JP2010092921A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for processing capable of securely supplying a processing liquid heated at predetermined temperature to a substrate. <P>SOLUTION: The apparatus for processing includes a liquid reservoir tank 32 in which the processing liquid is reserved, a supply pump 34 for supplying the processing liquid reserved in the liquid reservoir tank 32 to an upper nozzle body 31 for injection to the substrate through a liquid feed duct 33, a first heating heater 37 provided to the liquid feed duct and heating the processing liquid supplied to the upper nozzle body at the predetermined temperature, a temperature sensor 43 for measuring the temperature of the processing liquid injected from the upper nozzle body by the supply pump when the upper nozzle body is at a stand-by position off an upper surface of the substrate, and a controller for moving the upper nozzle body to above the substrate based on a detection when the temperature sensor detects the measured temperature of the processing liquid being above the predetermined temperature and making the upper nozzle body inject the processing liquid. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

この発明は基板を加熱された処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method for processing a substrate with a heated processing liquid.

たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、これらの対象物であるガラス基板や半導体ウエハなどの基板にレジストを塗布し、現像処理してからエッチング処理をすることで、基板の表面に回路パターンを精密に形成する。基板に回路パターンを形成したならば、その基板の表面に付着残留しているレジスト膜やレジスト残渣などの有機物を除去する洗浄処理が行われる。   For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, a resist is applied to a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer, which is an object, and a development process is performed before an etching process. A circuit pattern is precisely formed. When the circuit pattern is formed on the substrate, a cleaning process is performed to remove organic substances such as a resist film and a resist residue remaining on the surface of the substrate.

レジスト膜を洗浄除去する場合、処理液として硫酸(HSO)と過酸化水素水(H)を混合した処理液が用いられる。硫酸と過酸化水素水を混合した処理液は反応熱によって約100℃程度に温度上昇する。処理液の温度が反応熱によって上昇すると、その分、レジストの剥離レートを上昇させることが可能となる。 When the resist film is removed by washing, a treatment liquid in which sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide water (H 2 O 2 ) are mixed is used as the treatment liquid. The treatment liquid in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed rises to about 100 ° C. due to reaction heat. When the temperature of the treatment liquid is increased by the reaction heat, the resist stripping rate can be increased accordingly.

一方、レジストの剥離レートをさらに上昇させるため、処理液を反応熱による温度上昇である、100℃以上の温度、たとえば200〜250℃程度に加熱してレジストの剥離処理を行なうことが検討されている。   On the other hand, in order to further increase the resist stripping rate, it has been studied to perform the resist stripping process by heating the treatment liquid to a temperature of 100 ° C. or higher, for example, about 200 to 250 ° C., which is a temperature increase due to reaction heat. Yes.

ところで、処理液を貯蔵するための貯液タンク、貯液タンクから基板に向けて噴射するノズル体に供給するための配管、その供給を制御するための弁などは耐薬品性を持たせるためにフッ素樹脂や塩化ビニールなどの合成樹脂が用いられることが多い。   By the way, a liquid storage tank for storing the processing liquid, a pipe for supplying the nozzle body that injects the liquid from the liquid storage tank toward the substrate, a valve for controlling the supply, etc. are provided with chemical resistance. Synthetic resins such as fluororesin and vinyl chloride are often used.

しかしながら、それらの合成樹脂は軟化温度が60〜120℃程度と低いため、レジストの剥離レートを十分に高めるために処理液を200〜250℃の温度に上昇させて使用するということができないということがあった。   However, since these synthetic resins have a low softening temperature of about 60 to 120 ° C., it is impossible to use the processing liquid at a temperature of 200 to 250 ° C. in order to sufficiently increase the resist peeling rate. was there.

特許文献1では処理液としての純水と窒素ガスを二流体ノズルから基板に向けて噴射してレジストの剥離を行う場合、上記純水と窒素ガスの供給源よりも下流側であって、上記純水と窒素ガスが上記二流体ノズルに流入する上流側にヒータを設け、そのヒータによって上記純水と窒素ガスを加熱して上記二流体ノズルから基板に向けて噴射させることが示されている。   In Patent Document 1, when pure water and nitrogen gas as a processing liquid are jetted from a two-fluid nozzle toward a substrate to remove a resist, the pure water and nitrogen gas supply source are downstream, It is shown that a heater is provided on the upstream side where pure water and nitrogen gas flow into the two-fluid nozzle, and the pure water and nitrogen gas are heated by the heater and injected from the two-fluid nozzle toward the substrate. .

