JP2010033986A - Organic el display - Google Patents

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顕治 大久保
Kohei Nagayama
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display capable of introducing a micro resonance structure even in a constitution that a plurality of light-emitting elements are laminated. <P>SOLUTION: This device has at least one or more pixels. The pixels are constituted of at least two or more subpixels. The subpixels include a structure in which at least a first electrode layer (first electrode 31), a first organic light-emitting layer (first organic light-emitting layer 32), an intermediate electrode layer (second electrode 33a, third electrode 35b), a second organic light-emitting layer (second organic light-emitting layer 34), and a second electrode layer (fourth electrode 41) are laminated. In at least one subpixel in the pixels, a reflectivity on the upper face side of the intermediate electrode layer is different from that on the upper face side of the intermediate electrode layer of other subpixels. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示素子として利用される有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device used as a display element.

従来、発光素子を複数積層した構成の多色発光素子が提案されている(特許文献1参照)。この特許文献1に開示された多色発光素子においては、積層された各発光素子が個別に駆動できるように透明導電層で区分されている。例えば、3層の発光層を積層する場合には、第1発光層が第1電極と第2電極に挟まれ、第2発光層が第2電極と第3電極に挟まれ、第3発光層が第3電極と第4電極で挟まれた構成となっている。また、3層の発光層を個別に駆動するための3個の電源が接続されており、上下の発光層間で第2電極と第3電極とが共通となっているため、電源が直列に接続された構成となっている。また、有機発光素子に対して微小共振構造を設定する技術についても提案がある(非特許文献1参照)。   Conventionally, a multicolor light emitting element having a configuration in which a plurality of light emitting elements are stacked has been proposed (see Patent Document 1). In the multicolor light emitting element disclosed in Patent Document 1, the stacked light emitting elements are divided by a transparent conductive layer so that they can be individually driven. For example, when three light emitting layers are stacked, the first light emitting layer is sandwiched between the first electrode and the second electrode, the second light emitting layer is sandwiched between the second electrode and the third electrode, and the third light emitting layer is disposed. Is sandwiched between the third electrode and the fourth electrode. In addition, three power supplies for individually driving the three light emitting layers are connected, and since the second electrode and the third electrode are common between the upper and lower light emitting layers, the power supplies are connected in series. It has been configured. There is also a proposal for a technique for setting a microresonance structure for an organic light emitting element (see Non-Patent Document 1).

米国特許第5707745号明細書US Pat. No. 5,707,745 中山隆博、角田敦「光共振器構造を導入した素子」応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 1993年第3回講習会p135−143Takahiro Nakayama, Satoshi Tsunoda “Elements with Optical Resonator Structure” Applied Physics Society Organic Molecule / Bioelectronics Subcommittee 1993 Third Workshop p135-143

しかし、上述した従来の技術では、3つの発光層に対してそれぞれ個別に微小共振構造を設定することが困難となる。なぜならば、各色の微小共振構造がお互いに干渉しあうため個別に最適化することができず、最大公約数的に設計を行う必要があるためである。このため、色純度や視野角による色度変化、光取出し効率を充分に向上することができないという課題があった。   However, with the conventional technology described above, it is difficult to individually set a microresonance structure for each of the three light emitting layers. This is because the micro-resonance structures of the respective colors interfere with each other and cannot be optimized individually, and it is necessary to design with the greatest common divisor. For this reason, there existed a subject that the chromaticity change by color purity or a viewing angle, and the light extraction efficiency could not be improved sufficiently.

本発明は、上述した課題に鑑み提案されたもので、発光素子を複数積層した構成においても微小共振構造を導入することができる有機EL表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL display device that can introduce a microresonance structure even in a configuration in which a plurality of light emitting elements are stacked.

本発明の有機EL表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機EL表示装置は、少なくとも1つ以上の画素を有し、この画素は、少なくとも2つ以上のサブピクセルで構成されている。また、サブピクセルは、少なくとも第1の電極層、第1の有機発光層、中間電極層、第2の有機発光層、第2の電極層が積層された構造を含んでいる。そして、画素内の少なくとも1つのサブピクセルにおいて、中間電極層の上面側の反射率が他のサブピクセルの中間電極層の上面側の反射率と異なることを特徴とするものである。   The organic EL display device of the present invention has the following features in order to achieve the above-described object. That is, the organic EL display device of the present invention has at least one or more pixels, and the pixels are composed of at least two or more subpixels. The subpixel includes a structure in which at least a first electrode layer, a first organic light emitting layer, an intermediate electrode layer, a second organic light emitting layer, and a second electrode layer are stacked. In at least one subpixel in the pixel, the reflectance on the upper surface side of the intermediate electrode layer is different from the reflectance on the upper surface side of the intermediate electrode layer of the other subpixel.

なお、本発明における反射電極とは、電極自身が反射性を有する材料からなるものに限られず、ITO、IZOなどの透明導電性材料からなる電極下部に反射性の薄膜を積層したものであってもよい。また、本発明における透明電極とは、ITOなどの一般的な透明電極に限られず、AgやAlの金属薄膜などであってもよい。また、反射率を変化させることで同時に透過率も変化するが、以下の説明では、反射率の異なる反射電極と記述する。   The reflective electrode in the present invention is not limited to the electrode itself made of a reflective material, but a reflective thin film laminated on the lower part of the electrode made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. Also good. Further, the transparent electrode in the present invention is not limited to a general transparent electrode such as ITO, but may be a metal thin film of Ag or Al. In addition, the transmittance is changed at the same time by changing the reflectance, but in the following description, it is described as a reflective electrode having a different reflectance.

本発明の有機EL表示装置では、中間電極層の反射率をサブピクセル毎に異なる値にしている。これにより、複数の発光素子が最大公約数的な微小共振構造設計で積層された場合であっても、特定の発光素子において色純度や視野角による色度変化、光取出し効率を向上させることができる。例えば、2つのサブピクセルからなり、各サブピクセルが3層積層素子からなり、そのうち2つの異なる組合せの素子が発光する構成について考える。このような構成において、中間電極の反射率のみを変えることによって、各サブピクセルの2つの積層素子の色純度や視野角による色度変化、光取出し効率を向上させることが可能となる。   In the organic EL display device of the present invention, the reflectance of the intermediate electrode layer is set to a different value for each subpixel. As a result, even when a plurality of light emitting elements are stacked with a microresonance structure design that is the greatest common divisor, chromaticity change due to color purity and viewing angle and light extraction efficiency can be improved in a specific light emitting element. it can. For example, consider a configuration in which two subpixels are formed, each subpixel is formed of a three-layer stacked element, and two different combinations of elements emit light. In such a configuration, by changing only the reflectance of the intermediate electrode, it is possible to improve the chromaticity change and the light extraction efficiency due to the color purity and viewing angle of the two stacked elements of each subpixel.

以下、図面を参照して、本発明の有機EL表示装置の実施形態を説明する。なお、以下の説明に記載されていない部分及び図面に示されていない部分に関しては、当該技術分野における周知または公知技術を適用する。また、以下に説明する実施形態は、発明の一実施形態であって、これらに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the organic EL display device of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the well-known or well-known technique in the said technical field is applied about the part which is not described in the following description, and the part which is not shown by drawing. The embodiment described below is an embodiment of the invention and is not limited thereto.

