JP2010109309A - Electronic substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic substrate configured to efficiently dissipate heat produced in a coil formed by a circuit pattern of a substrate. <P>SOLUTION: A DC-DC converter 100 includes heat dissipating members 161 to 163 formed so as to dissipate heat to a cooling section 103 from the side of one end. The heat dissipating members 161 to 163 are arranged so that one end thereof comes into contact with the cooling section 103 with a thermally conductive insulation sheet 102 sandwiched therebetween. The other end of each of the heat dissipating members 161 to 163 is connected to each of wiring circuits 152 to 154, respectively. Due to this, it becomes possible to dissipate heat that propagates on the wiring circuits 152 to 154 to the cooling section 103 via the heat dissipating members 161 to 163. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発熱量が大きい電子基板の技術分野に関するものである。   The present invention relates to the technical field of electronic substrates that generate a large amount of heat.

自動車用DC−DCコンバータは、スイッチング用MOS−FET、電圧変換用トランス、整流用ダイオード、平滑化用チョークコイルの4つの部品で構成される方式のものが一般的である。ハイブリッド自動車用のDC−DCコンバータでは、高電圧・大電流によってそれぞれの部品からの発熱が大きくなるため、それぞれがウォータージャケット等の冷却部品で個別に冷却されるように構成されている。すなわち、それぞれが別個に冷却部品に搭載され、各部品間をバスバー等によって電気的に接続する構造となっている(例えば引用文献1)。   The DC-DC converter for automobiles is generally of a system composed of four parts: a switching MOS-FET, a voltage converting transformer, a rectifying diode, and a smoothing choke coil. A DC-DC converter for a hybrid vehicle is configured such that each component is individually cooled by a cooling component such as a water jacket because heat from each component increases due to high voltage and large current. That is, each is separately mounted on a cooling component, and each component is electrically connected by a bus bar or the like (for example, cited document 1).

上記のような構成では、接続部分におけるネジ締結作業あるいは溶接作業が多くなり、組立工数が増大するのみならず、接続部分の接触抵抗のばらつきに起因した電気的問題を回避するために、回路上にも専用の部品を付加する必要が生じる。
このような問題への対策として、電圧変換用トランス及び平滑化用チョークコイルを構成するコイルを、スイッチング用MOS−FET及び整流用ダイオードを搭載する基板の回路パターンで形成することで、これらの部品を一体化することができ、これにより接続箇所を削減することができる。
特開2005−143215号公報
In the configuration as described above, not only the screw fastening work or welding work in the connection part is increased, but the number of assembling steps is increased, and in order to avoid an electrical problem caused by the contact resistance variation in the connection part, Also, it is necessary to add dedicated parts.
As a countermeasure against such a problem, these components are formed by forming a coil constituting a voltage converting transformer and a smoothing choke coil with a circuit pattern of a substrate on which a switching MOS-FET and a rectifying diode are mounted. Can be integrated, thereby reducing the number of connection points.
JP 2005-143215 A

しかしながら、同一基板上にスイッチング用MOS−FET、整流用ダイオード、電圧変換用トランス及び平滑化用チョークコイルを形成して一体化した場合には、各部品間を電気的に接続する配線回路を経由して熱が伝導されやすくなる。同一基板上に上記の各部品を一体化して形成した電子基板の一例を図12に示す。図12は、DC−DCコンバータを構成する従来の電子基板900の断面図である。   However, when a switching MOS-FET, a rectifying diode, a voltage conversion transformer, and a smoothing choke coil are formed and integrated on the same substrate, they are routed through a wiring circuit that electrically connects the components. As a result, heat is easily conducted. FIG. 12 shows an example of an electronic board formed by integrating the above components on the same board. FIG. 12 is a cross-sectional view of a conventional electronic substrate 900 constituting a DC-DC converter.

電圧変換用トランス920及び平滑化用チョークコイル940を構成するコイルを回路パターンで形成した場合、そこでの発熱がスイッチング用MOS−FET910及び整流用ダイオード930に比べて大きくなる。その結果、トランス920及びチョークコイル940での発熱が配線回路952〜954を経由してMOS−FET910やダイオード930に伝わり、これらを高温に加熱してしまう。MOS−FET910やダイオード930は、所定以上の高温になると信頼性が確保できなくなるといった問題が生じる。   When the coils constituting the voltage conversion transformer 920 and the smoothing choke coil 940 are formed in a circuit pattern, the heat generation therein is larger than that of the switching MOS-FET 910 and the rectifying diode 930. As a result, heat generated by the transformer 920 and the choke coil 940 is transmitted to the MOS-FET 910 and the diode 930 via the wiring circuits 952 to 954, and these are heated to a high temperature. The MOS-FET 910 and the diode 930 have a problem that reliability cannot be ensured when the temperature becomes higher than a predetermined temperature.

また、電圧変換用トランス920及び平滑化用チョークコイル940を構成するコイルを回路パターンで形成し、かつそれに用いる基板面積を小さくするためには、少なくとも4層の導体層を有する多層基板を用いる必要がある。4層の多層基板を用いる場合、基板の総厚や総重量を抑制するために、導体層1層当たりの厚さを薄くするのが好ましい。   In addition, in order to form a coil constituting the voltage conversion transformer 920 and the smoothing choke coil 940 with a circuit pattern and to reduce the substrate area used therefor, it is necessary to use a multilayer substrate having at least four conductor layers. There is. When a four-layer multilayer substrate is used, it is preferable to reduce the thickness per conductor layer in order to suppress the total thickness and total weight of the substrate.

しかしながら、1層当たりの厚さを薄くしすぎると、電圧変換用トランス及び平滑化用チョークコイルを構成するコイルからの発熱量が多大となって基板温度が上昇する。基板温度が上昇しすぎると、基板に形成されているスルーホールや層間絶縁材料の信頼性を確保するのが困難になってしまう。さらに、コイルで発生する熱が増大すると、配線回路を伝ってMOS−FET及びダイオードをさらに高温にしてその信頼性確保を困難にしてしまう。   However, if the thickness per layer is made too thin, the amount of heat generated from the coils constituting the voltage conversion transformer and the smoothing choke coil becomes large and the substrate temperature rises. If the substrate temperature rises too much, it will be difficult to ensure the reliability of through-holes and interlayer insulating materials formed in the substrate. Furthermore, when the heat generated in the coil increases, the MOS-FET and the diode are further increased in temperature through the wiring circuit, making it difficult to ensure their reliability.

上記のような大電流高放熱の電子基板では、大電流を導通させるために導体厚さを絶縁材と同程度の0.5mm前後にしているが、低コスト化の実現には絶縁体のみならず導体層もさらに薄くするのがよい。それとともに、放熱しやすくするために導体幅を大きくするのが好ましいが、特にチョークコイルではフェライトコアの寸法制限から、コイル部分の導体幅を大きくすることができないといった問題がある。その結果、コイル部分での発熱が大きくなってしまうため、基板に用いる絶縁樹脂材としても耐熱性の高いものを使用する必要があった。このように、導体の低コスト化(薄肉化)と絶縁樹脂材の低コスト化(低耐熱材の使用)を両立させることが困難であった。   In the electronic board with large current and high heat dissipation as described above, the conductor thickness is set to about 0.5 mm, which is the same as that of the insulating material, in order to conduct a large current. The conductor layer should also be made thinner. At the same time, it is preferable to increase the conductor width for facilitating heat dissipation. However, particularly in the choke coil, there is a problem that the conductor width of the coil portion cannot be increased due to the dimensional limitation of the ferrite core. As a result, since heat generation at the coil portion is increased, it is necessary to use an insulating resin material having high heat resistance for the substrate. As described above, it has been difficult to achieve both low cost (thinning) of the conductor and low cost of the insulating resin material (use of a low heat resistant material).

そこで、本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、基板の回路パターンで形成されたコイルで発生する熱を効率的に放熱するように構成された電子基板を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve these problems, and provides an electronic substrate configured to efficiently dissipate heat generated by a coil formed by a circuit pattern of the substrate. Objective.

この発明の電子基板の第1の態様は、回路パターンにてコイルを形成した1以上の導体層を有する電子基板であって、前記コイルに電気的に接続された配線回路と、前記コイルと前記配線回路のいずれか1つ以上から放熱可能に形成された放熱部材と、を備えたことを特徴とする。   A first aspect of the electronic substrate of the present invention is an electronic substrate having one or more conductor layers in which a coil is formed with a circuit pattern, the wiring circuit electrically connected to the coil, the coil, and the coil And a heat dissipating member formed so as to be able to dissipate heat from any one or more of the wiring circuits.

この発明の電子基板の他の態様は、前記放熱部材は、一端が所定の冷却部に放熱可能となるように形成され、他端が前記配線回路に接続されていることを特徴とする。   In another aspect of the electronic substrate of the present invention, the heat dissipating member is formed so that one end can dissipate heat to a predetermined cooling portion, and the other end is connected to the wiring circuit.

