JP2010122483A - Electrooptical panel, electrooptical device and electronic device - Google Patents

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JP2010122483A
JP2010122483A JP2008296376A JP2008296376A JP2010122483A JP 2010122483 A JP2010122483 A JP 2010122483A JP 2008296376 A JP2008296376 A JP 2008296376A JP 2008296376 A JP2008296376 A JP 2008296376A JP 2010122483 A JP2010122483 A JP 2010122483A
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signal
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Isateru Okuhara
勇輝 奥原
Nobuhito Matsumoto
信人 松本
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Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical panel, an electrooptical device, and an electronic device, attaining improvement in signal characteristic or reduction in noise, when high-speed serial transfer is adopted, by adjusting the structure of signal lines of an electrooptical substrate. <P>SOLUTION: First signal lines 11e-11h and second signal lines 11a-11d larger in width dimension than the first signal lines 11e-11d are formed on an element substrate 10 of the electrooptical device. Therefore, the second signal lines 11a-11d with large width dimension are used for high-speed serial transfer, while the first signal lines 11e-11h with small width dimension are used as signal lines for serial transfer with low transfer rate, compared with the second signal lines 11a-11d, or signal lines for parallel transfer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学パネル、電気光学装置、および電子機器に関するものである。さら
に詳しくは、電気光学装置用基板に形成された信号線のインピーダンス低減技術に関する
ものである。
The present invention relates to an electro-optical panel, an electro-optical device, and an electronic apparatus. More specifically, the present invention relates to a technique for reducing impedance of a signal line formed on a substrate for an electro-optical device.

近年、EMIノイズの低減などを目的としたインターフェースとしてLVDS(Low Vo
ltage Differential Signaling)などの高速シリアル転送が脚光を浴びている。かかる高
速シリアル転送を行なうための高速シリアルインターフェース回路(HSSIF/High S
peed Serial Interface)は、シリアル化されたデータを差動信号により送信するトラン
スミッタ回路と、差動信号を差動増幅するレシーバ回路とによって実現される(特許文献
1参照)。
In recent years, LVDS (Low Vos) has been used as an interface for the purpose of reducing EMI noise.
ltage Differential Signaling) and other high-speed serial transfers are in the spotlight. A high-speed serial interface circuit (HSSSIF / High S) for performing such high-speed serial transfer
Peed Serial Interface) is realized by a transmitter circuit that transmits serialized data using a differential signal and a receiver circuit that differentially amplifies the differential signal (see Patent Document 1).

また、高速シリアル転送は、配線の本数を減らすことができるという利点がある。この
ため、折り畳み式の携帯電話機などにおいて、電話番号入力や文字入力を行なうためのボ
タンが設けられた第1の機器部分と、LCD(Liquid Crystal Display)などの電気光学
装置やカメラデバイスが設けられた第2の機器部分とがヒンジなどの連結部分により連結
されている場合に、ヒンジなどの連結部分を介して第1の機器部分と第2の機器部分との
間でデータ転送を行なうのに適している。
In addition, high-speed serial transfer has an advantage that the number of wirings can be reduced. For this reason, a foldable mobile phone or the like is provided with a first device portion provided with buttons for inputting a telephone number and characters, an electro-optical device such as an LCD (Liquid Crystal Display), and a camera device. When the second device part is connected by a connecting part such as a hinge, data transfer is performed between the first device part and the second device part via the connecting part such as the hinge. Is suitable.

かかる高速シリアル転送を採用するにあたっては、信号特性の向上やノイズの低減とい
う面から高速ラインのインピーダンスコントロールが必要であるため、電気光学パネルに
接続されるフレキシブル配線基板やコネクタには、インピーダンスコントロールが行なわ
れたものが用いられている。
特開2005−257854号公報
When adopting such high-speed serial transfer, it is necessary to control the impedance of the high-speed line in terms of improving signal characteristics and reducing noise. Therefore, impedance control is required for flexible wiring boards and connectors connected to the electro-optical panel. What has been done is used.
JP 2005-257854 A

しかしながら、液晶装置などの電気光学装置に高速シリアル転送を採用した場合、フレ
キシブル配線基板やコネクタのインピーダンスコントロールを行なっても、信号特性の向
上やノイズの低減を十分図ることができないという問題点がある。
However, when high-speed serial transfer is adopted in an electro-optical device such as a liquid crystal device, there is a problem that signal characteristics cannot be sufficiently improved and noise cannot be sufficiently reduced even if impedance control of a flexible wiring board or connector is performed. .

本願発明者等は、かかる問題点を検討した結果、電気光学装置用基板に形成される配線
が、従来のMPUインターフェース用の設計をそのまま適用しているためであるという新
たな知見を得た。
As a result of studying such problems, the inventors of the present application have obtained new knowledge that the wiring formed on the substrate for the electro-optical device applies the design for the conventional MPU interface as it is.

ここに、本発明の課題は、電気光学用基板の信号線の構成を適正化することにより、高
速シリアル転送を採用した場合の信号特性の向上やノイズの低減を図ることのできる電気
光学パネル、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
Here, an object of the present invention is to optimize the signal line configuration of the electro-optic substrate, thereby improving the signal characteristics and reducing the noise when employing high-speed serial transfer, To provide an electro-optical device and an electronic apparatus.

上記課題を解決するために、本発明の電気光学パネルでは、複数の画素が配列された画
素配列領域を備えた電気光学装置用基板と、当該電気光学装置用基板の端部に設けられた
第1パッドと、前記電気光学装置用基板に設けられ、前記第1パッドから前記画素配列領
域が位置する側に向けて延在する第1信号線と、前記電気光学装置用基板の端部に設けら
れた第2パッドと、前記電気光学装置用基板に設けられ、前記第1信号線よりも広い幅寸
法をもって前記第2パッドから前記画素配列領域が位置する側に向けて延在する第2信号
線と、を有し、前記第2信号線は、シリアル転送用の信号線であり、前記第1信号線は、
前記第2信号線に比して転送速度が遅いシリアル転送用の信号線、あるいはパラレル転送
用の信号線であることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, in the electro-optical panel of the present invention, an electro-optical device substrate including a pixel array region in which a plurality of pixels are arrayed, and a first portion provided at an end of the electro-optical device substrate. One pad, a first signal line provided on the electro-optical device substrate and extending from the first pad toward a side where the pixel array region is located, and provided on an end portion of the electro-optical device substrate And a second signal provided on the electro-optical device substrate and extending from the second pad toward the side where the pixel array region is located with a width that is wider than the first signal line. The second signal line is a signal line for serial transfer, and the first signal line is
It is a signal line for serial transfer or a signal line for parallel transfer whose transfer speed is lower than that of the second signal line.

本発明において、電気光学装置用基板上には、第1信号線と、この第1信号線よりも広
い幅寸法の第2信号線とが形成されている。このため、電気光学パネルを用いて電気光学
装置を構成する場合、第2信号線については高速シリアル転送用の信号線として用いるこ
とができ、幅寸法の狭い第1信号線については、第2信号線に比して転送速度が遅いシリ
アル転送用の信号線、あるいはパラレル転送用の信号線として用いることができる。この
ため、高速シリアル転送を採用した場合に、高速ラインのインピーダンスを例えば100
Ωに設定できるなど、高速ラインのインピーダンスコントロールを行なうことができる。
それ故、高速シリアル転送を採用した場合において、信号特性の向上やノイズの低減を確
実に図ることができる。
In the present invention, a first signal line and a second signal line having a wider width than the first signal line are formed on the electro-optical device substrate. For this reason, when an electro-optical device is configured using an electro-optical panel, the second signal line can be used as a signal line for high-speed serial transfer, and the second signal line can be used as the second signal line. It can be used as a signal line for serial transfer or a signal line for parallel transfer whose transfer speed is slower than that of the line. For this reason, when high-speed serial transfer is adopted, the impedance of the high-speed line is, for example, 100
Impedance control of high-speed lines such as Ω can be performed.
Therefore, when high-speed serial transfer is employed, signal characteristics can be improved and noise can be reliably reduced.

本発明は、前記第2信号線が、2本一組で高速シリアル転送を行なう差動信号線である
場合に適用すると特に効果的であり、この場合、当該2本の差動信号線の1本当たりの幅
寸法が前記第1信号線より幅広である構成を採用する。
The present invention is particularly effective when applied to a case where the second signal line is a differential signal line that performs high-speed serial transfer by a set of two. In this case, one of the two differential signal lines is A configuration is adopted in which the width per book is wider than that of the first signal line.

本発明において、前記第2パッドは、前記第1パッドよりも幅寸法が広い導電パターン
からなる構成を採用することができる。
In the present invention, the second pad may be formed of a conductive pattern having a wider width than the first pad.

本発明において、前記第2パッドは、前記第1パッドと幅寸法が等しい複数の導電パタ
ーンからなる構成を採用してもよい。
In the present invention, the second pad may be composed of a plurality of conductive patterns having the same width dimension as the first pad.

