JP2010104085A - High-voltage generation device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To further reduce the size of a high-voltage generation device. <P>SOLUTION: In the high-voltage generation device, first and second capacity circuits are constituted of dielectric bodies 21_1 to 21_(m-1) held between m (m is an integer of two or larger) parallel flat plates 21_1 to 21_m having electric conductivity, respectively. In a diode series circuit, a first diode is connected so that the parallel flat plates at each stage corresponding to the first and second capacity circuits have the same rectification directions, and a second diode is connected so that the parallel flat plate at the (x-1)th stage (x is an integer of 2≤x≤m) of the second capacity circuit and the parallel flat plate at the xth-stage of the first capacity circuit have the same rectification direction as the first diode. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、高電圧を発生する高電圧発生装置に関する。   The present invention relates to a high voltage generator that generates a high voltage.

従来、コッククロフト・ウォルトン回路を用いた高電圧発生装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−３０８８６６号公報 Conventionally, a high voltage generator using a Cockcroft-Walton circuit is known (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-11-308866

数１０ｋＶから数１００ｋＶ以上の高電圧を発生させる場合、コッククロフト・ウォルトン回路を構成するコンデンサの段数は数１０段となる。また、コッククロフト・ウォルトン回路に用いるコンデンサは１０００Ｖ以上の高耐圧である必要がある。また、この回路が許容する出力リプル値が大きい場合、回路に用いるコンデンサの容量を大きくする必要がある。これらより、コッククロフト・ウォルトン回路に用いるコンデンサは大型の高電圧コンデンサである必要がある。よって、高電圧発生装置は大型になるという問題があった。   When a high voltage of several tens of kV to several hundreds of kV is generated, the number of stages of capacitors constituting the Cockcroft-Walton circuit is several tens. Further, the capacitor used in the Cockcroft-Walton circuit needs to have a high breakdown voltage of 1000 V or higher. Further, when the output ripple value allowed by this circuit is large, it is necessary to increase the capacitance of the capacitor used in the circuit. Therefore, the capacitor used in the Cockcroft-Walton circuit needs to be a large high-voltage capacitor. Therefore, there is a problem that the high voltage generator becomes large.

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、より小型な高電圧発生装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a more compact high-voltage generator.

本発明は、コッククロフト・ウォルトン回路を備えた高電圧発生装置であって、前記コッククロフト・ウォルトン回路は、電気伝導性を有するｍ枚（ｍは２以上の整数）の平行平板の間にそれぞれ誘電体を挟んで構成され、ｉ段目（ｉは１≦ｉ≦ｍ−２を満たす整数）の平行平板と（ｉ＋１）段目の平行平板とこれらに挟まれた誘電体とを含んでなるコンデンサと、（ｉ＋１）段目の平行平板と（ｉ＋２）段目の平行平板とこれらに挟まれた誘電体とを含んでなる前記コンデンサと隣接するコンデンサとが、前記（ｉ＋１）段目の平行平板を共有するように構成された第１および第２のコンデンサ回路と、前記第１および第２のコンデンサ回路の互いに対応する各段の平行平板にそれぞれ整流方向が同一となるように第１のダイオードを接続するとともに、前記第２のコンデンサ回路の（ｘ−１）段目（ｘは２≦ｘ≦ｍを満たす整数）の前記平行平板と前記第１のコンデンサ回路のｘ段目の前記平行平板とを前記第１のダイオードと整流方向が同一になるように第２のダイオードを接続してなるダイオード直列回路と、を備えたことを特徴とする。   The present invention is a high voltage generator having a Cockcroft-Walton circuit, wherein the Cockcroft-Walton circuit is a dielectric between m parallel plates (m is an integer of 2 or more) having electrical conductivity. And a capacitor comprising an i-th parallel plate (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m−2), an (i + 1) -th parallel plate, and a dielectric sandwiched between them. The (i + 1) -th parallel plate, the (i + 2) -th parallel plate, and the capacitor including the dielectric sandwiched between them, and the adjacent capacitor, The first diode and the second capacitor circuit configured to be shared, and the first diode so that the rectification directions are the same on the parallel plates of the respective stages corresponding to each other of the first and second capacitor circuits. Connection And the parallel plate at the (x-1) stage (x is an integer satisfying 2 ≦ x ≦ m) of the second capacitor circuit and the parallel plate at the x stage of the first capacitor circuit. And a diode series circuit in which a second diode is connected so that the rectification direction is the same as that of the first diode.

