JP2009272323A - Semiconductor substrate grinding machine and grinding method - Google Patents
Semiconductor substrate grinding machine and grinding method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009272323A JP2009272323A JP2008118830A JP2008118830A JP2009272323A JP 2009272323 A JP2009272323 A JP 2009272323A JP 2008118830 A JP2008118830 A JP 2008118830A JP 2008118830 A JP2008118830 A JP 2008118830A JP 2009272323 A JP2009272323 A JP 2009272323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- semiconductor substrate
- constant
- moving mechanism
- constant speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体基板研削機及び研削方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor substrate grinding machine and a grinding method.
従来、半導体基板の厚さを揃え、平坦度を効率よく向上させる方法として、砥粒を含んだ砥石(研削砥石)を回転させて半導体基板に押し当て、砥石の砥粒で半導体基板の表面を削り取る研削加工が一般的である。 Conventionally, as a method for efficiently improving the flatness by aligning the thickness of a semiconductor substrate, a grindstone (grinding grindstone) containing abrasive grains is rotated and pressed against the semiconductor substrate, and the surface of the semiconductor substrate is ground with the grindstone abrasive grains. The grinding process which scrapes off is common.
砥石を半導体基板に押し当てる方法としては、モータの駆動力で一定速度で押し当てていく方法(例えば、特許文献1参照)と、錘の負荷を利用するなどの方法で一定圧力で押し当てる方法が知られている。 As a method of pressing the grindstone against the semiconductor substrate, a method of pressing at a constant speed with a driving force of a motor (for example, refer to Patent Document 1) and a method of pressing at a constant pressure using a weight load or the like It has been known.
一定速度で砥石を半導体基板に押し当てる方法では、例えば、図6(a)および図6(b)に示す半導体基板研削機61が用いられる。この半導体基板研削機61では、ボールネジ62をモータ63により一定速度で回転させ、このボールネジ62の回転により研削機構64を載置したスライドベース65を移動させ、ベース66に固定された治具67の半導体基板68に研削機構64の砥石69を一定速度で押し当てて研削を行う。 In a method of pressing a grindstone against a semiconductor substrate at a constant speed, for example, a semiconductor substrate grinder 61 shown in FIGS. 6A and 6B is used. In this semiconductor substrate grinding machine 61, the ball screw 62 is rotated at a constant speed by a motor 63, the slide base 65 on which the grinding mechanism 64 is placed is moved by the rotation of the ball screw 62, and the jig 67 fixed to the base 66 is moved. Grinding is performed by pressing the grindstone 69 of the grinding mechanism 64 against the semiconductor substrate 68 at a constant speed.
しかし、このように一定速度で押し当てていく方法で研削加工を行うと、砥石69の切れ味が低下した状況でも強制的に送り込むため、半導体基板68の表面に深いキズが発生する場合がある。 However, when grinding is performed by a method of pressing at a constant speed in this way, the surface of the semiconductor substrate 68 may be deeply scratched because it is forcibly sent even when the sharpness of the grindstone 69 is lowered.
この深いキズの発生を防止する研削方法としては、例えば、一定速度で押し当てて研削を行う代わりに、砥石を押し当てていく力を錘の重量で制御し、半導体基板と砥石を一定圧力で押し当てて研削する方法がある。 As a grinding method to prevent the occurrence of deep scratches, for example, instead of pressing at a constant speed for grinding, the force for pressing the grindstone is controlled by the weight of the weight, and the semiconductor substrate and the grindstone are kept at a constant pressure. There is a method of grinding by pressing.
