JP2010154517A - Resin multilayer device - Google Patents

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雄介 上道
Takuya Aizawa
卓也 相沢
Satoru Nakao
知 中尾
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin multilayer device capable of providing a high-performance balancing filter, and having a balancing filter of a simple and compact structure. <P>SOLUTION: A GND layer 40, a first resin layer 22 formed on a substrate 10 or the GND layer 40, a first conductive pattern group 130, a second resin layer 24, a second conductive pattern group 150, and a third resin layer 26 are sequentially laminated on the substrate 10; a balun 110 of a balancing filter includes a first balanced signal transmission path 30 and a second balanced signal transmission path 35 of the first conductive pattern group 130, and an unbalanced signal transmission path 50 of the second conductive pattern group 150; the first balanced signal transmission path 30 and a first unbalanced signal transmission path 50c include a first space E1 in the inner periphery; the second balanced signal transmission path 35 and a second unbalanced signal transmission path 50d include a second space E2 in the inner periphery; and a filter 120 of the balancing filter is arranged in the first space E1 and/or the second space E2. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、無線通信機器等の高周波回路に用いられるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスに関し、特に、ウェハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ：Wafer Level Chip Size/Scale Package）技術により形成された積層型のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスに関する。   The present invention relates to a resin multilayer device having a balance filter used in a high-frequency circuit such as a wireless communication device, and more particularly, a laminated type balance formed by a wafer level chip size package (WLCSP) technology. The present invention relates to a resin multilayer device having a filter.

無線通信機器では、高周波信号処理ＩＣから出力された平衡信号（差動信号）を、バランにおいて不平衡信号（単一信号）に変換し、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）またはローパスフィルタ（ＬＰＦ）で不要信号を除去して、アンテナから送信する。また、アンテナで受信された不平衡信号を、ＢＰＦに通して周波数帯域を選択し、バランにおいて平衡信号に変換して、高周波信号処理ＩＣに入力する（例えば特許文献１，２参照）。   In wireless communication equipment, a balanced signal (differential signal) output from a high-frequency signal processing IC is converted into an unbalanced signal (single signal) in a balun, and is not required by a band-pass filter (BPF) or a low-pass filter (LPF) Remove the signal and transmit from the antenna. Further, the unbalanced signal received by the antenna is passed through the BPF, the frequency band is selected, converted into a balanced signal by the balun, and input to the high-frequency signal processing IC (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

このように、無線通信回路では、バランとフィルタとがセットで、高周波信号処理ＩＣとアンテナの間に設けられるため、バランとフィルタとを一体化した様々なバランスフィルタが開発されている（例えば特許文献１〜３参照）。   As described above, in the wireless communication circuit, since the balun and the filter are provided as a set and are provided between the high-frequency signal processing IC and the antenna, various balance filters in which the balun and the filter are integrated have been developed (for example, patents). References 1-3).

積層型のバランスフィルタは、積層型バランと、積層型フィルタとによって構成されている。積層型バランは、不平衡信号伝送路と、２つの平衡信号伝送路とが、誘電体層を介して積層配置された構成になっている。積層型バランの製造技術としては、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）技術をベースとしたもの（例えば特許文献４参照）、多層プリント基板製造技術をベースとしたもの（例えば特許文献５参照）、半導体加工技術をベースとしたもの（例えば、特許文献６、非特許文献１参照）、誘電体層として樹脂層を用いたもの（例えば特許文献３，７参照）がある。なお、積層型フィルタの製造技術は、積層型バランと同様である。   The multilayer balance filter is composed of a multilayer balun and a multilayer filter. The laminated balun has a configuration in which an unbalanced signal transmission line and two balanced signal transmission lines are laminated via a dielectric layer. As a manufacturing technique of the multilayer balun, a technique based on a low temperature co-fired ceramics (LTCC) technique (for example, see Patent Document 4), a technique based on a multilayer printed circuit board manufacturing technique (for example, a patent) Document 5), those based on semiconductor processing technology (for example, see Patent Document 6 and Non-Patent Document 1), and those using a resin layer as a dielectric layer (for example, see Patent Documents 3 and 7). The manufacturing technique of the multilayer filter is the same as that of the multilayer balun.

バランは、不平衡信号出入力側のインピーダンス、および平衡信号入出力側のインピーダンスが設計仕様のインピーダンス値であることを要求される。これらのインピーダンス仕様を満たすためのパラメータは、伝送路の幅、伝送路の厚さ、伝送路間の絶縁層の厚さ（伝送路間の距離）および誘電率、下側伝送路の下層の絶縁層の厚さおよび誘電率、ならびに上側伝送路の上層の絶縁層の厚さおよび誘電率である（例えば特許文献５参照）。   The balun is required that the impedance on the input / output side of the unbalanced signal and the impedance on the input / output side of the balanced signal are impedance values of design specifications. Parameters to satisfy these impedance specifications are: transmission line width, transmission line thickness, insulation layer thickness between transmission lines (distance between transmission lines) and dielectric constant, insulation under the lower transmission line The thickness and dielectric constant of the layer, and the thickness and dielectric constant of the upper insulating layer on the upper transmission line (see, for example, Patent Document 5).

一方、近年、ＷＬＣＳＰという技術が提案されている（例えば特許文献８参照）。ＷＬＣＳＰは、ウェハ上に、樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによって樹脂多層デバイスを作り込み、そのあとにチップにダイシングする技術である。つまり、ウェハのまま、パッケージングまでする製法である。なお、ＷＬＣＳＰ技術によって製造されたパッケージを、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer LevelPackage）とする。   On the other hand, in recent years, a technique called WLCSP has been proposed (see, for example, Patent Document 8). WLCSP is a technique in which a resin multilayer device is formed on a wafer by a resin layer forming process and a conductive pattern group forming process such as a thick film copper pattern group, and then dicing into chips. In other words, it is a manufacturing method in which a wafer is packaged as it is. A package manufactured by the WLCSP technology is referred to as a wafer level package (WLP: Wafer Level Package).

特開２００５−２６０９０３号公報JP 2005-260903 A 特開２００５−２４４８４８号公報JP 2005-244848 A 特開２００５−１９８２４１号公報JP-A-2005-198241 特開２００２−０５０９１０号公報JP 2002-050910 A 特開２００６−１２１３１３号公報JP 2006-121313 A 特開２００４−１７２２８４号公報JP 2004-172284 A 特開２００５−１３０３７６号公報JP-A-2005-130376 特開２００７−２８１２３０号公報JP 2007-281230 A

Yeong J.Yoon，「Design and characterization of Multilayer Spiral Transmission-Line Baluns」,IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,VOL.47,No.9,SEPTEMBER,1999Yeong J. Yoon, “Design and characterization of Multilayer Spiral Transmission-Line Baluns”, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 47, No. 9, SEPTEMBER, 1999

上記ＬＴＣＣ技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、ＧＮＤ層（接地層）や信号入力のためのレイヤ等、多数のレイヤを必要とするため、構成および製造手順が複雑になるという課題があった。さらに、バランの下側伝送路と上側伝送路の位置合せ精度が悪く、インピーダンスが設計値からずれるという課題があった。   The balance filter manufactured based on the LTCC technology requires a large number of layers, such as a GND layer (ground layer) and a layer for signal input, and thus has a problem that the configuration and the manufacturing procedure are complicated. . Furthermore, there is a problem that the alignment accuracy of the lower transmission line and the upper transmission line of the balun is poor and the impedance deviates from the design value.

また、上記多層プリント基板製造技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、プリント基板に伝送路やキャパシタ、インダクタを形成するため、微細加工ができず、サイズが大きくなるという課題があった。また、高精度な加工ができないため、バランの下側伝送路と上側伝送路の位置合せ精度が悪く、伝送路のインピーダンスが設計値からずれるという課題があった。   In addition, the balance filter manufactured based on the multilayer printed circuit board manufacturing technique has a problem that it cannot be finely processed because the transmission path, the capacitor, and the inductor are formed on the printed circuit board, and the size is increased. In addition, since high-precision processing cannot be performed, there is a problem that the alignment accuracy of the lower transmission line and the upper transmission line of the balun is poor, and the impedance of the transmission line deviates from the design value.

また、上記半導体加工技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、微細加工および高精度な加工は可能であるが、バランの伝送路やフィルタのインダクタを、抵抗値の大きなアルミパターンで形成すること、およびシリコン基板からの影響を受けることにより、バランの挿入損失が大きくなるとともに、Ｑ値の高いインダクタを得ることができないので、フィルタの周波数特性が悪いという課題があった。   Moreover, in the balance filter manufactured based on the semiconductor processing technology, fine processing and high-precision processing are possible, but forming the balun transmission line and the filter inductor with an aluminum pattern having a large resistance value, In addition, due to the influence from the silicon substrate, the insertion loss of the balun increases, and an inductor having a high Q value cannot be obtained.

さらに、上記ＷＬＣＳＰ製造技術による場合には、上記ＬＴＣＣ技術による場合よりも誘電体層の比誘電率が低くなるので、バランの伝送路を長くする必要があり、このバランとフィルタとを単に配置した場合には、大きな面積が必要になるという課題があった。   Further, in the case of the WLCSP manufacturing technology, the dielectric constant of the dielectric layer is lower than that in the case of the LTCC technology, so it is necessary to lengthen the balun transmission path, and the balun and the filter are simply arranged. In some cases, a large area is required.

本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび優れた周波数特性のフィルタを実現でき、かつ簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made to solve such a conventional problem, and can achieve a high-precision impedance, low insertion loss balun, and a filter with excellent frequency characteristics, and a simple and compact configuration balance. An object of the present invention is to provide a resin multilayer device having a filter.

本発明の請求項１に記載の樹脂多層デバイスは、バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成されたＧＮＤ層と、前記基板又は前記ＧＮＤ層上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていて、前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域を除いた領域に形成されていることを特徴とする。   The resin multilayer device according to claim 1 of the present invention is a resin multilayer device having a balance filter, and is provided on a substrate, a GND layer formed on the substrate, and the substrate or the GND layer. A first resin layer; a first conductive pattern group provided on the first resin layer; a second resin layer formed on the first resin layer and on the first conductive pattern group; and the second resin layer. A second conductive pattern group provided on the resin layer; and a third resin layer formed on the second resin layer and on the second conductive pattern group. A first balanced signal transmission path and a second balanced signal transmission path that are electrically independent of each other as a conductive pattern of one conductive pattern group, and the two balanced signal transmission paths as a conductive pattern of the second conductive pattern group Opposite An unbalanced signal transmission path provided, and the first unbalanced signal transmission path section of the first balanced signal transmission path and the unbalanced signal transmission path facing the first balanced signal transmission path has a first space on the inner periphery. The second unbalanced signal transmission line and the second unbalanced signal transmission line portion of the unbalanced signal transmission line opposite to the second balanced signal transmission line are arranged in a planar spiral type having a second space on the inner periphery. The balance filter includes a conductive pattern of the first conductive pattern group and a conductive pattern of the second conductive pattern group, and is in the first space and / or in the second space. The GND layer is formed in a region excluding a region overlapping with the filter.

本発明の請求項２に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１において、前記第１スペース及び前記第２スペースにおいて、前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配された距離をＡ、前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上であることを特徴とする。   A resin multilayer device according to a second aspect of the present invention is the resin multilayer device according to the first aspect, wherein in the first space and the second space, an end portion forming an inner edge of the GND layer is an innermost circumference constituting the balun. When A is a distance extending inward from the part and B is a distance between the upper surface of the GND layer and the lower surface of the second conductive pattern group, A is 5 times or more of B. Features.

本発明の請求項３に記載の樹脂多層デバイスは、バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていることを特徴とする。   The resin multilayer device according to claim 3 of the present invention is a resin multilayer device having a balance filter, and is provided on a substrate, a first resin layer formed on the substrate, and the first resin layer. A first conductive pattern group, a second resin layer formed on the first resin layer and the first conductive pattern group, a second conductive pattern group provided on the second resin layer, A third resin layer formed on the second resin layer and the second conductive pattern group, and the balun of the balance filter is electrically independent of each other as the conductive pattern of the first conductive pattern group A first balanced signal transmission path and a second balanced signal transmission path provided; and an unbalanced signal transmission path provided opposite to the two balanced signal transmission paths as a conductive pattern of the second conductive pattern group. Having the first flat The signal transmission path and the first unbalanced signal transmission path portion of the unbalanced signal transmission path facing the signal transmission path are arranged in a plane spiral type having a first space on the inner periphery, and the second balanced signal transmission path and The second unbalanced signal transmission path portion of the opposing unbalanced signal transmission path is arranged in a plane spiral type having a second space on the inner periphery, and the filter of the balance filter is formed of the first conductive pattern group. It has a conductive pattern and a conductive pattern of the second conductive pattern group, and is arranged in the first space and / or the second space.

本発明の請求項４に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする。   The resin multilayer device according to claim 4 of the present invention is connected to one end of the first balanced signal transmission line as the conductive pattern of the second conductive pattern group according to any one of claims 1 to 3. A first balanced signal electrode pad, a second balanced signal electrode pad connected to one end of the second balanced signal transmission line, an unbalanced signal electrode pad disposed in the first space, and the first space. A first filter electrode pad disposed within the second space, and a second filter electrode pad disposed within the second space, wherein the filter is disposed within the first space, and one end of the filter electrode pad is unbalanced. A first filter portion connected to the signal electrode pad, the other end connected to the first filter electrode pad, and the second filter electrode pad; and one end connected to the second filter electrode pad. A second filter portion having the other end connected to the inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path portion, and the first filter electrode pad and the second filter electrode pad are connected by a bonding wire. It is characterized by being.

本発明の請求項５に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、前記第３樹脂層上に設けられた導電パターンによって接続されていることを特徴とする。   The resin multilayer device according to claim 5 of the present invention is connected to one end of the first balanced signal transmission line as the conductive pattern of the second conductive pattern group in any one of claims 1 to 3. A first balanced signal electrode pad, a second balanced signal electrode pad connected to one end of the second balanced signal transmission line, an unbalanced signal electrode pad disposed in the first space, and the first space. A first filter electrode pad disposed within the second space, and a second filter electrode pad disposed within the second space, wherein the filter is disposed within the first space, and one end of the filter electrode pad is unbalanced. A first filter portion connected to the signal electrode pad, the other end connected to the first filter electrode pad, and the second filter electrode pad; and one end connected to the second filter electrode pad. A second filter portion connected to an inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path portion, and the first filter electrode pad and the second filter electrode pad are the third resin. It is connected by the conductive pattern provided on the layer.

本発明の請求項６に記載の樹脂多層デバイスは、請求項４または５において、前記フィルタは、複数のインダクタと複数のキャパシタとによって構成されており、前記インダクタおよび前記キャパシタが、前記第１フィルタ部と前記第２フィルタ部とに、対称となるように振り分けられて配置されていることを特徴とする。   According to Claim 6 of the present invention, in the resin multilayer device according to Claim 4 or 5, the filter is constituted by a plurality of inductors and a plurality of capacitors, and the inductor and the capacitors are the first filter. And the second filter section are arranged so as to be symmetrical.

本発明の請求項７に記載の樹脂多層デバイスは、請求項４または５において、前記フィルタはバンドパスフィルタであり、前記第１フィルタ部はハイパスフィルタであり、前記第２フィルタ部はローパスフィルタであることを特徴とする。   The resin multilayer device according to claim 7 of the present invention is the resin multilayer device according to claim 4 or 5, wherein the filter is a band-pass filter, the first filter unit is a high-pass filter, and the second filter unit is a low-pass filter. It is characterized by being.

本発明の請求項８に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続されていることを特徴とする。   The resin multilayer device according to claim 8 of the present invention is connected to one end of the first balanced signal transmission line as the conductive pattern of the second conductive pattern group in any one of claims 1 to 3. A first balanced signal electrode pad, a second balanced signal electrode pad connected to one end of the second balanced signal transmission line, and an unbalanced signal electrode pad disposed in the first space, The filter is disposed in the first space, and has one end connected to the unbalanced signal electrode pad and the other end connected to an inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path section. To do.

本発明によれば、基板上に、ＧＮＤ層、第１樹脂層、第１導電パターン群、第２樹脂層、第２導電パターン群、第３樹脂層を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、バランの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペース内にフィルタを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に積層型のフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。さらに、前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域以外の領域に形成されているので、前記フィルタを構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。     According to the present invention, the balance filter has the structure in which the GND layer, the first resin layer, the first conductive pattern group, the second resin layer, the second conductive pattern group, and the third resin layer are sequentially stacked on the substrate. By adopting WLP, the WLCSP technology can form a low resistance conductive pattern by a resin layer and copper plating with the same high accuracy as the CMOS semiconductor processing technology. In addition, a resin multilayer device having a balance filter by a filter having excellent frequency characteristics can be obtained, and by arranging the filter in a space secured in the inner periphery of the balun's planar spiral transmission line, almost two planes can be obtained. Since a multilayer filter can be manufactured in the area occupied by the spiral transmission path, a simple and compact bar There is an effect that it is possible to obtain a resin multilayer device having Nsu filter. Furthermore, since the GND layer is formed in a region other than the region overlapping with the filter, it does not interfere with the inductor and the capacitor constituting the filter, and the excellent frequency characteristic of the filter is maintained.

ここで、前記スペースにおいて、前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配されており、その延伸された距離をＡ、前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上であると、前記ＧＮＤ層と前記第１導電パターン群との間の電気力線、及び前記ＧＮＤ層と前記第２導電パターン群との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。   Here, in the space, an end portion constituting the inner edge of the GND layer is arranged to extend inward from an innermost peripheral portion constituting the balun, and the extended distance is represented by A and the GND layer. When the distance between the upper surface of the second conductive pattern group and the lower surface of the second conductive pattern group is B, the line of electric force between the GND layer and the first conductive pattern group is such that A is 5 times or more of B. In addition, since the lines of electric force between the GND layer and the second conductive pattern group are formed gently, adverse effects on the balun operation due to the presence of the region where the GND layer is not formed can be prevented. .

また、本発明によれば、基板上に、第１樹脂層、第１導電パターン群、第２樹脂層、第２導電パターン群、第３樹脂層を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、バランの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペース内にフィルタを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に積層型のバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。   In addition, according to the present invention, the WLP having the balance filter is configured by sequentially laminating the first resin layer, the first conductive pattern group, the second resin layer, the second conductive pattern group, and the third resin layer on the substrate. As a result, the WLCSP technology can form a low resistance conductive pattern by a resin layer and copper plating or the like with the same high accuracy as the CMOS semiconductor processing technology, so that a high-precision impedance and low insertion loss balun and A resin multilayer device having a balance filter with a filter having excellent frequency characteristics can be obtained, and by arranging the filter in a space secured in the inner periphery of the balun's planar spiral transmission line, almost two planar spirals can be obtained. A simple and compact configuration is possible because a laminated balance filter can be manufactured in the area occupied by the transmission line. There is an effect that it is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter.

本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the structural example of the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるＧＮＤ層の配置の一例を説明する上面図である。It is a top view explaining an example of arrangement | positioning of the GND layer in the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるバランの構成を説明する上面図である。It is a top view explaining the structure of the balun in the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 図３においてのＧ−Ｇ間の断面図である。It is sectional drawing between GG in FIG. 図３においてのＨ−Ｈ間の断面図である。It is sectional drawing between HH in FIG. 図３においてのＩ−Ｉ間の断面図である。It is sectional drawing between II in FIG. 本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるバランの動作を説明する模式回路図である。It is a schematic circuit diagram explaining the operation | movement of the balun in the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの構成を説明する上面図である。It is a top view explaining the structure of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 図８におけるＪ−Ｊ間の断面図である。It is sectional drawing between JJ in FIG. 図８におけるＫ−Ｋ間の断面図である。It is sectional drawing between KK in FIG. 本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。It is a top view explaining the structural example of the resin multilayer device of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。It is a top view explaining the structural example of the resin multilayer device of Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの構成を説明する別の上面図である。It is another top view explaining the structure of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining an example of a structure of the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの構成の一例を説明する上面図である。It is a top view explaining an example of the structure of the balun in the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 図１９においてのＡ−Ａ間の断面図である。It is sectional drawing between AA in FIG. 図１９においてのＢ−Ｂ間の断面図である。It is sectional drawing between BB in FIG. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの動作を説明する模式回路図であるIt is a schematic circuit diagram explaining the operation | movement of the balun in the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの構成を説明する上面図である。It is a top view explaining the structure of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 図２３においてのＤ−Ｄ間の断面図である。It is sectional drawing between DD in FIG. 図２３においてのＥ−Ｅ間の断面図である。It is sectional drawing between EE in FIG. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する上面図である。It is a top view explaining an example of a structure of the resin multilayer device of Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する上面図である。It is a top view explaining an example of a structure of the resin multilayer device of Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining another example of a structure of the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの構成の別の例を説明する上面図である。It is a top view explaining another example of the structure of the balun in the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 図３３においてのＰ−Ｐ間の断面図である。It is sectional drawing between PP in FIG. 本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する上面図である。It is a top view explaining another example of a structure of the resin multilayer device of Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する上面図である。It is a top view explaining another example of a structure of the resin multilayer device of Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの構成を説明する別の上面図である。It is another top view explaining the structure of the filter in the resin multilayer device of Embodiment 5 of this invention. 図３７においてのＱ−Ｑ間の断面図である。It is sectional drawing between QQ in FIG.

