JP2010123672A - Substrate transfer method, method for processing substrate, and method for producing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板搬送方法、基板処理方法および半導体装置の製造方法に関する。
例えば、半導体素子を含む半導体集積回路装置（以下、ＩＣという）を作り込まれる基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという）を取り扱うのに利用して有効なものに関する。
The present invention relates to a substrate transfer method, a substrate processing method, and a semiconductor device manufacturing method.
For example, the present invention relates to a semiconductor device that is effective for handling a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate on which a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC) including a semiconductor element is built.
ＩＣの製造方法においてウエハに処理を施す基板処理装置として、例えば、特許文献１に提案されているバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という）、がある。
このバッチ式ＣＶＤ装置は、複数枚のウエハを収納可能でウエハが出し入れされるウエハ出し入れ口にドア（キャップともいう）が着脱自在に装着されたＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという）を使用する基板処理装置であって、ポッドに対してウエハを出し入れするウエハ授受ポート（ローディングポートともいう）が設けられているとともに、ウエハ授受ポートにはドアを着脱してポッドを開閉するポッドオープナが設けられており、ウエハ授受ポートにはポッドのウエハ出し入れ口を被覆する筐体が設置され、筐体にはポッドの内部にウエハ出し入れ口から不活性ガスを導入させる給気管が接続されている。
このバッチ式ＣＶＤ装置によれば、ドアが外されてポッドのウエハ出し入れ口が開放された際に、チャンバに不活性ガスを供給することにより、不活性ガスをポッドの内部にウエハ出し入れ口から流通させてポッド内をパージすることができるため、ウエハの自然酸化膜堆積およびパーティクル付着、バッチ式ＣＶＤ装置内側空間汚染や酸素濃度上昇等のポッド開放時における弊害の発生を防止することができる。
As a substrate processing apparatus for processing a wafer in an IC manufacturing method, for example, there is a batch type vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a batch type CVD apparatus) proposed in Patent Document 1.
This batch-type CVD apparatus has a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) in which a plurality of wafers can be stored and a door (also referred to as a cap) is detachably attached to a wafer loading / unloading port. A substrate processing apparatus to be used is provided with a wafer transfer port (also referred to as a loading port) for loading / unloading a wafer into / from the pod, and a pod opener for opening / closing the pod by attaching / detaching a door to the wafer transfer port. A housing for covering the wafer inlet / outlet port of the pod is installed at the wafer transfer port, and an air supply pipe for introducing an inert gas from the wafer inlet / outlet port is connected to the inside of the pod.
According to this batch-type CVD apparatus, when the door is removed and the wafer inlet / outlet of the pod is opened, the inert gas is supplied to the chamber so that the inert gas flows into the pod from the wafer inlet / outlet. Since the inside of the pod can be purged, it is possible to prevent the occurrence of adverse effects when the pod is opened, such as natural oxide film deposition and particle adhesion on the wafer, internal space contamination of the batch type CVD apparatus, and oxygen concentration increase.
しかしながら、前述したバッチ式ＣＶＤ装置においては、ポッド内を不活性気体でパージするための不活性気体の流入により、ポッド内に収納されたウエハの位置がずれてしまうために、ウエハが位置ずれした状態のままでウエハ移載装置によって搬送されて、ボートに移載されることになり、ウエハがボートから落下する等の問題点があった。 However, in the batch type CVD apparatus described above, the position of the wafer housed in the pod is shifted due to the inflow of the inert gas for purging the inside of the pod with the inert gas. In this state, the wafer is transferred by the wafer transfer device and transferred to the boat, and there is a problem that the wafer falls from the boat.
本発明の目的は、基板の位置ずれによる移載ミスを防止することができる基板搬送方法、基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate transport method, a substrate processing method, and a method for manufacturing a semiconductor device, which can prevent a transfer error due to substrate misalignment.
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を出し入れする基板出し入れ口と該基板出し入れ口を開閉自在なキャップとを有し、内部に前記基板を収納する収納容器を基板授受ポートに載置するステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から移動して前記基板出し入れ口を開き、その開いた前記基板出し入れ口から前記収納容器内に不活性ガスを供給するステップと、
その不活性ガスを供給した前記基板出し入れ口へ前記キャップを移動して前記収納容器内に前記基板を押し込むステップと、
を有する基板搬送方法。
（２）基板を出し入れする基板出し入れ口と該基板出し入れ口を開閉自在なキャップとを有し、内部に前記基板を収納する収納容器を基板授受ポートに載置するステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から移動して前記基板出し入れ口を開き、その開いた前記基板出し入れ口から前記収納容器内に不活性ガスを供給するステップと、
その不活性ガスを供給した前記基板出し入れ口へ前記キャップを移動して前記収納容器内に前記基板を押し込むステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から退避位置へ移動するステップと、
前記収納容器内から前記基板を基板搬送装置で搬送するステップと、
その基板を載置した基板保持具を処理室に搬入し、該処理室で前記基板を処理するステップと、
を有する基板処理方法。
（３）基板を出し入れする基板出し入れ口と該基板出し入れ口を開閉自在なキャップとを有し、内部に前記基板を収納する収納容器を基板授受ポートに載置するステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から移動して前記基板出し入れ口を開き、その開いた前記基板出し入れ口から前記収納容器内に不活性ガスを供給するステップと、
その不活性ガスを供給した前記基板出し入れ口へ前記キャップを移動して前記収納容器内に前記基板を押し込むステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から退避位置へ移動するステップと、
前記収納容器内から前記基板を基板搬送装置で基板保持具へ搬送するステップと、
その基板を載置した基板保持具を処理室に搬入し、該処理室で前記基板を処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
Typical means for solving the above-described problems are as follows.
(1) a substrate loading / unloading port for loading / unloading a substrate and a cap capable of freely opening and closing the substrate loading / unloading port; and a step of placing a storage container for storing the substrate therein on a substrate transfer port;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to open the substrate loading / unloading port, and supplying an inert gas into the storage container from the opened substrate loading / unloading port;
Moving the cap to the substrate inlet / outlet supplied with the inert gas and pushing the substrate into the storage container;
A substrate carrying method comprising:
(2) having a substrate loading / unloading port for loading / unloading a substrate and a cap capable of freely opening and closing the substrate loading / unloading port, and placing a storage container for storing the substrate in the substrate transfer port;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to open the substrate loading / unloading port, and supplying an inert gas into the storage container from the opened substrate loading / unloading port;
Moving the cap to the substrate inlet / outlet supplied with the inert gas and pushing the substrate into the storage container;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to a retracted position;
Transporting the substrate from within the storage container with a substrate transport device;
Carrying a substrate holder on which the substrate is placed into a processing chamber, and processing the substrate in the processing chamber;
A substrate processing method.
