JP2010020926A

JP2010020926A - Display device

Info

Publication number: JP2010020926A
Application number: JP2008178039A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Sagawa; 裕志佐川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2008-07-08
Filing date: 2008-07-08
Publication date: 2010-01-28

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of obtaining high luminance, and capable of obtaining a uniform luminance distribution. SOLUTION: The display includes organic light-emitting elements 10R, 10G, 10B having sequentially the first electrode layer 13, a lower organic layer 14, an upper organic layer 15 including a light-emitting layer, and the second electrode layer 16, on a base body 11 embedded with a drive transistor Tr1. The drive transistor Tr1 controls a voltage applied between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16. The display is provided, on the uppermost face of the base body 11, with a metal layer 23 electrically insulated from the drive transistor Tr1 and the first electrode layer 13 and electrically connected to the second electrode layer 16. The metal layer 23 comprises aluminum or the like, and functions as an auxiliary electrode layer of the second electrode layer 16. The metal layer is also functioned as a light-shielding layer, and prevents an unnecessary light such as an outdoor daylight from advancing into the drive transistor Tr1. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機層を含む自発光型の表示素子を備えた表示装置に関する。 The present invention relates to a display device including a self-luminous display element including an organic layer.

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機層を含む自発光型の有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。 In recent years, an organic EL display using a self-luminous organic light-emitting element including an organic layer has been put into practical use as a display device replacing a liquid crystal display. Since the organic EL display is a self-luminous type, it has a wider viewing angle than a liquid crystal or the like, and has sufficient response to a high-definition high-speed video signal.

これまで有機発光素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなど発光層で発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第０１／３９５５４号パンフレット For organic light-emitting devices, attempts have been made to improve display performance by introducing a resonator structure and controlling the light generated in the light-emitting layer, such as improving the color purity of the emitted color or increasing the light-emitting efficiency. (For example, refer to Patent Document 1).
WO 01/39554 pamphlet

こうした有機発光素子を複数備えた有機ＥＬディスプレイでは、一般に、一対の電極のうちの一方を複数の有機発光素子に共通した１つの共通電極としている。ところが、有機ＥＬディスプレイの表示画面の面積が増大するに伴い、表示画面内において輝度のばらつきが顕著に表れるという問題が生じることとなった。そのような輝度のばらつきは、共通電極が比較的抵抗値の高いＩＴＯなどの透明電極であり、電源から個々の有機発光素子までの距離に応じた電圧降下が生じることに起因する。そこで、より導電性に優れる銅やアルミニウムなどの不透明な金属を用いて有機発光素子同士の隙間に延在する補助電極を設け、これを共通電極と電気的に接続することで電圧降下を抑制する技術が開発されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−２０７２１７号公報 In an organic EL display including a plurality of such organic light emitting elements, one of the pair of electrodes is generally used as one common electrode common to the plurality of organic light emitting elements. However, as the area of the display screen of the organic EL display increases, there arises a problem that the variation in luminance appears remarkably in the display screen. Such variation in luminance is caused by the fact that the common electrode is a transparent electrode such as ITO having a relatively high resistance value, and a voltage drop corresponding to the distance from the power source to each organic light emitting element occurs. Therefore, an auxiliary electrode extending in the gap between the organic light emitting elements is provided using an opaque metal such as copper or aluminum having better conductivity, and the voltage drop is suppressed by electrically connecting the auxiliary electrode to the common electrode. Technology has been developed (see, for example, Patent Document 2).
JP 2004-207217 A

ところが最近では、有機ＥＬディスプレイではますます大画面化が進み、有機発光素子同士の間に配設された補助電極を用いても電圧降下を十分に抑えることができなくなる傾向にある。そのため、画面周辺部に比べて画面中央に位置する画素の輝度が不十分となりがちである。そこで、補助電極の断面を大きくすることで電圧降下を抑える方法も考えられるが、補助電極の断面をあまり大きくしすぎると、表示画面全体の面積に対する各画素の発光領域の割合、すなわち、開口率を低下させてしまうこととなる。 However, recently, an organic EL display has a larger screen, and even if an auxiliary electrode disposed between organic light emitting elements is used, a voltage drop cannot be sufficiently suppressed. For this reason, the luminance of the pixel located at the center of the screen tends to be insufficient compared to the peripheral portion of the screen. Therefore, a method of suppressing the voltage drop by enlarging the cross section of the auxiliary electrode is also conceivable. Will be reduced.

そのため、大画面化した場合であっても、開口率を低下させることなく、画面全体に亘ってばらつきの少ない、かつ十分な輝度が得られる有機ＥＬディスプレイが望まれる。 Therefore, even when the screen is enlarged, an organic EL display that can achieve sufficient luminance with little variation over the entire screen without reducing the aperture ratio is desired.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い輝度が得られ、かつ、より均質な輝度分布が得られる表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a display device capable of obtaining high luminance and obtaining a more uniform luminance distribution.

本発明の表示装置は、以下の（１）〜（３）の全ての要件を有するものである。
（１）第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層された発光素子。
（２）第１電極層の、第２電極層とは反対側に位置し、第１電極層と第２電極層との間に印加される電圧を制御する駆動素子。
（３）駆動素子と第１電極層との間に位置し、駆動素子および第１電極層と電気的に絶縁されると共に第２電極層と電気的に接続された金属層。 The display device of the present invention has all the following requirements (1) to (3).
(1) A light emitting device in which a first electrode layer, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode layer are sequentially stacked.
(2) A driving element that is located on the opposite side of the first electrode layer from the second electrode layer and controls a voltage applied between the first electrode layer and the second electrode layer.
(3) A metal layer located between the driving element and the first electrode layer, electrically insulated from the driving element and the first electrode layer, and electrically connected to the second electrode layer.

本発明の表示装置では、第２電極層と電気的に接続された金属層が第２電極層の補助電極層として機能する。よって、大画面化した場合であっても、画像表示動作時における第２電極層の電圧降下が低減される。また、その金属層が不透明な材料からなる場合には、駆動素子と第１電極層との間に配置されるので、外光や、隣り合う他の発光素子において多重反射した光などの不要光が駆動素子へ進入するのを防ぐ遮光層としても機能する。 In the display device of the present invention, the metal layer electrically connected to the second electrode layer functions as an auxiliary electrode layer of the second electrode layer. Therefore, even when the screen is enlarged, the voltage drop of the second electrode layer during the image display operation is reduced. Further, when the metal layer is made of an opaque material, it is disposed between the driving element and the first electrode layer, so unnecessary light such as external light or light that has been multiple-reflected by another adjacent light emitting element. It also functions as a light shielding layer that prevents the light from entering the drive element.

本発明の表示装置によれば、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層を順に有する発光素子と、第１電極層と第２電極層との間に印加される電圧を制御する駆動素子と、第２電極層と電気的に接続された金属層とを備えるようにしたので、金属層を、第２電極層の補助電極層として機能させることができる。よって、表示画面全体に亘ってより均質化された輝度分布を得ることができる。ここで、金属層を、積層方向における駆動素子と発光素子との間に設けるようにしたので、各発光素子の発光領域を十分に確保することができ、開口率を低下させることがない。そのため、従来のように補助電極層を発光素子同士の隙間に設けるようにした場合よりも、表示画面全体の輝度を向上させることができる。したがって、さらなる大画面化に十分に対応可能である。 According to the display device of the present invention, the voltage applied between the first electrode layer, the organic layer including the light emitting layer, and the light emitting element having the second electrode layer in this order, and the first electrode layer and the second electrode layer. Since the driving element for controlling the above and the metal layer electrically connected to the second electrode layer are provided, the metal layer can function as an auxiliary electrode layer of the second electrode layer. Therefore, a more uniform luminance distribution can be obtained over the entire display screen. Here, since the metal layer is provided between the driving element and the light emitting element in the stacking direction, a sufficient light emitting region of each light emitting element can be secured, and the aperture ratio is not lowered. Therefore, the luminance of the entire display screen can be improved as compared with the case where the auxiliary electrode layer is provided in the gap between the light emitting elements as in the conventional case. Therefore, it can sufficiently cope with further enlargement of the screen.

