JP2009273712A - Artificial retina - Google Patents

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Mutsumi Kimura
睦 木村
Takashi Nakanishi
中西　　孝
Toshio Kamiya
利夫 神谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily transmit an illuminance signal to optic nerve cells, while attaining pixel refinement and an effective electrode stimulation by three-dimensionally arranging photodetectors, image processing circuits, and stimulation electrodes on a substrate. <P>SOLUTION: An artificial retina 1 includes: polysilicon thin film photo-transistors 2 formed on the substrate 5 in order to convert incident light made incident to the substrate 5 into image signals; transparent oxide semiconductor TFT 3 formed on the polysilicon thin film photo-transistors 2 in order to process the image signals converted from the incident light by the polysilicon thin film photo-transistors 5; and the stimulation electrodes 4 formed on the oxide semiconductor TFT 3 in order to transmit the image signals processed by the oxide semiconductor TFT 3 to the optic nerve cells. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板に入射する入射光を画像信号に変換する受光素子と、受光素子によって入射光から変換された画像信号を処理する半導体薄膜トランジスタと、半導体薄膜トランジスタによって処理された画像信号を視神経細胞に伝達する刺激電極とを備えた人工網膜に関する。   The present invention relates to a light receiving element that converts incident light incident on a substrate into an image signal, a semiconductor thin film transistor that processes an image signal converted from incident light by the light receiving element, and an image signal processed by the semiconductor thin film transistor to an optic nerve cell. The present invention relates to an artificial retina having a stimulation electrode for transmission.

人工網膜は、視覚障害者が光を取り戻すための人工臓器として、おおいに嘱望されている。図３は、生体の網膜の構成を示す模式図である。眼球の内面には、強膜及び脈絡膜が形成されており、脈絡膜の上には視細胞が形成されている。視細胞の上には双極細胞が形成されている。双極細胞には、視神経を構成する神経節細胞が接続されている。   Artificial retina is greatly envied as an artificial organ for the visually impaired to recover light. FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of the retina of a living body. A sclera and a choroid are formed on the inner surface of the eyeball, and photoreceptors are formed on the choroid. Bipolar cells are formed on the photoreceptor cells. A ganglion cell constituting the optic nerve is connected to the bipolar cell.

図４は、従来の網膜上埋め込み型人工網膜を説明するための模式図である。図５は従来の網膜下埋め込み型人工網膜を説明するための模式図であり、図６は従来のＳＴＳ方式人工網膜を説明するための模式図である。   FIG. 4 is a schematic view for explaining a conventional on-retinal implantable artificial retina. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a conventional subretinal implantable artificial retina, and FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a conventional STS artificial retina.

人工網膜の埋め込み方式は、網膜上埋め込み型、網膜下埋め込み型及びＳＴＳ方式（網膜越方式）に大別される（非特許文献１）。網膜上埋め込み型は、図４に示すように、網膜の上に人工網膜９１ａ（電極アレイ）を設ける方式であり（特許文献１及び特許文献２）、網膜下埋め込み型は、図５に示すように、脈絡膜と双極細胞との間に人工網膜９１ｂを埋め込む方式である。ＳＴＳ方式は、図６に示すように、強膜内に刺激電極デバイスを挿入するポケットを形成し、そこに人工網膜９１ｃを埋植し、網膜細胞を刺激する方式である。照度信号（画像信号）を確実に視神経細胞に伝えるためには、網膜下埋め込み型が好ましい。   Artificial retina embedding methods are broadly classified into an epiretinal embedding type, a subretinal embedding type, and an STS method (trans-retinal method) (Non-Patent Document 1). As shown in FIG. 4, the in-retinal implant type is a system in which an artificial retina 91a (electrode array) is provided on the retina (Patent Document 1 and Patent Document 2). The sub-retinal implant type is as shown in FIG. In addition, the artificial retina 91b is embedded between the choroid and the bipolar cells. As shown in FIG. 6, the STS method is a method in which a pocket for inserting a stimulation electrode device is formed in the sclera, and an artificial retina 91c is implanted therein to stimulate retinal cells. In order to reliably transmit the illuminance signal (image signal) to the optic nerve cell, the subretinal implant type is preferable.