本発明の実施形態に係る有機EL表示装置は、少なくとも1つ以上の画素を有し、画素は、少なくとも2つ以上の副画素(以下サブピクセルと呼称する)で構成されている。また、サブピクセルは、少なくとも第1の電極層、第1の有機発光層、中間電極層、第2の有機発光層、第2の電極層が積層された構成となっている。具体的には、第1電極が第1の電極層に相当し、第2電極及び/または第3電極が中間電極層に相当し、第4電極が第2の電極層に相当する。また、第1有機発光層が第1の有機発光層に相当し、第2有機発光層が第2の有機発光層に相当する。   The organic EL display device according to the embodiment of the present invention has at least one or more pixels, and the pixels are composed of at least two or more subpixels (hereinafter referred to as subpixels). The subpixel has a structure in which at least a first electrode layer, a first organic light emitting layer, an intermediate electrode layer, a second organic light emitting layer, and a second electrode layer are stacked. Specifically, the first electrode corresponds to the first electrode layer, the second electrode and / or the third electrode corresponds to the intermediate electrode layer, and the fourth electrode corresponds to the second electrode layer. The first organic light emitting layer corresponds to the first organic light emitting layer, and the second organic light emitting layer corresponds to the second organic light emitting layer.

そして、画素内の少なくとも1つのサブピクセルにおいて、中間電極層の上面側の反射率が他のサブピクセルの中間電極層の上面側の反射率と異なるように構成されている。   In at least one subpixel in the pixel, the reflectance on the upper surface side of the intermediate electrode layer is different from the reflectance on the upper surface side of the intermediate electrode layer of the other subpixels.

また、画素を構成するいずれかのサブピクセルの中間電極層は、完全反射電極とすることが可能である。なお、完全反射電極とは、透過性を有さず、80%以上、かつ99%以下の反射率を有する電極のことである。反射しない光は完全反射電極に吸収される。   Further, the intermediate electrode layer of any of the sub-pixels constituting the pixel can be a complete reflection electrode. In addition, a perfect reflection electrode is an electrode which does not have transparency and has a reflectance of 80% or more and 99% or less. Non-reflected light is absorbed by the fully reflective electrode.

また、画素を2つのサブピクセルから構成してもよい。この場合、各サブピクセルは、第1の電極層、第1の有機発光層、第1の中間電極層、第2の有機発光層、第2の中間電極層、第3の有機発光層、第2の電極層からなるような構成とする。具体的には、第1電極が第1の電極層に相当し、第2電極が第1の中間電極層に相当し、第3電極が第2の中間電極層に相当し、第4電極が第2の電極層に相当する。また、第1有機発光層が第1の有機発光層に相当し、第2有機発光層が第2の有機発光層に相当し、第3有機発光層が第3の有機発光層に相当する。そして、第1の中間電極層の反射率は、サブピクセル毎にそれぞれ異なっている。   The pixel may be composed of two subpixels. In this case, each subpixel includes a first electrode layer, a first organic light emitting layer, a first intermediate electrode layer, a second organic light emitting layer, a second intermediate electrode layer, a third organic light emitting layer, The structure is composed of two electrode layers. Specifically, the first electrode corresponds to the first electrode layer, the second electrode corresponds to the first intermediate electrode layer, the third electrode corresponds to the second intermediate electrode layer, and the fourth electrode This corresponds to the second electrode layer. The first organic light emitting layer corresponds to the first organic light emitting layer, the second organic light emitting layer corresponds to the second organic light emitting layer, and the third organic light emitting layer corresponds to the third organic light emitting layer. The reflectivity of the first intermediate electrode layer is different for each subpixel.

まず、本発明の実施例1に係る有機EL表示装置について説明する。図1は、本発明の実施例1に係る有機EL表示装置の1画素(ピクセル)領域における断面構造を模式的に示した図である。また、図2は、本発明の実施例1に係る有機EL表示装置を示す概略斜視図である。図1に示す断面構造を有する画素2がマトリクス状に複数配置され、図2に示す有機EL表示装置の表示領域1が構成される。   First, an organic EL display device according to Example 1 of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure in one pixel area of an organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention. A plurality of pixels 2 having the cross-sectional structure shown in FIG. 1 are arranged in a matrix, and the display region 1 of the organic EL display device shown in FIG. 2 is configured.

図1において、1画素領域には3個の副画素である第1サブピクセルP1,第2サブピクセルP2,第3サブピクセルP3が並列して配置されている。図1において、10はTFTを含む画素駆動回路が形成された絶縁性基板、11a,11b,11cは第1電極、13a,13b,13cは第2電極、15a,15b,15cは第3電極、21は第4電極を示す。また、図1において、12は第1有機発光層、14は第2有機発光層、16は第3有機発光層を示す。さらに、図1において、18b,18c,19a,19c,20a,20bはコンタクトホール、22は保護膜、23は電源手段を示す。   In FIG. 1, a first subpixel P1, a second subpixel P2, and a third subpixel P3, which are three subpixels, are arranged in parallel in one pixel region. In FIG. 1, 10 is an insulating substrate on which a pixel driving circuit including a TFT is formed, 11a, 11b and 11c are first electrodes, 13a, 13b and 13c are second electrodes, 15a, 15b and 15c are third electrodes, Reference numeral 21 denotes a fourth electrode. In FIG. 1, reference numeral 12 denotes a first organic light emitting layer, 14 denotes a second organic light emitting layer, and 16 denotes a third organic light emitting layer. Further, in FIG. 1, 18b, 18c, 19a, 19c, 20a, and 20b are contact holes, 22 is a protective film, and 23 is a power supply means.

各サブピクセルP1,P2,P3は、発光色の異なる3種類の有機発光層12,14,16とそれらを挟持する電極11a,11b,11c,13a,13b,13c,15a,15b,15c,21とを積層した構成となっている。それぞれの有機発光層とそれらを狭持する上下に配置された一対の電極の3層構成で1つの発光素子を構成しており、この構成では3つの発光素子が積層された構成となっている。また、3種類の発光色は赤(R)、緑(G)、青(B)であり、色の積層順は特に限定されない。有機発光層は、単層型、2層型、3層型、4層型、5層型のいずれを使用してもよい。単層型は発光層のみで構成され、2層型は発光層及び正孔注入層で構成され、3層型は電子輸送層、発光層、正孔輸送層で構成される。また、4層型は電子注入層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層で構成され、5層型は電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層で構成される。   Each subpixel P1, P2, P3 includes three types of organic light emitting layers 12, 14, 16 having different emission colors and electrodes 11a, 11b, 11c, 13a, 13b, 13c, 15a, 15b, 15c, 21 sandwiching them. It is the structure which laminated | stacked. Each organic light emitting layer and a pair of electrodes arranged on the upper and lower sides sandwiching them form one light emitting element, and in this structure, three light emitting elements are stacked. . The three types of emission colors are red (R), green (G), and blue (B), and the order of color stacking is not particularly limited. The organic light emitting layer may be either a single layer type, a two layer type, a three layer type, a four layer type, or a five layer type. The single layer type is composed of only a light emitting layer, the two layer type is composed of a light emitting layer and a hole injection layer, and the three layer type is composed of an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer. The 4-layer type is composed of an electron injection layer, a light-emitting layer, a hole transport layer, and a hole injection layer, and the 5-layer type is an electron injection layer, an electron transport layer, a light-emitting layer, a hole transport layer, and a hole injection layer. Consists of.

