JP2010082538A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010082538A JP2010082538A JP2008254110A JP2008254110A JP2010082538A JP 2010082538 A JP2010082538 A JP 2010082538A JP 2008254110 A JP2008254110 A JP 2008254110A JP 2008254110 A JP2008254110 A JP 2008254110A JP 2010082538 A JP2010082538 A JP 2010082538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- surface treatment
- discharge
- treatment apparatus
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】生産性を向上させることが可能な表面処理装置を提供すること。
【解決手段】放電用ガスを流通させる放電管と、前記放電管を流通する前記放電用ガスを励起させる電圧を印加可能な電源電極及び接地電極と、前記放電管の端部に接続され、前記電圧を印加されて励起した前記放電用ガスを対象物の処理領域に向けて噴射するノズルとを有し、前記ノズルは、前記処理領域の配置に応じたスポット状の複数の噴射口及びスリット状の噴射口のうち少なくとも一方を有している。
【選択図】図2
【解決手段】放電用ガスを流通させる放電管と、前記放電管を流通する前記放電用ガスを励起させる電圧を印加可能な電源電極及び接地電極と、前記放電管の端部に接続され、前記電圧を印加されて励起した前記放電用ガスを対象物の処理領域に向けて噴射するノズルとを有し、前記ノズルは、前記処理領域の配置に応じたスポット状の複数の噴射口及びスリット状の噴射口のうち少なくとも一方を有している。
【選択図】図2
Description
本発明は、表面処理装置に関する。
大気圧付近の圧力下でのプラズマ放電により生成される励起活性種を利用することによって、真空設備を必要とせずに低コストで被処理物の表面を様々に処理することができる表面処理技術が知られている。大気圧下でのプラズマによる表面処理には、電極と被処理物間で直接気体放電を生じさせ、これにより発生するプラズマに直接曝露させる直接放電方式と、1対の電極間での気体放電によりプラズマを発生させ、それにより生成される励起活性種に被処理物を曝露させる間接放電方式とがある。
間接放電方式は、直接放電方式に比して処理レートが低いので高出力を要求される場合があるが、チャージアップによる被処理物の損傷の虞が無い点で有利である。例えば、1対の電極間に電源から高周波電圧を印加して放電を発生させ、両電極間の放電領域を通過するヘリウム、酸素等のガスを励起、イオン化して活性種を生成し、この活性種を含むガスを反応性ガス流として噴射口から被処理物に噴出させることによって、被処理物の形状や処理範囲の制限に対応して局所的なドライ洗浄処理を可能にするガン構造の表面処理装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−216141号公報
特許文献1に示される構成は、励起した放電用ガスの噴射口が円形であってしかも1箇所に設けられている構成であるため、例えば帯状の処理領域や複数箇所の処理領域に対しては対象物を移動させて1箇所ずつ処理する必要があり、生産性の面で不利であった。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、生産性を向上させることが可能な表面処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る表面処理装置は、放電用ガスを流通させる放電管と、前記放電管を流通する前記放電用ガスを励起させる電圧を印加可能な電源電極及び接地電極と、前記放電管の端部に接続され、前記電圧を印加されて励起した前記放電用ガスを対象物の処理領域に向けて噴射するノズルとを有し、前記ノズルは、前記処理領域の配置に応じたスポット状の複数の噴射口及びスリット状の噴射口のうち少なくとも一方を有していることを特徴とする。
本発明によれば、励起した放電用ガスが、対象物の処理領域の配置に応じたスポット状の複数の噴射口及びスリット状の噴射口のうち少なくとも一方から噴射されることになるため、対象物を移動させる手間を極力回避することができ、処理領域の形状に応じて幅広い処理が可能となる。これにより、生産性を向上させることができる。
上記の表面処理装置は、前記ノズルに設けられる全噴射口を一括して囲うように配置され、前記処理領域上の空間を前記放電用ガスの噴射方向とは逆の方向に吸引する吸引口を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、全噴射口を囲う部分が、吸引口によって一括して吸引されることになるため、処理領域上の空間を効率良く吸引することができる。これにより、効率的な処理が可能となる。
