JP2010103145A - Process for fabricating semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路装置(または半導体装置)の製造方法に関し、特に、半導体製造工程におけるレチクル保管及び自動搬送技術に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (or a semiconductor device), and more particularly to a technique effective when applied to reticle storage and automatic transfer techniques in a semiconductor manufacturing process.
日本特開2006−024850号公報(特許文献1)には、レチクルの保管時には、レチクルをレチクル・ポッドに収容した状態か、または、単体の状態でレチクル・ストッカに保管し、レチクルの搬送時にはレチクルをレチクル・ポッドに収容した状態で搬送する半導体集積回路装置の製造工程(ウエハ工程)技術が開示されている。そこにおいては、効率的な半導体装置の製造システムの運用を図るため、レチクルとレチクル・ポッドとの関連付けの切断タイミングをホスト・システム上と個々の露光装置上とで同期させる技術が示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2006-024850 (Patent Document 1) discloses that a reticle is stored in a reticle pod when stored in a reticle pod when stored, or stored in a reticle stocker in a single state, and is used when a reticle is transported. Discloses a manufacturing process (wafer process) technology for a semiconductor integrated circuit device that transports a semiconductor chip in a state where it is accommodated in a reticle pod. In this document, in order to efficiently operate a semiconductor device manufacturing system, a technique for synchronizing the timing of disconnection between a reticle and a reticle pod between the host system and each exposure apparatus is shown. .
最近の微細化製品製造の増加に伴い、品質維持技術が課題となってきた。具体的には90nm以下の微細プロセスにおいては、従来考慮不要であったレチクル・パターン表面上の化学成長物質などの微細付着物・成長異物の排除、すなわちレチクル・ヘイズ(Reticle Haze)対策が、製品品質・歩留まりを大きく左右するキー・パラメータとなることがわかってきた。 With the recent increase in production of miniaturized products, quality maintenance technology has become an issue. Specifically, in a fine process of 90 nm or less, a product that eliminates fine deposits and growing foreign substances such as chemical growth substances on the surface of a reticle / pattern, which has not been considered in the past, that is, measures against reticle haze (reticle haze) It has been found that this is a key parameter that greatly affects quality and yield.
本願発明者らの検討によると、従来からの運用では、主にレチクルはRSP(Reticle SMIF Pod)などのレチクル・ケース(レチクル搬送容器)に収容された状態で、レチクル・ストッカに保管されるため、レチクル・ケース自体から出る脱ガスの影響を受けやすく、脱ガス成分の付着と微細化による露光時の照射エネルギーの増加とあいまって、ヘイズが発生することが明らかとなった。 According to the study by the present inventors, in the conventional operation, the reticle is mainly stored in the reticle stocker while being accommodated in a reticle case (reticle transport container) such as RSP (Reticle SMIF Pod). It has become clear that haze occurs due to the influence of degassing from the reticle case itself and the increase in irradiation energy during exposure due to adhesion of degassing components and miniaturization.
このヘイズ対策としては、更に脱ガス成分の少ないプラスチック材料を用いたレチクル・ケースを試用することも考えられるが、他の要求仕様を満たし、脱ガス成分も少ない材料を開発することは必ずしも容易ではない。また、レチクルの検査や洗浄の頻度を増やすことも考えられるが、それ自体大幅なコストアップとであり、レチクルの洗浄回数には限度があるという根本的な問題もある。 As a countermeasure against this haze, it may be possible to try out a reticle case using a plastic material with less degassing components, but it is not always easy to develop a material that satisfies other required specifications and has less degassing components. Absent. Although it is conceivable to increase the frequency of reticle inspection and cleaning, this is a substantial cost increase, and there is a fundamental problem that the number of times the reticle can be cleaned is limited.
一方、レチクル・ケースに起因して発生することから、レチクル・ケースに収容しない状態でレチクルを保管するベア・レチクル・ストッカ(ベア・レチクル保管庫)の適用が有効である。しかしながら、ベア・レチクル・ストッカのレチクル入出庫能力は比較的低いという問題がある。 On the other hand, since it occurs due to the reticle case, it is effective to apply a bare reticle stocker (bare reticle storage) in which the reticle is stored without being accommodated in the reticle case. However, there is a problem that the reticle entry / exit capability of the bear reticle stocker is relatively low.
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。 The present invention has been made to solve these problems.
本発明の目的は、信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a manufacturing process of a highly reliable semiconductor integrated circuit device.
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。 The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.
すなわち、本願発明は光リソグラフィ工程において、比較的ラフなプロセスに使用するレチクル(たとえばKrFエキシマ・レーザ露光用レチクル)は、レチクル・ケースに収容して保管し、比較的微細なプロセスに使用するレチクル(たとえばArFエキシマ・レーザ露光用レチクル)は、レチクル・ケースに収容しないで保管するものである。 That is, according to the present invention, a reticle (for example, a KrF excimer laser exposure reticle) used for a relatively rough process in an optical lithography process is stored in a reticle case and used for a relatively fine process. (For example, an ArF excimer laser exposure reticle) is stored without being accommodated in a reticle case.
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。 The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、光リソグラフィ工程において、比較的ラフなプロセスに使用するレチクルは、レチクル・ケースに収容して保管し、比較的微細なプロセスに使用するレチクルは、レチクル・ケースに収容しないで保管するので、ベア・レチクル・ストッカが管轄するレチクル数を比較的少量に抑えることができる。その結果、ベア・レチクル・ストッカのレチクル入出庫が工程の隘路となることがない。 That is, in the photolithography process, a reticle used for a relatively rough process is stored and stored in a reticle case, and a reticle used for a relatively fine process is stored without being stored in a reticle case. The number of reticles under the control of the bear reticle stocker can be kept to a relatively small amount. As a result, the reticle loading / unloading of the bear reticle stocker does not become a bottleneck in the process.
