JP2010026117A - Display and method of driving the same, and electronic equipment - Google Patents

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直史 豊村
Katsuhide Uchino
勝秀 内野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a driving method, a driving device, and a display that prevent a potential difference V<SB>gs</SB>from being lower than V<SB>th</SB>when the V<SB>th</SB>is corrected. <P>SOLUTION: The voltage of a gate line WSL is V<SB>off</SB>, the voltage of a drain line DSL provided according to a unit U1 is V<SB>cc</SB>, and the voltage of a drain line DSL provided according to a unit U2 adjacent to the unit U1 is V<SB>ss</SB>. In this case, while the voltage of the drain line DSL provided according to the u nit U1 is raised from V<SB>ss</SB>to V<SB>cc</SB>, the voltage of the drain line DSL provided according to the unit U2 is lowered from V<SB>ss</SB>toV<SB>cc</SB>. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子および画素回路を画素ごとに有する表示部と、画素回路を駆動する駆動部とを備えた表示装置およびその駆動方法に関する。また、本発明は、上記表示装置を備えた電子機器に関する。   The present invention relates to a display device including a display unit having a light emitting element and a pixel circuit for each pixel, and a driving unit for driving the pixel circuit, and a driving method thereof. Moreover, this invention relates to the electronic device provided with the said display apparatus.

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機EL(electro luminescence)素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。   In recent years, in the field of display devices that perform image display, display devices that use current-driven optical elements, such as organic EL (electroluminescence) elements, whose light emission luminance changes according to the value of a flowing current are used as light emitting elements of pixels. Developed and commercialized.

有機EL素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機EL素子を用いた表示装置(有機EL表示装置)では、光源(バックライト)が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速い。   Unlike a liquid crystal element or the like, the organic EL element is a self-luminous element. Therefore, a display device (organic EL display device) using an organic EL element does not require a light source (backlight), and thus has higher image visibility and lower power consumption than a liquid crystal display device that requires a light source. And the response speed of the element is fast.

有機EL表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純(パッシブ)マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は、構造が単純であるものの、大型かつ高精細の表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、画素ごとに配した発光素子に流れる電流を、発光素子ごとに設けた駆動回路内に設けた能動素子(一般にはTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ))によって制御するものである。   In the organic EL display device, similarly to the liquid crystal display device, there are a simple (passive) matrix method and an active matrix method as driving methods. Although the former has a simple structure, there is a problem that it is difficult to realize a large-sized and high-definition display device. For this reason, active matrix systems are currently being actively developed. In this method, a current flowing through a light emitting element arranged for each pixel is controlled by an active element (generally a TFT (Thin Film Transistor)) provided in a drive circuit provided for each light emitting element.

ところで、一般的に、有機EL素子の電流−電圧(I−V)特性は、時間の経過に従って劣化(経時劣化)する。有機EL素子を電流駆動する画素回路では、有機EL素子のI−V特性が経時変化すると、有機EL素子と、有機EL素子に直列に接続された駆動トランジスタとの分圧比が変化するので、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Vgsも変化する。その結果、駆動トランジスタに流れる電流値が変化するので、有機EL素子に流れる電流値も変化し、その電流値に応じて発光輝度も変化する。 By the way, in general, the current-voltage (IV) characteristics of the organic EL element deteriorate (deteriorate with time) as time elapses. In a pixel circuit that current-drives an organic EL element, when the IV characteristic of the organic EL element changes with time, the voltage division ratio between the organic EL element and the drive transistor connected in series to the organic EL element changes. The gate-source voltage V gs of the transistor also changes. As a result, since the current value flowing through the drive transistor changes, the current value flowing through the organic EL element also changes, and the light emission luminance also changes according to the current value.

また、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Vthや移動度μが画素回路ごとに異なったりする場合がある。駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが画素回路ごとに異なる場合には、駆動トランジスタに流れる電流値が画素回路ごとにばらつくので、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機EL素子の発光輝度がばらつき、画面の一様性(ユニフォーミティ)が損なわれる。 In addition, the threshold voltage Vth and mobility μ of the driving transistor may change over time, and the threshold voltage Vth and mobility μ may vary from pixel circuit to pixel circuit due to variations in manufacturing processes. When the threshold voltage V th and the mobility μ of the driving transistor are different for each pixel circuit, the current value flowing through the driving transistor varies for each pixel circuit. Therefore, even if the same voltage is applied to the gate of the driving transistor, the organic EL The light emission luminance of the elements varies, and the uniformity of the screen is lost.

そこで、有機EL素子のI−V特性が経時変化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機EL素子のI−V特性の変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μの変動に対する補正機能を組み込んだ表示装置が開発されている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, even if the IV characteristic of the organic EL element changes with time, or the threshold voltage Vth or mobility μ of the driving transistor changes with time, the light emission luminance of the organic EL element is not affected by those effects. In order to keep the voltage constant, a display device incorporating a compensation function for variations in the IV characteristics of the organic EL element and a correction function for variations in the threshold voltage Vth and mobility μ of the drive transistor has been developed. (For example, refer to Patent Document 1).

図13は、特許文献1に記載の表示装置の概略構成を表したものである。図13に記載の表示装置100は、複数の画素111がマトリクス状に配置された表示部110と、各画素111を駆動する駆動部(水平駆動回路120、書き込み走査回路130および電源走査回路140)とを備えている。   FIG. 13 illustrates a schematic configuration of the display device described in Patent Document 1. A display device 100 illustrated in FIG. 13 includes a display unit 110 in which a plurality of pixels 111 are arranged in a matrix, and a driving unit that drives each pixel 111 (a horizontal driving circuit 120, a writing scanning circuit 130, and a power scanning circuit 140). And.

各画素111は、赤色用の画素111R、緑色用の画素111Gおよび青色用の画素111Bからなる。各画素111R,111G,111Bは、図14に示したように、有機EL素子112(有機EL素子112R,112G,112B)およびそれに接続された画素回路113により構成されている。画素回路113は、サンプリング用のトランジスタTWS、保持容量C、駆動用のトランジスタTDrによって構成されたものであり、2Tr1Cの回路構成となっている。書き込み走査回路130から引き出されたゲート線WSLが行方向に延在して形成されており、トランジスタTWSのゲートに接続されている。電源走査回路140から引き出されたドレイン線DSLも行方向に延在して形成されており、トランジスタTDrのドレインに接続されている。また、水平駆動回路120から引き出された信号線DTLは列方向に延在して形成されており、トランジスタTWSのドレインに接続されている。トランジスタTWSのソースは駆動用のトランジスタTDrのゲートと、保持容量Cの一端に接続されており、トランジスタTDrのソースと保持容量Cの他端とが有機EL素子112R,112G,112B(以下、有機EL素子112R等と略する。)のアノードに接続されている。有機EL素子112R等のカソードは、グラウンド線GNDに接続されている。 Each pixel 111 includes a red pixel 111R, a green pixel 111G, and a blue pixel 111B. As shown in FIG. 14, each of the pixels 111R, 111G, and 111B includes an organic EL element 112 (organic EL elements 112R, 112G, and 112B) and a pixel circuit 113 connected thereto. The pixel circuit 113 includes a sampling transistor T WS , a storage capacitor C s , and a driving transistor T Dr , and has a 2Tr1C circuit configuration. A gate line WSL drawn from the write scanning circuit 130 is formed to extend in the row direction, and is connected to the gate of the transistor TWS . A drain line DSL drawn from the power supply scanning circuit 140 is also formed to extend in the row direction, and is connected to the drain of the transistor TDr . The signal line DTL drawn from the horizontal drive circuit 120 is formed to extend in the column direction, and is connected to the drain of the transistor TWS . The source of the transistor T WS is the gate of the transistor T Dr for driving, is connected to one end of the storage capacitor C s, the transistors T Dr source and the storage capacitor C s of the other end and an organic EL element 112R for, 112G, 112B (hereinafter abbreviated as organic EL element 112R etc.) is connected to the anode. A cathode of the organic EL element 112R and the like is connected to the ground line GND.

図15は、図11に記載の表示装置100における各種波形の一例を表したものである。図15には、ゲート線WSLに2種類の電圧(Von、Voff(<Von))が、ドレイン線DSLに2種類の電圧(Vcc、Vini(<Vcc))が、信号線DTLに2種類の電圧(Vsig、Vofs(<Vsig))が印加されている様子が示されている。さらに、図15には、ゲート線WSL、ドレイン線DSLおよび信号線DTLへの電圧印加に応じて、トランジスタTDrのゲート電圧Vおよびソース電圧Vが時々刻々変化している様子が示されている。 FIG. 15 shows an example of various waveforms in the display device 100 shown in FIG. In FIG. 15, two types of voltages (V on , V off (<V on )) are applied to the gate line WSL, and two types of voltages (V cc , V ini (<V cc )) are applied to the drain line DSL. A state in which two kinds of voltages (V sig , V ofs (<V sig )) are applied to the line DTL is shown. Further, FIG. 15 shows how the gate voltage V g and the source voltage V s of the transistor T Dr change from moment to moment in response to voltage application to the gate line WSL, the drain line DSL, and the signal line DTL. ing.

(Vth補正準備期間)
まず、Vth補正の準備を行う。具体的には、電源走査回路140がドレイン線DSLの電圧をVccからViniに下げる(T)。すると、ソース電圧VがViniとなり、有機EL素子112等が消光する。次に、水平駆動回路120が信号線DTLの電圧をVsigからVofsに切り替えたのち、ドレイン線DSLの電圧がViniとなっている間に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げる(T)。すると、ゲート電圧VがVofsに下がる。
(Vth correction preparation period)
First, preparation for Vth correction is performed. Specifically, the power supply scanning circuit 140 reduces the voltage of the drain line DSL from V cc to V ini (T 1 ). Then, the source voltage V s becomes V ini and the organic EL element 112 and the like are quenched. Next, after the horizontal drive circuit 120 switches the voltage of the signal line DTL from V sig to V ofs , the write scanning circuit 130 reduces the voltage of the gate line WSL while the voltage of the drain line DSL is V ini. Increase from V off to V on (T 2 ). Then, the gate voltage V g drops to V ofs.

(最初のVth補正期間)
次に、Vthの補正を行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVofsとなっている間に、電源走査回路140がドレイン線DSLの電圧をViniからVccに上げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇する。その後、水平駆動回路120が信号線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える前に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなり、Vthの補正が一旦停止する。
(First Vth correction period)
Next, Vth is corrected. Specifically, while the voltage of the signal line DTL is V ofs , the power supply scanning circuit 140 increases the voltage of the drain line DSL from V ini to V cc (T 3 ). Then, a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , and the source voltage V s increases. Thereafter, before the horizontal driving circuit 120 switches the voltage of the signal line DTL from V ofs to V sig , the write scanning circuit 130 decreases the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 4 ). Then, the gate of the transistor TDr becomes floating, and the correction of Vth is temporarily stopped.

(最初のVth補正休止期間)
Vth補正が休止している期間中は、先のVth補正を行った行(画素)とは異なる他の行(画素)において、信号線DTLの電圧のサンプリングが行われる。なお、Vth補正が不十分である場合、すなわち、トランジスタTDrのゲート−ソース間の電位差VgsがトランジスタTDrの閾値電圧Vthよりも大きい場合には、Vth補正休止期間中にも、先のVth補正を行った行(画素)において、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇し、保持容量Cを介したカップリングによりゲート電圧Vも上昇する。
(First Vth correction pause period)
During the period when the Vth correction is paused, the voltage of the signal line DTL is sampled in another row (pixel) different from the row (pixel) on which the previous Vth correction has been performed. Note that when the Vth correction is insufficient, i.e., the gate of the transistor T Dr - when the potential difference V gs between the source is larger than the threshold voltage V th of the transistor T Dr is also in Vth correction stop period, previously In the row (pixel) in which the Vth correction is performed, the current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , the source voltage V s rises, and the gate voltage V g also increases due to coupling through the storage capacitor C s. To rise.

