JP2009533680A - カンチレバー光検出器 - Google Patents
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- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 6
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/38—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using extension or expansion of solids or fluids
- G01J5/44—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using extension or expansion of solids or fluids using change of resonant frequency, e.g. of piezoelectric crystals
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
装置はチャンバ、電気機械駆動部、窓およびメカニカル・カンチレバーを含む。チャンバは、メカニカル・カンチレバーが配置された内部を有する。メカニカル・カンチレバーは、電気機械駆動部に結合された第1の端部と、自由な第2の端部とを有する。駆動部は、メカニカル・カンチレバーを駆動して振動運動を行わせるように構成される。窓は、外光がチャンバ内に入り、メカニカル・カンチレバーの一部分を照光するようにチャンバの壁に沿って配置される。メカニカル・カンチレバーは、窓を通ってチャンバに入る外光によって照光されると機械的に応答するように構成される。
Description
本発明は、光検出器および光検出方法に関する。
この項では、本発明を容易によりよく理解する助けになりうる態様を提示する。したがって、この項の記述は、この観点で読まれるべきものである。この項の記述は、何が従来技術にあるか、または何が従来技術にはないかを承認するものとして理解されるべきものではない。
光検出器では、光強度を測定するために様々な物理的方法を使用してきた。物理的方法の例としては、光誘起化学反応、光誘起加熱、および光誘起電荷担体移動が含まれる。このような物理的方法のそれぞれには、入射光強度を測定するその能力に限界がある。測定能力の限界には、物理的方法の速度、および/または物理的方法の波長選択性に起因するものもある。
T.D.Stowe他、「Attonewton force detection using ultrathin silicon cantilevers」、Applied Physics Letters、No.71(1997)、288〜290頁
T.D.Stowe他、「Attonewton force detection using ultrathin silicon cantilevers」、Applied Physics Letters、No.71(1997)、288〜290頁
メカニカル・カンチレバーを用いた光検出器および光検出方法を提供する。
第1の態様では、装置はチャンバ、電気機械駆動部、窓およびメカニカル・カンチレバーを含む。チャンバは、メカニカル・カンチレバーが配置された内部を有する。メカニカル・カンチレバーは、電気機械駆動部に結合された第1の端部と、自由な第2の端部とを有する。駆動部は、メカニカル・カンチレバーを駆動して振動運動を行わせるように構成される。窓は、外光がチャンバ内に入り、メカニカル・カンチレバーの一部分を照光するようにチャンバの壁に沿って配置される。メカニカル・カンチレバーは、窓を通ってチャンバに入る外光によって照光されると機械的に応答するように構成される。
いくつかの実施形態では、装置は、メカニカル・カンチレバーの位置を追跡するように構成された動き検出器を含む。動き検出器は、光ビームをカンチレバーの表面に向けるように構成された光源と、メカニカル・カンチレバーから反射された光ビームの一部の測定に応じてメカニカル・カンチレバーの位置を表すデータ信号を出力するように構成された光検出器とを含むことができる。装置はまた、光検出器によって出力されたデータ信号から外光の強度を決定するように構成されたプロセッサを含むこともできる。
いくつかの実施形態では、チャンバは実質的に真空にすることができる。
第2の態様では、1つの方法は、ある周波数の範囲にわたってメカニカル・カンチレバーを駆動しながら、メカニカル・カンチレバーの1つの面を入射光で露光するステップを含む。この方法は、駆動を実行しながら、カンチレバーの運動の測定値からメカニカル・カンチレバーの1つまたは複数の動的な機械的特性を決定することを含む。この方法はまた、決定された1つまた複数の動的な特性から入射光の強度を決定することも含む。
この方法のいくつかの実施形態では、露光するステップは、メカニカル・カンチレバーの周囲で実質的な真空を維持することを含むことができる。
この方法のいくつかの実施形態では、決定される1つまたは複数の動的な機械的特性の1つは、メカニカル・カンチレバーの機械的共振特性である。決定される1つまたは複数の動的な機械的特性の1つは、機械的共振周波数、機械的共振振幅、または駆動されるメカニカル・カンチレバーの位相遅れを示すことができる。
