JP2010040355A - Substrate treatment method, film forming method, and manufacturing method of organic el device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の処理方法、成膜方法及び有機EL装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing method, a film forming method, and an organic EL device manufacturing method.
従来から、表示装置の1つとして、一対の電極と、一対の電極間に介在する発光層とを有する有機EL(Electro Luminescence)装置が知られている。
このような有機EL装置では、従来、一対の電極のうちの一方と、正孔注入輸送層とが形成された基板に撥液化処理を施すことが知られている(例えば、特許文献1参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, an organic EL (Electro Luminescence) device having a pair of electrodes and a light emitting layer interposed between the pair of electrodes is known as one of display devices.
In such an organic EL device, it is conventionally known that a liquid repellent treatment is performed on a substrate on which one of a pair of electrodes and a hole injecting and transporting layer is formed (see, for example, Patent Document 1). .
上記特許文献1に記載された基板の処理方法によれば、正孔注入輸送層に撥液性が付与される。このため、発光層を構成する材料を含む液状体を正孔注入輸送層上に配置したときに、液状体を所定範囲にとどめることができる。このため、液状体を堰き止めるための隔壁を省略することができる。
特許文献1には、撥液化処理の例として、基板にCF4プラズマ処理を施す方法や、基板にフッ化アルキルカップリング剤を塗布する方法などが記載されている。
According to the substrate processing method described in Patent Document 1, liquid repellency is imparted to the hole injecting and transporting layer. For this reason, when the liquid containing the material constituting the light emitting layer is disposed on the hole injecting and transporting layer, the liquid can be kept within a predetermined range. For this reason, the partition for damming the liquid material can be omitted.
Patent Document 1 describes, as examples of lyophobic treatment, a method of performing CF 4 plasma treatment on a substrate, a method of applying a fluorinated alkyl coupling agent to a substrate, and the like.
しかしながら、基板にCF4プラズマ処理を施す方法では、正孔注入輸送層の表面が粗くなってしまうことがある。正孔注入輸送層の表面が粗いと、正孔注入輸送層と発光層との間の電流の流れが阻害されやすくなる。
また、基板にフッ化アルキルカップリング剤を塗布する方法では、正孔注入輸送層と発光層との間に新たな層が形成されやすい。正孔注入輸送層と発光層との間に新たな層が介在すると、正孔注入輸送層と発光層との間の電流の流れが阻害されやすくなる。
However, in the method in which the substrate is subjected to CF 4 plasma treatment, the surface of the hole injection / transport layer may become rough. When the surface of the hole injecting and transporting layer is rough, the current flow between the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer is likely to be hindered.
Further, in the method of applying the alkyl fluoride coupling agent to the substrate, a new layer is easily formed between the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer. When a new layer is interposed between the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer, the current flow between the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer is likely to be hindered.
つまり、従来の基板の処理方法では、積み重ねられた複数の層における電気的な特性を向上させることが困難であるという課題がある。 That is, in the conventional substrate processing method, there is a problem that it is difficult to improve electrical characteristics in a plurality of stacked layers.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]撥液性を有する撥液層と、前記撥液層に積層された第1層と、を有する基板の処理方法であって、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記第1層に拡散させる拡散工程を有することを特徴とする基板の処理方法。 Application Example 1 A substrate processing method having a liquid repellent layer having liquid repellency and a first layer laminated on the liquid repellent layer, the component having liquid repellency from the liquid repellent layer A substrate processing method comprising a diffusion step of diffusing at least a part of the first layer into the first layer.
適用例1の基板の処理方法は、拡散工程を有している。この処理方法が適用され得る基板は、撥液層と、第1層とを有している。撥液層は、撥液性を有している。第1層は、撥液層に積層されている。拡散工程では、撥液層から撥液性を有する成分の少なくとも一部を第1層に拡散させる。これにより、第1層に撥液性が発現し得る。このため、液状体を第1層に配置したときに、液状体を所定範囲にとどめやすくすることができる。
また、この処理方法によれば、例えば第1層にプラズマ処理を施す場合などに比較して、第1層に損傷を与えにくい。このため、第1層の表面粗さを維持しやすくすることができる。
また、この処理方法によれば、例えば第1層に撥液性を有する層を積層してから新たな層を積層する場合などに比較して、第1層と新たな層との間の層を省略することができる。
これらの理由により、第1層に新たな層を積層したときに、第1層と新たな層との間の電気的な特性を向上させやすくすることができる。
The substrate processing method of Application Example 1 includes a diffusion process. A substrate to which this treatment method can be applied has a liquid repellent layer and a first layer. The liquid repellent layer has liquid repellency. The first layer is laminated on the liquid repellent layer. In the diffusion step, at least a part of the liquid repellent component is diffused from the liquid repellent layer to the first layer. Thereby, liquid repellency can be expressed in the first layer. For this reason, when the liquid material is disposed in the first layer, the liquid material can be easily kept within a predetermined range.
In addition, according to this processing method, the first layer is less likely to be damaged compared to, for example, a case where the first layer is subjected to plasma processing. For this reason, the surface roughness of the first layer can be easily maintained.
In addition, according to this processing method, for example, a layer between the first layer and the new layer is compared with a case where a layer having liquid repellency is stacked on the first layer and then a new layer is stacked. Can be omitted.
For these reasons, when a new layer is stacked on the first layer, the electrical characteristics between the first layer and the new layer can be easily improved.
[適用例2]上記の基板の処理方法であって、前記拡散工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。 Application Example 2 In the substrate processing method described above, the diffusion step includes a heating step of heating the substrate.
適用例2では、拡散工程に加熱工程が含まれているので、撥液性を有する成分を第1層に拡散させやすくすることができる。 In Application Example 2, since the heating step is included in the diffusion step, it is possible to easily diffuse the liquid repellent component into the first layer.
[適用例3]上記の基板の処理方法であって、前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする基板の処理方法。 Application Example 3 In the above substrate processing method, the liquid repellent layer is made of a material containing an organic material, and in the heating step, the substrate is placed in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. A method for treating a substrate, comprising heating.
適用例3の処理方法が適用され得る基板では、撥液層が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱する。280℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された撥液層に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、50℃以上であれば、撥液性を有する成分を第1層に拡散させやすくすることができる。 In the substrate to which the treatment method of Application Example 3 can be applied, the liquid repellent layer is made of a material containing an organic material. And in a heating process, this board | substrate is heated in 50 degreeC or more and less than 280 degreeC. If it is less than 280 degreeC, it can make it easy to avoid damaging the liquid-repellent layer comprised with the material containing an organic material. Moreover, if it is 50 degreeC or more, it can make it easy to make the component which has liquid repellency diffuse to a 1st layer.
[適用例4]上記の基板の処理方法であって、前記拡散工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。 Application Example 4 A substrate processing method according to the above-described substrate processing method, including a liquid repellency step for imparting the liquid repellency to the liquid repellency layer before the diffusion step.
適用例4では、拡散工程の前に撥液層に撥液性を付与する撥液化工程があるので、撥液層に撥液性を持たせることができる。 In Application Example 4, since there is a liquid repellency step for imparting liquid repellency to the liquid repellent layer before the diffusion step, the liquid repellent layer can be provided with liquid repellency.
[適用例5]上記の基板の処理方法であって、前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする基板の処理方法。 Application Example 5 In the above substrate processing method, the liquid repellent layer is made of a material containing the liquid repellent component.
適用例5では、撥液層が撥液性を有する成分を含む材料で構成されているので、撥液性を有する撥液層を構成することができる。 In Application Example 5, since the liquid repellent layer is formed of a material including a component having liquid repellency, a liquid repellent layer having liquid repellency can be formed.
[適用例6]第1液状体及び第2液状体のうちで少なくとも前記第2液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板に、前記第1液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第1液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第1液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第1液状体に含まれる物質で第1層を形成する第1層形成工程と、前記第1層形成工程の後に、前記第2液状体を前記第1層に重ねて配置する液状体配置工程と、前記液状体配置工程の後に、前記第2液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第2液状体に含まれる物質で第2層を形成する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 Application Example 6 In the first liquid body and the second liquid body, a substrate having a liquid repellent layer exhibiting liquid repellency with respect to at least the second liquid body is provided on at least a part of the region. By disposing one liquid material over at least a part of the liquid repellent layer, a liquid film forming step of forming a liquid film with the first liquid material, and after the liquid film forming step, the liquid repellent layer is formed. Included in the first liquid by drying at least a part of the liquid contained in the first liquid while diffusing at least a part of the liquid repellent component from the liquid layer into the liquid film. A first layer forming step of forming a first layer with a material to be formed, a liquid material arranging step of arranging the second liquid material on the first layer after the first layer forming step, and the liquid material arranging After the step, at least a part of the liquid contained in the second liquid is dried. By film forming method characterized by having the steps of forming a second layer of a material contained in the second liquid material.