(2回目のVth補正期間)
Vth補正休止期間が終了した後、Vthの補正を再び行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVofsとなっており、Vth補正が可能となっている時に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。このとき、ソース電圧VがVofs−Vthよりも低い場合(Vth補正がまだ完了していない場合)には、トランジスタTDrがカットオフするまで(電位差VgsがVthになるまで)、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れる。その結果、保持容量CがVthに充電され、電位差VgsがVthとなる。その後、水平駆動回路120が信号線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える前に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなるので、電位差Vgsを信号線DTLの電圧の大きさに拘わらずVthのままで維持することができる。このように、電位差VgsをVthに設定することにより、トランジスタTDrの閾値電圧Vthが画素回路122ごとにばらついた場合であっても、有機EL素子112等の発光輝度がばらつくのをなくすることができる。
(Second Vth correction period)
After the Vth correction pause period ends, Vth is corrected again. Specifically, when the voltage of the signal line DTL is V ofs and Vth correction is possible, the write scanning circuit 130 raises the voltage of the gate line WSL from V off to V on (T 5 ). The gate of the transistor T Dr is connected to the signal line DTL. At this time, when the source voltage V s is lower than V ofs −V th (when Vth correction is not yet completed), until the transistor T Dr is cut off (until the potential difference V gs becomes V th ). A current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr. As a result, the holding capacitor C s is charged to V th, the potential difference V gs becomes V th. Thereafter, before the horizontal drive circuit 120 switches the voltage of the signal line DTL from V ofs to V sig , the write scanning circuit 130 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 6 ). Then, since the gate of the transistor T Dr is in a floating state, the potential difference V gs can be maintained as V th regardless of the magnitude of the voltage of the signal line DTL. In this way, by setting the potential difference V gs to V th , even if the threshold voltage V th of the transistor T Dr varies from pixel circuit 122 to pixel circuit 122, the emission luminance of the organic EL element 112 and the like varies. Can be eliminated.

(2回目のVth補正休止期間)
その後、Vth補正の休止期間中に、水平駆動回路120が信号線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える。
(Second Vth correction suspension period)
Thereafter, the horizontal drive circuit 120 switches the voltage of the signal line DTL from V ofs to V sig during the Vth correction pause period.

(書き込み・μ補正期間)
Vth補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVsigとなっている間に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。すると、トランジスタTDrのゲートの電圧がVsigとなる。このとき、有機EL素子112R等のアノードの電圧はこの段階ではまだ有機EL素子112R等の閾値電圧Velよりも小さく、有機EL素子112R等はカットオフしている。そのため、電流Idsは有機EL素子112R等の素子容量(図示せず)に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧VがΔVだけ上昇し、やがて電位差VgsがVsig+Vth−ΔVとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。ここで、トランジスタTDrの移動度μが大きい程、ΔVも大きくなるので、電位差Vgsを発光前にΔVだけ小さくすることにより、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。
(Writing / μ correction period)
After the Vth correction pause period ends, writing and μ correction are performed. Specifically, while the voltage of the signal line DTL is V sig , the write scanning circuit 130 raises the voltage of the gate line WSL from V off to V on (T 7 ), and the gate of the transistor T Dr is signaled. Connect to line DTL. Then, the gate voltage of the transistor T Dr becomes V sig . At this time, the voltage of the anode of the organic EL element 112R or the like is still lower than the threshold voltage V el of the organic EL element 112R or the like at this stage, and the organic EL element 112R or the like is cut off. Therefore, the current I ds flows to the element capacitance (not shown) such as the organic EL element 112R, and the element capacitance is charged. Therefore, the source voltage V s increases by ΔV, and the potential difference V gs eventually becomes V sig + V th − ΔV. In this way, μ correction is performed simultaneously with writing. Here, since ΔV increases as the mobility μ of the transistor T Dr increases, variation in the mobility μ for each pixel can be eliminated by reducing the potential difference V gs by ΔV before light emission.

(発光)
最後に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなり、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇する。その結果、有機EL素子112R等が所望の輝度で発光する。
(Light emission)
Finally, the write scanning circuit 130 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 8 ). Then, the gate of the transistor T Dr is a floating, the drain of the transistor T Dr - current I ds flows between the source, the source voltage V s rises. As a result, the organic EL element 112R and the like emit light with desired luminance.

ところで、水平駆動回路120、書き込み走査回路130および電源走査回路140はいずれも基本的にシフトレジスタ(図示せず)で構成されており、画素111の各列または各行に対応して、1段ごとに信号出力部(図示せず)を備えている。そのため、画素111の列および行の数が増えると、それに従って信号線DTL、ドレイン線DSLおよびゲート線WSLの本数が増え、シフトレジスタの出力段数もその分増加するので、表示部110の周辺の回路規模の大型化を招いていた。   By the way, the horizontal drive circuit 120, the write scanning circuit 130, and the power supply scanning circuit 140 are all basically composed of shift registers (not shown), and each stage corresponds to each column or each row of the pixels 111. Are provided with a signal output unit (not shown). Therefore, as the number of columns and rows of the pixels 111 increases, the number of signal lines DTL, drain lines DSL, and gate lines WSL increases accordingly, and the number of output stages of the shift register also increases accordingly. The circuit scale has been increased.

そこで、シフトレジスタの出力段を共用し、表示部110の周辺の回路規模の大型化を低減する方策が従来から行われている。例えば特許文献2では、信号線DTLを複数の画素111で共用化する方式が提案されている。この様にすれば、信号線DTLを駆動する水平駆動回路120内のシフトレジスタの出力段を複数の画素列で共用化でき、その分回路規模の縮小化、回路面積の縮小化、回路コストの低減化が可能になる。   In view of this, measures have been conventionally taken to reduce the increase in the circuit scale around the display unit 110 by sharing the output stage of the shift register. For example, Patent Document 2 proposes a method in which a signal line DTL is shared by a plurality of pixels 111. In this way, the output stage of the shift register in the horizontal driving circuit 120 that drives the signal line DTL can be shared by a plurality of pixel columns, and accordingly, the circuit scale can be reduced, the circuit area can be reduced, and the circuit cost can be reduced. Reduction is possible.

特開2008−083272号公報JP 2008-083272 A 特開2006‐251322JP 2006-251322 A

特許文献2には、水平駆動回路120内のシフトレジスタの出力段を複数の画素列で共用化することが記載されていたが、書き込み走査回路130や電源走査回路140においてもシフトレジスタの出力段の共用化を図ることは表示装置のコストパフォーマンスを高める上で重要である。特に、電源走査回路140については、電流供給能力の安定化のため、信号出力部のサイズを大きくとる必要があるので、電源走査回路140内のシフトレジスタの出力段を複数の画素行で共用化し、信号出力部の数を少なくすることにより、表示装置の低コスト化および小型化を効果的に実現することができる。   Patent Document 2 describes that the output stage of the shift register in the horizontal drive circuit 120 is shared by a plurality of pixel columns. However, the output stage of the shift register is also used in the write scanning circuit 130 and the power supply scanning circuit 140. It is important to increase the cost performance of the display device. In particular, for the power supply scanning circuit 140, it is necessary to increase the size of the signal output unit in order to stabilize the current supply capability. Therefore, the output stage of the shift register in the power supply scanning circuit 140 is shared by a plurality of pixel rows. By reducing the number of signal output units, it is possible to effectively reduce the cost and size of the display device.

図16は、電源走査回路140内の信号出力部が複数の画素行で共用化された表示装置200の概略構成を表したものである。図16に記載の表示装置200では、電源走査回路140内の個々の信号出力部にドレイン線DSL(DSL1,DSL2,……)が一つずつ接続されており、個々のドレイン線DSL(DSL1,DSL2,……)に複数の画素行(図16では3行)に属する画素111が接続されている。一方、水平駆動回路120内の個々の信号出力部に信号線DTL(DTL1,DTL2,……)が一つずつ接続されており、個々の信号線(DTL1,DTL2,……)に各行の画素111が一つずつ接続されている。また、書き込み走査回路130内の個々の信号出力部にゲート線WSL(WSL1,WSL2,……)が一つずつ接続されており、個々のゲート線WSL(WSL1,WSL2,……)に各列の画素111が一つずつ接続されている。   FIG. 16 illustrates a schematic configuration of a display device 200 in which a signal output unit in the power supply scanning circuit 140 is shared by a plurality of pixel rows. In the display device 200 shown in FIG. 16, one drain line DSL (DSL1, DSL2,...) Is connected to each signal output unit in the power supply scanning circuit 140, and each drain line DSL (DSL1, DSL1, DSL1,. Pixels 111 belonging to a plurality of pixel rows (three rows in FIG. 16) are connected to DSL2,. On the other hand, one signal line DTL (DTL1, DTL2,...) Is connected to each signal output unit in the horizontal drive circuit 120, and each row of pixels is connected to each signal line (DTL1, DTL2,...). 111 are connected one by one. Further, one gate line WSL (WSL1, WSL2,...) Is connected to each signal output unit in the write scanning circuit 130, and each column is connected to each gate line WSL (WSL1, WSL2,...). Are connected one by one.

図17は、図16に記載の表示装置200における各種波形の一例を表したものである。図17には、ドレイン線DSLに2種類の電圧(Vcc、Vss(<Vcc))が、ゲート線WSL1〜WSL6に2種類の電圧(Von、Voff(<Von))が印加されている様子が示されている。図17からわかるように、表示装置200では、複数の画素行(図17では3行)を一つのユニットとして、ドレイン線DSL(DSL1,DSL2,……)から各画素111にユニットごとに共通のタイミングでVccとVssが印加される。 FIG. 17 illustrates an example of various waveforms in the display device 200 illustrated in FIG. In FIG. 17, two types of voltages (V cc , V ss (<V cc )) are applied to the drain line DSL, and two types of voltages (V on , V off (<V on )) are applied to the gate lines WSL1 to WSL6. The state of being applied is shown. As can be seen from FIG. 17, in the display device 200, a plurality of pixel rows (three rows in FIG. 17) are used as one unit, and are common to each pixel 111 from the drain line DSL (DSL1, DSL2,. V cc and V ss are applied at the timing.

図18は、表示装置200の一の画素111に印加される電圧波形の一例を表したものである。具体的には、ドレイン線DSLに2種類の電圧(Vcc、Vss)が、信号線DTLに3種類の電圧(Vsig、Vers(<Vel)、Vofs(<Vers))が、ゲート線WSLに2種類の電圧(Von、Voff)が印加されている様子が示されている。さらに、図18には、ドレイン線DSL、信号線DTLおよびゲート線WSLへの電圧印加に応じて、トランジスタTDrのゲート電圧Vおよびソース電圧Vが時々刻々変化している様子が示されている。なお、上記したVelは、有機EL素子112R等の閾値電圧である。 FIG. 18 illustrates an example of a voltage waveform applied to one pixel 111 of the display device 200. Specifically, two types of voltages (V cc , V ss ) are applied to the drain line DSL, and three types of voltages (V sig , V ers (<V ell ), V ofs (<V ers )) are applied to the signal line DTL. However, it is shown that two types of voltages (V on , V off ) are applied to the gate line WSL. Further, FIG. 18 shows how the gate voltage V g and the source voltage V s of the transistor T Dr change from moment to moment in response to voltage application to the drain line DSL, the signal line DTL, and the gate line WSL. ing. Note that the above V el is a threshold voltage of the organic EL element 112R and the like.

図18に記載の波形は、図15に記載の波形とは若干異なっているので、以下に、図18に記載の波形について詳しく説明する。   Since the waveform shown in FIG. 18 is slightly different from the waveform shown in FIG. 15, the waveform shown in FIG. 18 will be described in detail below.

(消光期間)
まず、有機EL素子112R等の消光を行う。具体的には、ドレイン線DSLの電圧がVccとなっており、かつ信号線DTLの電圧がVersとなっている時に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。すると、トランジスタTDrのゲート電圧Vが下がり始め、保持容量Cを介したカップリングによりトランジスタTDrのソース電圧Vも下がり始める。その後、ゲート電圧VがVersとなり、ソース電圧VがVel+Vca(Vcaは有機EL素子112R等のカソード電圧)となり、有機EL素子112R等が消光したときに書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げ、トランジスタTDrのゲートをフローティングにする(T)。
(Extinction period)
First, the organic EL element 112R and the like are quenched. Specifically, when the voltage of the drain line DSL is V cc and the voltage of the signal line DTL is Vers , the write scanning circuit 130 changes the voltage of the gate line WSL from V off to V on . (T 1 ), the gate of the transistor T Dr is connected to the signal line DTL. Then, begins to fall the gate voltage V g of the transistor T Dr, it begins to drop even the source voltage V s of the transistor T Dr by coupling through the storage capacitor C s. After that, the gate voltage V g becomes V ers , the source voltage V s becomes V el + V ca (V ca is a cathode voltage of the organic EL element 112R and the like), and the write scanning circuit 130 is turned on when the organic EL element 112R and the like are extinguished. The voltage of the gate line WSL is lowered from V on to V off, and the gate of the transistor T Dr is brought into a floating state (T 2 ).