この方法のいくつかの実施形態では、強度を決定するステップはさらに、決定された1つまた複数の動的な機械的特性を、同じ1つまた複数の動的な機械的特性の基準値と比較することを含むことができる。
第3の態様では、装置は、電気機械駆動部、メカニカル・カンチレバーのアレイ、および動き検出器のアレイを含む。各カンチレバーは、電気機械駆動部に物理的に結合された第1の端部と、電気機械駆動部によって駆動される第1の端部に応答する振動運動を自由に行う第2の端部とを有する。各動き検出器は、メカニカル・カンチレバーのうちの対応する1つのある位置を追跡するように構成される。各メカニカル・カンチレバーは、そこに入射する光の強度に機械的に応答する。
いくつかの実施形態では、装置はさらに、実質的に真空にされたチャンバ、およびチャンバに光が入れるようにする窓も含む。メカニカル・カンチレバーのアレイは、チャンバ内に配置することができる。窓は、光がメカニカル・カンチレバーを照光できるように配置される。いくつかの実施形態では、窓は、可視光を阻止するように構成することができる。
いくつかの実施形態では、装置はまた、動き検出器からデータ信号を受け取るように接続されたプロセッサを含むこともできる。プロセッサは、受け取ったデータ信号に基づき、メカニカル・カンチレバーに入射する光によって形成された強度パターンを表す画像データを生成するように構成される。プロセッサは、メカニカル・カンチレバーの1つに入射する光の強度を、その1つのメカニカル・カンチレバーの機械的共振特性の値に基づいて決定するように構成することができる。この値は、受け取られたデータ信号から決定される。
図および明細書では、同じ参照数字が、同様な機能を有する要素を示す。
いくつかの図では、示されている1つまたは複数の構造をよりはっきりと見せるために、一部のフィーチャの相対的大きさが誇張されていることがある。
本明細書では、様々な実施形態をより完全に各図および「発明を実施するための最良の形態」で説明する。とはいえ、本発明は様々な形態で実施することができ、各図および「発明を実施するための最良の形態」で説明する実施形態に限定されない。
光検出器の様々な実施形態では、入射光を検出し、かつ/またはその強度を測定するために、機械的反応を利用する。具体的には、この機械的反応は、入射光に対するメカニカル・カンチレバーの動的な機械的反応である。メカニカル・カンチレバーの中には、入射光に対して迅速で動的な機械的応答性を有するものもある。そのため、そのようなメカニカル・カンチレバーを組み込んだ光検出器は、迅速な応答時間を有することができる。メカニカル・カンチレバーには、高感度で高速の光検出に関して他の物理的方法では利用可能性が低い波長範囲の光に対し、十分な動的機械的応答性を有することができるものもある。そのため、そのようなメカニカル・カンチレバーを組み込んだ光検出器は、そうした波長範囲の光を検出し、かつ/または光強度を測定するのに有利である。
図1は光検出器10を示し、この検出器は、メカニカル・カンチレバー12、電気機械駆動部14、密閉チャンバ16、窓18、および動き検出器20を含む。
光検出器10では、メカニカル・カンチレバー12は、第1の自由な端部24と、電気機械駆動部14に物理的に結合された第2の端部とがあるアーム22を有する。固定支持物26は、任意選択で、メカニカル・カンチレバー12の第2の端部と電気機械駆動部14の間の物理的結合を行うことができる。その形状および/または物理的結合により、メカニカル・カンチレバー12の自由端部24は振動運動を行うことができる。特に、アーム22と電気機械駆動部14の物理的結合を柔軟にすることができ、かつ/またはメカニカル・カンチレバーのアーム22自体を柔軟にすることができる。第2の端部の結合および/またはアーム22自体に付随する柔軟性により、メカニカル・カンチレバー12の自由端部24が比較的高い周波数で振動運動を行うことが可能になる。
メカニカル・カンチレバー12は、例えば、標準的なマイクロエレクトロニクス製造プロセスによって積層半導体および/または誘電体構造から製造することができるマイクロメカニカル・デバイスとすることができる。このようなメカニカル・カンチレバー12の末端部分の例示的な形状が図2に示されている。例示的なカンチレバー12は、シリコン・アーム22を有することができ、このアームは、例えば、厚さを1μm以下、幅を10〜100μm、長さを100〜1000μmとすることができる。図示のように、メカニカル・カンチレバー12の自由端部24は、メカニカル・カンチレバー12が十分な柔軟性を有する一方で入射光と相互作用するための広い面積を有するように、アーム22の残りの部分よりも幅広くすることができる。
光検出器10では、電気機械駆動部14は、機械的な駆動信号をメカニカル・カンチレバー12の結合端に、例えば固定支持物26を介して加える。電気機械駆動部14は、平面圧電構造体28と、圧電構造体28の両端間に接続される交流(AC)源(図示せず)とを含むことができる。平面圧電構造体から電気機械駆動部を製造することは、当業者には周知である。AC源は、圧電構造体28の両端に交流電圧を生成するように接続される。交流電圧により、圧電構造体28と、メカニカル・カンチレバー12の物理的に結合された端部とが、AC駆動周波数で振動することになる。AC源は、メカニカル・カンチレバー12の機械的共振周波数を囲む駆動周波数の範囲で電圧を生成するように構成することができる。
