JP2009270783A

JP2009270783A - Fluid heating apparatus

Info

Publication number: JP2009270783A
Application number: JP2008122815A
Authority: JP
Inventors: Kenji Saito; 賢治斉藤
Original assignee: Eagle Industry Co Ltd
Current assignee: Eagle Industry Co Ltd
Priority date: 2008-05-09
Filing date: 2008-05-09
Publication date: 2009-11-19

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fluid heating apparatus having high response speed with respect to temperature change and high heating efficiency, capable of heating fluid at a large flow rate and preventing heat transmission to a gas supply side. <P>SOLUTION: In this fluid heating apparatus, a heating tube having one end connected to the fluid supply side and the other end connected to the fluid demand side is introduced to inside of a container to heat fluid. The heating tube within the container is constituted by continuously forming an introduction part introduced from a container inlet part to the neighborhood of a container outlet part, a spiral retrograde part formed by returning the outer periphery of the introduction part to the neighborhood of the container inlet part spirally and a spiral prograde part formed along the spiral retrograde part to the neighborhood of the container outlet part. Heating sources are provided inside or outside the spiral retrograde part and spiral prograde part of the heating tube. Heat reflecting plates surrounding the outer periphery of the introduction part of the heating tube are provided inside the heating sources and the spiral retrograde part and spiral prograde part of the heating tube, to reduce the pressure inside the container. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、流体を一定の高温に加熱し、これを必要なところに供給する流体加熱装置に関し、特に、半導体ウエハおよび液晶パネル等の製造プロセスの反応性副生成物防止または排ガス処理装置に好適な流体加熱装置に関する。 The present invention relates to a fluid heating apparatus that heats a fluid to a certain high temperature and supplies the fluid to a necessary place, and is particularly suitable for a reactive by-product prevention or exhaust gas treatment apparatus in manufacturing processes such as semiconductor wafers and liquid crystal panels. The present invention relates to a simple fluid heating device.

従来、半導体装置の製造に使用する化学気相成長装置として、反応ガスをマスフローコントローラにより精度よく計量し、ガス供給チャンバ内に供給し、ガス供給チャンバにおいてその外面に巻き付けた加熱ヒータにより加熱し、反応チャンバに送り、ウエハ表面上に膜を形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。 Conventionally, as a chemical vapor deposition apparatus used for manufacturing a semiconductor device, a reaction gas is accurately measured by a mass flow controller, supplied into a gas supply chamber, and heated by a heater wound around the outer surface of the gas supply chamber, It is known that a film is sent to a reaction chamber and a film is formed on the wafer surface (see, for example, Patent Document 1).

また、高温ガスを供給するためのガス加熱装置として、ガスを移送するパイプの外面にヒータを巻き付けたり、パイプ内部にヒータを挿入したり、あるいは、螺旋状に巻回され、その両端がガス流入口およびガス流出口となった螺旋金属管と、螺旋金属管の巻回中心に沿って配接されたハロゲン赤外線ヒータとで構成されたガス加熱装置が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
特開平７−６６１３９号公報特開平６−２２１６７７号公報 In addition, as a gas heating device for supplying a high-temperature gas, a heater is wound around the outer surface of a pipe that transfers gas, a heater is inserted inside the pipe, or a spiral is wound, and both ends of the gas flow 2. Description of the Related Art A gas heating device is known that includes a spiral metal tube serving as an inlet and a gas outlet, and a halogen infrared heater arranged along the winding center of the spiral metal tube (see, for example, Patent Document 2). .)
Japanese Patent Laid-Open No. 7-66139 JP-A-6-221777

