JP2009278149A - Solid-state imaging device - Google Patents

Solid-state imaging device Download PDF

Info

Publication number
JP2009278149A
JP2009278149A JP2008124482A JP2008124482A JP2009278149A JP 2009278149 A JP2009278149 A JP 2009278149A JP 2008124482 A JP2008124482 A JP 2008124482A JP 2008124482 A JP2008124482 A JP 2008124482A JP 2009278149 A JP2009278149 A JP 2009278149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
reset
voltage
pixels
double sampling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008124482A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seiji Hashimoto
征史 橋本
Yasumasa Kosaka
泰正 小坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP2008124482A priority Critical patent/JP2009278149A/en
Publication of JP2009278149A publication Critical patent/JP2009278149A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state imaging device for removing noise from a pixel signal by using a same correlated double sampling means in both continuous mode and reset mode. <P>SOLUTION: The solid-state imaging device 1 includes an imaging part 90 and a reset circuit 10, and includes dummy pixels 6, 7 which are not provided with a function for receiving incident light. In the reset mode, the correlated double sampling circuits 8, 9 carry out correlated double sampling based on photo charge voltages and reset voltages read from pixels 2-5. In the continuous mode, the correlated double sampling circuits 8, 9 carry out the correlated double sampling based on photo charge voltages read from the pixels 2-5 and reference voltages read from the dummy pixels 6, 7. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、固体撮像装置における相関二重サンプリング技術に関する。   The present invention relates to a correlated double sampling technique in a solid-state imaging device.

例えば、車両に搭載され、道路前方の白線や物体等を検出する固体撮像装置は、昼夜を通しての撮像やトンネル内での撮像が必要なことから、被写体を明暗に影響されず安定した感度で検出できる性能、すなわち広いダイナミックレンジが要求される。特許文献1、2には、このような広いダイナミックレンジを有する固体撮像装置が記載されている。   For example, a solid-state imaging device that is mounted on a vehicle and detects white lines or objects in front of the road needs to capture images throughout the day and night or in a tunnel, so it can detect subjects with stable sensitivity without being affected by light and dark. A possible performance, that is, a wide dynamic range is required. Patent Documents 1 and 2 describe a solid-state imaging device having such a wide dynamic range.

特許文献1に記載の固体撮像装置では、フォトダイオードとMOSトランジスタとを用い、トランジスタのゲート電圧を閾値電圧以下に設定することにより、トランジスタにサブスレショールド電流と呼ばれる微少電流(ドレイン電流)が流れるようにする。そして、この電流がゲート・ソース間電圧の指数関数であることを利用して、入射光量に応じた電流を電圧に対数変換することによって、広いダイナミックレンジを実現している。   In the solid-state imaging device disclosed in Patent Document 1, a photodiode and a MOS transistor are used, and a minute current (drain current) called a subthreshold current flows through the transistor by setting the gate voltage of the transistor to a threshold voltage or less. Like that. By utilizing the fact that this current is an exponential function of the gate-source voltage, the current corresponding to the amount of incident light is logarithmically converted to a voltage, thereby realizing a wide dynamic range.

また、特許文献2に記載の光センサ回路では、光信号を検出した後、nチャネルMOSトランジスタのゲート電圧を所定時間だけ高い値に設定し、あるいはpチャネルMOSトランジスタのゲート電圧を所定時間だけ低い値に設定する。これにより、ドレイン・ソース間のインピーダンスを低下させ、検出端子に接続されたコンデンサの充電または放電を制御することで、残像現象の発生を防止し、高感度で広いダイナミックレンジが得られるようにしている。   In the optical sensor circuit described in Patent Document 2, after detecting an optical signal, the gate voltage of the n-channel MOS transistor is set to a high value for a predetermined time, or the gate voltage of the p-channel MOS transistor is decreased for a predetermined time. Set to value. This reduces the impedance between the drain and source and controls the charging or discharging of the capacitor connected to the detection terminal to prevent the occurrence of afterimages and to obtain a wide dynamic range with high sensitivity. Yes.

ところで、固体撮像装置の撮像部を構成する画素(ピクセル)には、線形変換型と対数変換型の2種類が存在する。   By the way, there are two types of pixels (pixels) that constitute the imaging unit of the solid-state imaging device: linear conversion type and logarithmic conversion type.

線形変換型画素は、フォトダイオードを流れるフォト電流を、フォトダイオードに並列に接続したコンデンサに蓄積し、その結果発生する電位を読み出すという原理で動作する。この場合、電位は時間に対し線形的に変化する。すなわち、読み出す電位は常に非定常状態にあり、少なくとも1フレーム内での電位の初期値と読み出し時間(フォトチャージ蓄積時間)とを画素間で同じにしないと、画素間の基準電位レベルが一致しなくなり、正常な画像の再生ができない。このため、初期値として一定の電圧(リセット電圧)を与えるリセット動作が必須となる。   The linear conversion type pixel operates on the principle that a photocurrent flowing through a photodiode is accumulated in a capacitor connected in parallel to the photodiode, and a potential generated as a result is read out. In this case, the potential changes linearly with respect to time. That is, the potential to be read is always in an unsteady state, and the reference potential level between pixels matches unless the initial value of the potential in at least one frame and the readout time (photo charge accumulation time) are the same between pixels. The normal image cannot be played back. For this reason, a reset operation for providing a constant voltage (reset voltage) as an initial value is essential.

一方、対数変換型画素は、特許文献1、2に示されるように、フォトダイオードを流れるフォト電流と、フォトダイオードと直列に接続したMOSトランジスタに流れるサブスレショールド電流とが平衡する時の電位を読み出すという原理で動作する。したがって、初期値やフォトチャージ蓄積時間の概念はない。すなわち、読み出し電位は時間的に変化しない。このため、線形変換型画素のようなリセット動作は必須ではない。   On the other hand, as shown in Patent Documents 1 and 2, the logarithmic conversion type pixel has a potential at which the photocurrent flowing through the photodiode and the subthreshold current flowing through the MOS transistor connected in series with the photodiode are balanced. It operates on the principle of reading. Therefore, there is no concept of initial value or photocharge accumulation time. That is, the read potential does not change with time. For this reason, the reset operation like the linear conversion type pixel is not essential.