(Vth補正準備期間)
次に、Vth補正の準備を行う。具体的には、ゲート線WSLの電圧がVoffとなっている時に、電源走査回路140がドレイン線DSLの電圧をVccからVssに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン線DSL側がソースとなってトランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ゲート電圧VがVss+Vthとなったところで、電流Idsが止まる。このとき、ソース電圧VがVel+Vca−(Vers−(Vss+Vth)となっており、電位差VgsがVthよりも小さくなっている。
(Vth correction preparation period)
Next, preparation for Vth correction is performed. Specifically, when the voltage of the gate line WSL is V off , the power supply scanning circuit 140 decreases the voltage of the drain line DSL from V cc to V ss (T 3 ). Then, is the drain line DSL side of the transistor T Dr is the source and the drain of the transistor T Dr - current I ds flows between the source, where the gate voltage V g becomes V ss + V th, current I ds stops. At this time, the source voltage V s is V el + V ca − (V ers − (V ss + V th )), and the potential difference V gs is smaller than V th .

続いて、電源走査回路140がドレイン線DSLの電圧をVssからVccに上げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ゲート電圧Vおよびソース電圧Vが、トランジスタTDrのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Cとの容量結合によって上昇する。このとき、電位差Vgsは依然としてVthよりも小さくなっている。 Subsequently, the power supply scanning circuit 140 increases the voltage of the drain line DSL from V ss to V cc (T 4 ). Then, a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , and the gate voltage V g and the source voltage V s are caused by capacitive coupling between the parasitic capacitance between the gate and drain of the transistor T Dr and the holding capacitor C s . To rise. At this time, the potential difference V gs is still smaller than V th .

(最初のVth補正期間)
次に、Vthの補正を行う。具体的には、ドレイン線DSLの電圧がVccとなっており、かつ信号線DTLの電圧がVofsとなっている時に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ゲート電圧Vおよびソース電圧Vが、トランジスタTDrのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Cとの容量結合によって上昇する。ここで、保持容量Cが有機EL素子112R等の素子容量よりも極めて小さく、ソース電圧Vの上昇量がゲート電圧Vの上昇量よりも十分に小さいので、電位差Vgsが大きくなる。そして、電位差VgsがVthよりも大きくなった段階で、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなり、Vthの補正が一旦停止する。
(First Vth correction period)
Next, Vth is corrected. Specifically, when the voltage of the drain line DSL is V cc and the voltage of the signal line DTL is V ofs , the write scanning circuit 130 changes the voltage of the gate line WSL from V off to V on . Raise (T 5 ). Then, a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , and the gate voltage V g and the source voltage V s are caused by capacitive coupling between the parasitic capacitance between the gate and drain of the transistor T Dr and the holding capacitor C s . To rise. Here, since the storage capacitor C s is extremely smaller than the element capacitance of the organic EL element 112R and the like, and the increase amount of the source voltage V s is sufficiently smaller than the increase amount of the gate voltage V g , the potential difference V gs becomes large. Then, when the potential difference V gs becomes larger than V th , the write scanning circuit 130 reduces the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 6 ). Then, the gate of the transistor TDr becomes floating, and the correction of Vth is temporarily stopped.

(最初のVth補正休止期間)
Vth補正が休止している期間中は、先のVth補正を行った行(画素)とは異なる他の行(画素)において、信号線DTLの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先のVth補正を行った行(画素)において、ソース電圧VがVofs−Vthよりも低いので、Vth補正休止期間中にも、先のVth補正を行った行(画素)において、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇し、保持容量Cを介したカップリングによりゲート電圧Vも上昇する。
(First Vth correction pause period)
During the period when the Vth correction is paused, the voltage of the signal line DTL is sampled in another row (pixel) different from the row (pixel) on which the previous Vth correction has been performed. At this time, since the source voltage V s is lower than V ofs −V th in the row (pixel) in which the previous Vth correction has been performed, the row in which the previous Vth correction has been performed even during the Vth correction pause period ( In the pixel), a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , the source voltage V s rises, and the gate voltage V g also rises due to coupling via the storage capacitor C s .

(2回目のVth補正期間)
Vth補正休止期間が終了した後、Vthの補正を再び行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVofsとなっており、Vth補正が可能となっている時に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。このとき、ソース電圧VがVofs−Vthよりも低い場合(Vth補正がまだ完了していない場合)には、トランジスタTDrがカットオフするまで(電位差VgsがVthになるまで)、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れる。その後、水平駆動回路120が信号線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える前に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなるので、電位差Vgsを信号線DTLの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。
(Second Vth correction period)
After the Vth correction pause period ends, Vth is corrected again. Specifically, when the voltage of the signal line DTL is V ofs and Vth correction is possible, the write scanning circuit 130 raises the voltage of the gate line WSL from V off to V on (T 5 ). The gate of the transistor T Dr is connected to the signal line DTL. At this time, when the source voltage V s is lower than V ofs −V th (when Vth correction is not yet completed), until the transistor T Dr is cut off (until the potential difference V gs becomes V th ). A current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr. Thereafter, before the horizontal drive circuit 120 switches the voltage of the signal line DTL from V ofs to V sig , the write scanning circuit 130 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 6 ). Then, since the gate of the transistor T Dr becomes floating, the potential difference V gs can be kept constant regardless of the voltage level of the signal line DTL.

なお、このVth補正期間において、保持容量CがVthに充電され、電位差VgsがVthとなった場合には、Vth補正を終了するが、電位差VgsがVthにまで到達しなかった場合には、電位差VgsがVthに到達するまで、Vth補正と、Vth補正休止とを繰り返し実行する。 Incidentally, in this Vth correction period, the holding capacitor C s is charged to V th, when the potential difference V gs becomes V th is terminated Vth correction, not reached the potential difference V gs until the V th In this case, Vth correction and Vth correction pause are repeatedly performed until the potential difference V gs reaches V th .

(書き込み・μ補正期間)
Vth補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVsigとなっている間に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。すると、トランジスタTDrのゲートの電圧がVsigとなる。このとき、有機EL素子112R等のアノードの電圧はこの段階ではまだ有機EL素子112R等の閾値電圧Velよりも小さく、有機EL素子112R等はカットオフしている。そのため、電流Idsは有機EL素子112R等の素子容量に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧VがΔVだけ上昇し、やがて電位差VgsがVsig+Vth−ΔVとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。
(Writing / μ correction period)
After the Vth correction pause period ends, writing and μ correction are performed. Specifically, while the voltage of the signal line DTL is V sig , the write scanning circuit 130 raises the voltage of the gate line WSL from V off to V on (T 7 ), and the gate of the transistor T Dr is signaled. Connect to line DTL. Then, the gate voltage of the transistor T Dr becomes V sig . At this time, the voltage of the anode of the organic EL element 112R or the like is still lower than the threshold voltage V el of the organic EL element 112R or the like at this stage, and the organic EL element 112R or the like is cut off. Therefore, the current I ds flows to the element capacitance such as an organic EL element 112R, since the element capacitance is charged, the source voltage V s is increased by [Delta] V, the potential difference V gs becomes V sig + V th -ΔV soon. In this way, μ correction is performed simultaneously with writing.

(発光)
最後に、書き込み走査回路130がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなり、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇する。その結果、有機EL素子112R等が所望の輝度で発光する。
(Light emission)
Finally, the write scanning circuit 130 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 8 ). Then, the gate of the transistor T Dr is a floating, the drain of the transistor T Dr - current I ds flows between the source, the source voltage V s rises. As a result, the organic EL element 112R and the like emit light with desired luminance.

ところで、図14に示したように、有機EL素子112R等のカソードに接続されたグラウンド線GNDは、画素111R,111G,111Bの周囲に、縦横に延在して配置されている。そのため、グラウンド線GNDは、電源走査回路140に接続されたドレイン線DSLと交差しており、グラウンド線GNDとドレイン線DSLとの交差部分に寄生容量Cαが存在する。その結果、ドレイン線DSLの電圧がVccからViniに変わったり、ViniからVccに変わったりすると、寄生容量Cαを介したカップリングによりグラウンド線GNDの電圧も揺れてしまう。 Incidentally, as shown in FIG. 14, the ground line GND connected to the cathode of the organic EL element 112 </ b> R and the like is arranged extending around the pixels 111 </ b> R, 111 </ b> G, and 111 </ b> B. Therefore, the ground line GND intersects with the drain line DSL connected to the power supply scanning circuit 140, and a parasitic capacitance exists at the intersection of the ground line GND and the drain line DSL. As a result, changes or voltage of the drain line DSL from V cc to V ini, when or changed from V ini to V cc, thereby swinging the voltage of the ground line GND by coupling through the parasitic capacitance C alpha.

図19は、寄生容量Cαを介したカップリングによりグラウンド線GNDの電圧が揺れている様子を模式的に表したものである。図19から、一のユニットに含まれる画素111R,111G,111Bのドレイン線DSLの電圧をVccからViniに変えたり、ViniからVccに変えたりすると、グラウンド線GNDの電圧も、ドレイン線DSLの電圧変化に応じて揺れていることがわかる。 Figure 19 is a state in which the swing voltage of the ground line GND by coupling through the parasitic capacitance C alpha that schematically shows. From FIG. 19, when the voltage of the drain line DSL of the pixels 111R, 111G, and 111B included in one unit is changed from V cc to V ini or from V ini to V cc , the voltage of the ground line GND is also increased. It can be seen that the signal fluctuates according to the voltage change of the line DSL.

このように、一のユニットに含まれる画素111R,111G,111Bのドレイン線DSLの電圧変化に応じてグラウンド線GNDの電圧が揺れているとき、それに隣接するユニットに含まれる画素111R,111G,111Bでは、ちょうどVth補正が行われている(図17参照)。ところが、そのとき、グラウンド線GNDの電圧の揺れに伴って、Vth補正を行っている画素111R,111G,111Bにおいて、ゲート電圧Vおよびソース電圧Vも揺れてしまう。その結果、例えば、図20に示したように、Vth補正中にソース電圧Vが突き上げられ、Vofs−Vthを超えてしまった場合には、電位差VgsがVthよりも小さくなり、Vth補正を正しく行うことができなくなってしまうという問題があった。 Thus, when the voltage of the ground line GND fluctuates according to the voltage change of the drain line DSL of the pixels 111R, 111G, and 111B included in one unit, the pixels 111R, 111G, and 111B included in the adjacent unit. Then, Vth correction is just performed (see FIG. 17). However, this time, along with the swing of the voltage of the ground line GND, the pixel is performed Vth correction 111R, 111G, at 111B, thus also swing the gate voltage V g and the source voltage V s. As a result, for example, as shown in FIG. 20, when the source voltage V s is pushed up during Vth correction and exceeds V ofs −V th , the potential difference V gs becomes smaller than V th , There has been a problem that Vth correction cannot be performed correctly.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、Vthを補正する際に、電位差VgsがVthよりも小さくなるのを防止することの可能な表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, its object is, when correcting the V th, capable display device and a driving method of a potential difference V gs is prevented from becoming smaller than V th And providing electronic equipment.

