JP2009302497A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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義信 尾崎
Keiichi Hatakeyama
恵一 畠山
Takashi Masuko
崇 増子
Yuki Nakamura
祐樹 中村
Masanobu Miyahara
正信 宮原
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    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device for adjusting the cutting conditions of a semiconductor wafer. <P>SOLUTION: In the method for manufacturing the semiconductor device, a first varnish containing a first adhesive resin composition and a second varnish containing a second adhesive resin composition different from the first one are overlaid on a base material 2. Then, the first and second varnishes are dried to form an adhesive film 1 on the base material 2. A semiconductor wafer W is stuck to the adhesive film 1. The semiconductor wafer W is cut and the adhesive film 1 is notched so that the adhesive film 1 remains partially. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

従来、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合には、銀ペーストが主に使用されていた。ところが、近年の半導体チップの小型化、高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきた。さらに、携帯機器等の小型化、高密度化の要求に伴って、内部に複数の半導体チップを積層した半導体装置が開発、量産されている。このような状況において、銀ペーストでは、はみ出しや半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより上記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、フィルム状のダイボンディング材（以下「ダイボンディングフィルム」という。）が使用されるようになってきた。   Conventionally, silver paste has been mainly used for joining a semiconductor chip and a support member for mounting the semiconductor chip. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor chips, the support members used are also required to be small and fine. Furthermore, along with demands for miniaturization and higher density of portable devices and the like, semiconductor devices in which a plurality of semiconductor chips are stacked are being developed and mass-produced. Under such circumstances, silver paste meets the above requirements due to the occurrence of defects during wire bonding due to protrusion or inclination of the semiconductor chip, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer, and generation of voids in the adhesive layer. It has become impossible to deal with. Therefore, in recent years, a film-like die bonding material (hereinafter referred to as “die bonding film”) has been used.

ダイボンディングフィルムは下記のいずれかの方法により用いられる。（１）ダイボンディングフィルムを任意のサイズに切り出して配線付基材又は半導体チップ上に貼り付け、熱圧着する。（２）ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ裏面全体に貼り付けた後に回転刃にて個片化し、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップを得る。それを配線付基材又は半導体チップに熱圧着する。   The die bonding film is used by any of the following methods. (1) A die bonding film is cut into an arbitrary size, attached onto a substrate with wiring or a semiconductor chip, and thermocompression bonded. (2) Affixing the die bonding film on the entire back surface of the semiconductor wafer and then separating it with a rotary blade to obtain a semiconductor chip with a die bonding film. It is thermocompression bonded to a substrate with wiring or a semiconductor chip.

特に、近年は半導体装置の作製工程の簡略化を目的とし、上記（２）の工程が主に用いられている（例えば特許文献１参照）。
特開２００５−１１８３９号公報 In particular, in recent years, the process (2) is mainly used for the purpose of simplifying the manufacturing process of a semiconductor device (see, for example, Patent Document 1).
JP 2005-11839 A

直径８インチの半導体ウェハの場合、まず７００μｍ程度の厚みを有するウェハをインゴットから切り出した後、ウェハ裏面を研削することで所望の厚みの半導体ウェハを得る。通常は半導体ウェハを薄く研削（バックグラインド）する際にウェハ回路面を保護するテープ（以下「バックグラインドテープ」という。）を貼付け、研削後にそのバックグラインドテープを剥離し、その後ダイボンディングフィルムやダイシング基材へ貼り付け（ラミネート）を行っている。しかし、半導体ウェハが薄くなるにしたがって、搬送時に半導体ウェハが割れるリスクが高まっている。そのため、バックグラインドテープを剥離せずにダイボンディングフィルムやダイシング基材に貼り付け、貼り付け後にバックグラインドテープを剥離する工程が一般的となっている。しかし、バックグラインドテープの耐熱性が上限８０℃程度のため、特にダイボンディングフィルムを半導体ウェハ裏面に貼り付ける際は、８０℃以下の貼り付け温度で十分な密着性を確保することが好ましい。   In the case of a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches, first a wafer having a thickness of about 700 μm is cut out from the ingot, and then the back surface of the wafer is ground to obtain a semiconductor wafer having a desired thickness. Usually, when grinding a semiconductor wafer thinly (back grind), a tape that protects the wafer circuit surface (hereinafter referred to as “back grind tape”) is applied, and after grinding, the back grind tape is peeled off, and then die bonding film or dicing Pasting (laminating) on the substrate. However, as the semiconductor wafer becomes thinner, the risk of the semiconductor wafer breaking during transportation increases. For this reason, a process is generally employed in which the back grind tape is attached to a die bonding film or a dicing substrate without peeling off, and the back grind tape is peeled off after being attached. However, since the heat resistance of the back grind tape is about 80 ° C., it is preferable to ensure sufficient adhesion at a bonding temperature of 80 ° C. or lower, particularly when the die bonding film is bonded to the back surface of the semiconductor wafer.

また、ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ全体に貼付け、回転刃で切断する工程において、回転刃にて半導体ウェハおよびダイボンディングフィルムを完全に切断する工程が一般的となっている。しかし、半導体ウェハが薄くなるにしたがって、切断時に発生する半導体チップ側面の割れ（チップクラック）やバリを低減することが困難であるとともに、個片化した半導体チップを割れなくはがす（ピックアップ）ことが、チップクラックやバリが原因で困難となっている。   Moreover, in the process of sticking the die bonding film to the entire semiconductor wafer and cutting with a rotary blade, a process of completely cutting the semiconductor wafer and the die bonding film with the rotary blade is common. However, as the semiconductor wafer becomes thinner, it is difficult to reduce cracks and burrs on the side surfaces of the semiconductor chip that occur during cutting, and it is possible to remove (pick up) individual semiconductor chips without breaking them. It is difficult due to chip cracks and burrs.

本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、半導体ウェハの切断条件を調整できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can adjust the cutting conditions of a semiconductor wafer.

上述の課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方法は、第１接着剤樹脂組成物を含む第１ワニスと前記第１接着剤樹脂組成物とは異なる第２接着剤樹脂組成物を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記第１ワニス及び前記第２ワニスを乾燥することによって前記基材上に接着フィルムを形成する乾燥工程と、前記接着フィルムに半導体ウェハを貼り付ける貼付工程と、前記接着フィルムの一部を残すように、前記半導体ウェハを切断すると共に前記接着フィルムに切り込みを入れる切断工程と、を含む。   In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a first varnish containing a first adhesive resin composition and a second adhesive resin composition different from the first adhesive resin composition. A coating step of applying the second varnish on the base material, and a drying step of forming an adhesive film on the base material by drying the first varnish and the second varnish after the coating step. And an attaching step of attaching the semiconductor wafer to the adhesive film, and a cutting step of cutting the semiconductor wafer and cutting the adhesive film so as to leave a part of the adhesive film.

本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１接着剤樹脂組成物と第２接着剤樹脂組成物の組み合わせを適宜選択することによって、半導体ウェハの切断条件を調整できる。例えば、接着フィルムの一方の面（第１接着剤樹脂組成物を含む）を高タック面、接着フィルムの他方の面（第２接着剤樹脂組成物を含む）を低タック面とした場合、接着フィルムの低タック面側の部分を残すように接着フィルムに切り込みを入れることによって、少ないエキスパンド量で接着フィルムを効率よく且つ確実に分断することができる。   According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the cutting conditions of the semiconductor wafer can be adjusted by appropriately selecting a combination of the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition. For example, when one surface of the adhesive film (including the first adhesive resin composition) is a high tack surface and the other surface of the adhesive film (including the second adhesive resin composition) is a low tack surface, By cutting the adhesive film so as to leave a portion on the low tack side of the film, the adhesive film can be efficiently and reliably divided with a small amount of expansion.

また、前記第２接着剤樹脂組成物からなるフィルムが、５％未満の引張破断伸度を有し該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の１１０％未満であることが好ましい。この場合、第１接着剤樹脂組成物を含む面から接着フィルムに切り込みを入れた後、少ないエキスパンド量で接着フィルムを効率よく且つ確実に分断することができる。   The film made of the second adhesive resin composition preferably has a tensile breaking elongation of less than 5% and the tensile breaking elongation is less than 110% of the elongation at the maximum load. In this case, after cutting into the adhesive film from the surface containing the first adhesive resin composition, the adhesive film can be efficiently and reliably divided with a small amount of expansion.

また、前記接着フィルムが熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。この場合、高温でのせん断接着力が高くなる。   Moreover, it is preferable that the said adhesive film contains a thermosetting resin. In this case, the shear adhesive strength at high temperature is increased.

本発明によれば、半導体ウェハの切断条件を調整できる半導体装置の製造方法が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can adjust the cutting conditions of a semiconductor wafer is provided.

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
＜接着フィルム＞ Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same reference numerals are used for the same or equivalent elements, and duplicate descriptions are omitted.
<Adhesive film>

図１は、接着フィルムを模式的に示す断面図である。図１に示される接着フィルム１は、幅１〜２０ｍｍ程度又は幅１０〜５０ｃｍ程度の帯状とし、巻き芯に巻いた形態で搬送することが好ましい。接着フィルム１は、半導体素子と被着体とを接着するダイボンディングフィルムである。被着体としては、支持部材、半導体素子等が挙げられる。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an adhesive film. The adhesive film 1 shown in FIG. 1 is preferably in the form of a belt having a width of about 1 to 20 mm or a width of about 10 to 50 cm, and is conveyed in a form wound on a winding core. The adhesive film 1 is a die bonding film that bonds a semiconductor element and an adherend. Examples of the adherend include a support member and a semiconductor element.

接着フィルム１は、高タック面Ａ（一方の面）と低タック面Ｂ（他方の面）とを有する。高タック面Ａは第１接着剤樹脂組成物を含んでおり、低タック面Ｂは第１接着剤樹脂組成物とは異なる第２接着剤樹脂組成物を含んでいる。すなわち、接着フィルム１は２種類の接着剤樹脂組成物を含有する。   The adhesive film 1 has a high tack surface A (one surface) and a low tack surface B (the other surface). The high tack surface A includes a first adhesive resin composition, and the low tack surface B includes a second adhesive resin composition different from the first adhesive resin composition. That is, the adhesive film 1 contains two types of adhesive resin compositions.

接着フィルム１は、高タック面Ａの４０℃におけるタック強度をＦＡ、低タック面Ｂの４０℃におけるタック強度をＦＢとした場合、以下の関係を満たすことが好ましい。
ＦＡ＞ＦＢ
ＦＡ≧１０ｇｆ When the tack strength at 40 ° C. of the high tack surface A is FA and the tack strength at 40 ° C. of the low tack surface B is FB, the adhesive film 1 preferably satisfies the following relationship.
FA> FB
FA ≧ 10 gf

ここで、タック強度（ＦＡ及びＦＢ）は、直径５．１ｍｍのＳＵＳ３０４からなる面に対するタック強度である。タック強度は、タッキング試験器（株式会社レスカ社製 タッキング試験器）を用い、圧力１ａｔｍ、温度４０℃、押し込み速度：２ｍｍ／ｓｅｃ、引き上げ速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ２、停止時間：１秒の条件にて測定される。なお、ＳＵＳ３０４とは、１８％のＣｒと８％のＮｉを含むオーステナイト系ステンレス鋼であり、通常「ジュウハチハチ」と呼ばれている。 Here, tack strength (FA and FB) is tack strength with respect to a surface made of SUS304 having a diameter of 5.1 mm. The tack strength is determined by using a tacking tester (tacking tester manufactured by Reska Co., Ltd.), pressure 1 atm, temperature 40 ° C., pushing speed: 2 mm / sec, pulling speed: 10 mm / sec, stop load: 100 gf / cm 2 , stop Time: Measured under the condition of 1 second. Note that SUS304 is an austenitic stainless steel containing 18% Cr and 8% Ni, and is usually referred to as “spotted bee”.

