JP2010083852A - Method for producing metal complex, metal complex and organic electroluminescent device - Google Patents

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Hideji Osuga
秀次 大須賀
Naritomo Okeya
成智 桶矢
Akihiro Fujita
晃弘 藤田
Junji Mizukami
潤二 水上
Treboux Gabin
トレボウ ギヤビン
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Wakayama University
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a metal complex easily at a high yield compared with conventional methods. <P>SOLUTION: The metal complex having a desired ligand can be produced simply by dissolving a compound having a partial structure expressed by formula (1) and a desired ligand compound in a proper solvent and reacting the compounds. In the formula, M is a metal element selected from metals of the fourth to seventh period of the periodic table; and X<SP>11</SP>to X<SP>26</SP>are each independently a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of X<SP>11</SP>to X<SP>26</SP>is a halogen atom. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は有機電界発光素子等に有用な金属錯体の製造方法に関する。本発明はまた、この方法により製造された金属錯体と、この金属錯体を用いた有機電界発光素子に関する。   The present invention relates to a method for producing a metal complex useful for an organic electroluminescence device or the like. The present invention also relates to a metal complex produced by this method and an organic electroluminescent device using the metal complex.

従来、有機電界発光素子には蛍光発光材料が数多く用いられてきたが、フラットパネルディスプレイ等の表示、蛍光灯や標識灯等の照明として応用するためには、素子の発光効率を更に改善する必要があり、新たな発光材料の開発が求められている。   Conventionally, a lot of fluorescent materials have been used for organic electroluminescent devices, but it is necessary to further improve the luminous efficiency of the devices in order to apply to displays such as flat panel displays and lighting such as fluorescent lamps and marker lamps. There is a need to develop new light-emitting materials.

近年、素子の発光効率を上げる試みの一つとして、3重項励起状態からの発光すなわち燐光を利用した燐光発光材料の利用が注目を集めている。燐光を用いた場合には、従来の1重項励起状態からの発光(蛍光)に比べて、非常に高い光取り出し効率を得ることができ、素子の高発光効率化が期待されるからである。   In recent years, as one of attempts to increase the light emission efficiency of an element, use of a phosphorescent material using light emission from a triplet excited state, that is, phosphorescence, has attracted attention. This is because, when phosphorescence is used, it is possible to obtain a very high light extraction efficiency as compared with conventional light emission (fluorescence) from a singlet excited state, and high emission efficiency of the element is expected. .

例えば、非特許文献1では、フェニルピリジン系有機イリジウム錯体を4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(CBP)にドープさせることにより、発光波長510nmの緑色発光を示し、その外部量子効率は13%と従来の1重項発光素子の量子効率限界値(5%)を大きく上回ることが報告されている。   For example, in Non-Patent Document 1, by doping 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (CBP) with a phenylpyridine-based organic iridium complex, green emission with an emission wavelength of 510 nm is exhibited, and the external quantum efficiency is It is reported that the quantum efficiency limit value (5%) of the conventional singlet light emitting device is 13%, which is much higher.

しかしながら、特にこれら金属錯体などの燐光発光材料においては、製造方法の開発が未だ十分でなく、設計の自由度が少ないこともあり、実用化にいたっていない。例えば、特許文献1では白金錯体の合成方法が記載されているが、いまだ満足いくものではなかった。   However, in particular, phosphorescent materials such as these metal complexes have not yet been fully developed, and have not been put into practical use because the degree of design freedom is low. For example, Patent Document 1 describes a method for synthesizing a platinum complex, but it is still not satisfactory.

また、非特許文献2には、白金のビスフェニルピリジル錯体の方法として以下のような合成方法が記載されている。   Non-Patent Document 2 describes the following synthesis method as a method of platinum bisphenylpyridyl complex.

Figure 2010083852
Figure 2010083852

この方法は、出発物質である2−フェニルピリジンのオルト位のブロモ化、次いでリチオ化を行った後、Pt(SEt)Clと反応させることにより、収率30%でビスフェニルピリジル錯体を得るというものである。しかしながら、この製造方法では、金属錯体の合成方法として煩雑である上、収率が低いという問題点があった。
国際公開第2000/57676号パンフレット Appl.Phys.Lett.,75巻、4頁、1999年 Inorg.Chem.,35巻、4833頁、1996年
In this method, bromination of ortho-position of 2-phenylpyridine, which is a starting material, followed by lithiation, followed by reaction with Pt (SEt 2 ) Cl 2 yields a bisphenylpyridyl complex in a yield of 30%. Is to get. However, this production method has problems that the method for synthesizing the metal complex is complicated and the yield is low.
International Publication No. 2000/57676 Pamphlet Appl. Phys. Lett., 75, 4, pp. 1999 Inorg. Chem., 35, 4833, 1996

本発明は、従来の方法に比べて容易にかつ収率よく金属錯体を製造することができる金属錯体の製造方法を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a method for producing a metal complex, which can produce a metal complex easily and with a higher yield than conventional methods.

本発明者らが鋭意検討した結果、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物を用いることにより、金属錯体、特に白金錯体を効率よく製造することができることが分かり本発明に到達した。   As a result of intensive studies by the present inventors, it was found that by using a compound having a partial structure represented by the following formula (1), a metal complex, particularly a platinum complex, can be produced efficiently, and the present invention has been achieved. .

すなわち、本発明の要旨は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物を用いて製造することを特徴とする金属錯体の製造方法、
該製造方法により製造された金属錯体、
並びに、
陽極、陰極、および該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が該金属錯体を含有することを特徴とする、有機電界発光素子、
に存する。
That is, the gist of the present invention is to produce a metal complex characterized in that it is produced using a compound having a partial structure represented by the following formula (1):
A metal complex produced by the production method,
And
An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic layer provided between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains the metal complex,
Exist.

Figure 2010083852
Figure 2010083852

(式(1)中、Mは、周期表の第4〜7周期の金属から選ばれる金属元素である。X11〜X26は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。) (In the formula (1), M represents a metal element selected from the fourth to seventh periods of metals of the Periodic Table .X 11 to X 26 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, X 11 at least one of to X 26 is a halogen atom.)

なお、本明細書において特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。   In this specification, unless otherwise specified, the term “periodic table” refers to a long-period periodic table.

前記式(1)で表される部分構造を有する化合物を用いる本発明の金属錯体の製造方法であれば、適当な溶剤に式(1)で表される部分構造を有する化合物と所望の配位子化合物とを溶解させて反応させるのみで、当該所望の配位子を有する金属錯体を得ることができ、従来の方法に比べ、反応のステップ数が少なく、容易に金属錯体を製造することができ、また、従来の方法に比べ、収率も向上する。   If it is a manufacturing method of the metal complex of this invention using the compound which has the partial structure represented by said Formula (1), the compound which has the partial structure represented by Formula (1), and desired coordination in the suitable solvent The metal complex having the desired ligand can be obtained simply by dissolving and reacting with the child compound, and the number of reaction steps is less than that of the conventional method, and the metal complex can be easily produced. In addition, the yield is improved as compared with the conventional method.

本発明によれば、反応させる配位子を選択することにより、発光特性に優れた金属錯体を製造することができ、このようにして製造された金属錯体を用いて、発光効率の高い有機電界発光素子を工業的に有利に製造することが可能となる。   According to the present invention, a metal complex having excellent light emission characteristics can be produced by selecting a ligand to be reacted, and an organic electric field with high luminous efficiency can be produced using the metal complex thus produced. It becomes possible to manufacture the light emitting element industrially advantageously.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はこれらの内容に特定されるものではない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail below. However, the description of constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention is specified by these contents. is not.

[金属錯体の製造方法]
本発明の金属錯体の製造方法は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物(以下「式(1)の化合物」と称す場合がある。)を用いて金属錯体を製造することを特徴とする。
[Method for producing metal complex]
The method for producing a metal complex of the present invention comprises producing a metal complex using a compound having a partial structure represented by the following formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “compound of formula (1)”). It is characterized by.

Figure 2010083852
Figure 2010083852

(式(1)中、Mは、周期表の第4〜7周期の金属から選ばれる金属元素である。X11〜X26は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。) (In the formula (1), M represents a metal element selected from the fourth to seventh periods of metals of the Periodic Table .X 11 to X 26 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, X 11 at least one of to X 26 is a halogen atom.)

具体的には、式(1)の化合物に所望の配位子を反応させて、式(1)の化合物の金属元素Mに配位する配位子と置換してこれを導入することにより、金属元素Mに所望の配位子が配位した金属錯体を得る。この反応は、通常、適当な溶剤に式(1)の化合物と導入すべき所望の配位子化合物とを混合溶解させて、加熱することにより、円滑に進行させることができる。   Specifically, by reacting a desired ligand with the compound of the formula (1) and replacing the ligand coordinated with the metal element M of the compound of the formula (1), this is introduced, A metal complex in which a desired ligand is coordinated to the metal element M is obtained. This reaction can usually proceed smoothly by mixing and dissolving the compound of formula (1) and the desired ligand compound to be introduced in an appropriate solvent and heating.

<式(1)の化合物>
式(1)において、Mは、周期表の第4〜7周期の金属から選ばれる金属元素であるが、発光性を得ることから、Mとしては、周期表の第4〜7周期の第7〜13族の元素であることが好ましく、その中でも、Cu,Zn,Ru,Rh,Pd,Ag,Cd,Re,Os,Ir,Pt,Auが好ましく、さらに好ましくは、Os,Ir,Pt,Auが好ましく、特に好ましくはPtである。
<Compound of formula (1)>
In the formula (1), M is a metal element selected from metals in the 4th to 7th periods of the periodic table, and since M is obtained, M is the 7th period in the 4th to 7th periods of the periodic table. ˜13 elements are preferable, and among them, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Re, Os, Ir, Pt, Au are preferable, and Os, Ir, Pt, Au is preferable, and Pt is particularly preferable.

11〜X26は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。X11〜X26は同一であっても異なっていてもよい。
11〜X26が置換基である場合、その置換基としては、以下のようなものが挙げられる。
X 11 to X 26 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, at least one of X 11 to X 26 is a halogen atom. X 11 to X 26 may be the same or different.
When X 11 to X 26 are substituents, examples of the substituent include the following.

置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数1〜8の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、2−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。)
置換基を有していてもよいアルケニル基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数2〜9のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、1−ブテニル基などが挙げられる。)
置換基を有していてもよいアルキニル基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数2〜9のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。)
置換基を有していてもよいアラルキル基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数7〜15のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。)
置換基を有していてもよいアシル基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数1〜10のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基などが挙げられる。)
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。)
置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基(好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数2〜10のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。)
ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。)
カルボキシ基
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えば、置換基を有していてもよい、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、5または6員環の単環または2〜5縮合環由来の基が挙げられる。)
置換基を有していてもよい芳香族複素環基(例えば、置換基を有していてもよい、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基が挙げられる。)
An alkyl group which may have a substituent (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, such as a methyl group, an ethyl group, n- (Propyl group, 2-propyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, etc.)
An alkenyl group which may have a substituent (preferably an alkenyl group having 2 to 9 carbon atoms which may have a substituent, for example, a vinyl group, an allyl group, a 1-butenyl group, etc. )
An alkynyl group which may have a substituent (preferably an alkynyl group having 2 to 9 carbon atoms which may have a substituent, such as an ethynyl group and a propargyl group).
Aralkyl group which may have a substituent (preferably, an aralkyl group having 7 to 15 carbon atoms which may have a substituent, such as benzyl group).
An acyl group which may have a substituent (preferably an acyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, such as a formyl group, an acetyl group and a benzoyl group. )
An alkoxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. .)
An alkylcarbonyloxy group which may have a substituent (preferably an alkylcarbonyloxy group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, such as an acetoxy group).
Halogen atoms (including fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms)
Carboxy group An aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, which may have a substituent, And groups derived from 5- or 6-membered monocyclic rings or 2 to 5 condensed rings such as benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc.)
An aromatic heterocyclic group which may have a substituent (for example, an optionally substituted furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxa Diazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole Ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, benzoimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, etc. Groups derived from 2-4 condensed rings And the like.)