このような構成によれば、加熱された純水や窒素ガスをタンクに貯えたり、弁によって供給を制御するということをせずにすみ、しかも加熱された純水や窒素ガスが流れる管路も短くすることができるから、タンク、弁或いは配管のほとんどの部分を上述した合成樹脂によって形成することが可能となる。
特開2007−134689号公報
According to such a configuration, it is not necessary to store heated pure water or nitrogen gas in a tank or to control supply by a valve, and there is also a conduit through which heated pure water or nitrogen gas flows. Since it can be shortened, it becomes possible to form most parts of a tank, a valve, or piping with the synthetic resin mentioned above.
JP 2007-13489 A

しかしながら、処理液の供給開始時には上記二流体ノズルから基板に向けて噴射される上記ヒータと上記二流体ノズルとの間の管路に残留する純水と窒素ガスは、上記ヒータによって十分に加熱されていないから、上記ヒータによって加熱される温度よりも低くなることが避けられない。   However, pure water and nitrogen gas remaining in the pipe line between the heater and the two-fluid nozzle ejected from the two-fluid nozzle toward the substrate at the start of the supply of the processing liquid are sufficiently heated by the heater. Therefore, the temperature is inevitably lower than the temperature heated by the heater.

そのため、処理液の供給開始時にはヒータによって目的温度に加熱されていない処理液が基板に供給されることになるから、所定温度よりも低い温度の処理液が供給された基板の部分からはレジストが確実に剥離されないということがある。   Therefore, since the processing liquid that is not heated to the target temperature by the heater is supplied to the substrate at the start of the supply of the processing liquid, the resist is removed from the portion of the substrate to which the processing liquid having a temperature lower than the predetermined temperature is supplied. It may not be peeled off reliably.

この発明は、供給ノズルから加熱された処理液を基板に供給するとき、供給の開始時に所定温度に加熱された処理液を基板に確実に供給することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。   The present invention is directed to a substrate processing apparatus and a processing which can reliably supply a processing liquid heated to a predetermined temperature to a substrate when the processing liquid heated from the supply nozzle is supplied to the substrate. It is to provide a method.

この発明は、加熱された処理液によって基板を処理する処理装置であって、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴射するためのノズル体に給液管路を通じて供給する給液手段と、
上記給液管路に設けられ上記ノズル体に供給する上記処理液を所定温度に加熱する第1の加熱手段と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記給液手段によって上記ノズル体から噴射される上記処理液の温度を測定する温度測定手段と、
この温度測定手段が測定した上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for processing a substrate with a heated processing liquid,
A liquid storage tank in which the treatment liquid is stored;
Liquid supply means for supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for spraying the substrate through a liquid supply line;
A first heating means for heating the treatment liquid supplied to the nozzle body provided in the liquid supply pipe line to a predetermined temperature;
Temperature measuring means for measuring the temperature of the processing liquid sprayed from the nozzle body by the liquid supply means when the nozzle body is in a standby position off the upper surface of the substrate;
Control means for ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring means is the predetermined temperature; A substrate processing apparatus characterized by comprising:

上記基板は回転テーブルに保持されて回転駆動され、上記ノズル体は駆動源によって駆動されるアーム体の先端部に設けられていて、
上記制御手段は、上記温度測定手段が上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出すると、その検出に基いて上記駆動源を作動させて上記ノズル体を上記基板の上方へ移動させることが好ましい。
The substrate is held and rotated by a rotary table, and the nozzle body is provided at the tip of an arm body driven by a drive source,
When the temperature measuring means detects that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature, the control means operates the drive source based on the detection to move the nozzle body above the substrate. Is preferred.

上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに、上記給液手段によって上記ノズル体から噴射される上記処理液を受ける受け部を有し、この受け部と上記貯液タンクは回収管によって接続されていて、この回収管の中途部には上記受け部で受けた上記処理液を冷却する冷却手段が設けられていることが好ましい。   When the nozzle body is in a standby position off the upper surface of the substrate, the nozzle body has a receiving portion for receiving the processing liquid sprayed from the nozzle body by the liquid supply means, and the receiving portion and the liquid storage tank are It is preferable that a cooling means connected to the recovery pipe is provided in the middle of the recovery pipe to cool the processing liquid received by the receiving portion.

上記貯液タンク内の処理液を加熱する第2の加熱手段が設けられ、この第2の加熱手段によって加熱された上記処理液を上記第1の加熱手段によって上記所定温度にさらに加熱することが好ましい。 Second heating means for heating the treatment liquid in the liquid storage tank is provided, and the treatment liquid heated by the second heating means is further heated to the predetermined temperature by the first heating means. preferable.

この発明は、加熱された処理液によって基板を処理する処理方法であって、
貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴出するためのノズル体に供給する工程と、
上記ノズル体に供給される処理液を所定温度に加熱する工程と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記ノズル体から噴出する上記処理液の温度を測定する工程と、
上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
The present invention is a processing method of processing a substrate with a heated processing liquid,
Supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for ejecting the processing liquid to the substrate;
Heating the treatment liquid supplied to the nozzle body to a predetermined temperature;
Measuring the temperature of the processing liquid ejected from the nozzle body when the nozzle body is in a standby position off the upper surface of the substrate;
And a step of ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature. It is in the processing method of a board | substrate.