一定圧力で砥石を半導体基板に押し当てる方法では、例えば、図7(a)および図7(b)に示す半導体基板研削機71が用いられる。この半導体基板研削機71では、スライドベース72の側面にピン73を設け、そのピン73にワイヤ74の一端を固定し、そのワイヤ74を定滑車(ガイドロール)75に掛け、ワイヤ74の他端に錘76を接続している。
In a method of pressing a grindstone against a semiconductor substrate with a constant pressure, for example, a
この半導体基板研削機71では、モータ77でボールネジ78を回転させ、ボールネジ78の回転によりナット79が前進すると、スライドベース72は錘76の重量で引っ張られているため、ナット79に追従する。ベース80上に固定した治具81にスライドベース72に載置した研削機構82を近づけ、砥石83と半導体基板84とが接触すると、ナット79とスライドベース72が離れ、(加工圧)=(錘の重量)となり、加工圧を一定にして研削を行う。
In this semiconductor
通常、研削加工で形成された加工変質層(ダメージ層)は、次工程の研磨加工で取り去っている。研磨加工の方法としては、半導体基板をガラス製の研磨定盤に押し付け、これを摺動させながら研磨剤を研磨定盤上に供給して、半導体基板を研磨する方法が一般的である。 Usually, the work-affected layer (damaged layer) formed by grinding is removed by polishing in the next step. As a polishing method, a method is generally employed in which a semiconductor substrate is pressed against a glass polishing surface plate, and an abrasive is supplied onto the polishing surface plate while sliding the semiconductor substrate to polish the semiconductor substrate.
しかし、研磨加工では単位時間あたりの加工量(研削可能厚さ)が少ないため、研削加工で形成された加工変質層が厚いと、研磨加工で除去する量(厚さ)が多くなり、時間と費用がかかってしまう。そのため、半導体基板の製造効率の点からも、研削加工で形成される加工変質層は極力薄いほうが好ましい。 However, since the processing amount per unit time (thickness that can be ground) is small in polishing processing, if the work-affected layer formed by grinding processing is thick, the amount (thickness) to be removed by polishing processing increases. It costs money. Therefore, it is preferable that the work-affected layer formed by grinding is as thin as possible from the viewpoint of manufacturing efficiency of the semiconductor substrate.
研削加工で形成される加工変質層を薄くする方法として、一定圧力で押し当てる方法が有効であるが、砥石の状態によって加工時間が変動してしまい、加工能率が低くなるという問題があった。加工時間の管理や加工効率の点では、一定圧力で押し当てる方法よりも、一定速度で押し当てていく方法が有効である。 As a method of thinning the work-affected layer formed by grinding, a method of pressing with a constant pressure is effective, but there is a problem that the processing time varies depending on the state of the grindstone and the processing efficiency is lowered. In terms of processing time management and processing efficiency, a method of pressing at a constant speed is more effective than a method of pressing at a constant pressure.
しかしながら、従来、1台の研削機で、一定速度の研削加工と一定圧力の研削加工を可能とする研削機はなかった。 However, heretofore, there has been no grinder capable of performing constant speed grinding and constant pressure grinding with a single grinding machine.
そこで、本発明の目的は、一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことを可能とし、加工変質層を薄くし、かつ加工能率の向上を図った半導体基板研削機及び研削方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to grind a semiconductor substrate by which a grinding process at a constant speed and a grinding process at a constant pressure can be performed by a series of operations, a work-affected layer is thinned, and a machining efficiency is improved. It is to provide a machine and a grinding method.
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、ベース上に、半導体基板を保持する治具と、その治具に保持された前記半導体基板に対向する研削部材を保持する研削機構とを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を他方に向かって移動自在に設け、前記半導体基板と前記研削部材とを相対的に回転させつつ接触させることで前記半導体基板を研削する半導体基板研削機において、前記ベース上に、そのベースに対して滑動自在に設けられたスライドベースを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を前記スライドベースに搭載し、さらに前記治具及び/又は前記研削機構を定速で移動して前記半導体基板を研削するための定速移動機構と、前記半導体基板と前記研削部材とを定圧で押圧して前記半導体基板を研削するための定圧移動機構とを前記スライドベースに設ける半導体基板研削機である。 The present invention was devised to achieve the above object, and a grinding mechanism for holding a jig for holding a semiconductor substrate on a base and a grinding member facing the semiconductor substrate held by the jig. And at least one of the jig and the grinding mechanism is movably provided toward the other, and the semiconductor substrate and the grinding member are rotated and brought into contact with each other to grind the semiconductor substrate. In the semiconductor substrate grinding machine, a slide base provided slidably with respect to the base is provided on the base, and at least one of the jig and the grinding mechanism is mounted on the slide base, and A constant speed moving mechanism for moving the jig and / or the grinding mechanism at a constant speed to grind the semiconductor substrate, and pressing the semiconductor substrate and the grinding member with a constant pressure. Serial and constant pressure moving mechanism for grinding the semiconductor substrate is a semiconductor substrate grinder provided on the slide base.
