JP2009294820A - Automatic pressure regulator for flow controller - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造用のチャンバ等へガスを供給するガス供給装置の自動圧力調整器に関するものであり、供給ガス流量の切替時等に流量調整器の流量出力に生ずるオーバーシュートをほぼ完全に防止できるようにした自動圧力調整器に関するものである。 The present invention relates to an automatic pressure regulator of a gas supply device that supplies gas to a semiconductor manufacturing chamber or the like, and overshoot that occurs in the flow rate output of the flow rate regulator when the supply gas flow rate is switched is almost completely eliminated. The present invention relates to an automatic pressure regulator that can be prevented.
半導体製造装置等のガス供給装置に於いては、従前から図13に示す如く、ガス供給源SGからのガス供給ラインに圧力調整器Rを設け、この圧力調整器Rの出力側のガス供給管路Loに複数の分岐管路La、Lb、Lcを設けると共に、各分岐管路La、Lb、Lcにレギュレータ1a、1b、1c,入力側圧力センサ2a、2b、2c,出口側圧力センサ3a、3b、3c,コントローラ4a、4b、4cから成る自動圧力制御装置5a、5b、5cと,熱式質量流量調整器MFC1,MFC2,MFC3とを設け、各熱式質量流量調整器MFC1、MFC2、MFC3の入口側圧力センサ2a、2b、2cと出口側圧力センサ3a、3b、3cとの圧力差ΔPが設定値外になると、コントローラ4a、4b、4cを介してレギュレータに1a、1b、1cにフィードバックをかけ、各レギュレータ1a、1b、1cの出口側圧力を調整して上記圧力差ΔPが設定値内になるよう自動制御することにより、設定流量のガスを各ガス使用対象6a、6b、6cへ安定供給するようにしている。
In a gas supply apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus, a pressure regulator R is provided in a gas supply line from a gas supply source SG as shown in FIG. 13 and a gas supply pipe on the output side of the pressure regulator R has been provided. A plurality of branch lines La, Lb, Lc are provided in the path Lo, and regulators 1a, 1b, 1c, input
また、前記各コントローラ4a、4b、4cによる制御には所謂PID制御動作の特性が備えられており、入口側圧力センサ2と出口側圧力センサ3との間の圧力差(偏差)ΔPがより少ないサイクリングでもって早期に零に収斂するようP制御動作、I制御動作及びD制御動作の各制御動作量を自動的に調整するオートチューニング機能が備えられている。
Further, the control by each of the
上記図13に示した従前の自動圧力調整器5はガス使用対象である真空チャンバ等へ供給するガス流量を高精度で制御することが出来ると共に、供給ガス流量を変化させた場合に於いても、比較的迅速にガス流量を新たな設定流量に収斂させることが出来、優れた実用的効用を奏するものである。 The conventional automatic pressure regulator 5 shown in FIG. 13 can control the gas flow rate supplied to the vacuum chamber or the like to be used with high precision, and also when the supply gas flow rate is changed. The gas flow rate can be converged to a new set flow rate relatively quickly, and excellent practical utility can be achieved.
しかし、当該図13に示した自動圧調整器5にも解決すべき問題点が多く残されている。その中でも、緊急に解決すべき問題は、流量10〜1000SCCM程度のガスを真空チャンバ(101〜10-5torr)へ供給している際に、自動圧力調整器5によりガス流を断続させると、ガス供給開始時に熱式質量流量調整器MFC1の出口側流量に所謂オーバーシュートが発生し、ガス種の切換供給の激しい成膜装置等にあっては、膜の緻密さや膜厚等に変動を来たして均一な膜質の成膜が困難になると云う問題である。 However, many problems to be solved still remain in the automatic pressure regulator 5 shown in FIG. Among them, the problem to be solved urgently is that the gas flow is interrupted by the automatic pressure regulator 5 when a gas having a flow rate of about 10 to 1000 SCCM is supplied to the vacuum chamber (10 1 to 10 −5 torr). When the gas supply is started, so-called overshoot occurs in the outlet flow rate of the thermal mass flow controller MFC 1 and the film thickness changes in the film density and the film thickness in the film forming apparatus where the gas type is switched and supplied violently. This makes it difficult to form a uniform film quality.
