JP2009278077A - Organic electroluminescence element material, composition for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, organic el display, and organic el illumination - Google Patents

Organic electroluminescence element material, composition for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, organic el display, and organic el illumination Download PDF

Info

Publication number
JP2009278077A
JP2009278077A JP2009099123A JP2009099123A JP2009278077A JP 2009278077 A JP2009278077 A JP 2009278077A JP 2009099123 A JP2009099123 A JP 2009099123A JP 2009099123 A JP2009099123 A JP 2009099123A JP 2009278077 A JP2009278077 A JP 2009278077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
ring
organic
organic electroluminescent
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009099123A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5444802B2 (en
Inventor
Hidetaka Goromaru
英貴 五郎丸
Atsushi Takahashi
敦史 高橋
Masayoshi Yabe
昌義 矢部
Ichiro Imada
一郎 今田
Wataru Shimizu
渡 清水
Tomomi Okamoto
智美 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2009099123A priority Critical patent/JP5444802B2/en
Publication of JP2009278077A publication Critical patent/JP2009278077A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5444802B2 publication Critical patent/JP5444802B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence element material which is soluble in various solvents and forms an organic layer of an organic electroluminescence element by a wet film formation process to allow manufacturing of the organic electroluminescence element having a low driving voltage and a sufficient lifetime. <P>SOLUTION: The organic electroluminescence element material is used for the organic layer formed by the wet film formation process, of the organic electroluminescence element and comprises a compound represented by a formula (1) wherein: Ar<SP>1</SP>is an aromatic ring which may have a substituent and has ≤30 carbon atoms; a ring A is an aromatic ring which may have a substituent and has ≤30 carbon atoms; Ar<SP>1</SP>is coupled to an ortho position with respect to a coupling position of an anthracene ring to the ring A; L<SP>1</SP>is an aromatic ring which may have a substituent and has ≤50 carbon atoms, or an atom group of linking aromatic rings; and an anthracene ring and a pyrene ring to which the L<SP>1</SP>is coupled may have substituents. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子材料および有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイおよび有機EL照明に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element material and an organic electroluminescent element composition used for forming an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film formation method, and a wet process using the organic electroluminescent element composition. The present invention relates to an organic electroluminescent element having an organic layer formed by a film forming method, an organic EL display using the organic electroluminescent element, and organic EL illumination.

近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを設けて形成され、各層に適した材料が開発されつつある。また、有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。
しかしながら、青色有機電界発光素子については、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものが実現されておらず、フルカラーディスプレイ用途への適用には制約があるという課題があった。
In recent years, as a thin film type electroluminescent element, an organic electroluminescent element using an organic thin film has been developed instead of using an inorganic material. Organic electroluminescent devices are usually formed by providing a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, etc. between the anode and the cathode, and materials suitable for each layer are being developed. . In addition, the light emission colors of organic electroluminescent elements are being developed in red, green, and blue, respectively.
However, blue organic electroluminescent elements have not been satisfactory in terms of efficiency, life, and heat resistance, and there is a problem that application to full color display is limited.

有機電界発光素子の各構成層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法がある。このうち、真空蒸着法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。   As a method for forming each constituent layer of the organic electroluminescent element, there are a vacuum vapor deposition method and a wet film formation method. Among these, the vacuum deposition method has a problem in terms of yield when manufacturing a medium- or large-sized full-color panel for a television or a monitor. Therefore, the wet film-forming method is suitable for these large area applications.

しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の有機層を形成するためには、有機層を形成する材料が溶媒に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子の構成層として要求される高い性能を有することが望まれる。しかし、従来開発されている湿式成膜法用材料であっても、このような湿式成膜法に要求される条件を満たさないものが多かった。   However, in order to form an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film formation method, the material for forming the organic layer is dissolved in a solvent, and the high performance required as a component layer of the element after the wet film formation is achieved. It is desirable to have. However, even materials that have been conventionally developed for wet film forming methods often do not satisfy the conditions required for such wet film forming methods.

例えば、特許文献1では、下記式で示される材料を用いて、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses an element manufactured by a wet film formation method using a material represented by the following formula.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

また、特許文献2には、下記式で示される材料を用い、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。   Patent Document 2 discloses an element manufactured by a wet film forming method using a material represented by the following formula.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

しかしながら、これらの材料は、溶媒に対する溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない上に、素子に用いても駆動電圧が高かったり、十分な寿命が得られないなどの問題があった。   However, these materials do not satisfy the physical properties required in the process of wet film formation such as solubility in solvents and heat resistance, and the driving voltage is high or sufficient life is not obtained even when used for an element. There were problems such as.

国際公開2006/070712号パンフレットInternational Publication No. 2006/070712 Pamphlet 特開2004−224766号公報JP 2004-224766 A

本発明は、種々の溶媒に可溶であり、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成して、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を作製し得る有機電界発光素子材料および有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイおよび有機EL照明を提供することを目的とする。   The present invention is an organic electric field which is soluble in various solvents and can form an organic electroluminescent device having a low driving voltage and a sufficient lifetime by forming an organic layer of the organic electroluminescent device by a wet film forming method. Light emitting device material, composition for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device having organic layer formed by wet film forming method using composition for organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device An object is to provide an organic EL display and organic EL illumination.

本発明者らが鋭意検討した結果、下記式(1)で表される化合物を用いることにより、上記課題が解決できることが分かり本発明に到達した。   As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that the above problem can be solved by using a compound represented by the following formula (1), and the present invention has been achieved.

すなわち、本発明は、
有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料であって、下記式(1)で表される化合物からなることを特徴とする有機電界発光素子材料、
該有機電界発光素子材料および溶媒を含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物、
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、該有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする有機電界発光素子、
該有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイおよび有機EL照明、
に存する。
That is, the present invention
An organic electroluminescent element material comprising a compound represented by the following formula (1), which is a material used for an organic layer formed by a wet film-forming method of an organic electroluminescent element:
An organic electroluminescent element composition comprising the organic electroluminescent element material and a solvent,
An organic electroluminescence device having an organic layer between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic layers is a layer formed by wet deposition using the composition for organic electroluminescence device Light emitting element,
Organic EL display and organic EL illumination using the organic electroluminescent element,
Exist.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

(式(1)中、Arは置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表す。環Aは置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表し、環Aへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にArが結合する。Lは置換基を有していてもよい炭素数50以下の芳香環または芳香環が連結してなる原子団よりなる基である。Lが結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。) (In formula (1), Ar 1 represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. Ring A represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. , Ar 1 is bonded to the ortho position with respect to the bonding position of the anthracene ring to ring A. L 1 is an aromatic ring having 50 or less carbon atoms which may have a substituent or an atom formed by connecting aromatic rings. (The anthracene ring and pyrene ring to which L 1 is bonded may have a substituent.)

本発明の有機電界発光素子材料を用いて有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成することにより、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を得ることができる。   By forming the organic layer of the organic electroluminescent element by the wet film formation method using the organic electroluminescent element material of the present invention, an organic electroluminescent element having a low driving voltage and a sufficient lifetime can be obtained.

本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed an example of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。   Embodiments of the present invention will be described in detail below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention.

[語句の説明]
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「(ヘテロ)アリール」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を1または2以上有していてもよいことを意味するものとする。
[Explanation of words]
In the present invention, the simple term “aromatic ring” includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring.
In the present invention, the term “(hetero) aryl” includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocycle.
In the present invention, “may have a substituent” means that one or more substituents may be present.

[有機電界発光素子用材料]
本発明の有機電界発光素子材料は、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料であって、下記式(1)で表される化合物からなることを特徴とする。
[Materials for organic electroluminescent elements]
The organic electroluminescent element material of the present invention is a material used for an organic layer formed by a wet film-forming method of an organic electroluminescent element, and is composed of a compound represented by the following formula (1). .

Figure 2009278077
Figure 2009278077

(式(1)中、Arは置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表す。環Aは置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表し、環Aへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にArが結合する。Lは置換基を有していてもよい炭素数50以下の芳香環または芳香環が連結してなる原子団よりなる基である。Lが結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。) (In formula (1), Ar 1 represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. Ring A represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. , Ar 1 is bonded to the ortho position with respect to the bonding position of the anthracene ring to ring A. L 1 is an aromatic ring having 50 or less carbon atoms which may have a substituent or an atom formed by connecting aromatic rings. (The anthracene ring and pyrene ring to which L 1 is bonded may have a substituent.)

式(1)で表される化合物は、高い立体障害を持ったアントラセン分子を、連結基を介してピレン環に結合させた化合物である。この化合物は、Arとアントラセン環との位置関係から、アントラセン環と環Aとの平面性を立体障害によって崩すため、化合物の溶解性や膜性が向上すると推測される。一方、立体障害により、遷移状態が阻害されるため、化合物として、電荷移動能が低下するが、ピレン環を分子内に導入することにより電荷移動能が向上するものと推測される。また、アントラセン環を有することで電荷耐久性が向上するものと推測される。このような化合物を湿式成膜法で形成する有機電界発光素子の有機層に用いることにより、有機電界発光素子の耐久性向上、駆動電圧の低下および寿命の向上につながるものと考えられる。 The compound represented by the formula (1) is a compound in which an anthracene molecule having high steric hindrance is bonded to a pyrene ring via a linking group. From the positional relationship between Ar 1 and the anthracene ring, this compound is presumed to improve the solubility and film property of the compound because the planarity between the anthracene ring and ring A is destroyed by steric hindrance. On the other hand, since the transition state is inhibited by steric hindrance, the charge transfer ability is lowered as a compound, but it is presumed that the charge transfer ability is improved by introducing a pyrene ring into the molecule. Moreover, it is estimated that charge durability improves by having an anthracene ring. Use of such a compound in an organic layer of an organic electroluminescent element formed by a wet film forming method is considered to lead to an improvement in durability, a reduction in driving voltage, and an increase in life of the organic electroluminescent element.

なお、本発明における湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の溶媒を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、これらのうちダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。   The wet film forming method in the present invention is a spin coating method, a dip coating method, a die coating method, a bar coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a capillary coating method, an ink jet method, a screen printing method, A method of forming a film using an ink containing a solvent, such as a gravure printing method, a flexographic printing method, and an offset printing method. Of these, the die coating method, the roll coating method, the spray coating method, the ink jet method, and the flexographic printing method are preferable from the viewpoint of easy patterning.

以下に上記式(1)における各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component in the above formula (1) will be described in detail.

<Arについて>
Arは、置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表す。
該芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
<About Ar 1 >
Ar 1 represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent.
Examples of the aromatic ring include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, coronene ring and other aromatic hydrocarbon rings, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, pyridine ring And aromatic heterocycles such as a pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, indole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, and carbazole ring. Of these, a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, a dibenzofuran ring and a dibenzothiophene ring are preferable, a benzene ring and a naphthalene ring are particularly preferable, and a benzene ring is most preferable from the viewpoint of the stability of the compound.

また、Arは置換基を有していないものが特に好ましいが、置換基を有している場合、その置換基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルキルオキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、Arが有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。 Ar 1 preferably has no substituent, but when it has a substituent, the substituent includes an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an aromatic group having 6 to 25 carbon atoms. Hydrocarbon group, aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, alkyloxy group having 1 to 20 carbon atoms, (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, carbon number A 3-20 (hetero) arylthio group and a cyano group are mentioned. Among these, as the substituent that Ar 1 has, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms are preferable from the viewpoint of stability of the compound, and an aromatic hydrocarbon group is particularly preferable. preferable.

Arが有していてもよい置換基のより好適な具体例としては、以下のものが挙げられる。 As more specific examples of a preferable Ar 1 is the substituent which may have, include the following.

炭素数1〜20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基は非極性溶媒に高い溶解性を持つために好ましい。   Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group and cyclohexyl group. Group, decyl group, octadecyl group and the like. Among these, Preferably, they are a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group, and a methyl group and an ethyl group are preferable from the point of being easy to obtain a raw material and cheap, and an iso-butyl group and a sec-butyl group. , Tert-butyl group is preferable because of its high solubility in nonpolar solvents.

炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基、9−フェナンチル基、3−フェナンチル基などのフェナンチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基などのアントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基などのナフタセニル基、1−クリセニル基、2−クリセニル基、3−クリセニル基、4−クリセニル基、5−クリセニル基、6−クリセニル基などのクリセニル基、1−ピレニル基などのピレニル基、1−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1−コロネニル基などのコロネニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2−ナフチル基、1−アントラニル基、9−フェナントリル基、9−アントラニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基が好ましく、フェニル基、2−ナフチル基、3−ビフェニル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include a naphthyl group such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, a phenanthyl group such as a 9-phenanthyl group and a 3-phenanthyl group, and 1-anthryl. Group, 2-anthryl group, anthryl group such as 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrysenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, 5-chrycenyl group, 6-chrycenyl group and other chrycenyl groups, 1-pyrenyl group and other pyrenyl groups, 1-triphenylenyl group and other triphenylenyl groups, 1-coronenyl group and other coronenyl groups, 4-biphenyl group and 3-biphenyl group In view of the stability of the compound, phenyl group, 2-naphthyl group, 1-ant Group, 9-phenanthryl group, 9-anthranyl group, a 4-biphenyl group, a 3-biphenyl group preferably a phenyl group, a 2-naphthyl group, 3-biphenyl group is particularly preferable from the purification ease of the compound.