本発明は、前記治具または前記研削機構と前記定圧移動機構とを連結し、前記定速移動機構に、定速移動時に前記スライドベースを拘束し、前記定速移動機構から前記定圧移動機構に切り替える際に、前記スライドベースを開放する切り替え機構を設けた半導体基板研削機である。 The present invention connects the jig or the grinding mechanism and the constant pressure moving mechanism, and constrains the slide base to the constant speed moving mechanism when moving at a constant speed, from the constant speed moving mechanism to the constant pressure moving mechanism. A semiconductor substrate grinding machine provided with a switching mechanism that opens the slide base when switching.
本発明は、前記スライドベースを定速で移動させる定速移動機構は、ボールネジ機構と、そのボールネジを回転させるモータとからなる半導体基板研削機である。 In the present invention, the constant speed moving mechanism for moving the slide base at a constant speed is a semiconductor substrate grinder comprising a ball screw mechanism and a motor for rotating the ball screw.
本発明は、前記定圧移動機構は、前記スライドベースにワイヤを介して接続された錘と、前記ベースに保持されて前記ワイヤが巻き掛けられる定滑車とからなる半導体基板研削機である。 The present invention is the semiconductor substrate grinding machine, wherein the constant pressure moving mechanism includes a weight connected to the slide base via a wire, and a constant pulley that is held by the base and on which the wire is wound.
本発明は、前記スライドベースには、位置検出手段が設けられ、その位置検出手段で検出した前記スライドベースの位置により、前記定速移動機構から前記定圧移動機構に切り替える半導体基板研削機である。 The present invention is the semiconductor substrate grinding machine in which the slide base is provided with position detecting means, and the constant speed moving mechanism is switched to the constant pressure moving mechanism according to the position of the slide base detected by the position detecting means.
本発明は、治具に回転自在に保持された半導体基板と、その半導体基板に対向するように研削機構に回転自在に保持された研削部材とを接触させて前記半導体基板を研削する半導体基板研削方法において、前記ベース上に設けられた定速移動機構で前記治具または前記研削機構のいずれか一方を他方に向かって定速で移動させ、その定速移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とを押圧して前記半導体基板を研削した後、前記治具または前記研削機構に連結された定圧移動機構で定圧で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して研削する半導体基板研削方法である。 The present invention provides semiconductor substrate grinding in which a semiconductor substrate that is rotatably held by a jig and a grinding member that is rotatably held by a grinding mechanism so as to face the semiconductor substrate are brought into contact with each other to grind the semiconductor substrate. In the method, either the jig or the grinding mechanism is moved at a constant speed toward the other by a constant speed moving mechanism provided on the base, and the semiconductor substrate and the grinding member are moved by the constant speed moving mechanism. A semiconductor substrate grinding method of grinding the semiconductor substrate by further pressing the semiconductor substrate and the grinding member with a constant pressure by a constant pressure moving mechanism connected to the jig or the grinding mechanism. is there.
本発明は、前記定速移動機構で前記半導体基板の研削厚の80〜95%の厚さを研削した後、前記定圧移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して残りの研削を行う半導体基板研削方法である。 In the present invention, after grinding a thickness of 80 to 95% of the grinding thickness of the semiconductor substrate by the constant speed moving mechanism, the semiconductor substrate and the grinding member are further pressed by the constant pressure moving mechanism to perform the remaining grinding. This is a method for grinding a semiconductor substrate.
本発明によれば、一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことで、加工面でのキズの発生を抑制すると共に、加工能率を高くでき、半導体基板の製造効率を向上させることができる。 According to the present invention, by performing a series of operations of grinding at a constant speed and grinding at a constant pressure, it is possible to suppress the generation of scratches on the machined surface and increase the machining efficiency, thereby producing a semiconductor substrate. Efficiency can be improved.
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図1は、本実施形態に係る半導体基板研削機の側面図である。 FIG. 1 is a side view of a semiconductor substrate grinding machine according to the present embodiment.
