JP2009298912A - Base material having bonding film, method for bonding, and bonded body - Google Patents

Base material having bonding film, method for bonding, and bonded body Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base material having a bonding film capable of bonding to an adherend firmly with high dimensional accuracy and efficiently at low temperature; to provide a method to bond the base material having a bonding film to other adherend efficiently at low temperature; and to provide a highly reliable bonded body comprising the base material having a bonding film and an adherend bonded firmly to each other with high dimensional accuracy. <P>SOLUTION: The present base material having a bonding film 1 includes a substrate 2 and a bonding film 3 provided on the substrate 2 and containing a silicone material and an energy beam absorbing material 4 absorbing energy beams. Upon irradiation with an energy beam, such bonding film 3 will develop adhesion to other adherend and the energy beam absorbing material 4 contained in the bonding film 3 will partly absorb the energy beam and generate heat, thus enhancing adhesion developed in the bonding film 3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、接合膜付き基材、接合方法および接合体に関するものである。   The present invention relates to a substrate with a bonding film, a bonding method, and a bonded body.

2つの部材(基材)同士を接合(接着)する際には、従来、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤を用いて行う方法が多く用いられている。
接着剤は、部材の材質によらず、接着性を示すことができる。このため、種々の材料で構成された部材同士を、様々な組み合わせで接着することができる。
例えば、インクジェットプリンタが備える液滴吐出ヘッド(インクジェット式記録ヘッド)は、樹脂材料、金属材料、シリコン系材料等の異種材料で構成された部品同士を、接着剤を用いて接着することにより組み立てられている。
このように接着剤を用いて部材同士を接着する際には、液状またはペースト状の接着剤を接着面に塗布し、塗布された接着剤を介して部材同士を貼り合わせる。その後、熱または光の作用により接着剤を硬化させることにより、部材同士を接着する。
When joining (adhering) two members (base materials), conventionally, a method of using an adhesive such as an epoxy adhesive, a urethane adhesive, or a silicone adhesive is often used.
The adhesive can exhibit adhesiveness regardless of the material of the member. For this reason, members composed of various materials can be bonded in various combinations.
For example, a droplet discharge head (inkjet recording head) provided in an inkjet printer is assembled by bonding parts made of different materials such as a resin material, a metal material, and a silicon material using an adhesive. ing.
When the members are bonded together using the adhesive as described above, a liquid or paste adhesive is applied to the bonding surface, and the members are bonded together via the applied adhesive. Thereafter, the adhesive is cured by the action of heat or light to bond the members together.

ところが、このような接着剤では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・寸法精度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
また、多くの場合、接着強度を高めるためにプライマーを用いる必要があり、そのためのコストと手間が接着工程の高コスト化・複雑化を招いている。
However, such an adhesive has the following problems.
・ Low bonding strength ・ Low dimensional accuracy ・ Long curing time, so it takes a long time to bond In addition, in many cases, it is necessary to use a primer to increase the bonding strength. Cost and complexity.

一方、接着剤を用いない接合方法として、固体接合による方法がある。
固体接合は、接着剤等の中間層が介在することなく、部材同士を直接接合する方法である(例えば、特許文献1参照)。
このような固体接合によれば、接着剤のような中間層を用いないので、寸法精度の高い接合体を得ることができる。
On the other hand, there is a solid bonding method as a bonding method that does not use an adhesive.
Solid bonding is a method of directly bonding members without an intermediate layer such as an adhesive (see, for example, Patent Document 1).
According to such solid bonding, since an intermediate layer such as an adhesive is not used, a bonded body with high dimensional accuracy can be obtained.

しかしながら、固体接合には、以下のような問題がある。
・接合される部材の材質に制約がある
・接合プロセスにおいて高温(例えば、700〜800℃程度)での熱処理を伴う
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる
このような問題を受け、接合に供される部材の材質によらず、部材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合する方法が求められている。
However, solid bonding has the following problems.
-There are restrictions on the material of the members to be joined-In the joining process, heat treatment is performed at a high temperature (for example, about 700 to 800 ° C)-The atmosphere in the joining process is limited to a reduced pressure atmosphere. There is a need for a method of joining members firmly with high dimensional accuracy and efficiently at low temperatures regardless of the material of the provided members.

特開平5−82404号公報JP-A-5-82404

本発明の目的は、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率良く接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材と他の被着体とを、低温下で効率良く接合する接合方法、および、前記接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate with a bonding film provided with a bonding film that can be firmly bonded to an adherend with high dimensional accuracy and efficiently at a low temperature, the substrate with the bonding film, and the like. A bonding method for efficiently bonding the adherend to each other at a low temperature, and a highly reliable bonded body in which the substrate with the bonding film and the adherend are firmly bonded with high dimensional accuracy. There is.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合膜付き基材は、基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、さらに、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記他の被着体との接着性が促進されるものであることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材が得られる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The substrate with a bonding film of the present invention comprises a substrate and
A bonding film that is provided on the substrate, contains a silicone material, and exhibits adhesiveness to other adherends by irradiation with energy rays;
The bonding film further has an adhesive property with the other adherend due to heat generation due to absorption of the energy rays in the energy ray absorbing material by adding an energy ray absorbing material that absorbs the energy rays. It is characterized by being promoted.
Thereby, the base material with a bonding film provided with the bonding film which can be firmly bonded to the adherend with high dimensional accuracy and efficiently at a low temperature is obtained.

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、前記シリコーン材料と、前記エネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を前記基材上に供給することにより液状被膜を形成し、前記液状被膜を乾燥することにより形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜中にエネルギー線吸収物質をより均一に分散させることができる。そのため、接合膜は、エネルギー線が照射されることにより、より確実に被着体に対する接着性が発現するものとなる。また、比較的少量のエネルギー線照射によっても確実にかかる接着性が発現するため、より省エネルギーで、接合膜付き基材を被着体に接合することができる。また、接合膜表面の平滑性が特に高いものとなり、接合膜付き基材を被着体に、より高い寸法精度で接合することができる。
In the substrate with the bonding film of the present invention, the bonding film forms a liquid film by supplying a liquid material containing the silicone material and the energy ray absorbing substance onto the substrate, and the liquid film It is preferable that it is formed by drying.
Thereby, the energy ray absorbing substance can be more uniformly dispersed in the bonding film. For this reason, the bonding film is more reliably developed to adhere to the adherend when irradiated with energy rays. Further, since the adhesiveness is surely exhibited even by irradiation with a relatively small amount of energy rays, the substrate with the bonding film can be bonded to the adherend with more energy saving. Further, the smoothness of the bonding film surface is particularly high, and the substrate with the bonding film can be bonded to the adherend with higher dimensional accuracy.

本発明の接合膜付き基材では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材を構成する接合膜は、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が特に優れたものとなる。
本発明の接合膜付き基材では、前記シリコーン材料は、シラノール基を有することが好ましい。
これにより、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、シラノール基の反応性がより向上し、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになり、得られる接合膜の膜強度が特に優れたものとなる。
In the base material with a bonding film of the present invention, it is preferable that the main skeleton of the silicone material is composed of polydimethylsiloxane.
Thereby, as for the bonding film which comprises a base material with a bonding film, the hydroxyl groups which adjacent silicone materials have will couple | bond together, and the film | membrane intensity | strength of the bonding film obtained will become especially excellent.
In the base material with a bonding film of the present invention, the silicone material preferably has a silanol group.
As a result, when the liquid film is dried to obtain a bonding film, the reactivity of the silanol groups is further improved, and the bonding between the hydroxyl groups of adjacent silicone materials can be performed more smoothly, and the resulting bonding film The film strength is particularly excellent.

本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線吸収物質は、酸化チタン、酸化セリウム、インジウム錫酸化物(ITO)、およびカーボンブラックのうちの少なくとも1種の材料を構成成分として含むものであることが好ましい。
これにより、接合膜は、より少量のエネルギー線照射によって、より確実に被着体に対する接着性が発現するものとなる。結果として、より省エネルギーで接合膜付き基材を被着体に接合することができる。また、接合膜中に、このような材料で構成されたエネルギー線吸収物質を含むことにより、接合膜の耐熱性、耐候性、および寸法安定性がさらに優れたものとなる。
In the base material with a bonding film of the present invention, the energy ray absorbing substance includes at least one material selected from titanium oxide, cerium oxide, indium tin oxide (ITO), and carbon black as a constituent component. preferable.
As a result, the bonding film is more reliably developed to adhere to the adherend when irradiated with a smaller amount of energy rays. As a result, the substrate with the bonding film can be bonded to the adherend with more energy saving. In addition, by including an energy ray absorbing material composed of such a material in the bonding film, the heat resistance, weather resistance, and dimensional stability of the bonding film are further improved.

本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線吸収物質は、粒子状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜にエネルギー線を付与した際に、接合膜に効率良く接着性を発現させることができる。
本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線吸収性物質の平均粒径は、100〜1000nmであることが好ましい。
これにより、接合膜にエネルギー線を照射した際に、接合膜により効率良く接着性を発現させることができる。また、このような接合膜は、接合膜中のエネルギー線吸収物質の含有量を調整することにより、容易に、光透過性を制御することができるものとなる。
In the base material with a bonding film of the present invention, the energy ray absorbing substance is preferably in the form of particles.
Thereby, when energy rays are applied to the bonding film, the bonding film can efficiently exhibit adhesiveness.
In the base material with a bonding film of the present invention, the average particle diameter of the energy ray absorbing substance is preferably 100 to 1000 nm.
Thereby, when an energy ray is irradiated to a bonding film, adhesiveness can be efficiently expressed by the bonding film. Further, such a bonding film can easily control the light transmittance by adjusting the content of the energy ray absorbing substance in the bonding film.

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜の平均厚さをT[nm]、前記エネルギー線吸収物質の平均粒径をL[nm]としたとき、1.5≦T/L≦10の関係を満足することが好ましい。
これにより、接合膜の被着体との接合面を十分に平滑なものとすることができる。その結果、接合膜付き基材を被着体に対して、特に高い寸法精度で強固に接合することができる。
In the substrate with a bonding film of the present invention, when the average thickness of the bonding film is T [nm] and the average particle diameter of the energy ray absorbing material is L [nm], 1.5 ≦ T / L ≦ 10. It is preferable to satisfy this relationship.
As a result, the bonding surface of the bonding film with the adherend can be made sufficiently smooth. As a result, the substrate with the bonding film can be firmly bonded to the adherend with particularly high dimensional accuracy.

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜中における前記エネルギー線吸収物質の含有率は、1〜30wt%であることが好ましい。
これにより、接合膜にエネルギー線を付与した際に、接合膜により効率良く接着性を発現させることができる。
本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線は、紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材を、被着体に対して、より強固に接合することができる。また、本発明において、接合膜は、比較的短時間の紫外線照射によって、好適に接着性を発現することができ、より省エネルギーで接合膜付き基材を被着体に接合することができる。
In the base material with a bonding film of the present invention, the content rate of the energy ray absorbing substance in the bonding film is preferably 1 to 30 wt%.
Thereby, when an energy beam is applied to the bonding film, the bonding film can efficiently exhibit adhesiveness.
In the base material with a bonding film of the present invention, the energy beam is preferably ultraviolet light.
Thereby, a base material with a joining film can be joined to an adherend more firmly. In the present invention, the bonding film can suitably exhibit adhesiveness by irradiation with ultraviolet rays for a relatively short time, and the substrate with the bonding film can be bonded to the adherend with more energy saving.

本発明の接合膜付き基材は、基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が、部分的に添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記他の被着体との接着性が促進されるものであり、
前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含む部分と、前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含まない部分とは、前記被着体に対する接合強度が互いに異なるものであることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、高い寸法精度で接合されるとともに、被着体との接合箇所に応じて接合強度が調整された接合膜付き基材を提供することができる。
The substrate with a bonding film of the present invention comprises a substrate and
A bonding film that is provided on the substrate, contains a silicone material, and exhibits adhesiveness to other adherends by irradiation with energy rays;
In the bonding film, when an energy ray absorbing material that absorbs the energy rays is partially added, heat generated by absorption of the energy rays in the energy ray absorbing material is caused in the portion including the energy ray absorbing material. Adhesion with the other adherend is promoted,
The portion of the bonding film that includes the energy ray absorbing substance and the portion of the bonding film that does not include the energy ray absorbing substance have different bonding strengths to the adherend.
Thereby, while joining with a high dimensional accuracy with respect to a to-be-adhered body, the base material with a joining film by which joining strength was adjusted according to the joining location with a to-be-adhered body can be provided.

本発明の接合方法は、基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記接合膜の接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、基材を、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる。
The bonding method of the present invention includes a step of preparing a substrate and an adherend,
A liquid film is formed on the substrate by supplying a liquid material containing a silicone material and an energy ray absorbing substance that absorbs energy rays, and then the liquid film is dried to form a bonding film. Process,
By irradiating the bonding film with the energy beam, the bonding film exhibits adhesiveness, and the heat generated by the absorption of the energy beam in the energy beam absorbing material promotes the bonding film adhesion, And a step of obtaining a joined body in which the base material and the adherend are joined via a joining film.
Thereby, the base material can be firmly bonded to the adherend with high dimensional accuracy and efficiently at a low temperature.

本発明の接合方法は、基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加えて、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記被着体との接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、基材を、被着体に対して、高い寸法精度、かつ低温下で効率よく接合することができるとともに、基材と被着体との接合強度を容易に調整することができる。
本発明の接合体は、本発明の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、接合膜付き基材が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を得ることができる。
The bonding method of the present invention includes a step of preparing a substrate and an adherend,
A liquid film is formed on the substrate by supplying a liquid material containing a silicone material and a liquid material containing an energy ray absorbing substance that absorbs energy rays in addition to the silicone material to different regions. And then drying the liquid film to form a bonding film;
By irradiating the bonding film with the energy beam, the bonding film is made to exhibit adhesiveness, and heat generated by absorption of the energy beam in the energy beam absorbing material causes the covering in the portion including the energy beam absorbing material. A step of promoting adhesion with an adherend and obtaining a joined body in which the substrate and the adherend are joined via the joining film.
Thereby, while being able to join a base material with a high dimensional accuracy and low temperature efficiently to a to-be-adhered body, the joining strength of a base material and a to-be-adhered body can be adjusted easily.
The joined body of the present invention has the base material with the joined film of the present invention and an adherend,
These are bonded through the bonding film.
Thereby, it is possible to obtain a highly reliable bonded body in which the substrate with the bonding film is firmly bonded to the adherend with high dimensional accuracy.

