JP2010080502A - Light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.
高い信頼性を求められる発光装置としてのLEDランプでは、半導体発光素子としてのLEDチップを静電気等から保護するため、保護素子としてのツェナーダイオードチップをLEDチップと並列にかつ逆向きに配設している。このツェナーダイオードチップは、例えばフリップチップ用のサブマウントに作りこまれて、当該サブマウントへLEDチップがマウントされる。
LEDランプを更に小型化(厚さ及び面積)するため、LEDランプ内において、LEDチップとツェナーダイオードとをそれぞれ別のリードフレームにマウントすることが検討されている。
In an LED lamp as a light emitting device that requires high reliability, in order to protect the LED chip as a semiconductor light emitting element from static electricity or the like, a Zener diode chip as a protective element is arranged in parallel with the LED chip and in the opposite direction. Yes. This Zener diode chip is built in, for example, a flip-chip submount, and the LED chip is mounted on the submount.
In order to further reduce the size (thickness and area) of the LED lamp, it is considered to mount the LED chip and the Zener diode on different lead frames in the LED lamp.
しかしながら、かかるマウント方式では、LEDチップをマウントするリードフレームに、ツェナーダイオードチップからのワイヤ(第1のワイヤ)とLEDチップからのワイヤ(第2のワイヤ)とがボンディングされるので、当該リードフレームに充分な面積を確保しづらい。その結果、LEDチップをリードフレームへ接着するため接着剤(ダイボンディング剤)が不規則に流動して、またリードフレーム上をブリーディングして上記ワイヤのボンディング領域に達するおそれがある。ワイヤのボンディング領域に接着剤が存在すると、ボンディング作業のじゃまとなるだけでなく、ワイヤとリードフレームとの間のボンディング接着力が大幅に低減する。
そこで、特許文献1に記載のLEDランプでは、リードフレームに切欠部を設けて接着剤の影響がワイヤのボンディング領域に及ばないようにしている。
However, in such a mounting method, a wire from the Zener diode chip (first wire) and a wire from the LED chip (second wire) are bonded to the lead frame for mounting the LED chip. It is difficult to secure a sufficient area. As a result, the adhesive (die bonding agent) flows irregularly to bond the LED chip to the lead frame, and there is a possibility that the lead frame may bleed and reach the bonding area of the wire. The presence of adhesive in the bonding area of the wire not only hinders the bonding operation but also greatly reduces the bonding force between the wire and the lead frame.
Therefore, in the LED lamp described in
リードフレームへ切欠部を設けることでワイヤのボンディング領域に対する接着剤の影響を排除できる。
しかしながら、この切欠部により、外部へ表出するリードフレームの面積が小さくなり、放熱性の低下を免れない。特に、LEDチップのマウント領域を囲むように切欠部が形成される場合は、LEDチップからの熱の伝導が遮られることとなる。
By providing a notch in the lead frame, the influence of the adhesive on the bonding area of the wire can be eliminated.
However, due to the notch, the area of the lead frame exposed to the outside is reduced, and a reduction in heat dissipation is inevitable. In particular, when the notch is formed so as to surround the mounting area of the LED chip, heat conduction from the LED chip is blocked.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、LEDチップなどの発光素子から流動した接着剤がワイヤのボンディング領域を汚損することなく、半導体発光素子から発生する熱を良好に放散できる発光装置を提供するものである。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and the adhesive flowing from a light emitting element such as an LED chip can dissipate the heat generated from the semiconductor light emitting element without contaminating the bonding region of the wire. A light-emitting device is provided.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の第1の局面は次のように規定することができる。
ケースの底面に第1のリードフレームと第2のリードフレームとを備え、
前記第1のリードフレームに半導体発光素子が接着剤で接着され、
前記第2のリードフレームには前記半導体発光素子の保護素子が固定され、
前記保護素子から第1のワイヤが前記第1のリードフレームの第1のボンディング領域に懸架され、
前記半導体発光素子から第2のワイヤが前記第2のリードフレームの第2のボンディング領域に懸架され、
前記半導体発光素子から第3のワイヤが前記第1のリードフレームの第3のボンディング領域に懸架され、
前記第1のリードフレームの、前記半導体発光素子の被接着部と前記第1のボンディング領域との間、及び、前記第3のボンディング領域との間の少なくとも一方に貫通孔が形成される、
ことを特徴とする発光装置。
The present invention has been made in view of the above problems. That is, the first aspect of the present invention can be defined as follows.
