JP2010102349A - 光磁気スイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SWCNTの吸収ピークは直径に依存し、大きな直径になるほど吸収ピークは低エネルギー側(長波長側)に位置する。使用したい波長が光ファイバ通信で用いられる1.55μmすなわち、0.8eVであれば、ピークAがこのエネルギー位置に来るためには、チューブの直径はおよそ1nmであり、ピークBでは2.1nm、ピークCでは3.1nm程度の直径のチューブが対応する。直径の大きなチューブを用いることにより、使用する信号光の波長を替えることなくより高感度に磁場に反応する光磁気スイッチング素子を作製することができる。
【選択図】図13
Description
1)カーボンナノチューブを用いた光スイッチング素子において、高次側(短波長側)のピークの吸収ピークを用いることにより、応答時間を早くすることができる。高次側のピークを用いたことによる吸収波長のずれを、カーボンナノチューブの径を大きくすることにより調整する。
a)カーボンナノチューブの径が小さい場合には、断面積が小さいためにカーボンナノチューブを貫く磁束が少なくなり、磁場による光吸収の変調の度合いが小さくなる。そこで、カーボンナノチューブの径を大きくすると変化させると、断面積の増加により磁場による光吸収の変調の度合いを変化させることができる。
b)カーボンナノチューブの径を大きくすると、第1ピークは低エネルギー側にシフトし、目的とする波長領域から低エネルギー側の波長領域に向けてずれていく。そこで、径を変化させるとともに、第1のピークの変わりに第2又は第3のピークにおける光磁場応答特性を利用する。
Claims (4)
- カーボンナノチューブの光吸収における前記カーボンナノチューブの延在方向と平行な方向に印加される磁場に対する変化を利用した光磁気スイッチング素子において、
前記カーボンナノチューブの光磁気応答特性に使用する吸収を、複数のピークの中から選択して利用し、
前記複数のピークのうちから、より高次側のピークを選択して利用することを特徴とする光磁気スイッチング装置。 - さらに、磁場に対する応答感度を調整するために前記カーボンナノチューブの径の調整することを特徴とする請求項1に記載の光磁気スイッチング装置。
- 前記カーボンナノチューブの径の調整に応じて変化する吸収波長を使用するピークを変更することにより調整することを特徴とする請求項2に記載の光磁気スイッチング装置。
- さらに、ピーク変更による吸収波長のずれを径により微調整することを特徴とする請求項3に記載の光磁気スイッチング装置。
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CN108914174A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-11-30 | 河北工业大学 | Tb-Dy-Fe-Co合金磁性纳米管阵列的制备方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2003121892A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光学素子およびその製造方法 |
JP2004078094A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 光スイッチングシステム |
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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JPN6012062881; Hiroshi AJIKI, Tsuneya ANDO: 'Carbon Nanotubes: Optical Absorption in Aharonov-Bohm Flux' Japanese Journal of Applied Physics vol.34 supplement 34-1, 199502, pp.107-109 * |
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CN108914174A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-11-30 | 河北工业大学 | Tb-Dy-Fe-Co合金磁性纳米管阵列的制备方法 |
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