このように、線形変換型画素の場合は、初期状態を与えないと画素から正しい電位を読み出せないので、リセットをかける使い方しかできない。一方、対数変換型画素の場合は、照度がある値より高い被写体ではリセットをかけなくても画素から正しい電位を読み出せるので、リセットをかけないで使うことも可能であり、リセットをかけて使うことも可能である。以下では、リセットをかける使い方を「リセットモード」と呼び、リセットをかけない使い方を「コンティニュアスモード」と呼ぶ。   As described above, in the case of a linear conversion type pixel, a correct potential cannot be read from the pixel unless an initial state is given, and therefore, only a method of applying a reset can be performed. On the other hand, in the case of a logarithmic conversion type pixel, a correct potential can be read from the pixel without resetting in a subject whose illuminance is higher than a certain value, so it can be used without resetting and used with resetting. It is also possible. In the following, a method for applying reset is referred to as “reset mode”, and a method for not performing reset is referred to as “continuous mode”.

線形変換型のイメージセンサでは、画素で生じるノイズを除去する手段として相関二重サンプリング(CDS:Correlated Double Sampling)の手法が用いられる。画素を構成する素子の特性のばらつきにより、リセット前の画素の出力電圧と、リセット時の画素の出力電圧には、それぞれノイズ成分が含まれている。相関二重サンプリングは、これらの出力電圧の差を演算することにより、ノイズ成分を相殺するものである。特許文献3、4には、このような相関二重サンプリングの技術が開示されている。   In a linear conversion type image sensor, a correlated double sampling (CDS) method is used as means for removing noise generated in pixels. Due to variations in the characteristics of elements constituting the pixel, the output voltage of the pixel before resetting and the output voltage of the pixel at resetting each include a noise component. In correlated double sampling, the noise component is canceled by calculating the difference between these output voltages. Patent Documents 3 and 4 disclose such a correlated double sampling technique.

一方、対数変換型のイメージセンサの場合は、上述したようにコンティニュアスモードでもリセットモードでも動作が可能であるが、通常はいずれか一方のモードのみを使用する。しかし、フレーム毎にコンティニュアスモードとリセットモードを切り替えるような使い方をする場合(例えば、暗い被写体に対する感度を維持する一方で、フレーム位置を連続的に変更しても鮮明な画像が得られるようにしたい場合)、リセットモードでは線形変換型と同様に相関二重サンプリングによるノイズ除去が可能であるが、コンティニュアスモードではリセットがかからないため、リセット電圧を読み出すことができず、線形変換型と同様の相関二重サンプリングを実施することはできない。   On the other hand, the logarithmic conversion type image sensor can operate in the continuous mode or the reset mode as described above, but normally only one of the modes is used. However, when switching between continuous mode and reset mode for each frame (for example, while maintaining sensitivity to a dark subject, a clear image can be obtained even if the frame position is changed continuously) In the reset mode, noise can be removed by correlated double sampling in the same way as the linear conversion type. However, the reset mode cannot be read out in the continuous mode, so the reset voltage cannot be read. Similar correlated double sampling cannot be performed.

特開平3−192764号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-192864 特開平10−90058号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-90058 特開昭63−76583号公報JP-A 63-765883 特開平1−243675号公報JP-A-1-243675

本発明の課題は、コンティニュアスモードとリセットモードのいずれにおいても、同じ相関二重サンプリング手段を用いて画素信号からノイズを除去することができる固体撮像装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a solid-state imaging device capable of removing noise from a pixel signal using the same correlated double sampling means in both the continuous mode and the reset mode.

本発明では、入射光を電流に変換する受光素子、および、閾値電圧以下のゲート電圧の印加によりサブスレショールド領域で動作して、受光素子の電流を対数変換した電圧を出力するMOSトランジスタを有する第1の画素を複数備え、これらの画素が行列状に配置された撮像部と、MOSトランジスタに閾値電圧を超えるゲート電圧を印加することにより、第1の画素の出力電圧を初期値にリセットするリセット回路とを備えた固体撮像装置において、入射光を受光する機能を具備しない第2の画素と、第1および第2の画素の出力電圧に基づいて相関二重サンプリングを行い、画像信号を出力する相関二重サンプリング手段とを更に設ける。そして、相関二重サンプリング手段は、第1の画素の出力電圧を読み出した後にリセットを行う場合(リセットモード)は、リセットを行う前の第1の画素の出力電圧と、リセット時の第1の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行う。また、相関二重サンプリング手段は、第1の画素の出力電圧を読み出した後にリセットを行わない場合(コンティニュアスモード)は、第1の画素の出力電圧と、第2の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行う。   The present invention has a light receiving element that converts incident light into a current, and a MOS transistor that operates in a subthreshold region by applying a gate voltage that is equal to or lower than a threshold voltage and outputs a voltage obtained by logarithmically converting the current of the light receiving element. An image pickup unit including a plurality of first pixels, and an output voltage of the first pixel is reset to an initial value by applying a gate voltage exceeding a threshold voltage to the MOS transistor and a MOS transistor. In a solid-state imaging device having a reset circuit, correlated double sampling is performed based on output voltages of a second pixel that does not have a function of receiving incident light and the first and second pixels, and an image signal is output Correlated double sampling means. When the correlated double sampling means resets after reading the output voltage of the first pixel (reset mode), the output voltage of the first pixel before resetting and the first voltage at the time of resetting are reset. Correlated double sampling is performed based on the difference from the output voltage of the pixel. When the correlated double sampling means does not reset after reading the output voltage of the first pixel (continuous mode), the output voltage of the first pixel, the output voltage of the second pixel, Correlated double sampling is performed based on the difference between the two.

このようにすると、リセットがかかるリセットモードでは、通常どおり、第1の画素から読み出される時間的に前後した2つの電圧に対して相関二重サンプリングが行われる。一方、リセットがかからないコンティニュアスモードでは、第1の画素から読み出される電圧と、第2の画素から読み出される電圧に対して相関二重サンプリングが行われる。このため、コンティニュアスモードの場合に、リセット電圧が読み出せなくても、第2の画素の出力電圧を読み出し、これをリセット電圧の代わりに用いることで、相関二重サンプリングを行ってノイズの除去された画像信号を取り出すことができる。   In this manner, in the reset mode in which the reset is performed, the correlated double sampling is performed on the two voltages that are read out from the first pixel and are temporally shifted as usual. On the other hand, in the continuous mode that does not require resetting, correlated double sampling is performed on the voltage read from the first pixel and the voltage read from the second pixel. For this reason, in the continuous mode, even if the reset voltage cannot be read, the output voltage of the second pixel is read and used instead of the reset voltage, so that correlated double sampling is performed and the noise is reduced. The removed image signal can be taken out.