適用例6の成膜方法は、液状体膜形成工程と、第1層形成工程と、液状体配置工程と、第2層を形成する工程と、を有している。液状体膜形成工程では、第1液状体及び第2液状体のうちで少なくとも第2液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板に、第1液状体を撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、第1液状体で液状体膜を形成する。第1層形成工程では、撥液層から撥液性を有する成分の少なくとも一部を液状体膜に拡散させながら、第1液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第1液状体に含まれる物質で第1層を形成する。液状体配置工程では、第2液状体を第1層に重ねて配置する。第2層を形成する工程では、第2液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第2液状体に含まれる物質で第2層を形成する。
この成膜方法によれば、第1層形成工程において、第2液状体に対して撥液性を示す成分の少なくとも一部を撥液層から液状体膜に拡散させるので、第1層に第2液状体に対する撥液性が発現し得る。このため、液状体配置工程において第2液状体を第1層に配置したときに、第2液状体を所定範囲にとどめやすくすることができる。
また、この成膜方法によれば、例えば第1層にプラズマ処理を施す場合などに比較して、第1層に損傷を与えにくい。このため、第1層の表面粗さを維持しやすくすることができる。
また、この成膜方法によれば、例えば第1層に撥液性を有する層を積層してから第2層を積層する場合などに比較して、第1層と第2層との間の層を省略することができる。
これらの理由により、第1層と第2層との間の電気的な特性を向上させやすくすることができる。
The film forming method of Application Example 6 includes a liquid film forming process, a first layer forming process, a liquid material arranging process, and a second layer forming process. In the liquid film forming step, a liquid repellent layer that exhibits liquid repellency to at least the second liquid material among the first liquid material and the second liquid material is provided on the substrate provided in at least a part of the region. A liquid film is formed of the first liquid by disposing one liquid on at least a part of the liquid repellent layer. In the first layer forming step, at least a part of the liquid repellent component from the liquid repellent layer is diffused into the liquid film, and at least a part of the liquid contained in the first liquid is dried to thereby obtain the first layer. The first layer is formed of a substance contained in the liquid material. In the liquid material arranging step, the second liquid material is arranged so as to overlap the first layer. In the step of forming the second layer, the second layer is formed of the substance contained in the second liquid material by drying at least a part of the liquid contained in the second liquid material.
According to this film forming method, in the first layer forming step, at least a part of the component exhibiting liquid repellency with respect to the second liquid material is diffused from the liquid repellent layer to the liquid material film. 2 Liquid repellency with respect to the liquid material can be expressed. For this reason, when the second liquid material is arranged in the first layer in the liquid material arranging step, the second liquid material can be easily kept within a predetermined range.
Further, according to this film forming method, the first layer is less likely to be damaged compared to, for example, the case where the first layer is subjected to plasma treatment. For this reason, the surface roughness of the first layer can be easily maintained.
Further, according to this film forming method, for example, compared to the case where the second layer is stacked after the liquid-repellent layer is stacked on the first layer, the first layer is placed between the first layer and the second layer. Layers can be omitted.
For these reasons, it is possible to easily improve the electrical characteristics between the first layer and the second layer.
[適用例7]上記の成膜方法であって、前記第1液状体と、前記第2液状体とが、互いに異なる組成を有していることを特徴とする成膜方法。 Application Example 7 In the film forming method described above, the first liquid material and the second liquid material have different compositions from each other.
適用例7では、第1液状体と、第2液状体とが、互いに異なる組成を有しているので、互いに異なる性質を有する第1層と第2層とを形成することができる。 In Application Example 7, since the first liquid body and the second liquid body have different compositions, the first layer and the second layer having different properties can be formed.
[適用例8]上記の成膜方法であって、前記第1層形成工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする成膜方法。 Application Example 8 In the film forming method described above, the first layer forming step includes a heating step for heating the substrate.
適用例8では、第1層形成工程に加熱工程が含まれているので、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。 In Application Example 8, since the heating process is included in the first layer forming process, it is possible to easily diffuse the liquid repellent component into the liquid film.
[適用例9]上記の成膜方法であって、前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする成膜方法。 Application Example 9 In the above film forming method, the liquid repellent layer is made of a material including an organic material, and the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. in the heating step. A film forming method characterized by:
適用例9の処理方法が適用され得る基板では、撥液層が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱する。280℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された撥液層に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、50℃以上であれば、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。 In the substrate to which the treatment method of Application Example 9 can be applied, the liquid repellent layer is made of a material containing an organic material. And in a heating process, this board | substrate is heated in 50 degreeC or more and less than 280 degreeC. If it is less than 280 degreeC, it can make it easy to avoid damaging the liquid-repellent layer comprised with the material containing an organic material. Moreover, if it is 50 degreeC or more, it can make it easy to make the component which has liquid repellency diffuse to a liquid film.
[適用例10]上記の成膜方法であって、前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする成膜方法。 [Application Example 10] The film forming method described above, further comprising a liquid repellency step of imparting the liquid repellency to the liquid repellent layer before the liquid film forming step.
適用例10では、液状体膜形成工程の前に撥液層に撥液性を付与する撥液化工程があるので、撥液層に撥液性を持たせることができる。 In Application Example 10, since there is a liquid repellency step for imparting liquid repellency to the liquid repellent layer before the liquid film forming step, the liquid repellent layer can have liquid repellency.
[適用例11]上記の成膜方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする成膜方法。 Application Example 11 In the film forming method described above, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound. A film forming method.
適用例11では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、撥液層に撥液性を付与することができる。 In Application Example 11, since the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound in the liquid repellency step, liquid repellency can be imparted to the liquid repellent layer. .
[適用例12]上記の成膜方法であって、前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする成膜方法。 Application Example 12 In the film forming method described above, the liquid repellent layer is made of a material containing the liquid repellent component.
適用例12では、撥液層が撥液性を有する成分を含む材料で構成されているので、撥液性を有する撥液層を構成することができる。 In Application Example 12, since the liquid repellent layer is formed of a material including a component having liquid repellency, a liquid repellent layer having liquid repellency can be formed.
[適用例13]互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層が少なくとも第1層と第2層とを含む複数の層を有している有機EL装置の製造方法であって、第1液状体及び第2液状体のうちで少なくとも前記第2液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板において平面視で前記撥液層に重なる領域を含む領域に、前記第1液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第1液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第1液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第1液状体に含まれる物質で前記第1層を形成する第1層形成工程と、前記第1層形成工程の後に、前記第2液状体を前記第1層に重ねて配置する液状体配置工程と、前記液状体配置工程の後に、前記第2液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第2液状体に含まれる物質で前記第2層を形成する工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 13 having a pair of electrodes facing each other and an organic layer interposed between the pair of electrodes, the organic layer having a plurality of layers including at least a first layer and a second layer A method for manufacturing an organic EL device, wherein a liquid repellent layer exhibiting liquid repellency to at least the second liquid material among the first liquid material and the second liquid material is provided in at least a part of the region. A liquid film is formed of the first liquid material by arranging the first liquid material on at least a part of the liquid repellent layer in a region including a region overlapping the liquid repellent layer in plan view on the obtained substrate. A liquid film forming step for forming the liquid material, and after the liquid film forming step, while diffusing at least a part of the liquid repellent component from the liquid repellent layer into the liquid film, the first liquid material Drying at least a part of the liquid contained in A first layer forming step of forming the first layer with a substance contained in the liquid material, and a liquid material arranging step of arranging the second liquid material on the first layer after the first layer forming step; And, after the liquid material arranging step, forming the second layer with a substance contained in the second liquid material by drying at least a part of the liquid contained in the second liquid material. A method for manufacturing an organic EL device.