また、本発明の高電圧発生装置において、前記第１および第２のコンデンサ回路は真空中に配置されることを特徴とする。   In the high voltage generator of the present invention, the first and second capacitor circuits are arranged in a vacuum.

本発明によれば、高電圧発生装置をより小型化することができる。   According to the present invention, the high voltage generator can be further downsized.

以下、図面を参照し、本発明の一実施形態を説明する。図１は本実施形態における高電圧発生装置の回路図である。この回路はコッククロフト・ウォルトン回路である。図示する例では交流電源１１の両端に、コンデンサを直列接続した第１のコンデンサ回路１２と、第２のコンデンサ回路１３とが接続されている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a high voltage generator according to this embodiment. This circuit is a Cockcroft-Walton circuit. In the illustrated example, a first capacitor circuit 12 having a capacitor connected in series and a second capacitor circuit 13 are connected to both ends of the AC power supply 11.

第１のコンデンサ回路１２は、直列に接続しているコンデンサＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７，・・・，Ｃ（ｎ−１）を含んでいる。なお、ｎは４以上の偶数である。また、コンデンサＣ１を第１のコンデンサ回路１２の１段目のコンデンサとする。また、コンデンサＣ３を第１のコンデンサ回路１２の２段目のコンデンサとする。他のコンデンサＣ５，Ｃ７，・・・，Ｃ（ｎ−１）も同様に、第１のコンデンサ回路１２の３段目，４段目，・・・，（ｎ／２）段目のコンデンサとする。   The first capacitor circuit 12 includes capacitors C1, C3, C5, C7,..., C (n−1) connected in series. Note that n is an even number of 4 or more. Further, the capacitor C1 is a first-stage capacitor of the first capacitor circuit 12. Further, the capacitor C3 is a second-stage capacitor of the first capacitor circuit 12. Similarly, the other capacitors C5, C7,..., C (n−1) are the third-stage, fourth-stage,. To do.

第２のコンデンサ回路１３は、直列に接続しているコンデンサＣ２，Ｃ４，Ｃ６，・・・，Ｃｎを含んでいる。また、コンデンサＣ２を第２のコンデンサ回路１３の１段目のコンデンサとする。また、コンデンサＣ４を第２のコンデンサ回路１３の２段目のコンデンサとする。他のコンデンサＣ６，Ｃ８，・・・，Ｃｎも同様に、第２のコンデンサ回路１３の３段目，４段目，・・・，（ｎ／２）段目のコンデンサとする。   The second capacitor circuit 13 includes capacitors C2, C4, C6,..., Cn connected in series. Further, the capacitor C2 is the first-stage capacitor of the second capacitor circuit 13. The capacitor C4 is the second-stage capacitor of the second capacitor circuit 13. Similarly, the other capacitors C6, C8,..., Cn are the third, fourth,..., (N / 2) stage capacitors of the second capacitor circuit 13.

なお、互いに対応する各段のコンデンサとは、第１のコンデンサ回路１２と第２のコンデンサ回路において、同一の段のコンデンサを示す。例えば、第１のコンデンサ回路１２に含まれるコンデンサＣ１と、第２のコンデンサ回路１３に含まれるコンデンサＣ２とは互いに対応する各段のコンデンサである。   In addition, the capacitor | condenser of each stage corresponding to each other shows the capacitor | condenser of the same stage in the 1st capacitor circuit 12 and the 2nd capacitor circuit. For example, the capacitor C1 included in the first capacitor circuit 12 and the capacitor C2 included in the second capacitor circuit 13 are capacitors corresponding to each stage.

また、第１のコンデンサ回路１２に含まれるコンデンサＣ１，Ｃ３，・・・，Ｃ（ｎ−１）の出力端Ｃ１＿２，Ｃ３＿２，・・・，Ｃ（ｎ−１）＿２と、第２のコンデンサ回路１３に含まれるコンデンサＣ２，Ｃ４，・・・，Ｃｎの出力端Ｃ２＿２，Ｃ４＿２，・・・，Ｃｎ＿２との間において、互いに対応する各段のコンデンサの出力端の間に、それぞれ整流方向が同一となるようにダイオードＤ２，Ｄ４，・・・，Ｄｎが接続されている。   In addition, output terminals C1_2, C3_2,..., C (n-1) _2 of capacitors C1, C3,..., C (n-1) included in the first capacitor circuit 12, and a second capacitor .., Cn output terminals C2_2, C4_2,..., Cn_2 included in the circuit 13 have respective rectification directions between the output terminals of the capacitors corresponding to each other. Diodes D2, D4,..., Dn are connected so as to be the same.