本発明の表示装置は、発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に2次元配置された表示部と、映像信号に基づいて画素回路を駆動する駆動部とを備えたものである。画素回路には、第1トランジスタと、第2トランジスタと、保持容量とが設けられている。駆動部には、第1駆動部と、第2駆動部と、第3駆動部と、制御部と、第1配線と、第2配線と、第3配線と、参照電圧に設定される第4配線とが設けられている。第2配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、ユニットごとに一つずつ設けられている。第1トランジスタのゲートが第1配線を介して第1駆動部に接続されている。第1トランジスタのドレインまたはソースが第3配線を介して第3駆動部に接続されている。第1トランジスタのドレインおよびソースのうち第3駆動部に未接続の方が第2トランジスタのゲートおよび保持容量の一端に接続されている。ユニット内の各画素に含まれる第2トランジスタのドレインまたはソースが共通の第2配線を介して第2駆動部に接続されている。第2トランジスタのドレインおよびソースのうち第2駆動部に未接続の方が保持容量の他端および発光素子のアノードに接続されている。発光素子のカソードが第4配線に接続されている。ここで、第1駆動部は、第1トランジスタのオン電圧よりも低い第1電圧と、第1トランジスタのオン電圧以上の第2電圧とを第1配線に出力可能となっている。第2駆動部は、発光素子の閾値電圧と参照電圧との和よりも低い第3電圧と、発光素子の閾値電圧と参照電圧との和以上の第4電圧とを第2配線に出力可能となっている。第3駆動部は、第5電圧と、映像信号に応じた大きさの第6電圧とを第3配線に出力可能となっている。そして、制御部は、第2駆動部に対して、第1配線の電圧が第1電圧となっており、一のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第3電圧となっており、かつ一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第4電圧となっている時に、一のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧を第3電圧から第4電圧に上げると同時に、一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧を第4電圧から第3電圧に下げることを指示する制御信号を出力するようになっている。   A display device according to the present invention includes a display unit in which a plurality of pixels each including a light emitting element and a pixel circuit are two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction, and a drive unit that drives the pixel circuit based on a video signal; It is equipped with. The pixel circuit is provided with a first transistor, a second transistor, and a storage capacitor. The driving unit includes a first driving unit, a second driving unit, a third driving unit, a control unit, a first wiring, a second wiring, a third wiring, and a fourth voltage set to a reference voltage. Wiring is provided. One second wiring is provided for each unit with a plurality of pixel rows as one unit. The gate of the first transistor is connected to the first drive unit via the first wiring. The drain or source of the first transistor is connected to the third drive unit via the third wiring. Of the drain and source of the first transistor, the one not connected to the third drive unit is connected to the gate of the second transistor and one end of the storage capacitor. The drain or source of the second transistor included in each pixel in the unit is connected to the second drive unit via a common second wiring. Of the drain and source of the second transistor, the one not connected to the second drive unit is connected to the other end of the storage capacitor and the anode of the light emitting element. The cathode of the light emitting element is connected to the fourth wiring. Here, the first drive unit can output a first voltage lower than the on-voltage of the first transistor and a second voltage equal to or higher than the on-voltage of the first transistor to the first wiring. The second drive unit can output a third voltage lower than the sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage and a fourth voltage equal to or higher than the sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage to the second wiring. It has become. The third driving unit can output the fifth voltage and the sixth voltage having a magnitude corresponding to the video signal to the third wiring. In the control unit, the voltage of the first wiring is the first voltage, and the voltage of the second wiring provided corresponding to one unit is the third voltage with respect to the second driving unit. And when the voltage of the second wiring provided corresponding to another unit adjacent to one unit is the fourth voltage, the voltage of the second wiring provided corresponding to the one unit is A control signal for instructing to lower the voltage of the second wiring provided corresponding to another unit adjacent to one unit from the fourth voltage to the third voltage at the same time as raising from the third voltage to the fourth voltage. It is designed to output.

本発明の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。   An electronic apparatus according to the present invention includes the display device.

本発明の表示装置の駆動方法は、以下の構成を備えた表示装置の第2駆動部において、第1配線の電圧が第1電圧となっており、一のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第3電圧となっており、かつ一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第4電圧となっている時に、一のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧を第3電圧から第4電圧に上げると同時に、一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧を第4電圧から第3電圧に下げるステップを実行するものである。   According to the display device driving method of the present invention, in the second driving unit of the display device having the following configuration, the voltage of the first wiring is the first voltage, and the first driving voltage is provided corresponding to one unit. Corresponds to one unit when the voltage of two wires is the third voltage and the voltage of the second wire provided corresponding to another unit adjacent to one unit is the fourth voltage The voltage of the second wiring provided in this manner is raised from the third voltage to the fourth voltage, and at the same time, the voltage of the second wiring provided corresponding to another unit adjacent to one unit is changed from the fourth voltage to the fourth voltage. The step of lowering to 3 voltages is executed.

上記駆動方法が用いられる表示装置は、発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に2次元配置された表示部と、映像信号に基づいて画素回路を駆動する駆動部とを備えたものである。画素回路には、第1トランジスタと、第2トランジスタと、保持容量とが設けられている。駆動部には、第1駆動部と、第2駆動部と、第3駆動部と、第1配線と、第2配線と、第3配線と、参照電圧に設定される第4配線とが設けられている。第2配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、ユニットごとに一つずつ設けられている。第1トランジスタのゲートが第1配線を介して第1駆動部に接続されている。第1トランジスタのドレインまたはソースが第3配線を介して第3駆動部に接続されている。第1トランジスタのドレインおよびソースのうち第3駆動部に未接続の方が第2トランジスタのゲートおよび保持容量の一端に接続されている。ユニット内の各画素に含まれる第2トランジスタのドレインまたはソースが共通の第2配線を介して第2駆動部に接続されている。第2トランジスタのドレインおよびソースのうち第2駆動部に未接続の方が保持容量の他端および発光素子のアノードに接続されている。発光素子のカソードが第4配線に接続されている。ここで、第1駆動部は、第1トランジスタのオン電圧よりも低い第1電圧と、第1トランジスタのオン電圧以上の第2電圧とを第1配線に出力可能となっている。第2駆動部は、発光素子の閾値電圧と参照電圧との和よりも低い第3電圧と、発光素子の閾値電圧と参照電圧との和以上の第4電圧とを第2配線に出力可能となっている。第3駆動部は、第5電圧と、映像信号に応じた大きさの第6電圧とを第3配線に出力可能となっている。   A display device using the driving method drives a pixel circuit based on a display unit in which a plurality of pixels each including a light emitting element and a pixel circuit are two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction, and a video signal. And a drive unit. The pixel circuit is provided with a first transistor, a second transistor, and a storage capacitor. The driving unit includes a first driving unit, a second driving unit, a third driving unit, a first wiring, a second wiring, a third wiring, and a fourth wiring set to a reference voltage. It has been. One second wiring is provided for each unit with a plurality of pixel rows as one unit. The gate of the first transistor is connected to the first drive unit via the first wiring. The drain or source of the first transistor is connected to the third drive unit via the third wiring. Of the drain and source of the first transistor, the one not connected to the third drive unit is connected to the gate of the second transistor and one end of the storage capacitor. The drain or source of the second transistor included in each pixel in the unit is connected to the second drive unit via a common second wiring. Of the drain and source of the second transistor, the one not connected to the second drive unit is connected to the other end of the storage capacitor and the anode of the light emitting element. The cathode of the light emitting element is connected to the fourth wiring. Here, the first drive unit can output a first voltage lower than the on-voltage of the first transistor and a second voltage equal to or higher than the on-voltage of the first transistor to the first wiring. The second drive unit can output a third voltage lower than the sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage and a fourth voltage equal to or higher than the sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage to the second wiring. It has become. The third driving unit can output the fifth voltage and the sixth voltage having a magnitude corresponding to the video signal to the third wiring.

本発明の表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器では、第1配線の電圧が第1電圧となっており、一のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第3電圧となっており、かつ一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第4電圧となっている時に、一のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第3電圧から第4電圧に上げられると同時に、一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた第2配線の電圧が第4電圧から第3電圧に下げられる。このようにして、互いに隣接するユニット同士の第2配線の電圧変化を同期させることにより、寄生容量を介したカップリングによる第4配線の電圧の揺れがキャンセルされる。   In the display device, the driving method thereof, and the electronic device of the present invention, the voltage of the first wiring is the first voltage, and the voltage of the second wiring provided corresponding to one unit is the third voltage. And when the voltage of the second wiring provided corresponding to the other unit adjacent to one unit is the fourth voltage, the voltage of the second wiring provided corresponding to the one unit is At the same time as the third voltage is raised to the fourth voltage, the voltage of the second wiring provided corresponding to the other unit adjacent to the one unit is lowered from the fourth voltage to the third voltage. In this way, by synchronizing the voltage change of the second wiring between the units adjacent to each other, the fluctuation of the voltage of the fourth wiring due to the coupling through the parasitic capacitance is cancelled.

本発明の表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器によれば、互いに隣接するユニット同士の第2配線の電圧変化を同期させることにより、寄生容量を介したカップリングによる第4配線の電圧の揺れをキャンセルするようにしたので、Vthを補正する際に、第4配線の電圧の揺れに起因して電位差VgsがVthよりも小さくなるのを防止することができる。これにより、Vthを確実に補正することができる。 According to the display device, the driving method thereof, and the electronic apparatus of the present invention, the voltage variation of the fourth wiring due to the coupling through the parasitic capacitance is achieved by synchronizing the voltage change of the second wiring of the units adjacent to each other. since so as to cancel, when correcting the V th, it is possible to fourth potential difference V gs due to the fluctuation of the voltage of the wiring is prevented from becoming smaller than V th. As a result, Vth can be reliably corrected.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施の形態に係る表示装置1の全体構成の一例を表したものである。この表示装置1は、例えば、ガラス,シリコン(Si)ウェハあるいは樹脂などよりなる基板(図示せず)上に、表示部10と、表示部10の周辺に形成された周辺回路部20(駆動部)とを備えている。   FIG. 1 shows an example of the entire configuration of a display device 1 according to an embodiment of the present invention. The display device 1 includes, for example, a display unit 10 and a peripheral circuit unit 20 (driving unit) formed around the display unit 10 on a substrate (not shown) made of glass, silicon (Si) wafer, resin, or the like. ).

表示部10は、複数の画素11を表示部10の全面に渡って行方向および列方向に2次元配置したものであり、外部から入力された映像信号20aに基づく画像をアクティブマトリクス駆動により表示するものである。各画素11は、赤色用の画素11Rと、緑色用の画素11Gと、青色用の画素11Bとを含んでいる。   The display unit 10 has a plurality of pixels 11 arranged two-dimensionally in the row direction and the column direction over the entire surface of the display unit 10, and displays an image based on the video signal 20a input from the outside by active matrix driving. Is. Each pixel 11 includes a red pixel 11R, a green pixel 11G, and a blue pixel 11B.

図2は、画素11R,11G,11Bの内部構成の一例を表したものである。画素11R,11G,11B内には、図2に示したように、有機EL素子12R,12G,12B(発光素子)と、画素回路13とが設けられている。   FIG. 2 illustrates an example of the internal configuration of the pixels 11R, 11G, and 11B. In the pixels 11R, 11G, and 11B, as shown in FIG. 2, organic EL elements 12R, 12G, and 12B (light emitting elements) and a pixel circuit 13 are provided.

有機EL素子12R,12G,12B(以下、有機EL素子12R等と称する。)は、例えば、図示しないが、陽極(アノード)、有機層および陰極(カソード)が順に積層された構成を有している。有機層は、例えば、陽極の側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを積層してなる積層構造を有している。   The organic EL elements 12R, 12G, and 12B (hereinafter referred to as the organic EL element 12R and the like) have, for example, a configuration in which an anode (anode), an organic layer, and a cathode (cathode) are sequentially stacked, although not shown. Yes. The organic layer is, for example, sequentially from the anode side, a hole injection layer that increases hole injection efficiency, a hole transport layer that increases hole transport efficiency to the light emitting layer, and light emission by recombination of electrons and holes. Has a stacked structure in which a light-emitting layer that generates light and an electron-transporting layer that increases the efficiency of electron transport to the light-emitting layer are stacked.

画素回路13は、サンプリング用のトランジスタTWS(第1トランジスタ)、保持容量C、駆動用のトランジスタTDr(第2トランジスタ)によって構成されたものであり、2Tr1Cの回路構成となっている。トランジスタTWS,TDrは、例えば、nチャネルMOS型の薄膜トランジスタ(TFT(Thin Film Transistor))により形成されている。 The pixel circuit 13 includes a sampling transistor T WS (first transistor), a storage capacitor C s , and a driving transistor T Dr (second transistor), and has a circuit configuration of 2Tr1C. The transistors T WS and T Dr are formed by, for example, n-channel MOS type thin film transistors (TFTs).

周辺回路部20は、タイミング制御回路21(制御部)と、水平駆動回路22(第3駆動部)と、書き込み走査回路23(第1駆動部)と、電源走査回路24(第2駆動部)とを有している。タイミング制御回路21は、表示信号生成回路21Aと、表示信号保持制御回路21Bとを含んでいる。また、周辺回路部20には、ゲート線WSL(第1配線)と、ドレイン線DSL(第2配線)と、信号線DTL(第3配線)と、グラウンド線GND(第4配線)とが設けられている。なお、グラウンド線GNDは、グラウンドに接続され、グラウンド電圧(参照電圧)に設定される。   The peripheral circuit unit 20 includes a timing control circuit 21 (control unit), a horizontal drive circuit 22 (third drive unit), a write scan circuit 23 (first drive unit), and a power supply scan circuit 24 (second drive unit). And have. The timing control circuit 21 includes a display signal generation circuit 21A and a display signal holding control circuit 21B. The peripheral circuit unit 20 includes a gate line WSL (first wiring), a drain line DSL (second wiring), a signal line DTL (third wiring), and a ground line GND (fourth wiring). It has been. The ground line GND is connected to the ground and set to the ground voltage (reference voltage).