A first lead frame and a second lead frame are provided on the bottom surface of the case,
A semiconductor light emitting element is bonded to the first lead frame with an adhesive,
A protective element for the semiconductor light emitting element is fixed to the second lead frame,
A first wire is suspended from the protective element on a first bonding region of the first lead frame,
A second wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a second bonding region of the second lead frame,
A third wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a third bonding region of the first lead frame,
A through hole is formed in at least one of the first lead frame between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region, and between the third bonding region,
A light emitting device characterized by that.
換言すれば、該発光装置は、半導体発光素子と第1のリードフレームとの熱伝導性を良好に確保して半導体発光素子の熱放散を促進しつつ、半導体発光素子をマウントする際の接着剤の流動を貫通孔により阻止して第1のリードフレームのボンディング領域を上記接着剤の影響から排除するものである。
すなわち、第1のリードフレームにおいて半導体発光素子の被接着部と前記第1のボンディング領域との間、及び、前記第3のボンディング領域との間の少なくとも一方に、貫通孔が形成されているので、半導体発光素子を接着する接着剤が第1のリードフレーム上を流動しても、貫通孔に流れ込む。これにより、第1のリードフレームのボンディング領域(第1及び第3のボンディング領域)に対する接着剤の影響を排除できる。
さらに、貫通孔の面積が第1のリードフレームの面積に比較して極めて狭いので、半導体発光素子から発生した熱は、第1のリードフレームを介して良好に伝導して空気中に放散される。
また、貫通孔の形状は、丸形、楕円形、長方形、正方形など特に問わないが、半導体発光素子を接着する際に、接着剤が流動しても、これを流し込める、大きさ及び形状であれば足りる。
In other words, the light-emitting device has an adhesive for mounting the semiconductor light-emitting element while ensuring good thermal conductivity between the semiconductor light-emitting element and the first lead frame to promote heat dissipation of the semiconductor light-emitting element. This flow is prevented by the through-hole, and the bonding area of the first lead frame is excluded from the influence of the adhesive.
That is, since a through hole is formed in at least one of the first lead frame between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region and the third bonding region. Even if the adhesive for adhering the semiconductor light emitting element flows on the first lead frame, it flows into the through hole. Thereby, it is possible to eliminate the influence of the adhesive on the bonding region (first and third bonding regions) of the first lead frame.
Furthermore, since the area of the through hole is extremely small compared to the area of the first lead frame, the heat generated from the semiconductor light emitting element is conducted well through the first lead frame and is dissipated into the air. .
The shape of the through hole is not particularly limited, such as a round shape, an oval shape, a rectangular shape, and a square shape. However, when bonding the semiconductor light emitting element, the size and shape can be poured even if the adhesive flows. If there is enough.
本発明の第2の局面は次のように規定することができる。
第2の局面の発光装置は、前記半導体発光素子の被接着部と前記第1のボンディング領域との間及び前記第3のボンディング領域との間の双方に前記貫通孔が形成されている、ことが好ましい。
すなわち、第1のリードフレームにおいて半導体発光素子の被接着部と第1のワイヤの第1のボンディング領域及び第3のワイヤの第3のボンディング領域との間の双方に、貫通孔が形成されているので、半導体発光素子を接着する接着剤が第1のリードフレーム上を流動しても、貫通孔により確実にトラップできる。これにより、ワイヤのボンディング領域に対する接着剤の影響を排除できる。
さらに、貫通孔の面積が第1のリードフレームの面積に比較して極めて狭いので、半導体発光素子から発生した熱は、第1のリードフレームを介して空気中に速やかに放散される。
The second aspect of the present invention can be defined as follows.