上記置換基のうち、置換基を有していてもよいアルキル基およびハロゲン原子が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、中でもフッ素原子が好ましい。   Of the above substituents, an alkyl group and a halogen atom which may have a substituent are preferable, a halogen atom is more preferable, and a fluorine atom is particularly preferable.

また、上述した各置換基が有しうる置換基としては、例えば、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、炭素数1〜6のアルキルアミノ基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基、炭素数1〜6のアルキルチオ基、炭素数6〜10のアリールチオ基、炭素数2〜20のアシル基などが挙げられる。   Moreover, as a substituent which each substituent mentioned above may have, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C6-C10 aryloxy group, C1-C1 6 alkylamino groups, aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms, alkylthio groups having 1 to 6 carbon atoms, arylthio groups having 6 to 10 carbon atoms, acyl groups having 2 to 20 carbon atoms, and the like.

尚、X11〜X26は、同一であっても異なっていてもよいが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。特に、X11〜X26の全てがハロゲン原子であることが好ましく、特にX11〜X26の全てがフッ素原子であることが好ましい。 X 11 to X 26 may be the same or different, but at least one of X 11 to X 26 is a halogen atom. In particular, it is preferable that all of X 11 to X 26 are halogen atoms, and it is particularly preferable that all of X 11 to X 26 are fluorine atoms.

特に、式(1)の化合物は、下記式(1−1)で表される化合物であることが好ましい。   In particular, the compound of the formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (1-1).

Figure 2010083852
Figure 2010083852

式(1−1)中、Mは、前記式(1)におけると同義である。
nは、Mの価数を表し、2または3である。
〜Xは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例としては、上記式(1)におけるX11〜X26の置換基の具体例と同様であり、好ましいものも同様である。
In formula (1-1), M has the same meaning as in formula (1).
n represents the valence of M and is 2 or 3.
X 1 to X 6 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. Specific examples of the substituent are the same as the specific examples of the substituent of X 11 to X 26 in the above formula (1), and preferable ones are also the same.

また、分子内に存在するn個のX〜Xは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。尚、分子内に存在するn個のX〜Xのうち少なくとも1つはハロゲン原子である。 Moreover, n pieces of X 1 to X 6 existing in the molecule may be the same or different. Note that at least one of n X 1 to X 6 present in the molecule is a halogen atom.

式(1)の化合物の分子量は、その置換基も含めて、好ましくは350以上、より好ましくは400以上、通常3500以下、好ましくは2000以下、より好ましくは1200以下、特に好ましくは800以下である。分子量が小さい方が、製造工程における使用効率の面で好ましい。   The molecular weight of the compound of the formula (1) is preferably 350 or more, more preferably 400 or more, usually 3500 or less, preferably 2000 or less, more preferably 1200 or less, particularly preferably 800 or less, including its substituents. . A smaller molecular weight is preferable in terms of use efficiency in the production process.

尚、式(1)の化合物は、例えば、Bull.Chem.Soc.Jpn.,54巻,1978頁,1981年に記載の方法などにより合成することができる。   In addition, the compound of Formula (1) is described in Bull. Chem. Soc. Jpn., 54, 1978, 1981.

以下に、式(1)の化合物の具体例を挙げるが、式(1)の化合物はこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the compound of the formula (1) are shown below, but the compound of the formula (1) is not limited to these.

Figure 2010083852
Figure 2010083852

これらの中でも、配位子にトリフルオロメチル基をもつもの、特に、式(1)におけるX11〜X13、X14〜X16、X21〜X23またはX24〜X26がそれぞれフッ素原子であることにより、トリフルオロメチル基となっているものが好ましい。トリフルオロメチル基をもつことで、配位子が中心金属Mから外れやすくなり、他の配位子に置換されやすい化合物となると考えられる。特に下記式で表される化合物は、配位子にトリフルオロメチル基をもつことで、配位子が中心金属のPtから外れやすく、他の配位子に置換されやすい化合物であると考えられる。 Among these, those having a trifluoromethyl group as a ligand, in particular, X 11 to X 13 , X 14 to X 16 , X 21 to X 23 or X 24 to X 26 in formula (1) are each a fluorine atom. Therefore, a trifluoromethyl group is preferable. By having a trifluoromethyl group, it is considered that the ligand is easily detached from the central metal M and becomes a compound that is easily substituted with another ligand. In particular, the compound represented by the following formula is considered to be a compound that has a trifluoromethyl group in the ligand, so that the ligand is easily removed from the central metal Pt and is easily substituted by another ligand. .

Figure 2010083852
Figure 2010083852

<溶剤>
反応に用いる溶剤としては、種々の溶剤が適用可能であり、特に限定されない。例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等の有機溶剤や、水が挙げられる。
<Solvent>
As the solvent used for the reaction, various solvents are applicable and are not particularly limited. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and other aromatic ethers; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic esters such as ethyl, propyl benzoate and n-butyl benzoate; ketones having an alicyclic ring such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; cyclohexanol and cyclooctano Alcohol having an alicyclic ring such as but; aliphatic alcohol such as butanol, hexanol, glycerin, ethylene glycol, propylene glycol; ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA), methoxyethanol Aliphatic solvents such as ethoxyethanol and methoxypropanol; organic solvents such as aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate and n-butyl lactate; and water.

反応基質の溶解性、金属イオンの安定化等の意味合いで、反応溶剤は極性を有する溶剤を含むことが好ましく、特に、アルコール性OH基を有する溶剤を含むことが好ましく、好ましくは、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール等の脂肪族エーテルが反応溶剤として好適に用いられる。   In terms of the solubility of the reaction substrate, the stabilization of metal ions, etc., the reaction solvent preferably contains a polar solvent, particularly preferably contains a solvent having an alcoholic OH group, preferably methoxyethanol, Aliphatic ethers such as ethoxyethanol and methoxypropanol are preferably used as the reaction solvent.

これらの溶剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。   These solvents may be used alone or in combination of two or more.

<配位子>
式(1)の化合物に反応させる配位子としては、所望の配位子が用いられるが、有機電界発光素子に供することが可能な発光性金属錯体を製造するには、例えば、MRS Bulletin 32巻,694頁,2007年の本文および引用文献等に記載の配位子が用いられる。好ましくは1種以上の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含む配位子と、必要に応じて、補助配位子として1価の配位子を用いることができる。
<Ligand>
As a ligand to be reacted with the compound of the formula (1), a desired ligand is used. To produce a luminescent metal complex that can be used for an organic electroluminescent device, for example, MRS Bulletin 32 The ligands described in the volume, page 694, the text of 2007 and cited references are used. Preferably, a ligand containing one or more aromatic hydrocarbon rings or aromatic heterocycles and, if necessary, a monovalent ligand can be used as an auxiliary ligand.

芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含む配位子を以下に例示するが、本発明で用いる配位子は以下のものに限定されない。   Although the ligand containing an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring is illustrated below, the ligand used by this invention is not limited to the following.

Figure 2010083852
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Figure 2010083852
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Figure 2010083852
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また、1価の配位子としては、特開2005−344124号公報に記載のモノアニオン性二座配位子などを用いることができる。具体的には、アセチルアセトネート基、トリフルオロアセチルトリフルオロアセトネート基、ピコリン酸基、スルホニルピリジル基、リン酸誘導体などが挙げられる。   Moreover, as a monovalent ligand, the monoanionic bidentate ligand etc. which are described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-344124 etc. can be used. Specific examples include an acetylacetonate group, a trifluoroacetyltrifluoroacetonate group, a picolinic acid group, a sulfonylpyridyl group, and a phosphoric acid derivative.

<反応比率及び濃度>
反応に供する上述の式(1)の化合物と配位子との比率は、式(1)の化合物に対して、配位子を1部置換させる反応であれば、式(1)の化合物1部に対して通常配位子0.1〜2部であり、好ましくは0.8〜1.5部、さらに好ましくは0.9〜1.1部である。
また、式(1)の化合物に対して、配位子を2部置換させる場合は、通常配位子1〜4部であり、好ましくは1.6〜3部、さらに好ましくは1.8〜2.2部である。
また、式(1)の化合物に対して、配位子をm部置換させる場合は、通常配位子m×0.5〜m×2部であり、好ましくはm×0.8〜m×1.5部、さらに好ましくはm×0.9〜m×1.1部である。
ただし、2部以上置換させる場合、2部一度に置換しても構わないし、1部ずつ2段階以上で置換してもよい。
なお、上記反応比率の「部」とは「モル部」をさす。
<Reaction ratio and concentration>
If the ratio of the compound of the above formula (1) and the ligand subjected to the reaction is a reaction in which 1 part of the ligand is substituted for the compound of the formula (1), the compound 1 of the formula (1) The amount of ligand is usually 0.1 to 2 parts, preferably 0.8 to 1.5 parts, more preferably 0.9 to 1.1 parts.
Moreover, when 2 parts of ligands are substituted with respect to the compound of Formula (1), it is 1-4 parts normally, Preferably it is 1.6-3 parts, More preferably, 1.8- 2.2 parts.
In addition, when m parts of the ligand are substituted with respect to the compound of the formula (1), the ligand is usually m × 0.5 to m × 2 parts, preferably m × 0.8 to m ×. 1.5 parts, more preferably m × 0.9 to m × 1.1 parts.
However, when replacing two or more parts, two parts may be replaced at a time, or one part may be replaced in two or more stages.
The “part” in the above reaction ratio refers to “mole part”.

前記溶剤に式(1)の化合物及び配位子を溶解させて得られる反応液中の式(1)の化合物及び配位子の濃度は、高過ぎると副反応を生じる場合があり、低過ぎると反応効率や収率が低くなったり、反応時間が長くなったりする場合があることから、式(1)の化合物及び配位子の合計の濃度で、5〜1000mg/ml−溶剤、特に10〜500mg/ml−溶剤とすることが好ましい。   If the concentration of the compound of formula (1) and the ligand in the reaction solution obtained by dissolving the compound of formula (1) and the ligand in the solvent is too high, side reactions may occur, and the concentration is too low. And the reaction efficiency and yield may be lowered and the reaction time may be prolonged. Therefore, the total concentration of the compound of formula (1) and the ligand is 5 to 1000 mg / ml-solvent, particularly 10 It is preferable to set it as -500mg / ml-solvent.