適用例13の有機EL装置の製造方法は、液状体膜形成工程と、第1層形成工程と、液状体配置工程と、第2層を形成する工程と、を有している。この製造方法が適用され得る有機EL装置は、互いに対向する一対の電極と、一対の電極間に介在する有機層と、を有している。有機層は、少なくとも第1層と第2層とを含む複数の層を有している。
液状体膜形成工程では、第1液状体及び第2液状体のうちで少なくとも第2液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板において平面視で撥液層に重なる領域を含む領域に、第1液状体を撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、第1液状体で液状体膜を形成する。
第1層形成工程では、撥液層から撥液性を有する成分の少なくとも一部を液状体膜に拡散させながら、第1液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第1液状体に含まれる物質で第1層を形成する。
液状体配置工程では、第2液状体を第1層に重ねて配置する。
第2層を形成する工程では、第2液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第2液状体に含まれる物質で第2層を形成する。
この製造方法によれば、第1層形成工程において、第2液状体に対して撥液性を示す成分の少なくとも一部を撥液層から液状体膜に拡散させるので、第1層に第2液状体に対する撥液性が発現し得る。このため、液状体配置工程において第2液状体を第1層に配置したときに、第2液状体を所定範囲にとどめやすくすることができる。
また、この製造方法によれば、例えば第1層にプラズマ処理を施す場合などに比較して、第1層に損傷を与えにくい。このため、第1層の表面粗さを維持しやすくすることができる。
また、この製造方法によれば、例えば第1層に撥液性を有する層を積層してから第2層を積層する場合などに比較して、第1層と第2層との間の層を省略することができる。
これらの理由により、第1層と第2層との間の電気的な特性を向上させやすくすることができる。
The manufacturing method of the organic EL device of Application Example 13 includes a liquid film forming step, a first layer forming step, a liquid material arranging step, and a second layer forming step. An organic EL device to which this manufacturing method can be applied has a pair of electrodes facing each other and an organic layer interposed between the pair of electrodes. The organic layer has a plurality of layers including at least a first layer and a second layer.
In the liquid film forming step, a planar view is provided on a substrate provided with a liquid repellent layer that exhibits liquid repellency to at least the second liquid material in at least a part of the first liquid material and the second liquid material. The liquid film is formed of the first liquid material by arranging the first liquid material on at least a part of the liquid repellent layer in a region including the region overlapping the liquid repellent layer.
In the first layer forming step, at least a part of the liquid repellent component from the liquid repellent layer is diffused into the liquid film, and at least a part of the liquid contained in the first liquid is dried to thereby obtain the first layer. The first layer is formed of a substance contained in the liquid material.
In the liquid material arranging step, the second liquid material is arranged so as to overlap the first layer.
In the step of forming the second layer, the second layer is formed of the substance contained in the second liquid material by drying at least a part of the liquid contained in the second liquid material.
According to this manufacturing method, in the first layer forming step, at least a part of the component exhibiting liquid repellency with respect to the second liquid material is diffused from the liquid repellent layer to the liquid material film. Liquid repellency with respect to the liquid can be expressed. For this reason, when the second liquid material is arranged in the first layer in the liquid material arranging step, the second liquid material can be easily kept within a predetermined range.
Also, according to this manufacturing method, the first layer is less likely to be damaged than when the plasma treatment is performed on the first layer, for example. For this reason, the surface roughness of the first layer can be easily maintained.
In addition, according to this manufacturing method, for example, the layer between the first layer and the second layer is compared with the case where the second layer is stacked after the layer having liquid repellency is stacked on the first layer. Can be omitted.
For these reasons, it is possible to easily improve the electrical characteristics between the first layer and the second layer.
[適用例14]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記一対の電極と、前記有機層とが、複数の画素の前記画素ごとに設けられており、前記撥液層は、平面視で各前記画素を囲む領域に設けられており、前記液状体膜形成工程では、前記第1液状体を、前記撥液層を越えて複数の前記画素にまたがる領域に配置し、前記液状体配置工程では、前記第2液状体を、前記撥液層によって囲まれている領域ごとに個別に配置することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 14 In the manufacturing method of the organic EL device described above, the pair of electrodes and the organic layer are provided for each of a plurality of pixels, and the liquid repellent layer is viewed in a plan view. In the liquid film forming step, the first liquid material is disposed in a region extending across the plurality of pixels beyond the liquid repellent layer, and the liquid material arrangement is performed. In the process, the second liquid material is individually arranged for each region surrounded by the liquid repellent layer.
適用例14の製造方法が適用され得る有機EL装置では、一対の電極と、有機層とが、画素ごとに設けられている。また、撥液層は、平面視で各画素を囲む領域に設けられている。
この製造方法では、液状体膜形成工程において、第1液状体を、撥液層を越えて複数の画素にまたがる領域に配置する。
液状体配置工程では、第2液状体を、撥液層によって囲まれている領域ごとに個別に配置する。
これにより、第2層を画素ごとに形成することができる。
In the organic EL device to which the manufacturing method of Application Example 14 can be applied, a pair of electrodes and an organic layer are provided for each pixel. The liquid repellent layer is provided in a region surrounding each pixel in plan view.
In this manufacturing method, in the liquid film forming step, the first liquid is disposed in a region that extends across a plurality of pixels beyond the liquid repellent layer.
In the liquid material arranging step, the second liquid material is individually arranged for each region surrounded by the liquid repellent layer.
Thereby, the second layer can be formed for each pixel.
[適用例15]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記第1層形成工程には、前記基板を加熱する加熱工程が含まれていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 [Application Example 15] A method for manufacturing an organic EL device according to the above-described method, wherein the first layer forming step includes a heating step for heating the substrate.
適用例15では、第1層形成工程に加熱工程が含まれているので、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。 In Application Example 15, since the heating process is included in the first layer forming process, it is possible to easily diffuse the liquid repellent component into the liquid film.
[適用例16]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記撥液層は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 16 In the manufacturing method of the organic EL device described above, the liquid repellent layer is made of a material containing an organic material, and the substrate is heated to 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. in the heating step. A method for manufacturing an organic EL device, characterized by heating in a range.
適用例16の製造方法が適用され得る有機EL装置では、撥液層が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱する。280℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された撥液層に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、50℃以上であれば、撥液性を有する成分を液状体膜に拡散させやすくすることができる。 In the organic EL device to which the manufacturing method of Application Example 16 can be applied, the liquid repellent layer is made of a material containing an organic material. And in a heating process, a board | substrate is heated in 50 degreeC or more and less than 280 degreeC. If it is less than 280 degreeC, it can make it easy to avoid damaging the liquid-repellent layer comprised with the material containing an organic material. Moreover, if it is 50 degreeC or more, it can make it easy to make the component which has liquid repellency diffuse to a liquid film.
[適用例17]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層に前記撥液性を付与する撥液化工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 17 In the method of manufacturing the organic EL device described above, the organic EL device includes a liquid repellency step of imparting the liquid repellency to the liquid repellent layer before the liquid film forming step. Manufacturing method of EL device.
適用例17では、液状体膜形成工程の前に撥液層に撥液性を付与する撥液化工程があるので、撥液層に撥液性を持たせることができる。 In Application Example 17, since there is a liquid repellency step for imparting liquid repellency to the liquid repellent layer before the liquid film forming step, the liquid repellent layer can have liquid repellency.
[適用例18]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 18 In the above-described organic EL device manufacturing method, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound. A method of manufacturing an organic EL device characterized by the above.
適用例18では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、撥液層に撥液性を付与することができる。 In Application Example 18, since the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound in the liquid repellency step, liquid repellency can be imparted to the liquid repellent layer. .
[適用例19]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記撥液層は、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成されていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 19 In the above-described organic EL device manufacturing method, the liquid repellent layer is made of a material containing the liquid repellency component.
適用例19では、撥液層が撥液性を有する成分を含む材料で構成されているので、撥液性を有する撥液層を構成することができる。 In Application Example 19, since the liquid repellent layer is formed of a material including a component having liquid repellency, the liquid repellent layer having liquid repellency can be formed.
[適用例20]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記液状体膜形成工程の前に、前記撥液層を形成する工程を有しており、前記撥液層を形成する工程では、レジスト層と、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成され、前記レジスト層に平面視で重なる撥液材料層と、を形成してから、前記レジスト層及び前記撥液材料層をパターニングすることにより、前記撥液層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Application Example 20 In the method of manufacturing the organic EL device described above, the method includes the step of forming the liquid repellent layer before the liquid film forming step, and the step of forming the liquid repellent layer. And forming a resist layer and a liquid repellent material layer composed of a material containing the liquid repellent component and overlapping the resist layer in plan view, and then patterning the resist layer and the liquid repellent material layer By doing so, the said liquid repellent layer is formed, The manufacturing method of the organic EL apparatus characterized by the above-mentioned.