以下、本発明の接合膜付き基材、接合方法および接合体を、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板(他の被着体)とを接合する接合方法、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第1実施形態について説明する。
図1は、本発明の接合膜付き基材の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)、図2、図3は、本実施形態の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図1ないし図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Hereinafter, the base material with a bonding film, the bonding method, and the bonded body of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<First Embodiment>
First, each base material with a bonding film of the present invention, a bonding method for bonding the base material with a bonding film and a counter substrate (another adherend), and a bonded body including the base material with a bonding film of the present invention. One embodiment will be described.
FIG. 1 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a first embodiment of a substrate with a bonding film of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are bonded using the substrate with a bonding film of the present embodiment. It is a figure (longitudinal section) for explaining a 1st embodiment of a joining method which joins a substrate with a film and a counter substrate. In the following description, the upper side in FIGS. 1 to 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下では、まず、本発明の接合膜付き基材の第1実施形態について説明する。
図1に示す接合膜付き基材1は、板状をなす基板(基材)2と、基板2上に設けられた接合膜3とを有している。この接合膜付き基材1は、他の被着体に、接合膜3を介して基板2を接合して用いられる。
基板2は、他の被着体に対して、接合膜3を介して接合されるものである。
Below, 1st Embodiment of the base material with a bonding film of this invention is described first.
A base material 1 with a bonding film shown in FIG. 1 includes a substrate (base material) 2 having a plate shape and a bonding film 3 provided on the substrate 2. The substrate 1 with a bonding film is used by bonding the substrate 2 to another adherend through the bonding film 3.
The substrate 2 is bonded to another adherend through the bonding film 3.

このような基板2の構成材料は、それぞれ特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルペンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Smのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物(ITO)、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、MgAl、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の1種または2種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。 The constituent materials of the substrate 2 are not particularly limited, but polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, polybutene-1, ethylene- Polyolefin such as vinyl acetate copolymer (EVA), cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide, polycarbonate, poly- (4-methylpentene-1), ionomer, Acrylic resin, polymethyl methacrylate (PMMA), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS resin), acrylonitrile-styrene copolymer (AS resin), butadiene-styrene copolymer, polyoxymethyl , Polyvinyl alcohol (PVA), ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate (PBT), polyester such as polycyclohexane terephthalate (PCT), polyether, poly Ether ketone (PEK), polyether ether ketone (PEEK), polyether imide, polyacetal (POM), polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polysulfone, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyarylate, aromatic polyester (liquid crystal polymer) , Polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluororesins, styrene, polyolefin, polyvinyl chloride Various thermoplastic elastomers such as polyurethane, polyester, polyamide, polybutadiene, trans polyisoprene, fluororubber, chlorinated polyethylene, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, aramid resin, unsaturated Polyester, silicone resin, polyurethane, etc., or resin materials such as copolymers, blends, polymer alloys, etc., Fe, Ni, Co, Cr, Mn, Zn, Pt, Au, Ag, Cu, Pd , Al, W, Ti, V, Mo, Nb, Zr, Pr, Nd, Sm, or alloys containing these metals, carbon steel, stainless steel, indium tin oxide (ITO), gallium arsenide Silicon-based materials such as metallic materials, single crystal silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon Materials, glass materials such as silicate glass (quartz glass), alkali silicate glass, soda lime glass, potash lime glass, lead (alkali) glass, barium glass, borosilicate glass, alumina, zirconia, MgAl 2 O 4 , Ferrite, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, titanium nitride, silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, a carbonaceous material such as tungsten carbide, a carbonaceous material such as graphite, or one or each of these materials The composite material etc. which combined 2 or more types are mentioned.

また、基板2は、その表面に、Niめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
また、基板(基材)2の形状は、接合膜3を支持する面を有するような形状であればよく、板状のものに限定されない。すなわち、基材の形状は、例えば、塊状(ブロック状)、棒状等であってもよい。
Further, the surface of the substrate 2 may be subjected to a plating treatment such as Ni plating, a passivation treatment such as a chromate treatment, or a nitriding treatment.
Further, the shape of the substrate (base material) 2 may be any shape that has a surface for supporting the bonding film 3 and is not limited to a plate shape. That is, the shape of the substrate may be, for example, a block shape (block shape) or a rod shape.

なお、本実施形態では、基板2が板状をなしていることから、基板2が撓み易くなり、基板2は、対向基板5の形状に沿って十分に変形可能なものとなるため、これらの密着性がより高くなる。また、接合膜付き基材1において、基板2と接合膜3との密着性が高くなるとともに、基板2が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。
この場合、基板2の平均厚さは、特に限定されないが、0.01〜10mm程度であるのが好ましく、0.1〜3mm程度であるのがより好ましい。なお、後述する対向基板(他の被着体)5の平均厚さも、前述した基板2の平均厚さと同様の範囲内であるのが好ましい。
In the present embodiment, since the substrate 2 has a plate shape, the substrate 2 is easily bent, and the substrate 2 can be sufficiently deformed along the shape of the counter substrate 5. Adhesion becomes higher. Moreover, in the base material 1 with a bonding film, the adhesiveness between the substrate 2 and the bonding film 3 is enhanced, and the stress generated at the bonding interface can be relaxed to some extent by bending the substrate 2.
In this case, the average thickness of the substrate 2 is not particularly limited, but is preferably about 0.01 to 10 mm, and more preferably about 0.1 to 3 mm. In addition, it is preferable that the average thickness of the counter substrate (other adherend) 5 described later is also in the same range as the average thickness of the substrate 2 described above.

接合膜3は、接合膜付き基材1を他の被着体に接合した際に、基板2と他の被着体との間に位置し、これらの接合を担うものである。
この接合膜3は、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質4とを含むものである。
接合膜3中に含まれるシリコーン材料は、エネルギー線が照射されると、他の被着体との接着性を発現するものである。
The bonding film 3 is located between the substrate 2 and the other adherend when the substrate 1 with the bonding film is bonded to another adherend, and bears the bonding therebetween.
The bonding film 3 includes a silicone material and an energy ray absorbing material 4 that absorbs energy rays.
The silicone material contained in the bonding film 3 exhibits adhesiveness with other adherends when irradiated with energy rays.

また、接合膜3中に含まれるエネルギー線吸収物質4は、エネルギー線を吸収して、発熱するものである。
このような接合膜3は、エネルギー線の照射により、その表面付近に、他の被着体との接着性が発現するとともに、エネルギー線吸収物質4が、かかるエネルギー線を吸収して発熱することにより、他の被着体との接着性が促進される。
このような接合膜3を有する接合膜付き基材1は、他の被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率良く接合することができるものとなる。
なお、接合膜3の詳細な構成については、以下の接合方法において説明する。
The energy ray absorbing material 4 contained in the bonding film 3 absorbs energy rays and generates heat.
Such a bonding film 3 exhibits adhesiveness with other adherends in the vicinity of the surface thereof by irradiation with energy rays, and the energy ray absorbing material 4 absorbs the energy rays and generates heat. Thus, adhesion with other adherends is promoted.
The base material 1 with a bonding film having such a bonding film 3 can be firmly bonded to other adherends with high dimensional accuracy and efficiently at a low temperature.
The detailed configuration of the bonding film 3 will be described in the following bonding method.

次に、本実施形態の接合膜付き基材と他の被着体との接合方法について説明する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き基材1を用意する工程と、接合膜付き基材1の接合膜3に対してエネルギー線を照射することにより、接合膜3の表面付近に接着性を発現させる工程と、対向基板(他の被着体)5を用意し、接合膜付き基材1が備える接合膜3と対向基板5とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合体10を得る工程とを有する。
Next, the joining method of the base material with a joining film of this embodiment and another adherend will be described.
In the bonding method according to the present embodiment, the step of preparing the base material 1 with the bonding film and the bonding film 3 of the base material 1 with the bonding film are irradiated with energy rays to adhere to the vicinity of the surface of the bonding film 3. And a counter substrate (other adherend) 5 are prepared, and these are bonded together so that the bonding film 3 and the counter substrate 5 included in the base material 1 with the bonding film are in close contact with each other, 10 is obtained.

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
[1]まず、接合膜付き基材1を用意する。
この接合膜付き基材1は、上述したように、基板2と、接合膜3とを有するものである。
このような接合膜付き基材1は、例えば、以下のような接合膜付き基材の形成方法を用いて得ることができる。
具体的には、基板2を用意する工程と、基板2上にシリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質4とを含有する液状材料を供給することにより液状被膜30を形成する工程と、液状被膜30を乾燥して、基板2上に接合膜3を形成する工程とを経ることにより接合膜付き基材1が形成される。
Hereinafter, each process of the joining method concerning this embodiment is demonstrated one by one.
[1] First, a base material 1 with a bonding film is prepared.
This base material 1 with a bonding film includes the substrate 2 and the bonding film 3 as described above.
Such a base material 1 with a bonding film can be obtained using, for example, the following method for forming a base material with a bonding film.
Specifically, a step of preparing the substrate 2, and a step of forming a liquid film 30 by supplying a liquid material containing a silicone material and an energy ray absorbing material 4 that absorbs energy rays on the substrate 2. The substrate 1 with a bonding film is formed by drying the liquid film 30 and forming the bonding film 3 on the substrate 2.

以下、これらの各工程を詳述する。
[1A]まず、基板2を用意する(図2(a)参照)。
基板2としては、前述したようなものを用いることができる。
また、用意した基板2の接合膜3が形成される表面25には、必要に応じて、形成される接合膜3との密着性を高める表面処理を施す。これにより、表面25は清浄化および活性化され、表面25に対して接合膜3が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、表面25上に接合膜3を形成したとき、表面25と接合膜3との接合強度を高めることができる。これにより、接合膜付き基材1を対向基板(他の被着体)5に強固に固定することができる。
Hereinafter, each of these steps will be described in detail.
[1A] First, the substrate 2 is prepared (see FIG. 2A).
As the substrate 2, those described above can be used.
Further, the surface 25 on which the bonding film 3 of the prepared substrate 2 is formed is subjected to a surface treatment for improving the adhesion with the bonding film 3 to be formed, if necessary. Thereby, the surface 25 is cleaned and activated, and the bonding film 3 easily acts on the surface 25 chemically. As a result, when the bonding film 3 is formed on the surface 25 in the process described later, the bonding strength between the surface 25 and the bonding film 3 can be increased. Thereby, the base material 1 with a bonding film can be firmly fixed to the counter substrate (other adherend) 5.

この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
このような表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、表面25を、より清浄化および活性化することができる。その結果、表面25と接合膜3との接合強度を特に高めることができる。
This surface treatment is not particularly limited, for example, physical treatment such as sputtering treatment, blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, Examples thereof include a chemical surface treatment such as ultraviolet irradiation treatment, ozone exposure treatment, or a combination thereof.
As such surface treatment, the surface 25 can be further cleaned and activated by performing plasma treatment or ultraviolet irradiation treatment in particular. As a result, the bonding strength between the surface 25 and the bonding film 3 can be particularly increased.

また、基板2の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基板2の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された基板2は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基板2を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材1と対向基板5とを強固に接合することができる。
なお、この場合、基板2の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜3を形成すべき領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
Further, depending on the constituent material of the substrate 2, the bonding strength with the bonding film 3 is sufficiently high without performing the above-described surface treatment. Examples of the constituent material of the substrate 2 that can obtain such an effect include those mainly composed of various metal-based materials, various silicon-based materials, various glass-based materials and the like as described above.
The surface of the substrate 2 made of such a material is covered with an oxide film, and a relatively active hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. Therefore, when the substrate 2 made of such a material is used, the base material with a bonding film 1 and the counter substrate 5 can be firmly bonded without performing the surface treatment as described above.
In this case, the entire substrate 2 may not be made of the above material, and at least the vicinity of the surface of the region where the bonding film 3 is to be formed needs to be made of the above material.

[1B]次に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質4とを含有する液状材料を基板2の表面25上に供給することにより、基板2の表面25上に、液状被膜30を形成する(図2(b)参照)。
このような供給方法としては、特に限定されないが、塗布法を用いるのが好ましい。
塗布法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法および液滴吐出法等が挙げられるが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい。液滴吐出法によれば、図1(b)に示すように、液状材料を液滴31として表面25に供給することができるため、たとえ液状被膜30を表面25の一部の領域に選択的にパターニングして形成する場合であったとしても、液状材料をこの領域の形状に対応して(選択的に)供給することができる。
[1B] Next, by supplying a liquid material containing a silicone material and an energy ray absorbing material 4 that absorbs energy rays onto the surface 25 of the substrate 2, the liquid coating 30 is formed on the surface 25 of the substrate 2. Is formed (see FIG. 2B).
Such a supply method is not particularly limited, but a coating method is preferably used.
The coating method is not particularly limited. For example, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen Examples thereof include a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a microcontact printing method, a droplet discharge method, and the like, but it is particularly preferable to use a droplet discharge method. According to the droplet discharge method, as shown in FIG. 1B, the liquid material can be supplied to the surface 25 as droplets 31, so that the liquid coating 30 is selectively applied to a partial region of the surface 25. Even if it is formed by patterning, the liquid material can be (selectively) supplied corresponding to the shape of this region.

液滴吐出法としては、特に限定されないが、圧電素子による振動を利用して液状材料を吐出する構成のインクジェット法が好適に用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域(位置)に、液状材料を液滴31として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴31のサイズ(大きさ)を、比較的容易に調整できることから、液滴31のサイズを小さくすれば、たとえ膜を形成する領域の形状が微細なものであったとしても、この領域の形状に対応した液状被膜30を確実に形成することができる。   The droplet discharge method is not particularly limited, but an ink jet method in which a liquid material is discharged using vibration by a piezoelectric element is preferably used. According to the inkjet method, a liquid material can be supplied as a droplet 31 to a target region (position) with excellent positional accuracy. Further, since the size (size) of the droplet 31 can be adjusted relatively easily by appropriately setting the frequency of the piezoelectric element, the viscosity of the liquid material, and the like, if the size of the droplet 31 is reduced, for example. Even if the shape of the region where the film is formed is fine, the liquid coating 30 corresponding to the shape of this region can be reliably formed.

液状材料の粘度(25℃)は、通常、0.5〜200mPa・s程度であるのが好ましく、3〜20mPa・s程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、吐出量の微調整が容易となる。これにより、基板2上(表面25上)に均一な膜厚を有する接合膜3を成膜することが可能となる。その結果、接合膜付き基材1と対向基板5とを高い寸法精度で接合することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜30を次工程[1C]で乾燥させた際に、接合膜3を形成するのに十分な量のシリコーン材料を液状材料中に含有したものとすることができる。   In general, the viscosity (25 ° C.) of the liquid material is preferably about 0.5 to 200 mPa · s, more preferably about 3 to 20 mPa · s. By setting the viscosity of the liquid material within such a range, it is possible to discharge the droplets more stably and to easily finely adjust the discharge amount. Thereby, the bonding film 3 having a uniform film thickness can be formed on the substrate 2 (on the surface 25). As a result, the base material 1 with the bonding film and the counter substrate 5 can be bonded with high dimensional accuracy. Furthermore, when the liquid film 30 composed of this liquid material is dried in the next step [1C], a sufficient amount of silicone material to form the bonding film 3 is included in the liquid material. Can do.

