JP2010117404A - Method for correcting pattern of photomask and method for manufacturing photomask, method for manufacturing semiconductor device, pattern correction device and program - Google Patents
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Description
本発明は、フォトマスクのパターンに対して光近接効果の補正を行うフォトマスクのパターン補正方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、パターン補正装置、及びプログラムに関する。 The present invention relates to a photomask pattern correction method, a semiconductor device manufacturing method, a photomask manufacturing method, a pattern correction device, and a program for correcting an optical proximity effect on a photomask pattern.
近年は半導体装置の微細化が進んでいるため、フォトマスクのパターンに対して光近接効果補正(Optical Proximity Effect Correction:以下OPCと記載)を行う必要がある。OPCの手法として、ルールベースOPCとモデルベースOPCがある。これらのうちモデルベースOPCは、複数のパラメータを組み合わせた多項式で光近接効果をモデル化し、このモデルを用いてOPCを行うものである。 In recent years, since semiconductor devices have been miniaturized, it is necessary to perform optical proximity effect correction (hereinafter referred to as OPC) on a photomask pattern. There are rule-based OPC and model-based OPC as OPC methods. Among these, model-based OPC is a method in which the optical proximity effect is modeled by a polynomial in which a plurality of parameters are combined, and OPC is performed using this model.
特許文献1には、ルールベースOPCとモデルベースOPCを組み合わせてOPCを行うことが開示されている。 Patent Document 1 discloses performing OPC by combining rule-based OPC and model-based OPC.
特許文献2には、第1の補正精度のモデルベースOPCによってマスクパターンの補正を行った後、第1の補正精度よりも厳密な第2の補正精度のモデルベースOPCでマスクパターンの補正を行うことが開示されている。この文献において、第1の補正精度のモデルベースOPCと、第2の補正制度のモデルベースOPCは、多項式そのものが異なっている。
モデルベースOPCにおいては、パラメータの値を変えることにより、一回の補正処理における補正量を調節することができる。しかし、パラメータの値を調節しても、一回の補正処理で光近接効果を十分に補正できることは少なく、通常は補正処理を複数回行う必要がある。一方で、補正処理の回数が増大すると、処理時間が増大し、OPCに必要な労力が増大してしまう。 In the model-based OPC, the correction amount in one correction process can be adjusted by changing the parameter value. However, even if the parameter value is adjusted, it is rare that the optical proximity effect can be sufficiently corrected by one correction process, and it is usually necessary to perform the correction process a plurality of times. On the other hand, when the number of correction processes increases, the processing time increases, and the labor required for OPC increases.
本発明によれば、フォトマスクの設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクのパターン補正方法が提供される。
According to the present invention, a step of obtaining design data indicating a photomask design pattern;
Generating first corrected data by performing at least one first optical proximity correction on the design data according to a correction model having a first parameter;
By performing the second optical proximity effect correction on the first corrected data according to the correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, an actual photomask is actually used. Generating second corrected data indicating the pattern of:
With
The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction,
Before the step of generating the first corrected data,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. The process of generating the correction amount data indicating is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of the test data,
The process of generating the necessary correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency and the value of the first parameter, which is the correction frequency until the image of the test pattern is corrected to a required size, For each data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data is performed using the necessary correction number data Using
A graph indicating the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the selected necessary correction number is a minimum value in the graph is expressed as the first light. There is provided a photomask pattern correction method including a step of setting the value of the first parameter in proximity effect correction.
本発明によれば、相対的に補正量が多い第1の光近接効果補正を行った後、相対的に補正量が少ない第2の光近接効果補正を行っている。このため、第2の光近接効果補正を複数回行って光近接効果補正を行う場合と比較して、補正回数を少なくすることができる。 According to the present invention, after performing the first optical proximity effect correction with a relatively large correction amount, the second optical proximity effect correction with a relatively small correction amount is performed. For this reason, the number of corrections can be reduced as compared with the case where the second optical proximity effect correction is performed a plurality of times to perform the optical proximity effect correction.
また、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値は、以下のようにして定められている。まず、第1パラメータの値ごとに、最も必要補正回数が多いテストデータを選択し、選択したテストデータにおける必要補正回数を選ぶ。この処理によって、複数のテストデータの像のすべてを適切な大きさにするまでに必要な補正回数を、第1パラメータの値ごとに定めることができる。その後、定められた補正回数が最も少ない第1パラメータを、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値にする。このため、第1の光近接効果補正における補正回数を少なくすることができる。 Further, the value of the first parameter in the first optical proximity effect correction is determined as follows. First, for each value of the first parameter, the test data having the largest necessary number of corrections is selected, and the necessary number of corrections in the selected test data is selected. With this process, the number of corrections required until all the images of the plurality of test data are appropriately sized can be determined for each value of the first parameter. Thereafter, the first parameter with the smallest number of corrections is set to the value of the first parameter in the first optical proximity effect correction. For this reason, the frequency | count of correction | amendment in 1st optical proximity effect correction | amendment can be decreased.