光検出器10では、チャンバ16は気密密閉され、実質的に真空にされた内部を有する。実質的に真空にされた内部は、約0.01気圧未満のガス圧を有することがあり、例えば約0.001気圧未満、さらには約0.0001気圧未満のガス圧を有することもある。チャンバ16の内部には、メカニカル・カンチレバー12全体が収容される。チャンバ16の内部が実質的な真空であると、入射光に対するメカニカル・カンチレバー12の動的な機械的応答への雰囲気ガスによる干渉が低減する。
光検出器10では、窓18が、チャンバ16内の実質的な真空を消失させずに外光29がチャンバ16内に入ることができようにする。窓18は、このような外光29をメカニカル・カンチレバー12の一部分に、例えば自由端部24上に集束できるように構成され、かつ/または配置される。
窓18は、選択された波長範囲内の外光29が実質的に透過する。いくつかの実施形態では、窓18はまた、選択された波長範囲外の波長を有する光を実質的に阻止することもできる。このような実施形態では、窓18は、選択された波長範囲内の外光29にだけ光検出器10を感応させる帯域通過フィルタとして機能する。例えば、いくつかの実施形態では、この窓は可視光を阻止する一方で、選択された赤外線の波長範囲内の光がチャンバ16に入ることを可能にすることができる。その場合、光検出器10は、赤外光を選択的に検出する検出器として機能することができる。
光検出器10では、動き検出器20は、メカニカル・カンチレバー12の末端部分の振動運動を監視するように構成される。監視に基づいて、動き検出器20は、メカニカル・カンチレバー12の末端部分の動きの振幅、周波数、および/または位相遅れを決定できる1つまたは複数のデータ信号を出力する。
動き検出器20は、例えば微弱な光源である光源30、および光検出器32を含む。光源30は、メカニカル・カンチレバー12の反射裏面の一部分の自由端部24付近に向けて平行光ビーム34を伝達するように構成される。具体的には、光源は、メカニカル・カンチレバー12が平行光ビーム34の一部分36を光検出器32に向けて反射するように構成される。光検出器32は、空間的にセグメント化された位置感知型光検出器である。このような光検出器32の例としては、4要素型光検出器、電荷結合検出器(CCD)、および差分検出を行うように互いに接続された隣接フォトダイオードが含まれる。光検出器32の個々の光検出セグメント38、39は、その上の相対的な光強度が、メカニカル・カンチレバー12の運動時の自由端部24の位置を示すように方向が定められる。具体的には、セグメント38、39によって検出されたときの相対的光強度の発生を使用して、例えば差分検出手法によって、メカニカル・カンチレバー12の振動運動時の最大変位を特定することができる。そのため、動き検出器20により、メカニカル・カンチレバー12の振動運動時の機械的共振振幅、機械的共振周波数、および/または位相を決定するのに十分なだけのデータ信号が得られる。
様々な実施形態では、動き検出器20の光源30および光検出器32は、光検出器10によって検出される波長範囲とは異なる波長範囲の測定光を使用することができる。例えば、光検出器10では、窓18は赤外光だけが透過するのに対して、光検出器32は可視光に応答する。例えば、光検出器32は、可視光に感応し、赤外光には感応しないCCDとすることができる。したがって、光検出器10は、メカニカル・カンチレバー12の動きを監視するために使用される光検出器32の波長範囲外の光を検出することができる。このような実施形態では、メカニカル・カンチレバー12の感光性に依存する光検出器10は、そのようなCCDが良好な光検出器にならない波長まで検出感度を拡張することもできる。
他の実施形態では、動き検出器20は、図1の実施形態のような光学的測定ではなく電気的測定または磁気的測定によって、メカニカル・カンチレバー12の振動運動を追跡することができる。このような測定を可能にするために、電気回路または磁粉をメカニカル・カンチレバー12の自由端部24付近に取り付けることができる。その場合には、電気的測定または磁気的測定により、メカニカル・カンチレバー12の振動運動時の機械的共振振幅、機械的共振周波数、および/または駆動部に遅れる位相遅れを決定するのに必要なデータ信号が得られる。
光検出器10は、任意選択で、凸形屈折レンズまたは他の種類の集束レンズ・システム38を含むことができる。レンズまたはレンズ・システム38は、外光29を透過窓18に通してメカニカル・カンチレバー12の自由端部24の一部分上に集束する。このように集束すると、メカニカル・カンチレバー12上への光束を増大させることができ、したがって、外光29に対する光検出器10の総合感度を高めることができる。
図1の光検出器10は、メカニカル・カンチレバー12の1つまたは複数の機械的特性を測定するが、これらの特性は、メカニカル・カンチレバーからの入射光子の反射および/または吸収に対するメカニカル・カンチレバーの運動学的応答性によって影響を受ける