図1に示すように、半導体基板研削機1は、半導体基板2を回転自在に保持する治具(ワーク軸)3と、研削部材としての砥石4を回転自在に保持する研削機構(砥石軸)5とを主に備える。治具3と研削機構5とは、半導体基板2と砥石4とが対向するように配置される。
As shown in FIG. 1, a semiconductor
治具3は、半導体基板2を回転自在に保持する基板保持部3aと、その基板保持部3aを回転させる駆動モータ(図示せず)などを有する治具本体3bとからなる。
The
研削機構5は、砥石4を回転自在に保持する砥石保持部5aと、その砥石保持部5aを回転させる駆動モータ(図示せず)などを有する研削機構本体5bとからなる。砥石4としては、例えば、カップ型砥石を用いるとよい。
The
治具本体3bは、ベース6上に設けられた定盤7上に載置され、研削機構本体5bは、ベース6上に設けられたスライドベース8上に載置される。
The jig body 3 b is placed on a
ベース6上には、研削機構5の移動方向に沿ってレール9が設けられ、スライドベース8は、そのレール9に沿って移動自在に設けられた複数のガイド10上に設けられる。これにより、スライドベース8およびスライドベース8に載置された研削機構5は、治具3に向かって移動(滑動)自在とされる。
On the
また、スライドベース8には、スライドベース8の位置を検出する位置検出手段としてリニアスケール11が設けられる。
The
リニアスケール11としては、例えば、一定のピッチで金属を蒸着したガラスを挟んで発光素子と受光素子を対向させ、受光素子で受光した光のパルスをカウントすることで位置を検出する光電方式のものなどを用いるとよい。また、リニアスケール11としては、0.1μmの精度で位置検出が可能なものを用いるとよい。 As the linear scale 11, for example, a photoelectric type that detects a position by counting light pulses received by a light receiving element with a light emitting element and a light receiving element facing each other with a glass on which metal is deposited at a constant pitch. It is good to use. Further, as the linear scale 11, it is preferable to use a linear scale that can detect the position with an accuracy of 0.1 μm.
さて、半導体基板研削機1では、ベース6上に研削機構5を定速で移動させるための定速移動機構12が設けられ、研削機構5を載置するスライドベース8には、定速移動機構12で半導体基板2と砥石4とを押圧して半導体基板2を研削した後に、定圧で半導体基板2と砥石4とをさらに押圧して研削するための定圧移動機構13が連結される。
In the semiconductor
図2(a)に示すように、定速移動機構12は、ボールネジ14とそのボールネジ14に噛合するナット15とからなるボールネジ機構と、そのボールネジ14を回転させるモータ16とからなる。ボールネジ14は、スライドベース8の下方にスライドベース8の移動方向に沿って配置され、ナット15はそのボールネジ14の回転によりボールネジ14に沿って移動するように設けられる。モータ16とボールネジ14との間には、モータ16のモータ軸からボールネジ14にトルクを伝えるためのカップリング17が設けられる。
As shown in FIG. 2A, the constant
ナット15には、その後端部(図2下側(ベース6側))から上方に延びる舌片15aが形成され、スライドベース8の底面には、そのナット15の舌片15aを挿入するための凹部18が形成される。この凹部18の移動方向(図示左右方向)の長さは、舌片15aの移動方向の長さよりも十分大きく形成される。また、凹部18の幅(図示紙面方向の幅)は、舌片15aの幅と略同一に形成される。
The
定圧移動機構13は、図1に示すように、スライドベース8にワイヤ22を介して接続された錘23と、ベース6に保持されてワイヤ22が巻き掛けられる定滑車(ガイドロール)24とからなる。
As shown in FIG. 1, the constant
スライドベース8の側面にはピン25が設けられ、そのピン25にワイヤ22の一端が接続される。ワイヤ22は、ピン25から前方(図示左方向)に延伸され、スライドベース8前方に設けられた定滑車24に巻き掛けられ、ワイヤ22の他端には錘23が接続される。
A
定速移動機構12には、定速移動機構12から定圧移動機構13に切り替えるための切り替え機構として、エアシリンダ19が設けられる。
The constant
エアシリンダ19は、図2(a)および図2(b)に示すように、エアシリンダ本体19aと、そのエアシリンダ本体19aから伸縮自在に延びるクランプ19bとからなる。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
エアシリンダ19は、スライドベース8の後端面Rから凹部18まで貫通する貫通穴20、およびナット15の舌片15aを貫通する貫通穴21にクランプ19bを挿入した状態で、スライドベース8の後端面Rに固定される。エアシリンダ19のクランプ19bの先端には、先端にナット15の貫通穴21よりも径が大きいフランジ部を有するキャップ19cが取り付けられる。
The