本願発明は、従前の自動圧力調整器に於ける上述の如き問題、即ちガス流量設定の切替時、特にガス供給開始時にコントローラ4の制御特性やオートレギュレータ1の流量制御特性によって質量流量調整器MFCに所謂流量のオーバーシュートが生じると云う現象を解消して、小流量ガスの流量制御であっても、オーバーシュートを生じることなく熱式質量流量調整器でもって高精度な流量制御を行えるようにした自動圧力調整器を提供することを発明の主目的とするものである。
The present invention is based on the above-mentioned problem in the conventional automatic pressure regulator, that is, when the gas flow rate setting is switched, particularly at the start of gas supply, depending on the control characteristics of the controller 4 and the flow control characteristics of the
本願発明者等は、先ず最初に、手動圧力調整器40と流量調整器17とを用いて、図1に示す如き試験装置を形成し、手動圧力調整器40の流量応答性を調査した。即ち、手動圧力調整器40に制御圧の設定値Pstを設定し、その時の流量調整器17の流量出力のステップ応答及び安定性を調査した。
The inventors of the present application first formed a test apparatus as shown in FIG. 1 using the
尚、図1に於いて、10はN2ガス供給源、11は手動圧力調整器、12はフィルタ、13は供給圧検出器、14は制御圧検出器、17は熱式質量流量調整器、18・19は弁40は手動圧力調整器、21は真空ポンプである。
In FIG. 1, 10 is an N 2 gas supply source, 11 is a manual pressure regulator, 12 is a filter, 13 is a supply pressure detector, 14 is a control pressure detector, 17 is a thermal mass flow regulator,
前記N2ガス供給源にはN2充填容器が使用されており、手動圧力調整器11にはERSB−2069−WE(ユタカ製)が用いられている。また、手動圧力調整器40には、SQMICROHF502PUPG6010(Parker製)が使用されており、更に、熱式質量流量調整器17にはFC−D98CT−BF(Aera製、F.S.50SCCM)が使用されている。
An N 2 filling container is used as the N 2 gas supply source, and ERSB-2069-WE (manufactured by Yutaka) is used as the
具体的には、先ず各機器を接続し、図1の試験装置を構成する。次に、真空ポンプ21を運転して熱式質量流量調整器17の2次側を真空引きした。引き続き、手動圧力調整器11の供給圧を300kPaGに及び手動圧力調整器40の制御圧を280kPa abs.に夫々設定した。
Specifically, first, each device is connected to configure the test apparatus of FIG. Next, the
そして、熱式質量流量調整器17の入力と出力のステップ応答をデータロガーにより計測すると共に、手動圧力調整器40の制御圧を同様に計測した。尚、熱式質量流量調整器17の入・出力側のステップ応答及び手動圧力調整器40の制御圧の計測は、NR−600(キーエンス製)のデータロガーを使用した。
And while measuring the step response of the input and output of the thermal
図2は、上記試験に於ける手動圧力調整器40の流量応答特性を示すものであり、手動圧力調整器40の制御圧と熱式質量流量調整器17の入・出力とのステップ応答特性を示している。
即ち、図2に於いて、曲線Aは熱式質量流量調整器17の入力の値(電圧値)、曲線Bは出力の値(電圧値)を示すものであり、手動圧力調整器40の場合には、拡大部分Cからも明らかなように、熱式質量流量調整器17の立上り時のオーバーシュートはフルスケール(F.S.)流量の0.8%と極めて低いものであることが判明した。また、手動圧力調整器40による場合には、制御圧Dに静止時と動圧時とで偏差が生じ、静止時の流量0(SCCM)の時と動圧時の流量50(SCCM)のときの制御圧の差は約5kPa程度となることが判った。
FIG. 2 shows the flow response characteristics of the
That is, in FIG. 2, the curve A shows the input value (voltage value) of the thermal
次に、図1に示す手動圧力調整器40を、図3に示すように圧力調整弁15及びコントローラ16とから成るPID制御動作による自動圧力調整器20へ置き換えた場合について、上記図2のときと同様に、自動圧力調整器20の制御圧と熱式質量流量調整器17の入・出力とのステップ応答特性を調査した。
Next, when the
尚、自動圧力調整器20はコントローラ16によってPID制御動作による自動制御が行われるため、その制御圧の偏差は最終的に零となる。
Since the
図4は、その結果を示すものであり、コントローラ16によるPID制御動作が行われることにより、自動圧力調整器20の制御圧Dは、その偏差が無くなる方向に調整される。その結果、熱式質量流量調整器17の出力側の値は曲線Bのようになり、その拡大部Cからも明らかなように、フルスケール(F.S.)流量の約7.8%程度のオーバーシュートが生ずることが判明した。