本発明によれば、全噴射口を囲う部分が、吸引口によって一括して吸引されることになるため、処理領域上の空間を効率良く吸引することができる。これにより、効率的な処理が可能となる。
上記の表面処理装置は、前記処理領域は、複数の矩形領域であり、前記ノズルは、スポット状の複数の前記噴射口を有し、複数の前記噴射口は、異なる前記矩形領域の角部にそれぞれ対応するように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、処理領域が複数の矩形領域である場合、スポット状の複数の噴射口からは、励起した放電用ガスが異なる矩形領域の角部に同時に噴射されることになる。このため、対象物の移動回数を極力減らすことができ、矩形領域の各角部を効率的に処理することができる。
本発明によれば、処理領域が複数の矩形領域である場合、スポット状の複数の噴射口からは、励起した放電用ガスが異なる矩形領域の角部に同時に噴射されることになる。このため、対象物の移動回数を極力減らすことができ、矩形領域の各角部を効率的に処理することができる。
上記の表面処理装置は、複数の前記矩形領域は、間隔をあけてマトリクス状に配置されており、前記噴射口は、異なる前記矩形領域の角部のうち対向する角部にそれぞれ対応するように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、処理領域が複数の矩形領域であり、間隔をあけてマトリクス状に配置されている場合、スポット状の複数の噴射口からは、励起した放電用ガスが異なる矩形領域の角部のうち対向する角部に同時に噴射されることになる。このため、複数の角部をまとめて処理することができる。これにより、対象物の移動回数を一層減らすことができ、処理効率を一層高めることができる。
本発明によれば、処理領域が複数の矩形領域であり、間隔をあけてマトリクス状に配置されている場合、スポット状の複数の噴射口からは、励起した放電用ガスが異なる矩形領域の角部のうち対向する角部に同時に噴射されることになる。このため、複数の角部をまとめて処理することができる。これにより、対象物の移動回数を一層減らすことができ、処理効率を一層高めることができる。
上記の表面処理装置は、前記処理領域は、矩形領域であり、前記ノズルは、スリット状の前記噴射口を有し、前記噴射口は、前記矩形領域の一辺に対応するように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、処理領域が矩形領域である場合、スリット状の噴射口からは、励起した放電用ガスが矩形領域の一辺に沿って噴射されることになる。このため、対象物の移動を極力減らすことができ、矩形領域を効率的に処理することができる。
本発明によれば、処理領域が矩形領域である場合、スリット状の噴射口からは、励起した放電用ガスが矩形領域の一辺に沿って噴射されることになる。このため、対象物の移動を極力減らすことができ、矩形領域を効率的に処理することができる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態を図面に基づき説明する。
図1は、本発明に係る表面処理装置の構成を概略的に示す図である。表面処理装置100は、テーブル1上に載置された基板2等の対象物を局所的に表面処理するための装置である。基板2としては、例えば液晶装置を構成するガラス基板などが挙げられる。表面処理装置100は、取付部3、ガス導入部4、放電部5及びノズル部6を備えている。取付部3は、ベース7及び支持フレーム8を有している。ベース7は支持フレーム8にボルト9等によって固定されている。
ガス導入部4は、放電用ガスを外部から導入する部分である。ガス導入部4は、ベース7に接続された円筒状の上部ケーシング部材40を有している。上部ケーシング部材40は、ガス導入口41及び接続口42を有している。ガス導入口41には、例えばガス供給管43が接続されている。ガス供給管43は、不図示のガス供給部に接続されている。接続口42は、放電用ガスを放電部5へ流通させる接続部である。ガス供給部から供給される放電用ガスは、ガス供給管43、ガス導入口41、接続口42を介して放電部5へと流通するようになっている。
本発明の第1実施形態を図面に基づき説明する。
図1は、本発明に係る表面処理装置の構成を概略的に示す図である。表面処理装置100は、テーブル1上に載置された基板2等の対象物を局所的に表面処理するための装置である。基板2としては、例えば液晶装置を構成するガラス基板などが挙げられる。表面処理装置100は、取付部3、ガス導入部4、放電部5及びノズル部6を備えている。取付部3は、ベース7及び支持フレーム8を有している。ベース7は支持フレーム8にボルト9等によって固定されている。
