JP2009288444A - Alignment treatment method of alignment film, and method of manufacturing liquid crystal device - Google Patents

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Takenori Hirota
武徳 廣田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suitably apply anchoring force to an alignment film formed on a substrate having ruggedness. <P>SOLUTION: An alignment treatment method includes: a first irradiation step of irradiating the alignment film (13) formed on the substrates (10, 20) with a beam (L) so that the beam may be made incident from a direction of an elevation angle forming a first angle (θ1) on the surfaces of the substrates; and a second irradiation step of irradiating the alignment film formed on the substrates with the beam so that the beam may be made incident from a direction of an elevation angle forming a second angle (θ2) smaller than the first angle on the surfaces of the substrates. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置が備える配向膜の配向処理方法及び液晶装置を製造する製造方法の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of, for example, an alignment film alignment method provided in a liquid crystal device and a manufacturing method for manufacturing the liquid crystal device.

一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置がある。このような液晶装置では、例えば一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。また、液晶装置では、液晶の配向制御を、特定の表面形状をもつと共に、一対の基板の少なくともいずれか一方上に塗布される配向膜により行う。このような配向膜として、ポリイミド等の有機材料により形成される有機膜に対して配向処理を施すことにより得られる有機配向膜や、配向処理を施すことにより得られる無機配向膜等が用いられる。   There is a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates as an electro-optical material. In such a liquid crystal device, for example, the liquid crystal is in a predetermined alignment state between a pair of substrates, and a predetermined voltage is applied to the liquid crystal, for example, for each pixel portion formed in the image display region. The gradation display is performed by changing the order and modulating the light. In the liquid crystal device, the alignment of the liquid crystal is controlled by an alignment film having a specific surface shape and applied on at least one of the pair of substrates. As such an alignment film, an organic alignment film obtained by performing an alignment treatment on an organic film formed of an organic material such as polyimide, an inorganic alignment film obtained by performing an alignment treatment, or the like is used.

このような配向処理を行う配向処理方法として、例えば特許文献1に開示されているラビング法が広く用いられている。ラビング法では、配向膜の表面をバフ(布)材で擦ることで配向処理を行っている。このため、配向規制力(或いは、異方性ないしは配向性)は、バフ材の押し込み圧や移動速度や回転速度等により制御される。しかしながら、ラビング法は、配向膜をバフ材で擦ることに起因して、発塵が発生してしまうという技術的な問題点を有している。更には、バフ材の押し込み圧や移動速度や回転速度等の制御を適切に行なわなければ、配向膜の剥がれやラビングキズ等が発生してしまうという技術的な問題点を有している。更には、液晶の厚さを均一に維持するためのスペーサを基板上に設けた場合には、上述したラビング法は、以下のような技術的な問題点を有している。具体的には、スペーサの影になる部分にバフ材のあたりが不十分となる部分ができてしまうことに起因して、光漏れが発生してしまいかねない。その一方で、過度にバフ材を押し込むことでスペーサが倒れてしまい、その結果スジ・ムラが発生してしまいかねない。   As an alignment treatment method for performing such an alignment treatment, for example, a rubbing method disclosed in Patent Document 1 is widely used. In the rubbing method, the alignment treatment is performed by rubbing the surface of the alignment film with a buff (cloth) material. For this reason, the orientation regulating force (or anisotropy or orientation) is controlled by the indentation pressure, moving speed, rotational speed, etc. of the buff material. However, the rubbing method has a technical problem that dust is generated due to rubbing the alignment film with a buff material. Further, there is a technical problem that the alignment film is peeled off or rubbing scratches occur unless the control of the indentation pressure, moving speed, rotational speed, etc. of the buff material is performed properly. Furthermore, when the spacer for maintaining the liquid crystal thickness uniform is provided on the substrate, the rubbing method described above has the following technical problems. Specifically, light leakage may occur due to a portion where the buff material is not sufficiently hit in the shadowed portion of the spacer. On the other hand, if the buff material is pushed in excessively, the spacer falls down, and as a result, streaks and unevenness may occur.

このため、ラビング法に代えて、非接触の配向処理方法として、特許文献1に開示されているように、配向膜に光を照射する光配向法やイオンビームを照射するイオンビーム配向法の開発が進められている。イオンビーム配向法では、配向膜を構成する分子の結合を光ないしはイオンビームの照射によって選択的に断ち切ることで、配向膜に対して配向規制力を与えている。これにより、上述したラビング法が有している技術的な問題点を引き起こすことなく、好適に配向処理を行うことができる。   For this reason, as a non-contact alignment processing method instead of the rubbing method, as disclosed in Patent Document 1, a photo-alignment method for irradiating light to an alignment film and an ion beam alignment method for irradiating an ion beam are developed. Is underway. In the ion beam alignment method, an alignment regulating force is applied to the alignment film by selectively breaking the bonds of molecules constituting the alignment film by light or ion beam irradiation. Thereby, the alignment treatment can be suitably performed without causing the technical problem of the rubbing method described above.