さらに、ＦＡ≧２０ｇｆであることが好ましく、ＦＡ≧３０ｇｆであることがより好ましく、ＦＡ≧５０ｇｆであることが特に好ましい。上限は特に設けないが、取り扱い性の観点から、ＦＡ≦２００ｇｆであることが望ましい。ＦＡ＜１０ｇｆであると、接着フィルム１を半導体ウェハへ貼り付ける際の温度が高温（１００℃を超える温度）となる可能性が高くなる傾向にある。半導体ウェハへの貼り付け温度は、半導体ウェハの保護テープ及びダイシングシートの軟化温度以下であることが好ましい。また、熱応力に起因する半導体ウェハの反りを抑えるという観点から、上記の貼り付け温度は、２０〜１００℃が好ましく、２０〜８０℃がより好ましく、２０〜６０℃が特に好ましい。接着フィルム１を用いると、低温（１００℃以下）で接着フィルム１を半導体ウェハに貼り付けられる。そのため、反りの影響を受け易い極薄半導体ウェハの反りを十分に抑えつつ接着フィルム１を半導体ウェハに貼り付けることができる。   Furthermore, FA ≧ 20 gf is preferable, FA ≧ 30 gf is more preferable, and FA ≧ 50 gf is particularly preferable. Although there is no particular upper limit, it is desirable that FA ≦ 200 gf from the viewpoint of handleability. When FA <10 gf, the temperature when the adhesive film 1 is bonded to the semiconductor wafer tends to be high (temperature exceeding 100 ° C.). The affixing temperature to the semiconductor wafer is preferably not higher than the softening temperature of the protective tape and dicing sheet of the semiconductor wafer. Moreover, from the viewpoint of suppressing the warpage of the semiconductor wafer caused by thermal stress, the above-described bonding temperature is preferably 20 to 100 ° C, more preferably 20 to 80 ° C, and particularly preferably 20 to 60 ° C. When the adhesive film 1 is used, the adhesive film 1 can be attached to the semiconductor wafer at a low temperature (100 ° C. or lower). Therefore, the adhesive film 1 can be affixed to the semiconductor wafer while sufficiently suppressing the warp of the ultrathin semiconductor wafer that is easily affected by the warp.

また、ＦＢ≦１０ｇｆであることが好ましく、ＦＢ≦５ｇｆであることがより好ましい。ＦＢ＞１０ｇｆの場合、接着フィルム１とダイシングシートとの界面の密着力が例えばラミネート工程で加熱された際に上昇し、ピックアップ性が低下する傾向にある。下限値は特に設けないが、ダイシングシートに接着フィルム１を貼り合わせてなる接着シートの巻き取り安定性を考慮すると、ＦＢ≧０．１ｇｆが望ましい。   Further, FB ≦ 10 gf is preferable, and FB ≦ 5 gf is more preferable. In the case of FB> 10 gf, the adhesive force at the interface between the adhesive film 1 and the dicing sheet rises when heated, for example, in the laminating process, and the pickup property tends to be lowered. Although a lower limit is not particularly provided, FB ≧ 0.1 gf is desirable in consideration of winding stability of an adhesive sheet obtained by bonding the adhesive film 1 to a dicing sheet.

また、ＦＡ／ＦＢ≧５の関係を満たすことが好ましい。この場合、プロセス条件の設定が容易になり、接着フィルム１を、例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、ダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる。   Moreover, it is preferable that the relationship of FA / FB ≧ 5 is satisfied. In this case, the process conditions can be easily set, and the adhesive film 1 can be attached to a member such as a semiconductor wafer at a low temperature, and can be easily peeled off from a member such as a dicing sheet.

また、接着フィルム１の厚みは２００μｍ以下であることが好ましい。厚みが２００μｍを超えると、接着フィルムの内部にボイドが形成される傾向にある。このボイドは、加熱による接着フィルムの発泡に起因している。厚みが２００μｍを超えると、接着フィルム１を製造する際に用いる溶剤の残存量が増大するので、溶剤を蒸発させるためにより加熱が必要になる。その結果、接着フィルムが発泡し易くなり、ボイドが形成され易くなる。接着フィルム１の厚みの下限値は特に設けないが、取り扱い性の観点から０．５μｍ以上が望ましい。   Moreover, it is preferable that the thickness of the adhesive film 1 is 200 micrometers or less. When the thickness exceeds 200 μm, voids tend to be formed inside the adhesive film. This void is caused by foaming of the adhesive film by heating. If the thickness exceeds 200 μm, the residual amount of the solvent used when the adhesive film 1 is manufactured increases, so that heating is required to evaporate the solvent. As a result, the adhesive film easily foams and voids are easily formed. Although the lower limit of the thickness of the adhesive film 1 is not particularly provided, 0.5 μm or more is desirable from the viewpoint of handleability.

また、接着フィルム１の破断伸びは２００％以下であることが好ましく、１５０％以下であることがより好ましく、１００％以下であることが特に好ましい。破断伸びが２００％を超えると、例えば接着フィルム１に貼り付けられる半導体ウェハ等の部材を切断し難くなると共に、切断後に接着フィルム１をエキスパンドし難くなるのでピックアップ性が低下する傾向にある。   The breaking elongation of the adhesive film 1 is preferably 200% or less, more preferably 150% or less, and particularly preferably 100% or less. When the elongation at break exceeds 200%, for example, it becomes difficult to cut a member such as a semiconductor wafer attached to the adhesive film 1, and it becomes difficult to expand the adhesive film 1 after cutting, so that the pickup property tends to be lowered.

なお、接着フィルム１の破断伸びは、Ｂステージ状態の接着フィルム１から切り出された短冊状の試験片（幅５ｍｍ、長さ５０ｍｍ）を用いて引張試験を行い、得られた応力−ひずみ曲線から求められる。引張試験は、引張試験機（ＳＩＭＡＤＺＵ製１００Ｎオートグラフ、ＡＧＳ−１００ＮＨ）を用い、２５℃の雰囲気中で、試験開始時のチャック間距離３０ｍｍ、引張速度５ｍｍ／ｍｉｎの条件で行った。接着フィルム１の破断伸びは、下記式を用いて算出される。   The elongation at break of the adhesive film 1 is determined from a stress-strain curve obtained by conducting a tensile test using a strip-shaped test piece (width 5 mm, length 50 mm) cut out from the B-staged adhesive film 1. Desired. The tensile test was performed using a tensile tester (SIMADZU 100N autograph, AGS-100NH) in an atmosphere at 25 ° C. under conditions of a distance between chucks of 30 mm at the start of the test and a tensile speed of 5 mm / min. The elongation at break of the adhesive film 1 is calculated using the following formula.

破断伸び（％）＝［（破断時のチャック間長さ（ｍｍ）−３０）／３０］×１００     Elongation at break (%) = [(length between chucks at break (mm) -30) / 30] × 100

接着フィルム１は、熱硬化性樹脂及び／又は熱可塑性樹脂を含有しており、ポリイミド及びエポキシ樹脂を含有することが好ましい。例えば、第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物は、ポリイミド及びエポキシ樹脂を含有する。接着フィルム１が熱硬化性樹脂を含有する場合、高温でのせん断接着力が高くなる。   The adhesive film 1 contains a thermosetting resin and / or a thermoplastic resin, and preferably contains a polyimide and an epoxy resin. For example, the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition contain polyimide and an epoxy resin. When the adhesive film 1 contains a thermosetting resin, the shear adhesive force at a high temperature is increased.

ポリイミドは、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル混合し、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。なお、必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を、テトラカルボン酸二無水物の合計１．０ｍｏｌに対して、ジアミンの合計が０．５〜２．０ｍｏｌ、好ましくは０．８〜１．０ｍｏｌの範囲となるように調整して付加反応させてもよい。また、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの添加順序は任意に決定できる。反応が進行するにつれて反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、接着フィルム１を構成する接着剤樹脂組成物の諸特性の低下を抑えるため、上記テトラカルボン酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理されることが好ましい。   The polyimide can be obtained, for example, by subjecting tetracarboxylic dianhydride and diamine to a condensation reaction by a known method. That is, tetracarboxylic dianhydride and diamine are mixed in an equimolar amount in an organic solvent and subjected to an addition reaction at a reaction temperature of 80 ° C. or lower, preferably 0 to 60 ° C. If necessary, the composition ratio between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is 0.5 to 2.0 mol, preferably 0 with respect to the total 1.0 mol of the tetracarboxylic dianhydride. The addition reaction may be carried out by adjusting it to be in the range of .8 to 1.0 mol. Moreover, the addition order of tetracarboxylic dianhydride and diamine can be determined arbitrarily. As the reaction proceeds, the viscosity of the reaction solution gradually increases, and polyamic acid, which is a polyimide precursor, is generated. In addition, in order to suppress the fall of the various characteristics of the adhesive resin composition which comprises the adhesive film 1, it is preferable that the said tetracarboxylic dianhydride is recrystallized and refined with acetic anhydride.

なお、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比については、テトラカルボン酸二無水物の合計１．０ｍｏｌに対して、ジアミンの合計が２．０ｍｏｌを超えると、得られるポリイミド中に、アミン末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなる。一方、ジアミンの合計が０．５ｍｏｌ未満であると、酸末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなり、ポリイミドの重量平均分子量が過度に低くなり、接着フィルム１の耐熱性などの特性が低下傾向にある。テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を上記の範囲内で調整することによって、ポリイミドの重量平均分子量を調整することができる。ポリイミドの重量平均分子量は、１０００００〜２０００００であることが好ましい。   In addition, about the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine, when the total of diamine exceeds 2.0 mol with respect to the total 1.0 mol of tetracarboxylic dianhydride, in the polyimide obtained, an amine terminal The amount of the polyimide oligomer increases. On the other hand, if the total amount of diamines is less than 0.5 mol, the amount of acid-terminated polyimide oligomer increases, the weight-average molecular weight of the polyimide becomes excessively low, and the properties such as heat resistance of the adhesive film 1 tend to decrease. . The weight average molecular weight of polyimide can be adjusted by adjusting the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine within the above range. It is preferable that the weight average molecular weight of a polyimide is 100,000-200000.

使用するテトラカルボン酸二無水物は、使用前に、モノマーの融点よりも１０〜２０℃低い温度で１２時間以上、加熱乾燥するか、又は無水酢酸で再結晶精製処理されることが好ましい。原料の純度の指標として、示差走査熱量測計（ＤＳＣ）による吸熱開始温度と吸熱ピーク温度の差が１０℃以内であることが好ましい。なお、上記の吸熱開始温度および吸熱ピーク温度とは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製ＤＳＣ−７型）を用いて、サンプル量５ｍｇ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定雰囲気：窒素、の条件で測定したときの値を用いる。   The tetracarboxylic dianhydride to be used is preferably heat-dried at a temperature lower than the melting point of the monomer by 10 to 20 ° C. for 12 hours or more or recrystallized and purified with acetic anhydride before use. As an index of the purity of the raw material, the difference between the endothermic start temperature and the endothermic peak temperature by a differential scanning calorimeter (DSC) is preferably within 10 ° C. The endothermic start temperature and the endothermic peak temperature are measured using DSC (DSC-7 model, manufactured by Perkin Elmer) under the conditions of a sample amount of 5 mg, a heating rate of 5 ° C./min, and a measurement atmosphere: nitrogen. Use the value when

なお、上記ポリアミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させることによって、その重量平均分子量を調整することもできる。ポリイミドは、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。   In addition, the said polyamic acid can also adjust the weight average molecular weight by heating and depolymerizing at the temperature of 50-80 degreeC. Polyimide can be obtained by dehydrating and ring-closing the reactant (polyamic acid). The dehydration ring closure can be performed by a thermal ring closure method in which heat treatment is performed and a chemical ring closure method using a dehydrating agent.

