JP2010091621A - Absorptive wire-grid polarizer - Google Patents

Absorptive wire-grid polarizer Download PDF

Info

Publication number
JP2010091621A
JP2010091621A JP2008258737A JP2008258737A JP2010091621A JP 2010091621 A JP2010091621 A JP 2010091621A JP 2008258737 A JP2008258737 A JP 2008258737A JP 2008258737 A JP2008258737 A JP 2008258737A JP 2010091621 A JP2010091621 A JP 2010091621A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire grid
grid polarizer
polarizer
wire
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008258737A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5291424B2 (en
Inventor
Masato Saito
正人 齋藤
Fujito Yamaguchi
布士人 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei E Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei E Materials Corp filed Critical Asahi Kasei E Materials Corp
Priority to JP2008258737A priority Critical patent/JP5291424B2/en
Publication of JP2010091621A publication Critical patent/JP2010091621A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5291424B2 publication Critical patent/JP5291424B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an absorptive wire-grid polarizer capable of increasing the availability of light rays on a backlight side, suppressing reflectivity for incident light on an external light side, and achieving sufficient color reproducibility and black display when being arranged in a display device such as an LCD in a polarizer which is excellent in durability, has high transmissivity and low reflectivity, and is stacked on a reflective wire grid polarizer. <P>SOLUTION: The absorptive wire-grid polarizer includes: a substrate having protrusion in a grid-like formation; and a layer composed of absorption type polarizing components formed on the protrusion of the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、吸収型ワイヤグリッド偏光子に関する。   The present invention relates to an absorption wire grid polarizer.

近年のフォトリソグラフィー技術の発達により、光の波長レベルのピッチを有する微細構造パターンを形成することができるようになってきた。この様に非常に小さいピッチのパターンを有する部材や製品は、半導体分野だけでなく、光学分野において利用範囲が広く有用である(非特許文献1)。   With the recent development of photolithography technology, it has become possible to form a fine structure pattern having a pitch at the wavelength level of light. Such a member or product having a pattern with a very small pitch is useful not only in the semiconductor field but also in the optical field (Non-Patent Document 1).

例えば、金属などで構成された導電体線が特定のピッチで格子状に配列してなるワイヤグリッドは、そのピッチが入射光(例えば、可視光の波長400nmから800nm)に比べてかなり小さいピッチ(例えば、2分の1以下)であれば、導電体線に対して平行に振動する電場ベクトル成分の光をほとんど反射し、導電体線に対して垂直な電場ベクトル成分の光をほとんど透過させるため、単一偏光を作り出す偏光子として使用できる。このワイヤグリッド偏光子は、透過しない光を反射し再利用することができるので、光の有効利用の観点からも望ましいものである。   For example, a wire grid in which conductor wires made of metal or the like are arranged in a lattice pattern at a specific pitch has a pitch that is considerably smaller than incident light (for example, visible light wavelength 400 nm to 800 nm). For example, if it is less than half, most of the electric field vector component light that oscillates in parallel to the conductor line is reflected, and almost no electric field vector component light perpendicular to the electric conductor line is transmitted. Can be used as a polarizer to produce a single polarization. Since this wire grid polarizer can reflect and reuse light that does not transmit, it is also desirable from the viewpoint of effective use of light.

このようなワイヤグリッド偏光子としては、例えば、特許文献1に開示されているものがある。このワイヤグリッド偏光子は、入射光の波長より小さいグリッド周期で間隔が置かれた金属ワイヤを備えている。このワイヤグリッド偏光子は、電場成分が金属線と平行な偏光成分(TE波)を反射し、金属線と垂直な偏光成分(TM波)を透過する偏光特性を有し、ビームスプリッタとして多く使用されている。   An example of such a wire grid polarizer is disclosed in Patent Document 1. The wire grid polarizer includes metal wires spaced at a grid period smaller than the wavelength of incident light. This wire grid polarizer has polarization characteristics that the electric field component reflects the polarization component (TE wave) parallel to the metal wire and transmits the polarization component (TM wave) perpendicular to the metal wire, and is often used as a beam splitter. Has been.

しかしながら、反射により偏光成分を分離するために、反射される偏光成分が好ましくない用途への適用が難しい問題があり、ワイヤグリッド偏光子を液晶表示装置のような表示装置に配設した場合に、特許文献1に開示されている構成では、金属ワイヤがバックライト側からの光だけでなく、外光側からの光も反射するので、十分な色再現性や黒表示を行なうことができないという問題があった。   However, since the polarization component is separated by reflection, there is a problem that it is difficult to apply the reflected polarization component to an unfavorable application. When the wire grid polarizer is disposed in a display device such as a liquid crystal display device, In the configuration disclosed in Patent Document 1, the metal wire reflects not only the light from the backlight side but also the light from the outside light side, so that sufficient color reproducibility and black display cannot be performed. was there.

ここで、黒表示時の光量は、外光量をIin、外光反射率をR、バックライト透過光量をIとすると、
(黒表示光量)=I+R・Iin
と与えられる。十分な黒表示を行うには黒表示光量が小さいほど良いので、バックライト透過光量Iを低下させるか、外光反射率Rを低下させることが必要となる。一般的に光量の値はIin>Iであるので、外光反射率Rを低下させることが最も効果的である。
Here, when the black light is displayed, the external light amount is I in , the external light reflectance is R, and the backlight transmitted light amount is I c .
(Black display light amount) = I c + R · I in
And given. To provide sufficient black display because the better the black display light quantity is small, decreases the backlight quantity of transmitted light I c, it is necessary to reduce the external light reflection factor R. In general, the value of the light amount is I in > I c , so it is most effective to reduce the external light reflectance R.

また、他の偏光子として、吸収型二色性偏光子が広く使用されている。吸収型二色性偏光子は、光の吸収異方性を有する化合物(ヨウ素、二色性色素)を塗布した高分子フィルムを延伸することで得られる。この吸収型の偏光子を表示装置に用いると、透過率は原理的に50%を超えないために、光の利用効率が低いという課題があった。さらに、高温高湿環境における耐久性に劣る問題もあった(非特許文献2)。   As other polarizers, absorptive dichroic polarizers are widely used. An absorptive dichroic polarizer can be obtained by stretching a polymer film coated with a compound having absorption anisotropy of light (iodine, dichroic dye). When this absorptive polarizer is used for a display device, the transmittance does not exceed 50% in principle, and there is a problem that the light use efficiency is low. Furthermore, there was also a problem inferior in durability in a high temperature and high humidity environment (Non-patent Document 2).

上記課題に対して、ワイヤグリッド材料にクロムを使用し非透過光の反射を軽減させたワイヤグリッド偏光子(特許文献2、特許文献3)や、光吸収性薄膜層を設けたワイヤグリッド偏光子(特許文献4)が提案され、さらには反射型ワイヤグリッド偏光子と光吸収性材料を組み合わせた偏光子(特許文献5、特許文献6)が提案されている。
日本女子大学紀要 理学部 第14号(2006) FPDの光学材料 月刊ディスプレイ10月号別冊(2007) テクノタイムズ社 特表2003−502708号公報 特開2004−309903号公報 再表2006−064693号公報 特開2006−330616号公報 特開2005−37900号公報 特開2008−46637号公報
In response to the above problems, wire grid polarizers (Patent Document 2 and Patent Document 3) using chromium as a wire grid material to reduce reflection of non-transmitted light, and wire grid polarizers provided with a light-absorbing thin film layer (Patent Document 4) is proposed, and further, a polarizer (Patent Document 5 and Patent Document 6) in which a reflective wire grid polarizer and a light-absorbing material are combined is proposed.
Bulletin of Japan Women's University Faculty of Science No. 14 (2006) Optical Materials for FPD Monthly Display October issue separate volume (2007) Techno Times Special table 2003-502708 gazette JP 2004-309903 A Table 2006-066493 JP 2006-330616 A JP-A-2005-37900 JP 2008-46637 A

しかしながら、特許文献2、3に記載の構成では、アルミニウムをワイヤグリッド材料に適用した場合に比べて反射率は低下するが、吸収型二色性偏光子と比較すると反射率は高く、非透過光の反射を抑制するという課題解決には至っていない。さらに特許文献2に記載の構成では、偏光度が低く、偏光子としては実用上使用できない。   However, in the configurations described in Patent Documents 2 and 3, the reflectivity is lower than when aluminum is applied to the wire grid material, but the reflectivity is higher than that of the absorptive dichroic polarizer. It has not yet been solved to suppress the reflection of light. Furthermore, the configuration described in Patent Document 2 has a low degree of polarization and cannot be used practically as a polarizer.

また、特許文献4に記載の構成においては、反射率は低下するが、同時に偏光度と透過率も低下し、偏光子としての実用性がない問題があった。さらに、特許文献2、4に記載の偏光子では、光利用効率が低下する問題もあった。   Further, in the configuration described in Patent Document 4, the reflectivity is lowered, but at the same time, the degree of polarization and the transmittance are also lowered, and there is a problem that there is no practicality as a polarizer. Furthermore, the polarizers described in Patent Documents 2 and 4 have a problem that the light utilization efficiency is lowered.

また、特許文献5、6に記載されているように反射型ワイヤグリッド偏光子のワイヤグリッドに光吸収性材料を積層する構成では、誘電体、低反射金属、酸化物などの多層膜を真空蒸着などにより成膜、さらに、該多層膜を数百nmのパターンでワイヤ形状に加工する必要があるため、多層膜の成膜および加工に時間がかかってしまうという問題点を有している。   Further, as described in Patent Documents 5 and 6, in the configuration in which a light absorbing material is laminated on the wire grid of the reflective wire grid polarizer, a multilayer film such as a dielectric, a low reflective metal, and an oxide is vacuum deposited. However, since it is necessary to process the multilayer film into a wire shape with a pattern of several hundreds of nanometers, there is a problem that it takes time to form and process the multilayer film.

さらに、多層膜を構成している金属、誘電体、酸化物のワイヤ状への微細加工におけるドライエッチングに最適なガスの種類が金属相と酸化物層、誘電体層とで互いに異なるため、エッチングが困難である問題があり、ウェットエッチングにおいても、同様に最適なエッチング液の選定が困難である問題がある。   In addition, since the types of gases that are optimal for dry etching in the microfabrication of metals, dielectrics, and oxides that make up multilayer films into wire shapes differ between the metal phase, oxide layer, and dielectric layer, etching is performed. In wet etching, there is a problem that it is difficult to select an optimal etching solution.

また、特許文献5に記載されているように、基材表裏に各々反射性材料、吸収性材料でストライプ状のグレーティング層を設ける構成においては、平板基板の表裏に光学的に平行な位置で設置されなければならないが、手順として、平板基板の片面にストライプ状のグレーティング層を設け、光学的な平行位置を保ちながら、もう片面の平面にストライプ状のグレーティング層を設ける、ことになり、光学的な平行を保ちながら基材両面にグレーティング層を設けることは、実際の製造においては困難という問題点がある。ここで、光学的な平行位置とは、偏光子を透過する偏光軸が互いに平行になる位置をいう。   In addition, as described in Patent Document 5, in a configuration in which a striped grating layer is formed on the front and back surfaces of the base material with a reflective material and an absorptive material, respectively, it is installed at optically parallel positions on the front and back surfaces of the flat substrate. However, as a procedure, a striped grating layer is provided on one side of the flat substrate, and a striped grating layer is provided on the other side plane while maintaining the optical parallel position. However, it is difficult to provide a grating layer on both surfaces of the base material while maintaining parallelism. Here, the optical parallel position means a position where the polarization axes transmitting through the polarizer are parallel to each other.