上記した特許文献１記載の化学気相成長装置においては、加熱ヒータが抵抗加熱であることから、ガス温度の変化を補正する応答速度が遅く、厳密なガス温度調整が困難であるという問題があった。
また、上記特許文献２記載のハロゲン赤外線ヒータを設置したガス加熱装置を、上記特許文献１記載の化学気相成長装置のガス供給チャンバに適用する場合、高温に加熱された金属管の熱がガス供給側へ熱伝導して反応ガスを計量するマスフローコントローラをその耐熱温度以上に加熱してしまうという問題もあった。
さらに、高温に加熱された金属管がむきだしにならないように断熱材を巻き付ける必要があり、ガスを高温に加熱する場合断熱材の厚みが大きくなり装置を小型化することが難しかった。
さらにまた、せっかく加熱した金属管が大気中にあることから自然対流にて熱が放熱され、処理チャンバーに導入される際の正しい温度が不明であるという問題もあった。 In the chemical vapor deposition apparatus described in Patent Document 1 described above, since the heater is resistance heating, there is a problem that a response speed for correcting a change in gas temperature is slow, and strict gas temperature adjustment is difficult. It was.
In addition, when the gas heating apparatus provided with the halogen infrared heater described in Patent Document 2 is applied to the gas supply chamber of the chemical vapor deposition apparatus described in Patent Document 1, the heat of the metal tube heated to a high temperature is a gas. There is also a problem that the mass flow controller that conducts heat to the supply side and measures the reaction gas is heated above its heat resistance temperature.
Furthermore, it is necessary to wrap the heat insulating material so that the metal tube heated to a high temperature is not exposed. When the gas is heated to a high temperature, the thickness of the heat insulating material becomes large and it is difficult to downsize the apparatus.
Furthermore, since the heated metal tube is in the atmosphere, heat is radiated by natural convection, and the correct temperature when introduced into the processing chamber is unknown.

本発明は、半導体ウエハおよび液晶パネル等の製造装置の大型化によりガス流量が大きく、加熱効率の良い小型のガス加熱装置が求められていることに鑑み、第一に、温度変化に対する応答速度が速く、加熱効率が高く、大流量の流体を加熱することが可能で、且つ、小型化が可能な流体加熱装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、第二に、ガス供給側へ熱が伝導されない流体加熱装置を提供することを目的とする。 In view of the fact that the present invention demands a small gas heating device having a large gas flow rate and high heating efficiency due to an increase in the size of manufacturing apparatuses such as semiconductor wafers and liquid crystal panels, first, the response speed to temperature changes is high. An object of the present invention is to provide a fluid heating apparatus that is fast, has high heating efficiency, can heat a large amount of fluid, and can be downsized.
A second object of the present invention is to provide a fluid heating device in which heat is not conducted to the gas supply side.

上記目的を達成するため本発明の流体加熱装置は、第１に、一端が流体の供給側に、他端が流体の需要側に接続される加熱管を容器内に導入して流体を加熱するようにした加熱装置において、該容器内における加熱管は、容器入口部から容器出口部近傍まで導入される導入部、該導入部の外周を螺旋状に容器入口部近傍まで戻るように形成される螺旋状逆行部、および、該螺旋状逆行部に沿って容器出口部近傍まで形成される螺旋状順行部を連続して形成してなり、加熱管の螺旋状逆行部および螺旋状順行部の内側または外側に加熱源を設け、加熱管の導入部外周を包囲する熱反射板を加熱源ならびに加熱管の螺旋状逆行部および螺旋状順行部の内側に設け、容器内を減圧することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the fluid heating apparatus of the present invention firstly heats the fluid by introducing a heating tube having one end connected to the fluid supply side and the other end connected to the fluid demand side into the container. In such a heating apparatus, the heating tube in the container is formed so that the introduction part introduced from the container inlet part to the vicinity of the container outlet part and the outer periphery of the introduction part spirally return to the vicinity of the container inlet part. A spiral retrograde part and a spiral retrograde part and a spiral forward part of the heating tube are formed by continuously forming a spiral retrograde part and a spiral forward part formed in the vicinity of the container outlet along the spiral retrograde part. A heat source is provided inside or outside of the tube, and a heat reflector that surrounds the outer periphery of the introduction portion of the heating tube is provided inside the heating source and the spiral retrograde portion and the spiral forward portion of the heating tube, and the inside of the container is depressurized. It is characterized by.