特に、金属層が遮光性を有する場合には、不要光が駆動素子へ進入するのを防ぐ遮光層としても機能するので、例えば駆動素子として薄膜トランジスタを用いた場合、薄膜トランジスタを構成する半導体層において光リーク電流が発生するのを抑制することができ、フリッカ等の不具合を回避し、表示特性を向上させることができる。 In particular, when the metal layer has a light-shielding property, it also functions as a light-shielding layer that prevents unnecessary light from entering the drive element. For example, when a thin film transistor is used as the drive element, light is emitted from the semiconductor layer that forms the thin film transistor. Generation of a leak current can be suppressed, problems such as flicker can be avoided, and display characteristics can be improved.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明における一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基体１１の上に表示領域１１０が形成されたものである。基体１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。 FIG. 1 illustrates a configuration of a display device using an organic light-emitting element according to an embodiment of the present invention. This display device is used as an ultra-thin organic light emitting color display device. In this display device, a display region 110 is formed on a substrate 11. Around the display area 110 on the substrate 11, for example, a signal line driving circuit 120, a scanning line driving circuit 130, and a power supply line driving circuit 140, which are drivers for displaying images, are formed.

表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。 In the display area 110, a plurality of organic light emitting elements 10 (10R, 10G, 10B) arranged two-dimensionally in a matrix and a pixel driving circuit 150 for driving them are formed. In the pixel driving circuit 150, a plurality of signal lines 120A (120A1, 120A2,..., 120Am,...) Are arranged in the column direction, and a plurality of scanning lines 130A (130A1,. 130An,...) And a plurality of power supply lines 140A (140A1,..., 140An,...) Are arranged. Any one of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B is provided corresponding to each intersection of each signal line 120A and each scanning line 130A. Each signal line 120A is connected to the signal line driving circuit 120, each scanning line 130A is connected to the scanning line driving circuit 130, and each power supply line 140A is connected to the power supply line driving circuit 140.

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。 The signal line driving circuit 120 supplies a signal voltage of a video signal corresponding to luminance information supplied from a signal supply source (not shown) to the selected organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B via the signal line 120A. To do.

走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。 The scanning line driving circuit 130 includes a shift register that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse. The scanning line driving circuit 130 scans them in units of rows when writing video signals to the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and sequentially supplies the scanning signals to the scanning lines 130A.

電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。 The power supply line driving circuit 140 includes a shift register that sequentially shifts (transfers) a start pulse in synchronization with an input clock pulse. The power supply line drive circuit 140 appropriately supplies either a first potential or a second potential different from each other to each power supply line 140A in synchronization with scanning in units of rows by the scan line drive circuit 130. Thereby, the conduction state or non-conduction state of the drive transistor Tr1 described later is selected.

図２は、画素駆動回路１５０の一例を表したものである。この画素駆動回路１５０は、後述する第１電極層１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。 FIG. 2 shows an example of the pixel driving circuit 150. The pixel driving circuit 150 is formed below the first electrode layer 13 described later, and includes a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, a capacitor (holding capacitor) Cs therebetween, a power supply line 140A, and a common power supply line (GND). ) Between the driving transistor Tr1 and the organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) connected in series. The driving transistor Tr1 and the writing transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT (Thin Film Transistor)), and the configuration may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). There is no particular limitation.

書き込みトランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。 For example, the drain electrode of the writing transistor Tr2 is connected to the signal line 120A, and the video signal from the signal line driving circuit 120 is supplied. The gate electrode of the writing transistor Tr2 is connected to the scanning line 130A, and a scanning signal is supplied from the scanning line driving circuit 130. Further, the source electrode of the write transistor Tr2 is connected to the gate electrode of the drive transistor Tr1.

駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）と接続されている。 The drive transistor Tr1 has a drain electrode connected to the power supply line 140A, for example, and is set to either the first potential or the second potential by the power supply line drive circuit 140. The source electrode of the drive transistor Tr1 is connected to the organic light emitting element 10R (or 10G, 10B).

保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。 The storage capacitor Cs is formed between the gate electrode of the drive transistor Tr1 (source electrode of the write transistor Tr2) and the source electrode of the drive transistor Tr1.

図３に、表示領域１１０の平面構成の一例を表す。表示領域１１０には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に、全体としてマトリックス状に形成されている。各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、開口規定絶縁層２４によって取り囲まれた領域に発光部２０が順に配置されている。有機発光素子１０Ｒの発光部２０は赤色光を発生し、有機発光素子１０Ｇの発光部２０は緑色光を発生し、有機発光素子１０Ｂの発光部２０は青色光を発生する。ここで、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。なお、図３に示した環状の接続領域ＡＲ１および島状の接続領域ＡＲ２は、それぞれ、第２電極層１６（後出）と金属層２３（後出）とが電気的に接続された領域である。また、図３では、２行×５列の計１０個の有機発光素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）を示したが、その数はこれに限定されるものではない。 FIG. 3 shows an example of a planar configuration of the display area 110. In the display area 110, the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are sequentially formed in a matrix as a whole. In each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, the light emitting unit 20 is sequentially disposed in a region surrounded by the opening defining insulating layer 24. The light emitting unit 20 of the organic light emitting device 10R generates red light, the light emitting unit 20 of the organic light emitting device 10G generates green light, and the light emitting unit 20 of the organic light emitting device 10B generates blue light. Here, a combination of adjacent organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B constitutes one pixel. The annular connection area AR1 and the island-shaped connection area AR2 shown in FIG. 3 are areas where the second electrode layer 16 (described later) and the metal layer 23 (described later) are electrically connected. is there. In FIG. 3, a total of 10 organic light emitting elements 10R (10G, 10B) of 2 rows × 5 columns are shown, but the number is not limited to this.

次に、図４〜図７を参照して、基体１１およびその上に形成される有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの詳細な構成について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、互いに下部有機層１４および上部有機層１５（いずれも後出）の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成である。したがって、以下では、共通の部分については有機発光素子１０Ｒを代表して説明する。 Next, with reference to FIGS. 4 to 7, the detailed configuration of the substrate 11 and the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B formed thereon will be described. The organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B have the same configuration except that the configurations of the lower organic layer 14 and the upper organic layer 15 (both described later) are partially different from each other. Therefore, in the following, the common portion will be described on behalf of the organic light emitting element 10R.

図４および図５は、いずれも、図３に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の断面構成を表すものである。より詳細には、図４は図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図であり、図５は図３に示したＶ−Ｖ線に沿った断面図である。また、図６は、図３に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）のうちの、第１電極層１３（後出）を含む階層における平面構成を表すものである。 4 and 5 each show a cross-sectional configuration of the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B) shown in FIG. More specifically, FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a sectional view taken along line VV shown in FIG. FIG. 6 illustrates a planar configuration in a layer including the first electrode layer 13 (described later) in the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B) illustrated in FIG.

