JP2010087425A - Substrate-holding member and bonding apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To relax the stress concentration produced at the peripheral part of a substrate, in a bonding apparatus. <P>SOLUTION: A substrate-holding member has a contact surface brought into contact with a rear surface of a holding substrate, and further, has stress relaxing parts which are arranged along the peripheral part of the holding substrate and, when a pressure is applied from the rear surface to the contact surface, relaxes the pressure propagated to the substrate from the contact surface in the peripheral part of the substrate. The substrate-holding member may further have stress-relaxing parts which are arranged along the outer periphery of the contact surface and has a thickness which is smaller than that of the contact surface, and a flange part arranged outer than the stress-relaxing parts to the contact surface. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板保持部材および接合装置に関する。   The present invention relates to a substrate holding member and a bonding apparatus.

半導体装置の実効的な実装密度を向上させる技術のひとつとして、複数のダイを積層しけ形成される積層型半導体装置がある。積層型半導体装置の製造においては、相互に位置合わせされたダイまたはウエハを接合した後、圧力を加えて接合を安定化させる。特許文献１には、基板保持部材に保持させた基板を熱間で加圧する加圧装置が記載される。
特開２００７−１１５９７８号公報 One technique for improving the effective mounting density of semiconductor devices is a stacked semiconductor device in which a plurality of dies are stacked. In the manufacture of a stacked semiconductor device, after bonding dies or wafers aligned with each other, pressure is applied to stabilize the bonding. Patent Document 1 describes a pressurizing apparatus that pressurizes hot a substrate held by a substrate holding member.
JP 2007-115978 A

ウエハは脆い材料なので応力分布が生じることは好ましくない。そこで、加圧装置は、加圧部または基板保持部材の表面を高度に平坦にして、ウエハにかかる圧力を均一にしている。しかしながら、加圧された基板の外周縁部には依然として高い圧力がかかる場合があった。また、その反動で、高い圧力が掛かる領域に隣接して、圧力が低下する領域が生じる場合もある。   Since the wafer is a brittle material, it is not preferable that stress distribution occurs. Therefore, the pressurizing device makes the surface of the pressurizing unit or the substrate holding member highly flat to make the pressure applied to the wafer uniform. However, high pressure may still be applied to the outer peripheral edge of the pressurized substrate. In addition, the reaction may cause a region where the pressure decreases adjacent to a region where high pressure is applied.

上記課題を解決すべく、本発明の第１の態様として、基板の裏面に接する接触面と、接触面の周囲に沿って配され、接触面に対する裏面から圧力が加えられた場合に、当該基板の周縁部において接触面から当該基板に伝播される応力を緩和する応力緩和部とを有する基板保持部材が提供される。   In order to solve the above problems, as a first aspect of the present invention, when a pressure is applied from the back surface to the contact surface, the contact surface is in contact with the back surface of the substrate and is arranged along the periphery of the contact surface. There is provided a substrate holding member having a stress relieving portion for relieving stress propagated from the contact surface to the substrate at the peripheral edge of the substrate.

また、本発明の第２の態様として、基板の裏面に接する接触面の外形と同じ外形を有する基板保持部材が提供される。   Moreover, the board | substrate holding member which has the same external shape as the external shape of the contact surface which contact | connects the back surface of a board | substrate as a 2nd aspect of this invention is provided.

更に、本発明の第３の態様として、上記基板保持部材と、複数の基板を積層して挟んだ一対の基板保持部材に、基板保持部材の厚さ方向に圧力を加える加圧部とを備え、複数の基板を接合する接合装置が提供される。   Furthermore, as a third aspect of the present invention, the above-mentioned substrate holding member, and a pressurizing unit that applies pressure in the thickness direction of the substrate holding member to a pair of substrate holding members sandwiching a plurality of substrates are provided. A bonding apparatus for bonding a plurality of substrates is provided.

また更に、本発明の第４の態様として、基板の裏面に接して加圧する加圧面を有する接合装置であって、接合する基板の周縁部に沿って配され、加圧面に圧力が加えられた場合に、当該基板の周縁部において加圧面から当該基板に伝播される圧力を緩和する応力緩和部を有する接合装置が提供される。   Furthermore, as a fourth aspect of the present invention, there is provided a bonding apparatus having a pressure surface that presses against the back surface of the substrate, and is arranged along the peripheral edge of the substrate to be bonded, and pressure is applied to the pressure surface. In some cases, a bonding apparatus is provided that has a stress relaxation portion that relieves pressure propagated from the pressure surface to the substrate at the peripheral edge of the substrate.

また更に、本発明の第５の態様として、基板の裏面に接して加圧する加圧面が、当該基板の外形と等しい外形を有する接合装置が提供される。   Furthermore, as a fifth aspect of the present invention, there is provided a bonding apparatus in which a pressurizing surface that presses in contact with the back surface of the substrate has an outer shape equal to the outer shape of the substrate.

上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これら特徴群のサブコンビネーションも発明となり得る。   The above summary of the present invention does not enumerate all necessary features of the present invention. Also, a sub-combination of these feature groups can be an invention.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution of the invention.

図１は、接合装置１００全体の構造を模式的に示す図である。接合装置１００は、基盤１１０と、基盤１１０の上に搭載された下部組立体１２０および計測部１４０と、下部組立体１２０の上に更に搭載された上部組立体１３０とを有する。また、接合装置１００には、それぞれが基板２２０を保持した一対の基板ホルダ２１０が装填される。   FIG. 1 is a diagram schematically illustrating the entire structure of the bonding apparatus 100. The joining apparatus 100 includes a base 110, a lower assembly 120 and a measurement unit 140 mounted on the base 110, and an upper assembly 130 further mounted on the lower assembly 120. The bonding apparatus 100 is loaded with a pair of substrate holders 210 each holding a substrate 220.

下部組立体１２０は、支柱１２２、下部フレーム１２４、ロードセル１２６および圧力伝達部１２８を有する。支柱１２２は、基盤１１０に下端を支持され、基盤１１０から垂直に起立する。   The lower assembly 120 includes a column 122, a lower frame 124, a load cell 126, and a pressure transmission unit 128. The support 122 is supported at the lower end by the base 110 and stands upright from the base 110.

下部フレーム１２４は、支柱１２２の上端に両側端を支持される。下部フレーム１２４の略中央にはロードセル１２６が搭載され、更に、その上に圧力伝達部１２８が搭載される。これにより、ロードセル１２６は、圧力伝達部１２８に鉛直に加わった圧力の大きさを検出する。   The lower frame 124 is supported at both ends by the upper end of the column 122. A load cell 126 is mounted substantially at the center of the lower frame 124, and a pressure transmission unit 128 is mounted thereon. Thereby, the load cell 126 detects the magnitude of the pressure applied to the pressure transmission unit 128 vertically.

また、下部フレーム１２４は、互いに対向する内側端面の上端近傍にベアリング１２３を備える。ベアリング１２３は、側方から圧力伝達部１２８に接して、下部フレーム１２４に対する圧力伝達部１２８の位置を安定させつつ、圧力伝達部１２８の円滑な昇降を許す。   Further, the lower frame 124 includes a bearing 123 in the vicinity of the upper end of the inner end surfaces facing each other. The bearing 123 is in contact with the pressure transmission unit 128 from the side, and allows the pressure transmission unit 128 to smoothly move up and down while stabilizing the position of the pressure transmission unit 128 with respect to the lower frame 124.

