JP2010067757A - Halftone-type euv mask, halftone-type euv mask blank, production method of halftone-type euv mask, and pattern transfer method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a halftone-type EUV mask produced by selecting the material of a halftone film that has no only wide selectivity (flexibility) of reflectivity and high cleaning liquid-resistance, but also high processing accuracy of etching, a halftone-type EUV mask blank, a production method of the halftone-type EUV mask and a pattern transfer method. <P>SOLUTION: This halftone-type EUV mask is a halftone-type EUV masK comprising a substrate, a high-reflectivity portion formed on the substrate, and a patterned low-reflectivity portion formed on the high reflectivity portion in which the low reflectivity portion contains Ta (tantalum) and Nb (niobium). <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法に関する。より詳細には、半導体製造プロセス中の、波長１０ｎｍ〜１５ｎｍ程度のいわゆる極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ、以下、「ＥＵＶ」と略記する。）を用いたフォトリソグラフィ工程で使用されるハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク及びパターン転写方法に関するものである。   The present invention relates to a halftone EUV mask, a halftone EUV mask blank, a method for manufacturing a halftone EUV mask, and a pattern transfer method. More specifically, a halftone EUV mask used in a photolithography process using so-called extreme ultraviolet (hereinafter, abbreviated as “EUV”) having a wavelength of about 10 nm to 15 nm during a semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a halftone EUV mask blank and a pattern transfer method.

半導体集積回路の微細化は年々進んでおり、それに伴いフォトリソグラフィ技術に使用される光も短波長化が進んでいる。近況としては、これまで光源として使用されてきたＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）に移行している。また、ＡｒＦエキシマレーザを使用する液浸露光法の研究が近年活発に行われており、３２ｎｍ以下の線幅を目標とする動きもある。   The miniaturization of semiconductor integrated circuits is progressing year by year, and accordingly, the light used for photolithography technology is also being shortened. As a recent trend, the KrF excimer laser (wavelength 248 nm) that has been used as a light source has been shifted to an ArF excimer laser (wavelength 193 nm). In recent years, research on an immersion exposure method using an ArF excimer laser has been actively conducted, and there is a movement aiming at a line width of 32 nm or less.

ＡｒＦエキシマレーザを使用する液浸露光法もその研究が進んでいるとはいえ、その実現可能性は不鮮明である。このような背景から、エキシマレーザよりも波長が一桁以上短い（１０ｎｍ〜１５ｎｍ）ＥＵＶ光を用いた、ＥＵＶリソグラフィの研究開発が進められている。   Although the immersion exposure method using an ArF excimer laser has been studied, its feasibility is unclear. Against this background, research and development of EUV lithography using EUV light whose wavelength is one or more orders of magnitude shorter than that of excimer lasers (10 nm to 15 nm) is in progress.

ＥＵＶ露光では、上述のように波長が短いため、物質の屈折率がほとんど真空の値に近く、材料間の光吸収の差も小さい。このため、ＥＵＶ波長領域では従来の透過型の屈折光学系が作れず、反射光学系となり、マスクも反射型マスクとなる。これまで開発されてきた一般的なＥＵＶマスクは、Ｓｉウェハやガラス基板上に、例えばＭｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）からなる２層膜を４０対ほど積層した多層膜、及び多層膜を保護するキャッピング膜を高反射領域とし、その上に低反射領域として吸収膜及び緩衝膜のパターンを形成した構造であった。緩衝膜は、吸収膜のパターニングや欠陥修正の際に、キャッピング膜や多層膜へのダメージを軽減する役割を果たす。   In EUV exposure, since the wavelength is short as described above, the refractive index of a substance is almost close to the value of vacuum, and the difference in light absorption between materials is also small. For this reason, in the EUV wavelength region, a conventional transmissive refractive optical system cannot be formed, and a reflective optical system is formed, and the mask is also a reflective mask. Conventional EUV masks that have been developed so far protect a multilayer film in which about 40 pairs of two-layer films made of, for example, Mo (molybdenum) and Si (silicon) are stacked on a Si wafer or glass substrate, and the multilayer film is protected. In this structure, the capping film to be formed is a high reflection region, and a pattern of an absorption film and a buffer film is formed thereon as a low reflection region. The buffer film plays a role of reducing damage to the capping film and the multilayer film during patterning of the absorption film and defect correction.

以上のようなＥＵＶマスクにおいて、低反射領域を形成するために主要な機能を有するのは、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜である。吸収膜部は、通常、パターン欠陥検査時のコントラストを確保するために、欠陥検査光である遠紫外線（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ、以下、「ＤＵＶ」と略記する。）光に対して、低反射率となるよう設計される。低反射率とするための方法は、いわゆる薄膜干渉を利用した反射防止（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ、以下、「ＡＲ」と略記する。）効果を使うことである。従って、吸収膜は通常２層以上の構成となり、その上層にはＤＵＶ光に対して透明性の膜がＡＲ膜として形成される。   In the EUV mask as described above, an absorption film that absorbs EUV light has a main function for forming a low reflection region. In order to ensure the contrast at the time of pattern defect inspection, the absorption film portion normally has a low reflectance with respect to deep ultraviolet (Deep Ultra Violet, hereinafter abbreviated as “DUV”) light that is defect inspection light. Designed to be. A method for reducing the reflectivity is to use an antireflection effect (hereinafter referred to as “AR”) using so-called thin film interference. Therefore, the absorption film is usually composed of two or more layers, and a film transparent to DUV light is formed as an AR film on the upper layer.

一方、ＥＵＶ光に対する低反射領域を形成するためにＥＵＶ光を吸収するという、主要な機能を有するのは、吸収膜の中でも上層吸収膜（ＡＲ膜）を除いた下層吸収膜の部分である。下層吸収膜は付加機能を持たせるために、２層以上の積層構造からなる場合もあるが、本発明の目的と本質的な関係はないので、以下、下層吸収膜は単層として論じる。   On the other hand, it is the lower absorption film portion excluding the upper absorption film (AR film) that has the main function of absorbing EUV light in order to form a low reflection region for EUV light. The lower-layer absorption film may have a laminated structure of two or more layers in order to have an additional function. However, since the lower-layer absorption film has no essential relationship with the object of the present invention, the lower-layer absorption film will be discussed below as a single layer.

一方で、光の短波長化とは別に、位相シフトマスクを利用した解像度向上技術が提案されている。位相シフトマスクは、マスクパターンの透過部を、隣接する透過部とは異なる物質若しくは形状とすることにより、それらを透過した光に１８０度の位相差を与えるものである。従って両透過部の間の領域では、１８０度位相の異なる透過回折光同士が打ち消し合い、光強度が極めて小さくなって、マスクコントラストが向上し、結果的に転写時の焦点深度が拡大するとともに転写精度が向上する。尚、位相差は原理上１８０度が最良であるが、実質的に１７５度〜１８５度程度であれば、解像度向上効果は得られる。   On the other hand, a resolution improvement technique using a phase shift mask has been proposed separately from shortening the wavelength of light. In the phase shift mask, the transmission part of the mask pattern is made of a material or shape different from that of the adjacent transmission part, thereby giving a phase difference of 180 degrees to the light transmitted through the transmission part. Therefore, in the region between the two transmission parts, transmitted diffracted lights having different phases by 180 degrees cancel each other, the light intensity becomes extremely small, the mask contrast is improved, and as a result, the depth of focus at the time of transfer is increased and the transfer is performed. Accuracy is improved. The phase difference is preferably 180 degrees in principle, but if it is substantially about 175 to 185 degrees, a resolution improvement effect can be obtained.

位相シフトマスクの一種であるハーフトーン型は、マスクパターンを構成する材料として、露光光に対する半透過性の薄膜を用い、透過率を数％程度（通常は基板透過光に対して２％以上１５％以下程度）まで減衰させつつ、通常の基板透過光と１７５度〜１８５度程度の位相差を与えることで、パターンエッジ部の解像度を向上させ、転写精度を向上させる位相シフトマスクである。   A halftone type, which is a kind of phase shift mask, uses a semi-transparent thin film with respect to exposure light as a material constituting the mask pattern, and has a transmittance of about several percent (usually 2% or more 15% with respect to the substrate transmitted light). It is a phase shift mask that improves the resolution of the pattern edge portion and improves the transfer accuracy by giving a phase difference of about 175 to 185 degrees with normal substrate transmitted light while being attenuated to about% or less.