即ち、自動圧力調整器20の制御圧を、コントローラ16によりPID制御動作を付加した自動フィードバック制御とすることにより、ガス流量の立上げ時に熱式質量流量調整器17の出力値により大きなオーバーシュートが起生することが判明した。
FIG. 4 shows the result. When the PID control operation by the
That is, the control pressure of the
本願発明は、上記の如き知見をベースにして開発されたものであり、自動圧力制御器20の圧力調整弁15をフィードバック制御するコントローラ16の制御特性を調整することにより、ガス流量の立上げ時に於ける熱式質量流量調整器の出力に起生するオーバーシュートを防止することを着想し、当該着想に基づいて数多くの自動圧力制御器20について、圧力調整弁15と熱式質量流量調整器17との流量応答特性試験を実施した。
The present invention has been developed on the basis of the above-described knowledge. By adjusting the control characteristics of the
本願発明は、上記流量応答特性試験結果に基づいて創作されたものであり、請求項1の発明は、流量調整器へ供給するガス供給圧力の自動圧力調整器20であって、圧力調整弁15と,圧力調整弁15の出力側に設けた制御圧検出器14と,制御圧検出器14の検出値P2と制御圧の設定値Pstとが入力され、圧力調整弁15の駆動部へ比例制御方式により制御信号を供給して、弁の開度調整を行うコントローラ16とから前記自動圧力調整器20を構成すると共に、前記比例制御方式を、制御圧に残留偏差を生ずる比例動作の制御とするようにしたことを発明の基本構成とするものである。
The invention of the present application was created based on the flow rate response characteristic test result, and the invention of
請求項2の発明は、請求項1の発明に於いて、圧力調整弁15を圧電素子駆動型の金属ダイヤフラム弁としたものである。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the
請求項3の発明は、請求項1の発明に於いて、流量調整器を真空チャンバへガスを供給する流量調整器としたものである。 According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the flow rate regulator is a flow rate regulator for supplying gas to the vacuum chamber.
請求項4の発明は、請求項1の発明に於いて、圧力調整弁15の制御圧の範囲を−0.07〜0.7MPaGとすると共に熱式質量流量調整器17の最小定格流量を 1(SCCM)とするようにしたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the control pressure range of the
請求項5の発明は、請求項1の発明に於いて、PID制御可能な状態から積分制御動作を無効とすることにより、制御圧に残留偏差を生ずる比例動作の制御とするようにしたものである。 According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the integral control operation is disabled from a state where PID control is possible, thereby controlling the proportional operation that causes a residual deviation in the control pressure. is there.
本発明に於いては、自動圧力調整器20のコントローラ16の制御方式を、積分動作を無効とすることにより制御圧に残留偏差を生ずる制御とし、流量調整器の出力側の応答特性にオーバーシュートが発生するのを防止する構成としている。その結果、微小流量のガス供給においても、ガス流量の変更や供給ガス種の切換時のオーバーシュートが防止されることになり、半導体製造装置等に於いては製品品質の大幅な向上が図れると共に製品歩留りが高まることになる。
In the present invention, the control method of the
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
図5は、本願発明の一実施形態を示すものである。尚、当該図5は、使用する熱式質量流量調整器17を、フルスケール(F.S.)流量が10SCCM及び500SCCMのものとした点、並びにコントローラ16を、PID制御動作と積分動作を無効とすることにより制御圧に残留偏差を生ずる制御動作の何れかを選択可能なものとした点、のみが前記図3の場合と異なるだけである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 5 shows an embodiment of the present invention. Note that FIG. 5 shows that the thermal
尚、周知の如くPID制御動作は、圧力調整弁15の制御圧の制御偏差を最終的に零に収斂する制御方式であり、積分動作を無効とした制御動作は、制御偏差が零にならず、ある一定の偏差(オフセット)を有して収斂する制御方式である。
As is well known, the PID control operation is a control method in which the control deviation of the control pressure of the