また、このような積層構成において、電極13a,13b,13c,15a,15b,15cは、積層された上下の発光素子で共有されている。各サブピクセルは、トップエミッション型であり、第2電極13a、第3電極15a,15bは反射率30%以下、かつ1%以上である低い光反射率を有している。一方、第1電極11a、第2電極13b、第3電極15cは反射率80%以上、かつ99%以下の高い光反射性を有する完全反射電極である。また、第4電極21は透光性を有している。実施例1において、各有機発光層は3層構成となっており、電子輸送層、発光層、正孔輸送層で構成されている。   In such a stacked configuration, the electrodes 13a, 13b, 13c, 15a, 15b, and 15c are shared by the stacked upper and lower light emitting elements. Each subpixel is a top emission type, and the second electrode 13a and the third electrodes 15a and 15b have a low light reflectance of 30% or less and 1% or more. On the other hand, the first electrode 11a, the second electrode 13b, and the third electrode 15c are fully reflective electrodes having high light reflectivity with a reflectance of 80% or more and 99% or less. The fourth electrode 21 is translucent. In Example 1, each organic light emitting layer has a three-layer structure, and is composed of an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer.

なお、公知な技術であるために詳しい説明は省略するが、TFT等のスイッチング素子が形成された絶縁性基板10上には、樹脂からなる平坦化膜が形成され、その平坦化膜上の各画素領域に対応してパターニングされた第1電極が形成されている。   Although a detailed description is omitted because it is a known technique, a planarizing film made of resin is formed on the insulating substrate 10 on which switching elements such as TFTs are formed. A first electrode patterned corresponding to the pixel region is formed.

次に、図1に示す有機EL表示装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the organic EL display device shown in FIG. 1 will be described.

半導体プロセスを用いて第1電極11a,11b,11cまで形成された絶縁性基板10上に、第1有機発光層12の各層を、塗布法や蒸着法などの公知の手法を用いて表示領域1の全域にわたって順次成膜する。この際、従来のようなメタルマスクを用いた各サブピクセルの塗り分けは行わない。   Each layer of the first organic light emitting layer 12 is displayed on the insulating substrate 10 formed up to the first electrodes 11a, 11b, and 11c using a semiconductor process, using a known method such as a coating method or a vapor deposition method. The film is formed sequentially over the entire area. At this time, the sub-pixels are not separately painted using a metal mask as in the prior art.

有機発光層を構成する各有機材料層の材料としては、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも1種を用いることができる。正孔注入材料または正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングし、または電子注入材料または電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げるように構成してもよい。さらに、各有機材料層は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体を使用することができる。なお、本発明の構成としてこれらの材料に限定されるものではない。また、有機発光層の膜厚は0.05μm〜0.3μm程度であることが好ましく、0.05〜0.15μm程度であることが一層好ましい。また、正孔注入材料及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体等を使用できるが、本発明の構成としてこれらの材料に限定されるものではない。電子注入材料及び輸送材料の例としては、アルミニウムに8−ヒドロキシキノリンの3量体が配位したAlq3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できるが、本発明の構成としてこれらの材料に限定されるものではない。   As a material of each organic material layer constituting the organic light emitting layer, at least one selected from an organic light emitting material, a hole injection material, an electron injection material, a hole transport material, and an electron transport material can be used. You may comprise so that the selection range of color development may be expanded by doping an organic light emitting material in a hole injection material or a hole transport material, or doping an organic light emitting material in an electron injection material or an electron transport material. Furthermore, each organic material layer is preferably an amorphous film from the viewpoint of luminous efficiency. Organic light-emitting materials include triarylamine derivatives, stilbene derivatives, polyarylenes, aromatic condensed polycyclic compounds, aromatic heterocyclic compounds, aromatic heterocondensed ring compounds, metal complex compounds, etc., and single or composite oligos thereof. Can be used. The configuration of the present invention is not limited to these materials. The thickness of the organic light emitting layer is preferably about 0.05 μm to 0.3 μm, and more preferably about 0.05 to 0.15 μm. Moreover, as a hole injection material and a transport material, a phthalocyanine compound, a triarylamine compound, a conductive polymer, a perylene compound, an Eu complex, or the like can be used, but the structure of the present invention is limited to these materials. is not. Examples of the electron injection material and the transport material include Alq3 in which an 8-hydroxyquinoline trimer is coordinated to aluminum, an azomethine zinc complex, a distyrylbiphenyl derivative system, and the like. It is not limited to.

第1有機発光層12を成膜した後、第1有機発光層12にコンタクトホール18b,18cを形成する。形成方法としては、レーザー加工が好ましく、YAGレーザー(SHG、THG含む)、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μmに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、有機発光層12の上に所定のパターンで照射することにより所望の位置にコンタクトホール18b,18cを形成する。コンタクトホール18b,18cの径としては、2μm〜15μmが好ましい。   After forming the first organic light emitting layer 12, contact holes 18 b and 18 c are formed in the first organic light emitting layer 12. As a forming method, laser processing is preferable, and a known method generally used for thin film processing such as YAG laser (including SHG and THG) and excimer laser can be used. A desired position is obtained by irradiating the laser light on the organic light emitting layer 12 in a predetermined pattern by scanning the laser light to a few μm, or by using a planar light source through a mask that passes through the contact hole portion. Contact holes 18b and 18c are formed in the substrate. The diameters of the contact holes 18b and 18c are preferably 2 μm to 15 μm.

次に、第2電極13a,13b,13cをパターニング形成する。このとき、コンタクトホール18b,18cを介して、第1電極11b,11cと第2電極13b,13cとが、それぞれ接続される。第2電極13aの電極材料としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜を用いることが好ましい。さらに、Ag、Alなどの金属材料を10nm〜30nm程度の膜厚で形成した半透過膜を用いてもよい。第2電極13bの電極材料としては、光反射性の部材であることが好ましく、例えばCr、Al、Ag、Au、Pt等の反射率の高い材料を用いることが好ましい。このように、第2電極13aと第2電極13bで反射率を異なるようにする。パターニング方法としては、表示領域1の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工を行うこともできるが、メタルマスクを用いて選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を絶縁性基板10と対向させて、レーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   Next, the second electrodes 13a, 13b, and 13c are formed by patterning. At this time, the first electrodes 11b and 11c are connected to the second electrodes 13b and 13c through the contact holes 18b and 18c, respectively. As the electrode material of the second electrode 13a, a material having high transmittance is preferable. For example, a transparent conductive film such as ITO, IZO, ZnO, or an organic conductive film such as polyacetylene is preferably used. Further, a semi-transmissive film in which a metal material such as Ag or Al is formed with a film thickness of about 10 nm to 30 nm may be used. The electrode material of the second electrode 13b is preferably a light-reflective member. For example, it is preferable to use a material having high reflectivity such as Cr, Al, Ag, Au, and Pt. Thus, the reflectance is made different between the second electrode 13a and the second electrode 13b. As a patterning method, the above-described laser processing can be performed after forming an electrode material in the entire display region 1, but it may be selectively formed using a metal mask. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be opposed to the insulating substrate 10 and selectively transferred by laser ablation.

