JP2010020706A - 記憶システムおよびそれに用いられる半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラスからなる基板102上の所定領域にpn接合型の太陽電池が構成される。光照射部から照射された光は、基板102を透過した後n型半導体層124へ照射される。太陽電池からは照射光の量に応じた起電力が生じる。太陽電池の上層側には、制御回路60と、マスクROM70と、送信回路80、アンテナ90とが形成される。半導体記憶装置100の表面は、その全面に渡って絶縁膜150で覆われており外気の侵入が遮断される。この絶縁膜150は、代表的に、物理化学的に安定なガラスや二酸化シリコンからなる。
【選択図】図15
Description
この発明の別の局面に従えば、所定の規則に従って近接配置された複数の半導体記憶装置からなる記憶システムに用いられる半導体記憶装置を提供する。半導体記憶装置は、光透過性の基板と、基板を透過する光を受けて電力を発生する電力発生部と、基板上に配置され、不揮発的にデータを格納する不揮発性記憶部と、基板上に配置され、電力発生部からの電力を受けて不揮発性記憶部に格納されたデータを自装置に隣接する半導体記憶装置へ無線伝送する通信部と、電力発生部、不揮発性記憶部、通信部の露出面を覆う封止膜とを含む。
図1は、この発明の実施の形態1に従う記憶システム300の外観図である。
図3を参照して、半導体記憶装置100は、基板102上に複数の記憶セル120が形成される。基板102は、シリコンやガラスといった物理化学的に安定な絶縁物からなり、本実施の形態においては、代表的に光透過性のガラスからなる構成について例示する。さらに、複数の記憶セル120の露出面は全面にわたって封止膜によって覆われている。この封止膜は、代表的に、二酸化シリコン膜などの物理化学的に安定な絶縁物からなる。
上述の実施の形態では、外部から照射される光を受けて内部電力を発生する太陽電池を含む半導体記憶装置について例示したが、パッシブ型の無線システムを搭載してもよい。
図12は、この発明の実施の形態2に従う記憶システムを利用した構成の一例を示す外観図である。図12を参照して、本実施の形態に従う半導体記憶装置100は、一例として、携帯型ゲーム装置200で実行されるアプリケーションを格納する記録媒体として利用される。より具体的には、半導体記憶装置100は、携帯型ゲーム装置200のCPU(Central Processing Unit)などの演算装置で実行されるプログラムコードおよび各種データなどを不揮発的に格納しており、携帯型ゲーム装置200は、この半導体記憶装置100からデータを読出すためのデータ読出装置を含む。そして、半導体記憶装置100が携帯型ゲーム装置200に挿入されることによって、それらの情報が読出される。
図13を参照して、携帯型ゲーム装置200は、制御部10Aと、光照射部20と、受信部30と、電源部(BAT)40とを含む。携帯型ゲーム装置200には、その本体部側に半導体記憶装置100を挿入するための切欠部が形成されている。この切欠部の下面側および上面側には、それぞれ光照射部20および受信部30が配置されている。
図14は、この発明の実施の形態3に従う記憶システム400の外観図である。図14を参照して、本実施の形態に従う記憶システム400は、複数の半導体記憶装置100Bと、これらの半導体記憶装置100Bを収納するラック410と、これらの半導体記憶装置100Bに光を照射する光照射部20Bと、一方端に位置する半導体記憶装置100Bに近接して配置された読出部30Bと、制御部10Bと、インターフェイス部12とを含む。なお、ラック410、光照射部20B、読出部30B、制御部10B、およびインターフェイス部12が「データ読出装置」として機能する。
上述の実施の形態では、外部から照射される光を受けて内部電力を発生する太陽電池を含む半導体記憶装置について例示したが、外部から照射される電磁エネルギーを受けて内部電力を発生する構成を採用してもよい。
上述の実施の形態3に従う記憶システム400では、半導体記憶装置100Bを一次元的に配置し、各半導体記憶装置100Bが格納しているデータを一方向に伝送される構成について例示した。これに対して、本実施の形態では、半導体記憶装置を二次元的あるいは三次元的に配置した構成について例示する。
上述の実施の形態4に対しても、実施の形態3の変形例と同様に、外部から電磁エネルギー(交番磁束)を供給することで各半導体記憶装置における内部電力を発生するように構成してもよい。なお、その具体的な構成については、実施の形態3の変形例と同様であるので、詳細な説明は繰返さない。