In the light emitting device according to the second aspect, the through hole is formed both between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region and between the third bonding region. Is preferred.
That is, in the first lead frame, through-holes are formed both between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region of the first wire and the third bonding region of the third wire. Therefore, even if the adhesive that adheres the semiconductor light emitting element flows on the first lead frame, it can be reliably trapped by the through hole. Thereby, the influence of the adhesive agent with respect to the bonding area | region of a wire can be excluded.
Furthermore, since the area of the through hole is extremely small compared to the area of the first lead frame, the heat generated from the semiconductor light emitting element is quickly dissipated into the air through the first lead frame.
本発明の第3の局面は次のように規定することができる。
第3の局面の発光装置は、前記被接着部の中心と前記第1のボンディング領域の中心とを結ぶ仮想線上に第1の貫通孔の中心が存在し、前記被接着部の中心と前記第3のボンディング領域の中心とを結ぶ仮想線上に第2の貫通孔の中心が存在する、ことが好ましい。これにより、前記被接着部の中心と前記第1又は第3のボンディング領域の中心とを結ぶ仮想線上に第1の貫通孔、第2の貫通孔の中心が存在するので、被接着部からの接着剤の流動をボンディング領域の手前で、確実に貫通孔に流し込むことにより接着剤の流れを阻止できる。
The third aspect of the present invention can be defined as follows.
In the light emitting device according to the third aspect, the center of the first through hole exists on a virtual line connecting the center of the adherend and the center of the first bonding region, and the center of the adherend and the first It is preferable that the center of the second through hole exists on a virtual line connecting the center of the three bonding regions. Thereby, since the center of the first through hole and the second through hole exists on the imaginary line connecting the center of the bonded part and the center of the first or third bonding region, It is possible to prevent the flow of the adhesive by flowing the flow of the adhesive into the through hole surely before the bonding region.
本発明の第4の局面は次のように規定することができる。
第4の局面の発光装置は、前記被接着部の中心から前記第1の貫通孔の中心までの第1の長さと前記被接着部の中心から前記第2の貫通孔の中心までの第2の長さとが等しい、ことが好ましい。これにより、半導体発光素子を接着する接着剤が流動しても、被接着部の中心から一定の距離において、ほぼ均等に接着剤の流動を貫通孔により阻止できる。
The fourth aspect of the present invention can be defined as follows.
A light emitting device according to a fourth aspect includes a first length from the center of the adherend to the center of the first through hole, and a second length from the center of the adherend to the center of the second through hole. Are preferably equal in length. Thereby, even if the adhesive which adheres the semiconductor light emitting element flows, the flow of the adhesive can be blocked by the through holes almost evenly at a certain distance from the center of the adherend.
本発明の第5の局面は次のように規定することができる。
第5の局面の発光装置は、前記第1のリードフレームは基部と突出部を有し、該突出部は前記ケースの開口部の中心上に位置し、前記半導体発光素子の被接着部は前記突出部の上であってその位置は前記開口部の中心位置と一致し、前記基部において前記突出部を挟むようにして前記第1のボンディング領域と第3のボンディング領域とが存在し、
前記基部と前記突出部との連結位置に前記貫通孔が形成される、ことが好ましい。
これにより、半導体発光素子の被接着部は、突出部の上であってその位置は開口部の中心位置と一致しているから、半導体発光素子から好適な光放出のバランスが得られる。
さらに、基部において突出部を挟むようにして第1のボンディング領域と第3のボンディング領域とが存在することにより、貫通孔の配置を半導体発光素子から分散して局部的な熱抵抗の増大を防ぐことにより、半導体発光素子の放熱を良好にできる。
さらに、基部と突出部との連結位置に貫通孔が形成されているので、半導体発光素子を接着する接着剤が流動しても、上流側で阻止できる。
The fifth aspect of the present invention can be defined as follows.