圧力伝達部１２８は、上面近傍にヒータユニット１２１を埋設される。ヒータユニット１２１は、圧力伝達部１２８の上面に搭載された基板ホルダ２１０を介して基板２２０を加熱する。なお、ヒータユニット１２１は、独立した部材として、圧力伝達部１２８の上に搭載され、更に、基板ホルダ２１０が積層して搭載される場合もある。   The pressure transmission unit 128 has a heater unit 121 embedded in the vicinity of the upper surface. The heater unit 121 heats the substrate 220 via the substrate holder 210 mounted on the upper surface of the pressure transmission unit 128. The heater unit 121 may be mounted on the pressure transmission unit 128 as an independent member, and the substrate holder 210 may be stacked and mounted.

上部組立体１３０は、支柱１３２、上部フレーム１３４、シリンダ１３６および圧力伝達部１３８を有する。シリンダ１３６および支柱１３２は、下部フレーム１２４の上端面に支持され、それぞれ垂直に起立する。   The upper assembly 130 includes a column 132, an upper frame 134, a cylinder 136, and a pressure transmission unit 138. The cylinder 136 and the support column 132 are supported on the upper end surface of the lower frame 124, and stand vertically.

上部フレーム１３４は、ベアリング１３３を介して、支柱１３２により側方から位置決めされる。これにより、シリンダ１３６に作動流体が供給または排出された場合に、上部フレーム１３４は鉛直に円滑に昇降する。   The upper frame 134 is positioned from the side by the support 132 through the bearing 133. Thereby, when the working fluid is supplied to or discharged from the cylinder 136, the upper frame 134 moves up and down smoothly and vertically.

また、上部フレーム１３４は、下端をシリンダ１３６に支持されて、下部フレーム１２４よりも上方に延在する。上部フレーム１３４の略中央には圧力伝達部１３８が懸架される。更に、圧力伝達部１３８の下面近傍にヒータユニット１３１が埋設される。   The upper frame 134 is supported at the lower end by the cylinder 136 and extends upward from the lower frame 124. A pressure transmission unit 138 is suspended substantially at the center of the upper frame 134. Further, a heater unit 131 is embedded in the vicinity of the lower surface of the pressure transmission unit 138.

なお、ヒータユニット１２１、１３１としては、セラミックヒータ、カートリッジヒータ等を使用できる。また、圧力伝達部１２８、１３８の内部に流路を設け、加熱した媒体を流通させて加熱する構造としてもよい。更に、ヒータユニット１２１、１３１に温度センサを設けて加熱温度を管理してもよい。   As the heater units 121 and 131, a ceramic heater, a cartridge heater, or the like can be used. Moreover, it is good also as a structure which provides a flow path inside the pressure transmission parts 128 and 138, distribute | circulates the heated medium, and heats it. Further, the heater units 121 and 131 may be provided with temperature sensors to control the heating temperature.

基板ホルダ２１０の各々は、静電吸着等により基板２２０を保持して、基板２２０と一体的に取り扱うことができる。これにより、多くの場合は脆い基板２２０の取り扱いを容易且つ安全にする。基板２２０としては、Ｓｉウエハ、化合物半導体基板、ガラス基板を例示できるが、これらに限定されるわけではない。   Each of the substrate holders 210 can hold the substrate 220 by electrostatic adsorption or the like and handle it integrally with the substrate 220. This makes handling of the fragile substrate 220 easy and safe in many cases. Examples of the substrate 220 include a Si wafer, a compound semiconductor substrate, and a glass substrate, but are not limited thereto.

接合装置１００においては、下部組立体１２０の圧力伝達部１２８の上面に一方の基板ホルダ２１０が保持される。また、上部組立体１３０の圧力伝達部１３８の下上面に他方の基板ホルダ２１０が保持される。圧力伝達部１２８、１３８による基板ホルダ２１０の保持は、静電吸着、負圧吸着等による。一対の基板ホルダ２１０は、それぞれ基板２２０を保持する。   In the bonding apparatus 100, one substrate holder 210 is held on the upper surface of the pressure transmission unit 128 of the lower assembly 120. Further, the other substrate holder 210 is held on the lower upper surface of the pressure transmitting portion 138 of the upper assembly 130. The substrate holder 210 is held by the pressure transmission units 128 and 138 by electrostatic adsorption, negative pressure adsorption, or the like. The pair of substrate holders 210 each hold the substrate 220.

計測部１４０は、例えばレーザ干渉計等の精密な測定機器を有し、接合装置１００において接合される基板２２０の状態を計測する。ここでいう状態とは、接合される基板２２０の間隔、傾き、表面性状等を意味する。計測部１４０による計測結果に応じて、例えば、シリンダ１３６へ供給され、また、シリンダ１３６から排出される作動流体が制御される。また、基板２２０の極端に大きな傾き等が検出された場合に接合装置１００を停止させる安全装置の一部としても使用される。   The measurement unit 140 includes a precise measurement device such as a laser interferometer, and measures the state of the substrate 220 to be bonded in the bonding apparatus 100. The state here means the interval, inclination, surface properties, and the like of the substrates 220 to be bonded. For example, the working fluid supplied to the cylinder 136 and discharged from the cylinder 136 is controlled according to the measurement result by the measuring unit 140. Further, it is also used as a part of a safety device that stops the bonding apparatus 100 when an extremely large inclination or the like of the substrate 220 is detected.

図２は、接合装置１００の動作を示す図であり、図１に対照して描かれる。シリンダ１３６から作動流体が排出された場合、上部フレーム１３４は、シリンダ１３６に引きつけられて降下する。これにより、圧力伝達部１３８および基板ホルダ２１０も降下して、基板２２０に上方から圧力を加える。これにより、一対の基板２２０が圧接される。   FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the bonding apparatus 100 and is depicted in contrast to FIG. When the working fluid is discharged from the cylinder 136, the upper frame 134 is attracted to the cylinder 136 and descends. As a result, the pressure transmission unit 138 and the substrate holder 210 are also lowered to apply pressure to the substrate 220 from above. Thereby, a pair of board | substrate 220 is press-contacted.

また、上記の動作と並行してヒータユニット１２１、１３１が動作する。これにより、基板ホルダ２１０を介して基板２２０を加熱する。こうして、一対の基板２２０をホットプレスして恒久的に接合させる。   In addition, the heater units 121 and 131 operate in parallel with the above operation. Thereby, the substrate 220 is heated via the substrate holder 210. In this way, the pair of substrates 220 is hot-pressed and permanently joined.

基板２２０に加わる圧力はロードセル１２６により検出される。これにより、所要の圧力を正確に加えて基板２２０を接合できる。また、計測部１４０により、基板２２０の間隔、傾き等を監視しつつ接合できるので、接合により形成される積層型半導体装置の歩留りを向上させることができる。   The pressure applied to the substrate 220 is detected by the load cell 126. Thus, the substrate 220 can be bonded by accurately applying a required pressure. In addition, since the measurement unit 140 can perform bonding while monitoring the interval, inclination, and the like of the substrate 220, the yield of the stacked semiconductor device formed by bonding can be improved.