図3は、メカニカル・カンチレバー12の上面の一部分からの運動量Pの光子の反射に関連する運動学を示す。光子は、上面と直角をなすベクトルNに対して角度θで上面に入射する。反射した光子は、同じ角度θを直角ベクトルNとでつくる。光子の反射により、メカニカル・カンチレバー12は、直角ベクトルNと反対方向に衝撃運動量移転を受ける。θ≒0の高入射角度では、移転運動量は、入射光子の運動量の2倍にほぼ等しく、すなわち約2Pである。したがって、θ→0のとき、総移転運動量は2h/λに近づく。ここで「h」はプランク定数、λは光の波長である。
光子の反射および吸収による運動量移転により、メカニカル・カンチレバー12をその長手方向に、かつ/またはその物理的に結合された端部付近で機械的に曲げることができ、かつ/またはメカニカル・カンチレバー12の運動を抑えることができる。電気機械駆動部14の駆動周波数が、入射光強度の実質的な変動の速度よりもずっと高い場合には、光は実際上、振動するメカニカル・カンチレバー12の動的な機械的特性のほぼ一定した変化を誘起する。そのため、入射光の強度は、メカニカル・カンチレバー12の動的な機械的特性の変化によって測定することができる。実際、このような入射光の光束は、例えば、メカニカル・カンチレバー12の機械的共振周波数、メカニカル・カンチレバー12による共振運動の振幅、および/または電気機械駆動部14に遅れるメカニカル・カンチレバー12の位相遅れを変化させることができる。様々な実施形態で、これらの機械的共振特性のいずれかをメカニカル・カンチレバー12の上面に入射する光の強度の指標として用いることができる。
図4は、光検出器を動作させる方法40を示し、この光検出器は、メカニカル・カンチレバーの動的な機械的反応を使用して、例えば図1のメカニカル・カンチレバー12の機械的共振応答を使用して、そこに入射する光の強度を測定する。
方法40は、メカニカル・カンチレバーの機械的共振周波数に近い周波数の範囲にわたってメカニカル・カンチレバーを駆動することを含む(ステップ42)。駆動するステップは、メカニカル・カンチレバー12の機械的共振周波数のまわりで掃引する周波数でメカニカル・カンチレバー12を駆動するために、電気機械駆動部14を使用することを含むことができる。
方法40は、ステップ42の駆動を実行しながら、メカニカル・カンチレバーの1つの面を入射光で露光することを含む(ステップ44)。入射光は、例えばメカニカル・カンチレバーの曲がりを引き起こし、この曲がりはゼロでない時間平均を有する。具体的には、光は、メカニカル・カンチレバーの機械的共振運動の周期よりも時間的に遅くメカニカル・カンチレバーが変動するようにそれを曲げることが多い。
方法40は、ステップ42の駆動を実行しながら、駆動されるメカニカル・カンチレバーの1つまたは複数の機械的特性を測定することを含む(ステップ46)。測定される機械的特性は、機械的駆動周波数の関数としてのメカニカル・カンチレバーの振動振幅、および/または機械的駆動周波数の関数としての、機械駆動部に遅れるメカニカル・カンチレバーの運動の位相遅れとすることができる。メカニカル・カンチレバー12については、動き検出器20、およびコンピュータ(図1には図示せず)がその機械的特性を測定することができる。コンピュータは、動き検出器20からの動き/変位測定値のデータ信号を受け取り、前記動き/変位測定値のデータ信号に基づいてメカニカル・カンチレバーの機械的特性を決定する。
方法40は、ステップ46で測定された1つまたは複数の動的な機械的特性の1つまたは複数の値から、メカニカル・カンチレバーの1つまたは複数の動的な機械的特性を決定することを含む(ステップ48)。決定される1つまたは複数の動的な機械的特性は、メカニカル・カンチレバーの機械的共振周波数、および/またはメカニカル・カンチレバーの機械的共振時の振動運動のピーク振幅を含むことができる。メカニカル・カンチレバーの動的な機械的特性は、入射光の強度によって決まり、これは例えば、そのような光により誘起される慣性回転モーメントの変化による。
方法40は、決定された1つまたは複数の動的な機械的特性の1つまたは複数の値を同じ特性の基準値と比較することによって、駆動ステップ42の間中にメカニカル・カンチレバーに入射する光強度を決定することを含む(ステップ50)。光強度を決定することは、例えば、ステップ46および48を実行することによって決定された1つまたは複数の動的な機械的特性を、基準光強度に対する同じ1つまたは複数の動的な機械的特性の記憶値と比較することを含むことができる。
いくつかの実施形態では、方法40は、較正段階を含むことができる。較正段階では、メカニカル・カンチレバーは、例えば一連の基準光強度にさらされ、ステップ42、44、46および48が実行されて、それぞれの基準光強度に対し、選択された1つまたは複数の動的な機械的特性の1つまたは複数の値が求められる。次に、基準光強度と、動的な機械的特性の1つまたは複数の対応する値とのリストが作成される。ステップ50で未知の光強度を決定することは、ステップ42、44、46および48を実行することによって未知の光強度に対し決定された1つまたは複数の動的な機械的特性の値をリスト中の同じ特性の値と比較することを含む。未知の光強度は、1つまたは複数の動的な機械的特性の同じ値に対応する基準光強度になる。