In the light emitting device of the fifth aspect, the first lead frame has a base portion and a protruding portion, the protruding portion is located on the center of the opening of the case, and the bonded portion of the semiconductor light emitting element is The first bonding region and the third bonding region exist on the projecting portion so that the position thereof coincides with the center position of the opening, and the projecting portion is sandwiched between the base portion,
It is preferable that the through hole is formed at a connection position between the base portion and the protruding portion.
As a result, the bonded portion of the semiconductor light emitting element is above the protruding portion and the position thereof coincides with the center position of the opening, so that a suitable balance of light emission from the semiconductor light emitting element can be obtained.
Further, the presence of the first bonding region and the third bonding region so as to sandwich the protruding portion at the base portion prevents the increase in local thermal resistance by dispersing the arrangement of the through holes from the semiconductor light emitting element. The heat radiation of the semiconductor light emitting device can be improved.
Furthermore, since the through-hole is formed at the connecting position between the base and the protrusion, even if the adhesive that adheres the semiconductor light emitting element flows, it can be blocked upstream.
本発明の一実施の形態を図1及び図2によって説明する。図1は本発明の一実施の形態を示すLEDランプの平面図、図2は図1のLEDランプの矢視II-IIの断面図である。
図1及び図2において、発光装置としてのフェイスアップ型LEDランプ1は、「表面実装型」などと称されるもので、半導体発光素子としてのLEDチップ11と、ツェナー・ダイオードチップ12(以下、ZDチップ12という)とを有する半導体部と、半導体部をマウントすると共に、外部から電源を半導体部に供給するリード部と、半導体部をリード部と接続するワイヤ部とを有している。
LEDランプ1は図2に示すように、半導体部,リード部,ワイヤ部を底面に敷設する樹脂製カップ状のケース50を有している。符号50eは略円形の開口部を示す。このケース50は円形の底面に固定された半導体部,リード部,ワイヤ部を樹脂により封止する封止体100を有している。そして、LEDランプ1は、電源をリード部により半導体部に供給すると、半導体部のLEDチップ11から発光が生じ、該発光が封止体100を通してケース50の開口部50eから放出されるように形成されている。なお、封止体100には、光分散材等のフィラー102が添加されている。封止材100中に蛍光体を分散することもできる。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of an LED lamp showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II of the LED lamp of FIG.
1 and 2, a face-up
As shown in FIG. 2, the
半導体部は、LEDチップ11と、該LEDチップ11に逆並列接続されたZDチップ12を有している。ZDチップ12を逆並列接続するのは、LEDチップ11を静電気などから保護するためである。
リード部は、ケース50の底面樹脂材料から表出されており、底面の略上半円部に設けられると共に、平板状の導電体から成る第1のリードフレーム21と、底面の略下半円部に設けられると共に、平板状の導電体から成る第2のリードフレーム22とを有している。そして、第1,第2のリードフレーム21,22の相互間には、絶縁するために溝25が設けられている。