また、液状材料の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴31の量(液状材料の1滴の量)を、平均で、0.1〜40pL程度に、より現実的には1〜30pL程度に設定し得る。これにより、表面25に供給された際の液滴31の着弾径が小さなものとなることから、吐出量の微調整がさらに容易となる。
また、液状材料は、前述のようにシリコーン材料を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料をそのまま液状材料として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料として、シリコーン材料の溶液または分散液を用いることができる。
Further, if the viscosity of the liquid material is within such a range, specifically, the amount of the droplets 31 (the amount of one droplet of the liquid material) is more realistically about 0.1 to 40 pL on average. Can be set to about 1 to 30 pL. Thereby, since the landing diameter of the droplet 31 when supplied to the surface 25 becomes small, fine adjustment of the discharge amount is further facilitated.
The liquid material contains a silicone material as described above. However, when the silicone material alone is liquid and has a desired viscosity range, the silicone material can be used as it is as a liquid material. When the silicone material alone forms a solid or highly viscous liquid, a solution or dispersion of the silicone material can be used as the liquid material.

シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
シリコーン材料は、液状材料中に含まれ、次工程[1C]において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜3の主材料として構成するものである。
Examples of the solvent or dispersion medium for dissolving or dispersing the silicone material include inorganic solvents such as ammonia, water, hydrogen peroxide, carbon tetrachloride, and ethylene carbonate, and ketone solvents such as methyl ethyl ketone (MEK) and acetone. Alcohol solvents such as methanol, ethanol and isobutanol, ether solvents such as diethyl ether and diisopropyl ether, cellosolve solvents such as methyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane and pentane, toluene, xylene, benzene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents, aromatic heterocyclic compound solvents such as pyridine, pyrazine, furan, amide solvents such as N, N-dimethylformamide (DMF), halogen compound solvents such as dichloromethane and chloroform, ethyl acetate Esters such as methyl acetate Various organic solvents such as solvents, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, organic acid solvents such as formic acid, trifluoroacetic acid, or the like A mixed solvent containing can be used.
The silicone material is contained in the liquid material and is configured as a main material of the bonding film 3 formed by drying the liquid material in the next step [1C].

このようなシリコーン材料を主材料として構成される接合膜3は、次工程[2]においてエネルギー線が照射されると、その表面35に接着性が発現するものとなる。
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物のことを言い、主鎖の一部から突出する分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式(1)で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式(2)で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式(3)で表わされる構造単位を有している。
The bonding film 3 composed mainly of such a silicone material exhibits adhesiveness on its surface 35 when irradiated with energy rays in the next step [2].
Here, the “silicone material” is a compound having a polyorganosiloxane skeleton, and usually refers to a compound in which the main skeleton (main chain) portion is mainly composed of repeating organosiloxane units, and from a part of the main chain. It may have a protruding branched structure, may be a cyclic body in which the main chain is cyclic, or may be a straight chain in which the ends of the main chain are not connected to each other.
For example, in a compound having a polyorganosiloxane skeleton, the organosiloxane unit has a structural unit represented by the following general formula (1) at the terminal portion and a structural unit represented by the following general formula (2) at the connecting portion. In addition, the branch part has a structural unit represented by the following general formula (3).

Figure 2009298912
[式中、各Rは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Zは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Xはシロキサン残基を表し、aは0または1〜3の整数を表し、bは0または1〜2の整数を表し、cは0または1を表す。]
Figure 2009298912
[In the formula, each R independently represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group, each Z independently represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group, X represents a siloxane residue, a Represents an integer of 0 or 1 to 3, b represents an integer of 0 or 1 to 2, and c represents 0 or 1. ]

このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式(1)で表わされる構造単位、上記一般式(2)で表わされる構造単位および上記一般式(3)で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物(以下、「分枝状化合物」と略すこともある。)は、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
この分枝状化合物を用いることにより、次工程[1C]において、液状材料中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜3が形成されることから、得られる接合膜3は特に膜強度に優れたものとなる。
In such a silicone material, the polyorganosiloxane skeleton is branched, that is, the structural unit represented by the general formula (1), the structural unit represented by the general formula (2), and the general formula (3). It is preferable that it is comprised by the structural unit represented by this. The compound having a branched polyorganosiloxane skeleton (hereinafter sometimes abbreviated as “branched compound”) is a compound in which the main skeleton (main chain) portion is mainly composed of repeating organosiloxane units. The repeating of the organosiloxane unit branches in the middle of the main chain, and the ends of the main chain are not connected to each other.
By using this branched compound, in the next step [1C], the bonding film 3 is formed so that the branched chains of this compound contained in the liquid material are entangled with each other. The film 3 is particularly excellent in film strength.

なお、上記一般式(1)〜上記一般式(3)中、基R(置換または無置換の炭化水素基)としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、I)フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II)グリシドキシ基のようなエポキシ基III)メタクリル基のような(メタ)アクリロイル基IV)カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。   In the general formula (1) to the general formula (3), examples of the group R (substituted or unsubstituted hydrocarbon group) include, for example, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a cyclopentyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclohexyl group, aryl groups such as phenyl group, tolyl group and biphenylyl group, aralkyl groups such as benzyl group and phenylethyl group. In addition, some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms of these groups are I) halogen atoms such as fluorine, chlorine and bromine atoms, II) epoxy groups such as glycidoxy groups, III) methacryl (Meth) acryloyl group IV) such as a group, and a group substituted with an anionic group such as a carboxyl group and a sulfonyl group.

加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、1×10〜1×10程度のものであるのが好ましく、1×10〜1×10程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
Hydrolysis groups include alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group and butoxy group, ketoxime groups such as dimethyl ketoxime group and methylethyl ketoxime group, acyloxy groups such as acetoxy group, isopropenyloxy group, isobutenyl Examples include alkenyloxy groups such as oxy groups.
Further, the branched compound preferably has a molecular weight of about 1 × 10 4 to 1 × 10 6, more preferably about 1 × 10 5 to 1 × 10 6 . By setting the molecular weight within such a range, the viscosity of the liquid material can be relatively easily set within the above-described range.

このような分枝状化合物は、シラノール基を有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位において、各基Zは水酸基であるのが好ましい。これにより、次工程[1C]において、液状被膜30を乾燥させて接合膜3を得る際に、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜3の膜強度が優れたものとなる。さらに、基板2として、前述したように、その接合面(表面)25から水酸基が露出しているものを用いた場合には、分枝状化合物が備える水酸基と、基板2が備える水酸基とが結合することから、分枝状化合物を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても基板2に結合させることができる。その結果、接合膜3は、基板2の表面25に対して、強固に結合したものとなる。   Such branched compounds are preferably those having a silanol group. That is, in the structural units represented by the general formula (1) to the general formula (3), each group Z is preferably a hydroxyl group. Thus, in the next step [1C], when the liquid film 30 is dried to obtain the bonding film 3, the hydroxyl groups of the adjacent branched compounds are bonded to each other, and the film strength of the bonding film 3 obtained is increased. It will be excellent. Further, as described above, when the substrate 2 having a hydroxyl group exposed from the bonding surface (surface) 25 is used, the hydroxyl group included in the branched compound is bonded to the hydroxyl group included in the substrate 2. Therefore, the branched compound can be bonded to the substrate 2 not only by physical bonding but also by chemical bonding. As a result, the bonding film 3 is firmly bonded to the surface 25 of the substrate 2.

また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Zが水酸基である上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。   Moreover, it is preferable that the hydrocarbon group connected to the silicon atom of the silanol group is a phenyl group. That is, the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z is a hydroxyl group is preferably a phenyl group. Thereby, since the reactivity of a silanol group improves more, the coupling | bonding of the hydroxyl groups which an adjacent branched compound has comes to be performed more smoothly.

さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Zが存在しない上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Zが存在しない上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、次工程[2]において、接合膜3に接合用エネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜3に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物(シリコーン材料)として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式(4)で表わされるような主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される化合物が好適に用いられる。
Furthermore, the hydrocarbon group linked to the silicon atom in which no silanol group is present is preferably a methyl group. That is, the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z does not exist is preferably a methyl group. Thus, a compound in which the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z does not exist is a methyl group is relatively easily available and inexpensive. In addition, in the next step [2], by applying bonding energy to the bonding film 3, the methyl group is easily cleaved, and as a result, the bonding film 3 can surely exhibit adhesiveness. Therefore, it is suitably used as a branched compound (silicone material).
Considering the above, as the branched compound, for example, a compound in which the main skeleton represented by the following general formula (4) is composed of polydimethylsiloxane is preferably used.

Figure 2009298912
[式中、nは、それぞれ独立して、0または1以上の整数を表す。]
Figure 2009298912
[Wherein n independently represents an integer of 0 or 1 or more. ]

さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、次工程[3]において、接合膜3を介して基板2に対向基板5を接合して接合体10を得る際に、例えば、基板2と対向基板5との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、基板2と対向基板5との間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体10において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。   Furthermore, the above-mentioned branched compound is a material having a relatively high flexibility. Therefore, when the counter substrate 5 is bonded to the substrate 2 via the bonding film 3 to obtain the bonded body 10 in the next step [3], for example, the constituent materials of the substrate 2 and the counter substrate 5 are different from each other. Even if it is a case where is used, the stress accompanying the thermal expansion which arises between the board | substrate 2 and the opposing board | substrate 5 can be relieve | moderated reliably. Thereby, it can prevent reliably that peeling arises in the bonded body 10 finally obtained.

また、分岐状化合物は耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって晒されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。また、このような分岐状化合物は、耐熱性にも優れていることから、高温下に晒されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
エネルギー線吸収物質4は、エネルギー線を吸収して発熱するものである。なお、このようなエネルギー線としては、具体的には、紫外線、レーザ光のような光、X線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等が挙げられる。
Further, since the branched compound is excellent in chemical resistance, it can be effectively used for joining members that are exposed to chemicals for a long time. Moreover, since such a branched compound is excellent also in heat resistance, it can be effectively used for joining members exposed to high temperatures.
The energy ray absorbing material 4 generates heat by absorbing energy rays. Specific examples of such energy rays include light such as ultraviolet rays and laser beams, electromagnetic waves such as X-rays and γ rays, electron beams, and particle beams such as ion beams.

このようなエネルギー線吸収物質4は、次工程[2]において、接合膜3に照射されたエネルギー線の一部を吸収して発熱し、接合膜3の対向基板(他の被着体)5に対する接着性を促進させるものである。これにより、接合膜3に対向基板5に対する接着性を確実に発現させることができる。また、エネルギー線吸収物質4を含む接合膜3は、比較的少量のエネルギー線照射によって、対向基板5との接着性が発現するものとなる。そのため、接合体10を得るのに、次工程[2]において、接合膜3に照射するエネルギー線の照射時間を短くしたり、照射するエネルギー線の強度を抑えることができ、接合方法の省エネルギー化を図ることができる。   Such an energy ray absorbing material 4 absorbs a part of the energy rays irradiated to the bonding film 3 and generates heat in the next step [2], and the counter substrate (another adherend) 5 of the bonding film 3. It promotes adhesion to the surface. Thereby, the adhesive property with respect to the counter substrate 5 can be surely expressed in the bonding film 3. In addition, the bonding film 3 including the energy ray absorbing material 4 exhibits adhesiveness with the counter substrate 5 when irradiated with a relatively small amount of energy rays. Therefore, in order to obtain the bonded body 10, in the next step [2], it is possible to shorten the irradiation time of the energy beam irradiated to the bonding film 3, or to suppress the intensity of the irradiated energy beam, and to save energy of the bonding method. Can be achieved.

エネルギー線吸収物質4を構成する材料としては、上述したようなエネルギー線を吸収することにより発熱するものであれば、特に限定されず、カーボンブラックのような炭素系の顔料粉末、Ti、Cu、Fe、Zn、Mn、Mg、Ce、その他の金属の酸化物(例えば、TiO、CeO等)、インジウム錫酸化物(ITO)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The material constituting the energy ray absorbing substance 4 is not particularly limited as long as it generates heat by absorbing energy rays as described above, and carbon-based pigment powder such as carbon black, Ti, Cu, Fe, Zn, Mn, Mg, Ce, other metal oxides (for example, TiO 2 , CeO 2, etc.), indium tin oxide (ITO), etc. are mentioned. They can be used in combination.

このような材料の中でも、エネルギー線吸収物質4は、酸化チタン(TiO)、酸化セリウム(CeO)、またはITOから選択される少なくとも1種の材料を含むものであるのが好ましい。これらの材料は、上述したようなエネルギー線を吸収し、効率良く発熱する材料であり、次工程[2]において、エネルギー線が照射されることにより発現する接合膜3の接着性を促進する効果が特に高いものである。したがって、エネルギー線吸収物質4として、上述したような材料を用いることにより、接合膜3に対向基板5に対する接着性をより確実に発現させることができる。 Among such materials, the energy ray absorbing substance 4 preferably includes at least one material selected from titanium oxide (TiO 2 ), cerium oxide (CeO 2 ), or ITO. These materials absorb the energy rays as described above and generate heat efficiently. In the next step [2], the effect of promoting the adhesiveness of the bonding film 3 that is manifested by irradiation with the energy rays. Is particularly high. Therefore, by using the above-described material as the energy ray absorbing substance 4, it is possible to cause the bonding film 3 to exhibit adhesiveness to the counter substrate 5 more reliably.

本実施形態では、エネルギー線吸収物質4は粒子状をなしている。これにより、液状被膜30を乾燥させて得られる接合膜3は、膜全体にエネルギー線吸収物質4が分散したものとなり、接合膜3に発現する接着性は、表面35の全領域でばらつきのない、均一なものとなる。その結果、接合膜付き基材1を対向基板5に対して、確実に接合することができ、接合体10に部分的に剥離が生じる等の不具合の発生を確実に防止することができる。   In the present embodiment, the energy ray absorbing material 4 is in the form of particles. As a result, the bonding film 3 obtained by drying the liquid film 30 has the energy ray absorbing material 4 dispersed throughout the film, and the adhesiveness developed in the bonding film 3 has no variation in the entire surface 35. , It will be uniform. As a result, the base material 1 with the bonding film can be reliably bonded to the counter substrate 5, and the occurrence of problems such as partial peeling of the bonded body 10 can be reliably prevented.

このようなエネルギー線吸収物質4の平均粒径は、100〜1000nmであるのが好ましく、200〜800nmであるのがより好ましく、300〜500nmであるのがさらに好ましい。これにより、形成される接合膜3の表面35は確実に平滑なものとなり、接合膜付き基材1を対向基板5に対して、より高い寸法精度で接合することができる。また、エネルギー線吸収物質4がエネルギー線を吸収して発する熱(熱エネルギー)を、エネルギー線吸収物質4周囲のシリコーン材料に効率良く伝達することができ、接合膜3は、より短時間のエネルギー線照射によって、対向基板5に対する高い接着性を発現するものとなる。   The average particle size of the energy ray absorbing material 4 is preferably 100 to 1000 nm, more preferably 200 to 800 nm, and even more preferably 300 to 500 nm. Thereby, the surface 35 of the bonding film 3 to be formed is surely smooth, and the base material 1 with the bonding film can be bonded to the counter substrate 5 with higher dimensional accuracy. Further, the heat (thermal energy) generated by the energy ray absorbing material 4 by absorbing the energy rays can be efficiently transferred to the silicone material around the energy ray absorbing material 4, and the bonding film 3 has a shorter energy. High adhesiveness with respect to the counter substrate 5 is expressed by the irradiation of the line.