上記第１の特徴において、加熱管の導入部外周を包囲する熱反射板を加熱源ならびに加熱管の螺旋状逆行部および螺旋状順行部の内側に設けることにより、加熱管の導入部は加熱されないことから、導入部の入口端はほとんど室温の状態であり、割高な高温対応のマスフローコントローラを使用したり、マスフローコントローラから流体加熱装置までの管路長さを大きくとる必要がなく、通常のマスフローコントローラを最適な位置に設置することができる。
また、導入部の外周を螺旋状に容器入口部近傍まで戻るように形成される螺旋状逆行部、および、該螺旋状逆行部に沿って容器出口部近傍まで形成される螺旋状順行部を連続して形成し、これらの内側または外側に加熱源を設けることにより、加熱部長さを大きくとることができ加熱効率を向上することができる。さらに、螺旋の径を変えることにより加熱部長さを調整することもできる。併せて、供給側と反対側に需要側を配置することができる。
さらに、容器内を減圧することにより、自然対流による抜熱が小さくなり、大気中で加熱する場合に比較して約３割程度投入電力を小さくすることができる。 In the first feature, the heat reflection plate surrounding the outer periphery of the introduction portion of the heating tube is provided inside the heating source and the spiral retrograde portion and the spiral forward portion of the heating tube, whereby the introduction portion of the heating tube is heated. Therefore, the inlet end of the introduction part is almost at room temperature, and it is not necessary to use a mass flow controller corresponding to a high temperature and a large pipe length from the mass flow controller to the fluid heating device. The mass flow controller can be installed at the optimum position.
Further, a spiral retrograde portion formed so that the outer periphery of the introduction portion spirally returns to the vicinity of the container inlet portion, and a spiral forward portion formed to the vicinity of the container outlet portion along the spiral retrograde portion. By forming them continuously and providing a heating source inside or outside them, the length of the heating part can be increased and the heating efficiency can be improved. Furthermore, the heating part length can be adjusted by changing the diameter of the spiral. In addition, the demand side can be arranged on the opposite side to the supply side.
Furthermore, by reducing the pressure inside the container, the heat removal due to natural convection is reduced, and the input power can be reduced by about 30% compared to heating in the atmosphere.

また、本発明の流体加熱装置は、第２に、第１の特徴において、加熱源が赤外線ヒータからなることを特徴としている。
このため、容器内が減圧されていても輻射熱により大量の流体を迅速且つ効率よく加熱することが可能である。 The fluid heating device of the present invention is secondly characterized in that, in the first feature, the heating source is an infrared heater.
For this reason, even if the inside of a container is pressure-reduced, it is possible to heat a lot of fluids quickly and efficiently by radiant heat.

また、本発明の流体加熱装置は、第３に、第１または第２の特徴において、加熱管がステンレス鋼、銅またはアルミニウムなどの金属材料からなることを特徴としている。
また、本発明の流体加熱装置は、第４に、第１または第２の特徴において、加熱管が石英からなることを特徴としている。
また、本発明の流体加熱装置は、第５に、第１ないし第４のいずれかの特徴において、加熱管の内表面が鏡面仕上げされ、外表面が粗く仕上げられていることを特徴としている。
このため、腐食性でない流体の場合は加熱管として金属管を用いることができ、また、腐食性の流体の場合は石英を用いればよく、さらに、加熱管内表面を鏡面仕上げすることで、高純度の流体を加熱することができるとともに、加熱管外表面を粗く仕上げることで、熱効率を向上することができる。 Thirdly, the fluid heating apparatus of the present invention is characterized in that, in the first or second feature, the heating tube is made of a metal material such as stainless steel, copper or aluminum.
The fluid heating device of the present invention is fourthly characterized in that, in the first or second feature, the heating tube is made of quartz.
The fluid heating device of the present invention is fifthly characterized in that, in any of the first to fourth features, the inner surface of the heating tube is mirror finished and the outer surface is finished rough.
For this reason, a metal tube can be used as a heating tube in the case of a non-corrosive fluid, and quartz can be used in the case of a corrosive fluid. Furthermore, a high purity is achieved by mirror-finishing the inner surface of the heating tube. The fluid can be heated and the heat efficiency can be improved by roughing the outer surface of the heating tube.