以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。なお、以下の説明に用いる図面は、模式的なものであって、実際のインダクタ、キャパシタ等の占有面積は以下の図面とは異なる。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. The drawings used in the following description are schematic, and the actual occupied area of inductors, capacitors, and the like is different from the following drawings.

＜実施形態１＞
図１は、本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。この実施形態１の樹脂多層デバイス１００は、基板１０と、ＧＮＤ層４０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、６つの接地部（第１接地部７０ｘ、第３接地部７０ｙ、第５接地部７０ｚ；第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、ボンディングワイヤ１６０とを備えて構成されたＷＬＰである。 <Embodiment 1>
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration example of a resin multilayer device according to Embodiment 1 of the present invention. The resin multilayer device 100 of the first embodiment includes a substrate 10, a GND layer 40, a first resin layer 22, a first conductive pattern group 130, a second resin layer 24, a second conductive pattern group 150, The third resin layer 26, two balanced signal terminal portions 60 (first balanced signal terminal portion) and 65 (second balanced signal terminal portion), and six ground portions (first ground portion 70x, third ground portion 70y). , Fifth grounding portion 70z; second grounding portion 75x, fourth grounding portion 75y, sixth grounding portion 75z), two filter terminal portions 80 (first filter terminal portion) and 85 (second filter terminal portion) The WLP includes an unbalanced signal terminal portion 90 and a bonding wire 160.

［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、あるいはＧａＡｓ等の絶縁性基板である。 [Substrate 10]
The substrate 10 is, for example, a semiconductor substrate such as a silicon substrate, a glass substrate, or an insulating substrate such as GaAs.

［ＧＮＤ層４０］
ＧＮＤ層４０は、前記基板１０上に形成された導電性金属からなる接地層（グランド層）である。該導電性金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）等の金属を用いる。基板上にＧＮＤ層４０を設ける方法としては、めっき法、スパッタ法等が適用できる。 [GND layer 40]
The GND layer 40 is a ground layer (ground layer) made of a conductive metal formed on the substrate 10. As the conductive metal, for example, a metal such as copper (Cu) or aluminum (Al) is used. As a method of providing the GND layer 40 on the substrate, a plating method, a sputtering method, or the like can be applied.

ＧＮＤ層４０は、後述のフィルタを構成するインダクタ及びキャパシタと重なる領域を除いた領域に形成されている。すなわち、図２において、基板１０を図面の上方から見たとき、前記インダクタ及びキャパシタと重なる基板１０の領域上には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。基板１０上において、ＧＮＤ層４０の形成されていない領域には、後述の第１樹脂層２２が形成されている。   The GND layer 40 is formed in a region excluding a region overlapping with an inductor and a capacitor constituting a filter described later. That is, in FIG. 2, when the substrate 10 is viewed from above, the GND layer 40 is not formed on the region of the substrate 10 that overlaps with the inductor and the capacitor. On the substrate 10, a first resin layer 22 to be described later is formed in a region where the GND layer 40 is not formed.

［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、基板１０又はＧＮＤ層４０上に形成されている。すなわち、ＧＮＤ層４０上の他に、ＧＮＤ層４０の形成されていない基板１０の上にも第１樹脂層２２が形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。 [Multilayer resin body 20]
The first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26 constitute a multilayer resin body 20. The first resin layer 22 is formed on the substrate 10 or the GND layer 40. That is, in addition to the GND layer 40, the first resin layer 22 is also formed on the substrate 10 on which the GND layer 40 is not formed. As the first resin layer 22, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a fluorine resin such as tetrafluoroethylene, or a photosensitive resin such as BCB (benzocyclobutene) is used.

また、第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。   The second resin layer 24 is formed on the first resin layer 22 provided with the first conductive pattern group 130 including the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35. As the second resin layer 24, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a fluorine resin such as tetrafluoroethylene, or a photosensitive resin such as BCB (benzocyclobutene) is used.

また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０の２つの不平衡信号伝送路部５０ｃ（第１不平衡信号伝送路部）および５０ｄ（第２不平衡信号伝送路部）を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。   The third resin layer 26 includes two unbalanced signal transmission path portions 50c (first unbalanced signal transmission path portions) and 50d (second unbalanced signal transmission path portions) of the unbalanced signal transmission paths 50. The second conductive pattern group 150 is formed on the second resin layer 24 provided. As the third resin layer 26, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a fluorine resin such as tetrafluoroethylene, or a photosensitive resin such as BCB (benzocyclobutene) is used.

これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有することが望ましい。   It is desirable that the first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26 have the same relative dielectric constant, for example, by using the same material and the same technique.

樹脂多層デバイス１００には、積層型のバラン１１０と、積層型のフィルタ１２０とを一体化したバランスフィルタが作り込まれている。   In the resin multilayer device 100, a balance filter in which a laminated balun 110 and a laminated filter 120 are integrated is built.

［バラン１１０］
バラン１１０は、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン１１０は、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部１１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部１１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部１１０ａは、第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部１１０ｂは、第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。 [Balan 110]
The balun 110 includes a first resin layer 22, two balanced signal transmission paths 30 (first balanced signal transmission paths) and 35 (second balanced signal transmission paths), a second resin layer 24, and unbalanced signal transmission. The path 50 and the third resin layer 26 are configured. The balun 110 has a first balun portion 110a arranged in a plane spiral type so as to have a first space E1 on the inner periphery, and a first spiral balun arranged in a plane spiral type so as to have a second space E2 on the inner circumference. 2 balun portions 110b. The first balun unit 110a includes a first balanced signal transmission path 30 and a first unbalanced signal transmission path 50c facing the first balanced signal transmission path 30. The second balun unit 110b includes a second balanced signal transmission path 35 and a second unbalanced signal transmission path section 50d facing the second balanced signal transmission path 35.

図２は、樹脂多層デバイス１００におけるＧＮＤ層４０の配置の一例を説明する上面図である。第１スペースＥ１において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａは、第１バラン部１１０ａの最内周の部位４４ａより内側に距離Ａで延伸して配されている。第２スペースＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂは、第２バラン部１１０ｂの最内周の部位４４ｂより内側に距離Ａｘで延伸して配されている。   FIG. 2 is a top view for explaining an example of the arrangement of the GND layer 40 in the resin multilayer device 100. In the first space E1, the end portion 42a that forms the inner edge of the GND layer 40 is extended and arranged at a distance A inside the innermost peripheral portion 44a of the first balun portion 110a. In the second space E2, the end portion 42b that forms the inner edge of the GND layer 40 is disposed so as to extend inside the innermost peripheral portion 44b of the second balun portion 110b by a distance Ax.

また、図２において、樹脂多層デバイス１００の上面に対して垂直に見下ろしたとき、第１スペースＥ１におけるＧＮＤ層４０の形成されていない領域Ｅ３の形状は、第１スペースＥ１の形状と相似形であってもよく、相似形でなくてもよい。同様に、第２スペースＥ２におけるＧＮＤ層４０の形成されていない領域Ｅ４は、第２スペースＥ２と相似形であってもよく、相似形でなくてもよい。領域Ｅ３と領域Ｅ４は、バランスフィルタの動作を良好にする観点から、同一の形状であることが好ましい。なお、図２に示した領域Ｅ３及び領域Ｅ４の長方形の形状は一例であり、必ずしもこの形状である必要はない。   Further, in FIG. 2, when looking down perpendicularly to the upper surface of the resin multilayer device 100, the shape of the region E3 in which the GND layer 40 is not formed in the first space E1 is similar to the shape of the first space E1. It may or may not be similar. Similarly, the region E4 in which the GND layer 40 is not formed in the second space E2 may be similar to the second space E2, or may not be similar. It is preferable that the region E3 and the region E4 have the same shape from the viewpoint of improving the operation of the balance filter. Note that the rectangular shapes of the region E3 and the region E4 illustrated in FIG. 2 are merely examples, and the shape is not necessarily required.

図３はバラン１１０の構成を説明する上面図である。また、図４は図３においてのＧ−Ｇ間の断面図、図５は図３においてのＨ−Ｈ間の断面図、図６は図３においてのＩ−Ｉ間の断面図である。ただし、図３〜図６では、バラン１１０を判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。   FIG. 3 is a top view illustrating the configuration of the balun 110. 4 is a cross-sectional view taken along line GG in FIG. 3, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line H-H in FIG. 3, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II in FIG. However, in FIGS. 3 to 6, in order to explain the balun 110 in an easy-to-understand manner, the planar spiral type first balanced signal transmission line 30 having the first space E1 on the inner periphery and the second space E2 on the inner periphery are provided. A planar spiral type second balanced signal transmission path 35, a planar spiral type first unbalanced signal transmission path section 50c having a first space E1 on the inner circumference, and a planar spiral type second having a second space E2 on the inner circumference. The unbalanced signal transmission path 50 configured to include the two unbalanced signal transmission path sections 50d is drawn in a straight transmission path.

［第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５］
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターン（第１導電パターン群１３０に属するあるいは第１導電パターン群１３０を構成する導電パターン）として、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成されている。第１平衡信号伝送路３０は、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、第２平衡信号伝送路３５も、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。 [First balanced signal transmission path 30, second balanced signal transmission path 35]
The first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 are used as conductive patterns of the first conductive pattern group 130 (conductive patterns belonging to the first conductive pattern group 130 or constituting the first conductive pattern group 130). They are formed on the first resin layer 22 electrically independently from each other. The first balanced signal transmission line 30 is a transmission line arranged in a plane spiral type having a first space E1 on the inner periphery. Similarly, the second balanced signal transmission path 35 is also a transmission path arranged in a planar spiral shape having the second space E2 on the inner periphery.

平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの第１平衡信号伝送路３０の一端３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の一端３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端になっている。   The outer peripheral end (one end) 30a of the flat spiral type first balanced signal transmission line 30 and the outer peripheral end (one end) 35a of the flat spiral type second balanced signal transmission line 35 are similarly arranged with a gap g. . One end 30a of the first balanced signal transmission path 30 and one end 35a of the second balanced signal transmission path 35 are signal ends to which balanced signals (differential signals) are input and output, respectively. Further, the inner peripheral end (other end) 30b of the first balanced signal transmission path 30 and the inner peripheral end (other end) 35b of the second balanced signal transmission path 35 are grounded ends.

第１平衡信号伝送路３０の接地端は、内周端３０ｂから引き出された配線３２の端部においてビア３３を介してＧＮＤ層４０に電気的に接続された第１接地部７０ｘにつなげられている（図３，６参照）。また、第２平衡信号伝送路３５の接地端は、内周端３５ｂから引き出された配線３７の端部においてビア３８を介してＧＮＤ層４０に電気的に接続された第２接地部７５ｘにつなげられている（図３参照）。   The ground end of the first balanced signal transmission line 30 is connected to the first ground portion 70x electrically connected to the GND layer 40 via the via 33 at the end of the wiring 32 drawn from the inner peripheral end 30b. (See FIGS. 3 and 6). Further, the ground end of the second balanced signal transmission line 35 is connected to the second ground portion 75x electrically connected to the GND layer 40 via the via 38 at the end of the wiring 37 drawn from the inner peripheral end 35b. (See FIG. 3).

ビア３３及びビア３８は、フォトリソグラフィ等によって第１樹脂層２２を貫通するように設けられたビア・ホールに金属材料が埋め込まれて、又はビア・ホールの内壁を沿うようにめっきして、形成されている。該金属材料は第１平衡信号伝送路３０及び第２平衡信号伝送路３５と同じ材料によって形成されることが望ましく、例えば銅めっき等のめっき金属が挙げられる。   The via 33 and the via 38 are formed by burying a metal material in a via hole provided so as to penetrate the first resin layer 22 by photolithography or the like, or by plating along the inner wall of the via hole. Has been. The metal material is preferably formed of the same material as the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35, and examples thereof include a plated metal such as copper plating.

第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の下面とＧＮＤ層４０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１ｘである（図４参照）。   The first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 are simultaneously formed of the same metal material as the conductive patterns of the first conductive pattern group 130, and are made of, for example, a plating metal such as copper plating. Further, it is desirable that the transmission line length L1 of the first balanced signal transmission line 30 and the transmission line length L2 of the second balanced signal transmission line 35 are formed to have the same length (L1 = L2). The first balanced signal transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35 are desirably formed to have the same width W and the same thickness T. In addition, the space | interval (layer thickness of the 1st resin layer 22) of the lower surface of the 1st balanced signal transmission path 30 and the 2nd balanced signal transmission path 35, and the GND layer 40 upper surface is h1x (refer FIG. 4).

［不平衡信号伝送路５０］
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続（電気的に接続）した１本の伝送路である。 [Unbalanced signal transmission line 50]
The unbalanced signal transmission path 50 is formed on the second resin layer 24 as a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The unbalanced signal transmission path 50 is a flat spiral type first unbalanced signal transmission path section having a lower surface facing the upper surface of the first balanced signal transmission path 30 and having a first space E1 on the inner periphery. 50c and the outer peripheral ends of the flat spiral type second unbalanced signal transmission path portion 50d having the second space E2 on the inner circumference, the lower surface of which is provided to face the upper surface of the second balanced signal transmission path 35 Are integrally connected (electrically connected) to each other.

不平衡信号伝送路５０の一端（第２不平衡信号伝送路部５０ｄの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（第１不平衡信号伝送路部５０ｃの内周端）５０ｂは開放端になっている。   One end of the unbalanced signal transmission path 50 (inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path section 50d) 50a is a signal end to which an unbalanced signal is input and output, and the other end of the unbalanced signal transmission path 50 ( The inner peripheral end 50b of the first unbalanced signal transmission path 50c is an open end.

不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。   The unbalanced signal transmission path 50 is made of a plating metal such as copper plating as the conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The unbalanced signal transmission line 50 is preferably formed of the same metal material by the same formation method as the first balanced signal transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35.

不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａと第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成されていることが望ましい。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。   The unbalanced signal transmission line 50 has a length L of the transmission line length L1 of the first balanced signal transmission line 30, the transmission line length L2 of the second balanced signal transmission line 35, and the length of the first balanced signal transmission line 30. It is desirable that the total length of the signal end 30a and the distance g between the signal ends 35a of the second balanced signal transmission path 35 is the same. The unbalanced signal transmission line 50 is preferably formed to have the same width W and the same thickness T as the first balanced signal transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35.

なお、第２樹脂層２４を介して対向配置された不平衡信号伝送路５０下面と、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面との間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層６０上面までの間隔はｈ２である（図４参照）。   Note that the distance between the lower surface of the unbalanced signal transmission path 50 and the upper surface of the first balanced signal transmission path 30 and the upper surface of the second balanced signal transmission path 35 that face each other via the second resin layer 24 is d. The distance from the upper surface of the unbalanced signal transmission path 50 to the upper surface of the third resin layer 60 is h2 (see FIG. 4).

［バランスフィルタの動作］
図７はバランスフィルタ１１０の動作を説明する模式回路図である。図７において、ＳＤ１は、平衡信号（差動信号）の内、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに入力される（または信号端３０ａから出力される）信号、ＳＤ２は、上記平衡信号の内、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに入力される（または信号端３５ａから出力される）信号、ＳＳは、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａからフィルタ１２０を介して出力される（またはフィルタ１２０を介して信号端５０ａに入力される）不平衡信号（単一信号）をそれぞれ表している。 [Balance filter operation]
FIG. 7 is a schematic circuit diagram for explaining the operation of the balance filter 110. In FIG. 7, SD1 is a signal input to (or output from) the signal end 30a of the first balanced signal transmission line 30 among the balanced signals (differential signals), and SD2 is the balanced signal. Among them, the signal, SS, input to the signal end 35a of the second balanced signal transmission path 35 (or output from the signal end 35a), is output from the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50 via the filter 120. Represents an unbalanced signal (single signal) that is (or is input to the signal end 50a via the filter 120).

また、図７において、ＺＤ１は第１平衡信号伝送路３０の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＤ２は第２平衡信号伝送路３５の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＳは不平衡伝送路５０の出力インピーダンス（または入力インピーダンス）をそれぞれ表している。   In FIG. 7, ZD1 is the input impedance (or output impedance) of the first balanced signal transmission line 30, ZD2 is the input impedance (or output impedance) of the second balanced signal transmission line 35, and ZS is the unbalanced transmission line 50. Each represents output impedance (or input impedance).

バラン１１０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１等参照）を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。   In the balun 110, the first balanced signal transmission path 30, the second balanced signal transmission path 35, and the unbalanced signal transmission path 50 are disposed close to each other via the second resin layer 24 (see FIG. 1 and the like). This is a circuit that generates electromagnetic coupling between the first balanced signal transmission path 30, the second balanced signal transmission path 35, and the unbalanced signal transmission path 50.

このバラン１１０において、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、これらの平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから出力される。この不平衡信号は、フィルタ１２０に入力され、高調波成分の除去等のフィルタ処理をされた不平衡信号ＳＳが、フィルタ１２０から出力される。   In this balun 110, when balanced signals SD1 and SD2 are input to the signal ends 30a and 35a of the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35, these balanced signals SD1 and SD2 are converted into unbalanced signals. The signal is output from the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50. This unbalanced signal is input to the filter 120, and an unbalanced signal SS subjected to filter processing such as removal of harmonic components is output from the filter 120.

また、これとは逆に、バラン１１０において、フィルタ１２０を介して不平衡信号ＳＳを不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。   On the contrary, when the unbalanced signal SS is input to the signal end 50a of the unbalanced signal transmission line 50 via the filter 120 in the balun 110, the unbalanced signal is converted into a balanced signal, and the first balanced The balanced signals SD1 and SD2 are output from the signal ends 30a and 35a of the signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35.

ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと第２不平衡信号伝送路部５０ｄの合計の伝送路長（＝Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設けることが望ましい。   Here, if the wavelength of the signal to be transmitted (signal to be converted) is λ, the transmission line length L1 of the first balanced signal transmission line 30 and the transmission line length L2 of the second balanced signal transmission line 35 are respectively λ / 4, The total transmission path length (= L1 + L2 = L−g) of the first unbalanced signal transmission path section 50c and the second unbalanced signal transmission path section 50d in the unbalanced signal transmission path 50 is λ / 2. It is desirable to provide each transmission path.

また、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａが、第１バラン部１１０ａの最内周の部位４４ａより内側に延伸された距離は距離Ａ以上であることが好ましく、該距離Ａは、ＧＮＤ層４０の上面と第２導電パターン群１５０である不平衡信号伝送路５０の下面との距離Ｂの５倍（以上）である。ここで、該距離Ｂは、図４において、ｈ１ｘ＋Ｔ＋ｄで示される距離である。同様に、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂが、第２バラン部１１０ｂの最内周の部位４４ｂより内側に延伸された距離は距離Ａｘ以上であることが好ましく、該距離Ａｘは、前記距離Ｂの５倍（以上）である。   Further, the distance that the end 42a that forms the inner edge of the GND layer 40 extends inward from the innermost peripheral portion 44a of the first balun portion 110a is preferably equal to or greater than the distance A, and the distance A is equal to the GND layer. This is 5 times (or more) the distance B between the upper surface of 40 and the lower surface of the unbalanced signal transmission path 50 as the second conductive pattern group 150. Here, the distance B is a distance indicated by h1x + T + d in FIG. Similarly, the distance that the end 42b that forms the inner edge of the GND layer 40 extends inward from the innermost peripheral portion 44b of the second balun portion 110b is preferably equal to or greater than the distance Ax. It is 5 times (or more) the distance B.

さらに、バラン１１０は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ、および平衡信号側のインピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。   Furthermore, the balun 110 also has a function as a transformer for converting impedance. As for impedance conversion, the impedance ZS on the unbalanced signal side and the impedances ZD1 and ZD2 on the balanced signal side are required to be impedance values of design specifications. For example, the impedance ZS = 50Ω on the unbalanced signal side and the impedance ZD1 + ZD2 = 100, 150, 200Ω on the balanced signal side.

このようなバランスフィルタは、アンテナで受信した高周波不平衡信号を復調するために平衡信号に変換する必要があり、逆に変調された高周波平衡信号をアンテナから送信するために不平衡信号に変換する必要がある無線通信機器では、不可欠な回路である。   Such a balance filter needs to convert a high-frequency unbalanced signal received by an antenna into a balanced signal in order to demodulate, and conversely converts a modulated high-frequency balanced signal into an unbalanced signal for transmission from the antenna. It is an indispensable circuit in a wireless communication device that needs it.

無線通信機器においては、高周波信号処理ＩＣの入出力インピーダンスとアンテナの出入力インピーダンスとは必ずしも整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランスフィルタは不可欠である。上記両者の間にバランスフィルタを挿入しないと、あるいは挿入してもバランスフィルタのインピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になる。   In wireless communication devices, the input / output impedance of the high-frequency signal processing IC and the input / output impedance of the antenna do not always match. For this reason, in order to match both impedances, a balance filter having an impedance conversion function is indispensable. If no balance filter is inserted between the two, or if the impedance of the balance filter deviates from the design value even if it is inserted, another impedance converter is required.

無線通信機器の信号送信部においては、高周波信号処理ＩＣから出力された送信平衡信号（送信差動信号）は、バランに入力されて不平衡信号に変換される。この送信不平衡信号は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）またはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）において高調波成分を除去され、電力増幅器（ＰＡ）において増幅され、アンテナスイッチ（ＴＤＤ方式の場合）を通ってアンテナから送信される。電力増幅器は差動化が進んでおらず不平衡信号によって動作しているため、平衡信号によって動作している高周波信号処理ＩＣとの間に、バランとＬＰＦまたはＢＰＦを一体化したバランスフィルタが必要になる。   In the signal transmission unit of the wireless communication device, the transmission balanced signal (transmission differential signal) output from the high-frequency signal processing IC is input to the balun and converted into an unbalanced signal. The transmission unbalanced signal has its harmonic components removed by a low-pass filter (LPF) or a band-pass filter (BPF), amplified by a power amplifier (PA), and transmitted from an antenna through an antenna switch (in the case of a TDD system). Is done. Since power amplifiers are not differentiated and operate with unbalanced signals, a balance filter that integrates a balun and LPF or BPF is required between the power amplifier and a high-frequency signal processing IC that operates with balanced signals. become.