接合膜3中に含まれるエネルギー線吸収物質4の含有率は、1〜30wt%であるのが好ましく、3〜25wt%であるのがより好ましく、5〜20wt%であるのがさらに好ましい。これにより、接合膜3の接着性がより効率良く促進され、接合膜付き基材1を対向基板5に対して、さらに高い接合強度で接合することができる。また、比較的少量のエネルギー線照射により、接合膜3に十分な接着性を発現させることができる。   The content of the energy ray absorbing material 4 contained in the bonding film 3 is preferably 1 to 30 wt%, more preferably 3 to 25 wt%, and further preferably 5 to 20 wt%. Thereby, the adhesiveness of the bonding film 3 is more efficiently promoted, and the base material 1 with the bonding film can be bonded to the counter substrate 5 with higher bonding strength. Moreover, sufficient adhesiveness can be expressed in the bonding film 3 by irradiation with a relatively small amount of energy rays.

[1C]次に、基板2上に設けられた液状被膜30を乾燥させることにより、接合膜3を形成する(図2(c)参照)。
このようにして形成された接合膜3は、膜全体にエネルギー線吸収物質4が分散したものとなっている。このような接合膜3は、エネルギー線が照射されると、表面35の全領域でばらつきのない、均一な接着性が発現されるものとなる。
[1C] Next, the bonding film 3 is formed by drying the liquid film 30 provided on the substrate 2 (see FIG. 2C).
The thus formed bonding film 3 has the energy ray absorbing material 4 dispersed throughout the film. When such a bonding film 3 is irradiated with energy rays, uniform adhesiveness with no variation is exhibited in the entire area of the surface 35.

液状被膜30を乾燥させる際の温度は、25℃以上であるのが好ましく、25〜100℃程度であるのがより好ましい。
また、乾燥させる時間は、0.5〜48時間程度であるのが好ましく、15〜30時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状材料を乾燥させることにより、次工程[2]において、エネルギー線が照射されることにより接着性が好適に発現する接合膜3を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として前記工程[1B]で説明したようなシラノール基を有するものを用いた場合には、シリコーン材料が有するシラノール基同士を、さらには、シリコーン材料が有するシラノール基と基板2が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜3を膜強度に優れ、かつ基板2に対して強固に結合したものとすることができる。
The temperature at which the liquid coating 30 is dried is preferably 25 ° C. or higher, more preferably about 25 to 100 ° C.
Further, the drying time is preferably about 0.5 to 48 hours, more preferably about 15 to 30 hours.
By drying the liquid material under such conditions, in the next step [2], it is possible to reliably form the bonding film 3 in which the adhesiveness is suitably developed by irradiation with energy rays. Moreover, when what has a silanol group which was demonstrated at the said process [1B] as a silicone material is used, the silanol group which a silicone material has, and also the silanol group which a silicone material has, and the board | substrate 2 have. Since the hydroxyl group can be reliably bonded, the formed bonding film 3 is excellent in film strength and can be firmly bonded to the substrate 2.

さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、133.3×10−5〜1333Pa(1×10−5〜10Torr)程度であるのが好ましく、133.3×10−4〜133.3Pa(1×10−4〜1Torr)程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜3の膜密度が緻密化して、接合膜3をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜3を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜3の膜強度等を所望のものとすることができる。
Furthermore, the atmospheric pressure during drying may be under atmospheric pressure, but is preferably under reduced pressure. Specifically, the degree of decompression is preferably about 133.3 × 10 −5 to 1333 Pa (1 × 10 −5 to 10 Torr), preferably 133.3 × 10 −4 to 133.3 Pa (1 × 10 -4 to 1 Torr) is more preferable. Thereby, the film density of the bonding film 3 is densified, and the bonding film 3 can have more excellent film strength.
As described above, the film strength and the like of the formed bonding film 3 can be made desired by appropriately setting the conditions for forming the bonding film 3.

接合膜3の平均厚さは、300〜10000nm程度であるのが好ましく、500〜8000nm程度であるのがより好ましい。供給する液状材料の量を適宜設定して、形成される接合膜3の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜3は、膜全体にわたってエネルギー線吸収物質4が均一に分散したものとなる。これにより、接合膜3に発現する接着性は、表面35の全領域でばらつきのない、均一なものとなる。その結果、接合膜付き基材1を対向基板5に対して、確実に接合することができ、接合体10に部分的に剥離が生じる等の不具合の発生を確実に防止することができる。また、接合膜付き基材1を、対向基板5に対して、より高い寸法精度で接合することができる。   The average thickness of the bonding film 3 is preferably about 300 to 10000 nm, and more preferably about 500 to 8000 nm. By appropriately setting the amount of the liquid material to be supplied and setting the average thickness of the formed bonding film 3 within the above range, the bonding film 3 is obtained by uniformly dispersing the energy ray absorbing material 4 over the entire film. It becomes. As a result, the adhesiveness developed in the bonding film 3 is uniform with no variation in the entire area of the surface 35. As a result, the base material 1 with the bonding film can be reliably bonded to the counter substrate 5, and the occurrence of problems such as partial peeling of the bonded body 10 can be reliably prevented. Moreover, the base material 1 with a bonding film can be bonded to the counter substrate 5 with higher dimensional accuracy.

すなわち、接合膜3の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜3の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
さらに、接合膜3の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜3がある程度弾性に富むものとなることから、次工程[3]において、接合膜付き基材1を対向基板に接合する際に、接合膜3と接触させる対向基板5の接合面55にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜3で取り囲むようにして接合膜3と接合面55とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって接合膜3と接合面55との界面における接合強度が低下したりこの界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
That is, when the average thickness of the bonding film 3 is less than the lower limit, sufficient bonding strength may not be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 3 exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the bonded body may be significantly reduced.
Furthermore, by setting the average thickness of the bonding film 3 within such a range, the bonding film 3 becomes highly elastic to some extent. Therefore, in the next step [3], the substrate 1 with the bonding film is bonded to the counter substrate. At this time, even if particles or the like adhere to the bonding surface 55 of the counter substrate 5 to be brought into contact with the bonding film 3, the bonding film 3 and the bonding surface 55 are bonded so as to surround the particles with the bonding film 3. Become. For this reason, it is possible to accurately suppress or prevent the bonding strength at the interface between the bonding film 3 and the bonding surface 55 from being reduced or the separation from occurring at this interface due to the presence of the particles.

また、接合膜3の平均厚さをT[nm]、エネルギー線吸収物質4の平均粒径をL[nm]としたとき、1.5≦T/L≦10の関係を満足するのが好ましく、2≦T/L≦8の関係を満足するのがより好ましく、3≦T/L≦7の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、接合膜3中に、エネルギー線吸収物質4をより均一に分散させることができる。これにより、次工程[2]において、接合膜3にエネルギー線を照射することにより、その表面35全面に、より効率良く接着性を発現させることができる。特に、比較的少量のエネルギー線照射においても、接合膜3に対向基板5に対する接着性を確実に発現させることができる。また、エネルギー線吸収物質4が接合膜3の表面に偏析するのが確実に防止され、接合膜3の表面35は確実に平滑なものとなり、接合膜付き基材1を対向基板5に対して、より高い寸法精度で接合することができる。   Further, when the average thickness of the bonding film 3 is T [nm] and the average particle diameter of the energy ray absorbing material 4 is L [nm], it is preferable that the relationship of 1.5 ≦ T / L ≦ 10 is satisfied. It is more preferable to satisfy the relationship of 2 ≦ T / L ≦ 8, and it is even more preferable to satisfy the relationship of 3 ≦ T / L ≦ 7. Thereby, the energy ray absorbing material 4 can be more uniformly dispersed in the bonding film 3. Thereby, in the next step [2], by irradiating the bonding film 3 with energy rays, the entire surface 35 of the bonding film 3 can be more efficiently expressed with adhesiveness. In particular, even with a relatively small amount of energy beam irradiation, the bonding film 3 can reliably exhibit adhesion to the counter substrate 5. In addition, the energy ray absorbing material 4 is reliably prevented from segregating on the surface of the bonding film 3, the surface 35 of the bonding film 3 is surely smooth, and the substrate 1 with the bonding film is attached to the counter substrate 5. , It can be joined with higher dimensional accuracy.

また、本実施形態では、液状材料を供給して接合膜3を形成する構成となっていることから、たとえ基板2の接合面25に凹凸が存在している場合であっても、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するようにして接合膜3を形成することができる。その結果、接合膜3が凹凸を吸収して、その表面がほぼ平坦面で構成されることとなる。
以上のようにして、接合膜付き基材1を得ることができる。
In the present embodiment, since the bonding film 3 is formed by supplying the liquid material, even if the bonding surface 25 of the substrate 2 has unevenness, the unevenness of the unevenness is present. Although it depends on the height, the bonding film 3 can be formed so as to follow the uneven shape. As a result, the bonding film 3 absorbs the unevenness, and the surface thereof is constituted by a substantially flat surface.
The base material 1 with a bonding film can be obtained as described above.

[2]次に、接合膜付き基材1の接合膜3の表面35に対してエネルギー線を照射する。
接合膜3にエネルギー線を照射すると、この接合膜3では、表面35付近の分子結合(例えば、シリコーン材料の主骨格がボリジメチルシロキサンで構成されている場合、Si−CH結合)の一部が切断し、表面35が活性化されることに起因して、表面35付近に対向基板5との接着性が発現する。さらに、接合膜3に照射されたエネルギー線の一部が、膜中に含まれるエネルギー線吸収物質4に吸収され、エネルギー線吸収物質4が発熱する。これにより、エネルギー線吸収物質4の周囲のシリコーン材料に熱エネルギーが付与され、シリコーン材料の分子結合の一部が切断され易くなる。すなわち、接合膜3は、エネルギー線吸収物質4の発熱によって、対向基板5に対する接着性が促進される。
[2] Next, the surface 35 of the bonding film 3 of the substrate 1 with bonding film is irradiated with energy rays.
When the bonding film 3 is irradiated with energy rays, a part of the molecular bond in the vicinity of the surface 35 (for example, Si—CH 3 bond when the main skeleton of the silicone material is made of polydimethylsiloxane) is formed in the bonding film 3. As a result of the cutting and activation of the surface 35, adhesion with the counter substrate 5 appears in the vicinity of the surface 35. Furthermore, part of the energy rays irradiated to the bonding film 3 is absorbed by the energy ray absorbing material 4 included in the film, and the energy ray absorbing material 4 generates heat. Thereby, thermal energy is given to the silicone material around the energy ray absorbing substance 4, and a part of the molecular bond of the silicone material is easily broken. That is, the bonding film 3 is promoted to adhere to the counter substrate 5 by the heat generated by the energy ray absorbing material 4.

このように、接合膜3は、エネルギー線吸収物質4を含むことにより、エネルギー線照射によって、その表面35が効率良く活性化され、対向基板5に対する接着性が確実に発現する。これにより、接合膜付き基材1は、対向基板5と、化学結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。また、このような接合膜3は、比較的少量のエネルギー線照射でも、エネルギー線による光エネルギーとエネルギー線吸収物質4の発熱による熱エネルギーとが相乗的に作用して、その表面35に確実に接着性が発現するものとなる。そのため、例えば、接合膜3に照射するエネルギー線の照射時間を短くしたり、照射するエネルギー線の強度を抑えることができ、接合方法の省エネルギー化を図ることができる。   As described above, the bonding film 3 includes the energy ray absorbing material 4, so that the surface 35 is efficiently activated by the energy ray irradiation, and the adhesiveness to the counter substrate 5 is surely exhibited. Thereby, the base material 1 with a bonding film can be strongly bonded to the counter substrate 5 based on the chemical bond. In addition, such a bonding film 3 can be reliably applied to the surface 35 by the synergistic action of the light energy by the energy beam and the heat energy by the heat generation of the energy beam absorbing material 4 even when irradiated with a relatively small amount of energy beam. Adhesiveness will be developed. Therefore, for example, the irradiation time of the energy beam applied to the bonding film 3 can be shortened, the intensity of the energy beam irradiated can be suppressed, and energy saving of the bonding method can be achieved.

ここで、本明細書中において、表面35が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜3の表面35の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜3中に終端化されていない結合手(以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。)が生じた状態の他、この未結合手が水酸基(OH基)によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜3が「活性化された」状態と言うこととする。   Here, in this specification, the state in which the surface 35 is “activated” means a part of molecular bonds on the surface 35 of the bonding film 3 as described above, specifically, for example, a polydimethylsiloxane skeleton. In addition to the state in which the methyl group included in is cleaved to form a bond not terminated in the bonding film 3 (hereinafter also referred to as “unbonded bond” or “dangling bond”), In this case, the bonding film 3 is referred to as an “activated” state including a state in which is terminated by a hydroxyl group (OH group) and a state in which these states are mixed.

接合膜3に照射するエネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、X線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を2種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長126〜300nm程度の紫外線を用いるのが好ましい(図2(d)参照)。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜3中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜3から表面35付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜3の特性(機械的特性、化学的特性等)が低下するのを防止しつつ、接合膜3に接着性を確実に発現させることができる。
Examples of the energy rays applied to the bonding film 3 include light such as ultraviolet rays and laser beams, electromagnetic waves such as X-rays and γ rays, particle beams such as electron beams and ion beams, and these energy rays. The thing which combined 2 or more types is mentioned.
Among these energy rays, it is particularly preferable to use ultraviolet rays having a wavelength of about 126 to 300 nm (see FIG. 2D). In the case of ultraviolet rays within such a range, the amount of energy applied is optimized, so that the molecular bond forming the skeleton in the bonding film 3 is prevented from being broken more than necessary and the bonding film 3 to the surface 35. Nearby molecular bonds can be selectively cleaved. As a result, it is possible to reliably cause the bonding film 3 to exhibit adhesiveness while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film 3 from deteriorating.

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、分子結合の切断を効率よく行うことができる。さらに、紫外線には、例えば、UVランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、126〜200nm程度とされる。
また、UVランプを用いる場合、その出力は、接合膜3の面積に応じて異なるが、1mW/cm〜1W/cm程度であるのが好ましく、5mW/cm〜30mW/cm程度であるのがより好ましい。なお、この場合、UVランプと接合膜3との離間距離は、3〜3000mm程度とするのが好ましく、10〜1000mm程度とするのがより好ましい。接合膜3は、このように比較的低いエネルギー量のエネルギー線照射によって、その表面35に確実に接着性を発現するものとなる。
In addition, since ultraviolet rays can be processed over a wide range in a short time without unevenness, molecular bonds can be efficiently cut. Furthermore, ultraviolet rays also have the advantage that they can be generated with simple equipment such as UV lamps.
The wavelength of the ultraviolet light is more preferably about 126 to 200 nm.
In the case of using the UV lamp, the output may vary depending on the area of the bonding film 3 is preferably from 1mW / cm 2 ~1W / cm 2 or so, at 5mW / cm 2 ~30mW / cm 2 of about More preferably. In this case, the distance between the UV lamp and the bonding film 3 is preferably about 3 to 3000 mm, more preferably about 10 to 1000 mm. The bonding film 3 reliably develops adhesiveness on the surface 35 by irradiation with energy rays having a relatively low energy amount.