<反応条件等>
反応温度は、通常50〜250℃、好ましくは70〜200℃である。反応温度が低すぎると反応の進行が遅く、反応温度が高すぎると熱分解により、生成物が分解する恐れがある。
<Reaction conditions, etc.>
The reaction temperature is usually 50 to 250 ° C, preferably 70 to 200 ° C. If the reaction temperature is too low, the reaction proceeds slowly, and if the reaction temperature is too high, the product may be decomposed due to thermal decomposition.

反応時間は、通常1時間〜1週間、好ましくは1時間〜3日である。反応時間が長すぎると非効率な上、副生成物を生じる場合があり、短すぎると反応が完了しない場合がある。   The reaction time is usually 1 hour to 1 week, preferably 1 hour to 3 days. If the reaction time is too long, it may be inefficient and a by-product may be generated. If it is too short, the reaction may not be completed.

通常は、特に、触媒や酸、塩基を添加しなくても反応は進行するが、反応の効率化を目的に種々の添加剤を添加してもよい。例えば、酸として、酢酸、塩酸、硫酸などを添加してもよい。また、塩基として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、カリウム−t−ブトキシド、ナトリウム−t−ブトキシドなどを添加してもよい。酸や塩基は、基質により副反応を増長させる場合がある。   Usually, in particular, the reaction proceeds without adding a catalyst, an acid, or a base, but various additives may be added for the purpose of improving the efficiency of the reaction. For example, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid or the like may be added as the acid. Further, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium acetate, sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, potassium-t-butoxide, sodium-t-butoxide, or the like may be added as a base. Acids and bases may increase side reactions depending on the substrate.

また、本反応においては、反応途中にアセチルアセトン誘導体が生成する。このアセチルアセトン誘導体を効果的に系外に排出することにより反応の進行を速めることができる。
その方法としては、反応中に連続的にアセチルアセトン誘導体を留去する方法や、上述の酸や塩基で塩として沈殿させる方法などがある。
In this reaction, an acetylacetone derivative is generated during the reaction. By effectively discharging the acetylacetone derivative out of the system, the progress of the reaction can be accelerated.
As the method, there are a method of continuously distilling off the acetylacetone derivative during the reaction, a method of precipitation as a salt with the above-mentioned acid or base, and the like.

<精製>
反応終了後の精製方法としては、沈殿が生成した場合、濾過、再結晶により精製することができる。その他の場合についても、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留、昇華精製などの方法により精製することができる。
<Purification>
As a purification method after completion of the reaction, when a precipitate is formed, it can be purified by filtration and recrystallization. Also in other cases, it can be purified by methods such as recrystallization, column chromatography, distillation, sublimation purification and the like.

[金属錯体]
本発明の金属錯体の製造方法よれば、式(1)の化合物において、金属元素Mに配位している配位子の少なくとも一部が、反応に用いた配位子で置換された金属錯体を製造することができる。
本発明によれば、式(1)の化合物に反応させる配位子を選択することにより、励起状態から強い発光挙動を示す金属錯体を得ることもでき、このような金属錯体は、例えば有機電界発光素子に供することが可能な発光性金属錯体として用いられる。
[Metal complex]
According to the method for producing a metal complex of the present invention, in the compound of the formula (1), at least a part of the ligand coordinated to the metal element M is substituted with the ligand used in the reaction. Can be manufactured.
According to the present invention, by selecting a ligand to be reacted with the compound of formula (1), it is also possible to obtain a metal complex exhibiting a strong light emission behavior from an excited state. Used as a light-emitting metal complex that can be used for a light-emitting element.

このような発光性金属錯体としての用途において、特に、本発明の方法により製造される金属錯体は、下記式(2)で表される化合物またはその誘導体やビスフェニルピリジル誘導体であることが好ましい。   In use as such a light-emitting metal complex, the metal complex produced by the method of the present invention is particularly preferably a compound represented by the following formula (2), a derivative thereof, or a bisphenylpyridyl derivative.

Figure 2010083852
Figure 2010083852

(式(2)中、X30〜X35は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。) (In formula (2), X 30 to X 35 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.)

式(2)において、X30〜X35の置換基の具体例としては、上記式(1)におけるX11〜X26の置換基の具体例と同様であり、好ましいものも同様である。X30〜X35の置換基としては、特に置換基を有していてもよいアルキル基やハロゲン原子が好ましい。 In the formula (2), specific examples of the substituent of X 30 to X 35 are the same as the specific examples of the substituent of X 11 to X 26 in the above formula (1), and preferable ones are also the same. As the substituent for X 30 to X 35 , an alkyl group which may have a substituent or a halogen atom is particularly preferable.

なお、本発明により得られる金属錯体は、通常、分子量400以上、好ましくは600以上、通常2000以下であり、好ましくは1500以下である。   The metal complex obtained by the present invention has a molecular weight of usually 400 or more, preferably 600 or more and usually 2000 or less, preferably 1500 or less.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極、および該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が上述の本発明の方法により製造された金属錯体を含有することを特徴とするものである。有機層としては、陽極と陰極の間に有する層であれば、いずれでもよい。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic layer provided between the anode and the cathode, wherein the organic layer is produced by the method of the present invention described above. It contains a metal complex. Any organic layer may be used as long as it is a layer between the anode and the cathode.

以下に、本発明の方法により製造された金属錯体を用いる本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図1を参照して説明する。   Below, the layer structure of the organic electroluminescent element of the present invention using the metal complex produced by the method of the present invention, the general formation method thereof, and the like will be described with reference to FIG.

図1は本発明の方法により製造された金属錯体を用いる本発明の有機電界発光素子10の構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device 10 of the present invention using a metal complex produced by the method of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, and 3 is a positive electrode. Hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, 6 is a hole blocking layer, 7 is an electron transport layer, 8 is an electron injection layer, and 9 is a cathode.

このような有機電界発光素子において、本発明の製造方法により製造された金属錯体は、発光層に用いられることが好ましいが、他の層に用いられてもよい。本発明の金属錯体が発光層に用いられる場合、本発明の金属錯体は発光層中に含まれる発光材料として使用されることが好ましく、特に他の材料をホスト材料として、本発明の金属錯体がドーパント材料として使用されることが好ましい。   In such an organic electroluminescent device, the metal complex produced by the production method of the present invention is preferably used for the light emitting layer, but may be used for other layers. When the metal complex of the present invention is used in a light emitting layer, the metal complex of the present invention is preferably used as a light emitting material contained in the light emitting layer, and the metal complex of the present invention is particularly used with another material as a host material. It is preferably used as a dopant material.

なお、このような有機電界発光素子10において、陽極2と陰極9との間の有機層を湿式成膜法で形成する場合は、以下に記載の各層の材料を溶剤に分散または溶解させて塗布用組成物を作製し、この塗布用組成物を用いて成膜すればよい。   In addition, in such an organic electroluminescent element 10, when the organic layer between the anode 2 and the cathode 9 is formed by a wet film forming method, the material of each layer described below is dispersed or dissolved in a solvent and applied. A composition for coating may be prepared and a film may be formed using this coating composition.

ここで、湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷等の溶剤を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。これらの湿式成膜法のうち、パターニングのし易さという点で、ダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。   Here, the wet film forming method is a spin coating method, a dip coating method, a die coating method, a bar coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a capillary coating method, an ink jet method, a screen printing method, and a gravure printing. A method of forming a film using an ink containing a solvent, such as a printing method, a flexographic printing method, and offset printing. Among these wet film forming methods, a die coating method, a roll coating method, a spray coating method, an ink jet method, and a flexographic printing method are preferable from the viewpoint of easy patterning.

以下、図1の有機電界発光素子の基板、電極(陽極、陰極)、電極間に形成される各層について説明する。   Hereinafter, the substrate, electrodes (anode, cathode), and each layer formed between the electrodes of the organic electroluminescent element of FIG. 1 will be described.

{基板}
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
{substrate}
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

{陽極}
陽極2は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
{anode}
The anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer side.
This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or It is composed of a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. In addition, when forming the anode 2 using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution It is also possible to form the anode 2 by dispersing it and applying it onto the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。   The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   For the purpose of removing impurities adhering to the anode 2 and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property, the surface of the anode 2 is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.

{正孔注入層}
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
以下、まず正孔注入層3に含有される成分を説明し、次に正孔注入層3の形成方法について説明する。
{Hole injection layer}
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.
Hereinafter, components contained in the hole injection layer 3 will be described first, and then a method for forming the hole injection layer 3 will be described.

<正孔注入層の材料>
正孔注入層3の材料は、正孔注入層3に含有されるものである。この、正孔注入層3を湿式成膜法で形成する場合は、正孔注入層形成用の塗布用組成物(以下、適宜「正孔注入層用組成物」ということがある)に、正孔注入層の材料が含有される。この正孔注入層3の材料は、正孔注入層3を形成しうるものであれば特に制限は無い。ただし、通常は、正孔注入層3の材料として、ポリマーおよび電子受容性化合物を用いる。さらに、正孔注入層3の材料として、それ以外の成分を用いてもよい。以下、これらの正孔注入層の材料について説明する。
<Material of hole injection layer>
The material of the hole injection layer 3 is contained in the hole injection layer 3. When the hole injection layer 3 is formed by a wet film forming method, a positive hole injection layer forming coating composition (hereinafter sometimes referred to as a “hole injection layer composition”) is added to the positive electrode. The material of the hole injection layer is contained. The material of the hole injection layer 3 is not particularly limited as long as it can form the hole injection layer 3. However, a polymer and an electron accepting compound are usually used as the material for the hole injection layer 3. Furthermore, other components may be used as the material for the hole injection layer 3. Hereinafter, materials of these hole injection layers will be described.

(ポリマー)
正孔注入層3の材料として用いられるポリマーの種類は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。ただし、その中でも、正孔輸送性を有するポリマー(高分子量の正孔輸送性化合物。以下適宜、「正孔輸送性ポリマー」という)が好ましく、この観点から、4.5eV〜5.5eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物であることが好ましい。なお、イオン化ポテンシャルは物質のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、光電子分光法で直接測定されるか、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正しても求められる。後者の方法の場合は、例えば、飽和甘コウ電極(SCE)を基準電極として用いたとき、下記式で表される(“Molecular Semiconductors”,Springer-Verlag,98頁,1985年)。
イオン化ポテンシャル = 酸化電位(vs.SCE)+4.3eV
(polymer)
The kind of the polymer used as the material for the hole injection layer 3 is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. However, among them, a polymer having a hole transporting property (a high molecular weight hole transporting compound, hereinafter referred to as “hole transporting polymer” as appropriate) is preferable. From this viewpoint, ionization of 4.5 eV to 5.5 eV is preferable. A compound having a potential is preferable. The ionization potential is defined as the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of a material to the vacuum level, and can be measured directly by photoelectron spectroscopy or electrochemically. It is also obtained by correcting the oxidized potential with respect to the reference electrode. In the case of the latter method, for example, when a saturated sweet potato electrode (SCE) is used as a reference electrode, it is represented by the following formula (“Molecular Semiconductors”, Springer-Verlag, page 98, 1985).
Ionization potential = oxidation potential (vs. SCE) + 4.3 eV

正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性ポリマーの重量平均分子量は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1000以上、好ましくは2000以上、より好ましくは3000以上、また、通常50万以下、好ましくは20万以下、より好ましくは10万以下である。   The weight average molecular weight of the hole transporting polymer used as the material of the hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1000 or more, preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, Usually, it is 500,000 or less, preferably 200,000 or less, more preferably 100,000 or less.

