JP2010114514A - Semiconductor integrated circuit having connection detecting function - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は映像信号処理回路を含む半導体集積回路と映像機器との接続を検出する機能を有する半導体集積回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a function of detecting connection between a semiconductor integrated circuit including a video signal processing circuit and video equipment.
デジタルカメラ、カムコーダ、携帯電話など携帯用の電機機器に内蔵された半導体集積回路とTV、DVDプレイヤ等の映像機器本体との接続を検出する接続検出回路として、例えば、特許文献1に記載された接続検出回路が知られている。この接続検出回路は、ビデオ機器本体とその周辺映像機器との接続を検出するものである。
As a connection detection circuit for detecting a connection between a semiconductor integrated circuit built in a portable electrical device such as a digital camera, a camcorder, or a mobile phone and a video device main body such as a TV or a DVD player, it has been described in
図8はこの従来の接続検出回路の構成を示す回路図である。なお、図8では、特許文献1に記載された回路図に対し、説明に必要な構成要素を出願人が適宜追加している。図8において、ビデオ機器本体の信号処理回路201は半導体集積回路235に内蔵されている。映像信号はDCカットコンデンサ202を介して信号処理回路201に入力され、そこで増幅される。この増幅された映像信号は、DCカットコンデンサ136及び終端抵抗205を通過し、コネクタ(ケーブル13)が接続されている場合、周辺映像機器232に入力される。ここで、参照符号210はモニタ用端子を示す。
FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of this conventional connection detection circuit. In FIG. 8, the applicant appropriately adds components necessary for explanation to the circuit diagram described in
図8において、終端抵抗205の入力側の端子の電圧V1及び出力側の端子の電圧V2は、コネクタが接続されているか否かによって、以下のように変化する。
In FIG. 8, the voltage V1 at the input terminal and the voltage V2 at the output terminal of the
コネクタが接続されている場合には、電圧V1及び電圧V2は、バイアス電源234によるバイアス電圧Vsを、抵抗233の抵抗値Rs、抵抗205の抵抗値Rt、及び抵抗206の抵抗値Rrで分割したものになる。具体的には、以下のようになる。
When the connector is connected, the voltage V1 and the voltage V2 are obtained by dividing the bias voltage Vs by the bias power source 234 by the resistance value Rs of the
V1≒Vs×(Rt+Rr)/(Rs+Rt+Rr)
V2≒Vs×Rr/(Rs+Rt+Rr)
コネクタが接続されていない場合には、電圧V1及び電圧V2は互いに等しくなる。
V1 ≒ Vs × (Rt + Rr) / (Rs + Rt + Rr)
V2 ≒ Vs × Rr / (Rs + Rt + Rr)
When the connector is not connected, the voltage V1 and the voltage V2 are equal to each other.
V1=V2
ここで、とRtとRrとは同じ抵抗値(75Ω)であるので、コネクタが接続されている時は、V1=2×V2になる。換言すると、V2=V1/2になる。従って、電圧V2を、電圧V1の2/3の基準電圧と比較すれば、電圧V2が基準電圧を下回るか否かによって、コネクタが接続されているか否かを検出することができる。
V1 = V2
Here, since Rt and Rr have the same resistance value (75Ω), V1 = 2 × V2 when the connector is connected. In other words, V2 = V1 / 2. Therefore, by comparing the voltage V2 with a reference voltage that is 2/3 of the voltage V1, it is possible to detect whether or not the connector is connected depending on whether or not the voltage V2 is lower than the reference voltage.
この従来例においては、電圧V1を、抵抗207と抵抗208とで分割して基準電圧を作成し、これをコンパレータ204の+入力端子に入力している。ここで、抵抗208の抵抗値Reは抵抗207の抵抗値Rdの2倍であるので、基準電圧はV1×2/3である。一方、コンパレータ204の−入力端子には電圧V2が入力されている。これにより、コンパレータ204は、コネクタが接続されているときは、電圧V2(=V1/2)が基準電圧(=V1×2/3)より小さいので正の電圧を出力し、コネクタが接続されていないときは、電圧V2(=V1)が基準電圧(=V1×2/3)より大きいので負の電圧を出力する。これにより、コンパレータ204で、コネクタが接続されているか否かを検出することができる。このような従来例は、電池駆動されるビデオ機器における電力削減機能を実現することができる。
しかしながら、特許文献1に記載されている接続検出回路では、半導体集積回路235側の終端抵抗205の電圧をモニタする必要があるため、モニタ用端子210を設ける必要があった。
However, in the connection detection circuit described in
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、接続検出のための端子を設けることなく、映像信号処理回路を含む半導体集積回路と映像機器との接続を検出することが可能な接続検出機能を有する半導体集積回路を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and can detect a connection between a semiconductor integrated circuit including a video signal processing circuit and a video device without providing a terminal for connection detection. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit having a simple connection detection function.
上記課題を解決するために、本発明の接続検出機能を有する半導体集積回路は、入力される映像信号を処理して出力段から出力する信号処理回路と、前記信号処理回路の出力段から出力された信号処理後の映像信号を外部に出力する出力端子と、前記出力端子に接続されたプルアップ抵抗と、前記映像信号が前記信号処理回路に入力されているか否かを検出する入力信号検出回路と、前記信号処理回路の出力段から出力される電流に応じた電流が出力されるよう構成された模擬出力段と、前記模擬出力段から出力される電流の値を検出する接続電流検出回路と、前記信号処理回路をオン及びオフする制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記入力信号検出回路が、前記映像信号が前記信号処理回路に入力されていないことを検出した場合には、前記信号処理回路をオフしかつ前記出力端子の電圧に基づいて、前記出力端子に映像機器が接続されているか否かを判定し、前記入力信号検出回路が、前記映像信号が前記信号処理回路に入力されていることを検出した場合には、接続電流検出回路で検出される前記模擬出力段から出力される電流の値に基づいて、前記出力端子に映像機器が接続されているか否かを判定するよう構成されている。 In order to solve the above problems, a semiconductor integrated circuit having a connection detection function according to the present invention processes a video signal that is input and outputs it from an output stage, and is output from the output stage of the signal processing circuit. An output terminal that outputs the processed video signal to the outside, a pull-up resistor connected to the output terminal, and an input signal detection circuit that detects whether the video signal is input to the signal processing circuit A simulated output stage configured to output a current corresponding to a current output from the output stage of the signal processing circuit, and a connection current detection circuit that detects a value of the current output from the simulated output stage; A control circuit that turns on and off the signal processing circuit, and the control circuit detects that the input signal detection circuit detects that the video signal is not input to the signal processing circuit. And turning off the signal processing circuit and determining whether or not a video device is connected to the output terminal based on the voltage of the output terminal, and the input signal detection circuit is configured such that the video signal is the signal processing circuit. Whether or not a video device is connected to the output terminal based on the value of the current output from the simulated output stage detected by the connection current detection circuit. It is configured to determine.