ポリイミドの原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４’，−オキシジフタル酸二無水物、下記一般式（ＶＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物、下記構造式（ＶＩＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as tetracarboxylic dianhydride used as a raw material of a polyimide, For example, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2' 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) Methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic Dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic acid Dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetra Carboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalene tetracarboxylic acid Dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2, 3,6,7-teto Chloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride Thiophene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic acid Acid dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methyl Phenylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diphenylsilane dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl) benzene dianhydride, 1,3- Bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldicyclohexane dianhydride, p-phenylenebis (trimellitic anhydride), ethylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3 , 4-butanetetracarboxylic dianhydride, decahydronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydro Naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, bis (exo-bicyclo [2,2,1] heptane-2,3-dicarboxylic dianhydride, bicyclo- [2,2,2 -Octo- -Ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2, -bis [4- (3,4 -Dicarboxyphenyl) phenyl] propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2, -bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) ) Phenyl] hexafluoropropane dianhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl sulfide dianhydride, 1,4-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitic acid) Anhydride), 1,3-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitic anhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuran) ) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4 ′,-oxydiphthalic dianhydride, Examples thereof include tetracarboxylic dianhydrides represented by the following general formula (VII), tetracarboxylic dianhydrides represented by the following structural formula (VIII), and the like.

Figure 2009302497

（式中、ｎは２〜２０の整数を示す）
Figure 2009302497
(In the formula, n represents an integer of 2 to 20)

Figure 2009302497
Figure 2009302497

上記構造式（ＶＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができる。具体的には、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）等が挙げられる。中でも、優れた耐湿信頼性を付与できる点で、４，４’，−オキシジフタル酸二無水物、又は上記構造（ＶＩＩＩ）で示されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。これらテトラカルボン酸二無水物は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。   The tetracarboxylic dianhydride represented by the structural formula (VII) can be synthesized from, for example, trimellitic anhydride monochloride and the corresponding diol. Specifically, 1,2- (ethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,3- (trimethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitic anhydride), 1, 5- (pentamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,6- (hexamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,8- (octamethylene) ) Bis (trimellitic anhydride), 1,9- (nonamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,12- (dodecamethylene) bis (trimellitic anhydride) 1,16- (hexadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,18- (octadecamethylene) bis (to Mellitate anhydride) and the like. Among these, 4,4 ′,-oxydiphthalic dianhydride or tetracarboxylic dianhydride represented by the above structure (VIII) is preferable in that excellent moisture resistance reliability can be imparted. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.

ポリイミドの原料として用いられるジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニル）スルフォン、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、下記一般式（ＩＸ）で表される脂肪族エーテルジアミン等が挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as diamine used as a raw material of a polyimide, For example, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4 '-Diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylethermethane, bis (4-amino-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-amino -3,5-diisopropylphenyl) methane, 3,3'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 4,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3, , 4 -Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl ketone, 3,4′-diaminodiphenyl ketone, 4,4′-diaminodiphenyl ketone, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 2,2 ′-(3,4′-diaminodiphenyl) propane, 2,2 -Bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3,4'-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3 ′-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 3,4 '-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 4,4'-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 2,2-bis (4- (3- Aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, bis (4 -(3-aminoenoxy) phenyl) sulfide, bis (4- (4-aminoenoxy) phenyl) sulfide, bis (4- (3-aminoenoxy) ) Phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminoenoxy) phenyl) sulfone, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, aromatic diamines such as 3,5-diaminobenzoic acid, 1,3- Examples include bis (aminomethyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, and aliphatic ether diamines represented by the following general formula (IX).

Figure 2009302497

（式中、Ｑ１、Ｑ２、及びＱ３は、各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示し、ｍは２〜８０の整数を示す）
Figure 2009302497
(In the formula, Q 1 , Q 2 , and Q 3 each independently represent an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and m represents an integer of 2 to 80)

具体的には下記構造の脂肪族ジアミンが挙げられる。   Specific examples include aliphatic diamines having the following structure.

Figure 2009302497
Figure 2009302497

また、下記一般式（ＶＩ）で表される脂肪族エーテルジアミンが挙げられる。   Moreover, the aliphatic ether diamine represented by the following general formula (VI) is mentioned.

Figure 2009302497

（式中、ｐは０〜８０の整数を示す）
Figure 2009302497
(Wherein p represents an integer of 0 to 80)

さらに、下記一般式（Ｘ）で表される脂肪族ジアミンが挙げられる。   Furthermore, the aliphatic diamine represented by the following general formula (X) is mentioned.

Figure 2009302497

（式中、ｎは５〜２０の整数を示す）
Figure 2009302497
(In the formula, n represents an integer of 5 to 20)

具体的には１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどの脂肪族ジアミン、さらに下記一般式（ＩＩＩ）で表されるシロキサンジアミンが挙げられる。   Specifically, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8- Aliphatic diamines such as diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,2-diaminocyclohexane, and the following general formula (III) The siloxane diamine represented is mentioned.

Figure 2009302497

（式中、Ｑ４及びＱ９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ７、及びＱ８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す）
Figure 2009302497
(Wherein Q 4 and Q 9 each independently represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group which may have a substituent, and Q 5 , Q 6 , Q 7 and Q 8 are each independently Represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group or a phenoxy group, and p represents an integer of 1 to 5)

また、一般式（ＩＩＩ）中、ｐが１のときとしては、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン等が挙げられる。また、ｐが２のときとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサンなどのシロキサンジアミンが挙げられる。これらのジアミンは単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。   In general formula (III), when p is 1, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4-aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3- Tetraphenoxy-1,3-bis (4-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3- Tetraphenyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3- Tetramethyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (3-aminobutyl) disiloxane, 1,3-dimethyl-1, 3-Dimethoxy-1,3-bis (4-aminobutyl) di Rokisan, and the like. When p is 2, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (4-aminophenyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3 , 3-dimethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (5-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy-1, 5-bis (2-aminoethyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5 -Tetramethyl-3,3-dimethoxy-1 5-bis (5-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5 Siloxane diamines such as 5-hexaethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane and 1,1,3,3,5,5-hexapropyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane Is mentioned. These diamines can be used alone or in combination of two or more.

また、上記ポリイミドは単独又は必要に応じて２種以上を混合（ブレンド）してもよい。   Moreover, the said polyimide may be mixed (blended) individually or as needed.

高タック面Ａ側の第１接着剤樹脂組成物に含まれるポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）は５０℃未満であることが好ましい。これにより、高タック面Ａの４０℃におけるタック強度ＦＡを２０ｇｆ以上にすることができる。一方、低タック面Ｂ側の第２接着剤樹脂組成物に含まれるポリイミドのＴｇは５０℃以上であることが好ましい。これにより、低タック面Ｂの４０℃におけるタック強度ＦＢを１０ｇｆ以下にすることができる。   The glass transition temperature (Tg) of the polyimide contained in the first adhesive resin composition on the high tack surface A side is preferably less than 50 ° C. Thereby, the tack strength FA at 40 ° C. of the high tack surface A can be 20 gf or more. On the other hand, the Tg of the polyimide contained in the second adhesive resin composition on the low tack surface B side is preferably 50 ° C. or higher. Thereby, the tack strength FB at 40 ° C. of the low tack surface B can be made 10 gf or less.

ポリイミドのＴｇ及び重量平均分子量を上記の範囲内とすることにより、半導体ウェハへの貼り付け温度を低く抑えることができるだけでなく、低温でのダイボンドも確保することができ、半導体ウェハの反りの増大を抑制できる。また、ダイシング時の良好な切断性を確保できる。さらに、ダイボンディング時の接着フィルムに流動性を有効に付与できる。また、上記半導体素子の搭載用支持部材が有機基板の場合、ダイボンディング時の加熱温度による有機基板の吸湿水分の気化を抑制でき、気化による接着フィルムの発泡を抑制できる。   By setting the Tg and the weight average molecular weight of the polyimide within the above ranges, not only can the bonding temperature to the semiconductor wafer be kept low, but also die bonding at a low temperature can be secured, and the warpage of the semiconductor wafer is increased. Can be suppressed. Moreover, the favorable cut property at the time of dicing is securable. Furthermore, fluidity can be effectively imparted to the adhesive film during die bonding. Moreover, when the support member for mounting the semiconductor element is an organic substrate, the moisture absorption of the organic substrate due to the heating temperature during die bonding can be suppressed, and the foaming of the adhesive film due to the evaporation can be suppressed.

なお、ポリイミドのＴｇは、ポリイミドをフィルム化したときの主分散ピーク温度である。レオメトリックス製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて、フィルムサイズ３５ｍｍ×１０ｍｍ×４０μｍ厚、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、測定温度−１５０〜３００℃の条件で測定し、Ｔｇ付近のｔａｎδピーク温度を測定し、これを主分散ピーク温度とした。また、ポリイミドの重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフィー（島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量である。   In addition, Tg of polyimide is a main dispersion peak temperature when polyimide is formed into a film. Using a rheometric viscoelasticity analyzer RSA-2, the film size is 35 mm × 10 mm × 40 μm thickness, the heating rate is 5 ° C./min, the frequency is 1 Hz, and the measurement temperature is −150 to 300 ° C. The peak temperature was measured and used as the main dispersion peak temperature. Moreover, the weight average molecular weight of polyimide is a weight average molecular weight when measured in terms of polystyrene using high performance liquid chromatography (C-R4A manufactured by Shimadzu Corporation).

また、エポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が極めて好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、これらのエポキシ樹脂には不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオンや加水分解性塩素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止のために好ましい。   Moreover, as an epoxy resin, what contains at least 2 epoxy group in a molecule | numerator is more preferable, and the glycidyl ether type epoxy resin of phenol is very preferable from the point of sclerosis | hardenability and hardened | cured material property. Examples of such resins include bisphenol A type (or AD type, S type, and F type) glycidyl ether, water-added bisphenol A type glycidyl ether, ethylene oxide adduct bisphenol A type glycidyl ether, and propylene oxide adduct. Bisphenol A glycidyl ether, phenol novolac resin glycidyl ether, cresol novolac resin glycidyl ether, bisphenol A novolak resin glycidyl ether, naphthalene resin glycidyl ether, trifunctional (or tetrafunctional) glycidyl ether, dicyclo Examples include glycidyl ether of pentadienephenol resin, glycidyl ester of dimer acid, trifunctional (or tetrafunctional) glycidylamine, glycidylamine of naphthalene resin, etc. It is. These can be used alone or in combination of two or more. In addition, it is preferable to use a high-purity product in which the impurity ions, alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine are reduced to 300 ppm or less for these epoxy resins. This is preferable for prevention of corrosion and corrosion of metal conductor circuits.