また、本発明の流体加熱装置は、第６に、第１ないし第５のいずれかの特徴において、熱反射板が容器内壁に添って設けられていることを特徴としている。
これにより、容器の断熱効率を向上することができるとともに、加熱管を効率よく加熱することができる。 The fluid heating device of the present invention is sixthly characterized in that, in any of the first to fifth features, a heat reflecting plate is provided along the inner wall of the container.
Thereby, while being able to improve the heat insulation efficiency of a container, a heating tube can be heated efficiently.

また、本発明の流体加熱装置は、第７に、第１ないし第６のいずれかの特徴において
、流体加熱装置の流体の供給側にマスフローコントローラが設置されていることを特徴としている。
マスフローコントローラとしては通常のものを用いることができ、かつ、最適な位置に設置することができる。 The fluid heating device of the present invention is seventhly characterized in that, in any of the first to sixth features, a mass flow controller is installed on the fluid supply side of the fluid heating device.
A normal mass flow controller can be used, and can be installed at an optimum position.

また、本発明の流体加熱装置は、第８に、第１ないし第７のいずれかの特徴において
、流体加熱装置の流体の需要側が減圧状態、大気圧状態、または、加圧状態であることを特徴としている。
また、本発明の流体加熱装置は、第９に、第１ないし第８のいずれかの特徴において
、流体加熱装置の流体の需要側が流体の需要装置に直接または配管を介して接続されていることを特徴としている。
また、本発明の流体加熱装置は、第１０に、第９の特徴において、流体の需要装置が半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを加工するための処理チャンバーであることを特徴としている。
流体加熱装置の容器内が減圧されているため、流体の需要側が半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを減圧状態において加工するための処理チャンバーであっても、直接、接続することができる。
流体加熱装置を流体の需要装置に直接接続することにより、自然対流での抜熱がほとんど無い状態にできるとともに、流体の需要装置内へ導入する流体の温度を正確に把握し制御することができる。 Eighth, in the fluid heating device of the present invention, in any one of the first to seventh features, the fluid demand side of the fluid heating device is in a reduced pressure state, an atmospheric pressure state, or a pressurized state. It is a feature.
Ninthly, in the fluid heating device of the present invention, in any one of the first to eighth features, the fluid demand side of the fluid heating device is connected to the fluid demand device directly or via a pipe. It is characterized by.
A fluid heating apparatus according to the present invention, in the tenth and ninth aspect, is characterized in that the fluid demand apparatus is a processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel.
Since the inside of the container of the fluid heating device is depressurized, it can be directly connected even if the demand side of the fluid is a processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel in a depressurized state.
By directly connecting the fluid heating device to the fluid demanding device, there is almost no heat removal by natural convection, and the temperature of the fluid introduced into the fluid demanding device can be accurately grasped and controlled. .

また、本発明の流体加熱装置は、第１１に、第１ないし第７のいずれかの特徴において、流体加熱装置の流体の需要側が半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを加工するための処理チャンバーの排気配管に接続されていることを特徴としている。
このため、処理チャンバーの排気配管に流体加熱装置で加熱された高温の窒素ガス等を流すことにより、排気配管における反応性副生成物等の堆積を防止することができる。 Eleventhly, in any one of the first to seventh features, the fluid heating device of the present invention is a processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel on the fluid demand side of the fluid heating device. It is connected to the exhaust pipe.
For this reason, deposition of reactive by-products or the like in the exhaust pipe can be prevented by flowing high-temperature nitrogen gas or the like heated by the fluid heating device through the exhaust pipe of the processing chamber.