具体的には、ダイオードＤ２は、コンデンサＣ１の出力端Ｃ１＿２とコンデンサＣ２の出力端Ｃ２＿２との間に、整流方向が出力端Ｃ１＿２から出力端Ｃ２＿２の向きに接続されている。他のダイオードＤ４，Ｄ６，・・・，Ｄｎの接続については図示するとおりである。   Specifically, the diode D2 is connected between the output terminal C1_2 of the capacitor C1 and the output terminal C2_2 of the capacitor C2 such that the rectification direction is from the output terminal C1_2 to the output terminal C2_2. Connections of the other diodes D4, D6,..., Dn are as illustrated.

また、第２のコンデンサ回路１３に含まれるコンデンサＣ２，Ｃ４，・・・，Ｃｎの入力端Ｃ２＿１，Ｃ４＿１，・・・，Ｃｎ＿１と、第１のコンデンサ回路１２に含まれるコンデンサＣ１，Ｃ３，・・・，Ｃ（ｎ−１）の出力端Ｃ１＿２，Ｃ３＿２，・・・，Ｃ（ｎ−１）＿２との間において、ダイオードＤ２，Ｄ４，・・・，Ｄｎと整流方向が同一となるように、ダイオードＤ１，Ｄ３，・・・，Ｄ（ｎ−１）が接続されている。   In addition, input terminals C2_1, C4_1,..., Cn_1 of capacitors C2, C4,..., Cn included in the second capacitor circuit 13, and capacitors C1, C3,. .., C (n-1) output terminals C1_2, C3_2,..., C (n-1) _2, the diodes D2, D4,. Are connected to diodes D1, D3,..., D (n−1).

具体的には、ダイオードＤ１は、コンデンサＣ２の入力端Ｃ２＿１とコンデンサＣ１の出力端Ｃ１＿２との間に、整流方向が入力端Ｃ２＿１から出力端Ｃ１＿２との向きに接続されている。他のダイオードＤ３，Ｄ５，・・・，Ｄ（ｎ−１）の接続については図示するとおりである。   Specifically, the diode D1 is connected between the input terminal C2_1 of the capacitor C2 and the output terminal C1_2 of the capacitor C1 so that the rectification direction is from the input terminal C2_1 to the output terminal C1_2. Connections of the other diodes D3, D5,..., D (n−1) are as shown in the figure.

すなわち、ダイオードＤ１〜Ｄｎは順方向に接続されている。このダイオードＤ１〜Ｄｎにより、図１に示す回路の動作は、交流電源１１の出力が反転する毎にコンデンサの充電経路を変えてＣ１，Ｃ２，・・・，Ｃｎの順に充電する動作となる。また、この回路において、出力端子１４の出力電圧は、各コンデンサの容量と、個数とによって変わるが、数１０ｋＶから数１００ｋＶである。   That is, the diodes D1 to Dn are connected in the forward direction. With the diodes D1 to Dn, the operation of the circuit shown in FIG. 1 is an operation of charging in the order of C1, C2,..., Cn by changing the capacitor charging path every time the output of the AC power supply 11 is inverted. In this circuit, the output voltage of the output terminal 14 is several tens kV to several hundreds kV, although it varies depending on the capacitance and the number of capacitors.

次に、図２を参照して本実施形態における第１のコンデンサ回路１２の構成について説明する。第１のコンデンサ回路１２は、ｍ枚の平行平板２１＿１〜２１＿ｍの間に誘電体２２＿１〜２２＿（ｍ−１）を挟んだ構成である。また、平行平板２１＿１〜２１＿ｍには端子２３＿１〜２３＿ｍが接続されている。なお、ｍは２以上の整数である。また、ｍとｎの関係は、ｍ＝（ｎ／２）である。   Next, the configuration of the first capacitor circuit 12 in the present embodiment will be described with reference to FIG. The first capacitor circuit 12 has a configuration in which dielectrics 22_1 to 22_ (m−1) are sandwiched between m parallel plates 21_1 to 21_m. In addition, terminals 23_1 to 23_m are connected to the parallel plates 21_1 to 21_m. Note that m is an integer of 2 or more. The relationship between m and n is m = (n / 2).