ドレイン線DSLは、図1、図3に示したように、複数の画素行を一つのユニットUとして、ユニットUごとに一つずつ設けられている。なお、図3には、ユニットUが5つ設けられている場合が例示されているが、ユニット数はそれに限られるものではない。また、図3では、5つのユニットUに対して、電源走査回路24の走査方向に向かうにつれて、1つずつ増えるサフィックスを付与している。従って、ユニットU1は走査方向の初回ユニットに相当し、ユニットU5は走査方向の最終ユニットに相当する。   As shown in FIGS. 1 and 3, one drain line DSL is provided for each unit U with a plurality of pixel rows as one unit U. FIG. 3 illustrates the case where five units U are provided, but the number of units is not limited thereto. Further, in FIG. 3, suffixes that are increased by one are given to the five units U in the scanning direction of the power supply scanning circuit 24. Accordingly, the unit U1 corresponds to the initial unit in the scanning direction, and the unit U5 corresponds to the final unit in the scanning direction.

表示信号生成回路21Aは、外部から入力された映像信号20aに基づいて、例えば1画面ごと(1フィールドの表示ごと)に表示部10に表示するための表示信号21aを生成するものである。   The display signal generation circuit 21A generates a display signal 21a to be displayed on the display unit 10 for each screen (for each display of one field), for example, based on the video signal 20a input from the outside.

表示信号保持制御回路21Bは、表示信号生成回路21Aから出力された表示信号21aを1画面ごと(1フィールドの表示ごと)に、例えばSRAM(Static Random Access Memory)などから構成されたフィールドメモリに格納して保持するものである。この表示信号保持制御回路21Bはまた、各画素11を駆動する水平駆動回路22、書き込み走査回路23および電源走査回路24が連動して動作するように制御する役割も果たしている。具体的には、表示信号保持制御回路21Bは、書き込み走査回路23に対しては制御信号21bを、電源走査回路24に対しては制御信号21cを、水平駆動回路22に対しては制御信号21dをそれぞれ出力するようになっている。   The display signal holding control circuit 21B stores the display signal 21a output from the display signal generation circuit 21A for each screen (for each display of one field), for example, in a field memory composed of SRAM (Static Random Access Memory) or the like. And hold it. The display signal holding control circuit 21B also plays a role of controlling the horizontal driving circuit 22, the writing scanning circuit 23, and the power supply scanning circuit 24 that drive each pixel 11 to operate in conjunction with each other. Specifically, the display signal holding control circuit 21B has a control signal 21b for the write scanning circuit 23, a control signal 21c for the power supply scanning circuit 24, and a control signal 21d for the horizontal drive circuit 22. Are each output.

水平駆動回路22は、例えばシフトレジスタ(図示せず)によって構成されており、画素11の各列に対応して、1段ごとに信号出力部(図示せず)を備えている。この水平駆動回路22は、表示信号保持制御回路21Bから出力された制御信号21dに応じて、3種類の電圧(Vers(第6電圧)、Vofs(第5電圧)、Vsig(第6電圧))を出力可能となっている。具体的には、水平駆動回路22は、表示部10の各画素11に接続された信号線DTLを介して、書き込み走査回路23により選択された画素11へ3種類の電圧(Vers、Vofs、Vsig)を供給するようになっている。 The horizontal drive circuit 22 includes, for example, a shift register (not shown), and includes a signal output unit (not shown) for each stage corresponding to each column of the pixels 11. The horizontal drive circuit 22 has three types of voltages (V ers (sixth voltage), V ofs (fifth voltage), V sig (sixth) according to the control signal 21d output from the display signal holding control circuit 21B. Voltage)) can be output. Specifically, the horizontal drive circuit 22 applies three types of voltages (V ers , V ofs) to the pixel 11 selected by the write scanning circuit 23 via the signal line DTL connected to each pixel 11 of the display unit 10. , V sig ).

ここで、VofsはVersよりも低い電圧値となっている。また、Vsigは、映像信号20aに対応する電圧値となっている。Vsigの最小電圧はVofsよりも低い電圧値となっており、Vsigの最大電圧はVofsよりも高い電圧値となっている。 Here, V ofs has a lower voltage value than V ers . V sig is a voltage value corresponding to the video signal 20a. The minimum voltage of V sig is a voltage value lower than V ofs, and the maximum voltage of V sig is a voltage value higher than V ofs .

書き込み走査回路23は、例えばシフトレジスタ(図示せず)によって構成されており、画素11の各行に対応して、1段ごとに信号出力部(図示せず)を備えている。この書き込み走査回路23は、表示信号保持制御回路21Bから出力された制御信号21bに応じて、2種類の電圧(Von(第2電圧)、Voff(第1電圧))を出力可能となっている。具体的には、書き込み走査回路23は、表示部10の各画素11に接続されたゲート線WSLを介して、駆動対象の画素11へ2種類の電圧(Von、Voff)を供給し、サンプリング用のトランジスタTWSを制御するようになっている。 The write scanning circuit 23 is configured by, for example, a shift register (not shown), and includes a signal output unit (not shown) for each stage corresponding to each row of the pixels 11. The writing scanning circuit 23 can output two types of voltages (V on (second voltage) and V off (first voltage)) in accordance with the control signal 21b output from the display signal holding control circuit 21B. ing. Specifically, the writing scanning circuit 23 supplies two types of voltages (V on , V off ) to the pixel 11 to be driven via the gate line WSL connected to each pixel 11 of the display unit 10, The sampling transistor TWS is controlled.

ここで、電圧Vonは、トランジスタTWSのオン電圧以上の値となっている。Vonは、後述の消光時やVth補正時に、書き込み走査回路23から出力される電圧値である。Voffは、トランジスタTWSのオン電圧よりも低い値となっており、かつ、Vonよりも低い値となっている。Voffは、後述の「消光期間」、「Vth補正準備期間」、「Vth補正休止期間」および「発光期間」に書き込み走査回路23から出力される電圧値である。 Here, the voltage V on has a value equal to or higher than the on-voltage of the transistor TWS . V on is a voltage value output from the write scanning circuit 23 during extinction or Vth correction described later. V off has a value lower than the on-voltage of the transistor T WS and a value lower than V on . V off is a voltage value output from the writing scanning circuit 23 during the “quenching period”, “Vth correction preparation period”, “Vth correction pause period”, and “light emission period” which will be described later.

電源走査回路24は、例えばシフトレジスタ(図示せず)によって構成されており、各ユニット(U1〜U5)に対応して、各ユニット(U1〜U5)に含まれる行数と等しい数の段ごとに信号出力部(図示せず)を備えている。つまり、本実施の形態では、電源走査回路24内のシフトレジスタの出力段がユニット(U1〜U5)ごとに共用化されており、ユニットスキャン方式が採られている。そのため、各画素列に対応して1段ごとに信号出力部を設けた場合と比べて、電源走査回路24内の信号出力部の数が少ない。   The power supply scanning circuit 24 is configured by, for example, a shift register (not shown), and corresponds to each unit (U1 to U5) for each number of stages equal to the number of rows included in each unit (U1 to U5). Are provided with a signal output unit (not shown). That is, in this embodiment, the output stage of the shift register in the power supply scanning circuit 24 is shared for each unit (U1 to U5), and the unit scan method is adopted. For this reason, the number of signal output units in the power supply scanning circuit 24 is smaller than in the case where a signal output unit is provided for each stage corresponding to each pixel column.

この電源走査回路24は、表示信号保持制御回路21Bから出力された制御信号21cに応じて、2種類の電圧(Vss(第3電圧)、Vcc(第4電圧))を出力可能となっている。具体的には、電源走査回路24は、表示部10の各画素11に接続されたドレイン線DSLを介して、駆動対象の画素11へ2種類の電圧(Vini、Vss)を供給し、有機EL素子12R等の発光および消光を制御するようになっている。 The power supply scanning circuit 24 can output two types of voltages (V ss (third voltage) and V cc (fourth voltage)) in accordance with the control signal 21c output from the display signal holding control circuit 21B. ing. Specifically, the power supply scanning circuit 24 supplies two types of voltages (V ini and V ss ) to the drive target pixel 11 via the drain line DSL connected to each pixel 11 of the display unit 10. Light emission and quenching of the organic EL element 12R and the like are controlled.

ここで、Vssは、有機EL素子12R等の閾値電圧Velと、有機EL素子12R等のカソードの電圧Vcaとを足し合わせた電圧(Vel+Vca)よりも低い電圧値である。また、Vccは、電圧(Vel+Vca)以上の電圧値である。 Here, V ss is a voltage value lower than a voltage (V el + V ca ) obtained by adding the threshold voltage V el of the organic EL element 12R or the like and the cathode voltage V ca of the organic EL element 12R or the like. V cc is a voltage value equal to or higher than the voltage (V el + V ca ).

次に、図1、図2を参照して、各構成要素の接続関係について説明する。水平駆動回路22内の個々の信号出力部に、列方向に延在して形成された信号線DTL(DTL1,DTL2,……)が一つずつ接続されており、個々の信号線(DTL1,DTL2,……)に、各行の画素11に含まれるトランジスタTWSのドレインが一つずつ接続されている。また、書き込み走査回路23内の個々の信号出力部に、行方向に延在して形成されたゲート線WSL(WSL1,WSL2,……)が一つずつ接続されており、個々のゲート線WSL(WSL1,WSL2,……)に、各列の画素11に含まれるトランジスタTWSのゲートが一つずつ接続されている。また、電源走査回路24内の個々の信号出力部に、行方向に延在して形成されたドレイン線DSL(DSL1,DSL2,……)が一つずつ接続されており、個々のドレイン線DSL(DSL1,DSL2,……)に、ユニット(U1〜U5)内の各画素11に含まれるトランジスタTDrのドレインが接続されている。さらに、各画素11R,11G,11Bにおいて、トランジスタTWSのソースは駆動用のトランジスタTDrのゲートと、保持容量Cの一端に接続されており、トランジスタTDrのソースと保持容量Cの他端とが有機EL素子12R等のアノードに接続されている。また、有機EL素子12R等のカソードは、グラウンド線GNDに接続されている。 Next, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, the connection relationship of each component is demonstrated. The signal lines DTL (DTL1, DTL2,...) Formed so as to extend in the column direction are connected to individual signal output portions in the horizontal drive circuit 22 one by one, and the individual signal lines (DTL1, DTL1,. DTL2, the ...), the drain of the transistor T WS is one by one connections in each row of pixels 11. Further, gate lines WSL (WSL1, WSL2,...) Extending in the row direction are connected to individual signal output portions in the write scanning circuit 23 one by one, and the individual gate lines WSL are connected. (WSL1, WSL2,...) Are connected to the gates of the transistors TWS included in the pixels 11 of each column one by one. In addition, drain lines DSL (DSL1, DSL2,...) Formed so as to extend in the row direction are connected to individual signal output portions in the power supply scanning circuit 24 one by one. (DSL1, DSL2,...) Are connected to the drain of the transistor T Dr included in each pixel 11 in the unit (U1 to U5). Further, each pixel 11R, 11G, at 11B, the source of the transistor T WS is the gate of the transistor T Dr for driving, is connected to one end of the storage capacitor C s, the source and the holding capacitor C s of the transistor T Dr The other end is connected to an anode such as the organic EL element 12R. The cathode of the organic EL element 12R and the like is connected to the ground line GND.

次に、本実施の形態の表示装置1の動作(消光から発光までの動作)について説明する。本実施の形態では、有機EL素子12R等のI−V特性が経時変化したり、トランジスタTDrの閾値電圧Vthや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機EL素子12R等の発光輝度を一定に保つようにするために、有機EL素子12R等のI−V特性の変動に対する補償動作およびトランジスタTDrの閾値電圧Vthや移動度μの変動に対する補正動作を組み込んでいる。 Next, the operation (operation from quenching to light emission) of the display device 1 of the present embodiment will be described. In the present embodiment, or the I-V characteristic changes over time, such as an organic EL element 12R, also the threshold voltage V th and the mobility μ of the transistor T Dr is or change over time, without receiving their effects In order to keep the light emission luminance of the organic EL element 12R and the like constant, the compensation operation for the variation of the IV characteristics of the organic EL element 12R and the like, and the variation of the threshold voltage Vth and mobility μ of the transistor T Dr A correction operation is incorporated.