この実施形態１のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号送信部に適用する場合には、バラン１１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号入力側になり、フィルタ１２０が信号出力側になる。従って、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの送信信号出力端子にそれぞれ接続し、フィルタ１２０の出力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記電力増幅器の入力端子に接続することになる。   When the balance filter according to the first embodiment is applied to the signal transmission unit of the wireless communication device, the signal ends 30a and 35a of the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 of the balun 110 are input to the signal. The filter 120 becomes the signal output side. Accordingly, the first balanced signal terminal portion 60 and the second balanced signal terminal portion 65 respectively connected to the signal ends 30a and 35a are respectively connected to the transmission signal output terminals of the high frequency signal processing IC, and the output side of the filter 120 Is connected to the input terminal of the power amplifier.

また、無線通信機器の信号受信部においては、アンテナで受信された受信不平衡信号は、アンテナスイッチを通って低雑音増幅器（ＬＮＡ）において増幅され、ＢＰＦにおいて所望の周波数帯域成分が選択されたあと、バランに入力されて平衡信号に変換される。そして、この受信平衡信号が高周波信号処理ＩＣに入力される。高周波信号処理ＩＣは、平衡信号によって動作しているため、不平衡信号を出力する低雑音増幅器との間に、ＢＰＦとバランを一体化したバランスフィルタが必要になる。   In the signal receiving unit of the wireless communication device, the reception unbalanced signal received by the antenna is amplified by the low noise amplifier (LNA) through the antenna switch, and a desired frequency band component is selected by the BPF. , Input to the balun and converted to a balanced signal. Then, this reception balanced signal is input to the high frequency signal processing IC. Since the high-frequency signal processing IC operates with a balanced signal, a balance filter in which a BPF and a balun are integrated is required between the high-frequency signal processing IC and a low-noise amplifier that outputs an unbalanced signal.

この実施形態１のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号受信部に適用する場合には、上記信号送信部に適用する場合とは逆に、フィルタ１２０が信号入力側、バラン１１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号出力側になる。従って、フィルタ１２０の入力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記低雑音増幅器の出力端子に接続し、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの受信信号入力端子にそれぞれ接続することになる。なお、この実施形態１のフィルタ１２０はＬＰＦとして構成されているため、上記信号受信部に適用する場合には、フィルタ１２０をＢＰＦとして構成する必要がある。   When the balance filter of the first embodiment is applied to the signal receiving unit of the wireless communication device, the filter 120 is the signal input side, the first balanced signal of the balun 110, contrary to the case of applying to the signal transmitting unit. The signal ends 30a and 35a of the transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35 are on the signal output side. Therefore, the unbalanced signal terminal 90 connected to the input side of the filter 120 is connected to the output terminal of the low noise amplifier, and the first balanced signal terminal 60 and the first balanced signal terminal 60 connected to the signal terminals 30a and 35a, respectively. The two balanced signal terminal portions 65 are respectively connected to the reception signal input terminals of the high frequency signal processing IC. In addition, since the filter 120 of this Embodiment 1 is comprised as LPF, when applying to the said signal receiving part, it is necessary to comprise the filter 120 as BPF.

［フィルタ１２０］
図８はフィルタ１２０の構成を説明する上面図である。また、図９は図８においてのＪ−Ｊ間の断面図、図１０は図８においてのＫ−Ｋ間の断面図である。さらに、図１１はフィルタ１２０の回路構成図である。 [Filter 120]
FIG. 8 is a top view illustrating the configuration of the filter 120. 9 is a cross-sectional view taken along line JJ in FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line KK in FIG. Further, FIG. 11 is a circuit configuration diagram of the filter 120.

フィルタ１２０は、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４と、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって構成されている。また、フィルタ１２０は、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部１２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部１２０ｂとを有する。第１フィルタ部１２０ａの一端は不平衡信号端子部９０に接続され、他端は第１フィルタ端子部８０に接続されている。第２フィルタ部１２０ｂの一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続され、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。   The filter 120 is a fifth-order Chebyshev LPF, and includes multilayer capacitors C11, C12, C13, and C14 and inductors L11 and L12. The filter 120 includes a first filter part 120a provided in the first space E1 and a second filter part 120b provided in the second space E2. One end of the first filter unit 120 a is connected to the unbalanced signal terminal unit 90, and the other end is connected to the first filter terminal unit 80. One end of the second filter unit 120 b is connected to the signal end 50 a of the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the second filter terminal unit 85.

第１フィルタ部１２０ａには、キャパシタＣ１３，Ｃ１４、およびインダクタＬ１２が配置されており、第２フィルタ部１２０ｂには、キャパシタＣ１１，Ｃ１２、およびインダクタＬ１１が配置されている。   Capacitors C13 and C14 and an inductor L12 are arranged in the first filter unit 120a, and capacitors C11 and C12 and an inductor L11 are arranged in the second filter unit 120b.

キャパシタＣ１１の一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている（図８参照）。第４接地部７５ｙは、第２接地部７５ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ１１の一端は信号端５０ａに接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
キャパシタＣ１２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている（図８参照）。第６接地部７５ｚは、第２接地部７５ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。 One end of the capacitor C11 is connected to the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded by the fourth ground portion 75y (see FIG. 8). The fourth grounding portion 75y connects the other end and the GND layer 40 through a via in the same manner as the second grounding portion 75x.
One end of the inductor L11 is connected to the signal end 50a, and the other end is connected to the second filter terminal portion 85.
One end of the capacitor C12 is connected to the second filter terminal portion 85, and the other end is grounded by the sixth ground portion 75z (see FIG. 8). The sixth grounding portion 75z connects the other end to the GND layer 40 through a via, like the second grounding portion 75x.

また、キャパシタＣ１３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は第３接地部７０ｙによって接地されている（図８参照）。第３接地部７０ｙは、第１接地部７０ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ１２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ１４の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第５接地部７０ｚによって接地されている（図８参照）。第５接地部７０ｚは、第１接地部７０ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。 One end of the capacitor C13 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded by the third ground portion 70y (see FIG. 8). The third grounding portion 70y connects the other end and the GND layer 40 through vias, similarly to the first grounding portion 70x.
One end of the inductor L12 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal portion 90.
One end of the capacitor C14 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded by the fifth ground portion 70z (see FIG. 8). The fifth grounding portion 70z connects the other end and the GND layer 40 through vias, similarly to the first grounding portion 70x.
Note that the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by a bonding wire 160.

なお、図８の上面図は、図１７の上面図に示す構成とすることもできる。図１７では、領域Ｅ３および領域Ｅ４の形状が長方形でない場合を示している。ここで、図１７において、図８と同様のものには同じ符号を付してある。   Note that the top view of FIG. 8 may have the configuration shown in the top view of FIG. FIG. 17 illustrates a case where the shapes of the region E3 and the region E4 are not rectangular. Here, in FIG. 17, the same components as those in FIG.

キャパシタＣ１１は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３１と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５１とを有する。下部電極１３１は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第４接地部７５ｙのビア３９に接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている（図９参照）。ここで、キャパシタＣ１１を構成する下部電極１３１及び上部電極１５１と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない（図９参照）。また、上部電極１５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。
なお、第４接地部７５ｙのビア３９は、前述の第２接地部７５ｘのビア３８と同様に形成されている。 The capacitor C <b> 11 has a lower electrode 131 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 151 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 131 is connected to the via 39 of the fourth ground portion 75y via the wiring pattern of the first conductive pattern group 130 and connected to the GND layer 40 (see FIG. 9). Here, the GND layer 40 is not formed in a region on the substrate 10 that overlaps the lower electrode 131 and the upper electrode 151 constituting the capacitor C11 (see FIG. 9). The upper electrode 151 is connected to the signal end 50 a of the unbalanced signal transmission path 50 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.
The via 39 of the fourth ground portion 75y is formed in the same manner as the via 38 of the second ground portion 75x described above.

インダクタＬ１１は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５２と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３２とを有する。コイルパターン１５２の内周端は、アンダーパスパターン１３２および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。また、コイルパターン１５２の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている（図１０参照）。ここで、インダクタＬ１１を構成するコイルパターン１５２及びアンダーパスパターン１３２と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない（図１０参照）。    The inductor L11 includes a planar spiral coil pattern 152 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150 and an underpass pattern 132 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130. The inner peripheral end of the coil pattern 152 is connected to the signal end 50 a of the unbalanced signal transmission path 50 through the underpass pattern 132 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. Further, the outer peripheral end of the coil pattern 152 is connected to the filter electrode pad 154 of the second conductive pattern group 150 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 (see FIG. 10). Here, the GND layer 40 is not formed in a region on the substrate 10 that overlaps the coil pattern 152 and the underpass pattern 132 constituting the inductor L11 (see FIG. 10).

キャパシタＣ１２は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３３と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５３とを有する。下部電極１３３は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第６接地部７５ｚのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１２を構成する下部電極１３３及び上部電極１５３と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５３は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
なお、第６接地部７５ｚのビアは、前述の第２接地部７５ｘのビア３８と同様に形成されている。 The capacitor C12 includes a lower electrode 133 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 153 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 133 is connected to the via of the sixth ground part 75z through the wiring pattern of the first conductive pattern group 130, and is connected to the GND layer 40. Here, the GND layer 40 is not formed in a region on the substrate 10 that overlaps the lower electrode 133 and the upper electrode 153 constituting the capacitor C12. The upper electrode 153 is also connected to the filter electrode pad 154 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.
The vias of the sixth ground part 75z are formed in the same manner as the vias 38 of the second ground part 75x described above.

キャパシタＣ１３は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３６と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５６とを有する。下部電極１３６は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第３接地部７０ｙのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１３を構成する下部電極１３６及び上部電極１５６と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。
なお、第３接地部７０ｙのビアは、前述の第１接地部７０ｘのビア３３と同様に形成されている。 The capacitor C13 includes a lower electrode 136 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 156 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 136 is connected to the via of the third ground portion 70 y via the wiring pattern of the first conductive pattern group 130 and is connected to the GND layer 40. Here, the GND layer 40 is not formed in a region on the substrate 10 that overlaps the lower electrode 136 and the upper electrode 156 constituting the capacitor C13. The upper electrode 156 is also connected to the filter electrode pad 155 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.
The vias of the third ground portion 70y are formed in the same manner as the vias 33 of the first ground portion 70x described above.

インダクタＬ１２は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５７と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３７とを有する。コイルパターン１５７の内周端は、アンダーパスパターン１３７および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。また、コイルパターン１５７の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。ここで、インダクタＬ１２を構成するコイルパターン１５７及びアンダーパスパターン１３７と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。   The inductor L12 includes a planar spiral coil pattern 157 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150 and an underpass pattern 137 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130. The inner peripheral end of the coil pattern 157 is connected to the filter electrode pad 155 of the second conductive pattern group 150 via the underpass pattern 137 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. Further, the outer peripheral end of the coil pattern 157 is connected to the unbalanced signal electrode pad 59 of the second conductive pattern group 150 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. Here, the GND layer 40 is not formed in a region on the substrate 10 that overlaps the coil pattern 157 and the underpass pattern 137 constituting the inductor L12.

キャパシタＣ１４は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第５接地部７０ｚのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１４を構成する下部電極１３８及び上部電極１５８と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
なお、第５接地部７０ｚのビアは、前述の第１接地部７０ｘのビア３３と同様に形成されている。 The capacitor C14 includes a lower electrode 138 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 158 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 138 is connected to the via of the fifth ground portion 70z through the wiring pattern of the first conductive pattern group 130, and is connected to the GND layer 40. Here, the GND layer 40 is not formed in a region on the substrate 10 overlapping the lower electrode 138 and the upper electrode 158 constituting the capacitor C14. The upper electrode 158 is also connected to the unbalanced signal electrode pad 59 of the second conductive pattern group 150 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.
The vias of the fifth ground portion 70z are formed in the same manner as the vias 33 of the first ground portion 70x described above.

このように、フィルタ１２０では、キャパシタとインダクタとを、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、対称に配置した構成としている。フィルタ１２０は、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ１２とＣ１３とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部１２０ａと、第２フィルタ部１２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。   Thus, the filter 120 has a configuration in which the capacitor and the inductor are symmetrically arranged in the first filter unit 120a and the second filter unit 120b. Since the filter 120 is a fifth-order Chebyshev LPF, the capacitors C12 and C13 are generally one capacitor. However, by dividing this and arranging it in the first filter part 120a and the second filter part 120b respectively, the symmetry of the first space E1 and the second space E2 can be secured, and the circuit arrangement with excellent balance can do.

特に、インダクタを第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があるが、一般に、インダクタのＱ値は、コイルパターンの内径対外径比が大きいほど高くできる。このため、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ１２０は、２つのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有するので、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、つまり第１スペースＥ１における領域Ｅ３と第２スペースＥ２における領域Ｅ４に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。   In particular, the inductor characteristics can be improved by equally allocating the inductors to the first filter portion 120a and the second filter portion 120b and arranging them symmetrically. In order to obtain a filter having excellent characteristics, it is necessary to increase the Q value of the inductor, but in general, the Q value of the inductor can be increased as the ratio of the inner diameter to the outer diameter of the coil pattern increases. For this reason, in order to increase the Q value of the inductor, it is necessary to increase the area occupied by the inductor. Since the filter 120 includes two inductors L11 and L12, one inductor is provided in each of the first filter portion 120a and the second filter portion 120b, that is, the region E3 in the first space E1 and the region E4 in the second space E2. By arranging, it becomes possible to enlarge each inductor.

この実施形態１では、基板１０上に、ＷＬＣＳＰ技術によって、ＧＮＤ層４０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層して、バランスフィルタを形成することにより、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるとともに、銅めっき等による高いＱ値のインダクタを形成することができる。   In the first embodiment, the GND layer 40, the first resin layer 22, the first conductive pattern group 130, the second resin layer 24, the second conductive pattern group 150, and the third resin layer 26 are formed on the substrate 10 by WLCSP technology. In order to form a balance filter, a low-resistance transmission path can be formed by a resin layer and copper plating with the same high accuracy as in the CMOS semiconductor processing technology, and a high Q by copper plating or the like. Value inductors can be formed.

［第１平衡信号端子部６０、第２平衡信号端子部６５］
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５１を設けたものである。平衡信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに接続されている。 [First balanced signal terminal portion 60, second balanced signal terminal portion 65]
The first balanced signal terminal portion 60 is obtained by providing the balanced signal electrode pad 51 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 a of the third resin layer 26. The balanced signal electrode pad 51 is connected to the signal end 30 a of the first balanced signal transmission line 30 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 and the wiring pattern of the first conductive pattern group 130.

同様に、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５６を設けたものである。平衡信号電極パッド５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに接続されている。   Similarly, the second balanced signal terminal portion 65 is obtained by providing the balanced signal electrode pad 56 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 c of the third resin layer 26. The balanced signal electrode pad 56 is connected to the signal end 35 a of the second balanced signal transmission path 35 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 and the wiring pattern of the first conductive pattern group 130.

［第１接地部７０ｘ、第２接地部７５ｘ、第３接地部７０ｙ、第４接地部７５ｙ、第５接地部７０ｚ、第６接地部７５ｚ］
第１接地部７０ｘは、第１樹脂層を貫通するビア３３を介して、第１平衡信号伝送路３０（第１導電パターン群１３０）をＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。
同様に、第２接地部７５ｘは、第１樹脂層を貫通するビア３８を介して、第２平衡信号伝送路３５（第１導電パターン群１３０）をＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。 [First Grounding Part 70x, Second Grounding Part 75x, Third Grounding Part 70y, Fourth Grounding Part 75y, Fifth Grounding Part 70z, Sixth Grounding Part 75z]
The first ground portion 70x is for electrically connecting the first balanced signal transmission line 30 (first conductive pattern group 130) to the GND layer 40 through the via 33 penetrating the first resin layer.
Similarly, the second grounding portion 75x electrically connects the second balanced signal transmission path 35 (first conductive pattern group 130) to the GND layer 40 via the via 38 penetrating the first resin layer. is there.

また、第３接地部７０ｙ、第４接地部７５ｙ、第５接地部７０ｚ、及び第６接地部７５ｚは、第１樹脂層を貫通する個別のビアを介して、キャパシタＣ１１、キャパシタＣ１２、キャパシタＣ１３、及びキャパシタＣ１４を、ぞれぞれＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。該ビアは、前述のビア３３及びビア３８と同様に、各キャパシタの下部電極から引き出された配線パターン（第一導電パターン群１３０）に接続されて設けられている。   The third grounding part 70y, the fourth grounding part 75y, the fifth grounding part 70z, and the sixth grounding part 75z are connected to the capacitors C11, C12, and C13 through individual vias that penetrate the first resin layer. And the capacitor C14 are electrically connected to the GND layer 40, respectively. The via is connected to the wiring pattern (first conductive pattern group 130) drawn from the lower electrode of each capacitor, like the above-described via 33 and via 38.

［第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５］
第１フィルタ端子部８０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５を設けたものである。フィルタ電極パッド１５５は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１３の上部電極１５６およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。また、第２フィルタ端子部８５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｆ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４を設けたものである。フィルタ電極パッド１５４は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１２の上部電極１５３およびインダクタＬ１１のコイルパターン１５２に接続されている。そして、フィルタ電極パッド１５４と１５５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。 [First filter terminal portion 80, second filter terminal portion 85]
The first filter terminal portion 80 is obtained by providing the filter electrode pad 155 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 g of the third resin layer 26. The filter electrode pad 155 is connected to the upper electrode 156 of the capacitor C13 and the coil pattern 157 of the inductor L12 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The second filter terminal portion 85 is provided with the filter electrode pad 154 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 f of the third resin layer 26. The filter electrode pad 154 is connected to the upper electrode 153 of the capacitor C12 and the coil pattern 152 of the inductor L11 via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The filter electrode pads 154 and 155 are connected by a bonding wire 160.

これらの第１フィルタ端子部８０と、第２フィルタ端子部８５とは、第１フィルタ部１２０ａのキャパシタＣ１３の上部電極１５６と、第２フィルタ部１２０ｂのキャパシタＣ１２の上部電極１５３とを、ボンディングワイヤ１６０によって接続して、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるフィルタ１２０を完成させるためのものである。   The first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are formed by bonding the upper electrode 156 of the capacitor C13 of the first filter portion 120a and the upper electrode 153 of the capacitor C12 of the second filter portion 120b to the bonding wire. 160 is used to complete the filter 120 which is a fifth-order Chebyshev LPF.

このように、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。   In this way, by connecting the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 with the bonding wire 160, the conductive layer formed by the first conductive pattern group 130 and the conductive layer formed by the second conductive pattern group 150 are divided into two. With a layered structure, a laminated balance filter can be realized.

なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。   It is also possible to provide a conductive pattern on the third resin layer 26 and connect the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85. In this case, it is desirable to further form a resin layer on the conductive pattern. If the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by the bonding wire 160 as described above, the number of steps can be reduced.

［不平衡信号端子部９０］
不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｅ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９を設けたものである。不平衡信号電極パッド５９は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、フィルタ部１２０のキャパシタＣ１４の上部電極１５８およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。 [Unbalanced signal terminal section 90]
The unbalanced signal terminal portion 90 is obtained by providing the unbalanced signal electrode pad 59 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 e of the third resin layer 26. The unbalanced signal electrode pad 59 is connected to the upper electrode 158 of the capacitor C14 of the filter unit 120 and the coil pattern 157 of the inductor L12 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

この実施形態１では、第１フィルタ部１２０ａ、第１接地部７０ｘ、第３接地部７０ｙ、第５接地部７０ｚ、第１フィルタ端子部８０、および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部１１０ａの内周に確保された第１スペースＥ１内に配置されている。また、第２フィルタ部１２０ｂ、第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ、および第２フィルタ端子部８５は、第２バラン部１１０ｂの内周に確保された第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、これらの第１スペースＥ１および第２スペースＥ２の外側に配置されている。従って、この実施形態１では、ほぼ２つの平面スパイラル型伝送路が占有する面積に、２層の導電層構造でバランスフィルタを作製することができる。   In the first embodiment, the first filter unit 120a, the first ground unit 70x, the third ground unit 70y, the fifth ground unit 70z, the first filter terminal unit 80, and the unbalanced signal terminal unit 90 are the first balun unit. It is arranged in the first space E1 secured on the inner periphery of 110a. Further, the second filter portion 120b, the second ground portion 75x, the fourth ground portion 75y, the sixth ground portion 75z, and the second filter terminal portion 85 are the second space secured on the inner periphery of the second balun portion 110b. It is arranged in E2. Note that the first balanced signal terminal portion 60 and the second balanced signal terminal portion 65 are disposed outside the first space E1 and the second space E2. Therefore, in the first embodiment, a balance filter can be manufactured with a two-layer conductive layer structure in an area occupied by almost two planar spiral transmission lines.

