JP2009288748A - Display device and driving method thereof and electronic equipment - Google Patents

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正和 加藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device wherein a variance in threshold voltage of a sampling transistor can be suppressed. <P>SOLUTION: A drive scanner switches a feeder DS from a high potential Vcc to a low potential Vss to extinguish a light emitting element EL and then turns on a sampling transistor T1 to perform a write operation of writing a signal potential Vsig of an video image signal into a gate of a driving transistor T2. Meanwhile, the drive scanner switches the feeder DS from the low potential Vss to the high potential Vcc to raise a source potential Vs of the driving transistor T2 and performs a lighting operation of biasing the light emitting element EL forward to cause a driving current corresponding to the signal potential Vsig to flow to the light emitting element EL. In this case, a gate potential Vg is reduced by coupling from the drain side to the gate side of the driving transistor T2 through a parasitic capacitance Cgd to reduce a bias between the gate and the drain of the sampling transistor T1. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は発光素子を画素に用いたアクティブマトリクス型の表示装置及びその駆動方法に関する。またこの様な表示装置を備えた電子機器に関する。より詳しくは、画素に形成された能動素子の特性安定化技術に関する。   The present invention relates to an active matrix display device using a light emitting element for a pixel and a driving method thereof. The present invention also relates to an electronic device provided with such a display device. More specifically, the present invention relates to a technique for stabilizing characteristics of an active element formed in a pixel.

発光素子として有機ELデバイスを用いた平面自発光型の表示装置の開発が近年盛んになっている。有機ELデバイスは有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用したデバイスである。有機ELデバイスは印加電圧が10V以下で駆動するため低消費電力である。また有機ELデバイスは自ら光を発する自発光素子であるため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易である。さらに有機ELデバイスの応答速度は数μs程度と非常に高速であるので、動画表示時の残像が発生しない。   In recent years, development of flat self-luminous display devices using organic EL devices as light-emitting elements has become active. An organic EL device is a device that utilizes the phenomenon of light emission when an electric field is applied to an organic thin film. Since the organic EL device is driven at an applied voltage of 10 V or less, it has low power consumption. In addition, since the organic EL device is a self-luminous element that emits light, it does not require an illumination member and can be easily reduced in weight and thickness. Furthermore, since the response speed of the organic EL device is as high as several μs, an afterimage does not occur when displaying a moving image.

有機ELデバイスを画素に用いた平面自発光型の表示装置の中でも、とりわけ能動素子として薄膜トランジスタを各画素に集積形成したアクティブマトリクス型の表示装置の開発が盛んである。アクティブマトリクス型平面自発光表示装置は、例えば以下の特許文献1に記載されている。
特開2007−310311公報
Among planar self-luminous display devices using organic EL devices as pixels, active matrix display devices in which thin film transistors are integrated and formed as active elements are actively developed. An active matrix type flat self-luminous display device is described in Patent Document 1 below, for example.
JP 2007-310311 A

図21は従来のアクティブマトリクス型表示装置の一例を示す模式的な回路図である。表示装置は画素アレイ部1と周辺の回路部とで構成されている。回路部は水平セレクタ3とライトスキャナ4を備えている。画素アレイ部1は列状の信号線SLと行状の走査線WSを備えている。各信号線SLと走査線WSの交差する部分に画素2が配されている。図では理解を容易にするため、1個の画素2のみを表してある。ライトスキャナ4はシフトレジスタを備えており、外部から供給されるクロック信号ckに応じて動作し同じく外部から供給されるスタートパルスspを順次転送することで、走査線WSに順次制御パルスを出力する。水平セレクタ3はライトスキャナ4側の線順次走査に合わせて映像信号を信号線SLに供給する。   FIG. 21 is a schematic circuit diagram showing an example of a conventional active matrix display device. The display device includes a pixel array unit 1 and peripheral circuit units. The circuit unit includes a horizontal selector 3 and a write scanner 4. The pixel array unit 1 includes columnar signal lines SL and row-shaped scanning lines WS. Pixels 2 are arranged at the intersections between the signal lines SL and the scanning lines WS. In the figure, only one pixel 2 is shown for easy understanding. The write scanner 4 includes a shift register, operates in response to an externally supplied clock signal ck, and sequentially transfers start pulses sp supplied from the outside, thereby sequentially outputting control pulses to the scanning lines WS. . The horizontal selector 3 supplies a video signal to the signal line SL in accordance with the line sequential scanning on the write scanner 4 side.

画素2はサンプリング用トランジスタT1と駆動用トランジスタT2と保持容量C1と発光素子ELとで構成されている。駆動用トランジスタT2はPチャネル型であり、そのソースは電源ラインに接続し、そのドレインは発光素子ELに接続している。駆動用トランジスタT2のゲートはサンプリング用トランジスタT1を介して信号線SLに接続している。サンプリング用トランジスタT1はライトスキャナ4から供給される制御パルスに応じて導通し、信号線SLから供給される映像信号をサンプリングして保持容量C1に書き込む。駆動用トランジスタT2は保持容量C1に書き込まれた映像信号をゲート電圧Vgsとしてそのゲートに受け、ドレイン電流Idsを発光素子ELに流す。これにより発光素子ELは映像信号に応じた輝度で発光する。ゲート電圧Vgsは、ソースを基準にしたゲートの電位を表している。   The pixel 2 includes a sampling transistor T1, a driving transistor T2, a storage capacitor C1, and a light emitting element EL. The driving transistor T2 is a P-channel type, its source is connected to the power supply line, and its drain is connected to the light emitting element EL. The gate of the driving transistor T2 is connected to the signal line SL via the sampling transistor T1. The sampling transistor T1 is turned on in response to the control pulse supplied from the write scanner 4, samples the video signal supplied from the signal line SL, and writes it to the holding capacitor C1. The driving transistor T2 receives the video signal written in the storage capacitor C1 as the gate voltage Vgs at the gate thereof, and causes the drain current Ids to flow through the light emitting element EL. As a result, the light emitting element EL emits light with a luminance corresponding to the video signal. The gate voltage Vgs represents the gate potential with reference to the source.

駆動用トランジスタT2は飽和領域で動作し、ゲート電圧Vgsとドレイン電流Idsの関係は以下の特性式で表される。
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)
ここでμは駆動用トランジスタの移動度、Wは駆動用トランジスタのチャネル幅、Lは同じくチャネル長、Coxは同じく単位面積あたりのゲート絶縁膜容量、Vthは同じく閾電圧である。この特性式から明らかなように駆動用トランジスタT2は飽和領域で動作するとき、ゲート電圧Vgsに応じてドレイン電流Idsを供給する定電流源として機能する。
The driving transistor T2 operates in the saturation region, and the relationship between the gate voltage Vgs and the drain current Ids is expressed by the following characteristic equation.
Ids = (1/2) μ (W / L) Cox (Vgs−Vth) 2
Here, μ is the mobility of the driving transistor, W is the channel width of the driving transistor, L is the channel length, Cox is the gate insulating film capacitance per unit area, and Vth is the threshold voltage. As is apparent from this characteristic equation, when the driving transistor T2 operates in the saturation region, it functions as a constant current source that supplies the drain current Ids according to the gate voltage Vgs.

図22は、発光素子ELの電圧/電流特性を示すグラフである。横軸にアノード電圧Vを示し、縦軸に駆動電流Idsをとってある。なお発光素子ELのアノード電圧は駆動用トランジスタT2のドレイン電圧となっている。発光素子ELは電流/電圧特性が経時変化し、特性カーブが時間の経過と共に寝ていく傾向にある。このため駆動電流Idsが一定であってもアノード電圧(ドレイン電圧)Vが変化してくる。その点、図21に示した画素回路2は駆動用トランジスタT2が飽和領域で動作し、ドレイン電圧の変動に関わらずゲートで電圧Vgsに応じた駆動電流Idsを流すことができるので、発光素子ELの特性経時変化に関わらず発光輝度を一定に保つことが可能である。   FIG. 22 is a graph showing voltage / current characteristics of the light emitting element EL. The horizontal axis represents the anode voltage V, and the vertical axis represents the drive current Ids. The anode voltage of the light emitting element EL is the drain voltage of the driving transistor T2. In the light emitting element EL, the current / voltage characteristics change with time, and the characteristic curve tends to fall with time. For this reason, the anode voltage (drain voltage) V changes even if the drive current Ids is constant. In that respect, the pixel circuit 2 shown in FIG. 21 operates in the saturation region of the driving transistor T2, and can drive the driving current Ids corresponding to the voltage Vgs at the gate regardless of the fluctuation of the drain voltage. It is possible to keep the light emission luminance constant regardless of the change in the characteristics over time.

図23は、従来の画素回路の他の例を示す回路図である。先に示した図21の画素回路と異なる点は、駆動用トランジスタT2がPチャネル型からNチャネル型に変わっていることである。回路の製造プロセス上は、画素を構成する全てのトランジスタをNチャネル型にすることが有利である場合が多い。   FIG. 23 is a circuit diagram showing another example of a conventional pixel circuit. A difference from the pixel circuit shown in FIG. 21 is that the driving transistor T2 is changed from the P-channel type to the N-channel type. In the circuit manufacturing process, it is often advantageous to make all the transistors constituting the pixel N-channel type.

従来の表示装置は、基本的に画素アレイ部とこれを駆動する回路部とからなる。画素アレイ部は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とを備えている。回路部は、各走査線に水平周期で順次制御パルスを印加し、画素を行単位で線順次走査する制御用スキャナ(ライトスキャナ)と、この線順次走査に合わせて列状の信号線に映像信号を供給する信号セレクタ(水平セレクタ)とを備えている。   A conventional display device basically includes a pixel array section and a circuit section for driving the pixel array section. The pixel array section includes a row-shaped scanning line, a column-shaped signal line, and matrix-shaped pixels arranged at a portion where both intersect. The circuit unit sequentially applies a control pulse to each scanning line in a horizontal cycle, and scans pixels on a line-by-line basis. The control scanner (write scanner) performs video on column signal lines in accordance with the line-sequential scanning. And a signal selector (horizontal selector) for supplying a signal.