特開2001−296528号公報JP 2001-296528 A

しかしながら、配向膜が形成される下地である基板の表面は、段差を有している場合が殆どである。より具体的には、例えばTFTアレイ基板上には、データ線、走査線及び画素電極等が基板上に積層構造をなしており、その厚みが凹凸を発生させている。TFTアレイ基板に対向する対向基板上では、遮光膜、カラーフィルタ等の存在により、同様に段差が生じている。配向膜は、このような凹凸を有している基板上に形成されるため、薄膜である配向膜の表面も凹凸を有することになる。従って、基板の表面に段差が存在した状態で光ないしはイオンビーム照射した場合、特に光ないしはイオンビームを照射する側から見て凹凸の反対側の領域(言い換えれば、凹凸によって光ないしはイオンビームが照射されない影領域)の配向規制力が低くなってしまうという技術的な問題点が発生する。このため、液晶の配向不良が生じてしまい、その結果液晶装置の表示品位が低下してしまうという技術的な問題点が発生しかねない。   However, in most cases, the surface of the substrate, which is the base on which the alignment film is formed, has a step. More specifically, for example, on the TFT array substrate, a data line, a scanning line, a pixel electrode, and the like have a laminated structure on the substrate, and the thickness generates unevenness. On the counter substrate facing the TFT array substrate, a step is similarly generated due to the presence of a light shielding film, a color filter, and the like. Since the alignment film is formed on a substrate having such unevenness, the surface of the alignment film which is a thin film also has unevenness. Therefore, when light or ion beam irradiation is performed with a step on the surface of the substrate, the region opposite to the unevenness as viewed from the light or ion beam irradiation side (in other words, the light or ion beam is irradiated by the unevenness. This causes a technical problem that the orientation regulating force in the shadow area) is reduced. For this reason, the alignment defect of a liquid crystal arises, As a result, the technical problem that the display quality of a liquid crystal device will fall may generate | occur | produce.

本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えることができる配向膜の配向処理方法及び液晶装置の製造方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of, for example, the conventional problems described above. For example, an alignment film alignment method capable of suitably imparting alignment regulating force to an alignment film formed on an uneven substrate, for example. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal device.

(液晶装置)
上記課題を解決するために、本発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成された配向膜に対して、前記基板の面に対して第1の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第1照射工程と、前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第1の角度より小さい第2の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第2照射工程とを備える。
(Liquid crystal device)
In order to solve the above-described problems, an alignment film alignment method of the present invention is incident on an alignment film formed on a substrate from an elevation direction that forms a first angle with respect to the surface of the substrate. As described above, the first irradiation step of irradiating the beam for providing the alignment regulating force, and the second smaller than the first angle with respect to the surface of the substrate with respect to the alignment film formed on the substrate. And a second irradiation step of irradiating the beam so as to be incident from an elevation angle direction forming the angle.

本発明の配向膜の配向処理方法によれば、光ないしはイオンビーム等のビームを照射することで、配向膜に対して配向処理を行うことができる。つまり、配向膜に配向規制力を与えることができる。   According to the alignment treatment method of the alignment film of the present invention, the alignment film can be subjected to alignment treatment by irradiating light or a beam such as an ion beam. That is, an alignment regulating force can be applied to the alignment film.

本発明の配向膜の配向処理方法では特に、配向膜に対するビームの照射を2回に分けて行っている。具体的には、まず、1回目のビームの照射を行う第1照射工程において、基板に対して第1の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向膜が形成された基板に対してビームが照射される。つまり、基板に対して第1の角度で入射する(言い換えれば、基板の法線に対して「90度−第1の角度」で入射する)ように、配向膜が形成された基板に対してビームが照射される。第1照射工程に続いて、2回目のビームの照射を行う第2照射工程において、基板に対して第2の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向膜が形成された基板に対してビームの照射が行われる。つまり、基板に対して第2の角度で入射する(言い換えれば、基板の法線に対して「90度−第2の角度」で入射する)ように、配向膜が形成された基板に対してビームが照射される。   In the alignment treatment method of the alignment film of the present invention, in particular, the irradiation of the alignment film with the beam is performed twice. Specifically, first, in the first irradiation step of performing the first beam irradiation, the substrate on which the alignment film is formed so as to be incident from the elevation direction that forms the first angle with respect to the substrate. A beam is irradiated. That is, with respect to the substrate on which the alignment film is formed so as to be incident on the substrate at a first angle (in other words, “90 degrees—first angle” with respect to the normal of the substrate). A beam is irradiated. Subsequent to the first irradiation step, in the second irradiation step in which the second beam irradiation is performed, the substrate on which the alignment film is formed so as to be incident from the elevation direction that forms the second angle with respect to the substrate. Beam irradiation is performed. That is, with respect to the substrate on which the alignment film is formed so as to be incident on the substrate at a second angle (in other words, incident at “90 degrees−second angle” with respect to the normal of the substrate). A beam is irradiated.

ここで、第1の角度は、第2の角度よりも大きい。つまり、本発明の配向膜の配向処理方法では、相対的に大きい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われた後に、相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる。   Here, the first angle is larger than the second angle. In other words, in the alignment film alignment method of the present invention, the beam is irradiated so as to be incident from a relatively large elevation angle direction, and then the beam is irradiated so as to be incident from a relatively small elevation angle direction. .