なお、基板２２０の周縁部において過大な応力集中が生じた場合、基板２２０自体が損傷を受ける場合がある。また、基板２２０が圧壊してい場合でも、基板２２０の周縁部において大きな圧縮応力が生じると、その反動として、周縁部に続く領域において基板２２０に加わる圧力が低下する場合がある。基板２２０に加わる圧力が低下した場合は基板２２０の接合が不十分になるので、不足する圧力を見込んで大きな圧力を加えると、基板２２０の周縁部に対する応力集中は更に大きくなる。   Note that if excessive stress concentration occurs at the peripheral edge of the substrate 220, the substrate 220 itself may be damaged. Even when the substrate 220 is crushed, if a large compressive stress is generated in the peripheral portion of the substrate 220, the reaction may be accompanied by a decrease in pressure applied to the substrate 220 in a region following the peripheral portion. When the pressure applied to the substrate 220 decreases, the bonding of the substrate 220 becomes insufficient. Therefore, when a large pressure is applied in anticipation of the insufficient pressure, the stress concentration on the peripheral portion of the substrate 220 is further increased.

図３は、基板２２０を保持する基板ホルダ２１０の外観を示す斜視図である。基板ホルダ２１０は、全体として円板状をなす。基板ホルダ２１０は、基板２２０の外形と同じ外形を有する接触面２１２（図中に斜線で示す）と、接触面２１２の外周に沿って環状に形成された溝２１１と、接触面２１２の径方向外側に向かって溝２１１の外側に延在するフランジ部２１４とを有する。   FIG. 3 is a perspective view showing an appearance of the substrate holder 210 that holds the substrate 220. The substrate holder 210 has a disk shape as a whole. The substrate holder 210 includes a contact surface 212 (shown by hatching in the drawing) having the same outer shape as the substrate 220, a groove 211 formed in an annular shape along the outer periphery of the contact surface 212, and a radial direction of the contact surface 212. And a flange portion 214 extending outward of the groove 211 toward the outside.

接触面２１２は平坦に仕上げられている。また、図示されていないが、接触面２１２の内部には、基板２２０を静電吸着する場合に電圧が印加される電極が埋設される。   The contact surface 212 is finished flat. Although not shown, an electrode to which a voltage is applied when electrostatically attracting the substrate 220 is embedded in the contact surface 212.

フランジ部２１４は、接触面２１２と同じ厚さを有し、挿通穴２１６、基準標識２１７、バーコード２１８等を有する。挿通穴２１６は、基板２２０を接合した後で基板ホルダ２１０を取り外す場合に工具を挿通する。基準標識２１７は、基板ホルダ２１０の位置合わせ、基板ホルダ２１０に対する基板２２０の相対位置を計測する場合の基準等に用いられる。バーコード２１８は、基板ホルダ２１０の個体を識別する場合に読み取られる。   The flange portion 214 has the same thickness as the contact surface 212 and includes an insertion hole 216, a reference mark 217, a barcode 218, and the like. The insertion hole 216 allows a tool to be inserted when the substrate holder 210 is removed after the substrates 220 are joined. The reference mark 217 is used as a reference when measuring the position of the substrate holder 210 and the relative position of the substrate 220 with respect to the substrate holder 210. The barcode 218 is read when the individual substrate holder 210 is identified.

これら挿通穴２１６、基準標識２１７、バーコード２１８等は、接合装置１００の仕様に応じて選択的に設けられる。また、他の部材がフランジ部２１４に設けられる場合もある。更に、フランジ部２１４自体も、基板２２０を搭載した状態で基板ホルダ２１０を搬送する場合に把持して使用される。このように、基板ホルダ２１０は、単に基板２２０を吸着して保護するにとどまらず、様々な機能を有する場合がある。   The insertion hole 216, the reference mark 217, the barcode 218, and the like are selectively provided according to the specifications of the joining apparatus 100. In addition, other members may be provided on the flange portion 214. Further, the flange portion 214 itself is also gripped and used when the substrate holder 210 is transported with the substrate 220 mounted thereon. As described above, the substrate holder 210 is not limited to simply adsorbing and protecting the substrate 220 but may have various functions.

接触面２１２およびフランジ部２１４は、例えば絶縁性のセラミックス材等により、全体として一体に成形される。ここで、基板ホルダ２１０は、接触面２１２およびフランジ部２１４の間に形成された溝２１１を有する。   The contact surface 212 and the flange portion 214 are integrally formed as a whole by, for example, an insulating ceramic material. Here, the substrate holder 210 has a groove 211 formed between the contact surface 212 and the flange portion 214.

図４は、図３に示した基板ホルダ２１０に、基板２２０を搭載した状態を示す断面図である。図示のように、基板２２０は、基板ホルダ２１０の接触面２１２に吸着される。接触面２１２の径Ｄ１は、基板２２０の径Ｗと等しい。 4 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate 220 is mounted on the substrate holder 210 shown in FIG. As illustrated, the substrate 220 is attracted to the contact surface 212 of the substrate holder 210. The diameter D 1 of the contact surface 212 is equal to the diameter W of the substrate 220.

一方、基板ホルダ２１０は、接触面２１２の外側にフランジ部２１４を有する。このため、基板ホルダ２１０の外径Ｄ０は、基板２２０の径Ｗよりも大きい。また、溝２１１が形成された領域では、基板ホルダ２１０の厚さが、接触面２１２の厚さよりも小さい。 On the other hand, the substrate holder 210 has a flange portion 214 outside the contact surface 212. For this reason, the outer diameter D 0 of the substrate holder 210 is larger than the diameter W of the substrate 220. Further, in the region where the groove 211 is formed, the thickness of the substrate holder 210 is smaller than the thickness of the contact surface 212.

図５は、それぞれが基板２２０を保持した一対の基板ホルダ２１０が、接合装置１００に装填されて加圧された状態を示す図である。図示のように、一対の基板ホルダ２１０が一対の基板２２０を挟んでいる。下側の基板ホルダ２１０は圧力伝達部１２８に、上側の基板ホルダ２１０は圧力伝達部１３８に、それぞれ裏面を接している。なお、圧力伝達部１２８、１３８が基板ホルダ２１０を加圧する加圧面の外径Ｄ１０は、基板ホルダ２１０の外径Ｄ０に等しい。 FIG. 5 is a diagram showing a state in which a pair of substrate holders 210 each holding a substrate 220 are loaded into the bonding apparatus 100 and pressed. As illustrated, a pair of substrate holders 210 sandwich a pair of substrates 220. The lower substrate holder 210 is in contact with the pressure transmission unit 128, and the upper substrate holder 210 is in contact with the pressure transmission unit 138. Note that the outer diameter D 10 of the pressing surface on which the pressure transmission units 128 and 138 press the substrate holder 210 is equal to the outer diameter D 0 of the substrate holder 210.

一方、一対の基板ホルダ２１０の間で、相互のフランジ部２１４の間には間隙が残る。これにより、接合された基板２２０から基板ホルダ２１０を取り外す場合に、フランジ部２１４が基板ホルダ２１０に対する手がかりとなる。   On the other hand, a gap remains between the flange portions 214 between the pair of substrate holders 210. Accordingly, when the substrate holder 210 is removed from the bonded substrate 220, the flange portion 214 serves as a clue to the substrate holder 210.