適用例20の製造方法は、液状体膜形成工程の前に、撥液層を形成する工程を有している。撥液層を形成する工程では、レジスト層と撥液材料層とを形成してから、レジスト層及び撥液材料層をパターニングすることにより、撥液層を形成する。これにより、撥液性を有する撥液層を形成することができる。 The manufacturing method of Application Example 20 includes a step of forming a liquid repellent layer before the liquid film forming step. In the step of forming the liquid repellent layer, the liquid repellent layer is formed by patterning the resist layer and the liquid repellent material layer after forming the resist layer and the liquid repellent material layer. Thereby, a liquid repellent layer having liquid repellency can be formed.
実施形態について、有機EL装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示面3を有している。
Embodiments will be described with reference to the drawings, taking a display device using an organic EL device as an example.
The display device 1 according to the embodiment has a display surface 3 as shown in FIG.
ここで、表示装置1には、複数の画素5が設定されている。複数の画素5は、表示領域7内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。表示装置1は、複数の画素5から選択的に表示面3を介して表示装置1の外に光を射出することで、表示面3に画像を表示することができる。なお、表示領域7とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、画素5が誇張され、且つ画素5の個数が減じられている。
Here, a plurality of
第1実施形態における表示装置1は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、素子基板11と、封止基板13とを有している。
素子基板11には、面15側すなわち封止基板13側に、複数の画素5のそれぞれに対応して、後述する有機EL素子などが設けられている。なお、封止基板13の表示面3側とは反対側の面15は、表示装置1の底面として設定されている。以下において、面15は、底面15と表記される。
The display device 1 according to the first embodiment includes an
The
封止基板13は、素子基板11よりも底面15側で素子基板11に対向した状態で設けられている。素子基板11と封止基板13とは、接着剤16を介して接合されている。表示装置1では、有機EL素子は、接着剤16によって底面15側から覆われている。
また、素子基板11と封止基板13との間は、表示装置1の周縁よりも内側で表示領域7を囲むシール材17によって封止されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子と接着剤16とが、素子基板11及び封止基板13並びにシール材17によって封止されている。
The sealing
Further, the
ここで、表示装置1における複数の画素5は、それぞれ、表示面3から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素5は、Rの光を射出する画素5rと、Gの光を射出する画素5gと、Bの光を射出する画素5bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素5という表記と、画素5r、5g及び5bという表記とが、適宜、使いわけられる。
Here, each of the plurality of
In the following description, the expression “
ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。 Here, the color of R is not limited to a pure red hue, and includes orange and the like. The color of G is not limited to a pure green hue, and includes bluish green and yellowish green. The color of B is not limited to a pure blue hue, and includes bluish purple and blue-green. From another viewpoint, light exhibiting the color of R can be defined as light having a light wavelength peak in a range of 570 nm or more in the visible light region. The light exhibiting the color G can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 500 nm to 565 nm. Light exhibiting the color B can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 415 nm to 495 nm.
マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素5が、1つの画素列18を構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の画素5が、1つの画素行19を構成している。
1つの画素列18内の各画素5は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素5rがY方向に配列した画素列18rと、複数の画素5gがY方向に配列した画素列18gと、複数の画素5bがY方向に配列した画素列18bとを有している。そして、表示装置1では、画素列18r、画素列18g及び画素列18bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列18という表記と、画素列18r、画素列18g及び画素列18bという表記とが、適宜、使いわけられる。
In the matrix M, a plurality of
Each
In the following, the notation of the
表示装置1は、回路構成を示す図である図4に示すように、画素5ごとに、選択トランジスタ21と、駆動トランジスタ23と、容量素子25と、有機EL素子27とを有している。有機EL素子27は、画素電極29と、有機層31と、共通電極33とを有している。選択トランジスタ21及び駆動トランジスタ23は、それぞれ、TFT(Thin Film Transistor)素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置1は、走査線駆動回路34と、データ線駆動回路35と、複数の走査線GTと、複数のデータ線SIと、複数の電源線PWとを有している。
The display device 1 includes a selection transistor 21, a
In addition, the display device 1 includes a scanning
複数の走査線GTは、それぞれ走査線駆動回路34につながっており、Y方向に互いに間隔をあけた状態でX方向に延びている。
複数のデータ線SIは、それぞれデータ線駆動回路35につながっており、X方向に互いに間隔をあけた状態でY方向に延びている。
複数の電源線PWは、Y方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線PWと各走査線GTとがY方向に間隔をあけた状態でX方向に延びている。
The plurality of scanning lines GT are respectively connected to the scanning
The plurality of data lines SI are respectively connected to the data line driving
The plurality of power supply lines PW extend in the X direction in a state in which the power supply lines PW are spaced from each other in the Y direction, and the power supply lines PW and the scanning lines GT are spaced in the Y direction.
各画素5は、各走査線GTと各データ線SIとの交差に対応して設定されている。各走査線GT及び各電源線PWは、それぞれ、図3に示す各画素行19に対応している。各データ線SIは、図3に示す各画素列18に対応している。
図4に示す各選択トランジスタ21のゲート電極は、対応する各走査線GTに電気的につながっている。各選択トランジスタ21のソース電極は、対応する各データ線SIに電気的につながっている。各選択トランジスタ21のドレイン電極は、各駆動トランジスタ23のゲート電極及び各容量素子25の一方の電極に電気的につながっている。
Each
The gate electrode of each selection transistor 21 shown in FIG. 4 is electrically connected to each corresponding scanning line GT. The source electrode of each select transistor 21 is electrically connected to each corresponding data line SI. The drain electrode of each select transistor 21 is electrically connected to the gate electrode of each
容量素子25の他方の電極と、駆動トランジスタ23のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線PWに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ23のドレイン電極は、各画素電極29に電気的につながっている。各画素電極29と共通電極33とは、画素電極29を陽極とし、共通電極33を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極33は、マトリクスMを構成する複数の画素5間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素5間にわたって共通して機能する。
各画素電極29と共通電極33との間に介在する有機層31は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
The other electrode of the
The drain electrode of each
Here, the
The
選択トランジスタ21は、この選択トランジスタ21につながる走査線GTに選択信号が供給されるとON状態となる。このとき、この選択トランジスタ21につながるデータ線SIからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ23がON状態になる。駆動トランジスタ23のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子25に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ23のON状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
The selection transistor 21 is turned on when a selection signal is supplied to the scanning line GT connected to the selection transistor 21. At this time, a data signal is supplied from the data line SI connected to the selection transistor 21, and the
駆動トランジスタ23のON状態が保持されているときに、駆動トランジスタ23のゲート電位に応じた電流が、電源線PWから画素電極29と有機層31を経て共通電極33に流れる。そして、有機層31に含まれる発光層が、有機層31を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置1では、階調表示が行われ得る。
表示装置1は、有機層31に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が素子基板11を介して表示面3から射出されるボトムエミッション型の有機EL装置の1つである。なお、表示装置1では、表示面3側という表現が上側とも表現され、底面15側という表現が下側とも表現される。
When the ON state of the driving
The display device 1 is one of bottom emission type organic EL devices in which a light emitting layer included in the
ここで、素子基板11及び封止基板13のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板11は、図3中のC−C線における断面図である図5に示すように、第1基板41を有している。なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ21、容量素子25、データ線SI及び電源線PWが省略されている。
第1基板41は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、底面15側に向けられた第1面42aと、表示面3側に向けられた第2面42bとを有している。
Here, the details of the configurations of the
The
The
第1基板41の第1面42aには、ゲート絶縁膜43が設けられている。ゲート絶縁膜43の底面15側には、絶縁膜45が設けられている。絶縁膜45の底面15側には、絶縁膜47が設けられている。
また、第1基板41の第1面42aには、各画素5の駆動トランジスタ23に対応して、半導体層51が設けられている。半導体層51は、ゲート絶縁膜43によって底面15側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜43の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
