一の手法で形成することにより、同一の比誘電率を有するようにしても良い。
特に、上下の平衡信号伝送路30,35と不平衡信号伝送路50との間に介在される断面台形状の樹脂構造物24は、平衡信号伝送路30,35と不平衡信号伝送路50との間の電磁結合を制御するため、他の樹脂層22,26と異なる比誘電率を有する樹脂から構成しても良い。
The
These resin layers 22, 24, and 26 may have the same relative dielectric constant by being formed by the same method using the same resin.
In particular, the
図8に、図2に示すバランの模式的回路図を示す。
図8のバラン110において、不平衡信号伝送路50の不平衡信号入出力端50aに不平衡信号(単一信号)SSが入力されると、不平衡信号伝送路50と平衡信号伝送路30,35との電磁結合が生じる。この際、伝送される信号の波長をλとすると、第1平衡信号伝送路30の伝送路長L1および第2平衡信号伝送路35の伝送路長L2がそれぞれλ/4(以下)であることにより、平衡信号伝送路30,35の平衡信号出入力端30a,35aから平衡信号(差動信号)SD1,SD2が出力される。
同様に、平衡信号伝送路30,35の平衡信号出入力端30a,35aから平衡信号(差動信号)SD1,SD2を入力すると、平衡信号伝送路30,35と不平衡信号伝送路50との電磁結合により、不平衡信号伝送路50の不平衡信号入出力端50aから不平衡信号(単一信号)SSが出力される。
FIG. 8 shows a schematic circuit diagram of the balun shown in FIG.
In the
Similarly, when balanced signals (differential signals) SD1 and SD2 are input from the balanced signal input /
このようなバラン110は、アンテナで受信した不平衡信号を復調するにあたって当該不平衡信号を平衡信号に変換したり、逆に平衡信号である変調信号をアンテナから送信するにあたって当該平衡信号を不平衡信号に変換したりするため、携帯電話などの無線通信機器に用いられる。
Such a
また、図8のバラン110は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換においては、不平衡信号伝送路50の入出力インピーダンスZS、および平衡信号伝送路30,35の出入力インピーダンスZD1,ZD2が、設計仕様のインピーダンスであることが要求される。例えば、ZS=50Ωであり、ZD1+ZD2=100Ω、150Ω、200Ω等である。
Further, the
本形態例のバラン実装デバイスにおいて、断面台形状の樹脂構造物24の数は、特に限定されない。
なお、図9〜11は、図1と同様に、図2に示すバラン実装デバイス100のI−I線を図の左側に、II−II線に沿う断面図を右側に配置した断面図である。
例えば、図9に示すように、不平衡信号入出力端50aに接続された電極パッド59と、平衡信号出入力引き出し配線36を介して平衡信号出入力端35aに接続された電極パッド56とが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていても良い。
また、図10に示すように、不平衡信号入出力端50aに接続された電極パッド59と、接地引き出し配線37を介して接地端35bに接続された電極パッド57とが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていても良い。
また、図11に示すように、不平衡信号入出力端50aに接続された電極パッド59と、平衡信号出入力引き出し配線36を介して平衡信号出入力端35aに接続された電極パッド56と、接地引き出し配線37を介して接地端35bに接続された電極パッド57とが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていても良い。
なお、不平衡信号入出力端50aに接続された電極パッド59と、不平衡信号伝送路50の第2平衡信号伝送路35に対向した部分(内周に不平衡信号入出力端50aを有する側のスパイラル状の部分)50dとは、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていることが好ましい。
In the balun mounting device of this embodiment, the number of
9 to 11 are sectional views in which the II line of the
For example, as shown in FIG. 9, an
Further, as shown in FIG. 10, the
Further, as shown in FIG. 11, an
