JP2010080502A

JP2010080502A - Light-emitting device

Info

Publication number: JP2010080502A
Application number: JP2008244166A
Authority: JP
Inventors: Shoken Koseki; 正賢古関; Eiki Kono; 永樹河野
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2008-09-24
Filing date: 2008-09-24
Publication date: 2010-04-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an LED lamp for appropriately radiating heat generated from an LED chip without staining a bonding region by an adhesive for mounting the LED chip. <P>SOLUTION: In the LED lamp 1, a first wire from a ZD chip 12 is suspended in a first lead frame, a second wire from the LED chip 11 is suspended in a second lead frame 22, and a third wire from the LED chip 11 is suspended in the first lead frame 21. In the first lead frame 21, through-holes 21e1, 21e2 are formed between a section to be adhered in the LED chip 11 and a first bonding region 31a and between a section to be adhered in the LED chip 11 and a third bonding region 33a. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

高い信頼性を求められる発光装置としてのＬＥＤランプでは、半導体発光素子としてのＬＥＤチップを静電気等から保護するため、保護素子としてのツェナーダイオードチップをＬＥＤチップと並列にかつ逆向きに配設している。このツェナーダイオードチップは、例えばフリップチップ用のサブマウントに作りこまれて、当該サブマウントへＬＥＤチップがマウントされる。
ＬＥＤランプを更に小型化（厚さ及び面積）するため、ＬＥＤランプ内において、ＬＥＤチップとツェナーダイオードとをそれぞれ別のリードフレームにマウントすることが検討されている。 In an LED lamp as a light emitting device that requires high reliability, in order to protect the LED chip as a semiconductor light emitting element from static electricity or the like, a Zener diode chip as a protective element is arranged in parallel with the LED chip and in the opposite direction. Yes. This Zener diode chip is built in, for example, a flip-chip submount, and the LED chip is mounted on the submount.
In order to further reduce the size (thickness and area) of the LED lamp, it is considered to mount the LED chip and the Zener diode on different lead frames in the LED lamp.

しかしながら、かかるマウント方式では、ＬＥＤチップをマウントするリードフレームに、ツェナーダイオードチップからのワイヤ（第１のワイヤ）とＬＥＤチップからのワイヤ（第２のワイヤ）とがボンディングされるので、当該リードフレームに充分な面積を確保しづらい。その結果、ＬＥＤチップをリードフレームへ接着するため接着剤（ダイボンディング剤）が不規則に流動して、またリードフレーム上をブリーディングして上記ワイヤのボンディング領域に達するおそれがある。ワイヤのボンディング領域に接着剤が存在すると、ボンディング作業のじゃまとなるだけでなく、ワイヤとリードフレームとの間のボンディング接着力が大幅に低減する。
そこで、特許文献１に記載のＬＥＤランプでは、リードフレームに切欠部を設けて接着剤の影響がワイヤのボンディング領域に及ばないようにしている。 However, in such a mounting method, a wire from the Zener diode chip (first wire) and a wire from the LED chip (second wire) are bonded to the lead frame for mounting the LED chip. It is difficult to secure a sufficient area. As a result, the adhesive (die bonding agent) flows irregularly to bond the LED chip to the lead frame, and there is a possibility that the lead frame may bleed and reach the bonding area of the wire. The presence of adhesive in the bonding area of the wire not only hinders the bonding operation but also greatly reduces the bonding force between the wire and the lead frame.
Therefore, in the LED lamp described in Patent Document 1, a notch portion is provided in the lead frame so that the influence of the adhesive does not reach the bonding region of the wire.

特開２００２−３１４１３８号公報JP 2002-314138 A

リードフレームへ切欠部を設けることでワイヤのボンディング領域に対する接着剤の影響を排除できる。
しかしながら、この切欠部により、外部へ表出するリードフレームの面積が小さくなり、放熱性の低下を免れない。特に、ＬＥＤチップのマウント領域を囲むように切欠部が形成される場合は、ＬＥＤチップからの熱の伝導が遮られることとなる。 By providing a notch in the lead frame, the influence of the adhesive on the bonding area of the wire can be eliminated.
However, due to the notch, the area of the lead frame exposed to the outside is reduced, and a reduction in heat dissipation is inevitable. In particular, when the notch is formed so as to surround the mounting area of the LED chip, heat conduction from the LED chip is blocked.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ＬＥＤチップなどの発光素子から流動した接着剤がワイヤのボンディング領域を汚損することなく、半導体発光素子から発生する熱を良好に放散できる発光装置を提供するものである。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and the adhesive flowing from a light emitting element such as an LED chip can dissipate the heat generated from the semiconductor light emitting element without contaminating the bonding region of the wire. A light-emitting device is provided.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の第１の局面は次のように規定することができる。
ケースの底面に第１のリードフレームと第２のリードフレームとを備え、
前記第１のリードフレームに半導体発光素子が接着剤で接着され、
前記第２のリードフレームには前記半導体発光素子の保護素子が固定され、
前記保護素子から第１のワイヤが前記第１のリードフレームの第１のボンディング領域に懸架され、
前記半導体発光素子から第２のワイヤが前記第２のリードフレームの第２のボンディング領域に懸架され、
前記半導体発光素子から第３のワイヤが前記第１のリードフレームの第３のボンディング領域に懸架され、
前記第１のリードフレームの、前記半導体発光素子の被接着部と前記第１のボンディング領域との間、及び、前記第３のボンディング領域との間の少なくとも一方に貫通孔が形成される、
ことを特徴とする発光装置。 The present invention has been made in view of the above problems. That is, the first aspect of the present invention can be defined as follows.
A first lead frame and a second lead frame are provided on the bottom surface of the case,
A semiconductor light emitting element is bonded to the first lead frame with an adhesive,
A protective element for the semiconductor light emitting element is fixed to the second lead frame,
A first wire is suspended from the protective element on a first bonding region of the first lead frame,
A second wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a second bonding region of the second lead frame,
A third wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a third bonding region of the first lead frame,
A through hole is formed in at least one of the first lead frame between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region, and between the third bonding region,
A light emitting device characterized by that.