有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）は、基体１１の上に設けられた発光部２０を有している。発光部２０は発光が生じる部分であり、絶縁層１２、アノード電極としての第１電極層１３、下部有機層１４、後述する発光層１５Ａを含む上部有機層１５、およびカソード電極としての第２電極層１６がこの順に積層された構成である。発光部２０の上には、保護膜１８と封止基板１９とが順に設けられている。この有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）では、第１電極層１３は反射層としての機能を発揮する一方、第２電極層１６が半透過性反射層としての機能を発揮する。これら第１電極層１３および第２電極層１６により、発光層１５Ａにおいて発生した光を多重反射させるようになっている。 The organic light emitting element 10 R (or 10 G, 10 B) has a light emitting unit 20 provided on the base 11. The light emitting unit 20 is a portion where light is emitted, and includes an insulating layer 12, a first electrode layer 13 as an anode electrode, a lower organic layer 14, an upper organic layer 15 including a light emitting layer 15A described later, and a second electrode as a cathode electrode. The layer 16 is laminated in this order. A protective film 18 and a sealing substrate 19 are sequentially provided on the light emitting unit 20. In the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B), the first electrode layer 13 exhibits a function as a reflective layer, while the second electrode layer 16 exhibits a function as a semi-transmissive reflective layer. By the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16, the light generated in the light emitting layer 15A is subjected to multiple reflection.

すなわち、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）は、第１電極層１３の発光層１５Ａ側の端面を第１端部Ｐ１とし、第２電極層１６の発光層１５Ａ側の端面を第２端部Ｐ２とし、上部有機層１５および下部有機層１４を共振部として、発光層１５Ａで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このような共振器構造を有することで、発光層１５Ａで発生した光が多重反射を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することによって、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し色純度を高めることができる。また、封止基板１９の側から入射した外光についても多重反射により減衰させることができ、さらに位相差板や偏光板（図示せず）との組み合わせにより有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）における外光の反射率を極めて小さくすることができる。 That is, in the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B), the end surface of the first electrode layer 13 on the light emitting layer 15A side is the first end P1, and the end surface of the second electrode layer 16 on the light emitting layer 15A side is the second end. The resonator structure is a part P2, and the upper organic layer 15 and the lower organic layer 14 are resonance parts, and the light generated in the light emitting layer 15A is resonated and extracted from the second end part P2 side. By having such a resonator structure, the light generated in the light emitting layer 15A causes multiple reflection, and acts as a kind of narrow band filter, thereby reducing the half width of the spectrum of the extracted light and increasing the color purity. be able to. Also, external light incident from the sealing substrate 19 side can be attenuated by multiple reflection, and further combined with a phase difference plate or a polarizing plate (not shown), the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B). The reflectance of outside light at can be made extremely small.

絶縁層１２は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望ましい。また、絶縁層１２の一部領域には、微細な接続孔１２４が設けられている（図４，図６参照）。さらに、絶縁層１２には、領域ＡＲ１に対応した位置に接続孔１２５が設けられており、領域ＡＲ２に対応した位置に接続孔１２６が設けられている（図４，図５参照）。絶縁層１２は、微細な接続孔１２４〜１２６が形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。具体的には、例えばポリイミド等の有機材料が好適である。接続孔１２４には第１電極層１３が、接続孔１２５には金属層１７が、接続孔１２６には第２電極層１６がそれぞれ設けられている。 It is desirable that the surface of the insulating layer 12 has extremely high flatness. A fine connection hole 124 is provided in a partial region of the insulating layer 12 (see FIGS. 4 and 6). Further, the insulating layer 12 is provided with a connection hole 125 at a position corresponding to the area AR1, and a connection hole 126 is provided at a position corresponding to the area AR2 (see FIGS. 4 and 5). The insulating layer 12 is preferably made of a material having good pattern accuracy because fine connection holes 124 to 126 are formed. Specifically, for example, an organic material such as polyimide is suitable. The connection hole 124 is provided with the first electrode layer 13, the connection hole 125 is provided with the metal layer 17, and the connection hole 126 is provided with the second electrode layer 16.

第１電極層１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。第１電極層１３は、例えば厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），ネオジウム（Ｎｄ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体またはそれらの合金により構成されている。但し、後述する金属層２３をアルミニウムなどの高反射率材料によって構成し、それを反射層として機能させる場合には、第１電極層１３を酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）あるいは酸化スズ（ＳｎＯ₂）などの透明導電材料によって構成してもよい。第１電極層１３は、絶縁層１２の表面の一部を覆うと共に接続孔１２４を充填するように形成されている。これにより、第１電極層１３は、接続孔１２４を介して駆動トランジスタＴｒ１（のうちの金属層２１６Ｓ（後出））と導通された状態となる。 The first electrode layer 13 also functions as a reflective layer, and it is desirable to increase the light emission efficiency by using a material having as high a reflectance as possible. The first electrode layer 13 has a thickness of, for example, 100 nm or more and 1000 nm or less, and is silver (Ag), aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni ), Molybdenum (Mo), copper (Cu), tantalum (Ta), tungsten (W), platinum (Pt), neodymium (Nd), gold (Au), etc. Yes. However, when the metal layer 23 described later is made of a highly reflective material such as aluminum and functions as a reflective layer, the first electrode layer 13 is made of indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO) or oxidized. tin may be formed of a transparent conductive material such as (SnO _2). The first electrode layer 13 is formed so as to cover a part of the surface of the insulating layer 12 and fill the connection hole 124. As a result, the first electrode layer 13 is electrically connected to the driving transistor Tr1 (of which the metal layer 216S (described later)) through the connection hole 124.

隣り合う発光部２０における各第１電極層１３同士の隙間には、その隙間を埋めると共に第１電極層１３の端面および周縁部の上面を覆うように、例えばポリイミド等の有機材料からなる開口規定絶縁層２４が設けられている。開口規定絶縁層２４は、第１電極層１３と第２電極層１６との絶縁性を確保すると共に、発光部２０の発光領域を正確に所望の形状とするためのものである。 In the gaps between the first electrode layers 13 in the adjacent light emitting parts 20, the opening is made of an organic material such as polyimide so as to fill the gaps and cover the end faces of the first electrode layers 13 and the upper surfaces of the peripheral parts. An insulating layer 24 is provided. The opening defining insulating layer 24 is for ensuring insulation between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16 and for accurately setting the light emitting region of the light emitting unit 20 to a desired shape.

下部有機層１４は、第１電極層１３の上面および端面を隙間無く覆うように設けられている。例えば図７に示したように、第１電極層１３の側から正孔注入層１４Ａと正孔輸送層１４Ｂとが順に積層された構成を有する。この下部有機層１４により、上部有機層１５が存在しない領域において第１電極層１３と第２電極層１６とが直接接することがなくなり、両者の絶縁性が確保される。また、上部有機層１５は、第１電極層１３の側から順に、発光層１５Ａと電子輸送層１５Ｂとが積層された構成を有する。なお、図７は、図４および図５に示した下部有機層１４および上部有機層１５の一部を拡大して表す断面図である。 The lower organic layer 14 is provided so as to cover the upper surface and the end surface of the first electrode layer 13 without a gap. For example, as shown in FIG. 7, the hole injection layer 14 A and the hole transport layer 14 B are sequentially stacked from the first electrode layer 13 side. The lower organic layer 14 prevents the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16 from being in direct contact with each other in a region where the upper organic layer 15 does not exist, and ensures insulation between them. The upper organic layer 15 has a configuration in which a light emitting layer 15A and an electron transport layer 15B are stacked in this order from the first electrode layer 13 side. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of the lower organic layer 14 and the upper organic layer 15 illustrated in FIGS. 4 and 5.

正孔注入層１４Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１４Ｂは、発光層１５Ａへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ａは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１５Ｂは、発光層１５Ａへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１５Ｂと第２電極層１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ₂Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。 The hole injection layer 14A is a buffer layer for improving hole injection efficiency and preventing leakage. The hole transport layer 14B is for increasing the efficiency of transporting holes to the light emitting layer 15A. The light emitting layer 15A generates light by recombination of electrons and holes by applying an electric field. The electron transport layer 15B is for increasing the efficiency of electron transport to the light emitting layer 15A. An electron injection layer (not shown) made of LiF, Li ₂ O, or the like may be provided between the electron transport layer 15B and the second electrode layer 16.