炭素数3〜20の芳香族複素環基の例としては、2−チエニル基などのチエニル基、2−フリル基などのフリル基、2−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2−ピリジル基などのピリジル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも9−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。   Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include thienyl group such as 2-thienyl group, furyl group such as 2-furyl group, imidazolyl group such as 2-imidazolyl group, and carbazolyl such as 9-carbazolyl group. Groups, pyridyl groups such as 2-pyridyl group, triazin-yl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like. Of these, a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.

炭素数1〜20のアルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkyloxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like.

炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、9−アントラニルオキシ基、2−チエニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 9-anthranyloxy group, 2-thienyloxy group and the like.

炭素数1〜20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。   Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like.

炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、9−アントラニルチオ基、2−チエニルチオ基等が挙げられる。   Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 9-anthranylthio group, and a 2-thienylthio group.

なお、Arが置換基を有する場合、その置換位置は、Arの環Aへの置換位置に対してパラ位、メタ位であることが好ましく、メタ位であることがより好ましい。
また、Arは、その置換基も含め分子量500以下であることが化合物の精製上好ましい。
In addition, when Ar 1 has a substituent, the substitution position is preferably a para-position or a meta-position, and more preferably a meta-position, relative to the substitution position of Ar 1 on the ring A.
Ar 1 preferably has a molecular weight of 500 or less, including its substituents, for purification of the compound.

<環Aについて>
環Aは、置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環基を表し、環Aへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にArが結合する。
<About Ring A>
Ring A represents an optionally substituted aromatic ring group having 30 or less carbon atoms, and Ar 1 is bonded to the ortho position relative to the bonding position of the anthracene ring to Ring A.

環Aの芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。   Examples of the aromatic ring of ring A include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, coronene ring and other aromatic hydrocarbon rings, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, Examples thereof include aromatic heterocycles such as a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, an indole ring, a benzothiophene ring, a benzofuran ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring. Of these, a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, a dibenzofuran ring and a dibenzothiophene ring are preferable, a benzene ring and a naphthalene ring are particularly preferable, and a benzene ring is most preferable from the viewpoint of the stability of the compound.

環Aがベンゼン環である場合、前記式(1)で表される化合物は、下記式(2)で表される。   When ring A is a benzene ring, the compound represented by the formula (1) is represented by the following formula (2).

Figure 2009278077
Figure 2009278077

(式(2)中、ArおよびLは上記式(1)におけると同義である。Lが結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。また、Arが結合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。) (In the formula (2), Ar 1 and L 1 is an anthracene ring and pyrene ring .L 1 is as defined as in the formula (1) are attached may have a substituent. In addition, Ar 1 is (The benzene ring to be bonded may have a substituent.)

また、環Aは置換基を有していてもよく、その置換基の具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルキルオキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、環Aが有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。   Ring A may have a substituent. Specific examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, and 3 to 20 carbon atoms. Aromatic heterocyclic group, C 1-20 alkyloxy group, C 3-20 (hetero) aryloxy group, C 1-20 alkylthio group, C 3-20 (hetero) arylthio group And a cyano group. Among these, as a substituent which the ring A has, the C1-C20 alkyl group and the C6-C25 aromatic hydrocarbon group are preferable from the surface of the stability of a compound, and an aromatic hydrocarbon group is especially preferable. preferable.

これら置換基の具体例は、上記Arが有していてもよい置換基として例示したものと同様である。 Specific examples of these substituents are the same as those exemplified as the substituent that Ar 1 may have.

なお、環Aがベンゼン環であり、置換基を有する場合、その置換位置は、環Aのアントラセン環への置換位置に対して、高い溶解性を維持するという面からは、オルト位またはメタ位が好ましく、特にオルト位が好ましい。また、耐熱性の面からは、パラ位またはメタ位が好ましく、特にパラ位が好ましい。   In addition, when ring A is a benzene ring and has a substituent, the substitution position is ortho-position or meta-position from the viewpoint of maintaining high solubility with respect to the substitution position of ring A to the anthracene ring. Are preferred, and the ortho position is particularly preferred. From the viewpoint of heat resistance, the para position or the meta position is preferable, and the para position is particularly preferable.

<Lについて>
は、置換基を有していてもよい炭素数50以下の芳香環または芳香環が連結してなる原子団よりなる基である。
<For L 1>
L 1 is a group consisting of an aromatic ring having 50 or less carbon atoms which may have a substituent or an atomic group formed by connecting aromatic rings.

を構成する芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。 Examples of the aromatic ring constituting L 1 include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, coronene ring, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrimidine ring , Pyridazine ring, pyrazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, indole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, carbazole ring and the like. Of these, a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, a dibenzofuran ring and a dibenzothiophene ring are preferable, a benzene ring and a naphthalene ring are particularly preferable, and a benzene ring is most preferable from the viewpoint of the stability of the compound.

は、これら環のうちの1つの環のみからなってもよいし、これら環のうちの2以上が連結して炭素数50以下の原子団を形成していてもよい。 L 1 may consist of only one of these rings, or two or more of these rings may be linked to form an atomic group having 50 or less carbon atoms.

環が連結してなる原子団よりなるLの例としては、ビフェニル、オルト−ターフェニル、メタ−ターフェニル、パラ−ターフェニル、1−フェニルナフタレン、2−フェニルナフタレン、9−フェニルアントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2−フェニルキノリン、1,3,5−トリフェニルトリアゾール、9−フェニルカルバゾール等が2価の基になったものが挙げられる。 Examples of L 1 comprising an atomic group formed by connecting rings include biphenyl, ortho-terphenyl, meta-terphenyl, para-terphenyl, 1-phenylnaphthalene, 2-phenylnaphthalene, 9-phenylanthracene, 9 , 10-diphenylanthracene, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-phenylquinoline, 1,3,5-triphenyltriazole, 9-phenylcarbazole and the like become divalent groups.

として好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル、メタ−ターフェニル、9,10−ジフェニルアントラセン、4−フェニルピリジン由来の2価の基であり、さらに好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル、9,10−ジフェニルアントラセン由来の2価の基であり、特に好ましくはベンゼン環、ビフェニル由来の2価の基であり、最も好ましくはベンゼン環由来の2価の基、すなわちフェニレン基である。 L 1 is preferably a benzene ring, biphenyl, meta-terphenyl, 9,10-diphenylanthracene, or a divalent group derived from 4-phenylpyridine, and more preferably a benzene ring, biphenyl, or 9,10-diphenyl. It is a divalent group derived from anthracene, particularly preferably a benzene ring or a divalent group derived from biphenyl, and most preferably a divalent group derived from a benzene ring, that is, a phenylene group.

また、Lは置換基を有していてもよく、その置換基の具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルキルオキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうちLが有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。 L 1 may have a substituent, and specific examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, and 3 to 20 carbon atoms. Aromatic heterocyclic group, C 1-20 alkyloxy group, C 3-20 (hetero) aryloxy group, C 1-20 alkylthio group, C 3-20 (hetero) arylthio group And a cyano group. Among these, the substituent that L 1 has is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, particularly preferably an aromatic hydrocarbon group, from the viewpoint of the stability of the compound. .

これら置換基の具体例は、上記Arが有していてもよい置換基として例示したものと同様である。
また、Lは、その置換基も含めて、分子量800以下であることが好ましく、化合物の精製のしやすさから、分子量500以下がより好ましく、分子量300以下が最も好ましい。
Specific examples of these substituents are the same as those exemplified as the substituent that Ar 1 may have.
L 1 , including its substituents, preferably has a molecular weight of 800 or less, more preferably a molecular weight of 500 or less, and most preferably a molecular weight of 300 or less, from the viewpoint of ease of purification of the compound.

<ピレン環、アントラセン環について>
が結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。Lが結合するアントラセン環およびピレン環とは、式(1)において、Lを介して結合しているアントラセン環とピレン環のことである。
<About pyrene ring and anthracene ring>
The anthracene ring and pyrene ring to which L 1 is bonded may have a substituent. The anthracene ring and the pyrene ring to which L 1 is bonded are an anthracene ring and a pyrene ring bonded through L 1 in the formula (1).

このアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい置換基としては、炭素数50以下の置換基が好ましく、該置換基はさらに置換基を有していてもよい。   The anthracene ring and the pyrene ring which may have a substituent are preferably a substituent having 50 or less carbon atoms, and the substituent may further have a substituent.

アントラセン環およびピレン環が有していてもよい置換基の具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルキルオキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、アントラセン環およびピレン環が有する置換基としては、化合物の安定性の面から、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基が好ましく、芳香族炭化水素環基が特に好ましい。   Specific examples of the substituent that the anthracene ring and the pyrene ring may have include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 25 carbon atoms, and an aromatic group having 3 to 20 carbon atoms. Heterocyclic group, C1-C20 alkyloxy group, C3-C20 (hetero) aryloxy group, C1-C20 alkylthio group, C3-C20 (hetero) arylthio group, cyano group Is mentioned. Among these, as a substituent which an anthracene ring and a pyrene ring have, from the surface of stability of a compound, a C1-C20 alkyl group, a C6-C25 aromatic hydrocarbon group, C3-C20 The aromatic heterocyclic group is preferably, and the aromatic hydrocarbon ring group is particularly preferable.

炭素数1〜20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基は非極性溶媒に高い溶解性を持つために好ましい。   Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group and cyclohexyl group. Group, decyl group, octadecyl group and the like. Among these, Preferably, they are a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group, and a methyl group and an ethyl group are preferable from the point of being easy to obtain a raw material and cheap, and an iso-butyl group and a sec-butyl group. , Tert-butyl group is preferable because of its high solubility in nonpolar solvents.

炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基、9−フェナンチル基、3−フェナンチル基などのフェナンチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基などのアントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基などのナフタセニル基、1−クリセニル基、2−クリセニル基、3−クリセニル基、4−クリセニル基、5−クリセニル基、6−クリセニル基などのクリセニル基、1−ピレニル基などのピレニル基、1−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1−コロネニル基などのコロネニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2−ナフチル基、1−アントラニル基、9−フェナントリル基、9−アントラニル基が好ましく、フェニル基、2−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include a naphthyl group such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, a phenanthyl group such as a 9-phenanthyl group and a 3-phenanthyl group, and 1-anthryl. Group, 2-anthryl group, anthryl group such as 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrysenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, 5-chrycenyl group, 6-chrycenyl group and other chrycenyl groups, 1-pyrenyl group and other pyrenyl groups, 1-triphenylenyl group and other triphenylenyl groups, 1-coronenyl group and other coronenyl groups, 4-biphenyl group and 3-biphenyl group In view of the stability of the compound, phenyl group, 2-naphthyl group, 1-ant Group, 9-phenanthryl group, 9-anthranyl group is preferably a phenyl group, 2-naphthyl group is particularly preferred from the purification ease of the compound.

炭素数3〜20の芳香族複素環基の例としては、2−チエニル基などのチエニル基、2−フリル基などのフリル基、2−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2−ピリジル基などのピリジル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも9−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。   Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include thienyl group such as 2-thienyl group, furyl group such as 2-furyl group, imidazolyl group such as 2-imidazolyl group, and carbazolyl such as 9-carbazolyl group. Groups, pyridyl groups such as 2-pyridyl group, triazin-yl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like. Of these, a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.

炭素数1〜20のアルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でもメトキシ基、エトキシ基が溶媒に対する溶解性向上と化合物のガラス転移点、すなわち耐熱性の面から好ましい。   Examples of the alkyloxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent and the glass transition point of the compound, that is, heat resistance.

炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、3−フェノキシフェノキシ基、2−ナフチルオキシ基、9−アントラニルオキシ基、2−チエニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基、3−フェノキシフェノキシ基、2−ナフチルオキシ基が溶媒に対する溶解性向上の面から好ましく、3−フェノキシフェノキシ基は特に好ましい。   Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include a phenoxy group, a 3-phenoxyphenoxy group, a 2-naphthyloxy group, a 9-anthranyloxy group, and a 2-thienyloxy group. Among these, a phenoxy group, a 3-phenoxyphenoxy group, and a 2-naphthyloxy group are preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent, and a 3-phenoxyphenoxy group is particularly preferable.

炭素数1〜20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。中でも、メチルチオ基、エチルチオ基は溶媒に対する溶解性向上と化合物のガラス転移点、すなわち耐熱性の面から好ましい。   Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like. Among these, a methylthio group and an ethylthio group are preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent and the glass transition point of the compound, that is, heat resistance.

炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、9−アントラニルチオ基、2−チエニルチオ基等が挙げられる。中でも、フェニルチオ基は溶媒に対する溶解性向上の面から好ましい。   Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 9-anthranylthio group, and a 2-thienylthio group. Among these, a phenylthio group is preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent.