換言すれば、該発光装置は、半導体発光素子と第１のリードフレームとの熱伝導性を良好に確保して半導体発光素子の熱放散を促進しつつ、半導体発光素子をマウントする際の接着剤の流動を貫通孔により阻止して第１のリードフレームのボンディング領域を上記接着剤の影響から排除するものである。
すなわち、第１のリードフレームにおいて半導体発光素子の被接着部と前記第１のボンディング領域との間、及び、前記第３のボンディング領域との間の少なくとも一方に、貫通孔が形成されているので、半導体発光素子を接着する接着剤が第１のリードフレーム上を流動しても、貫通孔に流れ込む。これにより、第１のリードフレームのボンディング領域（第１及び第３のボンディング領域）に対する接着剤の影響を排除できる。
さらに、貫通孔の面積が第１のリードフレームの面積に比較して極めて狭いので、半導体発光素子から発生した熱は、第１のリードフレームを介して良好に伝導して空気中に放散される。
また、貫通孔の形状は、丸形、楕円形、長方形、正方形など特に問わないが、半導体発光素子を接着する際に、接着剤が流動しても、これを流し込める、大きさ及び形状であれば足りる。 In other words, the light-emitting device has an adhesive for mounting the semiconductor light-emitting element while ensuring good thermal conductivity between the semiconductor light-emitting element and the first lead frame to promote heat dissipation of the semiconductor light-emitting element. This flow is prevented by the through-hole, and the bonding area of the first lead frame is excluded from the influence of the adhesive.
That is, since a through hole is formed in at least one of the first lead frame between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region and the third bonding region. Even if the adhesive for adhering the semiconductor light emitting element flows on the first lead frame, it flows into the through hole. Thereby, it is possible to eliminate the influence of the adhesive on the bonding region (first and third bonding regions) of the first lead frame.
Furthermore, since the area of the through hole is extremely small compared to the area of the first lead frame, the heat generated from the semiconductor light emitting element is conducted well through the first lead frame and is dissipated into the air. .
The shape of the through hole is not particularly limited, such as a round shape, an oval shape, a rectangular shape, and a square shape. However, when bonding the semiconductor light emitting element, the size and shape can be poured even if the adhesive flows. If there is enough.

本発明の第２の局面は次のように規定することができる。
第２の局面の発光装置は、前記半導体発光素子の被接着部と前記第１のボンディング領域との間及び前記第３のボンディング領域との間の双方に前記貫通孔が形成されている、ことが好ましい。
すなわち、第１のリードフレームにおいて半導体発光素子の被接着部と第１のワイヤの第１のボンディング領域及び第３のワイヤの第３のボンディング領域との間の双方に、貫通孔が形成されているので、半導体発光素子を接着する接着剤が第１のリードフレーム上を流動しても、貫通孔により確実にトラップできる。これにより、ワイヤのボンディング領域に対する接着剤の影響を排除できる。
さらに、貫通孔の面積が第１のリードフレームの面積に比較して極めて狭いので、半導体発光素子から発生した熱は、第１のリードフレームを介して空気中に速やかに放散される。 The second aspect of the present invention can be defined as follows.
In the light emitting device according to the second aspect, the through hole is formed both between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region and between the third bonding region. Is preferred.
That is, in the first lead frame, through-holes are formed both between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region of the first wire and the third bonding region of the third wire. Therefore, even if the adhesive that adheres the semiconductor light emitting element flows on the first lead frame, it can be reliably trapped by the through hole. Thereby, the influence of the adhesive agent with respect to the bonding area | region of a wire can be excluded.
Furthermore, since the area of the through hole is extremely small compared to the area of the first lead frame, the heat generated from the semiconductor light emitting element is quickly dissipated into the air through the first lead frame.

本発明の第３の局面は次のように規定することができる。
第３の局面の発光装置は、前記被接着部の中心と前記第１のボンディング領域の中心とを結ぶ仮想線上に第１の貫通孔の中心が存在し、前記被接着部の中心と前記第３のボンディング領域の中心とを結ぶ仮想線上に第２の貫通孔の中心が存在する、ことが好ましい。これにより、前記被接着部の中心と前記第１又は第３のボンディング領域の中心とを結ぶ仮想線上に第１の貫通孔、第２の貫通孔の中心が存在するので、被接着部からの接着剤の流動をボンディング領域の手前で、確実に貫通孔に流し込むことにより接着剤の流れを阻止できる。 The third aspect of the present invention can be defined as follows.
In the light emitting device according to the third aspect, the center of the first through hole exists on a virtual line connecting the center of the adherend and the center of the first bonding region, and the center of the adherend and the first It is preferable that the center of the second through hole exists on a virtual line connecting the center of the three bonding regions. Thereby, since the center of the first through hole and the second through hole exists on the imaginary line connecting the center of the bonded part and the center of the first or third bonding region, It is possible to prevent the flow of the adhesive by flowing the flow of the adhesive into the through hole surely before the bonding region.