本発明を適用した電気光学パネルを備えた電気光学装置は、前記画素配列領域内から延
在する信号線の端部に接続する端子、前記第1信号線において前記画素配列領域側に位置
する端部に接続する端子、および前記第2信号線において前記画素配列領域側に位置する
端部に接続する端子を備えた集積回路装置と、前記第1パッドに接続する端子、および前
記第2パッドに接続する端子を備えた配線基板と、を有している。
An electro-optical device including an electro-optical panel to which the present invention is applied includes a terminal connected to an end portion of a signal line extending from the pixel array region, and an end located on the pixel array region side in the first signal line An integrated circuit device including a terminal connected to a portion and a terminal connected to an end located on the pixel array region side in the second signal line; a terminal connected to the first pad; and a second pad And a wiring board provided with terminals to be connected.

かかる電気光学装置は、携帯電話機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータな
どの電子機器に用いられる。
Such an electro-optical device is used in electronic devices such as a mobile phone, a car navigation system, and a personal computer.

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で参照す
る図においては、各領域を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、縮尺などを異な
らしめてある。また、電極や配線の数についても簡素化して示してある。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. Note that in the drawings referred to in the following description, the scales and the like are different in order to make each region recognizable on the drawing. Further, the number of electrodes and wirings is also shown in a simplified manner.

[実施の形態1]
(電気光学装置の全体構成)
図1(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置(液晶装置)をその上に形
成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図であ
る。図1(a)、(b)において、本形態の電気光学装置100は、TN(Twisted Nema
tic)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、VAN(Vert
ical Aligned Nematic)モードのアクティブマトリクス型の液晶装置である。この電気光
学装置100では、矩形の素子基板10(電気光学装置用基板)と矩形の対向基板20と
がシール材22を介して貼り合わされた電気光学パネル30(液晶パネル)を有しており
、素子基板10と対向基板20との間に液晶1fが保持されている。
[Embodiment 1]
(Overall configuration of electro-optical device)
FIGS. 1A and 1B are plan views of an electro-optical device (liquid crystal device) to which the present invention is applied, as viewed from the counter substrate side, together with each component formed thereon, and HH thereof. It is a cross-sectional view. 1A and 1B, an electro-optical device 100 according to this embodiment includes a TN (Twisted Nema).
tic) mode, ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, VAN (Vert
It is an active matrix type liquid crystal device in ical aligned nematic mode. The electro-optical device 100 includes an electro-optical panel 30 (liquid crystal panel) in which a rectangular element substrate 10 (electro-optical device substrate) and a rectangular counter substrate 20 are bonded together with a sealing material 22 therebetween. A liquid crystal 1 f is held between the element substrate 10 and the counter substrate 20.

シール材22は、素子基板10と対向基板20とをそれらの周辺で貼り合わせるための
光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするた
めのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール
材22には、その途切れ部分によって液晶注入口25が形成され、液晶1fを注入した後
、封止材27により封止されている。
The sealing material 22 is an adhesive made of a photo-curing resin or a thermosetting resin for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and is used for setting the distance between the substrates to a predetermined value. Gap materials such as glass fiber or glass beads are blended. A liquid crystal injection port 25 is formed in the sealing material 22 by the interrupted portion, and after the liquid crystal 1f is injected, the sealing material 22 is sealed with a sealing material 27.

素子基板10において、シール材22で囲まれた領域内は、画素電極2aや画素トラン
ジスタ2cがマトリクス状に配列された画素配列領域10aになっており、画素電極2a
の表面には配向膜19が形成されている。対向基板20には、シール材22の内側領域に
遮光性材料からなる額縁26(図1(b)では図示を省略)が形成され、その内側が画像
表示領域1aになっている。対向基板20には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界
領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられ
る遮光膜が形成され、その上層側には、共通電極28および配向膜29が形成されている
。また、対向基板20において、素子基板10の各画素に対向する領域には、RGBのカ
ラーフィルタ(図示せず)がその保護膜とともに形成され、それにより、電気光学装置1
00をモバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表
示装置として用いることができる。なお、電気光学装置100がIPS(In Plane Switch
ing)モードやFFS(Fringe Field Switching)モードのアクティブマトリクス型の液晶
装置である場合、共通電極28は、素子基板10の側に形成される。
In the element substrate 10, the area surrounded by the sealing material 22 is a pixel array area 10a in which the pixel electrodes 2a and the pixel transistors 2c are arranged in a matrix, and the pixel electrode 2a.
An alignment film 19 is formed on the surface. On the counter substrate 20, a frame 26 (not shown in FIG. 1B) made of a light-shielding material is formed in the inner region of the sealing material 22, and the inner side is an image display region 1 a. Although not shown in the figure, a light shielding film called a black matrix or black stripe is formed in a region facing the vertical and horizontal boundary regions of each pixel on the counter substrate 20. An alignment film 29 is formed. In the counter substrate 20, an RGB color filter (not shown) is formed together with the protective film in a region facing each pixel of the element substrate 10, whereby the electro-optical device 1.
00 can be used as a color display device for electronic devices such as mobile computers, mobile phones, and liquid crystal televisions. The electro-optical device 100 is an IPS (In Plane Switch).
ing) mode or FFS (Fringe Field Switching) mode active matrix type liquid crystal device, the common electrode 28 is formed on the element substrate 10 side.

素子基板10は対向基板20よりも大きく、素子基板10は、シール材22の外側で対
向基板20の端部から張り出した張り出し領域15を備えている。張り出し領域15には
IC実装領域1sが形成されており、このIC実装領域1sには、走査ドライバ(走査線
駆動回路)およびデータドライバ(ソース線駆動回路)などを内蔵する集積回路装置60
(半導体集積装置)がCOG(Chip On Glass)実装されている。
The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20, and the element substrate 10 includes a protruding region 15 that protrudes from the end of the counter substrate 20 outside the sealing material 22. An IC mounting region 1 s is formed in the overhanging region 15, and the integrated circuit device 60 incorporating a scan driver (scanning line driving circuit), a data driver (source line driving circuit), and the like in the IC mounting region 1 s.
(Semiconductor integrated device) is mounted on COG (Chip On Glass).

素子基板10の張り出し領域15には、IC実装領域1sに隣接する端部に基板接続領
域1tが形成されており、この基板接続領域1tには、配線基板としてのフレキシブル配
線基板70が接続されている。フレキシブル配線基板70には、各種配線パターンが形成
されており、集積回路装置60と液晶装置コントローラ300側との電気的な接続がおこ
なわれている。このようにして、電気光学装置100は、図7を参照して例示する電子機
器に搭載される。
In the projecting region 15 of the element substrate 10, a substrate connection region 1t is formed at an end adjacent to the IC mounting region 1s, and a flexible wiring substrate 70 as a wiring substrate is connected to the substrate connection region 1t. Yes. Various wiring patterns are formed on the flexible wiring board 70, and an electrical connection is made between the integrated circuit device 60 and the liquid crystal device controller 300 side. In this manner, the electro-optical device 100 is mounted on the electronic apparatus illustrated with reference to FIG.

ここで、素子基板10では、画素配列領域10aからIC実装領域1sに向けて、画素
配列領域10aの外側領域1bを通って、後述する走査線3aやデータ線6aから延在す
る引き回し配線16、17が形成されており、かかる引き回し配線16、17の端部は、
集積回路装置60を実装するためのパッドになっている。
Here, in the element substrate 10, from the pixel array region 10a toward the IC mounting region 1s, the lead wiring 16 extending from the scanning line 3a and the data line 6a described later through the outer region 1b of the pixel array region 10a, 17 is formed, and the ends of the routing wires 16 and 17 are
It is a pad for mounting the integrated circuit device 60.

また、IC実装領域1sと基板接続領域1tとの間には、液晶装置コントローラ300
からフレキシブル配線基板70を介して出力された定電位や信号を集積回路装置60に供
給するための配線群11が形成されている。
In addition, the liquid crystal device controller 300 is provided between the IC mounting area 1s and the board connection area 1t.
A wiring group 11 for supplying a constant potential and a signal output from the through the flexible wiring board 70 to the integrated circuit device 60 is formed.

(電気光学装置の電気的構成)
図2は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示す説明図である。本形態の電
気光学装置100において、電気光学パネル30に用いた素子基板10には、複数のデー
タ線6a(ソース線)と、データ線6aと交差する方向に延在する複数の走査線3a(ゲ
ート線)と、データ線6aおよび走査線3aの交差に対応する複数の画素10bとが構成
され、かかる複数の画素10bがマトリクス状に配列された領域によって画素配列領域1
0aが構成されている。
(Electrical configuration of electro-optical device)
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an electrical configuration of the electro-optical device to which the present invention is applied. In the electro-optical device 100 of this embodiment, the element substrate 10 used in the electro-optical panel 30 includes a plurality of data lines 6a (source lines) and a plurality of scanning lines 3a (extending in a direction intersecting the data lines 6a). Gate line) and a plurality of pixels 10b corresponding to intersections of the data lines 6a and the scanning lines 3a, and the pixel array region 1 is formed by a region in which the pixels 10b are arrayed in a matrix.
0a is configured.