このため、相対的に大きい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる第1照射工程により、基板上に形成される各種構造物(例えば、各種電極や、各種配線や、各種回路等)の厚みにより生ずる凹凸によって影になる領域(影領域)の大きさを相対的に減らすことができる。言い換えれば、ビームを照射する側から見て凹凸の反対側に位置することに起因してビームが照射されない影領域の大きさを相対的に減らすことができる。更に言い換えれば、相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる第2照射工程と比較して、基板上に形成される各種構造物の厚みにより生ずる凹凸によって影になる領域(影領域)の大きさを減らすことができる。従って、第1照射工程により、ビームの照射がされないことで配向規制力が弱くなってしまう領域を相対的には減らすことができる。つまり、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る配向膜の一部の領域に対しても配向規制力を相応に与えることができる。その一方で、相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる第2照射工程により、例えば液晶分子のプレチルト角が所望の角度となるように配向制御するための配向規制力を配向膜に対して与えることができる。従って、第1照射工程及び第2照射工程を備える本発明の配向膜の配向処理方法によれば、単に第1照射工程のみを行う又は第2照射工程のみを行う配向処理方法と比較して、特に凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ(特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ)、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。   For this reason, various structures (for example, various electrodes, various wirings, various circuits, etc.) formed on the substrate by the first irradiation process in which the beam is irradiated so as to be incident from a relatively large elevation angle direction. It is possible to relatively reduce the size of a region (shadow region) that is shaded by unevenness caused by the thickness of the surface. In other words, it is possible to relatively reduce the size of the shadow region that is not irradiated with the beam due to being located on the opposite side of the unevenness as viewed from the beam irradiation side. In other words, as compared with the second irradiation step in which the beam is irradiated so as to be incident from a relatively small elevation angle direction, a region (shadowed by unevenness caused by the thickness of various structures formed on the substrate ( The size of the shadow area can be reduced. Therefore, in the first irradiation step, it is possible to relatively reduce the region in which the alignment regulation force is weakened because the beam is not irradiated. That is, the alignment regulating force can be appropriately applied to a partial region of the alignment film that can be a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction. On the other hand, by the second irradiation step in which the beam is irradiated so as to be incident from a relatively small elevation angle direction, for example, the alignment regulating force for controlling the alignment so that the pretilt angle of the liquid crystal molecules becomes a desired angle. It can be applied to the alignment film. Therefore, according to the alignment treatment method of the alignment film of the present invention including the first irradiation step and the second irradiation step, as compared with the alignment treatment method in which only the first irradiation step or only the second irradiation step is performed, In particular, an alignment regulation force is suitably applied to an alignment film formed on a substrate with unevenness (particularly for a portion of the alignment film that can become a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction. In addition, the alignment treatment can be performed so that the pretilt angle of the liquid crystal molecules can be suitably controlled while giving an alignment regulating force accordingly.

特に、IPS(In Plane Switching)方式或いはFFS(Fringe Field Switching)方式等の横電界駆動方式を採用した液晶装置では、液晶分子のプレチルト角が小さくなっている。このため、目標とするプレチルト角に合わせて相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームが照射される第2照射工程のみを行えば、影領域が相対的に大きくなってしまう。このため、影領域の配向規制力が弱くなってしまい、その結果、表示品位が低下してしまいかねない。しかるに、本発明によれば、第2照射工程のみでは影領域となってしまう領域に対しても、第1照射工程によりビームを照射することができる。従って、プレチルト角に応じた配向処理だけでは影領域が相対的に大きくなってしまう横電界駆動方式を採用した液晶装置においても、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ(特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ)、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。   In particular, in a liquid crystal device employing a lateral electric field driving method such as an IPS (In Plane Switching) method or an FFS (Fringe Field Switching) method, the pretilt angle of liquid crystal molecules is small. For this reason, if only the 2nd irradiation process in which a beam is irradiated so that it may inject from a relatively small elevation angle direction according to the target pretilt angle will be performed, a shadow area will become relatively large. For this reason, the orientation regulating force of the shadow region becomes weak, and as a result, the display quality may be lowered. However, according to the present invention, it is possible to irradiate the beam by the first irradiation step even on the region that becomes a shadow region only by the second irradiation step. Therefore, even in a liquid crystal device adopting a horizontal electric field driving method in which the shadow region becomes relatively large only by the alignment process according to the pretilt angle, the alignment regulating force is exerted on the alignment film formed on the uneven substrate. The pretilt angle of the liquid crystal molecules is preferably applied while giving a suitable orientation regulating force to the alignment film in a portion that can be a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction. The orientation treatment can be performed so that the orientation can be controlled.

もちろん、TN(ツイスト・ネマティック)方式や、ECB(複屈折電界効果)方式や、VA(垂直配向)方式等の縦電界駆動方式を採用する液晶装置においても、本発明によれば、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ(特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ)、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。   Of course, even in a liquid crystal device employing a vertical electric field driving method such as a TN (twisted nematic) method, an ECB (birefringence field effect) method, or a VA (vertical alignment) method, the present invention has irregularities. Alignment control force is suitably applied to the alignment film formed on the substrate (particularly, even for a portion of the alignment film that can become a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction. The alignment treatment can be performed so that the pretilt angle of the liquid crystal molecules can be controlled appropriately.

本発明の配向膜の配向処理方法の一の態様では、前記第1の角度は、40度以上且つ90度未満であり、前記第2の角度は、0°より大きく且つ50度以下である。   In one aspect of the alignment film alignment method of the present invention, the first angle is not less than 40 degrees and less than 90 degrees, and the second angle is greater than 0 ° and not more than 50 degrees.

この態様によれば、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ(特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ)、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。   According to this aspect, while suitably providing an alignment regulating force to the alignment film formed on the uneven substrate (particularly, in a portion that can be a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction). The alignment treatment can be performed so that the pretilt angle of the liquid crystal molecules can be suitably controlled while giving an alignment regulating force to the alignment film accordingly.

本発明の配向膜の配向処理方法の他の態様では、前記第1の角度は、60度以上且つ90度未満であり、前記第2の角度は、0°より大きく且つ20度以下である。   In another aspect of the alignment treatment method of the alignment film of the present invention, the first angle is not less than 60 degrees and less than 90 degrees, and the second angle is greater than 0 ° and not more than 20 degrees.

この態様によれば、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ(特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ)、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。   According to this aspect, while suitably providing an alignment regulating force to the alignment film formed on the uneven substrate (particularly, in a portion that can be a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction). The alignment treatment can be performed so that the pretilt angle of the liquid crystal molecules can be suitably controlled while giving an alignment regulating force to the alignment film accordingly.