The
なお、図9〜図11は、内周に不平衡信号入出力端50aを有する側のスパイラル状の部分50dについて示すが、内周に開放端50bを有する側のスパイラル状の部分50cについても同様である。
例えば、開放端50bと、平衡信号出入力引き出し配線31を介して平衡信号出入力端30aに接続された電極パッド51とが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていても良い。
また、開放端50bと、接地引き出し配線32を介して接地端30bに接続された電極パッド52とが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていても良い。
また、開放端50bと、平衡信号出入力引き出し配線31を介して平衡信号出入力端30aに接続された電極パッド51と、接地引き出し配線32を介して接地端30bに接続された電極パッド52とが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていても良い。
なお、開放端50bと、不平衡信号伝送路50の第1平衡信号伝送路30に対向した部分(内周に開放端50bを有する側のスパイラル状の部分)50cとは、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていることが好ましい。
9 to 11 show the
For example, the
Further, the
Also, an
Note that the
図12に示すように、不平衡信号伝送路50は、第1平衡信号伝送路30に対向した部分50cと、第2平衡信号伝送路35に対向した部分50dとが、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていることが好ましい。
なお、中間部50eも、第1平衡信号伝送路30に対向した部分50cおよび第2平衡信号伝送路35に対向した部分50dと、同一の断面台形状の樹脂構造物24の上に設けられていることが好ましい。
図13に示すように、本形態例のバラン実装デバイスは、封止樹脂層26に電極パッド51,52,56,57,59を露出する開口部26a,26b,26c,26d,26eを有し、この電極パッド51,52,56,57,59にワイヤボンディングで実装基板(図示せず)に実装できるように構成しても良い。
As shown in FIG. 12, the unbalanced
The
As shown in FIG. 13, the balun mounting device of this embodiment has
本形態例のバラン実装デバイスは、WLP技術を応用した製造方法によって製造することができる。図14〜図16に、図1等に示す第1形態例のバラン実装デバイスの製造工程を示す。
図14に示すように、シリコン(Si)ウエハ等の基板10の上に第1絶縁樹脂層22を形成した後、第1絶縁樹脂層22の上に平衡信号伝送路35を形成する。平衡信号伝送路35を形成する際は、平衡信号出入力端35aおよび接地端35bからそれぞれ延長された平衡信号伝送路延長部36a,37aを平衡信号伝送路35とともに形成する。
なお、図14には図示されていないが、平衡信号伝送路35および平衡信号伝送路延長部36a,37aと同様に、平衡信号伝送路30および平衡信号伝送路延長部31a,32aも同時に形成される。
The balun mounting device of this embodiment can be manufactured by a manufacturing method applying WLP technology. 14 to 16 show a manufacturing process of the balun mounting device of the first embodiment shown in FIG.
As shown in FIG. 14, after forming the first insulating
Although not shown in FIG. 14, the balanced
次に、図15に示すように、平衡信号伝送路35上および第1絶縁樹脂層22上に断面台形状の樹脂構造物24を形成する。平衡信号伝送路35上の断面台形状の樹脂構造物24は、平衡信号出入力端35aおよび接地端35bが断面台形状の樹脂構造物24に覆われても、平衡信号伝送路延長部36a,37aの少なくとも一部が樹脂構造物24の外側に露出されるように形成される。
なお、図15には図示されていないが、平衡信号伝送路30上の断面台形状の樹脂構造物24も同様に、平衡信号出入力端30aおよび接地端30bが断面台形状の樹脂構造物24に覆われても、平衡信号伝送路延長部31a,32aの少なくとも一部が樹脂構造物24の外側に露出されるように形成される。
Next, as shown in FIG. 15, a
Although not shown in FIG. 15, the
