JP2009294630A - レジストパターン形成用表面処理剤および該表面処理剤を用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加熱により、レジストパターンに含まれる官能基と反応し、結合を形成する化学種と、溶媒を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。
【選択図】 なし
Description
ここでλは露光光源の波長、NAは投影レンズの開口数、k1はプロセスに関係する係
数である。
すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をn倍にすることができる。
また、特許文献2には、第一のレジストパターンに真空紫外線を照射することで第一のレジストパターンを変性させ2回目に塗布するレジストの溶剤及び現像液に対して不溶化させる方法が提案されている。
(1) 加熱により、レジストパターンに含まれる官能基と反応し、結合を形成する化学種と、溶媒を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。
(2) 前記化学種が、ブロックイソシアネート又はブロックチオイソシアネートであることを特徴とする、(1)に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
<化学種>
本発明のレジストパターン形成用表面処理剤に必須成分として含有される、加熱によりレジストパターンと反応し、結合を形成する化学種(以下において、「本発明の化学種」などともいう。)としては、レジストパターン上及び/又はレジストパターン内に存在する水酸基やカルボキシル基等の官能基と、ウレタン結合等を形成し得る官能基を有する化合物が好ましい。
タム、β-ラクタム、γ-ラクタム、δ-ラクタム等のラクタム系化合物、その他、イミド
系化合物、イミダゾール系化合物、1級アミン、2級アミン、等が挙げられる。
nは2以上の整数を表す。
Xは酸素または硫黄原子を表す。
Rblはブロック基を表し、具体的には、上述したブロック基が挙げられる。複数のRblは同じでも異なっていてもよい。また、複数のRblが結合して環構造を形成してもよい。
Rcは単結合又は2価の連結基を表す。好ましい2価の連結基はアルキレン基(炭素数1〜3がより好ましい)、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合などである。
Rtはn価の連結基を表し、具体的には、直鎖、分岐、環状の飽和又は不飽和の炭化水素、芳香族炭化水素等の有機化合物からn個の水素が取れた構造を表す。
Rtは高分子の主鎖でもよく、この場合、一般式(1)の括弧内の構造が高分子の側鎖となる。
また、本発明の化学種の処理剤中における含有率は、全固形分中、好ましくは100〜0.01質量%であり、より好ましくは90〜0.1質量%である。
本発明の処理剤は、さらに、本発明の化学種に対して化学結合を生じない不活性ポリマーまたはオリゴマー(以下、単に「不活性ポリマー」ともいう)を含有することが好ましい。
ポリアルキレンオキシドとしては、ポリエチレンオキシド ジアルキルエーテル、ポリエチレンオキシド ジエステル、ポリプロピレンオキシド ジアルキルエーテル、ポリプロピレンオキシド ジエステル等が挙げられる。
ポリアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール ジアルキルエーテル、ポリエチレングリコール ジエステル、ポリプロピレングリコール ジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコール ジエステル等が挙げられる。
ポリ(メチル)メタクリレートとしては、ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸塩、およびポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリアクリル酸アミドが挙げられる。
ポリビニルエステルとしては、ポリ酢酸ビニルが挙げられる。
ポリアミドとしては、ポリアラニン、ポリフェニルアラニン、ポリグリシン、ポリロイシン、ポリイソロイシン、ポリバリン、ポリメチオニンおよびそれらの共重合体が挙げられる。
ポリシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサンが挙げられる。
本発明のレジストパターン形成用表面処理剤に含有される溶剤としては、第一のレジストパターンを溶解せず、かつ、本発明の化学種、更に本発明の処理剤が不活性ポリマーを含有する場合には不活性ポリマーを溶解する溶剤であれば、いずれも使用できる。ここで、第1のレジストパターンを溶解しないとは、23℃条件下、パターンの高さ0.2μm、200nmのラインアンドスペースパターンを形成し、これを10分間溶剤に浸漬したときに、パターンの幅変動およびパターンの高さ変動が共に±5%以内であることを示す。このような溶剤としては水、アルコール系溶剤、フッ素系溶剤、飽和炭化水素系溶剤等が挙げられる。これらの中でも、本発明の処理剤が前記不活性ポリマーを含有しない場合はアルコール系溶剤が、不活性ポリマーを含有する場合は水が好ましい。
一価のアルコールの具体例としては、メタノール、エタノール、n―プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、イソブタノール、tert−ペンタノール、n−ヘキサノール、n−ヘプタノール、2−ヘプタノール、n−オクタノール、n−デカノール、3−メチル−3−ペンタノール、2,3−ジメチル−2−ペンタノール、4−フェニル−2−メチル−2−ヘキサノール、1−フェニル−2−メチル−2−プロパノール、s−アミルアルコール、t−アミルアルコール、イソアミルアルコール、2−エチル−1−ブタノール、n−ウンデカノール等が挙げられるが、上記の中でも、アルコールの炭素数が4〜11のものが好ましく、さらに好ましくは炭素数7〜9のものである。溶剤の揮発抑制の点で炭素数5以上が好ましく、炭素数7以上がより好ましい。
これら飽和炭化水素系溶剤の炭素数は6〜10が好ましく、さらに好ましくは7〜9である。溶剤の揮発の抑制の点で炭素数6以上が好ましく、炭素数7以上がより好ましい。
本発明のレジストパターン形成用表面処理剤は、第一のレジストパターンとの反応を促進するため、必要に応じてブロックイソシアネートまたはブロックチオイソシアネートの反応を促す触媒を含んでいてもよい。
本発明の処理剤は、種々の界面活性剤を含有することが好ましい。
界面活性剤は溶剤の種類によって使い分けることが望ましい。本発明の処理剤が有機溶剤を含む場合の界面活性剤としては、後に説明する「第1のレジスト」において用いることのできるものが挙げられる。また、本願発明の処理剤が溶剤として水を用いている場合には、以下に示すように、ノニオン性、アニオン性、カチオン性および両性界面活性剤が挙げられる。