画素は、ゲートが走査線に接続しソース及びドレインの一方が信号線に接続するサンプリング用トランジスタと、ゲートがサンプリング用トランジスタのソース及びドレインの他方に接続し、ソース及びドレインの一方が電源に接続する駆動用トランジスタと、駆動用トランジスタのソース及びドレインの他方に接続する発光素子と、駆動用トランジスタのゲートに接続する保持容量とを有している。サンプリング用トランジスタは、制御用スキャナから供給された制御パルスが立上がってから立下がるまでの短い時間幅でオンし、信号線から映像信号をサンプリングして保持容量に書き込む。駆動用トランジスタは、保持容量に書き込まれた映像信号に応じた駆動電流を発光素子に流す。発光素子は駆動電流に応じた輝度で発光する。   The pixel has a sampling transistor in which the gate is connected to the scanning line and one of the source and drain is connected to the signal line, the gate is connected to the other of the source and drain of the sampling transistor, and one of the source and drain is connected to the power supply A driving transistor, a light emitting element connected to the other of the source and drain of the driving transistor, and a storage capacitor connected to the gate of the driving transistor. The sampling transistor is turned on in a short time width from when the control pulse supplied from the control scanner rises to when it falls, and samples the video signal from the signal line and writes it to the storage capacitor. The driving transistor causes a driving current corresponding to the video signal written in the storage capacitor to flow through the light emitting element. The light emitting element emits light with luminance according to the driving current.

サンプリング用トランジスタは、保持容量に映像信号を書込んだ後はオフ状態になる。サンプリング用トランジスタは、例えばそのソースが信号線に接続し、そのドレインが駆動用トランジスタのゲートに接続している。従って、サンプリング用トランジスタは、オフ状態にあるとき、ドレインとゲートの間にバイアス電圧がかかっている。このバイアス電圧により、サンプリング用トランジスタの閾電圧が変動する。この変動が画素の動作に影響を与えて発光輝度が変動する。画素の動作条件によっては、サンプリング用トランジスタのドレインとゲートの間に加わるバイアス電圧によりサンプリング用トランジスタの閾電圧が時間の経過とともに低下し、この結果発光輝度が経時的に低下する場合があり、解決すべき課題となっている。   The sampling transistor is turned off after the video signal is written to the storage capacitor. The sampling transistor has, for example, a source connected to the signal line and a drain connected to the gate of the driving transistor. Therefore, when the sampling transistor is in the off state, a bias voltage is applied between the drain and the gate. This bias voltage changes the threshold voltage of the sampling transistor. This variation affects the operation of the pixel and the light emission luminance varies. Depending on the operating conditions of the pixel, the bias voltage applied between the drain and gate of the sampling transistor may cause the threshold voltage of the sampling transistor to decrease over time, resulting in a decrease in light emission luminance over time. It is an issue that should be done.

上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はサンプリング用トランジスタの閾電圧変動を抑制可能な表示装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。即ち本発明にかかる表示装置は、基本的に画素アレイ部とこれを駆動する回路部とからなる。前記画素アレイ部は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素と、走査線に平行に配された給電線とを備えている。前記回路部は、各走査線に順次制御パルスを出力し画素を行単位で線順次走査する制御用スキャナと、各給電線を高電位と低電位で切り換える電源スキャナと、該線順次走査に合わせて列状の信号線に映像信号を供給する信号セレクタとを備えている。前記画素は、発光素子と、サンプリング用トランジスタと、駆動用トランジスタとを含む。前記サンプリング用トランジスタは、そのゲートが該走査線に接続し、ソースが該信号線に接続し、ドレインが該駆動用トランジスタのゲートに接続している。前記駆動用トランジスタは、そのソースが該発光素子に接続し、ドレインが該給電線に接続している。かかる構成において、前記電源スキャナは、該給電線を高電位から低電位に切り換えて、該駆動用トランジスタのソース電位を下げて該発光素子に逆バイアスをかけこれを消灯する消灯動作を行う。前記制御用スキャナは、走査線に制御パルスを印加して、サンプリング用トランジスタをオンし、映像信号を該駆動用トランジスタのゲートに書き込む書込動作を行う。前記電源スキャナは、給電線を低電位から高電位に切り換えて駆動用トランジスタのソース電位を上げ、該発光素子を順バイアスにして該映像信号に応じた駆動電流を発光素子に流す点灯動作を行う。前記点灯動作では、駆動用トランジスタのドレイン側からゲート側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタのゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する。   In view of the above-described problems of the related art, an object of the present invention is to provide a display device that can suppress threshold voltage fluctuation of a sampling transistor. In order to achieve this purpose, the following measures were taken. That is, the display device according to the present invention basically includes a pixel array section and a circuit section for driving the pixel array section. The pixel array section includes a row-shaped scanning line, a column-shaped signal line, a matrix-shaped pixel arranged at a portion where both intersect, and a power supply line arranged in parallel to the scanning line. The circuit unit outputs a control pulse to each scanning line sequentially to scan the pixels line by line, a power supply scanner that switches each power line between a high potential and a low potential, and the line sequential scanning. And a signal selector for supplying a video signal to the column-shaped signal lines. The pixel includes a light emitting element, a sampling transistor, and a driving transistor. The sampling transistor has a gate connected to the scanning line, a source connected to the signal line, and a drain connected to the gate of the driving transistor. The driving transistor has a source connected to the light emitting element and a drain connected to the feeder line. In such a configuration, the power supply scanner performs an extinguishing operation in which the power supply line is switched from a high potential to a low potential, the source potential of the driving transistor is lowered, a reverse bias is applied to the light emitting element, and the light emitting element is turned off. The control scanner applies a control pulse to the scanning line, turns on the sampling transistor, and performs a writing operation to write a video signal to the gate of the driving transistor. The power supply scanner performs a lighting operation in which the power supply line is switched from a low potential to a high potential to increase the source potential of the driving transistor, the light emitting element is forward biased, and a driving current corresponding to the video signal is supplied to the light emitting element. . In the lighting operation, coupling is performed from the drain side to the gate side of the driving transistor via a parasitic capacitance to lower the gate potential, thereby reducing the bias between the gate and drain of the sampling transistor.

具体的には前記点灯動作では、給電線を一旦低電位から高電位より高い過電位とし、その後過電位から高電位に落として負のカップリングを駆動用トランジスタのゲートに加える。より具体的には前記電源スキャナは、書込動作の前に給電線を低電位から過電位にあげ、書込動作の後に給電線を過電位から高電位に下げる。   Specifically, in the lighting operation, the power supply line is once changed from a low potential to an overpotential higher than a high potential, and then the overpotential is dropped to a high potential to apply negative coupling to the gate of the driving transistor. More specifically, the power supply scanner raises the power supply line from a low potential to an overpotential before the writing operation, and lowers the power supply line from the overpotential to a high potential after the writing operation.

本発明によれば、点灯動作の時に、駆動用トランジスタのドレイン側からゲート側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタのゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する。これにより、サンプリング用トランジスタの閾電圧の経時的な変化を抑制し、以って発光輝度の経時的な変動を抑制することができる。   According to the present invention, during the lighting operation, coupling is performed via a parasitic capacitance from the drain side to the gate side of the driving transistor to lower the gate potential, thereby reducing the bias between the gate and drain of the sampling transistor. Reduce. Thereby, a change with time of the threshold voltage of the sampling transistor can be suppressed, and thus a change with time of the emission luminance can be suppressed.

以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる表示装置の全体構成を示すブロック図である。図示するように、本表示装置は、画素アレイ部1とこれを駆動する回路部(3,4,5)とからなる。画素アレイ部1は、行状の走査線WSと、列状の信号線SLと、両者が交差する部分に配された行列状の画素2と、画素2の各行に対応して配された給電線DSとを備えている。回路部(3,4,5)は、各走査線WSに順次制御パルスを供給して画素2を行単位で線順次走査する制御用スキャナ(ライトスキャナ)4と、この線順次走査に合わせて各給電線DSに第1電位(高電位)と第2電位(低電位)で切換る電源電圧を供給する電源スキャナ(ドライブスキャナ)5と、この線順次走査に合わせて列状の信号線SLに映像信号となる信号電位と基準電位を供給する信号セレクタ(水平セレクタ)3とを備えている。なおライトスキャナ4は外部から供給されるクロック信号WSckに応じて動作し同じく外部から供給されるスタートパルスWSspを順次転送することで、各走査線WSに制御パルスを出力している。ドライブスキャナ5は外部から供給されるクロック信号DSckに応じて動作し、同じく外部から供給されるスタートパルスDSspを順次転送することで、給電線DSの電位を線順次で切換えている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a display device according to the present invention. As shown in the figure, the display device includes a pixel array section 1 and circuit sections (3, 4, 5) for driving the pixel array section 1. The pixel array unit 1 includes a row-like scanning line WS, a column-like signal line SL, a matrix-like pixel 2 arranged at a portion where both intersect, and a power supply line arranged corresponding to each row of the pixels 2 DS. The circuit unit (3, 4, 5) supplies a control pulse sequentially to each scanning line WS to scan the pixels 2 line-sequentially in units of rows, and a control scanner (write scanner) 4 in accordance with this line-sequential scanning. A power supply scanner (drive scanner) 5 that supplies a power supply voltage to be switched between a first potential (high potential) and a second potential (low potential) to each power supply line DS, and a column-shaped signal line SL in accordance with the line sequential scanning. Are provided with a signal selector (horizontal selector) 3 for supplying a signal potential to be a video signal and a reference potential. The write scanner 4 operates in response to a clock signal WSck supplied from the outside, and sequentially transfers start pulses WSsp supplied from the outside, thereby outputting a control pulse to each scanning line WS. The drive scanner 5 operates in response to a clock signal DSck supplied from outside, and sequentially transfers start pulses DSsp supplied from the outside, thereby switching the potential of the power supply line DS line-sequentially.

