JP2010083736A

JP2010083736A - Group iii-v nitride semiconductor self-standing substrate

Info

Publication number: JP2010083736A
Application number: JP2008257592A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Eri; 健江利; Takeshi Meguro; 健目黒
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2008-10-02
Filing date: 2008-10-02
Publication date: 2010-04-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III-V nitride semiconductor self-standing substrate hardly generating chipping and cracks from an orientation-flat surface and index-flat surface. <P>SOLUTION: The nitride semiconductor self-standing substrate has the surface of the orientation-flat 2 inclined in a range of 5-55° angle of θ to the cleavage surface, and has the surface of the index-flat 3 vertical to the surface of the orientation-flat 2. Here, the principal surface is C-surface (0001), which is defined as growth front. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、III−Ｖ族窒化物半導体自立基板に係り、特に、チッピング、クラックが発生しにくいIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板に関するものである。 The present invention relates to a group III-V nitride semiconductor free-standing substrate, and more particularly to a group III-V nitride semiconductor free-standing substrate in which chipping and cracking are unlikely to occur.

窒化ガリウム（ＧａＮ）の基板については、一般的に図７、８のような形状のＧａＮ基板７１が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。 As a gallium nitride (GaN) substrate, a GaN substrate 71 having a shape as shown in FIGS. 7 and 8 is generally known (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

円形のＧａＮ基板７１では、その外周に、デバイスプロセスの基準面の判断に欠かせない結晶方位面をあらわすオリエンテーションフラット（ＯＦ）７２と、ＧａＮ結晶成長面である主面、つまり表面、裏面を判断するためのインデックスフラット（ＩＦ）８１が形成される。主面をIII族極性面（＋Ｇａ面）とする場合は、表面が（０００１）面、つまり「Ｃ面」となる。図１０に、（０００１）面を主面とするIII族窒化物結晶の方位を示す。 In the circular GaN substrate 71, the orientation flat (OF) 72 representing the crystal orientation plane indispensable for the determination of the reference plane of the device process and the main surface, that is, the front surface and the back surface, which are the GaN crystal growth surfaces, are determined on the outer periphery. An index flat (IF) 81 is formed. When the main surface is a group III polar surface (+ Ga surface), the surface is the (0001) surface, that is, the “C surface”. FIG. 10 shows the orientation of the group III nitride crystal having the (0001) plane as the main surface.

ＯＦは一般的には、劈開方向、ＩＦはＯＦに対して垂直に形成され、表裏面を判断できるように形成される。 OF is generally formed in the cleavage direction, and IF is formed perpendicular to the OF so that the front and back surfaces can be determined.

加工した基板は、様々な加工形状により、チッピング、クラックを防止している。例えば、円状に加工したＧａＮ基板の外周部を面取りし、チッピングを防ぐ方法などがある（例えば、特許文献３参照）。 The processed substrate prevents chipping and cracks by various processing shapes. For example, there is a method of chamfering the outer peripheral portion of a GaN substrate processed into a circular shape to prevent chipping (see, for example, Patent Document 3).

特開２００２−２２２７４６号公報JP 2002-222746 A 特開２００６−２９０６９７号公報JP 2006-290697 A 特開２００５−２５１９６１号公報JP 2005-251961 A

上述のように、様々な対策でチッピング、クラックの対策を行っているが、特に、ＯＦ面（（１−１００）面）又はＩＦ面（（−１−１２０）面）と基板外周面とが交差する部分は、デバイス作製時に、どうしても、取り扱いでのハンドリングミス、エピタキシャル成長、フォトリソグラフィのプロセスで治具などへの接触の他、様々な要因により、チッピング、クラックが入り易いという問題がある。 As described above, chipping and cracking countermeasures are taken by various countermeasures. In particular, the OF surface ((1-100) surface) or IF surface ((-1-120) surface) and the outer peripheral surface of the substrate. The intersecting portion inevitably has a problem that chipping and cracking are easily caused by various factors in addition to handling mistakes in handling, epitaxial growth, and contact with jigs in the photolithography process at the time of device fabrication.