従って、光近接効果補正における補正回数を少なくすることができる。 Accordingly, the number of corrections in the optical proximity effect correction can be reduced.
本発明によれば、感光膜を形成する工程と、
フォトマスクを用いて前記感光膜を露光する工程と、
露光後の前記感光膜を現像する工程と、
を備え、
前記フォトマスクが有する実パターンは、
フォトマスクのパターンを設計して設計データを生成する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、前記実パターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を経て形成され、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記フォトマスクが有する実パターンを形成するときに、前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
According to the present invention, a step of forming a photosensitive film;
Exposing the photosensitive film using a photomask;
Developing the photosensitive film after exposure;
With
The actual pattern of the photomask is
A process of designing a photomask pattern to generate design data;
Generating first corrected data by performing at least one first optical proximity correction on the design data according to a correction model having a first parameter;
By performing second optical proximity effect correction on the first post-correction data according to the correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, the actual pattern is obtained. Generating second corrected data shown;
Formed through
The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction,
Before forming the first post-correction data when forming an actual pattern of the photomask,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. The process of generating the correction amount data indicating is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of test data,
The process of generating the required correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency, which is the correction frequency until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter. For each test data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data, Using data,
A graph indicating the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the selected necessary correction number is a minimum value in the graph is expressed as the first light. A method for manufacturing a semiconductor device is provided, which includes a step of setting the value of the first parameter in proximity effect correction.
本発明によれば、 フォトマスクの設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
前記第2補正後データに従ってフォトマスクを製造する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクの製造方法が提供される。
According to the present invention, a step of obtaining design data indicating a photomask design pattern;
Generating first corrected data by performing at least one first optical proximity correction on the design data according to a correction model having a first parameter;
By performing the second optical proximity effect correction on the first corrected data according to the correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, an actual photomask is actually used. Generating second corrected data indicating the pattern of:
Producing a photomask according to the second post-correction data;
With
The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction,
Before the step of generating the first corrected data,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. The process of generating the correction amount data indicating is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of the test data,
The process of generating the necessary correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency and the value of the first parameter, which is the correction frequency until the image of the test pattern is corrected to a required size, For each data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data is performed using the necessary correction number data Using
A graph indicating the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the selected necessary correction number is a minimum value in the graph is expressed as the first light. There is provided a photomask manufacturing method including a step of setting the value of the first parameter in proximity effect correction.
本発明によれば、フォトマスクのパターンに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って光近接効果補正を行うパターン補正装置であって、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う補正量算出部と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う必要補正回数算出部と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にするパラメータ算出部と、
を備えるパターン補正装置が提供される。
According to the present invention, there is provided a pattern correction apparatus that performs optical proximity effect correction on a photomask pattern according to a correction model having a first parameter,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. A correction amount calculation unit that performs a process of generating correction amount data indicating the above while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of test data;
The process of generating the required correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency, which is the correction frequency until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter. A required correction number calculation unit for each test data; and
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data, Data is used to generate a graph indicating the dependence of the selected required number of corrections on the first parameter, and the value of the first parameter at which the selected required number of corrections is minimized in the graph A parameter calculation unit for setting the value of the first parameter in the optical proximity correction,
A pattern correction apparatus is provided.
本発明によれば、フォトマスクのパターンに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って光近接効果補正を行うためのプログラムであって、コンピュータに、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う機能と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う機能と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする機能と、
を実現させるプログラムが提供される。
According to the present invention, a program for performing optical proximity effect correction on a photomask pattern according to a correction model having a first parameter, the computer comprising:
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. A function of performing the process of generating correction amount data indicating the above while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of test data;
The process of generating the required correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency, which is the correction frequency until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter. Functions to be performed on each test data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data, Data is used to generate a graph indicating the dependence of the selected required number of corrections on the first parameter, and the value of the first parameter at which the selected required number of corrections is minimized in the graph A function of setting the value of the first parameter in the optical proximity correction,
A program for realizing the above is provided.