なお、樹脂多層デバイス１００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、平衡信号電極パッド５１，５６上、不平衡信号電極パッド５９上、およびフィルタ電極パッド１５４，１５５上にそれぞれ、はんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。   When the resin multilayer device 100 is flip-chip mounted on the mounting substrate, the bonding wire 160 is not provided, but on the balanced signal electrode pads 51 and 56, on the unbalanced signal electrode pad 59, and on the filter electrode pads 154 and 155. Each is provided with a solder bump. In this case, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected via a conductive pattern provided on the mounting substrate.

［製造手順］
図１〜図１１を参照して、樹脂多層デバイス１００の製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００は、ＷＬＰであるから、シリコンウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバランスフィルタを作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。 [Manufacturing procedure]
A manufacturing procedure of the resin multilayer device 100 will be described below with reference to FIGS. In the following description, it is assumed that the substrate 10 is a silicon (Si) wafer. Since the resin multilayer device 100 is a WLP, it is manufactured by WLCSP technology in which a balance filter is formed on a silicon wafer by a resin layer forming process and a conductive pattern group forming process such as a thick film copper pattern group, and then dicing into chips. Is done.

まず、シリコンウェハである基板１０上にＧＮＤ層４０を、例えば銅めっき、アルミ膜、銅膜によって形成する。つづいて、基板１０上に均一に形成されたＧＮＤ層４０のうち、領域Ｅ３及び領域Ｅ４と重なる領域のＧＮＤ層はエッチング法によって除去する。ＧＮＤ層４０は、後で樹脂多層デバイス１００を実装する基板のＧＮＤに導通される。   First, the GND layer 40 is formed on the substrate 10 that is a silicon wafer by, for example, copper plating, an aluminum film, or a copper film. Subsequently, in the GND layer 40 uniformly formed on the substrate 10, the GND layer in the region overlapping with the region E3 and the region E4 is removed by an etching method. The GND layer 40 is electrically connected to the GND of the substrate on which the resin multilayer device 100 is mounted later.

次に、ＧＮＤ層４０及びＧＮＤ層４０が除かれた領域（Ｅ３，Ｅ４）の基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって基板１０のＧＮＤ層４０が除かれた領域及びＧＮＤ層４０上にコーティングし、ＧＮＤ層４０上における厚さ寸法がｈ１ｘとなるように感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって、前記ビアを形成するためのビア・ホール（貫通孔）を形成する。なお、ＧＮＤ層４０が除かれた領域において基板１０上に形成された第１樹脂層２２の厚さ寸法は「ｈ１ｘ＋ＧＮＤ層４０の厚み」である。   Next, the first resin layer 22 is formed on the substrate 10 in the region (E3, E4) where the GND layer 40 and the GND layer 40 are removed. As the first resin layer 22, a photosensitive insulating resin having a relative dielectric constant Er is used. The photosensitive resin fluid resin material is coated on the GND layer 40 and the region of the substrate 10 where the GND layer 40 is removed by spin coating, and the photosensitive resin is formed so that the thickness dimension on the GND layer 40 is h1x. Form a layer. Then, via holes (through holes) for forming the vias are formed in the photosensitive resin layer by photolithography. The thickness dimension of the first resin layer 22 formed on the substrate 10 in the region where the GND layer 40 is removed is “thickness of the h1x + GND layer 40”.

次に、第１樹脂層２２上に、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５、前記ビア、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の下部電極１３１，１３３，１３６，１３８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のアンダーパスパターン１３２，１３７等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。   Next, a planar spiral type first balanced signal transmission line 30 having a first space E1 on the inner periphery and a planar spiral type second balanced signal transmission having a second space E2 on the inner periphery on the first resin layer 22. A first conductive pattern group 130 including the path 35, the via, the lower electrodes 131, 133, 136, and 138 of the capacitors C11, C12, C13, and C14, the underpass patterns 132 and 137 of the inductors L11 and L12, and the like is provided.

第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上及び前記ビア・ホール内にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の第１平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０を形成する。この際、前記ビア・ホール内を銅めっき等することにより、第１導電パターン群１３０とＧＮＤ層４０とを電気的に接続するビア３３及びビア３８を形成する。なお、キャパシタの（下部）電極は、スパッタでも良い。   As the first conductive pattern group 130, copper plating is used. After the seed layer is formed on the first resin layer 22 and in the via hole, a resist is formed and patterned, and then copper plating is performed, so that the first equilibrium of the width dimension W, the thickness dimension T, and the length dimension L1. The first conductive pattern group 130 including the signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 having a width dimension W, a thickness dimension T, and a length dimension L2 (= L1) is formed. At this time, the via 33 and the via 38 that electrically connect the first conductive pattern group 130 and the GND layer 40 are formed by copper plating or the like in the via hole. Note that the (lower) electrode of the capacitor may be sputtered.

次に、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって上記開口部を設ける。   Next, the second resin layer 24 is formed on the first resin layer 22 provided with the first conductive pattern group 130, and the conductive pattern of the first conductive pattern group 130 is added to the second resin layer 24. An opening for contacting the conductive pattern of the conductive pattern group 150 is provided. As the second resin layer 24, a photosensitive insulating resin having the same dielectric constant Er as that of the first resin layer 22 is used. The photosensitive resin fluid resin material is coated on the first resin layer 22 provided with the first conductive pattern group 130 by spin coating, and the upper surface of the first balanced signal transmission path 30 and the upper surface of the second balanced signal transmission path 35. A photosensitive resin layer having a thickness dimension d is formed. And the said opening part is provided in this photosensitive resin layer by the photolithographic method.

次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の上部電極１５１，１５３，１５６，１５８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のコイルパターン１５２，１５７、平衡信号電極パッド５１，５６、不平衡信号電極パッド５９、フィルタ電極パッド１５４，１５５等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。   Next, on the second resin layer 24, the unbalanced signal transmission path 50, the upper electrodes 151, 153, 156, and 158 of the capacitors C11, C12, C13, and C14, the coil patterns 152 and 157 of the inductors L11 and L12, the balanced signal, and the like. A second conductive pattern group 150 including electrode pads 51 and 56, unbalanced signal electrode pads 59, filter electrode pads 154 and 155, and the like is provided.

平衡信号電極パッド５１は、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａを第１平衡信号端子部６０に導くための電極パッドである。平衡信号電極パッド５６は、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａを第２平衡信号端子部６５に導くための電極パッドである。フィルタ電極パッド１５４は、第２フィルタ部１２０ｂの他端を第２フィルタ端子部８５に導く電極パッドである。フィルタ電極パッド１５５は、第１フィルタ部１２０ａの他端を第１フィルタ端子部８０に導くための電極パッドである。そして、不平衡信号電極パッド５９は、フィルタ１２０の信号出入力端（第１フィルタ部１２０ａの一端）を不平衡信号端子部９０に導くための電極パッドである。   The balanced signal electrode pad 51 is an electrode pad for guiding the signal end 30 a of the first balanced signal transmission path 30 to the first balanced signal terminal unit 60. The balanced signal electrode pad 56 is an electrode pad for guiding the signal end 35 a of the second balanced signal transmission path 35 to the second balanced signal terminal portion 65. The filter electrode pad 154 is an electrode pad that guides the other end of the second filter portion 120 b to the second filter terminal portion 85. The filter electrode pad 155 is an electrode pad for guiding the other end of the first filter part 120 a to the first filter terminal part 80. The unbalanced signal electrode pad 59 is an electrode pad for guiding the signal output / input end of the filter 120 (one end of the first filter unit 120a) to the unbalanced signal terminal unit 90.

第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を含む第２導電パターン群１５０を形成する。なお、キャパシタの（上部）電極は、スパッタでも良い。   As the second conductive pattern group 150, the same copper plating as that of the first conductive pattern group 130 is used. After the seed layer is formed on the second resin layer 24, a resist is formed and patterned, and then copper plating is performed to include the unbalanced signal transmission path 50 including the width dimension W, the thickness dimension T, and the length dimension L. Two conductive pattern groups 150 are formed. Note that the (upper) electrode of the capacitor may be sputtered.

次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５６，５９，１５４，１５５をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを形成する。   Next, a third resin layer 26 serving as a sealing resin layer is formed on the second resin layer 24 provided with the second conductive pattern group 150, and electrode pads 51, 56, 59 are formed on the third resin layer 26. , 154, 155 are provided with openings 26a, 26c, 26e, 26f, 26g, respectively. As the third resin layer 26, a photosensitive insulating resin having the same dielectric constant Er as that of the first resin layer 22 and the second resin layer 24 is used. The photosensitive resin fluid resin material is coated on the second resin layer 24 provided with the second conductive pattern group 150 by spin coating, and the photosensitive resin having a thickness h2 from the upper surface of the unbalanced signal transmission path 50 is coated. Form a layer. Then, openings 26a, 26c, 26e, 26f, and 26g are formed in the photosensitive resin layer by photolithography.

以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００を得る。   After the above procedure is completed, the substrate 10 which is a silicon wafer is diced to obtain a WLP resin multilayer device 100.

以上のように実施形態１によれば、基板上に、ＧＮＤ層４０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   As described above, according to the first embodiment, the GND layer 40, the first resin layer 22, the first conductive pattern group 130, the second resin layer 24, the second conductive pattern group 150, and the third resin layer 26 are formed on the substrate. By adopting a WLP having a balance filter by sequentially stacking the layers, the WLCSP technology can form a low-resistance conductive pattern by a resin layer and copper plating with the same high accuracy as the CMOS semiconductor processing technology. Thus, it is possible to obtain a resin multilayer device having a balun with high accuracy impedance and low insertion loss and a balance filter using a filter excellent in frequency characteristics.

さらに、この実施形態１では、バラン１１０の平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペースＥ１における領域Ｅ３，Ｅ２における領域Ｅ４内にフィルタ１２０を配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   Further, in the first embodiment, the filter 120 is disposed in the region E4 in the region E3 and E2 in the space E1 secured on the inner periphery of the flat spiral transmission line of the balun 110, so that almost two planar spiral types are provided. Since the balance filter can be produced with two conductive layers in the area occupied by the transmission line, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ１２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ１２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。   Further, since the GND layer 40 is formed in a region other than the regions E3 and E4 that overlap with the filter 120, the GND layer 40 does not interfere with the inductor and the capacitor constituting the filter 120, and the excellent frequency characteristics of the filter are maintained. It is.

さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。   Further, in the spaces E1 and E2, the distances A and Ax are arranged such that the end portions 42a and 42b forming the inner edge of the GND layer 40 extend inward from the innermost peripheral portions 44a and 44b constituting the balun. When the distance between the upper surface of the GND layer 40 and the lower surface of the second conductive pattern group 150 is B, the A layer and the Ax are 5 times or more of the B, and the GND layer 40, the first conductive pattern group 130, Since the electric lines of force between them and the electric lines of force between the GND layer 40 and the second conductive pattern group 150 are formed smoothly, there is a region where the GND layer is not formed. Adverse effects can be prevented.

＜実施形態２＞
図１２は本発明の実施形態２の樹脂多層デバイスにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１２において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。 <Embodiment 2>
FIG. 12 is a circuit configuration diagram of a filter constituting a balance filter in the resin multilayer device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 12, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. 1 or 11.

この実施形態２の樹脂多層デバイスは、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を、図１２のフィルタ２２０としたものである。   The resin multilayer device according to the second embodiment is the same as the resin multilayer device 100 according to the first embodiment (see FIG. 1 and the like), but the filter 120 (see FIG. 11 and the like) constituting the balance filter is the filter 220 in FIG. It is.

［フィルタ２２０］
フィルタ２２０は、５次の楕円関数型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６と、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって構成されている。また、フィルタ２２０は、第１スペースＥ１における領域Ｅ３内に設けられた第１フィルタ部２２０ａと、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた第２フィルタ部２２０ｂとを有する。 [Filter 220]
The filter 220 is a fifth-order elliptic function type LPF, and is composed of multilayer capacitors C21, C22, C23, C24, C25, C26 and inductors L21, L22. The filter 220 includes a first filter portion 220a provided in the region E3 in the first space E1 and a second filter portion 220b provided in the region E4 in the second space E2.

第１フィルタ部２２０ａには、キャパシタＣ２４，Ｃ２５，Ｃ２６、およびインダクタＬ２２が配置されており、第２フィルタ部２２０ｂには、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、およびインダクタＬ２１が配置されている。   Capacitors C24, C25, C26 and an inductor L22 are arranged in the first filter part 220a, and capacitors C21, C22, C23 and an inductor L21 are arranged in the second filter part 220b.

キャパシタＣ２１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２１とキャパシタＣ２２は並列接続されており、この並列回路の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ２３の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。   One end of the capacitor C21 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded. The inductor L21 and the capacitor C22 are connected in parallel. One end of the parallel circuit is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the second filter terminal unit 85. One end of the capacitor C23 is connected to the second filter terminal portion 85, and the other end is grounded.

また、キャパシタＣ２４の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２２とキャパシタＣ２５は並列接続されており、この並列回路の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ２６の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。   One end of the capacitor C24 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded. The inductor L22 and the capacitor C25 are connected in parallel. One end of the parallel circuit is connected to the first filter terminal unit 80, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal unit 90. One end of the capacitor C26 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded. Note that the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by a bonding wire 160.

キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。   The capacitors C21, C22, C23, C24, C25, and C26 are the first conductive pattern group, respectively, as with the capacitors C11, C12, C13, and C14 (see FIGS. 8 to 11) that constitute the filter 120 of the first embodiment. The lower electrode is a conductive pattern 130 and the upper electrode is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150.

また、インダクタＬ２１，Ｌ２２も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。   Further, the inductors L21 and L22 are also of the planar spiral type that is the conductive pattern of the second conductive pattern group 150, respectively, similarly to the inductors L11 and L12 (see FIGS. 8 to 11) constituting the filter 120 of the first embodiment. A coil pattern and an underpass pattern that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 are included.

この実施形態２のフィルタ２２０では、上記実施形態１のフィルタ１２０（図８〜図１１参照）と同様に、第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂとに、キャパシタとインダクタとを対称に配置した構成としている。フィルタ２２０は、５次の楕円関数型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ２３とＣ２４とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。   In the filter 220 of the second embodiment, similarly to the filter 120 of the first embodiment (see FIGS. 8 to 11), the capacitor and the inductor are symmetrically arranged in the first filter portion 220a and the second filter portion 220b. The arrangement is arranged. Since the filter 220 is a fifth-order elliptic function LPF, the capacitors C23 and C24 are generally one capacitor. However, by dividing this and arranging it in the first filter part 220a and the second filter part 220b, the symmetry of the first space E1 and the second space E2 can be ensured, and the circuit arrangement has excellent balance. can do.

特に、インダクタを第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があり、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ２２０は、２つのインダクタＬ２１，Ｌ２２を有するので、第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、つまり第１スペースＥ１における領域Ｅ３と第２スペースＥ２における領域Ｅ４に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。   In particular, the inductor characteristics can be improved by equally allocating and symmetrically arranging the inductors in the first filter portion 220a and the second filter portion 220b. In order to obtain a filter having excellent characteristics, it is necessary to increase the Q value of the inductor. To increase the Q value of the inductor, it is necessary to increase the area occupied by the inductor. Since the filter 220 includes two inductors L21 and L22, one inductor is provided in each of the first filter unit 220a and the second filter unit 220b, that is, the region E3 in the first space E1 and the region E4 in the second space E2. By arranging, it becomes possible to enlarge each inductor.

また、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。   Further, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by a bonding wire 160, so that a two-layer structure of a conductive layer formed by the first conductive pattern group 130 and a conductive layer formed by the second conductive pattern group 150 is obtained. Thus, a laminated balance filter can be realized.

なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。   It is also possible to provide a conductive pattern on the third resin layer 26 and connect the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85. In this case, it is desirable to further form a resin layer on the conductive pattern. If the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by the bonding wire 160 as described above, the number of steps can be reduced.

また、この実施形態２の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。   Further, when the resin multilayer device of the second embodiment is flip-chip mounted on the mounting substrate, the bonding wires 160 are not provided, and solder bumps are provided on the respective electrode pads. In this case, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected via a conductive pattern provided on the mounting substrate.

この実施形態２の樹脂多層デバイスの製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。   The manufacturing procedure of the resin multilayer device of the second embodiment is the same as that of the resin multilayer device 100 of the first embodiment.

以上のように実施形態２によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度な入出力インピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   As described above, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, a low resistance conductive pattern can be formed by a resin layer, copper plating, or the like with high accuracy similar to the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter with a filter with excellent input / output impedance, low insertion loss balun, and excellent frequency characteristics, and two layers in the area occupied by almost two planar spiral transmission lines. Since a balance filter can be produced with a conductive layer, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ２２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ２２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。   Further, since the GND layer 40 is formed in a region other than the regions E3 and E4 that overlap with the filter 220, the GND layer 40 does not interfere with the inductor and the capacitor constituting the filter 220, and the excellent frequency characteristics of the filter are maintained. It is.

さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。   Further, in the spaces E1 and E2, the distances A and Ax are arranged such that the end portions 42a and 42b forming the inner edge of the GND layer 40 extend inward from the innermost peripheral portions 44a and 44b constituting the balun. When the distance between the upper surface of the GND layer 40 and the lower surface of the second conductive pattern group 150 is B, the A layer and the Ax are 5 times or more of the B, and the GND layer 40, the first conductive pattern group 130, Since the electric lines of force between them and the electric lines of force between the GND layer 40 and the second conductive pattern group 150 are formed smoothly, there is a region where the GND layer is not formed. Adverse effects can be prevented.

＜実施形態３＞
図１３は本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図１３において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図１４は実施形態３の樹脂多層デバイス３００においてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１４において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。 <Embodiment 3>
FIG. 13 is a top view illustrating a configuration example of the resin multilayer device according to the third embodiment of the present invention.
In FIG. 13, the same components as those in FIG. FIG. 14 is a circuit configuration diagram of a filter constituting a balance filter in the resin multilayer device 300 of the third embodiment. In FIG. 14, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG.

この実施形態３の樹脂多層デバイス３００は、基板１０と、ＧＮＤ層４０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、６つの接地部（第１接地部７０ｘ、第７接地部７３ｘ、第８接地部７３ｙ；第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、フィルタ部接続導電パターン１７０とを備えて構成されたＷＬＰである。    The resin multilayer device 300 of the third embodiment includes a substrate 10, a GND layer 40, a first resin layer 22, a first conductive pattern group 130, a second resin layer 24, a second conductive pattern group 150, The third resin layer 26, two balanced signal terminal portions 60 (first balanced signal terminal portion) and 65 (second balanced signal terminal portion), and six ground portions (first ground portion 70x, seventh ground portion 73x). , Eighth grounding portion 73y; second grounding portion 75x, fourth grounding portion 75y, sixth grounding portion 75z), two filter terminal portions 80 (first filter terminal portion) and 85 (second filter terminal portion) The WLP includes an unbalanced signal terminal portion 90 and a filter portion connection conductive pattern 170.

つまり、実施形態３の樹脂多層デバイス３００は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、第３樹脂層２６上に、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続するフィルタ部接続導電パターン１７０を設けるとともに、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を、図１３のフィルタ３２０としたものである。このフィルタ部接続導電パターン１７０としては、例えば第１導電パターン群１３０および第２導電パターン群１５０と同じ導電性材料を使用することができる。なお、フィルタ部接続導電パターン１７０上には、さらに樹脂層を形成することが望ましい。    That is, the resin multilayer device 300 of Embodiment 3 is the same as the resin multilayer device 100 of Embodiment 1 (see FIG. 1 and the like), on the third resin layer 26, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85. And a filter 120 (see FIG. 11 and the like) constituting the balance filter is the filter 320 shown in FIG. As this filter part connection conductive pattern 170, for example, the same conductive material as that of the first conductive pattern group 130 and the second conductive pattern group 150 can be used. It is desirable to further form a resin layer on the filter portion connection conductive pattern 170.

［フィルタ３２０］
フィルタ３２０は、ＢＰＦであり、積層型のキャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３と、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３によって構成されている。また、フィルタ３２０は、第１スペースＥ１における領域Ｅ３内に設けられた第１フィルタ部３２０ａと、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた第２フィルタ部３２０ｂとを有する。 [Filter 320]
The filter 320 is a BPF, and includes multilayer capacitors C31, C32, and C33 and inductors L31, L32, and L33. The filter 320 includes a first filter part 320a provided in the area E3 in the first space E1 and a second filter part 320b provided in the area E4 in the second space E2.

第１フィルタ部３２０ａには、キャパシタＣ３３、およびインダクタＬ３２，Ｌ３３が配置されている。この第１フィルタ部３２０ａは、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。また、第２フィルタ部３２０ｂには、キャパシタＣ３１，Ｃ３２、およびインダクタＬ３１が配置されている。この第２フィルタ部３２０ｂは、ＬＰＦを構成している。
そして、第１フィルタ部３２０ａのＨＰＦと、第２フィルタ部３２０ｂのＬＰＦとを直列接続することにより、ＢＰＦが構成されている。 In the first filter unit 320a, a capacitor C33 and inductors L32 and L33 are arranged. The first filter unit 320a constitutes a high pass filter (HPF). Further, capacitors C31 and C32 and an inductor L31 are arranged in the second filter unit 320b. The second filter unit 320b constitutes an LPF.
A BPF is configured by connecting the HPF of the first filter unit 320a and the LPF of the second filter unit 320b in series.