マイクロエレクトロニクス分野で既知の結晶シリコンおよび誘電体からなる非常に小さなメカニカル・カンチレバーを製作するのに、従来の方法が利用可能である。例えば、そのような方法のいくつかが、例えば、T.D.Stowe他の「Attonewton force detection using ultrathin silicon cantilevers」、Applied Physics Letters、No.71(1997)、288〜290頁の論文に記載されている。この文献の内容を参照によりその全体で本明細書に組み込む。
図5を参照すると、上記で論じた論文の方法、および/または類似の製造方法で、図1の光検出器10に使用可能なマイクロメカニカル・カンチレバーの構造体52を製造することができる。構造体52は、アームの厚さが1マイクロメートル(μm)未満、アーム幅が約1〜50μm、長さが10〜200μmのメカニカル・カンチレバーを含むことができる。このような結晶シリコンのマイクロメカニカル・カンチレバーは、少ない光束に対して高い機械的感度をもたらす高い可撓性を有することができる。
上記で論じた製造方法および/または類似の製造方法は、諸ステップのシーケンスを実施することを含むことができる。このシーケンスは、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)シリコン・ウェハの前面上のシリコン層54内に、例えばマスク制御エッチングによって、マイクロメカニカル・カンチレバーをエッチングすることを含むことができる。このエッチングは、SF6をベースとする化学物質を用いた従来のプラズマ・エッチングとすることができる。このシーケンスは、エッチングされたマイクロメカニカル・カンチレバーを保護するために、例えば低温酸化物層、およびこの酸化物層を覆う低応力窒化シリコン層の保護層を前面上に堆積させることを含むことができる。このシーケンスは、SOIウェハ56のシリコン部分の、従来の深い裏面エッチングを実施することを含むことができる。このエッチングは、SOIシリコン・ウェハの絶縁体層58で止まるように選択される。深い裏面エッチングは、前にエッチングされたマイクロメカニカル・カンチレバーの下にある半導体を除去するようにマスク制御される。このシーケンスは、保護窒化物層を除去するために、例えばSF6をベースとする化学物質を用いた前面プラズマ・エッチングを実施することを含むことができる。このシーケンスは、マイクロメカニカル・カンチレバーのまわりの酸化物層を除去するために、従来のバッファード(buffered)・ウェット・エッチングを実施することを含むことができる。ウェット・エッチングの後で、このシーケンスは、危険な表面張力をマイクロメカニカル・カンチレバーにかけることなく構造体を洗浄し乾燥させることを含む。具体的には、ウェット・エッチング液をまず水で置き換え、次にそれをメタノールで置き換えることができる。メタノールは、表面張力が非常に低いかまたは存在しない臨界二酸化炭素中で乾燥させることによって除去することができる。
撮像装置は、図1の複数の光検出器10を含むことができ、かつ/または図4の方法40に従って動作させることができる。このような撮像装置は、空間的に測定された光強度に基づく画像を作成し、例えば赤外線カメラとして機能することができる。
図6および図7は、2次元(2D)画像を作成するように構成されている撮像装置60を示す。装置60は、メカニカル・カンチレバーの2Dアレイを有し、このメカニカル・カンチレバーは、直交するiとjの方向に沿って感光画素の規則的なアレイを画定する。これらの感光画素は、装置60が2D画像を生成するカメラとして機能できるようにする。
図6を参照すると、装置60は、チャンバ16、窓18、画素化感光領域62、デジタル・プロセッサ64、データ記憶媒体66を含み、また任意選択で撮像レンズ・システム38を含む。チャンバ16は気密密閉され、または画素化感光領域62の周囲で例えば0.01気圧未満の圧力、さらには約0.0001気圧以下の圧力の実質的な真空を維持するように排気される。窓18は、外光29がチャンバ16内に入ることができるようにする。いくつかの実施形態では、窓18または他の光学フィルタ(図示せず)を配置して、チャンバ16に入る外光29を光学的に帯域通過フィルタリングすることができる。このようなフィルタリングにより、光学フィルタの帯域通過範囲内の光の波長で選択的に画像を形成するように装置60を構成する。画素化感光領域62は、個別デバイスの2Dアレイを含み、この個別デバイスは、感光画素として入射光に機械的に応答する。このような各デバイスは、そこに入射する光の強度を示すデータ信号を発生する。実質的な真空により、個々のデバイスは、雰囲気ガスに起因する大きな干渉を受けることがない動的な機械的応答性を有する。任意選択の撮像レンズ・システム38は、外光29の少なくとも一部を画素化感光領域62上に向けて、例えば焦点が合った画像をその上に形成する。デジタル・プロセッサ64は、画素化感光デバイス62の個々のデバイスによって生成したデータ信号を受け取るように接続される。前記受け取られたデータ信号から、デジタル・プロセッサ64は、画素化感光領域62上で外光29によって形成された対応する画像を表す、2Dデジタル画像を生成するための標準デジタル・データを生成するように構成される。データ記憶媒体66は、デジタル・プロセッサ64によって生成された前記画像の標準デジタル・データを受け取り保存するように構成される。データ記憶媒体66は、ハード・ドライブ、能動メモリ、磁気記憶媒体、または光学記憶媒体を含むことができる。保存された標準デジタル画像データは、デジタル・プロセッサ64または従来のデータ処理システム(図示せず)によってデータ記憶媒体66から取り出して、画素化感光領域62によって測定されたデジタル形式の元の光画像を表示することができる。