またこれらの置換基は置換基を有していてもよく、その置換基としては、前述のArが有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。 In addition, these substituents may have a substituent, and examples of the substituent include the same substituents that Ar 1 may have.

<分子量について>
式(1)で表される化合物の分子量は、通常7000以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量5000以下であり、溶媒に対する溶解性を考慮した場合、特に好ましくは3000以下、昇華精製による高純度化を考えた場合、最も好ましくは1500以下である。また、通常、式(1)で表される化合物の分子量は、500以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量600以上である。
<About molecular weight>
The molecular weight of the compound represented by the formula (1) is usually 7000 or less, preferably 5,000 or less when considering the ease of purification of the compound, and particularly preferably when considering solubility in a solvent. When considering high purity by sublimation purification, it is most preferably 1500 or less. In general, the molecular weight of the compound represented by the formula (1) is 500 or more, and when considering the thermal stability of the compound, the molecular weight is preferably 600 or more.

<溶媒に対する溶解性について>
式(1)で表される化合物は、通常トルエンに対して0.5重量%以上溶解するものが好ましく、塗布時に均一な膜を形成させ易いことから、1.0重量%以上溶解するものが好ましく、さらに塗布膜の膜厚制御がしやすいことから、1.5重量%以上溶解するものがより好ましく、さらに長時間の保存安定性の点から、2.0重量%以上溶解するものが特に好ましく、2.5重量%以上溶解するものが最も好ましい。
<Solubility in solvent>
The compound represented by the formula (1) is preferably one that usually dissolves in an amount of 0.5% by weight or more with respect to toluene. Preferably, those that dissolve more than 1.5% by weight are more preferable because the film thickness of the coating film is easy to control, and those that dissolve more than 2.0% by weight are particularly preferable from the viewpoint of long-term storage stability. Preferably, those that dissolve at least 2.5% by weight are most preferred.

<ガラス転移温度について>
式(1)で表される化合物は、ガラス転移温度Tgが120℃以上であることが好ましい。
<About glass transition temperature>
The compound represented by the formula (1) preferably has a glass transition temperature Tg of 120 ° C. or higher.

<具体例>
以下に式(1)で表される化合物の具体例を挙げるが、以下の例示化合物に限定されるものではない。
<Specific example>
Although the specific example of a compound represented by Formula (1) below is given, it is not limited to the following exemplary compounds.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

Figure 2009278077
Figure 2009278077

Figure 2009278077
Figure 2009278077

[有機電界発光素子用組成物]
本発明の有機電界発光素子用組成物は、上述の本発明の有機電界発光素子材料および溶媒を含有する。
[Composition for organic electroluminescence device]
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains the above-described organic electroluminescent element material of the present invention and a solvent.

該有機電界発光素子用組成物における本発明の有機電界発光素子材料の含有量は、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%以上、通常99.99重量%以下、好ましくは99.9重量%以下である。組成物の有機電界発光素子材料の含有量をこの範囲とすることにより、隣接する層(例えば、正孔輸送層や正孔阻止層)から発光層へ効率よく、正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。また、ドーパント材料またはホスト材料を効率よく均一に分散させることで、濃度消光の抑制と、これに伴う発光効率の向上、低電圧化、長寿命化の効果が得られる。尚、本発明の有機電界発光素子材料は本発明の有機電界発光素子用組成物中に、1種のみ含まれていてもよく、2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。   The content of the organic electroluminescent element material of the present invention in the composition for organic electroluminescent elements is usually 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more, and usually 99.99% by weight or less, preferably 99.9%. % By weight or less. By setting the content of the organic electroluminescent element material in the composition within this range, holes and electrons are efficiently injected from the adjacent layer (for example, hole transport layer or hole blocking layer) to the light emitting layer. In other words, the drive voltage can be reduced. Further, by dispersing the dopant material or the host material efficiently and uniformly, the effects of suppressing the concentration quenching and improving the light emission efficiency, lowering the voltage, and extending the lifetime can be obtained. In addition, the organic electroluminescent element material of this invention may be contained only 1 type in the composition for organic electroluminescent elements of this invention, and may be contained in combination of 2 or more type.

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒は、湿式成膜により有機電界発光素子材料を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。   The solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is a volatile liquid component used for forming a layer containing an organic electroluminescent element material by wet film formation.

該溶媒は、溶質である本発明の有機電界発光素子材料や後述の電荷輸送性化合物が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されないが、好ましい溶媒としては以下のものが挙げられる。   The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent in which the organic electroluminescent element material of the present invention which is a solute and a charge transporting compound described later are well dissolved, and preferred solvents include the following.

例えば、n−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ジ
フェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。
For example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated fragrances such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene Group hydrocarbons: 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethyl Aromatic ethers such as anisole and diphenyl ether; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Alicyclic ketones such as Sanone, Cyclooctanone and Fencon; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; Ethylene And aliphatic ethers such as glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA).
Of these, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable.

これらの溶媒は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。   One of these solvents may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

溶媒の沸点は、通常100℃以上、好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、有機電界発光素子用組成物からの溶媒蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。   The boiling point of the solvent is usually 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher. Below this range, there is a possibility that the film formation stability may be reduced due to solvent evaporation from the composition for organic electroluminescent elements during wet film formation.

また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶媒の沸点は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、また、通常270℃以下、好ましくは250℃以下、より好ましくは沸点230℃以下である。   In order to obtain a more uniform film, it is preferable that the solvent evaporates from the liquid film immediately after the film formation at an appropriate rate. For this reason, the boiling point of the solvent is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, and usually 270 ° C. or lower, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 230 ° C. or lower.

溶媒の含有量は、有機電界発光素子用組成物100重量部に対して、好ましくは10重量部以上、より好ましくは50重量部以上、特に好ましくは80重量部以上、また、好ましくは99.95重量部以下、より好ましくは99.9重量部以下、特に好ましくは99.8重量部以下である。溶媒の含有量がこの下限を下回ると、有機電界発光素子用組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。   The content of the solvent is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 50 parts by weight or more, particularly preferably 80 parts by weight or more, and preferably 99.95 with respect to 100 parts by weight of the composition for organic electroluminescent elements. The amount is not more than parts by weight, more preferably not more than 99.9 parts by weight, particularly preferably not more than 99.8 parts by weight. When the content of the solvent is less than this lower limit, the viscosity of the composition for organic electroluminescent elements becomes too high, and film forming workability may be lowered. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the thickness of the film obtained by removing the solvent after film formation cannot be obtained, so that film formation tends to be difficult.

本発明の有機電界発光素子用組成物には、上述の有機電界発光素子材料や溶媒の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。   The composition for an organic electroluminescent device of the present invention may contain a charge transporting compound used for an organic electroluminescent device, particularly a light emitting layer, in addition to the above-mentioned organic electroluminescent device material and solvent.

本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成する場合には、本発明の有機電界発光素子材料をホスト材料とし、他の電荷輸送性化合物をドーパント材料として含んでいてもよいし、本発明の有機電界発光素子材料をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化合物をホスト材料として含んでいてもよい。また、ドーパント材料、ホスト材料ともに、本発明の有機電界発光素子材料であってもよい。   When forming the light emitting layer of an organic electroluminescent element using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the organic electroluminescent element material of the present invention is used as a host material, and another charge transporting compound is used as a dopant material. The organic electroluminescent element material of the present invention may be used as a dopant material, and another charge transporting compound may be included as a host material. Further, both the dopant material and the host material may be the organic electroluminescent element material of the present invention.

本発明の有機電界発光素子用組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。
これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
As other charge transporting compounds that can be contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, those conventionally used as materials for organic electroluminescent elements can be used. For example, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene and derivatives thereof, quinacridone Derivatives, DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, arylamino groups And the condensed aromatic ring compounds and styryl derivatives substituted with an arylamino group.
One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

本発明の有機電界発光素子用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、該組成物を100重量部とすると、通常1重量部以上、また、通常50重量部以下、好ましくは30重量部以下である。
また、有機電界発光素子用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、有機電界発光素子用組成物中の本発明の有機電界発光素子材料に対して、通常50重量%以下、特に30重量%以下で、通常0.01重量%以上、特に0.1重量%以上であることが好ましい。
The content of the other charge transporting compound in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually 1 part by weight or more and usually 50 parts by weight or less, preferably 30 parts, when the composition is 100 parts by weight. Less than parts by weight.
Further, the content of the other charge transporting compound in the composition for organic electroluminescent elements is usually 50% by weight or less with respect to the organic electroluminescent element material of the present invention in the composition for organic electroluminescent elements. It is preferably 30% by weight or less, usually 0.01% by weight or more, and particularly preferably 0.1% by weight or more.

本発明の有機電界発光素子用組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶媒の他に、別の溶媒を含有していてもよい。そのような溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。   The composition for organic electroluminescent elements of the present invention may further contain other compounds in addition to the above-described compounds as necessary. For example, in addition to the above solvent, another solvent may be contained. Examples of such a solvent include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

また、本発明の有機電界発光素子材料は成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有していてもよい。   Moreover, the organic electroluminescent element material of this invention may contain various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, for the purpose of improving film forming property.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極の間に有機層を有し、該有機層のうち少なくとも一層が、上述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする。該有機層は、1層からなるものであっても、2層以上からなるものであってもよい。また、陽極と陰極の間には、有機層の他、無機化合物からなる層を有していてもよい。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent device of the present invention has an organic layer between an anode and a cathode, and at least one of the organic layers is a layer formed by a wet film using the above-described composition for an organic electroluminescent device of the present invention. It is characterized by being. The organic layer may be composed of one layer or may be composed of two or more layers. In addition to the organic layer, a layer made of an inorganic compound may be provided between the anode and the cathode.

以下に本発明の有機電界発光素子の構造例を示す図1の素子構成に従って、本発明の有機電界発光素子の構成を説明するが、本発明の有機電界発光素子は本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層を陽極および陰極の間に有していればよく、他の層は有していても、有していなくてもよい。   The structure of the organic electroluminescent element of the present invention will be described below according to the element structure of FIG. 1 showing an example of the structure of the organic electroluminescent element of the present invention. The organic electroluminescent element of the present invention is an organic electroluminescent element of the present invention. It is only necessary to have a layer formed by wet deposition using the composition for use between the anode and the cathode, and other layers may or may not be included.

<基板>
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
<Board>
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polyethersulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

<陽極>
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3など)への正孔注入の役割を果たすものである。
<Anode>
An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer (hole injection layer 3 or the like) on the light emitting layer side.

この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。   This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。   The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.

<正孔注入層>
正孔注入層3は陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
<Hole injection layer>
Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound.

正孔注入層3の形成方法は特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。湿式成膜法は、従来の真空蒸着法と比較して均質で欠陥がない薄膜が得られ、また膜形成のための時間が短く、工業的にも優れている。   The method for forming the hole injection layer 3 is not particularly limited, but is preferably formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. The wet film-forming method can obtain a homogeneous and defect-free thin film as compared with the conventional vacuum vapor deposition method, has a short time for film formation, and is industrially superior.

湿式成膜により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3の材料を適切な溶媒(正孔注入層用溶媒)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。   When the hole injection layer 3 is formed by wet film formation, the material for the hole injection layer 3 is usually mixed with a suitable solvent (solvent for the hole injection layer) to form a composition for film formation (hole injection). A composition for forming a layer) and coating the composition for forming a hole injection layer on a layer (usually the anode 2) corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 by an appropriate technique. Then, the hole injection layer 3 is formed by drying.

(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の材料として正孔輸送性化合物および溶媒を含有する。正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、正孔輸送性化合物として、前記式(1)で表される化合物よりなる本発明の有機電界発光素子材料を用いて、湿式成膜法により正孔注入層3を形成してもよい。
(Hole transporting compound)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a material for the hole injection layer. The hole transporting compound may be a low molecular compound or a high molecular compound as long as it is a compound having a hole transporting property, which is usually used for a hole injection layer of an organic electroluminescence device. . Moreover, you may form the positive hole injection layer 3 with a wet film-forming method using the organic electroluminescent element material of this invention which consists of a compound represented by said Formula (1) as a hole transportable compound.

正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン化合物、シラザン化合物、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン化合物、フタロシアニン誘導体などが挙げられる。   The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transporting compounds include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl compounds, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone compounds, silazane compounds, silanamines Derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone compounds, phthalocyanine derivatives, and the like.

中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。   Of these, aromatic amine compounds are preferred, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine. The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (polymerized hydrocarbon compound in which repeating units are linked). Is more preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (I).

Figure 2009278077
Figure 2009278077

(式(I)中、Ar2AおよびAr2Bはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar〜Arは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar2A,Ar2B,Ar〜Arのうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。) (In formula (I), Ar 2A and Ar 2B each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 to Ar 5 each independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following linking group group, and two groups bonded to the same N atom among Ar 2A , Ar 2B , Ar 3 to Ar 5 are bonded to each other. To form a ring.)

Figure 2009278077
Figure 2009278077

(上記各式中、Ar〜Ar16は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の1価または2価の基を表す。RおよびRは、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。) (In the above formulas, Ar 6 to Ar 16 are each independently 1 derived from an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent. R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.

