JP2009506491A5 - - Google Patents

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  1. 1次光と2次光の混光を放出する光源であって、前記1次光を放出する発光ダイオードLED又はレーザのようなエレクトロルミネッセンス素子と、前記1次光を前記2次光に変換する光変換素子とを有し、前記1次光の第1の部分は、前記1次光に関する第1の変換係数を備えた光路に沿って放出され、前記1次光の第2の部分は、前記1次光に関する第2の変換係数を備えた光路に沿って放出され、前記第2の変換係数は、前記第1の変換係数よりも大きく、
    前記1次光の前記第1の部分は、前記変換素子の少なくとも1つの第1の領域中に結合され、前記1次光の前記第2の部分は、前記変換素子の少なくとも1つの第2の領域中に結合され、
    前記変換素子は、規則的なパターンをなす等距離の第1の領域を有し、および/または、
    前記第1の領域は、発光方向に十字状スリットの形状を有する、
    ことを特徴とする光源。
  2. 前記1次光に関する前記第1の変換係数は、0である、
    請求項1記載の光源。
  3. 前記1次光に関する前記第2の変換係数は、0.9よりも大きい、
    請求項1又は2記載の光源。
  4. 前記変換素子は、規則的なパターンをなす第1の領域を有する、
    請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光源。
  5. 前記2次光は、第1のスペクトル範囲及び第2のスペクトル範囲からの光から成る、
    請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光源。
  6. 前記1次光は、青色光から成る、
    請求項1ないし5のいずれか1項に記載の光源。
  7. 1次光を少なくとも部分的に反射して前記変換素子に戻すために、前記変換素子は外面に二色性被膜を備えている、
    請求項1ないし6のいずれか1項に記載の光源。
  8. 前記変換素子を通過した前記1次光を少なくとも部分的に吸収するために、前記変換素子は外面に吸収被膜を備えている、
    請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光源。
  9. 前記エレクトロルミネッセンス素子の1本又は2本以上の電気接点ワイヤが、発光側に隣接した側にまとめて配置されている、
    請求項1ないし8のいずれか1項に記載の光源。
  10. 前記電気接点ワイヤは、前記エレクトロルミネッセンス素子の互いに異なる側に配置され、前記電気接点ワイヤの少なくとも1本が前記変換素子の開口部を通って導かれるようになっている、
    請求項1ないし9のいずれか1項に記載の光源。
  11. 数個の前記エレクトロルミネッセンス素子が、アレイ状に配置されている、
    請求項1ないし10のいずれか1項に記載の光源。
  12. 前記1次光と前記2次光を混合する少なくとも1つの光学素子を更に有する、
    請求項1ないし11のいずれか1項に記載の光源。
  13. 前記光学素子は、透明な材料で作られた混合ロッド、コリメータ又はレンズであるのが良い、
    請求項12記載の光源。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009529232A (ja) * 2006-03-06 2009-08-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
CN101523625B (zh) * 2006-10-12 2012-05-23 松下电器产业株式会社 发光装置及其制造方法
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
CN101828136B (zh) * 2007-10-16 2012-12-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于背光应用的侧面发光led光源
DE102008046523B4 (de) * 2008-09-10 2020-10-29 Osram Gmbh Leuchtmittel
TWI411091B (zh) * 2008-10-13 2013-10-01 Walsin Lihwa Corp 發光二極體封裝結構
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8138509B2 (en) * 2009-02-27 2012-03-20 Visera Technologies Company, Limited Light emitting device having luminescent layer with opening to exposed bond pad on light emitting die for wire bonding pad to substrate
WO2010134331A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device and light source device using the same
WO2011114253A1 (en) 2010-03-16 2011-09-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting apparatus
CN102444806B (zh) * 2010-10-14 2014-07-02 展晶科技(深圳)有限公司 照明装置
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8754435B1 (en) * 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
CN107735111A (zh) 2015-06-26 2018-02-23 科耐立制造公司 在一时间段内提供足够剂量的光使整个立体空间内的危险病原体失活的方法
US10434202B2 (en) 2015-06-26 2019-10-08 Kenall Manufacturing Company Lighting device that deactivates dangerous pathogens while providing visually appealing light
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
CN110195827A (zh) * 2018-02-26 2019-09-03 上海午井光电科技有限公司 设有光路与光波重整组件的透射式激光照明系统
US11757250B2 (en) 2019-12-23 2023-09-12 Kyocera Sld Laser, Inc. Specialized mobile light device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
KR102436024B1 (ko) * 2020-02-26 2022-08-24 주식회사 케이티앤지 광학 모듈 및 이를 포함하는 에어로졸 생성 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
TW386609U (en) * 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
TW413956B (en) 1998-07-28 2000-12-01 Sumitomo Electric Industries Fluorescent substrate LED
DE10010638A1 (de) 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
TW480744B (en) 2000-03-14 2002-03-21 Lumileds Lighting Bv Light-emitting diode, lighting device and method of manufacturing same
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US7192161B1 (en) * 2001-10-18 2007-03-20 Ilight Technologies, Inc. Fluorescent illumination device
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US6922024B2 (en) 2002-11-25 2005-07-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
JP2006516828A (ja) * 2003-01-27 2006-07-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 蛍燐光体系光源素子および作製方法
US7312560B2 (en) * 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
JP4123057B2 (ja) 2003-05-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置及びその製造方法
CN100511732C (zh) 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
DE102004047727B4 (de) * 2004-09-30 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht

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