A
A
ゲート絶縁膜43の底面15側には、平面視で半導体層51に重なる領域にゲート電極53が設けられている。ゲート電極53の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極53は、絶縁膜45によって底面15側から覆われている。
On the
絶縁膜45の底面15側には、平面視で半導体層51のソース領域(図示せず)に重なる領域にソース電極55が設けられている。ソース電極55は、絶縁膜45及びゲート絶縁膜43に設けられたコンタクトホール57を介して半導体層51のソース領域(図示せず)につながっている。ソース電極55の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極55は、絶縁膜47によって底面15側から覆われている。
On the
絶縁膜47の底面15側には、画素電極29が設けられている。画素電極29は、絶縁膜47、絶縁膜45及びゲート絶縁膜43に設けられたコンタクトホール59を介して半導体層51のドレイン領域(図示せず)につながっている。画素電極29の材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などが採用され得る。本実施形態では、画素電極29の材料としてITOが採用されている。
また、絶縁膜45及び47の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
A
Further, as the material of the insulating
隣り合う画素電極29同士の間には、各画素5を区画する絶縁膜61が領域62にわたって設けられている。絶縁膜61は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜61は、平面視で、表示領域7にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域7は、絶縁膜61によって複数の画素5の領域に区画されている。1つの画素5に着目すると、絶縁膜61は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極29は、絶縁膜61によって囲まれた各画素5の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜61の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
An insulating
画素電極29の底面15側には、有機層31が設けられている。
有機層31は、各画素5に対応して設けられており、正孔注入層65と、正孔輸送層67と、発光層69とを有している。
正孔注入層65は、有機材料で構成されており、画素電極29の底面15側に設けられている。
An
The
The
本実施形態では、正孔注入層65は、絶縁膜61をまたいで複数の画素5間にわたって一連した状態で設けられている。このため、各画素電極29と、絶縁膜61とは、正孔注入層65によって底面15側から覆われている。
正孔注入層65の有機材料としては、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸(PSS)等との混合物が採用され得る。正孔注入層65の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。本実施形態では、正孔注入層65の有機材料として、PEDOTとPSSとの混合物が採用されている。
In the present embodiment, the
As the organic material for the
正孔輸送層67は、有機材料で構成されており、画素5ごとに個別に設けられている。各正孔輸送層67は、正孔注入層65の底面15側に設けられている。各正孔輸送層67は、平面視で各画素電極29に重なる領域に設けられている。
正孔輸送層67の有機材料としては、例えば、下記化合物1として示されるTFBなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
The
As the organic material of the
発光層69は、有機材料で構成されており、画素5ごとに個別に設けられている。各発光層69は、正孔輸送層67の底面15側に設けられている。各発光層69は、平面視で各画素電極29に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各発光層69は、各正孔輸送層67を底面15側から覆っている。
Rの画素5rに対応する発光層69の有機材料としては、例えば、下記化合物2として示されるF8(ポリジオクチルフルオレン)と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
The
As the organic material of the
Gの画素5gに対応する発光層69の有機材料としては、例えば、下記化合物3として示されるF8BTと、上記化合物1として示されるTFBと、上記化合物2として示されるF8とを混合したものが採用され得る。
As the organic material of the
Bの画素5bに対応する発光層69の有機材料としては、例えば、上記化合物2として示されるF8が採用され得る。
As an organic material of the
有機層31の底面15側には、図5に示すように、電子注入層71が設けられている。電子注入層71の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウム、フッ化リチウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層71の材料として、カルシウムが採用されている。
本実施形態では、電子注入層71は、平面視で絶縁膜61をまたいで複数の画素5間にわたって一連した状態で設けられている。
As shown in FIG. 5, an
In the present embodiment, the
電子注入層71の底面15側には、共通電極33が設けられている。本実施形態では、共通電極33は、平面視で絶縁膜61をまたいで複数の画素5間にわたって一連した状態で設けられている。
共通電極33は、例えば、アルミニウム等の金属や、アルミニウムを含有する合金(アルミニウム合金)などが採用され得る。本実施形態では、共通電極33として、アルミニウム合金が採用されている。
A
As the
なお、表示装置1では、各画素5において発光する領域は、平面視で画素電極29と有機層31と共通電極33とが重なる領域であると定義され得る。また、画素5ごとに発光する領域を構成する要素の一群が1つの有機EL素子27であると定義され得る。表示装置1では、1つの有機EL素子27は、1つの画素電極29と、1つの有機層31と、1つの電子注入層71と、1つの画素5に対応する共通電極33とを含んだ構成を有している。
In the display device 1, the region that emits light in each
封止基板13は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、底面15側に向けられた外向面13aと、表示面3側に向けられた対向面13bとを有している。
上記の構成を有する素子基板11及び封止基板13は、素子基板11の共通電極33と封止基板13の対向面13bとの間が、接着剤16を介して接合されている。
The sealing
In the
表示装置1では、図2に示すシール材17は、図5に示す第1基板41の第1面42aと、封止基板13の対向面13bとによって挟持されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子27及び接着剤16が、第1基板41及び封止基板13並びにシール材17によって封止されている。なお、シール材17は、対向面13b及び共通電極33の間に設けられていてもよい。この場合、有機EL素子27及び接着剤16は、素子基板11及び封止基板13並びにシール材17によって封止されているとみなされ得る。
In the display device 1, the sealing
ここで、表示装置1の製造方法について説明する。
表示装置1の製造方法は、素子基板11を製造する工程と、表示装置1を組み立てる工程とに大別される。
素子基板11を製造する工程では、図6(a)に示すように、まず、第1基板41の第1面42aに駆動素子層81を形成する。この駆動素子層81には、前述した選択トランジスタ21(図4)、駆動トランジスタ23、容量素子25(図4)、電源線PW(図4)、画素電極29、ゲート絶縁膜43、絶縁膜45、絶縁膜47が含まれている。
Here, a method for manufacturing the display device 1 will be described.
The manufacturing method of the display device 1 is roughly divided into a step of manufacturing the
In the process of manufacturing the
次いで、図6(b)に示すように、平面視で各画素電極29の周縁及び絶縁膜47に重なる領域(図5に示す領域62)に絶縁膜61を形成する。絶縁膜61の形成では、まず、各画素電極29の底面15側にスピンコート技術などを活用することにより、平面視で各画素電極29及び絶縁膜47を覆う樹脂膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術などを活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜61が形成され得る。
なお、駆動素子層81から絶縁膜61までの構成が形成された第1基板41は、以下において基板41aと呼ばれる。
Next, as illustrated in FIG. 6B, the insulating
The
次いで、図7(a)に示すように、基板41aに酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極29に後述する液状体65aに対する親液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。
ここで、本実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。プラズマ処理装置83は、概略の構成を示す断面図である図8に示すように、チャンバー(処理室)85と、テーブル87と、コイル89と、シャワープレート91と、を有している。
Next, as shown in FIG. 7A, the
Here, an example of a plasma processing apparatus applied to the oxygen plasma processing in the present embodiment will be described. The
チャンバー85には、外部からチャンバー85内に処理ガスを導く導入管93と、チャンバー85内から外部にガスを排出する排気管95とが接続されている。チャンバー85の天板部には、誘電体で構成された誘電プレート97が設けられている。
テーブル87は、チャンバー85内に配設されている。コイル89は、チャンバー85の外側で誘電プレート97に対向した状態で設けられている。シャワープレート91は、チャンバー85内で誘電プレート97に対向した状態で設けられている。誘電プレート97とシャワープレート91との間には、隙間が設けられている。
テーブル87には、整合器99を介して高周波バイアス電源101が接続されている。コイル89の一端には、整合器103を介して高周波電源105が接続されている。なお、コイル89の他端は、接地されている。
Connected to the
The table 87 is disposed in the
A high frequency
導入管93は、チャンバー85の外側から、誘電プレート97とシャワープレート91との間の隙間内に至っている。導入管93には、チャンバー85の外側にバルブ107が接続されている。処理ガスは、バルブ107を経由してから導入管93を通って、誘電プレート97とシャワープレート91との間の隙間内に導かれる。誘電プレート97とシャワープレート91との間の隙間内に導かれた処理ガスは、シャワープレート91を介してチャンバー85内に導入される。
排気管95には、チャンバー85の外側に真空ポンプ109が接続されている。チャンバー85内は、真空ポンプ109で排気管95を介してチャンバー85内のガスをチャンバー85の外側に排出することによって減圧される。
The
A
基板41aに酸素プラズマ処理を施す工程では、まず、基板41aをテーブル87に載置する。
次いで、真空ポンプ109を駆動して、チャンバー85内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ107を開いて酸素をチャンバー85内に導入する。
次いで、高周波電源105及び高周波バイアス電源101を駆動して、コイル89に高周波電圧を印加し、テーブル87にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー85内に酸素プラズマが誘起される。
In the step of performing oxygen plasma treatment on the
Next, the
Next, the
Next, the high
Thereby, oxygen plasma is induced in the
本実施形態では、酸素プラズマ処理の条件として、チャンバー85内の圧力を約133Pa(1Torr)とし、酸素の導入量を約500SCCMとし、プラズマ照射強度を1W/cm2とし、処理時間を1分間とした。
In the present embodiment, the oxygen plasma treatment conditions are as follows: the pressure in the
基板41aに酸素プラズマ処理を施す工程に次いで、図7(b)に示すように、基板41aにCF4プラズマ処理を施す。これにより、絶縁膜61に、後述する液状体65aに対する撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるCF4ガスが採用されている。
Following the step of performing oxygen plasma treatment on the
CF4プラズマ処理には、前述したプラズマ処理装置83(図8)が適用され得る。本実施形態では、CF4プラズマ処理の条件として、チャンバー85内の圧力を約133Pa(1Torr)とし、CF4ガスの導入量を約900SCCMとし、プラズマ照射強度を1W/cm2とし、処理時間を3分間とした。
なお、処理ガスは、CF4ガスに限定されず、SF6やCHF3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
The above-described plasma processing apparatus 83 (FIG. 8) can be applied to the CF 4 plasma processing. In this embodiment, the CF 4 plasma processing conditions are as follows: the pressure in the
The processing gas is not limited to CF 4 gas, and halogen gas such as SF 6 or CHF 3 , fluorine gas, or the like may be employed.