接合装置１００が動作して上側の圧力伝達部１３８が降下した場合、基板２２０には、基板ホルダ２１０を介して圧力Ｐ０が加えられる。このとき、基板ホルダ２１０の各々においては、フランジ部２１４の裏面にも圧力Ｐ０が加えられる。 When the bonding apparatus 100 operates and the upper pressure transmission unit 138 is lowered, the pressure P 0 is applied to the substrate 220 via the substrate holder 210. At this time, in each of the substrate holders 210, the pressure P 0 is also applied to the back surface of the flange portion 214.

接触面２１２においては、圧力伝達部１２８、１３８、基板ホルダ２１０および基板２２０が順次接触した状態で圧力Ｐ０が加えられるので、基板ホルダ２１０は圧縮変形する。これに対して、間に間隙を有するフランジ部２１４では、加えられた圧力Ｐ０が、基板ホルダ２１０を曲げ変形させる。このため、圧縮変形する接触面２１２と曲げ変形するフランジ部２１４との間では、基板ホルダ２１０の内部に応力分布が生じる。 Since the pressure P 0 is applied to the contact surface 212 in a state where the pressure transmission units 128 and 138, the substrate holder 210, and the substrate 220 are sequentially in contact with each other, the substrate holder 210 is compressed and deformed. On the other hand, in the flange portion 214 having a gap therebetween, the applied pressure P 0 causes the substrate holder 210 to bend and deform. For this reason, a stress distribution is generated inside the substrate holder 210 between the contact surface 212 that undergoes compressive deformation and the flange portion 214 that undergoes bending deformation.

ここで、基板ホルダ２１０の基板２２０を保持する側の面において、接触面２１２およびフランジ部２１４の間には溝２１１が配されている。これにより、フランジ部２１４の曲げ変形により生じた応力Ｐ１の接触面２１２への伝播は、溝２１１において遮断される。従って、接触面２１２から基板２２０へ作用する圧力に、基板２２０の周縁部で分布が生じることがなく、基板２２０周縁部における応力集中が防止される。 Here, a groove 211 is disposed between the contact surface 212 and the flange portion 214 on the surface of the substrate holder 210 that holds the substrate 220. Thereby, the propagation of the stress P 1 generated by the bending deformation of the flange portion 214 to the contact surface 212 is blocked in the groove 211. Therefore, the pressure acting on the substrate 220 from the contact surface 212 is not distributed at the peripheral portion of the substrate 220, and stress concentration at the peripheral portion of the substrate 220 is prevented.

図６は、他の接合装置１００において、基板２２０を保持した基板ホルダ２１０を加圧した状態を示す断面図である。図示のように、この接合装置１００においても、基板ホルダ２１０の接触面２１２の径Ｄ１は、基板２２０の径Ｗに等しい。また、この接合装置１００では、圧力伝達部１２８、１３８の加圧面の径Ｄ１０も、基板２２０の径Ｗに等しい。このため、基板ホルダ２１０の外径Ｄ０は、基板２２０の径Ｗおよび接触面２１２の径Ｄ１よりも大きく、フランジ部２１４が、圧力伝達部１２８、１３８の側方に突出する。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where the substrate holder 210 holding the substrate 220 is pressurized in another bonding apparatus 100. As illustrated, also in the bonding apparatus 100, the diameter D 1 of the contact surface 212 of the substrate holder 210 is equal to the diameter W of the substrate 220. In the bonding apparatus 100, the diameter D 10 of the pressure surface of the pressure transmission units 128 and 138 is also equal to the diameter W of the substrate 220. Therefore, the outer diameter D 0 of the substrate holder 210 is larger than the diameter W of the substrate 220 and the diameter D 1 of the contact surface 212, and the flange portion 214 protrudes to the side of the pressure transmission portions 128 and 138.

この場合、圧力伝達部１２８、１３８から加えられた圧力Ｐ０により、接触面２１２において基板ホルダ２１０は圧縮変形する。一方、フランジ部２１４には、圧力伝達部１２８、１３８から圧力Ｐ０は加えられない。従って、フランジ部２１４においては、基板ホルダ２１０は当初の形状および厚さを維持する。 In this case, the substrate holder 210 is compressed and deformed on the contact surface 212 due to the pressure P 0 applied from the pressure transmission units 128 and 138. On the other hand, the pressure P 0 is not applied to the flange portion 214 from the pressure transmission portions 128 and 138. Therefore, in the flange portion 214, the substrate holder 210 maintains the original shape and thickness.

フランジ部２１４においては基板ホルダ２１０が当初の形状を保つので、隣接する圧縮変形された領域に対して、基板ホルダ２１０の厚さを大きくする応力Ｐ２を生じる。ここで、基板ホルダ２１０の基板２２０を保持する側の面において、接触面２１２およびフランジ部２１４の間には溝２１１が配される。これにより、フランジ部２１４の応力Ｐ２の接触面２１２への伝播は溝２１１において遮断される。従って、接触面２１２から基板２２０へ作用する圧力に応力Ｐ２に起因する応力分布が生じることがなく、基板２２０において応力集中が生じることが防止される。 Since the substrate holder 210 keeps the original shape in the flange portion 214, with respect to the compressed deformation adjacent areas, resulting in stress P 2 to increase the thickness of the substrate holder 210. Here, a groove 211 is disposed between the contact surface 212 and the flange portion 214 on the surface of the substrate holder 210 that holds the substrate 220. Thereby, the propagation of the stress P 2 of the flange portion 214 to the contact surface 212 is blocked in the groove 211. Therefore, without the stress distribution due to the stress P 2 to pressure acting from the contact surface 212 to the substrate 220 occurs, that stress concentration occurs in the substrate 220 is prevented.

なお、圧力伝達部１２８、１３８の加圧面の外径Ｄ１０が基板２２０の径Ｗよりも小さい場合、圧力伝達部１２８、１３８の周縁部近傍の領域において、基板２２０に加わる圧力に分布が生じる。従って、圧力伝達部１２８、１３８の加圧面は、少なくとも基板２２０の径Ｗよりも大きな外径Ｄ１０を有することが好ましい。 Incidentally, when the outer diameter D 10 of the pressing surface of the pressure transmitting portion 128, 138 is smaller than the diameter W of the substrate 220, in the region of the vicinity of the peripheral edge portion of the pressure transmitting portion 128, 138, a distribution of pressure applied to the substrate 220 occurs . Therefore, it is preferable that the pressure surfaces of the pressure transmission units 128 and 138 have an outer diameter D 10 that is at least larger than the diameter W of the substrate 220.

また、フランジ部２１４から接触面２１２への応力の作用を遮断するという観点からは、溝２１１が深いほど効果が高い。しかしながら、溝２１１を深くすることにより基板ホルダ２１０の厚さが極端に薄くなると、基板ホルダ２１０自体の強度が局部的に低下する。   Further, from the viewpoint of blocking the action of stress from the flange part 214 to the contact surface 212, the deeper the groove 211, the higher the effect. However, when the thickness of the substrate holder 210 becomes extremely thin by deepening the groove 211, the strength of the substrate holder 210 itself is locally reduced.