複数の画素10bの各々には、画素電極2a、および画素電極2aを制御するための画
素トランジスタ2c(電界効果型トランジスタ)が形成されている。データ線6aは、画
素トランジスタ2cのソースに電気的に接続されており、走査線3aは、画素トランジス
タ2cのゲートに電気的に接続されている。画素電極2aは、画素トランジスタ2cのド
レインに電気的に接続されており、電気光学装置100では、画素トランジスタ2cを一
定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画像信号を各画
素10bの液晶容量に所定のタイミングで書き込む。液晶容量に書き込まれた所定レベル
の画像信号は、素子基板10に形成された画素電極2aと、対向基板20の共通電極28
(図1(b)参照)との間で一定期間保持される。画素電極2aには保持容量2eが付加
されており、画素電極2aの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も
長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高
い表示を行うことのできる電気光学装置100が実現される。本形態では、保持容量2e
を構成するにあたって、走査線3aと並行するように容量線3bが形成されているが、前
段の走査線3aとの間に保持容量2eが形成される場合もある。
In each of the plurality of pixels 10b, a pixel electrode 2a and a pixel transistor 2c (field effect transistor) for controlling the pixel electrode 2a are formed. The data line 6a is electrically connected to the source of the pixel transistor 2c, and the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the pixel transistor 2c. The pixel electrode 2a is electrically connected to the drain of the pixel transistor 2c. In the electro-optical device 100, the pixel transistor 2c is turned on for a certain period of time, so that an image signal supplied from the data line 6a is received. Write to the liquid crystal capacitance of each pixel 10b at a predetermined timing. An image signal of a predetermined level written in the liquid crystal capacitor is supplied to the pixel electrode 2 a formed on the element substrate 10 and the common electrode 28 on the counter substrate 20.
(See FIG. 1B) for a certain period. A holding capacitor 2e is added to the pixel electrode 2a, and the voltage of the pixel electrode 2a is held for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. As a result, the charge retention characteristic is improved, and the electro-optical device 100 capable of performing display with a high contrast ratio is realized. In this embodiment, the storage capacitor 2e
In the configuration, the capacitor line 3b is formed in parallel with the scanning line 3a. However, the storage capacitor 2e may be formed between the scanning line 3a in the previous stage.

(集積回路装置60の構成)
本形態の電気光学装置100において、集積回路装置60には複数の回路ブロックが構
成されている。また、集積回路装置60において画素配列領域10aが位置する側の端部
は、画素配列領域10aから延在する引き回し配線16、17の端部に接続するバンプの
配列領域66、67になっている。集積回路装置60において基板接続領域1tが位置す
る側の端部は、配線群11の端部からなるパッドに接続するバンプの配列領域68になっ
ている。
(Configuration of integrated circuit device 60)
In the electro-optical device 100 of this embodiment, the integrated circuit device 60 includes a plurality of circuit blocks. In the integrated circuit device 60, the end portion on the side where the pixel array region 10a is located is a bump array region 66, 67 connected to the end portion of the lead wirings 16, 17 extending from the pixel array region 10a. . In the integrated circuit device 60, the end portion on the side where the substrate connection region 1 t is located is a bump array region 68 that is connected to a pad formed by the end portion of the wiring group 11.

本形態において、集積回路装置60では、回路ブロックによって、走査ドライバ610
、データドライバ620、電源回路630、階調電圧生成回路640、ロジック回路68
0、メモリ(図示せず)などが構成されている。メモリは、RAMなどにより構成されて
おり、少なくとも1フレーム(1画面)分の画像データ(表示データ)を記憶する。
In the present embodiment, in the integrated circuit device 60, the scan driver 610 is provided by a circuit block.
, Data driver 620, power supply circuit 630, gradation voltage generation circuit 640, logic circuit 68
0, a memory (not shown), and the like are configured. The memory is composed of a RAM or the like, and stores image data (display data) for at least one frame (one screen).

ロジック回路680には制御回路および表示タイミング制御回路などが形成されており
、ロジック回路680において、制御回路は、各種制御信号を生成する機能を担う他、装
置全体の制御を行う。具体的には、制御回路は、階調電圧生成回路640に対して階調特
性(γ特性)を調整するための階調調整データ(γ補正データ)を出力する機能や、電源
回路630に対して電源電圧を調整するための電源調整データを出力する機能を担ってい
る。また、制御回路は、メモリへのライト/リード処理を制御する機能も担っている。表
示タイミング制御回路は表示タイミングを制御するための各種の制御信号を生成し、メモ
リから電気光学パネル30への画像データの読み出しを制御する。
The logic circuit 680 includes a control circuit, a display timing control circuit, and the like. In the logic circuit 680, the control circuit has a function of generating various control signals and controls the entire apparatus. Specifically, the control circuit outputs a gradation adjustment data (γ correction data) for adjusting a gradation characteristic (γ characteristic) to the gradation voltage generation circuit 640, or a power supply circuit 630. The power supply adjustment data for adjusting the power supply voltage is output. The control circuit also has a function of controlling write / read processing to the memory. The display timing control circuit generates various control signals for controlling the display timing, and controls reading of image data from the memory to the electro-optical panel 30.

データドライバ620は、電気光学パネル30のデータ線6aを駆動するためのデータ
信号を生成する回路である。具体的にはデータドライバ620は、メモリから画像データ
(階調データ)を受け、階調電圧生成回路640から複数(例えば256段階)の階調電
圧(基準電圧)を受ける。そして、これらの複数の階調電圧の中から、画像データに対応
する電圧を選択して、データ信号(データ電圧)として電気光学パネル30のデータ線6
aに出力する。
The data driver 620 is a circuit that generates a data signal for driving the data line 6 a of the electro-optical panel 30. Specifically, the data driver 620 receives image data (gradation data) from the memory, and receives a plurality of (for example, 256 levels) gradation voltages (reference voltages) from the gradation voltage generation circuit 640. A voltage corresponding to the image data is selected from the plurality of gradation voltages, and the data line 6 of the electro-optical panel 30 is selected as a data signal (data voltage).
output to a.

走査ドライバ610は電気光学パネル30の走査線3aを駆動するための走査信号を生
成する回路である。具体的には、走査ドライバ610では、内蔵するシフトレジスタにお
いて信号を順次シフトし、このシフトされた信号をレベル変換した信号を、走査信号とし
て電気光学パネル30の各走査線3aに出力する。
The scanning driver 610 is a circuit that generates a scanning signal for driving the scanning line 3 a of the electro-optical panel 30. Specifically, the scanning driver 610 sequentially shifts signals in a built-in shift register, and outputs a signal obtained by level-converting the shifted signal to each scanning line 3a of the electro-optical panel 30 as a scanning signal.

電源回路630は各種の電源電圧を生成する回路である。具体的には、入力電源電圧や
内部電源電圧を、内蔵する昇圧回路を含む昇圧用キャパシタや昇圧トランジスタを用いて
チャージポンプ方式で昇圧する。そして昇圧により得られた電圧を、データドライバ62
0、走査ドライバ610、階調電圧生成回路640などに供給する。
The power supply circuit 630 is a circuit that generates various power supply voltages. Specifically, the input power supply voltage and the internal power supply voltage are boosted by a charge pump method using a boosting capacitor and a boosting transistor including a built-in boosting circuit. Then, the voltage obtained by boosting is supplied to the data driver 62.
0, supplied to the scan driver 610, the gradation voltage generation circuit 640, and the like.

階調電圧生成回路(γ補正回路)640は階調電圧を生成してデータドライバ620に
供給する回路である。
A gradation voltage generation circuit (γ correction circuit) 640 is a circuit that generates a gradation voltage and supplies it to the data driver 620.

(データ転送のための構成)
図3は、本発明を適用した電気光学装置100および電子機器1000において、高速
シリアル転送のための構成などを示す説明図である。なお、図3では、集積回路装置60
をクライアント(C)側とし、液晶装置コントローラ300をホスト(H)側として、液
晶装置コントローラ300で用いるイネーブル信号ENB、クロック信号CKおよびデー
タ信号DATAの末尾にHを付し、集積回路装置60側で用いるイネーブル信号ENB、
クロック信号CKおよびデータ信号DATAの末尾にCを付してある。
(Configuration for data transfer)
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration for high-speed serial transfer in the electro-optical device 100 and the electronic apparatus 1000 to which the present invention is applied. In FIG. 3, the integrated circuit device 60 is shown.
Is the client (C) side, the liquid crystal device controller 300 is the host (H) side, H is added to the end of the enable signal ENB, clock signal CK, and data signal DATA used in the liquid crystal device controller 300, and the integrated circuit device 60 side Enable signal ENB used in
C is added to the end of the clock signal CK and the data signal DATA.