本発明によれば、光近接効果補正における補正回数を少なくすることができる。 According to the present invention, the number of corrections in optical proximity effect correction can be reduced.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられるフォトマスクのパターン補正方法の要部を示すフローチャートである。図2は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図3は、フォトマスクのパターン補正に用いられるパターン補正装置の構成を示すブロック図である。 FIG. 1 is a flowchart showing a main part of a photomask pattern correction method used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 2 is a flowchart showing the method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment. FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a pattern correction apparatus used for photomask pattern correction.
図2に示す半導体装置の製造方法は、感光膜を形成する工程(ステップS700)と、フォトマスクを用いて感光膜を露光する工程(ステップS702)と、露光後の感光膜を現像する工程(ステップS704)とを備える。そして、フォトマスクが有する実パターンは、フォトマスクのパターンを設計して設計データを生成する工程(ステップS300)と、光近接効果の補正を行う工程(ステップS500)とを経て形成される。光近接効果の補正を行う工程は、設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、第1補正後データに対して、第1の光近接効果補正とは第1パラメータの値を異ならせた補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、実パターンを示す第2補正後データを生成する工程とを有している。第2の光近接効果補正は、第1の光近接効果補正より補正量が少ない。 The semiconductor device manufacturing method shown in FIG. 2 includes a step of forming a photosensitive film (step S700), a step of exposing the photosensitive film using a photomask (step S702), and a step of developing the exposed photosensitive film (step S702). Step S704). The actual pattern of the photomask is formed through a step of designing the photomask pattern to generate design data (step S300) and a step of correcting the optical proximity effect (step S500). The step of correcting the optical proximity effect includes generating the first post-correction data by performing the first optical proximity effect correction at least once on the design data according to the correction model having the first parameter; By performing the second optical proximity effect correction on the first corrected data according to a correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, the second corrected post-correction indicating the actual pattern Generating data. The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction.
フォトマスクが有する実パターンを形成するときに、第1補正後データを生成する工程の前に、以下の処理を行う。まず、テストパターンを示すテストデータを、第1パラメータの値を固定した上で補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後のテストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類のテストデータそれぞれに対して第1パラメータの値を変えつつ行う。そして、テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、複数種類のテストデータそれぞれに対して行う。そして、第1パラメータの値それぞれごとに、テストデータのうち、最も必要補正回数が多いテストデータを選択し、選択されたテストデータの必要補正回数を選ぶ処理を、必要補正回数データを用いて行う。そして、選ばれた必要補正回数の第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて選ばれた必要補正回数が極小値となる第1パラメータの値を、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値にする。 When forming an actual pattern included in the photomask, the following processing is performed before the step of generating the first corrected data. First, by calculating the image while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter, the relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained. The process of generating the correction amount data shown is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of test data. A process for generating necessary correction count data indicating the relationship between the required correction count, which is the correction count until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter is a plurality of types of test. Do this for each piece of data. Then, for each value of the first parameter, the process of selecting the test data having the largest necessary number of corrections among the test data and selecting the necessary number of corrections of the selected test data is performed using the necessary correction number data. . Then, a graph showing the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the necessary correction number selected in the graph is a minimum value is used as the first optical proximity effect correction. The first parameter value at.
以下、詳細に説明する。 Details will be described below.