図4は、表示装置1における各種波形の一例を表したものである。図4には、ドレイン線DSLに2種類の電圧(Vcc、Vss(<Vcc))が、ゲート線WSL1〜WSL6に2種類の電圧(Von、Voff(<Von))が印加されている様子が示されている。図1、図4からわかるように、表示装置1では、ドレイン線DSL(DSL1,DSL2,……)から各画素11にユニット(U1〜U5)ごとに共通のタイミングでVccとVssが印加される。また、ゲート線WSLの電圧がVoffとなっており、一のユニット(例えばU1)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVccとなっており、かつ一のユニット(例えばU1)に隣接する他のユニット(例えばU2)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVssとなっている時に、一のユニット(例えばU1)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVssからVccに上げられると同時に、一のユニット(例えばU1)に隣接する他のユニット(例えばU2)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVccからVssに下げられる。このように、本実施の形態では、互いに隣接するユニット(例えばU1,U2)同士のドレイン線DSLの電圧変化が同期している。 FIG. 4 shows an example of various waveforms in the display device 1. In FIG. 4, two types of voltages (V cc , V ss (<V cc )) are applied to the drain line DSL, and two types of voltages (V on , V off (<V on )) are applied to the gate lines WSL1 to WSL6. The state of being applied is shown. As can be seen from FIGS. 1 and 4, in the display device 1, V cc and V ss are applied from the drain line DSL (DSL1, DSL2,...) To each pixel 11 at a common timing for each unit (U1 to U5). Is done. Further, the voltage of the gate line WSL is V off , the voltage of the drain line DSL provided corresponding to one unit (for example, U1) is V cc , and one unit (for example, U1). The voltage of the drain line DSL provided corresponding to one unit (for example, U1) when the voltage of the drain line DSL provided corresponding to another unit (for example, U2) adjacent to is V ss Is raised from V ss to V cc , the voltage of the drain line DSL provided corresponding to another unit (eg, U 2) adjacent to one unit (eg, U 1) is lowered from V cc to V ss. . As described above, in this embodiment, the voltage changes of the drain lines DSL of the units adjacent to each other (for example, U1 and U2) are synchronized.

図5は、表示装置1の一の画素11に印加される電圧波形の一例を表したものである。具体的には、ドレイン線DSLに2種類の電圧(Vcc、Vss)が、信号線DTLに3種類の電圧(Vsig、Vers(<Vel)、Vofs(<Vers))が、ゲート線WSLに2種類の電圧(Von、Voff)が印加されている様子が示されている。さらに、図5には、ドレイン線DSL、信号線DTLおよびゲート線WSLへの電圧印加に応じて、トランジスタTDrのゲート電圧Vおよびソース電圧Vが時々刻々変化している様子が示されている。なお、上記したVelは、有機EL素子12R等の閾値電圧である。 FIG. 5 shows an example of a voltage waveform applied to one pixel 11 of the display device 1. Specifically, two types of voltages (V cc , V ss ) are applied to the drain line DSL, and three types of voltages (V sig , V ers (<V ell ), V ofs (<V ers )) are applied to the signal line DTL. However, it is shown that two types of voltages (V on , V off ) are applied to the gate line WSL. Further, FIG. 5 shows that the gate voltage V g and the source voltage V s of the transistor T Dr change from moment to moment in response to voltage application to the drain line DSL, the signal line DTL, and the gate line WSL. ing. Note that the above V el is a threshold voltage of the organic EL element 12R and the like.

(消光期間)
まず、有機EL素子12R等の消光を行う。具体的には、ドレイン線DSLの電圧がVccとなっており、かつ信号線DTLの電圧がVersとなっている時に、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。すると、トランジスタTDrのゲート電圧Vが下がり始め、保持容量Cを介したカップリングによりトランジスタTDrのソース電圧Vも下がり始める。その後、ゲート電圧VがVersとなり、ソース電圧VがVel+Vca(Vcaは有機EL素子12R等のカソード電圧)となり、有機EL素子12R等が消光したときに書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げ、トランジスタTDrのゲートをフローティングにする(T)。
(Extinction period)
First, quenching of the organic EL element 12R and the like is performed. Specifically, when the voltage of the drain line DSL is V cc and the voltage of the signal line DTL is Vers , the write scanning circuit 23 changes the voltage of the gate line WSL from V off to V on . (T 1 ), the gate of the transistor T Dr is connected to the signal line DTL. Then, begins to fall the gate voltage V g of the transistor T Dr, it begins to drop even the source voltage V s of the transistor T Dr by coupling through the storage capacitor C s. After that, the gate voltage V g becomes V ers , the source voltage V s becomes V el + V ca (V ca is a cathode voltage of the organic EL element 12R, etc.), and the write scanning circuit 23 is activated when the organic EL element 12R, etc. is extinguished. The voltage of the gate line WSL is lowered from V on to V off, and the gate of the transistor T Dr is brought into a floating state (T 2 ).

(Vth補正準備期間)
次に、Vth補正の準備を行う。具体的には、ゲート線WSLの電圧がVoffとなっている時に、電源走査回路24がドレイン線DSLの電圧をVccからVssに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン線DSL側がソースとなってトランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ゲート電圧VがVss+Vthとなったところで、電流Idsが止まる。このとき、ソース電圧VがVel+Vca−(Vers−(Vss+Vth)となっており、電位差VgsがVthよりも小さくなっている。
(Vth correction preparation period)
Next, preparation for Vth correction is performed. Specifically, when the voltage of the gate line WSL is V off , the power supply scanning circuit 24 lowers the voltage of the drain line DSL from V cc to V ss (T 3 ). Then, is the drain line DSL side of the transistor T Dr is the source and the drain of the transistor T Dr - current I ds flows between the source, where the gate voltage V g becomes V ss + V th, current I ds stops. At this time, the source voltage V s is V el + V ca − (V ers − (V ss + V th )), and the potential difference V gs is smaller than V th .

続いて、電源走査回路24がドレイン線DSLの電圧をVssからVccに上げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ゲート電圧Vおよびソース電圧Vが、トランジスタTDrのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Cとの容量結合によって上昇する。このとき、電位差Vgsは依然としてVthよりも小さくなっている。 Subsequently, the power supply scanning circuit 24 increases the voltage of the drain line DSL from V ss to V cc (T 4 ). Then, a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , and the gate voltage V g and the source voltage V s are caused by capacitive coupling between the parasitic capacitance between the gate and drain of the transistor T Dr and the holding capacitor C s . To rise. At this time, the potential difference V gs is still smaller than V th .

(最初のVth補正期間)
次に、Vthの補正を行う。具体的には、ドレイン線DSLの電圧がVccとなっており、かつ信号線DTLの電圧がVofsとなっている時に、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げる(T)。すると、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ゲート電圧Vおよびソース電圧Vが、トランジスタTDrのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Cとの容量結合によって上昇する。ここで、保持容量Cが有機EL素子12R等の素子容量よりも極めて小さく、ソース電圧Vの上昇量がゲート電圧Vの上昇量よりも十分に小さいので、電位差Vgsが大きくなる。そして、電位差VgsがVthよりも大きくなった段階で、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなり、Vthの補正が一旦停止する。
(First Vth correction period)
Next, Vth is corrected. Specifically, when the voltage of the drain line DSL is V cc and the voltage of the signal line DTL is V ofs , the write scanning circuit 23 changes the voltage of the gate line WSL from V off to V on . Raise (T 5 ). Then, a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , and the gate voltage V g and the source voltage V s are caused by capacitive coupling between the parasitic capacitance between the gate and drain of the transistor T Dr and the holding capacitor C s . To rise. Here, since the storage capacitor C s is extremely smaller than the element capacitance of the organic EL element 12R and the like, and the increase amount of the source voltage V s is sufficiently smaller than the increase amount of the gate voltage V g , the potential difference V gs becomes large. Then, when the potential difference V gs becomes larger than V th , the write scanning circuit 23 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 6 ). Then, the gate of the transistor TDr becomes floating, and the correction of Vth is temporarily stopped.

(最初のVth補正休止期間)
Vth補正が休止している期間中は、例えば、先のVth補正を行った行(画素)とは異なる他の行(画素)において、信号線DTLの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先のVth補正を行った行(画素)において、ソース電圧VがVofs−Vthよりも低いので、Vth補正休止期間中にも、先のVth補正を行った行(画素)において、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇し、保持容量Cを介したカップリングによりゲート電圧Vも上昇する。
(First Vth correction pause period)
During the period when the Vth correction is paused, for example, the voltage of the signal line DTL is sampled in another row (pixel) different from the row (pixel) on which the previous Vth correction has been performed. At this time, since the source voltage V s is lower than V ofs −V th in the row (pixel) in which the previous Vth correction has been performed, the row in which the previous Vth correction has been performed even during the Vth correction pause period ( In the pixel), a current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr , the source voltage V s rises, and the gate voltage V g also rises due to coupling via the storage capacitor C s .

(2回目のVth補正期間)
Vth補正休止期間が終了した後、Vthの補正を再び行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVofsとなっており、Vth補正が可能となっている時に、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。このとき、ソース電圧VがVofs−Vthよりも低い場合(Vth補正がまだ完了していない場合)には、トランジスタTDrがカットオフするまで(電位差VgsがVthになるまで)、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れる。その後、水平駆動回路22が信号線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える前に、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなるので、電位差Vgsを信号線DTLの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。
(Second Vth correction period)
After the Vth correction pause period ends, Vth is corrected again. Specifically, when the voltage of the signal line DTL is V ofs and Vth correction is possible, the write scanning circuit 23 increases the voltage of the gate line WSL from V off to V on (T 5 ). The gate of the transistor T Dr is connected to the signal line DTL. At this time, when the source voltage V s is lower than V ofs −V th (when Vth correction is not yet completed), until the transistor T Dr is cut off (until the potential difference V gs becomes V th ). A current I ds flows between the drain and source of the transistor T Dr. Thereafter, before the horizontal drive circuit 22 switches the voltage of the signal line DTL from V ofs to V sig , the write scanning circuit 23 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 6 ). Then, since the gate of the transistor T Dr becomes floating, the potential difference V gs can be kept constant regardless of the voltage level of the signal line DTL.

なお、このVth補正期間において、保持容量CがVthに充電され、電位差VgsがVthとなった場合には、Vth補正を終了するが、電位差VgsがVthにまで到達しなかった場合には、電位差VgsがVthに到達するまで、Vth補正と、Vth補正休止とを繰り返し実行する。 Incidentally, in this Vth correction period, the holding capacitor C s is charged to V th, when the potential difference V gs becomes V th is terminated Vth correction, not reached the potential difference V gs until the V th In this case, Vth correction and Vth correction pause are repeatedly performed until the potential difference V gs reaches V th .

(書き込み・μ補正期間)
Vth補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線DTLの電圧がVsigとなっている間に、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T)、トランジスタTDrのゲートを信号線DTLに接続する。すると、トランジスタTDrのゲートの電圧がVsigとなる。このとき、有機EL素子12R等のアノードの電圧はこの段階ではまだ有機EL素子12R等の閾値電圧Velよりも小さく、有機EL素子12R等はカットオフしている。そのため、電流Idsは有機EL素子12R等の素子容量に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧VがΔVだけ上昇し、やがて電位差VgsがVsig+Vth−ΔVとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。
(Writing / μ correction period)
After the Vth correction pause period ends, writing and μ correction are performed. Specifically, while the voltage of the signal line DTL is V sig , the write scanning circuit 23 increases the voltage of the gate line WSL from V off to V on (T 7 ), and the gate of the transistor T Dr is signaled. Connect to line DTL. Then, the gate voltage of the transistor T Dr becomes V sig . At this time, the anode voltage of an organic EL element 12R is smaller than the threshold voltage V el still such as organic EL devices 12R at this stage, the organic EL device 12R and the like is cut off. Therefore, the current I ds flows to the element capacitance such as an organic EL element 12R, since the element capacitance is charged, the source voltage V s is increased by [Delta] V, the potential difference V gs becomes V sig + V th -ΔV soon. In this way, μ correction is performed simultaneously with writing.

(発光)
最後に、書き込み走査回路23がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T)。すると、トランジスタTDrのゲートがフローティングとなり、トランジスタTDrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vが上昇する。その結果、有機EL素子12R等が所望の輝度で発光する。
(Light emission)
Finally, the write scanning circuit 23 lowers the voltage of the gate line WSL from V on to V off (T 8 ). Then, the gate of the transistor T Dr is a floating, the drain of the transistor T Dr - current I ds flows between the source, the source voltage V s rises. As a result, the organic EL element 12R and the like emit light with desired luminance.

本実施の形態の表示装置1では、上記のようにして、各画素11において画素回路13がオンオフ制御され、各画素11の有機EL素子12R等に駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、陽極と陰極との間で多重反射し、陰極等を透過して外部に取り出される。その結果、表示部10において画像が表示される。   In the display device 1 of the present embodiment, as described above, the pixel circuit 13 is controlled to be turned on / off in each pixel 11, and a driving current is injected into the organic EL element 12 </ b> R of each pixel 11. Light emission occurs due to recombination with electrons. This light is multiple-reflected between the anode and the cathode, passes through the cathode, etc., and is extracted outside. As a result, an image is displayed on the display unit 10.