本発明の第４の局面は次のように規定することができる。
第４の局面の発光装置は、前記被接着部の中心から前記第１の貫通孔の中心までの第１の長さと前記被接着部の中心から前記第２の貫通孔の中心までの第２の長さとが等しい、ことが好ましい。これにより、半導体発光素子を接着する接着剤が流動しても、被接着部の中心から一定の距離において、ほぼ均等に接着剤の流動を貫通孔により阻止できる。 The fourth aspect of the present invention can be defined as follows.
A light emitting device according to a fourth aspect includes a first length from the center of the adherend to the center of the first through hole, and a second length from the center of the adherend to the center of the second through hole. Are preferably equal in length. Thereby, even if the adhesive which adheres the semiconductor light emitting element flows, the flow of the adhesive can be blocked by the through holes almost evenly at a certain distance from the center of the adherend.

本発明の第５の局面は次のように規定することができる。
第５の局面の発光装置は、前記第１のリードフレームは基部と突出部を有し、該突出部は前記ケースの開口部の中心上に位置し、前記半導体発光素子の被接着部は前記突出部の上であってその位置は前記開口部の中心位置と一致し、前記基部において前記突出部を挟むようにして前記第１のボンディング領域と第３のボンディング領域とが存在し、
前記基部と前記突出部との連結位置に前記貫通孔が形成される、ことが好ましい。
これにより、半導体発光素子の被接着部は、突出部の上であってその位置は開口部の中心位置と一致しているから、半導体発光素子から好適な光放出のバランスが得られる。
さらに、基部において突出部を挟むようにして第１のボンディング領域と第３のボンディング領域とが存在することにより、貫通孔の配置を半導体発光素子から分散して局部的な熱抵抗の増大を防ぐことにより、半導体発光素子の放熱を良好にできる。
さらに、基部と突出部との連結位置に貫通孔が形成されているので、半導体発光素子を接着する接着剤が流動しても、上流側で阻止できる。 The fifth aspect of the present invention can be defined as follows.
In the light emitting device of the fifth aspect, the first lead frame has a base portion and a protruding portion, the protruding portion is located on the center of the opening of the case, and the bonded portion of the semiconductor light emitting element is The first bonding region and the third bonding region exist on the projecting portion so that the position thereof coincides with the center position of the opening, and the projecting portion is sandwiched between the base portion,
It is preferable that the through hole is formed at a connection position between the base portion and the protruding portion.
As a result, the bonded portion of the semiconductor light emitting element is above the protruding portion and the position thereof coincides with the center position of the opening, so that a suitable balance of light emission from the semiconductor light emitting element can be obtained.
Further, the presence of the first bonding region and the third bonding region so as to sandwich the protruding portion at the base portion prevents the increase in local thermal resistance by dispersing the arrangement of the through holes from the semiconductor light emitting element. The heat radiation of the semiconductor light emitting device can be improved.
Furthermore, since the through-hole is formed at the connecting position between the base and the protrusion, even if the adhesive that adheres the semiconductor light emitting element flows, it can be blocked upstream.

本発明の一実施の形態を図１及び図２によって説明する。図１は本発明の一実施の形態を示すＬＥＤランプの平面図、図２は図１のＬＥＤランプの矢視II-IIの断面図である。
図１及び図２において、発光装置としてのフェイスアップ型ＬＥＤランプ１は、「表面実装型」などと称されるもので、半導体発光素子としてのＬＥＤチップ１１と、ツェナー・ダイオードチップ１２(以下、ＺＤチップ１２という)とを有する半導体部と、半導体部をマウントすると共に、外部から電源を半導体部に供給するリード部と、半導体部をリード部と接続するワイヤ部とを有している。
ＬＥＤランプ１は図２に示すように、半導体部，リード部，ワイヤ部を底面に敷設する樹脂製カップ状のケース５０を有している。符号５０ｅは略円形の開口部を示す。このケース５０は円形の底面に固定された半導体部，リード部，ワイヤ部を樹脂により封止する封止体１００を有している。そして、ＬＥＤランプ１は、電源をリード部により半導体部に供給すると、半導体部のＬＥＤチップ１１から発光が生じ、該発光が封止体１００を通してケース５０の開口部５０ｅから放出されるように形成されている。なお、封止体１００には、光分散材等のフィラー１０２が添加されている。封止材１００中に蛍光体を分散することもできる。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of an LED lamp showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II of the LED lamp of FIG.
1 and 2, a face-up type LED lamp 1 as a light emitting device is referred to as a “surface mount type” or the like. A semiconductor part having a ZD chip 12), a lead part for mounting the semiconductor part and supplying power from the outside to the semiconductor part, and a wire part for connecting the semiconductor part to the lead part.
As shown in FIG. 2, the LED lamp 1 has a resin cup-like case 50 in which a semiconductor portion, a lead portion, and a wire portion are laid on the bottom surface. Reference numeral 50e denotes a substantially circular opening. The case 50 includes a sealing body 100 that seals a semiconductor portion, a lead portion, and a wire portion fixed to a circular bottom surface with a resin. The LED lamp 1 is formed such that when power is supplied to the semiconductor portion through the lead portion, light is emitted from the LED chip 11 of the semiconductor portion and emitted from the opening 50e of the case 50 through the sealing body 100. Has been. Note that a filler 102 such as a light dispersion material is added to the sealing body 100. A phosphor can be dispersed in the sealing material 100.