本発明では、所定数の第1の画素に対応して1つの第2の画素が設けられ、これらの各画素が共通の出力信号線に接続される構成を採用してもよい。これによると、コンティニュアスモードにおいて、所定数の第1の画素に対して、1つの第2の画素により相関二重サンプリングのための電圧が共通に生成されるので、第2の画素の数を少なくして構成を簡単にすることができる。   In the present invention, a configuration may be adopted in which one second pixel is provided corresponding to a predetermined number of first pixels, and each of these pixels is connected to a common output signal line. According to this, in the continuous mode, a voltage for correlated double sampling is generated in common by one second pixel for a predetermined number of first pixels, so the number of second pixels It is possible to simplify the configuration by reducing the number.

本発明の固体撮像装置によれば、リセットモードとコンティニュアスモードとが混在する場合、いずれのモードにおいても、同じ相関二重サンプリング手段を用いて相関二重サンプリングを行い、画像信号からノイズを除去することができる。   According to the solid-state imaging device of the present invention, when the reset mode and the continuous mode coexist, correlated double sampling is performed using the same correlated double sampling means in any mode, and noise is generated from the image signal. Can be removed.

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明に係る固体撮像装置の回路ブロック図である。固体撮像装置1は、撮像部90と、リセット回路10と、ダミー画素6、7と、相関二重サンプリング回路8、9とを備える。撮像部90は、行列状に配置された複数の画素2〜5(第1の画素)を備えている。説明を簡略にするため、ここでは撮像部90を2×2の行列としている。各画素は、後述するように、入射光を電流に変換するフォトダイオードと、その電流を電圧に変換するMOSトランジスタとを有する。リセット回路10は、リセット動作時に、各画素2〜5に閾値電圧を越える電圧を印加し、画素の出力電圧を初期値にリセットする。ダミー画素6、7(第2の画素)は、入射光を受光する機能を具備しない画素であって、後述するように、MOSトランジスタを有する。相関二重サンプリング回路8、9は、画素2〜5およびダミー画素6、7の出力電圧に基づいて相関二重サンプリングを行い、ノイズが除去された画像信号を出力する。ダミー画素6、7および相関二重サンプリング回路8、9は、1行分だけ設けられている。なお、アドレス信号に基づいて画素を選択するデコーダ等は図示を省略している。   FIG. 1 is a circuit block diagram of a solid-state imaging device according to the present invention. The solid-state imaging device 1 includes an imaging unit 90, a reset circuit 10, dummy pixels 6 and 7, and correlated double sampling circuits 8 and 9. The imaging unit 90 includes a plurality of pixels 2 to 5 (first pixels) arranged in a matrix. In order to simplify the description, the imaging unit 90 is a 2 × 2 matrix here. As will be described later, each pixel includes a photodiode that converts incident light into a current, and a MOS transistor that converts the current into a voltage. The reset circuit 10 applies a voltage exceeding the threshold voltage to each of the pixels 2 to 5 during the reset operation, and resets the output voltage of the pixel to an initial value. The dummy pixels 6 and 7 (second pixels) are pixels that do not have a function of receiving incident light, and have MOS transistors as will be described later. The correlated double sampling circuits 8 and 9 perform correlated double sampling based on the output voltages of the pixels 2 to 5 and the dummy pixels 6 and 7 and output an image signal from which noise has been removed. The dummy pixels 6 and 7 and the correlated double sampling circuits 8 and 9 are provided for one row. Note that a decoder or the like that selects a pixel based on an address signal is not shown.

各画素2〜5には、行方向のリセット信号線11、21、読み出し信号線12、22、電圧供給線13、23と、列方向の出力信号線41、42とが接続されている。リセット回路10は、リセット信号線11、21に、上述した閾値電圧を越える電圧をリセット信号として出力する。ダミー画素6、7には、制御信号線31、読み出し信号線32および出力信号線41、42が接続されている。相関二重サンプリング回路8、9には、出力信号線41、42、制御信号線51、52、53および出力信号線61、62が接続されている。   To each of the pixels 2 to 5, reset signal lines 11 and 21 in the row direction, readout signal lines 12 and 22, voltage supply lines 13 and 23, and output signal lines 41 and 42 in the column direction are connected. The reset circuit 10 outputs a voltage exceeding the above-described threshold voltage to the reset signal lines 11 and 21 as a reset signal. A control signal line 31, a read signal line 32, and output signal lines 41 and 42 are connected to the dummy pixels 6 and 7. Output signal lines 41, 42, control signal lines 51, 52, 53 and output signal lines 61, 62 are connected to the correlated double sampling circuits 8, 9.

本実施形態では、同じ列の複数の画素2、4に対応して1つのダミー画素6が設けられ、これらの画素2、4、6は共通の出力信号線41に接続されている。また、同じ列の複数の画素3、5に対応して1つのダミー画素7が設けられ、これらの画素3、5、7は共通の出力信号線42に接続されている。   In the present embodiment, one dummy pixel 6 is provided corresponding to a plurality of pixels 2, 4 in the same column, and these pixels 2, 4, 6 are connected to a common output signal line 41. One dummy pixel 7 is provided corresponding to the plurality of pixels 3, 5 in the same column, and these pixels 3, 5, 7 are connected to a common output signal line 42.

