JP2010004755A - Endothelial cell-proliferative material - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an endothelial cell-proliferative material having selectively improved proliferative properties of a vascular endothelial cell. <P>SOLUTION: The endothelial cell-proliferative material has a membrane body 32 formed on the surface of a base material 31, and formed by bonding carbons to each other, and a plasma treated layer 32A formed on the surface of the membrane body 32, and having nitrogen and oxygen bonded to the carbon forming the membrane body 32. The ratio of the nitrogen to the oxygen in the plasma treated layer 32A is ≥0.3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、内皮細胞増殖性材料に関し、特に内皮細胞の選択的な増殖性を有する内皮細胞増殖性材料に関する。   The present invention relates to an endothelial cell proliferating material, and more particularly to an endothelial cell proliferating material having a selective proliferation property of endothelial cells.

医療の発達と共に、血管内に留置するステントや、埋め込み式の人工心臓等の生体内で使用する医療器具の使用が増加している。しかし、医療器具を生体内に埋め込むと、生体が異物として認識するため、血栓が形成されるという問題がある。   With the development of medical treatment, the use of medical instruments used in vivo such as stents placed in blood vessels and implantable artificial hearts is increasing. However, when a medical instrument is embedded in a living body, the living body recognizes it as a foreign substance, which causes a problem that a thrombus is formed.

医療器具に生じる血栓を低減する方法として、ヘパリン又はホスホリルコリン等の抗血栓性薬剤により医療器具をコーティングする方法が知られている。しかし、薬剤のコーティングは剥がれやすく効果が持続しないという問題がある。また、薬剤による副作用の問題も知られている。   As a method of reducing thrombus generated in a medical device, a method of coating the medical device with an antithrombotic drug such as heparin or phosphorylcholine is known. However, there is a problem that the drug coating is easily peeled off and the effect is not sustained. In addition, the problem of side effects caused by drugs is also known.

そこで、薬剤にたよるのではなく、医療器具自体を抗血栓性の材料により形成したり、医療器具の表面に抗血栓性に優れた強固な皮膜を形成したりする方法が検討されている。中でも、ダイヤモンド様カーボン(DLC)膜をはじめとする炭素質膜により医療器具を覆う方法は、耐久性に優れているため特に注目されている。   In view of this, a method of forming the medical device itself with an antithrombotic material or forming a strong film with excellent antithrombogenicity on the surface of the medical device is being studied instead of depending on a drug. Among them, a method of covering a medical device with a carbonaceous film such as a diamond-like carbon (DLC) film is particularly attracting attention because of its excellent durability.

さらに、炭素質膜の抗血栓性を向上させるために、炭素質膜の表面に親水性の官能基を導入したり、抗血栓性の薬剤を固定したりすることも検討されている(例えば、特許文献1を参照。)。
特開2007−195883号公報
Furthermore, in order to improve the antithrombogenicity of the carbonaceous film, introduction of a hydrophilic functional group on the surface of the carbonaceous film or fixing an antithrombotic drug has been studied (for example, (See Patent Document 1).
JP 2007-195883 A

しかしながら、炭素質膜の抗血栓性を検討する際に、血小板等の血球細胞との相互作用については検討されているが、血管内皮細胞との相互作用についてはほとんど検討されていない。   However, when examining the antithrombogenicity of the carbonaceous membrane, the interaction with blood cells such as platelets has been studied, but the interaction with vascular endothelial cells has hardly been studied.

血管内皮細胞は外部からの刺激を受け、血液の線溶系動態を微妙に調整することが知られている。血管内皮細胞に機能異常が生じると線溶系の調整機能が狂い血栓が形成されてしまう。このため、医療器具の抗血栓性を向上するためには、血管内皮細胞に異常を生じさせないことが重要である。   It is known that vascular endothelial cells undergo external stimulation and finely adjust the fibrinolytic dynamics of blood. When dysfunction occurs in vascular endothelial cells, the fibrinolytic regulation function is lost and a thrombus is formed. For this reason, in order to improve the antithrombogenicity of a medical device, it is important not to cause abnormality in vascular endothelial cells.

また、ステントにより血管を拡張した場合、血管拡張時に内皮層に裂傷が生じるおそれがある。血栓を防止するためには内皮層に生じた裂傷を速やかに治癒させることが重要である。従って、ステント表面において内皮細胞が速やかに増殖することが好ましい。しかし、一般に炭素質膜は、鏡面状の平滑な表面を有している。このため、炭素質膜の表面においては、血管内皮細胞がほとんど増殖することができない。また、抗血栓性の薬剤等を表面に担持させたりするとさらに、血管内皮細胞の増殖を抑えることになる。   In addition, when a blood vessel is expanded by a stent, there is a possibility that a laceration may occur in the endothelial layer during the blood vessel expansion. In order to prevent blood clots, it is important to quickly heal lacerations generated in the endothelial layer. Accordingly, it is preferable that the endothelial cells proliferate rapidly on the stent surface. However, generally a carbonaceous film has a mirror-like smooth surface. For this reason, vascular endothelial cells hardly proliferate on the surface of the carbonaceous film. Further, when an antithrombotic drug or the like is carried on the surface, the proliferation of vascular endothelial cells is further suppressed.

一方、血管平滑筋細胞が異常増殖すると、血管の再狭窄が生じることが知られている。このため、単純に細胞の増殖性を向上させるだけではなく、血管内皮細胞の増殖性を選択的に向上させる必要がある。   On the other hand, it is known that when vascular smooth muscle cells proliferate abnormally, vascular restenosis occurs. For this reason, it is necessary not only to simply improve the proliferation of cells but also to selectively improve the proliferation of vascular endothelial cells.

本発明は、前記従来の課題を解決し、血管内皮細胞の増殖性を選択的に向上した内皮細胞増殖性材料を実現できるようにすることを特徴とする。   The present invention solves the above-mentioned conventional problems and makes it possible to realize an endothelial cell proliferating material that selectively improves the proliferation of vascular endothelial cells.

