JP2010034404A - Laser annealing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、被処理体にレーザアニール処理を行うレーザアニール処理装置に関するものであり、特に大型被処理体への適応が好適なものである。 The present invention relates to a laser annealing processing apparatus that performs laser annealing on a target object, and is particularly suitable for use with a large target object.
レーザアニール処理装置は、シリコン薄膜の製造等の各種用途に使用されており、例えば上記薄膜製造に際しては、シリコン薄膜にレーザ光を照射して該薄膜を多結晶化している。従来のレーザアニール処理装置の一例を示すと図4のとおりであり、以下にその概略を説明する。
レーザアニール処理装置は処理室3内に設置された移動装置4と、被処理体6を載置して移動装置4上に搭載される被処理体載置台5とレーザ処理室3内にレーザ光を導入する光学系2およびレーザ発振器1とから構成されている。上記レーザアニール処理装置の動作を説明すると、レーザ発振器1で発生したレーザ光7を、光学系2を通して処理室3内に導入し、移動装置4をX及びY方向に移動させながらレーザ光7を被処理載置台5上の被処理体6に照射して該被処理体6をアニール処理する(例えば特許文献1参照)。また同時にレーザ光7の焦点位置をあわせるため移動装置4はZ方向にも動作する。
The laser annealing treatment apparatus is used for various applications such as the production of a silicon thin film. For example, when the thin film is produced, the silicon thin film is irradiated with laser light to polycrystallize the thin film. An example of a conventional laser annealing apparatus is shown in FIG. 4, and the outline thereof will be described below.
The laser annealing processing apparatus includes a moving
レーザアニール処理装置にはラインビーム方式やSLS方式がある。ラインビーム方式レーザアニール処理装置は、レーザ発振器から出射されたレーザを光学系により線状のビーム(ラインビーム)に整形する。非結晶シリコンを成膜した被処理体はレーザ処理室内の被処理体裁置台上に置かれ、ラインビーム光学系を通してラインビームが照射される。 There are a line beam method and an SLS method in the laser annealing treatment apparatus. The line beam laser annealing apparatus shapes a laser emitted from a laser oscillator into a linear beam (line beam) by an optical system. The object to be processed on which the amorphous silicon film is formed is placed on the object processing table in the laser processing chamber, and the line beam is irradiated through the line beam optical system.
従来のラインビーム方式レーザアニール処理装置では、必要以上のエネルギーのレーザ光を照射するとシリコンの微結晶が発生し、性能が著しく低下するという問題がある。微結晶が発生するのは、溶解したシリコンが冷却する過程において、様々な場所で結晶成長の核が発生することに起因する。そこで、レーザ光の幅を従来の400μm前後に比べて数μmと細くして、シリコンが溶解する領域を狭くすることでこの間題を解決する方法が提案されている。幅数μmのレーザをシリコン薄膜に照射し、シリコン薄膜を完全溶融させると、溶融した領域が冷却し結晶化する際、固液界面が結晶化の発端となって溶融領域の中心部に向かって結晶が成長する。さらに縞状にパターン化したレーザビームを用いて隙間を埋めるように照射すると、広い面積を多結晶化することができる。このように、溶融・結晶化を繰り返して広い面積を結晶化させる方法をSLS(Sequential Lateral Solidification順次横方向結晶化)方式と呼ぶ。 In the conventional line beam type laser annealing treatment apparatus, there is a problem that when a laser beam having an energy higher than necessary is irradiated, silicon microcrystals are generated and the performance is remarkably deteriorated. Microcrystals are generated because nuclei for crystal growth are generated at various locations during the process of cooling the dissolved silicon. In view of this, a method for solving this problem has been proposed by reducing the width of the laser beam to several μm compared to the conventional value of about 400 μm and narrowing the region where silicon is dissolved. When a silicon thin film is irradiated with a laser having a width of several μm to completely melt the silicon thin film, when the melted region cools and crystallizes, the solid-liquid interface becomes the beginning of crystallization toward the center of the melted region. Crystal grows. Furthermore, when a laser beam patterned in a striped pattern is used to irradiate the gap, a wide area can be polycrystallized. A method of crystallizing a large area by repeating melting and crystallization in this manner is called an SLS (Sequential Lateral Solidification sequential lateral crystallization) method.