基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程に次いで、図9(a)に示すように、各画素電極29及び絶縁膜61の底面15側に、液状体65aで液状体膜65bを形成する。液状体65aには、正孔注入層65を構成する有機材料が含まれている。液状体膜65bは、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体65aには、PEDOTとPSSとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、純水、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。本実施形態では、液状体65aの溶媒として、純水が採用されている。
なお、駆動素子層81から液状体膜65bまでの構成が形成された第1基板41は、以下において基板41bと呼ばれる。
Following the step of performing the CF 4 plasma treatment on the
In addition, the
The
液状体膜65bの形成工程に次いで、基板41bに加熱処理を施す。これにより、図9(b)に示す正孔注入層65が形成され得る。
本実施形態では、加熱処理の方法として、基板41bを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を50℃以上且つ280℃未満とし、保持時間を約10分間とした条件が採用され得る。50℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、50℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、280℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜61が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、280℃以上は好ましくない。
Subsequent to the formation process of the
In the present embodiment, as a heat treatment method, a method is employed in which the
正孔注入層65の形成に次いで、図9(b)に示すように、正孔注入層65の底面15側で且つ平面視で各画素電極29に重なる領域に液状体67aを配置する。このとき、液状体67aは、画素5ごとに個別に配置される。
液状体67aには、正孔輸送層67を構成する有機材料が含まれている。本実施形態では、液状体67aとして、TFBを溶媒に溶解させた構成が採用されている。溶媒として、シクロヘキシルベンゼンが採用されている。
After the formation of the
The
液状体67aの配置には、液滴吐出ヘッド121を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド121から液状体67aなどを液滴67bとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体67aなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の1つである。
For the arrangement of the liquid 67a, an ink jet method using the
A technique for ejecting the liquid 67a or the like as the
画素5ごとに個別に配置された液状体67aを減圧乾燥法で乾燥させてから不活性ガス中で焼成を行うことによって、図10(a)に示す正孔輸送層67が形成され得る。
減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、本実施形態では、液状体67aの焼成条件として、環境温度を約130℃とし、保持時間を約1時間とする条件が採用されている。
The
The reduced pressure drying method is a drying method performed under a reduced pressure environment, and is also called a vacuum drying method. Further, in the present embodiment, as the firing condition of the liquid 67a, a condition is adopted in which the environmental temperature is about 130 ° C. and the holding time is about 1 hour.
次いで、図10(a)に示すように、正孔輸送層67の底面15側で且つ平面視で各画素電極29に重なる領域に、液状体69aを配置する。このとき、液状体69aは、画素5ごとに個別に配置される。
液状体69aには、発光層69を構成する有機材料が含まれている。本実施形態では、液状体69aとして、画素5r、5g及び5bのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用されている。溶媒として、シクロヘキシルベンゼンが採用されている。
各液状体69aは、液滴吐出ヘッド121から液状体69aを液滴69bとして吐出することによって配置される。このとき、各正孔輸送層67は、各液状体69aによって覆われる。
Next, as illustrated in FIG. 10A, the
The
Each
次いで、液状体69aを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図10(b)に示す各発光層69が形成され得る。本実施形態では、液状体69aの焼成条件として、環境温度を約130℃とし、保持時間を約1時間とする条件が採用されている。
Next, each of the
次いで、図10(b)に示すように、フォトマスク123を介して、正孔注入層65に紫外光125を照射する。
ここで、フォトマスク123は、開口部127と、各画素5に対応する遮光部129とを有している。各開口部127は、平面視で領域62に重なる領域にわたっている。各遮光部129は、平面視で各画素5の領域にわたっている。
正孔注入層65には、開口部127を介して紫外光125が照射される。このため、紫外光125は、平面視で、領域62だけに照射される。このとき、紫外光125は、各正孔輸送層67の一部と、各発光層69の一部とにも照射される。換言すれば、本実施形態では、各画素5の領域をマスキングした状態で、正孔注入層65、各正孔輸送層67及び各発光層69に紫外光125を照射する。
Next, as shown in FIG. 10B, the
Here, the
The
本実施形態では、波長365nmの紫外光125を、約1500mW/cm2の強度で、約15分間だけ照射する条件が採用されている。
紫外光125の照射により、正孔注入層65は、正孔注入層65としての機能が失われ、絶縁性を発現する。
また、各正孔輸送層67及び各発光層69においても、紫外光125が照射された部位は、それぞれの機能が失われ、絶縁性を発現する。
In the present embodiment, a condition in which
By the irradiation with the
Also, in each
なお、以下においては、正孔注入層65のうちで機能が失われた部位は、失活部65cと表現される。また、各正孔輸送層67のうちで機能が失われた部位が失活部67cと表現され、各発光層69のうちで機能が失われた部位が失活部69cと表現される。
これらの失活部65c,67c及び69cにより、隣り合う画素5同士間の電気的な絶縁性が強化され得る。
In the following, the portion of the
These
紫外光125の照射に次いで、蒸着技術などを活用してカルシウムの膜を、有機層31の底面15側に形成することにより、図5に示す電子注入層71が形成され得る。
次いで、マスクを用いた蒸着技術を活用してアルミニウム合金の膜を形成することにより、図5に示す共通電極33が形成され得る。これにより、素子基板11が製造され得る。
After the irradiation with the
Next, the
表示装置1を組み立てる工程では、図2に示すように、素子基板11及び封止基板13を、接着剤16及びシール材17を介して接合する。
このとき、素子基板11及び封止基板13は、図5に示すように、第1基板41の第1面42aと、封止基板13の対向面13bとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置1が製造され得る。
In the process of assembling the display device 1, as shown in FIG. 2, the
At this time, the
本実施形態では、絶縁膜61が撥液層に対応し、正孔注入層65が第1層に対応し、基板41bが基板に対応し、正孔輸送層67が第2層に対応し、液状体65aが第1液状体に対応し、液状体67aが第2液状体に対応し、画素電極29及び共通電極33が一対の電極に対応している。また、基板41bに加熱処理を施す工程が、加熱工程としての拡散工程に対応している。また、基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
In the present embodiment, the insulating
本実施形態では、図9(a)に示す液状体膜65bが、絶縁膜61を越えて複数の画素5(図5)間をまたぐ領域にわたって一連した状態で設けられる。このため、例えば、各画素5を区画する隔壁を有する構成に比較して、正孔注入層65を平坦に形成しやすくすることができる。
In the present embodiment, the
ここで、各画素5を区画する隔壁を有する構成において、正孔注入層65を画素5ごとに個別に形成すると、各正孔注入層65には、膜厚にばらつきが発生しやすくなる。この膜厚のばらつきは、各正孔輸送層67や各発光層69に反映されやすい。このため、各画素5を区画する隔壁を有する構成では、各有機層31の膜厚にばらつきが発生しやすい。有機EL装置では、各有機層31の膜厚にばらつきが発生すると、各発光層69における発光輝度がばらつきやすい。この結果、各画素5を区画する隔壁を有する構成では、発光輝度のばらつきに起因して、表示品位が損なわれることがある。
Here, if the
これに対し、本実施形態では、正孔注入層65を平坦に形成しやすくすることができるので、各有機層31の膜厚のばらつきを軽減しやすくすることができる。これにより、本実施形態では、表示品位を向上させやすくすることができる。
On the other hand, in this embodiment, since the
また、本実施形態では、液状体膜65bを形成した後に、且つ図9(b)に示す液状体67aを配置する前に、基板41bに加熱処理を施す工程がある。これにより、絶縁膜61から撥液性を有する成分の少なくとも一部を液状体膜65b中に拡散させやすくすることができる。この結果、正孔注入層65に撥液性が発現しやすい。このため、正孔注入層65の底面15側に各液状体67aを配置したときに、各液状体67aを各画素電極29に平面視で重なる領域にとどめやすくすることができる。これにより、例えば、各画素5を区画する隔壁を有する構成に比較して、隔壁を省略することができ、表示装置1にかかるコストを軽減することができる。
Further, in the present embodiment, there is a step of performing heat treatment on the
また、本実施形態では、例えば正孔注入層65にプラズマ処理などを施すことによって正孔注入層65に撥液性を付与する場合に比較して、正孔注入層65に損傷を与えにくい。このため、正孔注入層65の表面粗さが損なわれることを低く抑えることができる。
また、本実施形態では、例えば正孔注入層65に撥液性を有する層を積層してから正孔輸送層67を形成する場合に比較して、正孔注入層65及び正孔輸送層67間に余分な層が介在することを避けることができる。
これらの理由により、各有機層31における電気的な特性を向上させやすくすることができ、表示品位を一層向上させやすくすることができる。
Further, in the present embodiment, the
Further, in the present embodiment, for example, the
For these reasons, the electrical characteristics of each
なお、本実施形態では、基板41aにCF4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜61に撥液性を付与する方法が採用されているが、絶縁膜61に撥液性を付与する方法はこれに限定されない。絶縁膜61を構成する材料として、例えばフッ素やフッ素化合物を含有する材料を採用することにより、撥液性を発現する絶縁膜61を構成することができる。これにより、基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、表示装置1の製造方法における効率化が図られる。
In the present embodiment, a method of imparting liquid repellency to the insulating
第2実施形態について説明する。
第2実施形態における表示装置1は、図1中のA−A線における断面図である図11に示すように、素子基板20を有している。第2実施形態における表示装置1は、第1実施形態における素子基板11が素子基板20に替えられていることを除いては、第1実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。このため、以下の第2実施形態では、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
A second embodiment will be described.