この構成によれば、信号処理回路に映像信号が入力されているか否かを判定し、信号処理回路に映像信号が入力されていない場合には、出力端子の電圧に基づいて、信号出力端子に映像機器が接続されているか否かを判定し、信号処理回路に映像信号が入力されている場合には、接続電流検出回路で検出される模擬出力段から出力される電流の値に基づいて、信号出力端子に映像機器が接続されているか否かを判定するので、信号出力端子に接続される終端抵抗の端子電圧をモニタする必要がない。よって、半導体集積回路と映像機器との接続を検出するための端子を設けることなく、信号処理回路を含む半導体集積回路と映像機器との接続を検出することができる。 According to this configuration, it is determined whether or not a video signal is input to the signal processing circuit. If no video signal is input to the signal processing circuit, the signal output terminal is connected based on the voltage of the output terminal. It is determined whether or not a video device is connected, and when a video signal is input to the signal processing circuit, based on the value of the current output from the simulated output stage detected by the connection current detection circuit, Since it is determined whether or not the video equipment is connected to the signal output terminal, it is not necessary to monitor the terminal voltage of the termination resistor connected to the signal output terminal. Therefore, the connection between the semiconductor integrated circuit including the signal processing circuit and the video equipment can be detected without providing a terminal for detecting the connection between the semiconductor integrated circuit and the video equipment.
前記制御回路は、前記入力信号検出回路における前記映像信号が入力されているか否かの検出結果に基づいて、前記半導体集積回路の外部の回路をオン及びオフする外部用オン・オフ制御信号を出力するよう構成されていてもよい。 The control circuit outputs an external on / off control signal for turning on / off an external circuit of the semiconductor integrated circuit based on a detection result of whether or not the video signal is input in the input signal detection circuit. It may be configured to.
この構成によれば、この半導体集積回路に関連する半導体集積回路もオフすることが可能となり、ひいては、省電力でこの半導体集積回路を含むセットを動作させることにより長時間動作させることが可能になる。 According to this configuration, it is possible to turn off the semiconductor integrated circuit related to the semiconductor integrated circuit. As a result, it is possible to operate for a long time by operating the set including the semiconductor integrated circuit with low power consumption. .
前記接続電流検出回路は、前記映像信号の水平同期信号に対応して前記模擬出力段から出力される電流の値を検出するよう構成されていてもよい。 The connection current detection circuit may be configured to detect a value of a current output from the simulated output stage in response to a horizontal synchronization signal of the video signal.
この構成によれば、映像信号に必ず含まれる水平同期信号を利用するので、簡単な構成で模擬出力段から出力される電流の値を検出することができる。 According to this configuration, since the horizontal synchronization signal that is always included in the video signal is used, the value of the current output from the simulated output stage can be detected with a simple configuration.
前記接続電流検出回路は、前記映像信号の水平同期信号と輝度信号とにそれぞれ対応して前記模擬出力段から出力される電流の値を検出するよう構成されていてもよい。 The connection current detection circuit may be configured to detect a value of a current output from the simulated output stage corresponding to a horizontal synchronization signal and a luminance signal of the video signal.
この構成によれば、映像信号に含まれる水平同期信号に加えて輝度信号をも利用するので、信号出力端子に映像機器が接続されているか否かの判定精度をより向上することができる。 According to this configuration, since the luminance signal is used in addition to the horizontal synchronization signal included in the video signal, it is possible to further improve the determination accuracy of whether or not the video equipment is connected to the signal output terminal.
前記信号処理回路の出力段は、一方の主端子が第1電位を付与する第1電位付与手段に接続され、制御端子が前段の映像信号出力端子に接続された第1高電位側トランジスタと、一方の主端子が前記第1電位より低い第2電位を付与する第2電位付与手段に接続され、他方の主端子が前記第1高電位側トランジスタの他方の主端子に接続され、制御端子が前段の映像信号出力端子に接続され、かつ前記第1高電位側トランジスタと相補的に動作するよう構成された第1低電位側トランジスタと、を備え、前記第1高電位側トランジスタの他方の主端子と前記第1低電位側トランジスタの他方の主端子との接続点から処理後の映像信号を出力するよう構成されており、前記模擬出力段は、一方の主端子が前記第1電位を付与する第3電位付与手段に接続され、制御端子が前記第1高電位側トランジスタの制御端子に接続された第2高電位側トランジスタと、一方の主端子が前記第2電位を付与する第4電位付与手段に接続され、他方の主端子が前記第2高電位側トランジスタの他方の主端子に接続され、制御端子が前記第1低電位側トランジスタの制御端子に接続され、かつ前記第2高電位側トランジスタと相補的に動作するよう構成された第2低電位側トランジスタと、を備えており、前記接続電流検出回路は、一方の主端子が前記第1電位を付与する第5電位付与手段に接続された第3高電位側トランジスタと、一方の主端子が前記第2電位を付与する第6電位付与手段に接続され、他方の主端子が前記第3高電位側トランジスタの他方の主端子に接続された第3低電位側トランジスタと、前記第3高電位側トランジスタの他方の主端子と前記第3低電位側トランジスタの他方の主端子との接続点(以下、特定接続点)を所定の電位に維持するよう前記第3高電位側トランジスタの制御端子と前記第3低電位側トランジスタの制御端子とをバイアスするバイアス手段と、前記第3高電位側トランジスタの一方の主端子と前記第5電位付与手段との間及び前記第3低電位側トランジスタの一方の主端子と前記第6電位付与手段との間の少なくともいずれかに介挿された接続電流検出抵抗と、を備え、前記特定接続点が前記第2高電位側トランジスタの他方の主端子と前記第2低電位側トランジスタの他方の主端子との接続点に接続されていてもよい。ここで、電位付与手段には、正電源及び負電源の他、GND端子も含まれる。 The output stage of the signal processing circuit includes a first high-potential side transistor in which one main terminal is connected to a first potential applying unit that applies a first potential, and a control terminal is connected to a previous video signal output terminal; One main terminal is connected to a second potential applying means for applying a second potential lower than the first potential, the other main terminal is connected to the other main terminal of the first high potential side transistor, and a control terminal is connected A first low potential side transistor connected to a previous video signal output terminal and configured to operate in a complementary manner with the first high potential side transistor, the other main main transistor of the first high potential side transistor The processed video signal is output from a connection point between the terminal and the other main terminal of the first low-potential side transistor, and one of the main terminals applies the first potential to the simulated output stage. The third potential application hand Connected to the second high potential side transistor whose control terminal is connected to the control terminal of the first high potential side transistor, and one main terminal is connected to the fourth potential applying means for applying the second potential, The other main terminal is connected to the other main terminal of the second high potential side transistor, the control terminal is connected to the control terminal of the first low potential side transistor, and is complementary to the second high potential side transistor. A second low-potential side transistor configured to operate, wherein the connection current detection circuit has a third high terminal connected to a fifth potential applying means having one main terminal for applying the first potential. A third low potential terminal is connected to the potential side transistor and a sixth potential applying means for applying the second potential, and the other main terminal is connected to the other main terminal of the third high potential side transistor. Potential side transistor And the third main terminal of the third high potential side transistor and the other main terminal of the third low potential side transistor are maintained at a predetermined potential to maintain a connection point (hereinafter referred to as a specific connection point). Biasing means for biasing the control terminal of the high potential side transistor and the control terminal of the third low potential side transistor, between one main terminal of the third high potential side transistor and the fifth potential applying means, and A connection current detection resistor interposed between at least one main terminal of the third low potential side transistor and the sixth potential applying means, wherein the specific connection point is the second high potential side It may be connected to a connection point between the other main terminal of the transistor and the other main terminal of the second low potential side transistor. Here, the potential applying means includes a GND terminal in addition to a positive power source and a negative power source.