このエアシリンダ19は、定速移動機構12で研削を行う際には、図2(a)に示すように、クランプ19bを短い状態で保持してナット15を凹部18後方の面に押し付けて、スライドベース8をナット15に拘束する。また、定速移動機構12から定圧移動機構13に切り替える際には、図2(b)に示すようにクランプ19bを伸ばして、ナット15からスライドベース8を開放する。
When grinding with the constant
次に、本実施形態に係る半導体基板研削方法を、半導体基板研削機1の動作と共に説明する。
Next, the semiconductor substrate grinding method according to the present embodiment will be described together with the operation of the semiconductor
まず、治具3の基板保持部3aに半導体基板2をセットすると共に、研削機構5の砥石保持部5aに砥石4をセットし、半導体基板2と砥石4を相対的に回転させる。このとき、エアシリンダ19は、図2(a)に示すように、クランプ19bを短い状態で保持してナット15を凹部18後方の面に押し付けて、ナット15にスライドベース8を拘束する。
First, the
その後、モータ16によりボールネジ14を所定の回転数で回転させて、ナット15を前方(図示左方向)に所定の速度で移動させる。スライドベース8はナット15に拘束されているため、スライドベース8およびスライドベース8上に載置された研削機構5は、治具3に向かって所定の速度で移動する。
Thereafter, the
この状態で、半導体基板2と砥石4とを接触させ、半導体基板2を所定の速度で研削する。
In this state, the
このとき、定速移動機構12により半導体基板2を研削する厚さは、半導体基板2の研削厚(全研削厚)の80〜95%とする。これは、定速移動機構12により半導体基板2を研削する厚さが80%未満であると、定圧移動機構13で研削する厚さが厚くなり、研削に時間がかかって加工能率が低下してしまい、95%を超えると、定速移動機構12により半導体基板2を研削する際に半導体基板2の表面に生じたキズが、研削後に残ってしまう場合があるためである。さらに望ましくは、定速移動機構12により半導体基板2を研削する厚さは、半導体基板2の研削厚の90%程度であるとよい。
At this time, the thickness of grinding the
定速移動機構12での加工量(研削厚)と定圧移動機構13での加工量(研削厚)、およびこれらの切り替え位置は、リニアスケール11で検出するスライドベース8の位置によって制御するとよい。
The processing amount (grinding thickness) in the constant
定速移動機構12で半導体基板2を研削した後、エアシリンダ19によりナット15からスライドベース8を開放して、定速移動機構12から定圧移動機構13に切り替える。
After the
エアシリンダ19のクランプ19bを伸ばし、ナット15からスライドベース8を開放すると、ナット15の前方にギャップが生じる。この状態でナット15を前進させると、ナット15とスライドベース8とが離れる。そして、スライドベース8は錘23の重量のみで前方に引っ張られるようになる。これにより、(加工圧)=(錘の重量)となり、一定の圧力(加工圧)で半導体基板2に砥石4を押し当てて研削することができる。
When the clamp 19 b of the
研削終了後、モータ16によりボールネジ14を逆回転させ、ナット15を後方に移動させることで、スライドベース8および研削機構5を後退させ、半導体基板2および砥石4の回転を停止させる。その後、治具3から半導体基板2を取り外すと、表面が研削された半導体基板2が得られる。
After completion of grinding, the
以上説明したように、半導体基板研削機1では、研削機構5を治具3に向かって移動自在に設け、ベース6上に研削機構5を定速で移動させる定速移動機構12を設けると共に、研削機構5に、定速移動機構12で半導体基板2と砥石4とを押圧して半導体基板2を研削した後に、定圧で半導体基板2と砥石4とをさらに押圧して研削するための定圧移動機構13を連結している。
As described above, in the semiconductor
これにより、一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことができる。よって、研削加工後の半導体基板2の加工変質層を薄くでき、キズのない加工面に仕上げることができ、さらに、加工能率を向上させることができ、半導体基板2の製造効率を向上させることができる。
Thereby, grinding at a constant speed and grinding at a constant pressure can be performed in a series of operations. Therefore, the work-affected layer of the
また、半導体基板研削機1では、定速移動機構12で半導体基板2の研削厚の80〜95%の厚さを研削した後、定圧移動機構13で半導体基板2と砥石4とをさらに押圧して残りの研削を行っている。これにより、さらに加工能率を向上させることができる。
Further, in the semiconductor
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。 Next, another embodiment of the present invention will be described.