ガス導入部4は、放電用ガスを外部から導入する部分である。ガス導入部4は、ベース7に接続された円筒状の上部ケーシング部材40を有している。上部ケーシング部材40は、ガス導入口41及び接続口42を有している。ガス導入口41には、例えばガス供給管43が接続されている。ガス供給管43は、不図示のガス供給部に接続されている。接続口42は、放電用ガスを放電部5へ流通させる接続部である。ガス供給部から供給される放電用ガスは、ガス供給管43、ガス導入口41、接続口42を介して放電部5へと流通するようになっている。
放電部5は、下部ケーシング部材50を有している。下部ケーシング部材50は、例えば不図示のボルトなどを介して上部ケーシング部材40に接続された円筒状部材である。下部ケーシング部材50内には、放電管10、電源電極12、接地電極13及び電極ホルダ19が設けられている。
放電管10は、ガラス等の誘電体材料で形成された円筒状部材である。放電管10の上端は、ガス導入部4の接続口42に挿入されている。放電管10の管内は、ガス導入口41に連通された状態になっている。電源電極12及び接地電極13は、放電管10を挟んで配置された棒状の電極部材である。電源電極12と接地電極13とを異なる電位とすることにより、放電管10の管内に電圧を印加することができるようになっている。
電源電極12には、銅ストリップからなるリード14が設けられている。リード14は、ガス導入部4及び取付部3を貫通して上方に引き回されており、当該引き回された端部が外部の高周波電源18に接続されている。接地電極13には、リード14と同様、銅ストリップからなるリード15が設けられている。リード15は、放電部5とガス導入部4との接合部から外部に引き出され、接地されている。
電極ホルダ19は、誘電体材料によって構成されており、放電管10を中心とした円筒形に形成されている。電極ホルダ19の内面19aには複数の凸部19bが設けられている。凸部19bは、電源電極12及び接地電極13を放電管10側へ押圧するようになっている。当該凸部19bによって、電源電極12及び接地電極13は、絶縁して保持されるようになっている。
ノズル部6は、放電用ガスを噴射する部分であり、放電部5の下側に配置されている。ノズル部6は、ノズルホルダ60を有している。ノズルホルダ60は、不図示のボルトなどを介して下部ケーシング部材50の下端に接続された筒状部材である。ノズルホルダ60には、吸引接続管60aが設けられている。吸引接続管60aは、ノズルホルダ60の筒内外を連通して設けられており、例えば不図示の吸引機構(ポンプなど)に接続されている。
ノズルホルダ60内には、ノズルチップ61が設けられている。ノズルチップ61は、電極ホルダ19に対して着脱可能に設けられており、ノズルホルダ60との間に隙間60bを形成するように配置されている。ノズルチップ61の下端は、ノズルホルダ60の下端と略面一状態となるように配置されている。ノズルチップ61は、放電管10に連通する連通孔61aを有している。放電管10内の放電用ガスは、連通孔61a内を流通可能になっている。
図2は、ノズル部6の下端の構成を示す縦断面図である。図3は、図2におけるA−A断面(横断面)に沿った構成を示す図である。
図2及び図3に示すように、ノズルチップ61の下端は、断面視円形に形成されている。ノズルチップ61の下端には、放電用ガスを噴射する噴射口62が複数設けられている。本実施形態では、図3に示すように、噴射口62は4つ設けられており、マトリクス状に配列されている。噴射口62は、断面視でスポット状に形成されている。各噴射口62の形状及び面積は、全て同一となるように形成されている。
図2及び図3に示すように、ノズルチップ61の下端は、断面視円形に形成されている。ノズルチップ61の下端には、放電用ガスを噴射する噴射口62が複数設けられている。本実施形態では、図3に示すように、噴射口62は4つ設けられており、マトリクス状に配列されている。噴射口62は、断面視でスポット状に形成されている。各噴射口62の形状及び面積は、全て同一となるように形成されている。
ノズルホルダ60の下端は、断面視円環状に形成されている。ノズルホルダ60とノズルチップ61との間には、断面視円環状の開口部60cが形成されている。開口部60cは、ノズルホルダ60とノズルチップ61との間に形成される隙間60bの下端部に相当する。
ノズル部6の下端は、ノズルホルダ60及び開口部60cが各噴射口62を一括して囲う構成となっている。開口部60c、隙間60b及び吸引接続管60aは互いに連通された状態になっている。吸引接続管60aに接続される吸引機構を作動させることによって、隙間60b及び開口部60cを介して基板2上が吸引されるようになっている。