ＯＦ面と基板外周面との交差点は、ＯＦ７２が一般的に劈開方向に形成されるため、ＯＦ面と基板外周面との交差点Ａ，Ｂを起点にＯＦ面に対して６０°ずれた方向にクラックが入り易い。これは、図９に示すように、ＯＦ７２が劈開方向（＜１１−２０＞方向）に形成された場合、劈開面９１がＯＦ７２に対して６０°ずれた位置にあるためである。 Since the OF 72 is generally formed in the cleavage direction, the intersection between the OF surface and the substrate outer peripheral surface is in a direction shifted by 60 ° with respect to the OF surface starting from the intersections A and B between the OF surface and the substrate outer peripheral surface. Easy to crack. This is because, as shown in FIG. 9, when the OF 72 is formed in the cleavage direction (<11-20> direction), the cleavage plane 91 is at a position shifted by 60 ° with respect to the OF 72.

また、ＩＦ８１はＯＦ面に対して９０°ずれた位置に形成されることが多く、この場合、ＩＦ８１に対して劈開面９１は、３０°ずれた位置になる。そのため、ＩＦ面と基板外周面との交差点Ｃ，Ｄを起点にＩＦ面に対して３０°ずれた方向にクラックが入り易い問題がある。 Further, the IF 81 is often formed at a position shifted by 90 ° with respect to the OF surface. In this case, the cleavage surface 91 is shifted by 30 ° with respect to the IF 81. For this reason, there is a problem that cracks are likely to occur in a direction deviated from the IF surface by 30 ° starting from the intersections C and D between the IF surface and the substrate outer peripheral surface.

そこで、本発明の目的は、ＯＦ面及びＩＦ面からのチッピング、クラックが発生しにくいIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a group III-V nitride semiconductor free-standing substrate in which chipping and cracking from the OF surface and IF surface hardly occur.

本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、オリエンテーションフラットの面が、劈開面に対して５°以上〜５５°以下の範囲で傾いているIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板である。 The present invention was devised to achieve the above object, and the invention of claim 1 is directed such that the orientation flat surface is inclined in the range of 5 ° to 55 ° with respect to the cleavage plane. This is a group V nitride semiconductor free-standing substrate.

請求項２の発明は、インデックスフラットの面が、前記オリエンテーションフラットの面に対して垂直である請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板である。 The invention according to claim 2 is the III-V nitride semiconductor self-supporting substrate according to claim 1, wherein an index flat surface is perpendicular to the orientation flat surface.

請求項３の発明は、主面がＣ面（０００１）であり、その面を成長面とする請求項１又は２に記載のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板である。 The invention of claim 3 is the III-V group nitride semiconductor free-standing substrate according to claim 1 or 2, wherein the main surface is a C-plane (0001), and the surface is a growth surface.

請求項４の発明は、前記オリエンテーションフラットの面方位が、Ａ軸方向に対して１０°以上〜５０°以下の範囲で傾いている請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板である。 The invention according to claim 4 is the III-V nitride semiconductor self-supporting substrate according to claim 1, wherein a plane orientation of the orientation flat is tilted in a range of 10 ° to 50 ° with respect to the A-axis direction. is there.

本発明によれば、III−Ｖ族窒化物半導体自立基板において、ＯＦ面及びＩＦ面からのチッピング、クラックを防止できる。 According to the present invention, in the III-V nitride semiconductor free-standing substrate, chipping and cracking from the OF surface and the IF surface can be prevented.

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

本実施の形態では、（０００１）面（Ｃ面）を主面とするIII族窒化物結晶について説明するが、その方位は図１０に示した通りである。 In the present embodiment, a group III nitride crystal having a (0001) plane (C plane) as a main surface will be described, and the orientation thereof is as shown in FIG.

図１は、本発明のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板のＯＦとＩＦの関係を示す図であり、図２は、図１のＯ部拡大図であり、図３は、図１のＩ部拡大図である。比較のために、従来のＧａＮ基板７１を図中破線で示す。 FIG. 1 is a diagram showing the relationship between OF and IF of a group III-V nitride semiconductor free-standing substrate of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a portion O in FIG. 1, and FIG. FIG. For comparison, a conventional GaN substrate 71 is indicated by a broken line in the figure.