さらに本発明者の検討により、特許文献5に記載の構成では、吸収性材料側からの入射において、TE波の反射率を抑制できるが、TM波の反射率も高く、結果として観察される自然光としての反射率を完全に抑制できないこと、さらに、TM透過率の波長分散が大きく十分な色再現性ができないことがわかっている。   Further, by the inventors' investigation, the configuration described in Patent Document 5 can suppress the TE wave reflectivity at the incidence from the absorbent material side, but the TM wave reflectivity is also high, resulting in natural light being observed as a result. It is known that the reflectance cannot be completely suppressed, and that the wavelength dispersion of TM transmittance is large and sufficient color reproducibility cannot be achieved.

また吸収型偏光子の使用方法として、反射型偏光子と積層する方法が提案される。しかし、従来提案されている吸収型偏光子では、透過率が低く、反射型偏光子と積層して複合型偏光子とした場合に、透過率が低い偏光子になり実用上問題があった。また、透過率を上げると、積層した反射型偏光子の反射の影響が強くなり、外光側の入射光に対する反射抑制が不十分であるという問題があった。   In addition, as a method of using the absorbing polarizer, a method of stacking with a reflective polarizer is proposed. However, the conventionally proposed absorption polarizer has a low transmittance, and when it is laminated with a reflective polarizer to form a composite polarizer, there is a problem in practical use because the polarizer has a low transmittance. Further, when the transmittance is increased, the effect of reflection of the laminated reflective polarizer becomes stronger, and there is a problem that reflection suppression for incident light on the outside light side is insufficient.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、高透過率と低反射率の両性能を満たし、反射型ワイヤグリッド偏光子と積層した複合型偏光子において、バックライト側の光利用効率を高め、外光側の入射光に対する反射率を抑制し、十分な色再現性や黒表示を実現することができる吸収型ワイヤグリッド偏光子を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a point, and satisfies the performance of both high transmittance and low reflectance, and in a composite polarizer laminated with a reflective wire grid polarizer, the light utilization efficiency on the backlight side is improved. An object of the present invention is to provide an absorptive wire grid polarizer that can enhance and suppress the reflectance with respect to incident light on the outside light side and realize sufficient color reproducibility and black display.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子は、格子状に凸部を有する可視光に対して透明な基材と、前記基材の凸部上に形成され、それぞれ吸収型偏光成分で構成された少なくとも2層の積層体と、を具備することを特徴とする。   The absorptive wire grid polarizer of the present invention is a substrate transparent to visible light having convex portions in a lattice shape, and formed on the convex portions of the base material, each of which is composed of at least an absorptive polarizing component. And a two-layer laminate.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子においては、前記積層体は、横断面視において前記基材の格子状凸部の側面の一部を含む領域にわたって片寄った状態で、厚さ5nm以上250nm以下で形成されていることが好ましい。この場合において、前記積層体の厚さが5nm以上30nm以下であることが好ましい。   In the absorptive wire grid polarizer of the present invention, the laminate has a thickness of 5 nm or more and 250 nm or less in a state of being offset over a region including a part of the side surface of the lattice-like convex portion of the substrate in a cross-sectional view. Preferably it is formed. In this case, the thickness of the stacked body is preferably 5 nm or more and 30 nm or less.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子においては、前記吸収型偏光成分が、モリブデン、クロム、タングステン、ジルコニウム、タンタル、ニッケル、鉄、ニオブ、ハフニウム、コバルト及びこれらのうち少なくとも一つを主成分とする合金からなる群から選ばれた少なくとも一つの低反射材料であることが好ましい。   In the absorptive wire grid polarizer of the present invention, the absorptive polarization component contains molybdenum, chromium, tungsten, zirconium, tantalum, nickel, iron, niobium, hafnium, cobalt, and at least one of these as a main component. It is preferably at least one low reflection material selected from the group consisting of alloys.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子においては、前記吸収型偏光成分が、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を主成分とすることが好ましい。   In the absorptive wire grid polarizer of the present invention, it is preferable that the absorptive polarization component is mainly composed of at least one material selected from the group consisting of aluminum oxide, iron oxide, and nickel oxide.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子は、格子状に凸部を有する可視光に対して透明な基材と、前記基材の凸部上に形成され、それぞれ吸収型偏光成分で構成された少なくとも2層の積層体と、を具備するので、高透過率と低反射率の両性能を満たし、反射型ワイヤグリッド偏光子と積層した複合型偏光子において、バックライト側の光利用効率を高め、外光側の入射光に対する反射率を抑制し、LCDのような表示装置に配設した場合に十分な色再現性と黒表示を実現することができる。   The absorptive wire grid polarizer of the present invention is a substrate transparent to visible light having convex portions in a lattice shape, and formed on the convex portions of the base material, each of which is composed of at least an absorptive polarizing component. 2 layers of laminates, satisfying both high transmittance and low reflectance performance, in a composite polarizer laminated with a reflective wire grid polarizer, increasing the light utilization efficiency on the backlight side, The reflectance with respect to the incident light on the outside light side can be suppressed, and sufficient color reproducibility and black display can be realized when arranged in a display device such as an LCD.

光学定数を変化させるためには、材料の合金化、不純物混合、結晶構造変化などの手法がとられるが、本発明者らは、低反射材料を積層体で構成することにより、積層体の光学定数(n,k)が、光の入射面内において積層体を構成するそれぞれの材料の光学定数(n,k)のおよそ平均的な値を示すことを見出した。これは、積層体の部分が、局所的にあたかも個々の材料同士の合金化が生じたような光学定数になるためであると考えられる。すなわち、本発明者らは、材料の合金化、不純物混合、結晶構造変化などの従来の手法を用いることなしに、それぞれ吸収型偏光成分で構成された少なくとも2層の積層体を用いることで、光学定数を変化させることを見出した。これは、任意に低反射材料ワイヤ部の光学定数(n,k)を設計することができるので、ワイヤグリッド偏光子の光学設計上好ましい。   In order to change the optical constant, methods such as alloying of materials, mixing of impurities, and change of crystal structure are taken. It has been found that the constant (n, k) indicates an approximately average value of the optical constant (n, k) of each material constituting the laminate in the light incident surface. This is presumably because the layered portion has an optical constant as if the individual materials were locally alloyed. That is, the present inventors use a laminate of at least two layers each composed of an absorbing polarization component without using conventional techniques such as material alloying, impurity mixing, and crystal structure change. It has been found that the optical constant is changed. This is preferable in terms of optical design of the wire grid polarizer because the optical constant (n, k) of the low reflection material wire portion can be arbitrarily designed.

さらに、本発明者らは、基材の格子状凸部がなく、平坦な基材上に積層体を設けても、低反射材料ワイヤの形状、膜厚によらず、i)高透過率と低反射率は相反する特性を示し、ii)反射率の波長分散性が大きくなることを確認し、上記の現象が、格子状凸部を有する基材の格子状凸部に積層体を設けることにより初めて生じることを見出した。本発明者らは、このような知見に基づいて本発明を完成させた。   Furthermore, the present inventors have no lattice-like convex portions of the base material, and even if a laminated body is provided on a flat base material, regardless of the shape and film thickness of the low reflective material wire, i) high transmittance and Low reflectivity shows contradictory characteristics, and ii) confirms that the wavelength dispersion of the reflectivity is increased, and the above phenomenon is that a laminate is provided on the grid-like convex part of the substrate having the grid-like convex part. Was found for the first time. The present inventors have completed the present invention based on such findings.

以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る吸収型ワイヤグリッド偏光子の一例を示す概略断面斜視図であり、図2は、図1の吸収型ワイヤグリッド偏光子1を拡大図示した概略断面斜視図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional perspective view showing an example of an absorptive wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional perspective view showing the absorptive wire grid polarizer 1 of FIG. FIG.

図2に示す吸収型ワイヤグリッド型偏光子は、表面に格子状凸部1aを有する基材1bと、格子状凸部1aの横断視における側部の一部を覆った少なくとも2層の積層体である反射材料ワイヤ1c,1dとから主に構成されている。ここでは、説明の簡略化のために、格子状凸部1a側から1層目を低反射材料ワイヤ1cとし、2層目を低反射材料ワイヤ1dとした2層積層体について説明するが、本発明はこれに限定されず積層体が3層以上で構成されていても良い。   The absorption wire grid polarizer shown in FIG. 2 is a laminate of at least two layers covering a base 1b having a lattice-like convex portion 1a on the surface and a part of a side portion in a cross-sectional view of the lattice-like convex portion 1a. The reflective material wires 1c and 1d are mainly composed. Here, for simplification of description, a two-layer laminate in which the first layer from the lattice-shaped convex portion 1a side is the low reflection material wire 1c and the second layer is the low reflection material wire 1d will be described. The invention is not limited to this, and the laminate may be composed of three or more layers.

図2に示すように、積層体(反射材料ワイヤ1c,1d)は、横断面視において基材1bの格子状凸部1aの側面の一部を含む領域にわたって片寄った状態で形成されている。ここで、片寄った状態とは、格子状凸部1aの頂部を通る仮想垂線(横断面視において基材1bの表面に対して略直交する垂線)Xと、積層体の頂部を通る仮想垂線とが揃わない状態をいう。図2においては、格子状凸部1aの頂部を通る仮想垂線Xと、反射材料ワイヤ1c,1dのそれぞれの頂部を通るそれぞれの仮想垂線X,Xとが揃わない状態で反射材料ワイヤ1c,1dが格子状凸部1a上に形成されている。本発明においては、このような状態を、格子状凸部1aの側面の一部を含む領域にわたって片寄った状態で形成されている、という。 As shown in FIG. 2, the laminated body (reflective material wires 1c and 1d) is formed in a state of being offset over a region including a part of the side surface of the grid-like convex portion 1a of the base material 1b in a cross-sectional view. Here, the offset state, and X 1 (perpendicular substantially perpendicular to the surface of the substrate 1b in cross-section view) virtual vertical line passing through the top of the grid-shaped convex portions 1a, a virtual perpendicular line passing through the top of the stack It means a state that does not match. In FIG. 2, the reflecting material wire in a state where the virtual perpendicular X 1 passing through the top of the lattice-shaped convex portion 1 a and the virtual perpendiculars X 2 and X 3 passing through the top of the reflecting material wires 1 c and 1 d are not aligned. 1c and 1d are formed on the grid-like convex portion 1a. In the present invention, it is said that such a state is formed in a state of being offset over a region including a part of the side surface of the grid-like convex portion 1a.

このように、低反射材料ワイヤ1c,1dは、格子状凸部1aの横断面視において少なくとも一部を覆うことが好ましい。特に、格子状凸部1aの横断面視における側面(斜面部)のみを覆うように低反射材料ワイヤ1c,1dを形成すると、所定の光学性能を得ることができるので好ましい。図2に示すように、横断面視における一方の斜面部のみを覆うように低反射材料ワイヤ1c,1dを形成すると、高透過率、低反射率で透過率、反射率の波長分散を抑制できるのでさらに好ましい。   Thus, it is preferable that the low reflection material wires 1c and 1d cover at least a part of the lattice-shaped convex portion 1a in a cross-sectional view. In particular, it is preferable to form the low-reflective material wires 1c and 1d so as to cover only the side surfaces (slope portions) in the cross-sectional view of the grid-like convex portion 1a because predetermined optical performance can be obtained. As shown in FIG. 2, when the low-reflection material wires 1c and 1d are formed so as to cover only one slope portion in a cross-sectional view, it is possible to suppress wavelength dispersion of transmittance and reflectance with high transmittance and low reflectance. Therefore, it is more preferable.