本発明は、以下のような優れた効果を奏する。
（１）加熱管の導入部外周を包囲する熱反射板を加熱源ならびに加熱管の螺旋状逆行部および螺旋状順行部の内側に設けることにより、加熱管の導入部は加熱されないことから、導入部の入口端はほとんど室温の状態であり、割高な高温対応のマスフローコントローラを使用したり、マスフローコントローラから流体加熱装置までの管路長さを大きくとる必要がなく、通常のマスフローコントローラを最適な位置に設置することができる。
（２）導入部の外周を螺旋状に容器入口部近傍まで戻るように形成される螺旋状逆行部、および、該螺旋状逆行部に沿って容器出口部近傍まで形成される螺旋状順行部を連続して形成し、これらの内側または外側に加熱源を設けることにより、加熱部長さを大きくとることができ加熱効率を向上することができる。さらに、螺旋の径を変えることにより加熱部長さを調整することもできる。併せて、供給側と反対側に需要側を配置することができる。
（３）容器内を減圧することにより、自然対流による抜熱が小さくなり、大気中で加熱する場合に比較して約３割程度投入電力を小さくすることができる。 The present invention has the following excellent effects.
(1) Since the heat reflection plate that surrounds the outer periphery of the introduction portion of the heating tube is provided inside the heating source and the spiral retrograde portion and the spiral forward portion of the heating tube, the introduction portion of the heating tube is not heated. The inlet end of the introduction section is almost at room temperature, and it is not necessary to use a mass flow controller compatible with high temperatures and high pipe lengths from the mass flow controller to the fluid heating device. It can be installed at any position.
(2) A spiral retrograde portion formed so that the outer periphery of the introduction portion spirally returns to the vicinity of the container inlet portion, and a spiral forward portion formed along the spiral retrograde portion to the vicinity of the container outlet portion Are continuously formed, and a heating source is provided on the inside or outside of these, so that the length of the heating portion can be increased and the heating efficiency can be improved. Furthermore, the heating part length can be adjusted by changing the diameter of the spiral. In addition, the demand side can be arranged on the opposite side to the supply side.
(3) By reducing the pressure inside the container, the heat removal due to natural convection is reduced, and the input power can be reduced by about 30% compared to heating in the atmosphere.

（４）加熱源を赤外線ヒータとすることにより、容器内が減圧されていても輻射熱により大量の流体を迅速且つ効率よく加熱することが可能である。
（５）加熱管として特別な材質なものを用いる必要がなく、加熱管内表面を鏡面仕上げすることで、高純度の流体を加熱することができるとともに、加熱管外表面を粗く仕上げることで、熱効率を向上することができる。
（６）熱反射板を容器内壁に添って設けることにより、容器の断熱効率を向上するとともに、加熱管を効率よく加熱することができる。 (4) By using an infrared heater as the heating source, a large amount of fluid can be quickly and efficiently heated by radiant heat even if the inside of the container is depressurized.
(5) There is no need to use a special material for the heating tube, and by heating the inner surface of the heating tube to a mirror finish, high-purity fluid can be heated, and the outer surface of the heating tube is roughened to achieve thermal efficiency. Can be improved.
(6) By providing the heat reflecting plate along the inner wall of the container, the heat insulation efficiency of the container can be improved and the heating tube can be efficiently heated.