SLS方式によるシリコン薄膜結晶化プロセスにおいては、幅数マイクロメートルにパターン化されたレーザをサブミクロンの精度でシリコン薄膜に照射しなければならない。また、結晶化プロセス上のレーザ焦点深度は40〜50μmmである。しかし、被処理体の厚み偏差と被処理体載置台の平面度を考慮すると、処理中にレーザ焦点位置に被処理体表面が位置するように被処理体載置台をZ方向にコントロールしなければならない。従って、SLS方式レーザアニール処理装置には、高精度な移動装置や自動焦点制御の機能が要求される。 In the silicon thin film crystallization process by the SLS method, a laser patterned to several micrometers in width must be irradiated to the silicon thin film with submicron accuracy. The laser focal depth on the crystallization process is 40 to 50 μm. However, in consideration of the thickness deviation of the object to be processed and the flatness of the object to be processed, the object to be processed must be controlled in the Z direction so that the surface of the object to be processed is positioned at the laser focal point during processing. Don't be. Accordingly, the SLS laser annealing apparatus is required to have a highly accurate moving device and automatic focus control function.
従来の小中型被処理体用レーザアニール処理装置に用いられる被処理休載置台5に関して図5に示す。材質には平面加工性、軽量化、耐レーザの観点からアルミニウム材が用いられることが多い。アルミニウム製中実板の上面を平面加工して、また被処理体の受け渡しピン用の孔8や軽量化のため裏面にくり抜き加工9を施してある。
しかし、レーザアニール処理装置ではSLS方式に限らず被処理体の大型化が進み、それに伴い被処理体裁置台も大型且つ重量化する。このため被処理休載置台を搭載する移動装置の移動精度に影響が出てしまう。また、大型且つ重量化することで被処理体載置台自身の平面度が自重たわみにより悪化し、自動焦点制御をより高速で行う必要が生じてしまう。さらに自動焦点制御による移動装置のZ方向の動作によって被処理体載置台の端が大きく振れてしまう共振の問題が発生する。 However, the laser annealing apparatus is not limited to the SLS system, and the size of the object to be processed is increased, and accordingly, the object processing table is also increased in size and weight. For this reason, the movement accuracy of the moving device on which the processing resting table is mounted is affected. In addition, the increase in size and weight deteriorates the flatness of the workpiece mounting table itself due to its own deflection, and it becomes necessary to perform automatic focus control at a higher speed. Furthermore, there arises a problem of resonance in which the end of the object mounting table shakes greatly due to the movement of the moving device in the Z direction by automatic focus control.
本発明は上記問題を解決するため、SLS方式に限らず、移動装置の移動精度や自動焦点制御の妨げになることなくアニール処理できるレーザアニール処理装置を目的とする。 In order to solve the above problems, the present invention is not limited to the SLS method, and an object of the present invention is a laser annealing apparatus capable of performing an annealing process without hindering movement accuracy of the moving apparatus and automatic focus control.
すなわち、本発明のレーザアニール処理装置のうち第1の本発明は、移動可能な被処理体載置台に載置された被処理体にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール処理装置において、前記被処理体載置台が、ハニカム構造からなることを特徴とする。 That is, in the laser annealing apparatus of the present invention, the first aspect of the present invention is a laser annealing apparatus for performing an annealing process by irradiating a laser beam to a target object mounted on a movable target object mounting table. The to-be-processed object mounting base has a honeycomb structure.
第2の本発明のレーザニール処理装置は、前記第1の本発明において、前記被処理体載置台のハニカムコアのセル形状が六角形であり、セルサイズが1/4〜3/4インチであることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the cell shape of the honeycomb core of the workpiece mounting table is a hexagon, and the cell size is 1/4 to 3/4 inch. It is characterized by being.
第3の本発明のレーザアニール処理装置は、前記第1または第2の本発明において、前記被処理体載置台は、多孔体からなるハニカムコアと、該ハニカムコアの上下に固定した上板および下板と、前記ハニカムコアの側面を覆うように該ハニカムコアに固定された側板とを有することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the laser annealing apparatus according to the first or second aspect of the invention, wherein the object mounting table includes a honeycomb core made of a porous body, an upper plate fixed above and below the honeycomb core, and It has a lower plate and a side plate fixed to the honeycomb core so as to cover the side surface of the honeycomb core.