キャパシタＣ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている。第４接地部７５ｙは、前述の実施形態１の第４接地部７５ｙと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
キャパシタＣ３２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている。第６接地部７５ｚは、前述の実施形態１の第６接地部７５ｚと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。 One end of the capacitor C31 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded by the fourth ground portion 75y. The fourth grounding portion 75y connects the other end and the GND layer 40 through a via, similarly to the fourth grounding portion 75y of the first embodiment.
One end of the inductor L <b> 31 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the second filter terminal unit 85.
One end of the capacitor C32 is connected to the second filter terminal portion 85, and the other end is grounded by the sixth ground portion 75z. The sixth grounding portion 75z connects the other end to the GND layer 40 through a via, like the sixth grounding portion 75z of the first embodiment.

また、インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。キャパシタＣ３３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。そして、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、フィルタ部接続導電パターン１７０によって接続されている。     One end of the inductor L32 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded. One end of the capacitor C33 is connected to the first filter terminal unit 80, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal unit 90. One end of the inductor L33 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded. The first filter terminal unit 80 and the second filter terminal unit 85 are connected by a filter unit connection conductive pattern 170.

キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。     The capacitors C31, C32, and C33 are the conductive patterns of the first conductive pattern group 130, respectively, like the capacitors C11, C12, C13, and C14 (see FIGS. 8 to 11) that configure the filter 120 of the first embodiment. It has a lower electrode and an upper electrode that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150, respectively.

また、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。     Further, the inductors L31, L32, and L33 are also planar spirals that are conductive patterns of the second conductive pattern group 150, respectively, similarly to the inductors L11 and L12 (see FIGS. 8 to 11) that constitute the filter 120 of the first embodiment. A coil pattern of the mold and an underpass pattern which is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130.

インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は第７接地部７３ｘによって接地されている。第７接地部７３ｘは、第１導電パターン群の配線（アンダーパスパターン）によって、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。同様に、インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第８接地部７３ｙによって接地されている。第８接地部７３ｙは、第１導電パターン群の配線（アンダーパスパターン）によって、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。   One end of the inductor L32 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded by the seventh grounding portion 73x. The seventh grounding portion 73x connects the other end to the GND layer 40 through a via by a wiring (underpass pattern) of the first conductive pattern group. Similarly, one end of the inductor L33 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded by the eighth ground portion 73y. The eighth grounding portion 73y connects the other end and the GND layer 40 through a via by a wiring (underpass pattern) of the first conductive pattern group.

なお、この実施形態３の樹脂多層デバイス３００においても、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１または図１１等参照）のように、ボンディングワイヤ１６０によって、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。   In the resin multilayer device 300 of the third embodiment, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal 80 are connected to the second filter terminal 80 by the bonding wire 160 as in the resin multilayer device 100 of the first embodiment (see FIG. 1 or FIG. 11). A configuration in which the filter terminal portion 85 is connected is also possible.

また、この実施形態３の樹脂多層デバイス３００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、フィルタ部接続導電パターン１７０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。   Further, when the resin multilayer device 300 according to the third embodiment is flip-chip mounted on the mounting substrate, the solder bumps are provided on the respective electrode pads without providing the filter portion connection conductive pattern 170. In this case, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected via a conductive pattern provided on the mounting substrate.

この実施形態３の樹脂多層デバイス３００の製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。   The manufacturing procedure of the resin multilayer device 300 of the third embodiment is the same as that of the resin multilayer device 100 of the first embodiment.

以上のように実施形態３によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   As described above, according to the third embodiment, similarly to the first embodiment, a low-resistance conductive pattern can be formed by a resin layer, copper plating, or the like with high accuracy similar to the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter made up of a filter with excellent impedance, low insertion loss balun and excellent frequency characteristics, and two conductive layers in an area occupied by almost two planar spiral transmission lines. Since a balance filter can be produced by this, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ３２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ３２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。   Further, since the GND layer 40 is formed in a region other than the regions E3 and E4 that overlap with the filter 320, the GND layer 40 does not interfere with the inductor and the capacitor constituting the filter 320, and the excellent frequency characteristics of the filter are maintained. It is.

さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。   Further, in the spaces E1 and E2, the distances A and Ax are arranged such that the end portions 42a and 42b forming the inner edge of the GND layer 40 extend inward from the innermost peripheral portions 44a and 44b constituting the balun. When the distance between the upper surface of the GND layer 40 and the lower surface of the second conductive pattern group 150 is B, the A layer and the Ax are 5 times or more of the B, and the GND layer 40, the first conductive pattern group 130, Since the electric lines of force between them and the electric lines of force between the GND layer 40 and the second conductive pattern group 150 are formed smoothly, there is a region where the GND layer is not formed. Adverse effects can be prevented.

＜実施形態４＞
図１５は本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図１５において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図１６は実施形態４の樹脂多層デバイス４００においてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１６において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。 <Embodiment 4>
FIG. 15 is a top view illustrating a configuration example of the resin multilayer device according to the fourth embodiment of the present invention.
In FIG. 15, the same components as those in FIG. FIG. 16 is a circuit configuration diagram of a filter constituting a balance filter in the resin multilayer device 400 of the fourth embodiment. In FIG. 16, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG.

この実施形態４の樹脂多層デバイス４００は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を図１６のフィルタ４２０とし、不平衡信号端子部９０を第１スペースＥ１内ではなく第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けるとともに、第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設けない構成としたものである。     The resin multilayer device 400 according to the fourth embodiment is different from the resin multilayer device 100 according to the first embodiment (see FIG. 1 and the like) in that the filter 120 (see FIG. 11 and the like) constituting the balance filter is the filter 420 in FIG. The balanced signal terminal portion 90 is provided not in the first space E1 but in the region E4 in the second space E2, and the first filter terminal portion 80, the second filter terminal portion 85, and the bonding wire 160 are not provided. It is.

つまり、この実施形態４では、第１スペースＥ１にフィルタが設けられておらず、これにより第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００よりも簡単な構成とすることができる。     That is, in the fourth embodiment, no filter is provided in the first space E1, and thus it is not necessary to provide the first filter terminal portion 80, the second filter terminal portion 85, and the bonding wire 160. The configuration can be simpler than that of the resin multilayer device 100 according to the first embodiment.

［フィルタ４２０］
フィルタ４２０は、ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ４１，Ｃ４２と、インダクタＬ４１によって構成されている。また、フィルタ４２０は、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられており、第１スペースＥ１内には設けられていない。 [Filter 420]
The filter 420 is an LPF, and includes multilayer capacitors C41 and C42 and an inductor L41. The filter 420 is provided in the region E4 in the second space E2, and is not provided in the first space E1.

キャパシタＣ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている。第４接地部７５ｙは、前述の実施形態１の第４接地部７５ｙと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ４２の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている。第６接地部７５ｚは、前述の実施形態１の第６接地部７５ｚと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。 One end of the capacitor C41 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded by the fourth ground portion 75y. The fourth grounding portion 75y connects the other end and the GND layer 40 through a via, similarly to the fourth grounding portion 75y of the first embodiment.
One end of the inductor L41 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal portion 90 provided in the region E4 in the second space E2.
One end of the capacitor C42 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded by the sixth grounding portion 75z. The sixth grounding portion 75z connects the other end to the GND layer 40 through a via, like the sixth grounding portion 75z of the first embodiment.

キャパシタＣ４１，Ｃ４２は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。     Capacitors C41 and C42 are lower electrodes that are conductive patterns of the first conductive pattern group 130, respectively, similarly to the capacitors C11, C12, C13, and C14 (see FIGS. 8 to 11) that constitute the filter 120 of the first embodiment. And an upper electrode that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150.

また、インダクタＬ４１も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。     In addition, the inductor L41 also has a planar spiral coil pattern, which is the conductive pattern of the second conductive pattern group 150, in the same manner as the inductors L11 and L12 (see FIGS. 8 to 11) constituting the filter 120 of the first embodiment. And an underpass pattern which is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130.

なお、この実施形態４の樹脂多層デバイス４００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、それぞれの端子部の電極パッド上にはんだバンプを設ける。この実施形態４の樹脂多層デバイス４００の製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。     When the resin multilayer device 400 of the fourth embodiment is flip-chip mounted on the mounting substrate, solder bumps are provided on the electrode pads of the respective terminal portions. The manufacturing procedure of the resin multilayer device 400 of the fourth embodiment is the same as that of the resin multilayer device 100 of the first embodiment.

以上のように実施形態４によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度な入出力インピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。     As described above, according to the fourth embodiment, similarly to the first embodiment, a low resistance conductive pattern can be formed by a resin layer, copper plating, or the like with high accuracy similar to the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter with a filter with excellent input / output impedance, low insertion loss balun, and excellent frequency characteristics, and two layers in the area occupied by almost two planar spiral transmission lines. Since a balance filter can be produced with a conductive layer, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

さらに、フィルタ４２０を第２スペースＥ２における領域Ｅ４にのみ設け、第１スペースＥ１には設けない構成としたことにより、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００に設けられていた第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施形態１よりもさらに簡単な構成にすることができる。     Further, the filter 420 is provided only in the region E4 in the second space E2, and not in the first space E1, so that the first filter terminal portion 80 provided in the resin multilayer device 100 of the first embodiment is used. Since it is not necessary to provide the second filter terminal portion 85 and the bonding wire 160, the configuration can be made simpler than that of the first embodiment.

また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ４２０と重なる領域Ｅ４以外の領域に形成されているので、フィルタ４２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。   Further, since the GND layer 40 is formed in a region other than the region E4 that overlaps with the filter 420, the GND layer 40 does not interfere with an inductor and a capacitor constituting the filter 420, and the excellent frequency characteristics of the filter are maintained.

さらに、スペースＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。   Further, in the space E2, the distance between the end 42b forming the inner edge of the GND layer 40 and extending inward from the innermost peripheral portion 44b constituting the balun is set to Ax, the upper surface of the GND layer 40 and the first layer When the distance from the lower surface of the second conductive pattern group 150 is B, if the Ax is 5 times or more of the B, the lines of electric force between the GND layer 40 and the first conductive pattern group 130, and the GND layer Since the lines of electric force between the conductive pattern 40 and the second conductive pattern group 150 are formed smoothly, adverse effects on the balun operation due to the presence of the region where the GND layer is not formed can be prevented.

なお、上記各実施形態の説明では、２層配線構造の積層フィルタ（特にキャパシタ）を例として説明したが、本発明の樹脂多層デバイスでは、３層以上の配線層でフィルタを構成することも可能である。また、キャパシタ電極間の誘電体は、比誘電率Ｅｒのものだけでなく、比誘電率Ｅｒでない（特に比誘電率Ｅｒよりも大きい）ものを用いることも可能である。さらに、本発明の樹脂多層デバイスでは、フィルタは、ＬＰＦ、あるいはＬＰＦとＨＰＦの組合せによるＢＰＦに限らず、任意の形式のバンドパスフィルタ、例えば、チェビシェフ型、楕円関数型、バターワース型等のバンドパスフィルタを形成することが可能である。   In the description of each of the above embodiments, a multilayer filter (particularly a capacitor) having a two-layer wiring structure has been described as an example. However, in the resin multilayer device of the present invention, a filter can be configured with three or more wiring layers. It is. Further, the dielectric between the capacitor electrodes is not limited to the one having the relative dielectric constant Er, but may be the one not having the relative dielectric constant Er (particularly larger than the relative dielectric constant Er). Furthermore, in the resin multilayer device of the present invention, the filter is not limited to LPF or BPF by a combination of LPF and HPF, but any type of bandpass filter, for example, a Chebyshev type, elliptic function type, or Butterworth type bandpass It is possible to form a filter.

＜実施の形態５＞
図１８は本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。図１８において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。
この実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａは、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、ボンディングワイヤ１６０とを備えて構成されたＷＬＰである。
なお、実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例として、図３２に示す構成も挙げられる。図３２において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。 <Embodiment 5>
FIG. 18 is a perspective view illustrating a configuration example of the resin multilayer device according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 18, the same components as those in FIG.
The resin multilayer device 100A of the fifth embodiment includes a substrate 10, a first resin layer 22, a first conductive pattern group 130, a second resin layer 24, a second conductive pattern group 150, and a third resin layer. 26, two balanced signal terminal portions 60 (first balanced signal terminal portion) and 65 (second balanced signal terminal portion), two ground terminal portions 70 (first ground terminal portion) and 75 (second ground terminal) Part), two filter terminal parts 80 (first filter terminal part) and 85 (second filter terminal part), an unbalanced signal terminal part 90, and a bonding wire 160.
In addition, as a configuration example of the resin multilayer device of the fifth embodiment, a configuration illustrated in FIG. In FIG. 32, the same components as those in FIG.

［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、あるいはＧａＡｓ等の絶縁性基板である。 [Substrate 10]
The substrate 10 is, for example, a semiconductor substrate such as a silicon substrate, a glass substrate, or an insulating substrate such as GaAs.

［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、基板１０上に形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。 [Multilayer resin body 20]
The first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26 constitute a multilayer resin body 20. The first resin layer 22 is formed on the substrate 10. As the first resin layer 22, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a fluorine resin such as tetrafluoroethylene, or a photosensitive resin such as BCB (benzocyclobutene) is used.

また、第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。     The second resin layer 24 is formed on the first resin layer 22 provided with the first conductive pattern group 130 including the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35. As the second resin layer 24, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a fluorine resin such as tetrafluoroethylene, or a photosensitive resin such as BCB (benzocyclobutene) is used.

また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０の２つの不平衡信号伝送路部５０ｃ（第１不平衡信号伝送路部）および５０ｄ（第２不平衡信号伝送路部）を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。     The third resin layer 26 includes two unbalanced signal transmission path portions 50c (first unbalanced signal transmission path portions) and 50d (second unbalanced signal transmission path portions) of the unbalanced signal transmission paths 50. The second conductive pattern group 150 is formed on the second resin layer 24 provided. As the third resin layer 26, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a fluorine resin such as tetrafluoroethylene, or a photosensitive resin such as BCB (benzocyclobutene) is used.

これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有することが望ましい。     It is desirable that the first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26 have the same relative dielectric constant, for example, by using the same material and the same technique.

樹脂多層デバイス１００Ａには、積層型のバラン１１０Ａと、積層型のフィルタ１２０Ａとを一体化したバランスフィルタが作り込まれている。     In the resin multilayer device 100A, a balance filter in which the laminated balun 110A and the laminated filter 120A are integrated is built.

［バラン１１０Ａ］
バラン１１０Ａは、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン１１０Ａは、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部１１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部１１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部１１０ａは、第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部１１０ｂは、第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。 [Balanc 110A]
The balun 110A includes a first resin layer 22, two balanced signal transmission lines 30 (first balanced signal transmission path) and 35 (second balanced signal transmission path), a second resin layer 24, and unbalanced signal transmission. The path 50 and the third resin layer 26 are configured. The balun 110A has a first balun portion 110a arranged in a plane spiral type so as to have a first space E1 on the inner periphery, and a first spiral balun arranged in a plane spiral type so as to have a second space E2 on the inner periphery. 2 balun portions 110b. The first balun unit 110a includes a first balanced signal transmission path 30 and a first unbalanced signal transmission path 50c facing the first balanced signal transmission path 30. The second balun unit 110b includes a second balanced signal transmission path 35 and a second unbalanced signal transmission path section 50d facing the second balanced signal transmission path 35.

図１９はバラン１１０Ａの構成を説明する上面図である。図１９において、図２と同様のものには同じ符号を付してある。
また、図２０は図１９においてのＡ−Ａ間の断面図、図２１は図１９においてのＢ−Ｂ間の断面図である。ただし、図１９〜図２１では、バラン１１０Ａを判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。 FIG. 19 is a top view illustrating the configuration of the balun 110A. In FIG. 19, the same components as those in FIG.
20 is a cross-sectional view taken along a line AA in FIG. 19, and FIG. 21 is a cross-sectional view taken along a line BB in FIG. However, in FIGS. 19 to 21, in order to easily understand the balun 110 </ b> A, a planar spiral type first balanced signal transmission line 30 having a first space E <b> 1 on the inner periphery and a second space E <b> 2 on the inner periphery. A planar spiral type second balanced signal transmission path 35, a planar spiral type first unbalanced signal transmission path section 50c having a first space E1 on the inner circumference, and a planar spiral type second having a second space E2 on the inner circumference. The unbalanced signal transmission path 50 configured to include the two unbalanced signal transmission path sections 50d is drawn in a straight transmission path.

上述のバラン１１０Ａの構成を示す図１９は、図３３に示す上面図としてもよい。図３３において、図１９と同様のものには同じ符号を付してある。また、図３４は図３３においてのＰ−Ｐ間の断面図であり、図３３においてのＢ−Ｂ間の断面図は図１９である。図３３においても、バラン１１０Ａを判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。   FIG. 19 showing the configuration of the balun 110A described above may be a top view shown in FIG. 33, the same symbols are added to the same components as those in FIG. 34 is a cross-sectional view taken along the line P-P in FIG. 33, and FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. Also in FIG. 33, in order to easily understand the balun 110A, a planar spiral type first balanced signal transmission line 30 having a first space E1 on the inner periphery and a planar spiral type having a second space E2 on the inner periphery. The second balanced signal transmission path 35, the planar spiral type first unbalanced signal transmission path section 50c having the first space E1 on the inner circumference, and the planar spiral type second unbalanced signal having the second space E2 on the inner circumference. The unbalanced signal transmission path 50 configured to include the transmission path section 50d is drawn in a straight transmission path.

［第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５］
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターン（第１導電パターン群１３０に属するあるいは第１導電パターン群１３０を構成する導電パターン）として、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成されている。第１平衡信号伝送路３０は、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、第２平衡信号伝送路３５も、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。 [First balanced signal transmission path 30, second balanced signal transmission path 35]
The first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 are used as conductive patterns of the first conductive pattern group 130 (conductive patterns belonging to the first conductive pattern group 130 or constituting the first conductive pattern group 130). They are formed on the first resin layer 22 electrically independently from each other. The first balanced signal transmission line 30 is a transmission line arranged in a plane spiral type having a first space E1 on the inner periphery. Similarly, the second balanced signal transmission path 35 is also a transmission path arranged in a planar spiral shape having the second space E2 on the inner periphery.

平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの第１平衡信号伝送路３０の一端３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の一端３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端になっている。   The outer peripheral end (one end) 30a of the flat spiral type first balanced signal transmission line 30 and the outer peripheral end (one end) 35a of the flat spiral type second balanced signal transmission line 35 are similarly arranged with a gap g. . One end 30a of the first balanced signal transmission path 30 and one end 35a of the second balanced signal transmission path 35 are signal ends to which balanced signals (differential signals) are input and output, respectively. Further, the inner peripheral end (other end) 30b of the first balanced signal transmission path 30 and the inner peripheral end (other end) 35b of the second balanced signal transmission path 35 are grounded ends.

第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の下面と基板１０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１である（図２０参照）。   The first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 are simultaneously formed of the same metal material as the conductive patterns of the first conductive pattern group 130, and are made of, for example, a plating metal such as copper plating. Further, it is desirable that the transmission line length L1 of the first balanced signal transmission line 30 and the transmission line length L2 of the second balanced signal transmission line 35 are formed to have the same length (L1 = L2). The first balanced signal transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35 are desirably formed to have the same width W and the same thickness T. In addition, the space | interval (layer thickness of the 1st resin layer 22) of the lower surface of the 1st balanced signal transmission path 30 and the 2nd balanced signal transmission path 35, and the upper surface of the board | substrate 10 is h1 (refer FIG. 20).

［不平衡信号伝送路５０］
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続（電気的に接続）した１本の伝送路である。 [Unbalanced signal transmission line 50]
The unbalanced signal transmission path 50 is formed on the second resin layer 24 as a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The unbalanced signal transmission path 50 is a flat spiral type first unbalanced signal transmission path section having a lower surface facing the upper surface of the first balanced signal transmission path 30 and having a first space E1 on the inner periphery. 50c and the outer peripheral ends of the flat spiral type second unbalanced signal transmission path portion 50d having the second space E2 on the inner circumference, the lower surface of which is provided to face the upper surface of the second balanced signal transmission path 35 Are integrally connected (electrically connected) to each other.

不平衡信号伝送路５０の一端（第２不平衡信号伝送路部５０ｄの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（第１不平衡信号伝送路部５０ｃの内周端）５０ｂは開放端になっている。   One end of the unbalanced signal transmission path 50 (inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path section 50d) 50a is a signal end to which an unbalanced signal is input and output, and the other end of the unbalanced signal transmission path 50 ( The inner peripheral end 50b of the first unbalanced signal transmission path 50c is an open end.

不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。   The unbalanced signal transmission path 50 is made of a plating metal such as copper plating as the conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The unbalanced signal transmission line 50 is preferably formed of the same metal material by the same formation method as the first balanced signal transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35.

不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａと第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成されていることが望ましい。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。   The unbalanced signal transmission line 50 has a length L of the transmission line length L1 of the first balanced signal transmission line 30, the transmission line length L2 of the second balanced signal transmission line 35, and the length of the first balanced signal transmission line 30. It is desirable that the total length of the signal end 30a and the distance g between the signal ends 35a of the second balanced signal transmission path 35 is the same. The unbalanced signal transmission line 50 is preferably formed to have the same width W and the same thickness T as the first balanced signal transmission line 30 and the second balanced signal transmission line 35.

なお、第２樹脂層２４を介して対向配置された不平衡信号伝送路５０下面と、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面との間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層６０上面までの間隔はｈ２である（図２０参照）。   Note that the distance between the lower surface of the unbalanced signal transmission path 50 and the upper surface of the first balanced signal transmission path 30 and the upper surface of the second balanced signal transmission path 35 that face each other via the second resin layer 24 is d. Further, the distance from the upper surface of the unbalanced signal transmission path 50 to the upper surface of the third resin layer 60 is h2 (see FIG. 20).