複数の噴射口62の配置については、対象物である基板2の処理領域の配置に応じて設定することができる。図4は、対象物である基板2の処理領域20の配置を示す平面図である。同図に示すように、例えば基板2には複数の処理領域20が平面視マトリクス状に配列されている。隣接する処理領域20の間には、隙間が形成されている。例えば基板2としては液晶装置を構成する基板などが挙げられ、処理領域20として液晶装置の画素領域に形成される素子形成領域などが挙げられる。
本実施形態では、処理領域20の角部に放電用ガスを噴射して処理する場合について説明する。ノズルチップ61には4つの噴射口62が設けられており、これら4つの噴射口62はそれぞれ異なる処理領域20の角部20aに対応して配置されている。具体的には、複数の処理領域20のうち2行×2列の4つの処理領域20を抽出した場合、全体の中央部にはそれぞれ異なる処理領域20の角部20aが集まっている。本実施形態では、これらの角部20aのうち1つ1つに対応する位置にそれぞれ噴射口62が配置されている。
次に、上記のように構成された表面処理装置100の動作を説明する。
まず、従来の大気圧プラズマによる表面処理と同様に、所望の表面処理に適した放電用ガスを不図示のガス供給源からガス導入口41に供給する。ガス導入口41に供給された放電用ガスは、接続口42を介して放電管10内に供給される。
まず、従来の大気圧プラズマによる表面処理と同様に、所望の表面処理に適した放電用ガスを不図示のガス供給源からガス導入口41に供給する。ガス導入口41に供給された放電用ガスは、接続口42を介して放電管10内に供給される。
この動作と同時に、高周波電源18を作動させて電源電極12と接地電極13との間に所定の高周波電圧を印加する。放電管10内を流通する放電用ガスはこの高周波電圧によって励起され、放電管10内に気体放電が発生する。気体放電により、放電管10内にはプラズマが高密度に形成される。
このプラズマにより放電管10内部には放電用ガスの励起活性種が生成される。生成された励起活性種を含む反応性ガスは放電管10内部及びノズルチップ61の連通孔61a内部を下方へ流通し、4つの噴射口62から同時に噴射される。噴射された反応性ガスは各噴射口62に対応するそれぞれの角部20aに到達し、反応性ガスによる処理が行われる。4つの角部20aに対して1回の噴射が完了した後、テーブル1を移動させて次の4つの角部20aに噴射を行うようにする。
表面処理を終えた使用済の反応性ガスは、吸引接続管60aに接続される吸引機構の作動によって開口部60cから吸引され、表面処理により生じた反応生成物(例えばアッシング処理により除去された有機物など)と共に、隙間60b及び吸引接続管60aを介して外部に排気される。
以上のように、本実施形態では、処理目標となる複数の角部20aの配置に対応するように複数の噴射口62が配置されているため、反応性ガスは4つの噴射口62に対応する4つの角部20aに一度に噴射されることとなる。一度の噴射によって4つの角部20aを同時に処理することができるため、テーブル1の移動回数を減らすことができ、効率良く表面処理を行うことが可能となる。これにより、生産性を高めることができる。
本実施形態では、開口部60cが複数の噴射口62を一括して囲うように配置されているため、複数の噴射口62から噴射され、表面処理に用いられたガスが漏れなく回収されることとなる。これにより、排気処理を効率的に行うことができると共に、排気ガスが周囲の環境を汚染したり悪影響を与える虞が無く、また基板2の表面から除去された物質の再付着を有効的に防止することができる。
[第2実施形態]
次に、図5〜図7を参照して、本発明の第2実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、ノズル部6の下端の構成が第1実施形態とは異なっており、他の構成については第1実施形態と同一になっている。したがって、本実施形態では、ノズル部6の下端の構成を中心に説明する。
次に、図5〜図7を参照して、本発明の第2実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、ノズル部6の下端の構成が第1実施形態とは異なっており、他の構成については第1実施形態と同一になっている。したがって、本実施形態では、ノズル部6の下端の構成を中心に説明する。
図5は、本実施形態に係るノズル部6の下端の構成を示す図であり、第1実施形態における図2に対応している。図6は、図5におけるB−B断面に沿った形状を示す図であり、第1実施形態における図3に対応している。図7は、対象物である基板2の処理領域20の配置を示す平面図であり、第1実施形態における図4に対応している。
図5及び図6に示すように、本実施形態では、ノズルチップ61の下端に設けられる噴射口162が断面視矩形のスリット状に形成されている。ノズルチップ61の断面視での構成についても、当該スリットの形状に対応するように断面視矩形環状に形成されている。また、ノズルホルダ60の下端についても、断面視矩形環状に形成されている。したがって、ノズルホルダ60とノズルチップ61との間の開口部60cは、断面視矩形環状に形成されることとなる。