また、紫外線を照射する時間は、接合膜3の表面35付近の分子結合を切断し得る程度の時間、すなわち、接合膜3の表面付近に存在する分子結合を選択的に切断し得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜3の構成材料等に応じて若干異なるものの、1秒〜30分程度であるのが好ましく、1秒〜8分程度であるのがより好ましい。接合膜3は、このように比較的短時間のエネルギー線照射によって、その表面35に確実に接着性を発現するものとなる。   The time for irradiating the ultraviolet rays is such a time that the molecular bond in the vicinity of the surface 35 of the bonding film 3 can be cut, that is, a time in which the molecular bond existing in the vicinity of the surface of the bonding film 3 can be selectively cut. Is preferable. Specifically, although it varies slightly depending on the amount of ultraviolet light, the constituent material of the bonding film 3, etc., it is preferably about 1 second to 30 minutes, more preferably about 1 second to 8 minutes. As described above, the bonding film 3 reliably exhibits adhesiveness on the surface 35 by irradiation with energy rays for a relatively short time.

上述したように、接合膜3は、膜中に含まれるエネルギー線吸収物質4がエネルギー線を吸収して発熱する作用により、エネルギー線吸収物質を含まない接合膜に比べて、少量のエネルギー線照射で効率良く表面35付近を活性化させることができる。このように、接合膜3に照射するエネルギー線量を減らして、シリコーン材料の分子結合を過度に切断することなく、その表面35付近を活性化することができるため、接合膜3の機械的強度を特に優れたものとしながら、その表面35に対向基板5に対する接着性を確実に発現させることができる。   As described above, the bonding film 3 is irradiated with a smaller amount of energy rays than the bonding film that does not include the energy ray absorbing material due to the action of the energy ray absorbing material 4 contained in the film generating heat by absorbing the energy rays. Thus, the vicinity of the surface 35 can be activated efficiently. Thus, since the energy dose irradiated to the bonding film 3 can be reduced and the surface 35 and its vicinity can be activated without excessively breaking the molecular bond of the silicone material, the mechanical strength of the bonding film 3 can be increased. Adhesiveness to the counter substrate 5 can be surely expressed on the surface 35 while being particularly excellent.

また、紫外線は、時間的に連続して照射してもよいし、間欠的(パルス状)に照射してもよい。
また、接合膜3に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧(真空)雰囲気等が挙げられるが、中でも、不活性ガス雰囲気中または減圧雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、表面35付近にオゾンガスが生じて、表面35の活性化がより円滑に行われることになる。さらに、雰囲気を制御することに手間や、コストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
Further, the ultraviolet rays may be irradiated continuously in time or intermittently (pulsed).
The bonding film 3 may be irradiated with energy rays in any atmosphere. Specifically, the atmosphere, an oxidizing gas atmosphere such as oxygen, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, An inert gas atmosphere such as argon, or a reduced pressure (vacuum) atmosphere in which these atmospheres are decompressed may be mentioned. Among them, it is preferable to perform in an inert gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere. As a result, ozone gas is generated in the vicinity of the surface 35, and the surface 35 is activated more smoothly. Furthermore, it is not necessary to take time and cost to control the atmosphere, and the irradiation of energy rays can be performed more easily.

また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギー線量の大きさを、精度良く簡単に調整することができる。このため、接合膜3の表面35付近で切断される分子結合の量を多くすることにより、接合膜3の表面35付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜3に発現する接着性をより高めることができる。一方、表面35付近で切断される分子結合の量を少なくすることにより、接合膜3の表面35付近に生じる活性手を少なくし、接合膜3に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与する接合用エネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
Moreover, according to the method of irradiating energy rays, the magnitude of the energy dose to be applied can be easily adjusted with high accuracy. Therefore, by increasing the amount of molecular bonds that are cut in the vicinity of the surface 35 of the bonding film 3, more active hands are generated in the vicinity of the surface 35 of the bonding film 3. Can be further enhanced. On the other hand, by reducing the amount of molecular bonds cleaved in the vicinity of the surface 35, the number of active hands generated in the vicinity of the surface 35 of the bonding film 3 can be reduced, and the adhesiveness expressed in the bonding film 3 can be suppressed.
In order to adjust the magnitude of the bonding energy to be applied, for example, conditions such as the type of energy beam, the output of the energy beam, and the irradiation time of the energy beam may be adjusted.

[3]対向基板(他の被着体)5を用意する。そして、図3(e)に示すように、活性化させた接合膜3と対向基板5とが密着するように、接合膜付き基材1と対向基板5とを貼り合わせる。これにより、図3(f)に示すような接合体10を得る。
このような接合体10は、基板2と対向基板5とが、接合膜3を介して高い寸法精度で強固に接合したものとなる。また、前工程[2]において、比較的少量のエネルギー線照射によって、接合膜3に効率良く接着性を発現することができるため、省エネルギーでかかる接合体10を得ることができる。
[3] A counter substrate (another adherend) 5 is prepared. Then, as shown in FIG. 3E, the base material 1 with the bonding film 1 and the counter substrate 5 are bonded together so that the activated bonding film 3 and the counter substrate 5 are in close contact with each other. Thereby, the joined body 10 as shown in FIG.
In such a bonded body 10, the substrate 2 and the counter substrate 5 are firmly bonded with high dimensional accuracy via the bonding film 3. Further, in the previous step [2], the bonding film 3 can be efficiently expressed by irradiation with a relatively small amount of energy rays, so that the bonded body 10 can be obtained with energy saving.

また、このようにして得られた接合体10では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜付き基材1と対向基板5とが接合されている。このため、接合体10は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。   Moreover, in the joined body 10 obtained in this way, it is not an adhesive based mainly on a physical bond such as an anchor effect, but a covalent bond like an adhesive used in a conventional bonding method. The base material 1 with the bonding film and the counter substrate 5 are bonded to each other on the basis of a strong chemical bond generated in a short time. For this reason, the joined body 10 can be formed in a short time, is extremely difficult to peel off, and is difficult to cause unevenness of joining.

また、このような接合膜付き基材1を用いて得られた接合体10を得る方法によれば、従来の固体接合のように、高温(例えば、700℃以上)での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された基板2および対向基板5をも、接合に供することができる。
また、接合膜3を介して基板2と対向基板5とを接合しているため、基板2や対向基板5の構成材料に制約がないという利点もある。
Moreover, according to the method of obtaining the joined body 10 obtained using such a base material 1 with a joining film, heat treatment at a high temperature (for example, 700 ° C. or more) is not required unlike conventional solid joining. Therefore, the substrate 2 and the counter substrate 5 made of a material having low heat resistance can also be used for bonding.
Further, since the substrate 2 and the counter substrate 5 are bonded via the bonding film 3, there is an advantage that there are no restrictions on the constituent materials of the substrate 2 and the counter substrate 5.

以上のことから、本発明によれば、基板2および対向基板5の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、基板2の熱膨張率と対向基板5の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
From the above, according to the present invention, the selection range of each constituent material of the substrate 2 and the counter substrate 5 can be expanded.
When the thermal expansion coefficient of the substrate 2 and the thermal expansion coefficient of the counter substrate 5 are different from each other, it is preferable to perform bonding at as low a temperature as possible. By performing the bonding at a low temperature, it is possible to further reduce the thermal stress generated at the bonding interface.

具体的には、基板2と対向基板5との熱膨張率差にもよるが、基板2および対向基板5の温度が25〜50℃程度である状態下で、接合膜付き基材1と対向基板5とを貼り合わせるのが好ましく、25〜40℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板2と対向基板5の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体10における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。   Specifically, depending on the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 2 and the counter substrate 5, the substrate 2 and the counter substrate 5 are opposed to the base material 1 with the bonding film in a state where the temperature of the substrate 2 and the counter substrate 5 is about 25 to 50 ° C. It is preferable to bond the substrate 5 together, and it is more preferable to bond the substrate 5 at a temperature of about 25 to 40 ° C. Within such a temperature range, even if the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 2 and the counter substrate 5 is large to some extent, the thermal stress generated at the bonding interface can be sufficiently reduced. As a result, it is possible to reliably prevent warpage, peeling, and the like in the joined body 10.

また、この場合、基板2と対向基板5との間の熱膨張係数の差が、5×10−5/K以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
また、基板2と対向基板5は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合膜付き基材1と対向基板5とをより強固に接合することができる。
In this case, when the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 2 and the counter substrate 5 is 5 × 10 −5 / K or more, the bonding is performed as low as possible as described above. It is particularly recommended.
The substrate 2 and the counter substrate 5 preferably have different rigidity. Thereby, the base material 1 with a bonding film and the counter substrate 5 can be bonded more firmly.

このような対向基板5の接合膜付き基材1との接合に供される領域には、対向基板5の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、対向基板5と接合膜3との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜付き基材1と対向基板5との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、基板2に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
In the region to be joined to the substrate 1 with the bonding film of the counter substrate 5, the counter substrate 5, the bonding film 3, and the like are bonded in advance according to the constituent material of the counter substrate 5 before bonding. It is preferable to carry out a surface treatment that enhances the adhesion. Thereby, the joining strength of the base material 1 with a joining film | membrane and the opposing board | substrate 5 can be raised more.
As the surface treatment, the same treatment as the above-described surface treatment performed on the substrate 2 can be applied.

また、対向基板5の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材1と対向基板5との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる対向基板5の構成材料には、前述した基板2の構成材料と同様のもの、すなわち、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を用いることができる。
さらに、対向基板5の接合膜付き基材1との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材1と対向基板5との接合強度を十分に高くすることができる。
Further, depending on the constituent material of the counter substrate 5, the bonding strength between the substrate 1 with the bonding film 1 and the counter substrate 5 is sufficiently high without performing the surface treatment as described above. As the constituent material of the counter substrate 5 capable of obtaining such an effect, the same constituent materials as those of the substrate 2 described above, that is, various metal materials, various silicon materials, various glass materials and the like can be used. .
Furthermore, in the case where the region provided for bonding with the substrate 1 with the bonding film of the counter substrate 5 includes the following groups and substances, the substrate with the bonding film does not have to be subjected to the surface treatment as described above. 1 and the counter substrate 5 can be sufficiently increased in bonding strength.

このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、2重結合、3重結合のような不飽和結合、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも1つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、接合膜付き基材1の接合膜3に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。   Examples of such groups and substances include functional groups such as hydroxyl groups, thiol groups, carboxyl groups, amino groups, nitro groups, and imidazole groups, radicals, ring-opened molecules, double bonds, and triple bonds. And at least one group or substance selected from the group consisting of a saturated bond, a halogen such as F, Cl, Br, and I, and a peroxide. The surface having such a group or substance can realize further improvement in the bonding strength of the substrate 1 with bonding film to the bonding film 3.

また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜付き基材1と特に強固に接合可能な対向基板5が得られる。
また、表面処理に代えて、対向基板5の接合膜付き基材1との接合に供される領域には、あらかじめ、接合膜3との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜付き基材1と対向基板5とを接合することになり、より接合強度の高い接合体10が得られるようになる。
Moreover, the counter substrate 5 that can be particularly strongly bonded to the base material with the bonding film 1 is obtained by appropriately selecting and performing various surface treatments as described above so that a surface having such a material can be obtained. .
Further, instead of the surface treatment, an intermediate layer having a function of improving the adhesion with the bonding film 3 is formed in advance in a region used for bonding the counter substrate 5 with the base material 1 with the bonding film. Is preferred. Thereby, the base material 1 with the bonding film and the counter substrate 5 are bonded via the intermediate layer, and the bonded body 10 having higher bonding strength can be obtained.

かかる中間層の構成材料には、前述の基板2に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、基板2と対向基板5とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、対向基板5の接合面55に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、基板2に形成された接合膜3と、対向基板5の接合面55とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜3の表面35に存在する水酸基と、対向基板5の接合面55に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、基板2と対向基板5とが接合されると推察される。
As the constituent material of the intermediate layer, the same constituent material as that of the intermediate layer formed on the substrate 2 can be used.
Here, a mechanism for bonding the substrate 2 and the counter substrate 5 in this step will be described.
For example, a case where a hydroxyl group is exposed on the bonding surface 55 of the counter substrate 5 will be described as an example. In this step, the bonding film 3 formed on the substrate 2 and the bonding surface 55 of the counter substrate 5 are in contact with each other. When these are bonded together, the hydroxyl group present on the surface 35 of the bonding film 3 and the hydroxyl group present on the bonding surface 55 of the counter substrate 5 are attracted to each other by hydrogen bonding, and an attractive force is generated between the hydroxyl groups. . It is presumed that the substrate 2 and the counter substrate 5 are joined by this attractive force.

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、基板2と対向基板5との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、基板2と対向基板5とがより強固に接合されると推察される。
また、基板2の接合膜3の表面や内部、および、対向基板5の接合面55や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手(ダングリングボンド)が存在している場合、基板2と対向基板5とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う(絡み合う)ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜3と対向基板5とが特に強固に接合される。
Further, the hydroxyl groups attracting each other by the hydrogen bond are cleaved from the surface with dehydration condensation depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the substrate 2 and the counter substrate 5, the bonds in which the hydroxyl groups are bonded are bonded. Thereby, it is guessed that the board | substrate 2 and the opposing board | substrate 5 are joined more firmly.
Further, when there are unterminated bonds, i.e., dangling bonds, on the surface and inside of the bonding film 3 of the substrate 2 and the bonding surface 55 and inside of the counter substrate 5, When the substrate 2 and the counter substrate 5 are bonded together, these unbonded hands are recombined. Since this recombination occurs in a complicated manner so as to overlap (entangle) with each other, a network-like bond is formed at the bonding interface. Thereby, the bonding film 3 and the counter substrate 5 are particularly strongly bonded.

なお、前記工程[2]で活性化された接合膜3の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程[2]の終了後、できるだけ早く本工程[3]を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程[2]の終了後、60分以内に本工程[3]を行うようにするのが好ましく、5分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜3の表面が十分な活性状態を維持しているので、基板2と対向基板5とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。   Note that the active state of the surface of the bonding film 3 activated in the step [2] relaxes with time. For this reason, it is preferable to perform this process [3] as soon as possible after completion of the process [2]. Specifically, after the completion of the step [2], the step [3] is preferably performed within 60 minutes, and more preferably within 5 minutes. Within this time, the surface of the bonding film 3 maintains a sufficiently active state, and therefore, when the substrate 2 and the counter substrate 5 are bonded together, sufficient bonding strength can be obtained between them. .

換言すれば、活性化させる前の接合膜3は、エネルギー線吸収物質4を含むシリコーン材料を乾燥させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。特に、接合膜3を構成するシリコーン材料が、紫外線等により変色、劣化するのを確実に防止することができる。このため、活性化させる前の接合膜3は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜3を備えた基板2を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程[2]に記載したエネルギー線照射を行うようにすれば、接合体10の製造効率の観点から有効である。   In other words, since the bonding film 3 before activation is a bonding film obtained by drying a silicone material containing the energy ray absorbing substance 4, it is chemically relatively stable and has excellent weather resistance. Yes. In particular, it is possible to reliably prevent the silicone material constituting the bonding film 3 from being discolored or deteriorated by ultraviolet rays or the like. For this reason, the bonding film 3 before being activated is suitable for long-term storage. Therefore, a large amount of the substrate 2 provided with such a bonding film 3 is manufactured or purchased and stored, and the energy described in the step [2] is applied only to a necessary number immediately before bonding in this step. It is effective from the viewpoint of the manufacturing efficiency of the joined body 10 if the irradiation is performed.