正孔輸送性ポリマーの例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも、非晶質性、溶剤への溶解度、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。   Examples of the hole transporting polymer include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness, solubility in solvents, and visible light transmittance.

芳香族アミン化合物の中でも、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。なお、ここでいう芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、100万以下の高分子化合物が更に好ましい。   Of the aromatic amine compounds, aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable. In addition, the aromatic tertiary amine compound here is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine. The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect.

正孔輸送性ポリマーは1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   Only 1 type may be used for a positive hole transport polymer, and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

正孔注入層3中の正孔輸送性ポリマーの割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、正孔注入層3全体に対する重量百分率の値で、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、また、通常99.9重量%以下、好ましくは99重量%以下である。なお、2種以上のポリマーを併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにすることが好ましい。   The ratio of the hole transporting polymer in the hole injection layer 3 is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but is usually 10% by weight or more, preferably in terms of the weight percentage with respect to the whole hole injection layer 3. Is 30% by weight or more, usually 99.9% by weight or less, preferably 99% by weight or less. In addition, when using 2 or more types of polymers together, it is preferable that these total content is contained in the said range.

(電子受容性化合物)
正孔注入層3の材料として用いられる電子受容性化合物の種類は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。その例としては、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩;塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素等が挙げられる。
(Electron-accepting compound)
The kind of the electron-accepting compound used as the material for the hole injection layer 3 is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples thereof include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate; No. 251067), high-valent inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene; aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365); fullerene derivatives ; Iodine etc. are mentioned.

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。さらに、強い酸化力と高い溶解性とを両立する点から、有機基の置換したオニウム塩が最も好ましい。   Of the above compounds, an onium salt substituted with an organic group is preferable in terms of having strong oxidizing power, and an inorganic compound having a high valence is preferable, and an onium salt substituted with an organic group in terms of being soluble in various solvents, A cyano compound and an aromatic boron compound are preferable. Furthermore, an onium salt substituted with an organic group is most preferable from the viewpoint of achieving both strong oxidizing power and high solubility.

正孔注入層3の材料としては、電子受容性化合物は、何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   As a material for the hole injection layer 3, any one of the electron-accepting compounds may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

正孔注入層3および正孔注入層用組成物中における電子受容性化合物の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、正孔輸送性ポリマーおよび後述の正孔輸送性化合物に対する値で、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%以上、また、通常100重量%以下、好ましくは60重量%以下、更に好ましくは50重量%以下である。電子受容性化合物の量は多い方が不溶化しやすいため好ましく、加熱時間が短時間で不溶化することができるが、過度に多いと成膜性が低下したり、電荷注入・輸送性が低下したりする恐れがある。なお、2種以上の電子受容性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The content of the electron-accepting compound in the hole injection layer 3 and the composition for hole injection layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. The value relative to the compound is usually 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more, and usually 100% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. A larger amount of the electron-accepting compound is preferable because it is more easily insolubilized, and can be insolubilized in a short time. However, if it is excessively large, the film formability is lowered, and the charge injection / transport property is lowered. There is a fear. In addition, when using together 2 or more types of electron-accepting compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

(低分子量の正孔輸送性化合物)
正孔注入層3の材料としては、必要に応じて低分子量の正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。低分子量の正孔輸送性化合物は、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として利用されてきた各種の化合物の中から、適宜選択することが可能である。中でも、溶剤溶解性の高いものが好ましい。
(Low molecular weight hole transport compound)
As a material for the hole injection layer 3, it is preferable to use a low molecular weight hole transporting compound as necessary. The low molecular weight hole transporting compound can be appropriately selected from various compounds conventionally used as a hole injecting / transporting thin film forming material in an organic electroluminescence device. Among them, those having high solvent solubility are preferable.

低分子量の正孔輸送性化合物の好ましい例としては、芳香族アミン化合物が挙げられる。中でも、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。   Preferable examples of the low molecular weight hole transporting compound include aromatic amine compounds. Of these, aromatic tertiary amine compounds are particularly preferred.

なお、低分子量の正孔輸送性化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常200以上、好ましくは400以上、より好ましくは600以上であり、また、通常5000以下、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下、更に好ましくは1700以下、特に好ましくは1400以下の範囲である。分子量が小さ過ぎると耐熱性が低くなる傾向がある一方で、低分子量の正孔輸送性化合物の分子量が大き過ぎると合成および精製が困難となる傾向がある。   The molecular weight of the low molecular weight hole transporting compound is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 200 or more, preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and usually 5000 or less. The range is preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, still more preferably 1700 or less, and particularly preferably 1400 or less. If the molecular weight is too small, the heat resistance tends to be low, whereas if the molecular weight of the low molecular weight hole transporting compound is too large, synthesis and purification tend to be difficult.

なお、低分子量の正孔輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, a low molecular weight hole transportable compound may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

(その他の成分)
正孔注入層3の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述した正孔輸送性ポリマー、電子受容性化合物および低分子量の正孔輸送性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させても良い。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダ、樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
(Other ingredients)
As a material for the hole injection layer 3, in addition to the above-described hole transporting polymer, electron accepting compound, and low molecular weight hole transporting compound, in addition to the above-described hole transporting polymer, other components, as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. May be included. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binders, resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

<正孔注入層の形成>
湿式成膜法により正孔注入層3を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物を調製し、これを塗布、成膜して形成する。正孔注入層3の形成に蒸着法、またはその他の方法を用いてもよいが、正孔注入層3は、中でも湿式成膜法で形成することが好ましい。
<Formation of hole injection layer>
When the hole injection layer 3 is formed by a wet film forming method, the above-described material is dissolved in an appropriate solvent to prepare a coating composition, which is applied and formed into a film. Vapor deposition or other methods may be used to form the hole injection layer 3, but the hole injection layer 3 is preferably formed by a wet film formation method.

正孔注入層3を湿式成膜法で形成する場合、正孔注入層用組成物に含有させる正孔注入層用溶剤としては、正孔注入層3の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の正孔輸送性ポリマー、電子受容性化合物および必要に応じて用いられる低分子量の正孔輸送性化合物といった正孔注入層3の材料のうち、少なくとも1種、中でも2種以上、特には全ての材料を、溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、正孔輸送性ポリマーを通常0.005重量%以上、中でも0.5重量%以上、特には1重量%以上溶解することが好ましく、電子受容性化合物を通常0.001重量%以上、中でも0.1重量%以上、特には0.2重量%以上溶解することが好ましい。   When the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method, any solvent can be used as the hole injection layer solvent to be included in the hole injection layer composition as long as the hole injection layer 3 can be formed. Can be used. However, at least one of the materials of the hole injection layer 3 such as the above-described hole transporting polymer, electron accepting compound, and low molecular weight hole transporting compound used as necessary, particularly two or more, particularly Is preferably capable of dissolving all materials. Specifically, the hole-transporting polymer is usually 0.005% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, and particularly preferably 1% by weight or more at room temperature and normal pressure. It is preferable to dissolve the functional compound in an amount of usually 0.001% by weight or more, particularly 0.1% by weight or more, and particularly 0.2% by weight or more.

正孔注入層用溶剤としては、疎水性の溶剤を用いることが好ましく、好ましい溶剤としては、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤が挙げられる。具体的には、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤;ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   As the hole injection layer solvent, a hydrophobic solvent is preferably used, and preferred solvents include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, and amide solvents. Specifically, examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1, 3 -Aromatic ethers such as dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole; ethyl acetate, n-butyl acetate, Aliphatic esters such as ethyl lactate and n-butyl lactate; Aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate; benzene, toluene, xylene, etc. Aromatic carbonization Motokei solvent; N, N-dimethylformamide, N, N-amide solvent of dimethylacetamide and the like; dimethyl sulfoxide and the like. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

ただし、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は、電子受容性化合物とポリマーを溶解する能力が低いため、エーテル系溶剤およびエステル系溶剤と混合して用いることが好ましい。   However, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene have a low ability to dissolve the electron-accepting compound and the polymer, and are therefore preferably used in a mixture with an ether solvent and an ester solvent.

正孔注入層用組成物に対する正孔注入層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、更に好ましくは99.9重量%以下の範囲である。なお、正孔注入層用溶剤として2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。   The ratio of the hole injection layer solvent to the hole injection layer composition is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50%. It is in the range of not less than weight, usually not more than 99.999% by weight, preferably not more than 99.99% by weight, and more preferably not more than 99.9% by weight. In addition, when mixing and using 2 or more types of solvents as a solvent for positive hole injection layers, it is made for the sum total of these solvents to satisfy | fill this range.

正孔注入層用組成物の塗布・成膜後、得られた塗膜を乾燥し、正孔注入層用溶剤を除去することにより、正孔注入層が形成される。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。   After the application / film formation of the composition for hole injection layer, the resulting coating film is dried and the solvent for hole injection layer is removed to form a hole injection layer. The method of the wet film forming method is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, and any of the methods described above can be used.

なお、正孔注入層3の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。   The thickness of the hole injection layer 3 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

{正孔輸送層}
図1において、正孔注入層3の上には正孔輸送層4が形成される。
{Hole transport layer}
In FIG. 1, a hole transport layer 4 is formed on the hole injection layer 3.

正孔輸送層4を形成する材料としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4’’−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で用いてもよいし、必要に応じて複数種混合して用いてもよい。   The material for forming the hole transport layer 4 includes two or more tertiary amines typified by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl. It has a starburst structure such as an aromatic diamine in which a condensed aromatic ring is substituted with a nitrogen atom (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine, etc. Aromatic amine compounds (J. Lumin., 72-74, 985, 1997), aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chem. Commun., 2175, 1996), 2, Spiro compounds such as 2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′-spirobifluorene (Synth. Metals, 91, 209, 199 Year), 4,4'-N, such as a carbazole derivative such as N'- dicarbazole biphenyl. These compounds may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of multiple types as needed.

上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等の高分子材料が挙げられる。   In addition to the above compounds, polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech.) Containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), and tetraphenylbenzidine as a material for the hole transport layer 4. 7, Vol. 33, 1996).

また、正孔輸送層4は、重合性基を有する化合物を、熱および/または活性エネルギー線(紫外線、電子線、赤外線、マイクロ波等)の照射等により重合(架橋)して得られる層であることが好ましい。
ここで「重合性基」とは、熱および/または活性エネルギー線の照射により、近傍に位置する他の分子の同一または異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基をいう。重合性基としては、特に限定されるものではないが、例えば、不飽和二重結合、環状エーテル、ベンゾシクロブテン等を含む基が好ましい。
重合性化合物の例としては、これらの重合性基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーが挙げられるが、中でもモノマーが好ましい。
The hole transport layer 4 is a layer obtained by polymerizing (crosslinking) a compound having a polymerizable group by irradiation with heat and / or active energy rays (ultraviolet rays, electron beams, infrared rays, microwaves, etc.). Preferably there is.
Here, the “polymerizable group” refers to a group that reacts with the same or different groups of other molecules located nearby by irradiation with heat and / or active energy rays to form a new chemical bond. Although it does not specifically limit as a polymeric group, For example, group containing an unsaturated double bond, cyclic ether, benzocyclobutene, etc. is preferable.
Examples of the polymerizable compound include monomers, oligomers, and polymers having these polymerizable groups. Among these, monomers are preferable.