この発明によれば、ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに処理液をノズル体から噴射させて温度を測定し、その温度が所定温度に達したならば上記ノズル体を基板の上方に移動させて処理液を基板に噴射させるようにした。   According to the present invention, when the nozzle body is at the standby position deviated from the upper surface of the substrate, the processing liquid is sprayed from the nozzle body to measure the temperature, and when the temperature reaches a predetermined temperature, the nozzle body is moved to the substrate. The processing liquid is sprayed onto the substrate by moving the substrate upward.

そのため、ノズル体から基板に処理液を噴射供給するとき、予め設定された温度以下の処理液が噴射されるのが防止されるから、処理液による基板の処理の均一化を図ることが可能となる。   Therefore, when the processing liquid is sprayed and supplied from the nozzle body to the substrate, it is possible to prevent the processing liquid below a preset temperature from being sprayed, so that the processing of the substrate with the processing liquid can be made uniform. Become.

以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1乃至図3はこの発明の第1の実施の液体を示し、図1に示すスピン処理装置はカップ体1を備えている。このカップ体1の底部には複数の排出管2が周方向に所定間隔で接続されている。各排出管2は図示しない排気ポンプに連通している。   1 to 3 show a liquid according to a first embodiment of the present invention, and the spin processing apparatus shown in FIG. A plurality of discharge pipes 2 are connected to the bottom of the cup body 1 at a predetermined interval in the circumferential direction. Each discharge pipe 2 communicates with an exhaust pump (not shown).

なお、上記カップ体1は下カップ1aと上カップ1bとを有し、上カップ1bは図示しないシリンダなどの駆動機構によって上下方向に駆動可能になっている。   The cup body 1 has a lower cup 1a and an upper cup 1b, and the upper cup 1b can be driven in the vertical direction by a driving mechanism such as a cylinder (not shown).

上記カップ体1内には保持部としての回転テーブル3が設けられている。この回転テーブル3の上面の周辺部には周方向に所定間隔で複数の支持部材4が回動可能に設けられている。各支持部材4の上端面には係止ピン5が支持部材4の回転中心から偏心した位置に設けられ、回転中心には支持ピン6が設けられている。   A rotating table 3 as a holding portion is provided in the cup body 1. A plurality of support members 4 are rotatably provided at predetermined intervals in the circumferential direction on the periphery of the upper surface of the turntable 3. On the upper end surface of each support member 4, a locking pin 5 is provided at a position eccentric from the rotation center of the support member 4, and a support pin 6 is provided at the rotation center.

上記回転テーブル3には半導体ウエハなどの基板Wが供給される。つまり、基板Wは周縁部の下面が上記支持ピン6に支持されるよう供給される。その状態で上記支持部材4が回転すると、上記係止ピン5が偏心回転するから、基板Wの外周面が上記係止ピン5によって保持される。   A substrate W such as a semiconductor wafer is supplied to the turntable 3. That is, the substrate W is supplied so that the lower surface of the peripheral edge portion is supported by the support pins 6. When the support member 4 rotates in this state, the locking pin 5 rotates eccentrically, so that the outer peripheral surface of the substrate W is held by the locking pin 5.

上記回転テーブル3は制御モータ11によって回転駆動される。この制御モータ11は、筒状の固定子12内に同じく筒状の回転子13が回転可能に挿入されていて、この回転子13に上記回転テーブル3が動力伝達部材13aを介して連結されている。   The rotary table 3 is rotationally driven by a control motor 11. In the control motor 11, a cylindrical rotor 13 is also rotatably inserted into a cylindrical stator 12, and the rotary table 3 is connected to the rotor 13 via a power transmission member 13a. Yes.

上記制御モータ11は制御装置14によって回転が制御される。それによって、上記回転テーブル3は上記制御装置14により所定の回転数で回転させることができるようになっている。   The rotation of the control motor 11 is controlled by the control device 14. Thereby, the rotary table 3 can be rotated at a predetermined rotational speed by the control device 14.

上記回転子13内には筒状の固定軸15が挿通されている。この固定軸15の上端には上記回転テーブル3の上面側に位置するノズルヘッド16が設けられている。つまり、ノズルヘッド16は回転テーブル3の回転に連動しない状態で設けられている。このノズルヘッド16には処理液及び気体を噴射する下部ノズル体17,18が設けられている。   A cylindrical fixed shaft 15 is inserted into the rotor 13. A nozzle head 16 positioned on the upper surface side of the rotary table 3 is provided at the upper end of the fixed shaft 15. That is, the nozzle head 16 is provided in a state not interlocked with the rotation of the rotary table 3. The nozzle head 16 is provided with lower nozzle bodies 17 and 18 for injecting processing liquid and gas.