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
[Outline of Embodiment]
First, an outline of a typical embodiment of the invention disclosed in the present application will be described.
1.以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む:
(a)第1の最小加工寸法を有する第1の光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記第1の最小加工寸法よりも小さい第2の最小加工寸法を有する第2の光リソグラフィ処理装置群;
(c)前記第1の光リソグラフィ処理装置群で使用される第1のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する第1のレチクル保管庫;
(d)前記第2の光リソグラフィ処理装置群で使用される第2のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管する第2のレチクル保管庫。
1. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a first photolithography processing apparatus group having a first minimum processing dimension;
(B) a second group of photolithographic processing apparatuses having a second minimum processing dimension smaller than the first minimum processing dimension;
(C) a first reticle storage for storing each reticle belonging to the first reticle group used in the first photolithography processing apparatus group in a state of being stored in a reticle case;
(D) A second reticle storage for storing the reticles belonging to the second reticle group used in the second photolithography processing apparatus group without being accommodated in the reticle case.
2.前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む:
(e)前記第2のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管するレチクル・ケース・ストッカ。
2. In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the
(E) A reticle case stocker for storing an empty reticle case for accommodating and transporting each reticle belonging to the second reticle group.
3.前記2項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む:
(f)前記第1の光リソグラフィ処理装置群、前記第2の光リソグラフィ処理装置群、前記第1のレチクル保管庫、前記第2のレチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。
3. In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the
(F) A reticle between the first photolithography processing apparatus group, the second photolithography processing apparatus group, the first reticle storage, the second reticle storage, and the reticle case stocker. -Reticle case transport mechanism for transporting cases.
4.前記3項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2のレチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカとは、前記レチクル・ケース搬送機構上において近接して配置されている。
4). In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the
5.前記1から4項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースと、前記第2のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースとは異なる。
5. 5. In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
6.前記3から5項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、OHT,OHS,RGV,およびAGVの少なくとも一つを含む。
6). 6. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
7.前記3から5項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
7). 6. In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
8.以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む:
(a)第1の最小加工寸法を有する第1の光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記第1の最小加工寸法よりも小さい第2の最小加工寸法を有する第2の光リソグラフィ処理装置群;
(c)前記第1の光リソグラフィ処理装置群で使用される第1のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する天井搬送機構;
(d)前記第2の光リソグラフィ処理装置群で使用される第2のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫。
8). A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a first photolithography processing apparatus group having a first minimum processing dimension;
(B) a second group of photolithographic processing apparatuses having a second minimum processing dimension smaller than the first minimum processing dimension;
(C) a ceiling transport mechanism for storing the reticles belonging to the first reticle group used in the first photolithography processing apparatus group in a state of being accommodated in a reticle case;
(D) A bare reticle storage for storing each reticle belonging to the second reticle group used in the second photolithography processing apparatus group without being accommodated in the reticle case.
9.前記8項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構には、前記第2のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送する空のレチクル・ケースをも保管する。
9. 9. The manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device according to
10.前記8または9項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、天井コンベアまたはOHBである。 10. 10. The manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device according to 8 or 9, wherein the ceiling transport mechanism is a ceiling conveyor or OHB.
11.前記8から10項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースと、前記第2のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースとは異なる。
11. 11. In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
12.以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む:
(a)光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫;
(c)前記ベア・レチクル保管庫に近接して設置されたレチクル・ケース・ストッカ;
(d)前記ベア・レチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカ間でレチクル・ケースを移送するためのレチクル・ケース移し替え機構。
12 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a photolithographic processing apparatus group;
(B) a bare reticle storage for storing each reticle belonging to a reticle group used in the optical lithography processing apparatus group without being accommodated in a reticle case;
(C) Reticle case stocker installed in the vicinity of the bare reticle storage;
(D) A reticle case transfer mechanism for transferring a reticle case between the bare reticle storage and the reticle case stocker.
13.前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む:
(e)前記光リソグラフィ処理装置群、前記ベア・レチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。
13. 13. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the
(E) A reticle case transport mechanism for transporting a reticle case between the optical lithography processing apparatus group, the bare reticle storage, and the reticle case stocker.
14.前記13項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、OHT,OHS,RGV,およびAGVの少なくとも一つを含む。 14 14. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the item 13, wherein the reticle case transport mechanism includes at least one of OHT, OHS, RGV, and AGV.
15.前記13項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。 15. 14. In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the item 13, the reticle / case transport mechanism also serves as a wafer transport mechanism.
16.前記12から15項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース移し替え機構は、前記ベア・レチクル保管庫のポート上の空きレチクル・ケースを前記レチクル・ケース・ストッカのポート上へ移送する。
16. 16. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
17.前記12から16項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース移し替え機構は、前記レチクル・ケース・ストッカのポート上の空きレチクル・ケースを前記ベア・レチクル保管庫のポート上へ移送する。
17. 17. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
18.以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む:
(a)光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫;
(c)前記レチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管する天井搬送機構。
18. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a photolithographic processing apparatus group;
(B) a bare reticle storage for storing each reticle belonging to a reticle group used in the optical lithography processing apparatus group without being accommodated in a reticle case;
(C) A ceiling transport mechanism for storing an empty reticle case for storing and transporting each reticle belonging to the reticle group.