両性界面活性剤として、サーフロンS-131(AGCセイミケミカル社製)、エナジコールC-40H、リポミン LA(以上 花王ケミカル社製)等を用いることができる。
界面活性剤の使用量は、処理剤の全量に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
処理剤に界面活性剤を添加することによって、処理剤を塗布する場合の塗布性が向上する。
さらに、本発明の処理剤は、第一のレジストパターンとの反応を促進するため、必要に応じて酸又は加熱により酸を発生する化合物、及び/又は、塩基を含んでもよい。
添加し得る酸としては、カルボン酸やスルホン酸等の低分子酸を用いることができ、好ましくは、その一部がフッ素化されたカルボン酸やその一部がフッ素化されたスルホン酸等の低分子酸が挙げられる。具体的には、トリフルオロブタンスルホン酸、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸、パーフルオロベンゼンスルホン酸などが挙げられる。
酸または加熱により酸を発生する化合物の添加量は、処理剤の全量に対して、一般的に0.01〜20質量%、好ましくは0.1〜10質量%である。
本発明の処理剤には、必要に応じてさらに光酸発生剤、光増感剤、前記の酸以外のフリージング反応促進剤、樹脂等を含有させることができる。
本発明においては、第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、本発明の化学種を含む処理剤により、第一のレジストパターンを第二のレジスト液に溶解しないように変化させることが重要である。この制御は、前記処理剤の性状のみならず、第一のレジストの性状および/又は前記処理剤を作用させる際のプロセス条件を変化させることによっても達成できる。
樹脂(A)としては、本発明の化学種を含む処理剤とエステル化反応を起こし、第一のレジストパターンを第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させる為に、第一のレジストパターンを形成するプロセス中に化学反応によりカルボン酸が生成するものであることが好ましい。カルボン酸を含む樹脂はパターン形成前に予め第一のレジスト中に含まれていてもよい。
酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
R01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
樹脂(A)において、酸分解性基を有する繰り返し単位としては下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。
Xa1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、20〜50mol%が好ましく、より好ましくは25〜45mol%である。
好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
樹脂(A)は、更に、ラクトン基、水酸基、シアノ基及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも1種類の基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
い置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキ
ル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0〜4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基(Rb2)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb2)同士が結合して環を形成してもよい。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は、水素原子又はメチル基が好ましい。
Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、−Ab1−CO2−で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。
Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
ラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
R2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。
水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH2−O−Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。
有率は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、0〜40モル%が好ましく、より好ましくは0〜20モル%である。
一般式(III)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに
限定されない。
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
本発明のポジ型レジスト組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂(A)は芳香族基を有さないことが好ましい。
また、本発明において、樹脂(A)は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
以下、本願発明に用いることのできるポリマーの具体例を示すが、本願発明はこれらのみに限定されるわけではない。
本発明のポジ型感光性組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げることができる。
カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。
尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。
ンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。
一般式(ZII)、(ZIII)中、
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール
基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