平行平板２１＿１〜２１＿ｍは、電気伝導性を有する。例えば、平行平板２１＿１〜２１＿ｍは銅板である。誘電体２２＿１〜２２＿（ｍ−１）は誘電体である。この誘電体は、誘電率が高く、耐圧があるものが望ましい。例えば、誘電体２２＿１〜２２＿（ｍ−１）はセラミックである。端子２３＿１〜２３＿ｍはフレキシブル基板であり、平行平板２１＿１〜２１＿ｍにダイオードＤ１〜Ｄｎを接続するための端子である。例えば、端子２３＿１〜２３＿ｍは銅箔である。   The parallel plates 21_1 to 21_m have electrical conductivity. For example, the parallel flat plates 21_1 to 21_m are copper plates. The dielectrics 22_1 to 22_ (m−1) are dielectrics. It is desirable that this dielectric has a high dielectric constant and a withstand voltage. For example, the dielectrics 22_1 to 22_ (m−1) are ceramic. Terminals 23_1 to 23_m are flexible substrates, and are terminals for connecting the diodes D1 to Dn to the parallel plates 21_1 to 21_m. For example, the terminals 23_1 to 23_m are copper foil.

図示する例では、平行平板２１＿１と２１＿２との間に誘電体２２＿１を挟み、コンデンサＣ１を構成している。また、平行平板２１＿２と２１＿３との間に誘電体２２＿２を挟み、コンデンサＣ２を構成している。他のコンデンサＣ５，Ｃ７，・・・，Ｃ（ｎ−１）の構成については図示するとおりである。   In the example shown in the figure, a capacitor 22 is formed by sandwiching a dielectric 22_1 between parallel plates 21_1 and 21_2. Further, the dielectric 22_2 is sandwiched between the parallel plates 21_2 and 21_3 to constitute the capacitor C2. The other capacitors C5, C7,..., C (n-1) are configured as shown.

また、端子２３＿１は、図１の入力端子Ｃ１＿１である。また、端子２３＿２は、図１の出力端子Ｃ１＿２および入力端子Ｃ３＿１である。他の端子と図１の入力端子との関係は図示するとおりである。   A terminal 23_1 is the input terminal C1_1 in FIG. Further, the terminal 23_2 is the output terminal C1_2 and the input terminal C3_1 in FIG. The relationship between the other terminals and the input terminals in FIG. 1 is as shown.

次に、図３を参照して本実施形態における第２のコンデンサ回路１３の構成について説明する。第２のコンデンサ回路１３は、ｍ枚の平行平板３１＿１〜３１＿ｍの間に誘電体３２＿１〜３２＿（ｍ−１）を挟んだ構成である。また、平行平板３１＿１〜３１＿ｍには端子３３＿１〜３３＿ｍが接続されている。なお、ｍは２以上の整数である。また、ｍとｎの関係は、ｍ＝（ｎ／２）である。   Next, the configuration of the second capacitor circuit 13 in the present embodiment will be described with reference to FIG. The second capacitor circuit 13 has a configuration in which dielectrics 32_1 to 32_ (m−1) are sandwiched between m parallel plates 31_1 to 31_m. In addition, terminals 33_1 to 33_m are connected to the parallel plates 31_1 to 31_m. Note that m is an integer of 2 or more. The relationship between m and n is m = (n / 2).

平行平板３１＿１〜３１＿ｍは、平行平板２１＿１〜２１＿ｍと同様である。また、誘電体３２＿１〜３２＿（ｍ−１）は誘電体２２＿１〜２２＿（ｍ−１）と同様である。また、端子３３＿１〜３３＿ｍは端子２３＿１〜２３＿ｍと同様である。   The parallel plates 31_1 to 31_m are the same as the parallel plates 21_1 to 21_m. The dielectrics 32_1 to 32_ (m−1) are similar to the dielectrics 22_1 to 22_ (m−1). The terminals 33_1 to 33_m are similar to the terminals 23_1 to 23_m.