19.前記18項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、OHT,OHS,およびOHBの少なくとも一つを含む。
19. In the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the
20.前記18項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
20. In the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
[Description format, basic terms, usage in this application]
1. In the present application, the description of the embodiment may be divided into a plurality of sections for convenience, if necessary, but these are not independent from each other unless otherwise specified. Each part of a single example, one part is the other part of the details, or part or all of the modifications. Moreover, as a general rule, the same part is not repeated. In addition, each component in the embodiment is not indispensable unless specifically stated otherwise, unless it is theoretically limited to the number, and obviously not in context.
2.同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「AからなるX」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、A以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Aを主要な成分として含むX」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。 2. Similarly, in the description of the embodiment, etc., regarding the material, composition, etc., “X consisting of A” etc. is an element other than A unless specifically stated otherwise and clearly not in context. It is not excluded that one of the main components. For example, as for the component, it means “X containing A as a main component”. For example, “silicon member” is not limited to pure silicon, but also includes SiGe alloys, other multi-component alloys containing silicon as a main component, and members containing other additives. Needless to say.
3.同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。 3. Similarly, suitable examples of graphics, positions, attributes, and the like are given, but it is needless to say that the present invention is not strictly limited to those cases unless explicitly stated otherwise, and unless otherwise apparent from the context.
4.さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。 4). In addition, when a specific number or quantity is mentioned, a numerical value exceeding that specific number will be used unless specifically stated otherwise, unless theoretically limited to that number, or unless otherwise clearly indicated by the context. There may be a numerical value less than the specific numerical value.
5.「ウエハ」というときは、通常は半導体集積回路装置(半導体装置、電子装置も同じ)をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、SOI基板、LCDガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。 5. “Wafer” usually refers to a single crystal silicon wafer on which a semiconductor integrated circuit device (same as a semiconductor device and an electronic device) is formed, but an insulating substrate such as an epitaxial wafer, an SOI substrate, an LCD glass substrate and the like. Needless to say, a composite wafer such as a semiconductor layer is also included.
6.本願において「群」というときは、その要素の数は「1」を含む自然数である。 6). In the present application, when referring to “group”, the number of elements is a natural number including “1”.
7.以下の実施の形態でも同様であるが、一般に半導体製造ラインで使用されるウエハ又はレチクルの搬送系は、フロア面近傍を移動するフロア搬送系(Floor−Based transportation System)と天井面近傍を移動する天井搬送系(Overhead or Ceiling−Supported transportation System)の2種類に大別される。フロア搬送系の主な例としては、RGV(Rail Guided Vehicle)、AGV(Automatic Guided Vehicle)等がある。一方、天井搬送系(天井搬送機構)の主な例としては、OHV(Overhead Hoist Vehicle)、OHT(Overhead Hoist Transport)、OHS(Overhead Hoist Shuttle)、天井コンベア(Overhead Powered Roller Conveyor)等がある。また、天井搬送系の中には、簡易なストッカ(Stocker)を兼ねたOHB(Overhead Hoist Buffer)等がある。 7). Although the same applies to the following embodiments, a wafer or reticle transfer system generally used in a semiconductor manufacturing line moves between a floor transfer system (floor-based translation system) that moves near the floor surface and a ceiling surface. It is roughly classified into two types, an overhead transport system (Supported or Ceiling-Supported transport System). Main examples of the floor transport system include RGV (Rail Guided Vehicle), AGV (Automatic Guided Vehicle), and the like. On the other hand, main examples of the ceiling transport system (ceiling transport mechanism) include OHV (Overhead Hoist Vehicle), OHT (Overhead Hoist Transport), OHS (Overhead Hoist Roller), and overhead conveyor (Overhead Powered Roller). Further, in the ceiling transport system, there is an OHB (Overhead Hoist Buffer) that also serves as a simple stocker.
8.一般に(以下の実施の形態でも同じ)半導体製造ラインで使用されるウエハ搬送容器の代表例は、フープ(Foup:Front Opening Unified Pod)である。また、レチクル容器の代表例は、RSP(Reticle SMIF Pod)等である。なお、レチクル容器について、「異なる」とは、「ほぼ同一形状(形状の相違を許容する)、同一材料でもよいが、少なくとも個体として異なる」すなわち、微細プロセス用とラフプロセス用は相互に混ざり合わないように使い分けしていることを示す。もちろん、同一材料ではなく、材料の全部又は一部を最適化してもよいことは言うまでもない。 8). A typical example of a wafer transfer container generally used in a semiconductor manufacturing line (also in the following embodiments) is a hoop (Front Opening Unified Pod). A typical example of the reticle container is RSP (Reticle SMIF Pod). For the reticle container, “different” means “substantially the same shape (allowing for different shapes) and the same material, but at least different as an individual”, that is, the fine process and the rough process are mixed with each other. It shows that it uses properly so that there is no. Of course, it goes without saying that all or part of the material may be optimized, not the same material.
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
[Details of the embodiment]
The embodiment will be further described in detail. In the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar symbols or reference numerals, and description thereof will not be repeated in principle.