図6は、本発明に係る自動圧力制御器20を構成する圧力調整弁15の断面概要図であり、圧力調整弁15には所謂ピエゾ駆動式メタルダイヤフラム型制御弁が使用されている。即ち、当該圧力調整弁15は、ステンレス鋼製の弁本体22と、金属ダイヤフラム弁体23と、押えアダプタ24と、下端部にダイヤフラム押え25が設けられ、弁本体23の孔部22a内へ垂直状に挿着した底壁を有する筒状の圧電素子支持筒体26と、支持筒体26の底壁上に配設した皿ばね27と、押えアダプタ24を押圧する割りベース28と、割りベース28の鍔部を下方に押圧することにより割りベース28を弁本体22へ固定する筒体固定・ガイド体29と、支持筒体26内に設けた下部受台30と、支持筒体26内へ挿着した圧電素子31と、圧電素子31の上端部に配設したベアリング32と、支持筒体26の上方に配設した位置決め材33等からその主要部が構成されている。また、弁本体22は出口側(2次側)の制御圧を検出するケージ圧センサ34及び弁本体22の気密性を保持するロングガスケット35が設けられており、更に、弁本体22には流体入口36、流体出口37、漏洩検査孔38等が設けられている。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the
駆動信号が入力されない時には、スプリング27の弾性力によって支持筒体26が下方へ押圧され、樹脂シート製のダイヤフラム押え25を介して弁体23が弁座39側へ接当され、流体通路が閉鎖される。また、駆動信号が圧電素子31へ入力されると、圧電素子31が伸長し、下部受台30上に下端部が支持された圧電素子31の上端が上方へ上昇し、支持筒体26をスプリング27の弾性力に抗して上方へ持ち上げる。これにより、ダイヤフラム押え25も上方へ移動して弁体23が弁座39から離れることにより、流体通路が導通される。
尚、当該圧力調整弁15そのものの主要構成は公知であり、例えば特開2003−120832等により公開されているので、ここではその詳細な説明を省略する。
When no drive signal is input, the
Note that the main configuration of the
前記コントローラ16は、制御圧検出器P2からの検出圧と圧力調整弁の設定圧Pstとの差を演算し、その偏差の大きさに比例した制御信号Qを圧力調整弁の駆動部(圧電素子31)へ供給するものであり、ここでは、比例制御方式における制御動作を、積分動作を無効とすることにより制御圧に残留偏差を生ずる制御動作とPID制御動作とに切換え可能なコントローラ16が使用されている。
The
図7は、熱式質量流量調整器17をF.S.10SCCMのものとし、これにPID制御動作によりコントローラ16を介して圧力調整弁15の制御圧を100kPa abs.に制御すると共に、熱式質量流量調整器17の流量設定を0−20−40−60−80−100%設定に切換した場合の熱式質量流量調整器17の入力値と出力値を示すものである。
FIG. 7 shows the thermal
図7の拡大部分Cからも明らかなように、圧力調整弁の制御圧Dが設定値100kPa abs.に復帰する際に、熱式質量流量調整器17の出力側値に振れの発生することが見られる。尚、この事象は発明者に予め予想されていたところである。
As is clear from the enlarged portion C of FIG. 7, the control pressure D of the pressure regulating valve is set to a set value of 100 kPa abs. It can be seen that the output side value of the thermal
図8は、図7に於ける熱式質量流量調整器17をF.S.500SCCMの流量のものに換えた場合の測定値を示すものであり、図7の場合と同じ結果となった。
8 shows the thermal
図9は、図7と同じ条件下で熱式質量流量調整器17の流量設定を0−100%に切換えした場合を示すものであり、熱式質量流量調整器17の出力値に振れが発生する。
FIG. 9 shows the case where the flow rate setting of the thermal
図7乃至図9からも明らかなように、自動圧力調整器20をPID制御動作による比例制御方式として作動させた場合には、何れの場合であっても熱式質量流量調整器17の出力値Bに振れが生ずる事となる。
As is apparent from FIGS. 7 to 9, when the
図10は、本願発明の主要部を成すものであり、前記図7と同一の試験条件下で、コントローラ16の制御動作をP1D制御動作から積分動作を無効とすることにより制御圧に残留偏差を生ずる制御動作に切換えした場合の試験結果を示すものである。
図10に於いては、積分動作を無効としているため、圧力調整弁の制御圧Dは、流量切換によって偏差が生じても、偏差が直ちに零に戻され無い。その結果、熱式質量流量調整器17の出力値Bに振れが生じなくなり、試験の結果からも明らかなように、万一振れが発生したとしてもそのF.S.流量に対する割合は極く小さなものとなり、実用上悪影響を生じる虞れが全くない。
FIG. 10 is a main part of the present invention. Under the same test conditions as in FIG. 7, the control operation of the
In FIG. 10, since the integral operation is disabled, the deviation of the control pressure D of the pressure regulating valve is not immediately returned to zero even if a deviation occurs due to the flow rate switching. As a result, no fluctuation occurs in the output value B of the thermal