この構成によれば、模擬出力段を構成する高電位側トランジスタ及び低電位側トランジスタの制御端子が出力段を構成する高電位側トランジスタ及び低電位側トランジスタの制御端子に接続されており、かつ模擬出力段の第2高電位側トランジスタの他方の主端子と第2低電位側トランジスタの他方の主端子との接続点が、接続電流検出回路15の特定接続点に接続されていて所定の電位に維持されているので、この所定の電位をGNDに設定することにより、信号処理回路の出力段から映像機器に出力される電流に応じた電流が模擬出力段から接続電流検出回路に出力される。一方、接続電流検出抵抗の端子電圧をモニタすることにより、模擬出力段から接続電流検出回路に出力される電流を検出することができる。よって、この構成により、信号処理回路の出力段から映像機器に出力される電流を間接的に検出することができる。
According to this configuration, the control terminals of the high-potential side transistor and the low-potential side transistor constituting the simulated output stage are connected to the control terminals of the high-potential side transistor and the low-potential side transistor constituting the output stage, and the simulation is performed. The connection point between the other main terminal of the second high-potential side transistor of the output stage and the other main terminal of the second low-potential side transistor is connected to a specific connection point of the connection
前記第2電位がGND電位であり、前記所定の電位がGND電位より高い電位であってもよい。 The second potential may be a GND potential, and the predetermined potential may be higher than the GND potential.
この構成によれば、負電源を省略することができる。 According to this configuration, the negative power supply can be omitted.
前記第1乃至第3の高電位側トランジスタと、前記第1乃至第3の低電位側トランジスタと、前記バイアス手段を構成するトランジスタとがMOSトランジスタで構成されていてもよい。 The first to third high-potential side transistors, the first to third low-potential side transistors, and the transistors constituting the bias means may be formed of MOS transistors.
前記第1乃至第3の高電位側トランジスタと、前記第1乃至第3の低電位側トランジスタと、前記バイアス手段を構成するトランジスタとがバイポーラトランジスタで構成されていてもよい。 The first to third high-potential side transistors, the first to third low-potential side transistors, and the transistor constituting the bias means may be formed of bipolar transistors.
本発明は以上に説明したように構成され、接続検出のための端子を設けることなく、映像信号処理回路を含む半導体集積回路と映像機器との接続を検出することが可能な接続検出機能を有する半導体集積回路を提供できるという効果を奏する。 The present invention is configured as described above, and has a connection detection function capable of detecting a connection between a semiconductor integrated circuit including a video signal processing circuit and a video device without providing a terminal for connection detection. The semiconductor integrated circuit can be provided.
以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下では全ての図を通じて同一又は相当する要素には同一の参照符号を付して、その重複する説明を省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding elements are denoted by the same reference symbols throughout the drawings, and redundant description thereof is omitted.
(実施の形態1)
図1は本発明に係る接続検出回路を含む半導体集積回路の構成を示すブロック図である。図2は図1の半導体集積回路の詳細な構成を示す回路図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit including a connection detection circuit according to the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the semiconductor integrated circuit of FIG.
図1に示すように、本実施の形態の半導体集積回路61は、映像信号が入力される映像信号入力端子39と、入力された映像信号を処理する信号処理回路1と、信号処理回路1で処理された映像信号を出力する映像信号出力端子9と、映像信号出力端子9に接続されたプルアップ抵抗14と、映像信号が入力されているか否かを検出する入力信号検出回路17と、信号処理回路1の出力段から出力される電流に応じた電流が出力されるよう構成された模擬出力段80と、模擬出力段80から出力される電流の値を検出する接続電流検出回路15と、制御回路16と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated
映像信号入力端子39には、DCカット用コンデンサ2を介して映像信号が入力される。信号処理回路1は、ここでは、例えば、オペアンプ(operational amplifier)で構成されていて、映像信号入力端子39を経由して入力される映像信号を増幅する。映像信号出力端子9には、後述するように終端抵抗5及びケーブル13を介して映像機器32が接続される(図2参照)。映像機器32としては、TV、DVDプレイヤ等が挙げられる。プルアップ抵抗14は、一方の端子が正電原Vddに接続され他方の端子が映像信号出力端子9に接続されている。入力信号検出回路17は、例えば、映像信号入力端子39を経由して入力される映像信号のレベルが所定値以上であるか否かに基づいて映像信号の入力の有無(映像信号が信号処理回路1に入力されているか否か)を検出するよう構成されている。入力信号検出回路17はこの検出結果を入力信号検出信号101(図2参照)として制御回路16に入力する。模擬出力段80及び接続電流検出回路15の構成は後で詳しく説明する。
A video signal is input to the video
制御回路16は、入力信号検出信号101に基づき、入力信号検出回路17が、映像信号が信号処理回路1に入力されていることを検出したか否か判別する。そして、入力信号検出回路17が、映像信号が信号処理回路1に入力されていないことを検出した場合には、信号処理回路1をオフしかつ映像信号出力端子9の電圧に基づいて、映像信号出力端子9に映像機器32(図参照)が接続されているか否かを判定する。一方、入力信号検出回路17が、映像信号が信号処理回路1に入力されていることを検出した場合には、接続電流検出回路15で検出される模擬出力段80から出力される電流の値に基づいて、映像信号出力端子9に映像機器32が接続されているか否かを判定する。制御回路16は、例えば、論理回路、CPU、コンパレータ等のプロセッサ等により構成される。
Based on the input
次に、半導体集積回路61の構成を、図2を参照してさらに詳しく説明する。