図2−1は、図1に示した表示装置に含まれる画素2の具体的な構成を示す回路図である。図示するように、本画素回路2は、発光素子ELと、サンプリング用トランジスタT1と、駆動用トランジスタT2と、保持容量C1を含む。サンプリング用トランジスタT1は、そのゲートが走査線WSに接続し、そのソース及びドレインの一方が信号線SLに接続し、他方が駆動用トランジスタT2のゲートGに接続している。本明細書では、サンプリング用トランジスタの一対の電流端のうち、信号線SL側に接続する電流端をソースとし、駆動用トランジスタT2のゲートG側に接続する電流端をドレインとしている。駆動用トランジスタT2は、そのソースSが発光素子ELのアノードに接続し、ドレインDが給電線DSに接続している。発光素子ELのカソードは、所定のカソード電位Vcatに接続している。保持容量C1は、駆動用トランジスタT2のゲートGとソースSとの間に接続している。   FIG. 2A is a circuit diagram illustrating a specific configuration of the pixel 2 included in the display device illustrated in FIG. 1. As shown in the figure, the pixel circuit 2 includes a light emitting element EL, a sampling transistor T1, a driving transistor T2, and a storage capacitor C1. The sampling transistor T1 has its gate connected to the scanning line WS, one of its source and drain connected to the signal line SL, and the other connected to the gate G of the driving transistor T2. In this specification, of the pair of current ends of the sampling transistor, the current end connected to the signal line SL side is used as a source, and the current end connected to the gate G side of the drive transistor T2 is used as a drain. The driving transistor T2 has a source S connected to the anode of the light emitting element EL and a drain D connected to the power supply line DS. The cathode of the light emitting element EL is connected to a predetermined cathode potential Vcat. The storage capacitor C1 is connected between the gate G and the source S of the driving transistor T2.

かかる構成において、ドライブスキャナ5は、給電線DSを高電位Vccから低電位Vssに切り換えて、駆動用トランジスタT2のソースSの電位を下げて発光素子ELに逆バイアスをかけこれを消灯する消灯動作を行う。この後ライトスキャナ4は、走査線WSに制御パルスを印加して、サンプリング用トランジスタT1をオンし、映像信号の信号電位Vsigを駆動用トランジスタT2のゲートGに書き込む書込動作を行う。一方ドライブスキャナ5は、給電線DSを低電位Vssから高電位Vccに切り換えて駆動用トランジスタT2のソースSの電位を上げ、発光素子ELを順バイアスにして信号電位Vsigに応じた駆動電流Idsを発光素子ELに流す点灯動作を行う。その際点灯動作では、駆動用トランジスタT2のドレインD側からゲートG側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する。   In such a configuration, the drive scanner 5 switches the power supply line DS from the high potential Vcc to the low potential Vss, lowers the potential of the source S of the driving transistor T2, applies a reverse bias to the light emitting element EL, and turns off the light. I do. Thereafter, the write scanner 4 applies a control pulse to the scanning line WS, turns on the sampling transistor T1, and performs a writing operation of writing the signal potential Vsig of the video signal to the gate G of the driving transistor T2. On the other hand, the drive scanner 5 switches the power supply line DS from the low potential Vss to the high potential Vcc to raise the potential of the source S of the driving transistor T2, and the drive current Ids according to the signal potential Vsig with the light emitting element EL being forward biased. A lighting operation is performed to flow through the light emitting element EL. In this case, in the lighting operation, coupling is performed via a parasitic capacitance from the drain D side of the driving transistor T2 to the gate G side to lower the gate potential, thereby reducing the gate-drain bias of the sampling transistor T1. To do.

一態様によると、点灯動作では、給電線DSを一旦低電位Vssから高電位Vccより高い過電位とし、その後過電位から高電位Vccに落として負のカップリングを駆動用トランジスタT2のゲートGに加える。具体的には、ドライブスキャナ5は、書込動作の前に給電線DSを低電位Vssから過電位にあげ、書込動作の後に給電線DSを過電位から高電位Vccに下げる。   According to one embodiment, in the lighting operation, the power supply line DS is once changed from the low potential Vss to the overpotential higher than the high potential Vcc, and then dropped from the overpotential to the high potential Vcc to cause negative coupling to the gate G of the driving transistor T2. Add. Specifically, the drive scanner 5 raises the power supply line DS from the low potential Vss to the overpotential before the writing operation, and lowers the power supply line DS from the overpotential to the high potential Vcc after the writing operation.

本発明によれば、点灯動作の時に、駆動用トランジスタT2のドレインD側からゲートG側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する。これにより、サンプリング用トランジスタT1の閾電圧の経時的な変化を抑制し、以って発光輝度の経時的な変動を抑制することができる。   According to the present invention, during the lighting operation, coupling is performed from the drain D side of the driving transistor T2 to the gate G side via the parasitic capacitance to lower the gate potential, and thus the gate and drain of the sampling transistor T1. Reduce the bias between. Thereby, a change with time of the threshold voltage of the sampling transistor T1 can be suppressed, and thus a change with time of the emission luminance can be suppressed.

図2−2は、図2−1に示した画素回路の動作説明に供する模式図である。(A)は、点灯動作及び書込動作の参考例を示すタイミングチャートである。書込動作では、ライトスキャナが走査線WSに矩形の制御パルスを印加し、サンプリング用トランジスタT1をオンして信号電位Vsigを駆動用トランジスタT2のゲートGに書込む。一方、ドライブスキャナは、給電線DSを低電位Vss=−5Vから高電位Vcc=13Vに切り換えて点灯動作を行う。   FIG. 2B is a schematic diagram for explaining the operation of the pixel circuit shown in FIG. (A) is a timing chart showing a reference example of a lighting operation and a writing operation. In the writing operation, the write scanner applies a rectangular control pulse to the scanning line WS, turns on the sampling transistor T1, and writes the signal potential Vsig to the gate G of the driving transistor T2. On the other hand, the drive scanner performs a lighting operation by switching the power supply line DS from the low potential Vss = −5V to the high potential Vcc = 13V.

(B)は、(A)に示した書込動作及び点灯動作の後における画素回路の電位状態を示す回路図である。サンプリング用トランジスタT1のゲートには、走査線WSの零電位0Vが印加されておりオフ状態にある。なお、サンプリング用トランジスタT1のソースには、映像信号が例えば振幅1〜5Vの範囲で印加される。一方駆動用用トランジスタT2はオン状態にあり、駆動電流をソースから発光素子のアノードに供給している。ソース電位Vsは発光素子と駆動用トランジスタT2の動作点で決まる。このソース電位Vsに信号電位Vsigを足したレベルがほぼ駆動用トランジスタT2のゲート電位Vgとなり、例えば白表示の場合、ゲート電位Vg=10Vである。よって、サンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアス電圧が絶対値で10V−0V=10Vとなる。このようなバイアスがかかり続けると、時間の経過とともにサンプリング用トランジスタT1の閾電圧vthT1が低下する。   (B) is a circuit diagram showing a potential state of the pixel circuit after the writing operation and the lighting operation shown in (A). The zero potential 0V of the scanning line WS is applied to the gate of the sampling transistor T1, and it is in the off state. Note that a video signal is applied to the source of the sampling transistor T1, for example, in the range of amplitude 1 to 5V. On the other hand, the driving transistor T2 is in an on state, and a driving current is supplied from the source to the anode of the light emitting element. The source potential Vs is determined by the operating point of the light emitting element and the driving transistor T2. The level obtained by adding the signal potential Vsig to the source potential Vs is substantially the gate potential Vg of the driving transistor T2. For example, in the case of white display, the gate potential Vg = 10V. Therefore, the bias voltage between the gate and the drain of the sampling transistor T1 is 10V-0V = 10V in absolute value. If such a bias continues to be applied, the threshold voltage vthT1 of the sampling transistor T1 decreases with time.

(C)は、本発明に従った点灯動作及び書込動作のシーケンスを示すタイミングチャートである。書込動作では、ライトスキャナが走査線WSに矩形の制御パルスを印加し、サンプリング用トランジスタT1をオンして信号電位Vsigを駆動用トランジスタT2のゲートGに書込む。一方、ドライブスキャナは、点灯動作を行うため、給電線DSを一旦低電位Vssから高電位Vccより高い過電位Vh=28Vとし、その後過電位Vhから高電位Vcc=13Vに落として負のカップリングを駆動用トランジスタT2のゲートGに加える。このようにドライブスキャナ5は、制御パルスが立上がる書込動作の前に給電線DSを低電位Vssから過電位Vhにあげ、制御パルスが立下がる書込動作の後に給電線DSを過電位Vhから高電位Vccに下げる。   (C) is a timing chart showing a sequence of a lighting operation and a writing operation according to the present invention. In the writing operation, the write scanner applies a rectangular control pulse to the scanning line WS, turns on the sampling transistor T1, and writes the signal potential Vsig to the gate G of the driving transistor T2. On the other hand, since the drive scanner performs a lighting operation, the power supply line DS is temporarily changed from the low potential Vss to the overpotential Vh = 28 V higher than the high potential Vcc, and then dropped from the overpotential Vh to the high potential Vcc = 13 V to perform negative coupling. Is added to the gate G of the driving transistor T2. As described above, the drive scanner 5 raises the power supply line DS from the low potential Vss to the overpotential Vh before the writing operation in which the control pulse rises, and the power supply line DS is set to the overpotential Vh after the writing operation in which the control pulse falls. To high potential Vcc.