以上のようにして、図3(f)に示す接合体(本発明の接合体)10を得ることができる。
このようにして得られた接合体10は、基板2と対向基板5との間の接合強度が5MPa(50kgf/cm)以上であるのが好ましく、10MPa(100kgf/cm)以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体10は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、かかる構成の接合方法によれば、基板2と対向基板5とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体10を効率よく作製することができる。
なお、接合体10を得た後、この接合体10に対して、必要に応じ、以下の3つの工程([4A]、[4B]および[4C])のうちの少なくとも1つの工程(接合体10の接合強度を高める工程)を行うようにしてもよい。これにより、接合体10の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
As described above, the joined body (joined body of the present invention) 10 shown in FIG. 3F can be obtained.
The bonded body 10 thus obtained preferably has a bonding strength between the substrate 2 and the counter substrate 5 of 5 MPa (50 kgf / cm 2 ) or higher, preferably 10 MPa (100 kgf / cm 2 ) or higher. Is more preferable. The joined body 10 having such joining strength can sufficiently prevent the peeling. Moreover, according to the joining method of this structure, the joined body 10 with which the board | substrate 2 and the opposing board | substrate 5 were joined by the above big joining strengths can be produced efficiently.
In addition, after obtaining the bonded body 10, at least one of the following three steps ([4A], [4B], and [4C]) (bonded body) is performed on the bonded body 10 as necessary. The step of increasing the bonding strength of 10) may be performed. Thereby, the joint strength of the joined body 10 can be further improved.

[4A]図3(g)に示すように、得られた接合体10を、基板2と対向基板5とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板2の表面および対向基板5の表面に、それぞれ接合膜3の表面がより近接し、接合体10における接合強度をより高めることができる。
また、接合体10を加圧することにより、接合体10中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体10における接合強度をさらに高めることができる。
[4A] As shown in FIG. 3G, the obtained bonded body 10 is pressed in a direction in which the substrate 2 and the counter substrate 5 approach each other.
Thereby, the surface of the bonding film 3 is closer to the surface of the substrate 2 and the surface of the counter substrate 5, respectively, and the bonding strength in the bonded body 10 can be further increased.
Further, by pressurizing the bonded body 10, the gap remaining at the bonded interface in the bonded body 10 can be crushed and the bonded area can be further expanded. Thereby, the joint strength in the joined body 10 can be further increased.

このとき、接合体10を加圧する際の圧力は、接合体10が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して接合体10における接合強度を高めることができる。
なお、この圧力は、基板2および対向基板5の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板2および対向基板5の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、0.2〜10MPa程度であるのが好ましく、1〜5MPa程度であるのがより好ましい。これにより、接合体10の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板2および対向基板5の各構成材料によっては、基板2および対向基板5に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、10秒〜30分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体10を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
At this time, the pressure at the time of pressurizing the bonded body 10 is a pressure that does not damage the bonded body 10 and is preferably as high as possible. Thereby, the joint strength in the joined body 10 can be increased in proportion to the pressure.
In addition, what is necessary is just to adjust this pressure suitably according to conditions, such as each constituent material of each of the board | substrate 2 and the opposing board | substrate 5, each thickness, and a joining apparatus. Specifically, although it is slightly different depending on the constituent materials and thicknesses of the substrate 2 and the counter substrate 5, it is preferably about 0.2 to 10 MPa, more preferably about 1 to 5 MPa. Thereby, the joining strength of the joined body 10 can be reliably increased. The pressure may exceed the upper limit, but depending on the constituent materials of the substrate 2 and the counter substrate 5, the substrate 2 and the counter substrate 5 may be damaged.
The time for pressurization is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time to pressurize according to the pressure at the time of pressurizing. Specifically, the higher the pressure at which the bonded body 10 is pressed, the more the bonding strength can be improved even if the pressing time is shortened.

[4B]図3(g)に示すように、得られた接合体10を加熱する。
これにより、接合体10における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体10を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体10の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは25〜100℃程度とされ、より好ましくは50〜100℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体10が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
[4B] As shown in FIG. 3G, the obtained bonded body 10 is heated.
Thereby, the joint strength in the joined body 10 can be further increased.
At this time, the temperature at the time of heating the bonded body 10 is not particularly limited as long as it is higher than room temperature and lower than the heat resistance temperature of the bonded body 10, but is preferably about 25 to 100 ° C., more preferably 50 to 100 ° C. About ℃. By heating at a temperature in such a range, it is possible to reliably increase the bonding strength while reliably preventing the bonded body 10 from being altered or deteriorated by heat.

また、加熱時間は、特に限定されないが、1〜30分程度であるのが好ましい。
また、前記工程[4A]、[4B]の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図3(g)に示すように、接合体10を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体10の接合強度を特に高めることができる。
The heating time is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30 minutes.
Moreover, when performing both said process [4A] and [4B], it is preferable to perform these simultaneously. That is, as shown in FIG. 3G, it is preferable to heat the bonded body 10 while applying pressure. Thereby, the effect by pressurization and the effect by heating are exhibited synergistically, and the joint strength of the joined body 10 can be particularly increased.

[4C]得られた接合体10に紫外線を照射する。
これにより、接合膜3と基板2および対向基板5との間に形成される化学結合を増加させ、基板2および対向基板5と接合膜3との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、接合体10の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程[2]に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
[4C] The obtained bonded body 10 is irradiated with ultraviolet rays.
Thereby, the chemical bond formed between the bonding film 3 and the substrate 2 and the counter substrate 5 can be increased, and the bonding strength between the substrate 2 and the counter substrate 5 and the bonding film 3 can be increased. As a result, the bonding strength of the bonded body 10 can be particularly increased.
The conditions of the ultraviolet rays irradiated at this time may be equivalent to the conditions of the ultraviolet rays shown in the step [2].

また、本工程[4C]を行う場合、基板2および対向基板5のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜3に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体10における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、上記では、接合膜3を基板2に設けるものとして説明したが、接合膜3は、基板2と対向基板5の双方に設けてもよい。この場合には、表面処理や中間層の形成は、基板2と対向基板5の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行ってもよい。
Moreover, when performing this process [4C], it is required for either one of the board | substrate 2 and the opposing board | substrate 5 to have translucency. The bonding film 3 can be reliably irradiated with ultraviolet rays by irradiating the ultraviolet rays from the light transmitting substrate side.
By performing the steps as described above, it is possible to easily further improve the bonding strength in the bonded body 10.
In the above description, the bonding film 3 is provided on the substrate 2. However, the bonding film 3 may be provided on both the substrate 2 and the counter substrate 5. In this case, the surface treatment and the formation of the intermediate layer may be performed on both the substrate 2 and the counter substrate 5, or may be selectively performed on either one.

<第2実施形態>
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第2実施形態について説明する。
図4は、本発明の接合膜付き基材の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)、図5および図6は、本実施形態の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図4ないし図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Second Embodiment
Next, the second embodiment of the base material with the bonding film of the present invention, the bonding method for bonding the base material with the bonding film and the counter substrate, and the joined body including the base material with the bonding film of the present invention will be described. .
FIG. 4 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a second embodiment of the substrate with a bonding film of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are bonded using the substrate with the bonding film of the present embodiment. It is a figure (longitudinal section) for explaining a 2nd embodiment of a joining method which joins a substrate with a film and a counter substrate. In the following description, the upper side in FIGS. 4 to 6 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、第2実施形態にかかる接合膜付き基材、接合方法について説明するが、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合膜付き基材は、接合膜付き基材が有する接合膜が、部分的にエネルギー線吸収物質を含むものであること以外は、前記第1実施形態と同様である。
本実施形態において、接合膜付き基材1aは、基板2と、基板2上の外周部251に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質4とを含有する接合膜32と、基板2上の接合膜32で囲まれた領域252に設けられ、シリコーン材料を含有する接合膜33とを有している。
Hereinafter, although the base material with a bonding film and the bonding method according to the second embodiment will be described, differences from the first embodiment will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.
The substrate with a bonding film according to this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the bonding film included in the substrate with a bonding film partially contains an energy ray absorbing substance.
In this embodiment, the base material 1a with the bonding film is provided on the substrate 2 and the outer peripheral portion 251 on the substrate 2, and includes a bonding film 32 containing a silicone material and an energy ray absorbing substance 4 that absorbs energy rays. And a bonding film 33 provided in a region 252 surrounded by the bonding film 32 on the substrate 2 and containing a silicone material.

このような接合膜付き基材1aが有する接合膜32と接合膜33とは、エネルギー線照射により発現する接着性がそれぞれ異なる。より具体的には、接合膜32および接合膜33に対して、均等にエネルギー線を照射すると、エネルギー線吸収物質4を含有する接合膜32の方が、接合膜33よりも、他の被着体との接着性がより早く発現するとともに、他の被着体との接合強度がより高いものとなる。これにより、接合膜付き基材1aは、外周部付近(接合膜32が設けられた領域)の方が、中心部付近(接合膜33が設けられた領域)よりも、より高い接合強度で他の被着体と接合可能なものとなる。このような接合膜付き基材1aは、基板2上に形成する接合膜32、接合膜33の面積を制御することにより、他の被着体との接合強度を容易に調整することが可能なものとなる。   The bonding film 32 and the bonding film 33 included in such a substrate with a bonding film 1a have different adhesiveness expressed by energy beam irradiation. More specifically, if the bonding film 32 and the bonding film 33 are evenly irradiated with energy rays, the bonding film 32 containing the energy ray absorbing material 4 is deposited other than the bonding film 33. Adhesiveness with the body develops more quickly, and bonding strength with other adherends becomes higher. Thereby, the base material 1a with the bonding film has a higher bonding strength in the vicinity of the outer peripheral portion (region where the bonding film 32 is provided) than in the vicinity of the central portion (region where the bonding film 33 is provided). It becomes possible to join to the adherend. Such a base material 1a with a bonding film can easily adjust the bonding strength with other adherends by controlling the areas of the bonding film 32 and the bonding film 33 formed on the substrate 2. It will be a thing.

また、接合膜32中に含まれるエネルギー線吸収物質4として前述したような材料は、可視光を散乱または吸収する機能を有するものである。そのため、接合膜32は、接合膜33に比べて、高い接合強度で対向基板5と接合できるが、その一方で、光透過性が劣るものである。本実施形態の接合膜付き基材1aは、このような接合膜32がその外周部付近にのみ設けられたものであり、接合膜32で囲まれた中心部付近には、エネルギー線吸収物質4を含まず、十分な光透過性を有する接合膜33が設けられている。このような接合膜付き基材1aは、接合膜33が設けられた領域を有効領域(光透過領域)とするような、光学デバイス用の部材同士の接合に好適に用いることができるものとなる。   Further, the material as described above as the energy ray absorbing substance 4 contained in the bonding film 32 has a function of scattering or absorbing visible light. Therefore, the bonding film 32 can be bonded to the counter substrate 5 with higher bonding strength than the bonding film 33, but on the other hand, the light transmittance is inferior. The base material 1a with the bonding film of the present embodiment is such that such a bonding film 32 is provided only in the vicinity of the outer peripheral portion, and in the vicinity of the central portion surrounded by the bonding film 32, the energy ray absorbing material 4 is provided. And a bonding film 33 having sufficient light transmittance is provided. Such a base material 1a with a bonding film can be suitably used for bonding members for optical devices such that the area where the bonding film 33 is provided is an effective area (light transmission area). .

次に、本実施形態にかかる接合膜付き基材と他の被着体との接合方法について説明する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合に供する接合膜付き基材の構成が異なる以外は、前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き基材1aを用意する工程と、接合膜付き基材1aの接合膜32および接合膜33に対してエネルギー線を照射することにより、接合膜32および接合膜33の表面付近に接着性を発現させる工程と、対向基板(他の被着体)5を用意し、接合膜付き基材1aが備える接合膜32および接合膜33と対向基板5とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合体10aを得る工程とを有する。
Next, the joining method of the base material with a joining film according to the present embodiment and another adherend will be described.
The bonding method according to this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the configuration of the substrate with a bonding film used for bonding is different.
That is, the bonding method according to the present embodiment includes a step of preparing the base material 1a with the bonding film, and irradiating the bonding film 32 and the bonding film 33 of the base material 1a with the bonding film with an energy beam. 32 and the process of expressing adhesiveness in the vicinity of the surface of the bonding film 33, and the counter substrate (other adherend) 5 are prepared, and the bonding film 32, the bonding film 33, and the counter substrate 5 included in the substrate 1a with the bonding film are prepared. And bonding them so that they are in close contact with each other, and obtaining a bonded body 10a.

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
[1]まず、接合膜付き基材1aを用意する。
この接合膜付き基材1aは、上述したように、基板2と、接合膜32および接合膜33とを有するものである。
このような接合膜付き基材1aは、例えば、以下のような接合膜付き基材の形成方法を用いて得ることができる。
すなわち、基板2を用意する工程と、基板2上にシリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加えて、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質4を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給して、液状被膜を形成した後、かかる液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程とを得ることにより接合膜付き基材1aが形成される。
Hereinafter, each process of the joining method concerning this embodiment is demonstrated one by one.
[1] First, a base material 1a with a bonding film is prepared.
As described above, the base material 1a with the bonding film includes the substrate 2, the bonding film 32, and the bonding film 33.
Such a base material 1a with a bonding film can be obtained using, for example, the following method for forming a base material with a bonding film.
That is, the step of preparing the substrate 2, the liquid material containing the silicone material on the substrate 2, and the liquid material containing the energy ray absorbing substance 4 that absorbs the energy rays in addition to the silicone material are in different regions. After supplying and forming a liquid film, the base material 1a with a bonding film is formed by obtaining the step of drying the liquid film and forming a bonding film.

以下、これらの各工程を詳述する。
[1A]まず、基板2を用意する(図5(a)参照)。
[1B]次に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質4とを含有する液状材料(液滴311)を、基板2の外周部251上に供給し、液状被膜301を形成する(図5(b)参照)。
このような供給方法としては、前述したような供給方法を用いることができるが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい(図5(b)参照)。これにより、液状被膜301を基板2の外周部251の領域に確実にパターニングして形成することができる。
Hereinafter, each of these steps will be described in detail.
[1A] First, the substrate 2 is prepared (see FIG. 5A).
[1B] Next, a liquid material (droplet 311) containing a silicone material and an energy ray absorbing substance 4 that absorbs energy rays is supplied onto the outer peripheral portion 251 of the substrate 2 to form a liquid coating 301. (See FIG. 5 (b)).
As such a supply method, the supply method as described above can be used, but it is particularly preferable to use a droplet discharge method (see FIG. 5B). Thereby, the liquid coating 301 can be reliably patterned in the region of the outer peripheral portion 251 of the substrate 2.