(3) a substrate loading / unloading port for loading / unloading a substrate and a cap capable of freely opening and closing the substrate loading / unloading port, and a step of placing a storage container for storing the substrate inside the substrate transfer port;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to open the substrate loading / unloading port, and supplying an inert gas into the storage container from the opened substrate loading / unloading port;
Moving the cap to the substrate inlet / outlet supplied with the inert gas and pushing the substrate into the storage container;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to a retracted position;
Transporting the substrate from the storage container to a substrate holder with a substrate transport device;
Carrying a substrate holder on which the substrate is placed into a processing chamber, and processing the substrate in the processing chamber;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
この手段によれば、基板の位置ずれによる移載ミスを防止することができる。 According to this means, it is possible to prevent a transfer error due to the displacement of the substrate.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施形態において、本発明に係る基板搬送方法、基板処理方法および半導体装置の製造方法は、図１に示されたバッチ式ＣＶＤ装置すなわちバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置によって実施される。 In this embodiment, the substrate transfer method, the substrate processing method, and the semiconductor device manufacturing method according to the present invention are implemented by the batch type CVD apparatus shown in FIG. 1, that is, the batch type vertical diffusion / CVD apparatus.
まず、図１に示されたバッチ式ＣＶＤ装置を説明する。
バッチ式ＣＶＤ装置１は気密室構造に構築された筐体２を備えている。筐体２内の一端部（以下、後端部とする）の上部にはヒータユニット３が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット３の内部にはプロセスチューブ４が同心に配置されている。プロセスチューブ４にはプロセスチューブ４内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管５と、プロセスチューブ４内を真空排気するための排気管６とが接続されている。
筐体２の後端部の下部にはボートエレベータ７が設置されており、ボートエレベータ７はプロセスチューブ４の真下に配置されたボート８を垂直方向に昇降させるように構成されている。ボート８は多数枚のウエハ９を中心を揃えて水平に配置した状態で支持して、プロセスチューブ４の処理室に対して搬入したり搬出したりする。
ヒータユニット３には温度制御部１０１が電気的に接続されている。温度制御部１０１はヒータユニット３をプロセスチューブ４内の温度が所定の温度となるように制御する。
ガス導入管５には上流側にガスの導入量やガスの導入開始・停止を制御するガス導入制御器１１０が接続されている。ガス導入制御器１１０はガス流量制御部１０２に電気的に接続されている。ガス流量制御部１０２はプロセスチューブ４内が所定のガス量となるように、ガス導入制御器１１０を制御する。
排気管６の下流側には排気装置１２０が接続されている。排気装置１２０は圧力制御部１０３に電気的に接続されている。圧力制御部１０３はプロセスチューブ４内の圧力を所定の圧力となるように制御する。
First, the batch type CVD apparatus shown in FIG. 1 will be described.
The batch type CVD apparatus 1 includes a
A boat elevator 7 is installed at a lower portion of the rear end portion of the
A
A gas introduction controller 110 is connected to the gas introduction pipe 5 to control the introduction amount and introduction start / stop of the gas upstream. The gas introduction controller 110 is electrically connected to the gas flow
An
筐体２の正面壁にはポッド出し入れ口（図示せず）が開設されており、ポッド出し入れ口はフロントシャッタによって開閉されるようになっている。ポッド出し入れ口にはポッド１０の位置合わせを実行するポッドステージ１１が設置されており、ポッド１０はポッド出し入れ口を通してポッドステージ１１に出し入れされるようになっている。
A pod loading / unloading port (not shown) is opened on the front wall of the
筐体２内の前後方向の中央部の上部には回転式のポッド棚１２が設置されており、回転式のポッド棚１２は合計１６個のポッド１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式のポッド棚１２は略卍形状に形成された四段の棚板が上下方向に配置されて水平面内で回転自在に支承されており、モータ等の間欠回転駆動装置（図示せず）によってピッチ送り的に一方向に回転されるようになっている。
筐体２内のポッド棚１２の下側には基板としてのウエハ９をポッド１０に対して授受するためのウエハ授受ポート１３が一対、垂直方向に上下二段に配置されて設置されており、両ウエハ授受ポート１３、１３には後記するポッドオープナ２０がそれぞれ設置されている。
A
Below the
筐体２内のポッドステージ１１とポッド棚１２およびウエハ授受ポート１３との間には、ポッド搬送装置１４が設置されている。ポッド搬送装置１４はポッドステージ１１とポッド棚１２およびウエハ授受ポート１３との間、ポッド棚１２とウエハ授受ポート１３との間でポッド１０を搬送する。
ウエハ授受ポート１３とボート８との間にはウエハ移載装置１５が設置されている。ウエハ移載装置１５はウエハ授受ポート１３とボート８との間でウエハ９を搬送する。
ボートエレベータ７の脇にはボートチェンジャ１６が設置されている。ボートチェンジャ１６は二台のボート８、８をボートエレベータ７に対して入れ替える。
A
A
A
上下のウエハ授受ポート１３、１３に設置されたポッドオープナ２０、２０は同一に構成されているため、ポッドオープナ２０の構成については上段のウエハ授受ポート１３に設置されたものについて説明する。
Since the
図１に示されているように、ポッドオープナ２０は筐体２内においてウエハ授受ポート１３とウエハ移載装置１５とを仕切るように垂直に立脚された側壁をなすベース２１を備えている。