それによって、上記下部ノズル体17,18から回転テーブル3に保持された基板Wの下面の中央部分に向けて処理液や気体を選択的に噴射することができるようになっている。つまり、基板Wは下面を洗浄及び乾燥処理することができるようになっている。   As a result, the processing liquid and the gas can be selectively ejected from the lower nozzle bodies 17 and 18 toward the central portion of the lower surface of the substrate W held on the rotary table 3. In other words, the lower surface of the substrate W can be cleaned and dried.

上記回転テーブル3の上面側は乱流防止カバー19によって覆われている。この乱流防止カバー19は回転テーブル3に保持された基板Wの下面側に乱流が発生するのを防止するようになっており、その中央部分には上記各下部ノズル17,18から基板Wの下面に処理液や気体を噴射可能とする透孔20が開口形成されている。   The upper surface side of the rotary table 3 is covered with a turbulent flow prevention cover 19. The turbulent flow prevention cover 19 prevents the turbulent flow from occurring on the lower surface side of the substrate W held on the rotary table 3. A through hole 20 is formed in the lower surface of the substrate so as to be able to inject a processing liquid or gas.

上記カップ体1の側方には駆動機構23が設けられている。この駆動機構23は軸線を垂直にして設けられた揺動軸部24と、この揺動軸部24の上端に基端部が連結されて水平に設けられたアーム体25を有する。上記揺動軸部24の下端は駆動源としての回転モータ26に連結されている。回転モータ26は上記アーム体25を所定の角度で回転駆動するようになっている。   A drive mechanism 23 is provided on the side of the cup body 1. The drive mechanism 23 includes a swinging shaft portion 24 provided with the vertical axis, and an arm body 25 provided with a base end connected to the upper end of the swinging shaft portion 24 and provided horizontally. The lower end of the oscillating shaft portion 24 is connected to a rotary motor 26 as a drive source. The rotation motor 26 is configured to rotate the arm body 25 at a predetermined angle.

上記回転モータ26は図示しないリニアガイドによって上下方向にスライド可能に設けられた可動板27に取付けられている。この可動板27は上下駆動シリンダ28によって上下方向に駆動されるようになっている。   The rotary motor 26 is attached to a movable plate 27 that is slidable in the vertical direction by a linear guide (not shown). The movable plate 27 is driven in the vertical direction by the vertical drive cylinder 28.

上記アーム体25の先端部には、上記基板Wの上面に処理液を噴射供給する上部ノズル体31が設けられている。この上部ノズル体31には図2に示すように貯液タンク32に貯えられた処理液としての硫酸からなる剥離液が給液管路33を通じて供給されるようになっている。   At the tip of the arm body 25, an upper nozzle body 31 for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate W is provided. As shown in FIG. 2, the upper nozzle body 31 is supplied with a stripping liquid made of sulfuric acid as a processing liquid stored in a liquid storage tank 32 through a liquid supply pipe 33.

上記給液管路33には貯液タンク32の剥離液を加圧供給する給液手段としての供給ポンプ34、供給ポンプ34によって給液管路33を流れる剥離液の流量を測定する流量計35、開閉弁36及び供給ポンプ34によって上記上部ノズル体31に供給される剥離液を所定の温度、たとえば200〜250℃に加熱する第1の加熱手段としての第1の加熱ヒータ37が順次設けられている。   A supply pump 34 serving as a supply means for supplying the stripping liquid in the liquid storage tank 32 under pressure to the liquid supply pipe 33, and a flow meter 35 for measuring the flow rate of the stripping liquid flowing through the liquid supply pipe 33 by the supply pump 34. A first heater 37 is sequentially provided as a first heating means for heating the stripping solution supplied to the upper nozzle body 31 by the opening / closing valve 36 and the supply pump 34 to a predetermined temperature, for example, 200 to 250 ° C. ing.

上記貯液タンク32には、一端と他端を貯液タンク32の異なる部位、たとえば底面と側面に接続した循環管路39が設けられている。この循環管路39には循環ポンプ41と第2の加熱ヒータ42が設けられている。   The liquid storage tank 32 is provided with a circulation line 39 having one end and the other end connected to different portions of the liquid storage tank 32, for example, the bottom surface and the side surface. The circulation line 39 is provided with a circulation pump 41 and a second heater 42.

上記循環ポンプ41が作動すると、上記貯液タンク32内の剥離液が上記循環管路39を流れて第2の加熱ヒータ42によって加熱される。第2の加熱ヒータ42は剥離液を約100℃に加熱するようになっている。それによって、上記第1の加熱ヒータ37は上記第2の加熱ヒータ42によって100℃に加熱された剥離液を200〜250℃に加熱することになる。   When the circulation pump 41 is operated, the stripping liquid in the liquid storage tank 32 flows through the circulation pipe 39 and is heated by the second heater 42. The second heater 42 heats the stripping solution to about 100 ° C. Accordingly, the first heater 37 heats the stripping solution heated to 100 ° C. by the second heater 42 to 200 to 250 ° C.