エポキシ樹脂の配合量は、低アウトガス性、フィルム形成性（靭性）、熱時流動性、さらには熱硬化による高温時の高い接着力を有効に付与できる点で、ポリイミド１００質量部に対して、１〜２００質量部が好ましく、１０〜１００質量部がより好ましい。   The compounding amount of the epoxy resin is low outgassing property, film formability (toughness), fluidity during heat, and furthermore, it can effectively impart high adhesive force at high temperature by thermosetting, with respect to 100 parts by mass of polyimide, 1-200 mass parts is preferable, and 10-100 mass parts is more preferable.

エポキシ樹脂を使用する場合は、必要に応じて硬化剤を使用することもできる。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン等が挙げられる。中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。このような化合物としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中で、数平均分子量が４００〜１５００の範囲内のものが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子又は装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。なお、硬化物の耐熱性を確保するためにも、これらのフェノール系化合物の配合量は、（エポキシ樹脂のエポキシ当量）：（フェノール系化合物のＯＨ当量）が、０．９５：１．０５〜１．０５：０．９５となることが好ましい。   When using an epoxy resin, a curing agent may be used as necessary. Examples of the curing agent include phenolic compounds, aliphatic amines, alicyclic amines, aromatic polyamines, polyamides, aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, dicyandiamide, and organic acid dihydrazides. , Boron trifluoride amine complexes, imidazoles, tertiary amines and the like. Of these, phenol compounds are preferable, and phenol compounds having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule are more preferable. Examples of such compounds include phenol novolak resins, cresol novolak resins, t-butylphenol novolak resins, dicyclopentagen cresol novolak resins, dicyclopentagen phenol novolak resins, xylylene-modified phenol novolak resins, naphthol compounds, trisphenols. Examples thereof include tetrakisphenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, poly-p-vinylphenol resin, and phenol aralkyl resin. Among these, those having a number average molecular weight in the range of 400 to 1500 are preferable. Thereby, at the time of assembling and heating the semiconductor device, it is possible to effectively reduce outgas which causes contamination of the semiconductor element or the device. In order to secure the heat resistance of the cured product, the blending amount of these phenolic compounds is (epoxy equivalent of epoxy resin) :( OH equivalent of phenolic compound) is 0.95: 1.05. It is preferably 1.05: 0.95.

また、第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物には、必要に応じて、硬化促進剤を使用することもできる。硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。   Moreover, a hardening accelerator can also be used for the 1st adhesive resin composition and the 2nd adhesive resin composition as needed. The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures a thermosetting resin. For example, imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4 -Methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetraphenylborate and the like.

第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物には、必要に応じてフィラーを使用することもできる。絶縁性の無機フィラーが好ましく、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等からなるフィラーが挙げられる。これらの無機フィラーを二種類以上併用することもできる。中でもシリカは、高い接着力が得られ、かつ金属腐食を起こす原因となる不純物を少なくできるため、半導体装置の信頼性を向上できるので好ましい。また、フィルム厚方向の熱流動性と高い接着力が得られることから、使用する無機フィラーの形状は球状であることが好ましい。球状には、真球状、円粒状、楕円状などの形状が含まれる。   A filler can also be used for the 1st adhesive resin composition and the 2nd adhesive resin composition as needed. Insulating inorganic fillers are preferred, such as alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, crystalline silica, Examples thereof include fillers made of amorphous silica, boron nitride, titania, glass, iron oxide, ceramic and the like. Two or more of these inorganic fillers can be used in combination. Among these, silica is preferable because it can provide high adhesive force and can reduce impurities that cause metal corrosion, thereby improving the reliability of the semiconductor device. Moreover, since the heat fluidity of a film thickness direction and high adhesive force are obtained, it is preferable that the shape of the inorganic filler to be used is spherical. The spherical shape includes shapes such as a true spherical shape, a circular granular shape, and an elliptical shape.

フィラーの使用量は、付与する特性、又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラーの合計に対して好ましくは１０〜４０体積％、より好ましくは１０〜３０体積％、特に好ましくは１０〜２０体積％である。フィラーを適度に増量させることにより、フィルム表面の低粘着化（低タック化）、及び高弾性率化が図れる。その結果、ダイシング性（ダイサー刃による切断性）、ピックアップ性（ダイシングシートとの易はく離性）、ワイヤボンディング性（超音波効率）、熱時の接着強度を有効に向上できる。フィラーの使用量が４０体積％を超えると、低温貼付性、被着体との界面接着性、及び熱時流動性が損なわれ、耐リフロー性を含む信頼性の低下を招く傾向にある。求められる特性のバランスをとるべく、最適な使用量を決定する。フィラーを用いた場合の混合・混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。   Although the usage-amount of a filler is decided according to the characteristic or function to provide, Preferably it is 10-40 volume% with respect to the sum total of a resin component and a filler, More preferably, it is 10-30 volume%, Most preferably, it is 10- 20% by volume. By increasing the amount of the filler appropriately, the film surface can be reduced in tack (lower tack) and increased in elastic modulus. As a result, it is possible to effectively improve dicing properties (cutability with a dicer blade), pick-up properties (easy peeling from the dicing sheet), wire bonding properties (ultrasonic efficiency), and adhesive strength during heating. When the amount of the filler used exceeds 40% by volume, the low-temperature sticking property, the interfacial adhesiveness with the adherend, and the fluidity during heat tend to be impaired, leading to a decrease in reliability including reflow resistance. In order to balance the required characteristics, determine the optimal usage. Mixing and kneading in the case of using a filler can be performed by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.

第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等のカップリング剤が挙げられる。中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましい。カップリング剤の配合量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、ポリイミド１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部とするのが好ましい。   Various coupling agents can be added to the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition in order to improve interfacial bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based coupling agents. Of these, silane coupling agents are preferred because of their high effects. It is preferable that the compounding quantity of a coupling agent shall be 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of polyimide from the surface of the effect, heat resistance, and cost.

第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物（トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等）、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系のマグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。イオン捕捉剤の配合量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、ポリイミド１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。   An ion scavenger may be further added to the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. Such an ion scavenger is not particularly limited. For example, a compound known as a copper damage inhibitor (a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc.), a zirconium-based agent to prevent copper from being ionized and dissolved. And inorganic ion adsorbents such as antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds. The compounding amount of the ion scavenger is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of polyimide from the viewpoints of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.

第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物には、適宜、軟化剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、テルペン系樹脂等の粘着付与剤、熱可塑性の高分子成分を添加しても良い。接着性向上、硬化時の応力緩和性を付与するために用いられる熱可塑性の高分子成分としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これら熱可塑性の高分子成分の重量平均分子量は、５，０００〜５００，０００であることが好ましい。   To the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition, a softener, an anti-aging agent, a colorant, a flame retardant, a tackifier such as a terpene resin, and a thermoplastic polymer component are appropriately added. You may do it. Thermoplastic polymer components used to improve adhesion and provide stress relaxation during curing include polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide, xylene resin, phenoxy resin, polyurethane resin , Urea resin, acrylic rubber and the like. The weight average molecular weight of these thermoplastic polymer components is preferably 5,000 to 500,000.

接着剤樹脂組成物のタック強度を高くするには、ガラス転移温度（Ｔｇ）の低い高分子量成分を用いる、液状エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を低減する、といった方法を用いることができる。接着剤樹脂組成物のタック強度を低くするには、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高い高分子量成分を用いる、固形エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を増量する、といった方法を用いることができる。例えば、第１接着剤樹脂組成物に含まれる高分子量成分のＴｇを、第２接着剤樹脂組成物に含まれる高分子量成分のＴｇよりも小さくすることにより、接着フィルム１を作製することができる。   In order to increase the tack strength of the adhesive resin composition, a method of using a high molecular weight component having a low glass transition temperature (Tg), adding a liquid epoxy resin, or reducing the filler content can be used. . In order to reduce the tack strength of the adhesive resin composition, a method of using a high molecular weight component having a high glass transition temperature (Tg), adding a solid epoxy resin, or increasing the filler content can be used. . For example, the adhesive film 1 can be produced by making the Tg of the high molecular weight component contained in the first adhesive resin composition smaller than the Tg of the high molecular weight component contained in the second adhesive resin composition. .

また、第２接着剤樹脂組成物からなるフィルムが、５％未満の引張破断伸度を有し該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の１１０％未満であることが好ましい。この場合、接着フィルム１に高タック面Ａから切り込み（ハーフカット）を入れた後、少ないエキスパンド量で接着フィルム１を効率よく且つ確実に分断することができる。引張破断伸度は、より好ましくは４％未満、さらに好ましくは３．５％未満である。引張破断伸度は、最大荷重時の伸度の１０８％未満であることがより好ましく、１０５％未満であることが特に好ましい。   The film made of the second adhesive resin composition preferably has a tensile breaking elongation of less than 5%, and the tensile breaking elongation is less than 110% of the elongation at the maximum load. In this case, after making a cut (half cut) from the high tack surface A into the adhesive film 1, the adhesive film 1 can be efficiently and reliably divided with a small amount of expansion. The tensile elongation at break is more preferably less than 4%, still more preferably less than 3.5%. The tensile breaking elongation is more preferably less than 108% of the elongation at the maximum load, and particularly preferably less than 105%.

ここで、第２接着剤樹脂組成物からなるフィルムの最大応力、最大荷重伸度、及び引張破断伸度は、Ｂステージ状態の第２接着剤樹脂組成物からなるフィルムから切り出された短冊状の試験片（幅５ｍｍ、長さ５０ｍｍ）を用いて引張試験を行った。得られた応力−ひずみ曲線から、下記計算式に基づいて最大応力、最大荷重伸度、及び引張破断伸度を求めた。引張試験は、引張試験機（ＳＩＭＡＤＺＵ製１００Ｎオートグラフ、ＡＧＳ−１００ＮＨ）を用い、２５℃の雰囲気中で、試験開始時のチャック間距離３０ｍｍ、引張速度５ｍｍ／ｍｉｎの条件で行った。
最大応力（Ｐａ）＝最大荷重（Ｎ）／試料の断面積（ｍ２）
最大荷重伸度（％）＝［（最大荷重におけるチャック間長さ（ｍｍ）−３０）／３０］×１００
引張破断伸度（％）＝［（破断時のチャック間長さ（ｍｍ）−３０）／３０］×１００ Here, the maximum stress, the maximum load elongation, and the tensile elongation at break of the film made of the second adhesive resin composition are strip-shaped cut out from the film made of the second adhesive resin composition in the B stage state. A tensile test was performed using a test piece (width 5 mm, length 50 mm). From the obtained stress-strain curve, the maximum stress, maximum load elongation, and tensile elongation at break were determined based on the following calculation formula. The tensile test was performed using a tensile tester (SIMADZU 100N autograph, AGS-100NH) in an atmosphere at 25 ° C. under conditions of a distance between chucks of 30 mm at the start of the test and a tensile speed of 5 mm / min.
Maximum stress (Pa) = Maximum load (N) / Cross sectional area (m 2 )
Maximum load elongation (%) = [(length between chucks at maximum load (mm) -30) / 30] × 100
Tensile elongation at break (%) = [(length between chucks at break (mm) -30) / 30] × 100

接着フィルム１では、接着フィルム１の一方の面のタック強度を他方の面のタック強度よりも大きくできる。よって、接着フィルム１の一方の面（高タック面）を例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、接着フィルム１の他方の面（低タック面）を例えばダイシングシート等の部材に貼り付ければ接着フィルムをダイシングシートから容易に剥離することができる。その結果、例えば半導体ウェハをダイシングした後に、得られる半導体チップをダイシングシートから容易にピックアップすることができる。さらに、接着フィルム１は、耐リフロー性を含めた耐熱性及び耐湿性を備えている。   In the adhesive film 1, the tack strength of one surface of the adhesive film 1 can be made larger than the tack strength of the other surface. Therefore, one surface (high tack surface) of the adhesive film 1 can be attached to a member such as a semiconductor wafer at a low temperature. Moreover, if the other surface (low tack surface) of the adhesive film 1 is attached to a member such as a dicing sheet, the adhesive film can be easily peeled from the dicing sheet. As a result, for example, after the semiconductor wafer is diced, the obtained semiconductor chip can be easily picked up from the dicing sheet. Furthermore, the adhesive film 1 has heat resistance and moisture resistance including reflow resistance.