図7は、対象物である基板2の処理領域20の配置を示す平面図である。同図に示すように、例えば基板2には矩形状の複数の処理領域20が平面視マトリクス状に配列されている。隣接する処理領域20の間には、隙間が形成されている。
本実施形態では、矩形状の処理領域20の一辺20bに沿って放電用ガスを噴射して処理する場合について説明する。ノズルチップ61にはスリット状の噴射口162が設けられており、この噴射口162は処理領域20の一辺20bに対応する形状になっている。本実施形態では、各処理領域20の一辺20bに沿った部分162A〜162Dのそれぞれについて、1回の噴射によって表面処理を行うことができるようになっている。
このように、本実施形態によれば、スリット状の噴射口162からは、励起した反応性ガスが矩形状の処理領域20の一辺20bに沿って噴射されることになる。各処理領域20の一辺20bに沿った領域を一度の噴射で処理することができるため、対象物である基板2の移動を極力減らすことができ、効率的に処理することができる。これにより、生産性を向上させることができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記第1実施形態ではスポット状の噴射口62が複数設けられた構成、第2実施形態ではスリット状の噴射口162が設けられた構成をそれぞれ説明したが、例えば図8に示すように、スポット状の噴射口62とスリット状の噴射口162とを兼ね備える構成であっても構わない。同図においては、4つの噴射口62の中央部に噴射口162を配置した構成であるが、対象物の処理領域の配置に応じてこれらの配置を適宜変更しても勿論構わない。
例えば、上記第1実施形態ではスポット状の噴射口62が複数設けられた構成、第2実施形態ではスリット状の噴射口162が設けられた構成をそれぞれ説明したが、例えば図8に示すように、スポット状の噴射口62とスリット状の噴射口162とを兼ね備える構成であっても構わない。同図においては、4つの噴射口62の中央部に噴射口162を配置した構成であるが、対象物の処理領域の配置に応じてこれらの配置を適宜変更しても勿論構わない。
また、例えば上記第1実施形態では、ノズルチップ61及びノズルホルダ60の下端がそれぞれ断面視円形状及び円環状に形成された構成としたが、これに限られることは無く、例えば図9に示すように、ノズルチップ61及びノズルホルダ60の形状をそれぞれ断面視矩形状及び矩形環状に形成する構成であっても勿論構わない。
2…基板 5…放電部 6…ノズル部 10…放電管 12…電源電極 13…接地電極 20…処理領域 20a…角部 20b…一辺 60…ノズルホルダ 60a…吸引接続管 60b…隙間 60c…開口部 61…ノズルチップ 61a…連通孔 62…噴射口 162…噴射口 100…表面処理装置
Claims (5)
- 放電用ガスを流通させる放電管と、
前記放電管を流通する前記放電用ガスを励起させる電圧を印加可能な電源電極及び接地電極と、
前記放電管の端部に接続され、前記電圧を印加されて励起した前記放電用ガスを対象物の処理領域に向けて噴射するノズルと
を有し、
前記ノズルは、前記処理領域の配置に応じたスポット状の複数の噴射口及びスリット状の噴射口のうち少なくとも一方を有している
ことを特徴とする表面処理装置。 - 前記ノズルに設けられる全噴射口を一括して囲うように配置され、前記処理領域上の空間を前記放電用ガスの噴射方向とは逆の方向に吸引する吸引口
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の表面処理装置。 - 前記処理領域は、複数の矩形領域であり、
前記ノズルは、スポット状の複数の前記噴射口を有し、
複数の前記噴射口は、異なる前記矩形領域の角部にそれぞれ対応するように配置されている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表面処理装置。 - 複数の前記矩形領域は、間隔をあけてマトリクス状に配置されており、
前記噴射口は、異なる前記矩形領域の角部のうち対向する角部にそれぞれ対応するように配置されている
ことを特徴とする請求項3に記載の表面処理装置。 - 前記処理領域は、矩形領域であり、
前記ノズルは、スリット状の前記噴射口を有し、
前記噴射口は、前記矩形領域の一辺に対応するように配置されている
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008254110A JP2010082538A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008254110A JP2010082538A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 表面処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010082538A true JP2010082538A (ja) | 2010-04-15 |