前記の目的を達成するため、本発明は内皮細胞増殖性材料を、炭素質膜の表面にプラズマ処理層を備えている構成とする。   In order to achieve the above object, the present invention is configured such that the endothelial cell proliferating material has a plasma treatment layer on the surface of the carbonaceous film.

具体的に、本発明に係る第1の内皮細胞増殖性材料は、基材の表面に形成され、炭素が互いに結合して形成された膜本体と、膜本体の表面に形成され、膜本体を構成する炭素と結合した窒素及び酸素を有するプラズマ処理層とを備え、プラズマ処理層における窒素の酸素に対する比率は、0.3以上であることを特徴とする。   Specifically, the first endothelial cell proliferating material according to the present invention is formed on the surface of the base material, and is formed on the surface of the membrane body formed by bonding carbon to each other. And a plasma treatment layer having nitrogen and oxygen bonded to carbon, and a ratio of nitrogen to oxygen in the plasma treatment layer is 0.3 or more.

第1の内皮細胞増殖性材料は、窒素の酸素に対する比率が0.3以上であるプラズマ処理層を備えている。これにより、アミノ基等の窒素を有する官能基と、カルボキシル基等の酸素を有する官能基が材料の表面に形成されていると考えられる。従って、内皮細胞の適合性に優れた表面となり、内皮細胞が平滑筋細胞よりも増殖しやすくなる。その結果、内皮細胞の選択的な増殖性に優れた内細胞増殖性材料が実現できる。   The first endothelial cell proliferating material includes a plasma treatment layer in which the ratio of nitrogen to oxygen is 0.3 or more. Thereby, it is considered that a functional group having nitrogen such as an amino group and a functional group having oxygen such as a carboxyl group are formed on the surface of the material. Therefore, the surface has excellent compatibility with endothelial cells, and the endothelial cells are more likely to proliferate than smooth muscle cells. As a result, an inner cell proliferating material excellent in selective proliferation of endothelial cells can be realized.

第1の内皮細胞増殖性材料は、膜本体の表面におけるゼータ電位が−20mV以上であってもよい。   The first endothelial cell proliferating material may have a zeta potential of −20 mV or more on the surface of the membrane body.

本発明に係る第2の内皮細胞増殖性材料は、基材の表面に形成され、炭素が互いに結合して形成された膜本体と、膜本体の表面に形成され、膜本体を構成する炭素と結合した酸素を有するプラズマ処理層とを備え、プラズマ処理層における酸素の炭素に対する比率は、0.1以上であることを特徴とする。   The second endothelial cell proliferating material according to the present invention includes a membrane body formed on the surface of the base material and formed by bonding carbon to each other, and carbon formed on the surface of the membrane body and constituting the membrane body. And a plasma treatment layer having combined oxygen, wherein the ratio of oxygen to carbon in the plasma treatment layer is 0.1 or more.

第2の内皮細胞増殖性材料は、酸素の炭素に対する比率が0.1以上であるプラズマ処理層を備えている。これにより、カルボキシル基等の酸素を有する官能基が材料の表面に形成されていると考えられる。従って、内皮細胞の適合性に優れた表面となり、内皮細胞が平滑筋細胞よりも増殖しやすくなる。その結果、内皮細胞の選択的な増殖性に優れた内細胞増殖性材料が実現できる。   The second endothelial cell proliferating material includes a plasma treatment layer in which the ratio of oxygen to carbon is 0.1 or more. Thereby, it is considered that a functional group having oxygen such as a carboxyl group is formed on the surface of the material. Therefore, the surface has excellent compatibility with endothelial cells, and the endothelial cells are more likely to proliferate than smooth muscle cells. As a result, an inner cell proliferating material excellent in selective proliferation of endothelial cells can be realized.

第2の内皮細胞増殖性材料は、膜本体の表面におけるゼータ電位が−30mV以下であってもよい。   The second endothelial cell proliferating material may have a zeta potential of −30 mV or less on the surface of the membrane body.

第1及び第2の内皮細胞増殖性材料において、プラズマ処理層の表面における内皮細胞の増殖率は、平滑筋細胞の増殖率よりも高いことが好ましい。   In the first and second endothelial cell proliferating materials, the proliferation rate of the endothelial cells on the surface of the plasma treatment layer is preferably higher than the proliferation rate of the smooth muscle cells.

この場合において、内皮細胞の増殖率は、平滑筋細胞の増殖率の1.1倍以上であることが好ましい。   In this case, the proliferation rate of the endothelial cells is preferably 1.1 times or more that of the smooth muscle cells.

本発明に係る内皮細胞増殖性材料によれば、血管内皮細胞の選択的な増殖性を有する内皮細胞増殖性材料を実現できる。   According to the endothelial cell proliferating material according to the present invention, an endothelial cell proliferating material having a selective proliferative property of vascular endothelial cells can be realized.

(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料の断面構成を示している。内皮細胞増殖性材料とは、内皮細胞の選択増殖性に優れた材料である。図1に示すように、本実施形態の内皮細胞増殖性材料は、基材31を覆う炭素質膜32であり、炭素質膜32の表面にはプラズマ処理層32Aが形成されている。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional configuration of the endothelial cell proliferating material according to the first embodiment. An endothelial cell proliferating material is a material excellent in selective proliferation of endothelial cells. As shown in FIG. 1, the endothelial cell proliferating material of the present embodiment is a carbonaceous film 32 that covers a base material 31, and a plasma treatment layer 32 </ b> A is formed on the surface of the carbonaceous film 32.