［バランスフィルタの動作］
図２２はバラン１１０Ａの動作を説明する模式回路図である。図２２において、ＳＤ１は、平衡信号（差動信号）の内、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに入力される（または信号端３０ａから出力される）信号、ＳＤ２は、上記平衡信号の内、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに入力される（または信号端３５ａから出力される）信号、ＳＳは、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａからフィルタ１２０Ａを介して出力される（またはフィルタ１２０Ａを介して信号端５０ａに入力される）不平衡信号（単一信号）をそれぞれ表している。 [Balance filter operation]
FIG. 22 is a schematic circuit diagram for explaining the operation of the balun 110A. In FIG. 22, SD1 is a signal input to (or output from) the signal end 30a of the first balanced signal transmission line 30 among the balanced signals (differential signals), and SD2 is the balanced signal. Among them, the signal, SS, input to the signal end 35a of the second balanced signal transmission path 35 (or output from the signal end 35a), is output from the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50 via the filter 120A. Respectively (or input to the signal end 50a via the filter 120A).

また、図２２において、ＺＤ１は第１平衡信号伝送路３０の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＤ２は第２平衡信号伝送路３５の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＳは不平衡伝送路５０の出力インピーダンス（または入力インピーダンス）をそれぞれ表している。   In FIG. 22, ZD1 is the input impedance (or output impedance) of the first balanced signal transmission line 30, ZD2 is the input impedance (or output impedance) of the second balanced signal transmission line 35, and ZS is the unbalanced transmission line 50. Each represents output impedance (or input impedance).

バラン１１０Ａは、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１８等参照）を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。   In the balun 110A, the first balanced signal transmission path 30, the second balanced signal transmission path 35, and the unbalanced signal transmission path 50 are disposed close to each other via the second resin layer 24 (see FIG. 18 and the like). This is a circuit that generates electromagnetic coupling between the first balanced signal transmission path 30, the second balanced signal transmission path 35, and the unbalanced signal transmission path 50.

このバラン１１０Ａにおいて、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、これらの平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから出力される。この不平衡信号は、フィルタ１２０Ａに入力され、高調波成分の除去等のフィルタ処理をされた不平衡信号ＳＳが、フィルタ１２０Ａから出力される。   In this balun 110A, when balanced signals SD1 and SD2 are input to the signal ends 30a and 35a of the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35, these balanced signals SD1 and SD2 are converted into unbalanced signals. The signal is output from the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50. This unbalanced signal is input to the filter 120A, and an unbalanced signal SS subjected to filter processing such as removal of harmonic components is output from the filter 120A.

また、これとは逆に、バラン１１０Ａにおいて、フィルタ１２０Ａを介して不平衡信号ＳＳを不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。   On the other hand, in the balun 110A, when the unbalanced signal SS is input to the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50 via the filter 120A, the unbalanced signal is converted into a balanced signal, and the first balanced The balanced signals SD1 and SD2 are output from the signal ends 30a and 35a of the signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35.

ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと第２不平衡信号伝送路部５０ｄの合計の伝送路長（＝Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設けることが望ましい。   Here, if the wavelength of the signal to be transmitted (signal to be converted) is λ, the transmission line length L1 of the first balanced signal transmission line 30 and the transmission line length L2 of the second balanced signal transmission line 35 are respectively λ / 4, The total transmission path length (= L1 + L2 = L−g) of the first unbalanced signal transmission path section 50c and the second unbalanced signal transmission path section 50d in the unbalanced signal transmission path 50 is λ / 2. It is desirable to provide each transmission path.

さらに、バラン１１０Ａは、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ、および平衡信号側のインピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。   Furthermore, the balun 110A also has a function as a transformer for converting impedance. As for impedance conversion, the impedance ZS on the unbalanced signal side and the impedances ZD1 and ZD2 on the balanced signal side are required to be impedance values of design specifications. For example, the impedance ZS = 50Ω on the unbalanced signal side and the impedance ZD1 + ZD2 = 100, 150, 200Ω on the balanced signal side.

このようなバランスフィルタは、アンテナで受信した高周波不平衡信号を復調するために平衡信号に変換する必要があり、逆に変調された高周波平衡信号をアンテナから送信するために不平衡信号に変換する必要がある無線通信機器では、不可欠な回路である。   Such a balance filter needs to convert a high-frequency unbalanced signal received by an antenna into a balanced signal in order to demodulate, and conversely converts a modulated high-frequency balanced signal into an unbalanced signal for transmission from the antenna. It is an indispensable circuit in a wireless communication device that needs it.

無線通信機器においては、高周波信号処理ＩＣの入出力インピーダンスとアンテナの出入力インピーダンスとは必ずしも整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランスフィルタは不可欠である。上記両者の間にバランスフィルタを挿入しないと、あるいは挿入してもバランスフィルタのインピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になる。   In wireless communication devices, the input / output impedance of the high-frequency signal processing IC and the input / output impedance of the antenna do not always match. For this reason, in order to match both impedances, a balance filter having an impedance conversion function is indispensable. If no balance filter is inserted between the two, or if the impedance of the balance filter deviates from the design value even if it is inserted, another impedance converter is required.

無線通信機器の信号送信部においては、高周波信号処理ＩＣから出力された送信平衡信号（送信差動信号）は、バランに入力されて不平衡信号に変換される。この送信不平衡信号は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）またはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）において高調波成分を除去され、電力増幅器（ＰＡ）において増幅され、アンテナスイッチ（ＴＤＤ方式の場合）を通ってアンテナから送信される。電力増幅器は差動化が進んでおらず不平衡信号によって動作しているため、平衡信号によって動作している高周波信号処理ＩＣとの間に、バランとＬＰＦまたはＢＰＦを一体化したバランスフィルタが必要になる。   In the signal transmission unit of the wireless communication device, the transmission balanced signal (transmission differential signal) output from the high-frequency signal processing IC is input to the balun and converted into an unbalanced signal. The transmission unbalanced signal has its harmonic components removed by a low-pass filter (LPF) or a band-pass filter (BPF), amplified by a power amplifier (PA), and transmitted from an antenna through an antenna switch (in the case of a TDD system). Is done. Since power amplifiers are not differentiated and operate with unbalanced signals, a balance filter that integrates a balun and LPF or BPF is required between the power amplifier and a high-frequency signal processing IC that operates with balanced signals. become.

この実施の形態５のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号送信部に適用する場合には、バラン１１０Ａの第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号入力側になり、フィルタ１２０Ａが信号出力側になる。従って、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの送信信号出力端子にそれぞれ接続し、フィルタ１２０Ａの出力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記電力増幅器の入力端子に接続することになる。   When the balance filter of the fifth embodiment is applied to the signal transmission unit of the wireless communication device, the signal ends 30a and 35a of the first balanced signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 of the balun 110A are signals. The filter 120A is on the signal output side. Accordingly, the first balanced signal terminal portion 60 and the second balanced signal terminal portion 65 respectively connected to the signal ends 30a and 35a are respectively connected to the transmission signal output terminals of the high frequency signal processing IC, and the output side of the filter 120A. Is connected to the input terminal of the power amplifier.

また、無線通信機器の信号受信部においては、アンテナで受信された受信不平衡信号は、アンテナスイッチを通って低雑音増幅器（ＬＮＡ）において増幅され、ＢＰＦにおいて所望の周波数帯域成分が選択されたあと、バランに入力されて平衡信号に変換される。そして、この受信平衡信号が高周波信号処理ＩＣに入力される。高周波信号処理ＩＣは、平衡信号によって動作しているため、不平衡信号を出力する低雑音増幅器との間に、ＢＰＦとバランを一体化したバランスフィルタが必要になる。   In the signal receiving unit of the wireless communication device, the reception unbalanced signal received by the antenna is amplified by the low noise amplifier (LNA) through the antenna switch, and a desired frequency band component is selected by the BPF. , Input to the balun and converted to a balanced signal. Then, this reception balanced signal is input to the high frequency signal processing IC. Since the high-frequency signal processing IC operates with a balanced signal, a balance filter in which a BPF and a balun are integrated is required between the high-frequency signal processing IC and a low-noise amplifier that outputs an unbalanced signal.

この実施の形態５のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号受信部に適用する場合には、上記信号送信部に適用する場合とは逆に、フィルタ１２０Ａが信号入力側、バラン１１０Ａの第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号出力側になる。従って、フィルタ１２０Ａの入力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記低雑音増幅器の出力端子に接続し、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの受信信号入力端子にそれぞれ接続することになる。なお、この実施の形態５のフィルタ１２０ＡはＬＰＦとして構成されているため、上記信号受信部に適用する場合には、フィルタ１２０ＡをＢＰＦとして構成する必要がある。   When the balance filter of the fifth embodiment is applied to the signal receiving unit of the wireless communication device, the filter 120A is the first balanced of the signal input side and the balun 110A, contrary to the case of applying to the signal transmitting unit. The signal ends 30a and 35a of the signal transmission path 30 and the second balanced signal transmission path 35 are on the signal output side. Therefore, the unbalanced signal terminal unit 90 connected to the input side of the filter 120A is connected to the output terminal of the low noise amplifier, and the first balanced signal terminal unit 60 and the first balanced signal terminal unit 60 connected to the signal terminals 30a and 35a, respectively. The two balanced signal terminal portions 65 are respectively connected to the reception signal input terminals of the high frequency signal processing IC. Since the filter 120A of the fifth embodiment is configured as an LPF, when applied to the signal receiving unit, it is necessary to configure the filter 120A as a BPF.

［フィルタ１２０Ａ］
図２３はフィルタ１２０Ａの構成を説明する上面図である。図２３において、図８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図２４は図２３においてのＤ−Ｄ間の断面図、図２５は図２３においてのＥ−Ｅ間の断面図である。さらに、図２６はフィルタ１２０Ａの回路構成図である。 [Filter 120A]
FIG. 23 is a top view illustrating the configuration of the filter 120A. In FIG. 23, the same components as those in FIG. 24 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 23, and FIG. 25 is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG. Further, FIG. 26 is a circuit configuration diagram of the filter 120A.

フィルタ１２０Ａは、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４と、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって構成されている。また、フィルタ１２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部１２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部１２０ｂとを有する。第１フィルタ部１２０ａの一端は不平衡信号端子部９０に接続され、他端は第１フィルタ端子部８０に接続されている。第２フィルタ部１２０ｂの一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続され、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。   The filter 120A is a fifth-order Chebyshev LPF, and includes multilayer capacitors C11, C12, C13, and C14 and inductors L11 and L12. In addition, the filter 120A includes a first filter part 120a provided in the first space E1, and a second filter part 120b provided in the second space E2. One end of the first filter unit 120 a is connected to the unbalanced signal terminal unit 90, and the other end is connected to the first filter terminal unit 80. One end of the second filter unit 120 b is connected to the signal end 50 a of the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the second filter terminal unit 85.

第１フィルタ部１２０ａには、キャパシタＣ１３，Ｃ１４、およびインダクタＬ１２が配置されており、第２フィルタ部１２０ｂには、キャパシタＣ１１，Ｃ１２、およびインダクタＬ１１が配置されている。   Capacitors C13 and C14 and an inductor L12 are arranged in the first filter unit 120a, and capacitors C11 and C12 and an inductor L11 are arranged in the second filter unit 120b.

キャパシタＣ１１の一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されており、他端は接地されている（第２接地端子部７５に接続されている）。インダクタＬ１１の一端は信号端５０ａに接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ１２の一端は第２フィルタ端子８５に接続されており、他端は接地されている（第２接地端子部７５に接続されている）。   One end of the capacitor C11 is connected to the signal end 50a of the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded (connected to the second ground terminal portion 75). One end of the inductor L11 is connected to the signal end 50a, and the other end is connected to the second filter terminal portion 85. One end of the capacitor C12 is connected to the second filter terminal 85, and the other end is grounded (connected to the second ground terminal portion 75).

また、キャパシタＣ１３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている（第１接地端子部７０に接続されている）。インダクタＬ１２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ１４の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている（第１接地端子部７０に接続されている）。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。 One end of the capacitor C13 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded (connected to the first ground terminal portion 70). One end of the inductor L12 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal portion 90.
One end of the capacitor C14 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded (connected to the first ground terminal portion 70). Note that the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by a bonding wire 160.

図２３では、第１導電パターン群１３０の配線パターンを２通りの場合で併記している。図２３に示す構成においては、配線パターン１８０及び１８２、又は配線パターン１８１及び１８３のいずれか一方が備えられていればよい。また、これらの配線パターン上に示した「Ｘ１」又は「Ｘ２」の位置に、第１接地端子部７０又は第２接地端子部と同様な接地端子部（図示略）を設けてもよい。 In FIG. 23, the wiring patterns of the first conductive pattern group 130 are shown in two cases. In the configuration shown in FIG. 23, any one of the wiring patterns 180 and 182 or the wiring patterns 181 and 183 may be provided. Further, a ground terminal portion (not shown) similar to the first ground terminal portion 70 or the second ground terminal portion may be provided at the position of “X 1 ” or “X 2 ” shown on these wiring patterns. .

さらに、図２３では、第２接地端子部７５にキャパシタＣ１１及び１２が接続されているが、キャパシタＣ１１及び１２はそれぞれ第２接地端子部７５及び「Ｘ２」の位置に設けられた接地端子部（図示略）に独立して接続される構成であってもよい。このとき、キャパシタＣ１１とＣ１２とは、第１導電パターン群１３０の配線パターン１８０（又は１８１）を介して互いに接続されている必要はない。 Further, in FIG. 23, the capacitors C11 and C12 are connected to the second ground terminal portion 75. However, the capacitors C11 and C12 are respectively connected to the second ground terminal portion 75 and the ground terminal portion provided at the position of “X 2 ”. It may be configured to be connected independently (not shown). At this time, the capacitors C11 and C12 do not need to be connected to each other via the wiring pattern 180 (or 181) of the first conductive pattern group 130.

同様に、図２３では、第１接地端子部７０にキャパシタＣ１３及び１４が接続されているが、キャパシタＣ１３及び１４はそれぞれ第１接地端子部７０及び「Ｘ１」の位置に設けられた接地端子部（図示略）に独立して接続される構成であってもよい。このとき、キャパシタＣ１３とＣ１４とは、第１導電パターン群１３０の配線パターン１８２（又は１８３）を介して互いに接続されている必要はない。 Similarly, in FIG. 23, the capacitors C13 and C14 are connected to the first ground terminal unit 70. The capacitors C13 and C14 are connected to the first ground terminal unit 70 and the ground terminal provided at the position of “X 1 ”, respectively. It may be configured to be connected independently to a portion (not shown). At this time, the capacitors C13 and C14 do not need to be connected to each other via the wiring pattern 182 (or 183) of the first conductive pattern group 130.

以下に、キャパシタＣ１１〜１４及びインダクタＬ１１〜１２の構成をさらに詳細に説明する。
キャパシタＣ１１は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３１と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５１とを有する。下部電極１３１は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７に接続されている。また、上部電極１５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。 Below, the structure of the capacitors C11-14 and the inductors L11-12 is demonstrated in detail.
The capacitor C <b> 11 has a lower electrode 131 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 151 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 131 is connected to the ground electrode pad 57 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the first conductive pattern group 130 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The upper electrode 151 is connected to the signal end 50 a of the unbalanced signal transmission path 50 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

インダクタＬ１１は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５２と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３２とを有する。コイルパターン１５２の内周端は、アンダーパスパターン１３２および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。また、コイルパターン１５２の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。   The inductor L11 includes a planar spiral coil pattern 152 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150 and an underpass pattern 132 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130. The inner peripheral end of the coil pattern 152 is connected to the signal end 50 a of the unbalanced signal transmission path 50 through the underpass pattern 132 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. Further, the outer peripheral end of the coil pattern 152 is connected to the filter electrode pad 154 of the second conductive pattern group 150 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

キャパシタＣ１２は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３３と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５３とを有する。下部電極１３３は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７に接続されている。また、上部電極１５３は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。   The capacitor C12 includes a lower electrode 133 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 153 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 133 is connected to the ground electrode pad 57 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the first conductive pattern group 130 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The upper electrode 153 is also connected to the filter electrode pad 154 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

キャパシタＣ１３は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３６と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５６とを有する。下部電極１３６は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２に接続されている。また、上部電極１５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。   The capacitor C13 includes a lower electrode 136 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 156 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 136 is connected to the ground electrode pad 52 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the first conductive pattern group 130 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The upper electrode 156 is also connected to the filter electrode pad 155 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

インダクタＬ１２は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５７と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３７とを有する。コイルパターン１５７の内周端は、アンダーパスパターン１３７および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。また、コイルパターン１５７の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。   The inductor L12 includes a planar spiral coil pattern 157 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150 and an underpass pattern 137 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130. The inner peripheral end of the coil pattern 157 is connected to the filter electrode pad 155 of the second conductive pattern group 150 via the underpass pattern 137 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. Further, the outer peripheral end of the coil pattern 157 is connected to the unbalanced signal electrode pad 59 of the second conductive pattern group 150 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

キャパシタＣ１４は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２に接続されている。また、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。   The capacitor C14 includes a lower electrode 138 that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130 and an upper electrode 158 that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150. The lower electrode 138 is connected to the ground electrode pad 52 of the second conductive pattern group 150 via the wiring pattern of the first conductive pattern group 130 and the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The upper electrode 158 is also connected to the unbalanced signal electrode pad 59 of the second conductive pattern group 150 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

また、図２３に示す構成に代えて図３７に示す構成としてもよい。図３７において、図２３と同様のものには同じ符号を付してある。図３８は図３７においてのＱ−Ｑ間の断面図である。
図３７の構成は、キャパシタＣ１１の上部電極１５１、キャパシタＣ１２の上部電極１５３、キャパシタＣ１３の上部電極１５６、及びキャパシタＣ１４の上部電極１５８に、それぞれ開口部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、及び２７ｄを設けて、これらの開口部をそれぞれ接地電極パッド５８ａ、５８ｂ、５８ｃ、及び５８ｄとする構成である。この構成であることにより、第１接地端子部７０及び第２接地端子部７５（接地電極パッド５７及び５２）を設ける必要がなくなる。 Further, the configuration shown in FIG. 37 may be used instead of the configuration shown in FIG. In FIG. 37, the same components as those in FIG. 23 are denoted by the same reference numerals. FIG. 38 is a cross-sectional view taken along the line Q-Q in FIG.
In the configuration of FIG. 37, openings 27a, 27b, 27c, and 27d are provided in the upper electrode 151 of the capacitor C11, the upper electrode 153 of the capacitor C12, the upper electrode 156 of the capacitor C13, and the upper electrode 158 of the capacitor C14, respectively. These openings are configured as ground electrode pads 58a, 58b, 58c, and 58d, respectively. With this configuration, it is not necessary to provide the first ground terminal portion 70 and the second ground terminal portion 75 (the ground electrode pads 57 and 52).

このように、フィルタ１２０Ａでは、キャパシタとインダクタとを、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、対称に配置した構成としている。フィルタ１２０Ａは、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ１２とＣ１３とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部１２０ａと、第２フィルタ部１２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。   Thus, the filter 120A has a configuration in which the capacitor and the inductor are symmetrically arranged in the first filter unit 120a and the second filter unit 120b. Since the filter 120A is a fifth-order Chebyshev type LPF, the capacitors C12 and C13 are generally one capacitor. However, by dividing this and arranging it in the first filter part 120a and the second filter part 120b respectively, the symmetry of the first space E1 and the second space E2 can be secured, and the circuit arrangement with excellent balance can do.

特に、インダクタを第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があるが、一般に、インダクタのＱ値は、コイルパターンの内径対外径比が大きいほど高くできる。このため、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ１２０Ａは、２つのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有するので、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、つまり第１スペースＥ１と第２スペースＥ２に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。   In particular, the inductor characteristics can be improved by equally allocating the inductors to the first filter portion 120a and the second filter portion 120b and arranging them symmetrically. In order to obtain a filter having excellent characteristics, it is necessary to increase the Q value of the inductor, but in general, the Q value of the inductor can be increased as the ratio of the inner diameter to the outer diameter of the coil pattern increases. For this reason, in order to increase the Q value of the inductor, it is necessary to increase the area occupied by the inductor. Since the filter 120A has two inductors L11 and L12, by disposing one inductor in each of the first filter portion 120a and the second filter portion 120b, that is, in the first space E1 and the second space E2, respectively. It is possible to increase the size of the inductor.

この実施の形態５では、基板１０上に、ＷＬＣＳＰ技術によって、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層して、バランスフィルタを形成することにより、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるとともに、銅めっき等による高いＱ値のインダクタを形成することができる。   In the fifth embodiment, the first resin layer 22, the first conductive pattern group 130, the second resin layer 24, the second conductive pattern group 150, and the third resin layer 26 are sequentially stacked on the substrate 10 by the WLCSP technique. By forming the balance filter, it is possible to form a low-resistance transmission path by a resin layer and copper plating or the like with high accuracy similar to the CMOS semiconductor processing technology, and a high Q value inductor by copper plating or the like. Can be formed.