酸発生剤の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げるが、本願発明はこれらに限定されるものではない。
酸発生剤のポジ型感光性組成物中の含有率は、ポジ型感光性組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
本発明のポジ型レジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
R200 、R201及びR202 は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。
R203 、R204、R205及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
塩基性化合物の使用量は、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
本発明のポジ型レジスト組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましく、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C3F7基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体などを挙げることができる。
界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
前記各成分を溶解させてポジ型レジスト組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有してもよいモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。
水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。
第二のレジストパターンを形成するのに用いられる第二のレジストとしては前記第一のレジストとして記載したものを適宜用いることができるが、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性を同一にするという観点から、第二のレジストに用いる樹脂としては、第一のレジストに用いられる樹脂と実質同一なものが好ましい。さらに、種々の寸法や形状のパターンが存在する実際の半導体デバイスマスクに対して、第一のレジストと第二のレジストが実質的に同一性状のパターンを形成する為には、第一のレジストと第二のレジストが全く同一のレジストからなることが最も好ましい。
本発明では第一のレジスト組成物を、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターはポアサイズが0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
スピナーによりレジスト組成物を塗布する場合、その回転速度は、通常500〜3000rpm、好ましくは800〜2000rpm、より好ましくは1000〜1500rpmである。
レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。
レーザーがより好ましい。
液浸露光する場合には、パターン形成のためマスクなどを通し、液浸液を介して前記レジスト膜を露光(液浸露光)する。たとえば、レジスト膜と光学レンズの間を液浸液で満たした状態で露光する。露光後、必要に応じて、レジスト膜を洗浄する。続いて、好ましくはスピンを行い、液浸液を除去する。活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1〜200nmの波長の遠紫外光であり、具体的には、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(13nm)、電子線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。
液浸液は、露光波長に対して透明で、屈折率の温度変化ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー(波長193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さなどから、水を用いるのが好ましい。
また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水(D2O)を用いたりしてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環または多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。
R57〜R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64およびR65〜R68の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。R57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。
疎水性樹脂(HR)は、珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、または環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。
アルキルシリル構造、または環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。
R12〜R26は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)またはシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
L3〜L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、またはウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。
nは、1〜5の整数を表す。
(x)アルカリ可溶性基、
(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、
(z)酸の作用により分解する基。
(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基としては、例えば、ラクトン構造を有する基、酸無水物、酸イミド基などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。