なお、凸部の横断面視における格子状凸部1aの側面の一部を含む領域にわたって片寄った状態で形成されていると、高透過率で光学特性の波長分散を抑制することができる理由は不明であるが、有効媒質理論より、光の入射方向に対する低反射材料ワイヤ1c,1dと格子状凸部1aとの間の断面変化により、光の入射方向に対して光学特性の急激な変化が抑制されるためであると推定される。   In addition, the reason why the wavelength dispersion of the optical characteristics can be suppressed with a high transmittance when formed in a state of being offset over a region including a part of the side surface of the grid-like convex portion 1a in the cross sectional view of the convex portion. Although it is unclear, due to the effective medium theory, due to the cross-sectional change between the low reflection material wires 1c and 1d and the lattice-shaped convex portion 1a with respect to the light incident direction, a sharp change in optical characteristics with respect to the light incident direction occurs. This is presumed to be suppressed.

つまり、図2において、光の入射方向を仮想垂線X及びX,Xと平行な方向とすると、低反射合金材料ワイヤ1c,1dと格子状凸部1aの凸形状の頂点から根元にかけて、周囲の媒質(格子状凸部の間を含む媒質、例えば空気)と低反射合金材料ワイヤ1c,1dと格子状凸部1aを成す樹脂の体積占有率が徐々に変化するため、光学定数分布の変化量は光の入射方向に対してなだらかとなる。光の反射は主に光学定数の急激な変化により生じるので、連続的な光学定数の変化に対しては光の反射は抑制されると推定される。 That is, in FIG. 2, when the incident direction of light and the virtual perpendicular line X 1 and X 2, X 3 and parallel to the direction, toward the base from the apex of the convex shape of the low reflective alloy wire 1c, 1d and grid-shaped convex portions 1a Since the volume occupancy of the surrounding medium (medium including the space between the lattice-shaped convex portions, for example, air), the low-reflective alloy material wires 1c and 1d and the resin forming the lattice-shaped convex portions 1a gradually changes, the optical constant distribution The amount of change is gentle with respect to the incident direction of light. Since the reflection of light mainly occurs due to a rapid change in the optical constant, it is presumed that the reflection of light is suppressed for a continuous change in the optical constant.

また、低反射材料ワイヤ1c,1dは、格子状凸部1aの横断面視における片側の斜面部に5nm以上250nm以下の厚さの薄膜で形成されることが好ましい。膜厚が前記範囲であると、吸収型偏光子として最適なTE波、TM波の透過率を得られるので好ましい。より好ましくは低反射材料ワイヤ1c,1dの厚さが5nm以上30nm以下である。   In addition, the low reflection material wires 1c and 1d are preferably formed of a thin film having a thickness of 5 nm or more and 250 nm or less on one inclined surface in a cross-sectional view of the lattice-like convex portion 1a. It is preferable that the film thickness is in the above-mentioned range since the optimum TE wave and TM wave transmittance can be obtained as an absorption polarizer. More preferably, the thickness of the low reflection material wires 1c and 1d is 5 nm or more and 30 nm or less.

なお、低反射材料ワイヤ1c,1dの各層の厚さは、所望とする光学特性に応じて適宜設定することが可能である。各層の厚さを決定する詳細は不明であるが、有効媒質理論により下記の様に推測される。   The thickness of each layer of the low reflection material wires 1c and 1d can be appropriately set according to the desired optical characteristics. The details for determining the thickness of each layer are unknown, but are estimated as follows by the effective medium theory.

光の入射方向を仮想垂線X及びX,Xと平行な方向とすると、入射した光は、光学定数分布が光の入射方向に対してなだらかとなった領域を進む為、反射が抑制されるが、さらに効果的に反射を抑制する為には、光の入射界面において光学定数の変化量をよりなだらかにすれば良い。つまり、低反射合金材料ワイヤ1dを相対的に低反射な材料とし、また、低反射合金材料ワイヤ1cの頂点より上部の部分の厚さを厚くすればさらに反射を抑制することができると推測される。また、TE波の吸収率を高くするため、低反射合金材料ワイヤ1cには光学定数の大きい材料を用いると良く、厚さは厚い方が良いが、実際には光学定数及び膜厚と反射率はトレードオフの関係にある。さらに、低反射合金材料ワイヤ1c,1dと格子状凸部1aが重なり合う部分は、それぞれの材料の光学定数が有効媒質理論による近似におよそ近い値になることが分かっている。このように、個々の低反射材料ワイヤ1c,1dの各層の材料及び厚さで有効媒質理論に従って光学特性を調整することができるので、ワイヤグリッド偏光子の光学設計が容易となる。 If the light incident direction is parallel to the virtual perpendicular lines X 1, X 2 , and X 3 , the incident light travels through a region where the optical constant distribution is gentle with respect to the light incident direction, so that reflection is suppressed. However, in order to suppress reflection more effectively, the amount of change in the optical constant at the light incident interface may be made gentler. That is, it is presumed that the reflection can be further suppressed if the low-reflective alloy material wire 1d is made of a relatively low-reflective material and the thickness of the portion above the apex of the low-reflective alloy material wire 1c is increased. The Further, in order to increase the TE wave absorption rate, it is preferable to use a material having a large optical constant for the low-reflective alloy material wire 1c, and it is better that the thickness is thicker. Are in a trade-off relationship. Furthermore, it has been found that the portions where the low-reflective alloy material wires 1c and 1d and the lattice-shaped convex portions 1a overlap each other have an optical constant approximately equal to an approximation based on the effective medium theory. As described above, the optical characteristics can be adjusted in accordance with the effective medium theory by the material and thickness of each layer of the individual low reflection material wires 1c and 1d, so that the optical design of the wire grid polarizer is facilitated.

図2における低反射材料ワイヤ1c,1dを構成する材料としては、モリブデン、クロム、タングステン、ジルコニウム、タンタル、ニッケル、鉄、ニオブ、ハフニウム、コバルトからなる群から選ばれた少なくとも一つの低反射材料、あるいはこの群から選ばれた少なくとも一つの材料を主成分とする合金などの低反射材料が挙げられる。   As the material constituting the low reflection material wires 1c and 1d in FIG. 2, at least one low reflection material selected from the group consisting of molybdenum, chromium, tungsten, zirconium, tantalum, nickel, iron, niobium, hafnium, cobalt, Alternatively, a low reflection material such as an alloy mainly composed of at least one material selected from this group can be used.

また、低反射材料ワイヤ1c,1dを構成する材料としては、バナジウム、ゲルマニウム、イリジウム、オスミウム、チタン、マンガンからなる群から選ばれた少なくとも一つの低反射材料、あるいはこの群から選ばれた少なくとも一つの材料を主成分とする合金などの低反射材料を用いても良い。   Further, the material constituting the low reflection material wires 1c and 1d is at least one low reflection material selected from the group consisting of vanadium, germanium, iridium, osmium, titanium and manganese, or at least one selected from this group. A low reflection material such as an alloy containing one material as a main component may be used.

また、低反射材料ワイヤ1c,1dを構成する材料としては、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を主成分とすることが好ましく、また、マグネシウム、シリコン、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、インジウム、錫、アンチモン、テルル、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、タリウム、ビスマスからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とする材料を用いても良い。化学量論的組成で透明性を示す酸化物は、非化学量論的組成、つまり非完全酸化状態にすることで吸収効率が高くなるので好ましい。これらの酸化物は単体でも良く、混合物でもよい。   The material constituting the low-reflection material wires 1c and 1d is preferably mainly composed of at least one material selected from the group consisting of aluminum oxide, iron oxide, and nickel oxide, and magnesium, silicon, Titanium, vanadium, chromium, manganese, cobalt, copper, zinc, gallium, yttrium, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, indium, tin, antimony, tellurium, hafnium, tantalum, tungsten, iridium, thallium, bismuth A material mainly composed of an oxide of at least one element selected from the above may be used. An oxide exhibiting transparency with a stoichiometric composition is preferable because absorption efficiency is increased by making it non-stoichiometric, that is, a non-completely oxidized state. These oxides may be used alone or as a mixture.

低反射材料ワイヤ1c,1dは薄膜であるために、ワイヤグリッド偏光子であるにもかかわらずTE波の反射率と透過率を低く抑え、吸収率を高めることができる。薄膜の低反射材料ワイヤでTE波の吸収率が高くなる詳細は明確ではないが、低反射材料の侵入長と同程度であるために低反射材料内部での吸収が高まるためと推定される。   Since the low reflection material wires 1c and 1d are thin films, the reflectance and transmittance of the TE wave can be suppressed low and the absorption rate can be increased even though they are wire grid polarizers. The details that the TE wave absorption rate becomes high with a thin low-reflection material wire are not clear, but it is presumed that the absorption inside the low-reflection material increases because it is the same as the penetration length of the low-reflection material.

また、低反射材料ワイヤ1cの保護の観点から、図示しない透明誘電体層の薄膜を低反射材料ワイヤ1c上に積層して設けても良い。誘電体層を低反射材料ワイヤ1c上に形成する方法としては、誘電体層を構成する材料により適宜選択する。例えば、スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法を好適に用いることができる。   Further, from the viewpoint of protecting the low reflection material wire 1c, a thin film of a transparent dielectric layer (not shown) may be provided on the low reflection material wire 1c. The method for forming the dielectric layer on the low reflection material wire 1c is appropriately selected depending on the material constituting the dielectric layer. For example, a physical vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum vapor deposition method can be suitably used.

基材1bに用いる素材は、可視光領域で実質的に透明な素材であれば良いが、加工性に優れた樹脂であることが好ましい。例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィン樹脂(COP)、架橋ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などの非晶性熱可塑性樹脂や、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂などの結晶性熱可塑性樹脂や、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系などの紫外線(UV)硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。また、基材1bとして、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂と、ガラスなどの無機基板、上記熱可塑性樹脂、トリアセテート樹脂とを組み合わせた複合基材を用いても良い。   The material used for the substrate 1b may be a material that is substantially transparent in the visible light region, but is preferably a resin excellent in workability. For example, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, cycloolefin resin (COP), cross-linked polyethylene resin, polyvinyl chloride resin, polyarylate resin, polyphenylene ether resin, modified polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, polyether Amorphous thermoplastic resins such as sulfone resin, polysulfone resin, polyether ketone resin, polyethylene terephthalate (PET) resin, polyethylene naphthalate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polybutylene terephthalate resin, aromatic polyester resin, polyacetal Examples include crystalline thermoplastic resins such as resins and polyamide resins, and ultraviolet (UV) curable resins and thermosetting resins such as acrylic, epoxy, and urethane types. That. Moreover, you may use the composite base material which combined the ultraviolet curable resin and the thermosetting resin, inorganic substrates, such as glass, the said thermoplastic resin, and a triacetate resin as the base material 1b.

基材1b上の格子状凸部1aのピッチは、可視光領域の広帯域にわたる偏光特性を考慮すると、150nm以下であり、好ましくは80nmから120nmである。ピッチが小さくなるほど偏光特性が良くなるが、可視光に対しては、80nmから120nmのピッチで十分な偏光特性が得られる。400nm近傍の短波長光の偏光特性を重視しない場合は、ピッチを150nm程度まで大きくしてもよい。   The pitch of the grid-shaped convex portions 1a on the substrate 1b is 150 nm or less, preferably 80 nm to 120 nm in consideration of polarization characteristics over a wide band in the visible light region. The smaller the pitch, the better the polarization characteristics. However, for visible light, sufficient polarization characteristics can be obtained at a pitch of 80 nm to 120 nm. When the polarization characteristics of short wavelength light in the vicinity of 400 nm are not important, the pitch may be increased to about 150 nm.

本発明において、基材1b上の格子状凸部1aのピッチと低反射材料ワイヤ1c,1dのピッチとは、ほぼ等しく、同じピッチをとることができる。   In the present invention, the pitch of the grid-like convex portions 1a on the substrate 1b and the pitch of the low reflection material wires 1c and 1d are substantially equal and can be the same pitch.