［第１平衡信号端子部６０、第２平衡信号端子部６５］
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５１を設けたものである。平衡信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに接続されている。 [First balanced signal terminal portion 60, second balanced signal terminal portion 65]
The first balanced signal terminal portion 60 is obtained by providing the balanced signal electrode pad 51 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 a of the third resin layer 26. The balanced signal electrode pad 51 is connected to the signal end 30 a of the first balanced signal transmission line 30 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 and the wiring pattern of the first conductive pattern group 130.

同様に、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５６を設けたものである。平衡信号電極パッド５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに接続されている。   Similarly, the second balanced signal terminal portion 65 is obtained by providing the balanced signal electrode pad 56 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 c of the third resin layer 26. The balanced signal electrode pad 56 is connected to the signal end 35 a of the second balanced signal transmission path 35 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 and the wiring pattern of the first conductive pattern group 130.

［第１接地端子部７０、第２接地端子部７５］
第１接地端子部７０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｂ内に、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２を設けたものである。接地電極パッド５２は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂ、およびキャパシタＣ１３の下部電極１３６、キャパシタＣ１４の下部電極１３８に接続されている。 [First ground terminal portion 70, second ground terminal portion 75]
The first ground terminal portion 70 is obtained by providing the ground electrode pad 52 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 b of the third resin layer 26. The ground electrode pad 52 is connected to the ground end 30b of the first balanced signal transmission line 30, the lower electrode 136 of the capacitor C13, the capacitor via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 and the wiring pattern of the first conductive pattern group 130. It is connected to the lower electrode 138 of C14.

同様に、第２接地端子部７５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｄ内に、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７を設けたものである。接地電極パッド５７は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂ、およびキャパシタＣ１１の下部電極１３１、キャパシタＣ１２の下部電極１３３に接続されている。   Similarly, the second ground terminal portion 75 is obtained by providing the ground electrode pad 57 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 d of the third resin layer 26. The ground electrode pad 57 is connected to the ground end 35b of the second balanced signal transmission path 35, the lower electrode 131 of the capacitor C11, the capacitor via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150 and the wiring pattern of the first conductive pattern group 130. It is connected to the lower electrode 133 of C12.

［第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５］
第１フィルタ端子部８０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５を設けたものである。フィルタ電極パッド１５５は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１３の上部電極１５６およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。また、第２フィルタ端子部８５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｆ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４を設けたものである。フィルタ電極パッド１５４は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１２の上部電極１５３およびインダクタＬ１１のコイルパターン１５２に接続されている。そして、フィルタ電極パッド１５４と１５５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。 [First filter terminal portion 80, second filter terminal portion 85]
The first filter terminal portion 80 is obtained by providing the filter electrode pad 155 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 g of the third resin layer 26. The filter electrode pad 155 is connected to the upper electrode 156 of the capacitor C13 and the coil pattern 157 of the inductor L12 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The second filter terminal portion 85 is provided with the filter electrode pad 154 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 f of the third resin layer 26. The filter electrode pad 154 is connected to the upper electrode 153 of the capacitor C12 and the coil pattern 152 of the inductor L11 via the wiring pattern of the second conductive pattern group 150. The filter electrode pads 154 and 155 are connected by a bonding wire 160.

これらの第１フィルタ端子部８０と、第２フィルタ端子部８５とは、第１フィルタ部１２０ａのキャパシタＣ１３の上部電極１５６と、第２フィルタ部１２０ｂのキャパシタＣ１２の上部電極１５３とを、ボンディングワイヤ１６０によって接続して、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるフィルタ１２０Ａを完成させるためのものである。   The first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are formed by bonding the upper electrode 156 of the capacitor C13 of the first filter portion 120a and the upper electrode 153 of the capacitor C12 of the second filter portion 120b to the bonding wire. 160 is used to complete the filter 120A, which is a fifth-order Chebyshev LPF.

このように、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。   In this way, by connecting the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 with the bonding wire 160, the conductive layer formed by the first conductive pattern group 130 and the conductive layer formed by the second conductive pattern group 150 are divided into two. With a layered structure, a laminated balance filter can be realized.

なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。   It is also possible to provide a conductive pattern on the third resin layer 26 and connect the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85. In this case, it is desirable to further form a resin layer on the conductive pattern. If the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by the bonding wire 160 as described above, the number of steps can be reduced.

［不平衡信号端子部９０］
不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｅ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９を設けたものである。不平衡信号電極パッド５９は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、フィルタ部１２０ＡのキャパシタＣ１４の上部電極１５８およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。 [Unbalanced signal terminal section 90]
The unbalanced signal terminal portion 90 is obtained by providing the unbalanced signal electrode pad 59 of the second conductive pattern group 150 in the opening 26 e of the third resin layer 26. The unbalanced signal electrode pad 59 is connected to the upper electrode 158 of the capacitor C14 of the filter unit 120A and the coil pattern 157 of the inductor L12 through the wiring pattern of the second conductive pattern group 150.

この実施の形態５では、第１フィルタ部１２０ａ、ならびに第１接地端子部７０、第１フィルタ端子部８０、および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部１１０ａの内周に確保された第１スペースＥ１内に配置されている。また、第２フィルタ部１２０ｂ、ならびに第２接地端子部７５および第２フィルタ部８５は、第２バラン部１１０ｂの内周に確保された第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、これらの第１スペースＥ１および第２スペースＥ２の外側に配置されている。従って、この実施の形態５では、ほぼ２つの平面スパイラル型伝送路が占有する面積に、２層の導電層構造でバランスフィルタを作製することができる。   In the fifth embodiment, the first filter unit 120a, the first ground terminal unit 70, the first filter terminal unit 80, and the unbalanced signal terminal unit 90 are secured on the inner periphery of the first balun unit 110a. It is arranged in one space E1. The second filter portion 120b, the second ground terminal portion 75, and the second filter portion 85 are disposed in a second space E2 secured on the inner periphery of the second balun portion 110b. Note that the first balanced signal terminal portion 60 and the second balanced signal terminal portion 65 are disposed outside the first space E1 and the second space E2. Therefore, in the fifth embodiment, a balance filter can be manufactured with a two-layer conductive layer structure in an area occupied by almost two planar spiral transmission lines.

なお、樹脂多層デバイス１００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、平衡信号電極パッド５１，５６上、接地電極パッド５２，５７上、不平衡信号電極パッド５９上、およびフィルタ電極パッド１５４，１５５上にそれぞれ、はんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。   When flip-chip mounting the resin multilayer device 100A on the mounting substrate, the bonding wire 160 is not provided, but on the balanced signal electrode pads 51 and 56, on the ground electrode pads 52 and 57, on the unbalanced signal electrode pad 59, Solder bumps are provided on the filter electrode pads 154 and 155, respectively. In this case, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected via a conductive pattern provided on the mounting substrate.

［製造手順］
図１８〜図２６を参照して、樹脂多層デバイス１００Ａの製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００Ａは、ＷＬＰであるから、シリコンウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバランスフィルタを作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。 [Manufacturing procedure]
With reference to FIGS. 18 to 26, a manufacturing procedure of the resin multilayer device 100A will be described below. In the following description, it is assumed that the substrate 10 is a silicon (Si) wafer. Since the resin multilayer device 100A is a WLP, it is manufactured by WLCSP technology in which a balance filter is formed on a silicon wafer by a resin layer formation process and a conductive pattern group formation process such as a thick film copper pattern group, and then dicing into chips. Is done.

まず、シリコンウェハである基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によってウェハ基板１０上にコーティングし、厚さ寸法ｈ１の感光性樹脂層を形成する。   First, the first resin layer 22 is formed on the substrate 10 that is a silicon wafer. As the first resin layer 22, a photosensitive insulating resin having a relative dielectric constant Er is used. The photosensitive resin fluid resin material is coated on the wafer substrate 10 by spin coating to form a photosensitive resin layer having a thickness dimension h1.

次に、第１樹脂層２２上に、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の下部電極１３１，１３３，１３６，１３８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のアンダーパスパターン１３２，１３７等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。   Next, a planar spiral type first balanced signal transmission line 30 having a first space E1 on the inner periphery and a planar spiral type second balanced signal transmission having a second space E2 on the inner periphery on the first resin layer 22. A first conductive pattern group 130 including a path 35, lower electrodes 131, 133, 136, and 138 of capacitors C11, C12, C13, and C14, underpass patterns 132 and 137 of inductors L11 and L12, and the like is provided.

第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の第１平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０を形成する。なお、キャパシタの（下部）電極は、スパッタでも良い。   As the first conductive pattern group 130, copper plating is used. After the seed layer is formed on the first resin layer 22, a resist is formed and patterned, then copper plating is performed, and the first balanced signal transmission line 30 having a width dimension W, a thickness dimension T, and a length dimension L1, and A first conductive pattern group 130 including a second balanced signal transmission path 35 having a width dimension W, a thickness dimension T, and a length dimension L2 (= L1) is formed. Note that the (lower) electrode of the capacitor may be sputtered.

次に、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって上記開口部を設ける。   Next, the second resin layer 24 is formed on the first resin layer 22 provided with the first conductive pattern group 130, and the conductive pattern of the first conductive pattern group 130 is added to the second resin layer 24. An opening for contacting the conductive pattern of the conductive pattern group 150 is provided. As the second resin layer 24, a photosensitive insulating resin having the same dielectric constant Er as that of the first resin layer 22 is used. The photosensitive resin fluid resin material is coated on the first resin layer 22 provided with the first conductive pattern group 130 by spin coating, and the upper surface of the first balanced signal transmission path 30 and the upper surface of the second balanced signal transmission path 35. A photosensitive resin layer having a thickness dimension d is formed. And the said opening part is provided in this photosensitive resin layer by the photolithographic method.

次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の上部電極１５１，１５３，１５６，１５８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のコイルパターン１５２，１５７、平衡信号電極パッド５１，５６、接地電極パッド５２，５７、不平衡信号電極パッド５９、フィルタ電極パッド１５４，１５５等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。   Next, on the second resin layer 24, the unbalanced signal transmission path 50, the upper electrodes 151, 153, 156, and 158 of the capacitors C11, C12, C13, and C14, the coil patterns 152 and 157 of the inductors L11 and L12, the balanced signal, and the like. A second conductive pattern group 150 including electrode pads 51 and 56, ground electrode pads 52 and 57, unbalanced signal electrode pads 59, filter electrode pads 154 and 155, and the like is provided.

平衡信号電極パッド５１は、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａを第１平衡信号端子部６０に導くための電極パッドである。接地電極パッド５２は、第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを第１接地端子部７０に導くための電極パッドである。平衡信号電極パッド５６は、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａを第２平衡信号端子部６５に導くための電極パッドである。接地電極パッド５７は、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを第２接地端子部７５に導くための電極パッドである。フィルタ電極パッド１５４は、第２フィルタ部１２０ｂの他端を第２フィルタ端子部８５に導く電極パッドである。フィルタ電極パッド１５５は、第１フィルタ部１２０ａの他端を第１フィルタ端子部８０に導くための電極パッドである。そして、不平衡信号電極パッド５９は、フィルタ１２０Ａの信号出入力端（第１フィルタ部１２０ａの一端）を不平衡信号端子部９０に導くための電極パッドである。   The balanced signal electrode pad 51 is an electrode pad for guiding the signal end 30 a of the first balanced signal transmission path 30 to the first balanced signal terminal unit 60. The ground electrode pad 52 is an electrode pad for guiding the ground end 30 b of the first balanced signal transmission line 30 to the first ground terminal portion 70. The balanced signal electrode pad 56 is an electrode pad for guiding the signal end 35 a of the second balanced signal transmission path 35 to the second balanced signal terminal portion 65. The ground electrode pad 57 is an electrode pad for guiding the ground end 35 b of the second balanced signal transmission path 35 to the second ground terminal portion 75. The filter electrode pad 154 is an electrode pad that guides the other end of the second filter portion 120 b to the second filter terminal portion 85. The filter electrode pad 155 is an electrode pad for guiding the other end of the first filter part 120 a to the first filter terminal part 80. The unbalanced signal electrode pad 59 is an electrode pad for guiding the signal output / input end (one end of the first filter unit 120a) of the filter 120A to the unbalanced signal terminal unit 90.

第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を含む第２導電パターン群１５０を形成する。なお、キャパシタの（上部）電極は、スパッタでも良い。   As the second conductive pattern group 150, the same copper plating as that of the first conductive pattern group 130 is used. After the seed layer is formed on the second resin layer 24, a resist is formed and patterned, and then copper plating is performed to include the unbalanced signal transmission path 50 including the width dimension W, the thickness dimension T, and the length dimension L. Two conductive pattern groups 150 are formed. Note that the (upper) electrode of the capacitor may be sputtered.

次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９，１５４，１５５をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを形成する。   Next, a third resin layer 26 to be a sealing resin layer is formed on the second resin layer 24 provided with the second conductive pattern group 150, and electrode pads 51, 52, 56 are formed on the third resin layer 26. , 57, 59, 154, and 155 are provided with openings 26a, 26b, 26c, 26d, 26e, 26f, and 26g, respectively. As the third resin layer 26, a photosensitive insulating resin having the same dielectric constant Er as that of the first resin layer 22 and the second resin layer 24 is used. The photosensitive resin fluid resin material is coated on the second resin layer 24 provided with the second conductive pattern group 150 by spin coating, and the photosensitive resin having a thickness h2 from the upper surface of the unbalanced signal transmission path 50 is coated. Form a layer. Then, openings 26a, 26b, 26c, 26d, 26e, 26f, and 26g are formed on the photosensitive resin layer by photolithography.

以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００Ａを得る。   After the above procedure is completed, the substrate 10 which is a silicon wafer is diced to obtain a WLP resin multilayer device 100A.

以上のように実施の形態５によれば、基板上に、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   As described above, according to the fifth embodiment, the first resin layer 22, the first conductive pattern group 130, the second resin layer 24, the second conductive pattern group 150, and the third resin layer 26 are sequentially stacked on the substrate. By adopting a WLP having a balance filter with the above configuration, the WLCSP technology can form a low resistance conductive pattern by a resin layer and copper plating with the same high accuracy as the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter using a filter having excellent impedance, low insertion loss balun, and excellent frequency characteristics.

さらに、この実施の形態５では、バラン１１０Ａの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペースＥ１，Ｅ２内にフィルタ１２０Ａを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   Further, in the fifth embodiment, by arranging the filter 120A in the spaces E1 and E2 secured in the inner periphery of the flat spiral transmission line of the balun 110A, almost two flat spiral transmission lines are occupied. Since a balance filter can be produced with two conductive layers in area, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

＜実施の形態６＞
図２７は本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図２７において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。 <Embodiment 6>
FIG. 27 is a circuit configuration diagram of a filter constituting a balance filter in the resin multilayer device according to the sixth embodiment of the present invention. In FIG. 27, the same symbols are attached to the same components as those in FIG.

この実施の形態６の樹脂多層デバイスは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を、図２７のフィルタ２２０Ａとしたものである。   The resin multilayer device according to the sixth embodiment is the same as the resin multilayer device 100A according to the fifth embodiment (see FIG. 18 and the like), in which the filter 120A (see FIG. It is a thing.

［フィルタ２２０Ａ］
フィルタ２２０Ａは、５次の楕円関数型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６と、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって構成されている。また、フィルタ２２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部２２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部２２０ｂとを有する。 [Filter 220A]
The filter 220A is a fifth-order elliptic function LPF, and includes multilayer capacitors C21, C22, C23, C24, C25, C26 and inductors L21, L22. The filter 220A includes a first filter part 220a provided in the first space E1 and a second filter part 220b provided in the second space E2.

第１フィルタ部２２０ａには、キャパシタＣ２４，Ｃ２５，Ｃ２６、およびインダクタＬ２２が配置されており、第２フィルタ部２２０ｂには、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、およびインダクタＬ２１が配置されている。   Capacitors C24, C25, C26 and an inductor L22 are arranged in the first filter part 220a, and capacitors C21, C22, C23 and an inductor L21 are arranged in the second filter part 220b.

キャパシタＣ２１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２１とキャパシタＣ２２は並列接続されており、この並列回路の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ２３の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。   One end of the capacitor C21 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded. The inductor L21 and the capacitor C22 are connected in parallel. One end of the parallel circuit is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the second filter terminal unit 85. One end of the capacitor C23 is connected to the second filter terminal portion 85, and the other end is grounded.

また、キャパシタＣ２４の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２２とキャパシタＣ２５は並列接続されており、この並列回路の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ２６の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。   One end of the capacitor C24 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded. The inductor L22 and the capacitor C25 are connected in parallel. One end of the parallel circuit is connected to the first filter terminal unit 80, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal unit 90. One end of the capacitor C26 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded. Note that the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by a bonding wire 160.

キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。   Capacitors C21, C22, C23, C24, C25, and C26 are first conductive patterns, respectively, similar to capacitors C11, C12, C13, and C14 (see FIGS. 23 to 26) that constitute filter 120A of the fifth embodiment. The lower electrode which is the conductive pattern of the group 130 and the upper electrode which is the conductive pattern of the second conductive pattern group 150 are included.

また、インダクタＬ２１，Ｌ２２も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。   Further, the inductors L21 and L22 are also planar spiral types that are the conductive patterns of the second conductive pattern group 150, respectively, similarly to the inductors L11 and L12 (see FIGS. 23 to 26) constituting the filter 120A of the fifth embodiment. And an underpass pattern which is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130.

この実施の形態６のフィルタ２２０Ａでは、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａ（図２３〜図２６参照）と同様に、第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂとに、キャパシタとインダクタとを対称に配置した構成としている。フィルタ２２０Ａは、５次の楕円関数型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ２３とＣ２４とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。   In the filter 220A of the sixth embodiment, as in the filter 120A (see FIGS. 23 to 26) of the fifth embodiment, a capacitor and an inductor are connected to the first filter portion 220a and the second filter portion 220b. The configuration is symmetrical. Since the filter 220A is a fifth-order elliptic function LPF, the capacitors C23 and C24 are generally one capacitor. However, by dividing this and arranging it in the first filter part 220a and the second filter part 220b, the symmetry of the first space E1 and the second space E2 can be ensured, and the circuit arrangement has excellent balance. can do.

特に、インダクタを第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があり、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ２２０Ａは、２つのインダクタＬ２１，Ｌ２２を有するので、第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、つまり第１スペースＥ１と第２スペースＥ２に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。   In particular, the inductor characteristics can be improved by equally allocating and symmetrically arranging the inductors in the first filter portion 220a and the second filter portion 220b. In order to obtain a filter having excellent characteristics, it is necessary to increase the Q value of the inductor. To increase the Q value of the inductor, it is necessary to increase the area occupied by the inductor. Since the filter 220A has two inductors L21 and L22, by disposing one inductor in each of the first filter portion 220a and the second filter portion 220b, that is, in the first space E1 and the second space E2, respectively. It is possible to increase the size of the inductor.

また、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。   Further, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by a bonding wire 160, so that a two-layer structure of a conductive layer formed by the first conductive pattern group 130 and a conductive layer formed by the second conductive pattern group 150 is obtained. Thus, a laminated balance filter can be realized.

なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。   It is also possible to provide a conductive pattern on the third resin layer 26 and connect the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85. In this case, it is desirable to further form a resin layer on the conductive pattern. If the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected by the bonding wire 160 as described above, the number of steps can be reduced.

また、この実施の形態６の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。   When flip-chip mounting the resin multilayer device of the sixth embodiment on a mounting substrate, the bonding wires 160 are not provided, and solder bumps are provided on the respective electrode pads. In this case, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected via a conductive pattern provided on the mounting substrate.

この実施の形態６の樹脂多層デバイスの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。   The manufacturing procedure of the resin multilayer device of the sixth embodiment is the same as that of the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment.

以上のように実施の形態６によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。   As described above, according to the sixth embodiment, similarly to the fifth embodiment, a low-resistance conductive pattern can be formed by a resin layer, copper plating, or the like with high accuracy similar to the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter with a high-precision impedance, low insertion loss balun, and a filter excellent in frequency characteristics, and having two layers in the area occupied by almost two planar spiral transmission lines. Since a balance filter can be produced with a conductive layer, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

＜実施の形態７＞
図２８は本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図２８において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図２９は実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図２９において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
また、実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例として、図３５に示す構成も挙げられる。図３５において、図２８と同様のものには同じ符号を付してある。 <Embodiment 7>
FIG. 28 is a top view illustrating a configuration example of the resin multilayer device according to the seventh embodiment of the present invention.
In FIG. 28, the same components as those in FIG. 18 are denoted by the same reference numerals. FIG. 29 is a circuit configuration diagram of a filter constituting a balance filter in the resin multilayer device 300A of the seventh embodiment. In FIG. 29, the same components as those in FIG. 18 or FIG.
Moreover, the structure shown in FIG. 35 is also mentioned as a structural example of the resin multilayer device of Embodiment 7. FIG. 35, the same symbols are added to the same components as those in FIG.

この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａは、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、フィルタ部接続導電パターン１７０とを備えて構成されたＷＬＰである。     The resin multilayer device 300A according to the seventh embodiment includes a substrate 10, a first resin layer 22, a first conductive pattern group 130, a second resin layer 24, a second conductive pattern group 150, and a third resin layer. 26, two balanced signal terminal portions 60 (first balanced signal terminal portion) and 65 (second balanced signal terminal portion), two ground terminal portions 70 (first ground terminal portion) and 75 (second ground terminal) Part), two filter terminal parts 80 (first filter terminal part) and 85 (second filter terminal part), an unbalanced signal terminal part 90, and a filter part connection conductive pattern 170. It is.