次に、上述したのと同様の方法で、第2有機発光層14、コンタクトホール19a,19c、第3電極15a,15b,15c、第3有機発光層16、コンタクトホール20a,20bを順次形成する。なお、第3電極15a,15bは透過率の高い材料が好ましく、第3電極15cは光反射性の部材であることが好ましい。   Next, the second organic light emitting layer 14, the contact holes 19a and 19c, the third electrodes 15a, 15b and 15c, the third organic light emitting layer 16 and the contact holes 20a and 20b are sequentially formed by the same method as described above. . The third electrodes 15a and 15b are preferably made of a material having high transmittance, and the third electrode 15c is preferably a light reflective member.

次に、第4電極21をスパッタ等により形成する。第4電極21の材料としては、透過率の高い材料が好ましい。さらに、保護膜22として、窒化酸化シリコンを成膜して有機EL表示装置を得た。   Next, the fourth electrode 21 is formed by sputtering or the like. As a material of the fourth electrode 21, a material having a high transmittance is preferable. Furthermore, silicon nitride oxide was formed as the protective film 22 to obtain an organic EL display device.

このようにして形成された有機EL表示装置の等価回路を図3に示す。図3は、本発明の実施例1に係る有機EL表示装置の等価回路を示す図である。   An equivalent circuit of the organic EL display device thus formed is shown in FIG. FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention.

上述したように、第1サブピクセルP1においては、第2電極13aと第3電極15aとがコンタクトホール19aを介して接続(短絡)されている。また、第3電極15aと第4電極21とがコンタクトホール20aを介して接続(短絡)されている。このように、上下電極が短絡された発光素子は、その間に狭持された有機発光層に実効的な電圧が印加されない構成となるため、実効的な発光を生じることはない。以下、積層された発光素子の一部の発光素子に実効的な発光を生じないような処理を非発光処理と称する。実施例1では、上下電極の短絡が非発光処理である。この非発光処理の結果、第1サブピクセルP1では、第1有機発光層12にのみ実効的な電圧が印加される構成となっている。同様に、第2サブピクセルP2においては第2有機発光層14にのみ実効的な電圧が印加され、第3サブピクセルP3においては第3有機発光層16にのみ実効的な電圧が印加される構成となっている。なお、ここでいう「実効的な電圧」とは、所望の発光輝度を得るために印加される電圧の意味であり、リーク電流の発生などによる意図しない電圧の発生は除かれる。   As described above, in the first subpixel P1, the second electrode 13a and the third electrode 15a are connected (short-circuited) via the contact hole 19a. The third electrode 15a and the fourth electrode 21 are connected (short-circuited) via the contact hole 20a. As described above, the light emitting element in which the upper and lower electrodes are short-circuited has a configuration in which an effective voltage is not applied to the organic light emitting layer sandwiched therebetween, and thus does not emit light effectively. Hereinafter, a process that does not cause effective light emission to some of the light-emitting elements in the stacked light-emitting elements is referred to as a non-light-emitting process. In Example 1, the short circuit between the upper and lower electrodes is a non-light emitting process. As a result of this non-light emitting process, the first subpixel P1 is configured to apply an effective voltage only to the first organic light emitting layer 12. Similarly, an effective voltage is applied only to the second organic light emitting layer 14 in the second subpixel P2, and an effective voltage is applied only to the third organic light emitting layer 16 in the third subpixel P3. It has become. Here, the “effective voltage” means a voltage applied to obtain a desired light emission luminance, and an unintended voltage generation due to a leak current is excluded.

図3に示すように、各サブピクセルは、スイッチング用TFT101a,101b,101cと駆動用TFT102a,102b,102cと、積層された発光素子と、コンデンサ103a,103b,103cで構成されている。   As shown in FIG. 3, each subpixel includes switching TFTs 101a, 101b, and 101c, driving TFTs 102a, 102b, and 102c, stacked light emitting elements, and capacitors 103a, 103b, and 103c.

ここで、スイッチング用TFT101a,101b,101cのゲート電極はゲート信号線105に接続されている。また、スイッチング用TFT101a,101b,101cのソース領域はソース信号線106a,106b,106cに接続され、ドレイン領域は駆動用TFT102a,102b,102cのゲート電極に接続されている。また、駆動用TFT102a,102b,102cのソース領域は電源供給線107に接続され、ドレイン領域は発光素子の一端の第1電極11a,11b,11cに接続されている。なお、発光素子の他端は、第4電極21(GND接続)に接続されている。また、コンデンサ103a,103b,103cの電極のそれぞれは駆動用TFT102a,102b,102cのゲート電極と電源供給線107(電位5V)とに接続されるようになっている。このように、駆動用TFT102a,102b,102cと発光素子が直列に接続されており、発光素子に流れる電流は、ソース信号線106a,106b,106cから供給されるデータ信号に応じて駆動用TFT102a,102b,102cで制御される。なお、この画素回路は電流プログラミング方式と呼ばれる公知の回路構成を適用したものであり、詳しい動作については説明を省略する。また、本実施形態の構成では、サブピクセルの各々は独立に駆動可能であるため、RGB3色の同時発光が可能である。   Here, the gate electrodes of the switching TFTs 101 a, 101 b, and 101 c are connected to the gate signal line 105. The source regions of the switching TFTs 101a, 101b, and 101c are connected to the source signal lines 106a, 106b, and 106c, and the drain regions are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 102a, 102b, and 102c. The source regions of the driving TFTs 102a, 102b, and 102c are connected to the power supply line 107, and the drain region is connected to the first electrodes 11a, 11b, and 11c at one end of the light emitting element. Note that the other end of the light emitting element is connected to the fourth electrode 21 (GND connection). The electrodes of the capacitors 103a, 103b, and 103c are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 102a, 102b, and 102c and the power supply line 107 (potential 5V). In this manner, the driving TFTs 102a, 102b, and 102c and the light emitting elements are connected in series, and the current flowing through the light emitting elements is determined according to the data signals supplied from the source signal lines 106a, 106b, and 106c. Control is performed by 102b and 102c. Note that this pixel circuit uses a known circuit configuration called a current programming method, and a detailed description of the operation is omitted. Further, in the configuration of the present embodiment, since each of the sub-pixels can be driven independently, simultaneous emission of RGB three colors is possible.