この発明の電子基板の他の態様は、回路素子が実装されて前記配線回路に接続され、一端が前記所定の冷却部に放熱可能となるように形成され、他端が前記回路素子から放熱可能となるように形成された別の放熱部材を備えることを特徴とする。   According to another aspect of the electronic substrate of the present invention, a circuit element is mounted and connected to the wiring circuit, one end is formed to be able to radiate heat to the predetermined cooling unit, and the other end can be radiated from the circuit element. It is provided with another heat radiating member formed so that it may become.

この発明の電子基板の他の態様は、前記放熱部材もしくは前記別の放熱部材の一端側にはさらに、前記所定の冷却部に放熱可能となるように形成された別の配線回路が接続されていることを特徴とする。   In another aspect of the electronic substrate of the present invention, another wiring circuit formed so as to be able to dissipate heat is further connected to one end side of the heat radiating member or the other heat radiating member. It is characterized by being.

この発明の電子基板の他の態様は、前記放熱部材は、前記基板内に垂直に形成された銅ポストであることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the heat dissipation member is a copper post formed vertically in the substrate.

この発明の電子基板の他の態様は、前記放熱部材は、前記基板に形成されたスルーホールであることを特徴とする。   In another aspect of the electronic substrate of the present invention, the heat dissipation member is a through hole formed in the substrate.

この発明の電子基板の他の態様は、前記コイルは、1次コイルと2次コイルが別の導体層に形成されたトランスであることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the coil is a transformer in which a primary coil and a secondary coil are formed in different conductor layers.

この発明の電子基板の他の態様は、前記トランスは、4層以上の導体層に形成されていることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the transformer is formed on four or more conductor layers.

この発明の電子基板の他の態様は、前記コイルは、平滑化用チョークコイルであることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the coil is a smoothing choke coil.

この発明の電子基板の他の態様は、前記平滑化用チョークコイルは、2層以上の前記導体層に形成されたコイルで構成されていることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the smoothing choke coil is composed of a coil formed in two or more conductor layers.

この発明の電子基板の他の態様は、前記導体層の厚さは0.1mm以上かつ1mm以下であることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the conductor layer has a thickness of 0.1 mm or more and 1 mm or less.

この発明の電子基板の他の態様は、前記冷却部材は、前記コイルの始点と終点との間の所定の位置に形成されたコイル拡張部であることを特徴とする。   In another aspect of the electronic substrate of the present invention, the cooling member is a coil extension portion formed at a predetermined position between a start point and an end point of the coil.

この発明の電子基板の他の態様は、前記コイル拡張部は、少なくとも前記コイルの始点と終点との間の略中央部に形成されていることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the coil extension portion is formed at least at a substantially central portion between a start point and an end point of the coil.

この発明の電子基板の他の態様は、前記コイルの略中心位置及び外周近傍に2以上の形成物が配置されており、前記コイル拡張部は、前記形成物と重ならない位置に配置されていることを特徴とする。   In another aspect of the electronic substrate according to the present invention, two or more formations are disposed in the approximate center position and the outer periphery of the coil, and the coil extension portion is disposed in a position not overlapping the formation. It is characterized by that.

この発明の電子基板の他の態様は、前記形成物は、所定の磁性材を挿通させるための貫通穴であることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the formation is a through hole for allowing a predetermined magnetic material to pass therethrough.

この発明の電子基板の他の態様は、前記コイル拡張部は、前記コイルの始点または終点から離れるほど幅が拡張されていることを特徴とする。   Another aspect of the electronic substrate of the present invention is characterized in that the width of the coil extension portion is increased as the distance from the start point or end point of the coil increases.

本発明の電子基板によれば、基板の回路パターンで形成されたコイルで発生する熱を効率的に放熱することが可能となる。   According to the electronic substrate of the present invention, it is possible to efficiently dissipate heat generated by the coil formed by the circuit pattern of the substrate.

図面を参照して本発明の好ましい実施の形態における電子基板の構成について詳細に説明する。なお、同一機能を有する各構成部については、図示及び説明簡略化のため、同一符号を付して示す。   A configuration of an electronic substrate in a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, about each structural part which has the same function, the same code | symbol is attached | subjected and shown for simplification of illustration and description.

本発明の電子基板は、同一基板上にコイルと回路素子とが搭載されており、コイルで発生する熱がコイルと回路素子とを電気的に接続する配線回路を経由して回路素子に伝わり、回路素子を高温に加熱してしまうのを防止するように構成されている。以下では、電子基板としてハイブリッド自動車に用いられるDC−DCコンバータを例に説明する。   In the electronic board of the present invention, a coil and a circuit element are mounted on the same board, and heat generated in the coil is transmitted to the circuit element via a wiring circuit that electrically connects the coil and the circuit element. The circuit element is configured to be prevented from being heated to a high temperature. Hereinafter, a DC-DC converter used for a hybrid vehicle as an electronic substrate will be described as an example.

本発明の第1の実施の形態に係る電子基板を、図1を用いて以下に説明する。図1は、本実施形態の電子基板の一実施例であるDC−DCコンバータ100の概略構成を示す断面図である。DC−DCコンバータ100は、回路素子としてスイッチング用MOS−FET110と整流用ダイオード130とを備え、コイルとして電圧変換用トランス120と平滑化用チョークコイル140とを備えている。   An electronic substrate according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a DC-DC converter 100 which is an example of the electronic substrate of the present embodiment. The DC-DC converter 100 includes a switching MOS-FET 110 and a rectifying diode 130 as circuit elements, and includes a voltage conversion transformer 120 and a smoothing choke coil 140 as coils.

MOS−FET110及び、ダイオード130が基板101上に実装されており、トランス120、及びチョークコイル140は、基板101に配線により形成されており、これらが配線回路152〜154で電気的に接続されている。また、外部からMOS−FET110に電力供給するための配線回路151と、チョークコイル140から外部に電力供給するための配線回路155が設けられている。配線回路151〜155は、例えば基板101上にパターンを形成して設けることができる。   The MOS-FET 110 and the diode 130 are mounted on the substrate 101, and the transformer 120 and the choke coil 140 are formed on the substrate 101 by wiring, and these are electrically connected by the wiring circuits 152 to 154. Yes. Further, a wiring circuit 151 for supplying power to the MOS-FET 110 from the outside and a wiring circuit 155 for supplying power from the choke coil 140 to the outside are provided. The wiring circuits 151 to 155 can be provided by forming a pattern on the substrate 101, for example.

ハイブリッド自動車等に用いられるDC−DCコンバータ100では、MOS−FET110に入力される電圧及び電流は例えば288V/20Aであり、チョークコイル140から出力される電圧及び電流は例えば15V/100Aとなっている。DC−DCコンバータ100は、高電圧の直流電流をMOS−FET110で交流電流に変換してトランス120で降圧し、降圧された交流電流をダイオード130で整流した後チョークコイル140で平滑化している。上記の例ように、DC−DCコンバータ100は高電圧・大電流で動作しているため、各部品からの発熱が大きくなる。なかでも、回路パターンでコイルを形成しているトランス120及びチョークコイル140では、その発熱量が無視できなくなる。   In the DC-DC converter 100 used for a hybrid vehicle or the like, the voltage and current input to the MOS-FET 110 are, for example, 288V / 20A, and the voltage and current output from the choke coil 140 are, for example, 15V / 100A. . The DC-DC converter 100 converts a high-voltage direct current into an alternating current by the MOS-FET 110, steps down the voltage by the transformer 120, rectifies the stepped-down alternating current by the diode 130, and smoothes it by the choke coil 140. As described above, since the DC-DC converter 100 operates at a high voltage and a large current, heat generated from each component increases. Especially, in the transformer 120 and the choke coil 140 that form a coil with a circuit pattern, the amount of generated heat cannot be ignored.

MOS−FET110、トランス120、ダイオード130、及びチョークコイル140のそれぞれで発生する熱を放出するために、従来より、それぞれが個別に冷却部103で冷却されるように構成され、実装されているMOS−FET110やダイオード130は、その表面に取り付けられる図示しないヒートシンクを介して冷却部103に接続される構成としている。但し、それぞれの絶縁性を確保するために、冷却部103との間に熱伝導性絶縁シートが設けられている。   In order to release the heat generated in each of the MOS-FET 110, the transformer 120, the diode 130, and the choke coil 140, conventionally, each of the MOSs configured and mounted to be individually cooled by the cooling unit 103. The FET 110 and the diode 130 are connected to the cooling unit 103 via a heat sink (not shown) attached to the surface. However, in order to ensure each insulation, the heat conductive insulation sheet is provided between the cooling parts 103. FIG.

しかし、導体のパターン厚や幅の関係で、トランス120及びチョークコイル140における発熱量が無視できないため、トランス120及びチョークコイル140における発熱の一部が配線回路152〜154を経由してMOS−FET110及びダイオード130に伝導される(図12参照)。MOS−FET110及びダイオード130は、それ自身の発熱に加えてトランス120及びチョークコイル140からも加熱されるため、一層高温になってしまう。   However, since the amount of heat generated in the transformer 120 and the choke coil 140 cannot be ignored due to the pattern thickness and width of the conductor, part of the heat generated in the transformer 120 and the choke coil 140 passes through the wiring circuits 152 to 154 and the MOS-FET 110. And conducted to the diode 130 (see FIG. 12). Since the MOS-FET 110 and the diode 130 are heated by the transformer 120 and the choke coil 140 in addition to their own heat generation, the temperature becomes even higher.