Next, the configuration of the semiconductor integrated
図2に示すように、半導体集積回路61の映像信号出力端子9には、半導体集積回路側の終端抵抗5の一端が接続され、終端抵抗5の他端は端子(以下、半導体集積回路側出力端子という)11に接続されている。半導体集積回路側出力端子11にはケーブル(コネクタ)13の一端が接続され、ケーブル(コネクタ)13の他端は映像機器32の入力端子(以下、映像機器側入力端子という)12に接続されている。ケーブル13は、半導体集積回路側出力端子11と映像機器側入力端子12とに着脱自在に接続されている。従って、ケーブル13が半導体集積回路側出力端子11と映像機器側入力端子12とに接続されると、映像機器32が半導体集積回路61に接続され、ケーブル13が半導体集積回路側出力端子11と映像機器側入力端子12とから取り外されると、映像機器32が半導体集積回路61に非接続となる(半導体集積回路61から切り離される)。以下、ケーブル13が半導体集積回路側出力端子11と映像機器側入力端子12とに接続されることを、映像機器32が半導体集積回路61に接続されると表現し、ケーブル13が半導体集積回路側出力端子11と映像機器側入力端子12とから取り外されることを、映像機器32が半導体集積回路61に接続されていないと表現する場合がある。
As shown in FIG. 2, one end of a termination resistor 5 on the semiconductor integrated circuit side is connected to the video
映像機器32では、映像機器側入力端子12には映像機器側の終端抵抗6の一端が接続され、さらにDCカット用コンデンサ30を介して増幅器等の主回路が接続されている。終端抵抗6の他端はGNDに接続されている。なお、終端抵抗5及び終端抵抗6は、一般的な75Ωの抵抗値を有している。
In the
次に、半導体集積回路61の構成を詳しく説明する。まず、トランジスタの端子について定義する。本明細書及び請求の範囲において、トランジスタの動作電流が出入りする一対の端子を「主端子」という。動作電流とは電界効果型トランジスタ(FET)ではドレイン電流又はソース電流であり、バイポーラトランジスタではコレクタ電流又はエミッタ電流である。従って、電界効果型トランジスタでは、ソース又はドレインが主端子であり、バイポーラトランジスタでは、エミッタ又はコレクタが主端子である。また、トランジスタの動作電流を制御する制御信号が入力される端子を「制御端子」という。従って、電界効果トランジスタではゲートが制御端子であり、バイポーラトランジスタではベースが制御端子である。なお、トランジスタの一対の主端子は、一般的に構造上差異はなく、使用状態に応じて、一方の主端子がソース又はエミッタとして機能し、他方の主端子がドレイン又はコレクタとして機能する。以下では、便宜上、一方の主端子を第1の主端子と呼び、他方の主端子を第2の主端子と呼ぶ。また、主要なトランジスタについてのみ上記の名称を用い、その他のトランジスタについては通常の名称を用いる。
Next, the configuration of the semiconductor integrated
次に、半導体集積回路61における電源について説明する。本実施の形態では、半導体集積回路61は、正電源と負電源とを備えている。本実施の形態では、正電源及び負電源の電力供給対象が電界効果トランジスタであるので、正電源及び負電源にそれぞれVdd及びVssの参照符号を付す。半導体集積回路61における正電源Vddと負電源Vssとは、絶対値が同じでそれぞれ正及び負の極性を有する電圧を出力する。また、接地端子にGNDの参照符号を付す。なお、正電源及び負電源の電力供給対象がバイポーラトランジスタである場合(実施の形態5参照)には、正電源及び負電源にそれぞれVcc及びVeeの参照符号を付す。
Next, the power supply in the semiconductor integrated
信号処理回路1は、多段の増幅回路で構成されていて、図2にはその出力段1’が示されている。出力段1’は、ここでは、相補的に動作する高電位側のトランジスタ(以下、高電位側トランジスタという(第1高電位側トランジスタ))18と低電位側のトランジスタ(以下、低電位側トランジスタという(第1低電位側トランジスタ))20とで構成されている。高電位側トランジスタ18は、ここではP型MOS電界効果型トランジスタ(以下、PMOSトランジスタという)で構成されていて、その第1の主端子(ソース)が正電源Vdd(第1電位付与手段)に接続されている。低電位側トランジスタ20は、ここではN型MOS電界効果型トランジスタ(以下、NMOSトランジスタという)で構成されていて、その第1の主端子(ソース)が負電源Vss(第2電位付与手段)に接続され、その第2の主端子(ドレイン)が高電位側トランジスタ18の第2の主端子(ドレイン)に接続されている。この高電位側トランジスタ18の第2の主端子と低電位側トランジスタの第2の主端子とのノード(接続点)が信号処理回路1(出力段1’)の出力部62を構成していて、信号線71を通じて映像信号出力端子9に接続されている。信号線71には、一方の端子が正電源Vddに接続されたプルアップ抵抗14の他方の端子が接続されている。つまり、プルアップ抵抗14は、信号線71を通じて信号処理回路1の出力部62と映像信号出力端子9とに接続されている。高電位側トランジスタ18の制御端子(ゲート)及び低電位側トランジスタ20の制御端子(ゲート)には前段の出力が入力されている。前段の出力は前段までの増幅回路により増幅された映像信号である。ここでは、高電位側トランジスタ18と低電位側トランジスタ20とが異なるチャネル型のトランジスタで構成されているので、双方のトランジスタの制御端子に前段の出力がそのまま入力されているが、高電位側トランジスタ18と低電位側トランジスタとが同じチャネル型のトランジスタで構成される場合には、一方のトランジスタの制御端子には前段の出力が反転されて入力される。このような構成により、高電位側トランジスタ18及び低電位側トランジスタ20は一方が動作(オン)しているときは他方は動作しない(オフする)。つまり、高電位側トランジスタ18及び低電位側トランジスタ20は相補的に動作するよう構成されている。また、高電位側トランジスタ18と低電位側トランジスタ20とはチャネル型を除いて実質的に同じ特性を有するように設計される。信号処理回路1の出力段1’以外の段も出力段1’と同様に構成されている。
The
出力段1’には模擬出力段80が接続されている。模擬出力段80の構成は出力段1’の構成と同じである。すなわち、模擬出力段80は、相補的に動作する高電位側トランジスタ(第2高電位側トランジスタ)19と低電位側トランジスタ(第2低電位側トランジスタ)21とで構成されている。高電位側トランジスタ19は、PMOSトランジスタで構成されていて、その第1の主端子(ソース)が正電源Vdd(第3電位付与手段)に接続されている。低電位側トランジスタ20は、NMOSトランジスタで構成されていて、その第1の主端子(ソース)が負電源Vss(第4電位付与手段)に接続され、その第2の主端子(ドレイン)が高電位側トランジスタ19の第2の主端子(ドレイン)に接続されている。高電位側トランジスタ18と低電位側トランジスタ20とはチャネル型を除いて実質的に同じ特性を有するように設計される。この高電位側トランジスタ19の第2の主端子と低電位側トランジスタの第2の主端子とのノード63が接続電流検出回路に接続されている。高電位側トランジスタ19の制御端子(ゲート)及び低電位側トランジスタ21の制御端子(ゲート)には前段の出力が入力されている。つまり、模擬出力段80と出力段1’とは、各々を構成する一対のトランジスタの制御端子が相互に接続されている。なお、図2では、模擬出力段80が、便宜上、信号処理回路1の中に記載されているが、模擬出力段80は信号処理回路に含まれないことは言うまでもない。
A
接続電流検出回路15は、正電源Vdd(第5電位付与手段)と負電源Vss(第6電位付与手段)との間に直列に接続された高電位側トランジスタ(第3高電位側トランジスタ)26と低電位側トランジスタ(第3低電位側トランジスタ)24とを備えている。高電位側トランジスタ26は、NMOSトランジスタで構成されていて、その第2の主端子(ドレイン)が接続電流検出抵抗22を介して正電源Vddに接続されている。低電位側トランジスタ24は、PMOSトランジスタで構成されていて、その第2の主端子(ドレイン)が負電源Vssに接続され、その第1の主端子(ソース)が高電位側トランジスタ26の第1の主端子(ソース)に接続されている。高電位側トランジスタ26と低電位側トランジスタ24とはチャネル型を除いて実質的に同じ特性を有するように設計される。高電位側トランジスタ26の第1の主端子と低電位側トランジスタ24の第1の主端子とのノード64が模擬出力段80のノード63と接続されている。高電位側トランジスタ26と低電位側トランジスタ24とは、次に述べるように、ノード64の電位Vcが所定の電位(ここではGND電位)になるように、各々の制御端子(ゲート)の電位が制御されている。