（７）容器内が減圧されているため、流体の需要側が半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを減圧状態において加工するための処理チャンバーであっても、直接、流体加熱装置を接続することができる。このため、自然対流での抜熱がほとんど無い状態にできるとともに、処理チャンバーへ導入する流体の温度を正確に把握し制御することが可能となる。
（８）流体加熱装置の流体の需要側が半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを加工するための処理チャンバーの排気配管に接続された場合、処理チャンバーの排気配管に流体加熱装置で加熱された高温の窒素ガス等を流すことにより、排気配管における反応性副生成物等の堆積を防止することができる。 (7) Since the inside of the container is depressurized, the fluid heating device can be directly connected even if the fluid demand side is a processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel in a depressurized state. . For this reason, it is possible to obtain a state in which there is almost no heat removal by natural convection, and it is possible to accurately grasp and control the temperature of the fluid introduced into the processing chamber.
(8) When the fluid demand side of the fluid heating device is connected to the exhaust pipe of the processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel, the exhaust pipe of the processing chamber is heated to the high temperature heated by the fluid heating device. By flowing nitrogen gas or the like, it is possible to prevent deposition of reactive by-products or the like in the exhaust pipe.

本発明の流体加熱装置を実施するための最良の形態を図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されて解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、改良を加えうるものである。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The best mode for carrying out the fluid heating apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not construed as being limited thereto, and is not limited to the scope of the present invention. Various modifications and improvements can be added based on the knowledge of those skilled in the art.

図１は、本発明の実施の形態１の全体を説明する説明図である。本発明の流体加熱装置は、液体および気体いずれの流体も加熱することができるものであるが、本例においては、半導体ウエハ等の加工に用いられるプロセスガスを加熱する場合を例にして以下に説明する。
図１において、流体加熱装置１は、半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを減圧状態において加工するための処理チャンバー２に直接、接続して設けられている。
流体加熱装置１の供給側であるプロセスガスの供給元にはガスボンベ３が配置されており、ガスボンベ３から流体加熱装置１へプロセスガスを供給する管路４には所定の流量を精度良く供給するためのマスフローコントローラ５、および、弁類が設けられている。 FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining the entire first embodiment of the present invention. The fluid heating apparatus of the present invention can heat both liquid and gaseous fluids. In this example, the process gas used for processing a semiconductor wafer or the like is heated as an example below. explain.
In FIG. 1, a fluid heating apparatus 1 is provided directly connected to a processing chamber 2 for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel in a reduced pressure state.
A gas cylinder 3 is disposed at the supply source of the process gas on the supply side of the fluid heating apparatus 1, and a predetermined flow rate is supplied to the pipe line 4 that supplies the process gas from the gas cylinder 3 to the fluid heating apparatus 1 with high accuracy. A mass flow controller 5 and valves are provided.

流体加熱装置１へ供給されたプロセスガスは、所定の温度で処理チャンバー２に供給されウエハなどの加工に使用される。
この際、流体加熱装置１と管路４で接続されているマスフローコントローラ５は、耐熱温度が決まっており、１２０℃以下で使用しなければならない。しかし、処理チャンバー２で必要とされるプロセスガスの温度がマスフローコントローラ５の耐熱温度以上の場合、流体加熱装置１の熱がマスフローコントローラ５に伝達しないようマスフローコントローラ５から流体加熱装置１までの管路長さを大きくとる必要があった。 The process gas supplied to the fluid heating apparatus 1 is supplied to the processing chamber 2 at a predetermined temperature and used for processing a wafer or the like.
At this time, the heat resistance temperature of the mass flow controller 5 connected to the fluid heating device 1 by the pipe line 4 is determined and must be used at 120 ° C. or lower. However, when the temperature of the process gas required in the processing chamber 2 is equal to or higher than the heat resistance temperature of the mass flow controller 5, the pipe from the mass flow controller 5 to the fluid heating apparatus 1 is prevented from transferring the heat of the fluid heating apparatus 1 to the mass flow controller 5. It was necessary to increase the road length.