まず、図3を用いてパターン補正装置の構成について説明する。このパターン補正装置は、フォトマスクの設計パターンを示す設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って光近接効果補正を行うパターン補正装置であり、補正量算出部220、必要補正回数算出部230、及びパラメータ算出部240を備える。補正量算出部220は、テストパターンを示すテストデータを、第1パラメータの値を固定した上で補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後のテストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類のテストデータそれぞれに対して第1パラメータの値を変えつつ行う。必要補正回数算出部230は、テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、複数種類のテストデータそれぞれに対して行う。パラメータ算出部240は、第1パラメータの値それぞれごとに、テストデータのうち、最も必要補正回数が多いテストデータを選択し、選択されたテストデータの必要補正回数を選ぶ処理を、必要補正回数データを用いて行い、選ばれた必要補正回数の第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて選ばれた必要補正回数が極小値となる第1パラメータの値を、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値にする。パラメータ算出部240は、この第1パラメータの値を、パラメータ記憶部250に記憶させる。
First, the configuration of the pattern correction apparatus will be described with reference to FIG. This pattern correction apparatus is a pattern correction apparatus that performs optical proximity effect correction on design data indicating a photomask design pattern according to a correction model having a first parameter, and includes a correction
またパターン補正装置は、入力部100、補正モデル記憶部110、テストパターン設計部200、テストパターン記憶部210、パターン設計部300、パターン記憶部310、及びパターン補正部320を備える。
The pattern correction apparatus includes an
入力部100は、パターン補正装置の操作者が入力した各種情報を取得する。補正モデル記憶部110は、モデルベースOPCに必要な各種情報、たとえばモデルベースOPCに用いられる多項式、及びこの多項式に用いられるパラメータのデフォルトの値を記憶している。この多項式に用いられるパラメータには、例えばコヒーレンシ・ファクタ(照明σ)、露光波長パラメータ、及び開口数(NA)が含まれる。本実施形態において、上記した第1パラメータとしては、例えばコヒーレンシ・ファクタを用いることができるが、露光波長パラメータ又は開口数を第1パラメータとして用いても良い。なお第1パラメータ以外のパラメータは、本実施形態に示した処理を行う間は全て固定されている。
The
テストパターン設計部200は、操作者が入力部100に入力した情報に従って、複数種類のテストパターンを生成し、かつ生成された複数種類のテストパターンそれぞれを示す複数種類のテストデータを生成する。テストパターン記憶部210は、テストパターン設計部200が生成した複数種類のテストデータを記憶する。
The test
パターン設計部300は、操作者が入力部100に入力した情報に従って、フォトマスクのパターンの設計パターンを生成し、かつ生成された設計パターンを示す設計データを生成する。パターン記憶部310は、パターン設計部300が生成した設計データを記憶する。
The
パターン補正部320は、設計データに対してモデルベースOPCを行うことにより、第1補正後データを生成し、かつ第1補正後データに対してモデルベースOPCを行うことにより第2補正後データを生成する。このとき、パターン補正部320は、補正モデル記憶部110が記憶している各種情報、及びパラメータ記憶部250が記憶している第1パラメータの値を読み出して用いる。
The
なお、図3に示したパターン補正装置の各構成要素は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。パターン補正装置の各構成要素は、任意のコンピュータのCPU、メモリ、メモリにロードされた本図の構成要素を実現するプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶ユニットを中心に、ハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例があることは、当業者には理解されるところである。 Each component of the pattern correction apparatus shown in FIG. 3 is not a hardware unit configuration but a functional unit block. Each component of the pattern correction apparatus includes a CPU and a memory of an arbitrary computer, a program that realizes the components shown in the figure loaded in the memory, and a storage unit such as a hard disk that stores the program. Realized by any combination of wear. It will be understood by those skilled in the art that there are various modifications to the implementation method and apparatus.
図4の各図は、テストパターンの形状の例を示す平面図である。図4(a)に示す例においてテストパターンは、孤立パターン20を一つ有する単独パターン10であり、図4(b)に示す例においてテストパターンは、孤立パターン20を複数直線に沿って配置した直線パターン12であり、図4(c)に示す例においてテストパターンは、孤立パターン20を複数等間隔で2次元的に配置した密集パターン14である。密集パターン14における孤立パターン20は、例えばマトリクス状に配置される。単独パターン10、直線パターン12、及び密集パターン14それぞれにおいて、孤立パターン20は正方形である。そして、正方形の辺の長さは、フォトマスクの設計パターンにおける最小デザインルールに定められた配線幅の最小値である。また直線パターン12及び密集パターン14における正方形の配置間隔は、最小デザインルールに定められた配線の配置間隔の最小値である。
Each figure in FIG. 4 is a plan view showing an example of the shape of the test pattern. In the example shown in FIG. 4A, the test pattern is the
次に、図2を用いて、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず図2に示したパターン補正装置を用いて、モデルベースOPCにおける補正モデルの第1パラメータの値を設定する(ステップS100)。次いで、パターン補正装置のパターン設計部300を用いて、フォトマスクの設計パターンを示す設計データを生成し、パターン記憶部310に記憶させる(ステップS300)。次いで、パターン補正装置を用いて設計データに対して光近接効果の補正を行い、第1補正後データを生成し、さらに第1補正後データに対して光近接効果の補正を行うことにより、フォトマスクに実際に用いられるパターンを示す第2補正後データを生成する(ステップS500)。パターン補正装置は、第1補正後データを生成するとき、ステップS100で設定した第1パラメータの値を用いる。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. First, using the pattern correction apparatus shown in FIG. 2, the value of the first parameter of the correction model in the model-based OPC is set (step S100). Next, using the
その後、第2補正後データを用いてフォトマスクを形成する(ステップS600)。その後、半導体基板上に感光膜を形成し(ステップS700)、この感光膜を、ステップS600で形成したフォトマスクを用いて露光し(ステップS702)、さらに感光膜を現像する(ステップS704)。 Thereafter, a photomask is formed using the second corrected data (step S600). Thereafter, a photosensitive film is formed on the semiconductor substrate (step S700), the photosensitive film is exposed using the photomask formed in step S600 (step S702), and the photosensitive film is further developed (step S704).