更に、溝２１１の形状は、図中では角溝としたが、これを丸溝として内面を連続した面により形成することが好ましい。これにより、溝２１１の内部における応力集中が防止され、基板ホルダ２１０の長寿命化に寄与する。   Further, the shape of the groove 211 is a square groove in the figure, but it is preferable that the groove 211 is formed as a round groove with a continuous inner surface. This prevents stress concentration inside the groove 211 and contributes to a longer life of the substrate holder 210.

図７は、他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。図示のように、この基板ホルダ２１０は、基板２２０の径Ｗと同じ外径Ｄ０を有する。これにより、圧力伝達部１２８、１３８から圧力Ｐ０を加えられた場合に、基板ホルダ２１０の全体が均一に圧縮される。従って、基板２２０に加わる圧力に分布が生じることがない。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing the shape of a substrate holder 210 according to another embodiment. As illustrated, the substrate holder 210 has the same outer diameter D 0 as the diameter W of the substrate 220. Thereby, when the pressure P 0 is applied from the pressure transmission units 128 and 138, the entire substrate holder 210 is uniformly compressed. Therefore, no distribution occurs in the pressure applied to the substrate 220.

ただし、このように基板２２０および圧力伝達部１２８、１３８と同じ径を有する基板ホルダ２１０は、接合装置１００から取り出す場合、および、接合された基板２２０から取り外す場合に、側端面で操作しなければならない。このため、取り扱いが難しくなる。   However, the substrate holder 210 having the same diameter as the substrate 220 and the pressure transmission units 128 and 138 as described above must be operated on the side end surface when taking out from the bonding apparatus 100 and when removing from the bonded substrate 220. Don't be. For this reason, handling becomes difficult.

図８から図１２までは、基板ホルダ２１０の様々な変形例を示す断面図である。いずれの図面も、１枚の基板２２０を搭載した単一の基板ホルダ２１０が描かれる。また、これらの図において、図４と共通の構成要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。   8 to 12 are cross-sectional views showing various modifications of the substrate holder 210. FIG. In both drawings, a single substrate holder 210 carrying a single substrate 220 is depicted. Further, in these drawings, the same reference numerals are assigned to the same components as those in FIG.

図８に示す基板ホルダ２１０は、接触面２１２の周囲に沿って形成された段差２１３を有する。また、基板ホルダ２１０において、段差２１３よりも外側のフランジ部２１４の厚さは、接触面２１２の厚さよりも小さい。   The substrate holder 210 shown in FIG. 8 has a step 213 formed along the periphery of the contact surface 212. In the substrate holder 210, the thickness of the flange portion 214 outside the step 213 is smaller than the thickness of the contact surface 212.

これにより、フランジ部２１４において生じた応力は、段差２１３で遮断されて、接触面２１２に直接に伝播しない。従って、この基板ホルダ２１０を介して基板２２０に圧力を加えた場合は、基板２２０に生じる圧力分布が抑制される。   As a result, the stress generated in the flange portion 214 is blocked by the step 213 and does not propagate directly to the contact surface 212. Accordingly, when a pressure is applied to the substrate 220 through the substrate holder 210, the pressure distribution generated on the substrate 220 is suppressed.

図９に示す基板ホルダ２１０は、接触面２１２において基板２２０を保持する面に対して裏面側に形成された溝２１５を有する。溝２１５は、接触面２１２に保持された基板２２０の周縁部に沿って環状に形成される。これにより、フランジ部２１４から接触面２１２に伝播する応力を低減する。   A substrate holder 210 shown in FIG. 9 has a groove 215 formed on the back surface side of the contact surface 212 with respect to the surface holding the substrate 220. The groove 215 is formed in an annular shape along the peripheral edge of the substrate 220 held on the contact surface 212. Thereby, the stress which propagates from the flange part 214 to the contact surface 212 is reduced.

また、溝２１５の天面は曲面をなす。これにより、溝２１５の内面は連続した面により形成され、特定の領域に応力集中が生じ難い。従って、基板ホルダ２１０自体の耐久性が向上される。   Further, the top surface of the groove 215 forms a curved surface. As a result, the inner surface of the groove 215 is formed by a continuous surface, and stress concentration hardly occurs in a specific region. Therefore, the durability of the substrate holder 210 itself is improved.

なお、基板ホルダ２１０の裏面（図中の下面）において、溝２１５により包囲された領域の外径Ｄ２は、基板２２０に対する接触面２１２よりも僅かに小さい。これにより、基板ホルダ２１０の裏面に形成された溝２１５の作用が、基板ホルダ２１０の表面において基板２２０の周縁部に作用する。 The outer diameter D 2 of the region surrounded by the groove 215 on the back surface (lower surface in the drawing) of the substrate holder 210 is slightly smaller than the contact surface 212 with respect to the substrate 220. Thereby, the action of the groove 215 formed on the back surface of the substrate holder 210 acts on the peripheral edge of the substrate 220 on the surface of the substrate holder 210.

図１０に示す基板ホルダ２１０は、接触面２１２において基板２２０を支持する面に対して裏面に形成された段差２１３を有する。段差２１３は、接触面２１２に保持された基板２２０の周縁部に沿って環状に形成される。これにより、フランジ部２１４において発生した応力が接触面２１２に伝播することが抑制される。   The substrate holder 210 shown in FIG. 10 has a step 213 formed on the back surface of the contact surface 212 with respect to the surface that supports the substrate 220. The step 213 is formed in an annular shape along the peripheral edge of the substrate 220 held on the contact surface 212. Thereby, the stress generated in the flange portion 214 is suppressed from propagating to the contact surface 212.

また、段差２１３とフランジ部２１４とは曲面により連続している。これにより、特定の領域に応力集中が生じ難くなる。従って、基板ホルダ２１０自体の耐久性が向上される。   Further, the step 213 and the flange portion 214 are continuous by a curved surface. This makes it difficult for stress concentration to occur in a specific region. Therefore, the durability of the substrate holder 210 itself is improved.

更に、基板ホルダ２１０の裏面（図中の下面）において、段差２１３により包囲された領域の外径Ｄ２は、基板２２０に対する接触面２１２よりも僅かに小さい。これにより、基板ホルダ２１０の裏面に形成された段差２１３の作用が、基板ホルダ２１０の表面において基板２２０の周縁部に作用する。 Further, the outer diameter D 2 of the region surrounded by the step 213 on the back surface (lower surface in the drawing) of the substrate holder 210 is slightly smaller than the contact surface 212 with respect to the substrate 220. Thereby, the action of the step 213 formed on the back surface of the substrate holder 210 acts on the peripheral edge of the substrate 220 on the surface of the substrate holder 210.

図１１に示す基板ホルダ２１０は、フランジ部２１４の側端面から、基板ホルダ２１０の径方向内側に向かって形成された溝２１５を有する。溝２１５の先端は、接触面２１２の外径Ｗよりも内側まで入り込んでいる。これにより、基板ホルダ２１０に保持された基板２２０の周縁部近傍において基板２２０に作用する圧力が低減され、基板２２０の縁部において局所的に生じる応力集中が緩和される。   The substrate holder 210 shown in FIG. 11 has a groove 215 formed from the side end surface of the flange portion 214 toward the radially inner side of the substrate holder 210. The front end of the groove 215 enters the inner side of the outer diameter W of the contact surface 212. As a result, the pressure acting on the substrate 220 in the vicinity of the periphery of the substrate 220 held by the substrate holder 210 is reduced, and the stress concentration locally generated at the edge of the substrate 220 is alleviated.