図2および図3に示すように、集積回路装置60には、インターフェース回路として、
インターフェース速度が比較的遅いクロック同期のシリアルインターフェース、あるいは
パラレルインターフェースを行なう第1インターフェース回路660が構成されている。
また、集積回路装置60には、インターフェース回路として、高速シリアル転送を行なう
第2インターフェース回路670が構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the integrated circuit device 60 has an interface circuit as an interface circuit.
A first interface circuit 660 is provided that performs a clock-synchronized serial interface or a parallel interface with a relatively low interface speed.
The integrated circuit device 60 includes a second interface circuit 670 that performs high-speed serial transfer as an interface circuit.

本形態において、第1インターフェース回路660は、パラレルインターフェース回路
であり、液晶装置コントローラ300から出力されたライト信号WR、リード信号RD、
リセット信号RS、チップセレクト信号CSなどのコマンドを受信する。ここで、ライト
信号WR、リード信号RD、リセット信号RS、チップセレクト信号CSは、CMOS(
Complementary Metal Oxide Semiconductor)レベルよりも振幅が大きな信号である。な
お、第1インターフェース回路660に対応する信号として、図3などには、ライト信号
WR、リード信号RD、リセット信号RS、チップセレクト信号CSを例示してあるが、
第1インターフェース回路660に対応する信号として、上記のコマンドの他、アドレス
やスタンバイなどに対応する信号を例示することができる。
In the present embodiment, the first interface circuit 660 is a parallel interface circuit, and outputs a write signal WR, a read signal RD, which are output from the liquid crystal device controller 300.
Commands such as a reset signal RS and a chip select signal CS are received. Here, the write signal WR, the read signal RD, the reset signal RS, and the chip select signal CS are CMOS (
Complementary Metal Oxide Semiconductor) A signal whose amplitude is larger than the level. Note that as signals corresponding to the first interface circuit 660, a write signal WR, a read signal RD, a reset signal RS, and a chip select signal CS are illustrated in FIG.
Examples of signals corresponding to the first interface circuit 660 include signals corresponding to an address, standby, and the like in addition to the above commands.

第2インターフェース回路670は、シリアルバスを介した高速シリアル転送を実現す
る回路である。具体的には、シリアルバスの差動信号線を電流駆動あるいは電圧駆動する
ことにより、液晶装置コントローラ300との間で高速シリアル転送が実現される。かか
る第2インターフェース回路670では、CMOSレベル(差動信号)の振幅が小さな信
号が入力される。より具体的には、小振幅の差動データ信号DP、DMや、小振幅の差動
クロック信号CKP、CKMが入力され、差動データ信号DP、DMの差動増幅や、差動
クロック信号CKP、CKMの差動増幅を行って、液晶装置コントローラ300からのデ
ータを受信する。ここで、差動データ信号DP、DMには、電気光学装置100で表示さ
れる画像データが含まれている。差動データ信号DP、DMは、互いに反転差動信号に関
係にあり、差動クロック信号CKP、CKMは、互いに反転差動信号に関係にある。
The second interface circuit 670 is a circuit that realizes high-speed serial transfer via a serial bus. Specifically, high-speed serial transfer with the liquid crystal device controller 300 is realized by current driving or voltage driving the differential signal line of the serial bus. In the second interface circuit 670, a signal having a small amplitude of the CMOS level (differential signal) is input. More specifically, small-amplitude differential data signals DP and DM and small-amplitude differential clock signals CKP and CKM are input, and differential data signals DP and DM are differentially amplified and differential clock signals CKP. , CKM differential amplification is performed, and data from the liquid crystal device controller 300 is received. Here, the differential data signals DP and DM include image data displayed on the electro-optical device 100. The differential data signals DP and DM are related to an inverted differential signal, and the differential clock signals CKP and CKM are related to an inverted differential signal.

かかる高速シリアル転送を行なうことを目的に、第2インターフェース回路670(受
信部)は、クロック用レシーバ回路671、データ用レシーバ回路672、シリアル−パ
ラレル変換回路(図示せず)などを備えている。また、液晶装置コントローラ300側は
、クロック用トランスミッタ回路301、データ用トランスミッタ回路302、パラレル
−シリアル変換回路(図示せず)などを備えた送信部310を有している。クロック用ト
ランスミッタ回路301は、差動クロック信号CKP、CKMを出力し、クロック用レシ
ーバ回路671は、この差動クロック信号CKP、CKMの差動増幅を行い、得られたク
ロックCKCを後段の回路に出力する。また、データ用トランスミッタ回路302は、差
動データ信号DP、DMを出力し、データ用レシーバ回路672は、この差動データ信号
DP、DMの差動増幅を行い、得られたデータ信号DATACを後段の回路に出力する。
For the purpose of performing such high-speed serial transfer, the second interface circuit 670 (receiving unit) includes a clock receiver circuit 671, a data receiver circuit 672, a serial-parallel conversion circuit (not shown), and the like. Further, the liquid crystal device controller 300 side includes a transmission unit 310 including a clock transmitter circuit 301, a data transmitter circuit 302, a parallel-serial conversion circuit (not shown), and the like. The clock transmitter circuit 301 outputs differential clock signals CKP and CKM, and the clock receiver circuit 671 performs differential amplification of the differential clock signals CKP and CKM, and uses the obtained clock CKC as a subsequent circuit. Output. Further, the data transmitter circuit 302 outputs differential data signals DP and DM, and the data receiver circuit 672 performs differential amplification of the differential data signals DP and DM, and outputs the obtained data signal DATAC to the subsequent stage. Output to the circuit.

さらに、本形態では、液晶装置コントローラ300から集積回路装置60に対して、グ
ランド電位GNDおよび駆動電位Vdが供給される。
Furthermore, in this embodiment, the ground potential GND and the drive potential Vd are supplied from the liquid crystal device controller 300 to the integrated circuit device 60.

(配線群11の構成)
図4は、本発明の実施の形態1に係る電気光学パネル30、電気光学装置100および
電子機器1000において、素子基板10上に形成した配線などの平面的な構成を示す説
明図である。なお、図4に示すパッドにおいて、集積回路装置60やフレキシブル配線基
板70が接続される領域には斜線を付してある。
(Configuration of wiring group 11)
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a planar configuration of wirings and the like formed on the element substrate 10 in the electro-optical panel 30, the electro-optical device 100, and the electronic apparatus 1000 according to the first embodiment of the present invention. In the pad shown in FIG. 4, the area to which the integrated circuit device 60 and the flexible wiring board 70 are connected is hatched.

本形態の電気光学装置100および電子機器1000において、図3を参照して説明し
たデータ転送や給電は、図1、図2、図3および図4に示すように、液晶装置コントロー
ラ300と電気光学パネル30とを接続するフレキシブル配線基板70、および素子基板
10に形成された配線群11により行なわれる。ここで、高速シリアル転送を採用した場
合、パラレル転送と違って、信号特性の向上やノイズの低減という面から高速ラインのイ
ンピーダンスコントロールが必要である。特に高速シリアル転送の場合、反転差動信号の
振幅が小さいため、インピーダンスが適正でないと、振幅が低下し、信号レベルが反転し
てしまうおそれがある。
In the electro-optical device 100 and the electronic apparatus 1000 according to the present embodiment, the data transfer and power supply described with reference to FIG. 3 are performed in accordance with the liquid crystal device controller 300 and the electro-optical device as shown in FIGS. This is performed by the flexible wiring board 70 connecting the panel 30 and the wiring group 11 formed on the element substrate 10. Here, when high-speed serial transfer is employed, unlike parallel transfer, high-speed line impedance control is necessary in terms of improving signal characteristics and reducing noise. In particular, in the case of high-speed serial transfer, since the amplitude of the inverted differential signal is small, if the impedance is not appropriate, the amplitude may be reduced and the signal level may be inverted.

そこで、本形態では、フレキシブル配線基板70やコネクタ(図示せず)としてインピ
ーダンスコントロールが行なわれたものが用いられている。また、素子基板10では、配
線群11に対して、図3および図4を参照して以下に説明する構造が採用されている。
Therefore, in this embodiment, a flexible wiring board 70 or a connector (not shown) that has been subjected to impedance control is used. In the element substrate 10, the structure described below with reference to FIGS. 3 and 4 is adopted for the wiring group 11.