ここで、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける、透過率の適正範囲について説明する。従来のエキシマレーザ用のハーフトーン型マスクでは、露光波長である紫外線に対して、ハーフトーン膜の透過率が一般的には２％以上１５％以下という光学条件を満足することが望ましい。この理由として、まず露光波長でのハーフトーン膜の透過率が２％未満だと、隣接した透過パターン部を透過した光の回折光が重なり合ったとき、打ち消しあい効果が小さくなる。逆に透過率が１５％を超えてしまうと、露光条件によってはレジストの解像限界を越えてしまい、ハーフトーン膜を光が透過した領域に余分なパターンが出来てしまうからである。   Here, an appropriate range of transmittance in the halftone phase shift mask will be described. In a conventional halftone mask for excimer laser, it is desirable that the halftone film has a transmittance of 2% or more and 15% or less in general with respect to ultraviolet rays as an exposure wavelength. The reason for this is that if the transmittance of the halftone film at the exposure wavelength is less than 2%, the canceling effect is reduced when the diffracted light transmitted through the adjacent transmission pattern portions overlaps. On the other hand, if the transmittance exceeds 15%, the resolution limit of the resist may be exceeded depending on the exposure conditions, and an extra pattern will be formed in the region where light has passed through the halftone film.

ＥＵＶ露光は反射光学系を用い、ＮＡ（開口数）が小さいうえに、波長が短いため、特有の課題として、ミラーやマスクの表面凹凸の影響を受けやすく、目標とする微細な線幅を精度良く解像することは容易ではない。このため、従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーン型マスクの原理を、反射光学系を用いたＥＵＶ露光においても適用可能とするハーフトーン型ＥＵＶマスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。   EUV exposure uses a reflective optical system and has a small NA (numerical aperture) and a short wavelength. As a unique issue, it is easily affected by surface irregularities on mirrors and masks, and the target fine line width is accurate. It is not easy to resolve well. For this reason, a halftone EUV mask is proposed in which the principle of a halftone mask used in conventional excimer laser exposure or the like can be applied to EUV exposure using a reflective optical system (for example, a patent). Reference 1).

ＥＵＶマスクのような反射型マスクにおいても、位相シフト効果による解像度向上の原理は同じであるので、上記の「透過率」が「反射率」に置き換わるだけで、その適正値はほとんど同じである。すなわち高反射領域に対する低反射領域の反射率は２％以上１５％以下であることが望ましいと考えられる。   Even in a reflective mask such as an EUV mask, the principle of resolution improvement by the phase shift effect is the same. Therefore, just by replacing the “transmittance” with “reflectance”, the appropriate values are almost the same. That is, it is considered that the reflectance of the low reflection region with respect to the high reflection region is desirably 2% or more and 15% or less.

ハーフトーン型ＥＵＶマスクの使用は、原理的にはＥＵＶリソグラフィにおいて、解像性を向上させる、有効な手段である。しかし、ハーフトーン型ＥＵＶマスクにおいても最適な反射率は、露光条件や転写するパターンに依存し、一概に決めることは難しい。また一般的に、ハーフトーン型ＥＵＶマスクを含むフォトマスクは、その作製プロセスにおいても、露光での使用期間においても度重なる、酸やアルカリ等を用いた洗浄液にさらされる。   The use of a halftone EUV mask is an effective means for improving the resolution in principle in EUV lithography. However, even in a halftone EUV mask, the optimum reflectivity depends on the exposure conditions and the pattern to be transferred, and it is difficult to determine it generally. In general, a photomask including a halftone EUV mask is exposed to a cleaning solution using an acid, an alkali, or the like that repeats both in the manufacturing process and in the use period in exposure.

さらに、ＥＵＶ露光は反射露光であるために、入射光は垂直ではなく、やや斜め（通常６°程度）方向から入射し、ＥＵＶマスクで反射光となる。ＥＵＶマスクにおいて、パターンとして加工されるのは吸収膜（ハーフトーン型ではハーフトーン膜）と緩衝膜の部分であるが、斜めからＥＵＶ光が入射するために、パターンの影が生じる。従って、入射方向とパターンの配置方向によっては、反射光で形成する、ウェハ上の転写レジストパターンに、本来のパターン位置からのずれが生じる。これを射影効果（Ｓｈａｄｏｗｉｎｇ Ｅｆｆｅｃｔ）と呼び、ＥＵＶ露光の課題となっている。   Furthermore, since EUV exposure is reflection exposure, incident light is not vertical but is incident from a slightly oblique direction (usually about 6 °) and becomes reflected light by an EUV mask. In the EUV mask, the part to be processed as a pattern is an absorption film (a halftone film in the case of a halftone type) and a buffer film. However, since EUV light is incident obliquely, a shadow of the pattern is generated. Accordingly, depending on the incident direction and the arrangement direction of the pattern, a deviation from the original pattern position occurs in the transfer resist pattern formed on the wafer with the reflected light. This is called a projecting effect and is a subject of EUV exposure.

射影効果を低減するには、影の長さを短くすることであり、そのためにはパターンの高さをなるべく低くすればよい。しかるに、通常緩衝膜は比較的薄く、吸収膜のパターニングや欠陥修正の際のキャッピング膜や多層膜へのダメージの軽減という必要特性から選択されるので、パターンの高さを低くするには、ハーフトーン膜をなるべく薄くする必要がある。   In order to reduce the projection effect, it is necessary to shorten the length of the shadow. For this purpose, the height of the pattern should be as low as possible. However, the buffer film is usually relatively thin and is selected from the necessary characteristics of reducing damage to the capping film and multilayer film during patterning of the absorption film and defect correction. It is necessary to make the tone film as thin as possible.

以上のことから、ハーフトーン型ＥＵＶマスクにおいては、なるべく薄い膜厚で、位相差１７５度〜１８５度における、反射率の選択性の広さ（自由度）をもつと同時に、洗浄液耐性が高く、しかもエッチングしやすい膜が要求されるが、これらの条件を満たす好適な膜材料は提案されていなかった。
特開２００６−２２８７６６号公報 From the above, the halftone EUV mask has a thin film thickness as much as possible and a wide selectivity (degree of freedom) of reflectivity in a phase difference of 175 to 185 degrees, and at the same time has a high resistance to cleaning liquid, Moreover, a film that can be easily etched is required, but no suitable film material that satisfies these conditions has been proposed.
JP 2006-228766 A

本発明は、反射率の選択性の広さ（自由度）と洗浄液耐性の高さを持つと同時に、エッチングの加工精度が高くなるハーフトーン膜の材料を選定したハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することである。   The present invention provides a halftone EUV mask and a halftone in which a halftone film material is selected which has a wide selectivity (degree of freedom) of reflectivity and a high resistance to a cleaning solution, and at the same time has a high etching processing accuracy. The present invention provides a method of manufacturing a pattern EUV mask blank and a halftone EUV mask, and a pattern transfer method.

本発明者は、上記課題を解決するため、ＥＵＶ露光による転写解像性を向上するために従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーン型マスクの原理を、ＥＵＶ露光においても適用可能とする吸収膜（ハーフトーン膜）の種類と、その組成と反射率とについて、検討を重ねた結果、本発明をなすに至った。   In order to solve the above problems, the present inventor can apply the principle of a halftone mask used in conventional excimer laser exposure or the like to improve transfer resolution by EUV exposure also in EUV exposure. As a result of repeated studies on the type of absorbing film (halftone film), its composition and reflectance, the present invention has been made.

本発明の請求項１に係る発明は、基板と、基板上に形成された高反射部と、高反射部上に形成されたパターニングされた低反射部と、を備え、低反射部は、Ｔａ（タンタル）及びＮｂ（ニオブ）を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクとしたものである。   The invention according to claim 1 of the present invention includes a substrate, a high reflection portion formed on the substrate, and a patterned low reflection portion formed on the high reflection portion. This is a halftone EUV mask characterized by having (tantalum) and Nb (niobium).

本発明の請求項２に係る発明は、請求項１に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクにおいて、低反射部からの反射光は、高反射部からの反射光に対して４％以上１５％以下の反射率であり、高反射部からの反射光に対し、１７５度〜１８５度の位相差を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクとしたものである。   The invention according to claim 2 of the present invention is the halftone EUV mask according to claim 1, wherein the reflected light from the low reflection portion is 4% or more and 15% or less with respect to the reflected light from the high reflection portion. The halftone EUV mask has a reflectivity and a phase difference of 175 to 185 degrees with respect to the reflected light from the high reflection portion.

本発明の請求項３に係る発明は、低反射部は、Ｔａ及びＮｂを有し、Ｔａ：Ｎｂの組成比が略４：１〜略１：２の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクとしたものである。   The invention according to claim 3 of the present invention is characterized in that the low reflection portion has Ta and Nb, and the composition ratio of Ta: Nb is in the range of about 4: 1 to about 1: 2. The halftone EUV mask described in 1 or 2 is used.