図2は、1画素(単位画素)の回路図である。ここでは、画素2の構成を述べるが、他の画素3〜5の構成も同様である。画素2は、MOSトランジスタ(以下、単にトランジスタという)Tr1、Tr2、Tr3と、フォトダイオードPDとを備えている。トランジスタTr1のドレインは図1の電圧供給線13に接続され、ゲートはリセット信号線11に接続される。トランジスタTr1のソースは、フォトダイオードPDのカソードに接続されている。フォトダイオードPDのアノードは、グランドに接続されている。トランジスタTr2のゲートはフォトダイオードPDのカソードに接続されており、ソースはトランジスタTr3のドレインに接続されている。トランジスタTr2のドレインには、電源VDDが供給される。トランジスタTr3のソースは出力信号線41に接続され、ゲートは読み出し信号線12に接続される。   FIG. 2 is a circuit diagram of one pixel (unit pixel). Here, the configuration of the pixel 2 will be described, but the configurations of the other pixels 3 to 5 are the same. The pixel 2 includes MOS transistors (hereinafter simply referred to as transistors) Tr1, Tr2, Tr3, and a photodiode PD. The drain of the transistor Tr1 is connected to the voltage supply line 13 in FIG. 1, and the gate is connected to the reset signal line 11. The source of the transistor Tr1 is connected to the cathode of the photodiode PD. The anode of the photodiode PD is connected to the ground. The gate of the transistor Tr2 is connected to the cathode of the photodiode PD, and the source is connected to the drain of the transistor Tr3. The power supply VDD is supplied to the drain of the transistor Tr2. The source of the transistor Tr3 is connected to the output signal line 41, and the gate is connected to the read signal line 12.

画素2は対数変換型画素であり、線形変換型画素に比べてダイナミックレンジが広い。受光素子であるフォトダイオードPDには、入射光の光量に応じたフォト電流が流れる。このとき、電圧変換素子であるトランジスタTr1のゲート電圧を閾値電圧以下としておくと、トランジスタTr1は、ドレイン・ソース間が高インピーダンスとなるサブスレショールド領域で動作し、トランジスタTr1にはフォト電流と同量のサブスレショールド電流が流れる。これにより、フォトダイオードPDのカソードの電位Vは、フォト電流に応じた電位に安定する。このカソード電位Vは、フォト電流を対数変換した電位となる。カソード電位Vは、トランジスタTr2により増幅される。そして、読み出し信号線12に与えた読み出し信号によりトランジスタTr3をオンさせると、入射光量に応じた電圧が出力信号線41に出力される。   The pixel 2 is a logarithmic conversion type pixel and has a wider dynamic range than the linear conversion type pixel. A photocurrent corresponding to the amount of incident light flows through the photodiode PD as a light receiving element. At this time, if the gate voltage of the transistor Tr1, which is a voltage conversion element, is set to be equal to or lower than the threshold voltage, the transistor Tr1 operates in a subthreshold region where the drain-source has a high impedance, and the transistor Tr1 has the same photocurrent. An amount of subthreshold current flows. Thereby, the potential V of the cathode of the photodiode PD is stabilized at a potential corresponding to the photocurrent. The cathode potential V is a potential obtained by logarithmically converting the photocurrent. The cathode potential V is amplified by the transistor Tr2. When the transistor Tr <b> 3 is turned on by the read signal applied to the read signal line 12, a voltage corresponding to the amount of incident light is output to the output signal line 41.

一方、トランジスタTr1のゲートに閾値電圧を超える電圧、すなわちリセット信号を与えると、トランジスタTr1は、ドレイン・ソース間が低インピーダンスとなる飽和領域で動作する。このため、フォトダイオードPDの入射光量に関係なく、フォトダイオードPDのカソードの電位Vは電圧供給線13の電位とほぼ等しくなり、この値に固定される。したがって、このとき出力信号線41に出力される電圧は一定値となり、この電圧が1フレームにおける画素の初期電圧、すなわちリセット電圧となる。   On the other hand, when a voltage exceeding the threshold voltage, that is, a reset signal is applied to the gate of the transistor Tr1, the transistor Tr1 operates in a saturation region where the drain-source impedance is low. For this reason, regardless of the amount of incident light of the photodiode PD, the potential V of the cathode of the photodiode PD becomes substantially equal to the potential of the voltage supply line 13 and is fixed to this value. Therefore, the voltage output to the output signal line 41 at this time becomes a constant value, and this voltage becomes the initial voltage of the pixel in one frame, that is, the reset voltage.

図3は、ダミー画素の回路図である。ここでは、ダミー画素6の構成を述べるが、ダミー画素7の構成も同様である。ダミー画素6は、MOSトランジスタ(以下、単にトランジスタという)Tr4、Tr5を備えている。トランジスタTr4のドレインには電源VDDが供給される。トランジスタTr4のゲートは制御信号線31に接続される。トランジスタTr4のソースは、トランジスタTr5のドレインに接続されている。トランジスタTr5のゲートは読み出し信号線32に接続され、ソースは出力信号線41に接続される。   FIG. 3 is a circuit diagram of a dummy pixel. Although the configuration of the dummy pixel 6 is described here, the configuration of the dummy pixel 7 is the same. The dummy pixel 6 includes MOS transistors (hereinafter simply referred to as transistors) Tr4 and Tr5. The power supply VDD is supplied to the drain of the transistor Tr4. The gate of the transistor Tr4 is connected to the control signal line 31. The source of the transistor Tr4 is connected to the drain of the transistor Tr5. The gate of the transistor Tr5 is connected to the read signal line 32, and the source is connected to the output signal line 41.

トランジスタTr4のゲートに制御信号線31よりハイレベル信号が印加されている状態で、トランジスタTr5のゲートに読み出し信号線32より読み出し信号が与えられると、トランジスタTr4およびTr5を介して出力信号線41に、VDDとほぼ等しい電圧が出力される。この電圧は、出力信号線41に接続されている相関二重サンプリング回路8に、リファレンス電圧として与えられる。   When a read signal is supplied from the read signal line 32 to the gate of the transistor Tr5 while a high level signal is applied from the control signal line 31 to the gate of the transistor Tr4, the output signal line 41 is passed through the transistors Tr4 and Tr5. , A voltage substantially equal to VDD is output. This voltage is given as a reference voltage to the correlated double sampling circuit 8 connected to the output signal line 41.