図3および図4に示すように、素子基板10の端部において、基板接続領域1tには、
液晶装置コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介してライト信号WR、リ
ード信号RD、リセット信号RS、チップセレクト信号CSなどが供給される第1パッド
12e〜12hが形成され、かかる第1パッド12e〜12hにフレキシブル配線基板7
0の端子が異方性導電膜などにより接続されている。また、素子基板10では、第1パッ
ド12e〜12hからIC実装領域1s(画素配列領域10aが位置する側)に向けて第
1信号線11e〜11hが延在している。IC実装領域1sにおいて、第1信号線11e
〜11hの端部は、集積回路装置60を実装するためのパッド13e〜13hになってお
り、かかるパッド13e〜13hに集積回路装置60のバンプが異方性導電膜などにより
接続されている。このようにして、第1パッド12e〜12h、第1信号線11e〜11
h、およびパッド13e〜13hは、第1インターフェース回路660に電気的に接続さ
れていることになる。
As shown in FIGS. 3 and 4, at the end of the element substrate 10, the substrate connection region 1t has
First pads 12e to 12h to which a write signal WR, a read signal RD, a reset signal RS, a chip select signal CS and the like are supplied from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring board 70 are formed, and the first pads 12e to 12h are formed. Flexible wiring board 7
Zero terminals are connected by an anisotropic conductive film or the like. In the element substrate 10, the first signal lines 11 e to 11 h extend from the first pads 12 e to 12 h toward the IC mounting region 1 s (the side where the pixel array region 10 a is located). In the IC mounting region 1s, the first signal line 11e
˜11h are pads 13e to 13h for mounting the integrated circuit device 60, and bumps of the integrated circuit device 60 are connected to the pads 13e to 13h by an anisotropic conductive film or the like. In this way, the first pads 12e to 12h and the first signal lines 11e to 11h.
h and the pads 13e to 13h are electrically connected to the first interface circuit 660.

ここで、第1パッド12eおよび第1信号線11eはライト信号WRに対応し、第1パ
ッド12fおよび第1信号線11fはリード信号RDに対応し、第1パッド12gおよび
第1信号線11gはリセット信号RSに対応し、第1パッド12hおよび第1信号線11
hはチップセレクト信号CSに対応する。
Here, the first pad 12e and the first signal line 11e correspond to the write signal WR, the first pad 12f and the first signal line 11f correspond to the read signal RD, and the first pad 12g and the first signal line 11g Corresponding to the reset signal RS, the first pad 12h and the first signal line 11
h corresponds to the chip select signal CS.

また、基板接続領域1tには、液晶装置コントローラ300からフレキシブル配線基板
70を介して差動クロック信号CKP、CKMおよび差動データ信号DP、DMが供給さ
れる第2パッド12a〜12dが形成され、かかる第2パッド12a〜12dにフレキシ
ブル配線基板70の端子が異方性導電膜などにより接続されている。また、素子基板10
では、第2パッド12a〜12dからIC実装領域1sに向けて第2信号線11a〜11
dが延在している。IC実装領域1sにおいて、第2信号線11a〜11dの端部は、集
積回路装置60を実装するためのパッド13a〜13dになっており、かかるパッド13
a〜13dに集積回路装置60のバンプが異方性導電膜などにより接続されている。この
ようにして、第2パッド12a〜12d、第2信号線11a〜11d、およびパッド13
a〜13dは、第2インターフェース回路670に電気的に接続されている。
In the substrate connection region 1t, second pads 12a to 12d to which the differential clock signals CKP and CKM and the differential data signals DP and DM are supplied from the liquid crystal device controller 300 through the flexible wiring board 70 are formed. The terminals of the flexible wiring board 70 are connected to the second pads 12a to 12d by an anisotropic conductive film or the like. The element substrate 10
Then, the second signal lines 11 a to 11 are directed from the second pads 12 a to 12 d to the IC mounting region 1 s.
d is extended. In the IC mounting region 1 s, the ends of the second signal lines 11 a to 11 d are pads 13 a to 13 d for mounting the integrated circuit device 60.
Bumps of the integrated circuit device 60 are connected to a to 13d by an anisotropic conductive film or the like. In this way, the second pads 12a to 12d, the second signal lines 11a to 11d, and the pad 13
a to 13 d are electrically connected to the second interface circuit 670.

ここで、第2パッド12aおよび第2信号線11aは差動クロック信号CKPに対応し
、第2パッド12bおよび第2信号線11bは差動クロック信号CKMに対応しており、
第2信号線11aと第2信号線11bは2本一組で高速シリアル転送用の差動信号線対1
1xを構成している。また、第2パッド12cおよび第2信号線11cは差動データ信号
DPに対応し、第2パッド12dおよび第2信号線11dは差動データ信号DMに対応し
ており、第2信号線11cと第2信号線11dは2本一組で高速シリアル転送用の差動信
号線対11yを構成している。本形態において、差動信号線対11xを構成する第2信号
線11a、11bは隣接する位置で延在し、差動信号線対11yを構成する第2信号線1
1c、11dは隣接する位置で延在している。
Here, the second pad 12a and the second signal line 11a correspond to the differential clock signal CKP, the second pad 12b and the second signal line 11b correspond to the differential clock signal CKM,
A pair of the second signal line 11a and the second signal line 11b is a pair of differential signal lines 1 for high-speed serial transfer.
1x is configured. The second pad 12c and the second signal line 11c correspond to the differential data signal DP, and the second pad 12d and the second signal line 11d correspond to the differential data signal DM. A pair of the second signal lines 11d constitutes a differential signal line pair 11y for high-speed serial transfer. In this embodiment, the second signal lines 11a and 11b constituting the differential signal line pair 11x extend at adjacent positions, and the second signal line 1 constituting the differential signal line pair 11y.
1c and 11d extend at adjacent positions.

さらに、基板接続領域1tには、液晶装置コントローラ300からフレキシブル配線基
板70を介してグランド電位GNDおよび駆動電位Vdが供給される第3パッド12i〜
12kが形成され、かかる第3パッド12i〜12kにフレキシブル配線基板70の端子
が異方性導電膜などにより接続されている。また、素子基板10では、第3パッド12i
〜12kからIC実装領域1sに向けて定電位線11i〜11kが延在している。IC実
装領域1sにおいて、定電位線11i〜11kの端部は、集積回路装置60を実装するた
めのパッド13i〜13kになっており、かかるパッド13i〜13kに集積回路装置6
0のバンプが異方性導電膜などにより接続されている。
Further, the substrate connection region 1t is supplied with the ground potential GND and the drive potential Vd from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring board 70.
12k is formed, and the terminals of the flexible wiring board 70 are connected to the third pads 12i to 12k by an anisotropic conductive film or the like. In the element substrate 10, the third pad 12 i
The constant potential lines 11i to 11k extend from ˜12k toward the IC mounting region 1s. In the IC mounting region 1s, the ends of the constant potential lines 11i to 11k are pads 13i to 13k for mounting the integrated circuit device 60, and the integrated circuit device 6 is connected to the pads 13i to 13k.
Zero bumps are connected by an anisotropic conductive film or the like.

本形態において、駆動電位Vdの供給には2本の配線が用いられており、第3パッド1
2i、12jおよび定電位線11i、11jは駆動電位Vdに対応する。第3パッド12
kおよび定電位線11kはグランド電位GNDに対応する。また、本形態において、定電
位線11i〜11kは、高速シリアル転送用の差動信号線対11x、11yを両側で挟む
ように配置されており、高速シリアル転送用の差動信号線対11x、11yを両側で挟む
ように配置されており、差動信号線対11x、11yから放出されるノイズを低減する機
能を担っている。
In this embodiment, two wirings are used to supply the drive potential Vd, and the third pad 1
2i, 12j and constant potential lines 11i, 11j correspond to the drive potential Vd. Third pad 12
k and the constant potential line 11k correspond to the ground potential GND. In the present embodiment, the constant potential lines 11i to 11k are arranged so as to sandwich the differential signal line pair 11x and 11y for high-speed serial transfer on both sides, and the differential signal line pair 11x for high-speed serial transfer. 11y is arranged on both sides, and has a function of reducing noise emitted from the differential signal line pair 11x, 11y.

かかる配線群11はいずれも、画素配列領域10aの画素トランジスタ2c、データ線
6a、および走査線3aを構成する導電膜と同時形成されてなり、配線群11の端部に画
素それらの端部に画素電極2aを構成する導電膜を積層することによって上記のパッドが
構成されている。
Each of the wiring groups 11 is formed at the same time as the conductive film constituting the pixel transistors 2c, the data lines 6a, and the scanning lines 3a in the pixel array region 10a. The above-described pad is configured by laminating conductive films constituting the pixel electrode 2a.