Ar2A,Ar2B,Ar〜Ar16としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらはそれぞれ同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。 As Ar 2A , Ar 2B , Ar 3 to Ar 16 , a monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.

Ar2A,Ar2B,Ar〜Ar16の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。 The group derived from the aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle of Ar 2A , Ar 2B , Ar 3 to Ar 16 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less.

Ar2A,Ar2Bとしては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。 Ar 2A and Ar 2B are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, and a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.

また、Ar〜Arとしては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。 In addition, as Ar 3 to Ar 5 , a divalent group derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, or a phenanthrene ring is preferable from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including a redox potential. A group, a biphenylene group, and a naphthylene group are more preferable.

式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号明細書に記載のものが挙げられる。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in the specification of International Publication No. 2005/089024.

正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物の1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用することが好ましい。   The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or two or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use a seed or more in combination.

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。正孔輸送性化合物の濃度が高すぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、低すぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。   The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If the concentration of the hole transporting compound is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.

(電子受容性化合物)
正孔注入層形成用組成物は電子受容性化合物を含有していることが好ましい。電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound. The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種または2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開第2005/089024号明細書);塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。   The electron-accepting compound is selected from the group consisting of, for example, triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. 1 type, or 2 or more types of compounds etc. which are mentioned. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, triphenylsulfonium tetrafluoroborate (WO 2005/089024) ); Iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), high-valent inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate; Cyano compounds such as tetracyanoethylene, Tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds; fullerene derivatives; iodine and the like. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。電子受容性化合物の正孔輸送材料に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。   These electron-accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transport material. The content of the electron-accepting compound with respect to the hole transport material is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.

(溶媒)
正孔注入層形成用組成物に用いる溶媒のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。
(solvent)
At least one of the solvents used in the composition for forming a hole injection layer is preferably a compound that can dissolve the material for the hole injection layer.

溶媒の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。有機溶媒の沸点が低すぎると、乾燥速度が速く、膜質が悪化する可能性がある。また、有機溶媒の沸点が高すぎると高い乾燥工程の温度を高くする必要がある。そのため、他の層やガラス基板に悪影響を与える可能性がある。   The boiling point of the solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, especially 300 ° C. or lower. If the boiling point of the organic solvent is too low, the drying speed is high and the film quality may be deteriorated. Moreover, when the boiling point of the organic solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the high drying step. Therefore, it may adversely affect other layers and the glass substrate.

正孔注入層形成用組成物に好適な溶媒としては、例えば、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。   Suitable solvents for the hole injection layer forming composition include, for example, ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.

具体的に、エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。   Specifically, examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3- Examples include aromatic ethers such as dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, and 2,4-dimethylanisole.

エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。   Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.

芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.

アミド系溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。   Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide.

その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。   In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.

これらの溶媒は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.

上述した溶媒の中でも、正孔注入層の材料を溶解する能力(溶解能)、若しくは材料との親和性が高い溶媒の方が好ましい。これは、正孔注入層形成用組成物の濃度を任意に設定して、成膜工程の効率に優れる濃度の組成物を調製できるためである。   Among the solvents described above, a solvent having a high ability to dissolve the material of the hole injection layer (dissolution ability) or a high affinity with the material is preferable. This is because a composition having a concentration excellent in the efficiency of the film forming step can be prepared by arbitrarily setting the concentration of the composition for forming the hole injection layer.

(その他含まれてもよいもの)
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
(Other things that may be included)
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the hole transporting compound and the electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

(成膜方法)
上述のような成分を用いて正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層3が形成される。
(Film formation method)
After preparing the composition for forming the hole injection layer using the components as described above, this composition is applied onto the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2) by wet film formation. The hole injection layer 3 is formed by forming and drying.

湿式成膜後は、通常加熱等により膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。   After the wet film formation, the film is usually dried by heating or the like. The heating means used in the heating step is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of the heating means include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, and microwave irradiation. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

なお、真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合には、前述の正孔注入層の材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成する。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れて、加熱蒸発させることにより正孔注入層3の形成に用いることもできる。 When forming the hole injection layer by a vacuum deposition method, one or more of the above-described materials for the hole injection layer (hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum container. Put in crucibles installed (in case of using two or more materials, put them in each crucible), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, then heat the crucible (two or more types) When using materials, heat each crucible) and control the amount of evaporation to evaporate (when using two or more materials, control the amount of evaporation independently) and place it facing the crucible. A hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be used for formation of the positive hole injection layer 3 by putting them in a crucible and carrying out heat evaporation.

正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。   The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

<正孔輸送層>
本発明の有機電界発光素子は正孔輸送層4を有することが好ましく、特に後述の発光層5が本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層である場合、正孔輸送層4のイオン化ポテンシャルが−5.1〜−6.5eVであることが好ましい。正孔輸送層4のイオン化ポテンシャルをこの範囲とすることにより、発光層のホスト材料とのイオン化ポテンシャル差を小さくし、発光層への正孔注入をより高効率に行うことが可能になり、得られる有機電界発光素子の高効率化、長寿命化の効果が得られるためである。ここで、正孔輸送層4のイオン化ポテンシャルは、光電子分光法、大気中光電子分光法、サイクリックボルタンメトリーなど市販の装置を用いた一般的な測定法により測定された値をいう。具体的には、石英板、スライドガラスなどの基板に、後述される各種成膜法により100nm程度の膜厚に成膜された有機物薄膜を、一般的な真空中での光電子分光法により測定し、決定される。
<Hole transport layer>
The organic electroluminescent element of the present invention preferably has a hole transport layer 4, and the light emitting layer 5 described below is a layer formed by a wet film formation method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention. In this case, the ionization potential of the hole transport layer 4 is preferably −5.1 to −6.5 eV. By setting the ionization potential of the hole transport layer 4 within this range, the difference in ionization potential from the host material of the light emitting layer can be reduced, and hole injection into the light emitting layer can be performed more efficiently. This is because the organic electroluminescence device can be highly efficient and have a long life. Here, the ionization potential of the hole transport layer 4 refers to a value measured by a general measurement method using a commercially available apparatus such as photoelectron spectroscopy, atmospheric photoelectron spectroscopy, and cyclic voltammetry. Specifically, an organic thin film formed on a substrate such as a quartz plate or a slide glass to a thickness of about 100 nm by various film forming methods described later is measured by a general photoelectron spectroscopy in a vacuum. ,It is determined.

本発明に係る正孔輸送層4の形成方法は特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層4を湿式成膜法により形成することが好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular in the formation method of the positive hole transport layer 4 which concerns on this invention, It is preferable to form the positive hole transport layer 4 with a wet film-forming method from a viewpoint of dark spot reduction.

正孔輸送層4は、素子が正孔注入層を有する場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極2の上に形成することができる。   The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer when the device has a hole injection layer, and on the anode 2 when there is no hole injection layer.

正孔輸送層4の形成に用いることができる材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。   The material that can be used for forming the hole transport layer 4 is preferably a material that has high hole transportability and can efficiently transport injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency because it is in contact with the light emitting layer 5.

このような正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層の材料として用いられている材料であればよい。例えば、前述の正孔注入層5に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4''−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2',7,7'−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4'−N,N'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等が挙げられる。   As a material of such a hole transport layer 4, what is necessary is just the material conventionally used as a material of a hole transport layer. Examples thereof include those exemplified as the hole transporting compound used for the hole injection layer 5 described above. In addition, two or more condensed aromatic rings including two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl are substituted with nitrogen atoms. Aromatic amine compounds having a starburst structure (J. Lumin., J. Lumin., Etc.) such as aromatic diamines (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234811) and 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine. 72-74, 985, 1997), aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chem. Commun., 2175, 1996), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- Spiro compounds such as (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, 91, 209, 1997), 4,4'-N, N'-dicarbazole Carbazole derivatives such as phenyl and the like. Further, polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech., 7, p. 33, 1996) containing tetraphenylbenzidine and the like can be mentioned. It is done.

また、正孔輸送性化合物として、前記式(1)で表される化合物よりなる本発明の有機電界発光素子材料を用いて、湿式成膜法により正孔注入層4を形成してもよい。   Moreover, you may form the positive hole injection layer 4 with a wet film-forming method using the organic electroluminescent element material of this invention which consists of a compound represented by said Formula (1) as a hole transportable compound.

湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、成膜、加熱乾燥させる。正孔輸送層形成用組成物には、正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。この溶媒は、上記正孔注入層形成用組成物に用いる溶媒として例示したものと同様のものを用いることができる。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層形成時と同様である。   In the case of forming the hole transport layer 4 by a wet film formation method, a hole transport layer forming composition is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3 and then formed and heated and dried. The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the hole transport compound. As this solvent, the same solvents as those exemplified as the solvent used in the composition for forming a hole injection layer can be used. The film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in forming the hole injection layer.

真空蒸着により正孔輸送層4を形成する場合もまた、成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。   When the hole transport layer 4 is formed by vacuum vapor deposition, the film forming conditions and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.

正孔輸送層4は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。   The hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coating property improving agents, and the like in addition to the hole transport compound.

正孔輸送層4は架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。ここで、架橋性化合物は、架橋基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。   The hole transport layer 4 may be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. Here, the crosslinkable compound is a compound having a crosslinking group, and forms a polymer by crosslinking. The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

架橋性化合物の架橋基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合;ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。   Examples of the crosslinking group of the crosslinking compound include cyclic ethers such as oxetane and epoxy; unsaturated double bonds such as vinyl group, trifluorovinyl group, styryl group, acrylic group, methacryloyl and cinnamoyl; benzocyclobutane and the like. It is done.

架橋性化合物、すなわち、架橋基を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーが有する架橋基の数に特に制限はないが、単位電荷輸送ユニットあたり通常2.0未満、好ましくは0.8以下、より好ましくは0.5以下となる数が好ましい。これは正孔輸送層形成材料の比誘電率を好適な範囲に調整するためである。また、架橋基の数が多すぎると、反応活性種が発生し、他の材料に悪影響を与える可能性があるためである。ここで、単位電荷輸送ユニットとは、架橋性ポリマーを形成する材料がモノマー体の場合、モノマー体そのものであり、架橋基を除いた骨格(主骨格)のことを示す。他種類のモノマーを混合する場合においても、それぞれのモノマーの主骨格のことを示す。架橋性ポリマーを形成する材料がオリゴマーやポリマーの場合、有機化学的に共役がとぎれる構造の繰り返しの場合は、その繰り返しの構造を単位電荷輸送ユニットとする。また、広く共役が連なっている構造の場合には、電荷輸送性を示す最小繰り返し構造、乃至はモノマー構造を示す。例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、ペリレンなどの多環系芳香族、フルオレン、トリフェニレン、カルバゾール、トリアリールアミン、テトラアリールベンジジン、1,4−ビス(ジアリールアミノ)ベンゼンなどが挙げられる。   The number of crosslinkable groups possessed by the crosslinkable compound, that is, the monomer, oligomer or polymer having a crosslinkable group is not particularly limited, but is generally less than 2.0, preferably 0.8 or less, more preferably 0 per unit charge transport unit. A number that is .5 or less is preferred. This is to adjust the relative dielectric constant of the hole transport layer forming material to a suitable range. Moreover, when the number of crosslinking groups is too large, reactive active species are generated, which may adversely affect other materials. Here, when the material forming the crosslinkable polymer is a monomer body, the unit charge transport unit is a monomer body itself, and indicates a skeleton (main skeleton) excluding a crosslinking group. Even when other types of monomers are mixed, the main skeleton of each monomer is shown. When the material forming the crosslinkable polymer is an oligomer or polymer, in the case of repeating a structure in which conjugation is broken organically, the repeated structure is defined as a unit charge transport unit. In the case of a structure in which conjugation is widely connected, a minimum repeating structure exhibiting charge transporting property or a monomer structure is shown. For example, polycyclic aromatics such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, tetracene, chrysene, pyrene, perylene, fluorene, triphenylene, carbazole, triarylamine, tetraarylbenzidine, 1,4-bis (diarylamino) benzene, etc. It is done.

さらに、架橋性化合物としては、架橋基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。この場合の正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。   Furthermore, as the crosslinkable compound, it is preferable to use a hole transporting compound having a crosslinkable group. Examples of hole transporting compounds in this case include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; Examples include phenylamine derivatives; silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives.

架橋性化合物の分子量は、通常5000以下、好ましくは2500以下であり、また好ましくは300以上、さらに好ましくは500以上である。   The molecular weight of the crosslinkable compound is usually 5000 or less, preferably 2500 or less, preferably 300 or more, more preferably 500 or more.

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層4を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解または分散した塗布液(正孔輸送層形成用組成物)を調製して、湿式成膜法により成膜し、その後架橋性化合物を架橋させる。   In order to form the hole transport layer 4 by crosslinking the crosslinkable compound, usually, a coating liquid (composition for forming a hole transport layer) in which the crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is prepared, and wet film formation is performed. A film is formed by the method, and then the crosslinkable compound is crosslinked.