図3(a)および図3(b)に示す半導体基板研削機31は、基本的に図1の半導体基板研削機1と同じ構成であり、ナット15と一体に設けられ、ナット15からスライドベース8の後方に延びるエアシリンダ載置台32と、そのエアシリンダ載置台32上に設けられた定圧移動機構としてのエアシリンダ33とを備える。
A semiconductor substrate grinding machine 31 shown in FIGS. 3A and 3B has basically the same configuration as the semiconductor
半導体基板研削機31では、図3(a)に示すように、定速移動機構12で研削する際、ナット15の舌片15aで凹部18前方の面を押すことで、スライドベース8を前方に一定の速度で移動させる。
In the semiconductor substrate grinding machine 31, as shown in FIG. 3A, when grinding with the constant
また、半導体基板研削機31では、図3(b)に示すように、定速移動機構12から定圧移動機構に切り替える際、モータ16を停止してナット15の移動を停止させると共に、エアシリンダ33のクランプ33bを伸ばし、一定の圧力でスライドベース8を前方に押す。これにより、半導体基板2に砥石4を一定の圧力で押し当てて研削することができる。
In the semiconductor substrate grinding machine 31, as shown in FIG. 3B, when switching from the constant
半導体基板研削機31によれば、錘やワイヤ、定滑車などが不要となるので、より簡単な構成で一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことができる。 According to the semiconductor substrate grinding machine 31, since a weight, a wire, a fixed pulley, and the like are not necessary, grinding processing at a constant speed and grinding processing at a constant pressure can be performed by a series of operations with a simpler configuration.
本実施形態では定圧移動機構としてエアシリンダ33を用いたが、スライドベース8を一定の圧力で押すものであればよく、例えば、油圧式のシリンダを用いてもよい。
In the present embodiment, the
上記実施形態では、治具3を定盤7上に固定し、研削機構5をスライドベース8上に設けて移動可能としたが、研削機構5を定盤7上に固定し、治具3をスライドベース8上に設けて移動可能としてもよい。
In the above embodiment, the
以下、本発明の実施例および比較例を説明する。 Examples of the present invention and comparative examples will be described below.
(実施例)
図1の半導体基板研削機1を用い、以下の条件で半導体基板2を研削した。半導体基板2としては、径が5.08cm(2inch)のものを用いた。
(Example)
Using the semiconductor
砥石サイズ:φ150カップ型砥石
砥石メッシュサイズ:#600(粒径:φ20〜φ30μm)
砥石回転数:1000rpm
ワーク(半導体基板)回転数:50rpm
トータル研削量(厚さ):100μm
(研削量0μm〜90μmを、送り込み速度0.2μm/sで研削し、研削量90μm〜100μmを錘重量(圧力)20N(0.036N/mm2)で研削した)
研削後の半導体基板2表面の走査型白色干渉法による測定画像と研削時間を図4に示す。
Whetstone size: φ150 cup type whetstone Whetstone mesh size: # 600 (particle size: φ20 to φ30 μm)
Grinding wheel rotation speed: 1000rpm
Workpiece (semiconductor substrate) rotation speed: 50 rpm
Total grinding amount (thickness): 100 μm
(The grinding amount of 0 μm to 90 μm was ground at a feeding speed of 0.2 μm / s, and the grinding amount of 90 μm to 100 μm was ground with a weight (pressure) of 20 N (0.036 N / mm 2 ))
FIG. 4 shows an image measured by the scanning white interference method on the surface of the
(比較例1)
図6の半導体基板研削機61を用い、以下の条件で半導体基板を研削した。半導体基板としては、径が5.08cm(2inch)のものを用いた。
(Comparative Example 1)
The semiconductor substrate was ground under the following conditions using the semiconductor substrate grinder 61 of FIG. A semiconductor substrate having a diameter of 5.08 cm (2 inches) was used.