本発明の請求項４に係る発明は、低反射部は、さらに、Ｓｉ（シリコン）、Ｏ（酸素）又はＮ（窒素）のいずれかを有すること特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクとしたものである。   In the invention according to claim 4 of the present invention, the low reflection portion further includes any one of Si (silicon), O (oxygen), and N (nitrogen). The halftone EUV mask described is used.

本発明の請求項５に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクには、さらに、高反射部上に形成されたキャッピング膜と、高反射部と低反射部との間に形成された緩衝膜と、を備えることを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクとしたものである。   According to a fifth aspect of the present invention, the halftone EUV mask according to any one of the first to fourth aspects further includes a capping film formed on the high reflection portion, a high reflection portion, and a low reflection portion. A half-tone EUV mask comprising a buffer film formed between the first and second portions.

本発明の請求項６に係る発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクを、低反射部のパターニングにより作製するために、基板上に形成された高反射部と、高反射部上の全面に形成された低反射部と、さらに、高反射部上に形成されたキャッピング膜と、高反射部と低反射部との間に形成された緩衝膜と、を備えることを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクとしたものである。   According to a sixth aspect of the present invention, in order to produce the halftone EUV mask according to any one of the first to fifth aspects by patterning a low reflective portion, a high reflective portion formed on a substrate, A low reflection portion formed on the entire surface of the high reflection portion, a capping film formed on the high reflection portion, and a buffer film formed between the high reflection portion and the low reflection portion. This is a halftone EUV mask blank characterized by the above.

本発明の請求項７に係る発明は、基板を準備し、基板上に高反射部を形成し、高反射部上にパターニングするＴａ（タンタル）及びＮｂ（ニオブ）を有する低反射部を形成することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法としたものである。   According to a seventh aspect of the present invention, a substrate is prepared, a high reflection portion is formed on the substrate, and a low reflection portion having Ta (tantalum) and Nb (niobium) to be patterned is formed on the high reflection portion. This is a method of manufacturing a halftone EUV mask characterized by the above.

本発明の請求項８に係る発明は、請求項７に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法において、低反射部からの反射光は、高反射部からの反射光に対して４％以上１５％以下の反射率であり、高反射部からの反射光に対し、１７５度〜１８５度の位相差を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法としたものである。   The invention according to claim 8 of the present invention is the method of manufacturing a halftone EUV mask according to claim 7, wherein the reflected light from the low reflection portion is 4% or more to the reflection light from the high reflection portion. The halftone EUV mask manufacturing method is characterized by having a reflectance of not more than% and having a phase difference of 175 to 185 degrees with respect to the reflected light from the highly reflective portion.

本発明の請求項９に係る発明は、低反射部は、Ｔａ及びＮｂを有し、Ｔａ：Ｎｂの組成比が略４：１〜略１：２の範囲にあることを特徴とする請求項７又は８に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法としたものである。   The invention according to claim 9 of the present invention is characterized in that the low reflection portion has Ta and Nb, and the composition ratio of Ta: Nb is in a range of approximately 4: 1 to approximately 1: 2. The method for producing a halftone EUV mask according to 7 or 8 is used.

本発明の請求項１０に係る発明は、低反射部は、さらに、Ｓｉ（シリコン）、Ｏ（酸素）又はＮ（窒素）のいずれかを有すること特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法としたものである。   In the invention according to claim 10 of the present invention, the low reflection portion further includes any one of Si (silicon), O (oxygen), and N (nitrogen). This is a manufacturing method of the described halftone EUV mask.

本発明の請求項１１に係る発明は、請求項７乃至１０のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法には、さらに、高反射部上にキャッピング膜を形成し、高反射部と低反射部との間に緩衝膜を形成することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法としたものである。   According to an eleventh aspect of the present invention, in the method of manufacturing a halftone EUV mask according to any one of the seventh to tenth aspects, a capping film is further formed on the high reflection portion, A buffer film is formed between the low reflection portion and the halftone EUV mask manufacturing method.

本発明の請求項１２に係る発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクを露光装置に設置し、ハーフトーン型ＥＵＶマスクを介して反射したＥＵＶを選択的に照射し、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法としたものである。   According to a twelfth aspect of the present invention, the halftone EUV mask according to any one of the first to fifth aspects is installed in an exposure apparatus, and the EUV reflected through the halftone EUV mask is selectively irradiated. The pattern transfer method is characterized in that pattern formation is performed.

本発明によれば、反射率の選択性の広さ（自由度）と洗浄液耐性の高さを持つと同時に、エッチングの加工精度が高くなるハーフトーン膜の材料を選定したハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することができる。   According to the present invention, a halftone EUV mask in which a material of a halftone film is selected that has a wide selectivity (degree of freedom) of reflectivity and a high resistance to cleaning liquid, and at the same time the etching processing accuracy is increased. A halftone EUV mask blank, a method for manufacturing a halftone EUV mask, and a pattern transfer method can be provided.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ、説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態において重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the embodiments, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description in the embodiments is omitted.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク１００を示す概略断面図である。図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク１００は、基板１０と、基板１０上に形成された高反射性を有する多層膜２０と、多層膜２０上に形成され、多層膜２０を保護するキャッピング膜３０と、キャッピング膜３０上に形成されたエッチングストッパーとして機能する緩衝膜４０と、緩衝膜４０上に形成された低反射性を有し多層構造を有する下層吸収膜５１及び上層吸収膜５２を備えている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a halftone EUV mask blank 100 according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a halftone EUV mask blank 100 according to a first embodiment of the present invention includes a substrate 10, a multilayer film 20 having high reflectivity formed on the substrate 10, and a multilayer film. A capping film 30 formed on the protective film 20 to protect the multilayer film 20, a buffer film 40 functioning as an etching stopper formed on the capping film 30, and a low-reflection multilayer film formed on the buffer film 40. A lower-layer absorption film 51 and an upper-layer absorption film 52 having a structure are provided.

本発明の第１の実施の形態に係る基板１０としては、例えば、Ｓｉ（シリコン）基板やＴｉ（チタン）を添加とした低熱膨張ガラスを使用することができるが熱膨張率の小さい材料であればいずれでも構わない。   As the substrate 10 according to the first embodiment of the present invention, for example, a low thermal expansion glass to which Si (silicon) substrate or Ti (titanium) is added can be used. It does not matter.

本発明の第１の実施の形態に係る多層膜２０としては、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するもので、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層膜から構成されている。多層膜２０の材料として例えば、Ｍｏ（モリブデン）膜２１とＳｉ（シリコン）膜２２、又はＭｏ膜とＢｅ（ベリリウム）膜とを交互に、４０対成膜してなる積層体を用いることができる。多層膜２０の１層ずつの膜厚は、例えばＭｏ膜２１が２．８ｎｍ、Ｓｉ膜２２が４．２ｎｍである。   The multilayer film 20 according to the first embodiment of the present invention reflects EUV light (extreme ultraviolet light) that is exposure light, and is composed of a multilayer film made of a combination of materials having significantly different refractive indexes with respect to EUV light. Has been. As the material of the multilayer film 20, for example, a stacked body in which 40 pairs of Mo (molybdenum) films 21 and Si (silicon) films 22 or Mo films and Be (beryllium) films are alternately formed can be used. . The film thickness of each multilayer film 20 is, for example, 2.8 nm for the Mo film 21 and 4.2 nm for the Si film 22.

本発明の第１の実施の形態に係るキャッピング膜３０としては、例えば厚さ１１ｎｍのＳｉ膜やＲｕ（ルテニウム）を使用することができるが、本発明ではこれらに限定されるわけではない。   As the capping film 30 according to the first embodiment of the present invention, for example, a Si film having a thickness of 11 nm or Ru (ruthenium) can be used, but the present invention is not limited to these.

本発明の第１の実施の形態に係る緩衝膜４０としては、下層吸収膜５１と上層吸収膜５２とを形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成することができる。より具体的には、下層吸収膜５１（後述する）をエッチングする際に、キャッピング膜３０へのダメージを防ぐエッチングストッパーとして機能するものを用いることができ、緩衝膜４０の材料として、例えば、ＣｒＮ（窒化クロム）膜及びＳｉＯ２で形成することができるが、本発明ではこれらに限定されるわけではない。なお、下層吸収膜５１と上層吸収膜５２については後述する。 The buffer film 40 according to the first embodiment of the present invention can be formed of a material having resistance to dry etching performed when the lower layer absorption film 51 and the upper layer absorption film 52 are formed. More specifically, a material that functions as an etching stopper for preventing damage to the capping film 30 when etching the lower absorption film 51 (described later) can be used. As a material of the buffer film 40, for example, CrN (Chromium nitride) film and SiO 2 can be used, but the present invention is not limited to these. The lower absorption film 51 and the upper absorption film 52 will be described later.