つまり、実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、第３樹脂層２６上に、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続するフィルタ部接続導電パターン１７０を設けるとともに、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を、図２８のフィルタ３２０Ａとしたものである。このフィルタ部接続導電パターン１７０としては、例えば第１導電パターン群１３０および第２導電パターン群１５０と同じ導電性材料を使用することができる。なお、フィルタ部接続導電パターン１７０上には、さらに樹脂層を形成することが望ましい。     That is, the resin multilayer device 300A according to the seventh embodiment is the same as the resin multilayer device 100A according to the fifth embodiment (see FIG. 18), on the third resin layer 26, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal. The filter part connection conductive pattern 170 for connecting the part 85 is provided, and the filter 120A (see FIG. 26, etc.) constituting the balance filter is the filter 320A of FIG. As this filter part connection conductive pattern 170, for example, the same conductive material as that of the first conductive pattern group 130 and the second conductive pattern group 150 can be used. It is desirable to further form a resin layer on the filter portion connection conductive pattern 170.

［フィルタ３２０Ａ］
フィルタ３２０Ａは、ＢＰＦであり、積層型のキャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３と、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３によって構成されている。また、フィルタ３２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部３２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部３２０ｂとを有する。 [Filter 320A]
The filter 320A is a BPF, and includes multilayer capacitors C31, C32, and C33, and inductors L31, L32, and L33. The filter 320A includes a first filter part 320a provided in the first space E1 and a second filter part 320b provided in the second space E2.

第１フィルタ部３２０ａには、キャパシタＣ３３、およびインダクタＬ３２，Ｌ３３が配置されている。この第１フィルタ部３２０ａは、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。また、第２フィルタ部３２０ｂには、キャパシタＣ３１，Ｃ３２、およびインダクタＬ３１が配置されている。この第２フィルタ部３２０ｂは、ＬＰＦを構成している。
そして、第１フィルタ部３２０ａのＨＰＦと、第２フィルタ部３２０ｂのＬＰＦとを直列接続することにより、ＢＰＦが構成されている。 In the first filter unit 320a, a capacitor C33 and inductors L32 and L33 are arranged. The first filter unit 320a constitutes a high pass filter (HPF). Further, capacitors C31 and C32 and an inductor L31 are arranged in the second filter unit 320b. The second filter unit 320b constitutes an LPF.
A BPF is configured by connecting the HPF of the first filter unit 320a and the LPF of the second filter unit 320b in series.

キャパシタＣ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ３２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。     One end of the capacitor C31 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded. One end of the inductor L <b> 31 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the second filter terminal unit 85. One end of the capacitor C32 is connected to the second filter terminal portion 85, and the other end is grounded.

また、インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。キャパシタＣ３３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。そして、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、フィルタ部接続導電パターン１７０によって接続されている。     One end of the inductor L32 is connected to the first filter terminal portion 80, and the other end is grounded. One end of the capacitor C33 is connected to the first filter terminal unit 80, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal unit 90. One end of the inductor L33 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded. The first filter terminal unit 80 and the second filter terminal unit 85 are connected by a filter unit connection conductive pattern 170.

キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。     The capacitors C31, C32, and C33 are the conductive patterns of the first conductive pattern group 130, respectively, like the capacitors C11, C12, C13, and C14 (see FIGS. 23 to 26) that configure the filter 120A of the fifth embodiment. A lower electrode and an upper electrode that is a conductive pattern of the second conductive pattern group 150 are included.

また、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。     Similarly to the inductors L11 and L12 (see FIGS. 23 to 26) constituting the filter 120A of the fifth embodiment, the inductors L31, L32, and L33 are planes that are conductive patterns of the second conductive pattern group 150, respectively. It has a spiral coil pattern and an underpass pattern that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130.

なお、この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａにおいても、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８または図２６等参照）のように、ボンディングワイヤ１６０によって、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。     In addition, in the resin multilayer device 300A of the seventh embodiment, the first filter terminal portion 80 is connected to the first filter terminal portion 80 by the bonding wire 160 as in the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment (see FIG. 18 or FIG. 26). A configuration in which the second filter terminal portion 85 is connected is also possible.

また、この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、フィルタ部接続導電パターン１７０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。     When the resin multilayer device 300A of the seventh embodiment is flip-chip mounted on the mounting substrate, the solder bumps are provided on the respective electrode pads without providing the filter portion connection conductive pattern 170. In this case, the first filter terminal portion 80 and the second filter terminal portion 85 are connected via a conductive pattern provided on the mounting substrate.

この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。     The manufacturing procedure of the resin multilayer device 300A of the seventh embodiment is the same as that of the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment.

以上のように実施の形態７によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。     As described above, according to the seventh embodiment, similarly to the fifth embodiment, the low resistance conductive pattern can be formed by the resin layer and the copper plating with the same high accuracy as the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter with a high-precision impedance, low insertion loss balun, and a filter excellent in frequency characteristics, and having two layers in the area occupied by almost two planar spiral transmission lines. Since a balance filter can be produced with a conductive layer, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

＜実施の形態８＞
図３０は本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図３０において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図３１は実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図３１において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
また、実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成例として、図３６に示す構成も挙げられる。図３６において、図３０と同様のものには同じ符号を付してある。 <Eighth embodiment>
FIG. 30 is a top view illustrating a configuration example of the resin multilayer device according to the eighth embodiment of the present invention.
In FIG. 30, the same components as those in FIG. 18 are denoted by the same reference numerals. FIG. 31 is a circuit configuration diagram of a filter constituting a balance filter in the resin multilayer device 400A of the eighth embodiment. In FIG. 31, the same components as those in FIG. 18 or FIG.
Further, as a configuration example of the resin multilayer device according to the eighth embodiment, a configuration shown in FIG. In FIG. 36, the same components as those in FIG. 30 are denoted by the same reference numerals.

この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を図３１のフィルタ４２０Ａとし、不平衡信号端子部９０を第１スペースＥ１内ではなく第２スペースＥ２内に設けるとともに、第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設けない構成としたものである。     In the resin multilayer device 400A of the eighth embodiment, in the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment (see FIG. 18 and the like), the filter 120A (see FIG. 26 and the like) constituting the balance filter is a filter 420A in FIG. The unbalanced signal terminal portion 90 is provided not in the first space E1 but in the second space E2, and the first filter terminal portion 80, the second filter terminal portion 85, and the bonding wire 160 are not provided. is there.

つまり、この実施の形態８では、第１スペースＥ１にフィルタが設けられておらず、これにより第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａよりも簡単な構成とすることができる。     That is, in the eighth embodiment, no filter is provided in the first space E1, and thus it is not necessary to provide the first filter terminal portion 80, the second filter terminal portion 85, and the bonding wire 160. The configuration can be simpler than that of the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment.

［フィルタ４２０Ａ］
フィルタ４２０Ａは、ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ４１，Ｃ４２と、インダクタＬ４１によって構成されている。また、フィルタ４２０Ａは、第２スペースＥ２内に設けられており、第１スペースＥ１内には設けられていない。 [Filter 420A]
The filter 420A is an LPF, and includes multilayer capacitors C41 and C42 and an inductor L41. The filter 420A is provided in the second space E2, and is not provided in the first space E1.

キャパシタＣ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２スペースＥ２内に設けられた不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ４２の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。     One end of the capacitor C41 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is grounded. One end of the inductor L41 is connected to the unbalanced signal transmission path 50, and the other end is connected to the unbalanced signal terminal portion 90 provided in the second space E2. One end of the capacitor C42 is connected to the unbalanced signal terminal portion 90, and the other end is grounded.

キャパシタＣ４１，Ｃ４２は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。     The capacitors C41 and C42 are lower portions that are conductive patterns of the first conductive pattern group 130, respectively, as with the capacitors C11, C12, C13, and C14 (see FIGS. 23 to 26) that constitute the filter 120A of the fifth embodiment. It has an electrode and the upper electrode which is a conductive pattern of the 2nd conductive pattern group 150, respectively.

また、インダクタＬ４１も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。     The inductor L41 is also a planar spiral coil pattern that is the conductive pattern of the second conductive pattern group 150, similarly to the inductors L11 and L12 (see FIGS. 23 to 26) that constitute the filter 120A of the fifth embodiment. And an underpass pattern that is a conductive pattern of the first conductive pattern group 130.

なお、この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、それぞれの端子部の電極パッド上にはんだバンプを設ける。この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。     When the resin multilayer device 400A of the eighth embodiment is flip-chip mounted on the mounting substrate, solder bumps are provided on the electrode pads of the respective terminal portions. The manufacturing procedure of the resin multilayer device 400A of the eighth embodiment is the same as that of the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment.

以上のように実施の形態８によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。     As described above, according to the eighth embodiment, as in the fifth embodiment, a low-resistance conductive pattern can be formed by a resin layer, copper plating, or the like with high accuracy similar to the CMOS semiconductor processing technology. It is possible to obtain a resin multilayer device having a balance filter with a high-precision impedance, low insertion loss balun, and a filter excellent in frequency characteristics, and having two layers in the area occupied by almost two planar spiral transmission lines. Since a balance filter can be produced with a conductive layer, a resin multilayer device having a balance filter with a simple and compact configuration can be obtained.

さらに、フィルタ４２０Ａを第２スペースＥ２にのみ設け、第１スペースＥ１には設けない構成としたことにより、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａに設けられていた第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施の形態５よりもさらに簡単な構成にすることができる。     Further, the filter 420A is provided only in the second space E2 and not in the first space E1, so that the first filter terminal portion 80 provided in the resin multilayer device 100A of the fifth embodiment, the first Since it is not necessary to provide the two filter terminal portions 85 and the bonding wires 160, the configuration can be made simpler than that of the fifth embodiment.

なお、上記実施の形態の説明では、２層配線構造の積層フィルタ（特にキャパシタ）を例として説明したが、本発明の樹脂多層デバイスでは、３層以上の配線層でフィルタを構成することも可能である。また、キャパシタ電極間の誘電体は、比誘電率Ｅｒのものだけでなく、比誘電率Ｅｒでない（特に比誘電率Ｅｒよりも大きい）ものを用いることも可能である。さらに、本発明の樹脂多層デバイスでは、フィルタは、ＬＰＦ、あるいはＬＰＦとＨＰＦの組合せによるＢＰＦに限らず、任意の形式のバンドパスフィルタ、例えば、チェビシェフ型、楕円関数型、バターワース型等のバンドパスフィルタを形成することが可能である。     In the description of the above embodiment, a multilayer filter (particularly a capacitor) having a two-layer wiring structure has been described as an example. However, in the resin multilayer device of the present invention, a filter can be configured with three or more wiring layers. It is. Further, the dielectric between the capacitor electrodes is not limited to the one having the relative dielectric constant Er, but may be the one not having the relative dielectric constant Er (particularly larger than the relative dielectric constant Er). Furthermore, in the resin multilayer device of the present invention, the filter is not limited to LPF or BPF by a combination of LPF and HPF, but any type of bandpass filter, for example, a Chebyshev type, elliptic function type, or Butterworth type bandpass It is possible to form a filter.

本発明は、あらゆる高周波回路に利用可能であり、特に、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）等の無線通信機器を構成する回路に利用可能である。     The present invention can be used for any high-frequency circuit, and in particular, can be used for a circuit constituting a wireless communication device such as a wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), or WiMAX (registered trademark).

１０ 基板、 ２０ 多層樹脂体、 ２２ 第１樹脂層、 ２４ 第２樹脂層、 ２６ 第３樹脂層、 ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ 開口部、 ２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ 開口部、 ３０ 第１平衡信号伝送路、 ３０ａ 信号端、 ３０ｂ 接地端、 ３５ 第２平衡信号伝送路、 ３５ａ 信号端、 ３５ｂ 接地端、４０ ＧＮＤ層、 ５０ 不平衡信号伝送路、 ５０ａ 信号端、 ５０ｂ 開放端、 ５０ｃ 第１不平衡信号伝送路部、 ５０ｄ 第２不平衡信号伝送路部、 ５１ 平衡信号電極パッド、 ５２ 接地電極パッド、 ５６ 平衡信号電極パッド、 ５７ 接地電極パッド、５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄ 接地電極パッド、 ５９ 不平衡信号電極パッド、 ６０，６５ 平衡信号端子部、 ７０，７５ 接地端子部、 ７０ｘ，７０ｙ，７０ｚ，７３ｘ，７３ｙ，７５ｘ，７５ｙ，７５ｚ 接地部、８０，８５ フィルタ端子部、 ９０ 不平衡信号端子部、 １００，１００Ａ 樹脂多層デバイス、 １１０，１１０Ａ バラン、 １１０ａ 第１バラン部、 １１０ｂ 第２バラン部、 １２０，１２０Ａ フィルタ、 １２０ａ 第１フィルタ部、 １２０ｂ 第２フィルタ部、 １３０ 第１導電パターン群、 １３１ 下部電極、 １３２ アンダーパスパターン、 １３３ 下部電極、 １３６ 下部電極、 １３７ アンダーパスパターン、 １３８ 下部電極、 １５０ 第２導電パターン群、 １５１ 上部電極、 １５２ コイルパターン、 １５３ 上部電極、 １５４，１５５ フィルタ電極パッド、 １５６ 上部電極、 １５７ コイルパターン、 １５８ 上部電極、 １６０ ボンディングワイヤ、 １７０ フィルタ部接続導電パターン、１８０，１８１，１８２，１８３ 配線パターン、 ２２０，２２０Ａ フィルタ、 ２２０ａ 第１フィルタ部、 ２２０ｂ 第２フィルタ部、 ３００，３００Ａ 樹脂多層デバイス、 ３２０，３２０Ａ フィルタ、 ３２０ａ 第１フィルタ部、 ３２０ｂ 第２フィルタ部、 ４００，４００Ａ 樹脂多層デバイス、 ４２０，４２０Ａ フィルタ。

10 substrate, 20 multilayer resin body, 22 first resin layer, 24 second resin layer, 26 third resin layer, 26a, 26b, 26c, 26d, 26e, 26f, 26g opening, 27a, 27b, 27c, 27d opening 30 first balanced signal transmission path, 30a signal end, 30b ground end, 35 second balanced signal transmission path, 35a signal end, 35b ground end, 40 GND layer, 50 unbalanced signal transmission path, 50a signal end, 50b Open end, 50c First unbalanced signal transmission path, 50d Second unbalanced signal transmission path, 51 Balanced signal electrode pad, 52 Ground electrode pad, 56 Balanced signal electrode pad, 57 Ground electrode pad, 58a, 58b, 58c , 58d Ground electrode pad, 59 Unbalanced signal electrode pad, 60, 65 Balanced signal terminal part, 70, 75 Ground terminal part, 70x, 70y, 70z 73x, 73y, 75x, 75y, 75z Grounding part, 80, 85 Filter terminal part, 90 Unbalanced signal terminal part, 100, 100A Resin multilayer device, 110, 110A balun, 110a First balun part, 110b Second balun part 120, 120A filter, 120a first filter section, 120b second filter section, 130 first conductive pattern group, 131 lower electrode, 132 underpass pattern, 133 lower electrode, 136 lower electrode, 137 underpass pattern, 138 lower electrode 150, second conductive pattern group, 151 upper electrode, 152 coil pattern, 153 upper electrode, 154, 155 filter electrode pad, 156 upper electrode, 157 coil pattern, 158 upper electrode, 160 bonding wire, 170 filter part connection Conductive pattern, 180,181,182,183 wiring pattern, 220,220A filter, 220a first filter section, 220b second filter section, 300,300A resin multilayer device, 320,320A filter, 320a first filter section, 320b first 2 filter part, 400,400A resin multilayer device, 420,420A filter.

Claims (8)

バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成されたＧＮＤ層と、前記基板又は前記ＧＮＤ層上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、
前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、
前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、
前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていて、
前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域を除いた領域に形成されている
ことを特徴とする樹脂多層デバイス。 A resin multilayer device having a balance filter,
A substrate; a GND layer formed on the substrate; a first resin layer provided on the substrate or the GND layer; a first conductive pattern group provided on the first resin layer; A second resin layer formed on one resin layer and on the first conductive pattern group; a second conductive pattern group provided on the second resin layer; on the second resin layer and on the second conductive layer. A third resin layer formed on the pattern group,
The balun of the balance filter includes a first balanced signal transmission path and a second balanced signal transmission path that are electrically independent of each other as a conductive pattern of the first conductive pattern group, and a conductive pattern of the second conductive pattern group. An unbalanced signal transmission path provided opposite to the two balanced signal transmission paths as a pattern,
The first balanced signal transmission path and the first unbalanced signal transmission path portion of the unbalanced signal transmission path facing the first balanced signal transmission path are arranged in a plane spiral type having a first space on the inner periphery, and the second balanced signal transmission A second unbalanced signal transmission path portion of the path and the unbalanced signal transmission path facing the path is arranged in a plane spiral type having a second space on the inner periphery,
The filter of the balance filter has a conductive pattern of the first conductive pattern group and a conductive pattern of the second conductive pattern group, and is arranged in the first space and / or the second space. And
The resin multilayer device, wherein the GND layer is formed in a region excluding a region overlapping with the filter. 前記第１スペース及び前記第２スペースにおいて、
前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配された距離をＡ、
前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。 In the first space and the second space,
A distance at which the end portion forming the inner edge of the GND layer extends and is arranged inward from the innermost peripheral portion constituting the balun is A,
2. The resin multilayer device according to claim 1, wherein when A is a distance between the upper surface of the GND layer and the lower surface of the second conductive pattern group, the A is 5 times or more of the B. 3. バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、
前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、
前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、
前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていることを特徴とする樹脂多層デバイス。 A resin multilayer device having a balance filter,
A substrate, a first resin layer formed on the substrate, a first conductive pattern group provided on the first resin layer, and formed on the first resin layer and the first conductive pattern group. A second resin layer, a second conductive pattern group provided on the second resin layer, and a third resin layer formed on the second resin layer and the second conductive pattern group. ,
The balun of the balance filter includes a first balanced signal transmission path and a second balanced signal transmission path that are electrically independent of each other as a conductive pattern of the first conductive pattern group, and a conductive pattern of the second conductive pattern group. An unbalanced signal transmission path provided opposite to the two balanced signal transmission paths as a pattern,
The first balanced signal transmission path and the first unbalanced signal transmission path portion of the unbalanced signal transmission path facing the first balanced signal transmission path are arranged in a plane spiral type having a first space on the inner periphery, and the second balanced signal transmission A second unbalanced signal transmission path portion of the path and the unbalanced signal transmission path facing the path is arranged in a plane spiral type having a second space on the inner periphery,
The filter of the balance filter has a conductive pattern of the first conductive pattern group and a conductive pattern of the second conductive pattern group, and is disposed in the first space and / or the second space. A resin multilayer device characterized by comprising: それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、
前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。 A first balanced signal electrode pad connected to one end of the first balanced signal transmission path and a second balanced signal connected to one end of the second balanced signal transmission path, respectively, as conductive patterns of the second conductive pattern group. An electrode pad, an unbalanced signal electrode pad disposed in the first space, a first filter electrode pad disposed in the first space, and a second filter electrode pad disposed in the second space And further comprising
The filter is disposed in the first space, one end connected to the unbalanced signal electrode pad and the other end connected to the first filter electrode pad, and the second space. And a second filter portion having one end connected to the second filter electrode pad and the other end connected to an inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path portion,
The resin multilayer device according to any one of claims 1 to 3, wherein the first filter electrode pad and the second filter electrode pad are connected by a bonding wire. それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、
前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、前記第３樹脂層上に設けられた導電パターンによって接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。 A first balanced signal electrode pad connected to one end of the first balanced signal transmission path and a second balanced signal connected to one end of the second balanced signal transmission path, respectively, as conductive patterns of the second conductive pattern group. An electrode pad, an unbalanced signal electrode pad disposed in the first space, a first filter electrode pad disposed in the first space, and a second filter electrode pad disposed in the second space And further comprising
The filter is disposed in the first space, one end connected to the unbalanced signal electrode pad and the other end connected to the first filter electrode pad, and the second space. And a second filter portion having one end connected to the second filter electrode pad and the other end connected to an inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path portion,
The first filter electrode pad and the second filter electrode pad are connected by a conductive pattern provided on the third resin layer. Resin multilayer device. 前記フィルタは、複数のインダクタと複数のキャパシタとによって構成されており、
前記インダクタおよび前記キャパシタが、前記第１フィルタ部と前記第２フィルタ部とに、対称となるように振り分けられて配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の樹脂多層デバイス。 The filter is composed of a plurality of inductors and a plurality of capacitors,
6. The resin multilayer device according to claim 4, wherein the inductor and the capacitor are arranged so as to be symmetrical with respect to the first filter portion and the second filter portion. 前記フィルタはバンドパスフィルタであり、前記第１フィルタ部はハイパスフィルタであり、前記第２フィルタ部はローパスフィルタであることを特徴とする請求項４または５に記載の樹脂多層デバイス。   The resin multilayer device according to claim 4 or 5, wherein the filter is a band-pass filter, the first filter unit is a high-pass filter, and the second filter unit is a low-pass filter. それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。 A first balanced signal electrode pad connected to one end of the first balanced signal transmission path and a second balanced signal connected to one end of the second balanced signal transmission path, respectively, as conductive patterns of the second conductive pattern group. An electrode pad; and an unbalanced signal electrode pad disposed in the first space,
The filter is disposed in the first space, and has one end connected to the unbalanced signal electrode pad and the other end connected to an inner peripheral end of the second unbalanced signal transmission path section. The resin multilayer device according to any one of claims 1 to 3.
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