生体への負担を考慮すると、受光素子と画像処理回路（半導体薄膜トランジスタ）と刺激電極とのすべてが１個のチップに集積され、独立して動作する人工網膜が好ましい。これまで、通常のＬＳＩ技術によるシリコントランジスタを用いた人工網膜が開発されている（非特許文献１）。さらに、薄膜トランジスタを用いた人工網膜も、本発明の発明者の一人により提案されている（特許文献１及び特許文献２）。   Considering the burden on the living body, an artificial retina in which all of the light receiving element, the image processing circuit (semiconductor thin film transistor), and the stimulation electrode are integrated on one chip and operates independently is preferable. Until now, an artificial retina using a silicon transistor by a normal LSI technology has been developed (Non-patent Document 1). Furthermore, an artificial retina using a thin film transistor has also been proposed by one of the inventors of the present invention (Patent Document 1 and Patent Document 2).

通常のポリシリコン薄膜トランジスタと同様の製造プロセスにより、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタを作製し、受光素子として人工網膜に設ける構成が開示されている（非特許文献２）。また、酸化物半導体薄膜トランジスタを作製する技術が開示されている（非特許文献３）。網膜細胞と同様の機能を実現したＬＳＩチップを３次元的に積層した人工網膜が開示されている（非特許文献４）。
特開２００６−５１１６４号公報（平成１８年２月２３日公開） 特開２００８−７９７９９号公報（平成２０年４月１０日公開） 太田 淳著 「人工視覚用デバイス」、超五感センサの開発最前線、ＮＴＳ、４５頁〜５５頁 木村 睦、西崎仁貴、「薄膜デバイスによる人工網膜」、シーエムシー出版、バイオインダストリー、ＦＥＢ ２ ２００８、７６頁〜８１頁、２００８年１月 Ｋ．Ｎｏｍｕｒａ、Ｔ．Ｋａｍｉｙａ ｅｔ ａｌ、Ｎａｔｕｒｅ ＶＯＬ．４３２、４８８（２００４）、２５ ＮＯＶＥＭＢＥＲ ２００４ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＰＤ Ｗｏｒｌｄ ２００２．１、４０頁 A configuration in which a polysilicon thin film phototransistor is manufactured by a manufacturing process similar to that of a normal polysilicon thin film transistor and provided as a light receiving element on an artificial retina is disclosed (Non-Patent Document 2). In addition, a technique for manufacturing an oxide semiconductor thin film transistor is disclosed (Non-Patent Document 3). An artificial retina in which LSI chips that realize the same function as retinal cells are three-dimensionally stacked is disclosed (Non-patent Document 4).
JP 2006-511164 A (published February 23, 2006) JP 2008-79799 A (published April 10, 2008) Satoshi Ota “Artificial Vision Device”, Development Frontier of Super Five Sense Sensor, NTS, pp. 45-55 Satoshi Kimura, Hitoki Nishizaki, “Artificial Retina Using Thin Film Devices”, CM Publishing, Bioindustry, FEB 2 2008, pp. 76-81, January 2008 K. Nomura, T .; Kamiya et al, Nature VOL. 432, 488 (2004), 25 NOVEBER 2004 Semiconductor FPD World 2002.1, 40

前述したとおり、照度信号（画像信号）を確実に視神経細胞に伝えるためには、網膜下埋め込み型人工網膜が好ましいのであるが、この構成は、光が入射する方向と１８０度反対の方向に向かって画像信号を視神経に出力する構成であるため、受光素子と刺激電極とを同一の層に配置しなければならず、画素を微細化することができず、効果的な電極刺激を実現することができないという問題がある。   As described above, in order to reliably transmit the illuminance signal (image signal) to the optic nerve cell, the subretinal implantable artificial retina is preferable, but this configuration is directed in a direction 180 degrees opposite to the direction in which the light is incident. Since the image signal is output to the optic nerve, the light receiving element and the stimulation electrode must be arranged in the same layer, and the pixels cannot be miniaturized, and effective electrode stimulation is realized. There is a problem that can not be.