基材1b上の格子状凸部1aの断面形状に制限はない。これらの断面形状は、例えば、台形、矩形、方形、プリズム状や、半円状などの正弦波状を挙げることができる。ここで、正弦波状とは、凹部と凸部の繰り返しからなる曲線部をもつことを意味する。なお、曲線部は湾曲した曲線であれば、よく、例えば凸部にくびれがある形状も正弦波状に含める。また、基材1b上の格子状凸部1a及びその側面の少なくとも一部を低反射材料が覆いやすくする観点から、前記形状の端部または頂部、谷部は穏やかな曲率をもって湾曲していることが好ましい。また、基材1b、格子状凸部1aと低反射材料ワイヤ1c及び1dとの密着強度を高くする観点から、これらの断面形状は正弦波状であることがより好ましい。さらに、同様に基材1b、格子状凸部1aと低反射材料ワイヤ1c及び1dとの密着強度を高くする観点から、図示しない透明誘電体層の薄膜を設けても良い。   There is no restriction | limiting in the cross-sectional shape of the grid-like convex part 1a on the base material 1b. Examples of the cross-sectional shape include a trapezoidal shape, a rectangular shape, a square shape, a prism shape, and a sine wave shape such as a semicircular shape. Here, the sinusoidal shape means having a curved portion formed by repetition of a concave portion and a convex portion. In addition, the curved part should just be a curved curve, for example, the shape which has a constriction in a convex part is also included in a sine wave form. In addition, from the viewpoint of easily covering the lattice-shaped convex portion 1a on the substrate 1b and at least a part of its side surface with the low-reflective material, the end portion, the top portion, or the valley portion of the shape is curved with a gentle curvature. Is preferred. Further, from the viewpoint of increasing the adhesion strength between the base material 1b, the lattice-like convex portion 1a, and the low reflection material wires 1c and 1d, it is more preferable that these cross-sectional shapes are sinusoidal. Furthermore, a thin film of a transparent dielectric layer (not shown) may be provided in the same manner from the viewpoint of increasing the adhesion strength between the base material 1b, the lattice-like convex portion 1a, and the low reflection material wires 1c and 1d.

基材1bに格子状凸部1aを設ける方法としては、表面にピッチが150nm以下の格子状凸部を有する型を用いて、機材の表面に格子状凸部を転写して成型する方法が挙げられる。ここで、表面にピッチが150nm以下の格子状凸部を有する型は、電子線ビーム描画法や干渉露光法により得た、ピッチが150nm以下の格子状凸部を有するレジストパターンを、順に導電化処理、メッキ処理、基材の除去処理を施すことで作製できる。   As a method of providing the grid-like convex portions 1a on the substrate 1b, a method of using a mold having a grid-like convex portion having a pitch of 150 nm or less on the surface and transferring and molding the grid-like convex portions on the surface of the equipment. It is done. Here, the mold having a grid-like convex part with a pitch of 150 nm or less on the surface is made conductive in order by applying a resist pattern having a grid-like convex part with a pitch of 150 nm or less, obtained by electron beam lithography or interference exposure. It can be produced by performing a treatment, a plating treatment, and a substrate removal treatment.

低反射材料ワイヤ1c,1dを形成するために低反射材料を基材1b及び格子状凸部1a上に形成する方法としては、低反射材料と基材との間で十分な密着性が得られる方法であれば特に限定されない。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理的蒸着方法を好適に用いることができる。格子状凸部の一方の斜面部に偏って選択積層できる方法が好ましく、斜め蒸着法などを挙げることができる。また、酸化物材料を低反射材料ワイヤ1cとする場合は、反応性スパッタリング法によって任意に光学定数(n,k)を変化させることができるので、本発明における吸収型ワイヤグリッド偏光子の光学設計上、スパッタリング法が好ましい。   As a method of forming the low reflection material on the base material 1b and the lattice-like convex portion 1a in order to form the low reflection material wires 1c and 1d, sufficient adhesion can be obtained between the low reflection material and the base material. If it is a method, it will not specifically limit. For example, a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating method can be suitably used. A method in which selective lamination can be performed while being biased toward one slope portion of the grid-like convex portion is preferable, and an oblique deposition method or the like can be given. Further, when the oxide material is the low-reflection material wire 1c, the optical constant (n, k) can be arbitrarily changed by the reactive sputtering method, so that the optical design of the absorption wire grid polarizer in the present invention is achieved. In addition, the sputtering method is preferable.

本発明における吸収型ワイヤグリッド偏光子1において、TE波においては、透過率が50%以下で、かつ、反射率が40%以下であると好ましく、透過率が40%以下で、かつ、反射率が20%以下であるとより好ましい。TM波においては、透過率が80%以上で、かつ、反射率が10%以下であると好ましく、透過率が85%以上で、かつ、反射率が8%以下であるとより好ましい。TE波、TM波の透過率、反射率は、分光光度計を用いて測定される。   In the absorptive wire grid polarizer 1 according to the present invention, in TE waves, the transmittance is preferably 50% or less and the reflectance is 40% or less, the transmittance is 40% or less, and the reflectance. Is more preferably 20% or less. In the TM wave, the transmittance is preferably 80% or more and the reflectance is 10% or less, more preferably the transmittance is 85% or more and the reflectance is 8% or less. The transmittance and reflectance of TE waves and TM waves are measured using a spectrophotometer.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子は、高透過率と低反射率の両性能を満たし、高い偏光度を有しているので、それのみで偏光子として機能するが、反射型ワイヤグリッド偏光子と積層一体化すると、液晶表示装置のような表示装置に配設した場合に、反射型ワイヤグリッド偏光子の特性である、バックライトの光利用効率を高くした状態で、外光側の反射を抑制でき好ましい。   The absorptive wire grid polarizer of the present invention satisfies both high transmittance and low reflectivity, and has a high degree of polarization. Therefore, the absorptive wire grid polarizer functions as a polarizer by itself. When integrated in a display device such as a liquid crystal display device, the reflection of the external light side is improved in the state where the light use efficiency of the backlight, which is a characteristic of the reflective wire grid polarizer, is increased. It can be suppressed and is preferable.

図3は、本発明の実施の形態に係る吸収型ワイヤグリッド偏光子の応用の一例を示す概略断面斜視図である。吸収型ワイヤグリッド偏光子1は、反射型ワイヤグリッド偏光子2と積層し一体化し複合型ワイヤグリッド偏光子3を構成している。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional perspective view showing an example of application of the absorption type wire grid polarizer according to the embodiment of the present invention. The absorptive wire grid polarizer 1 is laminated and integrated with a reflective wire grid polarizer 2 to form a composite wire grid polarizer 3.

TM透過率が高いために、反射型ワイヤグリッド2に積層して一体化した複合型ワイヤグリッド偏光子3の透過率が低くならない。さらに、外光4の反射光について図4で詳細に述べる。   Since the TM transmittance is high, the transmittance of the composite wire grid polarizer 3 laminated and integrated on the reflective wire grid 2 does not decrease. Further, the reflected light of the external light 4 will be described in detail with reference to FIG.

図4は吸収型ワイヤグリッド偏光子と反射型ワイヤグリッド偏光子を積層一体化した複合型ワイヤグリッド偏光子の断面概略図であり、吸収型ワイヤグリッド偏光子の低反射材料ワイヤ1c,1dと反射型ワイヤグリッド偏光子の反射型金属ワイヤ2aと両ワイヤの透明基板、接着層を概略して透明基板層6で示している。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a composite wire grid polarizer in which an absorption wire grid polarizer and a reflection wire grid polarizer are laminated and integrated, and the low reflection material wires 1c and 1d of the absorption wire grid polarizer and reflection. The reflective metal wire 2a of the type wire grid polarizer, the transparent substrate of both wires, and the adhesive layer are schematically shown as a transparent substrate layer 6.

外光4のTE波は、低反射材料ワイヤ1c,1dで一部反射され、一部は透過する。透過した光は、反射型金属ワイヤ2aにより一部反射され、再び低反射材料ワイヤ1c,1dに戻り、反射光と透過光が分離する。この多重反射の和が反射光4Rとして認識され、次式で概算される。
4R=R1c+(T1c)・R2a/(1−R1c・R2a) 1)
ここで、
R1c:低反射材料ワイヤ1c,1dの反射率
T1c:低反射材料ワイヤ1c,1dの透過率
R2a:反射型金属ワイヤ2aの反射率
The TE wave of the external light 4 is partially reflected by the low reflection material wires 1c and 1d and partially transmitted. The transmitted light is partially reflected by the reflective metal wire 2a and returns to the low reflection material wires 1c and 1d again, so that the reflected light and the transmitted light are separated. The sum of the multiple reflections is recognized as reflected light 4R and is approximated by the following equation.
4R = R1c + (T1c) 2 * R2a / (1-R1c * R2a) 1)
here,
R1c: reflectance of the low reflection material wires 1c, 1d T1c: transmittance of the low reflection material wires 1c, 1d R2a: reflectance of the reflective metal wire 2a

反射型ワイヤ金属2aの反射率は高いので、上記式1)より外光4のTE波の反射率は、低反射材料ワイヤ1c,1dの反射率R1cと透過率Taの二乗に大きく影響されることがわかり、透過率T1cは反射率R1cほど低い必要はないことがわかる。   Since the reflectivity of the reflective wire metal 2a is high, the reflectivity of the TE wave of the external light 4 is greatly affected by the square of the reflectivity R1c and the transmissivity Ta of the low reflection material wires 1c and 1d based on the above formula 1). It can be seen that the transmittance T1c need not be as low as the reflectance R1c.

上記はTE波の反射についてであるが、TM波についても同様の式となるが、R2aが小さいので、透過率T1cはTE波ほど抑制される必要はない。   The above is about the reflection of the TE wave, but the same formula is applied to the TM wave, but since R2a is small, the transmittance T1c does not need to be suppressed as much as the TE wave.

上記吸収型ワイヤグリッド偏光子と反射型ワイヤグリッド偏光子を、光学的な平行位置で接着して図3に示す偏光子3を得る。接着する反射型ワイヤグリッド偏光子としては、少なくとも基材と基材上に配設されている金属ワイヤグリッドとで構成されている反射型ワイヤグリッド偏光子が挙げられる。反射型ワイヤグリッドを構成する基材とは、可視光領域で実質的に透明な素材であれば特に限定されるものではなく、ガラスや透明な無機物結晶、透明プラスチックが挙げられる。ガラスとしては、石英ガラスや、BK(硼珪クラウン)、BaK(バリウムクラウン)、LF(軽フリント)、SF(重フリント)などの既存の光学ガラスを挙げることができる。なかでも石英ガラスは、表面微細加工に適しているので好ましい。透明無機物結晶としては、サファイヤ、水晶、方解石、アルカリハライドなどが挙げられる。透明プラスチックとしては、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィン樹脂(COP)、架橋ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などの非晶性熱可塑性樹脂や、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂などの結晶性熱可塑性樹脂や、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系などの紫外線(UV)硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。   The absorptive wire grid polarizer and the reflective wire grid polarizer are bonded at an optically parallel position to obtain a polarizer 3 shown in FIG. Examples of the reflective wire grid polarizer to be bonded include a reflective wire grid polarizer composed of at least a base material and a metal wire grid disposed on the base material. The base material constituting the reflective wire grid is not particularly limited as long as it is a material that is substantially transparent in the visible light region, and examples thereof include glass, transparent inorganic crystals, and transparent plastic. Examples of the glass include quartz glass and existing optical glasses such as BK (borosilicate crown), BaK (barium crown), LF (light flint), and SF (heavy flint). Of these, quartz glass is preferable because it is suitable for surface fine processing. Examples of the transparent inorganic crystal include sapphire, crystal, calcite, and alkali halide. Examples of the transparent plastic include polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, cycloolefin resin (COP), cross-linked polyethylene resin, polyvinyl chloride resin, polyarylate resin, polyphenylene ether resin, modified polyphenylene ether resin, polyether. Amorphous thermoplastic resins such as imide resin, polyether sulfone resin, polysulfone resin, polyether ketone resin, polyethylene terephthalate (PET) resin, polyethylene naphthalate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polybutylene terephthalate resin, aromatic Crystalline thermoplastic resins such as aromatic polyester resins, polyacetal resins, and polyamide resins, and ultraviolet (UV) curing such as acrylic, epoxy, and urethane types It includes fat or thermosetting resin.