[1C]次に、基板2上に設けられた液状被膜301を乾燥させることにより、基板2の外周部251上に接合膜32を形成する(図5(c)参照)。
このような乾燥方法は、例えば、前記第1実施形態で挙げた乾燥方法を用いることができる。
[1D]次に、シリコーン材料を含有する液状材料(液滴312)を、基板2上の接合膜32で囲まれた領域252に供給し、液状被膜302を形成する(図5(d)参照)。
本実施形態において、このような液状被膜302はエネルギー線吸収物質4を含まないものである。液状被膜302を構成する材料としては、例えば、上述した液状被膜301を構成する材料からエネルギー線吸収物質4を除いたもの等が挙げられる。
また、液状材料の供給方法としては、前述したような供給方法を用いることができる。
[1C] Next, the liquid film 301 provided on the substrate 2 is dried to form the bonding film 32 on the outer peripheral portion 251 of the substrate 2 (see FIG. 5C).
As such a drying method, for example, the drying method described in the first embodiment can be used.
[1D] Next, a liquid material (droplet 312) containing a silicone material is supplied to a region 252 surrounded by the bonding film 32 on the substrate 2 to form a liquid film 302 (see FIG. 5D). ).
In the present embodiment, such a liquid coating 302 does not contain the energy ray absorbing material 4. Examples of the material constituting the liquid film 302 include a material obtained by removing the energy ray absorbing substance 4 from the material constituting the liquid film 301 described above.
Moreover, as a supply method of a liquid material, the supply method as mentioned above can be used.

[1E]次に、基板2上に設けられた液状被膜302を乾燥させることにより、基板2上の接合膜32で囲まれた領域に接合膜33が形成される(図5(e)参照)。
本実施形態では、[1B]、[1C]の各工程を経て、基板2の外周部251上にシリコーン材料とエネルギー線吸収物質4とを含有する接合膜32を形成した後に、[1D]、[1E]の各工程を経て、基板2上の接合膜32で囲まれた領域252にシリコーン材料を含有する接合膜33を形成する。このようにして、基板2上にシリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加え、エネルギー線吸収物質4を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給して、液状被膜(液状被膜301および液状被膜302)を形成し、これらを乾燥させることにより、接合膜(接合膜32および接合膜33)が形成される。
[1E] Next, by drying the liquid film 302 provided on the substrate 2, a bonding film 33 is formed in a region surrounded by the bonding film 32 on the substrate 2 (see FIG. 5E). .
In this embodiment, after forming the bonding film 32 containing the silicone material and the energy ray absorbing substance 4 on the outer peripheral portion 251 of the substrate 2 through the steps [1B] and [1C], [1D] Through each step [1E], a bonding film 33 containing a silicone material is formed in a region 252 surrounded by the bonding film 32 on the substrate 2. In this way, the liquid material containing the silicone material on the substrate 2 and the liquid material containing the energy ray absorbing substance 4 in addition to the silicone material are supplied to different regions, respectively, and the liquid coating (the liquid coating 301 and the liquid coating 301) is supplied. By forming the liquid coating 302) and drying them, the bonding films (the bonding film 32 and the bonding film 33) are formed.

以上のようにして接合膜付き基材1aを得ることができる。
なお、上記では、[1B]、[1C]の各工程を経て、接合膜32を形成した後に、[1D]、[1E]の各工程を経ることによって接合膜33を形成して、接合膜付き基材1aを得たが、[1D]、[1E]の各工程を経て接合膜33を形成した後に、[1B]、[1C]の各工程を経て接合膜32を形成してもよい。
The base material 1a with a bonding film can be obtained as described above.
In the above description, after the bonding film 32 is formed through the steps [1B] and [1C], the bonding film 33 is formed through the steps [1D] and [1E]. The attached substrate 1a was obtained, but after forming the bonding film 33 through the steps [1D] and [1E], the bonding film 32 may be formed through the steps [1B] and [1C]. .

[2]次に、図6(f)に示すように、接合膜32および接合膜33にエネルギー線を照射する。これにより、接合膜付き基材1aは、接合膜32および接合膜33に、対向基板5に対する接着性が発現する。
[3]次に、図6(g)に示すように、対向基板(他の被着体)5を用意し、接合膜32の表面325および接合膜33の表面335と対向基板5の接合面55とを密着するように、接合膜付き基材1aと対向基板5とを貼り合わせる。これにより、図6(h)に示す接合体10aを得る。
[2] Next, as shown in FIG. 6F, the bonding film 32 and the bonding film 33 are irradiated with energy rays. Thereby, the base material 1a with a bonding film exhibits adhesiveness to the counter substrate 5 in the bonding film 32 and the bonding film 33.
[3] Next, as shown in FIG. 6G, a counter substrate (another adherend) 5 is prepared, and the surface 325 of the bonding film 32 and the surface 335 of the bonding film 33 and the bonding surface of the counter substrate 5 are prepared. The base material 1 a with the bonding film and the counter substrate 5 are bonded together so that the substrate 55 is in close contact therewith. Thereby, the joined body 10a shown in FIG.

このようにして得られた接合体10aは、基板2と対向基板5とが、外周部付近(接合膜32を介して接合している領域)において、中心部付近(接合膜33を介して接合している領域)よりもより強固に接合されたものとなる。このような接合体10aでは、基板2上に形成する接合膜32および接合膜33の形成領域を制御することにより、接合体10aの接合強度を容易に調整することができる。   The bonded body 10a thus obtained is bonded to the substrate 2 and the counter substrate 5 in the vicinity of the outer peripheral portion (the region where the substrate is bonded via the bonding film 32) and the vicinity of the central portion (bonded via the bonding film 33). The region is more firmly bonded than the region that is being connected). In such a bonded body 10 a, the bonding strength of the bonded body 10 a can be easily adjusted by controlling the formation region of the bonding film 32 and the bonding film 33 formed on the substrate 2.

また、接合体10aは、接合膜33が十分な光透過性を有するものであるため、接合体10aとして光透過性が要求される場合にも好適に用いられる。例えば、接合体10aは、接合膜33が設けられた領域を有効領域(光透過領域)とした光学デバイス用の部材同士の接合に好適に用いることができるものとなる。
以上のようにして接合体10aを得ることができる。
In addition, since the bonding film 33 has sufficient light transmission properties, the bonded body 10a is also preferably used when light transmission is required as the bonded body 10a. For example, the bonded body 10a can be suitably used for bonding members for an optical device in which an area where the bonding film 33 is provided is an effective area (light transmission area).
The bonded body 10a can be obtained as described above.

また、接合体10aを得た後、この接合体10aに対して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4A]、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工程を行うようにしてもよい。
なお、上記では、基板2上の外周部に、エネルギー線吸収物質4を含有する接合膜32を有し、基板2上の接合膜32で囲まれた領域に、接合膜33を有する接合膜付き基材1aについて説明したが、例えば、接合膜32と接合膜33とを入れ替えたものであってもよいし、接合膜32および接合膜33がそれぞれ、任意のパターンで設けられたものであってもよい。
Moreover, after obtaining the joined body 10a, at least one of the steps [4A], [4B] and [4C] of the first embodiment is performed on the joined body 10a as necessary. It may be.
In the above, the bonding film 32 having the energy ray absorbing material 4 is provided on the outer peripheral portion of the substrate 2, and the bonding film 33 having the bonding film 33 is provided in the region surrounded by the bonding film 32 on the substrate 2. Although the base material 1a has been described, for example, the bonding film 32 and the bonding film 33 may be interchanged, and the bonding film 32 and the bonding film 33 are each provided in an arbitrary pattern. Also good.

以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機EL素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。
The joining method according to each of the embodiments as described above can be used to join various members.
Examples of members used for such bonding include semiconductor elements such as transistors, diodes, and memories, piezoelectric elements such as crystal oscillators, optical elements such as reflectors, optical lenses, diffraction gratings, and optical filters. , Photoelectric conversion elements such as solar cells, semiconductor substrates and semiconductor elements mounted thereon, insulating substrates and wiring or electrodes, inkjet recording heads, microreactors, microelectromechanical system (MEMS) components such as micromirrors, pressure Sensor parts such as sensors, acceleration sensors, package parts for semiconductor elements and electronic parts, magnetic recording media, magneto-optical recording media, recording media such as optical recording media, liquid crystal display elements, organic EL elements, electrophoretic display elements Such display element parts, fuel cell parts, and the like.

以下、代表的に、前述した第2実施形態の接合体を適用した、偏光板と液晶表示素子とが接合された液晶表示装置について説明する。
図7は、本発明の接合膜付き基材の第2実施形態を適用した接合膜付き偏光板の斜視図、図8は、図7に示す接合膜付き偏光板を用いて得られる液晶表示装置の断面図である。なお、以下の説明では、図7および図8の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Hereinafter, a liquid crystal display device in which a polarizing plate and a liquid crystal display element are bonded, to which the bonded body of the above-described second embodiment is applied, will be described as a representative.
7 is a perspective view of a polarizing plate with a bonding film to which the second embodiment of the substrate with a bonding film of the present invention is applied, and FIG. 8 is a liquid crystal display device obtained using the polarizing plate with a bonding film shown in FIG. FIG. In the following description, the upper side of FIGS. 7 and 8 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図7に示すように、液晶表示装置60は、液晶表示素子70と、2枚の接合膜付き偏光板68、69とを有している。このような液晶表示装置60は、各接合膜付き偏光板(71、72)が、被着体としての液晶表示素子70と、接合膜32および接合膜33を介して接合された構成を有している。
そのうち、液晶表示素子70は、基板611と、基板611上に形成された複数の隔壁(バンク)613と、基板611上に形成され、複数の隔壁613間に設けられた着色部612とを有するカラーフィルター61と、カラーフィルター61の着色部612が設けられた面側に配された基板(対向基板)67と、カラーフィルター61と基板67との間の空隙に封入された液晶よりなる液晶層63とを有している。そして、カラーフィルター61の着色部612および隔壁613が設けられた面(着色部612および隔壁613の基板611に対向する面とは反対の面)には、共通電極62が設けられており、基板(対向基板)67の液晶層63、カラーフィルター61に対向する面には、カラーフィルター61の各着色部612に対応する位置に、マトリクス状に、画素電極66が配されている。さらに、共通電極62と液晶層63との間には配向膜65が設けられ、基板67(画素電極66)と液晶層63との間には配向膜64が設けられている。
As shown in FIG. 7, the liquid crystal display device 60 includes a liquid crystal display element 70 and two polarizing plates 68 and 69 with bonding films. Such a liquid crystal display device 60 has a configuration in which each polarizing plate with a bonding film (71, 72) is bonded to the liquid crystal display element 70 as an adherend via the bonding film 32 and the bonding film 33. ing.
Among them, the liquid crystal display element 70 includes a substrate 611, a plurality of partitions (banks) 613 formed on the substrate 611, and a coloring portion 612 formed on the substrate 611 and provided between the plurality of partitions 613. A color filter 61, a substrate (counter substrate) 67 disposed on the side of the color filter 61 where the coloring portion 612 is provided, and a liquid crystal layer made of liquid crystal sealed in a gap between the color filter 61 and the substrate 67 63. A common electrode 62 is provided on the surface of the color filter 61 where the coloring portion 612 and the partition 613 are provided (the surface opposite to the surface of the coloring portion 612 and the partition 613 facing the substrate 611). Pixel electrodes 66 are arranged in a matrix on the surface of the (opposite substrate) 67 facing the liquid crystal layer 63 and the color filter 61 at positions corresponding to the colored portions 612 of the color filter 61. Further, an alignment film 65 is provided between the common electrode 62 and the liquid crystal layer 63, and an alignment film 64 is provided between the substrate 67 (pixel electrode 66) and the liquid crystal layer 63.

一方、2枚の偏光板68、69は、それぞれ、前述した本発明の接合膜付き基材の第2実施形態を適用したものである。そして、これらの接合膜付き偏光板71、72は、それぞれ接合膜32および接合膜33を介して、それぞれ液晶表示素子70を構成する基板611、67と接合されている。
接合膜付き偏光板71は、図6に示すように、偏光板68と、偏光板68上の外周部に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線吸収物質4とを含有する接合膜32と、偏光板68上の接合膜32に囲まれた領域に設けられ、シリコーン材料を含有する接合膜33とを有している。また、同様に、接合膜付き偏光板72は、偏光板69と、偏光板69上の外周部に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線吸収物質4とを含有する接合膜32と、偏光板69上の接合膜32に囲まれた領域に設けられ、シリコーン材料を含有する接合膜33とを有している。
On the other hand, the two polarizing plates 68 and 69 are obtained by applying the above-described second embodiment of the base material with a bonding film of the present invention. And these polarizing plates 71 and 72 with a joining film are joined to the board | substrates 611 and 67 which respectively comprise the liquid crystal display element 70 through the joining film 32 and the joining film 33, respectively.
As shown in FIG. 6, the polarizing plate 71 with a bonding film is provided on the outer periphery of the polarizing plate 68, the bonding film 32 containing the silicone material and the energy ray absorbing substance 4, It is provided in a region surrounded by the bonding film 32 on the plate 68 and has a bonding film 33 containing a silicone material. Similarly, the polarizing plate 72 with the bonding film is provided on the outer periphery of the polarizing plate 69, the bonding film 32 containing the silicone material and the energy ray absorbing material 4, and the polarizing plate 69. It is provided in a region surrounded by the upper bonding film 32 and has a bonding film 33 containing a silicone material.

接合膜32および接合膜33は、偏光板とカラーフィルター用基板等とを接合するのに一般的に用いられる粘接着剤に比べて、厚みムラが生じにくいものである。そのため、接合膜付き偏光板71(または、接合膜付き偏光板72)を、基板611(または、基板67)に対して、高い寸法精度で接合することができ、液晶表示装置60の寸法精度は優れたものとなる。   The bonding film 32 and the bonding film 33 are less likely to cause thickness unevenness than an adhesive that is generally used to bond a polarizing plate and a color filter substrate or the like. Therefore, the polarizing plate 71 with the bonding film (or the polarizing plate 72 with the bonding film) can be bonded to the substrate 611 (or the substrate 67) with high dimensional accuracy, and the dimensional accuracy of the liquid crystal display device 60 is It will be excellent.