また、下部有機層１４および上部有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっている。有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ａは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃により構成されている。 The lower organic layer 14 and the upper organic layer 15 have different configurations depending on the emission colors of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The hole injection layer 14A of the organic light emitting device 10R has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm, and is 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or 4 , 4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (2-TNATA). The hole transport layer 14B of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine (α-NPD). The light emitting layer 15A of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq ₃ ). -Phenyl] aminostyryl] naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) mixed with 40% by volume. The electron transport layer 15B of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of Alq ₃ .

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ａは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃により構成されている。 The hole injection layer 14A of the organic light emitting element 10G has a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, and is made of m-MTDATA or 2-TNATA. The hole transport layer 14 B of the organic light emitting element 10 G has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of α-NPD. The light emitting layer 15A of the organic light emitting element 10G has, for example, a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and is configured by mixing 3% by volume of Alq ₃ with coumarin 6 (Coumarin 6). The electron transport layer 15B of the organic light emitting element 10G has a thickness of, for example, 5 nm to 300 nm and is made of Alq ₃ .

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ａは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃により構成されている。 The hole injection layer 14A of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of m-MTDATA or 2-TNATA. The hole transport layer 14B of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of α-NPD. The light emitting layer 15A of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 10 nm to 100 nm, and is configured by spiro 6Φ. The electron transport layer 15B of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of Alq ₃ .

第２電極層１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。第２電極層１６は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極層１３と対向配置されている。さらに第２電極層１６は、絶縁層１２の凹部１２１のみならず、溝部１２２および凸部１２３をも覆うように形成されている。したがって、第２電極層１６は金属層１７と電気的に接続された状態となっている。 For example, the second electrode layer 16 has a thickness of 5 nm or more and 50 nm or less, and is composed of a single element or an alloy of a metal element such as aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), or sodium (Na). . Among these, an alloy of magnesium and silver (MgAg alloy) or an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (AlLi alloy) is preferable. For example, the second electrode layer 16 is provided in common to all the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and is disposed opposite to the first electrode layer 13 of each organic light emitting element 10R, 10G, and 10B. Furthermore, the second electrode layer 16 is formed so as to cover not only the concave portion 121 of the insulating layer 12 but also the groove portion 122 and the convex portion 123. Therefore, the second electrode layer 16 is in a state of being electrically connected to the metal layer 17.

有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）は、図４および図５に示したように、さらに、第２電極層１６を覆うように設けられた窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１８と、その保護膜１８上に設けられた封止基板１９とを有している。封止基板１９は、保護膜１８や接着層（図示せず）などと共に発光部２０を封止するものであり、発光部２０で発生した光を透過する透明なガラスなどの材料により構成されている。 As shown in FIGS. 4 and 5, the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B) further includes a protective film 18 such as silicon nitride (SiNx) provided so as to cover the second electrode layer 16, and And a sealing substrate 19 provided on the protective film 18. The sealing substrate 19 seals the light emitting unit 20 together with the protective film 18 and an adhesive layer (not shown), and is made of a material such as transparent glass that transmits light generated by the light emitting unit 20. Yes.

次に、図４および図５に加え図８および図９を参照して、基体１１の詳細な構成を説明する。基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２と、それを覆う金属層２３とが順に設けられたものである。なお、図８は、図６に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の平面図に対応しており、基体１１のうちの金属層２３を含む階層の平面構成を表すものである。さらに、図９は、画素駆動回路形成層１１２に設けられた画素駆動回路１５０の平面構成を表す概略図であり、やはり図６に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の平面図に対応している。 Next, a detailed configuration of the base 11 will be described with reference to FIGS. 8 and 9 in addition to FIGS. The base 11 includes a substrate 111 made of glass, silicon (Si) wafer, resin, or the like, and a pixel driving circuit forming layer 112 including the pixel driving circuit 150 and a metal layer 23 covering the pixel driving circuit forming layer 112. 8 corresponds to a plan view of the organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) shown in FIG. 6 and represents a planar configuration of a layer including the metal layer 23 in the base 11. FIG. Further, FIG. 9 is a schematic diagram showing a planar configuration of the pixel driving circuit 150 provided in the pixel driving circuit forming layer 112, and is also a plan view of the organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) shown in FIG. It corresponds.

金属層２３は、積層方向において駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、第１電極層１３との間に位置し、それらとは電気的に絶縁されている。その一方で、金属層２３は、直接的に、および間接的に第２電極層１６と電気的に接続されている。具体的には、図３〜図５に示したように、表示領域１１０の外縁に沿って全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを取り囲むように位置する環状の接続領域ＡＲ１において、金属層２３が金属層１７を介して第２電極層１６と接続されている。さらに、金属層２３は、表示領域１１０の中央部分の接続領域ＡＲ２において、第２電極層１６と直接接続されている。また、金属層２３には、絶縁層１２の接続孔１２４と対応する位置に開口２３Ｋが設けられており、第１金属層１３と駆動トランジスタＴｒ１の金属層２１６Ｓとの電気的接続を可能としている。金属層２３は、主たる電極としての第２電極層１６における電圧降下を補う補助電極層として機能するものである。これらの金属層２３が存在しない場合、電源（図示せず）から個々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまでの距離に応じた電圧降下により、共通電源供給線ＧＮＤ（図２参照）と接続された第２電極層１６の電位が各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間で一定とならず、顕著なばらつきを生じ易い。このような第２電極層１６の電位のばらつきは、表示領域１１０における輝度むらの原因となるので好ましくない。金属層２３は、表示装置が大画面化した場合であっても電源から第２電極層１６に至るまでの電圧降下を最小限度に抑え、このような輝度むらの発生を抑制するように機能する。なお、接続領域ＡＲ１には、金属層２１６Ｓと同一の階層に設けられた銅などからなる環状の金属層２５が設けられており、金属層２３と接触させることで電圧降下をより低減するようにしている。 The metal layer 23 is located between the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 and the first electrode layer 13 in the stacking direction, and is electrically insulated from them. On the other hand, the metal layer 23 is electrically connected to the second electrode layer 16 directly and indirectly. Specifically, as shown in FIGS. 3 to 5, in the annular connection region AR 1 positioned so as to surround all the organic light emitting elements 10 R, 10 G, and 10 B along the outer edge of the display region 110, the metal layer 23. Is connected to the second electrode layer 16 through the metal layer 17. Further, the metal layer 23 is directly connected to the second electrode layer 16 in the connection area AR2 in the central portion of the display area 110. In addition, the metal layer 23 is provided with an opening 23K at a position corresponding to the connection hole 124 of the insulating layer 12, so that the first metal layer 13 and the metal layer 216S of the drive transistor Tr1 can be electrically connected. . The metal layer 23 functions as an auxiliary electrode layer that compensates for a voltage drop in the second electrode layer 16 as a main electrode. When these metal layers 23 do not exist, they are connected to the common power supply line GND (see FIG. 2) by a voltage drop corresponding to the distance from the power source (not shown) to the individual organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. In addition, the potential of the second electrode layer 16 is not constant among the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, so that significant variation is likely to occur. Such variation in the potential of the second electrode layer 16 is not preferable because it causes uneven brightness in the display region 110. The metal layer 23 functions to minimize the voltage drop from the power supply to the second electrode layer 16 even when the display device has a large screen, and to suppress the occurrence of such luminance unevenness. . In the connection region AR1, an annular metal layer 25 made of copper or the like provided on the same level as the metal layer 216S is provided, and the voltage drop is further reduced by contacting with the metal layer 23. ing.