基板表面は平面である必要はなく、100nm程度の凹凸が賦形されていても良い。   The substrate surface does not have to be flat, and irregularities of about 100 nm may be formed.

金属ワイヤグリッドに使用される材料としては、可視光領域で光の反射率が高く、基材との密着性がよいものであることが好ましい。例えば、アルミニウムや銀、錫、又はその合金で構成されていることが好ましい。コストの観点から、Al又はAl合金で構成されているとさらに好ましい。   The material used for the metal wire grid is preferably a material having high light reflectance in the visible light region and good adhesion to the substrate. For example, it is preferably made of aluminum, silver, tin, or an alloy thereof. From the viewpoint of cost, it is more preferable that it is made of Al or an Al alloy.

金属ワイヤグリッドの形状、金属ワイヤグリッドの断面形状は可視光領域で十分な偏光特性を維持できれば、特に限定されるものではなく、矩形、台形、方形、プリズム状や、半円状などの正弦波状、更にはこれらを組み合わせた形状などが挙げられる。ピッチは、可視光領域の広帯域における偏光特性を考慮すると150nm以下であり、好ましくは80nmから120nmである。   The shape of the metal wire grid and the cross-sectional shape of the metal wire grid are not particularly limited as long as sufficient polarization characteristics can be maintained in the visible light region, and are sinusoidal such as rectangular, trapezoidal, rectangular, prismatic, and semicircular. Furthermore, the shape etc. which combined these are mentioned. The pitch is 150 nm or less, preferably 80 nm to 120 nm in consideration of polarization characteristics in a wide band in the visible light region.

基板表面に金属ワイヤグリッドを形成する方法としては、公知である種々の方法が挙げられ、例えば、極紫外レーザーを用いた干渉露光法、電子線リソグラフィを用いた方法、あるいはあらかじめ所望のピッチで凸状格子を設けた基板に金属ワイヤを形成する方法などが挙げられる。   As a method of forming a metal wire grid on the substrate surface, various known methods can be mentioned. For example, an interference exposure method using an extreme ultraviolet laser, a method using electron beam lithography, or a method of projecting at a desired pitch in advance. And a method of forming a metal wire on a substrate provided with a lattice.

吸収型ワイヤグリッド偏光子と反射型ワイヤグリッド偏光子をと光学的な平行位置で積層する方法としては、以下の方法が挙げられる。   Examples of a method of laminating the absorption type wire grid polarizer and the reflection type wire grid polarizer at an optically parallel position include the following methods.

図5において、既存の偏光子12を透過した直線偏光を吸収型ワイヤグリッド偏光子11に透過させる。透過光10の光量が最小になるように吸収型ワイヤグリッド偏光子11を、透過光10の光軸を中心にして回転させる。図示しない偏光子12を固定しているベースにあわせて、吸収型ワイヤグリッド偏光子11の辺11aを切断する。このような操作により辺11aは偏光子12の偏光軸と平行となる。同様にして反射型偏光子についても、偏光子12の偏光軸と平行な辺を得る。次に、この辺を機械的に合わせながら積層することで、光学的な平行位置で吸収型偏光子と反射型偏光子が一体化した偏光子を得る。   In FIG. 5, the linearly polarized light that has been transmitted through the existing polarizer 12 is transmitted through the absorptive wire grid polarizer 11. The absorptive wire grid polarizer 11 is rotated around the optical axis of the transmitted light 10 so that the amount of transmitted light 10 is minimized. The side 11a of the absorptive wire grid polarizer 11 is cut in accordance with a base to which a polarizer 12 (not shown) is fixed. By such an operation, the side 11 a becomes parallel to the polarization axis of the polarizer 12. Similarly, for the reflective polarizer, a side parallel to the polarization axis of the polarizer 12 is obtained. Next, by laminating these sides mechanically, a polarizer in which an absorption polarizer and a reflection polarizer are integrated at an optical parallel position is obtained.

積層する方向は、反射型、吸収型各々のワイヤグリッドが入射光と180度相対した向きであってもよく、図6に示すように、吸収型ワイヤグリッド偏光子1の低反射材料ワイヤ1c,1dが反射型ワイヤグリッド偏光子2の背面に接着層7を介して積層されてもよく、図示しない吸収型と反射型のワイヤグリッドが相対する位置で積層されても良い。ワイヤグリッドを積層面とする場合、接着層がワイヤグリッドのワイヤ間に充填されると光学特性が変わるので、接着層がワイヤ頂部のみに接している状態が好ましい。   The direction of lamination may be such that each of the reflection type and absorption type wire grids is 180 degrees opposite to the incident light. As shown in FIG. 6, the low reflection material wires 1c of the absorption type wire grid polarizer 1 are arranged. 1d may be laminated on the back surface of the reflective wire grid polarizer 2 with an adhesive layer 7 interposed therebetween, or an absorption type and a reflective type wire grid (not shown) may be laminated at opposite positions. When the wire grid is a laminated surface, the optical characteristics change when the adhesive layer is filled between the wires of the wire grid, and therefore, it is preferable that the adhesive layer is in contact with only the top of the wire.

以上のように簡便に光学的な平行位置でワイヤグリッド偏光子が揃ったワイヤグリッド偏光子を得るために、簡便な装置で安価に製造することが可能である。さらに、各々の偏光子は接着するまで独立であるので、それぞれに最適で容易な製造方法を選択でき、生産効率、コストの点から鑑みて実際の工業生産において大きな利点を有する。   As described above, in order to obtain a wire grid polarizer in which the wire grid polarizers are arranged in a simple optical parallel position, it can be manufactured at low cost with a simple apparatus. Further, since each polarizer is independent until it is bonded, an optimum and easy manufacturing method can be selected for each polarizer, and there is a great advantage in actual industrial production in view of production efficiency and cost.

本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子においては、偏光機能を有しているのは、無機物であるので、熱や光に対する耐久性に優れている。   In the absorption type wire grid polarizer of the present invention, since it is an inorganic substance that has a polarization function, it has excellent durability against heat and light.

次に、本発明に係る吸収型ワイヤグリッド偏光子を液晶表示装置に用いた場合について説明する。   Next, the case where the absorption type wire grid polarizer according to the present invention is used in a liquid crystal display device will be described.

図7は、本発明の実施の形態にかかる吸収型ワイヤグリッド偏光子と反射型ワイヤグリッド偏光子から構成される複合型ワイヤグリッド偏光子を用いた液晶表示装置を示す断面外略図である。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a liquid crystal display device using a composite wire grid polarizer composed of an absorption wire grid polarizer and a reflective wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention.

図7に示す液晶表示装置は、発光するバックライトのような照明装置20とこの照明装置上に配置された複合型ワイヤグリッド偏光子21,22に挟まれた液晶パネル23とから主に構成される。複合型ワイヤグリッド偏光子21、22は、バックライト側に反射型ワイヤグリッド偏光子21a,22aを向けて配置され、逆側に本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子21b,22bが位置する。液晶パネル23は透過型液晶パネルであり、ガラスや透明樹脂基板間に液晶材料などを挟持して構成されている。なお、図7の液晶表示装置中において、通常使用されている偏光子保護フィルム、位相差フィルム、拡散板、配向膜、透明電極、カラーフィルターなどの各種光学素子については、説明を省略する。   The liquid crystal display device shown in FIG. 7 is mainly composed of a lighting device 20 such as a backlight that emits light and a liquid crystal panel 23 sandwiched between composite wire grid polarizers 21 and 22 disposed on the lighting device. The The composite wire grid polarizers 21 and 22 are arranged with the reflective wire grid polarizers 21a and 22a facing the backlight side, and the absorption wire grid polarizers 21b and 22b of the present invention are positioned on the opposite side. The liquid crystal panel 23 is a transmissive liquid crystal panel, and is configured by sandwiching a liquid crystal material or the like between glass and a transparent resin substrate. In the liquid crystal display device of FIG. 7, description of various optical elements such as a polarizer protective film, a retardation film, a diffusion plate, an alignment film, a transparent electrode, and a color filter that are normally used is omitted.

このような構成の液晶表示装置においては、照明装置20から出射された光が複合型ワイヤグリッド偏光子21の反射型ワイヤグリッド偏光子21aから入射し、液晶セル23を通過し、再び複合型ワイヤグリッド型偏光子22の反射型ワイヤグリッド偏光子22aから入射、外界に出射される(図中30)。この場合において、複合型ワイヤグリッド偏光子21,22が可視光領域において、優れた偏光度を発揮するので、コントラストの高い表示を得ることが可能となる。また、透過しない照明装置20からの入射光は、照明装置側に向けて反射され、再利用されることで高い輝度を得ることができる。   In the liquid crystal display device having such a configuration, the light emitted from the illuminating device 20 enters from the reflective wire grid polarizer 21a of the composite wire grid polarizer 21, passes through the liquid crystal cell 23, and again returns to the composite wire. The light is incident from the reflective wire grid polarizer 22a of the grid polarizer 22 and emitted to the outside (30 in the figure). In this case, since the composite wire grid polarizers 21 and 22 exhibit an excellent degree of polarization in the visible light region, it is possible to obtain a display with high contrast. In addition, incident light from the illumination device 20 that does not transmit is reflected toward the illumination device side and reused to obtain high luminance.

一方、外光は、複合型ワイヤグリッド偏光子22における本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子22bから入射し、液晶セル23を通過し、再び複合型ワイヤグリッド偏光子21の吸収型ワイヤグリッド偏光子21bから入射、照明装置20に出射される(図中31)。この場合においては、透過しない外光は、本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子22a,22bにより効率良く吸収される。以上、まとめると液晶表示装置において、十分な色再現性や黒表示を実現することができる。   On the other hand, external light is incident on the composite wire grid polarizer 22 from the absorption wire grid polarizer 22 b of the present invention, passes through the liquid crystal cell 23, and again the absorption wire grid polarizer 21 of the composite wire grid polarizer 21. It is incident from 21b and emitted to the illumination device 20 (31 in the figure). In this case, external light that does not pass through is efficiently absorbed by the absorption type wire grid polarizers 22a and 22b of the present invention. In summary, sufficient color reproducibility and black display can be realized in a liquid crystal display device.

次に、本発明の効果を明確にするために行なった実施例について説明する。なお、下記実施の形態における寸法、材質などは例示的なものであり、適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、適宜変更して実施することが可能である。   Next, examples performed to clarify the effects of the present invention will be described. In addition, the dimension, material, etc. in the following embodiment are illustrative and can be implemented with appropriate changes. Other modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

[実施例1]
(格子状凸部を有する基材の作製)
・微細凹凸格子形状の作製
ガラス上にフォトレジストを塗布した基板に、電子線ビーム描画法を用いて、微細凹凸格子を形成した。このレジストパターンの表面と断面を、電界放出形走査電子顕微鏡(STEM、日立ハイテクノロジーズ製S−5500)で観察したところ、微細凹凸格子のピッチと高さがそれぞれ、145nm/130nm(ピッチ/高さ)であり、その断面形状がほぼ台形形状で、上面からの形状が縞状格子状となっており凸部の幅が45nmで谷部の幅が70nmであることがわかった。
[Example 1]
(Preparation of a substrate having a grid-like convex part)
-Production of fine concavo-convex lattice shape A fine concavo-convex lattice was formed on a substrate coated with a photoresist on glass by using an electron beam drawing method. When the surface and cross section of this resist pattern were observed with a field emission scanning electron microscope (STEM, Hitachi High-Technologies S-5500), the pitch and height of the fine concavo-convex grating were 145 nm / 130 nm (pitch / height), respectively. It was found that the cross-sectional shape was substantially trapezoidal, the shape from the top surface was a striped lattice, the width of the convex portion was 45 nm, and the width of the valley portion was 70 nm.