The connection
高電位側トランジスタ26の制御端子には、電流源28の低電位側の端子とPMOSトランジスタ27のソースとのノード65の電位Vbが入力されている。電流源28の高電位側の端子は正電源Vddに接続されている。PMOSトランジスタ27のドレインはGNDに接続され、ゲートはGNDに接続されている。従って、ノード65の電位Vbは電流源28の電流に応じて定まるGNDより高い電位になる。一方、低電位側トランジスタ24の制御端子には、電流源29の高電位側の端子とNMOSトランジスタ25のソースとのノード66の電位Vaが入力されている。電流源29の低電源側の端子は負電源Vssに接続されている。NMOSトランジスタ25のドレインは正電源Vddに接続され、ゲートはGNDに接続されている。従って、ノード66の電位Vaは電流源29の電流に応じて定まるGNDより低い電位になる。そうすると、ノード64の電位は、ノード65の電位Vbより低い電位になり、ノード66の電位Vaより高い電位になるので、電流源28及び電流源28の電流を適宜設定することにより、ノード64の電位VcをGND電位に設定することができる。本実施の形態ではこのようにして、ノード64の電位がGND電位に設定されている。なお、NMOSトランジスタ25、PMOSトランジスタ27、電流源28、及び電流源29が高電位側トランジスタ26の制御端子及び低電位側トランジスタ24の制御端子のバイアス手段を構成している。
The control terminal of the high
制御回路16には、既述のように、入力信号検出信号101が入力されている。また、制御回路16には、映像信号出力端子9(信号線71)の電圧102が入力されている。さらに、制御回路16には、接続電流検出抵抗22の端子電圧103が入力されている。接続電流検出抵抗22の端子電圧は接続電流検出抵抗22を流れる電流に比例するので、制御器16は、この接続電流検出抵抗22の端子電圧103によって当該接続電流検出抵抗22に流れる電流を検出する。制御回路16はこれらの入力に基づいて、半導体集積回路61に映像機器32が接続されているか否かを判定する。この動作については後で詳しく説明する。
As described above, the input
一方、制御回路16は、オン・オフ制御信号105を信号処理回路1及び接続電流検出回路15に出力して、信号処理回路1及び接続電流検出回路15をオン・オフする。すなわち、信号処理回路1の出力段1’及び模擬出力段80では、高電位側トランジスタ18及び高電位側トランジスタ19の制御端子がPMOSトランジスタ43を介して正電源Vddに接続され、低電位側トランジスタ20及び低電位側トランジスタ21の制御端子がNMOSトランジスタ44を介して負電源Vssに接続されている。NMOSトランジスタ44のゲートにはオン・オフ制御信号が入力され、PMOSトランジスタ43のゲートにはオン・オフ制御信号をインバータ37で反転した信号が入力される。従って、オン・オフ制御信号105がローレベルになるとPMOSトランジスタ43及びNMOSトランジスタ44がオフして出力段1’及び模擬出力段80が動作状態となる(オンする)。一方、オン・オフ制御信号105がハイレベルになるとPMOSトランジスタ43及びNMOSトランジスタ44がオンして、高電位側トランジスタ18及び高電位側トランジスタ19の制御端子の電位が正電源Vddの電位になるとともに低電位側トランジスタ20及び低電位側トランジスタ21の制御端子の電位が負電源Vssの電位となり、高電位側トランジスタ18及び高電位側トランジスタ19並びに低電位側トランジスタ20及び低電位側トランジスタ21が全てオフする。これにより、出力段1’及び模擬出力段80が不動作状態となる(オフする)。なお、出力段1’がオフすることにより、映像出力端子9の電圧が出力段1’とは無関係に定まることとなる。
On the other hand, the
また、接続電流検出回路15では、高電位側トランジスタ26の制御端子がNMOSトランジスタ42を介して負電源Vssに接続され、低電位側トランジスタ24の制御端子がPMOSトランジスタ41を介して正電源Vddに接続されている。NMOSトランジスタ42のゲートにはオン・オフ制御信号が入力され、PMOSトランジスタ41のゲートにはオン・オフ制御信号をインバータ37で反転した信号が入力される。従って、オン・オフ制御信号105がローレベルになるとNMOSトランジスタ42及びPMOSトランジスタ41がオフして高電位側トランジスタ26及び低電位側トランジスタ24がオンする。これにより、接続電流検出回路15が動作状態となる(オンする)。一方、オン・オフ制御信号105がローレベルになるとNMOSトランジスタ42及びPMOSトランジスタ41がオンして、高電位側トランジスタ26の制御端子の電位が負電源Vssの電位になるとともに低電位側トランジスタ24の制御端子の電位が正電源Vddの電位となり、高電位側トランジスタ26及び低電位側トランジスタ24がオフする。これにより、接続電流検出回路15が不動作状態となる(オフする)。
In the connection
次に、以上のように構成された半導体集積回路61の動作を説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated
図3は本実施の形態の半導体集積回路61の動作モードを示すタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing an operation mode of the semiconductor integrated
図3に示すように、半導体集積回路61は、モード1〜3の3つの動作モードを有している。
As shown in FIG. 3, the semiconductor integrated
モード1は、信号処理回路1に映像信号が入力され、かつ半導体集積回路61に映像機器32が接続されている場合の動作モードである。
モード2は、信号処理回路1に映像信号が入力され、かつ半導体集積回路61に映像機器32が接続されていない場合の動作モードである。
モード3は、信号処理回路1に映像信号が入力されていない場合の動作モードである。
Mode 3 is an operation mode when no video signal is input to the
まず、モード1について説明する。
First,
図3に示すように、映像信号は、負電圧のパルスである水平同期信号81と正の電圧値を有する輝度信号(階調信号)とを含んでいる。水平同期信号81は映像信号に必ず付加されている信号であり、映像機器32との同期を取るのに必要である。
As shown in FIG. 3, the video signal includes a
図1〜図3を参照して、入力信号検出回路17は、本実施の形態では、入力される映像信号のレベルが負の所定値以下であるか否かに基づいて映像信号の入力の有無を検出するよう構成されていて、この負の所定値が水平同期信号81を検出可能なレベルに設定されている。従って、映像信号が信号処理回路1及び入力信号検出回路17に入力されると、入力信号検出回路17は、映像信号が入力されたことを検出した旨(ハイレベル)の入力検出信号101を出力する。すると、制御回路16は、ハイレベルのオン・オフ制御信号105を出力する。これにより、信号処理回路1、模擬出力段80、及び接続電流検出回路15がオンする。
Referring to FIGS. 1 to 3, in this embodiment, input
すると、信号処理回路1は入力される映像信号を増幅(処理)して出力段1’の出力部62から出力する。この出力部62から出力された映像信号は、信号線71、映像信号出力端子9、終端抵抗5、半導体集積回路側出力端子11、ケーブル13を経て映像機器32に入力される。
Then, the
ここで、信号処理回路1がオンしている状態では、映像信号出力端子9の電圧(電位)は信号処理回路1の出力部62の電位に等しく、この出力部62の電位は映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かに関わらず、入力される映像信号によって変動する。それ故、映像信号が信号処理回路1に入力されている場合には、映像出力端子9の電位に基づいて映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かを的確に判定することができない。そこで、本発明では、映像信号が信号処理回路1に入力されている場合には、以下に述べるように信号処理回路1の出力部62から出力される電流を間接的に検出し、これに基づいて映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かを判定する。
Here, in a state where the