本発明の配向膜の配向処理方法の他の態様では、前記第1照射工程において照射される前記ビームの照射量は、前記第2照射工程において照射される前記ビームの照射量以下である。   In another aspect of the alignment film alignment method of the present invention, the irradiation amount of the beam irradiated in the first irradiation step is less than or equal to the irradiation amount of the beam irradiated in the second irradiation step.

この態様によれば、配向膜に与えられる配向規制力に対しては、第1照射工程よりも第2照射工程が大きな影響を有することになる。従って、第2照射工程により、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができる配向規制力を与えつつ、第1照射工程により、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与える(特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与える)ことができる。   According to this aspect, the second irradiation step has a greater influence on the alignment regulating force applied to the alignment film than the first irradiation step. Therefore, the second irradiation step provides an alignment regulating force capable of suitably controlling the pretilt angle of the liquid crystal molecules, and the first irradiation step aligns the alignment film formed on the uneven substrate. A regulating force can be suitably given (particularly, an orientation regulating force can be given correspondingly to a portion of the alignment film that can be a shadow region with respect to a beam incident from a relatively small elevation angle direction).

尚、本発明における「照射量」としては、例えば単位面積あたりのビームの照射量が一例としてあげられる。   The “irradiation amount” in the present invention includes, for example, the beam irradiation amount per unit area.

(液晶装置の製造方法)
本発明の液晶装置の製造方法は、夫々に配向膜が形成される一対の基板と、前記一対の基板の夫々の前記配向膜が形成される側の面で挟持される液晶とを備える液晶装置を製造する製造方法であって、前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して第1の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第1照射工程と、前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第1の角度より小さい第2の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第2照射工程とを備える。
(Manufacturing method of liquid crystal device)
A method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention includes a pair of substrates each having an alignment film formed thereon, and a liquid crystal sandwiched between surfaces of the pair of substrates on which the alignment films are formed. The alignment regulating force is applied so that the alignment film formed on the substrate is incident from an elevation direction that forms a first angle with respect to the surface of the substrate. A first irradiation step of irradiating a beam for the purpose, and an elevation direction that forms a second angle smaller than the first angle with respect to the surface of the substrate with respect to the alignment film formed on the substrate A second irradiation step of irradiating the beam so as to be incident.

本発明の液晶装置の製造方法によれば、上述した本発明の配向膜の配向処理方法が享受する各種効果を享受しつつ、液晶装置を好適に製造することができる。従って、本発明の液晶装置の製造方法により製造された液晶装置では、配向膜によって、液晶分子が好適に配向制御される。このため、単に第1照射工程のみを行う又は第2照射工程のみを行う配向処理方法を用いた液晶装置の製造方法と比較して、表示品位が相対的に高い液晶装置を製造することができる。   According to the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, the liquid crystal device can be preferably manufactured while enjoying the various effects enjoyed by the alignment film alignment method of the present invention described above. Therefore, in the liquid crystal device manufactured by the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, the alignment of the liquid crystal molecules is suitably controlled by the alignment film. For this reason, it is possible to manufacture a liquid crystal device having a relatively high display quality as compared with a method for manufacturing a liquid crystal device using an alignment treatment method in which only the first irradiation step or only the second irradiation step is performed. .

尚、上述した本発明の配向膜の配向処理方法における各種態様に対応して、本発明の液晶装置の製造方法も各種態様をとることができる。   Incidentally, in response to the various aspects in the alignment film alignment method of the present invention described above, the liquid crystal device manufacturing method of the present invention can also take various aspects.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。   The operation and other advantages of the present invention will become more apparent from the embodiments described below.

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

(1)液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H’断面図である。
(1) Basic Configuration of Liquid Crystal Device First, the configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to this embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「基板」の一例としてのTFTアレイ基板10と本発明における「基板」の一例としての対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材52により互いに貼り合わされている。   1 and 2, in the liquid crystal device according to the present embodiment, a TFT array substrate 10 as an example of a “substrate” according to the present invention and a counter substrate 20 as an example of a “substrate” according to the present invention are arranged to face each other. ing. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are in a frame-shaped or frame-shaped seal region located around the image display region 10a. The sealing material 52 provided is bonded to each other.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のスペーサが散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. In the sealing material 52, spacers such as glass fibers or glass beads for dispersing the distance between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 (inter-substrate gap) to a predetermined value are dispersed.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路101は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路101が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられていてもよい。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region in which the sealing material 52 is disposed in the peripheral region. However, the data line driving circuit 101 may be provided inside the seal region so that the data line driving circuit 101 is covered with the frame light shielding film 53. Further, the scanning line driving circuit 104 is provided so as to be covered with the frame light-shielding film 53 inside the seal region along two sides adjacent to the one side.

図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFT(Thin Film Transistor)や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。具体的には、画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に共通電極11、絶縁層12及び画素電極9aがこの順に形成されている。つまり、本実施形態に係る液晶装置100は、画素電極9aと共通電極11との間に生ずる電界によって液晶層50の配向状態を制御する横電界駆動方式(特に、FFS方式)を採用している。ここで、画素電極9aは、画像表示領域10aを構成する各画素を形成するようにマトリクス状に設けられている。一方で、共通電極11は、画素電極9aと同じようにマトリクス状に設けられてもよいし、複数の画素電極9a毎に共通に設けられてもよい。画素電極9a上(言い換えれば、画素電極9a等の構成要素が形成されたTFTアレイ基板10上)には、配向膜13が積層されている。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に配向膜13が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, there is formed a laminated structure in which pixel switching TFTs (Thin Film Transistors), which are driving elements, and wirings such as scanning lines and data lines are formed. Specifically, in the image display area 10a, the common electrode 11, the insulating layer 12, and the pixel electrode 9a are formed in this order on the upper layer of the pixel switching TFT, the scanning line, the data line, and the like. That is, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment employs a lateral electric field driving method (particularly, an FFS method) in which the alignment state of the liquid crystal layer 50 is controlled by an electric field generated between the pixel electrode 9a and the common electrode 11. . Here, the pixel electrodes 9a are provided in a matrix so as to form each pixel constituting the image display region 10a. On the other hand, the common electrode 11 may be provided in a matrix like the pixel electrode 9a, or may be provided in common for each of the plurality of pixel electrodes 9a. An alignment film 13 is stacked on the pixel electrode 9a (in other words, on the TFT array substrate 10 on which the components such as the pixel electrode 9a are formed). On the other hand, a light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. The light shielding film 23 is formed of, for example, a light shielding metal film or the like, and is patterned, for example, in a lattice shape in the image display region 10a on the counter substrate 20. An alignment film 13 is formed on the light shielding film 23. Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。   Although not shown here, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, the TFT array substrate 10 is used for inspecting the quality, defects, and the like of the liquid crystal device during manufacturing or at the time of shipment. An inspection circuit, an inspection pattern, or the like may be formed.