The display device 1 according to the second embodiment has an
素子基板20では、図3中のC−C線における断面図である図12に示すように、絶縁膜61が、レジスト層61aと、撥液層61bとを有している。
ここで、素子基板20を製造する工程について説明する。
素子基板20を製造する工程では、図13(a)に示すように、まず、第1基板41の第1面42aに駆動素子層81を形成する。
次いで、図13(b)に示すように、駆動素子層81の底面15側に、レジスト層61aと、撥液層61bとをこの順に重ねた状態で設ける。
In the
Here, a process of manufacturing the
In the process of manufacturing the
Next, as shown in FIG. 13B, a resist
ここで、レジスト層61aと撥液層61bとは、図14に示すように、ベースフィルム131に積層された状態で供給され得る。ベースフィルム131にレジスト層61aなどが積層された積層フィルム133は、ドライフィルムレジストと呼ばれることがある。
積層フィルム133では、ベースフィルム131に撥液層61bが積層されており、撥液層61bにレジスト層61aが積層されている。ベースフィルム131に積層されたレジスト層61aと撥液層61bとは、カバーフィルム135によって保護されている。
Here, the resist
In the
駆動素子層81の底面15側にレジスト層61aと撥液層61bとを設ける工程では、積層フィルム133からカバーフィルム135を剥がしてから、レジスト層61aを駆動素子層81の底面15側に貼り付ける。このとき、レジスト層61aは、レジスト層61aと各画素電極29とが対面した状態で駆動素子層81に貼り付けられる。
レジスト層61aを駆動素子層81に貼り付けることにより、図13(b)に示すように、レジスト層61aと、撥液層61bと、ベースフィルム131とがこの順に積層される。なお、レジスト層61aは、感光性を有している。
In the step of providing the resist
By attaching the resist
次いで、図13(c)に示すように、フォトマスク141を介してレジスト層61aに紫外光143で露光処理を施す。フォトマスク141は、開口部145と、遮光部147とを有している。各開口部145は、平面視で領域62(図12)に重なる領域にわたっている。各遮光部147は、平面視で各画素5(図12)の領域にわたっている。
露光処理に次いで、ベースフィルム131を剥がしてから、レジスト層61aに現像処理を施す。これにより、図15(a)に示すように、絶縁膜61が形成され得る。
次いで、図15(b)に示すように、基板41aに酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極29に親液性が付与される。
Next, as illustrated in FIG. 13C, the resist
Following the exposure process, the
Next, as shown in FIG. 15B, the
次いで、各画素電極29及び絶縁膜61の底面15側に、液状体65aで液状体膜65bを形成する。
なお、液状体膜65bの形成から共通電極33の形成までの工程については、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。
第2実施形態において、撥液層61bが撥液材料層に対応し、絶縁膜61が撥液層に対応している。
第2実施形態では、第1実施形態と同様の効果が得られる。
Next, a
Since the steps from the formation of the
In the second embodiment, the
In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
また、第2実施形態では、絶縁膜61がレジスト層61aと撥液層61bとを有しているので、撥液性を有する絶縁膜61を構成することができる。このため、絶縁膜61に撥液性を付与する工程を省略することができる。
第1実施形態では、基板41aにCF4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜61に撥液性を付与する方法が採用されている。このため、第1実施形態と比較すると、第2実施形態では、基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程が省略され得る。
これにより、表示装置1の製造方法における効率化が図られる。
In the second embodiment, since the insulating
In the first embodiment, a method of imparting liquid repellency to the insulating
Thereby, the efficiency in the manufacturing method of the display apparatus 1 is achieved.
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、図6(b)に示す基板41aを試料とした。同じ条件で作成した3つの試料を準備した。3つの試料は、試料1、試料2及び試料3として識別される。
試料1〜試料3に、酸素プラズマ処理、及びCF4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次いで、試料1〜試料3に、液状体膜65bを形成した。
Here, examples and comparative examples will be described.
In the examples and comparative examples described below, the
Samples 1 to 3 were subjected to oxygen plasma treatment and CF 4 plasma treatment. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.
Next, a
(実施例1)
温度を200℃とし、保持時間を10分とする条件で、試料1に加熱処理を施した。これにより、液状体膜65bから正孔注入層65を形成した。
次いで、正孔注入層65上に、シクロヘキシルベンゼンを滴下して接触角を測定した。なお、接触角の測定には、微小接触角計FTA4000(First Ten Angstroms社製)を使用した。
試料1における接触角は、45度であった。
Example 1
Sample 1 was subjected to heat treatment under the conditions of a temperature of 200 ° C. and a holding time of 10 minutes. Thereby, the
Next, cyclohexylbenzene was dropped onto the
The contact angle in Sample 1 was 45 degrees.
(実施例2)
温度を100℃とし、保持時間を10分とする条件で、試料2に加熱処理を施した。これにより、液状体膜65bから正孔注入層65を形成した。
次いで、正孔注入層65上に、シクロヘキシルベンゼンを滴下して接触角を測定した。
試料2における接触角は、40度であった。
(Example 2)
Sample 2 was subjected to heat treatment under the conditions of a temperature of 100 ° C. and a holding time of 10 minutes. Thereby, the
Next, cyclohexylbenzene was dropped onto the
The contact angle in Sample 2 was 40 degrees.
(比較例)
試料3に加熱処理を施さずに、液状体膜65bを自然乾燥させた。これにより、液状体膜65bから正孔注入層65を形成した。
次いで、正孔注入層65上に、シクロヘキシルベンゼンを滴下して接触角を測定した。
試料3における接触角は、10度であった。
(Comparative example)
The
Next, cyclohexylbenzene was dropped onto the
The contact angle in Sample 3 was 10 degrees.
実施例1、実施例2及び比較例の結果から、液状体膜65bに加熱処理を施すことが好ましいことが理解される。また、この結果から、同じ保持時間であれば、温度が高い方が好ましいことが理解される。逆の観点から、温度を低くすると、同等の撥液性を得るのにかかる保持時間が長くなることが理解される。
From the results of Example 1, Example 2, and Comparative Example, it is understood that it is preferable to heat-treat the
実施例1、実施例2及び比較例における各条件で作成した表示装置1の表示状態を観察した。その結果、実施例1及び実施例2のそれぞれに対応する表示装置1では、比較例に対応する表示装置1よりも輝度ムラが軽減していることが確認された。 The display state of the display device 1 created under each condition in Example 1, Example 2, and Comparative Example was observed. As a result, it was confirmed that the display device 1 corresponding to each of Example 1 and Example 2 had less luminance unevenness than the display device 1 corresponding to the comparative example.