図7を参照すると、画素化感光領域62は、感光画素領域の2Dアレイを有し、この領域は、直交するiとjの方向に沿って規則的に分布している。画素化感光領域62は、M個の実質的に同一で平行な列要素681、...、68Mからなる規則的なアレイを含む。M個の列要素681〜68Mの規則的なアレイはj方向に沿って延びる。各列要素681〜68Mは、N個の感光画素領域からなる線形空間アレイを含む。
このアレイ内で、各列要素681〜68Mは、例えばマイクロメカニカル・カンチレバーであるN個のメカニカル・カンチレバー121、...、12(N−1)、12Nからなる線形空間アレイ70と、電気機械駆動部14と、動き検出器201、...、20N−1、20Nからなる線形空間アレイ72とを含む。各メカニカル・カンチレバー121〜12Nは、画素化感光領域62の1つの個別画素領域の感光要素である。各電気機械駆動部14は、同じ列要素681〜68Mのメカニカル・カンチレバー121〜12Nのアレイ全体を機械的に駆動するように物理的に構成される。つまり、N個のメカニカル・カンチレバー121〜12Nのそれぞれの一端が、単一の機械駆動部14に物理的に結合される。電気機械駆動部14は、例えば圧電構造体PSと、1対の電極Eの両端につながる交流電圧源Vとを含む。電極Eの各対は、1つの圧電構造体PSの両側に配置される。各アレイ72内で、個々の動き検出器20jは、例えばLEDである光源30j、および空間的にセグメント化された対応する光検出器32jを含む。各光源30jは、その同じ列要素681〜68Mのメカニカル・カンチレバー12jのうちの対応する1つの裏面に光ビームを向ける。各光検出器32jは、対応するメカニカル・カンチレバー12jによって後方に反射される、対応する光源30jの光ビームの位置を検出し測定する。これらの光測定により、例えば図1の動き検出器20に関して説明したように、各動き検出器20jが、対応するメカニカル・カンチレバー12jの振動運動を追跡できるようになる。
いくつかの実施形態では、光源301〜30N、および空間的にセグメント化された光検出器321〜32Nは、装置60によって撮像される波長範囲外の光の波長を使用する。例えば、各列要素681〜68Mの光検出器321〜32Nは、セグメント化された電荷結合検出器(CCD)の画素の線形アレイまたは差動構成の形で接続されたフォトダイオードの列隣接対、あるいは4要素型光検出器の列とすることができる。CCDは、可視光に対しては高感度で、赤外光に対してはずっと感度が低いことが多い。それにもかかわらず、メカニカル・カンチレバー121〜12Nを赤外光に対して高感度になるよう構成可能にできるので、たとえ光検出器321〜32NがCCDであっても、装置60は、赤外光を撮像するように構成可能にすることができる。したがって、メカニカル・カンチレバー121〜12Nの動的な機械的反応を使用すると、一般のCCDの感応範囲外の光で、2D撮像装置の製品が画像を形成できるようになる。
図8は、画素化感光領域62に入射する光によって形成された画像に対応する2D画像を生成するための図6〜7の装置60を動作させる方法80を示す。方法80は、例えば方法40のステップ42のように、機械駆動周波数の範囲にわたって、単一の列要素68jのメカニカル・カンチレバー121〜12Nそれぞれを機械的に駆動することを含む(ステップ82)。ここで、単一の電気機械駆動部14は、同じ列要素68jのメカニカル・カンチレバー121〜12Nそれぞれを一緒に駆動する。方法80は、例えば方法40のステップ44のように、駆動するステップを実行しながら、同じ列要素68jのメカニカル・カンチレバー121〜12Nそれぞれを入射光で露光することを含む(ステップ84)。方法80は、例えば方法40のステップ46のように、駆動するステップを実行しながら、同じ列要素68jのメカニカル・カンチレバー121〜12Nそれぞれの1つまたは複数の機械的特性を測定することを含む(ステップ86)。測定するステップ86は、同じ列要素68jの動き検出器201〜20Nを用いてメカニカル・カンチレバー121〜12Nの位置または動きを測定することを含む。方法80は、例えば方法40のステップ48のように、同じメカニカル・カンチレバー121〜12Nの測定された1つまたは複数の機械的特性から、同じ列要素68jのメカニカル・カンチレバー121〜12Nの1つまたは複数の動的な機械的特性、例えば機械的共振振幅または機械的共振周波数を決定することを含む(ステップ88)。方法80は、例えば方法40のステップ50のように、決定された1つまたは複数の動的な機械的特性を同じメカニカル・カンチレバー121〜12Nの同じ特性の基準値と比較することによって、同じ列要素68jのメカニカル・カンチレバー121〜12Nそれぞれにおける光強度を決定することを含む(ステップ90)。決定するステップ86およびステップ88は、例えばプロセッサ64で実行することができる。方法80は、画像のデジタル・データをデータ記憶媒体66内に保存することを含む(ステップ92)。画像の保存されたデジタル・データは、前記画像の各画素における光強度が、同じまたは相当する空間位置に画像の画素として配置されたメカニカル・カンチレバー121〜12Nにおける光の決定された強度になるようなものである。