ところで、図2に示したように、有機EL素子12R等のカソードに接続されたグラウンド線GNDは、画素11R,11G,11Bの周囲に、縦横に延在して配置されている。そのため、グラウンド線GNDは、電源走査回路24に接続されたドレイン線DSLと交差しており、グラウンド線GNDとドレイン線DSLとの交差部分に寄生容量Cαが存在する。その結果、ドレイン線DSLの電圧がVccからViniに変わったり、ViniからVccに変わったりすると、寄生容量Cαを介したカップリングによりグラウンド線GNDの電圧も揺れてしまう。 By the way, as shown in FIG. 2, the ground line GND connected to the cathode of the organic EL element 12R or the like is arranged extending vertically and horizontally around the pixels 11R, 11G, and 11B. Therefore, the ground line GND intersects with the drain line DSL connected to the power supply scanning circuit 24, and a parasitic capacitance exists at the intersection between the ground line GND and the drain line DSL. As a result, changes or voltage of the drain line DSL from V cc to V ini, when or changed from V ini to V cc, thereby swinging the voltage of the ground line GND by coupling through the parasitic capacitance C alpha.

図19は、寄生容量Cαを介したカップリングによりグラウンド線GNDの電圧が揺れている様子を模式的に表したものである。図19から、一のユニットに含まれる画素11R,11G,11Bのドレイン線DSLの電圧をVccからViniに変えたり、ViniからVccに変えたりすると、グラウンド線GNDの電圧も、ドレイン線DSLの電圧変化に応じて揺れていることがわかる。 Figure 19 is a state in which the swing voltage of the ground line GND by coupling through the parasitic capacitance C alpha that schematically shows. From FIG. 19, when the voltage of the drain line DSL of the pixels 11R, 11G, and 11B included in one unit is changed from V cc to V ini or from V ini to V cc , the voltage of the ground line GND is also increased. It can be seen that the signal fluctuates according to the voltage change of the line DSL.

このように、一のユニットに含まれる画素11R,11G,11Bのドレイン線DSLの電圧変化に応じてグラウンド線GNDの電圧が揺れているとき、図17に示したように、それに隣接するユニットに含まれる画素11R,11G,11Bでは、ちょうどVth補正が行われていた。ところが、そのとき、グラウンド線GNDの電圧の揺れに伴って、Vth補正を行っている画素11R,11G,11Bにおいて、ゲート電圧Vおよびソース電圧Vも揺れてしまう。その結果、例えば、図20に示したように、Vth補正中にソース電圧Vが突き上げられ、Vofs−Vthを超えてしまった場合には、電位差VgsがVthよりも小さくなり、Vth補正を正しく行うことができない。 Thus, when the voltage of the ground line GND fluctuates according to the voltage change of the drain line DSL of the pixels 11R, 11G, and 11B included in one unit, as shown in FIG. In the included pixels 11R, 11G, and 11B, Vth correction has just been performed. However, this time, along with the swing of the voltage of the ground line GND, the pixel 11R are performed Vth correction, 11G, at 11B, thereby also swing the gate voltage V g and the source voltage V s. As a result, for example, as shown in FIG. 20, when the source voltage V s is pushed up during Vth correction and exceeds V ofs −V th , the potential difference V gs becomes smaller than V th , Vth correction cannot be performed correctly.

一方、本実施の形態の表示装置1では、図4、図6に示したように、ゲート線WSLの電圧がVoffとなっており、一のユニット(例えばU1)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVssとなっており、かつ一のユニット(例えばU1)に隣接する他のユニット(例えばU2)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVccとなっている時に、一のユニット(例えばU1)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVssからVccに上げられると同時に、一のユニット(例えばU1)に隣接する他のユニット(例えばU2)に対応して設けられたドレイン線DSLの電圧がVccからVssに下げられる。このようにして、互いに隣接するユニット(例えばU1,U2)同士のドレイン線DSLの電圧変化を同期させることにより、寄生容量Cαを介したカップリングによるグラウンド線GNDの電圧の揺れをキャンセルすることができる。これにより、Vthを補正する際に、グラウンド線GNDの電圧の揺れに起因して電位差VgsがVthよりも小さくなるのを防止することができる。その結果、Vthを確実に補正することができる。 On the other hand, in the display device 1 of the present embodiment, as shown in FIGS. 4 and 6, the voltage of the gate line WSL is V off and provided corresponding to one unit (for example, U1). the voltage of the drain line DSL has a V ss, and one unit (e.g., U1) other unit adjacent to (e.g., U2) to the voltage of the drain line DSL provided correspondingly has a V cc Sometimes, the voltage of the drain line DSL provided corresponding to one unit (for example, U1) is raised from V ss to V cc , and at the same time, another unit (for example, U2) adjacent to the one unit (for example, U1). drain line DSL voltage provided corresponding to is lowered to V ss from V cc. In this manner, by synchronizing the change in voltage of the drain line DSL for between the adjacent units (e.g. U1, U2) with each other, to cancel the fluctuation of the voltage of the ground line GND by coupling through the parasitic capacitance C alpha Can do. Thereby, when correcting Vth , it is possible to prevent the potential difference Vgs from becoming smaller than Vth due to the fluctuation of the voltage of the ground line GND. As a result, Vth can be reliably corrected.

(モジュールおよび適用例)
以下、上記実施の形態で説明した表示装置1の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置1は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
(Modules and application examples)
Hereinafter, application examples of the display device 1 described in the above embodiment will be described. The display device 1 according to the above embodiment is a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera, such as an externally input video signal or an internally generated video signal. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display images or videos.

(モジュール)
上記実施の形態の表示装置1は、例えば、図7に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板2の一辺に、表示部10を封止する部材(図示せず)から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、タイミング制御回路21、水平駆動回路22、書き込み走査回路23および電源走査回路24の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
(module)
The display device 1 according to the above-described embodiment is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module as illustrated in FIG. In this module, for example, an area 210 exposed from a member (not shown) that seals the display unit 10 is provided on one side of the substrate 2, and the timing control circuit 21, the horizontal drive circuit 22, The wiring lines of the write scanning circuit 23 and the power supply scanning circuit 24 are extended to form external connection terminals (not shown). The external connection terminal may be provided with a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input / output.

(適用例1)
図8は、上記実施の形態の表示装置1が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記実施の形態に係る表示装置1により構成されている。
(Application example 1)
FIG. 8 illustrates an appearance of a television device to which the display device 1 of the above embodiment is applied. The television apparatus has, for example, a video display screen unit 300 including a front panel 310 and a filter glass 320, and the video display screen unit 300 is configured by the display device 1 according to the above embodiment. .

(適用例2)
図9は、上記実施の形態の表示装置1が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記実施の形態に係る表示装置1により構成されている。
(Application example 2)
FIG. 9 shows the appearance of a digital camera to which the display device 1 of the above embodiment is applied. The digital camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440. The display unit 420 is configured by the display device 1 according to the above embodiment. Yes.

(適用例3)
図10は、上記実施の形態の表示装置1が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記実施の形態に係る表示装置1により構成されている。
(Application example 3)
FIG. 10 shows the appearance of a notebook personal computer to which the display device 1 of the above embodiment is applied. The notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 for displaying an image. The display unit 530 is a display device according to the above embodiment. 1.

(適用例4)
図11は、上記実施の形態の表示装置1が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記実施の形態に係る表示装置1により構成されている。
(Application example 4)
FIG. 11 shows the appearance of a video camera to which the display device 1 of the above embodiment is applied. This video camera has, for example, a main body 610, a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 630 at the time of photographing, and a display 640. Reference numeral 640 denotes the display device 1 according to the above embodiment.

(適用例5)
図12は、上記実施の形態の表示装置1が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記実施の形態に係る表示装置1により構成されている。
(Application example 5)
FIG. 12 shows the appearance of a mobile phone to which the display device 1 of the above embodiment is applied. For example, the mobile phone is obtained by connecting an upper housing 710 and a lower housing 720 with a connecting portion (hinge portion) 730, and includes a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 770. Yes. The display 740 or the sub-display 750 is configured by the display device 1 according to the above embodiment.

以上、実施の形態および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。   While the present invention has been described with the embodiment and application examples, the present invention is not limited to the above-described embodiment and the like, and various modifications can be made.

例えば、上記実施の形態等では、表示装置1がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路13の構成は上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを画素回路13に追加してもよい。その場合、画素回路13の変更に応じて、上述した水平駆動回路22、書き込み走査回路23、電源走査回路24のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。   For example, in the above-described embodiment, the case where the display device 1 is an active matrix type has been described. However, the configuration of the pixel circuit 13 for driving the active matrix is not limited to that described in the above-described embodiment, and is necessary. Depending on the case, a capacitor or a transistor may be added to the pixel circuit 13. In that case, a necessary drive circuit may be added in addition to the above-described horizontal drive circuit 22, write scan circuit 23, and power supply scan circuit 24 according to the change of the pixel circuit 13.

また、上記実施の形態等では、水平駆動回路22、書き込み走査回路23および電源走査回路24の駆動を信号保持制御回路21Bが制御していたが、他の回路がこれらの駆動を制御するようにしてもよい。また、水平駆動回路22、書き込み走査回路23および電源走査回路24の制御は、ハードウェア(回路)で行われていてもよいし、ソフトウェア(プログラム)で行われていてもよい。   In the above embodiment and the like, the signal holding control circuit 21B controls the driving of the horizontal driving circuit 22, the writing scanning circuit 23, and the power supply scanning circuit 24. However, other circuits control the driving of these circuits. May be. The control of the horizontal drive circuit 22, the write scanning circuit 23, and the power supply scanning circuit 24 may be performed by hardware (circuit) or software (program).

本発明の一実施の形態に係る表示装置の一例を表す構成図である。It is a block diagram showing an example of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図1の画素の内部構成の一例を表す構成図である。It is a block diagram showing an example of the internal structure of the pixel of FIG. 図1の表示装置のユニットスキャンについて説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the unit scan of the display apparatus of FIG. 図1の表示装置の動作の一例について説明するための波形図である。It is a wave form diagram for demonstrating an example of operation | movement of the display apparatus of FIG. 一の画素における動作の一例について説明するための波形図である。It is a wave form chart for explaining an example of operation in one pixel. グラウンド線の電位の揺れについて説明するための波形図である。It is a wave form diagram for demonstrating the fluctuation | variation of the electric potential of a ground line. 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。It is a top view showing schematic structure of the module containing the display apparatus of each said embodiment. 上記実施の形態の表示装置の適用例1の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 1 of the display apparatus of the said embodiment. (A)は適用例2の表側から見た外観を表す斜視図であり、(B)は裏側から見た外観を表す斜視図である。(A) is a perspective view showing the external appearance seen from the front side of the application example 2, (B) is a perspective view showing the external appearance seen from the back side. 適用例3の外観を表す斜視図である。12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 3. FIG. 適用例4の外観を表す斜視図である。14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4. FIG. (A)は適用例5の開いた状態の正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態の正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。(A) is a front view of the application example 5 in an open state, (B) is a side view thereof, (C) is a front view in a closed state, (D) is a left side view, and (E) is a right side view, (F) is a top view and (G) is a bottom view. 従来の表示装置の一例を表す構成図である。It is a block diagram showing an example of the conventional display apparatus. 図13の画素の内部構成の一例を表す構成図である。It is a block diagram showing an example of the internal structure of the pixel of FIG. 図13の表示装置の動作の一例について説明するための波形図である。FIG. 14 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the display device of FIG. 13. 従来の表示装置の他の例を表す構成図である。It is a block diagram showing the other example of the conventional display apparatus. 図16の表示装置の動作の一例について説明するための波形図である。FIG. 17 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the display device of FIG. 16. 一の画素における動作の一例について説明するための波形図である。It is a wave form chart for explaining an example of operation in one pixel. グラウンド線の電位の揺れについて説明するための波形図である。It is a wave form diagram for demonstrating the fluctuation | variation of the electric potential of a ground line. グラウンド線の電位の揺れの影響について説明するための波形図である。It is a wave form diagram for demonstrating the influence of the fluctuation | variation of the electric potential of a ground line.