(D)は、(C)に示した書込動作及び点灯動作の後における画素回路の電位状態を示す回路図である。サンプリング用トランジスタT1のゲートには、走査線WSの零電位0Vが印加されておりオフ状態にある。サンプリング用トランジスタT1のソースには、映像信号が振幅1〜5Vの範囲で印加される。一方駆動用用トランジスタT2はオン状態にあり、駆動電流をソースから発光素子のアノードに供給している。ソース電位Vsは発光素子ELと駆動用トランジスタT2の動作点で決まる。このソース電位Vsに信号電位Vsigを足したレベルがほぼ駆動用トランジスタT2のゲート電位Vgとなり、例えば白表示の場合ゲート電位Vg=10Vである。よって、サンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアス電圧が絶対値で10V−0V=10Vとなる。このままバイアスがかかり続けると、時間の経過とともにサンプリング用トランジスタT1の閾電圧vthT1が低下する。そこで本発明では、制御パルスが立下がる書込動作の後給電線DSを過電位Vh=28Vから高電位Vcc=13Vに落として負のカップリングを駆動用トランジスタT2のドレインDからゲートGに加える。これにより、駆動用トランジスタのゲート電位Vgが10V未満となり、サンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアス電圧が(B)の参考例に比べて緩和される。カップリングを入れた分だけゲート電位Vgが下がるため、サンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアス電圧が緩和され、VthT1の変動を抑制する。   FIG. 4D is a circuit diagram illustrating a potential state of the pixel circuit after the writing operation and the lighting operation illustrated in FIG. The zero potential 0V of the scanning line WS is applied to the gate of the sampling transistor T1, and it is in the off state. A video signal is applied to the source of the sampling transistor T1 within an amplitude range of 1 to 5V. On the other hand, the driving transistor T2 is in an on state, and a driving current is supplied from the source to the anode of the light emitting element. The source potential Vs is determined by the operating points of the light emitting element EL and the driving transistor T2. The level obtained by adding the signal potential Vsig to the source potential Vs is substantially the gate potential Vg of the driving transistor T2. For example, in the case of white display, the gate potential Vg = 10V. Therefore, the bias voltage between the gate and the drain of the sampling transistor T1 is 10V-0V = 10V in absolute value. If the bias is continuously applied as it is, the threshold voltage vthT1 of the sampling transistor T1 decreases with time. Therefore, in the present invention, after the writing operation in which the control pulse falls, the power supply line DS is dropped from the overpotential Vh = 28V to the high potential Vcc = 13V to add negative coupling from the drain D to the gate G of the driving transistor T2. . As a result, the gate potential Vg of the driving transistor becomes less than 10 V, and the bias voltage between the gate and the drain of the sampling transistor T1 is relaxed compared to the reference example of (B). Since the gate potential Vg is lowered by the amount of coupling, the bias voltage between the gate and drain of the sampling transistor T1 is relaxed, and fluctuations in VthT1 are suppressed.

(E)は、本発明にかかるカップリング動作を示す模式的な回路図である。図示するように、駆動用トランジスタT2のドレインとゲートとの間に、寄生容量Cgdが介在している。又、駆動用トランジスタT2のゲートとソースとの間には保持容量C1が接続している。なお、図中Coledは発光素子ELの等価容量である。サンプリング用トランジスタT1はオフ状態にあり、駆動用トランジスタT2のゲートは信号線SLから切り離されている。このような状態で、給電線DSが、過電位Vhから高電位Vccに切り替わると、この電圧降下が寄生容量Cgdを介して駆動用トランジスタT2のゲート側にカップリングされる。カップリングによる駆動用トランジスタT2のゲート電位Vgの降下分△Vgは、以下の式で与えられる。
△Vg=(Vh−Vcc)・Cgd/(Cgd+C1)
(E) is a schematic circuit diagram showing a coupling operation according to the present invention. As shown in the figure, a parasitic capacitance Cgd is interposed between the drain and gate of the driving transistor T2. A holding capacitor C1 is connected between the gate and source of the driving transistor T2. In the figure, Coled is an equivalent capacitance of the light emitting element EL. The sampling transistor T1 is in an off state, and the gate of the driving transistor T2 is disconnected from the signal line SL. In this state, when the power supply line DS is switched from the overpotential Vh to the high potential Vcc, this voltage drop is coupled to the gate side of the driving transistor T2 via the parasitic capacitance Cgd. A drop ΔVg of the gate potential Vg of the driving transistor T2 due to the coupling is given by the following equation.
ΔVg = (Vh−Vcc) · Cgd / (Cgd + C1)

図3は、図2−1に示した画素の動作説明に供するタイミングチャートである。なおこのタイミングチャートは本発明による対策を施す前の参考例である。このタイミングチャートは時間軸を共通にして、走査線WSの電位変化、給電線DSの電位変化、信号線SLの電位変化を表してある。走査線WSの電位変化は制御パルスを表し、サンプリング用トランジスタT1の開閉制御を行っている。給電線DSの電位変化は、電源電圧Vcc,Vssの切換えを表している。また信号線SLの電位変化は入力信号の信号電位Vsigと基準電位Vofsの切換えを表している。またこれらの電位変化と並行に、駆動用トランジスタT2のゲートG及びソースSの電位変化も表している。前述したようにゲートGとソースSの電位差がVgsである。   FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the pixel shown in FIG. This timing chart is a reference example before taking measures according to the present invention. This timing chart shows a change in the potential of the scanning line WS, a change in the potential of the power supply line DS, and a change in the potential of the signal line SL with a common time axis. The potential change of the scanning line WS represents a control pulse, and the opening / closing control of the sampling transistor T1 is performed. The change in the potential of the power supply line DS represents switching between the power supply voltages Vcc and Vss. Further, the potential change of the signal line SL represents switching between the signal potential Vsig of the input signal and the reference potential Vofs. In parallel with these potential changes, the potential changes of the gate G and the source S of the driving transistor T2 are also shown. As described above, the potential difference between the gate G and the source S is Vgs.

このタイミングチャートは画素の動作の遷移に合わせて期間を(1)〜(7)のように便宜的に区切ってある。当該フィールドに入る直前の期間(1)では発光素子ELが発光状態にある。その後線順次走査の新しいフィールドに入ってまず最初の期間(2)で給電線DSを高電位Vccから低電位Vssに切り換える。次の期間(3)に進み入力信号をVsigからVofsに切り換える。さらに次の期間(4)でサンプリング用トランジスタT1をオンする。この期間(2)〜(4)で駆動用トランジスタT2のゲート電圧及び発光時におけるソース電圧をリセットする。その期間(2)〜(4)は閾電圧補正のための準備期間であり、駆動用トランジスタT2のゲートGがVofsにリセットされる一方、ソースSがVssにリセットされる。続いて閾値補正期間(5)で実際に閾電圧補正動作が行われ、駆動用トランジスタT2のゲートGとソースSとの間に閾電圧Vthに相当する電圧が保持される。実際にはVthに相当する電圧が、駆動用トランジスタT2のゲートGとソースSとの間に接続された保持容量C1に書き込まれることになる。一旦サンプリング用トランジスタT1をオフした後、書込期間/移動度補正期間(6)に進む。ここで映像信号の信号電位VsigがVthに足し込まれる形で保持容量C1に書き込まれると共に、移動度補正用の電圧ΔVが保持容量C1に保持された電圧から差し引かれる。この書込期間/移動度補正期間(6)では、信号線SLが信号電位Vsigにある時間帯にサンプリング用トランジスタT1を導通状態にする必要がある。この後発光期間(7)に進み、信号電位Vsigに応じた輝度で発光素子が発光する。その際信号電位Vsigは閾電圧Vthに相当する電圧と移動度補正用の電圧ΔVとによって調整されているため、発光素子ELの発光輝度は駆動用トランジスタT2の閾電圧Vthや移動度μのばらつきの影響を受けることはない。なお発光期間(7)の最初でブートストラップ動作が行われ、駆動用トランジスタT2のゲートG/ソースS間電圧Vgsを一定に維持したまま、駆動用トランジスタT2のゲート電位及びソース電位が上昇する。   In this timing chart, the periods are divided for convenience as (1) to (7) in accordance with the transition of the operation of the pixel. In the period (1) immediately before entering the field, the light emitting element EL is in a light emitting state. After that, a new field of line sequential scanning is entered, and in the first period (2), the feeder line DS is switched from the high potential Vcc to the low potential Vss. In the next period (3), the input signal is switched from Vsig to Vofs. Further, the sampling transistor T1 is turned on in the next period (4). During this period (2) to (4), the gate voltage of the driving transistor T2 and the source voltage during light emission are reset. Periods (2) to (4) are preparation periods for threshold voltage correction, and the gate G of the driving transistor T2 is reset to Vofs, while the source S is reset to Vss. Subsequently, a threshold voltage correction operation is actually performed in the threshold correction period (5), and a voltage corresponding to the threshold voltage Vth is held between the gate G and the source S of the driving transistor T2. Actually, a voltage corresponding to Vth is written in the holding capacitor C1 connected between the gate G and the source S of the driving transistor T2. Once the sampling transistor T1 is turned off, the process proceeds to the writing period / mobility correction period (6). Here, the signal potential Vsig of the video signal is written into the storage capacitor C1 in a form added to Vth, and the mobility correction voltage ΔV is subtracted from the voltage held in the storage capacitor C1. In the writing period / mobility correction period (6), the sampling transistor T1 needs to be turned on in a time zone in which the signal line SL is at the signal potential Vsig. Thereafter, the process proceeds to the light emission period (7), and the light emitting element emits light with a luminance corresponding to the signal potential Vsig. At that time, since the signal potential Vsig is adjusted by a voltage corresponding to the threshold voltage Vth and the mobility correction voltage ΔV, the light emission luminance of the light emitting element EL varies in the threshold voltage Vth and mobility μ of the driving transistor T2. Will not be affected. Note that a bootstrap operation is performed at the beginning of the light emission period (7), and the gate potential and the source potential of the driving transistor T2 rise while the gate G / source S voltage Vgs of the driving transistor T2 is kept constant.

引き続き図4〜図11を参照して、図2−1に示した画素回路の動作を説明する。まず図4に示したように発光期間(1)では、電源電位がVccにセットされ、サンプリング用トランジスタT1はオフしている。このとき駆動用トランジスタT2は飽和領域で動作するようにセットされているため、発光素子ELに流れる駆動電流Idsは駆動用トランジスタT2のゲートG/ソースS間に印加される電圧Vgsに応じて、前述したトランジスタ特性式で示される値を取る。   The operation of the pixel circuit shown in FIG. 2A will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 4, in the light emission period (1), the power supply potential is set to Vcc, and the sampling transistor T1 is turned off. At this time, since the driving transistor T2 is set so as to operate in the saturation region, the driving current Ids flowing through the light emitting element EL depends on the voltage Vgs applied between the gate G and the source S of the driving transistor T2. The value shown by the transistor characteristic equation described above is taken.

続いて図5に示すように準備期間(2),(3)に入ると給電線(電源ライン)の電位をVssにする。このときVssは発光素子ELの閾電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和よりも小さくなるように逆バイアスに設定している。即ちVss<Vthel+Vcatであるので、発光素子ELは消灯し、電源ライン側が駆動用トランジスタT2のソースとなる。このとき発光素子ELのアノードはVssに充電される。   Subsequently, as shown in FIG. 5, when the preparation periods (2) and (3) are entered, the potential of the power supply line (power supply line) is set to Vss. At this time, the reverse bias is set so that Vss becomes smaller than the sum of the threshold voltage Vthel and the cathode voltage Vcat of the light emitting element EL. That is, since Vss <Vthel + Vcat, the light emitting element EL is turned off, and the power supply line side becomes the source of the driving transistor T2. At this time, the anode of the light emitting element EL is charged to Vss.