次に、図1を用いて、図2におけるステップS100の詳細を説明する。ステップS100に示した処理を行う前に、操作者は、パターン補正装置のテストパターン設計部200に、予めテストパターンである独立パターン10、直線パターン12、及び密集パターン14を生成させておく。
Next, details of step S100 in FIG. 2 will be described with reference to FIG. Before performing the processing shown in step S100, the operator causes the test
まず操作者は、パターン補正装置の入力部100に、第1パラメータの値を設定する旨の入力を行う。すると、パターン補正装置の補正量算出部220は、テストパターン記憶部210から独立パターン10、直線パターン12、及び密集パターン14それぞれを示すテストデータを読み出し、かつ、補正モデル記憶部110からモデルベースOPCに必要な各種情報を読み出す。
First, the operator inputs to the
次いで補正量算出部220は、一つのテストデータを選択する(ステップS110)。次いで補正量算出部220は、モデルベースOPCの補正モデルに含まれるパラメータの一つである第1パラメータの値をデフォルトの値に設定する。次いで補正量算出部220は、選択されたテストデータを補正モデルで補正し、テストパターンの各エッジの補正量を算出する。ここで補正対象となるエッジは、例えばテストパターンそれぞれごとに予め定められている。そして補正量算出部220は、算出した補正量に従って、テストパターンの各エッジを移動させ、補正後のテストデータを生成する(ステップS120)。次いで補正量算出部220は、補正後のテストデータを用いて、このテストデータが示すパターンで露光を行ったときの像の形状を計算し、像における各エッジの位置すなわち像の大きさを算出する。そして補正量算出部220は、算出した像の大きさを補正回数に対応付けて記憶する(ステップS130)。
Next, the correction
補正量算出部220は、ステップS120及びステップS130に示した処理を、必要な回数繰り返す(ステップS140)。そして補正量算出部220は、第1パラメータの値を少しずつずらしながら(ステップS160)、第1パラメータの値が基準値になるまで(ステップS150)、ステップS120〜ステップS140に示した処理を繰り返す。
The correction
補正量算出部220は、ステップS120〜ステップS160に示した処理を、テストパターンを変更しつつ(ステップS110)繰り返し行う(ステップS170)。このようにして、全てのテストパターンに対して、ステップS120〜ステップS160に示した処理が行われる。
The correction
そして補正量算出部220は、テストデータそれぞれごと、かつ第1パラメータの値それぞれごとに、補正回数と補正後のテストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する(ステップS180)。補正量データは、例えば後述する図5〜図7に示すように、補正回数からテストパターンの像の大きさを算出するための関数である。この関数は、各テストデータにつき複数(すなわち第1パラメータの値ごとに)生成されている。
Then, the correction
次いで必要補正回数算出部230は、補正量算出部220が生成した補正量データそれぞれごとに、テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数を算出する。次いで必要補正回数算出部230は、必要補正回数と、第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを、テストパターン別に生成する(ステップS190)。必要補正回数データは、例えば必要補正回数の第1パラメータ依存を示す関数である。
Next, the necessary correction
図5は、独立パターン10における補正量データとしての関数を示すグラフであり、図6は、直線パターン12における補正量データとしての関数を示すグラフであり、図7は、密集パターン14における補正量データとしての関数を示すグラフである。各グラフは、縦軸を像の大きさとして、横軸を補正回数としており、また、第1のパラメータの値としてα、β、γの3種類を用いた場合を例示している。これらのグラフからわかるように、第1のパラメータの値を変えることにより、像が必要な大きさになるまでに必要な補正回数が異なっている。そして、必要な大きさを示す横線と補正量データとしての関数との交点が、必要補正回数となる。
FIG. 5 is a graph showing a function as correction amount data in the
なお図6においては、直線パターン12の中央に位置する孤立パターン20に対応する像の大きさを縦軸にとっている。具体的には、孤立パターン20の配置が示す直線に沿う方向(図4(b)のX方向)の幅と、孤立パターン20の配置が示す直線に直交する方向(図4(b)のY方向)の幅それぞれを示している。
In FIG. 6, the vertical axis represents the size of the image corresponding to the
また図7においては、密集パターン14の中央に位置する孤立パターン20に対応する像の大きさを縦軸にとっている。
In FIG. 7, the vertical axis represents the size of the image corresponding to the