基材31は、どのような材質であってもよい。具体的には、特に限定されるものではないが例えば、鉄、ニッケル、クロム、銅、チタン、白金、タングステン又はタンタル等の金属を基材として用いることができる。また、これらの合金である、SUS316L等のステンレス鋼、Ti−Ni合金若しくはCu−Al−Mn合金等の形状記憶合金、Cu−Zn合金、Ni−Al合金、チタン合金、タンタル合金、プラチナ合金又はタングステン合金等の合金を用いることもできる。また、アルミニウム、シリコン若しくはジルコン等の酸化物、窒化物若しくは炭化物等の生体不活性なセラミックス又はアパタイト若しくは生体ガラス等の生体活性を有するセラミックスでもよい。さらに、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、高密度ポリエチレン、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリカーボネート樹脂若しくはポリスルホン等の高分子樹脂又はポリジメチルシロキサン等のシリコンポリマー若しくはポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系ポリマー等であってもよい。   The base material 31 may be any material. Specifically, although not particularly limited, for example, a metal such as iron, nickel, chromium, copper, titanium, platinum, tungsten, or tantalum can be used as the base material. Further, these alloys are stainless steel such as SUS316L, shape memory alloy such as Ti—Ni alloy or Cu—Al—Mn alloy, Cu—Zn alloy, Ni—Al alloy, titanium alloy, tantalum alloy, platinum alloy or An alloy such as a tungsten alloy can also be used. Moreover, bioactive ceramics, such as oxides, such as aluminum, a silicon | silicone, or a zircon, nitride, or carbide | carbonized_material, or ceramics which have bioactivity, such as apatite or a biological glass, may be sufficient. Further, polyester such as polymethyl methacrylate (PMMA), high density polyethylene, polyacetal, polyethylene terephthalate (PET), polymer resin such as polycarbonate resin or polysulfone, silicon polymer such as polydimethylsiloxane, or fluorine such as polytetrafluoroethylene A polymer may be used.

また、形状もどのような形状であってもよく、医療器具等の状態に成形されたものであっても、板材、棒材又は線材等の成形前の材料の状態であってもよい。   Further, the shape may be any shape, and it may be formed in a state of a medical instrument or the like, or may be in a state of a material before forming, such as a plate material, a rod material, or a wire material.

炭素質膜32は、ダイヤモンド様カーボン(DLC)膜等の炭素原子同士が結合して形成された膜である。また、シリコン(Si)又はフッ素(F)等を含有していてもよい。   The carbonaceous film 32 is a film formed by bonding carbon atoms such as a diamond-like carbon (DLC) film. Moreover, silicon (Si) or fluorine (F) may be contained.

炭素質膜32の膜厚は、特に限定されるものではないが、0.005μm〜3μmの範囲が好ましく、より好ましくは0.01μm〜1μmの範囲である。   Although the film thickness of the carbonaceous film 32 is not specifically limited, The range of 0.005 micrometer-3 micrometers is preferable, More preferably, it is the range of 0.01 micrometer-1 micrometer.

炭素質膜32は、基材31の上に直接形成されていても、中間層を介在させて形成されていてもよい。中間層は、基材の種類に応じて種々のものを用いることができるが、シリコン(Si)と炭素(C)、チタン(Ti)と炭素(C)又はクロム(Cr)と炭素(C)からなるアモルファス膜等の公知のものを用いることができる。その厚みは特に限定されるものではないが、0.005μm〜0.3μmの範囲が好ましく、より好ましくは0.01μm〜0.1μmの範囲である。   The carbonaceous film 32 may be formed directly on the substrate 31 or may be formed with an intermediate layer interposed. Various intermediate layers can be used depending on the type of substrate, but silicon (Si) and carbon (C), titanium (Ti) and carbon (C), or chromium (Cr) and carbon (C). A known film such as an amorphous film can be used. Although the thickness is not specifically limited, the range of 0.005 micrometer-0.3 micrometer is preferable, More preferably, it is the range of 0.01 micrometer-0.1 micrometer.

プラズマ処理層32Aは、炭素質膜32の表面にプラズマ照射することにより形成されており、炭素原子と結合した窒素(N)と酸素(O)とを含んでいる。   The plasma treatment layer 32A is formed by irradiating the surface of the carbonaceous film 32 with plasma, and contains nitrogen (N) and oxygen (O) bonded to carbon atoms.

プラズマ処理層32Aに導入された窒素がどのような状態となっているかは明確ではない。しかし、アミノ基、アミド基及びイミド基等の窒素を含む官能基(窒素性官能基)を形成していると考えられる。窒素性官能基の詳細な分析は困難であるが、X線光電子分光(XPS)測定においてN1sピークは、398.9eVに出現した。これは、アミノ基とアミド基のN1sの束縛エネルギー(400±1eV)であるためアミノ基を含む官能基が炭素質膜の表面に生成されていると考えられる。   It is not clear what state the nitrogen introduced into the plasma treatment layer 32A is in. However, it is thought that functional groups containing nitrogen (nitrogen functional groups) such as amino groups, amide groups, and imide groups are formed. Although detailed analysis of nitrogenous functional groups is difficult, the N1s peak appeared at 398.9 eV in X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement. Since this is the binding energy (400 ± 1 eV) of N1s of an amino group and an amide group, it is considered that a functional group containing an amino group is generated on the surface of the carbonaceous film.

同様に、XPS測定の結果から酸素は、C−O、C=O及びC(=O)−O等の酸素を含む官能基(酸素性官能基)を形成していると考えられる。   Similarly, from the result of XPS measurement, oxygen is considered to form a functional group containing oxygen (oxygen functional group) such as C—O, C═O, and C (═O) —O.

図2は、XPS測定により求めたプラズマ処理層32Aの窒素の酸素に対する比率(N/O)と、血管内皮細胞(ECs)及び血管平滑筋細胞(SMCs)の増殖率との関係を示している。   FIG. 2 shows the relationship between the nitrogen-to-oxygen ratio (N / O) of the plasma treatment layer 32A obtained by XPS measurement and the proliferation rate of vascular endothelial cells (ECs) and vascular smooth muscle cells (SMCs). .