そこで、本実施形態のDC−DCコンバータ100では、一端側から冷却部103に放熱可能に形成された放熱部材161〜163が備えられている。放熱部材161〜163は、それぞれの一端が熱伝導性絶縁シート102を挟んで冷却部103に接するように配置されている。また、放熱部材161〜163のそれぞれの他端は、配線回路152〜154にそれぞれ接続されている。なお、ここでは配線回路152〜154のすべてに放熱部材161〜163を設けているが、放熱量等に応じて適宜省略することも可能である。   Therefore, in the DC-DC converter 100 of the present embodiment, the heat radiating members 161 to 163 are formed so as to be able to radiate heat to the cooling unit 103 from one end side. The heat radiating members 161 to 163 are arranged such that one ends thereof are in contact with the cooling unit 103 with the heat conductive insulating sheet 102 interposed therebetween. The other ends of the heat radiation members 161 to 163 are connected to the wiring circuits 152 to 154, respectively. Here, the heat radiation members 161 to 163 are provided in all the wiring circuits 152 to 154, but may be appropriately omitted depending on the heat radiation amount or the like.

放熱部材161〜163を上記のように配置することにより、配線回路152〜154を伝導する熱を、放熱部材161〜163を経由して冷却部103に放出することが可能となる。すなわち、トランス120及びチョークコイル140から回路素子側に配線回路152〜154を伝導する熱の多くが、途中で放熱部材161〜163側に伝導されて冷却部103に放出される。   By disposing the heat dissipating members 161 to 163 as described above, heat conducted through the wiring circuits 152 to 154 can be released to the cooling unit 103 via the heat dissipating members 161 to 163. That is, most of the heat conducted from the transformer 120 and the choke coil 140 through the wiring circuits 152 to 154 to the circuit element side is conducted to the heat radiating members 161 to 163 on the way and released to the cooling unit 103.

MOS−FET110、トランス120、ダイオード130、及びチョークコイル140で発生した熱が、配線回路152〜154及び放熱部材161〜163を伝導する状態を模式的に図2に示す。図2では、トランス120及びチョークコイル140で発生した多量の熱が、配線回路152〜154をMOS−FET110及びダイオード130側に伝導されるが、途中で放熱部材161〜163側に移動して冷却部103に放熱される状態を示している。放熱部材161〜163は、一端側が冷却部103で冷却されているため、MOS−FET110及びダイオード130側に伝導するよりも多くの熱を冷却部103側に伝導することができる。   FIG. 2 schematically shows a state where heat generated by the MOS-FET 110, the transformer 120, the diode 130, and the choke coil 140 is conducted through the wiring circuits 152 to 154 and the heat radiation members 161 to 163. In FIG. 2, a large amount of heat generated in the transformer 120 and the choke coil 140 is conducted to the wiring circuits 152 to 154 to the MOS-FET 110 and the diode 130 side. A state where heat is radiated to the portion 103 is shown. Since one end side of the heat radiation members 161 to 163 is cooled by the cooling unit 103, more heat can be conducted to the cooling unit 103 side than conducted to the MOS-FET 110 and the diode 130 side.

放熱部材161〜163として、基板101内に銅ポストを形成して用いることができる。あるいは、基板101内にスルーホールを形成して用いてもよい。放熱部材161〜163の一端側は、冷却部103との間に熱伝導性絶縁シートを配置することで、電気的に絶縁されている。これに対し、放熱部材161〜163の他端側は、配線回路152〜154に直接接続されて導電状態となっている。これにより、熱伝導性も高めることができる。   As the heat radiating members 161 to 163, copper posts can be formed in the substrate 101 and used. Alternatively, a through hole may be formed in the substrate 101 and used. One end side of the heat radiating members 161 to 163 is electrically insulated by disposing a heat conductive insulating sheet between the heat radiating members 161 to 163. On the other hand, the other end side of the heat radiation members 161 to 163 is directly connected to the wiring circuits 152 to 154 and is in a conductive state. Thereby, thermal conductivity can also be improved.

図1に示した実施例では、配線回路152〜154に放熱部材161〜163を接続するようにしたが、別の実施例として、配線回路151または/及び配線回路155にも放熱部材を接続するようにしてもよい。また、従来、図示しないヒートシンクを介して冷却部103に熱的に接続していたMOS−FET110及びダイオード130の下にも別の放熱部材を接続するようにしてもよい。別の放熱部材は、配線回路151〜155を介してMOS−FET110及びダイオード130に接続することも、配線回路151〜155を介さず、直接MOS−FET110及びダイオード130に接続することも可能である。
配線回路151と155の両方に放熱部材を接続し、MOS−FET110及びダイオード130の下にも配線回路を介して別の放熱部材を接続した実施例を図3に示す。図3に示すように、DC−DCコンバータ100’の入出力部である配線回路151、155に放熱部材164、165を設け、MOS−FET110及びダイオード130の下に配線回路を介して別の放熱部材171、172を設けることで、MOS−FET110、ダイオード130及びチョークコイル140の冷却効果をさらに高めることができ、その結果基板101の温度を下げることができる。
In the embodiment shown in FIG. 1, the heat dissipation members 161 to 163 are connected to the wiring circuits 152 to 154, but as another embodiment, the heat dissipation members are also connected to the wiring circuit 151 and / or the wiring circuit 155. You may do it. Further, another heat dissipating member may be connected below the MOS-FET 110 and the diode 130 that are conventionally thermally connected to the cooling unit 103 via a heat sink (not shown). Another heat dissipating member can be connected to the MOS-FET 110 and the diode 130 via the wiring circuits 151 to 155, or can be directly connected to the MOS-FET 110 and the diode 130 without passing through the wiring circuits 151 to 155. .
FIG. 3 shows an embodiment in which a heat radiating member is connected to both the wiring circuits 151 and 155, and another heat radiating member is connected below the MOS-FET 110 and the diode 130 via the wiring circuit. As shown in FIG. 3, heat radiation members 164 and 165 are provided in the wiring circuits 151 and 155 which are input / output portions of the DC-DC converter 100 ′, and another heat radiation is performed under the MOS-FET 110 and the diode 130 via the wiring circuit. By providing the members 171 and 172, the cooling effect of the MOS-FET 110, the diode 130, and the choke coil 140 can be further enhanced, and as a result, the temperature of the substrate 101 can be lowered.

本発明の第2の実施の形態に係る電子基板を、図4及び図5を用いて以下に説明する。図4及び図5は、本実施形態の電子基板の一実施例であるDC−DCコンバータ200の概略構成を示す断面図及び平面図である。本実施形態では、回路素子やコイルを搭載する基板として、2層以上の導体層を有する多層基板を用いる。図4に示す実施例では、4層の導体層からなる多層基板201を用いている。多層基板201は、4層の導体層202とその間を絶縁するための3層の絶縁層203で構成されている。   An electronic substrate according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 4 and 5 are a cross-sectional view and a plan view showing a schematic configuration of a DC-DC converter 200 which is an example of the electronic substrate of the present embodiment. In this embodiment, a multilayer substrate having two or more conductor layers is used as a substrate on which circuit elements and coils are mounted. In the embodiment shown in FIG. 4, a multilayer substrate 201 composed of four conductor layers is used. The multilayer substrate 201 is composed of four conductive layers 202 and three insulating layers 203 for insulating between them.

電圧変換用トランス220及び平滑化用チョークコイル240を構成するコイルを基板の回路パターンで形成する場合、それに必要な基板面積を小さくするためには、4層以上の導体層202を有する多層基板201を用いるのがよい。導体層202を4層とした場合には、多層基板201の総厚や総重量が導体層202の1層当たりの厚さ及び重量の4倍以上となるため、導体層202の厚さをできるだけ薄くするのが望ましい。しかし、導体層202の厚さを薄くしすぎると、トランス220及びチョークコイル240の各コイルからの発熱量が多大となってしまう。また、コイルで発生する熱が過大になる場合には、配線回路252〜254から放熱部材261〜263に移動しないでMOS−FET210及びダイオード230に伝導される熱量が増え、これらの回路素子を高温化してしまう。   In the case where the coils constituting the voltage conversion transformer 220 and the smoothing choke coil 240 are formed with a circuit pattern of the substrate, a multilayer substrate 201 having four or more conductor layers 202 is required in order to reduce the necessary substrate area. Should be used. When the number of conductor layers 202 is four, the total thickness and the total weight of the multilayer substrate 201 are four times or more the thickness and weight per layer of the conductor layer 202. It is desirable to make it thinner. However, if the thickness of the conductor layer 202 is made too thin, the amount of heat generated from each coil of the transformer 220 and the choke coil 240 becomes large. Further, when the heat generated in the coil becomes excessive, the amount of heat conducted to the MOS-FET 210 and the diode 230 without moving from the wiring circuits 252 to 254 to the heat radiation members 261 to 263 increases, and these circuit elements are heated to a high temperature. It will become.