重合性化合物の具体例としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、2,4,6−トリフェニルピリジン誘導体、C60誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体誘導体等が挙げられる。中でも、電気化学的安定性および電荷輸送性が高いという理由から、トリフェニルアミンの部分構造と重合性基とを有する化合物が特に好ましい。 Specific examples of the polymerizable compound, for example, triarylamine derivatives, carbazole derivatives, fluorene derivatives, 2,4,6-triphenyl pyridine derivatives, C 60 derivatives, oligothiophene derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, condensed polycyclic An aromatic derivative, a metal complex derivative, etc. are mentioned. Among these, a compound having a partial structure of triphenylamine and a polymerizable group is particularly preferred because of its high electrochemical stability and charge transportability.

正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。   The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

正孔輸送層4は、真空蒸着法で形成されても、湿式成膜法で形成されてもよい。湿式成膜法で形成する場合には、上記正孔輸送層に用いる化合物と溶剤とを含有する塗布用組成物を調製し、該組成物を成膜する。成膜後、重合性化合物を熱および/または活性エネルギー線(紫外線、電子線、赤外線、マイクロ波等)の照射等により重合(架橋)させてもよい。   The hole transport layer 4 may be formed by a vacuum deposition method or a wet film formation method. When forming by the wet film-forming method, the coating composition containing the compound used for the said positive hole transport layer and a solvent is prepared, and this composition is formed into a film. After film formation, the polymerizable compound may be polymerized (crosslinked) by irradiation with heat and / or active energy rays (ultraviolet rays, electron beams, infrared rays, microwaves, etc.).

{発光層}
正孔注入層3の上、または正孔輸送層4を設けた場合には正孔輸送層4の上には発光層5が設けられる。発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極2から注入された正孔と、陰極9から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
{Light emitting layer}
When the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 is provided, the light emitting layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The light emitting layer 5 is a layer that is excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 between electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emitting source.

<発光層の材料>
発光層5は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物(正孔輸送性化合物)、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物(電子輸送性化合物)を含有する。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。通常発光材料をドーパント材料とし、正孔輸送性化合物または電子輸送性化合物をホスト材料として用いられる。
<Light emitting layer material>
The light emitting layer 5 contains at least a material having a light emitting property (light emitting material) as a constituent material, and preferably a compound having a hole transporting property (hole transporting compound) or an electron transport. A compound (electron transporting compound) having the following properties: There is no particular limitation on the light-emitting material, and a material that emits light at a desired light emission wavelength and has favorable light emission efficiency may be used. Usually, a light emitting material is used as a dopant material, and a hole transporting compound or an electron transporting compound is used as a host material.

本発明の製造方法により製造された金属錯体は、前述の如く、発光層に用いられることが好ましく、特に発光材料として用いられることが好ましいことから、この発光材料としては、本発明の金属錯体を含むことが好ましい。
また、発光層5は、電荷輸送性化合物を2成分以上含有していることが好ましい。更に、発光層5は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層5を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。
As described above, the metal complex produced by the production method of the present invention is preferably used for the light emitting layer, and particularly preferably used as the light emitting material. Therefore, the metal complex of the present invention is used as the light emitting material. It is preferable to include.
The light emitting layer 5 preferably contains two or more charge transporting compounds. Furthermore, the light emitting layer 5 may contain other components as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In addition, when forming the light emitting layer 5 with a wet film-forming method, it is preferable to use a low molecular weight material in any case.

(発光材料)
上述の如く、発光材料としては、本発明の金属錯体を用いることが好ましいが、以下、本発明の金属錯体を、発光層以外に用いる場合に、発光層の材料として使用される発光材料について説明する。これらの発光材料は本発明の金属錯体と共に発光層に用いられてもよい。
(Luminescent material)
As described above, it is preferable to use the metal complex of the present invention as the light emitting material. Hereinafter, the light emitting material used as the material of the light emitting layer when the metal complex of the present invention is used other than the light emitting layer will be described. To do. These light emitting materials may be used in the light emitting layer together with the metal complex of the present invention.

発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
Any known material can be applied as the light emitting material. For example, a fluorescent material or a phosphorescent material may be used, but a phosphorescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.
For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is preferable to reduce the symmetry and rigidity of the molecules of the luminescent material, or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.

以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光発光材料(青色蛍光色素)としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料(緑色蛍光色素)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(CNO)などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料(黄色蛍光色素)としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料(赤色蛍光色素)としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Hereinafter, examples of the fluorescent light emitting material among the light emitting materials will be described, but the fluorescent light emitting material is not limited to the following examples.
Examples of the fluorescent light-emitting material (blue fluorescent dye) that emits blue light include naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof.
Examples of the fluorescent light emitting material (green fluorescent dye) that gives green light emission include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Al (C 9 H 6 NO) 3 .
Examples of the fluorescent light emitting material (yellow fluorescent dye) that gives yellow light include rubrene, perimidone derivatives, and the like.
Examples of the fluorescent light-emitting material (red fluorescent dye) that emits red light include, for example, DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) -based compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, Examples thereof include benzothioxanthene derivatives and azabenzothioxanthene.

燐光発光材料としては、例えば、周期表第7〜11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。   Examples of the phosphorescent material include an organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

周期表第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。   Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.

錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。   As the ligand of the complex, a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or a (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable. A pyridine ligand and a phenylpyrazole ligand are preferable. Here, (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.

燐光発光材料として、具体的には、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2−フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2−フェニルピリジン)白金、トリス(2−フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2−フェニルピリジン)レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。   Specific examples of the phosphorescent material include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, tris (2- Phenylpyridine) osmium, tris (2-phenylpyridine) rhenium, octaethyl platinum porphyrin, octaphenyl platinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, octaphenyl palladium porphyrin, and the like.

発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。   The molecular weight of the compound used as the light emitting material is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, Preferably it is 200 or more, More preferably, it is 300 or more, More preferably, it is the range of 400 or more. If the molecular weight of the luminescent material is too small, the heat resistance will be significantly reduced, gas generation will be caused, the film quality will be reduced when the film is formed, or the morphology of the organic electroluminescent element will be changed due to migration, etc. Sometimes come. On the other hand, if the molecular weight of the luminescent material is too large, it tends to be difficult to purify the organic compound, or it may take time to dissolve in the solvent.

なお、上述した発光材料は、いずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, only 1 type may be used for the luminescent material mentioned above, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

発光層5における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.05重量%以上、好ましくは0.3重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、また、通常35重量%以下、好ましくは25重量%以下、更に好ましくは20重量%以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、2種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The ratio of the light emitting material in the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.05% by weight or more, preferably 0.3% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more. In addition, it is usually 35% by weight or less, preferably 25% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less. If the amount of the light emitting material is too small, uneven light emission may occur. If the amount is too large, the light emission efficiency may be reduced. In addition, when using together 2 or more types of luminescent material, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

(正孔輸送性化合物)
発光層5には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔注入層3における(低分子量の正孔輸送性化合物)として例示した各種の化合物のほか、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルに代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4”−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(Journal of Luminescence,1997年,74巻,985頁,1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等が挙げられる。
(Hole transporting compound)
The light emitting layer 5 may contain a hole transporting compound as a constituent material thereof. Here, among the hole transporting compounds, examples of the low molecular weight hole transporting compound include various compounds exemplified as (low molecular weight hole transporting compound) in the hole injection layer 3 described above. For example, two or more condensed aromatic rings containing two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl are bonded to the nitrogen atom. Aromatic amine compounds having a starburst structure such as substituted aromatic diamines (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine, etc. (Journal of Luminescence, 1997, 74, 985, 1997), an aromatic amine compound comprising a tetramer of triphenylamine (Chemical Communicat). ons, 1996, pp. 2175), spiro compounds such as 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′-spirobifluorene (Synthetic Metals, 1997, Vol. 91, pp. 209) and the like.

なお、発光層5において、正孔輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In the light emitting layer 5, only one kind of hole transporting compound may be used, or two or more kinds may be used in any combination and ratio.

発光層5における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.1重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、また、通常65重量%以下、好ましくは50重量%以下、更に好ましくは40重量%以下である。正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、2種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The ratio of the hole transporting compound in the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight. In addition, it is usually 65% by weight or less, preferably 50% by weight or less, and more preferably 40% by weight or less. If the amount of the hole transporting compound is too small, it may be easily affected by a short circuit, and if it is too large, the film thickness may be uneven. In addition, when using together 2 or more types of hole transportable compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

(電子輸送性化合物)
発光層5には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)や、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や、バソフェナントロリン(BPhen)や、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−ターシャルブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)や、4,4’−ビス(9−カルバゾール)−ビフェニル(CBP)等が挙げられる。なお、発光層5において、電子輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
(Electron transporting compound)
The light emitting layer 5 may contain an electron transporting compound as a constituent material thereof. Here, among the electron transporting compounds, examples of low molecular weight electron transporting compounds include 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND), 2,5, -Bis (6 '-(2', 2 "-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), bathophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4,7 -Diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproin), 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 4 , 4′-bis (9-carbazole) -biphenyl (CBP), etc. In the light emitting layer 5, only one type of electron transporting compound may be used, or two or more types may be combined arbitrarily. It may be used in combination with so and proportions.

発光層5における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.1重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、また、通常65重量%以下、好ましくは50重量%以下、更に好ましくは40重量%以下である。電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、2種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The ratio of the electron transporting compound in the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more. In addition, it is usually 65% by weight or less, preferably 50% by weight or less, and more preferably 40% by weight or less. If the amount of the electron transporting compound is too small, it may be easily affected by a short circuit, and if it is too large, the film thickness may be uneven. In addition, when using together 2 or more types of electron transport compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

<発光層の形成>
本発明に係る湿式成膜法により発光層5を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物を調製し、それを用いて成膜する。なお、発光層5の形成に蒸着法、またはその他の方法を用いてもよい。
<Formation of light emitting layer>
When forming the light emitting layer 5 by the wet film-forming method according to the present invention, a coating composition is prepared by dissolving the above materials in an appropriate solvent, and a film is formed using the composition. Note that vapor deposition or other methods may be used to form the light emitting layer 5.

発光層5を湿式成膜法で形成するための塗布用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の発光材料、正孔輸送性化合物、および電子輸送性化合物を溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、発光材料、正孔輸送性化合物あるいは電子輸送性化合物を、通常0.01重量%以上、中でも0.05重量%以上、特には0.1重量%以上溶解することが好ましい。   As the light emitting layer solvent to be contained in the coating composition for forming the light emitting layer 5 by a wet film forming method, any solvent can be used as long as the light emitting layer can be formed. However, those capable of dissolving the light-emitting material, the hole transporting compound, and the electron transporting compound are preferable. Specifically, the solubility of the light-emitting material, the hole transporting compound or the electron transporting compound is usually 0.01% by weight or more, particularly 0.05% by weight or more, particularly 0.1% at room temperature and normal pressure. It is preferable to dissolve by weight% or more.