図4は、相関二重サンプリング回路の回路図である。ここでは、相関二重サンプリング回路8の構成を述べるが、相関二重サンプリング回路9の構成も同様である。相関二重サンプリング回路8は、MOSトランジスタ(以下、単にトランジスタという)Tr6〜Tr9と、コンデンサC1、C2と、差動演算増幅器(以下、オペアンプという)OPとを備えている。トランジスタTr6のゲートは制御信号線51に、トランジスタTr7のゲートは制御信号線52に、それぞれ接続される。トランジスタTr6のドレインとトランジスタTr7のドレインとが接続されており、その接続点は出力信号線41に接続される。   FIG. 4 is a circuit diagram of a correlated double sampling circuit. Although the configuration of the correlated double sampling circuit 8 will be described here, the configuration of the correlated double sampling circuit 9 is the same. The correlated double sampling circuit 8 includes MOS transistors (hereinafter simply referred to as transistors) Tr6 to Tr9, capacitors C1 and C2, and a differential operational amplifier (hereinafter referred to as an operational amplifier) OP. The gate of the transistor Tr6 is connected to the control signal line 51, and the gate of the transistor Tr7 is connected to the control signal line 52. The drain of the transistor Tr6 and the drain of the transistor Tr7 are connected, and the connection point is connected to the output signal line 41.

トランジスタTr6のソースはトランジスタTr8のドレインに接続されており、その接続点にサンプルホールド用のコンデンサC1の一端が接続されている。コンデンサC1の他端はグランドに接続されている。また、トランジスタTr7のソースはトランジスタTr9のドレインに接続されており、その接続点にサンプルホールド用のコンデンサC2の一端が接続されている。コンデンサC2の他端はグランドに接続されている。トランジスタTr8のゲートはトランジスタTr9のゲートに接続され、その接続点は制御信号線53に接続される。   The source of the transistor Tr6 is connected to the drain of the transistor Tr8, and one end of a sample and hold capacitor C1 is connected to the connection point. The other end of the capacitor C1 is connected to the ground. The source of the transistor Tr7 is connected to the drain of the transistor Tr9, and one end of a sample and hold capacitor C2 is connected to the connection point. The other end of the capacitor C2 is connected to the ground. The gate of the transistor Tr8 is connected to the gate of the transistor Tr9, and the connection point is connected to the control signal line 53.

トランジスタTr8のソースはオペアンプOPの正入力端子に接続され、トランジスタTr9のソースはオペアンプOPの負入力端子に接続されている。オペアンプOPの出力端子は出力信号線61に接続される。相関二重サンプリング回路8の動作については、後述する。   The source of the transistor Tr8 is connected to the positive input terminal of the operational amplifier OP, and the source of the transistor Tr9 is connected to the negative input terminal of the operational amplifier OP. The output terminal of the operational amplifier OP is connected to the output signal line 61. The operation of the correlated double sampling circuit 8 will be described later.

図5は、リセットモード時の主要信号のタイミングチャートである。ここでは、信号線21、22、51〜53(図1)の信号を表しており、以下では画素4、5を対象とした説明を行うが、信号線11、12と画素2、3についても動作は同様である。   FIG. 5 is a timing chart of main signals in the reset mode. Here, the signals of the signal lines 21, 22, 51 to 53 (FIG. 1) are shown. In the following description, the pixels 4 and 5 are described, but the signal lines 11 and 12 and the pixels 2 and 3 are also described. The operation is similar.

時刻t1において、前回のリセット動作が終了し、リセット回路10からのリセット信号aが停止すると、リセット信号線21はハイレベルからローレベルになる。そして、時刻t1から時間T経過後の時刻t2において、リセット回路10より再びリセット信号bが出力され、リセット信号線21がローレベルからハイレベルになる。t1からt2までの間(時間T)は、フォトダイオードPDで光電変換された電荷(フォトチャージ)の蓄積時間である。   At time t1, when the previous reset operation is completed and the reset signal a from the reset circuit 10 is stopped, the reset signal line 21 is changed from the high level to the low level. Then, at time t2 after the elapse of time T from time t1, the reset signal b is output again from the reset circuit 10, and the reset signal line 21 changes from low level to high level. A period from time t1 to time t2 (time T) is an accumulation time of charges (photocharge) photoelectrically converted by the photodiode PD.

リセットがかかる時刻t2の直前に、読み出し信号線22に読み出し信号cが与えられ、画素4、5のフォトチャージに基づく出力電圧(フォトチャージ電圧)が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線51に制御信号dが与えられ、相関二重サンプリング回路8、9のトランジスタTr6(図4)が導通状態となる。これにより、画素4、5から読み出されたフォトチャージ電圧が、相関二重サンプリング回路8、9のサンプルホールド用コンデンサC1に保持される。   Immediately before the time t2 when the reset is performed, the read signal c is given to the read signal line 22, and the output voltage (photocharge voltage) based on the photocharge of the pixels 4 and 5 is read. At the same timing, the control signal d is given to the control signal line 51, and the transistors Tr6 (FIG. 4) of the correlated double sampling circuits 8 and 9 are turned on. As a result, the photocharge voltage read from the pixels 4 and 5 is held in the sample and hold capacitor C1 of the correlated double sampling circuits 8 and 9.

次に、時刻t3において、リセット動作が終了し、リセット回路10からのリセット信号bが停止すると、リセット信号線21はハイレベルからローレベルになる。時刻t3の直前に、読み出し信号線22に読み出し信号eが与えられ、画素4、5のリセットに基づく出力電圧(リセット電圧)が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線52に制御信号fが与えられ、相関二重サンプリング回路8、9のトランジスタTr7(図4)が導通状態となる。これにより、画素4、5から読み出されたリセット電圧が、相関二重サンプリング回路8、9のサンプルホールド用コンデンサC2に保持される。そして、時刻t3において、制御信号線53に制御信号gが与えられ、制御信号線53がローレベルからハイレベルとなる。これにより、相関二重サンプリング回路8、9のトランジスタTr8およびTr9が導通状態となり、オペアンプOPは、コンデンサC1に蓄積された電荷(フォトチャージ電圧)と、コンデンサC2に蓄積された電荷(リセット電圧)との差を演算する。そして、この差が画像信号として出力信号線61、62に出力される。   Next, at time t3, when the reset operation is completed and the reset signal b from the reset circuit 10 is stopped, the reset signal line 21 is changed from the high level to the low level. Immediately before time t3, a read signal e is given to the read signal line 22, and an output voltage (reset voltage) based on reset of the pixels 4 and 5 is read. At the same timing, the control signal f is given to the control signal line 52, and the transistors Tr7 (FIG. 4) of the correlated double sampling circuits 8 and 9 are turned on. As a result, the reset voltage read from the pixels 4 and 5 is held in the sample and hold capacitor C2 of the correlated double sampling circuits 8 and 9. At time t3, the control signal g is supplied to the control signal line 53, and the control signal line 53 changes from the low level to the high level. As a result, the transistors Tr8 and Tr9 of the correlated double sampling circuits 8 and 9 are turned on, and the operational amplifier OP has the charge accumulated in the capacitor C1 (photo charge voltage) and the charge accumulated in the capacitor C2 (reset voltage). The difference between and is calculated. This difference is output to the output signal lines 61 and 62 as an image signal.