また、接合膜付き偏光板71(または、接合膜付き偏光板72)が有する接合膜33は、液晶表示装置60を平面視した際に、画像表示領域(後述するバックライトから発せられた光が透過する領域)を覆うように設けられている。言い換えると、液晶表示装置60において、接合膜付き偏光板71(または、接合膜付き偏光板72)が有するエネルギー線吸収物質4を含有する接合膜32が、画像表示領域から外れた領域に設けられている。このような液晶表示装置60は、偏光板68(または、偏光板69)と基板611(または、基板67)とが、光透過性に優れる接合膜33を介して接合されているため、表示画像の明るさが低下するのが防止される。また、液晶表示装置60の画像表示領域外において、接合膜33よりも他の被着体との接合強度に優れる接合膜32を介して液晶表示素子70と各偏光板(偏光板68、偏光板69)とが接合されているため、液晶表示素子70と2枚の偏光板68および偏光板69との間で剥離が生じるのを確実に防止することができる。   Further, the bonding film 33 included in the polarizing film 71 with the bonding film (or the polarizing film 72 with the bonding film) has an image display region (light emitted from a backlight described later) when the liquid crystal display device 60 is viewed in plan. A transparent region). In other words, in the liquid crystal display device 60, the bonding film 32 containing the energy ray absorbing material 4 included in the polarizing plate 71 with the bonding film (or the polarizing plate 72 with the bonding film) is provided in a region outside the image display region. ing. In such a liquid crystal display device 60, the polarizing plate 68 (or the polarizing plate 69) and the substrate 611 (or the substrate 67) are bonded via the bonding film 33 having excellent light transmittance. The brightness of the camera is prevented from decreasing. In addition, outside the image display area of the liquid crystal display device 60, the liquid crystal display element 70 and each polarizing plate (polarizing plate 68, polarizing plate) are provided via the bonding film 32 that is superior in bonding strength to other adherends than the bonding film 33. 69) is bonded to the liquid crystal display element 70, the two polarizing plates 68, and the polarizing plate 69 can be reliably prevented.

基板611および基板67は、可視光に対して光透過性を有する基板であり、例えば、ガラス基板である。
カラーフィルター61を構成する隔壁613は、隣接する着色部612同士が混色してしまうのを防止したり、隣接する画素間からの光漏れを防止するために設けられ、例えば、カーボンブラック等の遮光性を有する材料で構成されている。また、着色部612は、各色(例えば、赤、緑、青)に対応する顔料等を主とする材料で構成されたものである。
The substrate 611 and the substrate 67 are substrates having optical transparency with respect to visible light, and are, for example, glass substrates.
The partition wall 613 constituting the color filter 61 is provided in order to prevent the adjacent colored portions 612 from being mixed with each other or to prevent light leakage from between adjacent pixels. It is comprised with the material which has property. Further, the coloring portion 612 is made of a material mainly including pigments corresponding to the respective colors (for example, red, green, and blue).

共通電極62、画素電極66は、可視光に対して光透過性を有する材料で構成されたものであり、例えば、ITO等で構成されている。
また、図中省略しているが、各画素電極66に対応するように、複数のスイッチング素子(例えば、TFT:薄膜トランジスタ)が設けられている。そして、各着色部612に対応する各画素電極66について、共通電極62との間での電圧の印加状態を制御することにより、各着色部612(各画素電極66)に対応する領域での、光の透過性を制御することができる。
The common electrode 62 and the pixel electrode 66 are made of a material having optical transparency to visible light, and are made of, for example, ITO.
Although omitted in the drawing, a plurality of switching elements (for example, TFT: thin film transistor) are provided so as to correspond to the respective pixel electrodes 66. For each pixel electrode 66 corresponding to each coloring portion 612, by controlling the voltage application state between the common electrode 62, in the region corresponding to each coloring portion 612 (each pixel electrode 66), Light transmittance can be controlled.

液晶表示装置60では、図示しないバックライトから発せられた光が、接合膜付き偏光板72側(図8中上側)から入射するようになっている。そして、液晶層63を透過し、カラーフィルター61の各着色部612に入射した光は、各着色部612に対応する色の光として、接合膜付き偏光板71(図8中下側)から出射する。前述したように、液晶表示装置60は、画像表示領域において、液晶表示素子70と各偏光板(偏光板68、偏光板69)とが光透過性に優れた接合膜33を介して接合されている。そのため、接合膜付き偏光板72側から入射したバックライトの光を、十分に高い透過率で接合膜付き偏光板71から出射することができ、液晶表示装置60の表示画像は十分に明るいものとなる。また、液晶表示装置60の画像表示領域外において、接合膜33よりも他の被着体との接合強度に優れる接合膜32を介して液晶表示素子70と各偏光板(偏光板68、偏光板69)とが接合されておるため、液晶表示素子70と各偏光板(偏光板68、偏光板69)とが十分に高い接合強度で接合され、液晶表示装置60の耐久性は優れたものとなる。
上述したような液晶表示装置60は、例えば、以下に説明するような電子機器に適用することができる。
In the liquid crystal display device 60, light emitted from a backlight (not shown) is incident from the polarizing film-attached polarizing plate 72 side (upper side in FIG. 8). And the light which permeate | transmitted the liquid crystal layer 63 and entered into each coloring part 612 of the color filter 61 is radiate | emitted from the polarizing plate 71 with a bonding film (lower side in FIG. 8) as light of the color corresponding to each coloring part 612. To do. As described above, in the liquid crystal display device 60, in the image display region, the liquid crystal display element 70 and each polarizing plate (polarizing plate 68, polarizing plate 69) are bonded via the bonding film 33 having excellent light transmittance. Yes. Therefore, the backlight light incident from the side of the polarizing plate 72 with the bonding film can be emitted from the polarizing plate 71 with the bonding film with a sufficiently high transmittance, and the display image of the liquid crystal display device 60 is sufficiently bright. Become. In addition, outside the image display area of the liquid crystal display device 60, the liquid crystal display element 70 and each polarizing plate (polarizing plate 68, polarizing plate) are provided via the bonding film 32 that is superior in bonding strength to other adherends than the bonding film 33. 69) is bonded, and the liquid crystal display element 70 and each polarizing plate (polarizing plate 68, polarizing plate 69) are bonded with sufficiently high bonding strength, and the durability of the liquid crystal display device 60 is excellent. Become.
The liquid crystal display device 60 as described above can be applied to an electronic device as described below, for example.

以下の説明では、液晶表示装置60を備える電子機器として、携帯電話について説明する。
図9は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図9に示す携帯電話は、表示部1001を備える携帯電話本体1000を有している。携帯電話本体1000には、上述した液晶表示装置60が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体1000において表示部1001などとして用いられる。
In the following description, a mobile phone will be described as an electronic device including the liquid crystal display device 60.
FIG. 9 is a perspective view showing an embodiment of a mobile phone.
A cellular phone shown in FIG. 9 has a cellular phone main body 1000 including a display unit 1001. The mobile phone main body 1000 incorporates the liquid crystal display device 60 described above, and these are used as the display unit 1001 and the like in the mobile phone main body 1000.

なお、このような液晶表示装置60は、図9で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
Such a liquid crystal display device 60 can be applied to various electronic devices in addition to the mobile phone described in FIG.
For example, TV, video camera, viewfinder type, monitor direct view type video tape recorder, laptop personal computer, car navigation device, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device , Word processors, workstations, videophones, security TV monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and ticket vending machines at financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters) , ECG display device, ultrasonic diagnostic device, endoscope display device), fish detector, various measuring instruments, instruments (for example, vehicles, aircraft, ship instruments), flight simulators, and other various monitors, The present invention can be applied to a projection display device such as a projector.

以上、本発明の接合膜付き基材および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合体は、前記各実施形態のうち、任意の1つまたは2つ以上を組み合わせたものであってもよい。
また、前記各実施形態では、基板と対向基板の2枚の基材を接合する方法について説明しているが、3枚以上の基材を接合する場合に、本発明の接合膜付き基材および本発明の接合方法を用いるようにしてもよい。
As mentioned above, although the base material with a joining film | membrane and joined body of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to these.
For example, the joined body of the present invention may be any one or a combination of two or more of the above embodiments.
In each of the above embodiments, a method of bonding two substrates of a substrate and a counter substrate is described, but when bonding three or more substrates, the substrate with a bonding film of the present invention and You may make it use the joining method of this invention.

本発明の接合膜付き基材の第1実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 1st Embodiment of the base material with a bonding film of this invention. 図1に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 1st Embodiment of the joining method which joins the base material with a joining film, and a counter substrate using the base material with a joining film shown in FIG. 図1に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 1st Embodiment of the joining method which joins the base material with a joining film, and a counter substrate using the base material with a joining film shown in FIG. 本発明の接合膜付き基材の第2実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the base material with a bonding film of this invention. 図4に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 2nd Embodiment of the joining method which joins the base material with a joining film, and a counter substrate using the base material with a joining film shown in FIG. 図4に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating 2nd Embodiment of the joining method which joins the base material with a joining film, and a counter substrate using the base material with a joining film shown in FIG. . 本発明の接合膜付き基材の第2実施形態を適用した接合膜付き偏光板の斜視図である。It is a perspective view of the polarizing plate with a joining film which applied 2nd Embodiment of the base material with a joining film of this invention. 図7に示す接合膜付き偏光板を用いて得られる液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display device obtained using the polarizing plate with a joining film shown in FIG. 携帯電話の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows embodiment of a mobile telephone.

符号の説明Explanation of symbols

1……接合膜付き基材 10、10a…接合体 2…基板 25…表面 251…外周部 252…領域 3、32、33…接合膜 35、325、335…表面 30、301、302…液状被膜 31、311、312…液滴 4…エネルギー線吸収物質 5…対向基板 55…接合面 60…液晶表示装置 61…カラーフィルター 611…基板 612…着色部 613…隔壁 62…共通電極 63…液晶層 64、65…配向膜 66…画素電極 67…基板(対向基板) 68、69…偏光板 70…液晶表示素子 71、72…接合膜付き偏光板 1000…携帯電話本体 1001…表示部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material with a bonding film 10, 10a ... Bonded body 2 ... Substrate 25 ... Surface 251 ... Outer peripheral part 252 ... Area 3, 32, 33 ... Bonding film 35, 325, 335 ... Surface 30, 301, 302 ... Liquid film 31, 311, 312, droplet 4, energy ray absorbing substance 5, counter substrate 55, bonding surface 60, liquid crystal display device 61, color filter 611, substrate 612, colored portion 613, partition wall 62, common electrode 63, liquid crystal layer 64 , 65 ... Alignment film 66 ... Pixel electrode 67 ... Substrate (counter substrate) 68, 69 ... Polarizing plate 70 ... Liquid crystal display element 71, 72 ... Polarizing plate with bonding film 1000 ... Mobile phone body 1001 ... Display unit

Claims (14)

基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、さらに、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記他の被着体との接着性が促進されるものであることを特徴とする接合膜付き基材。
A substrate;
A bonding film that is provided on the substrate, contains a silicone material, and exhibits adhesiveness to other adherends by irradiation with energy rays;
The bonding film further has an adhesive property with the other adherend due to heat generation due to absorption of the energy rays in the energy ray absorbing material by adding an energy ray absorbing material that absorbs the energy rays. A substrate with a bonding film, which is promoted.
前記接合膜は、前記シリコーン材料と、前記エネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を前記基材上に供給することにより液状被膜を形成し、前記液状被膜を乾燥することにより形成されたものである請求項1に記載の接合膜付き基材。   The bonding film is formed by supplying a liquid material containing the silicone material and the energy ray absorbing substance onto the base material to form a liquid film, and drying the liquid film. The substrate with a bonding film according to claim 1. 前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される請求項1または2に記載の接合膜付き基材。   The base material with a bonding film according to claim 1 or 2, wherein the silicone material has a main skeleton made of polydimethylsiloxane. 前記シリコーン材料は、シラノール基を有する請求項1ないし3のいずれかに記載の接合膜付き基材。   The base material with a bonding film according to claim 1, wherein the silicone material has a silanol group. 前記エネルギー線吸収物質は、酸化チタン、酸化セリウム、インジウム錫酸化物(ITO)、およびカーボンブラックのうちの少なくとも1種の材料を構成成分として含むものである請求項1ないし4のいずれかに記載の接合膜付き基材。   The bonding according to any one of claims 1 to 4, wherein the energy ray absorbing substance includes at least one material selected from titanium oxide, cerium oxide, indium tin oxide (ITO), and carbon black as a constituent component. Substrate with film. 前記エネルギー線吸収物質は、粒子状をなしている請求項1ないし5のいずれかに記載の接合膜付き基材。   The base material with a bonding film according to claim 1, wherein the energy ray absorbing substance is in a particulate form. 前記エネルギー線吸収性物質の平均粒径は、100〜1000nmである請求項6に記載の接合膜付き基材。   The base material with a bonding film according to claim 6, wherein an average particle diameter of the energy ray absorbing substance is 100 to 1000 nm. 前記接合膜の平均厚さをT[nm]、前記エネルギー線吸収物質の平均粒径をL[nm]としたとき、1.5≦T/L≦10の関係を満足する請求項6または7に記載の接合膜付き基材。   8. The relationship of 1.5 ≦ T / L ≦ 10 is satisfied, where T is the average thickness of the bonding film and L is the average particle diameter of the energy ray absorbing material. The base material with a bonding film as described in 1. 前記接合膜中における前記エネルギー線吸収物質の含有率は、1〜30wt%である請求項1ないし8のいずれかに記載の接合膜付き基材。   The substrate with a bonding film according to any one of claims 1 to 8, wherein a content ratio of the energy ray absorbing substance in the bonding film is 1 to 30 wt%. 前記エネルギー線は、紫外線である請求項1ないし9のいずれかに記載の接合膜付き基材。   The substrate with a bonding film according to claim 1, wherein the energy ray is ultraviolet light. 基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が、部分的に添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記他の被着体との接着性が促進されるものであり、
前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含む部分と、前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含まない部分とは、前記被着体に対する接合強度が互いに異なるものであることを特徴とする接合膜付き基材。
A substrate;
A bonding film that is provided on the substrate, contains a silicone material, and exhibits adhesiveness to other adherends by irradiation with energy rays;
In the bonding film, when an energy ray absorbing material that absorbs the energy rays is partially added, heat generated by absorption of the energy rays in the energy ray absorbing material is caused in the portion including the energy ray absorbing material. Adhesion with the other adherend is promoted,
The bonding film of the bonding film containing the energy ray absorbing substance and the portion of the bonding film not containing the energy ray absorbing substance have different bonding strengths to the adherend. With base material.
基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記接合膜の接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
Preparing a substrate and an adherend;
A liquid film is formed on the substrate by supplying a liquid material containing a silicone material and an energy ray absorbing substance that absorbs energy rays, and then the liquid film is dried to form a bonding film. Process,
By irradiating the bonding film with the energy beam, the bonding film exhibits adhesiveness, and the heat generated by the absorption of the energy beam in the energy beam absorbing material promotes the bonding film adhesion, And a step of obtaining a joined body in which the base material and the adherend are joined via a joining film.
基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加えて、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記被着体との接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
Preparing a substrate and an adherend;
A liquid film is formed on the substrate by supplying a liquid material containing a silicone material and a liquid material containing an energy ray absorbing substance that absorbs energy rays in addition to the silicone material to different regions. And then drying the liquid film to form a bonding film;
By irradiating the bonding film with the energy beam, the bonding film is made to exhibit adhesiveness, and heat generated by absorption of the energy beam in the energy beam absorbing material causes the covering in the portion including the energy beam absorbing material. And a step of obtaining a bonded body in which the base material and the adherend are bonded through the bonding film by promoting adhesion with the bonded body.
請求項1ないし11のいずれかに記載の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする接合体。
A substrate with a bonding film according to any one of claims 1 to 11, and an adherend,
A joined body obtained by joining them through the joining film.
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