第4の本発明のレーザアニール処理装置は、前記第3の本発明において、前記被処理体載置台は、前記上板及び下板の厚さが、2.5mm〜5.0mmであることを特徴とする。 In the laser annealing treatment apparatus according to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the workpiece mounting table has a thickness of the upper plate and the lower plate of 2.5 mm to 5.0 mm. Features.
第5の本発明のレーザアニール処理装置は、前記第3または第4の本発明において、前記側板の厚さが、4mm〜10mmであることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the third or fourth aspect of the present invention, the thickness of the side plate is 4 mm to 10 mm.
第6の本発明のレーザアニール処理装置は、前記第3〜第5の本発明において、前記側板は、前記上板および下板とともに前記ハニカムコアに固定された後、減厚するように外側面を切削したものであることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the laser annealing apparatus according to any one of the third to fifth aspects, wherein the side plate is fixed to the honeycomb core together with the upper plate and the lower plate, and then the outer surface is reduced in thickness. It is characterized by cutting.
また、本発明の請求項2以降で規定する条件について以下に説明する。
The conditions defined in
ハニカムコアのセル形状およびセルサイズ:六角形の1/4〜3/4インチ
ハニカムコアのセル形状を六角形にすることで質量当たりの強度を向上させることができ、効果的に軽量化することができる。この際に六角形のサイズ(対向する頂点間距離)が1/4未満であると、面積当たりの質量が大きくなり、軽量化が十分とはいえず、大型化による撓みが生じやすくなる。また、共振を防ぐためには共振周波数を高くすることが必要であるが(例えば130Hz以上)、セルサイズを1/4未満にすると、質量が増大し、質量あたりの共振周波数が低くなってしまう。一方セルサイズを3/4を超えたものとすると、上板および下板の平面加工に影響をあたえてしまう。また、ハニカムコアの上下に配置する上板および下板をセル壁で支持する間隔が広くなり、上板の平坦度を高めるために平面加工を行う際の加工性が悪くなる。このため、六角形セルのサイズは上記範囲が望ましい。
Cell shape and cell size of honeycomb core: 1/4 to 3/4 inch of hexagonal shape By making the cell shape of the honeycomb core hexagonal, the strength per mass can be improved and the weight can be effectively reduced. Can do. At this time, if the hexagonal size (distance between the opposite vertices) is less than ¼, the mass per area becomes large, the weight cannot be said to be sufficient, and bending due to enlargement tends to occur. In order to prevent resonance, it is necessary to increase the resonance frequency (for example, 130 Hz or more). However, if the cell size is less than ¼, the mass increases and the resonance frequency per mass decreases. On the other hand, if the cell size exceeds 3/4, the planar processing of the upper plate and the lower plate will be affected. Moreover, the space | interval which supports the upper plate and lower plate arrange | positioned at the upper and lower sides of a honeycomb core with a cell wall becomes wide, and the workability at the time of performing a plane process in order to improve the flatness of an upper plate worsens. For this reason, the above range is desirable for the size of the hexagonal cell.
上板および下板の厚さ:2.5mm〜5.0mm
ハニカムコアの上下に固定される上板および下板は、ハニカム構造の強度を得るために、ある程度の厚さが必要であるが、過度に厚くなると質量が増大し、質量当たりの共振周波数が低くなってしまう。また、過度に厚いとハニカムコアとの接着性が悪くなり、ひいては加工性に影響する。このため、上板および下板の厚さは5.0mmを越えないのが望ましい。また、上板、下板の厚さが2.5mm未満になると、被処理体載置台全体の剛性が十分に得られない。また、上板、下板の厚さが薄いと、上板および下板とハニカムコアとを接着剤などによって接着した場合、接着応力によって平面加工に影響を与えてしまう。このため上板および下板の厚さは、2.5mm〜5.0mmが望ましい。
Upper plate and lower plate thickness: 2.5 mm to 5.0 mm
The upper and lower plates fixed to the top and bottom of the honeycomb core need to have a certain thickness in order to obtain the strength of the honeycomb structure. However, if the thickness is excessively thick, the mass increases and the resonance frequency per mass is low. turn into. On the other hand, if the thickness is excessively thick, the adhesiveness with the honeycomb core is deteriorated, thereby affecting the workability. For this reason, it is desirable that the thickness of the upper plate and the lower plate does not exceed 5.0 mm. Further, if the thickness of the upper plate and the lower plate is less than 2.5 mm, the rigidity of the entire object mounting table cannot be obtained sufficiently. In addition, if the upper plate and the lower plate are thin, when the upper plate and the lower plate are bonded to the honeycomb core with an adhesive or the like, the planar processing is affected by the adhesive stress. For this reason, as for the thickness of an upper board and a lower board, 2.5 mm-5.0 mm are desirable.