(2)配向膜の配向処理方法
続いて、図3及び図4を参照して、本実施形態に係る液晶装置100が備えるTFTアレイ基板10及び対向基板20の夫々に形成される配向膜13の配向処理方法について説明する。ここに、図3は、配向膜13の配向処理方法を概念的に示すTFTアレイ基板10の断面図であり、図4は、配向膜13の配向処理方法を概念的に示すTFTアレイ基板10の断面の一部を拡大した拡大断面図である。尚、図3及び図4では、TFTアレイ基板10上に形成される配向膜13の配向処理方法について説明するが、対向基板20上に形成される配向膜13に対しても同様の配向処理方法を用いてもよいことは言うまでもない。
(2) Alignment Treatment Method for Alignment Film Next, with reference to FIGS. 3 and 4, the alignment film 13 formed on each of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 included in the liquid crystal device 100 according to this embodiment. The orientation processing method will be described. 3 is a cross-sectional view of the TFT array substrate 10 conceptually showing the alignment processing method of the alignment film 13, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the TFT array substrate 10 conceptually showing the alignment processing method of the alignment film 13. It is an expanded sectional view which expanded a part of section. 3 and 4, the alignment processing method for the alignment film 13 formed on the TFT array substrate 10 will be described. It goes without saying that may be used.

尚、以下の説明では、TFT基板10上に、駆動素子である画素スイッチング用のTFT(Thin Film Transistor)や、走査線、データ線等の配線が形成され、且つその上に配向膜13が形成された後に行われる配向処理方法について説明する。このため、配向処理方法が行われるまでの各種工程は、適宜既存の工程を用いてもよい。また、配向処理方法が行われた後も、既存の各種工程を用いて液晶装置100を完成させてもよい。   In the following description, pixel switching TFTs (Thin Film Transistors) that are driving elements, wirings such as scanning lines and data lines are formed on the TFT substrate 10, and the alignment film 13 is formed thereon. An alignment treatment method performed after the process is described. For this reason, you may use the existing process suitably for the various processes until the orientation processing method is performed. Further, even after the alignment processing method is performed, the liquid crystal device 100 may be completed using various existing processes.

また、配向膜13が形成される下地であるTFTアレイ基板10の表面は、段差を有している場合が殆どである。より具体的には、例えばTFTアレイ基板10上には、データ線や走査線等の各種配線及び画素電極9a等の構造物が積層構造を構成している。これらの構造物の厚みにより、図3(a)及び図3(b)に示すように、TFTアレイ基板10の表面は段差を有している。配向膜13は、このような段差を有しているTFTアレイ基板10上に形成されるため、図3(a)及び図3(b)に示すように、薄膜である配向膜13の表面も段差を有することになる。従って、本実施形態に係る配向処理方法は、特に段差を有するTFT基板アレイ基板10上に形成される配向膜13に対して配向処理を行う。もちろん、平坦化処理を施すことで段差を有していないTFT基板アレイ基板10上に形成される配向膜13に対して配向処理を行うために、本実施形態に係る配向処理方法を用いてもよいことは言うまでもない。   Further, in most cases, the surface of the TFT array substrate 10 which is a base on which the alignment film 13 is formed has a step. More specifically, for example, on the TFT array substrate 10, various wirings such as data lines and scanning lines and structures such as the pixel electrodes 9 a form a laminated structure. Depending on the thickness of these structures, as shown in FIGS. 3A and 3B, the surface of the TFT array substrate 10 has a step. Since the alignment film 13 is formed on the TFT array substrate 10 having such a step, as shown in FIGS. 3A and 3B, the surface of the alignment film 13 which is a thin film is also formed. There will be a step. Therefore, the alignment processing method according to the present embodiment performs alignment processing on the alignment film 13 formed on the TFT substrate array substrate 10 having a step. Of course, in order to perform the alignment process on the alignment film 13 formed on the TFT substrate array substrate 10 having no step by performing the planarization process, the alignment process method according to the present embodiment may be used. Needless to say, it is good.

本実施形態では、配向処理方法として、配向膜13に対してイオンビームLを照射するイオンビーム配向処理方法を用いる。特に、本実施形態では、配向膜13に対するイオンビームLの照射を2回に分けて行う。   In the present embodiment, an ion beam alignment processing method for irradiating the alignment film 13 with the ion beam L is used as the alignment processing method. In particular, in this embodiment, the irradiation of the ion beam L to the alignment film 13 is performed in two steps.