この際、発光色に応じて、第1有機発光層12、第2有機発光層14、第3有機発光層16の膜厚を、各有機発光層を挟持する電極との光学的距離及び反射率に基づいて設定する。これにより、積層構成においても微小共振構造を導入できる有機EL表示装置を提供することができる。   At this time, the film thicknesses of the first organic light-emitting layer 12, the second organic light-emitting layer 14, and the third organic light-emitting layer 16 are determined according to the emission color, and the optical distance and reflectance with respect to the electrodes sandwiching each organic light-emitting layer. Set based on. Thereby, it is possible to provide an organic EL display device capable of introducing a microresonance structure even in a laminated configuration.

図4は、本発明の実施例2に係る有機EL表示装置の1画素(ピクセル)領域における断面構造を模式的に示す図である。図4に示す断面構造を有する画素がマトリクス状に複数配置され、図2に示す有機EL表示装置の表示領域1が構成される。なお、実施例2の有機EL表示装置は、トップエミッション型である。   FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure in one pixel (pixel) region of an organic EL display device according to Example 2 of the present invention. A plurality of pixels having the cross-sectional structure shown in FIG. 4 are arranged in a matrix, and the display region 1 of the organic EL display device shown in FIG. 2 is configured. The organic EL display device of Example 2 is a top emission type.

図4において、30は必要に応じてTFTを含む画素回路が形成された絶縁性基板を示す。また、図4において、31は第1電極、33a,33bは第2電極、35a,35bは第3電極、41は第4電極、32は第1有機発光層、34は第2有機発光層、36は第3有機発光層、38b、39aはコンタクトホールを示す。さらに、図4において、42は保護膜、43は電源手段を示す。実施例2の各有機発光層は3層構成となっており、電子輸送層、発光層、正孔輸送層で構成されている。また、有機発光層及び電極の材料、成膜法は、上述した実施例1と同様であるため、詳しい説明は省略する。   In FIG. 4, reference numeral 30 denotes an insulating substrate on which a pixel circuit including TFTs is formed as necessary. In FIG. 4, 31 is a first electrode, 33a and 33b are second electrodes, 35a and 35b are third electrodes, 41 is a fourth electrode, 32 is a first organic light emitting layer, 34 is a second organic light emitting layer, Reference numeral 36 denotes a third organic light emitting layer, and 38b and 39a denote contact holes. Further, in FIG. 4, reference numeral 42 denotes a protective film, and 43 denotes power supply means. Each organic light emitting layer of Example 2 has a three-layer structure, and is composed of an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer. Further, the materials of the organic light emitting layer and the electrode, and the film forming method are the same as those in the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

実施例2の有機EL表示装置は、1画素が第1サブピクセルP1と第2サブピクセルP2とで構成されている。絶縁性基板30の上には、その画素領域に第1電極31が形成されている。また、第1電極31と第4電極41はサブピクセル間で共通の電極となっている。さらに、第1電極31と第4電極41とは接続されている。第1電極31と第4電極41の接続箇所は、表示領域内または表示領域外のいずれであってもよく、同じ電圧が供給される。   In the organic EL display device according to the second embodiment, one pixel includes a first subpixel P1 and a second subpixel P2. On the insulating substrate 30, a first electrode 31 is formed in the pixel region. The first electrode 31 and the fourth electrode 41 are common electrodes between the subpixels. Further, the first electrode 31 and the fourth electrode 41 are connected. The connection location of the first electrode 31 and the fourth electrode 41 may be either in the display area or outside the display area, and the same voltage is supplied.

また、レーザー加工により、コンタクトホール38b、39aが形成されており、第1サブピクセルP1の第2電極33aと第3電極35aとが接続(短絡)され、第2サブピクセルP2の第1電極31と第2電極33bが接続(短絡)されている。上述した実施例1と同様に、実施例2ではこの短絡が非発光処理となる。   Further, contact holes 38b and 39a are formed by laser processing, the second electrode 33a and the third electrode 35a of the first subpixel P1 are connected (short-circuited), and the first electrode 31 of the second subpixel P2 is connected. And the second electrode 33b are connected (short-circuited). Similar to Example 1 described above, in Example 2, this short circuit is a non-light emitting process.

このように、実施例2においては、第1有機発光層32、第2有機発光層34、第3有機発光層36を塗分ける必要がない上、サブピクセル数が2つと、第1の実施例よりも少ないため、開口率を高くすることができる。   As described above, in the second embodiment, it is not necessary to separately coat the first organic light emitting layer 32, the second organic light emitting layer 34, and the third organic light emitting layer 36, and the number of subpixels is two. Therefore, the aperture ratio can be increased.

このようにして形成された有機EL表示装置の各画素の回路を図5に示す。図5は、本発明の実施例2に係る有機EL表示装置の等価回路を示す図である。   FIG. 5 shows a circuit of each pixel of the organic EL display device thus formed. FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device according to Embodiment 2 of the present invention.

図5に示すように、各サブピクセルは、スイッチング用TFT201a,201bと、駆動用TFT202a,202bと、積層された発光素子とコンデンサ203a,203bとで構成されている。ここで、スイッチング用TFT201a,201bのゲート電極はゲート信号線205に接続されている。また、スイッチング用TFT201a,201bのソース領域はソース信号線206a,206bに接続され、ドレイン領域は駆動用TFT202a,202bのゲート電極に接続されている。また、駆動用TFT202a,202bのソース領域は電源供給線207に接続され、ドレイン領域は発光素子の一端の電極に接続される。また、図4に示す第1サブピクセルP1において、ドレイン領域は第3電極35aに接続され、第2サブピクセルP2においても同様に第3電極35bに接続されている。なお、発光素子の他端の電極は、第4電極41に接続されている。また、コンデンサ203a,203bの電極のそれぞれは駆動用TFT202a,202bのゲート電極とGNDとに接続されている。このように、駆動用TFT202a,202bと発光素子が直列に接続されており、発光素子に流れる電流をソース信号線206a,206bから供給されるデータ信号に応じて駆動用TFT202a,202bで制御することにより発光制御される。   As shown in FIG. 5, each subpixel includes switching TFTs 201a and 201b, driving TFTs 202a and 202b, stacked light emitting elements, and capacitors 203a and 203b. Here, the gate electrodes of the switching TFTs 201 a and 201 b are connected to the gate signal line 205. The source regions of the switching TFTs 201a and 201b are connected to the source signal lines 206a and 206b, and the drain regions are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 202a and 202b. The source regions of the driving TFTs 202a and 202b are connected to the power supply line 207, and the drain region is connected to an electrode at one end of the light emitting element. In the first subpixel P1 shown in FIG. 4, the drain region is connected to the third electrode 35a, and the second subpixel P2 is connected to the third electrode 35b in the same manner. The electrode at the other end of the light emitting element is connected to the fourth electrode 41. The electrodes of the capacitors 203a and 203b are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 202a and 202b and GND. Thus, the driving TFTs 202a and 202b and the light emitting elements are connected in series, and the current flowing through the light emitting elements is controlled by the driving TFTs 202a and 202b in accordance with the data signals supplied from the source signal lines 206a and 206b. The light emission is controlled by.

次に、実施例2の有機EL表示装置の駆動方法について、図6を参照して説明する。図6は、有機EL表示装置の駆動波形の一例を示す図である。   Next, a driving method of the organic EL display device of Example 2 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a driving waveform of the organic EL display device.