図２および図３に示されているように、ベース２１にはウエハ出し入れ口２２が開設されている。ウエハ出し入れ口２２はポッド１０のドア１０ａに対して若干大きめに相似する四角形に形成されている。ちなみに、ベース２１は上下のポッドオープナ２０、２０で共用されているため、ベース２１には上下で一対のウエハ出し入れ口２２、２２が垂直方向で縦に並ぶように開設されている。
As shown in FIG. 1, the
As shown in FIGS. 2 and 3, a wafer loading /
図２に示されているように、ベース２１のウエハ授受ポート１３側の主面（以下、正面とする）におけるウエハ出し入れ口２２の下側には、アングル形状の支持台２３が水平に固定されており、支持台２３の平面視の形状は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されている。支持台２３の上面には一対のガイドレール２４、２４がベース２１の正面と平行方向（以下、左右方向とする）に配置されて、ベース２１の正面と直角方向（以下、前後方向とする）に延在するように敷設されており、左右のガイドレール２４、２４には載置台２７が複数個のガイドブロック２５を介して前後方向に摺動自在に支承されている。載置台２７は支持台２３の上面に据え付けられたエアシリンダ装置２６によって前後方向に往復移動されるようになっている。
As shown in FIG. 2, an angle-shaped
図２に示されているように、載置台２７は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されており、載置台２７の上面には位置決めピン２８が３本、正三角形の頂点に配置されて垂直に突設されている。
図３に示されているように、３本の位置決めピン２８はポッド１０が載置台２７の上に載置された状態において、ポッド１０の下面に没設された３箇所の位置決め凹部（図示せず）に嵌入するようになっている。
As shown in FIG. 2, the mounting table 27 is formed in a substantially square frame shape with a part cut away, and three
As shown in FIG. 3, the three
図４に示されているように、ベース２１のウエハ移載装置１５側の主面（以下、背面とする）におけるウエハ出し入れ口２２の下側には、ガイドレール３０が左右方向に水平に敷設されている。ガイドレール３０にはアングル形状に形成された左右方向移動台３１が左右方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。左右方向移動台３１の垂直部材にはエアシリンダ装置３２が左右方向に水平に据え付けられており、エアシリンダ装置３２のピストンロッド３２ａの先端はベース２１に固定されている。すなわち、左右方向移動台３１はエアシリンダ装置３２の往復作動によって左右方向に往復駆動されるようになっている。
As shown in FIG. 4, a
図５に示されているように、左右方向移動台３１の水平部材の上面には一対のガイドレール３３、３３が左右に配されて前後方向に延在するように敷設されており、両ガイドレール３３、３３には前後方向移動台３４が前後方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。
前後方向移動台３４の片側端部にはガイド孔３５が左右方向に延在するように開設されている。左右方向移動台３１の一側面にはブラケット３６が固定されており、ブラケット３６にはロータリーアクチュエータ３７が垂直方向上向きに据え付けられている。ロータリーアクチュエータ３７のアーム３７ａの先端に垂直に立脚されたガイドピン３８は前後方向移動台３４のガイド孔３５に摺動自在に嵌入されている。すなわち、前後方向移動台３４はロータリーアクチュエータ３７の往復回動によって前後方向に往復駆動されるように構成されている。
As shown in FIG. 5, a pair of
A
前後方向移動台３４の上面にはブラケット３９が垂直に立脚されており、ブラケット３９の正面にはクロージャ４０が垂直に固定されている。クロージャ４０はウエハ出し入れ口２２に若干大きめに相似する長方形の平盤形状に形成されている。つまり、クロージャ４０は前後方向移動台３４によって前後方向に往復移動されるようになっているとともに、左右方向移動台３１によって左右方向に往復移動されるようになっている。そして、クロージャ４０は前進移動してそのベース側を向いた主面（以下、正面とする）がベース２１の背面に当接することによりウエハ出し入れ口２２を閉塞する。
A
なお、図５に示されているように、ベース２１の正面におけるウエハ出し入れ口２２の周りには、ポッド１０の押し付け時にポッド１０のウエハ出し入れ口およびベース２１のウエハ出し入れ口２２をシールするパッキン５４が敷設されている。クロージャ４０の正面における外周縁近傍には、クロージャ４０の押し付け時にベース２１のウエハ出し入れ口２２をシールするためのパッキン５５が敷設されている。クロージャ４０の正面における外周縁のパッキン５５の内側には、ドア１０ａに付着した異物がウエハ移載装置１５の設置室側へ侵入するのを防止するためのパッキン５６が敷設されている。
便宜上、図４および図５においては、後記する筐体の図示が省略されている。
As shown in FIG. 5, around the wafer loading / unloading
For convenience, in FIGS. 4 and 5, the illustration of a housing to be described later is omitted.
図４に示されているように、クロージャ４０の上下方向の中心線上には、一対の解錠軸４１、４１が左右に配置されて前後方向に挿通されて回転自在に支承されている。両解錠軸４１、４１におけるクロージャ４０のベースと反対側の主面（以下、背面とする）側の端部には一対のプーリー４２、４２が固定されており、両プーリー４２、４２間には連結片４４を有するベルト４３が巻き掛けられている。クロージャ４０の背面における一方のプーリー４２の上側にはエアシリンダ装置４５が水平に据え付けられており、エアシリンダ装置４５のピストンロッドの先端はベルト４３の連結片４４に連結されている。すなわち、両解錠軸４１、４１はエアシリンダ装置４５の伸縮作動によって往復回動されるようになっている。
図２に示されているように、両解錠軸４１、４１のクロージャ４０の正面側の端部にはドア１０ａの錠前（図示せず）に係合する係合部４１ａが直交して突設されている。
As shown in FIG. 4, a pair of unlocking
As shown in FIG. 2, an engaging portion 41a that engages with a lock (not shown) of the
図２に示されているように、クロージャ４０の正面における一方の対角付近には、ドア１０ａの表面に吸着する吸着具（吸盤）４６が２個、吸込口部材４７によってそれぞれ固定されている。吸着具４６を固定する吸込口部材４７は中空軸によって構成されており、吸込口部材４７の背面側端は給排気路（図示せず）に接続されている。吸込口部材４７の正面側端の外径はドア１０ａに没設された位置決め穴（図示せず）に嵌入するように設定されている。すなわち、吸込口部材４７はドア１０ａの位置決め穴に嵌入してドア１０ａを機械的に支持するための支持ピンを兼用するように構成されている。
As shown in FIG. 2, two suction tools (suction cups) 46 that are attracted to the surface of the
図２、図４および図６に示されているように、ベース２１の正面におけるウエハ出し入れ口２２の片脇にはロータリーアクチュエータ５０が回転軸５０ａが垂直方向になるように据え付けられており、回転軸５０ａには略Ｃ字形状に形成されたアーム５１の一端が水平面内で一体回動するように固定されている。アーム５１はベース２１に開設された挿通孔５２を挿通されており、アーム５１のベース２１の背面側の先端部にはマッピング装置５３が固定されている。
As shown in FIGS. 2, 4, and 6, a
図６および図７に示されているように、ベース２１の背面にはクロージャ収容室６１を形成した筐体６０が、上下のポッドオープナ２０、２０のクロージャ４０、４０を収容するように敷設されている。筐体６０のクロージャ収容室６１の水平方向の長さは、クロージャ４０が横に移動してウエハ出し入れ口２２を完全に開口させるのを許容し得るように設定されている。