導体層202の1層当たりの厚さが0.1mmを下回る場合、ハイブリッド自動車用のDC−DCコンバータ等で一般的に通電されている100A程度の電流を導体層202に形成されたコイルに流すと、このコイルの温度が180℃を超えてしまうことになり、半田の溶融温度に達してしまう。導体層202の1層当たりの厚さを0.3mm程度とした場合には、コイルの温度が150℃となって半田の溶融温度までの余裕が得られる。この場合、絶縁層203に用いる絶縁材料に選択の幅が広がることから、DC−DCコンバータ200のコストダウンを図ることも可能となる。   When the thickness per one layer of the conductor layer 202 is less than 0.1 mm, a current of about 100 A that is generally energized by a DC-DC converter for a hybrid vehicle or the like is passed through a coil formed on the conductor layer 202. Then, the temperature of this coil exceeds 180 ° C., and reaches the melting temperature of the solder. When the thickness per one layer of the conductor layer 202 is about 0.3 mm, the temperature of the coil becomes 150 ° C. and a margin up to the melting temperature of the solder is obtained. In this case, since the range of selection of the insulating material used for the insulating layer 203 is widened, the cost of the DC-DC converter 200 can be reduced.

一方、導体層202の1層当たりの厚さを0.7mm以上とすると、4層の導体層202と絶縁層203を含めた多層基板201の総厚が3.5mmを超えてしまう。このような厚さの多層基板201では、通常のエッチング装置に投入することができず、特殊な装置が必要となってコストアップの原因となってしまう。さらに、導体層202の1層当たりの厚さを1mm以上とすると、多層基板201の総厚が5mm以上となり、製造装置を新たに導入する必要が生じて一層のコストアップとなってしまう。   On the other hand, if the thickness of one conductor layer 202 is 0.7 mm or more, the total thickness of the multilayer substrate 201 including the four conductor layers 202 and the insulating layer 203 exceeds 3.5 mm. The multilayer substrate 201 having such a thickness cannot be put into a normal etching apparatus, and a special apparatus is required, resulting in an increase in cost. Furthermore, if the thickness of the conductor layer 202 per layer is 1 mm or more, the total thickness of the multilayer substrate 201 is 5 mm or more, which necessitates the introduction of a new manufacturing apparatus and further increases the cost.

導体層202の厚さとコイル温度及び製造コストとの関係の一例を図6に示す。コイル温度は、導体層202の厚さを大きくするとともに低下していく。これに対し、多層基板200の製造コストは、導体層202の厚さを大きくするとともに上昇しており、特に導体層202の厚さが0.7mmを超えるときと1mmを超える時に急激に上昇している。   An example of the relationship between the thickness of the conductor layer 202, the coil temperature, and the manufacturing cost is shown in FIG. The coil temperature decreases as the thickness of the conductor layer 202 increases. On the other hand, the manufacturing cost of the multilayer substrate 200 increases as the thickness of the conductor layer 202 increases, and particularly increases rapidly when the thickness of the conductor layer 202 exceeds 0.7 mm and exceeds 1 mm. ing.

本実施形態のDC−DCコンバータ200では、上記のような事情を考慮して導体層202の1層当たりの厚さを好適に設定しており、これによりコイルからの発熱量が多大とならないようにするとともに、低コストで作製できるようにしている。本実施形態の導体層202の1層当たりの厚さは、0.1mm以上かつ1mm以下とするのがよい。より好ましくは、0.3mm以上かつ0.7mm以下とするのがよい。   In the DC-DC converter 200 of the present embodiment, the thickness per layer of the conductor layer 202 is suitably set in consideration of the above-described circumstances, so that the amount of heat generated from the coil does not increase. In addition, it is possible to manufacture at a low cost. The thickness per layer of the conductor layer 202 of this embodiment is preferably 0.1 mm or more and 1 mm or less. More preferably, it is 0.3 mm or more and 0.7 mm or less.

図4、5に示した本実施形態のDC−DCコンバータ200では、第1層の導体層202aが各部品間を接続する配線回路251〜255に用いられており、このうち、MOS−FET210、トランス220、ダイオード230及びチョークコイル240を相互に接続する配線回路252〜254に放熱部材261〜263が接続されている。また、MOS−FET210、ダイオード230の下には、冷却部103と熱的に接続されるように配線回路を介して別の放熱部材271、272が接続されている。ここでは、放熱部材261〜263および271、272が、第2層〜第4層の導体層202b〜202dとは絶縁されるように配置されている。これにより、トランス220及びチョークコイル240の各コイルで発生した熱が、配線回路252〜254を経由してMOS−FET210及びダイオード230側に伝導される途中で、その大部分が放熱部材261〜263側に移動して冷却部103に放熱されるようにしている。さらには、MOS−FET210、ダイオード230で発生する熱も別の放熱部材271、272を介して、冷却部103に放熱されるようになる。このような構成とすることで、基板101の温度をさらに下げることができる。   In the DC-DC converter 200 of the present embodiment shown in FIGS. 4 and 5, the first conductor layer 202a is used for the wiring circuits 251 to 255 that connect the components, and among these, the MOS-FET 210, Heat radiation members 261 to 263 are connected to wiring circuits 252 to 254 that mutually connect the transformer 220, the diode 230, and the choke coil 240. Further, under the MOS-FET 210 and the diode 230, other heat radiation members 271 and 272 are connected via a wiring circuit so as to be thermally connected to the cooling unit 103. Here, the heat radiation members 261 to 263 and 271 and 272 are arranged so as to be insulated from the second to fourth conductor layers 202b to 202d. Thereby, the heat generated in each coil of the transformer 220 and the choke coil 240 is conducted to the MOS-FET 210 and the diode 230 side via the wiring circuits 252 to 254, and most of the heat is released from the heat radiation members 261 to 263. So that the heat is dissipated to the cooling unit 103. Furthermore, the heat generated by the MOS-FET 210 and the diode 230 is also radiated to the cooling unit 103 via the separate heat radiation members 271 and 272. With such a structure, the temperature of the substrate 101 can be further lowered.

放熱部材261〜263および271、272の一実施例を、図7を用いてさらに詳細に説明する。図7に示す放熱部材260aは、多層基板201に設けられた銅ポストで形成されており、放熱部材261〜263のいずれにも用いることができる。ここでは、配線回路251〜255が第1層目の導体層202aに形成されているものとしている。また、導体層202aの配線回路251〜255以外の部分、及び導体層202b〜202dは、コイルや別の回路等を形成するのに用いられる。放熱部材260aは、一端が熱伝導性絶縁シート102を介して冷却部103に接し、他端が第1層目の導体層202a、すなわち配線回路252〜254のいずれかに半田204で接続されている。また、放熱部材260aの外周も半田204で多層基板201に固定されている。但し、放熱部材260aと第2層目〜第4層目の導体層202b〜202dとの間は、絶縁層203と同じ絶縁材料で絶縁されている。   One example of the heat radiating members 261 to 263 and 271 and 272 will be described in more detail with reference to FIG. The heat radiating member 260a shown in FIG. 7 is formed of a copper post provided on the multilayer substrate 201, and can be used for any of the heat radiating members 261 to 263. Here, it is assumed that the wiring circuits 251 to 255 are formed on the first conductor layer 202a. Further, portions of the conductor layer 202a other than the wiring circuits 251 to 255 and the conductor layers 202b to 202d are used to form a coil, another circuit, or the like. One end of the heat dissipating member 260a is in contact with the cooling unit 103 through the heat conductive insulating sheet 102, and the other end is connected to the first conductor layer 202a, that is, one of the wiring circuits 252 to 254 by solder 204. Yes. The outer periphery of the heat radiating member 260 a is also fixed to the multilayer substrate 201 with solder 204. However, the heat radiating member 260a and the second to fourth conductor layers 202b to 202d are insulated by the same insulating material as the insulating layer 203.

なお、上記では配線回路252〜254のいずれもが第1層目の導体層202aに形成されているものとしたが、配線回路が別の層に形成されていてもよく、その場合には、放熱部材260aは、少なくとも配線回路が形成されている導体層202と熱伝導性絶縁シート102との間に設けられる。   In the above description, all of the wiring circuits 252 to 254 are formed on the first conductor layer 202a. However, the wiring circuit may be formed on another layer. The heat dissipation member 260a is provided between at least the conductor layer 202 on which the wiring circuit is formed and the heat conductive insulating sheet 102.