接着フィルム１は、例えばＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子と被着体とを貼り合せるためのダイボンディング用接着フィルムとして用いられる。被着体としては、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ポリイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの、アルミナ等のセラミックスからなる半導体搭載用の支持部材等が挙げられる。接着フィルム１は、表面に凹凸を有する有機基板と半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着フィルムとして好適に用いられる。表面に凹凸を有する有機基板としては、例えば、表面に有機レジスト層を有する有機基板、表面に配線を有する有機基板等が挙げられる。   The adhesive film 1 is used as an adhesive film for die bonding for bonding a semiconductor element such as an IC or LSI and an adherend, for example. As the adherend, 42 alloy lead frame, lead frame such as copper lead frame, plastic film such as polyimide and epoxy resin, glass nonwoven fabric impregnated and cured with plastic such as polyimide and epoxy resin, alumina And a semiconductor mounting support member made of ceramics. The adhesive film 1 is suitably used as an adhesive film for die bonding for bonding an organic substrate having an uneven surface and a semiconductor element. Examples of the organic substrate having irregularities on the surface include an organic substrate having an organic resist layer on the surface, an organic substrate having wiring on the surface, and the like.

また、接着フィルム１は、複数の半導体素子を積み重ねた構造を有するＳｔａｃｋｅｄ−ＰＫＧにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着フィルムとしても好適に用いられる。   The adhesive film 1 is also suitably used as an adhesive film for bonding a semiconductor element and a semiconductor element in a Stacked-PKG having a structure in which a plurality of semiconductor elements are stacked.

図２は、上記接着フィルムの製造方法を模式的に示す工程断面図である。
（塗布工程） FIG. 2 is a process cross-sectional view schematically showing the method for producing the adhesive film.
(Coating process)

まず、図２（ａ）に示されるように、ＰＥＴ等からなる基材２上に第２接着剤樹脂組成物及び有機溶媒を含む第２ワニスを塗布する。これにより、基材２上に第２ワニス層１ｂが形成される。続いて、図２（ｂ）に示されるように、第２ワニスに重ねて、第１接着剤樹脂組成物及び有機溶媒を含む第１ワニスを塗布する。これにより、第２ワニス層１ｂ上に第１ワニス層１ａが形成される。第２ワニス層１ｂ及び第１ワニス層１ａは、塗膜である。   First, as shown in FIG. 2A, a second varnish containing a second adhesive resin composition and an organic solvent is applied onto a base material 2 made of PET or the like. Thereby, the 2nd varnish layer 1b is formed on the base material 2. FIG. Subsequently, as shown in FIG. 2B, the first varnish containing the first adhesive resin composition and the organic solvent is applied so as to overlap the second varnish. Thereby, the 1st varnish layer 1a is formed on the 2nd varnish layer 1b. The 2nd varnish layer 1b and the 1st varnish layer 1a are coating films.

第１ワニス及び第２ワニスは、第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物を有機溶媒中で混合及び混練することにより、調製される。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。   The first varnish and the second varnish are prepared by mixing and kneading the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition in an organic solvent. Mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.

有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられる。   The organic solvent is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the material. For example, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, toluene, benzene, xylene, Examples thereof include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve, dioxane, cyclohexanone, and ethyl acetate.

基材２は、後述の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらのフィルムを２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理された基材２であってもよい。   The base material 2 is not particularly limited as long as it can withstand heat drying described later. For example, polyester film, polypropylene film, polyethylene terephthalate film, polyimide film, polyetherimide film, polyether naphthalate film, methylpentene. A film etc. are mentioned. Two or more of these films may be combined to form a multilayer film, or the substrate 2 having a surface treated with a release agent such as silicone or silica may be used.

第２ワニス層１ｂ及び第１ワニス層１ａの厚みに特に制約はないが、高タック面Ａを形成するための第１ワニス層１ａの厚みが、低タック面Ｂを形成するための第２ワニス層１ｂの厚みよりも薄くなることが好ましい。例えば、総厚２０μｍの接着フィルム１を得る場合、第１ワニス層１ａの乾燥後の厚みが１〜８μｍ程度、第２ワニス層１ｂの乾燥後の厚みが１２〜１９μｍ程度となるように、第１ワニス及び第２ワニスの塗布量を調整することが好ましい。高タック面Ａを形成するための第１ワニス層１ａの厚みが厚くなると、ダイシングの際に発生するバリのタック強度が増大する。その結果、隣り合う半導体チップ同士が融着し、ピックアップミスが発生する傾向にある。
（乾燥工程） Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the 2nd varnish layer 1b and the 1st varnish layer 1a, the thickness of the 1st varnish layer 1a for forming the high tack surface A is the 2nd varnish for forming the low tack surface B It is preferable to be thinner than the thickness of the layer 1b. For example, when obtaining the adhesive film 1 having a total thickness of 20 μm, the first varnish layer 1a is dried so that the thickness after drying is about 1 to 8 μm, and the second varnish layer 1b is dried after about 12 to 19 μm. It is preferable to adjust the coating amount of the first varnish and the second varnish. As the thickness of the first varnish layer 1a for forming the high tack surface A increases, the tack strength of burrs generated during dicing increases. As a result, adjacent semiconductor chips are fused together, and a pickup error tends to occur.
(Drying process)

続いて、第２ワニス層１ｂ及び第１ワニス層１ａを乾燥させることによって、図２（ｃ）に示されるように、基材２上に接着フィルム１を形成する。加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常５０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。その後、基材２を剥離除去する。   Subsequently, by drying the second varnish layer 1b and the first varnish layer 1a, the adhesive film 1 is formed on the substrate 2 as shown in FIG. The conditions for the heat drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but it is usually carried out by heating at 50 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes. Thereafter, the substrate 2 is peeled and removed.

これにより、主として第１接着剤樹脂組成物を含む第１層と、主として第２接着剤樹脂組成物を含む第２層とが一体化される。そのため、第１層と第２層との界面をなくすことができるので、第１層と第２層とが分離し難くなる。さらに、第１ワニスと第２ワニスとを同時に乾燥させるので、個別に作製した接着フィルム同士を貼り合わせる場合に比べて、接着フィルム１の製造コストを大幅に低減できると共に、接着フィルム１の更なる薄膜化を実現できる。   As a result, the first layer mainly including the first adhesive resin composition and the second layer mainly including the second adhesive resin composition are integrated. Therefore, since the interface between the first layer and the second layer can be eliminated, it becomes difficult to separate the first layer and the second layer. Furthermore, since the first varnish and the second varnish are dried at the same time, the manufacturing cost of the adhesive film 1 can be greatly reduced as compared with the case where the individually produced adhesive films are bonded together, and the adhesive film 1 is further improved. Thin film can be realized.

なお、基材２上に第１ワニス層１ａを形成した後に、第１ワニス層１ａ上に第２ワニス層１ｂを形成してもよい。   In addition, after forming the 1st varnish layer 1a on the base material 2, you may form the 2nd varnish layer 1b on the 1st varnish layer 1a.

図３は、接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。図３に示される積層体では、基材２の両面にそれぞれ接着フィルム１が設けられている。基材２の一方の面には、接着フィルム１の高タック面Ａが貼り付けられている。基材２の他方の面には、接着フィルム１の低タック面Ｂが貼り付けられている。なお、基材２の片面だけに接着フィルム１を設けてもよい。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a laminate including an adhesive film. In the laminate shown in FIG. 3, the adhesive films 1 are provided on both surfaces of the base material 2. The high tack surface A of the adhesive film 1 is attached to one surface of the substrate 2. The low tack surface B of the adhesive film 1 is attached to the other surface of the substrate 2. Note that the adhesive film 1 may be provided only on one side of the substrate 2.

図４は、接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。図４に示される積層体は、基材２と、基材２上に設けられた接着フィルム１と、接着フィルム１の高タック面Ａを覆うカバーフィルム３とを備える。カバーフィルム３により、接着フィルム１の損傷・汚染を防ぐことができる。
＜接着シート＞ FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a laminate including an adhesive film. The laminate shown in FIG. 4 includes a base material 2, an adhesive film 1 provided on the base material 2, and a cover film 3 that covers the high tack surface A of the adhesive film 1. The cover film 3 can prevent the adhesive film 1 from being damaged or contaminated.
<Adhesive sheet>

図５は、接着シートを模式的に示す断面図である。図５に示される接着シート１０は、ダイシングシート６と、ダイシングシート６に積層された接着フィルム１とを備える。ダイシングシート６は、基材フィルム４と、基材フィルム４上に設けられた粘着剤層５とを有する。接着フィルム１の低タック面Ｂは粘着剤層５に貼り合わされている。接着シート１０は、ダイシングシートとダイボンディングフィルムとが一体になっており、両者に要求される特性を兼ね備えている。接着フィルム１上にカバーフィルムを貼り付けてもよい。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an adhesive sheet. An adhesive sheet 10 shown in FIG. 5 includes a dicing sheet 6 and an adhesive film 1 laminated on the dicing sheet 6. The dicing sheet 6 has a base film 4 and a pressure-sensitive adhesive layer 5 provided on the base film 4. The low tack surface B of the adhesive film 1 is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 5. The adhesive sheet 10 is formed by integrating a dicing sheet and a die bonding film, and has characteristics required for both. A cover film may be stuck on the adhesive film 1.

接着シート１０は接着フィルム１を備えているので、接着フィルム１の高タック面Ａを例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、粘着剤層５を接着フィルム１の低タック面Ｂに貼り付けるので、接着フィルム１の低タック面Ｂをダイシングシート６から容易に剥離することができる。   Since the adhesive sheet 10 includes the adhesive film 1, the high tack surface A of the adhesive film 1 can be attached to a member such as a semiconductor wafer at a low temperature. Further, since the pressure-sensitive adhesive layer 5 is attached to the low tack surface B of the adhesive film 1, the low tack surface B of the adhesive film 1 can be easily peeled from the dicing sheet 6.

なお、ダイシングシート６は、粘着剤層５を備えなくてもよい。この場合、接着フィルム１の平面形状を予め半導体ウェハに近い形状に加工しておくこと（プリカット）が好ましい。   The dicing sheet 6 may not include the pressure-sensitive adhesive layer 5. In this case, it is preferable to process the planar shape of the adhesive film 1 in advance to a shape close to a semiconductor wafer (pre-cut).

