JP2010078582A - ナノメートルスケールの計測標準試料およびナノメートルスケールの計測標準試料を用いた走査型顕微鏡の校正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主表面{111}面又は{111}面から10度以内のオフ角の単結晶ダイタモンド基板と、該単結晶ダイタモンド基板上に形成された1ステップ高さ;0.206nmの原子的に平坦なテラス面をn段(n≧1の整数)有する三角形島構造体とを備え、三角形島構造体のテラス面のステップ段差を高さの標準とするナノメートルスケール計測を行うための計測標準資料として利用する。
【選択図】図3
Description
(工程1);標準試料をSPM装置にセットする。
(工程2);標準試料表面の指定のメサ構造の位置に光学顕微鏡でSPMの測定範囲を移動する。
(工程3);校正場所として指定された三角形構造体を含むSPM像を取得する(図6参照)。
(工程4);取得したSPM像から、例えば、図6に示す直線BB’のように三角形構造体を含む断面プロファイルを抽出する。
(工程5);抽出した断面プロファイルにおいて、三角形構造体の下段の左及びまたは右の同一のテラスの部分を直線の一部とみなして直線近似を行い、これを基準線とする(図7参照)。
(工程6);抽出した断面プロファイルにおいて、三角形構造体の上段を直線の一部とみなして前記基準線と傾きを一致させながら直線近似を行い、この直線と前記基準線との差を見かけ上の高さとする(図8参照)。
(工程7);前記見かけ上の高さが、標準試料に記載された高さ0.206nmに一致するように装置の高さパラメタを変更する。
(工程1);標準試料をSPM装置にセットする。
(工程2);標準試料表面の指定のメサ構造の位置に光学顕微鏡でSPMの測定範囲を移動する。
(工程3);校正場所として指定された5段の三角形構造体のSPM像を取得する(図10参照)。
(工程4);取得したSPM像から、例えば、図10に示す直線BB’のように指定された5段の三角形構造体を含む断面プロファイルを抽出する。
(工程5);抽出した断面プロファイルにおいて、三角形構造体の最下段の左及びまたは右の同一のテラスの部分を直線の一部とみなして直線近似を行い、これを基準線とする(図11参照)。
(工程6);抽出した断面プロファイルにおいて、前記テラスとは異なる三角形構造体の全てのテラスに対して、左及びまたは右の同一のテラス部分を直線の一部とみなして前期基準線と傾きを一致させながら直線近似を行い、これらの直線と前記基準線との差をそれぞれ見かけ上の高さh1、h2、h3、h4、h5とする。(図12参照)
(工程7);前記見かけ上の高さh1、h2、h3、h4、h5が、標準試料に記載された高さ0.206nm、0.412nm、0.618nm、0.824nm、1.030nmにそれぞれ一致するように装置の高さパラメタを変更する。
(工程1);標準試料をSPM装置にセットする。
(工程2);標準試料表面の指定のメサ構造の位置に光学顕微鏡でSPMの測定範囲を移動する。
(工程3);校正場所として指定された三角形構造体のSPM像を取得する。(図14参照)
(工程4);前記取得したSPM像から、指定された三角形構造体の三つの頂点の見かけ上の座標(x1、y1、z1)、(x2、y2、z2)、(x3、y3、z3)を抽出する。(図15参照)
(工程5);前記抽出した三つの座標から三つの直線距離を算出し、それぞれ見かけ上の長さL1’、L2’、L3’とする。(図16参照)
(工程6);前記三つの見かけ上の長さが、標準試料に記載された長さ(L1、L2、L3)にそれぞれ一致するように装置のX方向及びY方向及びZ方向の長さパラメタを変更する。
(工程1);標準試料をSEM装置にセットする。
(工程2);標準試料表面の指定のメサ構造の位置にSEMの測定範囲を移動する。
(工程3);SEM観察を行い、メサ構造表面上の原子的に平坦な面全面において焦点が合うように標準試料を傾ける。
(工程4);校正場所として指定された三角形構造体のSEM像を取得する。(図18参照)
(工程5);取得した画像において、指定された三角形構造体の三つの頂点の見かけ上の座標(x1、y1)、(x2、y2)、(x3、y3)を抽出する。(図19参照)
(工程6);前記抽出した三つの座標から三つの直線距離を算出し、それぞれ見かけ上の長さL1’、L2’、L3’とする。(図20参照)
(工程7);前記三つの見かけ上の長さが、標準試料に記載された長さ(L1、L2、L3)にそれぞれ一致するように装置のX方向及びY方向の長さパラメタを変更する。
(工程1);標準試料をSPM装置にセットする。
(工程2);標準試料表面の指定のメサ構造の位置に光学顕微鏡でSPMの測定範囲を移動する。
(工程3);校正場所として指定された三角形構造体のSPM像を取得する(図23参照)。
(工程4);前記取得したSPM像から、指定された三角形構造体の三つの頂点の見かけ上の座標(x1、y1、z1)、(x2、y2、z2)、(x3、y3、z3)を抽出する(図24参照)。
(工程5);前記抽出した三つの座標から三つの直線距離を算出し、それぞれ見かけ上の長さL1’、L2’、L3’とする(図25参照)。
(工程6);前記三つの見かけ上の長さが、標準試料に記載された長さ(L1、L2、L3)にそれぞれ一致するように装置のX方向及びY方向及びZ方向の長さパラメタを変更する。
(工程1);標準試料をSEM装置にセットする。
(工程2);標準試料表面の指定のメサ構造の位置にSEMの測定範囲を移動する。
(工程3);SEM観察を行い、メサ構造表面上の原子的に平坦な面全面において焦点が合うように標準試料を傾ける。
(工程4);校正場所として指定された三角形構造体のSEM像を取得する(図27参照)。
(工程5);取得した画像において、指定された三角形構造体の三つの頂点の見かけ上の座標(x1、y1)、(x2、y2)、(x3、y3)を抽出する(図28参照)。
(工程6);前記抽出した三つの座標から三つの直線距離を算出し、それぞれ見かけ上の長さL1’、L2’、L3’とする(図29参照)。
(工程7);前記三つの見かけ上の長さが、標準試料に記載された長さ(L1、L2、L3)にそれぞれ一致するように装置のX方向及びY方向の長さパラメタを変更する。
Claims (11)