半導体部は、ＬＥＤチップ１１と、該ＬＥＤチップ１１に逆並列接続されたＺＤチップ１２を有している。ＺＤチップ１２を逆並列接続するのは、ＬＥＤチップ１１を静電気などから保護するためである。
リード部は、ケース５０の底面樹脂材料から表出されており、底面の略上半円部に設けられると共に、平板状の導電体から成る第１のリードフレーム２１と、底面の略下半円部に設けられると共に、平板状の導電体から成る第２のリードフレーム２２とを有している。そして、第１，第２のリードフレーム２１，２２の相互間には、絶縁するために溝２５が設けられている。 The semiconductor unit includes an LED chip 11 and a ZD chip 12 connected in reverse parallel to the LED chip 11. The reason why the ZD chip 12 is connected in reverse parallel is to protect the LED chip 11 from static electricity or the like.
The lead portion is exposed from the bottom surface resin material of the case 50 and is provided in the substantially upper semicircular portion of the bottom surface, and the first lead frame 21 made of a flat plate-like conductor and the substantially lower semicircle of the bottom surface. And a second lead frame 22 made of a flat conductor. A groove 25 is provided between the first and second lead frames 21 and 22 for insulation.

第１のリードフレーム２１は、平面視で、中央端に山状の突出部２１ｔを有すると共に、突出部２１ｔに連通した帯状の基部２１ｆとを有し、突出部２１ｔは、ケース５０の底面の中心に位置すると共に、ＬＥＤチップ１１が銀ペーストなどの接着剤５１によりマウントされている。ここで、ＬＥＤチップ１１をケース５０の底面の中心にマウントするのは、ＬＥＤチップ１１から好適な光放出のバランスを得て配光特性を対称にするためである。さらに、第１のリードフレーム２１に突出部２１ｔを有するのは、該突出部２１tがないと、ＬＥＤチップ１１をマウントするために、第１のリードフレーム２１の短方向（図示上下方向）の幅が広くなる。このため、第２のリードフレーム２２の短方向の幅が狭くなり、第２のリードフレーム２２にＺＤチップ１２をマウントしづらくなるからである。 The first lead frame 21 has a mountain-shaped protruding portion 21t at the center end in plan view and a band-shaped base portion 21f communicating with the protruding portion 21t. The protruding portion 21t is formed on the bottom surface of the case 50. The LED chip 11 is mounted with an adhesive 51 such as a silver paste while being located at the center. Here, the reason why the LED chip 11 is mounted at the center of the bottom surface of the case 50 is to obtain a suitable balance of light emission from the LED chip 11 and to make the light distribution characteristic symmetrical. Further, the first lead frame 21 has the protruding portion 21t because, in the absence of the protruding portion 21t, the width of the first lead frame 21 in the short direction (vertical direction in the drawing) in order to mount the LED chip 11. Becomes wider. For this reason, the width of the second lead frame 22 in the short direction is narrowed, making it difficult to mount the ZD chip 12 on the second lead frame 22.

第２のリードフレーム２２は、平面視で略帯状に形成されており、上記突出部２１ｔと接触しないために突出部２１ｔの形状に対応した形状となっており、一端部の上部にＺＤチップ１２が銀ペーストなどの接着剤５２によりマウントされている。 The second lead frame 22 is formed in a substantially band shape in plan view and has a shape corresponding to the shape of the protruding portion 21t so as not to contact the protruding portion 21t. Is mounted by an adhesive 52 such as silver paste.

ワイヤ部は、第１から第３のワイヤ３１，３２，３３を有しており、第１のワイヤ３１は、ＺＤチップ１２から懸架され、第１のリードフレーム２１の一端部の略中央部に位置する第１のボンディング領域３１ａにボンディング接続されている。第２のワイヤ３２は、ＬＥＤチップ１１の一方の電極パッドから懸架され、第２のリードフレーム２２の他端部の上部に位置する第２のボンディング領域３２ａにボンディング接続されており、第３のワイヤ３３は、ＬＥＤチップ１１の他方の電極パッドから懸架され、第１のリードフレーム２１の他端部の中央部に位置する第３のボンディング領域３３ａにボンディング接続されている。
また、上記ボンディング接続は、熱圧着等により成される。このボンディング領域はボンディング作業においてボンディングの対象となる領域であり、各リードフレーム上に機械的、物理的なマークをもって規定されているものではない。 The wire portion includes first to third wires 31, 32, and 33, and the first wire 31 is suspended from the ZD chip 12 and is substantially at the center of one end portion of the first lead frame 21. The first bonding region 31a is connected by bonding. The second wire 32 is suspended from one electrode pad of the LED chip 11 and bonded to the second bonding region 32a located on the other end of the second lead frame 22, The wire 33 is suspended from the other electrode pad of the LED chip 11 and is bonded to a third bonding region 33 a located at the center of the other end of the first lead frame 21.
The bonding connection is made by thermocompression bonding or the like. This bonding area is an area to be bonded in the bonding operation, and is not defined with a mechanical or physical mark on each lead frame.

ここで、第１のワイヤ３１を第１のリードフレーム２１の一端部の中央部に接続するのは、第１のボンディング領域３１ａをＬＥＤチップ１１から離して接着剤５１の流動の影響を受けにくくするためである。第２のワイヤ３２を第２のリードフレーム２２の他端部の上部に接続するのは、第２のボンディング領域３２ａをＺＤチップ１２から離して接着剤５２の流動の影響を排除するためである。第３のワイヤ３３を第１のリードフレーム２１の他端部の中央部に接続するのは、第１のボンディング領域３１ａから遠ざけて第１のボンディング領域３１ａの熱圧着などの影響を排除するためである。
なお、第１のワイヤ３１，３２，３３のいずれもワイヤ長を短くして電気抵抗を低くしている。 Here, the reason why the first wire 31 is connected to the central portion of the one end portion of the first lead frame 21 is that the first bonding region 31 a is separated from the LED chip 11 and is not easily affected by the flow of the adhesive 51. It is to do. The reason why the second wire 32 is connected to the upper portion of the other end of the second lead frame 22 is to separate the second bonding region 32a from the ZD chip 12 and eliminate the influence of the flow of the adhesive 52. . The reason why the third wire 33 is connected to the central portion of the other end portion of the first lead frame 21 is to move away from the first bonding region 31a to eliminate the influence of thermocompression bonding or the like of the first bonding region 31a. It is.
Note that all of the first wires 31, 32, and 33 have a short wire length and a low electrical resistance.