この開示、図面および特許請求の範囲から、本発明の他の実施形態が当業者には明らかになるであろう。
Claims (10)
- 内部を有するチャンバと、
電気機械駆動部と、
前記内部に配置されたメカニカル・カンチレバーであって、前記電気機械駆動部に結合された第1の端部と、自由な第2の端部とを有し、前記駆動部が、前記メカニカル・カンチレバーを駆動して振動運動を行わせるように構成される、メカニカル・カンチレバーと、
外光が前記チャンバに入り、前記メカニカル・カンチレバーの一部を照光できるように前記チャンバの壁に沿って配置された窓とを含む装置であって、前記メカニカル・カンチレバーが、前記窓を通って前記チャンバに入る光によって照光されると機械的に応答するように構成される、装置。 - 前記メカニカル・カンチレバーの位置を追跡するように構成された動き検出器をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記動き検出器が、光を前記カンチレバーの表面に向けるように構成された光源と、光ビームの反射された部分の測定に応じて前記メカニカル・カンチレバーの位置を表すデータ信号を出力するように構成された検出器とを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記光検出器によって出力された前記データ信号から前記外光の強度を決定するように構成されたプロセッサをさらに含む、請求項3に記載の装置。
- 前記チャンバが実質的に真空にされる、請求項2に記載の装置。
- ある周波数の範囲にわたってメカニカル・カンチレバーを駆動しながら、前記メカニカル・カンチレバーの1つの面を入射光で露光するステップと、
前記駆動を実行しながら、前記メカニカル・カンチレバーの運動の測定値から前記メカニカル・カンチレバーの1つまたは複数の動的な機械的特性を決定するステップと、
前記決定された1つまた複数の動的な機械的特性から前記入射光の強度を決定するステップとを含む、方法。 - 前記露光するステップがさらに、前記メカニカル・カンチレバーの周囲で実質的な真空を維持するステップを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記決定される1つまたは複数の動的な機械的特性の1つが前記メカニカル・カンチレバーの機械的共振特性を表す、請求項6に記載の方法。
- 電気機械駆動部と、
各カンチレバーが、前記電気機械駆動部に物理的に結合された第1の端部と、前記電気機械駆動部によって駆動される前記第1の端部に応答する振動運動を自由に行う第2の端部とを有する、メカニカル・カンチレバーのアレイと、
各動き検出器が、前記メカニカル・カンチレバーのうちの対応する1つのある位置を追跡するように構成される、動き検出器のアレイとを含む装置であって、
各メカニカル・カンチレバーが、そこに入射する光の強度に機械的に応答する、装置。 - 実質的に真空にされたチャンバと、前記チャンバ内に配置されたメカニカル・カンチレバーの前記アレイと、
光が前記チャンバに入り、前記メカニカル・カンチレバーを照光できるように配置された窓とをさらに含む、請求項9に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/400,909 US7301137B2 (en) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | Cantilever light detectors having a mechanical cantilever to mechanically respond to illuminated light |
PCT/US2007/007777 WO2007126962A1 (en) | 2006-04-10 | 2007-03-28 | Cantilever light detectors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009533680A true JP2009533680A (ja) | 2009-09-17 |
Family
ID=38461749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009505381A Withdrawn JP2009533680A (ja) | 2006-04-10 | 2007-03-28 | カンチレバー光検出器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7301137B2 (ja) |
EP (1) | EP2005127A1 (ja) |
JP (1) | JP2009533680A (ja) |
KR (1) | KR20080104058A (ja) |
CN (1) | CN101421597A (ja) |