また、金属層２３は、遮光性を有すると共に少なくとも駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２のチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒ（後出）に対応する領域を占めるように設けられている。このため、外光や、隣り合う他の有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）において多重反射した光などの不要光が駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２のチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒへ進入するのを防ぐ遮光層としても機能する。なお、金属層２３は、開口２３Ｋに対応する領域以外の領域を全て覆っていることが望ましい。上記した電圧降下の抑制や遮光性の点で、より効果的となるからである。 Further, the metal layer 23 has a light shielding property and is provided so as to occupy at least a region corresponding to the channel regions 213R and 223R (described later) of the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2. For this reason, unnecessary light such as external light or light that has been multiple-reflected by other adjacent organic light emitting elements 10R (or 10G, 10B) enters the channel regions 213R, 223R of the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2. It also functions as a light blocking layer to prevent. Note that the metal layer 23 desirably covers the entire region other than the region corresponding to the opening 23K. This is because it becomes more effective in terms of suppression of the voltage drop and light shielding property.

金属層２３を構成する材料としては、単層構造であればアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）などの高導電性の金属材料が好ましい。特に、第１金属層１３が透明導電材料からなる場合には、金属層２３をアルミニウムなどの高反射率材料によって構成し、第１金属層１３の代わりに金属層２３を反射層として機能させる必要がある。 As a material constituting the metal layer 23, a highly conductive metal material such as aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), titanium (Ti), or the like is preferable in a single layer structure. In particular, when the first metal layer 13 is made of a transparent conductive material, the metal layer 23 is made of a highly reflective material such as aluminum, and the metal layer 23 needs to function as a reflective layer instead of the first metal layer 13. There is.

また、金属層２３は、単層構造に限らず、複数の層が積層された複合層であってもよい。例えば、第１電極層１３の側から順に第１の層と第２の層とが配置された複合層とし、第１の層を、第２の層よりも反射率あるいは導電率に優れた材料によって構成する一方、第２の層を、第１の層よりも遮光性に優れる材料によって構成するとよい。より具体的には、アルミニウムや、銅、銀などを用いて第１の層を構成し、窒化チタン（ＴｉＮ）やモリブデン（Ｍｏ）などによって第２の層を構成するとよい。こうすることで、第２電極層１６の電圧降下を低減する補助電極層としての機能と、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２への不要光の進入を抑制する遮光層としての機能とをバランス良く発揮することができる。 The metal layer 23 is not limited to a single layer structure, and may be a composite layer in which a plurality of layers are stacked. For example, a composite layer in which a first layer and a second layer are arranged in this order from the first electrode layer 13 side, and the first layer is a material having a higher reflectance or conductivity than the second layer. On the other hand, the second layer may be made of a material that is more light-shielding than the first layer. More specifically, the first layer may be formed using aluminum, copper, silver, or the like, and the second layer may be formed using titanium nitride (TiN), molybdenum (Mo), or the like. By doing so, the function as an auxiliary electrode layer for reducing the voltage drop of the second electrode layer 16 and the function as a light shielding layer for suppressing the entry of unnecessary light into the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 are balanced. It can be demonstrated.

次に、主に図５および図９を参照して、画素駆動回路１５０の詳細な構成を説明する。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇと、信号線１２０Ａ（図９）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２４Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓが設けられている。これらドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよびソース配線としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図９）が設けられている。さらに、全体が窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜２１７によって覆われている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。 Next, a detailed configuration of the pixel drive circuit 150 will be described mainly with reference to FIGS. 5 and 9. On the surface of the substrate 111, as a first layer metal layer, a metal layer 211G which is a gate electrode of the drive transistor Tr1, a metal layer 221G which is a gate electrode of the write transistor Tr2, and a signal line 120A (FIG. 9). Each is provided. The metal layers 211G and 221G and the signal line 120A are covered with a gate insulating film 212 made of silicon nitride, silicon oxide, or the like. In regions corresponding to the metal layers 211G and 221G on the gate insulating film 212, channel layers 213 and 223 made of a semiconductor thin film such as amorphous silicon are provided. Insulating channel protective films 214 and 224 are provided on the channel layers 213 and 223 so as to occupy the channel regions 213R and 224R which are central regions thereof, and n-type amorphous silicon or the like is formed on both sides thereof. The drain electrodes 215D and 225D and the source electrodes 215S and 225S made of the n-type semiconductor thin film are provided. The drain electrodes 215D and 225D and the source electrodes 215S and 225S are separated from each other by the channel protective films 214 and 224, and their end faces are separated from each other with the channel regions 213R and 223R interposed therebetween. Furthermore, metal layers 216D and 226D as drain wirings and metal layers 216S and 226S as source wirings are provided as second-layer metal layers so as to cover drain electrodes 215D and 225D and source electrodes 215S and 225S, respectively. Yes. The metal layers 216D and 226D and the metal layers 216S and 226S have a structure in which, for example, a titanium (Ti) layer, an aluminum (Al) layer, and a titanium layer are sequentially stacked. In addition to the metal layers 216D and 226D and the metal layers 216S and 226S, a scanning line 130A and a power supply line 140A (FIG. 9) are provided as the second layer metal layer. Further, the whole is covered with a passivation film 217 made of silicon nitride or the like. Here, although the reverse stagger structure (so-called bottom gate type) drive transistor Tr1 and write transistor Tr2 have been described, a staggered structure (so-called top gate type) may be used.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図４、図５および図９と共に図１０〜図１５を参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの製造方法についても併せて以下に説明する。図１０〜図１５は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものであり、図４の断面図に対応している。 This display device can be manufactured, for example, as follows. Hereinafter, the manufacturing method of the display device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 15 together with FIGS. In addition, the manufacturing method of organic light emitting element 10R, 10G, 10B is also demonstrated below collectively. 10 to 15 show the manufacturing method of this display device in the order of steps, and correspond to the cross-sectional view of FIG.

まず、上述した材料よりなる基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１５０を形成する。具体的には、まず、基板１１１上に例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、図５および図９に示したように基板１１１上に金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａを形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。さらに、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層２１３，２２３、チャネル保護膜２１４，２２４、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓ、ならびに、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、金属層２５、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを第２の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。そののち、全体をパッシベーション膜２１７で覆うことにより、画素駆動回路１５０を完成させる。 First, the pixel driving circuit 150 including the driving transistor Tr1 and the writing transistor Tr2 is formed on the substrate 111 made of the above-described material. Specifically, first, a metal film is formed on the substrate 111 by sputtering, for example. After that, the metal layers 211G and 221G and the signal line 120A are formed on the substrate 111 as shown in FIGS. 5 and 9 by patterning the metal film by, for example, photolithography, dry etching, or wet etching. . Next, the entire surface is covered with a gate insulating film 212. Further, channel layers 213 and 223, channel protective films 214 and 224, drain electrodes 215D and 225D, source electrodes 215S and 225S, and metal layers 216D and 226D and metal layers 216S and 226S are sequentially formed on the gate insulating film 212. , Formed into a predetermined shape. Here, in conjunction with the formation of the metal layers 216D and 226D and the metal layers 216S and 226S, the metal layer 25, the scanning line 130A, and the power supply line 140A are formed as second metal layers, respectively. At that time, a connecting portion that connects the metal layer 221G and the scanning line 130A, a connecting portion that connects the metal layer 226D and the signal line 120A, and a connecting portion that connects the metal layer 226S and the metal layer 211G are formed in advance. . After that, the pixel driving circuit 150 is completed by covering the whole with a passivation film 217.