以上のようなリセットモード時には、ダミー画素6、7の読み出し信号線32は、常にローレベル状態を保っている。   In the reset mode as described above, the read signal lines 32 of the dummy pixels 6 and 7 are always kept at a low level.

図6は、リセットモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図であり、図5の読み出し信号cによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、画素4、5からフォトチャージ電圧Vpが出力信号線41、42を介して相関二重サンプリング回路8、9に転送される。   FIG. 6 is a diagram showing a read route of the photocharge voltage in the reset mode, and corresponds to reading by the read signal c in FIG. As indicated by thick arrows, the photocharge voltage Vp is transferred from the pixels 4 and 5 to the correlated double sampling circuits 8 and 9 via the output signal lines 41 and 42.

図7は、リセットモードにおけるリセット電圧の読み出しルートを示す図であり、図5の読み出し信号eによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、画素4、5からリセット電圧Vrが出力信号線41、42を介して相関二重サンプリング回路8、9に転送される。   FIG. 7 is a diagram showing a read route of the reset voltage in the reset mode, and corresponds to reading by the read signal e in FIG. As indicated by thick arrows, the reset voltage Vr is transferred from the pixels 4 and 5 to the correlated double sampling circuits 8 and 9 via the output signal lines 41 and 42.

こうして、リセットモードにおいては、相関二重サンプリング回路8、9は、通常どおり、リセットを行う前の画素4、5の出力電圧(フォトチャージ電圧Vp)と、リセット時の画素4、5の出力電圧(リセット電圧Vr)との差に基づいて相関二重サンプリングを行い、ノイズが除去された画像信号を出力する。   Thus, in the reset mode, the correlated double sampling circuits 8 and 9 normally output the output voltage (photocharge voltage Vp) of the pixels 4 and 5 before resetting, and the output voltage of the pixels 4 and 5 at the time of reset, as usual. Correlated double sampling is performed based on the difference from (reset voltage Vr), and an image signal from which noise has been removed is output.

次に、コンティニュアスモードの場合の動作を説明する。図8は、コンティニュアスモード時の主要信号のタイミングチャートである。ここでは、信号線21、22、51〜53、32(図1)の信号を表しており、以下では画素4、5を対象とした説明を行うが、信号線11、12と画素2、3についても動作は同様である。   Next, the operation in the continuous mode will be described. FIG. 8 is a timing chart of main signals in the continuous mode. Here, the signals of the signal lines 21, 22, 51 to 53, and 32 (FIG. 1) are shown. In the following description, the pixels 4 and 5 will be described. The operation is the same as for.

コンティニュアスモードではリセットがかからないため、リセット信号線21は常にローレベル状態を保つ。また、画素4、5のフォトチャージ電圧は、どのタイミングでも読み出すことができる。図8では、時刻t4の直前に、読み出し信号線22に読み出し信号hが与えられ、画素4、5のフォトチャージ電圧が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線51に制御信号iが与えられ、相関二重サンプリング回路8、9のトランジスタTr6(図4)が導通状態となる。これにより、画素4、5から読み出されたフォトチャージ電圧が、相関二重サンプリング回路8、9のサンプルホールド用コンデンサC1に保持される。   Since reset is not applied in the continuous mode, the reset signal line 21 always maintains a low level state. Further, the photocharge voltage of the pixels 4 and 5 can be read out at any timing. In FIG. 8, immediately before time t4, a read signal h is applied to the read signal line 22, and the photocharge voltages of the pixels 4 and 5 are read. At the same timing, the control signal i is given to the control signal line 51, and the transistors Tr6 (FIG. 4) of the correlated double sampling circuits 8 and 9 are turned on. As a result, the photocharge voltage read from the pixels 4 and 5 is held in the sample and hold capacitor C1 of the correlated double sampling circuits 8 and 9.

次に、時刻t5の直前において、読み出し信号線32に読み出し信号jが与えられ、ダミー画素6の出力電圧(リファレンス電圧)が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線52に制御信号kが与えられ、相関二重サンプリング回路8、9のトランジスタTr7(図4)が導通状態となる。これにより、ダミー画素6から読み出されたリファレンス電圧が、相関二重サンプリング回路8、9のサンプルホールド用コンデンサC2に保持される。そして、時刻t5において、制御信号線53に制御信号mが与えられ、制御信号線53がローレベルからハイレベルとなる。これにより、相関二重サンプリング回路8、9のトランジスタTr8およびTr9が導通状態となり、オペアンプOPは、コンデンサC1に蓄積された電荷(フォトチャージ電圧)と、コンデンサC2に蓄積された電荷(リファレンス電圧)との差を演算する。そして、この差が画像信号として出力信号線61、62に出力される。   Next, immediately before time t5, the read signal j is given to the read signal line 32, and the output voltage (reference voltage) of the dummy pixel 6 is read. At the same timing, the control signal k is applied to the control signal line 52, and the transistors Tr7 (FIG. 4) of the correlated double sampling circuits 8 and 9 are turned on. As a result, the reference voltage read from the dummy pixel 6 is held in the sample and hold capacitor C2 of the correlated double sampling circuits 8 and 9. At time t5, the control signal m is supplied to the control signal line 53, and the control signal line 53 changes from the low level to the high level. As a result, the transistors Tr8 and Tr9 of the correlated double sampling circuits 8 and 9 become conductive, and the operational amplifier OP has the charge (photo charge voltage) accumulated in the capacitor C1 and the charge (reference voltage) accumulated in the capacitor C2. The difference between and is calculated. This difference is output to the output signal lines 61 and 62 as an image signal.