粘着剤層５は、感圧型又は放射線硬化型のどちらでも良く、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 5 may be either a pressure-sensitive type or a radiation-curing type, has a sufficient adhesive force that prevents the semiconductor element from scattering during dicing, and has a low adhesion level that does not damage the semiconductor element in the subsequent semiconductor element pickup process. Conventionally known ones can be used without particular limitation as long as they have power.

基材フィルム４は、引っ張りテンションを加えたときの伸び（通称、エキスパンド）を確保できることが好ましく、例えばポリオレフィンからなるフィルムが挙げられる。
＜半導体装置＞ It is preferable that the base film 4 can ensure elongation (common name, expanded) when a tensile tension is applied, and examples thereof include a film made of polyolefin.
<Semiconductor device>

図６〜図１１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。図６〜図１１に示される各工程を経ることによって、図１１に示される半導体装置２０が製造される。   6 to 11 are process cross-sectional views schematically showing the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment. The semiconductor device 20 shown in FIG. 11 is manufactured through the steps shown in FIGS.

まず、上記塗布工程及び乾燥工程を経ることによって接着フィルム１を含む接着シート１０を作製する。
（貼り合わせ工程） First, the adhesive sheet 10 containing the adhesive film 1 is produced through the said application | coating process and a drying process.
(Lamination process)

次に、図６に示されるように、接着シート１０に含まれる接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに貼り合わせる。半導体ウェハＷは、回路が形成される表面ＷＡと、表面ＷＡの反対側に位置する裏面ＷＢとを有する。高タック面Ａは、半導体ウェハＷの裏面ＷＢに貼り合わされる。貼り合わせ時の温度は１００℃以下であることが好ましい。例えば、接着シート１０の接着フィルム１上にカバーフィルムが貼り付けられている場合、カバーフィルムを剥離した後、接着フィルム１を半導体ウェハＷに貼り合わせる。   Next, as shown in FIG. 6, the high tack surface A of the adhesive film 1 included in the adhesive sheet 10 is bonded to the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W has a front surface WA on which a circuit is formed and a back surface WB located on the opposite side of the front surface WA. The high tack surface A is bonded to the back surface WB of the semiconductor wafer W. The temperature at the time of bonding is preferably 100 ° C. or lower. For example, when a cover film is affixed on the adhesive film 1 of the adhesive sheet 10, the adhesive film 1 is bonded to the semiconductor wafer W after peeling the cover film.

なお、接着シート１０に代えて接着フィルム１を用いてもよい。例えば、基材２上に接着フィルム１が形成されている場合、接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに貼り合わせた後に基材２を剥離する。続いて、接着フィルム１の低タック面Ｂとダイシングシート６の粘着剤層５とを貼り合わせる。
（ダイシング工程） Note that the adhesive film 1 may be used instead of the adhesive sheet 10. For example, when the adhesive film 1 is formed on the substrate 2, the substrate 2 is peeled after the high tack surface A of the adhesive film 1 is bonded to the semiconductor wafer W. Subsequently, the low tack surface B of the adhesive film 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 5 of the dicing sheet 6 are bonded together.
(Dicing process)

次に、図７に示されるように、例えばダイシングブレードＢＬ等の切断装置を用いて、接着フィルム１の一部を残すように、半導体ウェハＷを切断すると共に接着フィルム１に切り込みを入れる。例えば、半導体ウェハＷはダイシングされる。ここで、接着フィルムを完全に切断せず、一部を残す工法をハーフカットという。切り込みの深さは、図２に示される第１ワニス層１ａの厚さに対応していることが好ましい。半導体ウェハＷを切断することによって、複数の半導体素子Ｃが得られる。半導体素子Ｃとしては、半導体チップ等が挙げられる。接着フィルム１に切り込みを入れる場合、次工程のピックアップ工程時にダイシングシート６を拡張（エキスパンド）する、ピックアップ工程時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込み部を起点として分割することもできる。   Next, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer W is cut and cut into the adhesive film 1 so as to leave a part of the adhesive film 1 using a cutting device such as a dicing blade BL. For example, the semiconductor wafer W is diced. Here, the construction method that does not completely cut the adhesive film and leaves a part thereof is called half-cut. The depth of the cut preferably corresponds to the thickness of the first varnish layer 1a shown in FIG. By cutting the semiconductor wafer W, a plurality of semiconductor elements C are obtained. Examples of the semiconductor element C include a semiconductor chip. When cutting into the adhesive film 1, the dicing sheet 6 can be expanded (expanded) during the pickup process of the next process, and can be divided starting from the cut section by pushing up with a jig such as a push-up needle during the pickup process.

ハーフカットする際の切り込み深さは、好ましくは接着フィルム１の厚みの１／１０〜９／１０、より好ましくは１／５〜４／５、さらに好ましくは１／３〜２／３である。接着フィルム１を切断するとき、接着フィルム１の切り込みを浅くすることで切断時に発生するバリを少なくできる。その結果、半導体装置の製造歩留まりが向上する。この場合、エキスパンド時に接着フィルム１を分割するためにエキスパンド量を大きくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さを高くすることによって接着フィルム１の未切断部を分割する。接着フィルム１の切り込みを深くすることでエキスパンド量を小さくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さが低くてもダイボンディングフィルムを分割できる。   The depth of cut when half-cutting is preferably 1/10 to 9/10 of the thickness of the adhesive film 1, more preferably 1/5 to 4/5, and still more preferably 1/3 to 2/3. When the adhesive film 1 is cut, burrs generated during cutting can be reduced by making the cut of the adhesive film 1 shallow. As a result, the manufacturing yield of the semiconductor device is improved. In this case, the uncut portion of the adhesive film 1 is divided by increasing the amount of expansion in order to divide the adhesive film 1 during expansion or by increasing the push-up height during pickup. The die bonding film can be divided even if the expanded amount is reduced by deepening the cut of the adhesive film 1 or the push-up height at the time of pickup is low.

切断装置としては、一般に上市されているダイサーやブレードを使用することができる。例えば、ダイサーとしては株式会社ディスコ社製フルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが使用できる。ブレードとしては株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。また、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどのレーザを用いて半導体ウェハＷを切断してもよい。
（ピックアップ工程） As a cutting device, a commercially available dicer or blade can be used. For example, a full automatic dicing saw 6000 series or a semi-automatic dicing saw 3000 series manufactured by DISCO Corporation can be used as the dicer. As the blade, a dicing blade NBC-ZH05 series, NBC-ZH series, etc. manufactured by DISCO Corporation can be used. Further, the semiconductor wafer W may be cut using a laser such as a full automatic laser saw 7000 series manufactured by DISCO Corporation.
(Pickup process)

次に、図８に示されるように、半導体ウェハＷを切断することによって得られる半導体チップＣと、接着フィルム１を切断することによって得られる接着層７とを含む接着層付き半導体チップ８をダイシングシート６からピックアップする。これにより、切り込みを起点として接着フィルム１が切断され、半導体素子Ｃに付着した接着層７が得られる。このようにして、半導体素子Ｃと接着層７とを有する接着層付き半導体素子８が得られる。   Next, as shown in FIG. 8, the semiconductor chip 8 with the adhesive layer including the semiconductor chip C obtained by cutting the semiconductor wafer W and the adhesive layer 7 obtained by cutting the adhesive film 1 is diced. Pick up from sheet 6. Thereby, the adhesive film 1 is cut | disconnected from a notch and the contact bonding layer 7 adhering to the semiconductor element C is obtained. Thus, the semiconductor element 8 with the adhesive layer having the semiconductor element C and the adhesive layer 7 is obtained.

ダイサーでハーフカットした接着フィルム１は、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することで分割可能である。例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００などを使用することで分割可能である。   The adhesive film 1 half-cut with a dicer can be divided by using a pickup die bonder generally marketed. For example, division is possible by using flexible die bonders DB-730 and DB-700 manufactured by Renesas East Japan Semiconductor, and die bonders SPA-300 and SPA-400 manufactured by Shinkawa.

ハーフカットした接着フィルム１は、ウェハリングに貼り付けた半導体ウェハＷ、接着フィルム１、及びダイシングシート６からなる積層物においてダイシングシート６をエキスパンドすることで分割可能である。エキスパンドはウェハリング上面又は下面側からエキスパンド用リングを挿入することでなされる。ダイシングシート６のエキスパンド量はウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いで決定される。ウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いをエキスパンド量、エキスパンド用リングの挿入速度をエキスパンド速度という。   The half-cut adhesive film 1 can be divided by expanding the dicing sheet 6 in a laminate composed of the semiconductor wafer W attached to the wafer ring, the adhesive film 1, and the dicing sheet 6. The expansion is performed by inserting an expansion ring from the upper or lower surface of the wafer ring. The expanding amount of the dicing sheet 6 is determined by the difference in height between the wafer ring and the expanding ring. The difference in height between the wafer ring and the expanding ring is called the expanding amount, and the inserting speed of the expanding ring is called the expanding speed.

ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のエキスパンド量は１〜３０ｍｍが望ましく、より好ましくは２〜２０ｍｍであり、さらに好ましくは３〜１０ｍｍである。エキスパンド量が３０ｍｍを超えると、エキスパンド時にダイシングシート６が極端に伸び、裂け易くなる傾向にある。また、エキスパンド量が１ｍｍ未満では、エキスパンド時に接着フィルム１のハーフカット部分に加わる応力が小さく、接着フィルム１を分割し難くなる傾向にある。   The expanded amount when the half-cut adhesive film 1 is divided by the expand is desirably 1 to 30 mm, more preferably 2 to 20 mm, and further preferably 3 to 10 mm. When the expanded amount exceeds 30 mm, the dicing sheet 6 is extremely stretched during expansion and tends to be easily torn. Moreover, if the amount of expand is less than 1 mm, the stress applied to the half-cut portion of the adhesive film 1 during expansion is small, and the adhesive film 1 tends to be difficult to divide.

ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のエキスパンド速度は１〜５０ｍｍ／ｓが好ましく、より好ましくは３〜３０ｍｍ／ｓであり、さらに好ましくは５〜１５ｍｍ／ｓである。   The expanding speed when the half-cut adhesive film 1 is divided by expanding is preferably 1 to 50 mm / s, more preferably 3 to 30 mm / s, and still more preferably 5 to 15 mm / s.

ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のサンプル温度は、−１０〜３０℃が好ましく、より好ましくは０〜３０℃である。ただし、室温以下に設定するには、通常上市されているピックアップダイボンダーに冷却機構を追加した専用のエキスパンダーが必要となる。
（ダイボンディング工程） The sample temperature when dividing the half-cut adhesive film 1 with the expand is preferably −10 to 30 ° C., more preferably 0 to 30 ° C. However, in order to set the temperature below room temperature, a dedicated expander in which a cooling mechanism is added to a pickup die bonder that is normally marketed is required.
(Die bonding process)

次に、図９に示されるように、接着層付き半導体素子８を配線基板である支持部材９にダイボンディング（マウント）する。具体的には、接着層７が配線基板の配線に接着するようにマウントされる。このとき、加熱加圧により、接着層付き半導体素子８の接着層７が支持部材９に貼り付けられる。加熱温度は、通常２０〜２５０℃である。荷重は、通常０．０１〜２０ｋｇｆである。加熱時間は、通常０．１〜３００秒間である。接着層７は、ダイボンディング工程後に１７０℃で２時間加熱した場合に、配線間に形成される凹部を埋め込み可能である。
（ワイヤボンディング工程） Next, as shown in FIG. 9, the semiconductor element 8 with an adhesive layer is die-bonded (mounted) to a support member 9 which is a wiring board. Specifically, the adhesive layer 7 is mounted so as to adhere to the wiring of the wiring board. At this time, the adhesive layer 7 of the semiconductor element 8 with the adhesive layer is attached to the support member 9 by heat and pressure. The heating temperature is usually 20 to 250 ° C. The load is usually 0.01 to 20 kgf. The heating time is usually 0.1 to 300 seconds. The adhesive layer 7 can bury recesses formed between the wirings when heated at 170 ° C. for 2 hours after the die bonding step.
(Wire bonding process)

次に、図１０に示されるように、半導体素子Ｃの接続端子と支持部材９の接続端子とを電気的に接続するワイヤ１１を形成する。
（封止工程） Next, as shown in FIG. 10, a wire 11 that electrically connects the connection terminal of the semiconductor element C and the connection terminal of the support member 9 is formed.
(Sealing process)

次に、図１１に示されるように、半導体素子Ｃを封止する封止材１２を支持部材９上に形成する。なお、封止工程を実施しなくてもよい。   Next, as illustrated in FIG. 11, a sealing material 12 that seals the semiconductor element C is formed on the support member 9. Note that the sealing step may not be performed.