側板の厚さ:4mm〜10mm
側板の厚さを適切に定めることで、被処理体載置台の質量および強度のバランスを適切に設定することができる。また、被処理体載置台の共振周波数を高くすることで、被処理体載置台が移動する際の共振を防止することができる。なお、側板の厚さが4mm未満であると、被処理体載置台の剛性が十分に得られない。一方、10mmを越えると自重撓みの発生や、共振周波数を低くして移動時に共振し易くなるため、側板の厚さは4〜10mmの範囲内とするのが望ましい。
Side plate thickness: 4-10mm
By appropriately determining the thickness of the side plate, the balance between the mass and strength of the object mounting table can be appropriately set. Further, by increasing the resonance frequency of the object mounting table, it is possible to prevent resonance when the object mounting table moves. In addition, when the thickness of the side plate is less than 4 mm, the rigidity of the object mounting table cannot be sufficiently obtained. On the other hand, if the thickness exceeds 10 mm, the thickness of the side plate is preferably in the range of 4 to 10 mm because the occurrence of self-weight deflection or the resonance frequency is lowered to facilitate resonance during movement.
以上説明したように、本発明によれば、移動可能な被処理体載置台に載置された被処理体にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール処理装置において、前記被処理体載置台が、ハニカム構造からなるので、以下の効果がある。
すなわち、この発明によれば、
(1)被処理体載置台にハニカム構造体を使用することにより、被処理体載置台を軽量且つ剛性化し、自重たわみよる平面度の悪化を抑えることができる。なお、ハニカム構造材の材質は本発明としては特に限定をされないが、軽量な軽合金、例えばアルミニウム材(純アルミニウムまたはアルミニウム合金)が好適である。
(2)被処理体載置台の軽量化により移動装置の移動精度への影響を少なくすることができる。
(3)被処理体裁置台の軽量化、剛性化により被処理体裁置台の共振周波数を高くすることができる
(4)被処理休載置台の平面度を小さくすることにより自動焦点制御、すなわち移動装置のZ方向の動作をが緩やかになり、動作周波数帯域を低くすることができる。
(5)被処理体載置台の共振周波数を高くし、反対に移動装置のZ方向の動作周波数帯域を低くすることにより、アニール処理中の被処理体載置台の共振を避けることができる。
(6)密度が小さい部材を使用する為、小中型被処理体載置台で実施している軽量化のための裏面くり抜き加工を省くことができる。
As described above, according to the present invention, in the laser annealing apparatus for performing an annealing process by irradiating a laser beam to a target object mounted on a movable target object mounting table, the target object mounting table However, since it has a honeycomb structure, the following effects are obtained.
That is, according to the present invention,
(1) By using the honeycomb structure for the target object mounting table, the target object mounting table can be made lighter and rigid, and deterioration of flatness due to its own weight deflection can be suppressed. The material of the honeycomb structure material is not particularly limited in the present invention, but a lightweight light alloy such as an aluminum material (pure aluminum or aluminum alloy) is preferable.
(2) The influence on the movement accuracy of the moving apparatus can be reduced by reducing the weight of the object mounting table.
(3) The resonance frequency of the processing object table can be increased by reducing the weight and rigidity of the processing object table. (4) By reducing the flatness of the processing object table, the automatic focus control, that is, the movement device The operation in the Z direction becomes gentle and the operating frequency band can be lowered.
(5) By increasing the resonance frequency of the object mounting table and conversely decreasing the operating frequency band in the Z direction of the moving device, resonance of the object mounting table during the annealing process can be avoided.
(6) Since a member having a low density is used, it is possible to omit the back side punching process for reducing the weight, which is performed on the small / medium-sized workpiece mounting table.