筐体６０の背面側側壁の一部には給気管６３がクロージャ収容室６１に連通するように接続されており、給気管６３は不活性ガスとしての窒素ガス６２をクロージャ収容室６１に供給する。給気管６３の筐体６０との接続側と反対側である上流側には、不活性ガスの供給量や供給の開始・停止（ＯＮ／ＯＦＦ）を制御するガス供給制御器１１１が設けられている。ガス供給制御器１１１はガス流量制御部１０２に電気的に接続されている。
筐体６０の正面壁を形成するベース２１の一部には排気管６４がクロージャ収容室６１に連通するように接続されている。排気管６４はクロージャ収容室６１に供給された窒素ガス６２を排気する。排気管６４の筐体６０の接続側と反対側である下流側には排気量や排気の開始・停止（ＯＮ／ＯＦＦ）を制御する排気装置１２１が設けられている。排気装置１２１は圧力制御部１０３に電気的に接続されている。
筐体６０の背面壁には上下のウエハ出し入れ口２２、２２に対向する位置に、筐体６０のウエハ出し入れ口６５、６５がそれぞれ開設されており、各ウエハ出し入れ口６５はクロージャ４０の背面部を挿入し得る大きさの四角形の開口に形成されている。ウエハ出し入れ口６５はマッピング装置５３を背面側から挿入し得るように設定されている。
ポッド搬送装置１４等のＣＶＤ装置１内にある全ての駆動系は、駆動制御部１０４に電気的に接続されている。駆動制御部１０４は、ＣＶＤ装置１内にある全ての駆動系を所定の動作となるように制御する。温度制御部１０１、ガス流量制御部１０２、圧力制御部１０３、駆動制御部１０４は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部１０５に電気的に接続されている。これら、温度制御部１０１、ガス流量制御部１０２、圧力制御部１０３、駆動制御部１０４、主制御部１０５はコントローラ１０６として構成されている。
As shown in FIGS. 6 and 7, a
An
An
Wafer loading / unloading
All the drive systems in the CVD apparatus 1 such as the
次に、以上の構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置の作用を説明することにより、本発明の一実施形態であるウエハ搬送方法、ウエハ処理方法およびＩＣ製造方法を説明する。
以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１０６により制御される。
なお、説明を理解し易くするために、以下の説明においては、一方のウエハ授受ポート１３を上段ポートＡとし、他方のウエハ授受ポート１３を下段ポートＢとする。
Next, by explaining the operation of the batch type CVD apparatus according to the above configuration, a wafer transfer method, a wafer processing method, and an IC manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described.
In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the
In order to facilitate understanding of the description, in the following description, one wafer transfer port 13 is an upper port A and the other wafer transfer port 13 is a lower port B.
図１に示されているように、筐体２内のポッドステージ１１にポッド出し入れ口から搬入されたポッド１０は、ポッド搬送装置１４によって指定されたポッド棚１２に適宜に搬送されて一時的に保管される。
ポッド棚１２に保管されたポッド１０はポッド搬送装置１４によって適宜にピックアップされ、上段ポートＡに搬送されて、ポッドオープナ２０の載置台２７に図３に示されているように移載される。
この際、ポッド１０の下面に没設された位置決め凹部が載置台２７の３本の位置決めピン２８とそれぞれ嵌合されることにより、ポッド１０と載置台２７との位置合わせが実行される。
As shown in FIG. 1, the
The
At this time, the positioning recesses embedded in the lower surface of the
ポッド１０が載置台２７に載置されて位置合わせされると、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１の方向に押され、図８（ａ）に示されているように、ポッド１０の開口側端面がベース２１の正面におけるウエハ出し入れ口２２の開口縁辺部に押し付けられる。また、ポッド１０がベース２１の方向に押されると、クロージャ４０の解錠軸４１がドア１０ａの鍵穴に挿入される。
続いて、負圧がクロージャ４０の吸込口部材４７に給排気路から供給されることにより、ポッド１０のドア１０ａが吸着具４６によって真空吸着保持される。この状態で、解錠軸４１がエアシリンダ装置４５によって回動されると、解錠軸４１はドア１０ａ側の錠前に係合した係合部４１ａによってドア１０ａの錠前の施錠を解除する。
When the
Subsequently, the negative pressure is supplied to the
次いで、前後方向移動台３４がベース２１から離れる方向にロータリーアクチュエータ３７の作動によって移動されると、図８（ｂ）に示されているように、クロージャ４０はポッド１０のドア１０ａを真空吸着保持した状態で筐体６０のクロージャ収容室６１に後退することにより、ドア１０ａをポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂから抜き出す。これにより、ポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂは開放された状態になる。
Next, when the back-and-forth moving table 34 is moved in the direction away from the base 21 by the operation of the
クロージャ４０が前後方向移動台３４によってさらに後退されると、図８（ｃ）に示されているように、クロージャ４０は筐体６０の背面壁に開設されたウエハ出し入れ口６５にクロージャ収容室６１の内側から挿入することにより、クロージャ収容室６１を密封した状態になる。
When the
クロージャ４０がクロージャ収容室６１を密封すると、図９（ａ）に示されているように、クロージャ収容室６１には窒素ガス６２が給気管６３と排気管６４とによって流通される。クロージャ収容室６１を流通する窒素ガス６２は、ウエハ出し入れ口１０ｂからポッド１０のウエハ収納室１０ｃに流入した後に流出することにより、ウエハ収納室１０ｃの大気を排気するとともに、ウエハ収納室１０ｃに充満する。すなわち、筐体６０のクロージャ収容室６１およびポッド１０のウエハ収納室１０ｃにおける大気中の空気や水分は、窒素ガス６２によってパージされた状態になる。
When the
ところで、ドア１０ａをウエハ出し入れ口１０ｂから移動してウエハ出し入れ口１０ｂを開き、その開いたウエハ出し入れ口１０ｂからウエハ収納室１０ｃ内に窒素ガス６２を供給するステップにおいては、窒素ガス６２の流入により、ウエハ収納室１０ｃに収納されたウエハ９の位置がずれてしまう場合がある。
ウエハ９が位置ずれした状態のままでウエハ移載装置１５によって搬送されて、ボート８に移載されると、ウエハ９がボート８から落下する等の弊害が発生する場合がある。
By the way, in the step of moving the
If the wafer 9 is transported by the
そこで、本実施形態においては、次の整列ステップを実施する。
クロージャ収容室６１およびウエハ収納室１０ｃが窒素ガス６２によってパージされると、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１の方向に押され、図９（ｂ）に示されているように、クロージャ４０に保持されたドア１０ａがポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂに嵌め込まれる。このドア１０ａのウエハ出し入れ口１０ｂへの嵌め込みにより、ドア１０ａがウエハ９群をウエハ収納室１０ｃ内に均等に押し込むので、万一、ウエハ収納室１０ｃ内において位置ずれが発生していたとしても、ウエハ９群は収納当初の元の状態に整列される。
Therefore, in the present embodiment, the following alignment step is performed.