・ニッケルスタンパ作製
得られた145nmピッチのレジストパターン表面に、導電化処理として金をスパッタリング法により30nm被覆した後、ニッケルを電気メッキし、厚さ0.3mmの微細凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパを作製した。
-Nickel stamper production The surface of the obtained resist pattern with a pitch of 145 nm was coated with 30 nm of gold as a conductive treatment by sputtering, then electroplated with nickel, and a nickel stamper having a fine concavo-convex grating with a thickness of 0.3 mm on the surface Was made.

・紫外線硬化性樹脂を用いた格子状凸部転写フィルムの作製
厚さ0.1mmのポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム(以下、PETフィルム)に紫外線硬化樹脂(東洋合成株式会社製PAK01)を約0.03mm塗布し、塗布面を下にして前記145nmピッチの微細凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパ上に、それぞれ端部からニッケルスタンパとPETフィルムとの間に空気が入らないように載せ、PETフィルム側から中心波長365nmの紫外線ランプを用いて紫外線を1000mJ/cm照射し、ニッケルスタンパの微細凹凸格子を転写した。得られた格子状凸部転写フィルムをSTEMにより観察し、その断面形状がほぼ台形形状で、上面からの形状が縞状格子状となっていることを確認した。
・ Preparation of lattice-shaped convex transfer film using UV curable resin About 0.03 mm UV curable resin (PAK01 manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.) was applied to 0.1 mm thick polyethylene terephthalate resin film (hereinafter referred to as PET film) Then, on the nickel stamper having the fine concavo-convex grating with 145 nm pitch on the surface with the coating surface facing down, it is placed so that air does not enter between the nickel stamper and the PET film from each end, and the center from the PET film side. Ultraviolet rays were irradiated at 1000 mJ / cm 2 using an ultraviolet lamp having a wavelength of 365 nm to transfer the fine uneven grating of the nickel stamper. The obtained lattice-like convex transfer film was observed by STEM, and it was confirmed that the cross-sectional shape was substantially trapezoidal and the shape from the upper surface was a striped lattice.

・吸収型偏光子の作製
前記した紫外線硬化性樹脂を用いて作製した格子状凸部転写フィルムに、スパッタリング法を用いて誘電体を被覆した。本実施例では、誘電体として窒化ケイ素を用いた場合について、説明する。Arガス圧力0.67Pa、スパッタパワー4W/cm、被覆速度0.22nm/秒にて誘電体の被覆を行なった。層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なガラス基板を格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、平滑ガラス基板への誘電体積層厚みが5nmとなるように製膜を行なった。
-Production of absorption polarizer A lattice-shaped convex transfer film produced using the above-described ultraviolet curable resin was coated with a dielectric using a sputtering method. In this embodiment, a case where silicon nitride is used as a dielectric will be described. The dielectric was coated at an Ar gas pressure of 0.67 Pa, a sputtering power of 4 W / cm 2 , and a coating speed of 0.22 nm / second. As a layer thickness comparison sample, a glass substrate having a smooth surface was inserted into the apparatus simultaneously with the lattice-shaped convex transfer film, and film formation was carried out so that the dielectric laminate thickness on the smooth glass substrate was 5 nm.

格子状凸部転写フィルムに誘電体層を形成した後、スパッタリング法を用いてタンタル/ニッケルタングステン合金の積層体ワイヤを形成した。本実施例では、まずニッケルタングステン合金(ニッケル81重量%、タングステン19重量%)を用いて、アルゴンガス圧力0.16Pa(純度99.999%)、ターゲット印加電力密度4.4W/cmとし、製膜速度51.5nm/分で蒸着した。ニッケルタングステン合金と格子状凸部転写フィルムとの間隔は105mmである。層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なガラス基板を誘電体積層格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、平滑基板へのニッケルタングステン蒸着厚みが10.3nmとなるように蒸着を行った。なお、格子の立設方向と垂直に交わる平面内において基材面の法線と蒸着源とのなす角は50度とした。 A dielectric layer was formed on the lattice-shaped convex transfer film, and then a tantalum / nickel tungsten alloy laminate wire was formed by sputtering. In this example, first, using a nickel tungsten alloy (nickel 81 wt%, tungsten 19 wt%), the argon gas pressure was 0.16 Pa (purity 99.999%), the target applied power density was 4.4 W / cm 2 , Vapor deposition was performed at a film forming rate of 51.5 nm / min. The distance between the nickel-tungsten alloy and the grid-like convex transfer film is 105 mm. As a layer thickness comparison sample, a glass substrate having a smooth surface was inserted into the apparatus simultaneously with the dielectric laminated lattice-shaped convex transfer film, and vapor deposition was performed so that the nickel tungsten deposition thickness on the smooth substrate was 10.3 nm. The angle formed by the normal of the substrate surface and the vapor deposition source in a plane perpendicular to the vertical direction of the lattice was 50 degrees.

更に、ニッケルタングステン合金層の上に、タンタルを用いて、アルゴンガス圧力0.16Pa(純度99.999%)、ターゲット印加電力密度4.4W/cmとし、製膜速度33nm/分でスパッタリング法により製膜した。タンタルと格子状凸部転写フィルムとの間隔は105mmである。層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なガラス基板を誘電体積層格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、平滑基板へのタンタル蒸着厚みが12.1nmとなるように蒸着を行った。なお、格子の立設方向と垂直に交わる平面内において基材面の法線と蒸着源とのなす角は50度とした。 Further, on the nickel tungsten alloy layer, sputtering is performed using tantalum with an argon gas pressure of 0.16 Pa (purity 99.999%), a target applied power density of 4.4 W / cm 2 , and a film formation rate of 33 nm / min. To form a film. The distance between the tantalum and the lattice-shaped convex transfer film is 105 mm. As a layer thickness comparison sample, a glass substrate having a smooth surface was inserted into the apparatus at the same time as the dielectric laminated lattice-shaped convex transfer film, and vapor deposition was performed so that the tantalum deposition thickness on the smooth substrate was 12.1 nm. The angle formed by the normal of the substrate surface and the vapor deposition source in a plane perpendicular to the vertical direction of the lattice was 50 degrees.

得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、タンタル/ニッケルタングステン合金積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約22nmで形成されていることが確認された。   When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the tantalum / nickel tungsten alloy laminated wire was formed with a thickness of about 22 nm on one side of the cross-sectional slope of the lattice-like convex portion. It was.

得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子について、分光光度計を用いて、直線偏光に対する平行ニコル、直交ニコルでの透過光強度、反射光強度を測定した。その結果、吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率87.5%、TE波透過率18.7%、TM波反射率4.2%、TE波反射率17.6%、偏光度84.8%であった。   About the obtained absorption type wire grid type polarizer, the transmitted light intensity and reflected light intensity in parallel Nicol and orthogonal Nicol with respect to linearly polarized light were measured using a spectrophotometer. As a result, the absorption wave grid polarizer has a TM wave transmittance of 87.5%, a TE wave transmittance of 18.7%, a TM wave reflectance of 4.2%, a TE wave reflectance of 17.6%, and a polarization degree of 84. 8%.

[実施例2]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、タンタルワイヤを膜厚12.1nmとなるように形成し、更にタンタル層の上にタングステンワイヤを膜厚9.5nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、タングステン/タンタル積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約21nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率89.3%、TE波透過率15.3%、TM波反射率4.4%、TE波反射率20.7%、偏光度70.7%であった。
[Example 2]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, a tantalum wire is formed to a thickness of 12.1 nm using a sputtering method, and a tungsten wire is further formed on the tantalum layer. The film was laminated to a film thickness of 9.5 nm to obtain an absorption wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the tungsten / tantalum laminated wire was formed with a thickness of about 21 nm on one side of the cross-sectional slope portion of the lattice-like convex portion. The absorption wire grid polarizer thus obtained had a TM wave transmittance of 89.3%, a TE wave transmittance of 15.3%, a TM wave reflectance of 4.4%, a TE wave reflectance of 20.7%, and a polarization degree of 70. 0.7%.

[実施例3]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、タングステンワイヤを膜厚9.5nmとなるように形成し、更にタングステン層の上にニッケルタングステン合金ワイヤ(ニッケル81重量%、タングステン19重量%)を膜厚10.3nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、ニッケルタングステン合金/タングステン積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約20nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率87.9%、TE波透過率16.3%、TM波反射率4.1%、TE波反射率20.6%、偏光度68.7%であった。
[Example 3]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, a tungsten wire is formed to a thickness of 9.5 nm by sputtering, and a nickel tungsten alloy is further formed on the tungsten layer. Wires (81 wt% nickel, 19 wt% tungsten) were laminated to a film thickness of 10.3 nm to obtain an absorption wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the nickel tungsten alloy / tungsten laminated wire was formed with a thickness of about 20 nm on one side of the cross-sectional slope of the lattice-like convex portion. It was. The absorption wire grid polarizer thus obtained has a TM wave transmittance of 87.9%, a TE wave transmittance of 16.3%, a TM wave reflectance of 4.1%, a TE wave reflectance of 20.6%, and a polarization degree of 68. 0.7%.

[実施例4]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、ジルコニウムワイヤを膜厚11.7nmとなるように形成し、更にジルコニウム層の上にモリブデンワイヤを膜厚11.8nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、モリブデン/ジルコニウム積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約22nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率89.2%、TE波透過率18.9%、TM波反射率3.9%、TE波反射率19.1%、偏光度65.0%であった。
[Example 4]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, a zirconium wire was formed to a thickness of 11.7 nm by sputtering, and a molybdenum wire was further formed on the zirconium layer. The film was laminated to a film thickness of 11.8 nm to obtain an absorption wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the molybdenum / zirconium laminated wire was formed with a thickness of about 22 nm on one side of the cross-sectional slope portion of the lattice-like convex portion. The absorption wire grid polarizer thus obtained had a TM wave transmittance of 89.2%, a TE wave transmittance of 18.9%, a TM wave reflectance of 3.9%, a TE wave reflectance of 19.1%, and a degree of polarization of 65. 0.0%.

[実施例5]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、クロムワイヤを膜厚9.3nmとなるように形成し、更にクロム層の上にジルコニウムワイヤを膜厚12.4nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、ジルコニウム/クロム積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約22nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率88.8%、TE波透過率16.2%、TM波反射率4.1%、TE波反射率17.4%、偏光度69.1%であった。
[Example 5]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, a chromium wire is formed to a thickness of 9.3 nm by sputtering, and a zirconium wire is further formed on the chromium layer. The film was laminated to a thickness of 12.4 nm to obtain an absorption wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that a zirconium / chromium laminated wire was formed with a thickness of about 22 nm on one side of the cross-sectional slope portion of the lattice-like convex portion. The absorption wire grid polarizer thus obtained has a TM wave transmittance of 88.8%, a TE wave transmittance of 16.2%, a TM wave reflectance of 4.1%, a TE wave reflectance of 17.4%, and a polarization degree of 69. It was 1%.

[実施例6]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、ジルコニウムワイヤを膜厚12.4nmとなるように形成し、更にジルコニウム層の上にクロムワイヤを膜厚9.3nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、クロム/ジルコニウム積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約22nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率89.7%、TE波透過率17.7%、TM波反射率3.7%、TE波反射率18.4%、偏光度67.0%であった。
[Example 6]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, using a sputtering method, a zirconium wire is formed to a thickness of 12.4 nm, and a chromium wire is further formed on the zirconium layer. The film was laminated to a film thickness of 9.3 nm to obtain an absorption wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the chromium / zirconium laminated wire was formed with a thickness of about 22 nm on one side of the cross-sectional slope portion of the lattice-like convex portion. The obtained absorption wire grid polarizer has a TM wave transmittance of 89.7%, a TE wave transmittance of 17.7%, a TM wave reflectance of 3.7%, a TE wave reflectance of 18.4%, and a polarization degree of 67. 0.0%.