放熱部材261〜263および271、272の別の実施例を、図8を用いて詳細に説明する。図8に示す放熱部材260bは、冷却部103への放熱の機能に加えて、配線回路252〜254のいずれかを電気的に接続するのにも用いられている。一例として第1層目の導体層202aに形成された配線回路250aがMOS−FET210またはダイオード230に接続され、第4層目の導体層202dに形成された配線回路250bがトランス220またはチョークコイル240に接続されているものとする。この場合、配線回路250aと配線回路250bとを電気的に接続することで、配線回路252〜254のいずれかが形成される。図8に示す放熱部材260bは、配線回路250aと配線回路250bとの電気的な接続にも用いられている。   Another embodiment of the heat dissipating members 261 to 263 and 271, 272 will be described in detail with reference to FIG. The heat radiating member 260b shown in FIG. 8 is used to electrically connect any of the wiring circuits 252 to 254 in addition to the function of radiating heat to the cooling unit 103. As an example, the wiring circuit 250a formed in the first conductor layer 202a is connected to the MOS-FET 210 or the diode 230, and the wiring circuit 250b formed in the fourth conductor layer 202d is the transformer 220 or the choke coil 240. It is assumed that it is connected to In this case, any of the wiring circuits 252 to 254 is formed by electrically connecting the wiring circuit 250a and the wiring circuit 250b. The heat radiation member 260b shown in FIG. 8 is also used for electrical connection between the wiring circuit 250a and the wiring circuit 250b.

放熱部材260bは、配線回路250aと配線回路250bとを電気的に接続するとともに、トランス220またはチョークコイル240から配線回路250bに伝導される熱を熱伝導性絶縁シート102を介して冷却部103に放熱するようにしている。これにより、配線回路250bから配線回路250aに伝導してMOS−FET210またはダイオード230に加えられる熱量を低減している。放熱部材260bは、多層基板201にスルーホールを設けて形成することができる。スルーホールの内壁には半田204の層が形成されており、これにより配線回路250aと配線回路250bとが電気的に接続されるとともに、熱伝導性絶縁シート102までの熱伝導性を高めている。   The heat radiating member 260b electrically connects the wiring circuit 250a and the wiring circuit 250b, and heat conducted from the transformer 220 or the choke coil 240 to the wiring circuit 250b to the cooling unit 103 via the thermally conductive insulating sheet 102. I try to dissipate heat. Thus, the amount of heat conducted from the wiring circuit 250b to the wiring circuit 250a and applied to the MOS-FET 210 or the diode 230 is reduced. The heat dissipating member 260b can be formed by providing a through hole in the multilayer substrate 201. A layer of solder 204 is formed on the inner wall of the through hole, whereby the wiring circuit 250a and the wiring circuit 250b are electrically connected and the thermal conductivity to the heat conductive insulating sheet 102 is enhanced. .

なお、図8において、トランス220またはチョークコイル240に接続される配線回路250bは、冷却部103側の第4層目の導体層202dに形成するのがよい。これにより、トランス220またはチョークコイル240から伝導される熱が、熱伝導性絶縁シート102を介して配線回路250bからも冷却部103に放熱される。   In FIG. 8, the wiring circuit 250b connected to the transformer 220 or the choke coil 240 is preferably formed in the fourth conductor layer 202d on the cooling unit 103 side. Thereby, the heat conducted from the transformer 220 or the choke coil 240 is also radiated from the wiring circuit 250 b to the cooling unit 103 via the heat conductive insulating sheet 102.

次に、多層基板201の各導体層202を用いて形成されるコイルの一実施例を、図9を用いて説明する。図9は、トランス220の一実施例を示す断面図である。但し、図9では、導体層202間に配置されている絶縁層203の記載を省略している。トランス220は、コイル221aと221bとからなる一次コイル221と、コイル222aと222bとからなる二次コイル222とで構成されている。高電圧側の一次コイル221は、コイル221a、221bがそれぞれ第1層目の導体層202aと第4層目の導体層202dで例えば4ターンのコイルに形成されている。また、低電圧側の二次コイル222は、それぞれのコイル222a、222bがそれぞれ第2層目の導体層202bと第3層目の導体層202cで例えば1ターンのコイルに形成されている。   Next, an example of a coil formed using each conductor layer 202 of the multilayer substrate 201 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing an embodiment of the transformer 220. However, in FIG. 9, the description of the insulating layer 203 disposed between the conductor layers 202 is omitted. The transformer 220 includes a primary coil 221 composed of coils 221a and 221b and a secondary coil 222 composed of coils 222a and 222b. The primary coil 221 on the high voltage side has coils 221a and 221b formed of, for example, a four-turn coil with a first conductor layer 202a and a fourth conductor layer 202d. The secondary coil 222 on the low voltage side is formed in, for example, a one-turn coil, with the coils 222a and 222b each including a second conductor layer 202b and a third conductor layer 202c.

一次コイル221を構成するコイル221a、221bは、それぞれに接続された配線回路252a、252bを経由してMOS−FET210に接続され、二次コイル222を構成するコイル222a、222bは、それぞれに接続された配線回路253a、253bを経由してダイオード230に接続されている。第4層目の導体層202dに形成されたコイル221bは、熱伝導性絶縁シート102に直接接しており、ここでの発熱は熱伝導性絶縁シート102を介して冷却部103に放出される。   The coils 221a and 221b constituting the primary coil 221 are connected to the MOS-FET 210 via the wiring circuits 252a and 252b connected thereto, respectively, and the coils 222a and 222b constituting the secondary coil 222 are connected to each other. The wiring circuit 253a and 253b are connected to the diode 230. The coil 221 b formed on the fourth conductor layer 202 d is in direct contact with the heat conductive insulating sheet 102, and the heat generated here is released to the cooling unit 103 via the heat conductive insulating sheet 102.

一方、第1層目に形成された一次コイル221側のコイル221aにおける発熱は、配線回路252a及び放熱部材261を経由して冷却部103に放出される。また、第2層目及び第3層目に形成された二次コイル222側のコイル222a、222bにおける発熱は、放熱部材262a、262bを経由して冷却部103に放出される。これにより、一次コイル221側のコイル221a及び二次コイル222側のコイル222a、222bのいずれもが、冷却部103までの放熱経路を有している。   On the other hand, heat generated in the coil 221a on the primary coil 221 side formed in the first layer is released to the cooling unit 103 via the wiring circuit 252a and the heat dissipation member 261. Further, the heat generated in the coils 222a and 222b on the secondary coil 222 side formed in the second layer and the third layer is released to the cooling unit 103 through the heat radiating members 262a and 262b. Thus, both the coil 221 a on the primary coil 221 side and the coils 222 a and 222 b on the secondary coil 222 side have a heat dissipation path to the cooling unit 103.

図9に示した実施例では、配線回路252aに接続された放熱部材261が、一次コイル221側のコイル221aで発生した熱を冷却部103側に放熱する役割のみを有しているのに対し、二次コイル222側のコイル222a、222bに接続された放熱部材262a、262bは、それぞれのコイルで発生した熱を冷却部103側に放熱するとともに、コイル222a、222bと配線回路253a、253bとをそれぞれ電気的に接続する役割も有している。このように、放熱部材261、262a、262bを用いることで、各コイルで発生した熱を効率的に冷却部103側に放出することができ、トランス220に接続されたMOS−FET210及びダイオード230への伝熱を抑制して信頼性を確保することができる。   In the embodiment shown in FIG. 9, the heat radiating member 261 connected to the wiring circuit 252a has only the role of radiating the heat generated in the coil 221a on the primary coil 221 side to the cooling unit 103 side. The heat dissipating members 262a and 262b connected to the coils 222a and 222b on the secondary coil 222 side dissipate heat generated in the respective coils to the cooling unit 103 side, and the coils 222a and 222b and the wiring circuits 253a and 253b. Are also electrically connected to each other. As described above, by using the heat radiation members 261, 262 a, and 262 b, the heat generated in each coil can be efficiently released to the cooling unit 103 side, and the MOS-FET 210 and the diode 230 connected to the transformer 220. The heat transfer can be suppressed and reliability can be ensured.

次に、多層基板201の各導体層202を用いて形成されるチョークコイル240の一実施例を、図10を用いて説明する。図10(a)は、チョークコイル240の一実施例を示す平面図であり、図10(b)は断面図である。但し、ここでは、導体層202間に配置されている絶縁層203の記載を省略している。チョークコイル240は、4つのコイル240a〜240dで構成されており、それぞれ第1層目〜第4層目の各導体層202a〜202dに形成されている。   Next, an example of the choke coil 240 formed using each conductor layer 202 of the multilayer substrate 201 will be described with reference to FIG. FIG. 10A is a plan view showing an embodiment of the choke coil 240, and FIG. 10B is a cross-sectional view. However, the description of the insulating layer 203 disposed between the conductor layers 202 is omitted here. The choke coil 240 is composed of four coils 240a to 240d, which are formed on the first to fourth conductor layers 202a to 202d, respectively.

コイル240aは、配線回路254を経由してダイオード230に接続され、スルーホール241a〜241cを介してコイル240b〜240dへと順次接続されている。そして、第4層目に形成されたコイル240dが、スルーホール241dを介して配線回路255に接続されて負荷に電力を供給する。本実施例のチョークコイル240では、ダイオード230に接続された高温側の配線回路254に放熱部材263を設けており、該放熱部材263から熱伝導性絶縁シート102を介して冷却部103に放熱される。また、第4層目のコイル240dは、熱伝導性絶縁シート102を介して冷却部103に直接放熱される。これにより、第1層目のコイル240aと第4層目のコイル240dの両側からチョークコイル240が冷却される構成となっている。   The coil 240a is connected to the diode 230 via the wiring circuit 254, and is sequentially connected to the coils 240b to 240d via the through holes 241a to 241c. The coil 240d formed in the fourth layer is connected to the wiring circuit 255 via the through hole 241d and supplies power to the load. In the choke coil 240 of the present embodiment, a heat radiating member 263 is provided in the high-temperature wiring circuit 254 connected to the diode 230, and the heat is radiated from the heat radiating member 263 to the cooling unit 103 through the heat conductive insulating sheet 102. The Further, the coil 240d of the fourth layer is directly radiated to the cooling unit 103 via the heat conductive insulating sheet 102. Accordingly, the choke coil 240 is cooled from both sides of the first layer coil 240a and the fourth layer coil 240d.