図１２に示す基板ホルダ２１０は、外周に近づくほど厚さが薄くなるテーパ状の傾斜面２１９を有する。また、平坦な接触面２１２の径Ｄ３は、基板２２０の径Ｗよりも小さい。これにより、基板ホルダ２１０に保持された基板２２０の周縁部近傍において基板２２０に作用する圧力が暫減して、基板２２０の縁部において局所的に生じる応力集中が緩和される。 A substrate holder 210 shown in FIG. 12 has a tapered inclined surface 219 whose thickness decreases as it approaches the outer periphery. Further, the diameter D 3 of the flat contact surface 212 is smaller than the diameter W of the substrate 220. As a result, the pressure acting on the substrate 220 in the vicinity of the peripheral portion of the substrate 220 held by the substrate holder 210 is temporarily reduced, and the stress concentration locally generated at the edge of the substrate 220 is alleviated.

なお、図中では傾斜面２１９の傾斜を強調して描いた。しかしながら、傾斜面２１９により生じる基板ホルダ２１０表面の高低差は、圧力を加えられた場合の基板ホルダ２１０の圧縮変形量よりも小さい。   In the drawing, the inclination of the inclined surface 219 is emphasized. However, the height difference of the surface of the substrate holder 210 caused by the inclined surface 219 is smaller than the amount of compressive deformation of the substrate holder 210 when pressure is applied.

図１３は、また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。図示のように、基板２２０は、基板ホルダ２１０の接触面２１２に吸着される。また、基板ホルダ２１０は、接触面２１２の外側にフランジ部２１４を有する。このため、基板ホルダ２１０の外径Ｄ０は基板２２０の径Ｗよりも大きい。 FIG. 13 is a cross-sectional view showing the shape of a substrate holder 210 according to another embodiment. As illustrated, the substrate 220 is attracted to the contact surface 212 of the substrate holder 210. Further, the substrate holder 210 has a flange portion 214 outside the contact surface 212. For this reason, the outer diameter D 0 of the substrate holder 210 is larger than the diameter W of the substrate 220.

基板ホルダ２１０において、接触面２１２およびフランジ部２１４の間には、溝２１１が配される。溝２１１が形成された領域では、基板ホルダ２１０の厚さが、接触面２１２の厚さよりも小さい。これにより、接触面２１２の径は、基板２２０の径Ｗに等しい。   In the substrate holder 210, a groove 211 is disposed between the contact surface 212 and the flange portion 214. In the region where the groove 211 is formed, the thickness of the substrate holder 210 is smaller than the thickness of the contact surface 212. Thereby, the diameter of the contact surface 212 is equal to the diameter W of the substrate 220.

更に、基板ホルダ２１０は、溝２１１の裏面にも溝２１５を有する。溝２１５は、接触面２１２に保持された基板２２０の周縁部に沿って環状に形成される。これにより、溝２１１、２１５が形成された領域において、基板ホルダ２１０の厚さは更に薄くなる。   Further, the substrate holder 210 has a groove 215 on the back surface of the groove 211. The groove 215 is formed in an annular shape along the peripheral edge of the substrate 220 held on the contact surface 212. As a result, the thickness of the substrate holder 210 is further reduced in the region where the grooves 211 and 215 are formed.

このような形状により、フランジ部２１４で生じた変形の接触面２１２への伝播が、基板ホルダ２１０の表裏において遮断される。従って、基板ホルダ２１０に対して圧力が加えられた場合も、基板２２０に生じる応力集中が軽減される。   With such a shape, the propagation of the deformation generated in the flange portion 214 to the contact surface 212 is blocked on the front and back of the substrate holder 210. Accordingly, even when pressure is applied to the substrate holder 210, stress concentration generated in the substrate 220 is reduced.

また、溝２１１、２１５を基板ホルダ２１０の表裏に形成することにより、溝２１１、２１５のそれぞれの深さを小さくすることができる。これにより、静電吸着用の電極等を基板ホルダ２１０に埋設する場合に、埋設した部材と溝２１１、２１５との干渉を避けることができ、埋設深さの選択範囲が広くなる。   Further, by forming the grooves 211 and 215 on the front and back of the substrate holder 210, the depths of the grooves 211 and 215 can be reduced. Thus, when an electrostatic chucking electrode or the like is embedded in the substrate holder 210, interference between the embedded member and the grooves 211 and 215 can be avoided, and the selection range of the embedded depth is widened.

なお、図示は省いたが、溝２１１、２１５の他に、段差２１３、傾斜面２１９を基板ホルダ２１０の両面に形成した場合にも、同様の効果を得ることができる。   Although illustration is omitted, the same effect can be obtained when the step 213 and the inclined surface 219 are formed on both surfaces of the substrate holder 210 in addition to the grooves 211 and 215.

図１４は、また更に他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。図示のように、基板２２０は、基板ホルダ２１０の接触面２１２に吸着される。また、基板ホルダ２１０は、接触面２１２の外側にフランジ部２１４を有する。このため、基板ホルダ２１０の外径Ｄ０は基板２２０の径Ｗよりも大きい。 FIG. 14 is a cross-sectional view showing the shape of a substrate holder 210 according to still another embodiment. As illustrated, the substrate 220 is attracted to the contact surface 212 of the substrate holder 210. Further, the substrate holder 210 has a flange portion 214 outside the contact surface 212. For this reason, the outer diameter D 0 of the substrate holder 210 is larger than the diameter W of the substrate 220.

基板ホルダ２１０において、接触面２１２およびフランジ部２１４の間には、溝２１１が配される。これにより、接触面２１２の径は、基板２２０の径Ｗに等しい。溝２１１が形成された領域では、基板ホルダ２１０の厚さが、接触面２１２の厚さよりも小さい。   In the substrate holder 210, a groove 211 is disposed between the contact surface 212 and the flange portion 214. Thereby, the diameter of the contact surface 212 is equal to the diameter W of the substrate 220. In the region where the groove 211 is formed, the thickness of the substrate holder 210 is smaller than the thickness of the contact surface 212.

更に、基板ホルダ２１０は、溝２１１の裏面に段差２１３を有する。段差２１３により、フランジ部２１４における基板ホルダ２１０の厚さは、接触面２１２における基板の厚さよりも小さい。   Further, the substrate holder 210 has a step 213 on the back surface of the groove 211. Due to the step 213, the thickness of the substrate holder 210 at the flange portion 214 is smaller than the thickness of the substrate at the contact surface 212.

このような形状により、フランジ部２１４で生じた変形の接触面２１２への伝播は、基板ホルダ２１０の表裏において遮断される。従って、基板ホルダ２１０に対して圧力が加えられた場合も、基板２２０に生じる応力集中が軽減される。   With such a shape, the propagation of the deformation generated in the flange portion 214 to the contact surface 212 is blocked on the front and back of the substrate holder 210. Accordingly, even when pressure is applied to the substrate holder 210, stress concentration generated in the substrate 220 is reduced.