[実施例7]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、ハフニウムワイヤを膜厚10.2nmとなるように形成し、更にハフニウム層の上にニオブワイヤを膜厚10.2nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、ニオブ/ハフニウム積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約20nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率88.4%、TE波透過率22.1%、TM波反射率3.9%、TE波反射率12.7%、偏光度60.0%であった。
[Example 7]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, a hafnium wire is formed to a thickness of 10.2 nm by sputtering, and a niobium wire is formed on the hafnium layer. The layers were laminated to a thickness of 10.2 nm to obtain an absorption type wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid type polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the niobium / hafnium laminated wire was formed with a thickness of about 20 nm on one side of the cross-sectional slope portion of the lattice-like convex portion. The absorption wire grid polarizer thus obtained has a TM wave transmittance of 88.4%, a TE wave transmittance of 22.1%, a TM wave reflectance of 3.9%, a TE wave reflectance of 12.7%, and a degree of polarization of 60. 0.0%.

[実施例8]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、ステンレスSUS304を膜厚14.7nmとなるように形成し、更にステンレスSUS304層の上に、酸素反応性スパッタリング法を用いて酸化鉄ワイヤを膜厚14.6nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、酸化鉄/ステンレスSUS304積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約28nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率91.7%、TE波透過率46.5%、TM波反射率4.5%、TE波反射率5.9%、偏光度32.7%であった。
[Example 8]
In the same manner as in Example 1, after forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film, a stainless steel SUS304 was formed to a thickness of 14.7 nm by sputtering, and further on the stainless steel SUS304 layer, oxygen An iron oxide wire was laminated so as to have a film thickness of 14.6 nm by using a reactive sputtering method to obtain an absorption type wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that an iron oxide / stainless steel SUS304 laminated wire was formed with a thickness of about 28 nm on one side of the cross-sectional slope of the lattice-like convex portion. It was. The absorption wire grid polarizer thus obtained had a TM wave transmittance of 91.7%, a TE wave transmittance of 46.5%, a TM wave reflectance of 4.5%, a TE wave reflectance of 5.9%, and a degree of polarization of 32. 0.7%.

[実施例9]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、酸素反応性スパッタリング法を用いて、酸化ニッケルを膜厚20.0nmとなるように形成し、更に酸化ニッケル層の上に、酸素反応性スパッタリング法を用いて酸化鉄ワイヤを膜厚14.6nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、酸化鉄/酸化ニッケル積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約24nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率88.8%、TE波透過率32.2%、TM波反射率3.9%、TE波反射率8.9%、偏光度46.8%であった。
[Example 9]
In the same manner as in Example 1, after forming a dielectric on the lattice-like convex transfer film, nickel oxide was formed to a thickness of 20.0 nm using an oxygen reactive sputtering method, and further on the nickel oxide layer. Further, an iron oxide wire was laminated so as to have a film thickness of 14.6 nm using an oxygen reactive sputtering method to obtain an absorption type wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the iron oxide / nickel oxide laminated wire was formed with a thickness of about 24 nm on one side of the cross-sectional slope of the lattice-like convex portion. It was. The absorption wire grid polarizer thus obtained has a TM wave transmittance of 88.8%, a TE wave transmittance of 32.2%, a TM wave reflectance of 3.9%, a TE wave reflectance of 8.9%, and a degree of polarization of 46. 8%.

[実施例10]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、ニッケルを膜厚15.0nmとなるように形成し、更にニッケル層の上に、酸素反応性スパッタリング法を用いて酸化アルミニウムワイヤを膜厚9.5nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、酸化アルミニウム/ニッケル積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約24nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率86.0%、TE波透過率30.8%、TM波反射率3.8%、TE波反射率11.9%、偏光度47.3%であった。
[Example 10]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film in the same manner as in Example 1, using a sputtering method, nickel was formed to a thickness of 15.0 nm, and the oxygen reactivity was further formed on the nickel layer. An aluminum oxide wire was laminated so as to have a film thickness of 9.5 nm using a sputtering method to obtain an absorption wire grid polarizer. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that the aluminum oxide / nickel laminated wire was formed with a thickness of about 24 nm on one side of the cross-sectional slope portion of the lattice-like convex portion. . The absorption wire grid polarizer thus obtained has a TM wave transmittance of 86.0%, a TE wave transmittance of 30.8%, a TM wave reflectance of 3.8%, a TE wave reflectance of 11.9%, and a polarization degree of 47. 3%.

[実施例11]
実施例1と同様に格子状凸部転写フィルムに誘電体を形成した後、スパッタリング法を用いて、コバルトを膜厚10.0nmとなるように形成し、更にコバルト層の上に、スパッタリング法を用いてニッケルワイヤを膜厚6.0nmとなるように積層し、更にニッケル層の上に、スパッタリング法を用いてコバルトワイヤを膜厚10.0nmとなるように積層し、吸収型ワイヤグリッド型偏光子を得た。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子を、STEMにより観察したところ、コバルト/ニッケル/コバルト積層ワイヤが格子状凸部の断面斜面部の片側に厚さ約25nmで形成されていることが確認された。得られた吸収型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率84.7%、TE波透過率15.6%、TM波反射率3.0%、TE波反射率27.8%、偏光度68.9%であった。
[Example 11]
After forming a dielectric on the lattice-shaped convex transfer film as in Example 1, using a sputtering method, cobalt is formed to a thickness of 10.0 nm, and on the cobalt layer, sputtering is performed. The nickel wire is laminated so as to have a film thickness of 6.0 nm, and the cobalt wire is laminated on the nickel layer so as to have a film thickness of 10.0 nm using a sputtering method. I got a child. When the obtained absorption wire grid polarizer was observed by STEM, it was confirmed that a cobalt / nickel / cobalt laminated wire was formed with a thickness of about 25 nm on one side of the cross-sectional slope of the lattice-like convex portion. It was. The absorption wire grid polarizer thus obtained had a TM wave transmittance of 84.7%, a TE wave transmittance of 15.6%, a TM wave reflectance of 3.0%, a TE wave reflectance of 27.8%, and a polarization degree of 68. 9%.

このように、実施例1から実施例11の吸収型ワイヤグリッド型偏光子については、吸収型偏光成分で構成された層としての材料ワイヤを、格子状凸部の断面斜面部の片側に所定の厚さで設けたので、低反射率及び高透過率を実現することができた。   Thus, for the absorption wire grid polarizers of Examples 1 to 11, a material wire as a layer composed of an absorption polarization component is placed on one side of the cross-sectional slope of the lattice-shaped convex part. Since it was provided with a thickness, low reflectance and high transmittance could be realized.

[実施例12]
・反射型偏光子の作製
前記と同様に窒化ケイ素が表面に形成された格子状凸部転写フィルムに、電子ビーム真空蒸着法(EB蒸着法)を用いて金属ワイヤを形成した。本実施例では、金属としてアルミニウムを用いた。真空度2.5×10−3Pa、蒸着速度20nm/s、基板温度は常温として蒸着を行なった。層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なガラス基板を誘電体積層格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、平滑基板へのアルミニウム蒸着厚みが170nmとなるように蒸着をおこなった。なお、格子の長手方向と垂直に交わる平面内において基材面の法線と蒸着源とのなす角度は20度とした。
[Example 12]
-Production of Reflective Polarizer A metal wire was formed on a lattice-shaped convex transfer film having silicon nitride formed on the surface in the same manner as described above, using an electron beam vacuum deposition method (EB deposition method). In this example, aluminum was used as the metal. Deposition was performed with a degree of vacuum of 2.5 × 10 −3 Pa, a deposition rate of 20 nm / s, and a substrate temperature of room temperature. As a layer thickness comparison sample, a glass substrate having a smooth surface was inserted into the apparatus at the same time as the dielectric laminated grid-shaped convex transfer film, and vapor deposition was performed so that the aluminum deposition thickness on the smooth substrate was 170 nm. Note that the angle formed by the normal of the substrate surface and the evaporation source in a plane perpendicular to the longitudinal direction of the lattice was 20 degrees.

格子状凸部転写フィルムに誘電体及びアルミニウムを積層した後、フィルムを室温下の0.1重量%水酸化ナトリウム水溶液中で、処理時間を30秒〜120秒の間において10秒間隔で変えながら洗浄(エッチング)し、すぐに水洗してエッチングを停止させた。その後、フィルムを乾燥して反射型ワイヤグリッド偏光子を得た。下記の偏光性能評価から、90秒エッチングをした反射型ワイヤグリッド偏光子を選定した。   After laminating a dielectric and aluminum on the lattice-shaped convex transfer film, the film is placed in a 0.1% by weight sodium hydroxide aqueous solution at room temperature while changing the treatment time at intervals of 10 seconds between 30 seconds and 120 seconds. Cleaning (etching) was performed, and the etching was stopped immediately by washing with water. Thereafter, the film was dried to obtain a reflective wire grid polarizer. From the following polarization performance evaluation, a reflective wire grid polarizer etched for 90 seconds was selected.

得られた反射型ワイヤグリッド偏光子について、分光光度計を用いて、直線偏光に対する平行ニコル、直交ニコルでの透過光強度、反射光強度を測定した。その結果、反射型ワイヤグリッド型偏光子のTM波透過率88.7%、TE波透過率0.04%、TM波反射率3.4%、TE波反射率84.8%、偏光度99.91%であった。   About the obtained reflection type wire grid polarizer, the transmitted light intensity and reflected light intensity in parallel Nicol and orthogonal Nicol with respect to linearly polarized light were measured using a spectrophotometer. As a result, the TM wave transmittance of the reflective wire grid polarizer is 88.7%, the TE wave transmittance is 0.04%, the TM wave reflectance is 3.4%, the TE wave reflectance is 84.8%, and the degree of polarization is 99. 91%.

・吸収型、反射型偏光子の積層
前記した方法で得られた反射型ワイヤグリッド偏光子と実施例1の吸収型ワイヤグリッド偏光子の周囲4辺のうち1辺について、既存偏光子を基準として偏光軸を合わせた。続いて偏光軸をあわせた1辺を機械的に合わせながら、互いのワイヤグリッドの基板側を光学的に透明な粘着材を用いて接着、貼り合わせた。
Stacking of absorption type and reflection type polarizers About one side of the four sides around the reflection type wire grid polarizer obtained by the above-described method and the absorption type wire grid polarizer of Example 1, with reference to the existing polarizer The polarization axis was adjusted. Subsequently, the substrate sides of each wire grid were bonded and bonded together using an optically transparent adhesive material while mechanically aligning one side of the polarization axis.

得られた偏光子について、分光光度計を用い、直線偏光に対する透過光強度、反射光強度を測定した。TM波透過率76.05%、TE波透過率0.008%、吸収型ワイヤグリッド偏光子側のTM波反射率4.3%、TE波反射率21.1%、全光反射率12.7%。反射型ワイヤグリッド偏光子側のTM波反射率4.9%、TE波反射率79.6%、全光反射率42.3%、偏光度99.98%であった。   About the obtained polarizer, the transmitted light intensity with respect to linearly polarized light and the reflected light intensity were measured using the spectrophotometer. TM wave transmittance 76.05%, TE wave transmittance 0.008%, TM wave reflectance 4.3% on the absorption wire grid polarizer side, TE wave reflectance 21.1%, Total light reflectance 12. 7%. On the reflective wire grid polarizer side, the TM wave reflectance was 4.9%, the TE wave reflectance was 79.6%, the total light reflectance was 42.3%, and the degree of polarization was 99.98%.