上述の実施の形態1〜4およびその変形例では、半導体記憶装置に非接触でエネルギーを供給する構成として、光エネルギー(太陽電池)を用いる構成、および電磁エネルギーを用いる構成について例示したが、その他の構成を採用してもよい。
Claims (13)
- 複数の半導体記憶装置とデータ読出装置とからなる記憶システムであって、
前記複数の半導体記憶装置は、所定の規則に従って近接配置されており、
前記複数の半導体記憶装置の各々は、
光透過性の基板と、
前記基板を透過する光を受けて電力を発生する電力発生部と、
前記基板上に配置され、不揮発的にデータを格納する不揮発性記憶部と、
前記基板上に配置され、前記電力発生部からの電力を受けて前記不揮発性記憶部に格納されたデータを自装置に隣接する半導体記憶装置へ無線伝送する通信部と、
前記電力発生部、前記不揮発性記憶部、前記通信部の露出面を覆う封止膜とを含み、
前記データ読出装置は、
前記複数の半導体記憶装置へ光を照射する光照射部と、
前記近接配置された複数の半導体記憶装置の少なくとも1つに近接して設けられ、当該半導体記憶装置が無線伝送するデータを受信する読出部とを含む、記憶システム。 - 前記通信部は、自装置に隣接する前記半導体記憶装置から受信したデータを自装置に隣接する別の前記半導体記憶装置へ転送する、請求項1に記載の記憶システム。
- 前記通信部は、自装置に隣接する前記半導体記憶装置から受信したデータを転送した後に、前記不揮発性記憶部に格納されたデータを当該転送先に送信する、請求項2に記載の記憶システム。
- 前記基板は、略円板状であり、
前記通信部は、
前記自装置に隣接する半導体記憶装置からデータを受信するための受信部と、
前記自装置に隣接する別の半導体記憶装置へデータを送信するための送信部とを含み、
前記受信部と前記送信部とは、略円板状の前記基板上でその中心について所定の円周角だけ離れて形成されており、
前記複数の半導体記憶装置は、その円周中心が同一直線上になるように配置されるとともに、隣接する半導体記憶装置間において、一方の前記受信部と他方の前記送信部とが近接するように配置される、請求項2または3に記載の記憶システム。 - 前記複数の半導体記憶装置は、各半導体記憶装置が複数の半導体記憶装置と近接するように配置されており、
前記通信部は、前記自装置に隣接する半導体記憶装置との間でデータ送信およびデータ受信が可能な送受信部を複数含んでおり、
前記送受信部の各々は、前記自装置に隣接する半導体記憶装置との間でアドホックネットワークを確立する、請求項1に記載の記憶システム。 - 前記封止膜は、二酸化シリコン膜である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の記憶システム。
- 所定の規則に従って近接配置された複数の半導体記憶装置からなる記憶システムに用いられる半導体記憶装置であって、
光透過性の基板と、
前記基板を透過する光を受けて電力を発生する電力発生部と、
前記基板上に配置され、不揮発的にデータを格納する不揮発性記憶部と、
前記基板上に配置され、前記電力発生部からの電力を受けて前記不揮発性記憶部に格納されたデータを自装置に隣接する半導体記憶装置へ無線伝送する通信部と、
前記電力発生部、前記不揮発性記憶部、前記通信部の露出面を覆う封止膜とを含む、半導体記憶装置。 - 複数の半導体記憶装置とデータ読出装置とからなる記憶システムであって、
前記複数の半導体記憶装置は、所定の規則に従って近接配置されており、
前記複数の半導体記憶装置の各々は、
基板と、
前記基板上に配置され、不揮発的にデータを格納する不揮発性記憶部と、
前記基板上に配置され、外部から非接触状態で供給されるエネルギーを受けて内部電力を発生する電力発生部と、
前記基板上に配置され、前記内部電力を受けて自装置に隣接する半導体記憶装置との間で無線信号を用いてデータを送受信可能な通信部と、
前記電力発生部、前記不揮発性記憶部、前記通信部の露出面を覆う封止膜とを含み、
前記通信部は、自装置に隣接する前記半導体記憶装置からデータを受信すると、当該受信データを自装置に隣接する別の前記半導体記憶装置へ転送し、
前記データ読出装置は、前記近接配置された複数の半導体記憶装置の少なくとも1つに近接して設けられ、当該半導体記憶装置が転送するデータを受信する読出部を含む、記憶システム。 - 前記通信部は、自装置に隣接する前記半導体記憶装置から受信したデータを転送した後に、前記不揮発性記憶部に格納されたデータを当該転送先に送信する、請求項8に記載の記憶システム。
- 前記複数の半導体記憶装置は、各半導体記憶装置が複数の半導体記憶装置と近接するように配置されており、
前記通信部は、前記自装置に隣接する半導体記憶装置との間でデータ送信およびデータ受信が可能な送受信部を複数含んでおり、
前記送受信部の各々は、前記自装置に隣接する半導体記憶装置との間でアドホックネットワークを確立する、請求項8または9に記載の記憶システム。 - 前記基板は、光透過性の基板であり、