Family
ID=42247027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008254110A Pending JP2010082538A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010082538A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016040850A (ja) * | 2015-12-21 | 2016-03-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ |
CN107835555A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-23 | 深圳市诚峰智造有限公司 | 一种等离子表面处理装置 |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008254110A patent/JP2010082538A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016040850A (ja) * | 2015-12-21 | 2016-03-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ |
CN107835555A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-23 | 深圳市诚峰智造有限公司 | 一种等离子表面处理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4956080B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
JP2007043149A5 (ja) | ||
KR102659362B1 (ko) | 플라즈마 에칭 시스템 | |
KR101425021B1 (ko) | 개선된 스프레이 방식의 패턴 형성 장치 및 방법 | |
JP2010082538A (ja) | 表面処理装置 | |
US5543688A (en) | Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method | |
JP2008186994A (ja) | プラズマ洗浄装置 | |
KR101494416B1 (ko) | 곡면형 소재 표면 처리장치 | |
JP2006005315A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR100817477B1 (ko) | 플라즈마 세정 장치 | |
KR100888652B1 (ko) | 배기 가능한 플라즈마 발생 장치 및 이를 구비하는 상압플라즈마 장치 | |
KR101191996B1 (ko) | 개선된 스프레이 방식의 패턴 형성 장치 및 방법 | |
KR100948951B1 (ko) | 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치 | |
KR101557147B1 (ko) | 플라즈마 전극 | |
KR100836860B1 (ko) | 에싱 또는 에칭이 가능한 대기압 플라즈마 발생 장치 | |
KR20160006073A (ko) | 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 | |
JP4592643B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101377997B1 (ko) | 플라즈마 에칭 장치 및 기체 분배장치 | |
KR101044663B1 (ko) | 대면적 플라즈마트론 장치 | |
JP4576983B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20040083577A (ko) | 반도체 장치용 원거리 플라즈마 세정장치 및 세정방법 | |
KR20090076746A (ko) | 에싱 또는 에칭이 가능한 대기압 플라즈마 발생 장치 | |
JP2005347439A (ja) | プリント配線基板の洗浄方法及びその装置 | |
KR102667901B1 (ko) | 세라믹 공기 유입부 무선 주파수 연결형 세척 장치 | |
KR100558929B1 (ko) | 플라즈마 에칭 장치 |