When the
ウエハ収納室１０ｃ内のウエハ９群が整列されると、前後方向移動台３４がベース２１から離れる方向にロータリーアクチュエータ３７の作動によって移動され、図９（ｃ）に示されているように、クロージャ４０はポッド１０のドア１０ａを真空吸着保持した状態で筐体６０のクロージャ収容室６１に後退することにより、ドア１０ａをポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂから抜き出す。これにより、ポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂは再び開放された状態になる。
When the group of wafers 9 in the
クロージャ４０がドア１０ａをウエハ出し入れ口１０ｂから抜き出すと、左右方向移動台３１がエアシリンダ装置３２の作動によってウエハ出し入れ口２２から離れる方向に移動される。これにより、図１０（ａ）に示されているように、ドア１０ａを吸着具４６によって真空吸着保持したクロージャ４０は、クロージャ収容室６１をベース２１のウエハ出し入れ口２２から離間した退避位置に移動される。このクロージャ４０の退避移動により、筐体６０のウエハ出し入れ口６５、ベース２１のウエハ出し入れ口２２およびポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂがそれぞれ開放された状態になる。
この際、筐体６０のクロージャ収容室６１およびポッド１０のウエハ収納室１０ｃが、窒素ガス６２によって予めパージされているため、大気中の空気や水分がベース２１の背面側空間であるウエハ移載装置１５の設置空間に放出されることはなく、それらによるウエハ移載装置１５の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されることになる。
When the
At this time, since the
クロージャ４０が退避されると、図１０（ｂ）に示されているように、マッピング装置５３がロータリーアクチュエータ５０の作動によって移動されることにより、マッピング装置５３がポッド１０のウエハ収納室１０ｃへ筐体６０のウエハ出し入れ口６５、ベース２１のウエハ出し入れ口２２およびポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂを潜り抜けて挿入される。
ウエハ収納室１０ｃへ挿入されたマッピング装置５３は、ウエハ収納室１０ｃに収納された複数枚のウエハ９を検出することによってマッピングする。
ここで、マッピングとはポッド１０の中のウエハ９の所在位置（ウエハ９がどの保持溝にあるのか）を確認することである。
指定されたマッピング作業が終了すると、マッピング装置５３はロータリーアクチュエータ５０の作動によって元の待機位置に戻される。
この際、筐体６０のクロージャ収容室６１およびポッド１０のウエハ収納室１０ｃが、窒素ガス６２によって予めパージされているため、ウエハ収納室１０ｃのウエハ９が大気中の空気や水分に接触することはなく、それらによるウエハ９の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止されることになる。
When the
The
Here, the mapping is to confirm the location of the wafer 9 in the pod 10 (which holding groove the wafer 9 is in).
When the designated mapping operation is completed, the
At this time, since the
マッピング装置５３が待機位置に戻ると、上段ポートＡにおいて開けられたポッド１０の複数枚のウエハ９はボート８にウエハ移載装置１５によって順次装填（チャージング）されて行く。
この際、全てのウエハ９がウエハ収納室１０ｃ内において一律に整列されているので、ウエハ移載装置１５はウエハ９をツィーザを適正に保持することができる。すなわち、ウエハ移載装置１５がウエハ収納室１０ｃ内で位置ずれしたウエハ９を保持することはない。したがって、ウエハ９が位置ずれした状態のままでウエハ移載装置１５によって搬送されて、ボート８に移載される事態が起こることはなく、そのような事態によってウエハ９がボート８から落下する等の事故が発生するのを未然に防止することができる。
When the
At this time, since all the wafers 9 are uniformly aligned in the
以上の上段ポートＡにおけるウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業中に、下段ポートＢにはポッド棚１２から別のポッド１０がポッド搬送装置１４によって搬送されて移載され、ポッドオープナ２０による前述した位置決め作業からマッピング作業が同時進行される。
このように下段ポートＢにおいてマッピング作業迄が同時進行されていると、上段ポートＡにおけるウエハ９のボート８への装填作業の終了と同時に、下段ポートＢに待機させたポッド１０についてのウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業を開始することができる。すなわち、ウエハ移載装置１５はポッド１０の入替え作業についての待ち時間を浪費することなくウエハ移載作業を連続して実施することができるため、バッチ式ＣＶＤ装置１のスループットを高めることができる。
During the above loading operation of the wafer 9 to the
Thus, if the mapping operation is simultaneously performed in the lower port B, the wafer transfer of the
翻って、上段ポートＡにおいてウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業が終了すると、空ポッド閉じ作業が前述したポッド開放作業と略逆の順序で実行される。
すなわち、クロージャ４０に保持されて退避されていたドア１０ａがウエハ出し入れ口２２の位置に左右方向移動台３１によって戻され、前後方向移動台３４によってウエハ出し入れ口２２に挿入されてポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂに嵌入される。
ドア１０ａがウエハ出し入れ口１０ｂに嵌入されると、解錠軸４１がエアシリンダ装置４５によって回動され、ドア１０ａの錠前を施錠する。
ドア１０ａの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材４７へ供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具４６の真空吸着保持が解除される。
続いて、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１から離れる方向に移動され、ポッド１０の開口側端面がベース２１の正面から離座される。
In turn, when the loading operation of the wafers 9 into the
That is, the
When the
When the
Subsequently, the mounting table 27 is moved away from the base 21 by the
ドア１０ａによりウエハ出し入れ口１０ｂが閉塞された上段ポートＡの空のポッド１０は、ポッド棚１２にポッド搬送装置１４によって搬送されて一時的に戻される。
空のポッド１０が上段ポートＡから搬出されると、次の実ポッド１０が上段ポートＡに搬入される。
以降、上段ポートＡおよび下段ポートＢにおいて、前述した作業が必要回数繰り返される。
The
When the
Thereafter, the above-described operation is repeated at the upper port A and the lower port B as many times as necessary.