The semiconductor unit includes an
The lead portion is exposed from the bottom surface resin material of the
第1のリードフレーム21は、平面視で、中央端に山状の突出部21tを有すると共に、突出部21tに連通した帯状の基部21fとを有し、突出部21tは、ケース50の底面の中心に位置すると共に、LEDチップ11が銀ペーストなどの接着剤51によりマウントされている。ここで、LEDチップ11をケース50の底面の中心にマウントするのは、LEDチップ11から好適な光放出のバランスを得て配光特性を対称にするためである。さらに、第1のリードフレーム21に突出部21tを有するのは、該突出部21tがないと、LEDチップ11をマウントするために、第1のリードフレーム21の短方向(図示上下方向)の幅が広くなる。このため、第2のリードフレーム22の短方向の幅が狭くなり、第2のリードフレーム22にZDチップ12をマウントしづらくなるからである。
The
第2のリードフレーム22は、平面視で略帯状に形成されており、上記突出部21tと接触しないために突出部21tの形状に対応した形状となっており、一端部の上部にZDチップ12が銀ペーストなどの接着剤52によりマウントされている。
The
ワイヤ部は、第1から第3のワイヤ31,32,33を有しており、第1のワイヤ31は、ZDチップ12から懸架され、第1のリードフレーム21の一端部の略中央部に位置する第1のボンディング領域31aにボンディング接続されている。第2のワイヤ32は、LEDチップ11の一方の電極パッドから懸架され、第2のリードフレーム22の他端部の上部に位置する第2のボンディング領域32aにボンディング接続されており、第3のワイヤ33は、LEDチップ11の他方の電極パッドから懸架され、第1のリードフレーム21の他端部の中央部に位置する第3のボンディング領域33aにボンディング接続されている。
また、上記ボンディング接続は、熱圧着等により成される。このボンディング領域はボンディング作業においてボンディングの対象となる領域であり、各リードフレーム上に機械的、物理的なマークをもって規定されているものではない。
The wire portion includes first to
The bonding connection is made by thermocompression bonding or the like. This bonding area is an area to be bonded in the bonding operation, and is not defined with a mechanical or physical mark on each lead frame.
ここで、第1のワイヤ31を第1のリードフレーム21の一端部の中央部に接続するのは、第1のボンディング領域31aをLEDチップ11から離して接着剤51の流動の影響を受けにくくするためである。第2のワイヤ32を第2のリードフレーム22の他端部の上部に接続するのは、第2のボンディング領域32aをZDチップ12から離して接着剤52の流動の影響を排除するためである。第3のワイヤ33を第1のリードフレーム21の他端部の中央部に接続するのは、第1のボンディング領域31aから遠ざけて第1のボンディング領域31aの熱圧着などの影響を排除するためである。
なお、第1のワイヤ31,32,33のいずれもワイヤ長を短くして電気抵抗を低くしている。
Here, the reason why the
Note that all of the
第1のリードフレーム21には、LEDチップ11の被接着部11aと第1のワイヤ31の第1のボンディング領域31aとの間に円形の第1の貫通孔21e1が形成され、同様に被接着部11aと第3のボンディング領域33aとの間に、円形の第2の貫通孔21e2が設けられている。第1,第2の貫通孔21e1,21e2を設けたのは、第1,第3のボンディング領域31a,33aを接着剤51の流動から保護すると共に、LEDチップ11から発生した熱を第1のリードフレーム21を介して良好に伝導するためである。
さらに、第1及び第2貫通孔21e1,21e2は、第1のリードフレーム21の基部21fと突出部21tとの連結位置に設けられていることが好ましい。接着剤51の流動を上流側で阻止するためである。
なお、LEDチップの被接着部11aはLEDチップがマウントされるべき領域を指し、リードフレームにおいて機械的、物理的なマークをもって規定される必要は無い。リードフレームへダイボンディングペースト等の接着剤を予め塗布する場合は、当該接着剤を塗布した領域が被接着部となる。以下の説明では、被接着部として11aの符号を接着剤の塗布領域に付す。
In the
Furthermore, it is preferable that the first and second through holes 21e1 and 21e2 are provided at a connection position between the
The bonded
LEDチップ11の被接着部11aの中心と第1のボンディング領域31aの中心とを結ぶ仮想線上に第1の貫通孔21e1の中心が存在し、被接着部11aの中心と第2のボンディング領域32aの中心とを結ぶ仮想線上に第2の貫通孔21e2の中心が存在することが好ましい。これにより、LEDチップ11をマウントする接着剤51が流れ出て各ボンディング領域31a、33aへ向かったとき、接着剤を第1,第2の貫通孔21e1,21e2により確実にトラップできる。流れ出た接着剤の多くは当該仮想線上を通過するからである。