符号の説明Explanation of symbols

1…表示装置、10…表示部、11,11R,11G,11B…画素、12R,12G,12B…有機EL素子、13…画素回路、20…周辺回路部、21…タイミング制御回路、21A…表示信号生成回路、21B…表示信号保持制御回路、22…水平駆動回路、23…書き込み走査回路、24…電源走査回路、C…保持容量、DSL(DSL1,DSL2,……)…ドレイン線、DTL(DTL1,DTL2,……)…信号線、Ids…電流、TDr,TWS…トランジスタ、V…ゲート電圧、Vgs…電位差、V…ソース電圧、Vth…閾値電圧、WSL(WSL1,WSL2,……)…ゲート線。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus, 10 ... Display part, 11, 11R, 11G, 11B ... Pixel, 12R, 12G, 12B ... Organic EL element, 13 ... Pixel circuit, 20 ... Peripheral circuit part, 21 ... Timing control circuit, 21A ... Display signal generating circuit, 21B ... display signal retention control circuit, 22 ... horizontal drive circuit, 23 ... writing scanning circuit, 24 ... power scanning circuit, C s ... holding capacity, DSL (DSL1, DSL2, ...... ) ... drain line, DTL (DTL1, DTL2, ......) ... signal line, I ds ... current, T Dr, T WS ... transistors, V g ... gate voltage, V gs ... potential, V s ... source voltage, V th ... threshold voltage, WSL ( WSL1, WSL2, ...) ... Gate lines.

Claims (3)

発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に2次元配置された表示部と、
映像信号に基づいて前記画素回路を駆動する駆動部と
を備え、
前記画素回路は、第1トランジスタと、第2トランジスタと、保持容量とを有し、
前記駆動部は、第1駆動部と、第2駆動部と、第3駆動部と、制御部と、第1配線と、第2配線と、第3配線と、参照電圧に設定される第4配線とを有し、
前記第2配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、前記ユニットごとに一つずつ設けられ、
前記第1トランジスタのゲートが前記第1配線を介して前記第1駆動部に接続され、
前記第1トランジスタのドレインまたはソースが前記第3配線を介して前記第3駆動部に接続され、
前記第1トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第3駆動部に未接続の方が前記第2トランジスタのゲートおよび前記保持容量の一端に接続され、
前記ユニット内の各画素に含まれる第2トランジスタのドレインまたはソースが共通の第2配線を介して前記第2駆動部に接続され、
前記第2トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第2駆動部に未接続の方が前記保持容量の他端および前記発光素子のアノードに接続され、
前記発光素子のカソードが前記第4配線に接続され、
前記第1駆動部は、前記第1トランジスタのオン電圧よりも低い第1電圧と、前記第1トランジスタのオン電圧以上の第2電圧とを前記第1配線に出力可能となっており、
前記第2駆動部は、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和よりも低い第3電圧と、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和以上の第4電圧とを前記第2配線に出力可能となっており、
前記第3駆動部は、第5電圧と、前記映像信号に応じた大きさの第6電圧とを前記第3配線に出力可能となっており、
前記制御部は、前記第2駆動部に対して、前記第1配線の電圧が前記第1電圧となっており、一のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧が前記第3電圧となっており、かつ前記一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧が前記第4電圧となっている時に、前記一のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧を前記第3電圧から前記第4電圧に上げると同時に、前記一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧を前記第4電圧から前記第3電圧に下げることを指示する制御信号を出力する表示装置。
A display unit in which a plurality of pixels configured to include a light emitting element and a pixel circuit are two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction;
A drive unit for driving the pixel circuit based on a video signal,
The pixel circuit includes a first transistor, a second transistor, and a storage capacitor.
The driving unit is set to a first driving unit, a second driving unit, a third driving unit, a control unit, a first wiring, a second wiring, a third wiring, and a reference voltage. Wiring and
The second wiring is provided for each unit with a plurality of pixel rows as one unit,
A gate of the first transistor is connected to the first driver through the first wiring;
A drain or a source of the first transistor is connected to the third driver through the third wiring;
Of the drain and source of the first transistor, the one not connected to the third driver is connected to the gate of the second transistor and one end of the storage capacitor,
A drain or a source of a second transistor included in each pixel in the unit is connected to the second driving unit via a common second wiring;
Of the drain and source of the second transistor, the one not connected to the second drive unit is connected to the other end of the storage capacitor and the anode of the light emitting element,
A cathode of the light emitting element is connected to the fourth wiring;
The first driving unit can output a first voltage lower than an on-voltage of the first transistor and a second voltage equal to or higher than an on-voltage of the first transistor to the first wiring.
The second driving unit generates a third voltage lower than a sum of a threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage, and a fourth voltage equal to or higher than a sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage. It is possible to output to 2 wires,
The third driving unit can output a fifth voltage and a sixth voltage having a magnitude corresponding to the video signal to the third wiring.
In the control unit, the voltage of the first wiring is the first voltage with respect to the second driving unit, and the voltage of the second wiring provided corresponding to one unit is the third voltage. When the voltage of the second wiring provided corresponding to the other unit adjacent to the one unit is the fourth voltage, the voltage is provided corresponding to the one unit. The voltage of the second wiring provided corresponding to the other unit adjacent to the one unit is simultaneously raised to the fourth voltage from the third voltage to the fourth voltage. A display device that outputs a control signal instructing to lower the voltage to the third voltage.
発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に2次元配置された表示部と、
映像信号に基づいて前記画素回路を駆動する駆動部と
を備え、
前記画素回路は、第1トランジスタと、第2トランジスタと、保持容量とを有し、
前記駆動部は、第1駆動部と、第2駆動部と、第3駆動部と、第1配線と、第2配線と、第3配線と、参照電圧に設定される第4配線とを有し、
前記第2配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、前記ユニットごとに一つずつ設けられ、
前記第1トランジスタのゲートが前記第1配線を介して前記第1駆動部に接続され、
前記第1トランジスタのドレインまたはソースが前記第3配線を介して前記第3駆動部に接続され、
前記第1トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第3駆動部に未接続の方が前記第2トランジスタのゲートおよび前記保持容量の一端に接続され、
前記ユニット内の各画素に含まれる第2トランジスタのドレインまたはソースが共通の第2配線を介して前記第2駆動部に接続され、
前記第2トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第2駆動部に未接続の方が前記保持容量の他端および前記発光素子のアノードに接続され、
前記発光素子のカソードが前記第4配線に接続され、
前記第1駆動部は、前記第1トランジスタのオン電圧よりも低い第1電圧と、前記第1トランジスタのオン電圧以上の第2電圧とを前記第1配線に出力可能となっており、
前記第2駆動部は、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和よりも低い第3電圧と、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和以上の第4電圧とを前記第2配線に出力可能となっており、
前記第3駆動部は、第5電圧と、前記映像信号に応じた大きさの第6電圧とを前記第3配線に出力可能となっている表示装置の前記第2駆動部は、前記第1配線の電圧が前記第1電圧となっており、一のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧が前記第3電圧となっており、かつ前記一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧が前記第4電圧となっている時に、前記一のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧を前記第3電圧から前記第4電圧に上げると同時に、前記一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧を前記第4電圧から前記第3電圧に下げる表示装置の駆動方法。
A display unit in which a plurality of pixels configured to include a light emitting element and a pixel circuit are two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction;
A drive unit for driving the pixel circuit based on a video signal,
The pixel circuit includes a first transistor, a second transistor, and a storage capacitor.
The driving unit includes a first driving unit, a second driving unit, a third driving unit, a first wiring, a second wiring, a third wiring, and a fourth wiring set to a reference voltage. And
The second wiring is provided for each unit with a plurality of pixel rows as one unit,
A gate of the first transistor is connected to the first driver through the first wiring;
A drain or a source of the first transistor is connected to the third driver through the third wiring;
Of the drain and source of the first transistor, the one not connected to the third driver is connected to the gate of the second transistor and one end of the storage capacitor,
A drain or a source of a second transistor included in each pixel in the unit is connected to the second driving unit via a common second wiring;
Of the drain and source of the second transistor, the one not connected to the second drive unit is connected to the other end of the storage capacitor and the anode of the light emitting element,
A cathode of the light emitting element is connected to the fourth wiring;
The first driving unit can output a first voltage lower than an on-voltage of the first transistor and a second voltage equal to or higher than an on-voltage of the first transistor to the first wiring.
The second driving unit generates a third voltage lower than a sum of a threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage, and a fourth voltage equal to or higher than a sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage. It is possible to output to 2 wires,
The third driving unit is capable of outputting a fifth voltage and a sixth voltage having a magnitude corresponding to the video signal to the third wiring. The voltage of the wiring is the first voltage, the voltage of the second wiring provided corresponding to one unit is the third voltage, and another unit adjacent to the one unit When the voltage of the second wiring provided corresponding to the second voltage is the fourth voltage, the voltage of the second wiring provided corresponding to the one unit is changed from the third voltage to the fourth voltage. A method for driving a display device, wherein the voltage of the second wiring provided corresponding to another unit adjacent to the one unit is lowered from the fourth voltage to the third voltage at the same time when the voltage is raised.
表示装置を備え、
前記表示装置は、
発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に2次元配置された表示部と、
映像信号に基づいて前記画素回路を駆動する駆動部と
を有し、
前記画素回路は、第1トランジスタと、第2トランジスタと、保持容量とを有し、
前記駆動部は、第1駆動部と、第2駆動部と、第3駆動部と、制御部と、第1配線と、第2配線と、第3配線と、参照電圧に設定される第4配線とを有し、
前記第2配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、前記ユニットごとに一つずつ設けられ、
前記第1トランジスタのゲートが前記第1配線を介して前記第1駆動部に接続され、
前記第1トランジスタのドレインまたはソースが前記第3配線を介して前記第3駆動部に接続され、
前記第1トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第3駆動部に未接続の方が前記第2トランジスタのゲートおよび前記保持容量の一端に接続され、
前記ユニット内の各画素に含まれる第2トランジスタのドレインまたはソースが共通の第2配線を介して前記第2駆動部に接続され、
前記第2トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第2駆動部に未接続の方が前記保持容量の他端および前記発光素子のアノードに接続され、
前記発光素子のカソードが前記第4配線に接続され、
前記第1駆動部は、前記第1トランジスタのオン電圧よりも低い第1電圧と、前記第1トランジスタのオン電圧以上の第2電圧とを前記第1配線に出力可能となっており、
前記第2駆動部は、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和よりも低い第3電圧と、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和以上の第4電圧とを前記第2配線に出力可能となっており、
前記第3駆動部は、第5電圧と、前記映像信号に応じた大きさの第6電圧とを前記第3配線に出力可能となっており、
前記制御部は、前記第2駆動部に対して、前記第1配線の電圧が前記第1電圧となっており、一のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧が前記第3電圧となっており、かつ前記一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧が前記第4電圧となっている時に、前記一のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧を前記第3電圧から前記第4電圧に上げると同時に、前記一のユニットに隣接する他のユニットに対応して設けられた前記第2配線の電圧を前記第4電圧から前記第3電圧に下げることを指示する制御信号を出力する電子機器。
A display device,
The display device
A display unit in which a plurality of pixels configured to include a light emitting element and a pixel circuit are two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction;
A drive unit for driving the pixel circuit based on a video signal,
The pixel circuit includes a first transistor, a second transistor, and a storage capacitor.
The driving unit is set to a first driving unit, a second driving unit, a third driving unit, a control unit, a first wiring, a second wiring, a third wiring, and a reference voltage. Wiring and
The second wiring is provided for each unit with a plurality of pixel rows as one unit,
A gate of the first transistor is connected to the first driver through the first wiring;
A drain or a source of the first transistor is connected to the third driver through the third wiring;
Of the drain and source of the first transistor, the one not connected to the third driver is connected to the gate of the second transistor and one end of the storage capacitor,
A drain or a source of a second transistor included in each pixel in the unit is connected to the second driving unit via a common second wiring;
Of the drain and source of the second transistor, the one not connected to the second drive unit is connected to the other end of the storage capacitor and the anode of the light emitting element,
A cathode of the light emitting element is connected to the fourth wiring;
The first driving unit can output a first voltage lower than an on-voltage of the first transistor and a second voltage equal to or higher than an on-voltage of the first transistor to the first wiring.
The second driving unit generates a third voltage lower than a sum of a threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage, and a fourth voltage equal to or higher than a sum of the threshold voltage of the light emitting element and the reference voltage. It is possible to output to 2 wires,
The third driving unit can output a fifth voltage and a sixth voltage having a magnitude corresponding to the video signal to the third wiring.
In the control unit, the voltage of the first wiring is the first voltage with respect to the second driving unit, and the voltage of the second wiring provided corresponding to one unit is the third voltage. When the voltage of the second wiring provided corresponding to the other unit adjacent to the one unit is the fourth voltage, the voltage is provided corresponding to the one unit. The voltage of the second wiring provided corresponding to the other unit adjacent to the one unit is simultaneously raised to the fourth voltage from the third voltage to the fourth voltage. An electronic device that outputs a control signal instructing to lower the voltage to the third voltage.
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