以下では、光リソグラフィ・ライン23(図1参照)の全体構成、レチクル・ケースの使い分け(図5参照)、ウエハ・レチクルの搬送系の相互乗り入れ(共用)等については、セクション2から4においても、ほぼそのまま適用可能であるが、主にセクション1で説明し、原則として同一の説明を他のセクションでは繰り返さない。すなわち、セクション1以外では、原則としてセクション1と異なる部分のみを説明する。
In the following, the overall configuration of the optical lithography line 23 (see FIG. 1), the proper use of the reticle case (see FIG. 5), the mutual transfer (common use) of the wafer reticle transport system, etc. are also described in
なお、レチクルがレチクル・ポッドに入った状態を作図上、レチクル・ポッド上にレチクルを搭載したように示すが、これはレチクル・ポッドがレチクルを内部に有することを示す。すなわち、レチクル・ポッドがからではないことを示すものである。 The state in which the reticle is in the reticle pod is shown on the drawing as if the reticle was mounted on the reticle pod. This indicates that the reticle pod has the reticle inside. That is, it indicates that the reticle pod is not empty.
1.本願発明の第1の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明(主に図1から図6)
図1は本願発明の第1の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。図2は図1におけるレチクル受け入れ装置一般(リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど)とレチクル搬送系(レチクル・ケース搬送機構)の間でのレチクルの受け渡しを説明するための装置模式断面図である。図3は図1におけるラフ寸法加工用レチクル(第1のレチクル群に属するレチクル)に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図4は図1における微細寸法加工用レチクル(第2のレチクル群に属するレチクル)に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図5は図1におけるレチクル・ポッド(レチクル容器)の使い分けを示すレチクル・ポッド群斜視図である。図6は図1におけるウエハ搬送系とレチクル搬送系(レチクル・ケース搬送機構)の間の共用関係を説明する搬送系斜視図である。これらに基づいて、本願発明の第1の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。
1. Description of the semiconductor integrated circuit device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention (mainly FIGS. 1 to 6)
FIG. 1 is a schematic plan view of a clean room showing an outline of an optical lithography line in the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view of the apparatus for explaining the reticle delivery between the reticle receiving apparatus in general (lithography apparatus, reticle and reticle pod stocker, etc.) and the reticle transport system (reticle / case transport mechanism) in FIG. It is. FIG. 3 is a schematic perspective view of a clean room in which a portion related to the rough dimension processing reticle (reticle belonging to the first reticle group) in FIG. 1 is cut out. FIG. 4 is a schematic perspective layout view of a clean room in which a portion related to the fine dimension processing reticle (reticle belonging to the second reticle group) in FIG. 1 is cut out. FIG. 5 is a perspective view of a reticle pod group showing the proper use of the reticle pod (reticle container) in FIG. FIG. 6 is a perspective view of the transfer system for explaining the shared relationship between the wafer transfer system and the reticle transfer system (reticle / case transfer mechanism) in FIG. Based on these, a method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention will be described.
まず、図1に基づいて、本願発明の第1の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法に使用するウエハ・ライン内の光リソグラフィ・ライン23の構成の概要を説明する。図1に示すように、光リソグラフィ・ライン23内には、フープ3に収容されたウエハ1を搬送するウエハ搬送系5、およびレチクル・ポッド4,4a,4bに収容されたレチクル2,2a,2bを搬送するレチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)が網の目のように張り巡らされている。ウエハ搬送系5には、ウエハ搬送車7が、レチクル搬送系6にはレチクル搬送車8が複数設置されている。これらのウエハ搬送系5およびレチクル搬送系6は、相互乗り入れ部9(連結部)で相互に乗り入れ可能としてもよい(搬送自由度の向上等の効果がある)。
First, the outline of the configuration of the
これらの間に、各種の装置が配置されている。各種の装置の例としては、以下のものがある。ウエハ・ストッカ11は、ウエハ1を収容したフープ3を保管する場所である。ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置群21は、加工寸法が比較的大きいプロセス層に関する(たとえばKrFエキシマ・レーザ露光に関する)ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置18aからなる装置群である。微細寸法光リソグラフィ一貫装置群22は、加工寸法が比較的小さいプロセス層に関する(たとえばArFエキシマ・レーザ露光に関する)微細寸法光リソグラフィ一貫装置19aからなる装置群である。レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫12(第1のレチクル保管庫)は、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド4a(レチクル容器)内に収容された状態で、ラフ寸法加工用レチクル2aを保管する場所である。ベア・レチクル保管庫14(第2のレチクル保管庫)は、微細寸法加工用レチクル2b(第2のレチクル群に属するレチクル)を微細寸法加工用レチクル・ポッド4bに収容しない状態で保管する場所である。空レチクル・ポッド保管庫15は微細寸法加工用レチクル2bを収容するための微細寸法加工用レチクル・ポッド4bを空の状態で保管する場所である。これらの各装置には、ウエハ搬送系5またはレチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)とのインターフェースとして、必要に応じて、共通ウエハ・ポート16、共通レチクルまたはレチクル・ポッド用ポート17、および移し替え専用ポート17a等のポートが設けられている。
Various devices are arranged between them. Examples of various devices include the following. The