このように構成した電気光学パネル30において、第1信号線11e〜11h、および
定電位線11i〜11kの幅寸法はW1である。一方、第2信号線11a〜11dの幅寸
法はW2であり、幅寸法W1、W2は以下
W1<W2
の関係に設定されている。例えば、高速シリアル転送に用いる第2信号線11a〜11d
の幅寸法W2は、第1信号線11e〜11h、および定電位線11i〜11kの幅寸法W
1より広い。例えば、第2信号線11a〜11dの幅寸法W2は、第1信号線11e〜1
1h、および定電位線11i〜11kの幅寸法W1の約2倍以上である。より具体的にい
えば、第1信号線11e〜11h、および定電位線11i〜11kの幅寸法W1は100
μm、ギャップは50μmであり、第2信号線11a〜11dの幅寸法W2は150μm
、ギャップは50μmである。
In the electro-optical panel 30 configured as described above, the widths of the first signal lines 11e to 11h and the constant potential lines 11i to 11k are W1. On the other hand, the width dimension of the second signal lines 11a to 11d is W2, and the width dimensions W1 and W2 are as follows: W1 <W2
The relationship is set. For example, the second signal lines 11a to 11d used for high-speed serial transfer
Of the first signal lines 11e to 11h and the constant potential lines 11i to 11k.
It is wider than 1. For example, the width dimension W2 of the second signal lines 11a to 11d is set to the first signal lines 11e to 11e.
1h, and about twice or more the width dimension W1 of the constant potential lines 11i to 11k. More specifically, the width dimension W1 of the first signal lines 11e to 11h and the constant potential lines 11i to 11k is 100.
μm, the gap is 50 μm, and the width dimension W2 of the second signal lines 11a to 11d is 150 μm.
The gap is 50 μm.

ここで、第1パッド12e〜12hは、第1信号線11e〜11hと同一の幅寸法W1
であり、第3パッド12i〜12kは、定電位線11i〜11kと同一の幅寸法W1であ
る。また、第2パッド12a〜12dは、第2信号線11a〜11dと同一の幅寸法W2
である。このため、高速シリアル転送に用いる第2パッド12a〜12dの幅寸法W2は
、第1パッド12e〜12h、および第3パッド12i〜12kの幅寸法W1に比して広
い。
Here, the first pads 12e to 12h have the same width dimension W1 as the first signal lines 11e to 11h.
The third pads 12i to 12k have the same width W1 as the constant potential lines 11i to 11k. The second pads 12a to 12d have the same width dimension W2 as the second signal lines 11a to 11d.
It is. For this reason, the width dimension W2 of the second pads 12a to 12d used for high-speed serial transfer is wider than the width dimension W1 of the first pads 12e to 12h and the third pads 12i to 12k.

また、パッド13e〜13hは、第1信号線11e〜11hと同一の幅寸法W1であり
、パッド13i〜13kは、定電位線11i〜11kと同一の幅寸法W1である。また、
パッド13a〜13dは、第2信号線11a〜11dと同一の幅寸法W2である。このた
め、高速シリアル転送に用いるパッド13a〜13dの幅寸法W2は、パッド13e〜1
3kの幅寸法W1に比して広い。
The pads 13e to 13h have the same width dimension W1 as the first signal lines 11e to 11h, and the pads 13i to 13k have the same width dimension W1 as the constant potential lines 11i to 11k. Also,
The pads 13a to 13d have the same width dimension W2 as the second signal lines 11a to 11d. Therefore, the width dimension W2 of the pads 13a to 13d used for the high-speed serial transfer is set to the pads 13e to 1d.
It is wider than the width dimension W1 of 3k.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態の電気光学パネル30、電気光学装置100および電子機
器1000では、素子基板10(電気光学装置用基板)上に、第1信号線11e〜11h
と、この第1信号線11e〜11hよりも広い幅寸法の第2信号線11a〜11dとが形
成されている。このため、幅寸法の広い第2信号線11a〜11dを高速シリアル転送に
用いることができ、幅寸法の狭い第1信号線11e〜11hについては、パラレル転送用
の信号線として用いることができる。このため、高速シリアル転送を採用する際に、高速
ラインのインピーダンスを例えば100Ωに設定できるなど、高速ラインのインピーダン
スコントロールを行なうことができる。それ故、本形態によれば、高速シリアル転送を採
用した場合において、信号特性の向上やノイズの低減を確実に図ることができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the electro-optical panel 30, the electro-optical device 100, and the electronic apparatus 1000 according to the present embodiment, the first signal lines 11e to 11h are formed on the element substrate 10 (electro-optical device substrate).
The second signal lines 11a to 11d having a width wider than the first signal lines 11e to 11h are formed. Therefore, the second signal lines 11a to 11d having a large width can be used for high-speed serial transfer, and the first signal lines 11e to 11h having a small width can be used as signal lines for parallel transfer. For this reason, when high-speed serial transfer is employed, the impedance of the high-speed line can be controlled, for example, the impedance of the high-speed line can be set to 100Ω. Therefore, according to this embodiment, when high-speed serial transfer is employed, it is possible to reliably improve signal characteristics and reduce noise.

[実施の形態2]
図5は、本発明の実施の形態2に係る電気光学パネル30、電気光学装置100および
電子機器1000において、素子基板10上に形成した配線などの平面的な構成を示す説
明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通の機
能を担う部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a planar configuration of wirings and the like formed on the element substrate 10 in the electro-optical panel 30, the electro-optical device 100, and the electronic device 1000 according to the second embodiment of the present invention. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, portions having common functions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本形態の電気光学装置100および電子機器1000においても、実施の形態1と同様
、高速シリアル転送を採用した場合の信号特性の向上やノイズの低減という面から、図3
および図5に示す構成が採用されている。
Also in the electro-optical device 100 and the electronic apparatus 1000 according to the present embodiment, in the same manner as in the first embodiment, in terms of improving signal characteristics and reducing noise when high-speed serial transfer is employed, FIG.
The configuration shown in FIG. 5 is adopted.

図3および図5に示すように、まず、素子基板10には、実施の形態1と同様、液晶装
置コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介してライト信号WR、リード信
号RD、リセット信号RS、チップセレクト信号CSなどが供給される第1信号線11e
〜11hが形成されており、かかる第1信号線11e〜11hは、第1インターフェース
回路660に電気的に接続されている。また、素子基板10には、実施の形態1と同様、
液晶装置コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介して差動クロック信号C
KP、CKMおよび差動データ信号DP、DMが供給される第2信号線11a〜11dが
形成されており、かかる第2信号線11a〜11dは、第2インターフェース回路670
に電気的に接続されている。さらに、素子基板10には、実施の形態1と同様、液晶装置
コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介してグランド電位GNDおよび駆
動電位Vdが供給される定電位線11i〜11kが形成されている。
As shown in FIGS. 3 and 5, first, the element substrate 10 is provided with a write signal WR, a read signal RD, a reset signal RS, and a chip from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring board 70, as in the first embodiment. First signal line 11e to which a select signal CS and the like are supplied
... 11 h are formed, and the first signal lines 11 e to 11 h are electrically connected to the first interface circuit 660. Further, in the element substrate 10, as in the first embodiment,
Differential clock signal C from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring board 70
Second signal lines 11a to 11d to which KP and CKM and differential data signals DP and DM are supplied are formed. The second signal lines 11a to 11d are connected to the second interface circuit 670.
Is electrically connected. Further, as in the first embodiment, constant potential lines 11i to 11k to which the ground potential GND and the driving potential Vd are supplied from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring substrate 70 are formed on the element substrate 10.

本形態では、第2信号線11a〜11dの幅寸法はW2であるのに対して、第1信号線
11e〜11hの幅寸法はW1であり、幅寸法W1、W2は以下
W1<W2
の関係に設定されている。
In this embodiment, the width dimension of the second signal lines 11a to 11d is W2, whereas the width dimension of the first signal lines 11e to 11h is W1, and the width dimensions W1 and W2 are expressed as W1 <W2 below.
The relationship is set.

ここで、定電位線11i〜11kの幅寸法はW3であり、幅寸法W1、W2、W3は以

W1<W2<W3
の関係に設定されている。
Here, the width dimensions of the constant potential lines 11i to 11k are W3, and the width dimensions W1, W2, and W3 are as follows: W1 <W2 <W3
The relationship is set.

このように、本形態では、第2信号線11a〜11dの幅寸法W2は、定電位線11i
〜11kの幅寸法W3より狭いが、第1信号線11e〜11hの幅寸法W1より広い。
Thus, in this embodiment, the width W2 of the second signal lines 11a to 11d is equal to the constant potential line 11i.
Although narrower than the width dimension W3 of ˜11k, it is wider than the width dimension W1 of the first signal lines 11e to 11h.

なお、第1信号線11e〜11hに対応する第1パッド12e〜12hおよびパッド1
3e〜13hは、第1信号線11e〜11hと幅寸法が等しい。また、第2信号線11a
〜11dに対応する第2パッド12a〜12dおよびパッド13a〜13dは、第2信号
線11a〜11dと幅寸法が等しい。さらに、定電位線11i〜11kに対応する第3パ
ッド12i〜12kおよびパッド13i〜13kは、定電位線11i〜11kと幅寸法が
等しい。
The first pads 12e to 12h and the pad 1 corresponding to the first signal lines 11e to 11h
3e to 13h have the same width as the first signal lines 11e to 11h. The second signal line 11a
The second pads 12a to 12d and the pads 13a to 13d corresponding to ˜11d have the same width as the second signal lines 11a to 11d. Further, the third pads 12i to 12k and the pads 13i to 13k corresponding to the constant potential lines 11i to 11k have the same width as the constant potential lines 11i to 11k.