この塗布液には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。   In addition to the crosslinkable compound, this coating solution may contain an additive that accelerates the crosslinking reaction. Examples of additives that accelerate the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

また、この塗布液は、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤、電子受容性化合物、バインダー樹脂などを含有していてもよい。   Moreover, this coating liquid may further contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent, an electron accepting compound, a binder resin, and the like.

この塗布液に用いられる溶媒は、前記正孔注入層を形成するための溶媒として例示したものと同様である。   The solvent used in this coating solution is the same as that exemplified as the solvent for forming the hole injection layer.

この塗布液は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。   In this coating solution, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20% by weight or less, Preferably it contains 10 weight% or less.

この塗布液を正孔輸送層4の下層に該当する層上に成膜後は、加熱および/または光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させてポリマー化する。成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。   After the coating liquid is formed on the layer corresponding to the lower layer of the hole transport layer 4, the crosslinkable compound is crosslinked and polymerized by heating and / or irradiation with active energy such as light. The heating method after film formation is not particularly limited, and examples thereof include heat drying and reduced pressure drying. The heating condition in the case of heat drying is usually 120 ° C. or higher, preferably 400 ° C. or lower. The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.

光などの活性エネルギー照射による架橋の場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。   In the case of crosslinking by irradiation with active energy such as light, a method of direct irradiation using an ultraviolet, visible or infrared light source such as an ultra high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a halogen lamp or an infrared lamp, or the aforementioned light source is used. Examples include a mask aligner incorporated and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In active energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a so-called microwave oven that irradiates a microwave generated by a magnetron. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱および光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。   Heating and irradiation of active energy such as light may be performed individually or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.

加熱および光を含む活性エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分および/または表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱および/または光などの活性エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも後述の発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。   The active energy irradiation including heating and light is preferably performed in an atmosphere containing no moisture such as a nitrogen gas atmosphere in order to reduce the amount of moisture contained in the layer and / or moisture adsorbed on the surface after implementation. For the same purpose, when combined with heating and / or irradiation with active energy such as light, it is particularly preferable to perform at least the process immediately before the formation of the light-emitting layer described below in an atmosphere containing no moisture such as a nitrogen gas atmosphere. .

正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。   The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

<発光層>
本発明の有機電界発光素子における発光層5は、本発明の有機電界発光素子材料を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。通常、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて上記の湿式成膜法で形成される。
<Light emitting layer>
The light emitting layer 5 in the organic electroluminescent element of the present invention is preferably formed by a wet film forming method using the organic electroluminescent element material of the present invention. Usually, it forms with said wet film-forming method using the composition for organic electroluminescent elements of this invention.

成膜時の成膜温度は限定されないが、組成物中に結晶や凝集が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、13℃以上がより好ましく、16℃以上がさらに好ましく、また、50℃以下が好ましく、40℃以下がさらに好ましい。   The film formation temperature at the time of film formation is not limited, but in order to prevent film loss due to the occurrence of crystals and aggregation in the composition, it is preferably 10 ° C. or higher, more preferably 13 ° C. or higher, further preferably 16 ° C. or higher, Moreover, 50 degrees C or less is preferable and 40 degrees C or less is more preferable.

成膜時の相対湿度は限定されないが、通常0.01ppm以上、好ましくは0.05ppm以上、より好ましくは0.1ppm以上、通常80%以下、好ましくは60%以下、より好ましくは15%以下、更に好ましくは1%以下、特に好ましくは100ppm以下である。相対湿度が小さすぎると、成膜条件の制御が困難となり、安定した環境を維持できない。また、大きすぎると発光層への水分吸着が影響する可能性がある。   The relative humidity during film formation is not limited, but is usually 0.01 ppm or more, preferably 0.05 ppm or more, more preferably 0.1 ppm or more, usually 80% or less, preferably 60% or less, more preferably 15% or less, More preferably, it is 1% or less, and particularly preferably 100 ppm or less. If the relative humidity is too small, it is difficult to control the film forming conditions, and a stable environment cannot be maintained. On the other hand, if it is too large, moisture adsorption on the light emitting layer may be affected.

成膜後は、通常は加熱乾燥させる。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。   After film formation, it is usually dried by heating. Examples of the heating means include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, and microwave irradiation. Among these, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱方向は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱方向の例を挙げると、例えば、ホットプレート上に成膜基板を搭載し、そのホットプレートを介して塗布膜を加熱させることで、塗布膜を基板の下面(有機層が塗布されていない基板側)から加熱していく方法、クリーンオーブン内に成膜基板を投入することで、前後左右すべての方向から塗布膜を加熱する方法等が挙げられる。   The heating direction in the heating step is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. As an example of the heating direction, for example, a film formation substrate is mounted on a hot plate, and the coating film is heated through the hot plate, whereby the coating film is placed on the lower surface of the substrate (a substrate on which no organic layer is applied). A method of heating from the side), a method of heating the coating film from all directions, front, back, left, and right by placing the film formation substrate in a clean oven.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限はないが、通常90℃以上、好ましくは100℃以上、また、通常200℃以下、好ましくは140℃以下で加熱することが好ましい。加熱温度が高すぎると他の層に成分が拡散する可能性があり、また、低すぎると十分に残存溶媒を取り除けない可能性がある。また、有機電界発光素子用組成物中に溶媒が2種類以上含まれている混合溶媒である場合、少なくとも1種類がその溶媒の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。   The heating temperature in the heating step is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 90 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, and usually 200 ° C. or lower, preferably 140 ° C. or lower. preferable. If the heating temperature is too high, components may diffuse into other layers, and if it is too low, the residual solvent may not be removed sufficiently. Moreover, when it is a mixed solvent in which 2 or more types of solvents are contained in the composition for organic electroluminescent elements, it is preferable that at least 1 type is heated at the temperature more than the boiling point of the solvent.

加熱工程における加熱時間は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは15分以上、より好ましくは30分以上、さらに好ましくは1時間以上、また、好ましくは6時間以下、より好ましくは3時間以下、さらに好ましくは2時間以下である。この加熱により、塗布膜を十分に不溶化させることが可能となる。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、また、短すぎると十分な均質性が得られない。   The heating time in the heating step is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 15 minutes or more, more preferably 30 minutes or more, further preferably 1 hour or more, and preferably 6 hours or less, more preferably Is 3 hours or less, more preferably 2 hours or less. This heating makes it possible to sufficiently insolubilize the coating film. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, sufficient homogeneity cannot be obtained.

発光層5の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層5の膜厚が、薄すぎると発光層5に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると素子の駆動電圧が上昇する可能性がある。   The thickness of the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the thickness of the light emitting layer 5 is too thin, defects may occur in the light emitting layer 5, and if it is too thick, the driving voltage of the device may increase.

本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層を形成しない場合、すなわち、本発明の有機電界発光素子用材料を他の層に用いる場合、発光層としては従来有機電界発光素子の発光層として使用されている材料や方法により形成することができる。   When the light emitting layer is not formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, that is, when the material for organic electroluminescent elements of the present invention is used for other layers, the light emitting layer is a conventional organic electroluminescent element. It can be formed by the material and method used as the layer.

<正孔阻止層>
発光層5上に正孔阻止層6を設けてもよい。この正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。
<Hole blocking layer>
A hole blocking layer 6 may be provided on the light emitting layer 5. The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層6の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。なお、正孔阻止層6の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high. Examples of the material of the hole blocking layer 6 satisfying such conditions include, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (triphenylsilanolato). ) Mixed ligand complexes such as aluminum, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl Derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole and other triazole derivatives ( JP-A-7-41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), etc. It is below. Further, a compound having at least one pyridine ring substituted at positions 2, 4, and 6 described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer 6. In addition, the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成できる。好ましくは真空蒸着法である。   There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods. A vacuum deposition method is preferred.

正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

<電子輸送層>
陰極8と発光層5との間には電子輸送層7を設けてもよい。電子輸送層7は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。
<Electron transport layer>
An electron transport layer 7 may be provided between the cathode 8 and the light emitting layer 5. The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極9または後述の電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層7の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   As the electron transporting compound used for the electron transport layer 7, usually, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 described later is high, and the injected electrons are transported efficiently with high electron mobility. A compound that can be used is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type zinc Such as emissions of zinc, and the like. In addition, the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子輸送層7の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。好ましくは真空蒸着法である。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 7. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods. A vacuum deposition method is preferred.

電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。   The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

<電子注入層>
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
<Electron injection layer>
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function.

電子注入層8の形成材料としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が挙げられる。この場合の電子注入層8の膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。   Examples of the material for forming the electron injection layer 8 include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. In this case, the thickness of the electron injection layer 8 is usually preferably 0.1 nm or more and 5 nm or less.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化リチウム(Li2O)、炭酸セシウム(II)(CsCO3)等で形成された極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70, pp.152;特開平10−74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices, 1997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。 Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. Further, for example, an ultra-thin insulating film (0.1 to 5 nm) formed of lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ), or the like. ) Is also an effective method for improving the efficiency of the device (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; Japanese Patent Laid-Open No. 10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997) , Vol. 44, pp. 1245; see SID 04 Digest, pp. 154, etc.).

この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。   In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層8の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子注入層8の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 8. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods.

<陰極>
陰極9は、発光層5側の層に電子を注入する役割を果たすものである。
<Cathode>
The cathode 9 serves to inject electrons into the layer on the light emitting layer 5 side.

陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   As the material of the cathode 9, the material used for the anode 2 can be used. However, a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection. For example, tin, magnesium, indium, A suitable metal such as calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy. In addition, the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

陰極9の膜厚は、通常、陽極と同様である。   The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode.

さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   Further, for the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

<その他の層>
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層、例えば、以下に記載する電子阻止層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
<Other layers>
The organic electroluminescent element of the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer other than the layers described above may be provided between the anode 2 and the cathode 9, for example, an electron blocking layer described below, Arbitrary layers may be omitted.

電子阻止層は、発光層5に接して、発光層5の陽極側に設けられ、発光層5から移動してくる電子が正孔輸送層4、正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔輸送層4、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。   The electron blocking layer is provided on the anode side of the light emitting layer 5 in contact with the light emitting layer 5 and blocks electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole transport layer 4 and the hole injection layer 3. Thus, the probability of recombination of holes and electrons in the light emitting layer 5 is increased, the excitons generated are confined in the light emitting layer 5, and the positive holes injected from the hole transport layer 4 and the hole injection layer 3. There is a role of efficiently transporting the holes in the direction of the light emitting layer. In particular, it is effective when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層8に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号公報記載)等が挙げられる。なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer is produced by the wet film formation method using the composition for organic electroluminescence elements of the present invention, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for the electron blocking layer 8 include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (described in International Publication No. 2004/084260). In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods.

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極から順に設けることになる。   Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, other components are provided in order from the cathode on the substrate 1.

更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、有機電界発光素子を構成することも可能である。   Furthermore, it is also possible to constitute an organic electroluminescent element by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which has transparency.

また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V25)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。   Furthermore, the organic electroluminescent device of the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array, and an anode and a cathode May be applied to a configuration in which are arranged in an XY matrix.

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、各々の層構成材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。   In addition, each layer described above may contain components other than those described as the respective layer constituent materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

[有機ELディスプレイ]
本発明の有機ELディスプレイは、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ELディスプレイの型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、本発明の有機ELディスプレイを形成することができる。
[Organic EL display]
The organic EL display of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic electroluminescent display of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
For example, the organic EL display of the present invention is formed by a method as described in “Organic EL Display” (Ohm, published on August 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). can do.

[有機EL照明]
本発明の有機EL照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
[Organic EL lighting]
The organic EL illumination of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic EL illumination of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

[合成例1]
<中間体1の合成>

Figure 2009278077
[Synthesis Example 1]
<Synthesis of Intermediate 1>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、1−ピレンボロン酸(29.8g)、3−ブロモヨードベンゼン(37.6g)のトルエン(200ml)、エタノール(150ml)溶液に、室温でテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(6.99g)、2M炭酸ナトリウム水溶液(150ml)を加え、8時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、塩化メチレンで抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下で留去させ、残渣をシクロヘキサンで再結晶することで中間体1(36.5g)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0) (to a solution of 1-pyreneboronic acid (29.8 g), 3-bromoiodobenzene (37.6 g) in toluene (200 ml) and ethanol (150 ml) at room temperature. 6.99 g), 2M aqueous sodium carbonate solution (150 ml) was added and refluxed for 8 and a half hours. After allowing to cool to room temperature, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with methylene chloride. The organic layer was washed with water and then dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized from cyclohexane to obtain Intermediate 1 (36.5 g).

<中間体2の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 2>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、中間体1(20g)、ビス(ピナコラト)ジボロン(17g)、および酢酸カリウム(18.7g)のジメチルスルホキシド(168ml)懸濁溶液を60℃に加熱撹拌後、[1,1−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメタン錯体(1.37g)を加え、80℃で4時間半撹拌した。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、析出した結晶を濾過した。濾取した結晶をトルエンに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾液を減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレンの混合溶液)にて精製し、シクロヘキサンで懸濁洗浄することにより中間体2(12.5g)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, a suspension of intermediate 1 (20 g), bis (pinacolato) diboron (17 g), and potassium acetate (18.7 g) in dimethyl sulfoxide (168 ml) was heated to 60 ° C. with stirring, and [1,1- Bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (II) dichloromethane complex (1.37 g) was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 4 and a half hours. After cooling to room temperature, water was added to the reaction mixture, and the precipitated crystals were filtered. The crystals collected by filtration were dissolved in toluene, dried over magnesium sulfate, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography (hexane / methylene chloride mixed solution), and suspended and washed with cyclohexane to obtain Intermediate 2 (12.5 g).