多層基板201の各導体層202を用いて形成されるチョークコイルの別の実施例を、図11を用いて説明する。図11(a)は、別の実施例のチョークコイル240’を示す平面図であり、図11(b)は断面図である。但し、ここでも、導体層202間に配置されている絶縁層203の記載を省略している。チョークコイル240’は、上記実施例と同様に4つのコイル240a〜240dで構成されており、それぞれ第1層目〜第4層目の各導体層202a〜202dに形成されている。   Another embodiment of the choke coil formed using each conductor layer 202 of the multilayer substrate 201 will be described with reference to FIG. FIG. 11A is a plan view showing a choke coil 240 ′ according to another embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view. However, the description of the insulating layer 203 disposed between the conductor layers 202 is also omitted here. The choke coil 240 'is composed of four coils 240a to 240d as in the above embodiment, and is formed on each of the first to fourth conductor layers 202a to 202d.

本実施例では、第4層目のコイル240dが放熱部材273を経由して配線回路254に接続され、さらにダイオード230に接続されている。また、コイル240dからコイル240c〜240aへとスルーホール241c〜241aを介して順次接続されている。そして、第1層目に形成されたコイル240aが、配線回路255に接続されて負荷に電力を供給している。本実施例のチョークコイル240’では、ダイオード230に接続された高温側の配線回路254に放熱部材263を設けるとともに、熱伝導性絶縁シート102に直接接している第4層目のコイル240dに接続することにより、高温側の配線回路254の冷却をさらに効率よく行えるようにしている。なお、本実施形態では、放熱部材263が熱を伝導するとともに、配線回路254とコイル240dとを電気的に接続している。   In this embodiment, the fourth layer coil 240 d is connected to the wiring circuit 254 via the heat dissipating member 273 and further connected to the diode 230. Further, the coils 240d are sequentially connected to the coils 240c to 240a through the through holes 241c to 241a. A coil 240a formed in the first layer is connected to the wiring circuit 255 and supplies power to the load. In the choke coil 240 ′ of the present embodiment, the heat radiation member 263 is provided in the high-temperature side wiring circuit 254 connected to the diode 230, and is connected to the fourth layer coil 240d that is in direct contact with the heat conductive insulating sheet 102. Thus, the high-temperature side wiring circuit 254 can be cooled more efficiently. In the present embodiment, the heat radiation member 263 conducts heat and electrically connects the wiring circuit 254 and the coil 240d.

上記のように、配線回路254に放熱部材263を接続することで、チョークコイル240で発生した熱を効率的に冷却部103側に放出することができ、チョークコイル240に接続されたダイオード230への伝熱を抑制して信頼性を確保することができる。   As described above, by connecting the heat radiating member 263 to the wiring circuit 254, the heat generated in the choke coil 240 can be efficiently released to the cooling unit 103 side, and the diode 230 connected to the choke coil 240 can be discharged. The heat transfer can be suppressed and reliability can be ensured.

本発明の第3の実施形態に係る電子基板を、以下に説明する。大電流高放熱の電子基板では、低コスト化のために導体層を薄くするとともに、放熱性を高めるために導体幅を大きくするのがよいが、例えばチョークコイルではフェライトコアによる寸法制限のため、従来はコイル部分の導体幅を大きくすることができなかった。従来のチョークコイルにおけるフェライトコアの配置例を図13に示す。図13は、従来のチョークコイル800の一例を示す断面図である。チョークコイル800は、導体層にコイルパターン801が形成されている。   An electronic substrate according to the third embodiment of the present invention will be described below. In an electronic board with high current and high heat dissipation, it is better to make the conductor layer thinner for cost reduction and to increase the conductor width in order to improve heat dissipation. Conventionally, the conductor width of the coil portion could not be increased. An example of the arrangement of ferrite cores in a conventional choke coil is shown in FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of a conventional choke coil 800. The choke coil 800 has a coil pattern 801 formed on a conductor layer.

コイルパターン801の中心には、形成物としてフェライトコアを挿通するための挿通穴811が形成されており、コイルパターン801の左右両側にも挿通穴812、813が形成されている。これにより、コイルパターン801は、挿通穴811と挿通穴812との間、及び挿通穴811と挿通穴813との間に配置される必要があり、従来は、挿通穴811と挿通穴812との距離(あるいは挿通穴811と挿通穴813との距離)よりも小さい一様の幅で形成されていた。そのため、コイルパターン801の幅が制限されて高い放熱性を実現することができなかった。そこで、上記の第2の実施形態では、例えば配線回路802または803に放熱部材を接続して冷却部103への放熱を向上させるように構成していた。   In the center of the coil pattern 801, an insertion hole 811 for inserting a ferrite core is formed as a formed product, and insertion holes 812 and 813 are also formed on the left and right sides of the coil pattern 801. Accordingly, the coil pattern 801 needs to be disposed between the insertion hole 811 and the insertion hole 812, and between the insertion hole 811 and the insertion hole 813. Conventionally, the coil pattern 801 is not formed between the insertion hole 811 and the insertion hole 812. It was formed with a uniform width smaller than the distance (or the distance between the insertion hole 811 and the insertion hole 813). Therefore, the width of the coil pattern 801 is limited, and high heat dissipation cannot be realized. Therefore, in the second embodiment described above, for example, a heat dissipation member is connected to the wiring circuit 802 or 803 to improve heat dissipation to the cooling unit 103.

これに対し本実施形態の電子基板に備えられたコイル(以下では、本実施形態のコイルという)では、周辺に配置された形成物で寸法が制約されるコイルパターンからの放熱性を改善するために、実施形態1または2に記載の放熱部材に代えてコイルパターンに好適な形状のコイル拡張部を付加している。以下では、本実施形態のコイルとして、上記のチョークコイルを例に説明する。本実施形態のチョークコイルは、フェライトコア等による寸法制限を受けないコイルパターン部分に対して、コイル拡張部を付加してその幅を大きくすることでコイルパターンの放熱性を高める構成としている。特に、放熱性が低く高温になる部分に対して、コイル拡張部を付加してコイル幅を広くすることで放熱性を高めるようにしている。   On the other hand, in the coil provided on the electronic substrate of the present embodiment (hereinafter referred to as the coil of the present embodiment), in order to improve the heat dissipation from the coil pattern whose dimensions are restricted by the formation arranged in the periphery. In addition, a coil extension portion having a shape suitable for the coil pattern is added in place of the heat dissipating member described in the first or second embodiment. Hereinafter, the choke coil will be described as an example of the coil of the present embodiment. The choke coil of the present embodiment is configured to increase the heat dissipation of the coil pattern by adding a coil extension portion to the coil pattern portion that is not subjected to dimensional restrictions by a ferrite core or the like to increase the width. In particular, the heat dissipation is enhanced by adding a coil extension to the portion where the heat dissipation is low and the temperature is high, thereby increasing the coil width.

図13に示す従来のチョークコイル800では、配線回路802、803に接続されたコイル始点801a及びコイル終点801bにおける発熱は、配線回路802、803からも熱が伝導して放熱されるため温度が比較的低く、コイル始点801a及びコイル終点801bから離れるほど温度が高くなる。そして、コイル始点801a及びコイル終点801bと対向するコイル中央部801cの温度が最も高くなる。   In the conventional choke coil 800 shown in FIG. 13, the heat generation at the coil start point 801a and the coil end point 801b connected to the wiring circuits 802 and 803 is conducted and dissipated from the wiring circuits 802 and 803, so the temperatures are compared. The temperature increases as the distance from the coil start point 801a and the coil end point 801b increases. And the temperature of the coil center part 801c facing the coil start point 801a and the coil end point 801b becomes the highest.