この結果、本発明によれば、アニール処理中に移動装置の移動精度や自動焦点制御の妨げになることなくアニール処理できる大型被処理体用レーザアニール処理装置を提供できる。その結果、被処理体の大型化によるアニール処理の性能への悪化が防ぐことができ、生産性を安定させることができる。 As a result, according to the present invention, it is possible to provide a laser annealing apparatus for a large object that can be annealed without interfering with the movement accuracy and automatic focus control of the moving apparatus during the annealing process. As a result, deterioration of the performance of the annealing process due to the increase in the size of the object to be processed can be prevented, and productivity can be stabilized.
以下に、本発明の一実施形態を図1〜図3に基づいて説明する。
なお、被処理体載置台が設置されるレーザアニール処理装置は、該被処理体載置台を除いて図4に基づいて説明をした従来装置と同様の構成を有しており、その説明を省略する。
被処理体載置台10は、好ましくは六角形のセル11aを有するアルミニウム製のハニカムコア11を主構造としており、セル11aのサイズは、好ましくは、1/4〜3/4インチである。なお、セルの形状は、六角形以外の三角形、四角形などの多角形などにより構成することも可能である。
Below, one Embodiment of this invention is described based on FIGS. 1-3.
The laser annealing processing apparatus on which the object mounting table is installed has the same configuration as the conventional apparatus described based on FIG. 4 except for the object mounting table, and the description thereof is omitted. To do.
The to-be-processed
ハニカムコア11の上下面には、同じくアルミニウム製の上板12と下板13とが固定されている。さらにハニカムコア11の周囲は、側板14が固定されて覆われている。また、一部のセル11aでは、セル11aの孔にハニカムコア11の厚さと同じ高さを有する六角筒体15が前記孔との間に隙間が生じないように配置、固定されており、該六角筒体15の筒穴が被処理体の受け渡しピン用の孔15aとなっている。該六角筒体15も、軽量のアルミニウムで構成するのが望ましい。上記各部材の固定は、例えば熱硬化性接着剤を塗布し、加熱することにより行うことができる。
Similarly, an
上記構成により、ハニカムコア11は、露出することなく上板12、下板13、側板14および六角筒体15で表面が覆われている。これによりハニカムコア11に使用されている接着剤などの成分や製造時の残溶液、発塵が、レーザ処理室3内に拡散して被処理体6を汚染するのを防止することができる。なお、上記構成によりハニカム構造とした被処理体載置台10は、平坦度を高めるために、上板12の上面および下板13の底面に対し平面加工処理がなされる。平面加工では、平面度を30μm以下にする。この際に、被処理体載置台10の剛性が十分に維持されていないと、精密な加工が困難になる。このため、側板14は、図3に示すように、被処理体載置台10として使用されるものよりも厚肉として、被処理体載置台10を、工具20などによって強固に固定して平面加工を行えるようにするのが望ましい。ただし、側板14が厚いままであると、自重撓みの増大や共振周波数を低くして共振しやすくなるため、平面加工を終えた後、側板14の側面を切削することで減厚して、被処理体載置台10の減量化を図る。
With the above configuration, the surface of the
上記被処理体10は、従来と同様に移動装置4上に配置され、移動装置4とともに、X、YおよびZ方向に移動する。被処理体載置台10は、ハニカム構造としたことにより面積当たりの質量は小さくなり、さらに、十分な剛性が確保される。これにより、移動装置4に設置した際の撓みもなく、また、移動装置4によって移動させる際の共振も効果的に防止することができる。
The to-
また、被処理体載置台の平面度を小さくできるため、アニール処理中の自動焦点制御は緩やかに動作すればよく、移動装置のZ方向の動作周波数帯域は100Hz以下に低くすることができる。
さらに、本実施形態における構造により被処理体載置台の1次共振周波数が140Hz以下程度と小中型用被処理体載置台と同じ振動特性を有することができる。
また、自動焦点制御による動作周波数帯域と被処理体載置台の共振周波数が離れているため、移動装置の自動焦点制御時のZ方向動作による被処理体裁置台の共振を防止することができる。
Further, since the flatness of the object mounting table can be reduced, the automatic focus control during the annealing process only needs to operate gently, and the operating frequency band in the Z direction of the moving device can be lowered to 100 Hz or less.
Furthermore, with the structure in the present embodiment, the primary resonance frequency of the object mounting table can be about 140 Hz or less, and the same vibration characteristic as that of the small and medium-sized object mounting table can be obtained.