このような溝２１１と段差２１３の組み合わせにより応力を遮断する効果は、基板ホルダ２１０の表面、即ち、接触面２１２と同じ側に段差２１３を配し、基板ホルダ２１０の裏面に溝２１５を設けた場合にも同様に得られる。更に、溝２１１、２１５、段差２１３、傾斜面２１９を、任意に組み合わせた場合にも同様の効果が得られる。   The effect of blocking the stress by the combination of the groove 211 and the step 213 is that the step 213 is arranged on the surface of the substrate holder 210, that is, the same side as the contact surface 212, and the groove 215 is provided on the back surface of the substrate holder 210. The case is obtained in the same way. Furthermore, the same effect can be obtained when the grooves 211 and 215, the step 213, and the inclined surface 219 are arbitrarily combined.

このように、基板ホルダ２１０に基板２２０の径Ｗよりも大きな外径Ｄ０を有するフランジ部２１４を設けることにより、基板ホルダ２１０の取り扱いが容易になる。即ち、接合装置１００に基板ホルダ２１０を装填する場合、あるいは、接合装置１００から基板ホルダ２１０を取り出す場合、更に、接合した基板２２０から基板ホルダ２１０を取り外す場合に、フランジ部２１４が、基板２２０および圧力伝達部１２８、１３８から側方に突出する。これにより、基板ホルダ２１０を選択的に保持して操作することが容易になる。 Thus, by providing the substrate holder 210 with the flange portion 214 having the outer diameter D 0 larger than the diameter W of the substrate 220, the substrate holder 210 can be easily handled. That is, when the substrate holder 210 is loaded into the bonding apparatus 100, or when the substrate holder 210 is taken out from the bonding apparatus 100, and when the substrate holder 210 is further removed from the bonded substrate 220, the flange portion 214 includes the substrate 220 and It protrudes laterally from the pressure transmission parts 128,138. Thereby, it becomes easy to selectively hold and operate the substrate holder 210.

図１５は、接合装置１００の他の形態を示す図である。なお、以下に説明する部分を除くと、この接合装置１００の構造は、図１に示した接合装置１００と変わらない。そこで、共通の構成要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。   FIG. 15 is a view showing another form of the joining device 100. Except for the part described below, the structure of the bonding apparatus 100 is the same as that of the bonding apparatus 100 shown in FIG. Therefore, the same components are assigned the same reference numerals, and duplicate descriptions are omitted.

この接合装置１００は、基板ホルダ２１０を用いることなく、基板２２０を圧力伝達部１２８、１３８の加圧面１２５、１３５に直接に保持させて接合する。ここで、基板２２０を保持する圧力伝達部１２８、１３８が、基板２２０の外径よりも大きな径を有する場合、基板２２０に対する加圧面１２５、１３５の周囲に、基板２２０の周縁部に加わる圧力を緩和する目的で、溝１２７、１３７が設けられる。   In the bonding apparatus 100, the substrate 220 is directly held on the pressing surfaces 125 and 135 of the pressure transmission units 128 and 138 and bonded without using the substrate holder 210. Here, when the pressure transmission units 128 and 138 that hold the substrate 220 have a diameter larger than the outer diameter of the substrate 220, the pressure applied to the peripheral portion of the substrate 220 around the pressurizing surfaces 125 and 135 with respect to the substrate 220 is applied. Grooves 127 and 137 are provided for the purpose of relaxation.

これにより、圧力伝達部１２８、１３８から加圧面１２５、１３５への応力の伝播は、溝１２７、１３７により遮断される。従って、基板２２０と圧力伝達部１２８、１３８との径が異なる場合も、基板２２０において生じる応力集中が緩和される。   Thereby, the propagation of stress from the pressure transmitting portions 128 and 138 to the pressure surfaces 125 and 135 is blocked by the grooves 127 and 137. Therefore, even when the diameters of the substrate 220 and the pressure transmission units 128 and 138 are different, the stress concentration generated in the substrate 220 is alleviated.

なお、溝１２７に換えて、段差２１３、溝２１５、傾斜面２１９等を圧力伝達部１２８、１３８に設けた場合も、同様の効果が得られる。これにより、基板２２０に加えられる圧力に過不足がなくなり、歩留りよく基板２２０を接合できる。   Note that the same effect can be obtained when a step 213, a groove 215, an inclined surface 219, and the like are provided in the pressure transmission units 128 and 138 instead of the groove 127. Thereby, there is no excess or deficiency in the pressure applied to the substrate 220, and the substrate 220 can be bonded with a high yield.

図１６は、図１５に示した接合装置１００の変形例である。この接合装置１００においては、下側の圧力伝達部１２８の上面と、上側の圧力伝達部１３８の下面とに、それぞれ交換できる押圧部材１２９、１３９が装着される。押圧部材１２９、１３９は、基板２２０あるいは基板ホルダ２１０の保持に用いる静電吸着、真空吸着を利用して圧力伝達部１２８、１３８に保持させてもよい。また、ネジ等の部材を用いて機械的に固定してもよい。   FIG. 16 is a modification of the joining apparatus 100 shown in FIG. In this joining apparatus 100, exchangeable pressing members 129 and 139 are mounted on the upper surface of the lower pressure transmission unit 128 and the lower surface of the upper pressure transmission unit 138, respectively. The pressing members 129 and 139 may be held by the pressure transmission units 128 and 138 using electrostatic adsorption or vacuum adsorption used for holding the substrate 220 or the substrate holder 210. Moreover, you may fix mechanically using members, such as a screw | thread.

このような構造により、溝１２７等の応力緩和部を有する押圧部材１２９、１３９を適宜選択して、接合装置１００を様々な寸法の基板２２０に対応させることができる。また、交換できる押圧部材１２９、１３９にヒータユニット１２１、１３１を内蔵させて、押圧部材１２９、１３９とヒータユニット１２１、１３１とを兼用としてもよい。   With such a structure, it is possible to appropriately select the pressing members 129 and 139 having stress relieving portions such as the grooves 127 and to make the bonding apparatus 100 correspond to the substrates 220 having various dimensions. Alternatively, the replaceable pressing members 129 and 139 may incorporate the heater units 121 and 131 so that the pressing members 129 and 139 and the heater units 121 and 131 are combined.

なお、図１５および図１６に示した形態では、圧力伝達部１２８、１３８に溝１２７、１３７を設ける構造としたが、図８から図１２に示した様々な態様を、圧力伝達部１２８、１３８または押圧部材１２９、１３９に適用することができる。   15 and FIG. 16, the grooves 127 and 137 are provided in the pressure transmission units 128 and 138. However, the various modes shown in FIG. 8 to FIG. Alternatively, it can be applied to the pressing members 129 and 139.

以上、実施の形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加え得ることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

接合装置１００の構造を模式的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the bonding apparatus 100. FIG. 接合装置１００の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the joining apparatus. 基板ホルダ２１０の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the substrate holder 210. FIG. 基板２２０を保持した基板ホルダ２１０の断面図である。5 is a cross-sectional view of a substrate holder 210 that holds a substrate 220. FIG. 基板２２０および基板ホルダ２１０が加圧された状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state in which the board | substrate 220 and the board | substrate holder 210 were pressurized. 基板２２０および基板ホルダ２１０が加圧された状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state in which the board | substrate 220 and the board | substrate holder 210 were pressurized. 基板２２０および基板ホルダ２１０が加圧された状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state in which the board | substrate 220 and the board | substrate holder 210 were pressurized. 他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. また他の実施態様に係る基板ホルダ２１０の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the substrate holder 210 which concerns on another embodiment. 他の接合装置１００の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the other joining apparatus 100. FIG. また他の接合装置１００の構造を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of another bonding apparatus 100.