このように本形態でも、本形態の電気光学パネル30、電気光学装置100および電子
機器1000では、素子基板10(電気光学装置用基板)上には、第1信号線11e〜1
1hと、この第1信号線11e〜11hよりも広い幅寸法の第2信号線11a〜11dと
が形成されている。このため、幅寸法の広い第2信号線11a〜11dを高速シリアル転
送に用いることができる。それ故、高速シリアル転送を採用した場合に、信号特性の向上
やノイズの低減を確実に図ることができる。
As described above, also in the present embodiment, in the electro-optical panel 30, the electro-optical device 100, and the electronic apparatus 1000 according to the present embodiment, the first signal lines 11e to 11e on the element substrate 10 (electro-optical device substrate).
1h and second signal lines 11a to 11d having a wider width than the first signal lines 11e to 11h are formed. Therefore, the second signal lines 11a to 11d having a large width can be used for high-speed serial transfer. Therefore, when high-speed serial transfer is employed, signal characteristics can be improved and noise can be reliably reduced.

[実施の形態3]
図6は、本発明の実施の形態3に係る電気光学パネル30、電気光学装置100および
電子機器1000において、素子基板10上に形成した配線などの平面的な構成を示す説
明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通の機
能を担う部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 3]
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a planar configuration of wirings and the like formed on the element substrate 10 in the electro-optical panel 30, the electro-optical device 100, and the electronic device 1000 according to the third embodiment of the present invention. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, portions having common functions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本形態の電気光学装置100および電子機器1000においても、実施の形態1と同様
、高速シリアル転送を採用した場合の信号特性の向上やノイズの低減という面から、図3
および図6に示す構成が採用されている。
Also in the electro-optical device 100 and the electronic apparatus 1000 according to the present embodiment, in the same manner as in the first embodiment, in terms of improving signal characteristics and reducing noise when high-speed serial transfer is employed, FIG.
The configuration shown in FIG. 6 is adopted.

図3および図6に示すように、まず、素子基板10には、実施の形態1と同様、液晶装
置コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介してライト信号WR、リード信
号RD、リセット信号RS、チップセレクト信号CSなどが供給される第1信号線11e
〜11hが形成されており、かかる第1信号線11e〜11hは、第1インターフェース
回路660に電気的に接続されている。また、素子基板10には、実施の形態1と同様、
液晶装置コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介して差動クロック信号C
KP、CKMおよび差動データ信号DP、DMが供給される第2信号線11a〜11dが
形成されており、かかる第2信号線11a〜11dは、第2インターフェース回路670
に電気的に接続されている。さらに、素子基板10には、実施の形態1と同様、液晶装置
コントローラ300からフレキシブル配線基板70を介してグランド電位GNDおよび駆
動電位Vdが供給される定電位線11i〜11kが形成されている。
As shown in FIGS. 3 and 6, first, the element substrate 10 is provided with the write signal WR, the read signal RD, the reset signal RS, and the chip from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring board 70 as in the first embodiment. First signal line 11e to which a select signal CS and the like are supplied
... 11 h are formed, and the first signal lines 11 e to 11 h are electrically connected to the first interface circuit 660. Further, in the element substrate 10, as in the first embodiment,
Differential clock signal C from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring board 70
Second signal lines 11a to 11d to which KP and CKM and differential data signals DP and DM are supplied are formed. The second signal lines 11a to 11d are connected to the second interface circuit 670.
Is electrically connected. Further, as in the first embodiment, constant potential lines 11i to 11k to which the ground potential GND and the driving potential Vd are supplied from the liquid crystal device controller 300 via the flexible wiring substrate 70 are formed on the element substrate 10.

このように構成した電気光学パネル30において、第2信号線11a〜11dおよび定
電位線11i〜11kの幅寸法はW1であるのに対して、第2信号線11a〜11dの幅
寸法はW2であり、幅寸法W1、W2は以下
W1<W2
の関係に設定されている。
In the electro-optical panel 30 configured as described above, the width of the second signal lines 11a to 11d and the constant potential lines 11i to 11k is W1, whereas the width of the second signal lines 11a to 11d is W2. Yes, width dimensions W1 and W2 are below W1 <W2
The relationship is set.

本形態において、第1パッド12e〜12hは、第1信号線11e〜11hと同一の幅
寸法W1であり、第3パッド12i〜12kは、定電位線11i〜11kと同一の幅寸法
W1である。これに対して、第2信号線11aは、2つの第2パッド12a1、12a2
に跨るように形成され、第2信号線11bは、2つの第2パッド12b1、12b2に跨
るように形成されている。また、第2信号線11cは、2つの第2パッド12c1、12
c2に跨るように形成され、第2信号線11dは、2つの第2パッド12d1、12d2
に跨るように形成されている。ここで、第1パッド12e〜12h、第2パッド12a1
、12a2、第2パッド12b1、12b2、第2パッド12c1、12c2、第2パッ
ド12d1、12d2、および第3パッド12i〜12kは等しい幅寸法をもって等ピッ
チに形成されている。
In this embodiment, the first pads 12e to 12h have the same width dimension W1 as the first signal lines 11e to 11h, and the third pads 12i to 12k have the same width dimension W1 as the constant potential lines 11i to 11k. . On the other hand, the second signal line 11a includes two second pads 12a1 and 12a2.
The second signal line 11b is formed to straddle the two second pads 12b1 and 12b2. In addition, the second signal line 11c includes two second pads 12c1 and 12c.
The second signal line 11d is formed so as to straddle c2, and the two second pads 12d1, 12d2
It is formed to straddle. Here, the first pads 12e to 12h and the second pads 12a1.
, 12a2, second pads 12b1, 12b2, second pads 12c1, 12c2, second pads 12d1, 12d2, and third pads 12i-12k are formed at equal pitches with equal width dimensions.

また、パッド13e〜13hは、第1信号線11e〜11hと同一の幅寸法W1であり
、パッド13i〜13kは、定電位線11i〜11kと同一の幅寸法W1である。これに
対して、第2信号線11aは、2つのパッド13a1、13a2に跨るように形成され、
第2信号線11bは、2つのパッド13b1、13b2に跨るように形成されている。ま
た、第2信号線11cは、2つのパッド13c1、13c2に跨るように形成され、第2
信号線11dは、2つのパッド13d1、13d2に跨るように形成されている。ここで
、パッド13a〜13kは等しい幅寸法をもって等ピッチに形成されている。
The pads 13e to 13h have the same width dimension W1 as the first signal lines 11e to 11h, and the pads 13i to 13k have the same width dimension W1 as the constant potential lines 11i to 11k. On the other hand, the second signal line 11a is formed so as to straddle the two pads 13a1 and 13a2.
The second signal line 11b is formed so as to straddle the two pads 13b1 and 13b2. The second signal line 11c is formed so as to straddle the two pads 13c1 and 13c2,
The signal line 11d is formed so as to straddle the two pads 13d1 and 13d2. Here, the pads 13a to 13k are formed at equal pitches with equal width dimensions.

このように本形態でも、本形態の電気光学パネル30、電気光学装置100および電子
機器1000では、素子基板10(電気光学装置用基板)上には、第1信号線11e〜1
1hと、この第1信号線11e〜11hよりも広い幅寸法の第2信号線11a〜11dと
が形成されている。このため、幅寸法の広い第2信号線11a〜11dを高速シリアル転
送に用いることができる。それ故、高速シリアル転送を採用した場合に、信号特性の向上
やノイズの低減を確実に図ることができる。
As described above, also in the present embodiment, in the electro-optical panel 30, the electro-optical device 100, and the electronic apparatus 1000 according to the present embodiment, the first signal lines 11e to 11e on the element substrate 10 (electro-optical device substrate).
1h and second signal lines 11a to 11d having a wider width than the first signal lines 11e to 11h are formed. Therefore, the second signal lines 11a to 11d having a large width can be used for high-speed serial transfer. Therefore, when high-speed serial transfer is employed, signal characteristics can be improved and noise can be reliably reduced.