次に、ハーフトーン型ＥＵＶマスク２００の製造方法について説明する。ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク１００の上層吸収層５１上に電子線レジスト（図示せず）を塗布して、電子線描画法によりレジストを所望のパターンに形成した。このレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエッチングにより下層吸収膜５１と上層吸収膜５２とをパターニングし、レジストパターンを剥離した。次に、エッチングにより緩衝膜４０をパターニングすることにより、緩衝膜パターン４１、下層吸収膜パターン５３及び上層吸収膜パターン５４を形成したハーフトーン型ＥＵＶマスク２００を得ることができる。   Next, a method for manufacturing the halftone EUV mask 200 will be described. An electron beam resist (not shown) was applied on the upper absorption layer 51 of the halftone EUV mask blank 100, and the resist was formed into a desired pattern by an electron beam drawing method. Using this resist pattern as a mask, the lower layer absorption film 51 and the upper layer absorption film 52 were patterned by reactive ion etching, and the resist pattern was peeled off. Next, by patterning the buffer film 40 by etching, the halftone EUV mask 200 in which the buffer film pattern 41, the lower absorption film pattern 53, and the upper absorption film pattern 54 are formed can be obtained.

図２は、本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク２００を示す概略断面図である。図２に示すように、本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク２００は、基板１０と、基板１０上に形成された高反射性を有する多層膜２０と、多層膜２０上に形成され、多層膜２０を保護するキャッピング膜３０と、キャッピング膜３０上に選択的に形成された緩衝膜パターン４１と、緩衝膜パターン４１上に選択的に形成された低反射性を有する下層吸収膜パターン５３及び下層吸収膜パターン５３とを備えている。ここで、上層吸収膜パターン５４の反射防止性とは、遠紫外線（ＤＵＶ）光による欠陥検査を可能にするために、いわゆる薄膜干渉を利用してＤＵＶ光に対する反射防止（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ、以下、「ＡＲ」と略記する。）効果を用いることである。一方、露光光であるＥＵＶ光に対する低反射領域を形成するために、ＥＵＶ光を吸収する機能を有するのは主として下層吸収膜パターン５３である。   FIG. 2 is a schematic sectional view showing a halftone EUV mask 200 according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the halftone EUV mask 200 according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 10, a highly reflective multilayer film 20 formed on the substrate 10, and a multilayer film 20. A capping film 30 formed on the capping film 30 to protect the multilayer film 20, a buffer film pattern 41 selectively formed on the capping film 30, and a low reflectivity film selectively formed on the buffer film pattern 41. The lower layer absorption film pattern 53 and the lower layer absorption film pattern 53 are provided. Here, the antireflection property of the upper-layer absorption film pattern 54 refers to antireflection (antireflection, hereinafter referred to as “antireflection”) using so-called thin film interference in order to enable defect inspection with deep ultraviolet (DUV) light. Abbreviated as “AR”). On the other hand, in order to form a low reflection region for EUV light as exposure light, it is mainly the lower layer absorption film pattern 53 that has a function of absorbing EUV light.

（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク３００を示す概略断面図である。図３に示すように、本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク３００は、基板１０と、基板１０上に形成された高反射性を有する多層膜２０と、多層膜２０上に形成された兼用膜３４と、兼用膜３４上に形成された低反射性を有し多層構造を有する下層吸収膜５１及び上層吸収膜５２を備えている。なお、兼用膜３４以外の説明は、第１の実施の形態と重複するために省略する。 (Second Embodiment)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a halftone EUV mask blank 300 according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, a halftone EUV mask blank 300 according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 10, a multilayer film 20 having high reflectivity formed on the substrate 10, and a multilayer film. And a lower absorption film 51 and an upper absorption film 52 having a multi-layer structure having low reflectivity and formed on the dual-use film 34. The description other than the dual-purpose film 34 is omitted because it overlaps with the first embodiment.

本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク３００の兼用膜３４は下層吸収膜５１と多層膜２０との間に備え、前述した多層膜２０を保護するためのキャッピング膜３０と、エッチングストッパーとして機能する緩衝膜４０との両方の役割を果たす。このような兼用膜３４の材料としては、Ｒｕを用いることができるが本発明では、これに限定されるわけではない。   The dual-use film 34 of the halftone EUV mask blank 300 according to the second embodiment of the present invention is provided between the lower absorption film 51 and the multilayer film 20, and the capping film 30 for protecting the multilayer film 20 described above. And the buffer film 40 functioning as an etching stopper. As the material of the dual-purpose film 34, Ru can be used, but the present invention is not limited to this.

図４は、本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク４００を示す概略断面図である。図４に示すように、本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク４００は兼用膜３４を下層吸収膜パターン５３と多層膜２０との間に備えている。兼用膜３４を備えていること以外は前述した第１の実施の形態と同様であるため第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク４００についての説明は省略する。また、ハーフトーン型ＥＵＶマスク４００のそれぞれの材料の説明は第１の実施の形態と重複するために省略する。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a halftone EUV mask 400 according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the halftone EUV mask 400 according to the second embodiment of the present invention includes the dual-purpose film 34 between the lower absorption film pattern 53 and the multilayer film 20. Since the second embodiment is the same as the first embodiment except that the dual-use film 34 is provided, the description of the halftone EUV mask 400 according to the second embodiment is omitted. The description of each material of the halftone EUV mask 400 is omitted because it overlaps with the first embodiment.

ここで、下層吸収膜パターン５３及び上層吸収膜パターン５４について説明する。図２及び図４に示すように、下層吸収膜パターン５３及び上層吸収膜パターン５４は、主として入射光６０を減衰させる。また、下層吸収膜パターン５３は高反射光７０と低反射光８０との間に位相差を発生させるために、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの構成に応じて適宜調整を行う層である。例えば、実施の形態１では、「上層吸収膜＋下層吸収膜＋緩衝膜」、実施の形態２では、「上層吸収膜＋下層吸収膜」の部位で高反射光７０と低反射光８０との間に位相差を発生するように調整をおこなえば良い。また、上層吸収膜のパターン５４はＤＵＶ光に対するＡＲ膜として用いる。   Here, the lower layer absorption film pattern 53 and the upper layer absorption film pattern 54 will be described. As shown in FIGS. 2 and 4, the lower absorption film pattern 53 and the upper absorption film pattern 54 mainly attenuate the incident light 60. The lower absorption film pattern 53 is a layer that is appropriately adjusted according to the configuration of the halftone EUV mask in order to generate a phase difference between the high reflection light 70 and the low reflection light 80. For example, in the first embodiment, “upper layer absorption film + lower layer absorption film + buffer film”, and in the second embodiment, the high reflection light 70 and the low reflection light 80 at the portion “upper layer absorption film + lower layer absorption film”. Adjustments may be made so as to generate a phase difference between them. The upper absorption film pattern 54 is used as an AR film for DUV light.

本発明の第１及び第２の実施の形態においては、低反射光８０の高反射光７０に対する、反射率が４％以上１５％以下であり、高反射光７０に対し、１７５度〜１８５度の位相差を有し、さらに下層吸収膜５１を構成する主要な元素は、ＴａとＮｂとからなっている。好ましくは、ＴａとＮｂとの組成比が略４：１〜略１：２の範囲にある。ここで「主要な」とは、ＴａとＮｂとで９０％以上の組成比を占めるものとする。また、組成比の「略」とは、±５％を含むものとする。   In the first and second embodiments of the present invention, the reflectance of the low reflection light 80 with respect to the high reflection light 70 is 4% or more and 15% or less, and 175 degrees to 185 degrees with respect to the high reflection light 70. The main elements having a phase difference of 5 and constituting the lower absorption film 51 are composed of Ta and Nb. Preferably, the composition ratio of Ta and Nb is in the range of about 4: 1 to about 1: 2. Here, “main” means that Ta and Nb occupy a composition ratio of 90% or more. In addition, “substantially” of the composition ratio includes ± 5%.

本発明の第１及び第２の別の実施の形態においては、低反射光８０の高反射光７０に対する、反射率が４％以上１５％以下であり、高反射光７０に対し、１７５度〜１８５度の位相差を有し、さらに下層吸収膜５１を構成する主要な元素は、ＴａとＮｂとＯ（酸素）からなっている。好ましくは、酸化タンタルと酸化ニオブとの組成比が略４：１〜略１：２の範囲にある。ここで「主要な」とは、ＴａとＮｂとＯとで９０％以上の組成比を占めるものとする。また、組成比の「略」とは、±５％を含むものとする。   In the first and second other embodiments of the present invention, the reflectance of the low reflection light 80 with respect to the high reflection light 70 is 4% or more and 15% or less, and 175 degrees to the high reflection light 70 Main elements having a phase difference of 185 degrees and constituting the lower absorption film 51 are made of Ta, Nb, and O (oxygen). Preferably, the composition ratio of tantalum oxide to niobium oxide is in the range of approximately 4: 1 to approximately 1: 2. Here, “main” means that Ta, Nb, and O occupy a composition ratio of 90% or more. In addition, “substantially” of the composition ratio includes ± 5%.