図示する例では、平行平板３１＿１と３１＿２との間に誘電体３２＿１を挟み、コンデンサＣ２を構成している。また、平行平板３１＿２と３１＿３との間に誘電体３２＿２を挟み、コンデンサＣ４を構成している。他のコンデンサＣ６，Ｃ８，・・・，Ｃｎの構成については図示するとおりである。   In the example shown in the figure, a dielectric 32_1 is sandwiched between parallel plates 31_1 and 31_2 to constitute a capacitor C2. Further, a dielectric 32_2 is sandwiched between the parallel plates 31_2 and 31_3 to constitute a capacitor C4. The other capacitors C6, C8,..., Cn are configured as shown.

また、端子３３＿１は、図１の入力端子Ｃ２＿１である。また、端子３３＿２は、図１の出力端子Ｃ２＿２および入力端子Ｃ４＿１である。他の端子と図１の入力端子との関係は図示するとおりである。   The terminal 33_1 is the input terminal C2_1 in FIG. Further, the terminal 33_2 is the output terminal C2_2 and the input terminal C4_1 in FIG. The relationship between the other terminals and the input terminals in FIG. 1 is as shown.

図２に示したとおり、第１のコンデンサ回路１２は、隣接するコンデンサ間で電極を共有している。これにより、従来のコンデンサ単体を直列に接続する構成と比較し、第１のコンデンサ回路１２の体積を小さくすることができる。特に、本実施形態のように多数のコンデンサを直列に接続する場合は、より体積を小さくする効果が大きい。また、図３に示したとおり、第２のコンデンサ回路１３も同様である。よって、本実施形態によれば、高電圧発生装置をより小型化することができる。   As shown in FIG. 2, the first capacitor circuit 12 shares electrodes between adjacent capacitors. Thereby, the volume of the 1st capacitor circuit 12 can be made small compared with the structure which connects the conventional capacitor | condenser single-piece | unit in series. In particular, when a large number of capacitors are connected in series as in this embodiment, the effect of reducing the volume is greater. The same applies to the second capacitor circuit 13 as shown in FIG. Therefore, according to this embodiment, the high voltage generator can be further downsized.

また、第１のコンデンサ回路１２と、第２のコンデンサ回路１３との体積を小さくすることができるため、これらを含む高電圧発生装置の高電圧部分を真空中に配置することができる。例えば、高電圧発生装置は真空にすることができる真空容器を備えている。また、高電圧発生装置の高電圧部分は真空容器内に配置されている。この高電圧発生装置において、高電圧部分に電流を流す前に真空容器内を真空にする。真空容器内が真空になった後、電流を流して高電圧発生装置に高電圧を発生させる。真空中では縁面距離を小さくすることができるため、さらに第１のコンデンサ回路１２と第２のコンデンサ回路の体積を小さくすることができる。   Moreover, since the volume of the 1st capacitor circuit 12 and the 2nd capacitor circuit 13 can be made small, the high voltage part of the high voltage generator containing these can be arrange | positioned in a vacuum. For example, the high voltage generator includes a vacuum vessel that can be evacuated. The high voltage portion of the high voltage generator is disposed in the vacuum vessel. In this high voltage generator, the inside of the vacuum vessel is evacuated before passing a current through the high voltage portion. After the inside of the vacuum chamber is evacuated, an electric current is supplied to generate a high voltage in the high voltage generator. Since the edge distance can be reduced in vacuum, the volume of the first capacitor circuit 12 and the second capacitor circuit can be further reduced.

また、高電圧発生装置を小型化することができるため、高電圧発生装置を使用する装置を小型化することができる。Ｘ線発生装置に本実施形態の高電圧発生装置を用いた例について図４を参照して説明する。図示する例では、Ｘ線発生装置は、一次電源４１と、電子光学系（ＥＯＳ）４２とを備えている。また、電子光学系４２は高電圧発生装置４２１を備えている。従来では高電圧発生装置を電子光学系に内蔵することはできなかったが、本実施形態の高電圧発生装置を用いることで、図示するとおり、電子光学系４２に高電圧発生装置４２１を内蔵することができる。   In addition, since the high voltage generator can be reduced in size, the apparatus using the high voltage generator can be reduced in size. An example in which the high voltage generator of this embodiment is used as an X-ray generator will be described with reference to FIG. In the illustrated example, the X-ray generator includes a primary power supply 41 and an electron optical system (EOS) 42. The electron optical system 42 includes a high voltage generator 421. Conventionally, the high voltage generator cannot be built in the electron optical system. However, by using the high voltage generator of this embodiment, the high voltage generator 421 is built in the electron optical system 42 as shown in the figure. be able to.