以上のようにして上段ポートＡと下段ポートＢとに対するウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業が交互に繰り返されることによって、複数枚のウエハ９がポッド１０からボート８に装填されて行く。
この際、バッチ処理するウエハ９の枚数（例えば、１００枚〜１５０枚）は１台のポッド１０に収納されたウエハ９の枚数（例えば、２５枚）よりも何倍も多いため、複数台のポッド１０が上段ポートＡと下段ポートＢとにポッド搬送装置１４によって交互に繰り返し供給されることになる。
As described above, the loading operation of the wafer 9 to the
At this time, the number of wafers 9 to be batch-processed (for example, 100 to 150) is many times larger than the number of wafers 9 (for example, 25) stored in one
予め指定された複数枚のウエハ９がポッド１０からボート８に移載されると、ウエハ授受ポート１３にとっては実質的に待機中となる成膜処理がプロセスチューブ４において実行される。
すなわち、ボート８はボートエレベータ７によって上昇されてプロセスチューブ４の処理室に搬入される。ボート８が上限に達すると、ボート８を保持したシールキャップの上面の周辺部がプロセスチューブ４をシール状態に閉塞するため、処理室は気密に閉じられた状態になる。
プロセスチューブ４の処理室が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管６によって真空排気され、ヒータユニット３によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管５によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定の膜がウエハ９に形成される。
そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート８がボートエレベータ７によって下降されることにより、処理済みウエハ９を保持したボート８が元の装填および脱装ステーション（以下、装填ステーションという）に搬出される。
When a plurality of wafers 9 designated in advance are transferred from the
That is, the
In a state where the processing chamber of the
When a preset processing time has elapsed, the
以上の成膜処理の実行中に上段ポートＡおよび下段ポートＢにおいては、他方のボート８に保持された処理済みウエハ９の脱装（ディスチャージング）作業が同時進行されている。
すなわち、装填ステーションに搬出されたボート８の処理済みウエハ９はウエハ移載装置１５によってピックアップされ、上段ポートＡに予め搬入されてドア１０ａを外されて開放された空のポッド１０に収納される。
上段ポートＡでの空のポッド１０への所定の枚数のウエハ９の収容が終了すると、クロージャ４０に保持されて退避されていたドア１０ａがウエハ出し入れ口２２の位置に左右方向移動台３１によって戻され、前後方向移動台３４によってウエハ出し入れ口２２に挿入されポッド１０のウエハ出し入れ口１０ｂに嵌入される。
この際にも、窒素ガス６２がクロージャ収容室６１に給気管６３と排気管６４とによって流通されることにより、クロージャ収容室６１およびポッド１０のウエハ収納室１０ｃが窒素ガス６２によってパージされ、ウエハ収納室１０ｃに窒素ガス６２が充填される。
ドア１０ａがウエハ出し入れ口１０ｂに嵌入されると、解錠軸４１がエアシリンダ装置４５によって回動され、ドア１０ａの錠前を施錠する。これにより、ウエハ収納室１０ｃには窒素ガス６２が密封された状態になる。
ドア１０ａの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材４７に供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具４６のドア１０ａの真空吸着保持が解除される。
続いて、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１から離れる方向に移動され、ポッド１０の開口側端面がベース２１の正面から離座される。
次いで、処理済みのウエハ９が収納された処理済み実ポッド１０はポッド棚１２にポッド搬送装置１４によって搬送されて戻される。
During the above film forming process, in the upper port A and the lower port B, the removal (discharging) work of the processed wafers 9 held in the
That is, the processed wafer 9 of the
When the predetermined number of wafers 9 are accommodated in the
Also in this case, the
When the
When the
Subsequently, the mounting table 27 is moved away from the base 21 by the
Next, the processed
処理済みウエハ９を収納してポッド棚１２に戻されたポッド１０はポッド棚１２からポッドステージ１１へポッド搬送装置１４によって搬送される。
ポッドステージ１１に移載されたポッド１０はポッド出し入れ口から筐体２の外部に搬出されて、洗浄工程や成膜検査工程等の次工程へ搬送される。
そして、新規のウエハ９を収納したポッド１０が筐体２内のポッドステージ１１にポッド出し入れ口から搬入される。
The
The
Then, the
なお、新旧ポッド１０のポッドステージ１１への搬入搬出（ポッドローディングおよびポッドアンローディング）作業およびポッドステージ１１とポッド棚１２との間の入替え作業は、プロセスチューブ４におけるボート８の搬入搬出（ボートローディングおよびボートアンローディング）作業や成膜処理の間すなわち成膜待機ステップＳｔ（Ｓｐ）の実行中に同時進行されるため、バッチ式ＣＶＤ装置１の全体としての作業時間が延長されるのを防止することができる。
The loading / unloading (pod loading and pod unloading) work of the old and
以降、以上説明したウエハ装填脱装方法および成膜方法が繰り返されて、ＣＶＤ膜がウエハ９にバッチ式ＣＶＤ装置１によって形成され、半導体素子を含む集積回路がウエハ９に作り込まれるＩＣの製造方法における成膜工程が実施されて行く。 Thereafter, the wafer loading / unloading method and the film forming method described above are repeated, and a CVD film is formed on the wafer 9 by the batch-type CVD apparatus 1, and an IC in which an integrated circuit including semiconductor elements is formed on the wafer 9 is manufactured. The film forming process in the method is carried out.
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) ウエハ収納室が窒素ガスによってパージされた後に、ドアをポッドのウエハ出し入れ口に嵌め込んで、ドアによってウエハ群をウエハ収納室内に均等に押し込むことにより、万一、ウエハ収納室内において位置ずれが発生していたとしても、ウエハ群を収納当初の元の状態に整列させることができる。 1) After the wafer storage chamber is purged with nitrogen gas, the door is fitted into the wafer inlet / outlet of the pod, and the wafer group is pushed evenly into the wafer storage chamber by the door. Even if this occurs, the wafer group can be aligned to the original state at the time of storage.