以下、本発明の第１及び第２の実施の形態で規定する下層吸収膜５１及び上層吸収膜５２の構成元素の選択、構成元素の組成比及び反射率の範囲について説明する。ここで、下層吸収膜５１及び上層吸収膜５２のことを「吸収膜」または「ハーフトーン膜」という場合がある。   Hereinafter, the selection of the constituent elements of the lower absorption film 51 and the upper absorption film 52 defined in the first and second embodiments of the present invention, the composition ratio of the constituent elements, and the range of the reflectance will be described. Here, the lower absorption film 51 and the upper absorption film 52 may be referred to as “absorption film” or “halftone film”.

本発明の第１及び第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク２００、４００において、適正な反射率である４％以上１５％以下を得るためには、従来のバイナリ型ＥＵＶマスクにおける吸収膜、代表的には、ＴａＮ、ＴａＳｉ、ＴａＢＮよりも、透明性のある吸収膜（ハーフトーン膜）を用いる必要がある。単に透明性を上げるだけであれば、吸収膜の膜厚を薄くすればいいが、膜厚が薄くなると、高反射光と１７５度〜１８５度の位相差を得ることが難しくなる。薄くなっても位相差を確保するためには、できるだけ露光波長における屈折率が小さい（真空部＝１から遠い）膜材料を用いる必要がある。   In the halftone EUV masks 200 and 400 according to the first and second embodiments of the present invention, in order to obtain an appropriate reflectance of 4% or more and 15% or less, absorption in a conventional binary EUV mask is performed. It is necessary to use an absorption film (halftone film) that is more transparent than a film, typically TaN, TaSi, or TaBN. If the transparency is simply increased, the thickness of the absorbing film may be reduced. However, when the thickness is reduced, it becomes difficult to obtain a phase difference of 175 to 185 degrees from the highly reflected light. In order to ensure the phase difference even when the thickness is reduced, it is necessary to use a film material having a refractive index as small as possible at the exposure wavelength (distant from the vacuum part = 1).

図５はＥＵＶ露光波長（１３．５ｎｍ）における、各材料の光学定数を示し、横軸を屈折率：ｎとして、縦軸を消衰係数：ｋとしてプロットしたものである。透明性が高く、屈折率が小さい材料としては、Ｍｏが代表的であるが、Ｍｏは洗浄液などの薬液耐性が弱く、また多層膜２０の材料として使われることからも分るように、透明性が高すぎるため、単体としては、吸収膜の材料に適さない。   FIG. 5 shows the optical constants of each material at the EUV exposure wavelength (13.5 nm), and the horizontal axis is plotted as the refractive index: n, and the vertical axis is plotted as the extinction coefficient: k. As a material having high transparency and a low refractive index, Mo is typical, but Mo is weak in chemical solution such as a cleaning solution and transparent as can be seen from being used as a material for the multilayer film 20. Is too high, it is not suitable as a material for the absorption film as a simple substance.

Ｍｏはシリサイド化し、安定なＭｏＳｉ２の形で使えば薬液耐性を上げることができるが、Ｓｉを用いる分だけ、屈折率が大きく（真空部＝１に近く）なるため、適正な位相差を得るための膜厚が厚くなることを避けられない。 Mo is silicided, and if it is used in the form of stable MoSi 2 , the chemical resistance can be increased. However, since the refractive index is increased by the amount of Si used (close to the vacuum part = 1), an appropriate phase difference is obtained. For this reason, it is inevitable that the film thickness will increase.

図５に示すように、ＮｂはＥＵＶ波長領域で比較的透明であり、屈折率もＴａより小さく、さらにハロゲン系ガスでＴａよりもむしろドライエッチングしやすい材料であるが、Ｎｂだけでは透明性が高すぎて、ハーフトーン膜の材料としては適さない。   As shown in FIG. 5, Nb is relatively transparent in the EUV wavelength region, has a refractive index smaller than that of Ta, and is a material easy to dry-etch with a halogen-based gas rather than Ta, but Nb alone has transparency. It is too high to be suitable as a material for a halftone film.

そこで、ＮｂのＥＵＶ光に対する透明性を下げ、ハーフトーン型ＥＵＶマスクとして適正な反射率を得るには、従来吸収膜として使われているＴａ、ＴａＯ、若しくはＴａＮとの化合物膜を用いればよい。ここで、Ｔａ、ＴａＯ、ＴａＮはＥＵＶマスク材料として使われており、洗浄液耐性も問題がない。一方、Ｎｂ系薄膜はＴａ系薄膜よりもドライエッチングされやすい反面、洗浄液耐性はＴａ系薄膜よりもやや落ちるので、ＴａとＮｂとを用いた酸化物、窒化物薄膜の洗浄液耐性を確認する必要がある。   Therefore, in order to reduce the transparency of Nb to EUV light and obtain an appropriate reflectance as a halftone EUV mask, a compound film with Ta, TaO, or TaN that has been used as an absorption film in the past may be used. Here, Ta, TaO, and TaN are used as EUV mask materials, and there is no problem with cleaning liquid resistance. On the other hand, the Nb-based thin film is easier to dry etch than the Ta-based thin film, but the resistance to the cleaning solution is slightly lower than that of the Ta-based thin film, so it is necessary to check the cleaning solution resistance of the oxide and nitride thin films using Ta and Nb. is there.

図６（ａ）及び（ｂ）はＴａとＮｂとの組成比がほぼ１：１の膜を石英基板上に成膜し、一般的な洗浄液であるＡＰＭ（ＮＨ３：Ｈ２Ｏ２:Ｈ２Ｏ＝１：２：２０、室温）、及びＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝３：１、１００℃）に３０分間浸漬し、透過率の変化によって、ＴａとＮｂとの化合物膜の洗浄液耐性を評価した図である。図６（ａ）から分かるように、ＡＰＭではほとんど浸漬前と浸漬後との透過率の変化がなく、図６（ｂ）から分るように、ＳＰＭでは浸漬前と浸漬後とで１．５％程度の変化が見られるが、通常のマスク製造における洗浄時間が数分程度であることを考慮すると、ＴａとＮｂとの化合物膜は十分洗浄液耐性があることが把握される。 6A and 6B, a film having a composition ratio of Ta and Nb of approximately 1: 1 is formed on a quartz substrate, and APM (NH 3 : H 2 O 2 : H), which is a general cleaning solution. 2 O = 1: 2: 20, room temperature), and immersion in SPM (H 2 SO 4 : H 2 O 2 = 3: 1, 100 ° C.) for 30 minutes. It is the figure which evaluated the washing | cleaning liquid tolerance of the film | membrane. As can be seen from FIG. 6 (a), there is almost no change in transmittance between before and after immersion in APM, and as shown in FIG. 6 (b), 1.5% between before and after immersion in SPM. However, considering that the cleaning time in normal mask manufacturing is about several minutes, it can be understood that the compound film of Ta and Nb is sufficiently resistant to the cleaning solution.

同様に、図７（ａ）及び（ｂ）はＴａとＮｂとの酸化物についてのＡＰＭ耐性及びＳＰＭ耐性を評価した図である。図７（ａ）及び（ｂ）から把握されるように、ＡＰＭ及びＳＰＭではほとんど浸漬前と浸漬後との透過率の変化がなく、ＴａとＮｂとの酸化物は洗浄液耐性があることが把握される。   Similarly, FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the evaluation of APM resistance and SPM resistance with respect to oxides of Ta and Nb. As can be understood from FIGS. 7A and 7B, in APM and SPM, there is almost no change in transmittance before and after immersion, and it is understood that oxides of Ta and Nb are resistant to cleaning liquid. Is done.

同様に、図８（ａ）及び（ｂ）はＴａとＮｂとの窒化物についてのＡＰＭ耐性及びＳＰＭ耐性を評価した図である。図８（ａ）及び（ｂ）から把握されるように、ＴａとＮｂとの窒化物は浸漬前と浸漬後とではＡＰＭ耐性及びＳＰＭ耐性が不足しており、ハーフトーン膜の主要な材料としては使いづらいことが把握される。   Similarly, FIGS. 8A and 8B are diagrams for evaluating the APM resistance and the SPM resistance of Ta and Nb nitrides. As can be seen from FIGS. 8A and 8B, the nitride of Ta and Nb lacks APM resistance and SPM resistance before and after immersion, and is a major material for the halftone film. Is difficult to use.