さらに、被接着部11aの中心から第1の貫通孔21e1の中心までの第1の長さと、被接着部11aの中心から第2の貫通孔21e2の中心までの第2の長さとが等しい、ことが好ましい。これにより、LEDチップ11マウント用の接着剤51が流動したとき、流出した接着剤が各貫通孔で均等にトラップされ、一方の貫通孔に偏在することを防止できる。これにより、貫通孔の面積を小さくしても接着剤がボンディング領域まで達することを効果的に予防できる。貫通孔の面積を小さくできれば、リードフレームの放熱特性が向上する。
The center of the first through hole 21e1 exists on the imaginary line connecting the center of the bonded
Further, the first length from the center of the
ケース50は、平板状の第1のリードフレーム21、第2のリードフレーム22を熱可塑性樹脂によりモールドして、封止体100を充填している。封止体100は透光性のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなり、ケース50の開口部50eの中に実装されているLEDチップ11,ZDチップ12,第1及び第2のリードフレーム21,22、第1から第3のワイヤ31,32,33を封止している。封止体100には光分散剤や蛍光体等のフィラー102を分散することができる。
The
上記のように構成されたLEDランプにおけるLEDチップの接着剤の流動及びLEDチップの放熱の作用について図1から図3を参照して説明する。図3は図1によるLEDランプの放熱状態を示す模式平面図である。
<接着剤の流動阻止>
図1及び図2に示すように、第1のリードフレーム21における突出部21tにLEDチップ11を接着剤51により接着すると、接着剤51が流動して突出部21tを越えて流れ出ても、第1及び第2の貫通孔21e1,21e2に流れ込む。したがって、第1,第3のワイヤボンディング領域31a,33aの清浄が維持される。
The action of the adhesive of the LED chip and the heat dissipation of the LED chip in the LED lamp configured as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a schematic plan view showing a heat dissipation state of the LED lamp shown in FIG.
<Blocking adhesive flow>
As shown in FIGS. 1 and 2, when the
<LEDチップの放熱>
いま、第1及び第2のリードフレーム21,22を介してLEDチップ11に電流が流れると、LEDチップ11から発光すると共に、熱が発生する。この熱は、図2及び図3に示すように、LEDチップ11の底面から接着剤51を介して第1のリードフレーム21に伝導し、突出部21tから一点鎖線に示すように、第1のリードフレーム21上を伝導して放散される。この伝導の際、貫通孔21e1,21e2が空けられているが、この貫通孔21e1,21e2の面積は、第1のリードフレーム21の面積に比較して小さいので、熱抵抗もそれほど増加することなく速やかにLEDチップ11の熱を第1のリードフレーム21を介して放散する。
なお、ZDチップ12は、通常時はオフしているため、熱はほとんど生じない。
<Heat dissipation of LED chip>
Now, when a current flows through the
Since the
<比較例>
本実施の形態のLEDランプの放熱作用と比較するために、切り欠きを有する従来のLEDランプ110の放熱作用について図4を参照して説明する。図4は従来のLEDランプ110の放熱状態を示す模式平面図である。なお、図4において図1と同一の要素については同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。
上記と同様に、LEDチップ11に電流が流れると、LEDチップ11から発光すると共に、熱が発生する。この熱は、LEDチップ11の底面と接着剤51を介して第1のリードフレーム21に伝導し、突出部21tから一点鎖線に示すように、二つの切り欠き121e1,121e2があるため、狭くなった中央部から第1のリードフレーム21上を伝導して放散される。この伝導の際、狭い中央部の熱抵抗が本発明の実施形態のLEDランプ1に比較して極めて大きくなるので、LEDチップ11の熱が円滑に放散しにくい。
<Comparative example>
In order to compare with the heat dissipation action of the LED lamp of the present embodiment, the heat dissipation action of the
Similarly to the above, when a current flows through the