図9は、コンティニュアスモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図であり、図8の読み出し信号hによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、画素4、5からフォトチャージ電圧Vpが出力信号線41、42を介して相関二重サンプリング回路8、9に転送される。なお、この読み出しルートは、リセットモード時のフォトチャージ電圧の読み出しルート(図6)と同じである。   FIG. 9 is a diagram showing a read route of the photocharge voltage in the continuous mode, and corresponds to reading by the read signal h in FIG. As indicated by thick arrows, the photocharge voltage Vp is transferred from the pixels 4 and 5 to the correlated double sampling circuits 8 and 9 via the output signal lines 41 and 42. This readout route is the same as the readout route for the photocharge voltage in the reset mode (FIG. 6).

図10は、コンティニュアスモードにおけるリファレンス電圧の読み出しルートを示す図であり、図8の読み出し信号jによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、ダミー画素6、7からリファレンス電圧Vfが出力信号線41、42を介して相関二重サンプリング回路8、9に転送される。   FIG. 10 is a diagram showing a read route of the reference voltage in the continuous mode, and corresponds to reading by the read signal j in FIG. As indicated by thick arrows, the reference voltage Vf is transferred from the dummy pixels 6 and 7 to the correlated double sampling circuits 8 and 9 via the output signal lines 41 and 42.

こうして、コンティニュアスモードにおいては、相関二重サンプリング回路8、9は、画素4、5のフォトチャージ電圧Vpと、ダミー画素6、7のリファレンス電圧Vfとの差に基づいて相関二重サンプリングを行い、ノイズが除去された画像信号を出力する。   Thus, in the continuous mode, the correlated double sampling circuits 8 and 9 perform correlated double sampling based on the difference between the photocharge voltage Vp of the pixels 4 and 5 and the reference voltage Vf of the dummy pixels 6 and 7. And output an image signal from which noise has been removed.

以上のように、上述した実施形態においては、リセットモードでは、通常どおり、画素2〜5から読み出される時間的に前後したフォトチャージ電圧Vpおよびリセット電圧Vrに対して相関二重サンプリングが行われ、コンティニュアスモードでは、画素2〜5から読み出されるフォトチャージ電圧Vpと、ダミー画素6、7から読み出されるリファレンス電圧Vfに対して相関二重サンプリングが行われる。このため、コンティニュアスモードの場合に、リセット電圧が読み出せなくても、ダミー画素6、7のリファレンス電圧Vfを読み出し、これをリセット電圧の代わりに用いることで、相関二重サンプリングを行ってノイズの除去された画像信号を取り出すことができる。したがって、リセットモードとコンティニュアスモードとが混在する場合、いずれのモードにおいても、同じ相関二重サンプリング回路8、9を用いて相関二重サンプリングを行い、画像信号からノイズを除去することができる。   As described above, in the above-described embodiment, in the reset mode, the correlated double sampling is performed on the photocharge voltage Vp and the reset voltage Vr that are read out from the pixels 2 to 5 and that are read in time, as usual, In the continuous mode, correlated double sampling is performed on the photocharge voltage Vp read from the pixels 2 to 5 and the reference voltage Vf read from the dummy pixels 6 and 7. Therefore, in the case of the continuous mode, even if the reset voltage cannot be read, the reference voltage Vf of the dummy pixels 6 and 7 is read and used in place of the reset voltage, thereby performing correlated double sampling. An image signal from which noise has been removed can be taken out. Therefore, when the reset mode and the continuous mode coexist, the correlated double sampling is performed using the same correlated double sampling circuits 8 and 9 in any mode, and noise can be removed from the image signal. .

また、上述した実施形態においては、同じ列の画素2、4に対応して1つのダミー画素6を設け、これらを共通の出力信号線41に接続するとともに、同じ列の画素3、5に対応して1つのダミー画素7を設け、これらを共通の出力信号線42に接続している。このため、複数の画素に対して、コンティニュアスモードにおけるリファレンス電圧を1つのダミー画素により共通に生成することができるので、ダミー画素の数が少なくなって構成が簡単になる。   In the above-described embodiment, one dummy pixel 6 is provided corresponding to the pixels 2 and 4 in the same column, and these are connected to the common output signal line 41 and correspond to the pixels 3 and 5 in the same column. One dummy pixel 7 is provided and connected to a common output signal line 42. For this reason, since the reference voltage in the continuous mode can be generated in common by one dummy pixel for a plurality of pixels, the number of dummy pixels is reduced and the configuration is simplified.

本発明では、以上述べた以外にも種々の実施形態を採用することができる。例えば、上記実施形態では、ダミー画素は1行で構成したが、ダミー画素の行数は複数にしてもよい。これにより、各画素を構成する素子の特性のばらつきによる影響を小さくできる。また、ダミー画素の構成としては、通常の画素と同じ回路を用いて、受光部を遮光しておく構成にしてもよい。   In the present invention, various embodiments other than those described above can be adopted. For example, in the above embodiment, the dummy pixels are configured by one row, but the number of rows of dummy pixels may be plural. Thereby, the influence by the dispersion | variation in the characteristic of the element which comprises each pixel can be made small. As a configuration of the dummy pixel, the light receiving unit may be shielded from light using the same circuit as the normal pixel.

さらに、上記実施形態以外の処理を追加してもよく、固体撮像装置のブロック構成や回路構成も上記実施形態に限定されるものではない。   Furthermore, processing other than the above embodiment may be added, and the block configuration and circuit configuration of the solid-state imaging device are not limited to the above embodiment.

本発明に係る固体撮像装置の回路ブロック図である。1 is a circuit block diagram of a solid-state imaging device according to the present invention. 1画素(単位画素)の回路図である。It is a circuit diagram of 1 pixel (unit pixel). ダミー画素の回路図である。It is a circuit diagram of a dummy pixel. 相関二重サンプリング回路の回路図である。It is a circuit diagram of a correlated double sampling circuit. リセットモードにおける主要信号のタイミングチャートである。It is a timing chart of the main signal in reset mode. リセットモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図である。It is a figure which shows the read-out route of the photo charge voltage in reset mode. リセットモードにおけるリセット電圧の読み出しルートを示す図である。It is a figure which shows the read route of the reset voltage in reset mode. コンティニュアスモードにおける主要信号のタイミングチャートである。It is a timing chart of the main signal in a continuous mode. コンティニュアスモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図である。It is a figure which shows the read-out route | root of the photocharge voltage in a continuous mode. コンティニュアスモードにおけるリファレンス電圧の読み出しルートを示す図である。It is a figure which shows the read-out route | root of the reference voltage in a continuous mode.