XPS測定には、日本電子株式会社製の光電子分光装置JPS−9010MCを用いた。X線源にはAlを用い、加速電圧が12.5kVで、エミッション電流が17.5mAの条件でX線を発生させた。試料中から任意に選択した直径5mmのエリアについて測定を行った。また、X線を試料に対して垂直に入射させ、検出角度を試料面に対して90度とすることにより、5nm程度の深さまでの組成を測定している。   For the XPS measurement, a photoelectron spectrometer JPS-9010MC manufactured by JEOL Ltd. was used. Al was used as the X-ray source, and X-rays were generated under the conditions of an acceleration voltage of 12.5 kV and an emission current of 17.5 mA. Measurement was performed on an area of 5 mm in diameter arbitrarily selected from the sample. Further, the composition up to a depth of about 5 nm is measured by making X-rays incident on the sample perpendicularly and setting the detection angle to 90 degrees with respect to the sample surface.

結合エネルギーの測定領域は、274eV〜294eV、389eV〜409eV及び522eV〜542eVとし、それぞれC1s、N1s及びO1sのピークを得た。得られたピークの面積比を比較することにより炭素を基準とする酸素の存在比O/C及び炭素を基準とする窒素の存在比N/Cを求めた。   The binding energy measurement region was 274 eV to 294 eV, 389 eV to 409 eV, and 522 eV to 542 eV, and peaks of C1s, N1s, and O1s were obtained, respectively. By comparing the area ratios of the obtained peaks, the abundance ratio O / C of oxygen based on carbon and the abundance ratio N / C of nitrogen based on carbon were determined.

細胞の増殖率は次の様にして求めた。N/Oの値が異なる種々の炭素質膜がコートされた直径15mmのカバーグラスを70%エタノールにより滅菌した後、24穴の細胞培養用マルチプレート(Costar 3516、コーニング社)の底に置き、超純水により3回洗浄した。カバーグラスの表面に人冠動脈由来の内皮細胞(Cell Applications社:HCAEC)及び平滑筋細胞(Cell Applications社:HCASMC)を1×104cell/well(500μL)の密度で播種した。播種の後、温度を37℃とし、5%炭酸ガス雰囲気で4日間継続して培養を行った。培地には、Cell Applications社より販売されている各細胞専用の培地を使用し、培地交換は毎日行った。4日間培養した後の細胞増殖率をCell-Counting-Kit8(同仁化学製)を用いて求めた。測定法はキットに添付のマニュアルに従い行った。各炭素質膜における増殖率の比較は、増殖した細胞数に対応する細胞内のミトコンドリアの活性により生じるWST-8 frmazanの濃度(吸光度)をマイクロプレートリーダーを用い求め、未処理の炭素質膜における吸光度を100%とし、これに対する各サンプルの%増殖率を算出すことにより増殖性を比較検討した。 The cell growth rate was determined as follows. A 15 mm diameter cover glass coated with various carbonaceous films with different N / O values was sterilized with 70% ethanol, and placed on the bottom of a 24-well cell culture multiplate (Costar 3516, Corning). Washed 3 times with ultra pure water. Human coronary artery-derived endothelial cells (Cell Applications: HCAEC) and smooth muscle cells (Cell Applications: HCASMC) were seeded on the surface of the cover glass at a density of 1 × 10 4 cells / well (500 μL). After sowing, the temperature was 37 ° C., and the culture was continued for 4 days in a 5% carbon dioxide atmosphere. As the medium, a medium dedicated to each cell sold by Cell Applications was used, and the medium was changed every day. The cell growth rate after culturing for 4 days was determined using Cell-Counting-Kit8 (Dojindo). The measurement method was performed according to the manual attached to the kit. The comparison of the growth rate in each carbonaceous membrane was determined by using a microplate reader to determine the concentration (absorbance) of WST-8 frmazan produced by intracellular mitochondrial activity corresponding to the number of cells grown. The absorbance was set to 100%, and the growth rate was compared by calculating the% growth rate of each sample.

図2に示すように、プラズマ処理層32Aを有し、表面に窒素性官能基が導入された炭素質膜は、SMCsの増殖率はほとんど変化していない。一方、ECsの増殖率は、N/Oの値が大きくなるほど高くなった。これは、炭素質膜の表面にプラズマ処理により窒素と酸素とが導入されたプラズマ処理層を形成することにより、SMCsの増殖率を高くすることなく、ECsの増殖率を選択的に高くできることを示している。つまり、プラズマ処理層32Aを形成することにより、さらに、ECsの増殖性を向上した内皮細胞増殖性材料が実現できる。   As shown in FIG. 2, the growth rate of SMCs hardly changes in the carbonaceous film having the plasma treatment layer 32A and having nitrogen functional groups introduced on the surface thereof. On the other hand, the proliferation rate of ECs increased as the value of N / O increased. This is because the growth rate of ECs can be selectively increased without increasing the growth rate of SMCs by forming a plasma treatment layer in which nitrogen and oxygen are introduced by plasma treatment on the surface of the carbonaceous film. Show. That is, by forming the plasma treatment layer 32A, it is possible to realize an endothelial cell proliferating material with further improved ECs proliferative ability.

ステント等の場合には、ECsの増殖率は高い方が、ステントのプラットホームが短時間に内皮細胞で覆われるため、血栓症の発生リスクが低くなる。しかし、血管フィルタ等の場合には、内皮細胞の増殖率が高すぎても詰まり等が発生するおそれがある。このため、N/Oの値は用途に応じて適宜選択すればよい。但し、ECsの増殖率がSMCsの増殖率の1.1倍以上となるN/Oが0.3以上の範囲とすることが好ましい。また、N/Oが1.5程度以下の範囲であれば製造は容易である。   In the case of a stent or the like, the higher the ECs growth rate, the lower the risk of thrombosis because the stent platform is covered with endothelial cells in a short time. However, in the case of a blood vessel filter or the like, clogging or the like may occur even if the proliferation rate of the endothelial cells is too high. For this reason, what is necessary is just to select the value of N / O suitably according to a use. However, it is preferable that N / O in which the growth rate of ECs is 1.1 times or more that of SMCs is in the range of 0.3 or more. Further, if N / O is in the range of about 1.5 or less, the production is easy.