疎水性樹脂(HR)は、更に、下記一般式(IV)で表される繰り返し単位を有していてもよい。
R4は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基を有する基を表す。
L6は、単結合又は2価の連結基を表す。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
L6の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基が好まし
い。
以下に疎水性樹脂(HR)の具体例を示す。また、下記表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、分散度を示す。
現像工程では、通常、アルカリ現像液を用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
リンス液としては、通常、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
また、現像処理または、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。
更に、リンス処理または超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行うこともできる。
上記方法を用いて第一のレジストパターンを形成した後、本発明の処理剤を用いて第一のレジストパターンの化学処理(フリージング処理)を行う。
まず、第一のレジストパターンを、本発明の処理剤とは別の、酸を含む溶液で洗浄することが好ましい。酸の種類としては、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等の無機酸や、カルボン酸、スルホン酸、スルホニルイミド酸、メチド酸等の有機酸が挙げられるが、この中でも、カルボン酸、スルホン酸、イミド酸、メチド酸等の有機酸が好ましい。
スルホン酸としては、例えばブタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、炭素数1〜8のパーフルオロアルキルスルホン酸等のアルキルスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸が挙げられる。
メチド酸としては、例えば炭素数1〜8のトリス(アルキルスルホニル)メチド酸、炭素数1〜8のトリス(フルオロアルキルスルホニル)メチド酸等のトリスルホニルメチド酸が挙げられる。
酸の濃度は0.1〜10mol%であり、好ましくは0.5〜5mol%であり、更に好ましくは0.5〜3mol%である。
次に、本発明の処理剤を用いた第一のレジストパターンの化学処理の方法を説明する。
処理剤とレジストパターンを接触させる方法として、処理剤にレジストパターンを浸漬させる方法と、レジストパターン上に処理剤を塗布する方法が挙げられる。
浸漬させる方法としては、処理剤を第一のレジストパターンが形成されている基板上にパドルさせる方法が好ましい。
処理剤を基板上にパドルさせて処理剤とレジストパターンが接触している時間は5秒以上で長ければ長いほどよいが、スループットを考慮すると3分以下が好ましく、更に好ましくは2分以下であり、1分以下が最も好ましい。
また、反応を進行させるために処理装置内の温度や処理剤の温度を室温よりも高くすることが出来るが、安全性の観点から50℃以下の温度が好ましい。
加熱温度は、本発明の化学種がブロック(チオ)イソシアネートである場合には、ブロック基に応じた所定の温度が設定されるが、通常、60℃以上200℃以下であることが好ましく、80℃以上180℃以下であることが更に好ましく、最も好ましくは、90℃以上150℃以下である。加熱時間は、10秒以上300秒以下であることが好ましく、30秒以上150秒以下であることが更に好ましい。
加熱温度は、本発明の化学種がブロック(チオ)イソシアネートである場合には、ブロック基に応じた所定の温度が設定されるが、通常、60℃以上200℃以下であることが好ましく、80℃以上180℃以下であることが更に好ましく、最も好ましくは、90℃以上150℃以下である。加熱時間は、10秒以上300秒以下であることが好ましく、30秒以上150秒以下であることが更に好ましい。
本発明では、第二のレジスト組成物をフィルター濾過した後、既に化学処理されている第一のレジストパターンが形成されている基板上に塗布して用いる。該フィルターろ過については、第1のレジストパターンにおける場合と同様である。
実施例1
<ブロックイソシアネートの合成>
ブロックイソシアネートとして、オキシム型ブロックイソシアネート(BI−3)、イミダゾール型ブロックイソシアネート(BI−5)、活性メチレン型ブロックイソシアネート(BI−7)、及びフェノール型ブロックイソシアネート(BI−1)を合成した。以下に、各々の構造式並びに合成方法を示す。
攪拌機、温度計、窒素シール管、及び冷却器のついた反応器に、HDI(ヘキサメチレンジイソシアネート)100質量部、MEKO(メチルエチルケトオキシム;試薬特級:和光純薬工業(株)製)109質量部を入れ、反応器内を窒素置換して、攪拌しながら反応温度80℃に加温し、同温度で3時間反応させた。未反応のHDIを、薄膜蒸留により除去して、下記オキシム型ブロックイソシアネートBI−3を得た。BI−3は淡黄色透明の液体であり、FT−IR及び13C−NMRからウレタン基の存在が確認された。
上記オキシム型ブロックイソシアネートBI−3の合成方法において使用したMEKO
109質量部を、3,5−ジメチル−1H−ピラゾール 18質量部に替えた以外は、上記方法と同様の方法にて合成を行い、下記イミダゾール型ブロックイソシアネートBI−5を得た。
上記オキシム型ブロックイソシアネートBI−3の合成方法において使用したMEKO
109質量部を、アセト酢酸エチル 163質量部に替えた以外は、上記方法と同様の方法にて合成を行い、下記活性メチレン型ブロックイソシアネートBI−7を得た。
上記オキシム型ブロックイソシアネートBI−3の合成方法において使用したMEKO
109質量部を、フェノール 118質量部に替えた以外は、上記方法と同様の方法にて合成を行い、下記フェノール型ブロックイソシアネートBI−1を得た。
下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、得られた溶液各々をポアサイズ0.1μmのポ
リエチレンフィルターで濾過してフリージング処理剤(表面処理剤)を調製した。表2中、括弧内の値は質量部を表す。
I−1:テトライソシアネートシラン
(マツモトファインケミカル株式会社 商品名:オルガチックスSI−400)
(触媒)
D1:“U−CAT SA603”(ジアザビシクロウンデセンのギ酸塩;サンアプロ(株)製)
D2:“U−CAT SA102”(ジアザビシクロウンデセンのオクチル酸塩;サンアプロ(株)製)