2) ウエハ収納室が窒素ガスによってパージされた後に、ウエハ収納室内のウエハ群を整列させることにより、ウエハをボートにウエハ移載装置によって移載する際に、ウエハ移載装置はウエハをツィーザによって適正に保持することができるので、移載時にウエハがボートから落下する等の事故が発生するのを未然に防止することができる。 2) After the wafer storage chamber is purged with nitrogen gas, by aligning the wafer group in the wafer storage chamber, when transferring the wafer to the boat by the wafer transfer device, the wafer transfer device uses the tweezer to move the wafer. Since it can be held properly, it is possible to prevent an accident such as a wafer falling from the boat during transfer.
3) 移載ミスによる事故を未然に防止することにより、バッチ式ＣＶＤ装置のダウンタイムを改善して稼働率を向上させることができ、かつまた、製造歩留りを向上させることができる。
なお、前述した実施形態においては、筐体６０は上下一体として設けられるように説明したが、好ましくは、図６に示すように上下に二分して設けると良い。
この場合、上側のポッドオープナ２０、クロージャ４０を上側の筐体６０ａが収容し、下側のポッドオープナ２０、クロージャ４０を下側の筐体６０ｂが収容し、筐体６０ａ、６０ｂそれぞれに給気管６３、ガス流量制御部１０２、排気管６４、排気装置１２１を設けるようにする。
このように構成することにより、クロージャ収容室６１ａ、６１ｂが完全に上下で区分けされることになる。これにより、上下間でのガスや汚染物の流通を抑制することができる。
3) By preventing accidents due to transfer mistakes, it is possible to improve the downtime of the batch-type CVD apparatus and improve the operation rate, and also improve the production yield.
In the above-described embodiment, the
In this case, the
By comprising in this way, the closure
図１１は本発明の他の実施形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置のウエハ授受ポートを示す模式図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ウエハ移載装置１５にはツィーザホルダ１５ａのツィーザ１５ｂ基端部左右両脇に一対の検出器１５ｃ、１５ｃがそれぞれ設置されており、一対の検出器１５ｃ、１５ｃは透過型光センサによって構成されているとともに、ウエハ９によって遮光された時にウエハ９を検出するように設定されている点、である。
なお、検出器１５ｃ、１５ｃは駆動制御部１０４に電気的に接続されている。
ウエハ移載装置１５がウエハ収納室１０ｃ内のウエハ９をピックアップする際に、ツィーザ１５ｂは予めティーチングされた位置まで進入して停止する。この時に、一対の検出器１５ｃ、１５ｃがウエハ９によって遮光されるので、ウエハ移載装置１５はウエハ９を検出することができる。
ウエハ９の位置がドア１０ａ側から見て奥側にずれている場合には、ツィーザ１５ｂが予めティーチングされた位置に停止しても、一対の検出器１５ｃ、１５ｃはウエハ９によって遮光されないので、ウエハ移載装置１５はウエハ９を検出することができない。
ウエハ移載装置１５に連係したコントローラはこれを異常と認識することにより、バッチ式ＣＶＤ装置全体を緊急停止し、エラーアラームを発生する。
その結果、ウエハ収納室１０ｃ内への窒素ガス６２の供給によるウエハ９の位置ずれに伴う、ウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への移載時のウエハ９の落下等の移載ミスの発生を未然に防止することができる。
FIG. 11 is a schematic view showing a wafer transfer port of a batch type CVD apparatus according to another embodiment of the present invention.
This embodiment is different from the above embodiment in that the
The
When the
When the position of the wafer 9 is shifted to the back side when viewed from the
When the controller linked to the
As a result, a transfer error such as dropping of the wafer 9 when the wafer 9 is transferred to the
しかし、ウエハ９の位置が手前にずれている場合には、ツィーザ１５ｂが予めティーチングされた位置に停止すると、一対の検出器１５ｃ、１５ｃはウエハ９によって遮光されるので、ウエハ移載装置１５はウエハ９を検出することができる。したがって、ウエハ移載装置１５に連係したコントローラは正常と認識することになるので、バッチ式ＣＶＤ装置は運転を継続する。その結果、ウエハ収納室１０ｃ内への窒素ガス６２の供給によるウエハ９の位置ずれに伴う、ウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への移載時のウエハ９の落下等の移載ミスが発生する可能性が残ってしまう。
本実施形態においては、ウエハ９の手前側への位置ずれは前述した整列ステップによって解消されるので、ウエハ９の位置が手前側にずれている場合であっても、ウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への移載時のウエハ９の落下等の移載ミスの発生を未然に防止することができる。
他方、本実施形態においては、ウエハ９の奥側への位置ずれも前述した整列ステップによって解消されるので、ウエハ移載装置１５は一対の検出器１５ｃ、１５ｃによってウエハ９を常に検出することができる。すなわち、本実施形態においては、ウエハ９の奥側への位置ずれに伴う緊急停止を回避することができる。
However, when the position of the wafer 9 is shifted to the front, when the tweezer 15b stops at the position taught in advance, the pair of
In the present embodiment, since the positional deviation of the wafer 9 toward the front side is eliminated by the alignment step described above, even if the position of the wafer 9 is shifted toward the front side, the wafer is transferred by the
On the other hand, in this embodiment, since the positional shift of the wafer 9 to the back side is also eliminated by the alignment step described above, the
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、ウエハ授受ポートは上下二段設置するに限らず、一段だけ設置してもよいし、上中下三段のように三段以上設置してもよい。 For example, the wafer transfer port is not limited to two upper and lower stages, but may be one stage, or three or more stages such as upper, middle, and lower three stages.
マッピング装置をポッドに対して進退させる構造としてはロータリーアクチュエータを使用した構成を採用するに限らず、ＸＹ軸ロボット等を使用した構成を採用してもよい。また、マッピング装置は省略してもよい。 The structure for moving the mapping device forward and backward with respect to the pod is not limited to the structure using a rotary actuator, but may be a structure using an XY axis robot or the like. Further, the mapping device may be omitted.
基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。 The substrate is not limited to a wafer, but may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
バッチ式ＣＶＤ装置は成膜処理に使用するＣＶＤ装置に限らず、酸化膜形成処理や拡散処理等の熱処理にも使用することができる。 The batch type CVD apparatus is not limited to the CVD apparatus used for the film forming process, but can be used for a heat treatment such as an oxide film forming process or a diffusion process.