ここで、ＴａとＮｂとの化合物膜と、ＴａとＮｂとの酸化物膜について比較すると、特にＴａは酸化することにより、ハロゲンガスによるドライエッチレートが低下し、加工しづらくなる。しかし一般に金属薄膜は酸化することにより、化学的性質が安定するので、適度に酸化することはむしろ望ましいと言える。なお、ＴａとＮｂとの酸化物膜は、Ａｒに酸素を添加したスパッタリング法により形成することができる。   Here, when comparing the compound film of Ta and Nb and the oxide film of Ta and Nb, particularly, when Ta is oxidized, the dry etching rate by the halogen gas is lowered and it is difficult to process. However, since the chemical properties are generally stabilized by oxidizing a metal thin film, it can be said that it is rather desirable to oxidize appropriately. Note that the oxide film of Ta and Nb can be formed by a sputtering method in which oxygen is added to Ar.

次に、本発明の第１及び第２の実施の形態で規定する下層吸収膜５１及び上層吸収膜５２の構成元素の組成比及び反射率範囲について、反射率と位相差との計算により検討した結果に基づいて説明する。ここで、下層吸収膜５１については、前述の理由により、ＴａとＮｂとの化合物膜について検討する。   Next, the composition ratio and the reflectance range of the constituent elements of the lower absorption film 51 and the upper absorption film 52 defined in the first and second embodiments of the present invention were examined by calculating the reflectance and the phase difference. It demonstrates based on a result. Here, for the lower absorption film 51, a compound film of Ta and Nb is examined for the above-described reason.

一般に、薄膜の透過率、反射率及びパターニングした結果生じる位相差は、基板と薄膜との光学定数（屈折率：ｎ、消衰係数：ｋ）、薄膜の膜厚、使用する光の波長が決まれば、一意に定まり、光学理論により計算で求めることができる（詳細は、例えば、応用物理工学選書３、吉田貞史「薄膜」、培風館、１９９０を参照）。多層膜２０についても同様である。   In general, the transmittance and reflectance of a thin film and the phase difference resulting from patterning are determined by the optical constants (refractive index: n, extinction coefficient: k) between the substrate and the thin film, the film thickness of the thin film, and the wavelength of light used. For example, refer to Applied Physics Engineering Selection 3, Sadayoshi Yoshida “Thin Film”, Baifukan, 1990, for details. The same applies to the multilayer film 20.

図９は、反射率及び位相差を計算するために用いた材料の膜厚と波長、ＥＵＶ露光で典型的な１３．５ｎｍおける光学定数を示す図である。   FIG. 9 is a diagram showing the film thickness and wavelength of the material used for calculating the reflectance and the phase difference, and the optical constant at 13.5 nm typical for EUV exposure.

図９の結果を用いて、実際のマスク構造における、露光波長（１３．５ｎｍ）での位相差と反射率（高反射部に対する相対反射率）とを計算した結果を、図１０乃至図１３に示す。尚、上層吸収膜５２は、ＴａＳｉＯ膜などが考えられるが、ここでは成膜の容易さ（Ｓｉをターゲットとし、ＡｒとＮ２の混合ガスによるスパッタリングで成膜可能）からＳｉＮ膜とした。上層吸収膜５２の膜厚は、各々の下層吸収膜５１と２層化したときに、欠陥検査波長２５７ｎｍと１９９ｎｍとで低反射を実現する膜厚１５．５ｎｍとした。 FIG. 10 to FIG. 13 show the calculation results of the phase difference and the reflectance (relative reflectance with respect to the high reflection portion) at the exposure wavelength (13.5 nm) in the actual mask structure using the results of FIG. Show. The upper absorption film 52 may be a TaSiO film or the like, but here it is a SiN film because of the ease of film formation (which can be formed by sputtering using a mixed gas of Ar and N 2 with Si as a target). The film thickness of the upper absorption film 52 was set to 15.5 nm, which realizes low reflection at the defect inspection wavelengths of 257 nm and 199 nm when the lower absorption film 51 is formed into two layers.

また、図１０乃至図１３において、ＣｒＮからなる緩衝膜４０、Ｓｉからなるキャッピング膜３０、Ｒｕからなる兼用膜３４（キャッピング膜３０と緩衝膜４０との機能を有する）、及び多層膜２０を構成するＭｏ２１とＳｉ２２との膜厚はそれぞれ、１０ｎｍ、１１ｎｍ、２．５ｎｍ、２．８ｎｍ、４．２ｎｍとし、多層膜２０はＭｏ／Ｓｉの４０対とした。   10 to 13, the buffer film 40 made of CrN, the capping film 30 made of Si, the dual-purpose film 34 made of Ru (having the functions of the capping film 30 and the buffer film 40), and the multilayer film 20 are configured. The film thicknesses of Mo21 and Si22 are 10 nm, 11 nm, 2.5 nm, 2.8 nm, and 4.2 nm, respectively, and the multilayer film 20 is 40 pairs of Mo / Si.

図１０乃至図１３より、それぞれの条件において、作製可能なハーフトーン型ＥＵＶマスクの反射率がわかる。このように、ＴａとＮｂの化合物膜を下層吸収膜５１として用いれば、ハーフトーン型ＥＵＶマスクとして好適な反射率を得ることができる。具体的には、ＴａとＮｂの組成比が３：１の場合は、４：１の場合とほとんど同じ結果となり、位相差１８０度時の反射率は下限に近くなり、約４％となる。またＴａとＮｂの組成比を１：２とすれば、位相差１８０度時の反射率は約１５％となり、ハーフトーン型ＥＵＶマスクとして有効な反射率の上限近くになる。すなわち、ＴａとＮｂの組成比を４：１から１：２の範囲とすることで、ハーフトーン型ＥＵＶマスクとして有効な吸収膜を作製することができる。   10 to 13 show the reflectivity of a halftone EUV mask that can be produced under each condition. Thus, if a compound film of Ta and Nb is used as the lower absorption film 51, a reflectance suitable as a halftone EUV mask can be obtained. Specifically, when the composition ratio of Ta and Nb is 3: 1, almost the same result as in the case of 4: 1 is obtained, and the reflectance at a phase difference of 180 degrees is close to the lower limit and is about 4%. If the composition ratio of Ta and Nb is 1: 2, the reflectance at a phase difference of 180 degrees is about 15%, which is close to the upper limit of the reflectance effective as a halftone EUV mask. That is, by setting the composition ratio of Ta and Nb in the range of 4: 1 to 1: 2, an absorption film effective as a halftone EUV mask can be manufactured.

本発明の実施の形態に係る実施例について説明する。   Examples according to the embodiment of the present invention will be described.

はじめに、図１に示すように、低熱膨張ガラス基板１０上に、ＭｏとＳｉとからなる４０対の多層膜２０をイオンビームスパッタリング法により成膜し、その上にマグネトロンスパッタリング法によりＳｉからなるキャッピング膜３０を１１ｎｍの厚さで成膜した。   First, as shown in FIG. 1, 40 pairs of multilayer films 20 made of Mo and Si are formed on a low thermal expansion glass substrate 10 by an ion beam sputtering method, and then capping made of Si by a magnetron sputtering method. The film 30 was formed with a thickness of 11 nm.

さらにその上にＣｒＮからなる緩衝膜４０をＣｒＮをターゲットとし、Ａｒガスを放電させるマグネトロンスパッタリング法により１０ｎｍの厚さで成膜した。   Further, a buffer film 40 made of CrN was formed thereon with a thickness of 10 nm by a magnetron sputtering method using CrN as a target and discharging Ar gas.

次に、下層吸収膜５１として、カソードを２個有するマグネトロンスパッタリング装置を使い、一方のカソードにＴａターゲット、もう一方のカソードにＮｂターゲットを取り付け、Ａｒガスによる同時放電により、ＴａとＮｂとを主成分とする膜を３７ｎｍの厚さで成膜した。このとき、膜中のＴａ：Ｎｂの比率がほぼ１：１になるよう、同時放電における、各々の電力を調整した。   Next, a magnetron sputtering apparatus having two cathodes is used as the lower absorption film 51, a Ta target is attached to one cathode, an Nb target is attached to the other cathode, and Ta and Nb are mainly discharged by simultaneous discharge with Ar gas. A film as a component was formed to a thickness of 37 nm. At this time, each power in the simultaneous discharge was adjusted so that the ratio of Ta: Nb in the film was approximately 1: 1.

さらにその後、Ｓｉをターゲットとし、Ａｒガスに窒素を添加したマグネトロンスパッタリング法により、ＡＲ膜である上層吸収膜５２としてＳｉＮを１５．５ｎｍの厚さで成膜して、本実施例１のハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク１００を作製した。ここで、低反射部のＥＵＶ反射率測定を行ったが、高反射部に対し約８．０％であり、ハーフトーン型マスクとして好適な反射率であった。   After that, SiN was formed to a thickness of 15.5 nm as an upper absorption film 52 as an AR film by a magnetron sputtering method using Si as a target and nitrogen added to Ar gas. A mold EUV mask blank 100 was produced. Here, the EUV reflectance measurement of the low reflection portion was performed, but the reflectivity was about 8.0% with respect to the high reflection portion, and the reflectance was suitable as a halftone mask.