さらに図6に示すように次の準備期間(4)に入ると、信号線SLの電位がVofsになる一方サンプリング用トランジスタT1がオンして、駆動用トランジスタT2のゲート電位をVofsとする。この様にして発光時における駆動用トランジスタT2のソースS及びゲートGがリセットされ、このときのゲートソース間電圧VgsはVofs−Vssの値となる。Vgs=Vofs−Vssは駆動用トランジスタT2の閾電圧Vthよりも大きな値となるように設定されている。この様にVgs>Vthになるように駆動用トランジスタT2をリセットすることで、次に来る閾電圧補正動作の準備が完了する。   Further, as shown in FIG. 6, in the next preparation period (4), the potential of the signal line SL becomes Vofs, while the sampling transistor T1 is turned on, and the gate potential of the driving transistor T2 is set to Vofs. In this way, the source S and the gate G of the driving transistor T2 at the time of light emission are reset, and the gate-source voltage Vgs at this time becomes a value of Vofs−Vss. Vgs = Vofs−Vss is set to be larger than the threshold voltage Vth of the driving transistor T2. In this way, by resetting the driving transistor T2 so that Vgs> Vth, preparation for the next threshold voltage correction operation is completed.

続いて図7に示すように閾電圧補正期間(5)に進むと、給電線DS(電源ライン)の電位がVccに戻る。電源電圧をVccとすることで発光素子ELのアノードが駆動用トランジスタT2のソースSとなり、図示のように電流が流れる。このとき発光素子ELの等価回路は図示のようにダイオードTelと容量Celの並列接続で表される。アノード電位(即ちソース電位Vss)がVcat+Vthelよりも低いので、ダイオードTelはオフ状態にあり、そこに流れるリーク電流は駆動用トランジスタT2に流れる電流よりもかなり小さい。よって駆動用トランジスタT2に流れる電流はほとんどが保持容量C1と等価容量Celを充電するために使われる。その後一旦サンプリング用トランジスタをオフする。   Subsequently, as shown in FIG. 7, when proceeding to the threshold voltage correction period (5), the potential of the feeder line DS (power supply line) returns to Vcc. By setting the power supply voltage to Vcc, the anode of the light emitting element EL becomes the source S of the driving transistor T2, and a current flows as shown in the figure. At this time, an equivalent circuit of the light emitting element EL is represented by a parallel connection of a diode Tel and a capacitor Cel as shown in the figure. Since the anode potential (that is, the source potential Vss) is lower than Vcat + Vthel, the diode Tel is in the off state, and the leak current flowing therethrough is considerably smaller than the current flowing through the driving transistor T2. Therefore, most of the current flowing through the driving transistor T2 is used to charge the holding capacitor C1 and the equivalent capacitor Cel. Thereafter, the sampling transistor is temporarily turned off.

図8は図7に示した閾電圧補正期間(5)における駆動用トランジスタT2のソース電圧の時間変化を表している。図示するように、駆動用トランジスタT2のソース電圧(即ち発光素子ELのアノード電圧)は時間と共にVssから上昇する。閾電圧補正期間(5)が経過すると駆動用トランジスタT2はカットオフし、そのソースSとゲートGとの間の電圧VgsはVthとなる。このときソース電位はVofs−Vthで与えられる。この値Vofs−Vthは依然としてVcat+Vthelよりも低くなっていれば、発光素子ELは遮断状態にある。   FIG. 8 shows the time change of the source voltage of the driving transistor T2 in the threshold voltage correction period (5) shown in FIG. As shown in the figure, the source voltage of the driving transistor T2 (that is, the anode voltage of the light emitting element EL) rises from Vss with time. When the threshold voltage correction period (5) elapses, the driving transistor T2 is cut off, and the voltage Vgs between the source S and the gate G becomes Vth. At this time, the source potential is given by Vofs−Vth. If this value Vofs−Vth is still lower than Vcat + Vthel, the light emitting element EL is in a cut-off state.

次に図9に示すように書込期間/移動度補正期間(6)に入ると、サンプリング用トランジスタT1を再びオンした状態で信号線SLの電位をVofsからVsigに切り換える。このとき信号電位Vsigは階調に応じた電圧となっている。駆動用トランジスタT2のゲート電位はサンプリング用トランジスタT1をオンしているためVsigとなる。一方ソース電位は電源Vccから電流が流れるため時間と共に上昇していく。この時点でも駆動用トランジスタT2のソース電位が発光素子ELの閾電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和を超えていなければ、駆動用トランジスタT2から流れる電流はもっぱら等価容量Celと保持容量C1の充電に使われる。このとき既に駆動用トランジスタT2の閾電圧補正動作は完了しているため、駆動用トランジスタT2が流す電流は移動度μを反映したものとなる。具体的に言うと移動度μが大きい駆動用トランジスタT2はこのときの電流量が大きく、ソースの電位上昇分ΔVも大きい。逆に移動度μが小さい場合駆動用トランジスタT2の電流量が小さく、ソースの上昇分ΔVは小さくなる。かかる動作により駆動用トランジスタT2のゲート電圧Vgsは移動度μを反映してΔVだけ圧縮され、移動度補正期間(6)が完了した時点で完全に移動度μを補正したVgsが得られる。   Next, when entering the writing period / mobility correction period (6) as shown in FIG. 9, the potential of the signal line SL is switched from Vofs to Vsig while the sampling transistor T1 is turned on again. At this time, the signal potential Vsig is a voltage corresponding to the gradation. The gate potential of the driving transistor T2 is Vsig because the sampling transistor T1 is turned on. On the other hand, the source potential rises with time because current flows from the power supply Vcc. Even at this time, if the source potential of the driving transistor T2 does not exceed the sum of the threshold voltage Vthel and the cathode voltage Vcat of the light emitting element EL, the current flowing from the driving transistor T2 is exclusively used for charging the equivalent capacitor Cel and the holding capacitor C1. Is called. At this time, since the threshold voltage correction operation of the driving transistor T2 has already been completed, the current flowing through the driving transistor T2 reflects the mobility μ. Specifically, the driving transistor T2 having a high mobility μ has a large amount of current at this time, and the source potential increase ΔV is also large. On the contrary, when the mobility μ is small, the current amount of the driving transistor T2 is small, and the increase ΔV of the source is small. With this operation, the gate voltage Vgs of the driving transistor T2 is compressed by ΔV reflecting the mobility μ, and Vgs with the mobility μ completely corrected is obtained when the mobility correction period (6) is completed.

図10は、上述した移動度補正期間(6)における駆動用トランジスタT2のソース電圧の時間的な変化を示すグラフである。図示するように駆動用トランジスタT2の移動度が大きいとソース電圧は速く上昇し、それだけVgsが圧縮される。即ち移動度μが大きいとその影響を打ち消すようにVgsが圧縮され、駆動電流が抑制できる。一方移動度μが小さい場合駆動用トランジスタT2のソース電圧はそれほど速く上昇しないので、Vgsも強く圧縮を受けることはない。したがって移動度μが小さい場合、駆動用トランジスタのVgsは小さい駆動能力を補うように大きな圧縮がかからない。   FIG. 10 is a graph showing temporal changes in the source voltage of the driving transistor T2 during the mobility correction period (6) described above. As shown in the figure, when the mobility of the driving transistor T2 is large, the source voltage rises quickly, and Vgs is compressed accordingly. That is, when the mobility μ is large, Vgs is compressed so as to cancel the influence, and the drive current can be suppressed. On the other hand, when the mobility μ is small, the source voltage of the driving transistor T2 does not rise so fast, so that Vgs is not strongly compressed. Therefore, when the mobility μ is small, Vgs of the driving transistor is not compressed so as to compensate for the small driving capability.

図11は発光期間(7)の動作状態を表している。この発光期間(7)ではサンプリング用トランジスタT1をオフして発光素子ELを発光させる。駆動用トランジスタT2のゲート電圧Vgsは一定に保たれており、駆動用トランジスタT2は前述した特性式に従って一定の電流Ids´を発光素子ELに流す。発光素子ELのアノード電圧(即ち駆動用トランジスタT2のソース電圧)は発光素子ELにIds´という電流が流れるため、Vxまで上昇しこれがVcat+Vthelを超えた時点で発光素子ELが順バイアス状態となり発光する。発光素子ELは発光時間が長くなるとその電流/電圧特性は変化してしまう。そのためソースSの電位が変化する。しかしながら駆動用トランジスタT2のゲート電圧Vgsはブートストラップ動作により一定値に保たれているので、発光素子ELに流れる電流Ids´は変化しない。よって発光素子ELの電流/電圧特性が劣化しても、一定の駆動電流Ids´が常に流れていて、発光素子ELの輝度が変化することはない。   FIG. 11 shows an operation state in the light emission period (7). In this light emission period (7), the sampling transistor T1 is turned off to cause the light emitting element EL to emit light. The gate voltage Vgs of the driving transistor T2 is kept constant, and the driving transistor T2 passes a constant current Ids ′ to the light emitting element EL according to the above-described characteristic equation. The anode voltage of the light emitting element EL (that is, the source voltage of the driving transistor T2) rises to Vx because a current Ids' flows through the light emitting element EL, and when this exceeds Vcat + Vthel, the light emitting element EL becomes in a forward bias state and emits light. . The light emitting element EL changes its current / voltage characteristics as the light emission time becomes longer. Therefore, the potential of the source S changes. However, since the gate voltage Vgs of the driving transistor T2 is maintained at a constant value by the bootstrap operation, the current Ids ′ flowing through the light emitting element EL does not change. Therefore, even if the current / voltage characteristics of the light emitting element EL deteriorate, a constant drive current Ids ′ always flows, and the luminance of the light emitting element EL does not change.