すなわち、半導体集積回路61に映像機器32が接続されている場合、出力段1’の出力部62から映像機器32に電流が出力される。この場合、映像信号が正の電圧値である場合には、低電位側トランジスタ20はオフし、映像信号に応じた高電位側トランジスタ18のドレイン電流が正電源Vddから高電位側トランジスタ18及び出力部62を経て映像機器32に流れる。一方、映像信号が負の電圧値である場合には、高電位側トランジスタ18はオフし、映像信号に応じた低電位側トランジスタ18のドレイン電流が映像機器32から出力部62及び低電位側トランジスタ18を経て負電源Vssに流れる。
That is, when the
ここで、模擬出力段80を構成する高電位側トランジスタ19及び低電位側トランジスタ21の制御端子が出力段1’を構成する高電位側トランジスタ18及び低電位側トランジスタ20の制御端子に接続されており、かつ模擬出力段80のノード63が、接続電流検出回路15のノード64に接続されていてGND電位に維持されているので、模擬出力段80のノード63から接続電流検出回路15に、出力段1’の出力部62から映像機器32に出力される電流に応じた電流が出力される。すなわち、映像信号が正の電圧値の場合、たとえば輝度信号が入力された場合には、低電位側トランジスタ21はオフし、出力段1’の高電位側トランジスタ18のドレイン電流に応じた高電位側トランジスタ19のドレイン電流が、正電源Vddから高電位側トランジスタ19及びノード63を経て接続検出回路15のノード64に流れる。接続検出回路15では、このノード64に流入した電流はさらに低電位側トランジスタ24を経て負電源Vssに流れる。一方、映像信号が負の電圧値である場合、たとえば水平同期信号が入力された場合には、高電位側トランジスタ19はオフし、出力段1’の低電位側トランジスタ20のドレイン電流に応じた低電位側トランジスタ21のドレイン電流が、接続検出回路15において正電源Vddから接続電流検出抵抗22及び高電位側トランジスタ26を経てノード64に流れ、この電流がさらに模擬出力段1’のノード63及び低電位側トランジスタ21を経て負電源Vssに流れる。
Here, the control terminals of the high
そして、制御回路16が、接続電流検出抵抗22の端子電圧103を検出することによって、映像信号が負の電圧値である場合に接続電流検出抵抗22に流れる電流の値をモニタする。
Then, the
以上のようにして、信号処理回路1の出力部62から出力される電流が間接的に検出される。
As described above, the current output from the
この状態において、映像機器32が半導体集積回路61から切り離されると、半導体集積回路61はモード2の動作モードになる。
In this state, when the
映像機器32が半導体集積回路61から切り離されると、出力段1’における高電位側トランジスタ18及び低電位側トランジスタ20の制御端子−第1の主端子間電圧(本実施の形態ではゲート−ソース間電圧)が小さくなり、出力部62から出力される電流が減少する。すると、接続電流検出抵抗22に流れる電流が減少する。なお、逆に、映像機器32が切り離された状態から半導体集積回路61に接続されると、出力段1’における高電位側トランジスタ18及び低電位側トランジスタ20の制御端子−第1の主端子間電圧が大きくなり、出力部62から出力される電流が増大し、ひいては、接続電流検出抵抗22に流れる電流が増大する。一方、制御回路16は、接続電流検出抵抗22の端子電圧103を通じて検出される接続電流検出抵抗22を流れる電流が、所定の電流閾値(負電流閾値)以下であると半導体集積回路61に映像機器32が接続されていないと判定し、所定の閾値を上回っていると半導体集積回路61に映像機器32が接続されていると判定する。従って、この所定の電流閾値を適切に設定することにより、映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かを判別することができる。この所定の電流閾値は、計算、実験、シミュレーション等により決定される。なお、この所定の電流閾値に代えて、所定の電圧閾値(負電圧閾値)を接続電流検出抵抗22の端子電圧103に対して設定してもよい。
When the
このようにして、信号処理回路1の出力部62から出力される電流を間接的に検出し、これに基づいて、映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かが判定される。
In this way, the current output from the
そして、制御回路16は、映像機器32が半導体集積回路61から切り離されると、上記のようにしてこれを判別し、ローレベルのオン・オフ制御信号105を出力する(図3参照)。これにより、信号処理回路1、模擬出力段80、及び接続電流検出回路15がオフする。
Then, when the
次に、モード3について説明する。 Next, mode 3 will be described.
図3に示すように、モード3においては、映像信号が入力されない。従って、入力信号検出回路17は、映像信号が入力されていないことを検出した旨(ローレベル)の入力検出信号101を出力する。すると、制御回路16は、ローレベルのオン・オフ制御信号105を出力する。これにより、信号処理回路1、模擬出力段80、及び接続電流検出回路15がオフする。このように、制御回路16は、半導体集積回路61に映像機器32が接続されているか否かに依らずローレベルのオン・オフ制御信号105を出力する。
As shown in FIG. 3, in mode 3, no video signal is input. Therefore, the input
信号処理回路1(正確にはその出力段1’)がオフすることにより、既述のように、映像出力端子9の電圧が出力段1’とは無関係に定まる。ここで、半導体集積回路61に映像機器32が接続されている場合には、映像信号出力端子9の電圧(電位)は、正電源Vddの電圧を、プルアップ抵抗14と、終端抵抗5及び終端抵抗6とで抵抗分割したものになる。すなわち、
映像信号出力端子9の電圧=正電源Vddの電圧×(終端抵抗5の抵抗値+終端抵抗6の抵抗値)/(プルアップ抵抗14の抵抗値+終端抵抗5の抵抗値+終端抵抗6の抵抗値)
となる。
By turning off the signal processing circuit 1 (exactly its
Voltage of video
It becomes.
しかし、プルアップ抵抗14の抵抗値(例えば数100KΩ)は、終端抵抗5の抵抗値と終端抵抗6の抵抗値との合計値(=150Ω)より十分大きく設計されているので、映像信号出力端子9の電圧はGND電位に近い電圧となる。
However, the resistance value (for example, several hundreds KΩ) of the pull-up
一方、半導体集積回路61に映像機器32が接続されていない場合には、映像信号出力端子9の電圧は正電源Vddの電圧に等しくなる。そして、制御回路16は、映像信号出力端子9の電圧102が、所定の閾値以上であると半導体集積回路61に映像機器32が接続されていないと判定し、所定の閾値を下回っていると半導体集積回路61に映像機器32が接続されていると判定する。従って、この所定の閾値を適切に設定することにより、映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かを判別することができる。この所定の閾値は、計算、実験、シミュレーション等により決定される。
On the other hand, when the
以上に説明したように、本実施の形態の半導体集積回路61によれば、信号処理回路1に映像信号が入力されているか否か判定し、信号処理回路1に映像信号が入力されていない場合には、映像信号出力端子9の電圧に基づいて、映像信号出力端子9に映像機器32が接続されているか否かを判定し、信号処理回路1に映像信号が入力されている場合には、接続電流検出回路15で検出される模擬出力段80から出力される電流の値に基づいて、映像信号出力端子9に映像機器32が接続されているか否かを判定するよう構成されているので、映像信号出力端子9に接続される終端抵抗の端子電圧をモニタする必要がない。よって、半導体集積回路61と映像機器32との接続を検出するための端子を設けることなく、信号処理回路1を含む半導体集積回路61と映像機器32との接続を検出することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated
また、本実施の形態では、必ず映像信号に重畳されている同期信号81によって模擬出力段80から出力される電流の値を検出することにより、映像信号出力端子9に映像機器32が接続されているか否かを判定するので、簡単な構成で模擬出力段80から出力される電流の値を検出することができる。
In the present embodiment, the
(実施の形態2)
図4は本発明の実施の形態2に係る半導体集積回路の詳細な構成を示す回路図である。
(Embodiment 2)
FIG. 4 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention.