図6に示すように、時間t1において、ゲート信号線205の電位をVgに設定すると、スイッチング用TFT201a,201bがON状態となる。これにより、ソース信号線206a,206bの電位Vsig1がスイッチング用TFT201a,201bを介してコンデンサ203a,203b及び駆動用TFT202a,202bのゲート容量に充電される。   As shown in FIG. 6, when the potential of the gate signal line 205 is set to Vg at time t1, the switching TFTs 201a and 201b are turned on. As a result, the potential Vsig1 of the source signal lines 206a and 206b is charged to the gate capacitances of the capacitors 203a and 203b and the driving TFTs 202a and 202b via the switching TFTs 201a and 201b.

時間t2において、ゲート信号線205の電位が0Vに設定され、スイッチング用TFT201a,201bがOFF状態となり、コンデンサ203a,203bに充電された電圧が保持される。   At time t2, the potential of the gate signal line 205 is set to 0V, the switching TFTs 201a and 201b are turned off, and the voltages charged in the capacitors 203a and 203b are held.

時間t3において、第1電極31及び第4電極41の電位がVcに設定される。このとき、電源供給線207は0Vのままなので、有機発光層及び駆動用TFT202a,202bのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第1有機発光層32及び第2有機発光層34に第2電極33aと第3電極35bから電子が注入されるとともに、第1電極31及び第2電極33bからホールが注入され発光が得られる。この発光が保護膜42側から射出される。なお、第3有機発光層36には逆方向電圧が印加されるため、発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用TFT202a,202bで制御され、コンデンサ203a,203bに充電された電圧に応じて、駆動用TFT202a,202bのソースドレイン間に電流I1が流れる。この状態は、時間t4まで維持される。   At time t3, the potentials of the first electrode 31 and the fourth electrode 41 are set to Vc. At this time, since the power supply line 207 remains at 0 V, a potential difference is generated between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 202a and 202b. Thus, electrons are injected from the second electrode 33a and the third electrode 35b into the first organic light emitting layer 32 and the second organic light emitting layer 34, and holes are injected from the first electrode 31 and the second electrode 33b to emit light. can get. This emitted light is emitted from the protective film 42 side. Note that no light is emitted because a reverse voltage is applied to the third organic light emitting layer 36. The current flowing in the organic light emitting layer is controlled by the driving TFTs 202a and 202b, and a current I1 flows between the source and drain of the driving TFTs 202a and 202b in accordance with the voltage charged in the capacitors 203a and 203b. This state is maintained until time t4.

時間t4において、第1電極31及び第4電極41の電位が0Vに設定される。すると、有機発光層及び駆動用TFT202a,202bのソースドレイン間に電位差がなくなるので、第1有機発光層32及び第2有機発光層34は発光しなくなる。続いて、第3有機発光層36を発光させるための信号Vsig2がソース信号線206a,206bに設定される。   At time t4, the potentials of the first electrode 31 and the fourth electrode 41 are set to 0V. Then, since there is no potential difference between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 202a and 202b, the first organic light emitting layer 32 and the second organic light emitting layer 34 do not emit light. Subsequently, a signal Vsig2 for causing the third organic light emitting layer 36 to emit light is set to the source signal lines 206a and 206b.

時間t5において、ゲート信号線205の電位をVgに設定すると、スイッチング用TFT201a,201bがON状態となる。これにより、ソース信号線206a,206bの電位Vsig2がスイッチング用TFT201a,201bを介してコンデンサ203a,203b及び駆動用TFT202a,202bのゲート容量に充電される。   At time t5, when the potential of the gate signal line 205 is set to Vg, the switching TFTs 201a and 201b are turned on. As a result, the potential Vsig2 of the source signal lines 206a and 206b is charged to the gate capacitances of the capacitors 203a and 203b and the driving TFTs 202a and 202b via the switching TFTs 201a and 201b.

時間t6において、ゲート信号線205の電位が0Vに設定され、スイッチング用TFT201a,201bがOFF状態となり、コンデンサ203a,203bに充電された電圧が保持される。   At time t6, the potential of the gate signal line 205 is set to 0V, the switching TFTs 201a and 201b are turned off, and the voltages charged in the capacitors 203a and 203b are held.

時間t7において、電源供給線207の電位がVcに設定される。このとき、第1電極31及び第4電極41の電位が0Vなので、有機発光層及び駆動用TFT202a,202bのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第3有機発光層36に第4電極41から電子が注入されるとともに、第3電極35a,35bからホールが注入され、電子とホールの再結合により励起された有機分子が基底状態に緩和するときに発光が得られる。この発光が保護膜42側から射出される。なお、第1有機発光層32及び第2有機発光層34には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用TFT202a,202bで制御され、コンデンサ203a,203bに充電された電圧に応じて、駆動用TFT202a,202bのソースドレイン間に電流I2が流れる。この状態は、時間t8まで維持される。   At time t7, the potential of the power supply line 207 is set to Vc. At this time, since the potentials of the first electrode 31 and the fourth electrode 41 are 0 V, a potential difference is generated between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 202a and 202b. As a result, electrons are injected from the fourth electrode 41 into the third organic light emitting layer 36 and holes are injected from the third electrodes 35a and 35b, so that the organic molecules excited by the recombination of electrons and holes are brought into the ground state. Luminescence is obtained when relaxing. This emitted light is emitted from the protective film 42 side. The first organic light emitting layer 32 and the second organic light emitting layer 34 do not emit light because a reverse voltage is applied. The current flowing in the organic light emitting layer is controlled by the driving TFTs 202a and 202b, and a current I2 flows between the source and drain of the driving TFTs 202a and 202b in accordance with the voltage charged in the capacitors 203a and 203b. This state is maintained until time t8.

時間t8において、電源供給線207の電位が0Vに設定される。すると、有機発光層及び駆動用TFT202a,202bのソースドレイン間に電位差がなくなるので、第3有機発光層36は発光しなくなる。   At time t8, the potential of the power supply line 207 is set to 0V. Then, since there is no potential difference between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 202a and 202b, the third organic light emitting layer 36 does not emit light.

上述した動作を繰り返すことで、第1有機発光層32、第2有機発光層34、第3有機発光層36を時分割で発光させることができる。具体的には、電源手段43は、人間が識別できない程度、例えば60Hz程度あるいはそれ以上高い周期で駆動され、これにより、第1有機発光層32、第2有機発光層34の発光色と第3有機発光層36の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。   By repeating the above-described operation, the first organic light emitting layer 32, the second organic light emitting layer 34, and the third organic light emitting layer 36 can emit light in a time division manner. Specifically, the power source means 43 is driven with a period that cannot be identified by humans, for example, about 60 Hz or higher, so that the emission colors of the first organic light emitting layer 32 and the second organic light emitting layer 34 and the third Light of any mixed color with the emission color of the organic light emitting layer 36 can be expressed.