発光層用溶剤としては、正孔注入層用溶剤として例示したものと同様のものを用いることができる。これらの有機溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   As the solvent for the light emitting layer, the same solvents as those exemplified as the solvent for the hole injection layer can be used. These organic solvents may use only 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

発光層5を形成するための塗布用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、更に好ましくは50重量%以下の範囲である。なお、発光層用溶剤として2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。   The ratio of the solvent for the light emitting layer to the coating composition for forming the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.1% by weight. Above, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. In addition, when mixing and using 2 or more types of solvents as a solvent for light emitting layers, it is made for the sum total of these solvents to satisfy | fill this range.

発光層5を形成するための塗布用組成物を、正孔輸送層4、或いは正孔輸送層4がない場合には正孔注入層3の上に湿式成膜法により塗布、成膜後、得られた塗膜を乾燥し、発光層用溶剤を除去することにより、発光層5が形成される。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も採用することができる。
また、発光層5は従来使用されてきた真空蒸着法で形成されるものであってもよい。
The composition for coating for forming the light emitting layer 5 is applied on the hole injection layer 3 by a wet film formation method when the hole transport layer 4 or the hole transport layer 4 is not present, and after film formation, The obtained coating film is dried and the luminescent layer 5 is formed by removing the luminescent layer solvent. The method of the wet film forming method is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, and any of the methods described above can be adopted.
Further, the light emitting layer 5 may be formed by a conventionally used vacuum deposition method.

発光層5の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層5の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。   The thickness of the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the thickness of the light emitting layer 5 is too thin, defects may occur in the film, and if it is too thick, the driving voltage may increase.

{正孔阻止層}
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層される層である。
{Hole blocking layer}
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.

この正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。   The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high. Examples of the material for the hole blocking layer that satisfies such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Mixed-ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Triazole derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), and the like. That. Further, a compound having at least one pyridine ring substituted at positions 2, 4, and 6 described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer 6.

なお、正孔阻止層6の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

{電子輸送層}
発光層5と後述の電子注入層8の間に、電子輸送層7を設けてもよい。
電子輸送層7は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。
{Electron transport layer}
An electron transport layer 7 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.
The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極9または電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   As an electron transport compound used for the electron transport layer 7, usually, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 is high, and the injected electrons are transported efficiently with high electron mobility. The compound which can be used is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type zinc Such as emissions of zinc, and the like.

なお、電子輸送層7の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子輸送層7の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 7. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。   The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

{電子注入層}
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率良く発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
{Electron injection layer}
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, alkaline earth metals such as barium and calcium, and the film thickness is preferably from 0.1 nm to 5 nm.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。   Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層8の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子注入層8の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 8. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

{陰極}
陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8または発光層5など)に電子を注入する役割を果たすものである。
{cathode}
The cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5) on the light emitting layer 5 side.

陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。   As the material of the cathode 9, the material used for the anode 2 can be used. However, in order to perform electron injection efficiently, a metal having a low work function is preferable. For example, tin, magnesium, indium, A suitable metal such as calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

なお、陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

陰極9の膜厚は、通常、陽極2と同様である。   The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode 2.

さらに、低仕事関数金属から成る陰極9を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   Further, for the purpose of protecting the cathode 9 made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

{その他の層}
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
{Other layers}
The organic electroluminescent element according to the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and an arbitrary layer may be omitted. .

有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層3または正孔輸送層4と発光層5との間に設けられ、発光層5から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
Examples of the layer that may be included include an electron blocking layer.
The electron blocking layer is provided between the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 and prevents electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole injection layer 3. Thus, the probability of recombination of holes and electrons in the light emitting layer 5 is increased, the excitons generated are confined in the light emitting layer 5, and the holes injected from the hole injection layer 3 are efficiently collected. There is a role to transport in the direction of. In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material, it is effective to provide an electron blocking layer.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層5を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号公報記載)等が挙げられる。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer 5 is produced by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for such an electron blocking layer include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (described in International Publication No. 2004/084260).

なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

さらに陰極9と発光層5または電子輸送層7との界面に、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)、酸化リチウム(LiO)、炭酸セシウム(II)(CsCO)等で形成された極薄絶縁膜(膜厚0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Applied Physics Letters,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices,44巻,1245頁,1997頁;SID 04 Digest,154頁等参照)。 Further, at the interface between the cathode 9 and the light emitting layer 5 or the electron transport layer 7, for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ). It is also an effective method for improving the efficiency of the element to insert an ultrathin insulating film (film thickness of 0.1 to 5 nm) formed by the method (Applied Physics Letters, 70, 152, 1997; No. 10-74586; see IEEE Transactions on Electron Devices, 44, 1245, 1997; SID 04 Digest, 154)

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極9、電子注入層8、電子輸送層7、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、正孔注入層3、陽極2の順に設けてもよい。   Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, the other components on the substrate 1 are the cathode 9, the electron injection layer 8, the electron transport layer 7, the hole blocking layer 6, the light emitting layer 5, the hole transport layer 4, the positive layer. The hole injection layer 3 and the anode 2 may be provided in this order.

更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。   Furthermore, it is also possible to constitute the organic electroluminescent element according to the present invention by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.

また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Further, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, (when the anode is ITO, the cathode is Al, these two layers) interfacial layer between the respective stages (between emission units) Alternatively, for example, a charge consisting of five vanadium oxide (V 2 O 5), etc. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。   Furthermore, the organic electroluminescent device according to the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array. You may apply to the structure by which the cathode is arrange | positioned at XY matrix form.

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。   Each layer described above may contain components other than those described as materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

{用途}
本発明の有機電界発光素子は、有機ELディスプレイに使用することができる。この場合、本発明により得られる有機電界発光素子を用いて、例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社,平成16年8月20日発行,時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で有機ELディスプレイを形成することができる。
{Usage}
The organic electroluminescent element of the present invention can be used for an organic EL display. In this case, the organic electroluminescence device obtained by the present invention is used, for example, described in “Organic EL display” (Ohm, published on August 20, 2004, written by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, and Hideyuki Murata). An organic EL display can be formed by a method as described above.

本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   Examples The present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.

[実施例1]
プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(化合物1)の合成

Figure 2010083852
[Example 1]
Synthesis of platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) -hexafluoroacetylacetonate (compound 1)
Figure 2010083852

プラチナ(II)−ヘキサフルオロアセチルアセトネート(100mg,0.16mmol)の30mlエトキシエタノール溶液に2-フェニルピリジン(30mg,0.06mmol)を添加し、反応液を90℃で2時間反応させた。反応液を冷却後、冷水を加え、沈殿を生成させた。   2-Phenylpyridine (30 mg, 0.06 mmol) was added to a 30 ml ethoxyethanol solution of platinum (II) -hexafluoroacetylacetonate (100 mg, 0.16 mmol), and the reaction solution was reacted at 90 ° C. for 2 hours. After cooling the reaction solution, cold water was added to form a precipitate.

Figure 2010083852
Figure 2010083852

沈殿を濾過し、64mgのオレンジ色の固体(化合物1)を得た(収率99%)。この化合物(1)の分解温度は236℃であった。   The precipitate was filtered to obtain 64 mg of an orange solid (compound 1) (yield 99%). The decomposition temperature of this compound (1) was 236 ° C.

1H NMR(CDCl3)δ:6.23(s,1H),7.11-7.21(m,3H),7.35(d,J6.8Hz,1H),
7.43(d,J7.8Hz,1H),7.65(d,J7.8Hz,1H),7.85(t,J6.8Hz,1H),
8.66(d,J5.5Hz,1H)
13C NMR(CDCl3)δ:94.59,118.70,121.69,123.08,124.84,129.48,130.50,133.83,
139.17,144.33,147.63,167.95,170.92
IR(KBr):3058,1614,1586,1553,1200
MS(LDI-TOF)Calcd.for C16H9F6NO2Pt:556.02
Found:555.71
m/z(%)(100,M+)Anal.Calcd.for C18H9F8NO2Pt:C=34.54,H=1.63,N=2.52
Found:C=34.41,H=1.79,N=2.60
1 H NMR (CDCl 3 ) δ: 6.23 (s, 1H), 7.11-7.21 (m, 3H), 7.35 (d, J6.8Hz, 1H),
7.43 (d, J7.8Hz, 1H), 7.65 (d, J7.8Hz, 1H), 7.85 (t, J6.8Hz, 1H),
8.66 (d, J5.5Hz, 1H)
13 C NMR (CDCl 3 ) δ: 94.59, 118.70, 121.69, 123.08, 124.84, 129.48, 130.50, 133.83,
139.17,144.33,147.63,167.95,170.92
IR (KBr): 3058,1614,1586,1553,1200
MS (LDI-TOF) Calcd.for C 16 H 9 F 6 NO 2 Pt: 556.02
Found: 555.71
m / z (%) (100, M + ) Anal.Calcd.for C 18 H 9 F 8 NO 2 Pt: C = 34.54, H = 1.63, N = 2.52
Found: C = 34.41, H = 1.79, N = 2.60

[比較例1]
プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(化合物1)の合成
K2PtCl4(560mg,1.35mmol)と2-フェニルピリジン(233,mg1.5mmol)を氷酢酸(250ml)に溶解し、80℃で反応液の赤色が消えるまで3日間反応させた。この反応により生成した沈殿を濾過し、320mgのμ-Cl2プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)の黄色い固体を得た(収率64%)。得られた結晶(固体)は、さらなる精製は行わず次のステップに用いた。
[Comparative Example 1]
Synthesis of platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) -hexafluoroacetylacetonate (compound 1)
K 2 PtCl 4 (560 mg, 1.35 mmol) and 2-phenylpyridine (233, mg 1.5 mmol) were dissolved in glacial acetic acid (250 ml) and reacted at 80 ° C. until the red color of the reaction solution disappeared for 3 days. The precipitate produced by this reaction was filtered to obtain 320 mg of μ-Cl 2 platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) yellow solid (yield 64%). The obtained crystals (solid) were used in the next step without further purification.

得られたμ-Cl2プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)(90mg,0.12mmol)をエトキシエタノール8mlに溶解し、ヘキサフルオロアセチルアセトン(62mg,0.12mmol)とNa2CO3(85mg0.80mmol)を加え、室温にて2日間撹拌した。これにより生成した沈殿を濾過し、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=2/1)により、4mgのオレンジ色の固体を得た(収率6%)。
NMRにより実施例1で製造した化合物1と同一であることを確認した。
The obtained μ-Cl 2 platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) (90 mg, 0.12 mmol) was dissolved in 8 ml of ethoxyethanol, hexafluoroacetylacetone (62 mg, 0.12 mmol) and Na 2 CO 3 (85 mg 0.80 mmol) was added and stirred at room temperature for 2 days. The precipitate thus formed was filtered, and silica gel chromatography (hexane / ethyl acetate = 2/1) gave 4 mg of an orange solid (yield 6%).
NMR confirmed that it was the same as Compound 1 prepared in Example 1.