このように、剥離液を第1の加熱ヒータ37によって200〜250℃に加熱するようにしたことで、貯液タンク32、供給ポンプ34、流量計35、開閉弁36及び供給管路33のほとんどの部分を100℃までの温度で軟化しない耐熱性及び硫酸に対する耐薬品性を備えた合成樹脂材料、たとえばフッ素樹脂などによって形成することが可能となる。   As described above, since the stripping solution is heated to 200 to 250 ° C. by the first heater 37, most of the liquid storage tank 32, the supply pump 34, the flow meter 35, the on-off valve 36, and the supply pipeline 33 are used. This portion can be formed of a synthetic resin material having heat resistance that does not soften at a temperature up to 100 ° C. and chemical resistance to sulfuric acid, such as a fluororesin.

上記上部ノズル体31が回転テーブル3に保持された基板Wの上面から外れた位置、つまり図3に示すように基板Wに剥離液の供給を開始する前或いは供給が終了した後で待機位置に待機しているとき、上記上部ノズル体31は下端面を受け部44に対向させている。つまり、上記待機位置には上記受け部44が固定して設けられている。この受け部44は上記上部ノズル体31から噴射される剥離液を受けるようになっている。   The position where the upper nozzle body 31 deviates from the upper surface of the substrate W held on the turntable 3, that is, as shown in FIG. 3, before the supply of the stripping liquid to the substrate W is started or after the supply is finished. When waiting, the upper nozzle body 31 faces the receiving portion 44 at the lower end surface. That is, the receiving portion 44 is fixedly provided at the standby position. The receiving portion 44 is adapted to receive the peeling liquid sprayed from the upper nozzle body 31.

なお、上記上部ノズル体31を上下駆動シリンダ28によって下降させ、受け部44との間隔を小さくして剥離液を受け部44に噴射させれば、剥離液が周囲に飛散するのを防止することができる。   In addition, if the upper nozzle body 31 is lowered by the vertical drive cylinder 28 and the separation liquid is sprayed to the receiving part 44 by reducing the distance from the receiving part 44, the peeling liquid is prevented from being scattered around. Can do.

上記上部ノズル体31から剥離液が噴射されたとき、その剥離液の温度は温度測定手段としての熱電対や赤外線センサなどの温度センサ43によって検出される。温度センサ43による検出信号は上記制御装置14に出力される。検出信号を受けた制御装置14はその検出信号を図示しない比較部に設定された設定温度と比較する。設定温度は剥離液が第1の加熱ヒータ37によって加熱される200〜250℃の温度、たとえば230℃に設定されている。   When the stripping liquid is ejected from the upper nozzle body 31, the temperature of the stripping liquid is detected by a temperature sensor 43 such as a thermocouple or an infrared sensor as temperature measuring means. A detection signal from the temperature sensor 43 is output to the control device 14. Upon receiving the detection signal, the control device 14 compares the detection signal with a set temperature set in a comparison unit (not shown). The set temperature is set to a temperature of 200 to 250 ° C., for example, 230 ° C., at which the stripping solution is heated by the first heater 37.

そして、上記待機位置で待機した上部ノズル体31から噴射される剥離液の温度が設定温度に達すると、上記制御装置14は上記回転モータ26を作動させて上部ノズル体31が設けられたアーム体25を駆動し、上記上部ノズル体31を基板Wの上方でこの基板Wを横切る径方向に沿って揺動させるようになっている。   When the temperature of the stripping liquid sprayed from the upper nozzle body 31 waiting at the standby position reaches a set temperature, the control device 14 operates the rotary motor 26 to provide the arm body provided with the upper nozzle body 31. 25 is driven, and the upper nozzle body 31 is swung along the radial direction across the substrate W above the substrate W.

上記待機位置で、上記受け部44が上記上部ノズル体31から受けた剥離液は回収管路45によって上記貯液タンク32に戻されるようになっている。上記回収管路45には、上部ノズル体31から噴射された所定温度である230℃に加熱された剥離液を100℃に冷却する冷却手段としての冷却器46が設けられている。それによって、貯液タンク32にこの貯液タンク32の耐熱温度以上の処理液が戻るのを防止している。   At the standby position, the stripping liquid received by the receiving portion 44 from the upper nozzle body 31 is returned to the liquid storage tank 32 by a recovery pipe 45. The recovery pipe line 45 is provided with a cooler 46 as a cooling means for cooling the stripping liquid heated to 230 ° C., which is a predetermined temperature, ejected from the upper nozzle body 31 to 100 ° C. This prevents the processing liquid above the heat-resistant temperature of the liquid storage tank 32 from returning to the liquid storage tank 32.