(溶剤)
C1:n−ブタノール
C2:デカン
C3:メンタン
<レジスト組成物の調製>
〔樹脂(1)の合成〕
窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4(質量比)の混合溶剤20gを3つ口フラスコに入れ、これを80℃に加熱した(溶剤1)。ブチロラクトンメタクリレート、ヒドロキシアダマンタンメタクリレート、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートをモル比50/10/40の割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4(質量比)の混合溶剤に溶解し、22質量%のモノマー溶液(200g)を調製した。更に、開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)をモノマーに対し8mol%を加え、溶解させた溶液を、(溶剤1)に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン1800ml/酢酸エチル200mlの混合溶剤に注ぎ、析出した紛体をろ取、乾燥すると、樹脂(1)が37g得られた。
樹脂(1)〜(6)及び(PO−A)における繰り返し単位の構造を下記に示し、繰り返し単位の組成比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を表3に示す。
下記表4に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度3.2質量%の溶液を調製し、これを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調製した。
TPI:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
DPA:2,6−ジイソプロピルフェニルアルコール
PBI:2−フェニルベンゾイミダゾール
〔(d)界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
〔溶剤〕
A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
A2:γ−ブチロラクトン
A3:シクロヘキサノン
B1:プロピレングリコールモノメチルエーテル
B2:乳酸エチル
調製した処理剤溶液およびポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価に用いた。
<パターンの形成>
以下、図1を用いて、フリージング処理を施したパターン形成方法について説明する。
XT:1700Fi)を用いて液浸パターン露光した(図1(b))。液浸液としては純
水を用いた。露光量は、所望の線幅となるように最適化した。その後120℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥し、更に90℃90秒間加熱して残留した水分を除去してピッチ200nm線幅50nmの第一のレジストパターン1aを得た(図1(c))。
エッチング速度比は、フリージング処理後の第一のレジストパターン(図1(i)におけるパターン1b)のエッチング速度(x)と、第二のレジストパターン(図1(i)におけるパターン2a)におけるエッチング速度(y)の比率により評価した(x/y×100(%))。第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのエッチング速度が等しいことが好ましいため、比率は100%に近い程好ましい。
LERの変動は、レジストパターン1について、フリージング処理する前のレジストパターン1(図1(c)におけるパターン1a)のLER(x)と、フリージング処理した後のレジストパターン1(図1(f)におけるパターン1b)のLER(y)の差(y−x)により評価した。
<フリージング処理剤の調製>
下記表6に示す成分を溶剤に溶解させ、得られた溶液各々をポアサイズ0.1μmのポリエチレンフィルターで濾過してフリージング処理剤(表面処理剤)を調製した。
表6中、化学種のBI−1、BI−3、BI−5、BI−7、触媒のD1、D2、溶剤のC1は実施例1で使用したものと同じであり、処理剤F−Aも実施例1で調製したF−Aと同じである。なお、括弧内の値は質量部を表す。
P1:ポリ(エチレンオキシド)(重量平均分子量 10000、アルドリッチ(株))
P2:ポリ(p−スルホニルスチレン)テトラメチルアンモニウム塩 (重量平均分子量 10000)
(溶剤)
C4:水
<パターンの形成方法>
調製した上記表面処理剤、及び実施例1で調製したレジストAr−1〜Ar−6を用いて、下記に示す方法にてパターンを形成し、評価を行った。
シリコンウエハー5の上に有機反射防止膜(ARC29A(日産化学社製))を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜4を形成した。その上に調製した第一のポジ型レジスト組成物を塗布し、110℃で、60秒間ベークを行い、膜厚80nmの第一のレジスト膜1を形成した(図2(a))。
Claims (9)
- 加熱により、レジストパターンに含まれる官能基と反応し、結合を形成する化学種と、溶媒を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。
- 前記化学種が、ブロックイソシアネート又はブロックチオイソシアネートであることを特徴とする、請求項1に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
- 前記レジストパターンに含まれる官能基が、カルボキシル基及び/又は水酸基であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
- 第一のレジスト膜から形成された第一のレジストパターンと、第一のレジストパターン上に形成された第二のレジスト膜から形成された第二のレジストパターンを有するレジストパターンにおける、第一のレジストパターン形成用表面処理剤であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
- さらに、前記化学種に対して化学結合を生じない不活性ポリマー及び/またはオリゴマーを含有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
- 前記不活性ポリマー及び/又はオリゴマーが、水酸基、カルボキシル基、チオール基およびチオカルボニル基のいずれも有さないことを特徴とする、請求項5に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