具体的には、図3(a)に示すように、まず、第1段階のイオンビームLの照射として、TFTアレイ基板10の表面に対する仰角がθ1となるような入射方向から、イオンビームLが照射される。言い換えれば、TFTアレイ基板10の法線に対して「90度−θ1」だけ傾いた入射方向から、イオンビームLが照射される。ここで、θ1は、40°≦θ1<90°であることが好ましい。或いは、θ1は、60°≦θ1<90°であることがより好ましい。   Specifically, as shown in FIG. 3A, first, as the first-stage ion beam L irradiation, the ion beam L is emitted from an incident direction in which the elevation angle with respect to the surface of the TFT array substrate 10 is θ1. Irradiated. In other words, the ion beam L is irradiated from the incident direction inclined by “90 degrees−θ1” with respect to the normal line of the TFT array substrate 10. Here, θ1 is preferably 40 ° ≦ θ1 <90 °. Alternatively, θ1 is more preferably 60 ° ≦ θ1 <90 °.

続いて、図3(b)に示すように、第2段階のイオンビームLの照射として、TFTアレイ基板10の表面に対する仰角がθ2となるような入射方向から、イオンビームLが照射される。言い換えれば、TFTアレイ基板10の法線に対して「90度−θ2」だけ傾いた入射方向から、イオンビームLが照射される。ここで、θ2は、θ2<θ1である。また、θ2は、0°<θ2≦50°であることが好ましい。或いは、本実施形態に係る配向処理方法が、液晶分子のプレチルト角が相対的に小さい横電界駆動方式の液晶装置100を製造する際に用いられることを考慮すれば、θ2は、0°<θ2≦20°であることがより好ましい。   Subsequently, as shown in FIG. 3B, as the second stage ion beam L irradiation, the ion beam L is irradiated from an incident direction in which the elevation angle with respect to the surface of the TFT array substrate 10 is θ2. In other words, the ion beam L is irradiated from the incident direction inclined by “90 ° −θ2” with respect to the normal line of the TFT array substrate 10. Here, θ2 is θ2 <θ1. Further, θ2 is preferably 0 ° <θ2 ≦ 50 °. Alternatively, in consideration of the fact that the alignment method according to the present embodiment is used when manufacturing the lateral electric field drive type liquid crystal device 100 in which the pretilt angle of the liquid crystal molecules is relatively small, θ2 is 0 ° <θ2. More preferably, it is ≦ 20 °.

つまり、本実施形態では、TFTアレイ基板10に対する仰角が相対的に大きくなるような入射方向から入射するようにイオンビームLの照射が行われた後に、TFTアレイ基板10に対する仰角が相対的に小さくなるような入射方向から入射するようにイオンビームLの照射が行われる。   That is, in the present embodiment, after the ion beam L is irradiated so that the incident angle is such that the elevation angle with respect to the TFT array substrate 10 is relatively large, the elevation angle with respect to the TFT array substrate 10 is relatively small. Irradiation of the ion beam L is performed so as to be incident from such an incident direction.

また、相対的に大きい仰角(つまり、θ1)にて規定される入射方向から入射するように照射されるイオンビームLの照射量(例えば、単位面積あたりの照射量)は、相対的に小さい仰角(つまり、θ2)にて規定される入射方向から入射するように照射されるイオンビームLの照射量(例えば、単位面積あたりの照射量)以下であることが好ましい。第2段階のイオンビームLは後から照射されるとともに、照射量が第1段階のイオンビームLの照射量と同等以上であるため、第2段階のイオンビームLの照射が、配向膜13の配向規制力(特に、プレチルト角)に対して大きな影響を与えることになる。従って、第2段階のイオンビームLの入射方向のTFTアレイ基板10に対する仰角(つまり、θ2)は、上述した条件に応じて設定されることに加えて又は代えて、配向膜13の配向規制力(特に、プレチルト角)に応じた角度に設定されることが好ましい。しかしながら、第2段階のイオンビームLの入射方向のTFTアレイ基板10に対する仰角は一般的には相対的に小さくなる。これは特に、液晶分子のプレチルト角が相対的に小さい横電界駆動方式を採用する液晶装置100において顕著になる。このため、図3(b)における画素電極9aにより構成される1つの段差を拡大した図4(b)に示すように、画素電極9a等により構成される段差によってイオンビームLが照射されない配向膜13の領域部分(つまり、影領域)が相対的に大きくなってしまう。   In addition, the irradiation amount (for example, the irradiation amount per unit area) of the ion beam L irradiated so as to be incident from an incident direction defined by a relatively large elevation angle (that is, θ1) has a relatively small elevation angle. In other words, it is preferable that the ion beam L be irradiated so as to be incident from an incident direction defined by (θ2) (for example, an irradiation amount per unit area) or less. The second stage ion beam L is irradiated later, and the irradiation amount is equal to or greater than the irradiation amount of the first stage ion beam L. Therefore, the second stage ion beam L is irradiated on the alignment film 13. This greatly affects the alignment regulating force (particularly the pretilt angle). Therefore, in addition to or instead of setting the elevation angle (that is, θ2) with respect to the TFT array substrate 10 in the incident direction of the second stage ion beam L in accordance with the above-described conditions, the alignment regulating force of the alignment film 13 It is preferable to set the angle according to (especially the pretilt angle). However, the elevation angle with respect to the TFT array substrate 10 in the incident direction of the second stage ion beam L is generally relatively small. This is particularly noticeable in the liquid crystal device 100 that employs the lateral electric field driving method in which the pretilt angle of the liquid crystal molecules is relatively small. For this reason, as shown in FIG. 4B in which one step formed by the pixel electrode 9a in FIG. 3B is enlarged, the alignment film in which the ion beam L is not irradiated by the step formed by the pixel electrode 9a and the like. 13 area portions (that is, shadow areas) become relatively large.