本実施の形態の半導体集積回路61は、実施の形態1の半導体集積回路61とは以下の点において異なり、その他は実施の形態1の半導体集積回路61と同じである。以下、この相違点について説明する。
The semiconductor integrated
図4に示すように本実施の形態では、接続電流検出回路15において、低電位側トランジスタ24と負電源Vssとの間に接続電流検出抵抗23が挿入されており、この接続電流検出抵抗23の端子電圧104が制御回路16に入力されている。制御回路16においては、接続電流検出抵抗23の端子電圧104を通じて検出される接続電流検出抵抗23を流れる電流に対し、所定の電流閾値(正電流閾値)が設定されている。制御回路16は、接続電流検出抵抗23を流れる電流が、正電流閾値以下である場合又は接続電流検出抵抗22を流れる電流が、負電流閾値以下である場合には、半導体集積回路61に映像機器32が接続されていないと判定し、そうでない場合には、半導体集積回路61に映像機器32が接続されていると判定する。従って、この正電流閾値を適切に設定することにより、映像機器32が半導体集積回路61に接続されているか否かを判別することができる。この正電流閾値は、計算、実験、シミュレーション等により決定される。なお、この正電流閾値に代えて、所定の正電圧閾値を接続電流検出抵抗23の端子電圧104に対して設定してもよい。
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, in the connection
以上のように構成された本実施の形態の半導体集積回路61によれば、映像信号の水平同期信号81と輝度信号82との双方によって模擬出力段80から出力される電流の値を検出することにより、映像信号出力端子9に映像機器32が接続されているか否かを判定するので、実施の形態1に比べて判定の精度を向上することができる。
According to the semiconductor integrated
(実施の形態3)
図5は本発明の実施の形態3に係る半導体集積回路の詳細な構成を示す回路図である。
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention.
本実施の形態の半導体集積回路61は、制御回路16が外部用オン・オフ制御信号72を、外部制御端子36から外部に出力するよう構成されている。その他の点は、実施の形態2の半導体集積回路61と同じである。
The semiconductor integrated
本実施の形態の半導体集積回路61によれば、例えば、映像信号が入力されていない場合や、映像信号は入力されているが映像機器は接続されていない場合に、外部用オン・オフ制御信号72によりセット制御用半導体集積回路装置の動作を停止させることができる。したがって、この半導体集積回路61を備えるセット全体のモード制御が可能になり、ひいては省電力化が可能となる。
According to the semiconductor integrated
(実施の形態4)
図6は本発明の実施の形態4に係る半導体集積回路の詳細な構成を示す回路図である。
(Embodiment 4)
FIG. 6 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment of the present invention.
本実施の形態の半導体集積回路61は、実施形態3の半導体集積回路61とは以下の点において異なり、その他は実施の形態3の半導体集積回路61と同じである。以下、この相違点について説明する。
The semiconductor integrated
本実施の形態の半導体集積回路61では、信号処理回路1の出力段1’において、低電位側トランジスタ20の第1の主端子がGNDに接続されている。つまり、実施の形態3における負電圧Vssの絶対値に相当する電圧で符号が異なる直流電圧(以下、所定直流電圧という)が出力部62から出力される映像信号に重畳されるようにしている。同様に、模擬出力段80において、低電位側トランジスタ21の第1の主端子がGNDに接続されており、所定直流電圧がノード63の出力に重畳されるようにしている。
In the semiconductor integrated
そして、これに対応して、接続電流検出回路15において、低電位側トランジスタ24の第2の主端子が接続電流検出抵抗23を介してGNDに接続されている。また、PMOSトランジスタ27のゲートがバイアス電源Vpによって所定直流電圧だけバイアスされている。また、電流源29の低電位側の端子がGNDに接続されるとともに、NMOSトランジスタ25のゲートがバイアス電源Vpによって所定直流電圧だけバイアスされている。この構成により、ノード64の電位VcがGND電位より所定直流電圧だけ高い電位に維持される。なお、NMOSトランジスタ42のソースもGNDに接続される。このように構成しても、ノード64の電位がGND電位より所定直流電圧だけ高い電位に維持されるため、そのオンによって高電位側トランジスタ26をオフすることができるからである。
Correspondingly, in the connection
このように構成された本実施の形態の半導体集積回路61では、映像出力端子9から出力される映像信号に直流電圧が重畳される。しかし、これ以外は、本実施の形態の半導体集積回路61は実施の形態3の半導体集積回路61と同様に動作する。
In the semiconductor integrated
そして、本実施の形態の半導体集積回路61によれば、負電源を省略することができる。
And according to the semiconductor integrated
(実施の形態5)
図7は本発明の実施の形態5に係る半導体集積回路の詳細な構成を示す回路図である。
(Embodiment 5)
FIG. 7 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the semiconductor integrated circuit according to the fifth embodiment of the present invention.
図7に示すように、本実施の形態の半導体集積回路61は、実施の形態3の半導体集積回路61において、MOSトランジスタからなる高電位側トランジスタ18,19,26をバイポーラトランジスタからなる高電位側トランジスタ51,52,56で置換し、MOSトランジスタからなる低電位側トランジスタ20,21,24をバイポーラトランジスタからなる低電位側トランジスタ53,54,55で置換し、NMOSトランジスタ25をnpn型バイポーラトランジスタ58で置換し、PMOSトランジスタ27をpnp型バイポーラトランジスタ57で置換したものである。これに伴い、図7では、バイポーラトランジスタが接続される正電源及び負電源にそれぞれVcc及びVeeの参照符号を付している。良く知られているように、ある回路のMOSトランジスタをバイポーラトランジスタで置換してもその回路は同様に動作する。それ故、本実施の形態の半導体集積回路61は、実施の形態3の半導体集積回路61と同様に動作する。
As shown in FIG. 7, the semiconductor integrated
なお、上記実施の形態1乃至4では正電源Vdd及び負電源Vssをそれぞれ1つ備えたが、これらをそれぞれ複数備えてもよい。 In the first to fourth embodiments, one positive power supply Vdd and one negative power supply Vss are provided, but a plurality of these may be provided.
本発明の接続検出機能を有する半導体集積回路は、接続検出のための端子を設けることなく、映像信号処理回路を含む半導体集積回路と映像機器との接続を検出することが可能な接続検出機能を有する半導体集積回路として、バッテリ駆動のデジタルカメラ、カムコーダ、携帯電話などのセット等の用途において有用である。 The semiconductor integrated circuit having a connection detection function of the present invention has a connection detection function capable of detecting a connection between a semiconductor integrated circuit including a video signal processing circuit and a video device without providing a terminal for connection detection. As a semiconductor integrated circuit, it is useful in applications such as battery-powered digital cameras, camcorders, mobile phones and the like.