以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。   The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to this embodiment, and includes designs and the like that do not depart from the gist of the present invention.

本発明の一実施形態における高電圧発生装置の回路図である。It is a circuit diagram of the high voltage generator in one embodiment of the present invention. 本実施形態における第１のコンデンサ回路の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the 1st capacitor circuit in this embodiment. 本実施形態における第２のコンデンサ回路の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the 2nd capacitor circuit in this embodiment. 本実施形態における高電圧発生装置を備えたＸ線発生装置の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the X-ray generator provided with the high voltage generator in this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１１・・・交流電源、１２・・・第１のコンデンサ回路、１３・・・第２のコンデンサ回路、１４・・・出力端子、２１＿１〜２１＿ｍ，３１＿１〜３１＿ｍ・・・平行平板、２２＿１〜２２＿（ｍ−１），３２＿１〜３２＿（ｍ−１）・・・誘電体誘電体、２３＿１〜２３＿ｍ，３３＿１〜３３＿ｍ・・・端子、４１・・・一次電源、４２・・・電子光学系、４２１・・・高電圧発生装置、Ｃ１〜Ｃｎ・・・コンデンサ、Ｄ１〜Ｄｎ・・・ダイオード DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... AC power supply, 12 ... 1st capacitor circuit, 13 ... 2nd capacitor circuit, 14 ... Output terminal, 21_1-21_m, 31_1-31_m ... Parallel plate, 22_1-22_ (M-1), 32_1 to 32_ (m-1) ... Dielectric dielectric, 23_1 to 23_m, 33_1 to 33_m ... terminals, 41 ... primary power supply, 42 ... electron optical system, 421 ... High voltage generators, C1 to Cn ... capacitors, D1 to Dn ... diodes

Claims (2)

コッククロフト・ウォルトン回路を備えた高電圧発生装置において、
前記コッククロフト・ウォルトン回路は、
電気伝導性を有するｍ枚（ｍは２以上の整数）の平行平板の間にそれぞれ誘電体を挟んで構成され、ｉ段目（ｉは１≦ｉ≦ｍ−２を満たす整数）の平行平板と（ｉ＋１）段目の平行平板とこれらに挟まれた誘電体とを含んでなるコンデンサと、（ｉ＋１）段目の平行平板と（ｉ＋２）段目の平行平板とこれらに挟まれた誘電体とを含んでなる前記コンデンサと隣接するコンデンサとが、前記（ｉ＋１）段目の平行平板を共有するように構成された第１および第２のコンデンサ回路と、
前記第１および第２のコンデンサ回路の互いに対応する各段の平行平板にそれぞれ整流方向が同一となるように第１のダイオードを接続するとともに、前記第２のコンデンサ回路の（ｘ−１）段目（ｘは２≦ｘ≦ｍを満たす整数）の前記平行平板と前記第１のコンデンサ回路のｘ段目の前記平行平板とを前記第１のダイオードと整流方向が同一になるように第２のダイオードを接続してなるダイオード直列回路と、
を備えたことを特徴とする高電圧発生装置。 In the high voltage generator equipped with the Cockcroft-Walton circuit,
The Cockcroft-Walton circuit is
The i-th (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m−2) parallel flat plates each having a dielectric between m conductive (m is an integer of 2 or more) parallel flat plates. And (i + 1) -stage parallel plates and a dielectric sandwiched between them, (i + 1) -stage parallel plates, (i + 2) -stage parallel plates, and a dielectric sandwiched between them And a capacitor adjacent to the capacitor and the adjacent capacitor share the (i + 1) -th parallel plate, and the first and second capacitor circuits,
A first diode is connected to parallel plates of each stage corresponding to each other of the first and second capacitor circuits so that the rectification directions are the same, and (x−1) stages of the second capacitor circuit. The second plate (x is an integer satisfying 2 ≦ x ≦ m) and the x-th parallel plate of the first capacitor circuit are arranged so that the rectification direction is the same as that of the first diode. A diode series circuit formed by connecting the diodes of
A high voltage generator characterized by comprising: 前記第１および第２のコンデンサ回路は真空中に配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の高電圧発生装置。 The high voltage generator according to claim 1, wherein the first and second capacitor circuits are arranged in a vacuum.
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