図3に示した画素回路の動作シーケンスでは、移動度補正時間(信号書込時間)の適応制御を行っている。具体的には、サンプリング用トランジスタT1のゲートに印加する制御パルスの立下りに傾斜をつけることで、信号書込期間(即ち移動度補正期間)の適応制御を行っている。適応制御とは、信号電位に応じて移動度補正期間が最適となるように、自動的に可変調整する方式である。映像信号の信号電位は黒レベルから白レベルまで階調に応じて変化する。最適な移動度補正時間は必ずしも一定ではなく、映像信号の階調レベルに依存している。一般的な傾向として、輝度が白レベルのとき最適な移動度補正期間は短く、輝度が黒レベルのとき最適な移動度補正期間は長くなる。   In the operation sequence of the pixel circuit shown in FIG. 3, adaptive control of mobility correction time (signal writing time) is performed. Specifically, adaptive control of the signal writing period (that is, mobility correction period) is performed by providing a slope to the falling edge of the control pulse applied to the gate of the sampling transistor T1. The adaptive control is a method of automatically performing variable adjustment so that the mobility correction period is optimized according to the signal potential. The signal potential of the video signal changes from the black level to the white level according to the gradation. The optimum mobility correction time is not necessarily constant, and depends on the gradation level of the video signal. As a general tendency, the optimal mobility correction period is short when the luminance is white level, and the optimal mobility correction period is long when the luminance is black level.

図12を参照して、上述した移動度補正期間の適応制御を具体的に説明する。走査線WSに供給される制御パルスは特徴的な立下り波形を有しており、最初に急峻でその後なだらかに変化し、最後に再び急峻に立下る形状となっている。この立下り波形はサンプリング用トランジスタT1の制御端(ゲート)に印加される。一方このサンプリング用トランジスタT1のソースには信号電位Vsigが印加される。従ってサンプリング用トランジスタT1のオンオフを制御するゲート電圧Vgsは、ソースに印加される信号電位Vsigに依存している。   With reference to FIG. 12, the adaptive control in the mobility correction period described above will be specifically described. The control pulse supplied to the scanning line WS has a characteristic falling waveform, which is steep at first, changes gently thereafter, and finally falls sharply again. This falling waveform is applied to the control terminal (gate) of the sampling transistor T1. On the other hand, the signal potential Vsig is applied to the source of the sampling transistor T1. Therefore, the gate voltage Vgs for controlling on / off of the sampling transistor T1 depends on the signal potential Vsig applied to the source.

白表示のときの信号電位をVsig白とし、サンプリング用トランジスタT1の閾電圧をVthT1とすると、制御パルスの立下りが丁度鎖線で示すVsig白+VthT1のレベルを横切ったとき、サンプリング用トランジスタT1がオフする。このオフするタイミングは制御パルスが丁度急峻に立下り始めた時点であるので、サンプリング用トランジスタT1がオンしてからオフするまでの白表示時信号書込み期間は短くなる。よって白表示時における移動度補正期間も短くなる。   Assuming that the signal potential in white display is Vsig white and the threshold voltage of the sampling transistor T1 is VthT1, the sampling transistor T1 is turned off when the falling edge of the control pulse crosses the level of Vsig white + VthT1 indicated by the chain line. To do. Since the timing of turning off is the time when the control pulse starts to fall sharply, the white display signal writing period from when the sampling transistor T1 is turned on to when it is turned off is shortened. Therefore, the mobility correction period during white display is also shortened.

一方黒表示時の信号電位をVsig黒とすると、図示のように制御パルスの立下り部分が点線で示すVsig黒+VthT1を下回ったときにサンプリング用トランジスタT1がオフする。よって黒表示時の信号書込み期間は長くなる。この様にして信号電位に応じた移動度補正期間の適応制御を行っている。   On the other hand, if the signal potential during black display is Vsig black, the sampling transistor T1 is turned off when the falling portion of the control pulse falls below Vsig black + VthT1 indicated by the dotted line as shown in the figure. Therefore, the signal writing period during black display becomes longer. In this way, adaptive control of the mobility correction period according to the signal potential is performed.

この様にサンプリング用トランジスタT1のゲートに印加する制御波形の立下りに傾斜を付けることで、全階調にわたって適切な移動度補正をかけることができ、スジやムラのない均一な画質を得ることが可能である。しかしながらサンプリング用トランジスタT1は、何ら対策を施さないと経時的にVthT1が変動していくため、移動度補正時間も変化してしまい、最適な適応制御を安定的に行うことができない。この点につき、図13(A)〜(E)を参照して具体的に説明する。   In this way, by adding a slope to the falling edge of the control waveform applied to the gate of the sampling transistor T1, appropriate mobility correction can be applied over all gradations, and uniform image quality without streaks or unevenness can be obtained. Is possible. However, in the sampling transistor T1, VthT1 varies with time unless any countermeasure is taken, so that the mobility correction time also changes, and optimal adaptive control cannot be stably performed. This point will be specifically described with reference to FIGS.

(A)は、画素回路に含まれるサンプリング用トランジスタの接続関係を示す模式図である。サンプリング用トランジスタT1は、そのドレインが駆動用トランジスタT2のゲートに接続し、そのソースが信号線SLに接続し、そのゲートが走査線WSに接続している。サンプリング用トランジスタT1のゲートには、走査線WSから制御パルスが印加される。制御パルスの波形は、立上がりが鋭く立下りがなだらかで、上述した移動度補正時間の適応制御を行なっている。   FIG. 4A is a schematic diagram illustrating a connection relationship of sampling transistors included in a pixel circuit. The sampling transistor T1 has a drain connected to the gate of the driving transistor T2, a source connected to the signal line SL, and a gate connected to the scanning line WS. A control pulse is applied from the scanning line WS to the gate of the sampling transistor T1. The waveform of the control pulse has a sharp rise and a gentle fall, and the above-described adaptive control of the mobility correction time is performed.

(B)は、サンプリング用トランジスタT1がオフ状態にあるときの電位関係を示す模式図であり、特に発光素子ELが発光状態の場合である。サンプリング用トランジスタT1のゲートGには、走査線WSの零電位0Vが印加されている。サンプリング用トランジスタT1のドレインDは、駆動用トランジスタT2のゲートに接続しており、その電位は例えば10Vである。発光時は、発光素子ELのアノード電位(即ち駆動用トランジスタT2のソース電位)が高くなり、これに連動して駆動用トランジスタT2のゲート電位が高くなり、図示の例では10Vである。よって発光時は、サンプリング用トランジスタT1のゲートGとドレインDの間のバイアスが絶対値で10V−0V=10Vとなる。この比較的高いバイアスの影響で、時間の経過とともにデプレション化が進行しサンプリング用トランジスタT1の閾電圧VthT1が低下していく。   FIG. 5B is a schematic diagram showing a potential relationship when the sampling transistor T1 is in an off state, and particularly in the case where the light emitting element EL is in a light emitting state. The zero potential 0V of the scanning line WS is applied to the gate G of the sampling transistor T1. The drain D of the sampling transistor T1 is connected to the gate of the driving transistor T2, and its potential is, for example, 10V. At the time of light emission, the anode potential of the light emitting element EL (that is, the source potential of the driving transistor T2) is increased, and the gate potential of the driving transistor T2 is increased in conjunction with this, which is 10 V in the illustrated example. Therefore, during light emission, the bias between the gate G and the drain D of the sampling transistor T1 is 10V-0V = 10V in absolute value. Due to the influence of this relatively high bias, depletion proceeds with time and the threshold voltage VthT1 of the sampling transistor T1 decreases.

(C)は、サンプリング用トランジスタT1がオフ状態にあるときの電位関係を示す模式図であり、特に発光素子ELが非発光状態の場合である。サンプリング用トランジスタT1のゲートGには、走査線WSの零電位0Vが印加されている。サンプリング用トランジスタT1のドレインDは、駆動用トランジスタT2のゲートに接続しており、その電位は例えば3Vである。非発光時は、駆動電流が流れないので発光素子ELのアノード電位(即ち駆動用トランジスタT2のソース電位)が低くなり、これに連動して駆動用トランジスタT2のゲート電位も下がり、図示の例では3Vである。よって非発光時は、サンプリング用トランジスタT1のゲートGとドレインDの間のバイアスが絶対値で3V−0V=3Vとなり、比較的低い。従ってデプレション化も進行せず、サンプリング用トランジスタT1の閾電圧VthT1は変化しない。   (C) is a schematic diagram showing a potential relationship when the sampling transistor T1 is in an off state, and in particular, a case where the light emitting element EL is in a non-light emitting state. The zero potential 0V of the scanning line WS is applied to the gate G of the sampling transistor T1. The drain D of the sampling transistor T1 is connected to the gate of the driving transistor T2, and its potential is, for example, 3V. When no light is emitted, the drive current does not flow, so the anode potential of the light emitting element EL (that is, the source potential of the drive transistor T2) is lowered, and the gate potential of the drive transistor T2 is lowered in conjunction with this, 3V. Therefore, when no light is emitted, the bias between the gate G and the drain D of the sampling transistor T1 is 3V-0V = 3V in absolute value, which is relatively low. Therefore, depletion does not proceed and the threshold voltage VthT1 of the sampling transistor T1 does not change.

(D)は、表示装置のデューティ駆動を示す模式図である。デューティ駆動は、一フレーム期間又は一フィールド期間における発光期間の割合を可変制御して、画面の輝度を調整する方式である。図示の例で、デューティ75%の場合、一フレーム期間又は一フィールド期間に占める発光期間の割合が75%であり、画面輝度が比較的高くなる。一方、デューティ25%の場合、一フレーム期間又は一フィールド期間に占める発光期間の割合が25%であり、画面輝度が比較的低い。デューティが高いほど、累積発光時間が長くなり、その分サンプリング用トランジスタのデプレション化が進行する。   (D) is a schematic diagram which shows the duty drive of a display apparatus. The duty drive is a method of adjusting the luminance of the screen by variably controlling the ratio of the light emission period in one frame period or one field period. In the illustrated example, when the duty is 75%, the ratio of the light emission period to one frame period or one field period is 75%, and the screen luminance is relatively high. On the other hand, when the duty is 25%, the ratio of the light emission period in one frame period or one field period is 25%, and the screen luminance is relatively low. The higher the duty is, the longer the accumulated light emission time is, and the depletion of the sampling transistor proceeds accordingly.