図11は、前記図10における熱式質量流量調整器をF.S.500SCCMのものに取り替えした場合を示すものであり、図10の場合と同様に、熱式質量流量調整器17の出力値Bに振れを生ずることが殆ど無い。即ち、枠Cで示すように、圧力調整弁の制御圧が切換前の値に復帰されないため、熱式質量流量調整器17の出力値には振れが生じないことになる。
11 shows the thermal mass flow controller in FIG. S. This shows the case of replacement with the one of 500 SCCM, and there is almost no fluctuation in the output value B of the thermal
図12は、前記図9に於けるPID制御動作を積分動作を無効とした制御動作に切替えした場合を示すものであり、ガス流量を0−100%に切換えした場合でも、熱式質量流量調整器17の出力値に殆ど振れが生じないことが示されている。
FIG. 12 shows a case where the PID control operation in FIG. 9 is switched to a control operation in which the integral operation is disabled. Even when the gas flow rate is switched to 0-100%, the thermal mass flow rate adjustment is performed. It is shown that the output value of the
上記各実施例では、熱式質量流量調整器(MFC)17のフルスケール流量(F.S.)を10SCCM又は500SCCMとしているが、 1SCCM程度のフルスケール(F.S.)流量であっても同様の流量特性が得られている。レギュレータ制御圧についても同様であり、上記各実施例では100kPa abs.としているが、−0.07〜0.7MPaGであっても、同じ流量特性が得られている。 In each of the above embodiments, the full-scale flow rate (FS) of the thermal mass flow controller (MFC) 17 is set to 10 SCCM or 500 SCCM. Similar flow characteristics are obtained. The same applies to the regulator control pressure. In the above embodiments, 100 kPa abs. However, even if it is -0.07 to 0.7 MPaG, the same flow characteristics are obtained.
本発明に係る自動圧力調整器は、半導体製造分野のみならず、化学品製造分野や薬品製造分野等の流量調整器を用いるガス供給装置に広く適用することができるものであり、微流量のガス供給であっても、ガス流量の変動や供給ガス種の切換時に流量調整器の出力側にオーバーシュートが生じないため、高精度なガス流量制御が行える。 The automatic pressure regulator according to the present invention can be widely applied not only to the semiconductor manufacturing field, but also to gas supply devices using flow regulators in the chemical manufacturing field, the chemical manufacturing field, etc. Even when the gas is supplied, overshoot does not occur on the output side of the flow regulator when the gas flow rate is changed or the supply gas type is switched, so that highly accurate gas flow control can be performed.
A 熱式質量流量調整器(MFC)の入力値
B 熱式質量流量調整器(MFC)の出力値
C 拡大部分
D 圧力調整弁の制御圧力
Pst 制御圧の設定値
10 N2ガス
11 圧力調整器
12 フィルタ
13 供給圧検出器
14 制御圧検出器
15 圧力調整弁(レギュレータ)
16 コントローラ
17 熱式質量流量調整器
18・19 弁
20 自動圧力調整器(オートレギュレータ)
21 真空ポンプ
22 弁本体
22a 弁本体の孔部
23 ダイヤフラム弁体
24 押えアダプタ
25 ダイヤフラム押え
26 圧電素子支持筒体
27 皿ばね
28 割りベース
29 筒体固定・ガイド体
30 下部受台
31 圧電素子
32 ベアリング
33 位置決め材
34 ゲージ圧センサ
35 ロングガスケット
36 流体入口
37 流体出口
38 漏洩検査孔
39 弁座
40 手動圧力調整器
A Input value of thermal mass flow regulator (MFC) B Output value of thermal mass flow regulator (MFC) C Enlarged part D Control pressure of pressure regulating valve Pst Control pressure set
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