1 信号処理回路
1’ 出力段
2,30 DCカット用コンデンサ
5 終端抵抗
6 終端抵抗
9 映像信号出力端子
11 集積回路側出力端子
12 周辺映像機器側入力端子
13 ケーブル
14 プルアップ抵抗
15 接続電流検出回路
16 制御回路
17 入力信号検出回路
18,19,51,52 高電位側トランジスタ
20,21,53,54 低電位側トランジスタ
22,23 接続電流検出抵抗
24,55 低電位側トランジスタ
25 NMOSトランジスタ
26,56 高電位側トランジスタ
27 PMOSトランジスタ
28,29 電流源
32 映像機器
36 外部制御端子
37 インバータ
39 映像信号入力端子
41,43 PMOSトランジスタ
42,44 NMOSトランジスタ
57 pnp型バイポーラトランジスタ
58 npn型バイポーラトランジスタ
62 出力部
63〜66 ノード
71 信号線
72 外部用オン・オフ制御信号
80 模擬出力段
81 水平同期信号
82 輝度信号
101 入力検出信号
102 映像信号出力端子の電圧
103 接続電流検出抵抗の端子電圧
104 接続電流検出抵抗の端子電圧
105 オン・オフ制御信号
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記信号処理回路の出力段から出力された信号処理後の映像信号を外部に出力する出力端子と、
前記出力端子に接続されたプルアップ抵抗と、
前記映像信号が前記信号処理回路に入力されているか否かを検出する入力信号検出回路と、
前記信号処理回路の出力段から出力される電流に応じた電流が出力されるよう構成された模擬出力段と、
前記模擬出力段から出力される電流の値を検出する接続電流検出回路と、
前記信号処理回路をオン及びオフする制御回路と、を備え、
前記制御回路は、前記入力信号検出回路が、前記映像信号が前記信号処理回路に入力されていないことを検出した場合には、前記信号処理回路をオフしかつ前記出力端子の電圧に基づいて、前記出力端子に映像機器が接続されているか否かを判定し、前記入力信号検出回路が、前記映像信号が前記信号処理回路に入力されていることを検出した場合には、接続電流検出回路で検出される前記模擬出力段から出力される電流の値に基づいて、前記出力端子に映像機器が接続されているか否かを判定するよう構成されている、接続検出機能を有する半導体集積回路。 A signal processing circuit that processes the input video signal and outputs it from the output stage;
An output terminal for outputting a video signal after signal processing output from the output stage of the signal processing circuit to the outside;
A pull-up resistor connected to the output terminal;
An input signal detection circuit for detecting whether or not the video signal is input to the signal processing circuit;
A simulated output stage configured to output a current corresponding to a current output from the output stage of the signal processing circuit;
A connection current detection circuit for detecting a current value output from the simulated output stage;
A control circuit for turning on and off the signal processing circuit,
When the input signal detection circuit detects that the video signal is not input to the signal processing circuit, the control circuit turns off the signal processing circuit and based on the voltage of the output terminal, It is determined whether or not a video device is connected to the output terminal, and when the input signal detection circuit detects that the video signal is input to the signal processing circuit, a connection current detection circuit A semiconductor integrated circuit having a connection detection function configured to determine whether or not a video device is connected to the output terminal based on a detected current value output from the simulated output stage.
前記模擬出力段は、一方の主端子が前記第1電位を付与する第3電位付与手段に接続され、制御端子が前記第1高電位側トランジスタの制御端子に接続された第2高電位側トランジスタと、一方の主端子が前記第2電位を付与する第4電位付与手段に接続され、他方の主端子が前記第2高電位側トランジスタの他方の主端子に接続され、制御端子が前記第1低電位側トランジスタの制御端子に接続され、かつ前記第2高電位側トランジスタと相補的に動作するよう構成された第2低電位側トランジスタと、を備えており、
前記接続電流検出回路は、一方の主端子が前記第1電位を付与する第5電位付与手段に接続された第3高電位側トランジスタと、一方の主端子が前記第2電位を付与する第6電位付与手段に接続され、他方の主端子が前記第3高電位側トランジスタの他方の主端子に接続された第3低電位側トランジスタと、前記第3高電位側トランジスタの他方の主端子と前記第3低電位側トランジスタの他方の主端子との接続点(以下、特定接続点)を所定の電位に維持するよう前記第3高電位側トランジスタの制御端子と前記第3低電位側トランジスタの制御端子とをバイアスするバイアス手段と、前記第3高電位側トランジスタの一方の主端子と前記第5電位付与手段との間及び前記第3低電位側トランジスタの一方の主端子と前記第6電位付与手段との間の少なくともいずれかに介挿された接続電流検出抵抗と、を備え、前記特定接続点が前記第2高電位側トランジスタの他方の主端子と前記第2低電位側トランジスタの他方の主端子との接続点に接続されている、請求項1に記載の接続検出機能を有する半導体集積回路。 The output stage of the signal processing circuit includes a first high-potential side transistor in which one main terminal is connected to a first potential applying unit that applies a first potential, and a control terminal is connected to a previous video signal output terminal; One main terminal is connected to a second potential applying means for applying a second potential lower than the first potential, the other main terminal is connected to the other main terminal of the first high potential side transistor, and a control terminal is connected A first low potential side transistor connected to a previous video signal output terminal and configured to operate in a complementary manner with the first high potential side transistor, the other main main transistor of the first high potential side transistor A processed video signal is output from a connection point between the terminal and the other main terminal of the first low potential side transistor;
The simulated output stage includes a second high potential side transistor having one main terminal connected to a third potential applying means for applying the first potential and a control terminal connected to a control terminal of the first high potential side transistor. And one main terminal is connected to a fourth potential applying means for applying the second potential, the other main terminal is connected to the other main terminal of the second high potential side transistor, and a control terminal is connected to the first potential terminal. A second low potential side transistor connected to a control terminal of the low potential side transistor and configured to operate in a complementary manner with the second high potential side transistor;
The connection current detection circuit includes a third high-potential side transistor connected to a fifth potential applying unit, one main terminal applying the first potential, and a sixth main terminal applying the second potential to one main terminal. A third low potential side transistor connected to the potential applying means and having the other main terminal connected to the other main terminal of the third high potential side transistor; the other main terminal of the third high potential side transistor; Control of the control terminal of the third high potential side transistor and the control of the third low potential side transistor so as to maintain a connection point (hereinafter referred to as a specific connection point) with the other main terminal of the third low potential side transistor at a predetermined potential. Bias means for biasing the terminal, between one main terminal of the third high potential side transistor and the fifth potential applying means, and one main terminal of the third low potential side transistor and the sixth potential applying means A connection current detection resistor interposed between at least one of the first connection terminal and the specific connection point of the other main terminal of the second high potential side transistor and the other main terminal of the second low potential side transistor. The semiconductor integrated circuit which has a connection detection function of Claim 1 connected to the connection point with.
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JP2008283443A JP2010114514A (en) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | Semiconductor integrated circuit having connection detecting function |
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