上記実施形態では、中央部にLEDチップ11を設けたが、図5に示すように、第1のリードフレーム21の他端部に設けても良い。このようにすると、LEDチップ11の第2の被接着部11bと第1のワイヤ31の第1のボンディング領域31aとの距離が離れるため、第1の貫通孔21e1は不要となる。なお、図5において図1と同一の要素については同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。
In the above embodiment, the
上記実施形態のLEDランプ120は、ケース50の底面に第1のリードフレーム21と第2のリードフレーム22とが表出され、第1のリードフレーム21にLEDチップ11が接着剤51で接着され、第2のリードフレーム22にはZDチップ12が固定され、ZDチップ12から第1のワイヤ31が第1のリードフレーム21へ懸架され、LEDチップ11から第2のワイヤ32が第2のリードフレーム22へそれぞれ懸架され、LEDチップ11から第3のワイヤ33が第1のリードフレーム21へ懸架されており、第1のリードフレーム21においてLEDチップ11の被接着部11aと第1のワイヤ31の第1のボンディング領域31aとの間、及び/又はLEDチップ11の被接着部11aと第3のワイヤ33の第3のボンディング領域33aとの間に第1の貫通孔21e1、第2の貫通孔21e2の少なくとも一つが形成されているものである。
In the
上記実施形態のLEDランプ120によれば、第1のリードフレーム21においてLEDチップ11の被接着部11aと第1のワイヤ31の第1のボンディング領域31a又は第3のワイヤ33の第3のボンディング領域33aとの間の少なくともいずれか一方に、貫通孔21e1,21e2が形成されているので、LEDチップ11を接着する接着剤51が第1のリードフレーム21上を流動しても、貫通孔21e1,21e2に流れ込む。これにより、第1,第3のボンディング領域31a,33aに対する接着剤51の影響を排除できる。
さらに、貫通孔21e1,21e2の面積が第1のリードフレーム21の面積に比較して極めて狭いので、LEDチップ11から発生した熱は、第1のリードフレーム21を介して空気中に速やかに放散される。
According to the
Further, since the areas of the through holes 21e1 and 21e2 are extremely narrow as compared with the area of the
実施形態2.
上記実施形態1では、底面が絶縁されている絶縁タイプのLEDチップ11について説明したが、非絶縁タイプについて、本発明の他の実施形態を図6によって説明する。図6は本発明の他の実施の形態を示すLEDランプの平面図である。なお、図6において、図1と同一の要素については同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。
図6において、LEDランプ130は、非絶縁タイプのLEDチップ111を用いると、図1における第3のワイヤ33、第2の貫通孔21e2が不要となる。
Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the insulating
In FIG. 6, when the non-insulated
本実施形態のLEDランプ130は、ケース50の底面に第1のリードフレーム21と第2のリードフレーム22とが表出され、第1のリードフレーム21にLEDチップ111が接着剤51で接着され、第2のリードフレーム22にはZDチップ12が固定され、ZDチップ12から第1のワイヤ31が第1のリードフレーム21へ懸架され、LEDチップ111から第2のワイヤ32が第2のリードフレーム22へそれぞれ懸架され、第1のリードフレーム21においてLEDチップ111の被接着部111aと第1のワイヤ31の第1のボンディング領域31aとの間に貫通孔21e1が形成されている、ものである。
In the
該LEDランプ130によれば、LEDチップ111と第1のリードフレーム21との熱伝導性を良好に確保しつつ、貫通孔21e1は、LEDチップ111をマウントする際の接着剤51の流動を防止して第1のリードフレーム21の第1のボンディング領域31aを接着剤51の影響から排除できる。すなわち、第1のリードフレーム21においてLEDチップ111の被接着部111aと第1のボンディング領域31aの間に、貫通孔21e1が形成されているので、LEDチップ111を接着する接着剤51が第1のリードフレーム21上を流動しても、貫通孔21e1に流れ込む。これにより、第1のワイヤ31の第1のボンディング領域31aに対する接着剤51の影響を排除できる。
さらに、貫通孔21e1の面積が第1のリードフレーム21の面積に比較して極めて狭いので、LEDチップ111から発生した熱は、第1のリードフレーム21を介して良好に伝導して空気中に放散される。
According to the
Furthermore, since the area of the through-hole 21e1 is extremely narrow compared to the area of the
尚、上記の実施の形態では、LEDチップを保護するために、ツェナダイオードチップを用いたが、バリスタチップ等、その他の保護チップを用いてもよい。 In the above embodiment, the Zener diode chip is used to protect the LED chip. However, other protection chips such as a varistor chip may be used.