その後、上層吸収膜５ｂ上に電子線レジストを塗布し、電子線描画法によりレジストパターンを形成した（図示せず）。このレジストパターンをマスクとし、フッ素系ガスによる反応性イオンエッチングにより上層吸収膜５２及び下層吸収膜５１のパターニングを行い、その後硫酸と過酸化水素水によりレジストを剥離した。   Thereafter, an electron beam resist was applied on the upper absorption film 5b, and a resist pattern was formed by an electron beam drawing method (not shown). Using this resist pattern as a mask, the upper absorption film 52 and the lower absorption film 51 were patterned by reactive ion etching with a fluorine-based gas, and then the resist was peeled off with sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.

その後、吸収膜（下層吸収膜５１及び上層吸収膜５２）欠陥の検査と修正を行った後、ＣｒＮからなる緩衝膜４０を塩素ガスに酸素を添加したエッチングにより剥離した。その後に、アンモニアと過酸化水素水とによる洗浄を行い、本実施例１のハーフトーン型ＥＵＶマスク２００を作製した。   Thereafter, after inspection and correction of defects in the absorption film (lower absorption film 51 and upper absorption film 52), the buffer film 40 made of CrN was peeled off by etching in which oxygen was added to chlorine gas. Thereafter, cleaning with ammonia and aqueous hydrogen peroxide was performed, and the halftone EUV mask 200 of Example 1 was produced.

その後、本実施例１のハーフトーン型ＥＵＶマスク２００を用いて、ＥＵＶ反射率の測定を行ったが、高反射部の反射率は６５％、またハーフトーン部の反射率は８．１％で、マスクブランク状態での反射率に比べ、０．１％の上昇に留まり、実用上問題はなかった。また洗浄前後で電子線顕微鏡によりパターン線幅の測定を行ったが、装置の測定精度以内の変化であり、洗浄耐性も問題とならなかった。   Thereafter, the EUV reflectance was measured using the halftone EUV mask 200 of Example 1. The reflectance of the high reflection portion was 65%, and the reflectance of the halftone portion was 8.1%. Compared to the reflectance in the mask blank state, the increase was only 0.1%, and there was no practical problem. In addition, the pattern line width was measured with an electron beam microscope before and after cleaning, but the change was within the measurement accuracy of the apparatus, and the cleaning resistance was not a problem.

はじめに、低熱膨脹ガラス基板１０上に、ＭｏとＳｉとからなる４０対の多層膜２０をイオンビームスパッタリング法により成膜し、その上にマグネトロンスパッタリング法によりＲｕからなるキャッピング膜と緩衝膜との兼用膜３４を２．５ｎｍの厚さで成膜した。   First, 40 pairs of multilayer films 20 made of Mo and Si are formed on the low thermal expansion glass substrate 10 by ion beam sputtering, and a capping film made of Ru and a buffer film are also used by magnetron sputtering. The film 34 was formed with a thickness of 2.5 nm.

次に、下層吸収膜５１として、カソードを２個有するマグネトロンスパッタリング装置を使い、一方のカソードにＴａターゲット、もう一方のカソードにＮｂターゲットを取り付け、Ａｒガスによる同時放電により、ＴａとＮｂとを主成分とする膜を５０ｎｍの厚さで成膜した。このとき、膜中のＴａ：Ｎｂの比率がほぼ１．５：１になるよう、同時放電における、各々の電力を調整した。   Next, a magnetron sputtering apparatus having two cathodes is used as the lower absorption film 51, a Ta target is attached to one cathode, an Nb target is attached to the other cathode, and Ta and Nb are mainly discharged by simultaneous discharge with Ar gas. A film as a component was formed to a thickness of 50 nm. At this time, each power in the simultaneous discharge was adjusted so that the ratio of Ta: Nb in the film was approximately 1.5: 1.

さらにその後、Ｓｉをターゲットとし、Ａｒガスに窒素を添加したマグネトロンスパッタリング法により、ＡＲ膜である上層吸収膜５２としてＳｉＮを１５．５ｎｍの厚さで成膜して、本実施例２のハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク３００を作製した。ここで、低反射部のＥＵＶ反射率測定を行ったが、高反射部に対し約８．４％であり、ハーフトーン型マスクとして好適な反射率であった。   After that, SiN was deposited to a thickness of 15.5 nm as an upper-layer absorption film 52 as an AR film by a magnetron sputtering method using Si as a target and nitrogen added to Ar gas. A mold EUV mask blank 300 was produced. Here, the EUV reflectance measurement of the low reflection portion was performed, but the reflectivity was about 8.4% with respect to the high reflection portion, which was a suitable reflectance as a halftone mask.

その後、上層吸収膜５２の上に電子線レジストを塗布し、電子線描画法によりレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとし、フッ素系ガスによる反応性イオンエッチングにより上層吸収膜５２及び下層吸収膜５１のパターニングを行い、その後硫酸と過酸化水素水によりレジストを剥離した。   Thereafter, an electron beam resist was applied on the upper absorption film 52, and a resist pattern was formed by an electron beam drawing method. Using this resist pattern as a mask, the upper absorption film 52 and the lower absorption film 51 were patterned by reactive ion etching with a fluorine-based gas, and then the resist was peeled off with sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.

しかる後に、アンモニアと過酸化水素水とによる洗浄を行い、本実施例２のハーフトーン型ＥＵＶマスク４００を作製した。   Thereafter, cleaning with ammonia and aqueous hydrogen peroxide was performed, and the halftone EUV mask 400 of Example 2 was produced.

その後、本実施例２のハーフトーン型ＥＵＶマスク４００を用いて、ＥＵＶ反射率の測定を行ったが、高反射部の反射率は６５％、またハーフトーン部の反射率は８．５％で、マスクブランク状態での反射率に比べ、０．１％の上昇に留まり、実用上問題はなかった。また洗浄前後で電子線顕微鏡によりパターン線幅の測定を行ったが、装置の測定精度以内の変化であり、洗浄耐性も問題とならなかった。   Thereafter, the EUV reflectivity was measured using the halftone EUV mask 400 of the second embodiment. The reflectivity of the high reflectivity portion was 65%, and the reflectivity of the halftone portion was 8.5%. Compared to the reflectance in the mask blank state, the increase was only 0.1%, and there was no practical problem. In addition, the pattern line width was measured with an electron beam microscope before and after cleaning, but the change was within the measurement accuracy of the apparatus, and the cleaning resistance was not a problem.

以上、詳細に説明したようにＴａとＮｂを原材料とするだけで、比較的薄い膜厚で、洗浄耐性、エッチングの加工精度が優れ、しかも組成比を変更するだけで反射率の選択性を広くできるハーフトーン型ＥＵＶマスクを得ることができる。   As described above in detail, only Ta and Nb are used as raw materials, the film thickness is relatively thin, the cleaning resistance and etching processing accuracy are excellent, and the selectivity of the reflectance can be widened only by changing the composition ratio. A halftone EUV mask that can be obtained can be obtained.

本発明によるハーフトーン型ＥＵＶマスクを用いたパターン転写方法は、例えば、先ず被加工層を表面に形成した基板上にフォトレジスト層を設けたのち、本発明に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクを介して反射した極端紫外線を選択的に照射する。   In the pattern transfer method using the halftone EUV mask according to the present invention, for example, a photoresist layer is first provided on a substrate on which a layer to be processed is formed, and then the halftone EUV mask according to the present invention is used. The reflected extreme ultraviolet rays are selectively irradiated.

次いで、現像工程において不必要な部分のフォトレジスト層を除去し、基板上にエッチングレジスト層のパターンを形成させたのち、このエッチングレジスト層のパターンをマスクとして被加工層をエッチング処理し、次いで、エッチングレジスト層のパターンを除去することにより、ハーフトーン型ＥＵＶマスクパターンに忠実なパターンを基板上に転写することができる。   Next, an unnecessary portion of the photoresist layer is removed in the development step, and a pattern of the etching resist layer is formed on the substrate. Then, the layer to be processed is etched using the pattern of the etching resist layer as a mask. By removing the pattern of the etching resist layer, a pattern faithful to the halftone EUV mask pattern can be transferred onto the substrate.