図1に戻る。次いでパラメータ算出部240は、第1パラメータの値それぞれごとに、テストデータのうち、最も必要補正回数が多いテストデータを選択し、選択されたテストデータの必要補正回数を選ぶ処理を、必要補正回数データを用いて行う。そしてパラメータ算出部240は、選ばれた必要補正回数の第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、生成したグラフにおいて選ばれた必要補正回数が極小値となる第1パラメータの値を、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値をして決定し、決定した第1パラメータの値をパラメータ記憶部250に記憶させる(ステップS200)。
Returning to FIG. Next, the
図8は、ステップS190においてパラメータ算出部240が行う処理を説明する図である。点線は、独立パターン10、直線パターン12、及び密集パターン14それぞれにおける必要補正回数データとしての関数である。パラメータ算出部240が行う処理のうち、「第1パラメータの値それぞれごとに、テストデータのうち、最も必要補正回数が多いテストデータを選択し、選択されたテストデータの必要補正回数を選ぶ」処理とは、独立パターン10、直線パターン12、及び密集パターン14それぞれにおける必要補正回数データとしての関数のうち、最も必要補正回数が上に位置している関数を第1パラメータ別に選ぶ処理(図中実線を引く処理)である。なお、この処理は、選ばれた必要補正回数の第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成する処理も兼ねている。そして、パラメータ算出部240が行う処理のうち、「生成したグラフにおいて選ばれた必要補正回数が極小値となる第1パラメータの値を、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値をして決定する」処理とは、図中の実線で示される関数から極小点(例えば点線で示す複数のグラフ相互間の交点のうち最も必要補正回数が大きい点)を選択し、この極小点に対応する第1パラメータの値tを、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値にする処理である。なお、このとき、パラメータ算出部240は、第1パラメータの値tに対応する補正回数sも選択し、パラメータ記憶部250に記憶させる。
FIG. 8 is a diagram illustrating the process performed by the
図9は、図2におけるS500の詳細を示すフローチャートである。まずパターン補正部320は、補正モデル記憶部110からモデルベースOPCに必要な各種情報を読み出し、かつパラメータ記憶部250から第1パラメータの値t及び補正回数sを読み出す。そしてパターン補正部320は、読み出した第1パラメータの値tを、補正モデルにおける第1パラメータの値に設定する(ステップS310)。
FIG. 9 is a flowchart showing details of S500 in FIG. First, the
そしてパターン補正部320は、第1パラメータの値としてtが設定された状態で、補正モデルを用いた第1の光近接効果補正を、s回ほど行う。これにより、第1補正後データが生成される(ステップS320及びステップS330)。そしてパターン補正部320は、第1パラメータの値をt以外の値にして、一回の補正量が第1の光近接効果補正より少なくなるようにする。次いでパターン補正部320は、第1の光近接効果補正と同じ補正モデルを用いて、第1補正後データに対して第2の光近接効果補正を所定回数(例えば1回又は2回)行う(ステップS340)。これにより、フォトマスクに実際に形成されるべき実パターンを示す第2補正後データが生成される。パターン補正部320は、第2補正後データをパターン記憶部310に記憶させる。
Then, the
次に、本実施形態における作用及び効果について説明する。本実施形態では、パターン補正装置のパターン補正部320は、相対的に補正量が多い第1の光近接効果補正を行った後、相対的に補正量が少ない第2の光近接効果補正を行っている。このため、第2の光近接効果補正を複数回行って光近接効果補正を行う場合と比較して、補正回数を少なくすることができる。
Next, functions and effects in the present embodiment will be described. In the present embodiment, the
また、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値は、以下のようにして定められている。まず、補正量算出部220が、補正回数と補正後のテストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、第1パラメータの値を変えつつ複数種類のテストデータに対して行う。
Further, the value of the first parameter in the first optical proximity effect correction is determined as follows. First, the correction
そして必要補正回数算出部230が、第1パラメータの値ごとに、最も必要補正回数が多いテストデータを選択し、選択したテストデータにおける必要補正回数を選ぶ。この処理によって、複数のテストデータの像のすべてを適切な大きさにするまでに必要な補正回数を、第1パラメータの値ごとに定めることができる。その後、パラメータ算出部240が、定められた補正回数が最も少ない第1パラメータを、第1の光近接効果補正における第1パラメータの値にする。このため、第1の光近接効果補正における補正回数を少なくすることができる。
Then, the necessary correction
従って、光近接効果補正における補正回数を少なくすることができる。 Accordingly, the number of corrections in the optical proximity effect correction can be reduced.