第１のリードフレーム２１には、ＬＥＤチップ１１の被接着部１１ａと第１のワイヤ３１の第１のボンディング領域３１ａとの間に円形の第１の貫通孔２１ｅ1が形成され、同様に被接着部１１ａと第３のボンディング領域３３ａとの間に、円形の第２の貫通孔２１ｅ2が設けられている。第１,第２の貫通孔２１ｅ1，２１ｅ2を設けたのは、第１，第３のボンディング領域３１ａ，３３ａを接着剤５１の流動から保護すると共に、ＬＥＤチップ１１から発生した熱を第１のリードフレーム２１を介して良好に伝導するためである。
さらに、第１及び第２貫通孔２１ｅ１，２１ｅ2は、第１のリードフレーム２１の基部２１ｆと突出部２１tとの連結位置に設けられていることが好ましい。接着剤５１の流動を上流側で阻止するためである。
なお、ＬＥＤチップの被接着部１１ａはＬＥＤチップがマウントされるべき領域を指し、リードフレームにおいて機械的、物理的なマークをもって規定される必要は無い。リードフレームへダイボンディングペースト等の接着剤を予め塗布する場合は、当該接着剤を塗布した領域が被接着部となる。以下の説明では、被接着部として１１ａの符号を接着剤の塗布領域に付す。 In the first lead frame 21, a circular first through hole 21e1 is formed between the adherend portion 11a of the LED chip 11 and the first bonding region 31a of the first wire 31, and is similarly adhered. A circular second through hole 21e2 is provided between the portion 11a and the third bonding region 33a. The first and second through holes 21e1 and 21e2 are provided to protect the first and third bonding regions 31a and 33a from the flow of the adhesive 51 and to generate heat generated from the LED chip 11 in the first manner. This is to conduct well through the lead frame 21.
Furthermore, it is preferable that the first and second through holes 21e1 and 21e2 are provided at a connection position between the base portion 21f of the first lead frame 21 and the protruding portion 21t. This is to prevent the flow of the adhesive 51 on the upstream side.
The bonded portion 11a of the LED chip indicates a region where the LED chip is to be mounted, and does not need to be defined with a mechanical or physical mark on the lead frame. When an adhesive such as a die bonding paste is applied in advance to the lead frame, a region to which the adhesive is applied becomes an adherend. In the following description, the reference numeral 11a is attached to the adhesive application region as the bonded portion.

ＬＥＤチップ１１の被接着部１１ａの中心と第１のボンディング領域３１ａの中心とを結ぶ仮想線上に第１の貫通孔２１ｅ1の中心が存在し、被接着部１１ａの中心と第２のボンディング領域３２ａの中心とを結ぶ仮想線上に第２の貫通孔２１ｅ2の中心が存在することが好ましい。これにより、ＬＥＤチップ１１をマウントする接着剤５１が流れ出て各ボンディング領域３１ａ、３３ａへ向かったとき、接着剤を第１，第２の貫通孔２１ｅ1，２１ｅ2により確実にトラップできる。流れ出た接着剤の多くは当該仮想線上を通過するからである。
さらに、被接着部１１ａの中心から第１の貫通孔２１ｅ1の中心までの第１の長さと、被接着部１１ａの中心から第２の貫通孔２１ｅ2の中心までの第２の長さとが等しい、ことが好ましい。これにより、ＬＥＤチップ１１マウント用の接着剤５１が流動したとき、流出した接着剤が各貫通孔で均等にトラップされ、一方の貫通孔に偏在することを防止できる。これにより、貫通孔の面積を小さくしても接着剤がボンディング領域まで達することを効果的に予防できる。貫通孔の面積を小さくできれば、リードフレームの放熱特性が向上する。 The center of the first through hole 21e1 exists on the imaginary line connecting the center of the bonded portion 11a of the LED chip 11 and the center of the first bonding region 31a, and the center of the bonded portion 11a and the second bonding region 32a. It is preferable that the center of the second through hole 21e2 exists on a virtual line connecting the center of the second through hole 21e2. As a result, when the adhesive 51 for mounting the LED chip 11 flows out toward the bonding regions 31a and 33a, the adhesive can be reliably trapped by the first and second through holes 21e1 and 21e2. This is because most of the adhesive that has flowed out passes through the virtual line.
Further, the first length from the center of the adherend portion 11a to the center of the first through hole 21e1 is equal to the second length from the center of the adherend portion 11a to the center of the second through hole 21e2. It is preferable. Thereby, when the adhesive 51 for mounting the LED chip 11 flows, it is possible to prevent the outflowing adhesive from being trapped evenly in each through hole and unevenly distributed in one through hole. Thereby, even if it reduces the area of a through-hole, it can prevent effectively that an adhesive agent reaches a bonding area | region. If the area of the through hole can be reduced, the heat dissipation characteristics of the lead frame can be improved.

ケース５０は、平板状の第１のリードフレーム２１、第２のリードフレーム２２を熱可塑性樹脂によりモールドして、封止体１００を充填している。封止体１００は透光性のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなり、ケース５０の開口部５０ｅの中に実装されているＬＥＤチップ１１，ＺＤチップ１２，第１及び第２のリードフレーム２１，２２、第１から第３のワイヤ３１，３２，３３を封止している。封止体１００には光分散剤や蛍光体等のフィラー１０２を分散することができる。 The case 50 is filled with the sealing body 100 by molding the flat plate-like first lead frame 21 and the second lead frame 22 with a thermoplastic resin. The sealing body 100 is made of a translucent epoxy resin or silicone resin, and the LED chip 11, the ZD chip 12, the first and second lead frames 21, 22 mounted in the opening 50e of the case 50, The first to third wires 31, 32, and 33 are sealed. A filler 102 such as a light dispersing agent or a phosphor can be dispersed in the sealing body 100.