(E)は、サンプリング用トランジスタT1のゲートに印加される制御パルスの波形を表している。この波形に重ねて、サンプリング用トランジスタT1の閾電圧VthT1の変動を表している。図示するように、信号電位Vsigを基準にして、サンプリング用トランジスタT1のゲート電位が閾電圧VthT1を下回ると、サンプリング用トランジスタT1がオフする。サンプリング用トランジスタT1がオンしてからオフするまでの間が移動度補正時間となる。サンプリング用トランジスタT1のデプレション化に伴って、閾電圧VthT1が低下すると、補正時間が長くなり、その分発光輝度の低下を招く。   (E) represents the waveform of the control pulse applied to the gate of the sampling transistor T1. Overlaid on this waveform, the fluctuation of the threshold voltage VthT1 of the sampling transistor T1 is represented. As shown in the drawing, when the gate potential of the sampling transistor T1 falls below the threshold voltage VthT1 with respect to the signal potential Vsig, the sampling transistor T1 is turned off. The time from when the sampling transistor T1 is turned on to when it is turned off is the mobility correction time. When the threshold voltage VthT1 is lowered along with the depletion of the sampling transistor T1, the correction time becomes longer, and the emission luminance is lowered accordingly.

そこで本発明では、画素の点灯動作の時に、駆動用トランジスタT2のドレインD側からゲートG側に寄生容量Cgdを介してカップリングを入れてゲート電位Vgを下げ、以ってサンプリング用トランジスタT1のゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する。これにより、サンプリング用トランジスタT1の閾電圧VthT1の経時的な変化を抑制し、以って発光輝度の経時的な変動を抑制している。   Therefore, in the present invention, during the lighting operation of the pixel, coupling is performed from the drain D side of the driving transistor T2 to the gate G side via the parasitic capacitance Cgd to lower the gate potential Vg, thereby causing the sampling transistor T1 of the sampling transistor T1. Reduce the gate-drain bias. As a result, a change with time of the threshold voltage VthT1 of the sampling transistor T1 is suppressed, and thus a change with time of the emission luminance is suppressed.

本発明にかかる表示装置は、図14に示すような薄膜デバイス構成を有する。本図は、絶縁性の基板に形成された画素の模式的な断面構造を表している。図示するように、画素は、複数の薄膜トランジタを含むトランジスタ部(図では1個のTFTを例示)、保持容量などの容量部及び有機EL素子などの発光部とを含む。基板の上にTFTプロセスでトランジスタ部や容量部が形成され、その上に有機EL素子などの発光部が積層されている。その上に接着剤を介して透明な対向基板を貼り付けてフラットパネルとしている。   The display device according to the present invention has a thin film device configuration as shown in FIG. This figure shows a schematic cross-sectional structure of a pixel formed on an insulating substrate. As shown in the figure, the pixel includes a transistor part (a single TFT is illustrated in the figure) including a plurality of thin film transistors, a capacitor part such as a storage capacitor, and a light emitting part such as an organic EL element. A transistor portion and a capacitor portion are formed on a substrate by a TFT process, and a light emitting portion such as an organic EL element is stacked thereon. A transparent counter substrate is pasted thereon via an adhesive to form a flat panel.

本発明にかかる表示装置は、図15に示すようにフラット型のモジュール形状のものを含む。例えば絶縁性の基板上に、有機EL素子、薄膜トランジスタ、薄膜容量等からなる画素をマトリックス状に集積形成した画素アレイ部を設ける、この画素アレイ部(画素マトリックス部)を囲むように接着剤を配し、ガラス等の対向基板を貼り付けて表示モジュールとする。この透明な対向基板には必要に応じて、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等を設けてももよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するためのコネクタとして例えばFPC(フレキシブルプリントサーキット)を設けてもよい。   The display device according to the present invention includes a flat module-shaped display as shown in FIG. For example, a pixel array unit in which pixels made up of organic EL elements, thin film transistors, thin film capacitors and the like are integrated in a matrix is provided on an insulating substrate, and an adhesive is disposed so as to surround the pixel array unit (pixel matrix unit). Then, a counter substrate such as glass is attached to form a display module. If necessary, this transparent counter substrate may be provided with a color filter, a protective film, a light shielding film, and the like. For example, an FPC (flexible printed circuit) may be provided in the display module as a connector for inputting / outputting a signal to / from the pixel array unit from the outside.

以上説明した本発明における表示装置は、フラットパネル形状を有し、様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピューター、携帯電話、ビデオカメラなど、電子機器の本体部に入力された、若しくは、電子機器の本体部内で生成した情報を画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器のディスプレイ(表示部)に適用することが可能である。以下この様な表示装置が適用された電子機器の例を示す。   The display device according to the present invention described above has a flat panel shape and is input to a main body of various electronic devices such as a digital camera, a notebook personal computer, a mobile phone, and a video camera, or The present invention can be applied to displays (display units) of electronic devices in various fields that display information generated in the main unit of the electronic device as an image or video. Examples of electronic devices to which such a display device is applied are shown below.

図16は本発明が適用されたテレビであり、フロントパネル12、フィルターガラス13等から構成される映像表示画面11を含み、本発明の表示装置をその映像表示画面11に用いることにより作製される。   FIG. 16 shows a television to which the present invention is applied, which includes a video display screen 11 including a front panel 12, a filter glass 13, and the like, and is manufactured by using the display device of the present invention for the video display screen 11. .

図17は本発明が適用されたデジタルカメラであり、上が正面図で下が背面図である。このデジタルカメラは、撮像レンズ、フラッシュ用の発光部15、表示部16、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター19等を含み、本発明の表示装置をその表示部16に用いることにより作製される。   FIG. 17 shows a digital camera to which the present invention is applied, in which the top is a front view and the bottom is a back view. This digital camera includes an imaging lens, a light emitting unit 15 for flash, a display unit 16, a control switch, a menu switch, a shutter 19, and the like, and is manufactured by using the display device of the present invention for the display unit 16.

図18は本発明が適用されたノート型パーソナルコンピュータであり、本体20には文字等を入力するとき操作されるキーボード21を含み、本体カバーには画像を表示する表示部22を含み、本発明の表示装置をその表示部22に用いることにより作製される。   FIG. 18 shows a notebook personal computer to which the present invention is applied. The main body 20 includes a keyboard 21 that is operated when characters and the like are input, and the main body cover includes a display unit 22 that displays an image. This display device is used for the display portion 22.

図19は本発明が適用された携帯端末装置であり、左が開いた状態を表し、右が閉じた状態を表している。この携帯端末装置は、上側筐体23、下側筐体24、連結部(ここではヒンジ部)25、ディスプレイ26、サブディスプレイ27、ピクチャーライト28、カメラ29等を含み、本発明の表示装置をそのディスプレイ26やサブディスプレイ27に用いることにより作製される。   FIG. 19 shows a mobile terminal device to which the present invention is applied. The left side shows an open state and the right side shows a closed state. The portable terminal device includes an upper housing 23, a lower housing 24, a connecting portion (here, a hinge portion) 25, a display 26, a sub-display 27, a picture light 28, a camera 29, and the like, and includes the display device of the present invention. The display 26 and the sub-display 27 are used.

図20は本発明が適用されたビデオカメラであり、本体部30、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ34、撮影時のスタート/ストップスイッチ35、モニター36等を含み、本発明の表示装置をそのモニター36に用いることにより作製される。   FIG. 20 shows a video camera to which the present invention is applied. The video camera includes a main body 30, a lens 34 for photographing a subject, a start / stop switch 35 at the time of photographing, a monitor 36, etc. on the side facing forward. It is manufactured by using the device for its monitor 36.

本発明にかかる表示装置の全体構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an overall configuration of a display device according to the present invention. 本発明にかかる表示装置の実施形態を示す画素回路図である。1 is a pixel circuit diagram showing an embodiment of a display device according to the present invention. 図2−1に示した実施形態の動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram with which it uses for operation | movement description of embodiment shown to FIGS. 2-1. 図2−1に示した表示装置の動作説明に供するタイミングチャートである。It is a timing chart with which it uses for operation | movement description of the display apparatus shown to FIGS. 図2−1に示した画素の動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram with which it uses for operation | movement description of the pixel shown to FIGS. 同じく動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram for explaining the operation in the same manner. 同じく動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram for explaining the operation in the same manner. 同じく動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram for explaining the operation in the same manner. 同じく動作説明に供するグラフである。It is a graph similarly provided for operation | movement description. 同じく動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram for explaining the operation in the same manner. 同じく動作説明に供するグラフである。It is a graph similarly provided for operation | movement description. 同じく動作説明に供する模式図である。It is a schematic diagram for explaining the operation in the same manner. 同じく動作説明に供する波形図である。It is a wave form diagram similarly provided for operation | movement description. サンプリング用トランジスタの動作説明に供する回路図である。It is a circuit diagram with which it uses for description of operation | movement of the transistor for sampling. 本発明にかかる表示装置のデバイス構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the device structure of the display apparatus concerning this invention. 本発明にかかる表示装置のモジュール構成を示す平面図である。It is a top view which shows the module structure of the display apparatus concerning this invention. 本発明にかかる表示装置を備えたテレビジョンセットを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the television set provided with the display apparatus concerning this invention. 本発明にかかる表示装置を備えたデジタルスチルカメラを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the digital still camera provided with the display apparatus concerning this invention. 本発明にかかる表示装置を備えたノート型パーソナルコンピューターを示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a notebook personal computer including a display device according to the present invention. 本発明にかかる表示装置を備えた携帯端末装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the portable terminal device provided with the display apparatus concerning this invention. 本発明にかかる表示装置を備えたビデオカメラを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the video camera provided with the display apparatus concerning this invention. 従来の表示装置の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of the conventional display apparatus. 発光素子の電流/電圧特性を示すグラフである。It is a graph which shows the current / voltage characteristic of a light emitting element. 従来の表示装置の他の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other example of the conventional display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・画素アレイ部、2・・・画素、3・・・信号セレクタ、4・・・制御用スキャナ、5・・・電源スキャナ、T1・・・サンプリング用トランジスタ、T2・・・駆動用トランジスタ、C1・・・保持容量、EL・・・発光素子、WS・・・走査線、DS・・・給電線、SL・・・信号線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pixel array part, 2 ... Pixel, 3 ... Signal selector, 4 ... Control scanner, 5 ... Power supply scanner, T1 ... Sampling transistor, T2 ... Drive Transistor, C1... Holding capacitor, EL... Light emitting element, WS... Scanning line, DS.