砥石サイズ:φ150カップ型砥石
砥石メッシュサイズ:#600(粒径:φ20〜φ30μm)
砥石回転数:1000rpm
ワーク(半導体基板)回転数:50rpm
送り込み速度:0.2μm/s
研削量(厚さ):100μm
研削後の半導体基板表面の走査型白色干渉法による測定画像と研削時間を図5に示す。
Whetstone size: φ150 cup type whetstone Whetstone mesh size: # 600 (particle size: φ20 to φ30 μm)
Grinding wheel rotation speed: 1000rpm
Workpiece (semiconductor substrate) rotation speed: 50 rpm
Feeding speed: 0.2 μm / s
Grinding amount (thickness): 100 μm
FIG. 5 shows a measurement image of the surface of the semiconductor substrate after grinding by the scanning white interference method and grinding time.
(比較例2)
図7の半導体基板研削機71を用い、以下の条件で半導体基板を研削した。半導体基板としては、径が5.08cm(2inch)のものを用いた。
(Comparative Example 2)
The semiconductor substrate was ground under the following conditions using the
砥石サイズ:φ150カップ型砥石
砥石メッシュサイズ:#600(粒径:φ20〜φ30μm)
砥石回転数:1000rpm
ワーク回転数:50rpm
錘重量(圧力):20N(0.036N/mm2)
研削量(厚さ):100μm
研削後の半導体基板表面の走査型白色干渉法による測定画像と研削時間を図5に示す。
Whetstone size: φ150 cup type whetstone Whetstone mesh size: # 600 (particle size: φ20 to φ30 μm)
Grinding wheel rotation speed: 1000rpm
Work rotation speed: 50rpm
Weight (pressure): 20 N (0.036 N / mm 2 )
Grinding amount (thickness): 100 μm
FIG. 5 shows a measurement image of the surface of the semiconductor substrate after grinding by the scanning white interference method and grinding time.
図5に示すように、一定速度で研削した比較例1の半導体基板の表面にはキズが発生しているのに対し、一定圧力で研削した比較例2の半導体基板の表面には深いキズがなく、全面均一の研削痕が確認された。また、比較例1では設定通り500秒/100μmで加工を完了しているのに対し、比較例2では、600〜800秒/100μmとなっており、加工時間が安定していない。 As shown in FIG. 5, the surface of the semiconductor substrate of Comparative Example 1 ground at a constant speed has scratches, whereas the surface of the semiconductor substrate of Comparative Example 2 ground at a constant pressure has deep scratches. No uniform grinding marks were observed on the entire surface. In Comparative Example 1, processing is completed at 500 seconds / 100 μm as set, whereas in Comparative Example 2, the processing time is 600 to 800 seconds / 100 μm, and the processing time is not stable.
よって、研削後の表面は一定圧力での研削(比較例2)が適しているが、加工時間の管理では一定速度での研削(比較例1)が適しているといえる。 Therefore, grinding with a constant pressure (Comparative Example 2) is suitable for the ground surface, but it can be said that grinding at a constant speed (Comparative Example 1) is suitable for managing the processing time.
これに対し、図4に示すように、一定速度での加工と一定圧力での加工を一連の動作で行った本発明による実施例では、研削後の半導体基板2の表面には深いキズがなく、加工時間は505〜510秒/100μmと一定速度で研削した場合(比較例1)と大差なく研削できた。
On the other hand, as shown in FIG. 4, in the embodiment according to the present invention in which processing at a constant speed and processing at a constant pressure are performed in a series of operations, the surface of the
以上の結果より、本発明によれば、研削後の半導体基板をキズのない加工面に仕上げることができ、さらに加工時間を短くでき、加工能率を高くすることができることが分かる。 From the above results, it can be seen that according to the present invention, the ground semiconductor substrate can be finished to a scratch-free processed surface, the processing time can be shortened, and the processing efficiency can be increased.