なお、上記貯液タンク32には、剥離液を供給する第1の給液管路47、貯液タンク32内を洗浄する純水を供給する第2の給液管路48がそれぞれ開閉弁49を介して接続されている。   The liquid storage tank 32 is provided with a first liquid supply pipe 47 for supplying the stripping liquid and a second liquid supply pipe 48 for supplying pure water for cleaning the liquid storage tank 32, respectively. Connected through.

つぎに、上記構成の処理装置によって基板Wの上面に付着残留したレジストを剥離するときの動作について説明する。
基板Wの処理が開始される前は、上部ノズル体31が待機位置、つまり受け部44に対向するよう位置決めされている。その状態で、回転テーブル3に未処理の基板Wを供給し、制御装置14によって基板Wに付着したレジストの剥離処理を制御装置14によって開始すると、まず、供給ポンプ34が作動して第1の加熱ヒータ37によって加熱された剥離液を上部ノズル体31から噴射させる。上部ノズル体31から剥離液が噴射されると、その剥離液の温度が温度センサ43によって検出される。
Next, an operation for removing the resist remaining on the upper surface of the substrate W by the processing apparatus having the above-described configuration will be described.
Before the processing of the substrate W is started, the upper nozzle body 31 is positioned so as to face the standby position, that is, the receiving portion 44. In this state, when the unprocessed substrate W is supplied to the turntable 3 and the resist device attached to the substrate W is started to be removed by the control device 14, the supply pump 34 is operated first. The stripping solution heated by the heater 37 is sprayed from the upper nozzle body 31. When the stripping liquid is ejected from the upper nozzle body 31, the temperature of the stripping liquid is detected by the temperature sensor 43.

上記上部ノズル体31から第1の加熱ヒータ37と上部ノズル体31の間の給液管路33に残留する剥離液が噴射され終わるまでは、温度センサ43が検出する剥離液の温度は制御装置14に設定された設定温度である、230℃に到達しない。   Until the stripping liquid remaining in the liquid supply conduit 33 between the first heater 37 and the top nozzle body 31 is completely ejected from the upper nozzle body 31, the temperature of the stripping liquid detected by the temperature sensor 43 is controlled by the control device. It does not reach 230 ° C., which is the set temperature set to 14.

そして、給液管路33に残留する剥離液が噴射され終わり、温度センサ43が検出する剥離液の温度が制御装置14に設定された設定温度に到達すると、その検出信号が制御装置14に出力される。   When the stripping liquid remaining in the liquid supply pipe 33 is completely ejected and the temperature of the stripping liquid detected by the temperature sensor 43 reaches the set temperature set in the control device 14, the detection signal is output to the control device 14. Is done.

検出信号が制御装置14に出力されると、この制御装置14は回転モータ26を作動させてアーム体25を揺動させるから、上部ノズル体31が回転テーブル3に保持されて回転する基板Wの上方で、剥離液を基板Wの上面に向けて噴射しながら、上記基板Wを横切る方向に揺動駆動される。   When the detection signal is output to the control device 14, the control device 14 operates the rotation motor 26 to swing the arm body 25, so that the upper nozzle body 31 is held by the rotary table 3 and the rotating substrate W is rotated. Above, it is driven to swing in the direction across the substrate W while spraying the stripping liquid toward the upper surface of the substrate W.

それによって、230℃に加熱された剥離液が基板Wの上面にむらなく均一に供給されるから、基板Wの上面に付着残留するレジストを剥離除去することができる。つまり、所定温度である230℃に温度上昇していない処理液が基板Wに噴射されることがないから、処理液による基板Wの処理を確実かつ迅速に行なうことが可能となる。   As a result, the stripping solution heated to 230 ° C. is uniformly supplied to the upper surface of the substrate W, so that the resist remaining on the upper surface of the substrate W can be stripped and removed. That is, since the processing liquid that has not risen to the predetermined temperature of 230 ° C. is not sprayed onto the substrate W, the processing of the substrate W by the processing liquid can be performed reliably and rapidly.

なお、上部ノズル体31が待機位置から基板Wの上方に揺動してくるまでは、開閉弁36が閉じられ、剥離液が上部ノズル体31から無駄に噴射されるのが防止される。開閉弁36が閉じられる時間は短時間であるから、共有配管33に滞留する剥離液の温度に影響を与えることはない。   Until the upper nozzle body 31 swings upward from the standby position above the substrate W, the on-off valve 36 is closed, and the stripping liquid is prevented from being unnecessarily ejected from the upper nozzle body 31. Since the time for closing the on-off valve 36 is short, the temperature of the stripping solution staying in the common pipe 33 is not affected.

上記上部ノズル体31が待機位置で受け部44に噴射した剥離液は、回収管路45を通じて貯液タンク32に回収されるから、待機位置で上部ノズル体31から噴射された剥離液が無駄になることがない。   The stripping liquid sprayed to the receiving portion 44 by the upper nozzle body 31 at the standby position is collected in the liquid storage tank 32 through the recovery pipe 45, so that the stripping liquid sprayed from the upper nozzle body 31 at the standby position is useless. Never become.