なお、本実施形態では、複数の画素5が設定され、画素5ごとに有機EL素子27を有する表示装置1を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機EL素子27を表示領域7にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
In the present embodiment, the display device 1 in which a plurality of
また、本実施形態では、絶縁膜61が光透過性を有する材料で構成されているが、絶縁膜61の材料はこれに限定されない。絶縁膜61の材料としては、光吸収性が高い材料も採用され得る。絶縁膜61の材料に光吸収性が高い材料を採用すれば、隣り合う画素5同士間における遮光性が高められる。これにより、表示におけるコントラストを向上させやすくすることができ、表示品位を一層向上させやすくすることができる。
In the present embodiment, the insulating
また、本実施形態では、正孔輸送層67を第2層とする構成が採用されているが、構成はこれに限定されない。正孔を発生させ、且つ正孔を発光層69に送出することができる層が第1層として設けられていれば、発光層69を第2層とする構成も採用され得る。
In the present embodiment, a configuration in which the
また、本実施形態では、有機層31からの光を素子基板11を介して表示面3から射出するボトムエミッション型の有機EL装置を例に説明したが、有機EL装置はこれに限定されない。有機EL装置は、有機層31からの光を封止基板13を介して底面15から射出するトップエミッション型も採用され得る。
トップエミッション型の場合、有機層31からの光が底面15から射出されるので、底面15側に表示面3が設定される。つまり、トップエミッション型では、表示装置1の底面15と表示面3とが入れ替わる。そして、トップエミッション型では、底面15側が上側に対応し、表示面3側が下側に対応する。
In the present embodiment, the bottom emission type organic EL device that emits light from the
In the case of the top emission type, since the light from the
上述した表示装置1は、例えば、図16に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に表示装置1が適用されているので、各画素5における輝度ムラが低く抑えられる。
The display device 1 described above can be applied to, for example, the display unit 510 of the
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
The
1…表示装置、3…表示面、5…画素、7…表示領域、11,20…素子基板、15…底面、27…有機EL素子、29…画素電極、31…有機層、33…共通電極、41…第1基板、41a…基板、41b…基板、61…絶縁膜、61a…レジスト層、61b…撥液層、62…領域、65…正孔注入層、65a…液状体、65b…液状体膜、65c…失活部、67…正孔輸送層、67a…液状体、67b…液滴、67c…失活部、69…発光層、69a…液状体、69b…液滴、69c…失活部、71…電子注入層、81…駆動素子層、83…プラズマ処理装置、121…液滴吐出ヘッド、131…ベースフィルム、133…積層フィルム、135…カバーフィルム、500…電子機器、510…表示部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus, 3 ... Display surface, 5 ... Pixel, 7 ... Display area, 11, 20 ... Element substrate, 15 ... Bottom surface, 27 ... Organic EL element, 29 ... Pixel electrode, 31 ... Organic layer, 33 ...
Claims (20)
前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記第1層に拡散させる拡散工程を有することを特徴とする基板の処理方法。 A method for treating a substrate comprising a liquid repellent layer having liquid repellency and a first layer laminated on the liquid repellent layer,
A substrate processing method comprising a diffusion step of diffusing at least a part of the liquid repellent component from the liquid repellent layer into the first layer.
前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項2に記載の基板の処理方法。 The liquid repellent layer is made of a material containing an organic material,
3. The substrate processing method according to claim 2, wherein in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. 4.
前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第1液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第1液状体に含まれる物質で第1層を形成する第1層形成工程と、
前記第1層形成工程の後に、前記第2液状体を前記第1層に重ねて配置する液状体配置工程と、
前記液状体配置工程の後に、前記第2液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第2液状体に含まれる物質で第2層を形成する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 Of the first liquid body and the second liquid body, the first liquid body is applied to a substrate provided with a liquid repellent layer having liquid repellency to at least the second liquid body in at least a part of the region. A liquid film forming step of forming a liquid film with the first liquid by disposing the liquid repellent layer on at least part of the liquid repellent layer;
After the liquid film formation step, at least a part of the liquid contained in the first liquid is dried while diffusing at least a part of the liquid repellent component from the liquid repellent layer into the liquid film. A first layer forming step of forming a first layer with a substance contained in the first liquid,
After the first layer forming step, a liquid material arranging step of arranging the second liquid material on the first layer, and
Forming a second layer with a substance contained in the second liquid material by drying at least a part of the liquid contained in the second liquid material after the liquid material arranging step;
A film forming method comprising:
前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。 The liquid repellent layer is made of a material containing an organic material,
The film forming method according to claim 8, wherein in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C.
第1液状体及び第2液状体のうちで少なくとも前記第2液状体に対して撥液性を示す撥液層が、少なくとも一部の領域に設けられた基板において平面視で前記撥液層に重なる領域を含む領域に、前記第1液状体を前記撥液層の少なくとも一部に重ねて配置することにより、前記第1液状体で液状体膜を形成する液状体膜形成工程と、
前記液状体膜形成工程の後に、前記撥液層から前記撥液性を有する成分の少なくとも一部を前記液状体膜に拡散させながら、前記第1液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第1液状体に含まれる物質で前記第1層を形成する第1層形成工程と、
前記第1層形成工程の後に、前記第2液状体を前記第1層に重ねて配置する液状体配置工程と、
前記液状体配置工程の後に、前記第2液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第2液状体に含まれる物質で前記第2層を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 An organic EL device having a pair of electrodes facing each other and an organic layer interposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer has a plurality of layers including at least a first layer and a second layer A manufacturing method of
A liquid repellent layer exhibiting liquid repellency to at least the second liquid material among the first liquid material and the second liquid material is formed on the liquid repellent layer in a plan view on a substrate provided in at least a part of the region. A liquid film forming step of forming a liquid film with the first liquid by disposing the first liquid on at least a part of the liquid repellent layer in a region including the overlapping region;
After the liquid film formation step, at least a part of the liquid contained in the first liquid is dried while diffusing at least a part of the liquid repellent component from the liquid repellent layer into the liquid film. A first layer forming step of forming the first layer with a substance contained in the first liquid,
After the first layer forming step, a liquid material arranging step of arranging the second liquid material on the first layer, and
Forming the second layer with a substance contained in the second liquid material by drying at least a part of the liquid contained in the second liquid material after the liquid material arranging step;
A method for producing an organic EL device, comprising:
前記撥液層は、平面視で各前記画素を囲む領域に設けられており、
前記液状体膜形成工程では、前記第1液状体を、前記撥液層を越えて複数の前記画素にまたがる領域に配置し、
前記液状体配置工程では、前記第2液状体を、前記撥液層によって囲まれている領域ごとに個別に配置することを特徴とする請求項13に記載の有機EL装置の製造方法。 The pair of electrodes and the organic layer are provided for each pixel of a plurality of pixels,
The liquid repellent layer is provided in a region surrounding each pixel in a plan view,
In the liquid film forming step, the first liquid material is disposed in a region extending across the plurality of pixels beyond the liquid repellent layer,
14. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 13, wherein, in the liquid material arranging step, the second liquid material is individually arranged for each region surrounded by the liquid repellent layer.
前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項15に記載の有機EL装置の製造方法。 The liquid repellent layer is made of a material containing an organic material,
The method of manufacturing an organic EL device according to claim 15, wherein in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C.
前記撥液層を形成する工程では、レジスト層と、前記撥液性を有する成分を含む材料で構成され、前記レジスト層に平面視で重なる撥液材料層と、を形成してから、前記レジスト層及び前記撥液材料層をパターニングすることにより、前記撥液層を形成することを特徴とする請求項13乃至16のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。 Before the liquid film forming step, the step of forming the liquid repellent layer,
In the step of forming the liquid repellent layer, after forming a resist layer and a liquid repellent material layer made of a material containing the liquid repellent component and overlapping the resist layer in plan view, the resist The method for manufacturing an organic EL device according to claim 13, wherein the liquid repellent layer is formed by patterning a layer and the liquid repellent material layer.
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JP2008202736A JP2010040355A (en) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | Substrate treatment method, film forming method, and manufacturing method of organic el device |
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JP2016063197A (en) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device, and method of manufacturing display |
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