次に、図2に基づいて、レチクル受け入れ装置24(リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど)について、ポート17の働きを説明する。図2に示すように、レチクル搬送系6によって、搬送されたレチクル・ポッド4は、レチクル・ポート17上に設置される。そこで、レチクル・ポッド4の底面(底蓋)がポート17本体内部にレチクル2ごと引き込まれて、装置24内部のレチクル搬送ロボット25によって、装置24の内部に取り込まれる。その後、レチクル・ポッド4の底面が上昇して、レチクル・ポッド4を閉鎖する。空のレチクル・ポッド4をレチクル搬送系6が持ち去る。
Next, the operation of the
装置24から排出される場合は、この逆で、空のレチクル・ポッド4の底面がポート17本体内部に引き込まれ、その状態で、レチクル搬送ロボット25がレチクル2をレチクル・ポッド4の底面上に設置する。その後、レチクル2ごとレチクル・ポッド4の底面が上昇して、レチクル・ポッド4を閉鎖する。レチクル2が入ったレチクル・ポッド4をレチクル搬送系6が持ち去る。
When ejected from the apparatus 24, the reverse side of the
次に図3に基づいて、ラフ寸法加工用レチクル群10a(第1のレチクル群)の工程中での流れを説明する。図3に示すように、ラフ寸法加工用レチクル2a(第1のレチクル群に属するレチクル10a)は、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド4aに収容された状態で、レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫12(第1のレチクル保管庫)内に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)のレチクル搬送車8に乗って、たとえばラフ寸法光リソグラフィ一貫装置18a(第1の光リソグラフィ処理装置)に搬送される。そこで、図2で説明したように、ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置18aのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。
Next, the flow of the rough dimension
一方、微細寸法加工用レチクル群10b(第2のレチクル群)の工程中での流れは、以下のようになる。すなわち、図4に示すように、微細寸法加工用レチクル2b(第2のレチクル群に属するレチクル)は、微細寸法加工用レチクル・ポッド4bに収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫14(第2のレチクル保管庫)内に保管されている。微細寸法加工用レチクル・ポッド4bの方は、空の状態で空レチクル・ポッド保管庫15に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)のレチクル搬送車8に乗って、たとえば微細寸法光リソグラフィ一貫装置19a(第2の光リソグラフィ処理装置)に搬送される。そこで、図2で説明したように、微細寸法光リソグラフィ一貫装置19aのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。このように、加工の微細度等により、レチクルの管理方式を変更したので、ライン全体としてのレチクル管理効率の向上が図れるメリットがある。また、ベア・レチクル保管庫14を用いた管理は、微細寸法のマスクを直接扱うことから、ハンドリングの高速化が困難である。従って、ここに説明したような、混合管理方式は、ベア・レチクル保管庫14を用いた管理方式をラインの一部に限定できるメリットがある。
On the other hand, the flow of the fine dimension
このとき図5に示すように、ラフ寸法加工用レチクル群10a(第1のレチクル群)に属するラフ寸法加工用レチクル2a(第1のレチクル群に属するレチクル)に使用するラフ寸法加工用レチクル・ポッド4aと、微細寸法加工用レチクル群10b(第2のレチクル群)に属する微細寸法加工用レチクル2b(第2のレチクル群に属するレチクル)に使用する微細寸法加工用レチクル・ポッド4bは、相互に混ざり合わないようにする。このように、両群のレチクル・ポッドが交じり合わないので、各群のレチクル・ポッドの材質等をその群に最適化することができる。たとえば、微細寸法加工用レチクル・ポッド4bのみを脱ガスの少ない材料にする等の対策が可能である。
At this time, as shown in FIG. 5, the rough dimension processing reticle used in the rough
図1において、相互乗り入れ部9(連結部)を設けているのは、図6に示すように、両方の軌道上5,6をウエハ搬送車7およびレチクル搬送車8の両方が走行可能とした方が、搬送の自由度または搬送所要時間の点で有利だからである。
In FIG. 1, the mutual entry portion 9 (connecting portion) is provided, as shown in FIG. 6, so that both the
2.本願発明の第2の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明(主に図7および図8)
この例は、基本的に図1(図2から図6を含む)に示す光リソグラフィ・ライン23(ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部)を使用しつつ、それに加えて又はその一部に代えて、天井コンベア等の天井搬送機構をレチクル2入りのレチクル・ポッド、空のレチクル・ポッドの保管に利用するものである。
2. Description of the semiconductor integrated circuit device manufacturing method according to the second embodiment of the present invention (mainly FIGS. 7 and 8)
This example basically uses the optical lithography line 23 (optical lithography processing unit in the wafer line) shown in FIG. 1 (including FIGS. 2 to 6), but in addition to or in place of it. Thus, a ceiling transport mechanism such as a ceiling conveyor is used to store a reticle pod containing the
図7は本願発明の第2の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの内、ラフ寸法加工用レチクル(第1のレチクル群に属するレチクル)に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図8は本願発明の第2の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの内、微細寸法加工用レチクル(第2のレチクル群に属するレチクル)に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。これらに基づいて、本願発明の第2の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。 FIG. 7 is a view showing a clean-cut portion in which a portion relating to a rough dimension processing reticle (reticle belonging to the first reticle group) is cut out from the optical lithography line in the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention. It is a room model perspective layout figure. FIG. 8 is a view showing a clean-cut-out part of an optical lithography line in the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention, which is related to a fine dimension processing reticle (reticle belonging to the second reticle group). It is a room model perspective layout figure. Based on these, a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention will be described.