待機位置で、上記受け部44に噴射された剥離液は冷却器46によって100℃程度に冷却されて貯液タンク32に戻される。そのため、上部ノズル体31から噴射される温度の高い剥離液が貯液タンク32に直接戻ることがないから、貯液タンク32を比較的軟化温度の低い合成樹脂製によって製作することが可能となる。   At the standby position, the stripping liquid sprayed to the receiving portion 44 is cooled to about 100 ° C. by the cooler 46 and returned to the liquid storage tank 32. For this reason, since the high temperature stripping liquid sprayed from the upper nozzle body 31 does not return directly to the liquid storage tank 32, the liquid storage tank 32 can be made of a synthetic resin having a relatively low softening temperature. .

上記一実施の形態では剥離液としての硫酸を第2の加熱ヒータによって100℃に加熱してから、第1の加熱ヒータによって200〜250℃に加熱するようにしたが、貯液タンクに硫酸とともに過酸化水素水を供給し、これらの反応熱によって硫酸を100℃程度までに温度上昇させてから、第1の加熱ヒータによって所定の温度に加熱するようにしてもよい。   In the above embodiment, sulfuric acid as a stripping solution is heated to 100 ° C. by the second heater and then heated to 200 to 250 ° C. by the first heater. Hydrogen peroxide water may be supplied, and the temperature of sulfuric acid may be raised to about 100 ° C. by these reaction heats, and then heated to a predetermined temperature by the first heater.

また、処理液としては基板からレジストを剥離する硫酸などの剥離液だけに限られず、処理液を高温度に加熱して基板を処理する場合であれば、この発明を適用することができる。   Further, the processing liquid is not limited to a stripping solution such as sulfuric acid for stripping the resist from the substrate, and the present invention can be applied if the processing liquid is heated to a high temperature to process the substrate.

図4はこの発明の第2の実施の形態を示す。この実施の形態では、上部ノズル体31から噴射された処理液を受ける受け部44Aが実線で示すようにアーム体25によって揺動される上記上部ノズル体31の揺動範囲から外れた位置に配置されている。   FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the receiving portion 44A that receives the processing liquid sprayed from the upper nozzle body 31 is disposed at a position outside the swing range of the upper nozzle body 31 that is swung by the arm body 25 as shown by the solid line. Has been.

そして、上記受け部44Aは、シリンダやリニアモータなどの駆動源51によって実線で示す上記上部ノズル体31の揺動の範囲外から、鎖線で示す上部ノズル体31の揺動の範囲内で、基板Wの上面から外れた部位に駆動可能に設けられている。   Then, the receiving portion 44A is disposed within the range of oscillation of the upper nozzle body 31 indicated by a chain line from outside the range of oscillation of the upper nozzle body 31 indicated by a solid line by a drive source 51 such as a cylinder or a linear motor. It is provided so as to be able to be driven at a part off the upper surface of W.

それによって、上記受け部44Aは上部ノズル体31から処理液を受けるときだけ上記上部ノズル体31の揺動の軌跡に対応し、かつ基板Wの上面から外れた部位に位置決めされることになる。   As a result, the receiving portion 44A is positioned at a position corresponding to the swing trajectory of the upper nozzle body 31 and off the upper surface of the substrate W only when receiving the processing liquid from the upper nozzle body 31.

上記受け部44Aは上面に上記上部ノズル体31の先端部に対向する開口部52が形成された容器状に形成されている。それによって、上記上部ノズル体31から上記受け部44Aに処理液を噴射するとき、上記上部ノズル体31を下降させてその先端を上記開口部52に接近させて処理液を噴射させれば、その処理液が上記受け部44Aの周囲に飛散するのを防止できる。
なお、第2の実施の形態に示した受け部44Aは第1の実施の形態に適用しても差し支えない。
44 A of said receiving parts are formed in the container shape by which the opening part 52 which opposes the front-end | tip part of the said upper nozzle body 31 was formed in the upper surface. Accordingly, when the processing liquid is ejected from the upper nozzle body 31 to the receiving portion 44A, the upper nozzle body 31 is lowered and its tip is brought close to the opening 52 to eject the processing liquid. It is possible to prevent the processing liquid from scattering around the receiving portion 44A.
The receiving portion 44A shown in the second embodiment may be applied to the first embodiment.

上記第1、第2の実施の形態では上部ノズル体をアーム体によって基板の上方で径方向に揺動させる場合を例に挙げて説明したが、上記上部ノズル体を基板の上方で、基板の径方向に沿って直線的に駆動して処理液によって処理するようにしてもよい。   In the first and second embodiments, the case where the upper nozzle body is swung in the radial direction above the substrate by the arm body has been described as an example. However, the upper nozzle body is disposed above the substrate, You may make it process linearly along a radial direction and process with a process liquid.