1 半導体基板研削機
2 半導体基板
3 治具
4 砥石(研削部材)
5 研削機構
6 ベース
8 スライドベース
12 定速移動機構
13 定圧移動機構
1 Semiconductor
5
Claims (7)
前記ベース上に、そのベースに対して滑動自在に設けられたスライドベースを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を前記スライドベースに搭載し、さらに前記治具及び/又は前記研削機構を定速で移動して前記半導体基板を研削するための定速移動機構と、前記半導体基板と前記研削部材とを定圧で押圧して前記半導体基板を研削するための定圧移動機構とを前記スライドベースに設けることを特徴とする半導体基板研削機。 A jig for holding the semiconductor substrate and a grinding mechanism for holding a grinding member facing the semiconductor substrate held by the jig are provided on the base, and at least one of the jig and the grinding mechanism is provided. In a semiconductor substrate grinder that grinds the semiconductor substrate by providing the semiconductor substrate and the grinding member while rotating relative to each other, so as to be movable toward the other side,
A slide base that is slidable relative to the base is provided on the base, and at least one of the jig and the grinding mechanism is mounted on the slide base, and the jig and / or the grinding is further mounted. A constant speed moving mechanism for grinding the semiconductor substrate by moving the mechanism at a constant speed; and a constant pressure moving mechanism for grinding the semiconductor substrate by pressing the semiconductor substrate and the grinding member with a constant pressure. A semiconductor substrate grinder provided on a slide base.
前記ベース上に設けられた定速移動機構で前記治具または前記研削機構のいずれか一方を他方に向かって定速で移動させ、その定速移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とを押圧して前記半導体基板を研削した後、前記治具または前記研削機構に連結された定圧移動機構で定圧で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して研削することを特徴とする半導体基板研削方法。 In a semiconductor substrate grinding method for grinding a semiconductor substrate by contacting a semiconductor substrate rotatably held by a jig and a grinding member rotatably held by a grinding mechanism so as to face the semiconductor substrate,
Either one of the jig or the grinding mechanism is moved at a constant speed toward the other by a constant speed moving mechanism provided on the base, and the semiconductor substrate and the grinding member are pressed by the constant speed moving mechanism. Then, after grinding the semiconductor substrate, the semiconductor substrate and the grinding member are further pressed and ground with a constant pressure by the constant pressure moving mechanism connected to the jig or the grinding mechanism. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008118830A JP2009272323A (en) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | Semiconductor substrate grinding machine and grinding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008118830A JP2009272323A (en) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | Semiconductor substrate grinding machine and grinding method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009272323A true JP2009272323A (en) | 2009-11-19 |
Family
ID=41438651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008118830A Pending JP2009272323A (en) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | Semiconductor substrate grinding machine and grinding method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009272323A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101537746B1 (en) * | 2013-09-03 | 2015-07-20 | 이승훈 | grinding machine for cast-iron product |
US10173296B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-01-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Grinding machine |
-
2008
- 2008-04-30 JP JP2008118830A patent/JP2009272323A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101537746B1 (en) * | 2013-09-03 | 2015-07-20 | 이승훈 | grinding machine for cast-iron product |
US10173296B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-01-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Grinding machine |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4913517B2 (en) | Wafer grinding method | |
JP4986568B2 (en) | Wafer grinding method | |
US8033893B2 (en) | Grinding method of a disk-shaped substrate and grinding apparatus | |
JP5385049B2 (en) | Cutting and polishing equipment | |
CN101383281B (en) | Wafer grinding method and grinding apparatus | |
JP5192355B2 (en) | Wafer chamfer removal method and grinding apparatus | |
JP2006231470A (en) | Sizing method and device of double-sided polishing machine | |
CN107498446A (en) | The elastic polished equipment and method of a kind of special-shaped workpiece | |
JP2009272323A (en) | Semiconductor substrate grinding machine and grinding method | |
CN107403738B (en) | Method for evaluating defect removal performance | |
CN110842779A (en) | Origin position setting mechanism and origin position setting method for grinding device | |
JP2017127936A (en) | Grinding device | |
JP2007335521A (en) | Method for grinding outer periphery of wafer | |
JP2009078326A (en) | Wafer chamfering device and wafer chamfering method | |
JP2008207302A (en) | Grinding wheel dressing method and dressing tool | |
JP4733805B2 (en) | Processing method and processing apparatus for forming rectangular member into rod-shaped member | |
JP2017205810A (en) | Cutting device | |
JP5443131B2 (en) | Cutting and polishing equipment | |
JP2019141949A (en) | Dressing board and dressing method | |
JP2011224697A (en) | Method of adjusting polishing pad | |
JP2005038978A (en) | Outer periphery polishing device for flat surface of semiconductor wafer | |
JP2017103387A (en) | Wafer dividing method and wafer dividing device | |
JP2012135851A (en) | Grinding device | |
JP5484171B2 (en) | Polishing pad groove forming method | |
CN216327028U (en) | Novel combined grinding machine for machining marking cutter |