また、波長450nmから750nmにおける透過率、反射率の平均値からの差分は透過率5.1%以内、反射率3.2%以内であり、この範囲においてほぼ均一な透過・反射特性を有することが分かる。さらに、積層することによって、反射型ワイヤグリッド偏光子の全光反射率44.1%から積層した後の反射率12.7%に低下させることができ、十分な黒表示を行うに足る性能であることが確認された。   Moreover, the difference from the average value of the transmittance and reflectance at wavelengths from 450 nm to 750 nm is within 5.1% transmittance and within 3.2% reflectance, and has substantially uniform transmission / reflection characteristics in this range. I understand. Further, by laminating, the total light reflectance of the reflective wire grid polarizer can be reduced from 44.1% to 12.7% after laminating, and the performance is sufficient for sufficient black display. It was confirmed that there was.

このように本発明にかかる吸収型ワイヤグリッド偏光子は、高透過率と低反射率の両性能を満たし、反射型ワイヤグリッド偏光子と積層した複合型偏光子において、バックライト側の光利用効率を高め、外光側の入射光に対する反射率を抑制し、LCDのような表示装置に配設した場合に十分な色再現性と黒表示を実現できる。さらには偏光機能の発現を全て無機材料で構成しているために、耐久性に優れる。   As described above, the absorptive wire grid polarizer according to the present invention satisfies both the high transmittance and the low reflectance, and in the composite polarizer laminated with the reflective wire grid polarizer, the light utilization efficiency on the backlight side. And the reflectance with respect to the incident light on the outside light side is suppressed, and sufficient color reproducibility and black display can be realized when disposed in a display device such as an LCD. Furthermore, since the expression of the polarization function is entirely composed of an inorganic material, the durability is excellent.

本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態における寸法、材質などは例示的なものであり、適宜変更して実施することが可能である。また、上記実施の形態における偏光板については、板状の部材である必要はなく、必要に応じてシート状、フィルム状であっても良い。上記実施の形態においては、ワイヤグリッド偏光板を液晶表示装置に適用した場合について説明しているが、本発明は偏光が必要とされる液晶表示装置以外のデバイスなどに同様に適用することができる。その他、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be implemented with various modifications. For example, the dimensions, materials, and the like in the above-described embodiment are illustrative, and can be changed as appropriate. Moreover, the polarizing plate in the said embodiment does not need to be a plate-shaped member, and may be a sheet form and a film form as needed. In the above embodiment, the case where the wire grid polarizing plate is applied to a liquid crystal display device has been described. However, the present invention can be similarly applied to devices other than the liquid crystal display device that requires polarized light. . In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明の実施の形態に係る吸収型ワイヤグリッド偏光子の一例を示す概略断面斜視図である。It is a schematic sectional perspective view which shows an example of the absorption type wire grid polarizer which concerns on embodiment of this invention. 図1に示す吸収型ワイヤグリッド偏光子を拡大図示した概略断面斜視図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional perspective view illustrating the absorption wire grid polarizer illustrated in FIG. 1 in an enlarged manner. 本発明の実施の形態に係る吸収型ワイヤグリッド偏光子と、反射型ワイヤグリッド偏光子を積層一体化した偏光子の概略断面斜視図である。1 is a schematic cross-sectional perspective view of a polarizer in which an absorption wire grid polarizer and a reflection wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention are laminated and integrated. 吸収型ワイヤグリッド偏光子と、吸収型ワイヤグリッド偏光子を積層一体化した偏光子における反射光の挙動を示す断面概略図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the behavior of reflected light in an absorption wire grid polarizer and a polarizer in which an absorption wire grid polarizer is laminated and integrated. 本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子と、反射型ワイヤグリッド偏光子を接着するための接着工程の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the adhesion | attachment process for adhere | attaching the absorption type wire grid polarizer of this invention, and a reflection type wire grid polarizer. 本発明の吸収型ワイヤグリッド偏光子と、反射型ワイヤグリッド偏光子を積層する他の構成の一例を示す概略断面斜視図である。It is a schematic sectional perspective view which shows an example of the other structure which laminates | stacks the absorption type wire grid polarizer of this invention, and a reflection type wire grid polarizer. 本発明の実施の形態に係る吸収型ワイヤグリッド偏光子を用いた液晶表示装置を示す断面概略図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the liquid crystal display device using the absorption type wire grid polarizer which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,11,21b,22b 吸収型ワイヤグリッド偏光子
1a 格子状凸部
1b 基材
1c,1d 低反射材料ワイヤ
2,21c,22a 反射型ワイヤグリッド偏光子
2a 反射型金属ワイヤ
3 複合型ワイヤグリッド偏光子
4,5 入射光
6 透明基板層
7 接着層
10 透過光
11a 変更軸と一致した辺
12 偏光子
20 照明装置
21,22 ワイヤグリッド偏光子
23 液晶パネル
30 バックライト入射光
31 外光入射光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11,21b, 22b Absorption type wire grid polarizer 1a Lattice-like convex part 1b Base material 1c, 1d Low reflection material wire 2, 21c, 22a Reflection type wire grid polarizer 2a Reflection type metal wire 3 Composite type wire grid polarization Child 4,5 Incident light 6 Transparent substrate layer 7 Adhesive layer 10 Transmitted light 11a Side coincident with change axis 12 Polarizer 20 Illumination device 21, 22 Wire grid polarizer 23 Liquid crystal panel 30 Backlight incident light 31 External light incident light

Claims (5)

格子状に凸部を有する可視光に対して透明な基材と、前記基材の凸部上に形成され、それぞれ吸収型偏光成分で構成された少なくとも2層の積層体と、を具備することを特徴とする吸収型ワイヤグリッド偏光子。   A substrate transparent to visible light having convex portions in a lattice shape, and a laminate of at least two layers formed on the convex portions of the substrate and each composed of an absorption-type polarization component; Absorptive wire grid polarizer. 前記積層体は、横断面視において前記基材の格子状凸部の側面の一部を含む領域にわたって片寄った状態で、厚さ5nm以上250nm以下で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の吸収型ワイヤグリッド偏光子。   The laminated body is formed with a thickness of 5 nm or more and 250 nm or less in a state where the laminated body is inclined over a region including a part of a side surface of the lattice-like convex portion of the base material in a cross-sectional view. The absorption type wire grid polarizer described in 1. 前記積層体の厚さが5nm以上30nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の吸収型ワイヤグリッド偏光子。   The absorptive wire grid polarizer according to claim 2, wherein the thickness of the laminate is 5 nm or more and 30 nm or less. 前記吸収型偏光成分が、モリブデン、クロム、タングステン、ジルコニウム、タンタル、ニッケル、鉄、ニオブ、ハフニウム、コバルト及びこれらのうち少なくとも一つを主成分とする合金からなる群から選ばれた少なくとも一つの低反射材料であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の吸収型ワイヤグリッド偏光子。   The absorptive polarizing component is at least one low selected from the group consisting of molybdenum, chromium, tungsten, zirconium, tantalum, nickel, iron, niobium, hafnium, cobalt, and an alloy containing at least one of them as a main component. The absorptive wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 3, wherein the absorptive wire grid polarizer is a reflective material. 前記吸収型偏光成分が、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を主成分とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の吸収型ワイヤグリッド偏光子。   The absorption according to any one of claims 1 to 3, wherein the absorptive polarization component is mainly composed of at least one material selected from the group consisting of aluminum oxide, iron oxide, and nickel oxide. Wire grid polarizer.
JP2008258737A 2008-10-03 2008-10-03 Absorption-type wire grid polarizer and liquid crystal display device Active JP5291424B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008258737A JP5291424B2 (en) 2008-10-03 2008-10-03 Absorption-type wire grid polarizer and liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008258737A JP5291424B2 (en) 2008-10-03 2008-10-03 Absorption-type wire grid polarizer and liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010091621A true JP2010091621A (en) 2010-04-22
JP5291424B2 JP5291424B2 (en) 2013-09-18

Family

ID=42254428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008258737A Active JP5291424B2 (en) 2008-10-03 2008-10-03 Absorption-type wire grid polarizer and liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5291424B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013007790A1 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Polariser and method for producing a polariser
KR101644856B1 (en) * 2015-06-09 2016-08-02 국민대학교산학협력단 Polarized back light unit and display device including the same
US20190163013A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Gentex Corporation Switchable polarized displays
WO2019102284A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-31 Gentex Corporation Switchable polarized displays
JP7530480B1 (en) 2023-03-31 2024-08-07 浙江博升光電科技有限公司 High contrast grating polarizer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328234A (en) * 2001-03-05 2002-11-15 Eastman Kodak Co Wire grid polarizer
JP2005172955A (en) * 2003-12-08 2005-06-30 Hitachi Maxell Ltd Polarizer, manufacturing method thereof, and projection type liquid crystal display device
WO2008084856A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Toray Industries, Inc. Polarizing plate and liquid crystal display device using the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328234A (en) * 2001-03-05 2002-11-15 Eastman Kodak Co Wire grid polarizer
JP2005172955A (en) * 2003-12-08 2005-06-30 Hitachi Maxell Ltd Polarizer, manufacturing method thereof, and projection type liquid crystal display device
WO2008084856A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Toray Industries, Inc. Polarizing plate and liquid crystal display device using the same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013007790A1 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Polariser and method for producing a polariser
KR101644856B1 (en) * 2015-06-09 2016-08-02 국민대학교산학협력단 Polarized back light unit and display device including the same
US20190163013A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Gentex Corporation Switchable polarized displays
WO2019102284A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-31 Gentex Corporation Switchable polarized displays
WO2019102283A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-31 Gentex Corporation Switchable polarized displays
US10824004B2 (en) 2017-11-27 2020-11-03 Gentex Corporation Switchable polarized displays
US11586066B2 (en) 2017-11-27 2023-02-21 Gentex Corporation Switchable polarized displays
US11624861B2 (en) 2017-11-27 2023-04-11 Gentex Corporation Vehicular rearview assemblies having polarized displays using electro-optic element
JP7530480B1 (en) 2023-03-31 2024-08-07 浙江博升光電科技有限公司 High contrast grating polarizer

Also Published As

Publication number Publication date
JP5291424B2 (en) 2013-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4275692B2 (en) Wire grid polarizer and liquid crystal display using the same
JP4425059B2 (en) Polarizing optical element and display device using the same
JP6446497B2 (en) Wire grid polarizer, projection display apparatus, and method of manufacturing wire grid polarizer
TWI409508B (en) Polarizing plate, producing method thereof and liquid crystal display by using the same
JP2010048999A (en) Wire grid polarizer and display using the same
JP5139829B2 (en) Wire grid type polarizing element and display device using the same
JP2012027221A (en) Wire grid polarizer
JP2010085990A (en) Wire grid polarizing plate
EP2128667A1 (en) Grid polarizer
JP2012103468A (en) Optical element and projection type liquid crystal display device
JP6057606B2 (en) Optical element and manufacturing method thereof
JP5368011B2 (en) Absorption type wire grid polarizer
JP5291424B2 (en) Absorption-type wire grid polarizer and liquid crystal display device
JP5069037B2 (en) Laminated wire grid polarizer
JP2010231896A (en) Backlight unit and display device using the same
JP5139830B2 (en) Wire grid type polarizing element
JP2012118237A (en) Wire grid polarization plate for infrared ray
JP5420859B2 (en) Composite wire grid polarizer and manufacturing method thereof
JP2010049017A (en) Method for producing absorptive wire grid polarizer
JP5291435B2 (en) Wire grid polarizer and manufacturing method thereof
JP5833320B2 (en) Polarized illumination device and projection display device
JP5619586B2 (en) Projection display equipment
JP5021357B2 (en) Thin polarizing plate
JP5069036B2 (en) Polarizing plate with high degree of polarization
JP5291425B2 (en) Absorption-type wire grid polarizer and liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110930

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130604

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130607

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5291424

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350