このように窒素と酸素とを含むプラズマ処理層32Aを形成することによりECsの増殖率が高くなる理由は明確ではない。しかし、先に述べたように、プラズマ処理層32Aに導入された窒素は、窒素性官能基として導入され、特にアミノ基となっていると考えられる。また、酸素の一部はカルボキシル基となっていると考えられる。このように、プラズマ処理層32Aがアミノ基とカルボキシル基とを有することによりECsの増殖率が高くなるのではないかと推測される。   The reason why the growth rate of ECs is increased by forming the plasma treatment layer 32A containing nitrogen and oxygen is not clear. However, as described above, the nitrogen introduced into the plasma treatment layer 32A is introduced as a nitrogenous functional group, and is considered to be an amino group in particular. Moreover, it is thought that a part of oxygen is a carboxyl group. Thus, it is presumed that the growth rate of ECs may be increased by the plasma treatment layer 32A having an amino group and a carboxyl group.

図3は、プラズマ処理層32Aを形成した炭素質膜32のゼータ電位と細胞増殖率との関係を示している。図3に示すように、プラズマ処理層を有していない未処理の炭素質膜よりもゼータ電位が高くなると、ECsの増殖率は大きくなるが、SMCsの増殖率はほとんど変化していない。このことからも、プラズマ処理層32Aに導入された窒素の少なくとも一部がアミノ基となっており、アミノ基の導入量が多いほどSMCsの増殖率が高くなるのではないかと推測される。   FIG. 3 shows the relationship between the zeta potential of the carbonaceous film 32 on which the plasma treatment layer 32A is formed and the cell growth rate. As shown in FIG. 3, when the zeta potential is higher than that of an untreated carbonaceous film having no plasma treatment layer, the growth rate of ECs increases, but the growth rate of SMCs hardly changes. Also from this, it is presumed that at least a part of nitrogen introduced into the plasma treatment layer 32A is an amino group, and that the proliferation rate of SMCs increases as the amount of amino group introduced increases.

ゼータ電位の値は、高いほどECsの増殖率が高くなり好ましいが、少なくともECsの増殖率とSMCsの増殖率とに差が認められる−20mV以上とすればよい。   The higher the zeta potential value, the higher the ECs growth rate, which is preferable. However, at least −20 mV or more at which a difference between the ECs growth rate and the SMCs growth rate is recognized.

ゼータ電位の測定には、大塚電子株式会社製のゼータ電位・粒径測定システムELS−Zを用いた。炭素質膜が形成された試料を平板試料用セルに密着させ、セル内にモニタ用粒子を注入した。モニタ用粒子は10mMの塩化ナトリウム(NaCl)溶液中に分散させた大塚電子株式会社製のものを用いた。セル深さ方向の各レベルについてモニタ粒子の電気泳動を行い、セル内部の見かけの速度分布を測定した。電気泳動は、平均電場が17.33V/cmで、平均電流が1.02mAの条件で行った。得られた見かけの速度分布を森・岡本の式に基づいて解析することにより、炭素質膜表面の表面電位を求めた。なお、平板試料用セルは、セル表面の電荷の影響を抑えるため、ポリアクリルアミドによりコーティング処理して用いた。   For the measurement of the zeta potential, a zeta potential / particle size measurement system ELS-Z manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. was used. The sample on which the carbonaceous film was formed was brought into close contact with a flat plate sample cell, and monitoring particles were injected into the cell. The monitoring particles used were those manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. dispersed in a 10 mM sodium chloride (NaCl) solution. The monitor particles were electrophoresed at each level in the cell depth direction, and the apparent velocity distribution inside the cell was measured. Electrophoresis was performed under the conditions of an average electric field of 17.33 V / cm and an average current of 1.02 mA. By analyzing the apparent velocity distribution obtained based on the Mori-Okamoto equation, the surface potential of the carbonaceous film surface was obtained. The plate sample cell was used after being coated with polyacrylamide in order to suppress the influence of the charge on the cell surface.

以下に、本実施形態に係る内皮細胞増殖性材料の製造方法の一例を示す。まず、基材31の表面に炭素質膜32を形成する。炭素質膜32は、スパッタ法、DCマグネトロンスパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法、化学気相堆積法(CVD法)、プラズマCVD法、プラズマイオン注入法、重畳型RFプラズマイオン注入法、イオンプレーティング法、アークイオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法又はレーザーアブレーション法等の既知の方法により形成すればよい。   Below, an example of the manufacturing method of the endothelial cell proliferative material which concerns on this embodiment is shown. First, the carbonaceous film 32 is formed on the surface of the substrate 31. The carbonaceous film 32 is formed by sputtering, DC magnetron sputtering, RF magnetron sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plasma CVD, plasma ion implantation, superimposed RF plasma ion implantation, ion plating. It may be formed by a known method such as an arc ion plating method, an ion beam vapor deposition method or a laser ablation method.

例えば、スパッタ法により形成する場合には、まず、金属板等の基材31をイオン化蒸着装置のチャンバ内にセットし、ボンバードクリーニングを約30分間行う。ボンバードクリーニングは、チャンバーにアルゴンガス(Ar)を圧力が10-1Pa〜10-3Pa(10-3Torr〜10-5Torr)となるように導入した後、放電を行うことによりArイオン発生させ、発生したArイオンを基材の表面に衝突させることにより行えばよい。 For example, when forming by sputtering, first, the base material 31 such as a metal plate is set in the chamber of an ionization vapor deposition apparatus, and bombard cleaning is performed for about 30 minutes. Bombardment cleaning, after introducing to argon gas (Ar) pressure becomes 10 -1 Pa~10 -3 Pa (10 -3 Torr~10 -5 Torr) in the chamber, Ar ions generated by performing discharge The generated Ar ions may be made to collide with the surface of the substrate.