- 主表面{111}面又は{111}面から10度以内のオフ角の単結晶ダイヤモンド基板と、該単結晶ダイヤモンド基板に形成された1ステップ高さ;0.206nmの原子的に平坦なテラス面をn層(n≧1の整数)有する三角形構造体とを備え、
前記三角形構造体の2つの頂点を結ぶ三角形の直線を長さの標準とする
ことを特徴とするナノメートルスケールの計測標準試料。 - 主表面{111}面又は{111}面から10度以内のオフ角の単結晶ダイヤモンド基板と、該単結晶ダイヤモンド基板に形成された1ステップ高さ;0.206nmの原子的に平坦なテラス面をn層(n≧1の整数)有する三角形構造体とを備え、
前記三角形構造体の三角形の1辺を直線性の標準とする
ことを特徴とするナノメートルスケールの計測標準試料。 - 主表面{111}面又は{111}面から10度以内のオフ角の単結晶ダイヤモンド基板と、該単結晶ダイヤモンド基板に形成された1ステップ高さ;0.206nmの原子的に平坦なテラス面をn段(n≧1の整数)有する三角形構造体とを備え、
前記三角形構造体のステップ段差を高さの標準とする
ことを特徴とするナノメートルスケールの計測標準試料。 - 前記三角形構造体の三角形は、正三角形である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のナノメートルスケールの計測標準試料。 - 前記三角形構造体の三角形の1辺の長さは、上段に位置する三角形ほど短い
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のナノメートルスケールの計測標準試料。 - 前記原子的に平坦なテラス面は、その主表面に1辺の長さの異なる三角形構造体を複数備える
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のナノメートルスケールの計測標準試料。 - 前記単結晶ダイヤモンド基板の単結晶ダイヤモンドは、水素終端を備える
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のナノメートルスケールの計測標準試料。 - 前記ナノメートルスケールの計測標準試料は、走査型顕微鏡用である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のナノメートルスケールの計測標準試料。 - 標準試料を走査型プローブ顕微鏡(SPM)装置にセットする工程と、
標準試料表面の指定のメサ構造の位置に光学顕微鏡でSPMの測定範囲を移動する工程と、
校正場所として指定されたn段(n≧1の整数)の三角形構造体のSPM像を取得する工程と、
取得したSPM像から指定されたn段の三角形構造体を含む断面プロファイルを抽出する工程と、
前記抽出した断面プロファイルにおいて、三角形構造体の最下段の左及びまたは右の同一のテラスの部分を直線の一部とみなして直線近似を行い、これを基準線とし、かつ、前記テラスとは異なる三角形構造体の全てのテラスに対して、左及びまたは右の同一のテラス部分を直線の一部とみなして前記基準線と傾きを一致させながら直線近似を行い、これらの直線と前記基準線との差をそれぞれ見かけ上の高さとし、前記見かけ上の高さが、標準試料に記載された高さ0.206nmのn倍にそれぞれ一致するように装置の高さパラメタを変更する工程と、
を備えるナノメートルスケールの計測標準試料を使用したSPMの校正方法。 - 標準試料をSPM装置にセットする工程と、
標準試料表面の指定のメサ構造の位置に光学顕微鏡でSPMの測定範囲を移動する工程と、
校正場所として指定された三角形構造体のSPM像を取得する工程と、
前記取得したSPM像から、指定された三角形構造体の三つの頂点の見かけ上の座標を抽出する工程と、
前記抽出した三つの座標から三つの直線距離を算出し、それぞれ見かけ上の長さとし、前記見かけ上の長さが、標準試料に記載された長さにそれぞれ一致するように装置のX方向及びY方向及びZ方向の長さパラメタを変更する工程と、
を備えるナノメートルスケールの計測標準試料を使用したSPMの校正方法。 - 標準試料をSEM装置にセットする工程と、
標準試料表面の指定のメサ構造の位置にSEMの測定範囲を移動する工程と、
SEM観察を行い、メサ構造表面上の原子的に平坦な面全面において焦点が合うように標準試料を傾ける工程と、
校正場所として指定された三角形構造体のSEM像を取得する工程と、
取得した画像において、指定された三角形構造体の三つの頂点の見かけ上の座標を抽出する工程と、
前記抽出した三つの座標から三つの直線距離を算出し、それぞれ見かけ上の長さとし、前記三つの見かけ上の長さが、標準試料に記載された長さにそれぞれ一致するように装置のX方向及びY方向の長さパラメタを変更する工程と、
を備えるナノメートルスケールの計測標準試料を使用したSEMの校正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009037517A JP5071815B2 (ja) | 2008-08-29 | 2009-02-20 | ナノメートルスケールの計測標準試料およびナノメートルスケールの計測標準試料を用いた走査型顕微鏡の校正方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008222042 | 2008-08-29 | ||
JP2008222042 | 2008-08-29 | ||
JP2009037517A JP5071815B2 (ja) | 2008-08-29 | 2009-02-20 | ナノメートルスケールの計測標準試料およびナノメートルスケールの計測標準試料を用いた走査型顕微鏡の校正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010078582A true JP2010078582A (ja) | 2010-04-08 |
JP5071815B2 JP5071815B2 (ja) | 2012-11-14 |
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ID=42209190
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009037517A Expired - Fee Related JP5071815B2 (ja) | 2008-08-29 | 2009-02-20 | ナノメートルスケールの計測標準試料およびナノメートルスケールの計測標準試料を用いた走査型顕微鏡の校正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5071815B2 (ja) |