画素駆動回路１５０を形成したのち、図１０に示したように、金属層２５の上面に達する開口をパッシベーション膜２１７に形成したのち、図１１に示したように、金属層２５およびパッシベーション膜２１７の上に金属層２３を形成する。具体的には、金属層２５およびパッシベーション膜２１７を全面に亘って覆うように、上述した所定の金属材料を用いて所定の厚みを有する金属膜を例えばスパッタリングにより形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、接続孔１２４が設けられることとなる位置に開口２３Ｋを形成する。さらに、開口２３Ｋの形成と併せて、信号線１２０Ａ、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａとそれぞれ対応した位置に、それらとの電気的な短絡を確実に避けるための開口や切り欠きを設けるようにしてもよい。 After the pixel driving circuit 150 is formed, an opening reaching the upper surface of the metal layer 25 is formed in the passivation film 217 as shown in FIG. 10, and then the metal layer 25 and the passivation film 217 are formed as shown in FIG. A metal layer 23 is formed thereon. Specifically, a metal film having a predetermined thickness is formed by, for example, sputtering using the above-described predetermined metal material so as to cover the entire surface of the metal layer 25 and the passivation film 217. After that, the metal film is patterned by, for example, photolithography, dry etching, or wet etching to form the opening 23K at a position where the connection hole 124 is to be provided. In addition to the formation of the opening 23K, openings and cutouts are provided at positions corresponding to the signal line 120A, the scanning line 130A, and the power supply line 140A, respectively, in order to reliably avoid an electrical short circuit therewith. May be.

そののち、図１２に示したように、有機材料として例えばポリイミドを主成分とする感光性樹脂を全面に亘って塗布して絶縁膜１２Ｚを形成する。次に、その絶縁膜１２Ｚに対しフォトリソグラフィ処理を施すことにより、図１３に示したように、接続孔１２４〜１２６を有する絶縁層１２を形成する。具体的には、マスクＭ１を用いた選択的な露光および現像により、一部領域において絶縁膜１２Ｚを厚み方向に一部除去して掘り下げることで接続孔１２４〜１２６を一括して形成する。そののち、絶縁層１２を必要に応じて焼成する。 After that, as shown in FIG. 12, a photosensitive resin mainly composed of polyimide, for example, is applied as an organic material over the entire surface to form the insulating film 12Z. Next, by performing a photolithography process on the insulating film 12Z, the insulating layer 12 having the connection holes 124 to 126 is formed as shown in FIG. Specifically, by selectively exposing and developing using the mask M1, the insulating film 12Z is partially removed in the thickness direction in a partial region and dug down to form the connection holes 124 to 126 at once. After that, the insulating layer 12 is fired as necessary.

さらに図１４に示したように、上述した材料よりなる第１電極層１３および金属層１７を形成する。具体的には、例えばスパッタリングによって上述の材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その金属膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。その際、第１電極層１３については、接続孔１２４を充填すると共に絶縁層１２の表面の一部を覆うように形成する。また、金属層１７については、接続孔１２５を埋めるように形成する。金属層１７は、第１電極層１３と同種の材料によって同時に形成することが望ましい。さらに、金属層１３の周縁を覆うように開口規定絶縁層２４を形成する。 Further, as shown in FIG. 14, the first electrode layer 13 and the metal layer 17 made of the above-described materials are formed. Specifically, for example, a metal film made of the above-described material is formed on the entire surface by sputtering, for example, and a resist pattern (not shown) having a predetermined shape is formed on the metal film using a predetermined mask. The metal film is selectively etched using the pattern as a mask. At this time, the first electrode layer 13 is formed so as to fill the connection hole 124 and cover a part of the surface of the insulating layer 12. Further, the metal layer 17 is formed so as to fill the connection hole 125. The metal layer 17 is desirably formed simultaneously with the same material as the first electrode layer 13. Further, the opening defining insulating layer 24 is formed so as to cover the periphery of the metal layer 13.

次いで、図１５に示したように、第１電極層１３を完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂを順に積層することで下部有機層１４を形成する。さらに、下部有機層１４上の、第１電極層１３と対応する領域に、例えば蒸着法によって上述した厚みおよび材料よりなる発光層１５Ａと電子輸送層１５Ｂとを順次積層することで上部有機層１５を形成する。さらに、上部有機層１５および下部有機層１４を挟んで第１電極層１３と対向し、かつ、金属層１７，２３を覆うように全面に亘って第２電極層１６を形成することで発光部２０を完成させる。 Next, as shown in FIG. 15, the lower organic layer 14 is formed by sequentially stacking the hole injection layer 14 A and the hole transport layer 14 B having the predetermined material and thickness described above so as to completely cover the first electrode layer 13. Form. Further, in the region corresponding to the first electrode layer 13 on the lower organic layer 14, the upper organic layer 15B is formed by sequentially laminating the light emitting layer 15A and the electron transport layer 15B made of the above-described thickness and material, for example, by vapor deposition. Form. Further, the second electrode layer 16 is formed over the entire surface so as to face the first electrode layer 13 with the upper organic layer 15 and the lower organic layer 14 sandwiched therebetween and to cover the metal layers 17 and 23. Complete 20

こののち、発光部２０を覆うように、上述した材料よりなる保護膜１８を形成する。最後に、保護膜１８の上に、接着層を形成し、この接着層を間にして封止基板１９を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する。 After that, the protective film 18 made of the above-described material is formed so as to cover the light emitting unit 20. Finally, an adhesive layer is formed on the protective film 18, and the sealing substrate 19 is bonded with the adhesive layer interposed therebetween. Thus, the display device is completed.

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極（金属層２２１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極層１３と第２電極層１６との間で多重反射し、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９を透過して取り出される。 In the display device thus obtained, a scanning signal is supplied to each pixel from the scanning line driving circuit 130 via the gate electrode (metal layer 221G) of the writing transistor Tr2, and from the signal line driving circuit 120. The image signal is held in the holding capacitor Cs via the write transistor Tr2. On the other hand, the power supply line drive circuit 140 supplies a first potential higher than the second potential to each power supply line 140A in synchronization with scanning in units of rows by the scan line drive circuit 130. As a result, the conduction state of the drive transistor Tr1 is selected, and the drive current Id is injected into each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, whereby the holes and electrons are recombined to emit light. This light is multiple-reflected between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16, passes through the second electrode layer 16, the protective film 18, and the sealing substrate 19 and is extracted.

本実施の形態では、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて発光部２０の下層部分に第２電極層１６の補助電極層として機能する金属層２３を設けるようにしたので、大画面化した場合であっても、画像表示動作時における第２電極層１６の電圧降下が低減される。しかも、金属層２３を採用することは、開口率向上の妨げにもならない。こうしたことから、表示領域１１０全体に亘ってより均質化された輝度分布を得ることができ、かつ、表示領域１１０全体の輝度を向上させることができる。したがって、さらなる大画面化に十分に対応可能である。 In the present embodiment, since the metal layer 23 functioning as the auxiliary electrode layer of the second electrode layer 16 is provided in the lower layer portion of the light emitting portion 20 in each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, Even so, the voltage drop of the second electrode layer 16 during the image display operation is reduced. Moreover, adopting the metal layer 23 does not hinder the improvement of the aperture ratio. Thus, a more uniform luminance distribution can be obtained over the entire display area 110, and the luminance of the entire display area 110 can be improved. Therefore, it can sufficiently cope with further enlargement of the screen.