非特許文献４に開示された構成では、ＬＳＩチップを高精度で３次元的に積層する必要があり、実用性に乏しいという問題がある。   In the configuration disclosed in Non-Patent Document 4, it is necessary to stack LSI chips three-dimensionally with high accuracy, and there is a problem that practicability is poor.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、受光素子、画像処理回路及び刺激電極を３次元的に基板上に配置して、画素の微細化及び効果的な電極刺激を実現しながら、照度信号を困難なく視神経細胞に伝達することができる人工網膜を実現することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light receiving element, an image processing circuit, and a stimulation electrode on a substrate three-dimensionally to make a pixel finer and more effective. It is to realize an artificial retina capable of transmitting an illuminance signal to an optic nerve cell without difficulty while realizing electrode stimulation.

本発明に係る人工網膜は、基板に入射する入射光を画像信号に変換するために前記基板上に形成された受光素子と、前記受光素子によって前記入射光から変換された画像信号を処理するために前記受光素子の上に形成された透明な半導体薄膜トランジスタと、前記半導体薄膜トランジスタによって処理された画像信号を視神経細胞に伝達するために前記半導体薄膜トランジスタの上に形成された刺激電極とを備えたことを特徴とする。   An artificial retina according to the present invention processes a light receiving element formed on the substrate to convert incident light incident on the substrate into an image signal, and an image signal converted from the incident light by the light receiving element. A transparent semiconductor thin film transistor formed on the light receiving element, and a stimulation electrode formed on the semiconductor thin film transistor for transmitting an image signal processed by the semiconductor thin film transistor to an optic nerve cell. Features.

この特徴により、前記受光素子によって前記入射光から変換された画像信号を処理するために前記受光素子の上に形成される半導体薄膜トランジスタを透明にしたので、光が入射する方向と、画像信号が視神経細胞に出力される方向が１８０度反対である人工網膜において、受光素子、画像処理回路、及び刺激電極を３次元的に配置することができるので、画素の微細化及び効果的な電極刺激を実現しながら、困難なく照度信号を神経細胞に伝えることができる。   Due to this feature, the semiconductor thin film transistor formed on the light receiving element is made transparent in order to process the image signal converted from the incident light by the light receiving element, so that the light incident direction and the image signal are In an artificial retina whose direction of output to cells is 180 degrees opposite, the light receiving element, image processing circuit, and stimulation electrode can be arranged three-dimensionally, thus realizing pixel miniaturization and effective electrode stimulation. However, the illumination signal can be transmitted to the nerve cells without difficulty.

本発明に係る人工網膜では、前記受光素子は、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタによって構成されていることが好ましい。   In the artificial retina according to the present invention, the light receiving element is preferably constituted by a polysilicon thin film phototransistor.

上記構成によれば、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタにより、高い効率で入射光を検出することができる。   According to the above configuration, incident light can be detected with high efficiency by the polysilicon thin film phototransistor.

本発明に係る人工網膜では、前記半導体薄膜トランジスタは、酸化物半導体によって構成されていることが好ましい。   In the artificial retina according to the present invention, the semiconductor thin film transistor is preferably composed of an oxide semiconductor.

上記構成によれば、透過率の高い半導体薄膜トランジスタを実現することができる。   According to the above configuration, a semiconductor thin film transistor with high transmittance can be realized.

本発明に係る人工網膜では、有機半導体によって構成されていることが好ましい。   The artificial retina according to the present invention is preferably composed of an organic semiconductor.

上記構成によれば、透過率の高い半導体薄膜トランジスタを実現することができる。   According to the above configuration, a semiconductor thin film transistor with high transmittance can be realized.

本発明に係る人工網膜では、前記基板は、生体に適合する生体適合基板であることが好ましい。   In the artificial retina according to the present invention, the substrate is preferably a biocompatible substrate compatible with a living body.

上記構成によれば、生体への埋め込みに適した人工網膜を得ることができる。   According to the above configuration, an artificial retina suitable for implantation in a living body can be obtained.