本発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。 The present invention is not limited to the description of the embodiments and examples of the invention described above. Various modifications are also included in the present invention as long as those skilled in the art can easily conceive without departing from the scope of the claims.
1,110,120,130 LEDランプ、11,111、LEDチップ、11a,111a 被接着部、12 ZDチップ、21 第1のリードフレーム、21e1 第1の貫通孔、21e2 第2の貫通孔、21f 基部、21t 突出部、22 第2のリードフレーム、50 ケース、50e 開口部、51 接着剤。 1,110,120,130 LED lamp, 11, 111, LED chip, 11a, 111a adherend, 12 ZD chip, 21 first lead frame, 21e1 first through hole, 21e2 second through hole, 21f Base, 21t protrusion, 22 2nd lead frame, 50 case, 50e opening, 51 adhesive.
Claims (5)
前記第1のリードフレームに半導体発光素子が接着剤で接着され、
前記第2のリードフレームには前記半導体発光素子の保護素子が固定され、
前記保護素子から第1のワイヤが前記第1のリードフレームの第1のボンディング領域に懸架され、
前記半導体発光素子から第2のワイヤが前記第2のリードフレームの第2のボンディング領域に懸架され、
前記半導体発光素子から第3のワイヤが前記第1のリードフレームの第3のボンディング領域に懸架され、
前記第1のリードフレームの、前記半導体発光素子の被接着部と前記第1のボンディング領域との間、及び、前記第3のボンディング領域との間の少なくとも一方に貫通孔が形成される、
ことを特徴とする発光装置。 A first lead frame and a second lead frame are provided on the bottom surface of the case,
A semiconductor light emitting element is bonded to the first lead frame with an adhesive,
A protective element for the semiconductor light emitting element is fixed to the second lead frame,
A first wire is suspended from the protective element on a first bonding region of the first lead frame,
A second wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a second bonding region of the second lead frame,
A third wire is suspended from the semiconductor light emitting element in a third bonding region of the first lead frame,
A through hole is formed in at least one of the first lead frame between the bonded portion of the semiconductor light emitting element and the first bonding region, and between the third bonding region,
A light emitting device characterized by that.
ことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 The center of the first through hole exists on the imaginary line connecting the center of the bonded portion and the center of the first bonding region, and connects the center of the bonded portion and the center of the third bonding region. The center of the second through hole exists on the virtual line,
The light-emitting device according to claim 2.
ことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の発光装置。 A first length from the center of the adherend to the center of the first through hole is equal to a second length from the center of the adherend to the center of the second through hole.
The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
前記基部と前記突出部との連結位置に前記貫通孔が形成される、
ことを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載の発光装置。 The first lead frame has a base portion and a protruding portion, the protruding portion is located on the center of the opening of the case, and the adherend portion of the semiconductor light emitting element is on the protruding portion, and the position thereof Coincides with the center position of the opening, and the first bonding region and the third bonding region exist so as to sandwich the protrusion at the base,
The through-hole is formed at a connection position between the base and the protrusion.
The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
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