図１〜３に示すように、III−Ｖ族窒化物半導体自立基板１（図中実線）は、ＯＦ基準面（（１−１００）面）Ｘ、つまりＡ軸方向及びＩＦ基準面（（−１−１２０）面）Ｙと角度θをなす位置にＯＦ２及びＩＦ３が形成されたものである。 As shown in FIGS. 1 to 3, the III-V nitride semiconductor free-standing substrate 1 (solid line in the figure) is OF reference plane ((1-100) plane) X, that is, the A-axis direction and IF reference plane ((− 1-120) plane) OF2 and IF3 are formed at positions forming an angle θ with Y.

これにより、ＯＦ２及びＩＦ３と基板外周面との交差点において、負荷が加わった場合に、劈開面２１方向の負荷を分散することができる。 Thereby, when a load is applied at the intersection of the OF2 and IF3 and the outer peripheral surface of the substrate, the load in the direction of the cleavage plane 21 can be distributed.

角度θの範囲としては、５°以上〜５５°以下、より好ましくは１０°以上〜５０°以下の範囲であるとよい。これは、図６に示すように、角度θが５°以上〜５５°以下の範囲を超えると劈開面２１方向の負荷を分散することができなくなるため、チッピング、クラックが発生しやすくなるためである。 The range of the angle θ is preferably 5 ° to 55 °, more preferably 10 ° to 50 °. This is because, as shown in FIG. 6, when the angle θ exceeds the range of 5 ° to 55 °, the load in the direction of the cleavage plane 21 cannot be dispersed, and chipping and cracking are likely to occur. is there.

また、ＯＦ２とＩＦ３は、III−Ｖ族窒化物半導体自立基板１の表裏面が判別できるように、それぞれの面が垂直に位置するように形成するとよい。 Moreover, OF2 and IF3 are preferably formed so that the respective surfaces are positioned vertically so that the front and back surfaces of the III-V nitride semiconductor free-standing substrate 1 can be discriminated.

ここで、III−Ｖ族窒化物半導体自立基板１の製造方法を説明する。 Here, a method for manufacturing the III-V nitride semiconductor free-standing substrate 1 will be described.

III−Ｖ族窒化物半導体自立基板１は、サファイア基板上にハイドライド気相成長法によりボイドを有するＧａＮ層を形成し、そのＧａＮ層上にＧａＮ厚膜を形成し、ボイドを有するＧａＮ層を境にＧａＮ厚膜をサファイア基板から剥離し、これを研磨して両面を平坦化し、さらに円形に加工して上述した位置にＯＦ２及びＩＦ３を形成すると得られる。 In the group III-V nitride semiconductor free-standing substrate 1, a GaN layer having voids is formed on a sapphire substrate by a hydride vapor deposition method, a GaN thick film is formed on the GaN layer, and the GaN layer having voids is bounded. Then, the GaN thick film is peeled off from the sapphire substrate, polished and flattened on both sides, and further processed into a circle to form OF2 and IF3 at the positions described above.

以上要するに、III−Ｖ族窒化物半導体自立基板１によれば、ＯＦ２をＯＦ基準面Ｘに対して５°以上〜５５°以下、好ましくは１０°以上〜５０°以下の範囲で傾けて形成することで、ＯＦ２と基板外周面との交差点において、負荷が加わった場合に、劈開面２１方向の負荷を分散することができる。そのため、ＯＦ面からのチッピング、クラックを防止することができる。 In short, according to the group III-V nitride semiconductor free-standing substrate 1, OF2 is formed to be inclined with respect to the OF reference plane X in the range of 5 ° to 55 °, preferably 10 ° to 50 °. Thus, when a load is applied at the intersection between the OF 2 and the outer peripheral surface of the substrate, the load in the direction of the cleavage plane 21 can be distributed. Therefore, chipping and cracks from the OF surface can be prevented.

さらに、ＯＦ面と垂直にＩＦ３を形成することにより、ＩＦ３も劈開面２１から角度θだけ傾くことになるため、ＩＦ面からのチッピング、クラックも防止することができる。 Further, by forming the IF 3 perpendicular to the OF surface, the IF 3 is also inclined from the cleavage surface 21 by an angle θ, so that chipping and cracking from the IF surface can be prevented.

ＯＦは通常、劈開面に対して平行に形成されるが、これは、デバイスプロセスにおいて劈開面を知ることを容易にするためである。 The OF is usually formed parallel to the cleavage plane in order to make it easier to know the cleavage plane in the device process.