図13に示す従来のチョークコイル800の放熱性を改善した本実施形態の電子基板に設けられるチョークコイルの第1実施例を図14に示す。図14は、本実施例のチョークコイル300の平面図である。本実施例のチョークコイル300では、コイルパターン301のコイル始点301a及びコイル終点301bと対向する部分(コイル中央部)にコイル拡張部302を形成している。上記説明のように、コイルパターン301からの放熱は、コイル始点301a及びコイル終点301bから離れるほど低下して温度が高くなることから、コイル始点301a及びコイル終点301bから離れるほどコイル幅が広くなるようにコイル拡張部302を形成している。このように、本実施例のチョークコイル300では、従来は放熱性が低く高温になっていたコイル始点301a及びコイル終点301bと対向する部分にコイル拡張部302を形成することで、コイルパターン301の放熱性を高くすることが可能となっている。   FIG. 14 shows a first example of the choke coil provided on the electronic board of the present embodiment in which the heat dissipation of the conventional choke coil 800 shown in FIG. 13 is improved. FIG. 14 is a plan view of the choke coil 300 of the present embodiment. In the choke coil 300 according to the present embodiment, the coil expansion portion 302 is formed in a portion (coil central portion) facing the coil start point 301a and the coil end point 301b of the coil pattern 301. As described above, the heat radiation from the coil pattern 301 decreases as the distance from the coil start point 301a and the coil end point 301b increases and the temperature increases, so that the coil width increases as the distance from the coil start point 301a and the coil end point 301b increases. The coil extension part 302 is formed in the upper part. As described above, in the choke coil 300 according to the present embodiment, the coil extension portion 302 is formed in the portions facing the coil start point 301a and the coil end point 301b, which conventionally have a low heat dissipation and a high temperature. It is possible to increase heat dissipation.

本実施形態の電子基板に設けられるチョークコイルの第2実施例を図15に示す。図15は、本実施例のチョークコイル310の平面図であり、(a)は第1の層のコイルパターン311を、(b)は第2の層のコイルパターン312をそれぞれ示している。第1の層のコイルパターン311は、第1実施例のコイルパターン300と同様に、コイル拡張部313を有している。これに対し、第2の層のコイルパターン312は、従来のコイルパターン801と同様に、コイル幅が一様に形成されている。第2の層のコイルパターン312は、例えば第1実施形態の電子基板100に備えられたチョークコイル140と同様に、冷却部103に接するように配置されている。そのため、コイルパターン312における発熱は冷却部103に直接放出され、コイルパターン312の温度は低く維持される。   FIG. 15 shows a second example of the choke coil provided on the electronic substrate of the present embodiment. FIGS. 15A and 15B are plan views of the choke coil 310 of the present embodiment, where FIG. 15A shows the first layer coil pattern 311 and FIG. 15B shows the second layer coil pattern 312. The coil pattern 311 of the first layer has a coil extension portion 313, like the coil pattern 300 of the first embodiment. On the other hand, the coil pattern 312 of the second layer has a uniform coil width as in the conventional coil pattern 801. The coil pattern 312 of the second layer is arranged so as to be in contact with the cooling unit 103, for example, similarly to the choke coil 140 provided in the electronic substrate 100 of the first embodiment. Therefore, heat generated in the coil pattern 312 is directly released to the cooling unit 103, and the temperature of the coil pattern 312 is kept low.

このように、2層以上のコイルパターンを有するチョークコイルにおいて、放熱手段を別に有するコイルパターンに対しては、コイル拡張部を設けて放熱性をさらに高めるように構成する必要はない。本実施例では、別の放熱手段を有さないコイルパターン311に対してのみコイル拡張部313を形成しており、これにより、チョークコイル310のいずれのコイルパターンにおいても、特に温度上昇が大きくなる個所をなくすことができる。   As described above, in the choke coil having two or more layers of coil patterns, it is not necessary to provide a coil expansion portion to further improve the heat dissipation for the coil pattern having a separate heat dissipation means. In the present embodiment, the coil expansion portion 313 is formed only for the coil pattern 311 that does not have another heat radiating means, and this increases the temperature particularly in any of the coil patterns of the choke coil 310. The place can be lost.

本実施形態の電子基板に設けられるチョークコイルの第3実施例を図16に示す。図16は、本実施例のチョークコイル320の平面図である。本実施例のチョークコイル320では、フェライトコア挿通穴821〜824がコイルパターン321を取り囲むように四方に設けられている。本実施例においても、最も高温となるコイル始点321a及びコイル終点321bと対向する挿通穴821と824との間にコイル拡張部322を形成している。これに加えて、本実施例のチョークコイル320では、挿通穴821と822との間及び挿通穴823と824との間にも、それぞれコイル拡張部323、324を形成しており、これによりコイルパターン321の放熱性をさらに高めている。   FIG. 16 shows a third example of the choke coil provided on the electronic substrate of the present embodiment. FIG. 16 is a plan view of the choke coil 320 of the present embodiment. In the choke coil 320 of this embodiment, ferrite core insertion holes 821 to 824 are provided in four directions so as to surround the coil pattern 321. Also in the present embodiment, the coil expansion portion 322 is formed between the insertion holes 821 and 824 facing the coil start point 321a and the coil end point 321b that are the highest temperature. In addition to this, in the choke coil 320 of this embodiment, coil expansion portions 323 and 324 are formed between the insertion holes 821 and 822 and between the insertion holes 823 and 824, respectively. The heat dissipation of the pattern 321 is further enhanced.

本実施形態の電子基板に設けられるチョークコイルの第4実施例を図17に示す。図17は、本実施例のチョークコイル330の平面図である。本実施例のチョークコイル330では、コイルパターン331の中心に設けられたフェライトコア挿通穴831が矩形状に形成されており、コイル始点331aとコイル終点331bとの間の中心軸Cに対し左右対称に、矩形状の挿通穴832、833が設けられている。このような矩形状の挿通穴831〜833に対し、本実施例のコイルパターン331も挿通穴831を囲んで矩形状に形成されている。チョークコイル331がこのような形状に形成されている本実施例においては、コイル始点331a及びコイル終点331bと対向する辺にコイル拡張部332を形成することで、コイル幅を大きくして放熱性を高めることができる。   FIG. 17 shows a fourth example of the choke coil provided on the electronic substrate of the present embodiment. FIG. 17 is a plan view of the choke coil 330 of the present embodiment. In the choke coil 330 of this embodiment, the ferrite core insertion hole 831 provided in the center of the coil pattern 331 is formed in a rectangular shape, and is symmetrical with respect to the central axis C between the coil start point 331a and the coil end point 331b. In addition, rectangular insertion holes 832 and 833 are provided. In contrast to such rectangular insertion holes 831 to 833, the coil pattern 331 of this embodiment is also formed in a rectangular shape surrounding the insertion hole 831. In the present embodiment in which the choke coil 331 is formed in such a shape, the coil extension portion 332 is formed on the side facing the coil start point 331a and the coil end point 331b, thereby increasing the coil width and improving heat dissipation. Can be increased.

本実施形態の電子基板に設けられるチョークコイルの第5実施例を図18に示す。図18は、本実施例のチョークコイル340の平面図である。本実施例のチョークコイル340では、コイルパターン341を囲むように矩形状のフェライトコア挿通穴841が形成されている。このような形状の挿通穴841を有する本実施形態のチョークコイル340では、高温となるコイル始点341a及びコイル終点341bと対向するコイル中央部にコイル拡張部342を形成することで、コイル幅をできるだけ大きくしてコイルパターン341の放熱性を高めることができる。   FIG. 18 shows a fifth example of the choke coil provided on the electronic substrate of the present embodiment. FIG. 18 is a plan view of the choke coil 340 of the present embodiment. In the choke coil 340 of the present embodiment, a rectangular ferrite core insertion hole 841 is formed so as to surround the coil pattern 341. In the choke coil 340 of the present embodiment having the insertion hole 841 having such a shape, the coil width can be reduced as much as possible by forming the coil expansion portion 342 at the coil central portion facing the coil start point 341a and the coil end point 341b that become high in temperature. The heat dissipation of the coil pattern 341 can be increased by increasing the size.

本実施形態の電子基板に設けられるチョークコイルの第6実施例を図19に示す。図19は、本実施例のチョークコイル350の平面図である。本実施例のチョークコイル350では、コイルパターン351の幅を制約するフェライトコア挿通穴851、852が、コイル始点351aとコイル終点351bとの間の中心軸Cに対し左右対称に2つ設けられているが、コイル始点351a及びコイル終点351bと対向する側には設けられていない。そこで、本実施例のチョークコイル350では、コイル始点351a及びコイル終点351bと対向する側のコイル中央部にコイル拡張部352を形成し、これによりコイル幅を大きくして放熱性を高めている。本実施例のように、コイル始点351a及びコイル終点351bと対向する側に挿通穴が設けられていない場合には、コイル拡張部352の幅をできるだけ大きくするのが好ましく、またコイル始点351a及びコイル終点351b側からコイル中央部に向けてコイル拡張部352の幅を順次大きくしていくのがよい。   FIG. 19 shows a sixth example of the choke coil provided on the electronic substrate of the present embodiment. FIG. 19 is a plan view of the choke coil 350 of the present embodiment. In the choke coil 350 of this embodiment, two ferrite core insertion holes 851 and 852 that restrict the width of the coil pattern 351 are provided symmetrically with respect to the central axis C between the coil start point 351a and the coil end point 351b. However, it is not provided on the side facing the coil start point 351a and the coil end point 351b. Therefore, in the choke coil 350 of the present embodiment, the coil expansion portion 352 is formed in the coil central portion on the side facing the coil start point 351a and the coil end point 351b, thereby increasing the coil width and improving the heat dissipation. When the insertion hole is not provided on the side facing the coil start point 351a and the coil end point 351b as in the present embodiment, it is preferable to make the width of the coil expansion portion 352 as large as possible, and the coil start point 351a and the coil end point 351a It is preferable to increase the width of the coil expansion part 352 sequentially from the end point 351b side toward the coil center part.