[実施例2]
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(化合物2)の合成

Figure 2010083852
[Example 2]
Synthesis of platinum (II) (2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) -hexafluoroacetylacetonate (compound 2)
Figure 2010083852

<2-ブロモ-4-ジメチルアミノピリジンの合成>
4-ジメチルアミノピリジン(2.5g,20mmol)の150mlのテトラヒドロフラン溶液に三フッ化ホウ素エーテル錯塩(3.1ml,22mmol)を0℃で添加した。反応液を30分間撹拌した後、-78℃に冷却した。反応液にn-ブチルリチウム(32.0mmol,1.60Mヘキサン溶液)を加えて30分間撹拌した後、臭素(32.0mmol,1.65ml)を添加した。反応液は室温までゆっくりと昇温し、一晩撹拌した。反応液に飽和炭酸ナトリウム水溶液と酢酸エチルを加えて、分液し、酢酸エチル層を脱水、濃縮し、カラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=5/1)により、2-ブロモ-4-ジメチルアミノピリジン0.98g(収率55%)を白色固体として得た。このものの融点は60℃であった。
<Synthesis of 2-bromo-4-dimethylaminopyridine>
Boron trifluoride etherate (3.1 ml, 22 mmol) was added to a 150 ml tetrahydrofuran solution of 4-dimethylaminopyridine (2.5 g, 20 mmol) at 0 ° C. The reaction was stirred for 30 minutes and then cooled to -78 ° C. N-Butyllithium (32.0 mmol, 1.60 M hexane solution) was added to the reaction solution and stirred for 30 minutes, and then bromine (32.0 mmol, 1.65 ml) was added. The reaction was slowly warmed to room temperature and stirred overnight. To the reaction solution are added a saturated aqueous sodium carbonate solution and ethyl acetate, and the mixture is separated, and the ethyl acetate layer is dehydrated and concentrated, and 2-bromo-4-dimethylamino is purified by column chromatography (hexane / ethyl acetate = 5/1). 0.98 g (55% yield) of pyridine was obtained as a white solid. The melting point of this product was 60 ° C.

1H NMR(CDCl3) δ:3.00(s,6H),6.44(dd,J6.0,2.5Hz,1H),6.64(d,J2.5Hz,1H),
7.94(d,J6.0Hz,1H)
13C NMR(CDCl3):39.20,106.14,109.16,142.97,149.23,155.68
IR(KBr):2927,2803,1918,1590,1519,1070
m/z(%)(100,M+)Anal.Calcd.for C7H9BrN2:C=41.82,H=4.51,N=13.93
Found:C=42.01,H=4.33,N=14.15
1 H NMR (CDCl 3 ) δ: 3.00 (s, 6H), 6.44 (dd, J6.0, 2.5Hz, 1H), 6.64 (d, J2.5Hz, 1H),
7.94 (d, J6.0Hz, 1H)
13 C NMR (CDCl 3 ): 39.20, 106.14, 109.16, 142.97, 149.23, 155.68
IR (KBr): 2927,2803,1918,1590,1519,1070
m / z (%) (100, M + ) Anal.Calcd.for C 7 H 9 BrN 2 : C = 41.82, H = 4.51, N = 13.93
Found: C = 42.01, H = 4.33, N = 14.15

<2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジンの合成>
2-ブロモ-4-ジメチルアミノピリジン(250mg,1.25mmol)とジフルオロフェニルボロン酸(0.60g,3.8mmol)を8mlのトルエンに溶解し、Pd(CH3COO)2(10mg,0.04mmol,0.5mol%)および2M K3PO4(1,25ml,2.5mmol)水溶液を加え、混合液を3日間還流した。反応液を10%塩酸でクエンチし、クロロホルムで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、脱水、濃縮し、カラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=3/1)により、2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジン260mg(収率92%)を白色結晶として得た。このものの融点は54〜55℃であった。
<Synthesis of 2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridine>
2-Bromo-4-dimethylaminopyridine (250 mg, 1.25 mmol) and difluorophenylboronic acid (0.60 g, 3.8 mmol) were dissolved in 8 ml of toluene, and Pd (CH 3 COO) 2 (10 mg, 0.04 mmol, 0.5 mol) was dissolved. %) And 2M K 3 PO 4 (1,25 ml, 2.5 mmol) aqueous solution were added and the mixture was refluxed for 3 days. The reaction was quenched with 10% hydrochloric acid and extracted with chloroform. After washing with saturated brine, dehydration, concentration, and column chromatography (hexane / ethyl acetate = 3/1), 260 mg of 2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridine (yield 92%) Was obtained as white crystals. The melting point of this product was 54 to 55 ° C.

1H NMR(CDCl3)δ:3.04(s,6H),6.48(dd,J6.0,2.7Hz,1H),6.48-6.99(m,3H),
7.90(dd,J6.8Hz,1H),8.31(d,J6.0Hz,1H)
13C NMR(CDCl3):39.17,104.10,105.50,107.10,111.61,132.11,149.60,152.58,154.57
IR(KBr):2926,1609,1549,1505,1268
m/z(%)(100,M+)Anal.Calcd.for C13H12F2N2:C=66.66,H=5.16,N=11.96
Found:C=66.59,H=4.98,N=11.88
1 H NMR (CDCl 3 ) δ: 3.04 (s, 6H), 6.48 (dd, J6.0, 2.7 Hz, 1H), 6.48-6.99 (m, 3H),
7.90 (dd, J6.8Hz, 1H), 8.31 (d, J6.0Hz, 1H)
13 C NMR (CDCl 3 ): 39.17, 104.10, 105.50, 107.10, 111.61, 132.11, 149.60, 152.58, 154.57
IR (KBr): 2926,1609,1549,1505,1268
m / z (%) (100, M + ) Anal.Calcd.for C 13 H 12 F 2 N 2 : C = 66.66, H = 5.16, N = 11.96
Found: C = 66.59, H = 4.98, N = 11.88

<プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(化合物2)の合成>
プラチナ(II)−ヘキサフルオロアセチルアセトネート(100mg,0.16mmol)の30mlエトキシエタノール溶液に2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジン(30mg,0.06mmol)を添加し、反応液を90℃で2時間反応させた。反応液を冷却後、冷水を加え、沈殿を生成させた。沈殿を濾過し、ヘキサン/ジクロロメタン混合溶液より再結晶を行い、55mgの赤色の固体(化合物2)を得た(収率54%)。このものの分解温度は283℃であった。
<Synthesis of Platinum (II) (2- (2,4-Difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) -hexafluoroacetylacetonate (Compound 2)>
2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridine (30 mg, 0.06 mmol) was added to a 30 ml ethoxyethanol solution of platinum (II) -hexafluoroacetylacetonate (100 mg, 0.16 mmol), and the reaction solution Was reacted at 90 ° C. for 2 hours. After cooling the reaction solution, cold water was added to form a precipitate. The precipitate was filtered and recrystallized from a hexane / dichloromethane mixed solution to obtain 55 mg of a red solid (compound 2) (yield 54%). The decomposition temperature of this product was 283 ° C.

1H NMR(CDCl3)δ:3.14(s,6H),6.19(s,1H),6.34(dd,J7.0,3.1Hz,1H),
6.55(ddd,J12.4,9.1,2.3Hz,1H),6.75(dd,J8.2,2.3Hz,1H),
7.14(t,J3.1Hz,1H),8.06(d,J7.0Hz,1H)
13C NMR(CDCl3):39.44,94.66,100.24,103.67,104.50,112.55,136.39,145.93,155.54,
162.75,170.50
IR(KBr):2938,2815,1625,1515,1409,1269
MS(LDI-TOF)Calcd.for C18H12F8N2O2Pt:635.04
Found:634.96
m/z(%)(100,M+)Anal.Calcd.for C18H12F8N2O2Pt:C=34.03,H=1.90,N=4.41
Found:C=34.10,H=2.20,N=4.44
1 H NMR (CDCl 3 ) δ: 3.14 (s, 6H), 6.19 (s, 1H), 6.34 (dd, J7.0, 3.1 Hz, 1H),
6.55 (ddd, J12.4, 9.1, 2.3Hz, 1H), 6.75 (dd, J8.2, 2.3Hz, 1H),
7.14 (t, J3.1Hz, 1H), 8.06 (d, J7.0Hz, 1H)
13 C NMR (CDCl 3 ): 39.44, 94.66, 100.24, 103.67, 104.50, 112.55, 136.39, 145.93, 155.54,
162.75,170.50
IR (KBr): 2938, 2815, 1625, 1515, 1409, 1269
MS (LDI-TOF) Calcd.for C 18 H 12 F 8 N 2 O 2 Pt: 635.04
Found: 634.96
m / z (%) (100, M + ) Anal.Calcd.for C 18 H 12 F 8 N 2 O 2 Pt: C = 34.03, H = 1.90, N = 4.41
Found: C = 34.10, H = 2.20, N = 4.44

[比較例2]
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(化合物2)の合成
K2PtCl4(225mg,0.5mmol)と2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジン(200mg,0.8mmol)を氷酢酸(100ml)に溶解し、混合液を80℃で反応液の赤色が消えるまで3日間反応させた。生成した沈殿を濾過し、水、アセトン、ジエチルエーテルにて洗浄し、150mgのμ-Cl2プラチナ(II)-(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)の灰色の固体を得た(収率64%)。得られた結晶はさらなる精製は行わず次のステップに用いた。
[Comparative Example 2]
Synthesis of platinum (II) (2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) -hexafluoroacetylacetonate (compound 2)
K 2 PtCl 4 (225 mg, 0.5 mmol) and 2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridine (200 mg, 0.8 mmol) were dissolved in glacial acetic acid (100 ml), and the mixture was reacted at 80 ° C. The reaction was continued for 3 days until the red color disappeared. The resulting precipitate was filtered, washed with water, acetone, diethyl ether, 150 mg μ-Cl 2 platinum (II)-(2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N , C2) was obtained as a gray solid (yield 64%). The obtained crystals were used in the next step without further purification.

得られたμ-Cl2プラチナ(II)-(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)(50mg,0.05mmol)をエトキシエタノール8mlに溶解し、ヘキサフルオロアセチルアセトン(40mg,0.25mmol)とNa2CO3(85mg,0.80mmol)を加え、室温にて2日間撹拌した。生成した沈殿を濾過し、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=5/1)により、8mgの赤色の固体を得た(収率25%)。
NMRにより実施例2で製造した化合物2と同一であることを確認した。
The obtained μ-Cl 2 platinum (II)-(2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) (50 mg, 0.05 mmol) was dissolved in 8 ml of ethoxyethanol, Hexafluoroacetylacetone (40 mg, 0.25 mmol) and Na 2 CO 3 (85 mg, 0.80 mmol) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 days. The produced precipitate was filtered, and silica gel chromatography (hexane / ethyl acetate = 5/1) gave 8 mg of a red solid (yield 25%).
It was confirmed by NMR that it was the same as compound 2 produced in Example 2.