しかし、本発明では、劈開方向から角度θだけＯＦ２をずらしているので、実際のデバイスプロセスから扱いにくさがあるが、所定の面方位に精度よくずれていれば、その分フォトリソプロセスでも精度よくずらせば、問題なくデバイスを作製でき、劈開できるので問題はなく、クラックの低減効果を得ることができる。 However, in the present invention, since OF2 is shifted by an angle θ from the cleavage direction, it is difficult to handle from the actual device process. However, if it is accurately shifted to a predetermined plane orientation, the photolithographic process is also more accurate. If shifted, the device can be produced without any problem and can be cleaved, so there is no problem and the effect of reducing cracks can be obtained.

上述の実施の形態においては、ＯＦ２とＩＦ３が垂直な位置に形成された例を示したが、図４に示すように、ＩＦ３の面がＯＦ２の面と等価な面（等価面）４１に形成されるようにしてもよい。ここで、等価面とは、結晶学的に等価な面をいう。本実施の形態では、ＯＦ基準面Ｘから６０°ずつずれた劈開面がＯＦ基準面Ｘと等価な面ということになる。よって、ＯＦ基準面ＸとＯＦ２の面がなす角度θと、ＯＦ基準面と等価な面のいずれかとＩＦ３の面がなす角度θが等しくなるようにＩＦ３が形成されている。 In the above-described embodiment, an example in which OF2 and IF3 are formed at vertical positions has been shown. However, as shown in FIG. 4, the surface of IF3 is formed on a surface (equivalent surface) 41 equivalent to the surface of OF2. You may be made to do. Here, the equivalent plane refers to a crystallographically equivalent plane. In the present embodiment, a cleavage plane shifted by 60 ° from the OF reference plane X is a plane equivalent to the OF reference plane X. Therefore, IF3 is formed so that the angle θ formed by the surface of OF reference surface X and OF2 is equal to the angle θ formed by one of the surfaces equivalent to OF reference surface and the surface of IF3.

ＯＦ２とＩＦ３が垂直な位置に形成されている場合、ＩＦ３と劈開面とがなす角と、ＯＦ２と劈開面とがなす角とが３０°ずれるため等価ではなく、場合によってはクラック劈開面との角度がずれてくる。そこで、ＯＦ２、ＩＦ３を等価な面に形成することで、常に劈開面に対して一定の角度をＯＦ２、ＩＦ３とも取ることが可能である。 When OF2 and IF3 are formed at vertical positions, the angle formed between IF3 and the cleavage plane is not equivalent because the angle formed between OF2 and the cleavage plane is shifted by 30 °, and in some cases, the crack cleavage plane is not equivalent. The angle shifts. Therefore, by forming OF2 and IF3 on equivalent surfaces, it is possible to always take a fixed angle with respect to the cleavage plane with both OF2 and IF3.

ただし、等価な面にＯＦ２とＩＦ３を形成した場合、表裏が分からなくなる可能性がある。そこで、ＯＦ２、ＩＦ３どちらか一方の長さを変更することで、表裏の判別が可能となる。 However, if OF2 and IF3 are formed on equivalent surfaces, the front and back may not be known. Therefore, by changing the length of one of OF2 and IF3, it is possible to determine the front and back.

ここでは、ボイド形成剥離法（Ｖｏｉｄ−ＡｓｓｉｓｔｅｄＳｅｐａｒａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄ：ＶＡＳ法）により作製したＧａＮ基板を用いた。ＶＡＳ法については、例えば、Ｙ．Ｏｓｈｉｍａｅｔａｌ．「ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＦｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇＧａＮＷａｆｅｒｓｂｙＨｙｄｒｉｄｅＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙｗｉｔｈＶｏｉｄ−ＡｓｓｉｓｔｅｄＳｅｐａｒａｔｉｏｎ．」ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＶｏｌ．４２（２００３）ｐｐ．Ｌ１−Ｌ３、特開２００３−１７８９８４などを参照されたい。 Here, a GaN substrate manufactured by a void-formed separation method (VAS method) was used. For the VAS method, see, for example, Y.M. Oshima et al. “Preparation of Freezing GaN Wafers by Hide Vapor Phase Epitaxy With Void-Assisted Separation.” Japan Journal of Applied Physics. 42 (2003) p. See L1-L3, JP2003-178984, and the like.

