JP2009545132A - 電磁放射線の検出器及び検出方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 4
- 238000009607 mammography Methods 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 230000002526 effect on cardiovascular system Effects 0.000 claims description 3
- 230000000399 orthopedic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000926 neurological effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011157 data evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- 230000002792 vascular Effects 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
前記評価回路は、前記遮蔽電極と(例えば、オーム結合により)電気的に結合されるようにしてもよい。
C_eff=C_in・(1-g)
に対応して、基準電位に対する入力ノードAの電圧振幅はより大きくなる。
Claims (23)
- 電磁放射線を検出するための検出ユニットであって、
入射した電磁放射線を電荷キャリアに変換するために適合させられた変換材料と、
当該変換された電荷キャリアを収集するために適合させられた電荷収集電極と、
前記電荷収集電極とともにキャパシタンスを形成するよう適合させられた遮蔽電極と、
前記電荷収集電極と電気的に結合され、当該収集された電荷キャリアに基づいて電磁放射線を評価するために適合させられた評価回路と、
を有するユニット。 - 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、前記遮蔽電極の少なくとも一部と電気的に結合される、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記遮蔽電極の少なくとも一部は、基準電位と電気的に結合される、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記遮蔽電極は、前記評価回路に電気的に結合された第1の部分を有し、前記評価回路から電気的に結合解除された第2の部分を有する、ユニット。
- 請求項4に記載の検出ユニットであって、前記第2の部分は、基準電位と電気的に結合される、ユニット。
- 請求項4に記載の検出ユニットであって、前記第1の部分及び前記第2の部分のうちの少なくとも一方を調整することによって、前記遮蔽電極及び前記電荷収集電極により形成されるキャパシタンスを調整するために適合させられる調整ユニットを有するユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、ブートストラップ回路として構成される、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、リセットラインを介して供給される制御信号を用いて電荷収集電極を選択的にリセットするために適合させられるスイッチ素子を有する、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、前記電荷収集電極に結合され前記電荷収集電極の電位をバッファ処理するよう適合させられたバッファ素子を有する、ユニット。
- 請求項9に記載の検出ユニットであって、前記バッファ素子は、ソース端子に電気的に結合されるバルク端子を有するソースフォロワその他のソースフォロワを有する、ユニット。
- 請求項9に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、前記バッファ素子と読出ラインとの間に接続され前記読出ラインに対して前記バッファユニットを選択的に結合又は結合解除するために適合させられた他のスイッチ素子を有する、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、前記遮蔽電極の少なくとも一部に結合される、オーム負荷素子又は電流源を含む負荷素子を有する、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記変換材料は、直接変換材料である、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記変換材料は、前記電荷収集電極に設けられる、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記遮蔽電極は、前記評価回路、制御ライン及び供給ラインからなるグループのうちの少なくとも1つに対して前記電荷収集電極を電気的に遮蔽するよう適合させられる、ユニット。
- 請求項1に記載の検出ユニットであって、前記評価回路は、漏れ電流を抑制するよう適合させられた自己防衛メカニズムを有する、ユニット。
- 電磁放射線を検出する検出装置であって、請求項1に記載の複数の相互接続された検出ユニットを有する装置。
- 請求項17に記載の検出装置であって、当該検出装置の少なくとも一部は、CMOSテクノロジにより形成されることの可能なモノリシックに集積された回路として形成される、装置。
- 請求項18に記載の検出装置であって、X線検出装置、紫外線検出器、光学検出装置及び赤外線検出装置からなるグループのうちの少なくとも1つとして適合させられる装置。
- 請求項18に記載の検出装置であって、心臓血管装置、神経病学的装置、整形外科学的装置、マンモグラフィ装置、歯科画像形成装置、手荷物検査装置、医療用途装置、材料検査装置及び材料科学分析装置からなるグループのうちの1つとして構成される装置。
- 電磁放射線を検出する方法であって、
入射した電磁放射線を電荷キャリアへ変換すること、
当該変換された電荷キャリアを電荷収集電極において収集すること、
評価回路によって、当該収集された電荷キャリアに基づいて前記電磁放射線を評価すること、及び
前記電荷収集電極とともにキャパシタンスを形成するように適合させられた遮蔽電極を設けること、
を有する方法。 - 電磁放射線を検出するコンピュータプログラムが記憶されるコンピュータ読取可能媒体であって、プロセッサにより実行させられるとき、請求項21に記載の方法を制御又は実行するよう適合させられる媒体。
- 電磁放射線を検出するプログラム要素であって、プロセッサにより実行させられるとき、請求項21に記載の方法を制御又は実行するよう適合させられるプログラム要素。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06117527.9 | 2006-07-20 | ||
EP06117527 | 2006-07-20 | ||
PCT/IB2007/052783 WO2008012723A2 (en) | 2006-07-20 | 2007-07-12 | A detector for and a method of detecting electromagnetic radiation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009545132A true JP2009545132A (ja) | 2009-12-17 |