前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。 In the above embodiment, the case of a batch type vertical diffusion / CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to all substrate processing apparatuses.
１…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、２…筐体、３…ヒータユニット、４…プロセスチューブ、５…ガス導入管、６…排気管、７…ボートエレベータ、８…ボート、９…ウエハ（基板）、
１０…ポッド（収納容器）、１０ａ…ドア（キャップ）、１０ｂ…ウエハ出し入れ口、１０ｃ…ウエハ収納室、
１１…ポッドステージ、１２…ポッド棚、１３…ウエハ授受ポート（基板授受ポート）、１４…ポッド搬送装置、１５…ウエハ移載装置、１６…ボートチェンジャ、
２０…ポッドオープナ（開閉装置）、２１…ベース、２２…ウエハ出し入れ口、２３…支持台、２４…ガイドレール、２５…ガイドブロック、２６…エアシリンダ装置、２７…載置台、２８…位置決めピン、３０…ガイドレール、３１…左右方向移動台、３２…エアシリンダ装置、３２ａ…ピストンロッド、３３…ガイドレール、３４…前後方向移動台、３５…ガイド孔、３６…ブラケット、３７…ロータリーアクチュエータ、３７ａ…アーム、３８…ガイドピン、３９…ブラケット、
４０…クロージャ、４１…解錠軸、４１ａ…係合部、４２…プーリー、４３…ベルト、４４…連結片、４５…エアシリンダ装置、４６…吸着具、４７…吸込口部材、
５０…ロータリーアクチュエータ、５０ａ…回転軸、５１…アーム、５２…挿通孔、５３…マッピング装置、５４、５５、５６…パッキン、
６０…筐体、６１…クロージャ収容室、６２…窒素ガス（不活性ガス）、６３…給気管、６４…排気管、６５…ウエハ出し入れ口。
１５ａ…ツィーザホルダ、１５ｂ…ツィーザ、１５ｃ…検出器。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Batch type CVD apparatus (substrate processing apparatus), 2 ... Housing, 3 ... Heater unit, 4 ... Process tube, 5 ... Gas introduction pipe, 6 ... Exhaust pipe, 7 ... Boat elevator, 8 ... Boat, 9 ... Wafer (substrate),
10 ... Pod (storage container), 10a ... Door (cap), 10b ... Wafer loading / unloading port, 10c ... Wafer storage chamber,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Pod stage, 12 ... Pod shelf, 13 ... Wafer transfer port (substrate transfer port), 14 ... Pod transfer device, 15 ... Wafer transfer device, 16 ... Boat changer,
DESCRIPTION OF
40 ... Closure, 41 ... Unlocking shaft, 41a ... Engagement part, 42 ... Pulley, 43 ... Belt, 44 ... Connection piece, 45 ... Air cylinder device, 46 ... Adsorption tool, 47 ... Suction port member,
DESCRIPTION OF
Reference numerals 60: casing, 61: closure accommodating chamber, 62: nitrogen gas (inert gas), 63: air supply pipe, 64: exhaust pipe, 65 ... wafer inlet / outlet.
15a ... tweezer holder, 15b ... tweezer, 15c ... detector.
Claims (3)
前記キャップを前記基板出し入れ口から移動して前記基板出し入れ口を開き、その開いた前記基板出し入れ口から前記収納容器内に不活性ガスを供給するステップと、
その不活性ガスを供給した前記基板出し入れ口へ前記キャップを移動して前記収納容器内に前記基板を押し込むステップと、
を有する基板搬送方法。 A substrate loading / unloading port for loading / unloading a substrate and a cap capable of opening and closing the substrate loading / unloading port; and a step of placing a storage container for storing the substrate therein on a substrate transfer port;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to open the substrate loading / unloading port, and supplying an inert gas into the storage container from the opened substrate loading / unloading port;
Moving the cap to the substrate inlet / outlet supplied with the inert gas and pushing the substrate into the storage container;
A substrate carrying method comprising:
前記キャップを前記基板出し入れ口から移動して前記基板出し入れ口を開き、その開いた前記基板出し入れ口から前記収納容器内に不活性ガスを供給するステップと、
その不活性ガスを供給した前記基板出し入れ口へ前記キャップを移動して前記収納容器内に前記基板を押し込むステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から退避位置へ移動するステップと、
前記収納容器内から前記基板を基板搬送装置で搬送するステップと、
その基板を載置した基板保持具を処理室に搬入し、該処理室で前記基板を処理するステップと、
を有する基板処理方法。 A substrate loading / unloading port for loading / unloading a substrate and a cap capable of opening and closing the substrate loading / unloading port; and a step of placing a storage container for storing the substrate therein on a substrate transfer port;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to open the substrate loading / unloading port, and supplying an inert gas into the storage container from the opened substrate loading / unloading port;
Moving the cap to the substrate inlet / outlet supplied with the inert gas and pushing the substrate into the storage container;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to a retracted position;
Transporting the substrate from within the storage container with a substrate transport device;
Carrying a substrate holder on which the substrate is placed into a processing chamber, and processing the substrate in the processing chamber;
A substrate processing method.
前記キャップを前記基板出し入れ口から移動して前記基板出し入れ口を開き、その開いた前記基板出し入れ口から前記収納容器内に不活性ガスを供給するステップと、
その不活性ガスを供給した前記基板出し入れ口へ前記キャップを移動して前記収納容器内に前記基板を押し込むステップと、
前記キャップを前記基板出し入れ口から退避位置へ移動するステップと、
前記収納容器内から前記基板を基板搬送装置で基板保持具へ搬送するステップと、
その基板を載置した基板保持具を処理室に搬入し、該処理室で前記基板を処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。 A substrate loading / unloading port for loading / unloading a substrate and a cap capable of opening and closing the substrate loading / unloading port; and a step of placing a storage container for storing the substrate therein on a substrate transfer port;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to open the substrate loading / unloading port, and supplying an inert gas into the storage container from the opened substrate loading / unloading port;
Moving the cap to the substrate inlet / outlet supplied with the inert gas and pushing the substrate into the storage container;
Moving the cap from the substrate loading / unloading port to a retracted position;
Transporting the substrate from the storage container to a substrate holder with a substrate transport device;
Carrying a substrate holder on which the substrate is placed into a processing chamber, and processing the substrate in the processing chamber;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
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