これに対して本実施形態では、第2段階のイオンビームLの照射に先立って、第1段階のイオンビームLの照射を行っている。第1段階のイオンビームLの入射方向のTFTアレイ基板10に対する仰角(つまり、θ1)は、第2段階のイオンビームLの入射方向のTFTアレイ基板10に対する仰角(つまり、θ2)よりも大きい。このため、第1段階のイオンビームLの照射時には、図3(a)における画素電極9aにより構成される1つの段差を拡大した図4(a)に示すように、図4(b)に示す状態と比較して、影領域が少なくなっている。このため、第2段階のイオンビームLの照射によって配向規制力が好適に与えられない配向膜13の領域部分(或いは、その少なくとも一部)に対しても、第1段階のイオンビームLの照射によって配向規制力を相応に与えることができる。従って、第1段階のイオンビームLの入射方向のTFTアレイ基板10に対する仰角(つまり、θ1)は、上述した条件に応じて設定されることに加えて又は代えて、第2段階のイオンビームLの照射によって影領域となってしまう領域部分又は該領域部分の一部に対してイオンビームL1を照射することができる角度に設定されることが好ましい。   On the other hand, in this embodiment, prior to the second stage ion beam L irradiation, the first stage ion beam L irradiation is performed. The elevation angle (that is, θ1) with respect to the TFT array substrate 10 in the incident direction of the first stage ion beam L is larger than the elevation angle (that is, θ2) with respect to the TFT array substrate 10 in the incident direction of the second stage ion beam L. For this reason, at the time of irradiation with the ion beam L in the first stage, as shown in FIG. 4A in which one step formed by the pixel electrode 9a in FIG. Compared to the state, the shadow area is reduced. For this reason, irradiation of the first stage ion beam L is also performed on a region portion (or at least a part thereof) of the alignment film 13 where the alignment regulation force is not suitably given by the second stage ion beam L irradiation. The orientation regulating force can be given accordingly. Accordingly, the elevation angle (that is, θ1) of the first stage ion beam L in the incident direction with respect to the TFT array substrate 10 is set according to the above-described conditions, or in addition to the above, instead of the second stage ion beam L. It is preferable to set the angle at which the ion beam L1 can be irradiated to a region portion that becomes a shadow region or a part of the region portion.

このように、本実施形態に係る配向処理方法によれば、TFTアレイ基板10に対して単一の角度を規定する入射方向からイオンビームLを照射する配向処理方法と比較して、以下の利点を有している。具体的には、段差のあるTFTアレイ基板10上に形成される配向膜13に対して配向規制力を好適に与えつつ、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。特に、段差のあるTFTアレイ基板10上に形成される配向膜13のうち相対的に小さい仰角(つまり、θ2)にて規定される入射方向から照射されるイオンビームLに対して影領域となり得る領域部分に対しても、液晶分子を相応に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。このような効果は、イオンビームLの入射方向のTFTアレイ基板10に対する仰角が小さくなればなるほど影領域が大きくなることを考慮すれば、液晶分子のプレチルト角が相対的に小さい横電界駆動方式を採用する液晶装置100における配向膜13の配向処理を行う際に特に有効となる。   Thus, according to the alignment processing method according to the present embodiment, the following advantages compared with the alignment processing method of irradiating the ion beam L from the incident direction defining a single angle with respect to the TFT array substrate 10. have. Specifically, the alignment treatment is performed so that the pre-tilt angle of the liquid crystal molecules can be appropriately controlled while suitably providing the alignment regulating force to the alignment film 13 formed on the TFT array substrate 10 having a step. It can be performed. In particular, the alignment film 13 formed on the stepped TFT array substrate 10 can be a shadow region with respect to the ion beam L irradiated from the incident direction defined by a relatively small elevation angle (that is, θ2). An alignment process can be performed on the region portion so that the alignment of the liquid crystal molecules can be appropriately controlled. Considering that the shadow region increases as the elevation angle with respect to the TFT array substrate 10 in the incident direction of the ion beam L becomes smaller, the lateral electric field driving method in which the pretilt angle of the liquid crystal molecules is relatively small can be obtained. This is particularly effective when performing the alignment treatment of the alignment film 13 in the liquid crystal device 100 to be employed.

尚、上述の説明では、画素電極9aと共通電極11とが異なる層に設けられると共に、画素電極9aと共通電極11とが絶縁層12を間に挟持し、液晶層50側の画素電極9aに開口部を有するFFS方式を採用する液晶装置100について説明を進めているが、液晶層50側を開口部を有する共通電極11としてもよい。また、画素電極9aと共通電極11とが同じ層に設けられるIPS方式を採用する液晶装置においても、上述した構成を採用することで、上述した各種効果を享受することができることは言うまでもない。また、横電界駆動方式を採用する液晶装置のみならず、例えばTN(ツイスト・ネマティック)方式や、ECB(複屈折電界効果)方式や、VA(垂直配向)方式等の縦電界駆動方式を採用する液晶装置においても、上述した構成を採用することで、上述した各種効果を相応に享受することができる。   In the above description, the pixel electrode 9a and the common electrode 11 are provided in different layers, and the pixel electrode 9a and the common electrode 11 sandwich the insulating layer 12 therebetween, so that the pixel electrode 9a on the liquid crystal layer 50 side has the pixel electrode 9a. Although the description of the liquid crystal device 100 that employs the FFS method having an opening is in progress, the liquid crystal layer 50 side may be the common electrode 11 having an opening. Needless to say, the liquid crystal device adopting the IPS method in which the pixel electrode 9a and the common electrode 11 are provided in the same layer can also enjoy the various effects described above by adopting the above-described configuration. Further, not only a liquid crystal device adopting a horizontal electric field driving method, but also adopting a vertical electric field driving method such as a TN (twisted nematic) method, an ECB (birefringence field effect) method, a VA (vertical alignment) method, or the like. Also in the liquid crystal device, by adopting the above-described configuration, the various effects described above can be enjoyed accordingly.