続いて、チャンバにテトラメチルシラン(Si(CH34)を3分間導入し、珪素(Si)及び炭素(C)を主成分とするアモルファス状で膜厚が20nmの中間層を形成する。 Subsequently, tetramethylsilane (Si (CH 3 ) 4 ) is introduced into the chamber for 3 minutes, and an amorphous intermediate layer having a thickness of 20 nm is mainly formed of silicon (Si) and carbon (C).

中間層を形成した後、C66ガスをチャンバーに導入し、ガス圧を10-1Paとする。C66を30ml/分の速度で連続的に導入しながら放電を行うことによりC66をイオン化し、イオン化蒸着を約2分間行う。これにより、厚さが30nmのDLC膜である炭素質膜32を基材31の表面に形成する。 After forming the intermediate layer, C 6 H 6 gas is introduced into the chamber, and the gas pressure is set to 10 −1 Pa. The C 6 H 6 ionized by performing continuously introduced while discharging the C 6 H 6 at 30ml / min, performing ionized evaporation for about 2 minutes. Thereby, the carbonaceous film 32 which is a DLC film having a thickness of 30 nm is formed on the surface of the base material 31.

炭素質膜32を形成する際のターゲット電圧は例えば、1.5kV、ターゲット電流は50mA、フィラメント電圧は14V、フィラメント電流は30A、アノード電圧は50V、アノード電流は0.6A、リフレクタ電圧は50V、リフレクタ電流は6mAとすればよい。また、形成時における基材31の温度は約160℃とすればよい。   For example, the target voltage when forming the carbonaceous film 32 is 1.5 kV, the target current is 50 mA, the filament voltage is 14 V, the filament current is 30 A, the anode voltage is 50 V, the anode current is 0.6 A, the reflector voltage is 50 V, The reflector current may be 6 mA. Moreover, the temperature of the base material 31 at the time of formation may be about 160 ° C.

なお、基材31と炭素質膜32との密着性を向上させるために中間層を設ける例を示したが、基材31と炭素質膜32との密着性を十分に確保できる場合には省略してもよい。   In addition, although the example which provides an intermediate | middle layer in order to improve the adhesiveness of the base material 31 and the carbonaceous film 32 was shown, it abbreviate | omits when the adhesiveness of the base material 31 and the carbonaceous film 32 can fully be ensured. May be.

次に、炭素質膜32にプラズマを照射しプラズマ処理層32Aを形成する。プラズマ照射は、例えば、図4に示すような平行平板型のプラズマ照射装置により行えばよい。プラズマ照射装置のチャンバ10内に炭素質膜を形成した基材31をセットした後、チャンバ10内の圧力を所定の圧力まで排気する。チャンバ10内の圧力を高真空状態とする場合には、ターボ分子ポンプを用いて排気を行えばよい。次に、チャンバ10内にガスを所定の流量で導入し、平行平板電極12Aと12Bとの間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させる。高周波電力は、マッチングボックス14を介して接続された高周波電源15を用いて印加すればよい。ガス流量の調整はマスフローコントローラ13により行えばよい。   Next, the carbonaceous film 32 is irradiated with plasma to form a plasma treatment layer 32A. For example, the plasma irradiation may be performed by a parallel plate type plasma irradiation apparatus as shown in FIG. After setting the base material 31 on which the carbonaceous film is formed in the chamber 10 of the plasma irradiation apparatus, the pressure in the chamber 10 is exhausted to a predetermined pressure. When the pressure in the chamber 10 is set to a high vacuum state, exhaust may be performed using a turbo molecular pump. Next, a gas is introduced into the chamber 10 at a predetermined flow rate, and plasma is generated by applying high frequency power between the parallel plate electrodes 12A and 12B. The high frequency power may be applied using a high frequency power supply 15 connected via the matching box 14. The gas flow rate may be adjusted by the mass flow controller 13.

窒素と酸素とを含むプラズマ処理層32Aは、アンモニアのプラズマを照射することにより形成すればよい。また、アルゴン(Ar)、酸素(O2)若しくはアセチレン(C22)又はこれらの混合ガス等の他のプラズマを照射した後に、アンモニアのプラズマを照射してもよい。 The plasma treatment layer 32A containing nitrogen and oxygen may be formed by irradiation with ammonia plasma. Further, after irradiation with other plasma such as argon (Ar), oxygen (O 2 ), acetylene (C 2 H 2 ), or a mixed gas thereof, ammonia plasma may be irradiated.

また、アンモニアに代えて他の塩基性窒素含有化合物を用いることも可能である。塩基性窒素含有化合物としては、一般式がNR123により示される有機アミン類(但し、R1、R2及びR3は水素、−CH3、−C25、−C37又は−C48であり、R1、R2及びR3は互いに同一であっても、異なっていてもよい。)又はベンジルアミン及びその2級、3級アミン等が挙げられる。但し、アンモニアがコスト、取り扱いの容易さから好ましい。 It is also possible to use other basic nitrogen-containing compounds instead of ammonia. Examples of basic nitrogen-containing compounds include organic amines represented by the general formula NR 1 R 2 R 3 (wherein R 1 , R 2 and R 3 are hydrogen, —CH 3 , —C 2 H 5 , —C 3 H 7 or —C 4 H 8 , and R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different from each other.) Or benzylamine and its secondary and tertiary amines. However, ammonia is preferable because of cost and ease of handling.

プラズマ照射時におけるチャンバ内の到達真空度が高い方が、ゼータ電位を高くすることができ好ましい。これは、チャンバ内の到達真空度を高くすることにより、空気中の酸素によるカルボキシル基の生成を抑えることができるためではないかと考えられる。このため、到達真空度を5×10-3Pa程度としてもよい。但し、到達真空度が2Pa程度であってもゼータ電位が十分高いプラズマ処理層を得ることが可能である。 A higher ultimate vacuum in the chamber during plasma irradiation is preferable because the zeta potential can be increased. This is thought to be because the generation of carboxyl groups by oxygen in the air can be suppressed by increasing the ultimate vacuum in the chamber. For this reason, the ultimate vacuum may be about 5 × 10 −3 Pa. However, it is possible to obtain a plasma treatment layer having a sufficiently high zeta potential even when the ultimate vacuum is about 2 Pa.