<中間体3の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 3>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、9−ブロモアントラセン(17.3g)、2−ビフェニルボロン酸(20g)のトルエン(135ml)、1,2−ジメトキシエタン(135ml)懸濁溶液に、室温でテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(3.11g)、2Mリン酸三カリウム水溶液(135ml)を加え、8時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレン=7/1)にて精製することで中間体3(19.6g)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, tetrakis (triphenylphosphine) was added to a suspension of 9-bromoanthracene (17.3 g), 2-biphenylboronic acid (20 g) in toluene (135 ml) and 1,2-dimethoxyethane (135 ml) at room temperature. Palladium (0) (3.11 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (135 ml) were added, and the mixture was refluxed for 8 hours. After cooling to room temperature, water was added to the reaction mixture and extracted with toluene. The organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography (hexane / methylene chloride = 7/1) to obtain Intermediate 3 (19.6 g).

<中間体4の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 4>
Figure 2009278077

氷冷下、中間体3(10.7g)のN,N−ジメチルホルムアミド(100ml)溶液にN−ブロモ琥珀酸イミド(5.47g)のN,N−ジメチルホルムアミド溶液(25ml)を反応系内の温度が0〜5℃の範囲内になるように滴下し、9時間室温で撹拌した。反応終了後、反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣を塩化メチレン/メタノールで再結晶して中間体4(15.5g)を得た。   Under ice-cooling, N, N-dimethylformamide solution (25 ml) in N-bromosuccinimide (5.47 g) was added to N, N-dimethylformamide (100 ml) solution of Intermediate 3 (10.7 g) in the reaction system. The solution was added dropwise so that the temperature was in the range of 0 to 5 ° C., and stirred at room temperature for 9 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was poured into water, extracted with methylene chloride, dried over sodium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was recrystallized from methylene chloride / methanol to obtain Intermediate 4 (15.5 g).

<化合物Aの合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Compound A>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、中間体2(2.40g)と、中間体4(2.01g)のトルエン(24ml)、エタノール(12ml)溶液に、室温でテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.29g)、2M炭酸ナトリウム水溶液(6ml)を加え、10時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物を濾過し、濾液をクロロホルムで抽出した。有機層を1N塩酸で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレン=3/1)にて精製し、エタノールで懸濁洗浄することで化合物A(2.66g)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, a solution of intermediate 2 (2.40 g) and intermediate 4 (2.01 g) in toluene (24 ml) and ethanol (12 ml) at room temperature with tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0. 29 g) 2M aqueous sodium carbonate solution (6 ml) was added and refluxed for 10 hours. After cooling to room temperature, the reaction mixture was filtered, and the filtrate was extracted with chloroform. The organic layer was washed with 1N hydrochloric acid and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography (hexane / methylene chloride = 3/1) and suspended and washed with ethanol to obtain Compound A (2.66 g).

DEI−MS(m/z=606(M))により化合物Aであることを確認した。
このもののガラス転移温度は125℃、窒素気流下での重量減少開始温度は460℃であった。
Compound A was confirmed by DEI-MS (m / z = 606 (M + )).
This had a glass transition temperature of 125 ° C. and a weight loss starting temperature under a nitrogen stream of 460 ° C.

[合成例2]
<中間体5の合成>

Figure 2009278077
[Synthesis Example 2]
<Synthesis of Intermediate 5>
Figure 2009278077

1,2−ジブロモピレン(3.01g,8.36mmol)、2−ナフタレンボロン酸(1.41g,7.95mmol)のトルエン(42ml)、エタノール(21ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(10.5ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.48g,0.42mmol)を添加し、緩やかに還流させながら5時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体5(1.15g,36%)を得た。   To a solution of 1,2-dibromopyrene (3.01 g, 8.36 mmol), 2-naphthaleneboronic acid (1.41 g, 7.95 mmol) in toluene (42 ml) and ethanol (21 ml), 2M aqueous sodium carbonate solution (10. 5 ml) and bubbling with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0.48 g, 0.42 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 5 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 5 (1.15 g, 36%).

<中間体6の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 6>
Figure 2009278077

中間体5(1.15g,2.82mmol)、ビス(ピナコラート)ジボロン(0.86g,3.39mmol)、酢酸カリウム(0.94g,9.6mmol)、ジクロロビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセンパラジウム(69mg,0.085mmol)のジメチルスルホキシド(8.5ml)の懸濁液を80℃で16時間攪拌した。反応混合物を水にあけ、析出した結晶を濾過した。得られた結晶をトルエンに溶解させ、精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し中間体6(0.70g,55%)を得た。   Intermediate 5 (1.15 g, 2.82 mmol), bis (pinacolato) diboron (0.86 g, 3.39 mmol), potassium acetate (0.94 g, 9.6 mmol), dichlorobis (diphenylphosphino) ferrocene palladium (69 mg) , 0.085 mmol) of dimethyl sulfoxide (8.5 ml) was stirred at 80 ° C. for 16 hours. The reaction mixture was poured into water, and the precipitated crystals were filtered. The obtained crystals were dissolved in toluene, washed with purified water, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 6 (0.70 g, 55%).

<中間体7の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 7>
Figure 2009278077

中間体6(0.70g,1.53mmol)、3−ブロモ−1−ヨードベンゼン(0.52g,1.84mmol)のトルエン(8ml)、エタノール(4ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(2ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(89mg,0.077mmol)を添加し、緩やかに還流させながら5時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体7(552mg,75%)を得た。   A solution of Intermediate 6 (0.70 g, 1.53 mmol), 3-bromo-1-iodobenzene (0.52 g, 1.84 mmol) in toluene (8 ml), ethanol (4 ml) in 2M aqueous sodium carbonate (2 ml) Was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (89 mg, 0.077 mmol) was added thereto and stirred for 5 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 7 (552 mg, 75%).

<化合物Bの合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Compound B>
Figure 2009278077

中間体7(548mg,1.13mmol)、9−(2−ビフェニル)−10−アントラセンボロン酸(509mg,1.36mmol)のトルエン(6ml)、エタノール(3ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(1.5ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(66mg,0.057mmol)を添加し、緩やかに還流させながら5時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物B(582mg,70%)を得た。
DEI−MS(m/z=732(M))により化合物Bであることを確認した。
Intermediate 7 (548 mg, 1.13 mmol), 9- (2-biphenyl) -10-anthraceneboronic acid (509 mg, 1.36 mmol) in toluene (6 ml), ethanol (3 ml) in a solution of 2M aqueous sodium carbonate (1 0.5 ml) and bubbling with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (66 mg, 0.057 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 5 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain compound B (582 mg, 70%).
Compound B was confirmed by DEI-MS (m / z = 732 (M + )).

[合成例3]
<中間体8の合成>

Figure 2009278077
[Synthesis Example 3]
<Synthesis of Intermediate 8>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、ブロモピレン(5.36g,90.2mmol)、ビス(ピナコラート)ジボロン(11.45g,45.1mmol)の脱水シクロヘキサン懸濁液に(0.94g,9.6mmol)、ジ−μ−メトキソビス(1,5−シクロオクタジエン)ジイリジウム(I)(956mg,1.44mmol)、4,4'−ジ−ターシャリーブチル−2,2'−ジピリジル(775mg,2.89mmol)を添加し、還流下で8時間攪拌した。不溶物を濾過し、濾液の溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体8(8.55g,23%)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, dehydrated cyclohexane suspension of bromopyrene (5.36 g, 90.2 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.45 g, 45.1 mmol) (0.94 g, 9.6 mmol), di-μ- Add methoxobis (1,5-cyclooctadiene) diiridium (I) (956 mg, 1.44 mmol), 4,4′-di-tert-butyl-2,2′-dipyridyl (775 mg, 2.89 mmol). And stirred for 8 hours under reflux. Insoluble matter was filtered off, and the solvent of the filtrate was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 8 (8.55 g, 23%).

<中間体9の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 9>
Figure 2009278077

中間体8(5.0g,12.2mmol)と、1−ヨードナフタレン(6.24g,24.6mmol)のトルエン(60ml)、エタノール(30ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(15ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(71mg,0.614mmol)を添加し、緩やかに還流させながら9時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体9(2.53g,51%)を得た。   To a solution of Intermediate 8 (5.0 g, 12.2 mmol), 1-iodonaphthalene (6.24 g, 24.6 mmol) in toluene (60 ml) and ethanol (30 ml) was added 2M aqueous sodium carbonate solution (15 ml). And bubbling with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (71 mg, 0.614 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 9 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 9 (2.53 g, 51%).

<中間体10の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 10>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、中間体9(2.53g,6.21mmol)の脱水テトラハイドロフラン(100ml)溶液を−78℃まで冷却し、1.55Mノルマルブチルリチウムヘキサン溶液(5ml,7.45mmol)を滴下した。同温度で1時間攪拌し、ボロン酸トリメチル(1.94g,18.6mmol)を添加し、さらに−78℃で2時間攪拌し、室温で4時間攪拌させた。反応混合物を水にあけ、1N−HClでpHを1にし、酢酸エチルで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体10(1.76g,76%)を得た。   Under nitrogen atmosphere, a solution of intermediate 9 (2.53 g, 6.21 mmol) in dehydrated tetrahydrofuran (100 ml) was cooled to −78 ° C., and 1.55 M normal butyl lithium hexane solution (5 ml, 7.45 mmol) was added dropwise. did. The mixture was stirred at the same temperature for 1 hour, trimethyl boronate (1.94 g, 18.6 mmol) was added, the mixture was further stirred at −78 ° C. for 2 hours, and stirred at room temperature for 4 hours. The reaction mixture was poured into water, the pH was adjusted to 1 with 1N HCl, and the mixture was extracted with ethyl acetate. After drying with magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 10 (1.76 g, 76%).

<中間体11の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 11>
Figure 2009278077

中間体10(1.76g,4.72mmol)、3−ブロモ−1−ヨードベンゼン(1.60g,5.66mmol)のトルエン(24ml)、エタノール(12ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(6ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(273mg,0.236mmol)を添加し、緩やかに還流させながら8時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体11(1.85g,81%)を得た。   A solution of Intermediate 10 (1.76 g, 4.72 mmol), 3-bromo-1-iodobenzene (1.60 g, 5.66 mmol) in toluene (24 ml) and ethanol (12 ml) in 2M aqueous sodium carbonate (6 ml) Was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (273 mg, 0.236 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 8 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 11 (1.85 g, 81%).

<化合物Cの合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Compound C>
Figure 2009278077

中間体11(1.84g,3.80mmol)、9−(2−ビフェニル)−10−アントラセンボロン酸(1.71g,4.56mmol)のトルエン(20ml)、エタノール(10ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(5ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(220mg,0.190mmol)を添加し、緩やかに還流させながら8時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物C(1.35g,49%)を得た。
DEI−MS(m/z=732(M))により化合物Cであることを確認した。
Intermediate 11 (1.84 g, 3.80 mmol), 9- (2-biphenyl) -10-anthraceneboronic acid (1.71 g, 4.56 mmol) in toluene (20 ml), ethanol (10 ml) in a solution of 2M carbonic acid. Aqueous sodium solution (5 ml) was added and bubbled with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (220 mg, 0.190 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 8 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain compound C (1.35 g, 49%).
Compound C was confirmed by DEI-MS (m / z = 732 (M + )).

[合成例4]
<中間体12の合成>

Figure 2009278077
[Synthesis Example 4]
<Synthesis of Intermediate 12>
Figure 2009278077

9−ブロモ−10−アントラセンボロン酸(5.0g,16.6mmol)、2−ブロモ−1−ヨードベンゼン(5.64g,19.9mmol)のトルエン(200ml)、エタノール(100ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(50ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(960mg,0.831mmol)を添加し、緩やかに還流させながら8時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体12(3.56g,52%)を得た。   2M in a solution of 9-bromo-10-anthraceneboronic acid (5.0 g, 16.6 mmol), 2-bromo-1-iodobenzene (5.64 g, 19.9 mmol) in toluene (200 ml), ethanol (100 ml). Sodium carbonate aqueous solution (50 ml) was added, and nitrogen was bubbled for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (960 mg, 0.831 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 8 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 12 (3.56 g, 52%).