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
RU2483388C1 (ru) * | 2011-12-06 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения наноразмерного тонкопленочного стандартного образца химического состава |
JP2014235074A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | パナソニック株式会社 | 校正治具および光干渉測定装置の校正方法 |
CN105445293A (zh) * | 2014-08-26 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem放大率校准方法及用于校准的样品的形成方法 |
CN106931916A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-07-07 | 中国计量大学 | 一种微纳米台阶标准样板及其循迹方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7267882B2 (ja) | 2019-09-17 | 2023-05-02 | キオクシア株式会社 | 基板、パターン、及び計測装置の較正方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0658753A (ja) * | 1992-08-05 | 1994-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測長校正法 |
JPH06218870A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-08-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 多層膜厚さ基準物 |
JPH07176585A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-07-14 | Sumitomo Sitix Corp | 測定精度校正用標準試料とその製造方法 |
JP2006284316A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Afm標準試料及びその製造方法 |
WO2007132644A1 (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成方法、そのダイヤモンド基板及びこれを用いた半導体素子 |
JP2008031027A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-14 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | サファイヤ単結晶基板 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06218870A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-08-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 多層膜厚さ基準物 |
JPH0658753A (ja) * | 1992-08-05 | 1994-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測長校正法 |
JPH07176585A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-07-14 | Sumitomo Sitix Corp | 測定精度校正用標準試料とその製造方法 |
JP2006284316A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Afm標準試料及びその製造方法 |
WO2007132644A1 (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成方法、そのダイヤモンド基板及びこれを用いた半導体素子 |
JP2008031027A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-14 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | サファイヤ単結晶基板 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2483388C1 (ru) * | 2011-12-06 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения наноразмерного тонкопленочного стандартного образца химического состава |
JP2014235074A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | パナソニック株式会社 | 校正治具および光干渉測定装置の校正方法 |
CN105445293A (zh) * | 2014-08-26 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem放大率校准方法及用于校准的样品的形成方法 |
CN106931916A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-07-07 | 中国计量大学 | 一种微纳米台阶标准样板及其循迹方法 |
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