本発明に係る人工網膜は、前記受光素子によって前記入射光から変換された画像信号を処理するために前記受光素子の上に形成される半導体薄膜トランジスタを透明にしている。このため、光が入射する方向と、画像信号が視神経細胞に出力される方向が１８０度反対である人工網膜において、受光素子、画像処理回路、及び刺激電極を３次元的に配置することができるので、画素の微細化及び効果的な電極刺激を実現しながら、困難なく照度信号を神経細胞に伝えることができる。   In the artificial retina according to the present invention, a semiconductor thin film transistor formed on the light receiving element is made transparent in order to process an image signal converted from the incident light by the light receiving element. Therefore, the light receiving element, the image processing circuit, and the stimulation electrode can be three-dimensionally arranged in the artificial retina in which the direction in which light is incident and the direction in which the image signal is output to the optic nerve cell are 180 degrees opposite to each other. Therefore, it is possible to transmit the illuminance signal to the nerve cells without difficulty while realizing pixel miniaturization and effective electrode stimulation.

本発明の一実施形態について図１及び図２に基づいて説明すると以下の通りである。図１は、実施の形態に係る人工網膜１が生体網膜に埋め込まれた状態を示す模式図である。図２は、実施の形態に係る人工網膜１の構成を示す正面図である。実施の形態に係る人工網膜１は、網膜下埋め込み型であり、脈絡膜と双極細胞との間に人工網膜１を埋め込む方式である。この網膜下埋め込み型人工網膜１は、光が入射する矢印６に示す方向と１８０度反対の矢印７の方向に向かって画像信号を視神経に出力する構成である。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic diagram showing a state in which an artificial retina 1 according to an embodiment is embedded in a living retina. FIG. 2 is a front view showing the configuration of the artificial retina 1 according to the embodiment. The artificial retina 1 according to the embodiment is of a subretinal implant type, in which the artificial retina 1 is embedded between the choroid and bipolar cells. The subretinal implantable artificial retina 1 is configured to output an image signal to the optic nerve in the direction of an arrow 7 that is 180 degrees opposite to the direction indicated by the arrow 6 on which light is incident.

人工網膜１は、基板５を備えている。基板５は、生体に適合する生体適合基板によって構成されており、例えば、柔軟性を有するプラスチックによって形成されている。基板５は、透明であってもよいが、透明である必要はない。   The artificial retina 1 includes a substrate 5. The board | substrate 5 is comprised with the biocompatible board | substrate compatible with a biological body, for example, is formed with the plastics which have a softness | flexibility. The substrate 5 may be transparent, but need not be transparent.

基板５の表面上には、基板５に入射する入射光を画像信号に変換するポリシリコン薄膜フォトトランジスタ２が形成されている。ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ２の上には、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ２によって入射光から変換された画像信号を処理するための透明な酸化物半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３が形成されている。この酸化物半導体ＴＦＴ３は、可視光透過率が５０％以上である。酸化物半導体ＴＦＴ３は、１０ｃｍ２／Ｖｓ程度の移動度を有している。酸化物半導体としては、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、それらに類似する酸化物、及びＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎを少なくとも１種類含む酸化物を使用することができる。 A polysilicon thin film phototransistor 2 that converts incident light incident on the substrate 5 into an image signal is formed on the surface of the substrate 5. A transparent oxide semiconductor thin film transistor (TFT) 3 for processing an image signal converted from incident light by the polysilicon thin film phototransistor 2 is formed on the polysilicon thin film phototransistor 2. This oxide semiconductor TFT3 has a visible light transmittance of 50% or more. The oxide semiconductor TFT3 has a mobility of about 10 cm 2 / Vs. As the oxide semiconductor, for example, InGaZnO 4 , ZnO, SnO 2 , In 2 O 3 , oxides similar to these, and oxides containing at least one kind of In, Ga, Zn, and Sn can be used.