[その他の構成]
上記実施形態では、幅寸法の広い第2信号線11a〜11dについては高速シリアル転
送に用い、幅寸法の狭い第1信号線11e〜11hについてはパラレル転送に用いたが、
幅寸法の狭い第1信号線11e〜11hについては第2信号線11a〜11dに比して転
送速度が遅いシリアル転送に用いてもよい。また、上記実施形態では、画像データおよび
クロックの転送に高速シリアル転送を用いたが、各種コマンドの転送に高速シリアル転送
を用いた場合に本発明を適用してもよい。
[Other configurations]
In the above embodiment, the second signal lines 11a to 11d having a large width are used for high-speed serial transfer, and the first signal lines 11e to 11h having a small width are used for parallel transfer.
The first signal lines 11e to 11h having a narrow width may be used for serial transfer having a lower transfer speed than the second signal lines 11a to 11d. In the above embodiment, high-speed serial transfer is used for transferring image data and clocks. However, the present invention may be applied when high-speed serial transfer is used for transferring various commands.

上記実施形態では、電気光学装置100として、液晶装置を例示したが、有機エレクト
ロルミネッセンス装置やプラズマ表示装置に本発明を適用してもよい。
In the above embodiment, a liquid crystal device is exemplified as the electro-optical device 100, but the present invention may be applied to an organic electroluminescence device or a plasma display device.

[電子機器への搭載例]
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置100を適用した電子機器について説明す
る。図7(a)に、電気光学装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの
構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての電気光学装置1
00と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボ
ード2002が設けられている。図7(b)に、電気光学装置100を備えた携帯電話機
の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン
3002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。スクロールボタン
3002を操作することによって、電気光学装置100に表示される画面がスクロールさ
れる。図7(c)に、電気光学装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal D
igital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン400
1及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える
。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電
気光学装置100に表示される。
[Example of mounting on electronic devices]
Next, an electronic apparatus to which the electro-optical device 100 according to the above-described embodiment is applied will be described. FIG. 7A shows a configuration of a mobile personal computer including the electro-optical device 100. The personal computer 2000 is an electro-optical device 1 as a display unit.
00 and main body 2010. The main body 2010 is provided with a power switch 2001 and a keyboard 2002. FIG. 7B shows a configuration of a mobile phone provided with the electro-optical device 100. A cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the electro-optical device 100 as a display unit. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the electro-optical device 100 is scrolled. FIG. 7C shows a portable information terminal (PDA: Personal D) to which the electro-optical device 100 is applied.
igital Assistants). The information portable terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 400.
1 and a power switch 4002, and the electro-optical device 100 as a display unit. When the power switch 4002 is operated, various types of information such as an address book and a schedule book are displayed on the electro-optical device 100.

なお、電気光学装置100が適用される電子機器としては、図7に示すものの他、デジ
タルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコ
ーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話、POS端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。そ
して、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置100が適用可能で
ある。
As an electronic apparatus to which the electro-optical device 100 is applied, in addition to those shown in FIG. 7, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, Electronic devices such as a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a bank terminal are included. The electro-optical device 100 described above can be applied as a display unit of these various electronic devices.

(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置(液晶装置)をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。(A), (b) is the top view which looked at the electro-optical apparatus (liquid crystal device) to which this invention is applied from the opposite substrate side with each component formed on it, and its HH 'cross section FIG. 本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the electrical structure of the electro-optical apparatus to which this invention is applied. 本発明を適用した電気光学装置および電子機器において、高速シリアル転送のための構成などを示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a configuration for high-speed serial transfer in an electro-optical device and an electronic apparatus to which the present invention is applied. 本発明の実施の形態1に係る電気光学パネル、電気光学装置および電子機器において、素子基板上に形成した配線などの平面的な構成を示す説明図である。In the electro-optical panel, the electro-optical device, and the electronic apparatus according to the first embodiment of the present invention, it is an explanatory diagram illustrating a planar configuration such as wiring formed on an element substrate. FIG. 本発明の実施の形態2に係る電気光学パネル、電気光学装置および電子機器において、素子基板上に形成した配線などの平面的な構成を示す説明図である。In the electro-optical panel, the electro-optical device, and the electronic device according to the second embodiment of the present invention, it is an explanatory diagram showing a planar configuration such as wiring formed on the element substrate. 本発明の実施の形態3に係る電気光学パネル、電気光学装置および電子機器において、素子基板上に形成した配線などの平面的な構成を示す説明図である。In the electro-optical panel, the electro-optical device, and the electronic device according to the third embodiment of the present invention, it is an explanatory diagram showing a planar configuration such as wiring formed on an element substrate. 本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。It is explanatory drawing of the electronic device using the electro-optical apparatus which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10・・素子基板(電気光学装置用基板)、11・・配線群、11a〜11d・・第2信
号線、11e〜11h・・第1信号線、11i〜11k・・定電位線、11x、11y・
・差動信号線対、12a〜12d・・第2パッド、12e〜12h・・第1パッド、12
i〜12k・・第3パッド、20・・対向基板、30・・電気光学パネル、60・・集積
回路装置、70・・フレキシブル配線基板(配線基板)、100・・電気光学装置、10
00・・電子機器、660・・第1インターフェース回路、670・・第2インターフェ
ース回路
10 .... Element substrate (electro-optical device substrate), 11 .... Wiring group, 11a to 11d ..., second signal line, 11e to 11h ..., first signal line, 11i to 11k ..., constant potential line, 11x, 11y
Differential signal line pairs, 12a to 12d, second pad, 12e to 12h, first pad, 12
i to 12k ··· Third pad, 20 · · Opposing substrate, 30 · · Electro-optical panel, 60 · · Integrated circuit device, 70 · · Flexible wiring substrate (wiring substrate), 100 · · Electro-optical device, 10
00..Electronic equipment, 660..First interface circuit, 670..Second interface circuit

Claims (6)

複数の画素が配列された画素配列領域を備えた電気光学装置用基板と、
当該電気光学装置用基板の端部に設けられた第1パッドと、
前記電気光学装置用基板に設けられ、前記第1パッドから前記画素配列領域が位置する
側に向けて延在する第1信号線と、
前記電気光学装置用基板の端部に設けられた第2パッドと、
前記電気光学装置用基板に設けられ、前記第1信号線よりも広い幅寸法をもって前記第
2パッドから前記画素配列領域が位置する側に向けて延在する第2信号線と、
を有し、
前記第2信号線は、シリアル転送用の信号線であり、
前記第1信号線は、前記第2信号線に比して転送速度が遅いシリアル転送用の信号線、
あるいはパラレル転送用の信号線であることを特徴とする電気光学パネル。
An electro-optical device substrate including a pixel array region in which a plurality of pixels are arrayed;
A first pad provided at an end of the electro-optical device substrate;
A first signal line provided on the electro-optical device substrate and extending from the first pad toward a side where the pixel array region is located;
A second pad provided at an end of the electro-optical device substrate;
A second signal line provided on the electro-optical device substrate and extending from the second pad toward the side where the pixel array region is located with a width that is wider than the first signal line;
Have
The second signal line is a signal line for serial transfer,
The first signal line is a serial transfer signal line whose transfer speed is lower than that of the second signal line,
Alternatively, the electro-optical panel is a signal line for parallel transfer.
前記第2信号線は、高速シリアル転送を行なう差動信号線を含み、
当該差動信号線の1本当たりの幅寸法が前記第1信号線より幅広であることを特徴とす
る請求項1に記載の電気光学パネル。
The second signal line includes a differential signal line that performs high-speed serial transfer,
2. The electro-optical panel according to claim 1, wherein the width of each differential signal line is wider than that of the first signal line.
前記第2パッドは、前記第1パッドよりも幅寸法が広い導電パターンからなることを特
徴とする請求項1または2に記載の電気光学パネル。
The electro-optical panel according to claim 1, wherein the second pad is formed of a conductive pattern having a width that is wider than that of the first pad.
前記第2パッドは、前記第1パッドと幅寸法が等しい複数の導電パターンからなること
を特徴とする請求項1または2に記載の電気光学パネル。
The electro-optical panel according to claim 1, wherein the second pad includes a plurality of conductive patterns having the same width as the first pad.
請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学パネルを備えた電気光学装置であって、
前記画素配列領域内から延在する信号線の端部に接続する端子、前記第1信号線におい
て前記画素配列領域側に位置する端部に接続する端子、および前記第2信号線において前
記画素配列領域側に位置する端部に接続する端子を備えた集積回路装置と、
前記第1パッドに接続する端子、および前記第2パッドに接続する端子を備えた配線基
板と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device comprising the electro-optical panel according to claim 1,
A terminal connected to an end of a signal line extending from within the pixel array region, a terminal connected to an end located on the pixel array region side in the first signal line, and the pixel array in the second signal line An integrated circuit device having a terminal connected to an end located on the region side;
A wiring board comprising a terminal connected to the first pad and a terminal connected to the second pad;
An electro-optical device comprising:
請求項5に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2010143489A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 シャープ株式会社 Display drive circuit and substrate module provided with same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010143489A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 シャープ株式会社 Display drive circuit and substrate module provided with same
JP5307240B2 (en) * 2009-06-10 2013-10-02 シャープ株式会社 Display drive circuit and substrate module including the same
US9183805B2 (en) 2009-06-10 2015-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display driver circuit and board module including same

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