なお、本実施の形態における記述は、本発明に係る電子基板の一例を示すものであり、これに限定されるものではない。本実施の形態における電子基板の細部構成及び詳細な動作等に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。   Note that the description in the present embodiment shows an example of the electronic substrate according to the present invention, and the present invention is not limited to this. The detailed configuration, detailed operation, and the like of the electronic substrate in this embodiment can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention.

本発明の第1の実施形態に係る電子基板の一実施例であるDC−DCコンバータの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the DC-DC converter which is an Example of the electronic substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 配線回路及び放熱部材の熱伝導の状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state of the heat conduction of a wiring circuit and a heat radiating member. 第1の実施形態に係る電子基板の別の実施例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another Example of the electronic substrate which concerns on 1st Embodiment. 本発明の第2の実施形態に係る電子基板の一実施例であるDC−DCコンバータの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the DC-DC converter which is one Example of the electronic substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 第2の実施形態に係るDC−DCコンバータの平面図である。It is a top view of the DC-DC converter which concerns on 2nd Embodiment. 導体層の厚さとコイル温度及び製造コストとの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the thickness of a conductor layer, coil temperature, and manufacturing cost. 放熱部材の一実施例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Example of a thermal radiation member. 放熱部材の別の実施例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another Example of a thermal radiation member. トランスの一実施例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Example of a transformer. チョークコイルの一実施例を示す平面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing which show one Example of a choke coil. チョークコイルの別の実施例を示す平面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing which show another Example of a choke coil. 従来の電子基板の断面図である。It is sectional drawing of the conventional electronic substrate. 従来のチョークコイルの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional choke coil. 第3の実施形態に係る電子基板に備えられた第1実施例のチョークコイルの平面図である。It is a top view of the choke coil of the 1st example with which the electronic substrate concerning a 3rd embodiment was equipped. 第3の実施形態に係る電子基板に備えられた第2実施例のチョークコイルの平面図である。It is a top view of the choke coil of the 2nd example with which the electronic substrate concerning a 3rd embodiment was equipped. 第3の実施形態に係る電子基板に備えられた第3実施例のチョークコイルの平面図である。It is a top view of the choke coil of the 3rd example with which the electronic substrate concerning a 3rd embodiment was equipped. 第3の実施形態に係る電子基板に備えられた第4実施例のチョークコイルの平面図である。It is a top view of the choke coil of the 4th example with which the electronic substrate concerning a 3rd embodiment was equipped. 第3の実施形態に係る電子基板に備えられた第5実施例のチョークコイルの平面図である。It is a top view of the choke coil of the 5th example with which the electronic substrate concerning a 3rd embodiment was equipped. 第3の実施形態に係る電子基板に備えられた第6実施例のチョークコイルの平面図である。It is a top view of the choke coil of the 6th example with which the electronic substrate concerning a 3rd embodiment was equipped.

符号の説明Explanation of symbols

100、200 DC−DCコンバータ
101 基板
102 熱伝導性絶縁シート
103 冷却部
110、210 スイッチング用MOS−FET
120、220 電圧変換用トランス
130、230 整流用ダイオード
140、240、300、310、320、330、340、350、800
平滑化用チョークコイル
151〜155、251〜255、802、803 配線回路
161〜165、260〜263 放熱部材
201 多層基板
202 導体層
203 絶縁層
204 半田
221 一次コイル
222 二次コイル
301、311、312、321、331、341、351、801
コイルパターン
302、313、322〜324、332、342、352 コイル拡張部
811〜813、821〜824、831〜833,841、851、852
挿通穴
100, 200 DC-DC converter 101 Substrate 102 Thermally conductive insulating sheet 103 Cooling unit 110, 210 Switching MOS-FET
120, 220 Voltage conversion transformer 130, 230 Rectifier diode 140, 240, 300, 310, 320, 330, 340, 350, 800
Smoothing choke coils 151-155, 251-255, 802, 803 Wiring circuits 161-165, 260-263 Heat radiation member 201 Multilayer substrate 202 Conductor layer 203 Insulating layer 204 Solder 221 Primary coil 222 Secondary coils 301, 311, 312 , 321, 331, 341, 351, 801
Coil pattern 302, 313, 322-324, 332, 342, 352 Coil expansion part 811-813, 821-824, 831-833, 841, 851, 852
Insertion hole

Claims (16)

回路パターンにてコイルを形成した1以上の導体層を有する電子基板であって、
前記コイルに電気的に接続された配線回路と、
前記コイルと前記配線回路のいずれか1つ以上から放熱可能に形成された放熱部材と、を備えた
ことを特徴とする電子基板。
An electronic substrate having one or more conductor layers in which a coil is formed with a circuit pattern,
A wiring circuit electrically connected to the coil;
An electronic board comprising: a heat radiating member formed to be able to radiate heat from at least one of the coil and the wiring circuit.
前記放熱部材は、一端が所定の冷却部に放熱可能となるように形成され、他端が前記配線回路に接続されている
ことを特徴とする電子基板。
One end of the heat radiating member is formed to be able to radiate heat to a predetermined cooling part, and the other end is connected to the wiring circuit.
回路素子が実装されて前記配線回路に接続され、
一端が前記所定の冷却部に放熱可能となるように形成され、他端が前記回路素子から放熱可能となるように形成された別の放熱部材を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の電子基板
A circuit element is mounted and connected to the wiring circuit,
The heat sink according to claim 2, further comprising: another heat dissipating member formed so that one end can dissipate heat to the predetermined cooling unit and the other end can dissipate heat from the circuit element. Electronic substrate
前記放熱部材もしくは前記別の放熱部材の一端側にはさらに、前記所定の冷却部に放熱可能となるように形成された別の配線回路が接続されている
ことを特徴とする請求項2または3に記載の電子基板
4. Another wiring circuit formed so that heat can be radiated to the predetermined cooling portion is further connected to one end side of the heat radiating member or the other heat radiating member. Electronic board as described in
前記放熱部材は、前記基板内に垂直に形成された銅ポストである
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の電子基板。
The electronic substrate according to any one of claims 2 to 4, wherein the heat dissipation member is a copper post formed vertically in the substrate.
前記放熱部材は、前記基板に形成されたスルーホールである
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の電子基板。
The electronic substrate according to claim 2, wherein the heat dissipation member is a through hole formed in the substrate.
前記コイルは、1次コイルと2次コイルが別の導体層に形成されたトランスである
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子基板。
The electronic board according to any one of claims 1 to 6, wherein the coil is a transformer in which a primary coil and a secondary coil are formed in different conductor layers.
前記トランスは、4層以上の導体層に形成されている
ことを特徴とする請求項7に記載の電子基板。
The electronic board according to claim 7, wherein the transformer is formed in four or more conductor layers.
前記コイルは、平滑化用チョークコイルである
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子基板。
The electronic board according to claim 1, wherein the coil is a smoothing choke coil.
前記平滑化用チョークコイルは、2層以上の前記導体層に形成されたコイルで構成されている
ことを特徴とする請求項9に記載の電子基板。
The electronic substrate according to claim 9, wherein the smoothing choke coil is configured by a coil formed in two or more conductor layers.
前記導体層の厚さは0.1mm以上かつ1mm以下である
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子基板。
The thickness of the said conductor layer is 0.1 mm or more and 1 mm or less. The electronic board | substrate of any one of the Claims 1 thru | or 10 characterized by the above-mentioned.
前記冷却部材は、前記コイルの始点と終点との間の所定の位置に形成されたコイル拡張部である
ことを特徴とする請求項1に記載の電子基板。
The electronic board according to claim 1, wherein the cooling member is a coil extension portion formed at a predetermined position between a start point and an end point of the coil.
前記コイル拡張部は、少なくとも前記コイルの始点と終点との間の略中央部に形成されている
ことを特徴とする請求項12に記載の電子基板。
The electronic board according to claim 12, wherein the coil extension portion is formed at least at a substantially central portion between a start point and an end point of the coil.
前記コイルの略中心位置及び外周近傍に2以上の形成物が配置されており、前記コイル拡張部は、前記形成物と重ならない位置に配置されている
ことを特徴とする請求項12または13に記載の電子基板。
The two or more formations are arrange | positioned in the approximate center position and outer periphery vicinity of the said coil, The said coil expansion part is arrange | positioned in the position which does not overlap with the said formation. The electronic substrate as described.
前記形成物は、所定の磁性材を挿通させるための貫通穴である
ことを特徴とする請求項14に記載の電子基板。
The electronic substrate according to claim 14, wherein the formation is a through hole for allowing a predetermined magnetic material to pass therethrough.
前記コイル拡張部は、前記コイルの始点または終点から離れるほど幅が拡張されている
ことを特徴とする請求項12乃至15のいずれか1項に記載の電子基板。

The electronic board according to any one of claims 12 to 15, wherein a width of the coil extension portion is increased as the distance from the start point or end point of the coil increases.

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