また、本実施の形態では、特に、金属層２３が遮光性を有する場合には、不要光が駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２のチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒへ進入するのを防ぐ遮光層としても機能する。このため、半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３において光リーク電流が発生するのを抑制することができ、フリッカ等の不具合を回避し、表示特性をより向上させることができる。従来は第１電極層のみが遮光層としての機能を果たしていたが、隣り合う有機発光素子同士の隙間から不要光が入射する可能性が少なくなかった。これに対し、本実施の形態では、金属層２３を第１電極層１３よりも広範囲に亘って形成することができるので、不要光の入射を、より確実に回避することができる。 In the present embodiment, in particular, when the metal layer 23 has a light shielding property, it also functions as a light shielding layer that prevents unnecessary light from entering the channel regions 213R and 223R of the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2. To do. For this reason, it is possible to suppress the occurrence of light leakage current in the channel layers 213 and 223 made of a semiconductor thin film, avoid problems such as flicker, and improve display characteristics. Conventionally, only the first electrode layer functions as a light shielding layer, but there is a high possibility that unnecessary light is incident from a gap between adjacent organic light emitting elements. On the other hand, in the present embodiment, since the metal layer 23 can be formed over a wider range than the first electrode layer 13, the incidence of unnecessary light can be avoided more reliably.

また、本実施の形態では、従来のような格子状の補助電極層を設けるかわりに発光部２９とは異なる階層に金属層２３を設けるようにしたので、上部有機層１５の形成面積、すなわち発光部２０の発光領域を広げることができ、開口率を高めることができる。 Further, in the present embodiment, the metal layer 23 is provided in a layer different from the light emitting portion 29 instead of providing the grid-like auxiliary electrode layer as in the conventional case. The light emitting region of the part 20 can be expanded, and the aperture ratio can be increased.

本実施の形態では、開口率の向上により、有機発光素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）の容量が増加し、以下の数１で表される書込ゲインgainが向上する。その結果、信号振幅が小さくなり低消費電力化が実現される。 In the present embodiment, the capacity of the organic light emitting element 10R (10G, 10B) is increased by improving the aperture ratio, and the writing gain gain expressed by the following equation 1 is improved. As a result, the signal amplitude is reduced and low power consumption is realized.

数１において、Ｃｓは保持容量を表し、Ｃgsは駆動トランジスタＴｒ１におけるゲート電極とソース電極との間の容量を表し、Coledは有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の容量を表す（図１６参照）。なお、図１６は、書込ゲインgainを説明するための説明図であり、図２の回路図に対応するものである。 In Equation 1, Cs represents a storage capacitor, Cgs represents a capacitance between the gate electrode and the source electrode in the driving transistor Tr1, and Coled represents a capacitance of the organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) (see FIG. 16). ). FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining the write gain gain, and corresponds to the circuit diagram of FIG.

（第１の変形例）
図１７は、本実施の形態における第１の変形例としての有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）を表す断面図であり、図５に対応するものである。本変形例は、開口規定絶縁層２４を省略するようにしたものである。この場合、絶縁層１２上のパターン化された第１電極層１３を下部有機層１４で覆い、第１電極層１３と対応する領域に上部有機層１５を選択的に設け、さらに全体を覆うように第２電極層１６を設ける。このような構成であれば、薄型化と開口率の向上とを両立し易くなるので好ましい。 (First modification)
FIG. 17 is a cross-sectional view showing an organic light emitting element 50R (or 50G, 50B) as a first modification in the present embodiment, and corresponds to FIG. In this modification, the opening defining insulating layer 24 is omitted. In this case, the patterned first electrode layer 13 on the insulating layer 12 is covered with the lower organic layer 14, and the upper organic layer 15 is selectively provided in a region corresponding to the first electrode layer 13 to further cover the whole. The second electrode layer 16 is provided. Such a configuration is preferable because it is easy to achieve both reduction in thickness and improvement in aperture ratio.

（第２の変形例）
さらに、図１８に示した本実施の形態における第２の変形例としての有機発光素子６０Ｒ（または６０Ｇ，６０Ｂ）のように、複数（図１８では３つ）に分割されたサブ素子６１〜６３を有するようにしてもよい。図１９は、図１８の有機発光素子６０Ｒ（または６０Ｇ，６０Ｂ）を備えた表示装置における画素駆動回路の一例を表している。有機発光素子６０Ｒ（または６０Ｇ，６０Ｂ）では、サブ素子６１〜６３の各々に対応して保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３と駆動トランジスタＤＳ１〜ＤＳ３とが設けられている。また、１つの書込トランジスタＷＳ１が、駆動トランジスタＤＳ１〜ＤＳ３の各ゲート電極と共通して接続されるように設けられている。駆動トランジスタＤＳ１〜ＤＳ３の各ドレイン電極には、電源供給線１４０Ａが共通して接続されている。サブ素子６１〜６３は、一端が駆動トランジスタＤＳ１〜ＤＳ３の各ソース電極と接続されている。上記の点を除き、本変形例としての有機発光素子６０Ｒ（または６０Ｇ，６０Ｂ）は、上記実施の形態における有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）と同様の構成である。 (Second modification)
Further, sub-elements 61 to 63 divided into a plurality (three in FIG. 18), such as organic light-emitting element 60R (or 60G, 60B) as a second modification of the present embodiment shown in FIG. You may make it have. FIG. 19 shows an example of a pixel drive circuit in a display device including the organic light emitting element 60R (or 60G, 60B) of FIG. In the organic light emitting element 60R (or 60G, 60B), holding capacitors Cs1 to Cs3 and driving transistors DS1 to DS3 are provided corresponding to the sub elements 61 to 63, respectively. One write transistor WS1 is provided so as to be connected in common with the gate electrodes of the drive transistors DS1 to DS3. A power supply line 140A is commonly connected to the drain electrodes of the drive transistors DS1 to DS3. One end of each of the sub elements 61 to 63 is connected to each source electrode of the drive transistors DS1 to DS3. Except for the above points, the organic light emitting device 60R (or 60G, 60B) as the present modification has the same configuration as the organic light emitting device 10R (or 10G, 10B) in the above embodiment.

このような有機発光素子６０Ｒ（または６０Ｇ，６０Ｂ）では、製造プロセスにおいて例えばサブ素子６１に欠陥が生じた場合、サブ素子６２を駆動させることで、有機発光素子６０Ｒ（または６０Ｇ，６０Ｂ）自体を機能不全にすることなく、表示領域１１０のなかで有効に利用することができる。なお、サブ素子６１〜６３同士は、互いに開口規定絶縁層２４によって区切られている。従来は、各サブ素子６１〜６３の第１電極層１３同士の隙間から駆動トランジスタＤＳ１〜ＤＳ３へ不要光が進入する可能性があったが、本変形例では、そのような不要光の進入をより低減することができる。 In such an organic light emitting element 60R (or 60G, 60B), for example, when a defect occurs in the sub element 61 in the manufacturing process, the organic light emitting element 60R (or 60G, 60B) itself is driven by driving the sub element 62. It can be used effectively in the display area 110 without causing malfunction. The sub-elements 61 to 63 are separated from each other by the opening defining insulating layer 24. Conventionally, there is a possibility that unnecessary light may enter the driving transistors DS1 to DS3 from the gaps between the first electrode layers 13 of the sub-elements 61 to 63. In this modification, such unnecessary light enters. It can be further reduced.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、絶縁層１２の構成材料として、感光性樹脂などの有機材料を例示し、それを用いた製造方法について説明するようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）や窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）などの無機材料を用いて絶縁層１２の構成するようにしてもよい。その場合、例えばＣＶＤ法（化学気相成長法）などにより基体１１上に絶縁膜１２Ｚを形成したのち、マスクＭ１を用いてフォトリソグラフィ処理を施したのち、フッ素ガスエッチングやイオンビームエッチングなどのドライエッチング処理によって凹部１２１、溝部１２２および接続孔１２４を形成すればよい。 While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, an organic material such as a photosensitive resin is exemplified as a constituent material of the insulating layer 12 and a manufacturing method using the organic material is described. However, the present invention is not limited to this. For example, the insulating layer 12 may be configured using an inorganic material such as silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (Si ₃ N ₄ ). In that case, for example, after forming the insulating film 12Z on the substrate 11 by the CVD method (chemical vapor deposition method) or the like, after performing a photolithography process using the mask M1, a dry process such as fluorine gas etching or ion beam etching is performed. The recess 121, the groove 122, and the connection hole 124 may be formed by an etching process.