[実施例3]
Cis-プラチナ(II)(2-ジフェニルピリジナト-N,C2)(化合物3)の合成

Figure 2010083852
[Example 3]
Synthesis of Cis-platinum (II) (2-diphenylpyridinato-N, C2) (compound 3)
Figure 2010083852

化合物1(33mg,0.06mmol)の8mlエトキシエタノール溶液に2-フェニルピリジン(18mg,0.12mmol)を添加し、反応液を90℃で1日間反応させた。生成した沈殿をジクロロメタンで抽出し、脱水して濃縮後、カラムクロマトグラフィーにより赤色の固体(化合物3)を得た(収率55%)。   2-phenylpyridine (18 mg, 0.12 mmol) was added to an 8 ml ethoxyethanol solution of compound 1 (33 mg, 0.06 mmol), and the reaction solution was reacted at 90 ° C. for 1 day. The resulting precipitate was extracted with dichloromethane, dehydrated and concentrated, and then a red solid (compound 3) was obtained by column chromatography (yield 55%).

Figure 2010083852
Figure 2010083852

1H NMR(CDCl3)δ:7.15(td,J7.4,0.9Hz,2H),7.29-7.30(m,4H),7.64(dd,J7.8,1.4Hz,2H),
7.88(dd,J5.3,1.4Hz,4H),8.18(d,J7.4Hz,2H),8.77(d,J5.3Hz,2H)
1 H NMR (CDCl 3 ) δ: 7.15 (td, J7.4, 0.9 Hz, 2H), 7.29-7.30 (m, 4H), 7.64 (dd, J7.8, 1.4 Hz, 2H),
7.88 (dd, J5.3, 1.4Hz, 4H), 8.18 (d, J7.4Hz, 2H), 8.77 (d, J5.3Hz, 2H)

[実施例4]
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-アセチルアセトネート(化合物4)の合成

Figure 2010083852
[Example 4]
Synthesis of platinum (II) (2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) -acetylacetonate (compound 4)
Figure 2010083852

実施例3において、化合物1に代えて化合物2を用い、2−フェニルピリジンに代えてアセチルアセトンを用いたこと以外は同様にして、プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)- アセチルアセトネートを合成した。このものの分解温度は283℃であった。   In Example 3, platinum (II) (2- (2,4-difluorophenyl) -4 was used in the same manner except that compound 2 was used instead of compound 1, and acetylacetone was used instead of 2-phenylpyridine. -Dimethylaminopyridinato-N, C2) -acetylacetonate was synthesized. The decomposition temperature of this product was 283 ° C.

1H-NMR(CDCl3)δ:1.97(s,6H),3.12(s,6H),5.45(s,1H),6.35(dd,J6.9,2.7Hz,1H),
6.52(ddd,J12.5,9.3,2.6Hz,1H),7.07(dd,J8.7,2.6Hz,1H),
7.18(t,J2.7Hz,1H),8.42(d,J6.9Hz,1H)
13C NMR(CDCl3)δ:27.12,28.07,39.45,98.92,102.47,103.30,104.49,112.47,145.90,
155.31,163.51,184.09,185.37
IR(KBr):2923,1625,1570,1519,1405,1248
MS(LDI-TOF)Calcd.for C18H18F2N2O2Pt:527.10
Found:527.23
m/z(%)(100,M+).Anal.Calcd.for C18H18F2N2O2Pt:C=40.99,H=3.44,N=5.31
Found:C=40.91,H=3.34,N=5.33
1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.97 (s, 6H), 3.12 (s, 6H), 5.45 (s, 1H), 6.35 (dd, J6.9, 2.7Hz, 1H),
6.52 (ddd, J12.5, 9.3, 2.6Hz, 1H), 7.07 (dd, J8.7, 2.6Hz, 1H),
7.18 (t, J2.7Hz, 1H), 8.42 (d, J6.9Hz, 1H)
13 C NMR (CDCl 3 ) δ: 27.12, 28.07, 39.45, 98.92, 102.47, 103.30, 104.49, 112.47, 145.90,
155.31,163.51,184.09,185.37
IR (KBr): 2923,1625,1570,1519,1405,1248
MS (LDI-TOF) Calcd.for C 18 H 18 F 2 N 2 O 2 Pt: 527.10
Found: 527.23
m / z (%) (100, M + ) .Anal.Calcd.for C 18 H 18 F 2 N 2 O 2 Pt: C = 40.99, H = 3.44, N = 5.31
Found: C = 40.91, H = 3.34, N = 5.33

[実施例5]
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ジピバロイルメタン(化合物5)の合成

Figure 2010083852
[Example 5]
Synthesis of platinum (II) (2- (2,4-difluorophenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) -dipivaloylmethane (compound 5)
Figure 2010083852

実施例3において、化合物1に代えて化合物2を用い、2−フェニルピリジンに代えてジピバロイルメタンを用いたこと以外は同様にして、プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ジピバロイルメタンを合成した。   In Example 3, platinum (II) (2- (2,4-difluoro) was prepared in the same manner except that compound 2 was used instead of compound 1 and dipivaloylmethane was used instead of 2-phenylpyridine. Phenyl) -4-dimethylaminopyridinato-N, C2) -dipivaloylmethane was synthesized.

1H-NMR(CDCl3)δ:1.26(d,J4.6Hz,18H),3.12(s,6H),5.78(s,1H),6.38(dd,J6.9,2.9Hz,1H),
6.52(ddd,J12.4,8.9,2.4Hz,1H),7.09(dd,J8.9,2.4Hz,1H),
7.19(t,J2.9Hz,1H),8.44(d,J6.9Hz,1H)
1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.26 (d, J4.6Hz, 18H), 3.12 (s, 6H), 5.78 (s, 1H), 6.38 (dd, J6.9, 2.9Hz, 1H),
6.52 (ddd, J12.4, 8.9, 2.4Hz, 1H), 7.09 (dd, J8.9, 2.4Hz, 1H),
7.19 (t, J2.9Hz, 1H), 8.44 (d, J6.9Hz, 1H)

[実施例6]
プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-アセチルアセトネート(化合物6)の合成
[Example 6]
Synthesis of platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) -acetylacetonate (compound 6)

Figure 2010083852
Figure 2010083852

プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(20mg,0.036mmol)をエトキシエタノール5mlに溶解し、アセチルアセトン(4mg,0.040mmol)とNa2CO3(15mg,0.14mmol)を加え、反応液を90℃で2時間撹拌した。反応液を冷却後、水を加えてから、ジクロロメタンで抽出を行った。脱水、濃縮後にカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=2/1)によって、プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-アセチルアセトネート10mg(収率61%)を黄色固体として得た。 Platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) -hexafluoroacetylacetonate (20 mg, 0.036 mmol) is dissolved in 5 ml of ethoxyethanol, acetylacetone (4 mg, 0.040 mmol) and Na 2 CO 3 ( 15 mg, 0.14 mmol) was added and the reaction was stirred at 90 ° C. for 2 hours. After cooling the reaction solution, water was added, followed by extraction with dichloromethane. After dehydration and concentration, 10 mg (yield 61%) of platinum (II)-(2-phenylpyridinato-N, C2) -acetylacetonate was obtained as a yellow solid by column chromatography (hexane / ethyl acetate = 2/1) Got as.

1H NMR(CDCl3)δ:2.00(s,6H),5.47(s,H),7.07-7.11(m,2H),
7.20(ddd,15.1,7.8,1.4Hz,1H),7.43(ddJ7.8,0.9Hz,1H),
7.59-7.62(m,2H),7.79(ddd,J15.6,7.8,1.8Hz,1H),
8.98(dd,J6.0,0.9Hz,1H).
MS(LDI-TOF)Calcd.for C16H15NO2Pt:448.08
Found:447.91
1 H NMR (CDCl 3 ) δ: 2.00 (s, 6H), 5.47 (s, H), 7.07-7.11 (m, 2H),
7.20 (ddd, 15.1, 7.8, 1.4Hz, 1H), 7.43 (ddJ7.8, 0.9Hz, 1H),
7.59-7.62 (m, 2H), 7.79 (ddd, J15.6, 7.8, 1.8Hz, 1H),
8.98 (dd, J6.0, 0.9Hz, 1H).
MS (LDI-TOF) Calcd.for C 16 H 15 NO 2 Pt: 448.08
Found: 447.91

[化合物4、化合物5および化合物6の溶液中での発光の測定]
化合物4、化合物5および化合物6をそれぞれクロロホルムに溶解し、1×10−5(mol/l)濃度の溶液を調製した。得られた溶液を分光発光測定器FP-6200(JASCO製)にて波長360nmの光で励起させて発光スペクトルを測定した。結果を図2に示す。
これらの化合物のうち、化合物4および化合物5はともに青色の発光を示し、有機電界発光素子などの表示材料に求められる青色発光材料として活用されうることが示された。
[Measurement of Luminescence in Solution of Compound 4, Compound 5 and Compound 6]
Compound 4, Compound 5 and Compound 6 were each dissolved in chloroform to prepare a solution having a concentration of 1 × 10 −5 (mol / l). The obtained solution was excited with a light having a wavelength of 360 nm using a spectrophotometer FP-6200 (manufactured by JASCO), and an emission spectrum was measured. The results are shown in FIG.
Of these compounds, both Compound 4 and Compound 5 emitted blue light, indicating that they can be used as blue light-emitting materials required for display materials such as organic electroluminescent devices.

本発明の有機電界発光素子の一例を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the organic electroluminescent element of this invention. 化合物4、化合物5および化合物6のクロロホルム溶液の発光スペクトルを示すチャートである。3 is a chart showing emission spectra of a chloroform solution of compound 4, compound 5 and compound 6.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 有機電界発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode 10 Organic electroluminescent device

Claims (6)

下記式(1)で表される部分構造を有する化合物を用いて製造することを特徴とする、金属錯体の製造方法。
Figure 2010083852
(式(1)中、Mは、周期表の第4〜7周期の金属から選ばれる金属元素である。X11〜X26は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。)
The manufacturing method of the metal complex characterized by manufacturing using the compound which has a partial structure represented by following formula (1).
Figure 2010083852
(In the formula (1), M represents a metal element selected from the fourth to seventh periods of metals of the Periodic Table .X 11 to X 26 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, X 11 at least one of to X 26 is a halogen atom.)
上記式(1)において、Mが白金であることを特徴とする、請求項1に記載の金属錯体の製造方法。   In the said Formula (1), M is platinum, The manufacturing method of the metal complex of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 上記式(1)におけるX11〜X26が、すべてハロゲン原子であることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属錯体の製造方法。 The method for producing a metal complex according to claim 1, wherein all of X 11 to X 26 in the formula (1) are halogen atoms. 上記式(1)で表される部分構造を有する化合物を用いて製造される金属錯体が、下記式(2)で表される化合物またはその誘導体であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の金属錯体の製造方法。
Figure 2010083852
(式(2)中、X30〜X35は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
The metal complex produced by using a compound having a partial structure represented by the above formula (1) is a compound represented by the following formula (2) or a derivative thereof: The manufacturing method of the metal complex as described in any one of these.
Figure 2010083852
(In formula (2), X 30 to X 35 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.)
請求項1ないし4のいずれか一項に記載の金属錯体の製造方法により製造された、金属錯体。   The metal complex manufactured by the manufacturing method of the metal complex as described in any one of Claims 1 thru | or 4. 陽極、陰極、および該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が請求項5に記載の金属錯体を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。   An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic layer provided between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains the metal complex according to claim 5. Light emitting element.
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