Claims (5)

画素アレイ部とこれを駆動する回路部とからなり、
前記画素アレイ部は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素と、走査線に平行に配された給電線とを備え、
前記回路部は、各走査線に順次制御パルスを出力し、画素を行単位で線順次走査する制御用スキャナと、各給電線を高電位と低電位で切り換える電源スキャナと、該線順次走査に合わせて列状の信号線に映像信号を供給する信号セレクタとを備え、
前記画素は、発光素子と、サンプリング用トランジスタと、駆動用トランジスタとを含み、
前記サンプリング用トランジスタは、そのゲートが該走査線に接続し、ソースが該信号線に接続し、ドレインが該駆動用トランジスタのゲートに接続し、
前記駆動用トランジスタは、そのソースが該発光素子に接続し、ドレインが該給電線に接続し、
前記電源スキャナは、該給電線を高電位から低電位に切り換えて、該駆動用トランジスタのソース電位を下げて該発光素子に逆バイアスをかけこれを消灯する消灯動作を行い、
前記制御用スキャナは、走査線に制御パルスを印加して、サンプリング用トランジスタをオンし、映像信号を該駆動用トランジスタのゲートに書き込む書込動作を行い、
前記電源スキャナは、給電線を低電位から高電位に切り換えて駆動用トランジスタのソース電位を上げ、該発光素子を順バイアスにして該映像信号に応じた駆動電流を発光素子に流す点灯動作を行い、
前記点灯動作では、駆動用トランジスタのドレイン側からゲート側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタのゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する表示装置。
It consists of a pixel array part and a circuit part that drives it,
The pixel array unit includes a row-like scanning line, a column-like signal line, a matrix-like pixel arranged at a portion where both intersect, and a power supply line arranged in parallel to the scanning line,
The circuit unit sequentially outputs a control pulse to each scanning line and scans pixels in a line-by-line manner, a power supply scanner that switches each feeding line between a high potential and a low potential, and the line sequential scanning. In addition, a signal selector that supplies video signals to the column-shaped signal lines,
The pixel includes a light emitting element, a sampling transistor, and a driving transistor,
The sampling transistor has a gate connected to the scanning line, a source connected to the signal line, a drain connected to the gate of the driving transistor,
The driving transistor has a source connected to the light emitting element, a drain connected to the power supply line,
The power supply scanner switches the power supply line from a high potential to a low potential, lowers the source potential of the driving transistor, reverse biases the light emitting element, and turns off the light emitting element,
The control scanner applies a control pulse to the scanning line, turns on the sampling transistor, performs a writing operation to write a video signal to the gate of the driving transistor,
The power supply scanner performs a lighting operation in which the power supply line is switched from a low potential to a high potential to raise the source potential of the driving transistor, the light emitting element is forward biased, and a driving current corresponding to the video signal is supplied to the light emitting element. ,
In the lighting operation, a display device that reduces the gate-to-drain bias of the sampling transistor by coupling the drive transistor from the drain side to the gate side via a parasitic capacitance to lower the gate potential.
前記点灯動作では、給電線を一旦低電位から高電位より高い過電位とし、その後過電位から高電位に落として負のカップリングを駆動用トランジスタのゲートに加える請求項1記載の表示装置。   2. The display device according to claim 1, wherein, in the lighting operation, the power supply line is temporarily changed from a low potential to an overpotential higher than a high potential, and then the overpotential is dropped to a high potential to apply negative coupling to the gate of the driving transistor. 前記電源スキャナは、書込動作の前に給電線を低電位から過電位にあげ、書込動作の後に給電線を過電位から高電位に下げる請求項2記載の表示装置。   3. The display device according to claim 2, wherein the power supply scanner raises the power supply line from a low potential to an overpotential before the writing operation, and lowers the power supply line from the overpotential to a high potential after the writing operation. 画素アレイ部とこれを駆動する回路部とからなり、前記画素アレイ部は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素と、走査線に平行に配された給電線とを備え、前記回路部は、各走査線に順次制御パルスを出力し画素を行単位で線順次走査する制御用スキャナと、各給電線を高電位と低電位で切り換える電源スキャナと、該線順次走査に合わせて列状の信号線に映像信号を供給する信号セレクタとを備え、前記画素は、発光素子と、サンプリング用トランジスタと、駆動用トランジスタとを含み、前記サンプリング用トランジスタは、そのゲートが該走査線に接続し、ソースが該信号線に接続し、ドレインが該駆動用トランジスタのゲートに接続し、前記駆動用トランジスタは、そのソースが該発光素子に接続し、ドレインが該給電線に接続した表示装置を駆動するため、
前記電源スキャナは、該給電線を高電位から低電位に切り換えて、該駆動用トランジスタのソース電位を下げて該発光素子に逆バイアスをかけこれを消灯する消灯動作を行い、
前記制御用スキャナは、走査線に制御パルスを印加して、サンプリング用トランジスタをオンし、映像信号を該駆動用トランジスタのゲートに書き込む書込動作を行い、
前記電源スキャナは、給電線を低電位から高電位に切り換えて駆動用トランジスタのソース電位を上げ、該発光素子を順バイアスにして該映像信号に応じた駆動電流を発光素子に流す点灯動作を行い、
前記点灯動作では、駆動用トランジスタのドレイン側からゲート側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタのゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する表示装置の駆動方法。
駆動方法
The pixel array section includes a pixel array section and a circuit section for driving the pixel array section. The pixel array section includes a row-shaped scanning line, a column-shaped signal line, a matrix-shaped pixel arranged at a portion where both intersect, and a scanning line. The circuit unit outputs a control pulse to each scanning line sequentially and scans the pixels line by line, and each feeding line has a high potential and a low potential. And a signal selector that supplies a video signal to a column-shaped signal line in accordance with the line sequential scanning, and the pixel includes a light emitting element, a sampling transistor, and a driving transistor, The sampling transistor has a gate connected to the scanning line, a source connected to the signal line, a drain connected to the gate of the driving transistor, and the driving transistor having a source connected to the light emitting element. Connect to drive the display device having a drain connected to a fed-wire for the,
The power supply scanner switches the power supply line from a high potential to a low potential, lowers the source potential of the driving transistor, reverse biases the light emitting element, and turns off the light emitting element,
The control scanner applies a control pulse to the scanning line, turns on the sampling transistor, performs a writing operation to write a video signal to the gate of the driving transistor,
The power supply scanner performs a lighting operation in which the power supply line is switched from a low potential to a high potential to raise the source potential of the driving transistor, the light emitting element is forward biased, and a driving current corresponding to the video signal is supplied to the light emitting element. ,
In the lighting operation, coupling of the driving transistor from the drain side to the gate side through a parasitic capacitance causes a reduction in the gate potential, thereby reducing the bias between the gate and the drain of the sampling transistor. Method.
Driving method
本体部と、該本体部から出力された情報を表示する表示部とを含み、
前記表示部は、画素アレイ部とこれを駆動する回路部とからなり、
前記画素アレイ部は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素と、走査線に平行に配された給電線とを備え、
前記回路部は、各走査線に順次制御パルスを出力し、画素を行単位で線順次走査する制御用スキャナと、各給電線を高電位と低電位で切り換える電源スキャナと、該線順次走査に合わせて列状の信号線に映像信号を供給する信号セレクタとを備え、
前記画素は、発光素子と、サンプリング用トランジスタと、駆動用トランジスタとを含み、
前記サンプリング用トランジスタは、そのゲートが該走査線に接続し、ソースが該信号線に接続し、ドレインが該駆動用トランジスタのゲートに接続し、
前記駆動用トランジスタは、そのソースが該発光素子に接続し、ドレインが該給電線に接続し、
前記電源スキャナは、該給電線を高電位から低電位に切り換えて、該駆動用トランジスタのソース電位を下げて該発光素子に逆バイアスをかけこれを消灯する消灯動作を行い、
前記制御用スキャナは、走査線に制御パルスを印加して、サンプリング用トランジスタをオンし、映像信号を該駆動用トランジスタのゲートに書き込む書込動作を行い、
前記電源スキャナは、給電線を低電位から高電位に切り換えて駆動用トランジスタのソース電位を上げ、該発光素子を順バイアスにして該映像信号に応じた駆動電流を発光素子に流す点灯動作を行い、
前記点灯動作では、駆動用トランジスタのドレイン側からゲート側に寄生容量を介してカップリングを入れてゲート電位を下げ、以ってサンプリング用トランジスタのゲート・ドレイン間のバイアスを軽減する電子機器。
A main body and a display for displaying information output from the main body,
The display unit includes a pixel array unit and a circuit unit that drives the pixel array unit.
The pixel array unit includes a row-like scanning line, a column-like signal line, a matrix-like pixel arranged at a portion where both intersect, and a power supply line arranged in parallel to the scanning line,
The circuit unit sequentially outputs a control pulse to each scanning line and scans pixels in a line-by-line manner, a power supply scanner that switches each feeding line between a high potential and a low potential, and the line sequential scanning. In addition, a signal selector that supplies video signals to the column-shaped signal lines,
The pixel includes a light emitting element, a sampling transistor, and a driving transistor,
The sampling transistor has a gate connected to the scanning line, a source connected to the signal line, a drain connected to the gate of the driving transistor,
The driving transistor has a source connected to the light emitting element, a drain connected to the power supply line,
The power supply scanner switches the power supply line from a high potential to a low potential, lowers the source potential of the driving transistor, reverse biases the light emitting element, and turns off the light emitting element,
The control scanner applies a control pulse to the scanning line, turns on the sampling transistor, performs a writing operation to write a video signal to the gate of the driving transistor,
The power supply scanner performs a lighting operation in which the power supply line is switched from a low potential to a high potential to raise the source potential of the driving transistor, the light emitting element is forward biased, and a driving current corresponding to the video signal is supplied to the light emitting element. ,
In the lighting operation, an electronic device that reduces the gate-drain bias of the sampling transistor by coupling the drive transistor from the drain side to the gate side via a parasitic capacitance to lower the gate potential.
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