- 前記不活性ポリマー及び/またはオリゴマーとして、ポリアルキレンオキシド、ポリビニルエーテル、ポリスチレン、ポリ(メチル)メタクリレート、ポリビニルエステル、ポリエステル、ポリアミドおよびポリシロキサンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含有することを特徴とする、請求項5または6に記載のレジストパターン形成用表面処理剤。
- 第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成する第一のレジストパターン形成工程と、前記工程で得られた第一のレジストパターン上に第二のレジスト膜を形成し、第二のレジスト膜上に第二のレジストパターンを形成する第二のレジストパターン形成工程を含むレジストパターン形成方法において、第一のレジストパターン形成工程と第二のレジストパターン形成工程との間に、請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面処理剤を用いて第一のレジストパターンを処理する工程を含むことを特徴とする、レジストパターン形成方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面処理剤を用いての第一のレジストパターンの処理工程と、第二のレジストパターン形成工程との間に、加熱工程を含む、請求項8に記載のレジストパターン形成方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011008236A (ja) * | 2009-05-25 | 2011-01-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | レジスト変性用組成物及びパターン形成方法 |
JP2011187928A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
US20160349617A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
US10429740B2 (en) | 2015-03-19 | 2019-10-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of recovering resist pattern |
US11192971B2 (en) | 2019-03-11 | 2021-12-07 | Toshiba Memory Corporation | Pattern forming material, composition for pattern formation, pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000112150A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Nec Corp | パターン形成されたレジスト膜の処理方法 |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
JP2009015194A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Jsr Corp | パターン形成方法及びそれに用いるパターンコーティング組成物 |
-
2008
- 2008-07-31 JP JP2008197998A patent/JP5068710B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000112150A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Nec Corp | パターン形成されたレジスト膜の処理方法 |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
JP2009015194A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Jsr Corp | パターン形成方法及びそれに用いるパターンコーティング組成物 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011008236A (ja) * | 2009-05-25 | 2011-01-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | レジスト変性用組成物及びパターン形成方法 |
JP2011187928A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
US10429740B2 (en) | 2015-03-19 | 2019-10-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of recovering resist pattern |
US20160349617A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
KR20160140442A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
JP2016224282A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
US9846364B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-12-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
TWI687774B (zh) * | 2015-05-29 | 2020-03-11 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 阻劑圖型之形成方法 |
KR102525257B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2023-04-24 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
US11192971B2 (en) | 2019-03-11 | 2021-12-07 | Toshiba Memory Corporation | Pattern forming material, composition for pattern formation, pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device |
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