上記のように構成されたＬＥＤランプにおけるＬＥＤチップの接着剤の流動及びＬＥＤチップの放熱の作用について図１から図３を参照して説明する。図３は図１によるＬＥＤランプの放熱状態を示す模式平面図である。
＜接着剤の流動阻止＞
図１及び図２に示すように、第１のリードフレーム２１における突出部２１ｔにＬＥＤチップ１１を接着剤５１により接着すると、接着剤５１が流動して突出部２１ｔを越えて流れ出ても、第１及び第２の貫通孔２１ｅ１，２１ｅ２に流れ込む。したがって、第１，第３のワイヤボンディング領域３１ａ，３３ａの清浄が維持される。 The action of the adhesive of the LED chip and the heat dissipation of the LED chip in the LED lamp configured as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a schematic plan view showing a heat dissipation state of the LED lamp shown in FIG.
<Blocking adhesive flow>
As shown in FIGS. 1 and 2, when the LED chip 11 is adhered to the protruding portion 21t of the first lead frame 21 with the adhesive 51, the adhesive 51 flows and flows out beyond the protruding portion 21t. It flows into the first and second through holes 21e1, 21e2. Therefore, the cleanliness of the first and third wire bonding regions 31a and 33a is maintained.

＜ＬＥＤチップの放熱＞
いま、第１及び第２のリードフレーム２１，２２を介してＬＥＤチップ１１に電流が流れると、ＬＥＤチップ１１から発光すると共に、熱が発生する。この熱は、図２及び図３に示すように、ＬＥＤチップ１１の底面から接着剤５１を介して第１のリードフレーム２１に伝導し、突出部２１ｔから一点鎖線に示すように、第１のリードフレーム２１上を伝導して放散される。この伝導の際、貫通孔２１ｅ1，２１ｅ２が空けられているが、この貫通孔２１ｅ1，２１ｅ２の面積は、第１のリードフレーム２１の面積に比較して小さいので、熱抵抗もそれほど増加することなく速やかにＬＥＤチップ１１の熱を第１のリードフレーム２１を介して放散する。
なお、ＺＤチップ１２は、通常時はオフしているため、熱はほとんど生じない。 <Heat dissipation of LED chip>
Now, when a current flows through the LED chip 11 through the first and second lead frames 21 and 22, light is emitted from the LED chip 11 and heat is generated. 2 and 3, this heat is conducted from the bottom surface of the LED chip 11 to the first lead frame 21 through the adhesive 51, and from the protruding portion 21t, the first dotted line Conducted and diffused on the lead frame 21. During this conduction, the through holes 21e1 and 21e2 are opened. However, since the areas of the through holes 21e1 and 21e2 are smaller than the area of the first lead frame 21, the thermal resistance does not increase so much. The heat of the LED chip 11 is quickly dissipated through the first lead frame 21.
Since the ZD chip 12 is normally off, almost no heat is generated.

＜比較例＞
本実施の形態のＬＥＤランプの放熱作用と比較するために、切り欠きを有する従来のＬＥＤランプ１１０の放熱作用について図４を参照して説明する。図４は従来のＬＥＤランプ１１０の放熱状態を示す模式平面図である。なお、図４において図１と同一の要素については同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。
上記と同様に、ＬＥＤチップ１１に電流が流れると、ＬＥＤチップ１１から発光すると共に、熱が発生する。この熱は、ＬＥＤチップ１１の底面と接着剤５１を介して第１のリードフレーム２１に伝導し、突出部２１ｔから一点鎖線に示すように、二つの切り欠き１２１ｅ１，１２１ｅ２があるため、狭くなった中央部から第１のリードフレーム２１上を伝導して放散される。この伝導の際、狭い中央部の熱抵抗が本発明の実施形態のＬＥＤランプ１に比較して極めて大きくなるので、ＬＥＤチップ１１の熱が円滑に放散しにくい。 <Comparative example>
In order to compare with the heat dissipation action of the LED lamp of the present embodiment, the heat dissipation action of the conventional LED lamp 110 having a notch will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic plan view showing a heat dissipation state of the conventional LED lamp 110. 4, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is partially omitted.
Similarly to the above, when a current flows through the LED chip 11, light is emitted from the LED chip 11 and heat is generated. This heat is conducted to the first lead frame 21 through the bottom surface of the LED chip 11 and the adhesive 51, and becomes narrower because there are two notches 121e1 and 121e2 from the protruding portion 21t as indicated by a one-dot chain line. Conducted and diffused on the first lead frame 21 from the central portion. At the time of this conduction, the heat resistance of the narrow central portion becomes extremely large as compared with the LED lamp 1 of the embodiment of the present invention, so that the heat of the LED chip 11 is not easily dissipated smoothly.

上記実施形態では、中央部にＬＥＤチップ１１を設けたが、図５に示すように、第１のリードフレーム２１の他端部に設けても良い。このようにすると、ＬＥＤチップ１１の第２の被接着部１１ｂと第１のワイヤ３１の第１のボンディング領域３１ａとの距離が離れるため、第１の貫通孔２１ｅ1は不要となる。なお、図５において図１と同一の要素については同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。 In the above embodiment, the LED chip 11 is provided at the center, but it may be provided at the other end of the first lead frame 21 as shown in FIG. If it does in this way, since the distance of the 2nd to-be-adhered part 11b of LED chip 11 and the 1st bonding area | region 31a of the 1st wire 31 leaves | separates, the 1st through-hole 21e1 becomes unnecessary. 5, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is partially omitted.