(3)電子機器
続いて、図5及び図6を参照しながら、上述の液晶装置100を具備してなる電子機器の例を説明する。
(3) Electronic Device Next, an example of an electronic device including the liquid crystal device 100 described above will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

図5は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図5において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、上述した液晶装置100を含んでなる液晶表示ユニット1206とから構成されている。液晶表示ユニット1206は、液晶装置100の背面にバックライトを付加することにより構成されている。   FIG. 5 is a perspective view of a mobile personal computer to which the liquid crystal device described above is applied. In FIG. 5, a computer 1200 includes a main body 1204 provided with a keyboard 1202 and a liquid crystal display unit 1206 including the liquid crystal device 100 described above. The liquid crystal display unit 1206 is configured by adding a backlight to the back surface of the liquid crystal device 100.

次に、上述した液晶装置100を携帯電話に適用した例について説明する。図6は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図6において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置100と同様の構成を有する液晶装置1005を備えている。   Next, an example in which the above-described liquid crystal device 100 is applied to a mobile phone will be described. FIG. 6 is a perspective view of a mobile phone which is an example of an electronic device. In FIG. 6, a mobile phone 1300 includes a liquid crystal device 1005 that adopts a reflective display format and has the same configuration as the liquid crystal device 100 described above, together with a plurality of operation buttons 1302.

これらの電子機器においても、上述した液晶装置100を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。   Since these electronic devices also include the liquid crystal device 100 described above, the various effects described above can be suitably enjoyed.

尚、図5及び図6を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置や、液晶プロジェクタ等の投射型の表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 5 and 6, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation A video phone, a POS terminal, a device provided with a touch panel, a projection display device such as a liquid crystal projector, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう配向膜の配向処理方法及び液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and the alignment film accompanying such changes The alignment processing method and the liquid crystal device manufacturing method are also included in the technical scope of the present invention.

実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the liquid crystal device which concerns on embodiment. 図1のH−H’断面図である。It is H-H 'sectional drawing of FIG. 配向膜の配向処理方法を概念的に示すTFTアレイ基板の断面図である。It is sectional drawing of the TFT array substrate which shows notionally the alignment processing method of an alignment film. 配向膜の配向処理方法を概念的に示すTFTアレイ基板の断面の一部を拡大した拡大断面図である。It is the expanded sectional view which expanded a part of section of the TFT array substrate which shows notionally the alignment processing method of an alignment film. 液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。It is a perspective view of a mobile personal computer to which a liquid crystal device is applied. 液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。1 is a perspective view of a mobile phone to which a liquid crystal device is applied.

符号の説明Explanation of symbols

9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、11…共通電極、13…配向膜、20…対向基板、50…液晶層、100…液晶装置   DESCRIPTION OF SYMBOLS 9a ... Pixel electrode, 10 ... TFT array substrate, 11 ... Common electrode, 13 ... Orientation film, 20 ... Opposite substrate, 50 ... Liquid crystal layer, 100 ... Liquid crystal device

Claims (5)

基板上に形成された配向膜に対して、前記基板の面に対して第1の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第1照射工程と、
前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第1の角度より小さい第2の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第2照射工程と
を備えることを特徴とする配向膜の配向処理方法。
A first irradiation step of irradiating an alignment film formed on the substrate with a beam for providing an alignment regulating force so that the alignment film is incident from an elevation direction that forms a first angle with respect to the surface of the substrate; ,
Second irradiation for irradiating the alignment film formed on the substrate with the beam so as to be incident from an elevation direction that forms a second angle smaller than the first angle with respect to the surface of the substrate. An alignment treatment method for an alignment film comprising the steps of:
前記第1の角度は、40度以上且つ90度未満であり、
前記第2の角度は、0°より大きく且つ50度以下であることを特徴とする請求項1に記載の配向処理方法。
The first angle is not less than 40 degrees and less than 90 degrees;
The alignment processing method according to claim 1, wherein the second angle is greater than 0 ° and equal to or less than 50 degrees.
前記第1の角度は、60度以上且つ90度未満であり、
前記第2の角度は、0°より大きく且つ20度以下であることを特徴とする請求項1に記載の配向処理方法。
The first angle is not less than 60 degrees and less than 90 degrees;
The alignment processing method according to claim 1, wherein the second angle is greater than 0 ° and equal to or less than 20 degrees.
前記第1照射工程において照射される前記ビームの照射量は、前記第2照射工程において照射される前記ビームの照射量以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の配向処理方法。   4. The irradiation amount of the beam irradiated in the first irradiation step is equal to or less than an irradiation amount of the beam irradiated in the second irradiation step. 5. Orientation processing method. 夫々に配向膜が形成される一対の基板と、前記一対の基板の夫々の前記配向膜が形成される側の面で挟持される液晶とを備える液晶装置を製造する製造方法であって、
前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して第1の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第1照射工程と、
前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第1の角度より小さい第2の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第2照射工程と
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
A manufacturing method for manufacturing a liquid crystal device comprising: a pair of substrates each having an alignment film formed thereon; and a liquid crystal sandwiched between surfaces of the pair of substrates on which the alignment films are formed.
First irradiation for irradiating the alignment film formed on the substrate with a beam for providing an alignment regulating force so as to be incident from an elevation angle direction that forms a first angle with respect to the surface of the substrate. Process,
Second irradiation for irradiating the alignment film formed on the substrate with the beam so as to be incident from an elevation direction that forms a second angle smaller than the first angle with respect to the surface of the substrate. A process for producing a liquid crystal device comprising the steps of:
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