図7に示すように、使用されないときは、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド4a内に収容されたラフ寸法加工用レチクル2a(第1のレチクル群に属するレチクル)は、天井搬送機構26(バッファーまたはストッカを兼ねる)上で、保管又は待機している。必要があるときは、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)のレチクル搬送車8に乗って、たとえばラフ寸法光リソグラフィ一貫装置18a(第1の光リソグラフィ処理装置)に搬送される。そこで、図2で説明したように、ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置18aのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。ここで、天井搬送機構26の例としては、搬送機能とバッファー機能(簡易なストッカ機能)を併せ持つ、天井コンベアまたはOHB等が好適である。このように、ケースに入れた状態のレチクル2と空のレチクル・ケース4を天井搬送機構26上に保管することで、レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫12と空レチクル・ポッド保管庫15を全部又は一部不要にできるメリットがある。
As shown in FIG. 7, when not used, the rough
一方、図8に示すように、微細寸法加工用レチクル2b(第2のレチクル群に属するレチクル)は、微細寸法加工用レチクル・ポッド4bに収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫14(第2のレチクル保管庫)内に保管されている。微細寸法加工用レチクル・ポッド4bの方は、空の状態で天井搬送機構26(セクション1と同様に、空レチクル・ポッド保管庫15のも保管されるようにしてもよい)上に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)のレチクル搬送車8に乗って、たとえば微細寸法光リソグラフィ一貫装置19a(第2の光リソグラフィ処理装置)に搬送される。そこで、図2で説明したように、微細寸法光リソグラフィ一貫装置19aのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。
On the other hand, as shown in FIG. 8, the
その他の部分(たとえば、図1、図5及び図6に関する説明)については、セクション1と同様であり、説明は繰り返さない(以下のセクションでも同じ)。
The other parts (for example, the description regarding FIG. 1, FIG. 5, and FIG. 6) are the same as those in
3.本願発明の第3の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明(主に図9から図12)
この例は、基本的に図1(図2から図6を含む)に示す光リソグラフィ・ライン23(ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部)の全部又は一部を使用しつつ、ベア・レチクル保管庫14の使用の効率化を図ったものである。
3. Description of the semiconductor integrated circuit device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention (mainly FIGS. 9 to 12)
In this example, bare reticle storage is basically performed using all or part of the optical lithography line 23 (optical lithography processing unit in the wafer line) shown in FIG. 1 (including FIGS. 2 to 6). The efficiency of use of the
図9は本願発明の第3の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図10は図9におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫の周辺の詳細を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。図11は図9におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫との間での具体的な流れ(ベア・レチクル保管庫のポートからの空レチクル・ポッドの移送)を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。図12は図9におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫との間での具体的な流れ(空レチクル・ポッド保管庫のポートからの空レチクル・ポッドの移送)を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。これらに基づいて、本願発明の第3の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。 FIG. 9 is a schematic perspective view of a clean room showing an outline of an optical lithography line in the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment of the present invention. FIG. 10 is a schematic plan view of a clean room showing details of the vicinity of the bear reticle storage and empty reticle pod storage in FIG. FIG. 11 is a schematic diagram of a clean room showing a specific flow (transfer of empty reticle pod from the port of the bear reticle storage) between the bear reticle storage and the empty reticle pod storage in FIG. FIG. FIG. 12 is a clean room showing a specific flow (transfer of empty reticle pod from port of empty reticle pod storage) between bear reticle storage and empty reticle pod storage in FIG. It is a model plane layout figure. Based on these, a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment of the present invention will be described.
レチクル群10の工程中の流れは、セクション1の微細寸法加工用レチクル群10b(第2のレチクル群)の工程中での流れとほぼ同じである。すなわち、図9に示すように、レチクル2は、レチクル・ポッド4(レチクル容器)に収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫14内に保管されている。レチクル・ポッド4の方は、空の状態で空レチクル・ポッド保管庫15に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)のレチクル搬送車8に乗って、たとえば光リソグラフィ一貫装置20に搬送される。そこで、図2で説明したように、光リソグラフィ一貫装置20のレチクル・ポート17を介して、同装置内に取り込まれる。
The flow in the process of the reticle group 10 is substantially the same as the flow in the process of the
ここで、図10に示すように、光リソグラフィ一貫装置20での使用が完了したレチクル2は、再びレチクル・ポッド4に収容されて、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)のレチクル搬送車8に乗って、ベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17に帰ってくる。精密なレチクル2のハンドリングは高速にできないため、ベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17が混雑して、次々に搬送されてくるレチクル2をベア・レチクル保管庫14内に搬入できず、搬送路上で渋滞が生ずる等の問題がある。このため、この例では、ベア・レチクル保管庫14と空レチクル・ポッド保管庫15を近接させて、その間にレチクル・ポッド移し替えロボット27(レチクル・ケース移し替え機構)を設置している。なお、空レチクル・ポッド保管庫15には、共通レチクルまたはレチクル・ポッド用ポート17とは別に、移し替え専用ポート17aを設け、それをベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17との間の受け渡しに適用するようにすると、レチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)の混雑回避に有効である。
Here, as shown in FIG. 10, the
このレチクル・ポッド移し替えロボット27(レチクル・ケース移し替え機構)を中心とする移し替え動作を図10から図12に基づいて説明する。図10に示すように、レチクル・ポッド移し替えロボット27はレチクル・ポッド移し替えロボット用軌道28上を移動可能となっている。たとえば、図11に示すように、レチクル搬送車8がレチクル2を搬送してきており、ベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17が占有されている場合には、レチクル・ケース移し替え機構27により、ベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17上の空のレチクル・ポッド4を空レチクル・ポッド保管庫15の空きポート17a(専用ポート)に速やかに移送する。その後に、空いたベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17にレチクル2入りのレチクル・ポッド4をランディングさせる。また、レチクル2を搬送する場合には、図12に示すように、レチクル・ポッド移し替えロボット27が、移し替え専用ポート17aを介して、空レチクル・ポッド保管庫15内の空きレチクル・ポッド4をベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17上に移送する。その後、その空きレチクル・ポッド4にベア・レチクル保管庫14内のレチクル2が収容され、レチクル搬送車8によって、光リソグラフィ一貫装置18(光リソグラフィ処理装置)へ搬送される。