実施例2において、第1電極31、第2電極33bを反射電極とし、第2電極33a、第3電極35a、35bをそれぞれ反射率及び透過率の最適化された中間電極とし、第4電極41を透明電極とする。この場合、反射電極は完全反射電極とすることができる。さらに、発光色に応じて第1有機発光層32、第2有機発光層34、第3有機発光層36の膜厚を各反射電極との光学的距離に基づいて調整することで積層構成においても微小共振構造を導入できる有機EL表示装置を提供することができる。   In the second embodiment, the first electrode 31 and the second electrode 33b are reflective electrodes, and the second electrode 33a and the third electrodes 35a and 35b are intermediate electrodes with optimized reflectivity and transmittance, respectively. Is a transparent electrode. In this case, the reflective electrode can be a fully reflective electrode. Further, in the laminated structure, the film thicknesses of the first organic light emitting layer 32, the second organic light emitting layer 34, and the third organic light emitting layer 36 are adjusted based on the optical distance to each reflective electrode in accordance with the emission color. An organic EL display device capable of introducing a microresonance structure can be provided.

図7は、本発明の実施例3に係る有機EL表示装置の1画素(ピクセル)領域における断面構造を模式的に示した図である。図7に示す断面構造を有する画素がマトリクス状に複数配置され、図2に示す有機EL表示装置の表示領域1が構成される。なお、実施例2の有機EL表示装置は、トップエミッション型である。   FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure in one pixel area of an organic EL display device according to Example 3 of the present invention. A plurality of pixels having the cross-sectional structure shown in FIG. 7 are arranged in a matrix, and the display region 1 of the organic EL display device shown in FIG. 2 is configured. The organic EL display device of Example 2 is a top emission type.

図7において、30は必要に応じてTFTを含む画素回路が形成された絶縁性基板を示す。また、31は第1電極、33aは第2電極、35bは第3電極、41は第4電極、32は第1有機発光層、34は第2有機発光層、36は第3有機発光層を示す。また、図7において、42は保護膜、43は電源手段を示す。実施例3の各有機発光層は3層構成となっており、電子輸送層/発光層/正孔輸送層で構成されている。また、有機発光層及び電極の材料、成膜法は上述した実施例1と同様であるため、詳しい説明は省略する。ただし、実施例3において、第2電極33a及び第3電極35bについては半透過性の電極を用いており、光透過性とともに光反射性も持っている。例えば、Cr、Al、Ag、Au、Pt等の反射率の高い材料を薄膜としたものが好ましい。この際、膜厚は所望の反射率及び透過率を達成するよう設定される。第2電極33aと第3電極35bの反射率及び透過率は、各発光色に応じて異なっている。   In FIG. 7, reference numeral 30 denotes an insulating substrate on which a pixel circuit including TFTs is formed as necessary. Reference numeral 31 denotes a first electrode, 33a denotes a second electrode, 35b denotes a third electrode, 41 denotes a fourth electrode, 32 denotes a first organic light emitting layer, 34 denotes a second organic light emitting layer, and 36 denotes a third organic light emitting layer. Show. In FIG. 7, reference numeral 42 denotes a protective film, and 43 denotes power supply means. Each organic light emitting layer of Example 3 has a three-layer structure, and is composed of an electron transport layer / a light emitting layer / a hole transport layer. In addition, since the materials of the organic light emitting layer and the electrode and the film forming method are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof is omitted. However, in Example 3, the second electrode 33a and the third electrode 35b are semi-transmissive electrodes and have light reflectivity as well as light transmittance. For example, a thin film made of a material having high reflectance such as Cr, Al, Ag, Au, or Pt is preferable. At this time, the film thickness is set so as to achieve desired reflectance and transmittance. The reflectivity and transmissivity of the second electrode 33a and the third electrode 35b are different depending on each emission color.

上述した有機EL表示装置は、1画素が第1サブピクセルP1と第2サブピクセルP2とで構成されている。絶縁性基板30の上には、その画素領域に第1電極31が形成されている。また、第1電極31と第4電極41はサブピクセル間で共通の電極となっている。さらに、第1電極31と第4電極41とは接続されている。第1電極31と第4電極41との接続箇所は、表示領域内または表示領域外のいずれであってもよく、同じ電圧が供給される。   In the organic EL display device described above, one pixel is composed of a first subpixel P1 and a second subpixel P2. On the insulating substrate 30, a first electrode 31 is formed in the pixel region. The first electrode 31 and the fourth electrode 41 are common electrodes between the subpixels. Further, the first electrode 31 and the fourth electrode 41 are connected. The connection location between the first electrode 31 and the fourth electrode 41 may be either in the display area or outside the display area, and the same voltage is supplied.

このように、実施例3においては、第3有機発光層36を塗分ける必要がないためプロセスの簡略化が図れる。また、第1有機発光層32と第2有機発光層34とを塗り分けることで有機層の積層が2つで済み、3層積層の場合と比較して光取出し効率を向上できる。また、サブピクセル数が2つと、第1の実施例よりも少ないため、開口率を高くすることができる。   Thus, in Example 3, since it is not necessary to coat the third organic light emitting layer 36, the process can be simplified. Further, by coating the first organic light emitting layer 32 and the second organic light emitting layer 34 separately, only two organic layers need be stacked, and the light extraction efficiency can be improved as compared with the case of three layers. Further, since the number of subpixels is two, which is smaller than that of the first embodiment, the aperture ratio can be increased.

このようにして形成された有機EL表示装置の各画素の回路を図8に示す。図8は、本発明の実施例3に係る有機EL表示装置の等価回路を示す図である。   A circuit of each pixel of the organic EL display device thus formed is shown in FIG. FIG. 8 is a diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device according to Example 3 of the present invention.

図8に示すように、各サブピクセルは、スイッチング用TFT201a,201bと、駆動用TFT202a,202bと、積層された発光素子とコンデンサ203a,203bで構成されている。ここで、スイッチング用TFT201a,201bのゲート電極はゲート信号線205に接続されている。また、スイッチング用TFT201a,201bのソース領域はソース信号線206a,206bに接続され、ドレイン領域は駆動用TFT202a,202bのゲート電極に接続されている。また、駆動用TFT202a,202bのソース領域は電源供給線207に接続され、ドレイン領域は発光素子の一端の電極に接続されている。また、図7に示す第1サブピクセルP1において、ドレイン領域は第2電極33aに接続され、第2サブピクセルP2においても同様に第3電極35bに接続されている。なお、発光素子の他端の電極は第4電極41に接続されている。また、コンデンサ203a,203bの電極のそれぞれは駆動用TFT202a,202bのゲート電極とGNDとに接続されるように形成されている。このように、駆動用TFT202a,202bと発光素子が直列に接続されており、発光素子に流れる電流をソース信号線206a,206bから供給されるデータ信号に応じて駆動用TFT202a,202bで制御することにより発光制御される。   As shown in FIG. 8, each subpixel includes switching TFTs 201a and 201b, driving TFTs 202a and 202b, stacked light emitting elements, and capacitors 203a and 203b. Here, the gate electrodes of the switching TFTs 201 a and 201 b are connected to the gate signal line 205. The source regions of the switching TFTs 201a and 201b are connected to the source signal lines 206a and 206b, and the drain regions are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 202a and 202b. The source regions of the driving TFTs 202a and 202b are connected to the power supply line 207, and the drain region is connected to an electrode at one end of the light emitting element. In the first subpixel P1 shown in FIG. 7, the drain region is connected to the second electrode 33a, and the second subpixel P2 is also connected to the third electrode 35b. The electrode at the other end of the light emitting element is connected to the fourth electrode 41. The electrodes of the capacitors 203a and 203b are formed so as to be connected to the gate electrodes of the driving TFTs 202a and 202b and GND. Thus, the driving TFTs 202a and 202b and the light emitting elements are connected in series, and the current flowing through the light emitting elements is controlled by the driving TFTs 202a and 202b in accordance with the data signals supplied from the source signal lines 206a and 206b. The light emission is controlled by.