また、テストパターンとして、単独パターン10、直線パターン12、及び密集パターン14を用いている。単独パターン10は孤立パターン20を一つ有しており、直線パターン12は孤立パターン20を複数直線状に配置したパターンであり、密集パターン14は孤立パターン20を複数等間隔で2次元的に配置したパターンである。これらのパターンは、フォトマスクのパターンのうちOPCが必要な代表的なパターンを模擬している。従って、必要なテストパターンの数を少なくすることができる。
Moreover, the
また、孤立パターン20の一辺の長さは、フォトマスクの設計パターンにおける最小デザインルールに定められた配線幅の最小値である。また直線パターン12及び密集パターン14における孤立パターン20の配置間隔は、最小デザインルールに定められた配線の配置間隔の最小値である。このため、パラメータ算出部240が算出した第1パラメータの値を適切な値にすることができる。
The length of one side of the
図10は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられるフォトマスクのパターン補正方法の要部を示すフローチャートであり、第1の実施形態における図1に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ステップS120〜ステップS160に示した処理、補正量データの生成処理(ステップS162)、及び必要補正回数データの生成処理(ステップS164)を一貫して行った後に、テストパターンの変更を行う(ステップS170及びステップS110)点を除いて、第1の実施形態と同様である。補正量データの生成処理及び必要補正回数データの生成処理の詳細は、第1の実施形態においてステップS180及びステップS190で示した処理と同様である。 FIG. 10 is a flowchart showing a main part of a photomask pattern correction method used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 in the first embodiment. The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment consistently performs the processing shown in steps S120 to S160, the correction amount data generation processing (step S162), and the necessary correction frequency data generation processing (step S164). After that, it is the same as the first embodiment except that the test pattern is changed (steps S170 and S110). The details of the correction amount data generation process and the necessary correction count data generation process are the same as the processes shown in steps S180 and S190 in the first embodiment.
本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。 Also according to this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
10 単独パターン
12 直線パターン
14 密集パターン
20 孤立パターン
100 入力部
110 補正モデル記憶部
200 テストパターン設計部
210 テストパターン記憶部
220 補正量算出部
230 必要補正回数算出部
240 パラメータ算出部
250 パラメータ記憶部
300 パターン設計部
310 パターン記憶部
320 パターン補正部
10
Claims (9)
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクのパターン補正方法。 Obtaining design data indicating a photomask design pattern;
Generating first corrected data by performing at least one first optical proximity correction on the design data according to a correction model having a first parameter;
By performing the second optical proximity effect correction on the first corrected data according to the correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, an actual photomask is actually used. Generating second corrected data indicating the pattern of:
With
The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction,
Before the step of generating the first corrected data,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. The process of generating the correction amount data indicating is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of the test data,
The process of generating the necessary correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency and the value of the first parameter, which is the correction frequency until the image of the test pattern is corrected to a required size, For each data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data is performed using the necessary correction number data Using
A graph indicating the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the selected necessary correction number is a minimum value in the graph is expressed as the first light. A photomask pattern correction method comprising a step of setting the value of the first parameter in proximity effect correction.
前記補正モデルは、露光波長パラメータ、開口数、コヒーレンシ・ファクタをパラメータとして有しており、
前記第1パラメータは、前記コヒーレンシ・ファクタであるフォトマスクのパターン補正方法。 The photomask pattern correction method according to claim 1,
The correction model has an exposure wavelength parameter, a numerical aperture, and a coherency factor as parameters,
The photomask pattern correction method, wherein the first parameter is the coherency factor.
前記複数種類のテストパターンデータが示す複数種類のテストパターンは、
孤立したパターンを一つ有する単独パターンと、
孤立したパターンを複数直線に沿って配置した直線パターンと、
孤立したパターンを複数等間隔で2次元的に配置した密集パターンと、
を含むフォトマスクのパターン補正方法。 The photomask pattern correction method according to claim 1 or 2,
The plurality of types of test patterns indicated by the plurality of types of test pattern data are:
A single pattern with one isolated pattern;
A linear pattern in which isolated patterns are arranged along multiple straight lines;
A dense pattern in which two or more isolated patterns are arranged two-dimensionally at equal intervals;
Pattern correction method for a photomask including
前記単独パターン、前記直線パターン、及び前記密集パターンそれぞれにおける孤立したパターンは、正方形であるフォトマスクのパターン補正方法。 In the photomask pattern correction method according to claim 3,
The photomask pattern correcting method, wherein the isolated pattern in each of the single pattern, the linear pattern, and the dense pattern is a square.