次に、図16に示すように、断面台形状の樹脂構造物24上に不平衡信号伝送路50および電極パッド56,57,59を形成するとともに、平衡信号伝送路延長部36a,37aから電極パッド56,57までを連絡する樹脂構造物側面連絡部36b,37bを、樹脂構造物24の頂面から側面に形成する。
なお、図16には図示されていないが、不平衡信号伝送路50は不平衡信号入出力端50aから開放端50bまでの全体(第1平衡信号伝送路に対向した部分50c、第2平衡信号伝送路に対向した部分50dおよび中間部50e)が同時に形成される。また、電極パッド56,57,59および樹脂構造物側面連絡部36b,37bと同様に、電極パッド51,52および樹脂構造物側面連絡部31b,32bも同時に形成される。
Next, as shown in FIG. 16, the unbalanced
Although not shown in FIG. 16, the unbalanced
次に、電極パッド56,57,59の少なくとも一部を露出する開口部26c,26d,26eを有する封止樹脂層26を形成すると、図13に示すように、不平衡信号伝送路50が封止樹脂層26に覆われてなるバラン実装デバイスが得られる。
なお、図13には図示されていないが、封止樹脂層26には、電極パッド51,52の少なくとも一部を露出する開口部26a,26bも同様に形成される。
Next, when the sealing
Although not shown in FIG. 13,
さらに、図1に示すように、開口部26c,26d,26eに露出された電極パッド56,57,59上にバンプ86,87,89を形成する。
なお、図1には図示されていないが、電極パッド51,52上のバンプ81,82も同様に形成される。
基板10がウエハである場合には、さらにダイシングをすることで、バラン実装デバイスのチップが得られる。
伝送路30,35,50、引き出し配線31,32,36,37や、電極パッド51,52,56,57,59の形成は、例えば銅(Cu)めっき等の金属めっきを用いることが好ましい。
断面台形状の樹脂構造物24の形成や第3絶縁樹脂層26に開口部を形成するには、スピンコートや電着法、ドライフィルム接着などにより全面に感光性樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィー工程によりパターニングする方法等が挙げられる。
このように、ウエハレベルパッケージ(WLP)技術を応用した製造方法によれば、バラン実装デバイス100の製造の際のプロセス温度は、最高でも300℃未満とすることができる。
Further, as shown in FIG. 1, bumps 86, 87, 89 are formed on the
Although not shown in FIG. 1, bumps 81 and 82 on the
In the case where the
The
In order to form a
As described above, according to the manufacturing method applying the wafer level package (WLP) technology, the process temperature when manufacturing the
本形態例のバラン実装デバイスは、下側の伝送路30,35の上に断面台形状の樹脂構造物24を形成し、その上に上側の伝送路50を形成して積層型バランを基板10上に構成するので、断面台形状の樹脂構造物24の側面に沿って引き出し配線31,32,36,37を設けて、断面台形状の樹脂構造物24の頂面に形成した電極パッド51,52,56,57に接続することができる。
これにより、下側の伝送路30,35と上側の伝送路50との間の誘電体層に開口やビアを形成することなく、上側の伝送路50と同じ層で断面台形状の樹脂構造物24の頂面に形成した電極パッド51,52,56,57と下側の伝送路30,35を容易に接続することが可能である。すなわち、半導体加工プロセスに比べて大きなデザインルールをもつバラン用伝送路に対してWLP技術の適用を可能にする。さらに、不平衡入力50Ωを実現した、低損失で低コストのバラン実装デバイスおよびその製造方法を提供することが可能である。
また、デバイスの特性のみならず、実装上の応力緩和も実現でき、信頼性を向上することができる。
In the balun mounting device of this embodiment, the
Accordingly, a resin structure having a trapezoidal cross section in the same layer as the
Further, not only the characteristics of the device but also stress relaxation during mounting can be realized, and the reliability can be improved.