<化合物Dの合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Compound D>
Figure 2009278077

3−(1−ピレニル)フェニルボロン酸(2.94g,9.14mmol)、中間体12(1.71g,4.15mmol)のトルエン(40ml)、エタノール(20ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(10ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(239mg,0.207mmol)を添加し、緩やかに還流させながら9時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物D(3.56g,52%)を得た。
DEI−MS(m/z=806(M))により化合物Dであることを確認した。
To a solution of 3- (1-pyrenyl) phenylboronic acid (2.94 g, 9.14 mmol), intermediate 12 (1.71 g, 4.15 mmol) in toluene (40 ml), ethanol (20 ml), 2M aqueous sodium carbonate solution ( 10 ml) and bubbling with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (239 mg, 0.207 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 9 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain compound D (3.56 g, 52%).
Compound D was confirmed by DEI-MS (m / z = 806 (M + )).

[合成例5]
<中間体13の合成>

Figure 2009278077
[Synthesis Example 5]
<Synthesis of Intermediate 13>
Figure 2009278077

1−ナフチルボロン酸(1.11g,6.4mmol)、2−ブロモ−1−ヨードベンゼン(2.39g,8.4mmol)のトルエン(32ml)、エタノール(16ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(8ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(369mg,0.32mmol)を添加し、緩やかに還流させながら5時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体13(2.40g,66%)を得た。   To a solution of 1-naphthylboronic acid (1.11 g, 6.4 mmol), 2-bromo-1-iodobenzene (2.39 g, 8.4 mmol) in toluene (32 ml), ethanol (16 ml), 2M aqueous sodium carbonate solution ( 8 ml) was added and bubbled with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (369 mg, 0.32 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 5 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 13 (2.40 g, 66%).

<中間体14の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 14>
Figure 2009278077

窒素雰囲気下、中間体13(2.3g,8.2mmol)の脱水テトラハイドロフラン(20ml)溶液を−78℃まで冷却し、1.66Mノルマルブチルリチウムヘキサン溶液(5.2ml,8.5mmol)を滴下した。同温度で1時間攪拌し、ボロン酸トリメチル(2.54g,24.5mmol)を添加し、さらに−78℃で2時間攪拌し、室温で3時間攪拌させた。反応混合物を水にあけ、1N−HClでpHを1にし、酢酸エチルで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体14(1.25g,61%)を得た。   Under a nitrogen atmosphere, a solution of intermediate 13 (2.3 g, 8.2 mmol) in dehydrated tetrahydrofuran (20 ml) was cooled to −78 ° C. and a 1.66 M normal butyl lithium hexane solution (5.2 ml, 8.5 mmol). Was dripped. The mixture was stirred at the same temperature for 1 hour, trimethyl boronate (2.54 g, 24.5 mmol) was added, and the mixture was further stirred at −78 ° C. for 2 hours and then at room temperature for 3 hours. The reaction mixture was poured into water, the pH was adjusted to 1 with 1N HCl, and the mixture was extracted with ethyl acetate. After drying with magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 14 (1.25 g, 61%).

<中間体15の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 15>
Figure 2009278077

中間体14(1.24g,4.79mmol)、9−ブロモアントラセン(881mg,3.42mmol)のジメトキシエタン(13ml)、トルエン(5ml)の溶液に2Mリン酸カリウム水溶液(7ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(158mg,0.136mmol)を添加し、緩やかに還流させながら11時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体15(487mg,38%)を得た。   To a solution of intermediate 14 (1.24 g, 4.79 mmol), 9-bromoanthracene (881 mg, 3.42 mmol) in dimethoxyethane (13 ml), toluene (5 ml) was added 2M aqueous potassium phosphate (7 ml), Bubbling with nitrogen was performed for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (158 mg, 0.136 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 11 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 15 (487 mg, 38%).

<中間体16の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 16>
Figure 2009278077

中間体15(487mg,1.28mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(5ml)溶液にN−ブロモスクシンイミド(228mg1.28mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(6ml)溶液を10分かけて滴下した。滴下終了後、室温で4時間攪拌し、水にあけた。析出した結晶を濾別し、中間体16(455mg,77%)を得た。   To a solution of intermediate 15 (487 mg, 1.28 mmol) in N, N-dimethylformamide (5 ml), N-bromosuccinimide (228 mg 1.28 mmol) in N, N-dimethylformamide (6 ml) was added dropwise over 10 minutes. After completion of dropping, the mixture was stirred at room temperature for 4 hours and poured into water. The precipitated crystals were separated by filtration to obtain Intermediate 16 (455 mg, 77%).

<化合物Eの合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Compound E>
Figure 2009278077

中間体16(450mg,0.979mmol)、3−(1−ピレニル)フェニルボロン酸(378mg,1.18mmol)のトルエン(10ml)、エタノール(4ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(2ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(56mg,0.048mmol)を添加し、緩やかに還流させながら7時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物E(418mg,65%)を得た。
DEI−MS(m/z=656(M))により化合物Eであることを確認した。
To a solution of Intermediate 16 (450 mg, 0.979 mmol), 3- (1-pyrenyl) phenylboronic acid (378 mg, 1.18 mmol) in toluene (10 ml), ethanol (4 ml) was added 2M aqueous sodium carbonate solution (2 ml). And bubbling with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (56 mg, 0.048 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 7 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain compound E (418 mg, 65%).
Compound E was confirmed by DEI-MS (m / z = 656 (M + )).

[合成例6]
<中間体17の合成>

Figure 2009278077
[Synthesis Example 6]
<Synthesis of Intermediate 17>
Figure 2009278077

ターシャリーブチルアントラセン(5.0g,21.3mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(200ml)溶液にN−ブロモスクシンイミド(3.99g,22.4mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(50ml)溶液を20分かけて滴下した。滴下終了後、室温で12時間攪拌した後、水にあけ、分離したオイル層をデカンテーションにて分離し、水層を塩化メチレンで抽出した。オイル層を塩化メチレンに溶解させ、先の抽出液とあわせて精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体17(5.36g,80%)を得た。   A solution of tertiary butylanthracene (5.0 g, 21.3 mmol) in N, N-dimethylformamide (200 ml) was added a solution of N-bromosuccinimide (3.99 g, 22.4 mmol) in N, N-dimethylformamide (50 ml). It was added dropwise over 20 minutes. After completion of dropping, the mixture was stirred at room temperature for 12 hours, poured into water, the separated oil layer was separated by decantation, and the aqueous layer was extracted with methylene chloride. The oil layer was dissolved in methylene chloride, combined with the previous extract, washed with purified water, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 17 (5.36 g, 80%).

<中間体18の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 18>
Figure 2009278077

中間体17(5.30g,16.9mmol)、3−ブロモ−1−ヨードベンゼン(4.0g,20.3mmol)のトルエン(50ml)、エタノール(50ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(25ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(585mg,0.51mmol)を添加し、緩やかに還流させながら18時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体18(4.90g,75%)を得た。   A solution of Intermediate 17 (5.30 g, 16.9 mmol), 3-bromo-1-iodobenzene (4.0 g, 20.3 mmol) in toluene (50 ml), ethanol (50 ml) in 2M aqueous sodium carbonate (25 ml) Was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (585 mg, 0.51 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 18 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain intermediate 18 (4.90 g, 75%).

<中間体19の合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Intermediate 19>
Figure 2009278077

中間体18(4.87g,12.7mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(53ml)溶液にN−ブロモスクシンイミド(2.40g,13.3mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(12ml)溶液を20分かけて滴下した。滴下終了後、室温で3時間攪拌し、水にあけ、析出した結晶を濾過した。結晶を50%メタノール水溶液で洗浄して、中間体19(5.5g,94%)を得た。   To a solution of intermediate 18 (4.87 g, 12.7 mmol) in N, N-dimethylformamide (53 ml) was added 20 N, N-dimethylformamide (12 ml) in N-bromosuccinimide (2.40 g, 13.3 mmol). It was added dropwise over a period of minutes. After completion of dropping, the mixture was stirred at room temperature for 3 hours, poured into water, and the precipitated crystals were filtered. The crystals were washed with 50% aqueous methanol solution to obtain Intermediate 19 (5.5 g, 94%).

<化合物Fの合成>

Figure 2009278077
<Synthesis of Compound F>
Figure 2009278077

中間体19(5.49g,11.8mmol)、3−(1−ピレニル)フェニルボロン酸(4.56g,14.2mmol)のトルエン(120ml)、エタノール(60ml)の溶液に2M炭酸ナトリウム水溶液(40ml)を添加し、窒素で15分間バブリングを行った。ここへテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(270mg,0.23mmol)を添加し、緩やかに還流させながら5時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンで抽出後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物F(5.90g,76%)を得た。
DEI−MS(m/z=662(M))により化合物Fであることを確認した。
A solution of Intermediate 19 (5.49 g, 11.8 mmol), 3- (1-pyrenyl) phenylboronic acid (4.56 g, 14.2 mmol) in toluene (120 ml) and ethanol (60 ml) in 2M aqueous sodium carbonate ( 40 ml) and bubbling with nitrogen for 15 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (270 mg, 0.23 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred for 5 hours while gently refluxing. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, extracted with toluene, the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain compound F (5.90 g, 76%).
Compound F was confirmed by DEI-MS (m / z = 662 (M + )).

[実施例1]
ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm成膜したもの(スパッタ成膜品、シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術により2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Example 1]
An anode 2 is formed by patterning an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film with a thickness of 150 nm on a glass substrate (sputtered film, sheet resistance 15 Ω) into a 2 mm wide stripe by a normal photolithography technique. Formed. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

正孔輸送性化合物として下記構造の芳香族アミン高分子化合物PB−1(重量平均分子量:29400、数平均分子量:12600)、電子受容性化合物として下記構造の化合物PI−1および溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。PB−1とPI−1は重量比でPB−1:PI−1=10:4とし、組成物中のPB−1およびPI−1の合計濃度は2重量%とした。この組成物をスピナ回転数1500rpm、スピナ回転時間30秒で陽極2上にスピンコートにより湿式成膜した。成膜後、260℃で180分間加熱乾燥させた。以上の操作により膜厚30nmの均一な正孔注入層3の薄膜が形成された。   Aromatic amine polymer compound PB-1 (weight average molecular weight: 29400, number average molecular weight: 12600) having the following structure as a hole transporting compound, compound PI-1 having the following structure as an electron accepting compound, and ethyl benzoate as a solvent A hole injection layer forming composition containing was prepared. PB-1 and PI-1 were PB-1: PI-1 = 10: 4 by weight ratio, and the total concentration of PB-1 and PI-1 in the composition was 2% by weight. This composition was wet-formed by spin coating on the anode 2 at a spinner rotation speed of 1500 rpm and a spinner rotation time of 30 seconds. After the film formation, it was heated and dried at 260 ° C. for 180 minutes. The thin film of the uniform hole injection layer 3 with a film thickness of 30 nm was formed by the above operation.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

正孔輸送性化合物として下記構造の化合物HT−1および溶媒としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。組成物中における化合物HT−1の濃度は0.4重量%とした。この組成物をスピナ回転数1500rpm、スピナ回転時間30秒で正孔注入層3上にスピンコートにより湿式成膜した。成膜後、230℃で60分間加熱した。以上の操作により膜厚20nmの均一な正孔輸送層4の薄膜が形成された。
尚、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは−5.27eVであった。
A composition for forming a hole transport layer containing Compound HT-1 having the following structure as a hole transporting compound and toluene as a solvent was prepared. The concentration of Compound HT-1 in the composition was 0.4% by weight. This composition was formed into a wet film by spin coating on the hole injection layer 3 at a spinner rotation speed of 1500 rpm and a spinner rotation time of 30 seconds. After film formation, the film was heated at 230 ° C. for 60 minutes. The thin film of the uniform hole transport layer 4 with a film thickness of 20 nm was formed by the above operation.
The ionization potential of the hole transport layer was −5.27 eV.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

有機電界発光素子材料として合成例1で合成した化合物A、下記構造の化合物D−1およびトルエンを含有する有機電界発光素子用組成物を、発光層形成に用いる組成物として調製した。組成物中の化合物Aと化合物D−1とは重量比で化合物A:D−1=10:1とし、組成物中の化合物AおよびD−1の合計濃度は0.75重量%とした。この組成物をスピナ回転数1500rpm、スピナ回転時間30秒で正孔輸送層4上にスピンコートにより湿式成膜した。成膜後、100℃で60分間加熱乾燥させた。以上の操作により膜厚40nmの均一な発光層5の薄膜が形成された。   A composition for an organic electroluminescence device containing Compound A synthesized in Synthesis Example 1 as a material for an organic electroluminescence device, Compound D-1 having the following structure, and toluene was prepared as a composition used for forming a light emitting layer. Compound A and D-1 in the composition were in a weight ratio of compound A: D-1 = 10: 1, and the total concentration of compound A and D-1 in the composition was 0.75 wt%. This composition was wet-formed by spin coating on the hole transport layer 4 at a spinner rotation speed of 1500 rpm and a spinner rotation time of 30 seconds. After the film formation, it was heated and dried at 100 ° C. for 60 minutes. The thin film of the uniform light emitting layer 5 with a film thickness of 40 nm was formed by the above operation.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

得られた発光層5の上に、真空蒸着法により正孔阻止層6として下記構造の化合物HB−1を膜厚10nmとなるように、次いで、電子輸送層7として下記構造の化合物ET−1を膜厚30nmとなるように、それぞれ順次積層した。   On the obtained light-emitting layer 5, the compound HB-1 having the following structure as the hole blocking layer 6 is formed to have a film thickness of 10 nm by a vacuum deposition method, and then the compound ET-1 having the following structure as the electron transporting layer 7. Were sequentially laminated so as to have a film thickness of 30 nm.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

その後、真空蒸着法により、電子注入層8としてフッ化リチウム(LiF)を膜厚0.5nmとなるように、陰極9としてアルミニウムを膜厚80nmとなるように、それぞれ陽極2であるITOストライプと直交する形状の2mm幅のストライプ状に積層した。   Thereafter, by the vacuum evaporation method, the ITO stripe as the anode 2 is formed so that lithium fluoride (LiF) has a thickness of 0.5 nm as the electron injection layer 8 and aluminum as the cathode 9 has a thickness of 80 nm. The stripes were stacked in a 2 mm width with an orthogonal shape.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。   As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained.