ワイヤボンディング工程及び封止工程等を経ることによって、加熱により接着層７が硬化する。その結果、接着層７は、半導体素子Ｃと支持部材９とを接続する接続層７ａとなる。このようにして、図１１に示される半導体装置２０が製造される。半導体装置２０は、半導体素子Ｃと、半導体素子Ｃに接続される支持部材９（被着体）と、接着フィルム１の硬化物からなり、半導体素子Ｃと支持部材９との間に配置される接続層７ａとを備える。半導体装置２０は、例えば半導体パッケージである。   The adhesive layer 7 is cured by heating through the wire bonding process and the sealing process. As a result, the adhesive layer 7 becomes a connection layer 7 a that connects the semiconductor element C and the support member 9. In this way, the semiconductor device 20 shown in FIG. 11 is manufactured. The semiconductor device 20 includes a semiconductor element C, a support member 9 (adhered body) connected to the semiconductor element C, and a cured product of the adhesive film 1, and is disposed between the semiconductor element C and the support member 9. And a connection layer 7a. The semiconductor device 20 is a semiconductor package, for example.

この半導体装置の製造方法によれば、第１接着剤樹脂組成物と第２接着剤樹脂組成物の組み合わせを適宜選択することによって、半導体ウェハＷの切断条件を調整できる。例えば、接着フィルム１の一方の面（第１接着剤樹脂組成物を含む）を高タック面Ａ、接着フィルム１の他方の面（第２接着剤樹脂組成物を含む）を低タック面Ｂとした場合、接着フィルム１の低タック面Ｂ側の部分を残すように接着フィルム１に切り込みを入れることによって、少ないエキスパンド量で接着フィルム１を効率よく且つ確実に分断することができる。   According to this method for manufacturing a semiconductor device, the cutting conditions of the semiconductor wafer W can be adjusted by appropriately selecting a combination of the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition. For example, one surface (including the first adhesive resin composition) of the adhesive film 1 is a high tack surface A, and the other surface (including the second adhesive resin composition) of the adhesive film 1 is a low tack surface B. In this case, the adhesive film 1 can be efficiently and reliably divided with a small amount of expansion by cutting the adhesive film 1 so as to leave a portion on the low tack surface B side of the adhesive film 1.

また、接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに低温で貼り付けることができる。また、半導体ウェハＷを切断した後に、接着フィルム１の低タック面Ｂをダイシングシート６から容易に剥離することができる。その結果、例えば半導体ウェハＷをダイシングした後に、得られる半導体チップＣをダイシングシート６から容易にピックアップすることができる。さらに、厚み１００μｍ以下の極薄半導体ウェハＷに対して接着フィルム１を用いると、半導体素子Ｃの製造歩留まり向上が可能である。   Further, the high tack surface A of the adhesive film 1 can be attached to the semiconductor wafer W at a low temperature. Further, after cutting the semiconductor wafer W, the low tack surface B of the adhesive film 1 can be easily peeled off from the dicing sheet 6. As a result, for example, after the semiconductor wafer W is diced, the obtained semiconductor chip C can be easily picked up from the dicing sheet 6. Furthermore, when the adhesive film 1 is used for the ultrathin semiconductor wafer W having a thickness of 100 μm or less, the manufacturing yield of the semiconductor element C can be improved.

図１２は、別の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。図１２に示される半導体装置２０Ａは、半導体装置２０の構成に加えて、半導体素子Ｃ、接続層７ａ、ワイヤ１１、及びバンプ１３を更に備える。更なる半導体素子Ｃは、更なる接続層７ａを介して半導体素子Ｃ上に設けられている。更なるワイヤ１１は、更なる半導体素子Ｃの接続端子と支持部材９の接続端子とを電気的に接続している。バンプ１３は、支持部材９の裏面に形成されている。半導体装置２０では、複数の半導体素子Ｃが重なっている。   FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor device according to another embodiment. A semiconductor device 20A shown in FIG. 12 further includes a semiconductor element C, a connection layer 7a, wires 11, and bumps 13 in addition to the configuration of the semiconductor device 20. A further semiconductor element C is provided on the semiconductor element C via a further connection layer 7a. The further wire 11 electrically connects the connection terminal of the further semiconductor element C and the connection terminal of the support member 9. The bumps 13 are formed on the back surface of the support member 9. In the semiconductor device 20, a plurality of semiconductor elements C are overlapped.

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、３種類以上の接着剤樹脂組成物を重ねて塗布した後に乾燥させることによって接着フィルム１を形成してもよい。また、接着フィルム１は粘着剤を含有してもよい。さらに、接着フィルム１の低タック面Ｂ上に粘着層を形成してもよい。また、接着フィルム１の低タック面Ｂを半導体ウェハＷに貼り合わせてもよい。また、接着フィルム１を半導体ウェハＷの表面ＷＡに貼り付けてもよい。その場合、ＩＲカメラを実装したダイサーを用いることによって、半導体ウェハＷの裏面ＷＢから切断すべき位置が認識可能になる。
（実施例） As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment. For example, you may form the adhesive film 1 by drying, after apply | coating 3 or more types of adhesive resin compositions in piles. Moreover, the adhesive film 1 may contain an adhesive. Furthermore, an adhesive layer may be formed on the low tack surface B of the adhesive film 1. Further, the low tack surface B of the adhesive film 1 may be bonded to the semiconductor wafer W. Alternatively, the adhesive film 1 may be attached to the surface WA of the semiconductor wafer W. In that case, a position to be cut from the back surface WB of the semiconductor wafer W can be recognized by using a dicer equipped with an IR camera.
(Example)

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（ワニス１） EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.
(Varnish 1)

温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、表１のワニス１に示されるジアミン及びＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を、６０℃にて撹拌、溶解した。   In a 500 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer and a calcium chloride tube, the diamine and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) shown in Varnish 1 of Table 1 were stirred and dissolved at 60 ° C.

ジアミンの溶解後、表１のワニス１に示される酸無水物を少量ずつ添加した。６０℃で１時間反応させた後、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃で加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。水を除去してポリイミドの溶液を得た。 After dissolution of the diamine, acid anhydrides shown in varnish 1 of Table 1 were added in small portions. After reacting at 60 ° C. for 1 hour, the mixture was heated at 170 ° C. while blowing N 2 gas to remove water azeotropically with a part of the solvent. Water was removed to obtain a polyimide solution.

得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して２５質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対して３質量％となるように加え、良く混錬してワニス１を得た。
（ワニス２） In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei) and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)] with respect to 100 parts by mass of polyimide. 2 parts by mass of -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added. Furthermore, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is added to 25% by mass with respect to the total mass of solids, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is added to 3% by mass with respect to the total mass of solids. The varnish 1 was obtained by kneading.
(Varnish 2)

ポリイミドを合成する際の原料及びその配合比を表１のワニス２に示す各組成（質量部）に変更したこと以外はワニス１と同様にして、ポリイミドの溶液を得た。   A polyimide solution was obtained in the same manner as in the varnish 1 except that the raw materials for synthesizing the polyimide and the blending ratio thereof were changed to the respective compositions (parts by mass) shown in the varnish 2 of Table 1.

得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して１２質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対して３質量％となるように加え、良く混錬してワニス２を得た。
（ワニス３） In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei) and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)] with respect to 100 parts by mass of polyimide. 2 parts by mass of -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added. Further, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is added to 12% by mass with respect to the total mass of the solid content, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is added to 3% by mass with respect to the total mass of the solid content. The varnish 2 was obtained by kneading.
(Varnish 3)

ポリイミドを合成する際の原料及びその配合比を表１のワニス３に示す各組成（質量部）に変更したこと以外はワニス１と同様にして、ポリイミドの溶液を得た。   A polyimide solution was obtained in the same manner as in the varnish 1 except that the raw materials for synthesizing the polyimide and the mixing ratio thereof were changed to the respective compositions (parts by mass) shown in the varnish 3 of Table 1.

得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して１２質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対して３質量％となるように加え、良く混錬してワニス３を得た。   In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei) and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)] with respect to 100 parts by mass of polyimide. 2 parts by mass of -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added. Further, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is added to 12% by mass with respect to the total mass of solids, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is added to 3% by mass with respect to the total mass of solids. The varnish 3 was obtained by kneading.

Figure 2009302497
Figure 2009302497

表１中、原料の略号は以下の酸無水物又はジアミンを示す。配合比の単位は質量部である。
（酸無水物）
ＯＤＰＡ：４，４’−オキシジフタル酸二無水物（マナック社製）
ＤＢＴＡ：１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）（黒金化成製）
ＢＰＡＤＡ：２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（黒金化成製）
（ジアミン）
ＬＰ７１００：１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学社製）
Ｂ１２：４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン（ＢＡＳＦ社製）
Ｄ２０００：ポリオキシプロピレンジアミン２０００（ＢＡＳＦ社製）
ＢＡＰＰ：２，２ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン（和歌山精化工業社製）
（実施例１） In Table 1, the abbreviations for raw materials indicate the following acid anhydrides or diamines. The unit of the blending ratio is part by mass.
(Acid anhydride)
ODPA: 4,4′-oxydiphthalic dianhydride (manac)
DBTA: 1,10- (decamemethylene) bis (trimellitate dianhydride) (manufactured by Kurokin Kasei)
BPADA: 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride (manufactured by Kurokin Kasei)
(Diamine)
LP7100: 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
B12: 4,9-dioxadecane-1,12-diamine (manufactured by BASF)
D2000: Polyoxypropylenediamine 2000 (manufactured by BASF)
BAPP: 2,2bis- (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (manufactured by Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd.)
(Example 1)

調合したワニス１を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した後にワニス２を塗布した。その後、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、総厚２５μｍの実施例１の接着フィルムを作製した。なお、乾燥後の膜厚が８μｍとなるようにワニス１の塗布量を調整し、乾燥後の膜厚が１７μｍとなるようにワニス２の塗布量を調整した。
（実施例２） The prepared varnish 1 was applied onto a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film A31) that had been subjected to a release treatment, and then varnish 2 was applied. Thereafter, the adhesive film of Example 1 having a total thickness of 25 μm was produced by heating at 80 ° C. for 30 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes. The coating amount of varnish 1 was adjusted so that the film thickness after drying was 8 μm, and the coating amount of varnish 2 was adjusted so that the film thickness after drying was 17 μm.
(Example 2)