本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the halftone type EUV mask blank which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the halftone type EUV mask which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the halftone type EUV mask blank which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスクを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the halftone type EUV mask which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第１及び第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクに係る材料の波長１３．５ｎｍの光に対する屈折率と、消衰係数とを示す特性図である。The characteristic view which shows the refractive index with respect to the light of wavelength 13.5nm, and the extinction coefficient of the material which concerns on the halftone type EUV mask which concerns on the 1st and 2nd embodiment of this invention, and a halftone type EUV mask blank It is. （ａ）及び（ｂ）は本発明の第１及び第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクの検討において、ＴａＮｂ膜のＡＰＭ耐性、ＳＰＭ耐性を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the APM tolerance of a TaNb film | membrane, and SPM tolerance in examination of the halftone type EUV mask and halftone type EUV mask blank which concern on the 1st and 2nd embodiment of this invention. It is. （ａ）及び（ｂ）は本発明の第１及び第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクの検討において、ＴａＮｂＯ膜のＡＰＭ耐性、ＳＰＭ耐性を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the APM tolerance of a TaNbO film | membrane and SPM tolerance in examination of the halftone type EUV mask and halftone type EUV mask blank which concern on the 1st and 2nd embodiment of this invention. It is. （ａ）及び（ｂ）は本発明の第１及び第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクの検討において、ＴａＮｂＮ膜のＡＰＭ耐性、ＳＰＭ耐性を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the APM tolerance of a TaNbN film | membrane and SPM tolerance in examination of the halftone type EUV mask and halftone type EUV mask blank which concern on the 1st and 2nd embodiment of this invention. It is. 本発明の第１及び第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクにおける反射率、位相差を計算するための、波長１３．５ｎｍ光に対する屈折率と、消衰係数とを示す表である。In order to calculate the reflectance and phase difference in the halftone EUV mask and the halftone EUV mask blank according to the first and second embodiments of the present invention, the refractive index with respect to light having a wavelength of 13.5 nm, the extinction It is a table | surface which shows an attenuation coefficient. 本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクに係る、波長１３．５ｎｍでの反射率と位相差とを計算した結果を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the result of having calculated the reflectance and wavelength difference in wavelength 13.5nm which concern on the halftone type EUV mask which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and a halftone type EUV mask blank. 本発明の第１の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクに係る、波長１３．５ｎｍでの反射率と位相差とを計算した結果を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the result of having calculated the reflectance and wavelength difference in wavelength 13.5nm which concern on the halftone type EUV mask which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and a halftone type EUV mask blank. 本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクに係る、波長１３．５ｎｍでの反射率と位相差とを計算した結果を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the result of having calculated the reflectance and wavelength difference in wavelength 13.5nm which concern on the halftone type EUV mask which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and a halftone type EUV mask blank. 本発明の第２の実施の形態に係るハーフトーン型ＥＵＶマスク、およびハーフトーン型ＥＵＶマスクブランクに係る、波長１３．５ｎｍでの反射率と位相差とを計算した結果を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the result of having calculated the reflectance and wavelength difference in wavelength 13.5nm which concern on the halftone type EUV mask which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and a halftone type EUV mask blank.

符号の説明Explanation of symbols

１０：基板、２０：多層膜、２１：Ｓｉ膜、２２：Ｍｏ膜、３０：キャッピング膜、３４：兼用膜、４０：緩衝膜、４１：緩衝膜パターン、５１：下層吸収膜、５２：上層吸収膜、５３：下層吸収膜パターン、５４：上層吸収膜パターン、６０：入射光、７０：高反射光、８０：低反射光、１００：ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、２００：ハーフトーン型ＥＵＶマスク、３００：ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、４００：ハーフトーン型ＥＵＶ用マスク 10: substrate, 20: multilayer film, 21: Si film, 22: Mo film, 30: capping film, 34: dual-purpose film, 40: buffer film, 41: buffer film pattern, 51: lower layer absorption film, 52: upper layer absorption Film: 53: Lower layer absorption film pattern, 54: Upper layer absorption film pattern, 60: Incident light, 70: High reflection light, 80: Low reflection light, 100: Halftone EUV mask blank, 200: Halftone EUV mask, 300: Halftone EUV mask blank, 400: Halftone EUV mask

Claims (12)

基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成されたパターニングされた低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ｔａ（タンタル）及びＮｂ（ニオブ）を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスク。 A substrate,
A highly reflective portion formed on the substrate;
A patterned low-reflection part formed on the high-reflection part,
The low reflection portion includes Ta (tantalum) and Nb (niobium), and is a halftone EUV mask. 請求項１に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクにおいて、
前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して４％以上１５％以下の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、１７５度〜１８５度の位相差を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスク。 The halftone EUV mask according to claim 1,
The reflected light from the low reflection part has a reflectance of 4% to 15% with respect to the reflected light from the high reflection part, and is 175 to 185 degrees with respect to the reflected light from the high reflection part. A halftone EUV mask characterized by having a phase difference. 前記低反射部は、Ｔａ及びＮｂを有し、Ｔａ：Ｎｂの組成比が略４：１〜略１：２の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスク。   3. The halftone EUV according to claim 1, wherein the low reflection portion includes Ta and Nb, and a composition ratio of Ta: Nb is in a range of about 4: 1 to about 1: 2. 4. mask. 前記低反射部は、さらに、Ｓｉ（シリコン）、Ｏ（酸素）又はＮ（窒素）のいずれかを有すること特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスク。   4. The halftone EUV mask according to claim 1, wherein the low reflection portion further includes any one of Si (silicon), O (oxygen), and N (nitrogen). 請求項１乃至４のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクには、
さらに、前記高反射部上に形成されたキャッピング膜と、
前記高反射部と前記低反射部との間に形成された緩衝膜と、
を備えることを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスク。 The halftone EUV mask according to any one of claims 1 to 4,
Further, a capping film formed on the high reflection portion,
A buffer film formed between the high reflection portion and the low reflection portion;
A halftone EUV mask characterized by comprising: 請求項１乃至５のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクを、前記低反射部のパターニングにより作製するために、前記基板上に形成された前記高反射部と、前記高反射部上の全面に形成された前記低反射部と、さらに、前記高反射部上に形成された前記キャッピング膜と、前記高反射部と前記低反射部との間に形成された緩衝膜と、を備えることを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク。   6. The high reflection portion formed on the substrate and the entire surface on the high reflection portion for producing the halftone EUV mask according to claim 1 by patterning the low reflection portion. The low reflection portion formed on the high reflection portion, the capping film formed on the high reflection portion, and a buffer film formed between the high reflection portion and the low reflection portion. Characteristic halftone EUV mask blank. 基板を準備し、
前記基板上に高反射部を形成し、
前記高反射部上にパターニングするＴａ（タンタル）及びＮｂ（ニオブ）を有する低反射部を形成することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法。 Prepare the board
Forming a highly reflective portion on the substrate;
A method for producing a halftone EUV mask, comprising: forming a low reflection portion having Ta (tantalum) and Nb (niobium) to be patterned on the high reflection portion. 請求項７に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法において、
前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して４％以上１５％以下の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、１７５度〜１８５度の位相差を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法。 In the manufacturing method of the halftone type EUV mask according to claim 7,
The reflected light from the low reflection part has a reflectance of 4% to 15% with respect to the reflected light from the high reflection part, and is 175 to 185 degrees with respect to the reflected light from the high reflection part. A method for producing a halftone EUV mask, comprising a phase difference. 前記低反射部は、Ｔａ及びＮｂを有し、Ｔａ：Ｎｂの組成比が略４：１〜略１：２の範囲にあることを特徴とする請求項７又は８に記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法。   9. The halftone EUV according to claim 7, wherein the low reflection portion includes Ta and Nb, and a composition ratio of Ta: Nb is in a range of approximately 4: 1 to approximately 1: 2. Mask manufacturing method. 前記低反射部は、さらに、Ｓｉ（シリコン）、Ｏ（酸素）又はＮ（窒素）のいずれかを有すること特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法。   10. The method of manufacturing a halftone EUV mask according to claim 7, wherein the low reflection portion further includes any one of Si (silicon), O (oxygen), and N (nitrogen). . 請求項７乃至１０のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法には、さらに、前記高反射部上にキャッピング膜を形成し、
前記高反射部と前記低反射部との間に緩衝膜を形成することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法。 In the method of manufacturing a halftone EUV mask according to any one of claims 7 to 10, a capping film is further formed on the highly reflective portion,
A method of manufacturing a halftone EUV mask, comprising: forming a buffer film between the high reflection portion and the low reflection portion. 請求項１乃至５のいずれかに記載のハーフトーン型ＥＵＶマスクを露光装置に設置し、
前記ハーフトーン型ＥＵＶマスクを介して反射したＥＵＶを選択的に照射し、
パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。 The halftone EUV mask according to any one of claims 1 to 5 is installed in an exposure apparatus,
Selectively irradiating the EUV reflected through the halftone EUV mask;
A pattern transfer method characterized by performing pattern formation.
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