この酸化物半導体ＴＦＴ３は、画像処理回路を構成しており、例えば、カレントミラー回路と負荷トランジスタとから構成される。カレントミラー回路は、２個の薄膜トランジスタで構成され、負荷トランジスタは２個の薄膜トランジスタで構成される。薄膜フォトトランジスタにより生成された光誘起電流は、カレントミラー回路により電流増幅され、負荷トランジスタにより電流電圧変換される。   The oxide semiconductor TFT 3 constitutes an image processing circuit, for example, a current mirror circuit and a load transistor. The current mirror circuit is composed of two thin film transistors, and the load transistor is composed of two thin film transistors. The photo-induced current generated by the thin film phototransistor is current-amplified by a current mirror circuit and is converted into a current-voltage by a load transistor.

酸化物半導体ＴＦＴ３の上には、刺激電極４が形成されている。刺激電極４は、酸化物半導体ＴＦＴ３によって処理された画像信号を視神経細胞に伝達する。刺激電極４は、例えば、透明なすず添加Ｉｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）によって構成されている。刺激電極４は、酸化物半導体によって構成してもよい。 A stimulation electrode 4 is formed on the oxide semiconductor TFT 3. The stimulation electrode 4 transmits the image signal processed by the oxide semiconductor TFT 3 to the optic nerve cell. The stimulation electrode 4 is made of, for example, transparent tin-added In 2 O 3 (ITO). The stimulation electrode 4 may be composed of an oxide semiconductor.

人工網膜１は、チップ状に形成されており、基板５が網膜の外側に面するようにして、網膜下埋め込み方式により網膜に埋め込まれる。   The artificial retina 1 is formed in a chip shape, and is embedded in the retina by the subretinal embedding method so that the substrate 5 faces the outside of the retina.

このように構成された人工網膜１においては、入射光は、矢印６の方向に向かって透明な刺激電極４を透過した後、透明な酸化物半導体ＴＦＴ３を透過して、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ２に入射する。ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ２に入射した入射光は、画像信号に変換される。酸化物半導体ＴＦＴ３によって入射光から変換された画像信号は、酸化物半導体ＴＦＴ３によって処理される。そして、酸化物半導体ＴＦＴ３によって処理された画像信号は、刺激電極４から検出することができ、視神経細胞に伝達することができる。   In the thus configured artificial retina 1, incident light passes through the transparent stimulation electrode 4 in the direction of the arrow 6, and then passes through the transparent oxide semiconductor TFT 3, thereby forming the polysilicon thin film phototransistor 2. Is incident on. Incident light incident on the polysilicon thin film phototransistor 2 is converted into an image signal. An image signal converted from incident light by the oxide semiconductor TFT 3 is processed by the oxide semiconductor TFT 3. The image signal processed by the oxide semiconductor TFT 3 can be detected from the stimulation electrode 4 and can be transmitted to the optic nerve cell.

以上のように本実施の形態によれば、受光素子（ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ２）によって入射光から変換された画像信号を処理するための半導体薄膜トランジスタ（酸化物半導体ＴＦＴ３）を透明に構成したので、光が入射する方向（矢印６）と１８０度反対の方向（矢印７）に向かって画像信号を視神経に出力する構成の人工網膜において、受光素子、画像処理回路、及び刺激電極をチップ上に３次元的に配置することができ、画素の微細化及び効果的な電極配置を実現しながら、照度信号を視神経細胞に困難なく伝えることができる。   As described above, according to the present embodiment, the semiconductor thin film transistor (oxide semiconductor TFT 3) for processing the image signal converted from the incident light by the light receiving element (polysilicon thin film phototransistor 2) is configured to be transparent. In an artificial retina configured to output an image signal to the optic nerve in a direction 180 degrees opposite to the direction in which light enters (arrow 6) (arrow 7), a light receiving element, an image processing circuit, and a stimulation electrode are provided on the chip The illuminance signal can be transmitted to the optic nerve cell without difficulty while realizing three-dimensional arrangement and realizing pixel miniaturization and effective electrode arrangement.

また、酸化物半導体薄膜トランジスタの製造プロセス温度は低温であるため、ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜フォトダイオードとともに酸化物半導体薄膜トランジスタを、プラスティック等で形成された生体適合基板の上に作製することができるので、本実施の形態の構成は、生体埋め込みに適していることが期待できる。   In addition, since the manufacturing process temperature of the oxide semiconductor thin film transistor is low, the oxide semiconductor thin film transistor can be manufactured on a biocompatible substrate formed of plastic or the like together with the poly-Si thin film photodiode. This configuration can be expected to be suitable for living body implantation.