上記実施形態のＬＥＤランプ１２０は、ケース５０の底面に第１のリードフレーム２１と第２のリードフレーム２２とが表出され、第１のリードフレーム２１にＬＥＤチップ１１が接着剤５１で接着され、第２のリードフレーム２２にはＺＤチップ１２が固定され、ＺＤチップ１２から第１のワイヤ３１が第１のリードフレーム２１へ懸架され、ＬＥＤチップ１１から第２のワイヤ３２が第２のリードフレーム２２へそれぞれ懸架され、ＬＥＤチップ１１から第３のワイヤ３３が第１のリードフレーム２１へ懸架されており、第１のリードフレーム２１においてＬＥＤチップ１１の被接着部１１ａと第１のワイヤ３１の第１のボンディング領域３１ａとの間、及び／又はＬＥＤチップ１１の被接着部１１ａと第３のワイヤ３３の第３のボンディング領域３３ａとの間に第１の貫通孔２１ｅ１、第２の貫通孔２１ｅ2の少なくとも一つが形成されているものである。 In the LED lamp 120 of the above embodiment, the first lead frame 21 and the second lead frame 22 are exposed on the bottom surface of the case 50, and the LED chip 11 is bonded to the first lead frame 21 with the adhesive 51. The ZD chip 12 is fixed to the second lead frame 22, the first wire 31 is suspended from the ZD chip 12 to the first lead frame 21, and the second wire 32 from the LED chip 11 is the second lead. A third wire 33 is suspended from the LED chip 11 and suspended from the LED chip 11 to the first lead frame 21. The adherend portion 11 a of the LED chip 11 and the first wire 31 are suspended from the first lead frame 21. The third bonding area of the LED wire 11 and / or the third bond 33 of the third wire 33 and / or the bonded portion 11a of the LED chip 11 First through hole 21e1 between the ring region 33a, in which at least one of the second through hole 21e2 is formed.

上記実施形態のＬＥＤランプ１２０によれば、第１のリードフレーム２１においてＬＥＤチップ１１の被接着部１１ａと第１のワイヤ３１の第１のボンディング領域３１ａ又は第３のワイヤ３３の第３のボンディング領域３３ａとの間の少なくともいずれか一方に、貫通孔２１ｅ１，２１ｅ2が形成されているので、ＬＥＤチップ１１を接着する接着剤５１が第１のリードフレーム２１上を流動しても、貫通孔２１ｅ１，２１ｅ2に流れ込む。これにより、第１，第３のボンディング領域３１ａ，３３ａに対する接着剤５１の影響を排除できる。
さらに、貫通孔２１ｅ１，２１ｅ2の面積が第１のリードフレーム２１の面積に比較して極めて狭いので、ＬＥＤチップ１１から発生した熱は、第１のリードフレーム２１を介して空気中に速やかに放散される。 According to the LED lamp 120 of the above embodiment, in the first lead frame 21, the bonded portion 11 a of the LED chip 11 and the first bonding region 31 a of the first wire 31 or the third bonding of the third wire 33. Since the through holes 21e1 and 21e2 are formed in at least one of the areas 33a, even if the adhesive 51 that adheres the LED chip 11 flows on the first lead frame 21, the through holes 21e1 , 21e2. Thereby, the influence of the adhesive 51 on the first and third bonding regions 31a and 33a can be eliminated.
Further, since the areas of the through holes 21e1 and 21e2 are extremely narrow as compared with the area of the first lead frame 21, the heat generated from the LED chip 11 is quickly dissipated into the air via the first lead frame 21. Is done.

実施形態２．
上記実施形態１では、底面が絶縁されている絶縁タイプのＬＥＤチップ１１について説明したが、非絶縁タイプについて、本発明の他の実施形態を図６によって説明する。図６は本発明の他の実施の形態を示すＬＥＤランプの平面図である。なお、図６において、図１と同一の要素については同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。
図６において、ＬＥＤランプ１３０は、非絶縁タイプのＬＥＤチップ１１１を用いると、図１における第３のワイヤ３３、第２の貫通孔２１ｅ2が不要となる。 Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the insulating type LED chip 11 whose bottom surface is insulated has been described. However, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6 for a non-insulating type. FIG. 6 is a plan view of an LED lamp showing another embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is partially omitted.
In FIG. 6, when the non-insulated type LED chip 111 is used for the LED lamp 130, the third wire 33 and the second through hole 21e2 in FIG. 1 are not required.

本実施形態のＬＥＤランプ１３０は、ケース５０の底面に第１のリードフレーム２１と第２のリードフレーム２２とが表出され、第１のリードフレーム２１にＬＥＤチップ１１１が接着剤５１で接着され、第２のリードフレーム２２にはＺＤチップ１２が固定され、ＺＤチップ１２から第１のワイヤ３１が第１のリードフレーム２１へ懸架され、ＬＥＤチップ１１１から第２のワイヤ３２が第２のリードフレーム２２へそれぞれ懸架され、第１のリードフレーム２１においてＬＥＤチップ１１１の被接着部１１１ａと第１のワイヤ３１の第１のボンディング領域３１ａとの間に貫通孔２１ｅ１が形成されている、ものである。 In the LED lamp 130 of the present embodiment, the first lead frame 21 and the second lead frame 22 are exposed on the bottom surface of the case 50, and the LED chip 111 is bonded to the first lead frame 21 with the adhesive 51. The ZD chip 12 is fixed to the second lead frame 22, the first wire 31 is suspended from the ZD chip 12 to the first lead frame 21, and the second wire 32 from the LED chip 111 is the second lead. A through hole 21e1 is formed between the first lead frame 21 and the bonded portion 111a of the LED chip 111 and the first bonding region 31a of the first wire 31. is there.