符号の説明Explanation of symbols

１００ 接合装置、１１０ 基盤、１２０ 下部組立体、１２１、１３１ ヒータユニット、１２２、１３２ 支柱、１２３、１３３ ベアリング、１２４ 下部フレーム、１２５、１３５ 加圧面、１２６ ロードセル、１２７、１３７、２１１、２１５ 溝、１２８、１３８ 圧力伝達部、１２９、１３９ 押圧部材、１３０ 上部組立体、１３４ 上部フレーム、１３６ シリンダ、１４０ 計測部、２１０ 基板ホルダ、２１２ 接触面、２１３ 段差、２１４ フランジ部、２１６ 挿通穴、２１７ 基準標識、２１８ バーコード、２１９ 傾斜面、２２０ 基板 100 joining device, 110 base, 120 lower assembly, 121, 131 heater unit, 122, 132 support, 123, 133 bearing, 124 lower frame, 125, 135 pressure surface, 126 load cell, 127, 137, 211, 215 groove, 128, 138 Pressure transmission part, 129, 139 Press member, 130 Upper assembly, 134 Upper frame, 136 Cylinder, 140 Measuring part, 210 Substrate holder, 212 Contact surface, 213 Step, 214 Flange part, 216 Insertion hole, 217 Reference Sign, 218 Barcode, 219 Inclined surface, 220 Substrate

Claims (12)

基板の裏面に接する接触面と、
前記接触面の周囲に沿って配され、前記接触面に対する裏面から圧力が加えられた場合に、当該基板の周縁部において前記接触面から当該基板に伝播される応力を緩和する応力緩和部と
を有する基板保持部材。 A contact surface in contact with the back surface of the substrate;
A stress relieving portion that is arranged along the periphery of the contact surface and that relieves stress propagated from the contact surface to the substrate when pressure is applied from the back surface to the contact surface. A substrate holding member. 前記接触面の厚さよりも小さな厚さを有する応力緩和部と、
前記接触面に対して前記応力緩和部の外側に配されたフランジ部と
を更に有する請求項１に記載の基板保持部材。 A stress relaxation part having a thickness smaller than the thickness of the contact surface;
The substrate holding member according to claim 1, further comprising a flange portion disposed outside the stress relaxation portion with respect to the contact surface. 前記応力緩和部は、前記接触面および前記フランジ部の間に形成されて、前記フランジ部から前記接触面への応力の伝播を遮断する請求項２に記載の基板保持部材。   The substrate holding member according to claim 2, wherein the stress relaxation portion is formed between the contact surface and the flange portion and blocks propagation of stress from the flange portion to the contact surface. 前記接触面は、保持する基板と等しい外形を有する請求項３に記載の基板保持部材。   The substrate holding member according to claim 3, wherein the contact surface has an outer shape equal to a substrate to be held. 前記応力緩和部は、前記接触面の外周に沿って形成された溝を含む請求項４に記載の基板保持部材。   The substrate holding member according to claim 4, wherein the stress relaxation portion includes a groove formed along an outer periphery of the contact surface. 前記応力緩和部は、前記接触面よりも薄いフランジ部と前記接触面との間に形成された段差を含む請求項４に記載の基板保持部材。   The board | substrate holding member of Claim 4 in which the said stress relaxation part contains the level | step difference formed between the flange part thinner than the said contact surface, and the said contact surface. 基板の裏面に接する接触面の外形と同じ外形を有する基板保持部材。   A substrate holding member having the same outer shape as a contact surface in contact with the back surface of the substrate. 請求項１から請求項７までのいずれかに記載された前記基板保持部材と、
複数の基板を積層して挟んだ一対の前記基板保持部材に、前記基板保持部材の厚さ方向に圧力を加える加圧部と
を備え、前記複数の基板を接合する接合装置。 The substrate holding member according to any one of claims 1 to 7,
A bonding apparatus that includes a pair of substrate holding members sandwiching a plurality of substrates and a pressurizing unit that applies pressure in the thickness direction of the substrate holding member, and joins the plurality of substrates. 前記加圧部は、前記基板保持部材の前記裏面と等しいかより大きい外形を有して前記裏面に接触する接触面を有する請求項８に記載の接合装置。   The bonding apparatus according to claim 8, wherein the pressure unit has a contact surface that has an outer shape equal to or larger than the back surface of the substrate holding member and contacts the back surface. 基板の裏面に接して加圧する加圧面を有する接合装置であって、
接合する基板の周縁部に沿って配され、前記加圧面に圧力が加えられた場合に、当該基板の周縁部において前記加圧面から当該基板に伝播される圧力を緩和する応力緩和部を有する接合装置。 A bonding apparatus having a pressing surface that presses against a back surface of a substrate,
Bonding that is arranged along the peripheral edge of the substrate to be bonded and has a stress relaxation portion that relieves pressure transmitted from the pressure surface to the substrate at the peripheral edge of the substrate when pressure is applied to the pressure surface. apparatus. 前記加圧面は、
前記加圧面の外周に沿って配され、前記加圧面の厚さよりも小さな厚さを有する応力緩和部と、
前記応力緩和部の外周に配されたフランジ部と
を更に有する請求項１０に記載の接合装置。 The pressure surface is
A stress relieving portion that is disposed along the outer periphery of the pressure surface and has a thickness smaller than the thickness of the pressure surface;
The joining device according to claim 10, further comprising a flange portion disposed on an outer periphery of the stress relaxation portion. 基板の裏面に接して加圧する加圧面が、当該基板の外形と等しい外形を有する接合装置。   A bonding apparatus in which a pressurizing surface that is in contact with a back surface of a substrate has an outer shape equal to the outer shape of the substrate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089623A (en) * 2010-10-18 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd Pressing adapter
JP2013102080A (en) * 2011-11-09 2013-05-23 Disco Abrasive Syst Ltd Support substrate of wafer and processing method of wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343327A (en) * 1986-08-11 1988-02-24 Canon Inc Epitaxial spike crushing apparatus
JP2007142381A (en) * 2005-10-17 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd Laminating apparatus
JP2007300033A (en) * 2006-05-02 2007-11-15 Hitachi Cable Ltd Fixture for wafer bonding, and method of fabricating wafer for light-emitting device
JP2008010671A (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Nikon Corp Wafer joining apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343327A (en) * 1986-08-11 1988-02-24 Canon Inc Epitaxial spike crushing apparatus
JP2007142381A (en) * 2005-10-17 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd Laminating apparatus
JP2007300033A (en) * 2006-05-02 2007-11-15 Hitachi Cable Ltd Fixture for wafer bonding, and method of fabricating wafer for light-emitting device
JP2008010671A (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Nikon Corp Wafer joining apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089623A (en) * 2010-10-18 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd Pressing adapter
JP2013102080A (en) * 2011-11-09 2013-05-23 Disco Abrasive Syst Ltd Support substrate of wafer and processing method of wafer

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