なお、本実施の形態では、酸化物半導体ＴＦＴ３を設けた例を示したが、本発明はこれに限定されない。酸化物半導体ＴＦＴの代わりに、有機半導体を設けても良い。有機半導体としては、例えば、低分子型のペンタセン（Ｐｅｎｔａｃｅｎ）、または、高分子型のＦ８Ｔ２を用いることができる。   Note that although an example in which the oxide semiconductor TFT 3 is provided is described in this embodiment, the present invention is not limited to this. An organic semiconductor may be provided instead of the oxide semiconductor TFT. As the organic semiconductor, for example, low molecular pentacene or high molecular F8T2 can be used.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、基板に入射する入射光を画像信号に変換する受光素子と、受光素子によって入射光から変換された画像信号を処理する半導体薄膜トランジスタと、半導体薄膜トランジスタによって処理された画像信号を視神経細胞に伝達する刺激電極とを備えた人工網膜に適用することができる。   The present invention relates to a light receiving element that converts incident light incident on a substrate into an image signal, a semiconductor thin film transistor that processes an image signal converted from incident light by the light receiving element, and an image signal processed by the semiconductor thin film transistor to an optic nerve cell. It can be applied to an artificial retina provided with a stimulating electrode for transmission.

実施の形態に係る人工網膜が生体網膜に埋め込まれた状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state by which the artificial retina which concerns on embodiment was embedded in the biological retina. 実施の形態に係る人工網膜の構成を示す正面図である。It is a front view which shows the structure of the artificial retina which concerns on embodiment. 生体の網膜の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the retina of a biological body. 従来の網膜上埋め込み型人工網膜を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the conventional implantable artificial retina on a retina. 従来の網膜下埋め込み型人工網膜を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the conventional subretinal implantable artificial retina. 従来のＳＴＳ方式人工網膜を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the conventional STS system artificial retina.

符号の説明Explanation of symbols

１ 人工網膜
２ ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ（受光素子）
３ 酸化物半導体ＴＦＴ（半導体薄膜トランジスタ）
４ 刺激電極
５ 基板 1 Artificial retina 2 Polysilicon thin film phototransistor (light receiving element)
3 Oxide semiconductor TFT (semiconductor thin film transistor)
4 Stimulation electrode 5 Substrate

Claims (5)

基板に入射する入射光を画像信号に変換するために前記基板上に形成された受光素子と、
前記受光素子によって前記入射光から変換された画像信号を処理するために前記受光素子の上に形成された透明な半導体薄膜トランジスタと、
前記半導体薄膜トランジスタによって処理された画像信号を視神経細胞に伝達するために前記半導体薄膜トランジスタの上に形成された刺激電極とを備えたことを特徴とする人工網膜。 A light receiving element formed on the substrate to convert incident light incident on the substrate into an image signal;
A transparent semiconductor thin film transistor formed on the light receiving element to process an image signal converted from the incident light by the light receiving element;
An artificial retina comprising: a stimulation electrode formed on the semiconductor thin film transistor for transmitting an image signal processed by the semiconductor thin film transistor to an optic nerve cell. 前記受光素子は、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタによって構成されている請求項１記載の人工網膜。   The artificial retina according to claim 1, wherein the light receiving element is constituted by a polysilicon thin film phototransistor. 前記半導体薄膜トランジスタは、酸化物半導体によって構成されている請求項１記載の人工網膜。   The artificial retina according to claim 1, wherein the semiconductor thin film transistor is made of an oxide semiconductor. 前記半導体薄膜トランジスタは、有機半導体によって構成されている請求項１記載の人工網膜。   The artificial retina according to claim 1, wherein the semiconductor thin film transistor is composed of an organic semiconductor. 前記基板は、生体に適合する生体適合基板である請求項１記載の人工網膜。   The artificial retina according to claim 1, wherein the substrate is a biocompatible substrate compatible with a living body.
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