A transfer operation centered on the reticle / pod transfer robot 27 (reticle / case transfer mechanism) will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 10, the reticle /
なお、セクション1のような混合型のレチクル管理システムでは、空レチクル・ポッド保管庫15にラフ寸法加工用レチクルをレチクル・ポッドに収容した状態で保管してもよい。ただし、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド4aと微細寸法加工用レチクル・ポッド4b間の相互干渉等に留意する必要がある。
In the mixed type reticle management system as in
4.本願発明の第4の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明(主に図13および図14)
この例は、基本的に図1(図2から図6を含む)に示す光リソグラフィ・ライン23(ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部)の全部又は一部を使用しつつ、空レチクル・ポッド保管庫15の全部又は一部をレチクル搬送系6(レチクル・ケース搬送機構)に代替させたものである。
4). Description of the semiconductor integrated circuit device manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention (mainly FIGS. 13 and 14)
This example basically uses an empty reticle pod while using all or part of the optical lithography line 23 (optical lithography processing section in the wafer line) shown in FIG. 1 (including FIGS. 2 to 6). The whole or a part of the
図13は本願発明の第4の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図14は図13における各装置のポートとレチクル・ポッドとの関係を説明するためのクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。これらに基づいて、本願発明の第4の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。 FIG. 13 is a schematic perspective view of a clean room showing an outline of an optical lithography line in the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 14 is a schematic perspective layout view of a clean room for explaining the relationship between the port of each device and the reticle pod in FIG. Based on these, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment of the present invention will be described.
レチクル群10の工程中の流れは、セクション1の微細寸法加工用レチクル群10b(第2のレチクル群)の工程中での流れとほぼ同じである。すなわち、図13に示すように、レチクル2は、レチクル・ポッド4(レチクル容器)に収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫14内に保管されている。レチクル・ポッド4の方は、空の状態でレチクル搬送車8によって保持されている。必要があるときは、そのレチクル搬送車8に乗って、たとえば光リソグラフィ一貫装置20に搬送される。そこで、図2で説明したように、光リソグラフィ一貫装置20のレチクル・ポート17を介して、同装置内に取り込まれる。
The flow in the process of the reticle group 10 is substantially the same as the flow in the process of the
このシステムにおいて、保管庫として必要な搬送車8に数は、図14に示すように、この保管方式を適用する光リソグラフィ一貫装置18のレチクル・ポート17の総数と、ベア・レチクル保管庫14のレチクル・ポート17の総数との総和である。
In this system, as shown in FIG. 14, the number of
このように、搬送系上に空のレチクル・ケースを保管するようにしたので、空レチクル・ポッド保管庫15とそれに関する設備等が不要になるメリットがある。なお、セクション1のような混合型のレチクル管理方式では、レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫12(図1)の代用として、搬送系を使用することも可能である。
As described above, since the empty reticle case is stored on the transport system, there is an advantage that the empty reticle /
5.サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
5). Summary The invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、前記実施の形態では、セクション1をベースとして、各例の特徴部分を中心に複数のセクションに分けて説明したが、前記のごとく、各例は相互に独立のものではなく、相互に矛盾しない範囲で、併用可能であることは言うまでもない。
For example, in the above-described embodiment, the
また、300φウエハ・ラインを例にとり、具体的に説明したが、450φや200φウエハ・ライン当にも、ほぼ、そのまま適用できる。 Further, although a specific description has been given by taking a 300φ wafer line as an example, the present invention can be applied almost as it is to a 450φ or 200φ wafer line.
1 ウエハ
2 レチクル(マスク)
2a ラフ寸法加工用レチクル(第1のレチクル群に属するレチクル)
2b 微細寸法加工用レチクル(第2のレチクル群に属するレチクル)
3 フープ(ウエハ搬送容器)
4 レチクル・ポッド(レチクル容器)
4a ラフ寸法加工用レチクル・ポッド
4b 微細寸法加工用レチクル・ポッド
5 ウエハ搬送系
6 レチクル搬送系(レチクル・ケース搬送機構)
7 ウエハ搬送車
8 レチクル搬送車
9 相互乗り入れ部
10 レチクル群
10a ラフ寸法加工用レチクル群(第1のレチクル群)
10b 微細寸法加工用レチクル群(第2のレチクル群)
11 ウエハ・ロット保管庫(ウエハ・ストッカ)
12 レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫(第1のレチクル保管庫)
14 ベア・レチクル保管庫(第2のレチクル保管庫)
15 空レチクル・ポッド保管庫
16 共通ウエハ・ポート
17 共通レチクルまたはレチクル・ポッド用ポート
17a 移し替え専用ポート
18 光リソグラフィ一貫装置(光リソグラフィ処理装置)
18a、18b ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置(第1の光リソグラフィ処理装置)
19a、19b 微細寸法光リソグラフィ一貫装置(第2の光リソグラフィ処理装置)
20 光リソグラフィ一貫装置群(光リソグラフィ処理装置群)
21 ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置群(第1の光リソグラフィ処理装置群)
22 微細寸法光リソグラフィ一貫装置群(第2の光リソグラフィ処理装置群)
23 光リソグラフィ・ライン(ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部)
24 レチクル受け入れ装置(リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど)
25 レチクル搬送ロボット(ポートと装置内部間でレチクルを移送するロボット)
26 天井搬送機構
27 レチクル・ポッド移し替えロボット(レチクル・ケース移し替え機構)
28 レチクル・ポッド移し替えロボット用軌道
1
2a Rough dimensional processing reticle (reticle belonging to the first reticle group)
2b Reticle for fine dimension processing (reticle belonging to the second reticle group)
3 Hoop (wafer transfer container)
4 Reticle pod (reticle container)
4a reticle pod for
7
10b Reticle group for fine dimension processing (second reticle group)
11 Wafer lot storage (wafer stocker)
12 Reticle pod storage reticle (first reticle storage)
14 Bear reticle storage (second reticle storage)
DESCRIPTION OF
18a, 18b Rough dimension photolithographic integrated device (first photolithographic processing device)
19a, 19b Micro-dimensional photolithography integrated device (second photolithography processing device)