ＶＡＳ法は、サファイア基板とＧａＮ基板の間にボイドを有するＧａＮ層を形成し、その成長終了後にボイド層を境にＧａＮ層を剥離させるものであり、容易にＧａＮ厚膜を作製できる。 In the VAS method, a GaN layer having voids is formed between a sapphire substrate and a GaN substrate, and after the growth is completed, the GaN layer is peeled off with the void layer as a boundary, and a GaN thick film can be easily produced.

ＶＡＳ法で報告されているボイド形成基板上にハイドライド気相成長法（ＨｙｄｒｉｄｅＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ法）でＧａＮ層を成長温度１０５０℃、供給ＧａＣｌ＝１００ｃｃ、ＮＨ₃＝１０００ｃｃで８００μｍの厚さに成長した。 A GaN layer is grown on a void-formed substrate reported in the VAS method by a hydride vapor phase epitaxy (HVPE method) at a growth temperature of 1050 ° C., supplied GaCl = 100 cc, NH ₃ = 1000 cc, and a thickness of 800 μm. grown.

作製したＧａＮ厚膜を剥離し、両面を研磨することで平坦化し、さらに円形に加工し、ＯＦを（１−１００）面に、（−１−１２０）面にＩＦを作製し、φ２”の厚さ４００μｍのＧａＮ基板を得た（基板形状は図８参照）。 The produced GaN thick film is peeled off, flattened by polishing both sides, further processed into a circle, OF is produced on the (1-100) plane, and IF is produced on the (-1-120) plane. A GaN substrate having a thickness of 400 μm was obtained (see FIG. 8 for the substrate shape).

図５に示すように、作製したＧａＮ基板５１をチッピング、クラック検査装置５０の基板ホルダ５２に入れ、３０ｒｐｍで回転させた。ＧａＮ基板５１は地面と垂直になった状態で基板ホルダ５２に保持され回転される。ＧａＮ基板５１を基板ホルダ５２に入れた場合の両側の隙間は０．５ｍｍである。回転機構５３に設置した場合は、片側１ｍｍとなる。 As shown in FIG. 5, the produced GaN substrate 51 was put into a substrate holder 52 of a chipping / crack inspection apparatus 50 and rotated at 30 rpm. The GaN substrate 51 is held by the substrate holder 52 and rotated while being perpendicular to the ground. The gap on both sides when the GaN substrate 51 is put in the substrate holder 52 is 0.5 mm. When installed on the rotation mechanism 53, the distance is 1 mm on one side.

上記検討では、回転時に自重で基板ホルダ５２内部の下側にＧａＮ基板５１の外周が接触する。その接触部において、ＧａＮ基板５１に負荷がかかり、特にＯＦ部、ＩＦ部の端部（図８の交差点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）に負荷がかかるようになっている。 In the above study, the outer periphery of the GaN substrate 51 contacts the lower side of the substrate holder 52 by its own weight during rotation. At the contact portion, a load is applied to the GaN substrate 51, and in particular, a load is applied to the end portions (intersections A, B, C, and D in FIG. 8) of the OF portion and the IF portion.

このような検討の結果、ＯＦ端部、すなわち図８の交差点Ａの部分よりクラックが発生した。同様の検討をＯＦ、ＩＦを傾けて２０回行い、クラック発生率を調べた。詳細を以下に記載する。 As a result of such examination, cracks occurred at the OF end, that is, at the intersection A in FIG. The same examination was conducted 20 times with the OF and IF tilted, and the crack generation rate was examined. Details are described below.

ＧａＮ基板５１のＯＦの位置を（１−１００）面より角度θ傾けて作製した（基板形状は図１参照）。傾けた角度はθ₁＝３°、θ₂＝５°、θ₃＝１０°、θ₄＝１５°、θ₅＝２０°、θ₆＝２５°、θ₇＝３０°、θ₈＝３５°、θ₉＝４０°、θ₁₀＝４５°、θ₁₁＝５０°、θ₁₂＝５５°、θ₁₃＝６０°である。これに対応してＩＦも同様方向にＯＦと垂直になるように傾けて加工した。 The position of the OF of the GaN substrate 51 was fabricated by tilting the angle θ from the (1-100) plane (see FIG. 1 for the substrate shape). The tilted angles are θ ₁ = 3 °, θ ₂ = 5 °, θ ₃ = 10 °, θ ₄ = 15 °, θ ₅ = 20 °, θ ₆ = 25 °, θ ₇ = 30 °, θ ₈ = 35. °, θ ₉ = 40 °, θ ₁₀ = 45 °, θ ₁₁ = 50 °, θ ₁₂ = 55 °, θ ₁₃ = 60 °. Corresponding to this, the IF was also tilted in the same direction so as to be perpendicular to the OF.