実施例3の有機EL表示装置の駆動方法については、実施例2と同じであるため説明を省略する。   Since the driving method of the organic EL display device of the third embodiment is the same as that of the second embodiment, the description thereof is omitted.

実施例3において、第1電極31を反射電極とし、第2電極33a及び第3電極35bを光透過性とともに光反射性を持つ電極とし、第4電極41を透明電極とする。この場合、反射電極は完全反射電極とすることができる。さらに、発光色に応じて、第1有機発光層32、第2有機発光層34、第3有機発光層36の膜厚と、第2電極33a、第3電極35bの光透過及び反射特性を、光学設計に基づいて個別に調整する。これにより、積層構成においても微小共振構造を導入できる有機EL表示装置を提供することができる。   In the third embodiment, the first electrode 31 is a reflective electrode, the second electrode 33a and the third electrode 35b are light transmissive and light reflective electrodes, and the fourth electrode 41 is a transparent electrode. In this case, the reflective electrode can be a fully reflective electrode. Further, according to the emission color, the film thicknesses of the first organic light emitting layer 32, the second organic light emitting layer 34, and the third organic light emitting layer 36, and the light transmission and reflection characteristics of the second electrode 33a and the third electrode 35b, Adjust individually based on optical design. Thereby, it is possible to provide an organic EL display device capable of introducing a microresonance structure even in a laminated configuration.

本発明の実施例1に係る有機EL表示装置の1画素を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing one pixel of an organic EL display device according to Example 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係る有機EL表示装置を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view showing an organic EL display device according to Example 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係る有機EL表示装置の等価回路を示す図。1 is a diagram showing an equivalent circuit of an organic EL display device according to Example 1 of the present invention. 本発明の実施例2に係る有機EL表示装置の1画素を示す概略断面図。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing one pixel of an organic EL display device according to Example 2 of the invention. 本発明の実施例2に係る有機EL表示装置の等価回路を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating an equivalent circuit of an organic EL display device according to Example 2 of the invention. 有機EL表示装置の駆動波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the drive waveform of an organic electroluminescence display. 本発明の実施例3に係る有機EL表示装置の1画素を示す概略断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing one pixel of an organic EL display device according to Example 3 of the invention. 本発明の実施例3に係る有機EL表示装置の等価回路を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating an equivalent circuit of an organic EL display device according to Example 3 of the invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 表示領域
2 画素
10 絶縁性基板
11a,11b,11c 第1電極
12 第1有機発光層
13a,13b,13c第2電極
14 第2有機発光層
15a,15b,15c 第3電極
16 第3有機発光層
18b,18c,19a,19c,20a,20b コンタクトホール
21 第4電極
22 保護膜
23 電源手段
30 絶縁性基板
31 第1電極
32 第1有機発光層
33a,33b 第2電極
34 第2有機発光層
35a,35b 第3電極
36 第3有機発光層
38b,39a コンタクトホール
41 第4電極
42 保護膜
43 電源手段
101a,101b,101c スイッチング用TFT
102a,102b,101c 駆動用TFT
103a,103b,103c コンデンサ
105 ゲート信号線
106a,106b,106c ソース信号線
107 電源供給線
201a,201b スイッチング用TFT
202a,202b 駆動用TFT
203a,203b コンデンサ
205 ゲート信号線
206a,206b ソース信号線
207 電源供給線
P1 第1サブピクセル
P2 第2サブピクセル
P3 第3サブピクセル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display area 2 Pixel 10 Insulating substrate 11a, 11b, 11c 1st electrode 12 1st organic light emitting layer 13a, 13b, 13c 2nd electrode 14 2nd organic light emitting layer 15a, 15b, 15c 3rd electrode 16 3rd organic light emission Layer 18b, 18c, 19a, 19c, 20a, 20b Contact hole 21 Fourth electrode 22 Protective film 23 Power supply means 30 Insulating substrate 31 First electrode 32 First organic light emitting layer 33a, 33b Second electrode 34 Second organic light emitting layer 35a, 35b Third electrode 36 Third organic light emitting layer 38b, 39a Contact hole 41 Fourth electrode 42 Protective film 43 Power supply means 101a, 101b, 101c Switching TFT
102a, 102b, 101c Driving TFT
103a, 103b, 103c Capacitor 105 Gate signal line 106a, 106b, 106c Source signal line 107 Power supply line 201a, 201b Switching TFT
202a, 202b Driving TFT
203a, 203b Capacitor 205 Gate signal line 206a, 206b Source signal line 207 Power supply line P1 First subpixel P2 Second subpixel P3 Third subpixel

Claims (3)

少なくとも1つ以上の画素を有し、前記画素は、少なくとも2つ以上のサブピクセルで構成され、前記サブピクセルは、少なくとも第1の電極層、第1の有機発光層、中間電極層、第2の有機発光層、第2の電極層が積層された構造を含む有機EL表示装置であって、
前記画素内の少なくとも1つのサブピクセルにおいて、中間電極層の上面側の反射率が他のサブピクセルの中間電極層の上面側の反射率と異なることを特徴とする有機EL表示装置。
The pixel includes at least one pixel, and the pixel includes at least two subpixels. The subpixel includes at least a first electrode layer, a first organic light emitting layer, an intermediate electrode layer, a second An organic EL display device including a structure in which an organic light emitting layer and a second electrode layer are laminated,
The organic EL display device, wherein the reflectance of the upper surface side of the intermediate electrode layer is different from the reflectance of the upper surface side of the intermediate electrode layer of another subpixel in at least one subpixel in the pixel.
前記画素を構成するいずれかのサブピクセルの中間電極層は、完全反射電極であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the intermediate electrode layer of any one of the sub-pixels constituting the pixel is a complete reflection electrode. 前記画素は、2つのサブピクセルから構成され、
各サブピクセルは、第1の電極層、第1の有機発光層、第1の中間電極層、第2の有機発光層、第2の中間電極層、第3の有機発光層、第2の電極層からなり、
前記第1の中間電極層の反射率がサブピクセル毎にそれぞれ異なることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
The pixel is composed of two sub-pixels,
Each subpixel includes a first electrode layer, a first organic light emitting layer, a first intermediate electrode layer, a second organic light emitting layer, a second intermediate electrode layer, a third organic light emitting layer, and a second electrode. Consist of layers,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the reflectance of the first intermediate electrode layer is different for each subpixel.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019144539A (en) * 2018-02-20 2019-08-29 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus

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