20 Integrated optical lithography equipment group (Optical lithography processing equipment group)
21 Rough dimension optical lithography integrated device group (first optical lithography processing device group)
22 Fine dimension integrated optical lithography equipment group (second optical lithography processing equipment group)
23 Optical Lithography Line (Optical Lithography Processing Section in Wafer Line)
24 Reticle receiving apparatus (lithographic apparatus, reticle and reticle pod stocker, etc.)
25 Reticle transfer robot (robot that transfers the reticle between the port and the inside of the device)
26
28 Trajectory for Reticle Pod Transfer Robot
Claims (20)
(a)第1の最小加工寸法を有する第1の光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記第1の最小加工寸法よりも小さい第2の最小加工寸法を有する第2の光リソグラフィ処理装置群;
(c)前記第1の光リソグラフィ処理装置群で使用される第1のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する第1のレチクル保管庫;
(d)前記第2の光リソグラフィ処理装置群で使用される第2のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管する第2のレチクル保管庫。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a first photolithography processing apparatus group having a first minimum processing dimension;
(B) a second group of photolithographic processing apparatuses having a second minimum processing dimension smaller than the first minimum processing dimension;
(C) a first reticle storage for storing each reticle belonging to the first reticle group used in the first photolithography processing apparatus group in a state of being stored in a reticle case;
(D) A second reticle storage for storing the reticles belonging to the second reticle group used in the second photolithography processing apparatus group without being accommodated in the reticle case.
(e)前記第2のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管するレチクル・ケース・ストッカ。 In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the item 1, the photolithography line further includes:
(E) A reticle case stocker for storing an empty reticle case for accommodating and transporting each reticle belonging to the second reticle group.
(f)前記第1の光リソグラフィ処理装置群、前記第2の光リソグラフィ処理装置群、前記第1のレチクル保管庫、前記第2のレチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。 In the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the item 2, the photolithography line further includes:
(F) A reticle between the first photolithography processing apparatus group, the second photolithography processing apparatus group, the first reticle storage, the second reticle storage, and the reticle case stocker. -Reticle case transport mechanism for transporting cases.
(a)第1の最小加工寸法を有する第1の光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記第1の最小加工寸法よりも小さい第2の最小加工寸法を有する第2の光リソグラフィ処理装置群;
(c)前記第1の光リソグラフィ処理装置群で使用される第1のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する天井搬送機構;
(d)前記第2の光リソグラフィ処理装置群で使用される第2のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a first photolithography processing apparatus group having a first minimum processing dimension;
(B) a second group of photolithographic processing apparatuses having a second minimum processing dimension smaller than the first minimum processing dimension;
(C) a ceiling transport mechanism for storing the reticles belonging to the first reticle group used in the first photolithography processing apparatus group in a state of being accommodated in a reticle case;
(D) A bare reticle storage for storing each reticle belonging to the second reticle group used in the second photolithography processing apparatus group without being accommodated in the reticle case.
(a)光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫;
(c)前記ベア・レチクル保管庫に近接して設置されたレチクル・ケース・ストッカ;
(d)前記ベア・レチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカ間でレチクル・ケースを移送するためのレチクル・ケース移し替え機構。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a photolithographic processing apparatus group;
(B) a bare reticle storage for storing each reticle belonging to a reticle group used in the optical lithography processing apparatus group without being accommodated in a reticle case;
(C) Reticle case stocker installed in the vicinity of the bare reticle storage;
(D) A reticle case transfer mechanism for transferring a reticle case between the bare reticle storage and the reticle case stocker.
(e)前記光リソグラフィ処理装置群、前記ベア・レチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。 13. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the item 12, wherein the photolithography line further includes:
(E) A reticle case transport mechanism for transporting a reticle case between the optical lithography processing apparatus group, the bare reticle storage, and the reticle case stocker.
(a)光リソグラフィ処理装置群;
(b)前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫;
(c)前記レチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管する天井搬送機構。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the following optical lithography line, wherein the optical lithography line includes:
(A) a photolithographic processing apparatus group;
(B) a bare reticle storage for storing each reticle belonging to a reticle group used in the optical lithography processing apparatus group without being accommodated in a reticle case;
(C) A ceiling transport mechanism for storing an empty reticle case for storing and transporting each reticle belonging to the reticle group.
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JP2008270678A JP2010103145A (en) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | Process for fabricating semiconductor integrated circuit device |
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- 2008-10-21 JP JP2008270678A patent/JP2010103145A/en not_active Withdrawn
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