ＯＦを（１−１００）面に対して傾けた角度θと交差点ＡもしくはＢからのチッピング、あるいはクラックの発生率を図６に示す。 FIG. 6 shows the angle θ at which the OF is tilted with respect to the (1-100) plane and the occurrence rate of chipping or cracks from the intersection A or B.

図６に示すように、５°、５５°の角度θにおいてチッピング、クラックの発生率は５％となり、（１−１００）面に対して傾けない場合より、チッピング、クラックの発生率は３５％以上も大幅に減少した。さらには、角度θが１０°以上〜５０°以下の範囲ではチッピング、クラックは発生しなかった。 As shown in FIG. 6, the occurrence rate of chipping and cracks at an angle θ of 5 ° and 55 ° is 5%, and the occurrence rate of chipping and cracks is 35% as compared with the case of not tilting with respect to the (1-100) plane. These were also greatly reduced. Further, no chipping or cracking occurred when the angle θ was in the range of 10 ° to 50 °.

以上の結果より、ＯＦは（１−１００）面（Ａ軸方向）に対して５°以上〜５５°以下、より好ましくは１０°以上〜５０°以下の範囲で傾けるとよいことが分かる。 From the above results, it can be seen that OF may be tilted with respect to the (1-100) plane (A-axis direction) in the range of 5 ° to 55 °, more preferably 10 ° to 50 °.

本発明のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板の形状とＯＦ及びＩＦの形成位置を示す図である。It is a figure which shows the shape of the III-V nitride semiconductor self-supporting substrate of this invention, and the formation position of OF and IF. 図１のＯ部拡大図である。It is the O section enlarged view of FIG. 図１のＩ部拡大図である。It is the I section enlarged view of FIG. 本発明の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of this invention. 実施例で用いたチッピング、クラック検査装置の概略図である。It is the schematic of the chipping and crack inspection apparatus used in the Example. （１−１００）面に対して傾けたＯＦの角度θと交差点ＡもしくはＢに発生したチッピング、クラックの発生率を示す図である。It is a figure which shows the incidence rate of the chipping and the crack which generate | occur | produced in the intersection angle A or B, and the angle (theta) of OF inclined with respect to the (1-100) plane. 従来のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板の形状とＯＦの形成位置を示す図である。It is a figure which shows the shape of the conventional III-V nitride semiconductor self-supporting substrate, and the formation position of OF. 従来のIII−Ｖ族窒化物半導体自立基板の形状とＯＦ及びＩＦの形成位置を示す図である。It is a figure which shows the shape of the conventional III-V nitride semiconductor self-supporting substrate, and the formation position of OF and IF. III−Ｖ族窒化物半導体自立基板の方位と劈開面の関係を説明する図である。It is a figure explaining the relationship between the orientation of a III-V nitride semiconductor self-supporting substrate, and a cleavage plane. （０００１）面を主面とするIII族窒化物結晶の方位を示す図である。It is a figure which shows the orientation of the group III nitride crystal which makes a (0001) plane the main surface.

Explanation of symbols

１ III−Ｖ族窒化物半導体自立基板
２ＯＦ
３ＩＦ
θ ＯＦ及びＩＦの傾き角度 1 III-V nitride semiconductor free-standing substrate 2 OF
3 IF
θ OF and IF tilt angle

Claims

A group III-V nitride semiconductor free-standing substrate, wherein the orientation flat surface is inclined with respect to the cleavage plane in a range of 5 ° to 55 °.

The group III-V nitride semiconductor self-supporting substrate according to claim 1, wherein an index flat surface is perpendicular to the orientation flat surface.

3. The group III-V nitride semiconductor free-standing substrate according to claim 1, wherein the main surface is a C-plane (0001), and the surface is a growth surface. 4.

2. The group III-V nitride semiconductor free-standing substrate according to claim 1, wherein a plane orientation of the orientation flat is inclined in a range of 10 ° to 50 ° with respect to the A-axis direction.