また、本発明は、上記実施の形態において説明した各層の材料や積層順序、あるいは成膜方法などに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、基体１１の上に、第１電極層１３，上部有機層１５および第２電極層１６を基板１１の側から順で積層し、封止基板１９の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基体１１の上に、第２電極層１６，上部有機層１５および第１電極層１３を基体１１の側から順に積層し、基体１１の側から光を取り出すようにすることもできる。 Further, the present invention is not limited to the materials and stacking order of the layers described in the above embodiments, the film formation method, and the like. For example, in the above-described embodiment, the first electrode layer 13, the upper organic layer 15, and the second electrode layer 16 are stacked on the base 11 in this order from the substrate 11 side, and light is emitted from the sealing substrate 19 side. However, the second electrode layer 16, the upper organic layer 15, and the first electrode layer 13 are sequentially stacked on the base body 11 from the base body 11 side by reversing the stacking order. It is also possible to extract light from the substrate 11 side.

加えてまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極層１３をアノード電極、第２電極層１６をカソード電極とする場合について説明したが、第１電極層１３をカソード電極、第２電極層１６をアノード電極としてもよい。さらに、第１電極層１３をカソード電極、第２電極層１６をアノード電極とすると共に、基体１１の上に、第２電極層１６，上部有機層１５および第１電極層１３を基体１１の側から順に積層し、基体１１の側から光を取り出すようにすることもできる。 In addition, for example, in the above embodiment, the case where the first electrode layer 13 is an anode electrode and the second electrode layer 16 is a cathode electrode has been described. However, the first electrode layer 13 is a cathode electrode, and the second electrode layer is a second electrode layer. 16 may be an anode electrode. Further, the first electrode layer 13 is a cathode electrode, the second electrode layer 16 is an anode electrode, and the second electrode layer 16, the upper organic layer 15 and the first electrode layer 13 are disposed on the substrate 11 side on the substrate 11. Alternatively, the light can be extracted from the substrate 11 side.

さらにまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層をさらに備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と下部有機層１４との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。 Furthermore, in the above embodiment, the configuration of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B has been specifically described. However, it is not necessary to include all layers, and other layers may be further included. . For example, a mixed oxide film of chromium (III) (Cr ₂ O ₃ ), ITO (Indium-Tin Oxide: indium (In) and tin (Sn)) between the first electrode layer 13 and the lower organic layer 14. ) Or the like may be provided.

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０、あるいは電源供給線駆動回路１４０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。 In addition, in each of the above embodiments, the case of an active matrix display device has been described. However, the present invention can also be applied to a passive matrix display device. Furthermore, the configuration of the pixel driving circuit for active matrix driving is not limited to that described in each of the above embodiments, and a capacitor or a transistor may be added as necessary. In that case, a necessary driving circuit may be added in addition to the signal line driving circuit 120, the scanning line driving circuit 130, or the power supply line driving circuit 140 described above in accordance with the change of the pixel driving circuit.

本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the pixel drive circuit shown in FIG. 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the display area shown in FIG. 図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図３に示した有機発光素子の構成を表す他の断面図である。FIG. 4 is another cross-sectional view illustrating the configuration of the organic light emitting device illustrated in FIG. 3. 図３に示した有機発光素子の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図４，図５に示した有機層を拡大して表す断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the organic layer shown in FIGS. 4 and 5. 図４，図５に示した金属層の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the metal layer shown in FIG. 4, FIG. 図４，図５に示した画素駆動回路形成層の構成を表す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a configuration of a pixel drive circuit formation layer illustrated in FIGS. 4 and 5. 図１に示した表示装置の製造方法における一工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing 1 process in the manufacturing method of the display apparatus shown in FIG. 図１０に続く工程を表す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 10. 図１１に続く工程を表す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11. 図１２に続く工程を表す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 12. 図１３に続く工程を表す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 13. 図１４に続く工程を表す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 14. 図２に示した画素駆動回路の要部を拡大して表す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an enlarged main part of the pixel driving circuit illustrated in FIG. 2. 図１に示した表示装置の第１の変形例を表す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a first modification of the display device illustrated in FIG. 1. 図１に示した表示装置の第２の変形例を表す断面図である。It is sectional drawing showing the 2nd modification of the display apparatus shown in FIG. 図１８に示した表示装置に対応した画素駆動回路の一例を表す回路図である。FIG. 19 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel drive circuit corresponding to the display device illustrated in FIG. 18.

Explanation of symbols

１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）…有機発光素子、１１…基体、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２…絶縁層、１２１…凹部、１２２…溝部、１２３…凸部、１２４…接続孔、１３…第１電極層、１４…下部有機層、１４Ａ…正孔注入層、１４Ｂ…正孔輸送層、１５…上部有機層、１５Ａ…発光層、１５Ｂ…電子輸送層、１６…第２電極層、１７…金属層、１８…保護膜、１９…封止基板、２０…発光部、２３…金属層、２４…開口規定絶縁層、２５…金属層、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ…電源供給線、１５０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｐ１…第１端部、Ｐ２…第２端部、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 (10R, 10G, 10B) ... Organic light emitting element, 11 ... Base | substrate, 111 ... Substrate, 112 ... Pixel drive circuit formation layer, 12 ... Insulating layer, 121 ... Concavity, 122 ... Groove, 123 ... Convex, 124 ... Connection Holes: 13 ... first electrode layer, 14 ... lower organic layer, 14A ... hole injection layer, 14B ... hole transport layer, 15 ... upper organic layer, 15A ... light emitting layer, 15B ... electron transport layer, 16 ... second Electrode layer, 17 ... metal layer, 18 ... protective film, 19 ... sealing substrate, 20 ... light emitting part, 23 ... metal layer, 24 ... opening defining insulating layer, 25 ... metal layer, 110 ... display area, 120 ... signal line Drive circuit, 120A ... signal line, 130 ... scan line drive circuit, 130A ... scan line, 140 ... power supply line drive circuit, 140A ... power supply line, 150 ... pixel drive circuit, Cs ... capacitor (retention capacitor), P1 ... 1st end, P2 ... 2nd end, T 1 ... driving transistor, Tr2 ... write transistor.

Claims

A light emitting device in which a first electrode layer, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode layer are sequentially stacked;
A driving element that is located on the opposite side of the first electrode layer from the second electrode layer and controls a voltage applied between the first electrode layer and the second electrode layer;
A metal layer located between the drive element and the first electrode layer, electrically insulated from the drive element and the first electrode layer, and electrically connected to the second electrode layer; Display device.

The driving element is a thin film transistor having a channel region;
The display device according to claim 1, wherein the metal layer has light shielding properties and occupies at least a region corresponding to the channel region.

The display device according to claim 1, wherein the metal layer has an opening in a part thereof, and the driving element and the first electrode layer are electrically connected in the opening.

The display device according to claim 3, wherein the metal layer covers all regions other than the region corresponding to the opening.

The display device according to claim 1, wherein the metal layer includes at least one of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), titanium (Ti), and titanium nitride (TiN).

The metal layer is a composite layer including a first layer and a second layer in order from the first electrode layer side,
The first layer is superior to at least one of reflectance and conductivity than the second layer,
The display device according to claim 1, wherein the second layer is more excellent in light shielding than the first layer.