該ＬＥＤランプ１３０によれば、ＬＥＤチップ１１１と第１のリードフレーム２１との熱伝導性を良好に確保しつつ、貫通孔２１ｅ1は、ＬＥＤチップ１１１をマウントする際の接着剤５１の流動を防止して第１のリードフレーム２１の第１のボンディング領域３１ａを接着剤５１の影響から排除できる。すなわち、第１のリードフレーム２１においてＬＥＤチップ１１１の被接着部１１１ａと第１のボンディング領域３１ａの間に、貫通孔２１ｅ１が形成されているので、ＬＥＤチップ１１１を接着する接着剤５１が第１のリードフレーム２１上を流動しても、貫通孔２１ｅ１に流れ込む。これにより、第１のワイヤ３１の第１のボンディング領域３１ａに対する接着剤５１の影響を排除できる。
さらに、貫通孔２１ｅ１の面積が第１のリードフレーム２１の面積に比較して極めて狭いので、ＬＥＤチップ１１１から発生した熱は、第１のリードフレーム２１を介して良好に伝導して空気中に放散される。 According to the LED lamp 130, the through hole 21e1 prevents the adhesive 51 from flowing when the LED chip 111 is mounted, while ensuring good thermal conductivity between the LED chip 111 and the first lead frame 21. Thus, the first bonding region 31 a of the first lead frame 21 can be excluded from the influence of the adhesive 51. That is, since the through hole 21e1 is formed between the bonded portion 111a of the LED chip 111 and the first bonding region 31a in the first lead frame 21, the adhesive 51 for bonding the LED chip 111 is the first. Even if it flows on the lead frame 21, it flows into the through hole 21 e 1. Thereby, the influence of the adhesive 51 on the first bonding region 31a of the first wire 31 can be eliminated.
Furthermore, since the area of the through-hole 21e1 is extremely narrow compared to the area of the first lead frame 21, the heat generated from the LED chip 111 is well conducted through the first lead frame 21 into the air. Dissipated.

尚、上記の実施の形態では、ＬＥＤチップを保護するために、ツェナダイオードチップを用いたが、バリスタチップ等、その他の保護チップを用いてもよい。 In the above embodiment, the Zener diode chip is used to protect the LED chip. However, other protection chips such as a varistor chip may be used.

本発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。 The present invention is not limited to the description of the embodiments and examples of the invention described above. Various modifications are also included in the present invention as long as those skilled in the art can easily conceive without departing from the scope of the claims.

本発明の一実施の形態を示すＬＥＤランプの平面図である。It is a top view of the LED lamp which shows one embodiment of this invention. 図１のＬＥＤランプの矢視II-IIの断面図である。It is sectional drawing of the arrow II-II of the LED lamp of FIG. 図１によるＬＥＤランプの放熱状態を示す模式平面図である。It is a schematic plan view which shows the heat dissipation state of the LED lamp by FIG. 比較例によるＬＥＤランプの放熱状態を示す模式平面図である。It is a schematic top view which shows the thermal radiation state of the LED lamp by a comparative example. 本発明の一実施の形態の変形例を示すＬＥＤランプの平面図である。It is a top view of the LED lamp which shows the modification of one embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態を示すＬＥＤランプの平面図である。It is a top view of the LED lamp which shows other embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１，１１０，１２０，１３０ＬＥＤランプ、１１，１１１、ＬＥＤチップ、１１ａ，１１１ａ被接着部、１２ＺＤチップ、２１第１のリードフレーム、２１ｅ1 第１の貫通孔、２１ｅ2 第２の貫通孔、２１ｆ基部、２１ｔ突出部、２２第２のリードフレーム、５０ケース、５０ｅ開口部、５１接着剤。 1,110,120,130 LED lamp, 11, 111, LED chip, 11a, 111a adherend, 12 ZD chip, 21 first lead frame, 21e1 first through hole, 21e2 second through hole, 21f Base, 21t protrusion, 22 2nd lead frame, 50 case, 50e opening, 51 adhesive.

Claims

A first lead frame and a second lead frame are provided on the bottom surface of the case,
A semiconductor light emitting element is bonded to the first lead frame with an adhesive,
A protective element for the semiconductor light emitting element is fixed to the second lead frame,
A first wire is suspended from the protective element on a first bonding region of the first lead frame,
A second wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a second bonding region of the second lead frame,
A third wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a third bonding region of the first lead frame,
A through hole is formed in at least one of the first lead frame between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region, and between the third bonding region,
A light emitting device characterized by that.

The said through-hole is formed in both between the to-be-adhered part of the said semiconductor light-emitting device, the said 1st bonding area | region, and the said 3rd bonding area | region, The said through-hole is formed. Light emitting device.

The center of the first through hole exists on the imaginary line connecting the center of the bonded portion and the center of the first bonding region, and connects the center of the bonded portion and the center of the third bonding region. The center of the second through hole exists on the virtual line,
The light-emitting device according to claim 2.

A first length from the center of the adherend to the center of the first through hole is equal to a second length from the center of the adherend to the center of the second through hole.
The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.

The first lead frame has a base portion and a protruding portion, the protruding portion is located on the center of the opening of the case, and the adherend portion of the semiconductor light emitting element is on the protruding portion, and the position thereof Coincides with the center position of the opening, and the first bonding region and the third bonding region exist so as to sandwich the protrusion at the base,
The through-hole is formed at a connection position between the base and the protrusion.
The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.