なお、本形態例のバラン実装デバイスは、断面台形状の樹脂構造物24の下側(基板10に近い側)に平衡信号伝送路30,35が設けられ、断面台形状の樹脂構造物24の上側(基板10から遠い側)に不平衡信号伝送路50が設けられたものである。
本発明の思想においては、断面台形状の樹脂構造物24の下側(基板10に近い側)に不平衡信号伝送路50が設けられ、断面台形状の樹脂構造物24の上側(基板10から遠い側)に平衡信号伝送路30,35が設けられたバラン実装デバイスを実現することも可能である。ただし、この場合は、2つの平衡信号出入力端30a,35aおよび2つの接地端30b,35bは樹脂構造物24上に形成され、それを樹脂構造物24上の電極パッドと接続する際に、樹脂構造物24の側面を経由する必要はない。その代わりに、不平衡信号伝送路50の不平衡信号入出力端50aを電極パッドと接続するために、第1絶縁樹脂層22上に形成された断面台形状の樹脂構造物24の頂面から側面を経由して、不平衡信号入出力端50aを断面台形状の樹脂構造物24の頂面上の電極パッドと接続するための引き出し配線が設けられる。
The balun mounting device of the present embodiment is provided with balanced
In the idea of the present invention, an unbalanced
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。
図1において、平衡信号伝送路30,35がスパイラル状に3本並列している部分の幅W1を300μm、断面台形状の樹脂構造物24の高さ(図6のT+dに相当する)をT1=40μm、断面台形状の樹脂構造物24の下面の幅をW2=500μm、W3=450μmとして、図1、図2に示すバラン実装デバイス100をシミュレーションした。
第1絶縁樹脂層22、断面台形状の樹脂構造物24、封止樹脂層26の形成には、感光性樹脂などの絶縁性樹脂を用いた。
伝送路30,35,50、引き出し配線31,32,36,37や、電極パッド51,52,56,57,59の形成は、例えば銅(Cu)めっき等の金属めっきを用いた。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.
In FIG. 1, the width W1 of a portion where three balanced
An insulating resin such as a photosensitive resin was used to form the first insulating
The
基板10はシリコン(Si)基板やガラス基板とし、基板10上に第1絶縁樹脂層22を塗布した上に、電気めっき等で平衡信号伝送路30,35や平衡信号伝送路延長部31a,32a,36a,37aを形成した(図14参照)。
The
次に、スピンコートや電着法、ドライフィルム接着などにより、誘電体層を設け、フォトリソグラフィー工程によりパターニングして、断面台形状の樹脂構造物24を形成した
(図15参照)
次に、電気めっき等により、不平衡信号伝送路50、電極パッド51,52,56,57,59、および樹脂構造物側面連絡部31b,32b,36b,37bを形成した。(図16参照)
Next, a dielectric layer was provided by spin coating, electrodeposition, dry film bonding, etc., and patterned by a photolithography process to form a
Next, the unbalanced
次に、スピンコートや電着法、ドライフィルム接着などにより、封止樹脂層26を設け、フォトリソグラフィー工程によりパターニングして、電極パッド51,52,56,57,59の少なくとも一部を露出する開口部26a,26b,26c,26d,26eを形成した。(図13参照)
次に、開口部26a,26b,26c,26d,26eから露出された電極パッド51,52,56,57,59上にバンプ81,82,86,87,89を形成して、図1、図2に示すバラン実装デバイス100を得た。
Next, a sealing
Next, bumps 81, 82, 86, 87, and 89 are formed on the
本発明は、種々の高周波回路に用いることができる。例えば、携帯電話、無線LAN、Bluetooth(登録商標)、WiMAX(登録商標)等の無線通信機器を構成する回路に好適に利用することができる。 The present invention can be used for various high-frequency circuits. For example, it can be suitably used for a circuit constituting a wireless communication device such as a mobile phone, a wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), WiMAX (registered trademark).