なお、プラズマ照射装置は、どのような構造のものを用いてもよい。また、放電形式についても、どのようなものを用いてもよく、例えば平行平板方式、アフターグロー放電方式、電磁誘導型及び有磁場型等を用いればよい。プラズマ照射条件は特に限定されない。例えば、プラズマ発生用の電源としては、商用周波数(50Hz又は60Hz)、高周波(ラジオ周波数)又はマイクロ波領域等の各種の電源周波数を用いることができる。さらに、原料ガスの圧力制御方法や供給構造についても特に限定するものではない。しかし、であまりエッチングレートが大きいプラズマ照射条件を用いると、炭素質膜にダメージを与えるおそれがある。   Note that a plasma irradiation apparatus having any structure may be used. Also, any type of discharge may be used. For example, a parallel plate method, an after glow discharge method, an electromagnetic induction type, a magnetic field type, or the like may be used. Plasma irradiation conditions are not particularly limited. For example, as the power source for generating plasma, various power source frequencies such as a commercial frequency (50 Hz or 60 Hz), a high frequency (radio frequency), or a microwave region can be used. Furthermore, the pressure control method and supply structure of the source gas are not particularly limited. However, if plasma irradiation conditions with a very high etching rate are used, the carbonaceous film may be damaged.

(第2の実施形態)
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図5は、第2の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料の断面構成を示している。図5において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
(Second Embodiment)
The second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 shows a cross-sectional configuration of the endothelial cell proliferating material according to the second embodiment. In FIG. 5, the same components as those of FIG.

図5に示すように、本実施形態の内皮細胞増殖性材料は、基材31を覆う炭素質膜32であり、炭素質膜32の表面にはプラズマ処理層32Bが形成されている。本実施形態のプラズマ処理層32Bは、プラズマ処理により形成された炭素原子と結合した窒素(N)成分をほとんど含まず、酸素(O)成分を含む層である。   As shown in FIG. 5, the endothelial cell proliferating material of the present embodiment is a carbonaceous film 32 that covers the base material 31, and a plasma treatment layer 32 </ b> B is formed on the surface of the carbonaceous film 32. The plasma processing layer 32B of this embodiment is a layer that contains almost no nitrogen (N) component bonded to carbon atoms formed by the plasma processing and contains an oxygen (O) component.

図6は、XPS測定により求めたプラズマ処理層32Bの酸素の炭素に対する比率(O/C)と、血管内皮細胞(ECs)及び血管平滑筋細胞(SMCs)の増殖率との関係を示している。XPS測定により得られた窒素の量は1at.%以下でありほぼ痕跡量であった。   FIG. 6 shows the relationship between the ratio of oxygen to carbon (O / C) in the plasma treatment layer 32B obtained by XPS measurement and the proliferation rate of vascular endothelial cells (ECs) and vascular smooth muscle cells (SMCs). . The amount of nitrogen obtained by XPS measurement was 1 at. %, Which was almost a trace amount.

窒素成分をほとんど含まず、酸素を含むO/Cの値が0.1以上のプラズマ処理層を形成することにより、図6に示すようにSMCsの増殖率よりもECsの増殖率が高くすることができた。   By forming a plasma treatment layer containing almost no nitrogen component and O / C containing oxygen of 0.1 or more, the growth rate of ECs should be higher than the growth rate of SMCs as shown in FIG. I was able to.

O/Cの値が0.1〜0.4程度の範囲において、SMCsの増殖率よりもECsの増殖率が高くなる理由は不明である。しかし、この領域では、窒素と酸素との両方を含む場合とは異なる機構により、ECsの増殖率が高くなっていると考えられる。   The reason why the growth rate of ECs is higher than the growth rate of SMCs when the value of O / C is about 0.1 to 0.4 is unknown. However, in this region, it is considered that the growth rate of ECs is increased by a mechanism different from the case where both nitrogen and oxygen are included.

図7は、プラズマ処理層のゼータ電位とECs及びSMCsの増殖率との関係を示している。図7に示すように、プラズマ処理層を有していない未処理の炭素質膜よりもゼータ電位が低くなると、ECsの増殖率が高くなっている。一方、SMCsの増殖率は、ゼータ電位が低くなってもほとんど増加していない。このことから、酸素性官能基のうちC(=O)−O成分が多い方が、ECsの増殖率が高くなるのではないかと考えられる。   FIG. 7 shows the relationship between the zeta potential of the plasma treatment layer and the growth rate of ECs and SMCs. As shown in FIG. 7, when the zeta potential is lower than that of an untreated carbonaceous film that does not have a plasma treatment layer, the growth rate of ECs is increased. On the other hand, the growth rate of SMCs hardly increases even when the zeta potential is lowered. From this, it is thought that the growth rate of ECs is higher when the oxygen functional group has more C (═O) —O components.

以上のように、窒素をほとんど含まず、O/Cの値が0.1以上のプラズマ処理層を形成することにより、SMCsの増殖率を高くすることなく、ECsの増殖率を高くすることができ、抗血栓性に優れた内皮細胞増殖性材料を実現できる。また、ゼータ電位は未処理の炭素質膜よりも低い−30mV以下とすることが好ましい。   As described above, the growth rate of ECs can be increased without increasing the growth rate of SMCs by forming a plasma treatment layer that hardly contains nitrogen and has an O / C value of 0.1 or more. And an endothelial cell proliferating material excellent in antithrombogenicity can be realized. Further, the zeta potential is preferably −30 mV or lower, which is lower than that of the untreated carbonaceous film.