JP5313136B2 JP5313136B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=38787614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009520102A Active JP5313136B2 (ja) | 2006-07-20 | 2007-07-12 | 電磁放射線の検出器及び検出方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8193501B2 (ja) |
EP (1) | EP2047294B1 (ja) |
JP (1) | JP5313136B2 (ja) |
CN (1) | CN101490580B (ja) |
RU (1) | RU2437119C2 (ja) |
WO (1) | WO2008012723A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8791419B2 (en) * | 2010-12-15 | 2014-07-29 | Carestream Health, Inc. | High charge capacity pixel architecture, photoelectric conversion apparatus, radiation image pickup system and methods for same |
JP5895650B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-03-30 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像表示システム |
JP6488292B2 (ja) * | 2013-10-22 | 2019-03-20 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | トモシンセシスシステムのようなx線システム及び対象の画像を取得する方法 |
CN105277817B (zh) * | 2014-07-17 | 2019-01-25 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 一种卫星深层充电探测装置、系统及卫星 |
CN105319426B (zh) * | 2014-08-01 | 2018-11-13 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 一种卫星深层充电电位的探测装置 |
US9482762B2 (en) * | 2014-08-28 | 2016-11-01 | Infineon Technologies Ag | Gamma ray detector and method of detecting gamma rays |
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WO2016118960A1 (en) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | Rensselaer Polytechnic Institute | Spectral x-ray detectors with dynamic electronic control and computational methods |
JP6555909B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
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US10032813B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-07-24 | General Electric Company | Active pixel radiation detector array and use thereof |
CN110945658A (zh) * | 2017-05-09 | 2020-03-31 | Ka成像股份有限公司 | 数字成像系统中用于辐射检测的设备 |
CN109470283B (zh) * | 2018-11-07 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 探测电路及其驱动方法、基板、探测器 |
CN109655877B (zh) * | 2019-01-04 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板探测器的像素结构、平板探测器及摄像系统 |
US11846739B2 (en) | 2021-01-12 | 2023-12-19 | Innocare Optoelectronics Corporation | Circuit for sensing X-ray |
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-
2007
- 2007-07-12 US US12/374,394 patent/US8193501B2/en active Active
- 2007-07-12 EP EP07805128.1A patent/EP2047294B1/en active Active
- 2007-07-12 WO PCT/IB2007/052783 patent/WO2008012723A2/en active Application Filing
- 2007-07-12 RU RU2009105896/28A patent/RU2437119C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-07-12 CN CN200780027224XA patent/CN101490580B/zh active Active
- 2007-07-12 JP JP2009520102A patent/JP5313136B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008012723A3 (en) | 2008-03-27 |
US8193501B2 (en) | 2012-06-05 |
RU2009105896A (ru) | 2010-08-27 |
CN101490580B (zh) | 2012-07-04 |
CN101490580A (zh) | 2009-07-22 |
WO2008012723A2 (en) | 2008-01-31 |
RU2437119C2 (ru) | 2011-12-20 |
JP5313136B2 (ja) | 2013-10-09 |
US20090321643A1 (en) | 2009-12-31 |
EP2047294B1 (en) | 2013-11-20 |
EP2047294A2 (en) | 2009-04-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100707 |
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A977 | Report on retrieval |
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