10…基板、22…第1絶縁樹脂層、24…断面台形状の樹脂構造物、
30…第1平衡信号伝送路、30a…第1平衡信号出入力端、30b…第1接地端、
31…第1平衡信号出入力引き出し配線、32…第1接地引き出し配線、
35…第2平衡信号伝送路、35a…第2平衡信号出入力端、35b…第2接地端、
36…第2平衡信号出入力引き出し配線、37…第2接地引き出し配線、
50…不平衡信号伝送路、50a…不平衡信号入出力端、50b…開放端、50c…第1平衡信号伝送路に対向した部分、50d…第2平衡信号伝送路に対向した部分、
51,52,56,57,59…電極パッド、81,82,86,87,89…バンプ、
100…バラン実装デバイス、110…バラン。
DESCRIPTION OF
30 ... 1st balanced signal transmission path, 30a ... 1st balanced signal input / output terminal, 30b ... 1st grounding terminal,
31... First balanced signal input / output lead wiring, 32... First ground lead wiring,
35 ... 2nd balanced signal transmission path, 35a ... 2nd balanced signal input / output end, 35b ... 2nd grounding end,
36: second balanced signal input / output lead wiring, 37: second ground lead wiring,
50 ... an unbalanced signal transmission path, 50a ... an unbalanced signal input / output end, 50b ... an open end, 50c ... a portion facing the first balanced signal transmission path, 50d ... a portion facing the second balanced signal transmission path,
51, 52, 56, 57, 59 ... electrode pads, 81, 82, 86, 87, 89 ... bumps,
100: Balun mounting device, 110: Balun.
Claims (7)
前記基板上に形成された第1絶縁樹脂層と、
前記第1絶縁樹脂層上に設けられ、一端を第1平衡信号出入力端とし、他端を第1接地端とする第1平衡信号伝送路と、
前記第1絶縁樹脂層上に前記第1平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられ、一端を第2平衡信号出入力端とし、他端を第2接地端とする第2平衡信号伝送路と、
前記2つの平衡信号伝送路上および前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面上において、前記2つの平衡信号伝送路に対向して設けられ、一端を不平衡信号入出力端とし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路と、
前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第1平衡信号出入力端に接続された第1平衡信号出入力引き出し配線と、
前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第2平衡信号出入力端に接続された第2平衡信号出入力引き出し配線と、
前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第1接地端に接続された第1接地引き出し配線と、
前記第1絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第2接地端に接続された第2接地引き出し配線とを少なくとも備え、
前記断面台形状の樹脂構造物の頂面上には、前記不平衡信号入出力端と、前記2つの平衡信号出入力引き出し配線と、前記2つの接地引き出し配線とのそれぞれと接続する電極パッドが形成されていることを特徴とするバラン実装デバイス。 A substrate,
A first insulating resin layer formed on the substrate;
A first balanced signal transmission line provided on the first insulating resin layer, having one end as a first balanced signal input / output end and the other end as a first ground end;
A second balanced signal provided on the first insulating resin layer electrically independent from the first balanced signal transmission line, having one end as a second balanced signal input / output end and the other end as a second ground end. A transmission line;
On the top surface of the trapezoidal resin structure formed on the two balanced signal transmission lines and on the first insulating resin layer, the two balanced signal transmission lines are provided opposite to each other, and one end is unbalanced. An unbalanced signal transmission line having a signal input / output end and the other end being an open end;
A first balanced signal input / output lead line connected to the first balanced signal input / output terminal via a side surface from a top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section formed on the first insulating resin layer;
A second balanced signal input / output lead line connected to the second balanced signal input / output end via a side surface from the top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section formed on the first insulating resin layer;
A first ground lead wiring connected to the first ground end via a side surface from a top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section formed on the first insulating resin layer;
At least a second ground lead wiring connected to the second ground end via a side surface from a top surface of the resin structure having a trapezoidal cross section formed on the first insulating resin layer,
On the top surface of the trapezoidal resin structure, there are electrode pads connected to the unbalanced signal input / output terminal, the two balanced signal input / output lead wires, and the two ground lead wires, respectively. A balun mounting device characterized by being formed.
Priority Applications (1)
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