この素子からは、ELピーク波長464nmの青色発光が得られることを確認した。本実施例と後述の実施例2および比較例1、2で得られた有機電界発光素子の特性および駆動寿命をまとめて表1に示す。   It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 464 nm was obtained from this device. Table 1 summarizes the characteristics and driving lifetimes of the organic electroluminescent elements obtained in this example, Example 2 described later, and Comparative Examples 1 and 2.

[比較例1]
上記化合物Aの代わりに、下記構造の化合物E−2を使用した以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ELピーク波長470nmの青色発光が得られることを確認した。この素子は、実施例1と比較して駆動電圧は同等だったものの最高輝度や効率が低く、駆動寿命も短いものであった。
[Comparative Example 1]
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 1 except that the compound E-2 having the following structure was used instead of the compound A.
It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 470 nm was obtained from this device. Although this device had the same drive voltage as that of Example 1, the maximum luminance and efficiency were low, and the drive life was short.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

[実施例2]
発光層に用いる有機電界発光素子用組成物に含まれる溶媒としてトルエンに代わり、シクロヘキシルベンゼンを使用し、固形分の濃度を2.3重量%に変更したこと以外は実施例1と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ELピーク波長467nmの青色発光が得られることを確認した。
[Example 2]
Organic as in Example 1 except that cyclohexylbenzene was used in place of toluene as the solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements used in the light emitting layer, and the solid content concentration was changed to 2.3 wt%. An electroluminescent element was obtained.
It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 467 nm was obtained from this device.

[比較例2]
上記化合物Aの代わりに、比較例1で用いた化合物E−2を使用した以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ELピーク波長472nmの青色発光が得られることを確認した。この素子は、実施例2と比較して最高輝度が低く、駆動電圧が高く電流効率も劣り、色純度も低く、駆動寿命も短いものであった。
[Comparative Example 2]
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 2 except that the compound E-2 used in Comparative Example 1 was used instead of the compound A.
It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 472 nm was obtained from this device. This device had a lower maximum luminance than that of Example 2, a high driving voltage, inferior current efficiency, a low color purity, and a short driving life.

[実施例3]
上記化合物Aの代わりに、合成例2で合成した化合物Bを使用した以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ELピーク波長461nmの青色発光が得られることを確認した。
[Example 3]
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 1 except that Compound B synthesized in Synthesis Example 2 was used instead of Compound A.
It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 461 nm was obtained from this device.

[実施例4]
上記化合物Aの代わりに、合成例4で合成した化合物Dを使用した以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ELピーク波長470nmの青色発光が得られることを確認した。
[Example 4]
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 1 except that Compound D synthesized in Synthesis Example 4 was used instead of Compound A.
It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 470 nm was obtained from this device.

[実施例5]
上記化合物Aの代わりに、合成例5で合成した化合物Eを使用した以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を得た。
この素子からは、ELピーク波長464nmの青色発光が得られることを確認した。
[Example 5]
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 2 except that Compound E synthesized in Synthesis Example 5 was used instead of Compound A.
It was confirmed that blue light emission having an EL peak wavelength of 464 nm was obtained from this device.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

<素子の輝度半減時間>
実施例1の素子と比較例1の素子を室温条件下、1000cd/mで発光させた時、正面輝度が初期輝度の50%まで低下する迄に要した時間は、それぞれ620時間と520時間であった。
また、実施例2の素子と比較例2の素子を室温条件下、1000cd/mで発光させた時、正面輝度が初期輝度の50%まで低下する迄に要した時間は、それぞれ700時間と630時間であった。
<Element brightness half-life>
When the device of Example 1 and the device of Comparative Example 1 were made to emit light at 1000 cd / m 2 under room temperature conditions, the time required for the front luminance to decrease to 50% of the initial luminance was 620 hours and 520 hours, respectively. Met.
Further, when the device of Example 2 and the device of Comparative Example 2 were made to emit light at 1000 cd / m 2 under room temperature conditions, the time required for the front luminance to decrease to 50% of the initial luminance was 700 hours, respectively. It was 630 hours.

〔溶解度試験〕
[実施例6]
合成例1で合成した本発明の化合物Aと、下記式(E−3)で表される比較化合物を用いて、有機溶剤(シクロヘキシルベンゼン)への溶解度を測定した。測定した結果を表2に示す。
[Solubility test]
[Example 6]
Using the compound A of the present invention synthesized in Synthesis Example 1 and a comparative compound represented by the following formula (E-3), the solubility in an organic solvent (cyclohexylbenzene) was measured. Table 2 shows the measurement results.

Figure 2009278077
Figure 2009278077

Figure 2009278077
Figure 2009278077

上記より、前記式(1)で表される本発明の化合物は、有機溶剤に対する溶解性に優れることが分かる。前記表1でも示した通り、素子とした場合には、膜均一性に優れるため、短絡やダークスポットなどが生じず、駆動寿命が長く、また発光効率の高い素子が形成される。つまり、前記式(1)で表される化合物よりなる本発明の有機電界発光素子材料は、有機溶剤に対する溶解性と電荷輸送性を両立したものである。   From the above, it can be seen that the compound of the present invention represented by the formula (1) is excellent in solubility in an organic solvent. As shown in Table 1, when an element is used, the film uniformity is excellent, so that a short circuit or a dark spot does not occur, and an element having a long driving life and high light emission efficiency is formed. That is, the organic electroluminescent element material of the present invention comprising the compound represented by the formula (1) has both solubility in an organic solvent and charge transportability.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode

Claims (7)

有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料であって、下記式(1)で表される化合物からなることを特徴とする、有機電界発光素子材料。
Figure 2009278077
(式(1)中、Arは置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表す。環Aは置換基を有していてもよい炭素数30以下の芳香環を表し、環Aへのアントラセン環の結合位置に対してオルト位にArが結合する。Lは置換基を有していてもよい炭素数50以下の芳香環または芳香環が連結してなる原子団よりなる基である。Lが結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。)
An organic electroluminescent element material, which is a material used for an organic layer formed by a wet film-forming method of an organic electroluminescent element, comprising a compound represented by the following formula (1).
Figure 2009278077
(In formula (1), Ar 1 represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. Ring A represents an aromatic ring having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. , Ar 1 is bonded to the ortho position with respect to the bonding position of the anthracene ring to ring A. L 1 is an aromatic ring having 50 or less carbon atoms which may have a substituent or an atom formed by connecting aromatic rings. (The anthracene ring and pyrene ring to which L 1 is bonded may have a substituent.)
上記式(1)が下記式(2)で表されることを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光素子材料。
Figure 2009278077
(式(2)中、ArおよびLは上記式(1)におけると同義である。Lが結合するアントラセン環およびピレン環は置換基を有していてもよい。また、Arが結合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。)
The organic electroluminescent element material according to claim 1, wherein the formula (1) is represented by the following formula (2).
Figure 2009278077
(In the formula (2), Ar 1 and L 1 is an anthracene ring and pyrene ring .L 1 is as defined as in the formula (1) are attached may have a substituent. In addition, Ar 1 is (The benzene ring to be bonded may have a substituent.)
請求項1または2に記載の有機電界発光素子材料および溶媒を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。   An organic electroluminescent element composition comprising the organic electroluminescent element material according to claim 1 or 2 and a solvent. 陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、請求項3に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする、有機電界発光素子。   In the organic electroluminescence device having an organic layer between the anode and the cathode, at least one of the organic layers is a layer formed by wet deposition using the composition for organic electroluminescence device according to claim 3. An organic electroluminescent element characterized by the above. 該有機層として、正孔輸送層および発光層を有し、該正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが−5.1〜−6.5eVであり、該発光層が該有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層であることを特徴とする、請求項4に記載の有機電界発光素子。   The organic layer has a hole transport layer and a light emitting layer, the ionization potential of the hole transport layer is -5.1 to -6.5 eV, and the light emitting layer is composed of the composition for an organic electroluminescent element. The organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the organic electroluminescent element is a layer formed by a wet process. 請求項4または5に記載の有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイ。   The organic electroluminescent display using the organic electroluminescent element of Claim 4 or 5. 請求項4または5に記載の有機電界発光素子を用いた有機EL照明。   Organic EL illumination using the organic electroluminescent element according to claim 4 or 5.
JP2009099123A 2008-04-18 2009-04-15 Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device composition, organic electroluminescent device, organic EL display and organic EL lighting Active JP5444802B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009099123A JP5444802B2 (en) 2008-04-18 2009-04-15 Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device composition, organic electroluminescent device, organic EL display and organic EL lighting

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008109177 2008-04-18
JP2008109177 2008-04-18
JP2009099123A JP5444802B2 (en) 2008-04-18 2009-04-15 Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device composition, organic electroluminescent device, organic EL display and organic EL lighting

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009278077A true JP2009278077A (en) 2009-11-26
JP5444802B2 JP5444802B2 (en) 2014-03-19

Family

ID=41443189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009099123A Active JP5444802B2 (en) 2008-04-18 2009-04-15 Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device composition, organic electroluminescent device, organic EL display and organic EL lighting

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5444802B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011074550A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 三菱化学株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display device and illuminating device
US8525407B2 (en) 2009-06-24 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light source and device having the same
US9781783B2 (en) 2011-04-15 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007238500A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsui Chemicals Inc Anthracene compound and organic electroluminescent element containing the compound
JP2007329454A (en) * 2006-06-07 2007-12-20 Samsung Sdi Co Ltd Organic light emitting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007238500A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsui Chemicals Inc Anthracene compound and organic electroluminescent element containing the compound
JP2007329454A (en) * 2006-06-07 2007-12-20 Samsung Sdi Co Ltd Organic light emitting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525407B2 (en) 2009-06-24 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light source and device having the same
WO2011074550A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 三菱化学株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display device and illuminating device
CN102652462A (en) * 2009-12-15 2012-08-29 三菱化学株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display device and illuminating device
CN102652462B (en) * 2009-12-15 2016-01-20 三菱化学株式会社 The manufacture method of organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, display unit and lighting device
US9781783B2 (en) 2011-04-15 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system

Also Published As

Publication number Publication date
JP5444802B2 (en) 2014-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5743388B2 (en) Composition for organic electroluminescence device, organic thin film, organic electroluminescence device, organic EL display device and organic EL lighting
JP5757244B2 (en) Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, display device, and illumination device
JP5644063B2 (en) Composition for organic electroluminescence device, polymer film, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting
WO2011024922A1 (en) Monoamine compound, charge-transporting material, composition for charge-transporting film, organic electroluminescent element, organic el display device and organic el lighting
JP2011216473A (en) Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el lighting, organic el display device, and manufacturing device of organic electroluminescent element
JP7306345B2 (en) aromatic compounds
JP5463802B2 (en) Organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display, organic EL illumination, and naphthalene compound
JP2011051936A (en) Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display and organic el illumination
JP5750821B2 (en) Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting
WO2020171190A1 (en) Polymer, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el lighting
JP2010206191A (en) Organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element for wet film formation, and organic electroluminescent element
JPWO2019177175A1 (en) Polymers, compositions for organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices, organic EL display devices, organic EL lighting, and methods for manufacturing organic electroluminescent devices.
JP2011026237A (en) Organic compound, charge-transporting material, composition for organoelectroluminescent element, organoelectroluminescent element, organic el display and organic el illumination
JP2010219508A (en) Composition for organic electroluminescent element, organic thin film, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el illumination
JP5444802B2 (en) Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device composition, organic electroluminescent device, organic EL display and organic EL lighting
JP2010199296A (en) Organic electroluminescence element, organic el display and organic el lighting
JP2010183010A (en) Composition for organic electroluminescent element, organic thin film, the organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination
WO2022059725A1 (en) Polymer
WO2021125011A1 (en) Polymer, composition for organic electroluminescent element, composition for forming hole transport layer or hole injection layer, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el illuminator
JP2010229121A (en) Organic metal complex, composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP5644196B2 (en) Compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display device and organic EL illumination
JP2010209317A (en) Metal complex, composition for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element
JP2013105836A (en) Organic film for hole injection transport layer, composition for forming hole injection transport layer, an organic electroluminescent element, and organic electroluminescent device
JP2010184876A (en) Organometallic complex, composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP2021147325A (en) Aromatic compound

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5444802

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350