前記正方形の辺の長さは、前記設計パターンにおける最小デザインルールに定められた配線幅の最小値であり、
前記直線パターン及び前記密集パターンにおける前記正方形の配置間隔は、前記最小デザインルールに定められた配線の配置間隔の最小値であるフォトマスクのパターン補正方法。 In the photomask pattern correction method according to claim 4,
The length of the side of the square is the minimum value of the wiring width defined in the minimum design rule in the design pattern,
The photomask pattern correction method, wherein the square arrangement interval in the straight line pattern and the dense pattern is a minimum value of the wiring arrangement interval determined in the minimum design rule.
フォトマスクを用いて前記感光膜を露光する工程と、
露光後の前記感光膜を現像する工程と、
を備え、
前記フォトマスクが有する実パターンは、
フォトマスクのパターンを設計して設計データを生成する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、前記実パターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を経て形成され、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記フォトマスクが有する実パターンを形成するときに、前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有する半導体装置の製造方法。 Forming a photosensitive film;
Exposing the photosensitive film using a photomask;
Developing the photosensitive film after exposure;
With
The actual pattern of the photomask is
A process of designing a photomask pattern to generate design data;
Generating first corrected data by performing at least one first optical proximity correction on the design data according to a correction model having a first parameter;
By performing second optical proximity effect correction on the first post-correction data according to the correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, the actual pattern is obtained. Generating second corrected data shown;
Formed through
The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction,
Before forming the first post-correction data when forming an actual pattern of the photomask,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. The process of generating the correction amount data indicating is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of the test data,
The process of generating the required correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency, which is the correction frequency until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter. For each test data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data, Using data,
A graph indicating the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the selected necessary correction number is a minimum value in the graph is expressed as the first light. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of setting the value of the first parameter in proximity effect correction.
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
前記第2補正後データに従ってフォトマスクを製造する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクの製造方法。 Obtaining design data indicating a photomask design pattern;
Generating first corrected data by performing at least one first optical proximity correction on the design data according to a correction model having a first parameter;
By performing the second optical proximity effect correction on the first corrected data according to the correction model in which the value of the first parameter is different from the first optical proximity effect correction, an actual photomask is actually used. Generating second corrected data indicating the pattern of:
Producing a photomask according to the second post-correction data;
With
The second optical proximity effect correction has a smaller correction amount than the first optical proximity effect correction,
Before the step of generating the first corrected data,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. The process of generating the correction amount data indicating is performed while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of the test data,
The process of generating the necessary correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency and the value of the first parameter, which is the correction frequency until the image of the test pattern is corrected to a required size, For each data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data is performed using the necessary correction number data Using
A graph indicating the dependency of the selected necessary correction number on the first parameter is generated, and the value of the first parameter at which the selected necessary correction number is a minimum value in the graph is expressed as the first light. A method for manufacturing a photomask, comprising a step of setting the value of the first parameter in proximity effect correction.
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う補正量算出部と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う必要補正回数算出部と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にするパラメータ算出部と、
を備えるパターン補正装置。 A pattern correction device that performs optical proximity correction on a photomask pattern according to a correction model having a first parameter,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. A correction amount calculation unit that performs a process of generating correction amount data indicating the above while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of test data;
The process of generating the required correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency, which is the correction frequency until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter. A required correction number calculation unit for each test data; and
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data, Data is used to generate a graph indicating the dependence of the selected required number of corrections on the first parameter, and the value of the first parameter at which the selected required number of corrections is minimized in the graph A parameter calculation unit for setting the value of the first parameter in the optical proximity correction,
A pattern correction apparatus comprising:
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う機能と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う機能と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする機能と、
を実現させるプログラム。 A program for performing optical proximity effect correction on a photomask pattern according to a correction model having a first parameter,
The relationship between the number of corrections and the image size of the corrected test pattern is obtained by performing image calculation while repeatedly correcting the test data indicating the test pattern according to the correction model while fixing the value of the first parameter. A function of performing the process of generating correction amount data indicating the above while changing the value of the first parameter for each of a plurality of types of test data;
The process of generating the required correction frequency data indicating the relationship between the required correction frequency, which is the correction frequency until the test pattern image is corrected to a required size, and the value of the first parameter. Functions to be performed on each test data,
For each value of the first parameter, a process of selecting the test data having the largest number of necessary corrections out of the test data and selecting the required number of corrections of the selected test data, Data is used to generate a graph indicating the dependence of the selected required number of corrections on the first parameter, and the value of the first parameter at which the selected required number of corrections is minimized in the graph A function of setting the value of the first parameter in the optical proximity correction,
A program that realizes
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