In addition, since the operating frequency band by the automatic focus control and the resonance frequency of the object mounting table are separated, the resonance of the object mounting table due to the Z-direction operation during the automatic focus control of the moving device can be prevented.
次に、本発明の実施例について説明する。
セル壁厚30〜40μmのアルミニウム製ハニカムコアを有する被処理体載置台について、セルサイズ、上板厚、下板厚および側板厚を変えて、その質量、たわみ量、共振周波数、質量当たりの共振周波数、加工性を評価した。なお、ハニカムコアの面積はそれぞれ同一とした。その結果を表1に示し、各項目について評価を行った。
Next, examples of the present invention will be described.
For a workpiece mounting table having an aluminum honeycomb core with a cell wall thickness of 30 to 40 μm, the cell size, upper plate thickness, lower plate thickness, and side plate thickness are changed, and the mass, deflection amount, resonance frequency, resonance per mass The frequency and workability were evaluated. The areas of the honeycomb cores were the same. The results are shown in Table 1, and each item was evaluated.
なお、各項目評価では、以下の基準によって行った。
質量については、90kg以下を◎、90kg超〜120kgを○、120kg超〜160kgを△、160kg超を×と評価した。
たわみについては、20μm以下を○、20μm超〜26μm以下を△、26μm超を×と評価した。
共振周波数は、130Hz以上を○、120Hz〜130Hz未満を△、120Hz未満を×と評価した。
共振周波数/質量比は、1.4Hz/kg以上を○、1.0Hz/kg〜1.4Hz/kg未満を△、1.0Hz/kg未満を×と評価した。
加工性は、平面度を30μm以下に加工する作業の難易によって評価した。
Each item was evaluated according to the following criteria.
The mass was evaluated as ◎ for 90 kg or less, ○ for over 90 kg to 120 kg, Δ for over 120 kg to 160 kg, and x for over 160 kg.
Regarding the deflection, 20 μm or less was evaluated as “◯”, 20 μm or more to 26 μm or less as “Δ”, and 26 μm or more as “×”.
The resonance frequency was evaluated as ○ for 130 Hz or more, Δ for 120 Hz to less than 130 Hz, and × for less than 120 Hz.
The resonance frequency / mass ratio was evaluated as ○ for 1.4 Hz / kg or more, Δ for 1.0 Hz / kg to less than 1.4 Hz / kg, and × for less than 1.0 Hz / kg.
The workability was evaluated by the difficulty of working to make the flatness to 30 μm or less.
上記各項目にしたがって、以下の基準により総合判定を行った。
加工性が△以下のものは、総合判定を△以下とした。加工性が○で、その他の項目が◎又は○と△で、△が2個以上のものは、総合判定を△とした。加工性が○で、その他の項目が◎又は○と△で、△が1個のものは、総合判定を○とした。全ての項目が○以上のものは◎と評価した。評価項目に×を含むものは総合判定を×とした。
表に示すように、本発明の好適例では、従来の中小型のレーザアニール処理装置で被処理体載置台に用いられているものと同材質で被処理体載置台を構成した場合に比べて十分な軽量化が達成されている。さらに、本発明の好適例では、共振周波数および質量当たりの共振周波数を大きくして共振をより効果的に防止することが可能であった。
In accordance with the above items, a comprehensive judgment was made according to the following criteria.
When the workability was Δ or less, the overall judgment was Δ or less. When the workability was ○, the other items were ◎ or ○ and △, and △ was 2 or more, the comprehensive judgment was △. When the workability was ◯, the other items were ◎ or ○ and △, and △ was 1, the overall judgment was ◯. All items were evaluated as ◎ if they were more than ○. If the evaluation item includes x, the overall judgment is x.
As shown in the table, in the preferred embodiment of the present invention, compared to the case where the object mounting table is made of the same material as that used for the object mounting table in the conventional medium and small-sized laser annealing apparatus. Sufficient weight reduction has been achieved. Furthermore, in the preferred embodiment of the present invention, the resonance frequency and the resonance frequency per mass can be increased to more effectively prevent resonance.
1 レーザ発振器
2 光学系
3 処理室
4 移動装置
6 被処理体
7 レーザ光
10 被処理体載置台
11 ハニカムコア
11a セル
12 上板
13 下板
14 側板
15 六角筒体
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