前記電力発生部は、前記基板を透過する光を受けて電力を発生する太陽電池であり、
前記データ読出装置は、前記複数の半導体記憶装置へ光を照射する光照射部をさらに含む、請求項8〜10のいずれか1項に記載の記憶システム。 - 前記データ読出装置は、前記複数の半導体記憶装置へ交番磁束を供給する磁束供給部をさらに含み、
前記電力発生部は、
前記交番磁束と鎖交する位置に形成されたコイルと、
前記コイルが交番磁束と鎖交することで生じる起電力から内部電力を生成する電源回路とを含む、請求項8〜10のいずれか1項に記載の記憶システム。 - 所定の規則に従って近接配置された複数の半導体記憶装置からなる記憶システムに用いられる半導体記憶装置であって、
基板と、
前記基板上に配置され、不揮発的にデータを格納する不揮発性記憶部と、
前記基板上に配置され、外部から非接触状態で供給されるエネルギーを受けて内部電力を発生する電力発生部と、
前記基板上に配置され、前記内部電力を受けて自装置に隣接する半導体記憶装置との間で無線信号を用いてデータを送受信可能な通信部と、
前記電力発生部、前記不揮発性記憶部、前記通信部の露出面を覆う封止膜とを含み、
前記通信部は、自装置に隣接する前記半導体記憶装置からデータを受信すると、当該受信データを自装置に隣接する別の前記半導体記憶装置へ転送する、半導体記憶装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013214242A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Isd Corp | 密封型半導体記憶装置およびこれを用いた記憶システム |
KR101450069B1 (ko) | 2010-06-10 | 2014-10-17 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | Usb 메모리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001014432A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Kenwood Corp | 非接触カード読書システム、非接触カード、読書装置及び非接触カード読書方法 |
JP2001209772A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 非接触伝達機構付icカード |
JP2007188498A (ja) * | 2002-12-27 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Icカード及びicカードの作製方法 |
JP2007214545A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の作製方法、及びrfidタグ |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001014432A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Kenwood Corp | 非接触カード読書システム、非接触カード、読書装置及び非接触カード読書方法 |
JP2001209772A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 非接触伝達機構付icカード |
JP2007188498A (ja) * | 2002-12-27 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Icカード及びicカードの作製方法 |
JP2007214545A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の作製方法、及びrfidタグ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101450069B1 (ko) | 2010-06-10 | 2014-10-17 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | Usb 메모리 장치 |
JP2013214242A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Isd Corp | 密封型半導体記憶装置およびこれを用いた記憶システム |
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