WO (1) | WO2007126962A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019035739A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | Mems共振センサアレイのための装置及び方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8139283B2 (en) * | 2007-11-09 | 2012-03-20 | Alcatel Lucent | Surface plasmon polariton modulation |
US9857243B2 (en) | 2014-03-18 | 2018-01-02 | Matrix Sensors, Inc. | Self-correcting chemical sensor |
US10642027B2 (en) * | 2015-12-08 | 2020-05-05 | The Regents Of The University Of Michigan | 3D MEMS scanner for real-time cross-sectional endomicroscopy |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5329103A (en) * | 1991-10-30 | 1994-07-12 | Spectra-Physics | Laser beam scanner with low cost ditherer mechanism |
US5445008A (en) * | 1994-03-24 | 1995-08-29 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Microbar sensor |
US6118124A (en) * | 1996-01-18 | 2000-09-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Electromagnetic and nuclear radiation detector using micromechanical sensors |
US6444972B1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-09-03 | Ut-Battelle, Llc | Apparatus and method for detecting electromagnetic radiation using electron photoemission in a micromechanical sensor |
US6489776B1 (en) | 1999-11-02 | 2002-12-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Non-contact mechanical resonance method for determining the near surface carrier mobility in conductors |
-
2006
- 2006-04-10 US US11/400,909 patent/US7301137B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-28 EP EP07754316A patent/EP2005127A1/en not_active Withdrawn
- 2007-03-28 JP JP2009505381A patent/JP2009533680A/ja not_active Withdrawn
- 2007-03-28 CN CNA2007800128889A patent/CN101421597A/zh active Pending
- 2007-03-28 KR KR1020087024735A patent/KR20080104058A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-28 WO PCT/US2007/007777 patent/WO2007126962A1/en active Application Filing
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JP7161325B2 (ja) | 2017-08-10 | 2022-10-26 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | Mems共振センサアレイのための装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070235636A1 (en) | 2007-10-11 |
US7301137B2 (en) | 2007-11-27 |
WO2007126962A1 (en) | 2007-11-08 |
KR20080104058A (ko) | 2008-11-28 |
EP2005127A1 (en) | 2008-12-24 |
CN101421597A (zh) | 2009-04-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100805 |