このような、O/Cの値が大きいプラズマ処理層32Bを形成する場合には、第1の実施形態と同様の方法により形成した炭素質膜に、酸素プラズマを照射すればよい。プラズマ処理装置は第1の実施形態と同様のものを用いることができる。また、アルゴン等の不活性ガス又はアセチレン等の炭化水素系ガスのプラズマを照射した後、酸素プラズマを照射したり、これらのガスと酸素との混合ガスのプラズマを照射してもよい。酸素プラズマを照射せず、アルゴン等の不活性ガスのプラズマを照射した場合にも、空気中の酸素によりプラズマ処理層に酸素を導入することが可能である。   When such a plasma processing layer 32B having a large O / C value is formed, the carbonaceous film formed by the same method as in the first embodiment may be irradiated with oxygen plasma. The same plasma processing apparatus as that in the first embodiment can be used. In addition, after irradiation with an inert gas such as argon or a plasma of a hydrocarbon gas such as acetylene, oxygen plasma may be irradiated, or plasma of a mixed gas of these gases and oxygen may be irradiated. Even when the plasma of an inert gas such as argon is irradiated without irradiating oxygen plasma, oxygen can be introduced into the plasma treatment layer by oxygen in the air.

各実施形態に示した内皮細胞増殖性材料は、ステント、血管フィルタ、人工弁、人工血管、ステントグラフト、ペースメーカー及び長期埋め込み型血管留置カテーテル等の医療器具並びに人工心臓等の人工臓器に用いることができる。   The endothelial cell proliferating material shown in each embodiment can be used for stents, vascular filters, artificial valves, artificial blood vessels, stent grafts, medical devices such as pacemakers and long-term implantable vascular indwelling catheters, and artificial organs such as artificial hearts. .

本発明に係る内皮細胞増殖性材料は、血管内皮細胞の増殖性を選択的に向上でき、内皮細胞の選択的な増殖性を有する内皮細胞増殖性材料等として有用である。   The endothelial cell proliferating material according to the present invention can selectively improve the proliferative property of vascular endothelial cells, and is useful as an endothelial cell proliferating material having selective proliferative properties of endothelial cells.

本発明の第1の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the endothelial cell proliferative material which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料における窒素の酸素に対する比率と細胞の増殖率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the ratio with respect to the oxygen with respect to the oxygen in the endothelial cell proliferative material which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the growth rate of a cell. 本発明の第1の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料のゼータ電位と細胞の増殖率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the zeta potential of the endothelial cell proliferative material which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the proliferation rate of a cell. 本発明の第1の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料の製造に用いるプラズマ照射装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the plasma irradiation apparatus used for manufacture of the endothelial cell proliferative material which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the endothelial cell proliferative material which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料における酸素の炭素に対する比率と細胞の増殖率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the ratio with respect to the carbon of oxygen in the endothelial cell proliferative material which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the growth rate of a cell. 本発明の第2の実施形態に係る内皮細胞増殖性材料のゼータ電位と細胞の増殖率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the zeta potential of the endothelial cell proliferative material which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the proliferation rate of a cell.

符号の説明Explanation of symbols

10 チャンバ
12A 平行平板電極
13 マスフローコントローラ
14 マッチングボックス
15 高周波電源
31 基材
32 炭素質膜
32A プラズマ処理層
32B プラズマ処理層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chamber 12A Parallel plate electrode 13 Mass flow controller 14 Matching box 15 High frequency power supply 31 Base material 32 Carbonaceous film 32A Plasma processing layer 32B Plasma processing layer

Claims (6)

基材の表面に形成され、炭素が互いに結合して形成された膜本体と、
前記膜本体の表面に形成され、前記膜本体を構成する炭素と結合した窒素及び酸素を有するプラズマ処理層とを備え、
前記プラズマ処理層における窒素の酸素に対する比率は、0.3以上であることを特徴とする内皮細胞増殖性材料。
A membrane body formed on the surface of the substrate and formed by bonding carbon to each other;
A plasma treatment layer having nitrogen and oxygen formed on the surface of the film main body and combined with carbon constituting the film main body,
The ratio of nitrogen to oxygen in the plasma treatment layer is 0.3 or more, wherein the endothelial cell proliferating material.
前記膜本体の表面におけるゼータ電位が−20mV以上であることを特徴とする請求項1に記載の内皮細胞増殖性材料。   2. The endothelial cell proliferating material according to claim 1, wherein the zeta potential on the surface of the membrane body is −20 mV or more. 基材の表面に形成され、炭素が互いに結合して形成された膜本体と、
前記膜本体の表面に形成され、前記膜本体を構成する炭素と結合した酸素を有するプラズマ処理層とを備え、
前記プラズマ処理層における酸素の炭素に対する比率は、0.1以上であることを特徴とする内皮細胞増殖性材料。
A membrane body formed on the surface of the substrate and formed by bonding carbon to each other;
A plasma treatment layer formed on the surface of the membrane body and having oxygen combined with carbon constituting the membrane body;
The ratio of oxygen to carbon in the plasma treatment layer is 0.1 or more.
前記膜本体の表面におけるゼータ電位が−30mV以下であることを特徴とする請求項3に記載の内皮細胞増殖性材料。   4. The endothelial cell proliferating material according to claim 3, wherein the zeta potential on the surface of the membrane body is −30 mV or less. 前記プラズマ処理層の表面における内皮細胞の増殖率は、平滑筋細胞の増殖率よりも高いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の内皮細胞増殖性材料。   The endothelial cell proliferating material according to any one of claims 1 to 4, wherein the proliferation rate of endothelial cells on the surface of the plasma treatment layer is higher than the proliferation rate of smooth muscle cells. 前記内皮細胞の増殖率は、前記平滑筋細胞の増殖率の1.1倍以上であることを特徴とする請求項5に記載の内皮細胞増殖性材料。   The endothelial cell proliferating material according to claim 5, wherein the proliferation rate of the endothelial cells is 1.1 times or more of the proliferation rate of the smooth muscle cells.
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