この発明の第1の実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。The schematic block diagram of the processing apparatus which shows 1st Embodiment of this invention. 処理液を貯液タンクから待機位置の上部ノズル体に供給した後、上記貯液タンクに回収する流路を示す配管系統図。The piping system figure which shows the flow path which collect | recovers to the said liquid storage tank, after supplying a process liquid from the liquid storage tank to the upper nozzle body of a standby position. 待機位置に配置された受け部に上部ノズル体が対向して待機している状態を示す模式図。The schematic diagram which shows the state which an upper nozzle body opposes and waits for the receiving part arrange | positioned in a standby position. この発明の第2の実施の形態を示す受け部と上部ノズル体との配置関係を示す模式図。The schematic diagram which shows the arrangement | positioning relationship between the receiving part and upper nozzle body which show 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

3…回転テーブル、14…制御装置、25…アーム体、26…回転モータ(揺動駆動源)、31…上部ノルズ体、32…貯液タンク、33…給液管路、34…供給ポンプ(給液手段)、37…第1の加熱ヒータ(第1の加熱手段)、42…第2の加熱ヒータ(第2の加熱手段)、43…温度センサ(温度測定手段)、46…冷却器(冷却手段)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Rotary table, 14 ... Control apparatus, 25 ... Arm body, 26 ... Rotation motor (oscillation drive source), 31 ... Upper nords body, 32 ... Liquid storage tank, 33 ... Liquid supply line, 34 ... Supply pump ( (Liquid supply means), 37 ... first heater (first heating means), 42 ... second heater (second heating means), 43 ... temperature sensor (temperature measuring means), 46 ... cooler ( Cooling means).

Claims (5)

加熱された処理液によって基板を処理する処理装置であって、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴射するためのノズル体に給液管路を通じて供給する給液手段と、
上記給液管路に設けられ上記ノズル体に供給する上記処理液を所定温度に加熱する第1の加熱手段と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記給液手段によって上記ノズル体から噴射される上記処理液の温度を測定する温度測定手段と、
この温度測定手段が測定した上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
A processing apparatus for processing a substrate with a heated processing liquid,
A liquid storage tank in which the treatment liquid is stored;
Liquid supply means for supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for spraying the substrate through a liquid supply line;
A first heating means for heating the treatment liquid supplied to the nozzle body provided in the liquid supply pipe line to a predetermined temperature;
Temperature measuring means for measuring the temperature of the processing liquid sprayed from the nozzle body by the liquid supply means when the nozzle body is at a standby position off the upper surface of the substrate;
Control means for ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring means is the predetermined temperature; An apparatus for processing a substrate, comprising:
上記基板は回転テーブルに保持されて回転駆動され、上記ノズル体は駆動源によって駆動されるアーム体の先端部に設けられていて、
上記制御手段は、上記温度測定手段が上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出すると、その検出に基いて上記駆動源を作動させて上記ノズル体を上記基板の上方へ移動させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
The substrate is held and rotated by a rotary table, and the nozzle body is provided at the tip of an arm body driven by a drive source,
When the temperature measuring means detects that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature, the control means operates the drive source based on the detection to move the nozzle body above the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1.
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに、上記給液手段によって上記ノズル体から噴射される処理液を受ける受け部を有し、この受け部と上記貯液タンクは回収管によって接続されていて、この回収管の中途部には上記受け部で受けた処理液を冷却する冷却手段が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。   When the nozzle body is at a standby position deviated from the upper surface of the substrate, the nozzle body has a receiving portion for receiving the processing liquid ejected from the nozzle body by the liquid supply means, and the receiving portion and the liquid storage tank are recovered. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is connected by a tube, and a cooling means for cooling the processing liquid received by the receiving portion is provided in the middle portion of the recovery tube. 上記貯液タンク内の処理液を加熱する第2の加熱手段が設けられ、この第2の加熱手段によって加熱された処理液を上記第1の加熱手段によって上記所定温度にさらに加熱することを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 Second heating means for heating the processing liquid in the liquid storage tank is provided, and the processing liquid heated by the second heating means is further heated to the predetermined temperature by the first heating means. The substrate processing apparatus according to claim 1. 加熱された処理液によって基板を処理する処理方法であって、
貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴出するためのノズル体に供給する工程と、
上記ノズル体に供給される上記処理液を所定温度に加熱する工程と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記ノズル体から噴出する上記処理液の温度を測定する工程と、
上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
A processing method for processing a substrate with a heated processing liquid,
Supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for ejecting the processing liquid to the substrate;
Heating the treatment liquid supplied to the nozzle body to a predetermined temperature;
Measuring the temperature of the processing liquid ejected from the nozzle body when the nozzle body is in a standby position off the upper surface of the substrate;
And a step of ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature. Substrate processing method.
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