符号の説明Explanation of symbols

1 固体撮像装置
2〜5 画素
6、7 ダミー画素
8、9 相関二重サンプリング回路
10 リセット回路
11、21 リセット信号線
12、22 読み出し信号線
13、23 電圧供給線
31 制御信号線
32 読み出し信号線
41、42 出力信号線
51、52、53 制御信号線
61、62 出力信号線
90 撮像部
Tr1 MOSトランジスタ
PD フォトダイオード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solid-state imaging device 2-5 Pixel 6, 7 Dummy pixel 8, 9 Correlated double sampling circuit 10 Reset circuit 11, 21 Reset signal line 12, 22 Read signal line 13, 23 Voltage supply line 31 Control signal line 32 Read signal line 41, 42 Output signal line 51, 52, 53 Control signal line 61, 62 Output signal line 90 Imaging unit Tr1 MOS transistor PD Photodiode

Claims (2)

入射光を電流に変換する受光素子、および、閾値電圧以下のゲート電圧の印加によりサブスレショールド領域で動作して、前記受光素子の電流を対数変換した電圧を出力するMOSトランジスタを有する第1の画素を複数備え、これらの画素が行列状に配置された撮像部と、
前記MOSトランジスタに前記閾値電圧を超えるゲート電圧を印加することにより、前記第1の画素の出力電圧を初期値にリセットするリセット回路と、を備えた固体撮像装置において、
入射光を受光する機能を具備しない第2の画素と、
前記第1および第2の画素の出力電圧に基づいて相関二重サンプリングを行い、画像信号を出力する相関二重サンプリング手段と、を更に備え、
前記相関二重サンプリング手段は、
前記第1の画素の出力電圧を読み出した後に前記リセットを行う場合は、リセットを行う前の第1の画素の出力電圧と、リセット時の第1の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行い、
前記第1の画素の出力電圧を読み出した後に前記リセットを行わない場合は、前記第1の画素の出力電圧と、前記第2の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行う
ことを特徴とする固体撮像装置。
A first light-receiving element that converts incident light into a current, and a MOS transistor that operates in a subthreshold region by applying a gate voltage equal to or lower than a threshold voltage and outputs a voltage obtained by logarithmically converting the current of the light-receiving element. An imaging unit including a plurality of pixels, and these pixels are arranged in a matrix;
In a solid-state imaging device comprising: a reset circuit that resets an output voltage of the first pixel to an initial value by applying a gate voltage exceeding the threshold voltage to the MOS transistor;
A second pixel having no function of receiving incident light;
Correlated double sampling means for performing correlated double sampling based on the output voltages of the first and second pixels and outputting an image signal;
The correlated double sampling means includes
When the reset is performed after reading the output voltage of the first pixel, the correlation is based on the difference between the output voltage of the first pixel before the reset and the output voltage of the first pixel at the time of reset. Do double sampling,
When the reset is not performed after the output voltage of the first pixel is read, correlated double sampling is performed based on the difference between the output voltage of the first pixel and the output voltage of the second pixel. A solid-state imaging device.
請求項1に記載の固体撮像装置において、
所定数の第1の画素に対応して1つの第2の画素が設けられ、これらの各画素が共通の出力信号線に接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
The solid-state imaging device according to claim 1,
A solid-state imaging device, wherein one second pixel is provided corresponding to a predetermined number of first pixels, and each of these pixels is connected to a common output signal line.
JP2008124482A 2008-05-12 2008-05-12 Solid-state imaging device Pending JP2009278149A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008124482A JP2009278149A (en) 2008-05-12 2008-05-12 Solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008124482A JP2009278149A (en) 2008-05-12 2008-05-12 Solid-state imaging device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009278149A true JP2009278149A (en) 2009-11-26

Family

ID=41443208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008124482A Pending JP2009278149A (en) 2008-05-12 2008-05-12 Solid-state imaging device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009278149A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016019090A (en) * 2014-07-07 2016-02-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solid-state image pickup device
JP2019022095A (en) * 2017-07-18 2019-02-07 株式会社リコー Photoelectric conversion device, imaging apparatus, and photoelectric conversion method
JP2019041419A (en) * 2018-12-13 2019-03-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solid-state image pickup device
CN110211508A (en) * 2019-05-31 2019-09-06 上海天马微电子有限公司 Display panel and display device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016019090A (en) * 2014-07-07 2016-02-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solid-state image pickup device
JP2019022095A (en) * 2017-07-18 2019-02-07 株式会社リコー Photoelectric conversion device, imaging apparatus, and photoelectric conversion method
JP2019041419A (en) * 2018-12-13 2019-03-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solid-state image pickup device
CN110211508A (en) * 2019-05-31 2019-09-06 上海天马微电子有限公司 Display panel and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7741593B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
JP4185949B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging device
US10194103B2 (en) Solid-state imaging device and method of driving solid-state imaging device with clipping level set according to transfer operation frequency
JP4277339B2 (en) Active pixel sensor readout channel
US8199235B2 (en) Image sensing device and imaging system
JP5074808B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
US8319869B2 (en) Solid-state imaging device
JP6321182B2 (en) Pixel circuit having photodiode biased with constant voltage and associated imaging method
US20060261251A1 (en) In-pixel kTC noise suppression using circuit techniques
US20100039543A1 (en) Solid-state image sensor and driving method thereof, and image sensor
US8023022B2 (en) Solid-state imaging apparatus
WO2013092666A1 (en) Photoarray, particularly for combining sampled brightness sensing with asynchronous detection of time-dependent image data
JP5012188B2 (en) Solid-state imaging device
JP2008017288A (en) Photoelectric conversion circuit, and solid-state imaging apparatus using this
JP4770618B2 (en) Solid-state imaging device
JP2011023986A (en) Imaging device and control method for the same
US20100289932A1 (en) Solid-state imaging device
US8948584B2 (en) Photoelectric conversion device and camera system
US10811448B2 (en) Solid-state imaging device
JP2009278149A (en) Solid-state imaging device
US20110134272A1 (en) Photoelectric-conversion device
JP2004356866A (en) Imaging apparatus
JP2003259223A (en) Image pickup system
JP3011207B1 (en) Image sensor
JP2006148455A (en) Solid imaging apparatus