調合したワニス１を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した後にワニス３を塗布した。その後、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、総厚２５μｍの実施例２の接着フィルムを作製した。なお、乾燥後の膜厚が８μｍとなるようにワニス１の塗布量を調整し、乾燥後の膜厚が１７μｍとなるようにワニス３の塗布量を調整した。
（比較例１） The prepared varnish 1 was applied onto a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film A31) that had been subjected to a release treatment, and then varnish 3 was applied. Thereafter, the adhesive film of Example 2 having a total thickness of 25 μm was produced by heating at 80 ° C. for 30 minutes and subsequently at 120 ° C. for 30 minutes. In addition, the coating amount of the varnish 1 was adjusted so that the film thickness after drying might be 8 micrometers, and the coating amount of the varnish 3 was adjusted so that the film thickness after drying might be 17 micrometers.
(Comparative Example 1)

調合したワニス１を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、厚さ２５μｍの比較例１の接着フィルムを作製した。
（比較例２） The prepared varnish 1 was applied onto a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film A31) having a thickness of 50 μm, which had been subjected to a release treatment, and heated at 80 ° C. for 30 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes. An adhesive film was prepared.
(Comparative Example 2)

調合したワニス２を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、厚さ２５μｍの比較例２の接着フィルムを作製した。
（比較例３） The prepared varnish 2 was coated on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film A31) having a thickness of 50 μm, and heated at 80 ° C. for 30 minutes, then at 120 ° C. for 30 minutes, and Comparative Example 2 having a thickness of 25 μm. An adhesive film was prepared.
(Comparative Example 3)

調合したワニス３を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、厚さ２５μｍの比較例３の接着フィルムを作製した。
（タック強度） The prepared varnish 3 was coated on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film A31) having a thickness of 50 μm, and heated at 80 ° C. for 30 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes, and Comparative Example 3 having a thickness of 25 μm. An adhesive film was prepared.
(Tack strength)

実施例１、２及び比較例１〜３の接着フィルムのタック強度はタッキング試験器（株式会社レスカ社製 タッキング試験器）を用い、押し込み速度：２ｍｍ／ｓｅｃ、引き上げ速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ２、停止時間：１秒の条件にて、５．１ｍｍφのＳＵＳ３０４に対するタック強度を測定し求めた。高タック面（半導体ウェハへ貼り付ける面）のタック強度をＦＡ、低タック面（ダイシングシートに貼り付ける面）のタック強度をＦＢとした。結果を表２に示した。
（ラミネート性） The tack strength of the adhesive films of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 was determined using a tacking tester (Tacking Tester manufactured by Reska Co., Ltd.), pushing speed: 2 mm / sec, pulling speed: 10 mm / sec, stop load. The tack strength for 5.1 mmφ SUS304 was measured and determined under the conditions of: 100 gf / cm 2 and stop time: 1 second. The tack strength of the high tack surface (surface attached to the semiconductor wafer) was FA, and the tack strength of the low tack surface (surface attached to the dicing sheet) was FB. The results are shown in Table 2.
(Laminate)

実施例１、２及び比較例１〜３の接着フィルムを直径２１０ｍｍに切り抜き、電気化学工業社製Ｔ−８０ＭＷ（８０μｍ）上に株式会社ＪＣＭ社製ＤＭ−３００−Ｈを用いて室温（２５℃）で貼り合わせた。なお、実施例１の接着フィルムに関しては、ワニス２から形成された面（低タック面）とダイシングシートを貼り合わせた。実施例２の接着フィルムに関しては、ワニス３から形成された面（低タック面）をダイシングシートと貼り合わせた。また、比較例１〜３の接着フィルムに関しては、塗工時の開放面（ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側）をダイシングシートと貼り合わせた。   The adhesive films of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were cut out to a diameter of 210 mm and room temperature (25 ° C.) using DM-300-H manufactured by JCM Corporation on T-80MW (80 μm) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. ). In addition, about the adhesive film of Example 1, the surface (low tack surface) formed from the varnish 2 and the dicing sheet were bonded together. Regarding the adhesive film of Example 2, the surface (low tack surface) formed from the varnish 3 was bonded to the dicing sheet. Moreover, about the adhesive film of Comparative Examples 1-3, the open surface at the time of coating (the reverse side of a polyethylene terephthalate film) was bonded together with the dicing sheet.

接着フィルムとダイシングシートからなる積層品に２００μｍ厚の半導体ウェハを４０℃でラミネートし、ラミネート性を評価した。ラミネートは株式会社ＪＣＭ社製ＤＭ−３００−Ｈを用い、貼り付けが可能であった場合を良好、半導体ウェハ裏面に接着フィルムが貼付かなかった場合を不良とした。結果を表２に示した。
（ピックアップ性） A 200 μm-thick semiconductor wafer was laminated at 40 ° C. to a laminate comprising an adhesive film and a dicing sheet, and the laminating property was evaluated. The laminate used DM-300-H manufactured by JCM Co., Ltd., and the case where the bonding was possible was good, and the case where the adhesive film was not attached to the back surface of the semiconductor wafer was regarded as defective. The results are shown in Table 2.
(Pickup property)

実施例１、２及び比較例１〜３の接着フィルムとダイシングシートからなる積層品に５０μｍ厚の半導体ウェハを６０℃又は８０℃でラミネートし、半導体ウェハ、接着フィルム及びダイシングシートからなる積層品を得た。ラミネート時の熱板表面温度を、実施例１、２及び比較例１では６０℃、比較例２、３では８０℃に設定した。   A laminated product composed of the adhesive film of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 and a dicing sheet was laminated with a semiconductor wafer having a thickness of 50 μm at 60 ° C. or 80 ° C., and the laminated product composed of the semiconductor wafer, the adhesive film, and the dicing sheet. Obtained. The hot plate surface temperature during lamination was set to 60 ° C. in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, and to 80 ° C. in Comparative Examples 2 and 3.

株式会社ディスコ社製フルオートダイサーＤＦＤ−６３６１を用いて、半導体ウェハ、接着フィルム及びダイシングシートからなる積層品を切断した。切断はブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式で行った。ブレードとして株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓの条件にて切断を行った。切断時のブレードハイトは接着フィルムを１０μｍ残す設定（９０μｍ）とした。半導体ウェハを切断するサイズは１０×１０ｍｍとした。その後、エキスパンドにより接着フィルムを完全に切断した。   Using a full auto dicer DFD-6361 manufactured by DISCO Corporation, a laminated product composed of a semiconductor wafer, an adhesive film and a dicing sheet was cut. Cutting was performed by a single cut method in which processing was completed with one blade. A dicing blade NBC-ZH104F-SE 27HDBB manufactured by DISCO Corporation was used as a blade, and cutting was performed under conditions of a blade rotation speed of 45,000 rpm and a cutting speed of 50 mm / s. The blade height at the time of cutting was set to leave 10 μm of the adhesive film (90 μm). The size for cutting the semiconductor wafer was 10 × 10 mm. Thereafter, the adhesive film was completely cut by expanding.

続いて、ダイシングにより得られた半導体チップのピックアップ性について、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットとしてマイクロメカニクス社製ＲＵＢＢＥＲ ＴＩＰ １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）を用い、突上げピンとしてマイクロメカニクス社製ＥＪＥＣＴＯＲ ＮＥＥＤＬＥ ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）を用いた。突上げピンは、ピン中心間隔を４．２ｍｍとして９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度：１０ｍｍ／ｓ、突上げ高さ：１０００μｍの条件でピックアップ性を評価した。連続１００チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス等が発生しない場合を良好、１チップでもチップ割れ、ピックアップミス等が発生した場合を不良とした。結果を表２に示した。   Subsequently, the pick-up property of the semiconductor chip obtained by dicing was evaluated using a flexible die bonder DB-730 manufactured by Renesas East Japan Semiconductor. Micromechanics RUBBER TIP 13-087E-33 (size: 10 × 10 mm) was used as the pick-up collet, and micromechanics EJECTOR NEEDLE SEN2-83-05 (diameter: 0.7 mm, tip) Shape: semicircle with a diameter of 350 μm) was used. Nine push-up pins were arranged with a pin center interval of 4.2 mm. The pick-up property was evaluated under the conditions of a pin push-up speed during pick-up: 10 mm / s and a push-up height: 1000 μm. 100 consecutive chips were picked up, and a case where chip cracks, pickup mistakes, etc. did not occur was good. The results are shown in Table 2.

Figure 2009302497
Figure 2009302497

比較例２では４０℃でラミネートできなかったので、８０℃でラミネートしてピックアップ性を評価した。比較例３ではラミネートできなかった。実施例１、２の接着フィルムでは、４０℃でのウェハラミネート性及びピックアップ性の両方が良好であった。   In Comparative Example 2, lamination could not be performed at 40 ° C., and thus the pick-up property was evaluated by laminating at 80 ° C. In Comparative Example 3, lamination could not be performed. In the adhesive films of Examples 1 and 2, both the wafer laminating property and the pickup property at 40 ° C. were good.

接着フィルムを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows an adhesive film typically. 接着フィルムの製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of an adhesive film typically. 接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the laminated body containing an adhesive film. 接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the laminated body containing an adhesive film. 接着シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows an adhesive sheet typically. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. 半導体装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows a semiconductor device typically.

符号の説明Explanation of symbols

１…接着フィルム、２…基材、４…基材フィルム、５…粘着剤層、６…ダイシングシート、７ａ…接続層、９…支持部材（被着体）、１０…接着シート、２０，２０Ａ…半導体装置、Ａ…高タック面（一方の面）、Ｂ…低タック面（他方の面）、Ｃ…半導体素子、Ｗ…半導体ウェハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive film, 2 ... Base material, 4 ... Base material film, 5 ... Adhesive layer, 6 ... Dicing sheet, 7a ... Connection layer, 9 ... Support member (adhered body), 10 ... Adhesive sheet, 20, 20A ... Semiconductor device, A ... High tack surface (one surface), B ... Low tack surface (the other surface), C ... Semiconductor element, W ... Semiconductor wafer.

Claims (3)

第１接着剤樹脂組成物を含む第１ワニスと前記第１接着剤樹脂組成物とは異なる第２接着剤樹脂組成物を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後、前記第１ワニス及び前記第２ワニスを乾燥することによって前記基材上に接着フィルムを形成する乾燥工程と、
前記接着フィルムに半導体ウェハを貼り付ける貼付工程と、
前記接着フィルムの一部を残すように、前記半導体ウェハを切断すると共に前記接着フィルムに切り込みを入れる切断工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 An application step of applying a first varnish containing a first adhesive resin composition and a second varnish containing a second adhesive resin composition different from the first adhesive resin composition on a substrate;
After the coating step, a drying step of forming an adhesive film on the substrate by drying the first varnish and the second varnish;
An attaching step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive film;
A cutting step of cutting the semiconductor wafer and cutting the adhesive film so as to leave a part of the adhesive film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記第２接着剤樹脂組成物からなるフィルムが、５％未満の引張破断伸度を有し該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の１１０％未満である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。   The semiconductor according to claim 1, wherein the film made of the second adhesive resin composition has a tensile elongation at break of less than 5%, and the tensile elongation at break is less than 110% of the elongation at maximum load. Device manufacturing method. 前記接着フィルムが熱硬化性樹脂を含有する、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive film contains a thermosetting resin.
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