図２は、実施の形態１に係る流体加熱装置１の一例を示す正面断面図であって、図の上側がプロセスガスの供給側、下側がプロセスガスの需要側を示している。図３は、図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
図２に示すように、流体加熱装置１は、プロセスガスの需要装置である半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを減圧状態において加工するための処理チャンバー２に直接、プロセスガス通路６を介して接続している。
容器７は、円筒形状をなしており、容器入口部は端部側壁９により覆われ、容器出口部はプロセスガス通路６と連通するため開口されており、出口側の容器端部には処理チャンバー２に装着するためのフランジ１０が設けられ、ボルトにより固定されている。処理チャンバー２の外面と容器７のフランジ１０との間にはＯリング１１が設けられ、内部を密封している。 FIG. 2 is a front sectional view showing an example of the fluid heating apparatus 1 according to the first embodiment, in which the upper side of the figure shows the process gas supply side and the lower side shows the process gas demand side. FIG. 3 is a cross-sectional view showing an AA cross section of FIG.
As shown in FIG. 2, the fluid heating apparatus 1 is directly connected to a processing chamber 2 for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel, which is a process gas demand apparatus, in a reduced pressure state via a process gas passage 6. is doing.
The container 7 has a cylindrical shape, the container inlet is covered with an end side wall 9, the container outlet is opened to communicate with the process gas passage 6, and a processing chamber is provided at the container end on the outlet side. 2 is provided with a flange 10 which is fixed by bolts. An O-ring 11 is provided between the outer surface of the processing chamber 2 and the flange 10 of the container 7 to seal the inside.

プロセスガスの供給側の管路に接続される加熱管８が容器入口部の端部側壁９を貫通して容器７の内部に導入され、容器出口部に向かって設けられている。
容器７内における加熱管８は、容器入口部から容器出口部近傍まで略直線状に導入される導入部１２、該導入部１２の外周を螺旋状に容器入口部近傍まで戻るように形成される螺旋状逆行部１３、および、該螺旋状逆行部１３に沿って容器出口部近傍まで形成される螺旋状順行部１４からなり、導入部１２、螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４は連続して形成されている。
容器出口部近傍から容器入口部近傍まで戻るように形成される螺旋状逆行部１３の螺旋ピッチは、螺旋状逆行部１３の間に螺旋状順行部１４を配設することが可能な大きさになっており、螺旋状逆行部１３の間に螺旋状順行部１４が配接されている。螺旋状順行部１４の終端部は容器７の出口部に連通したプロセスガス通路６の略中心に配設された出口部１５に接続されている。
このように構成されているため、加熱管８の長さを大きくとることが可能であり、また、螺旋径を変えることにより、容器入口部から容器出口部までの長さが一定でも、加熱管８の長さを調整することができる。 A heating pipe 8 connected to a pipe line on the process gas supply side penetrates the end side wall 9 of the container inlet and is introduced into the container 7 and is provided toward the container outlet.
The heating tube 8 in the container 7 is formed so that the introduction part 12 introduced substantially linearly from the container inlet part to the vicinity of the container outlet part, and the outer periphery of the introduction part 12 return spirally to the vicinity of the container inlet part. It consists of a spiral retrograde portion 13 and a spiral forward portion 14 formed along the spiral retrograde portion 13 to the vicinity of the container outlet portion. The introduction portion 12, the spiral retrograde portion 13 and the spiral forward portion 14 Are formed continuously.
The spiral pitch of the spiral retrograde part 13 formed so as to return from the vicinity of the container outlet part to the vicinity of the container inlet part is such that the spiral forward part 14 can be disposed between the spiral retrograde parts 13. The spiral forward portion 14 is disposed between the spiral retrograde portions 13. A terminal portion of the spiral forward portion 14 is connected to an outlet portion 15 disposed substantially at the center of the process gas passage 6 communicating with the outlet portion of the container 7.
Since it is configured in this way, it is possible to increase the length of the heating tube 8, and even if the length from the container inlet to the container outlet is constant by changing the spiral diameter, the heating tube The length of 8 can be adjusted.

加熱管８は、例えば、ステンレス鋼、銅またはアルミニウムなどの金属材料、あるいは、石英から形成されており、その直径は、例えば、１／８″〜１″位に設定される。
また、加熱管８の内表面は鏡面仕上げされ、外表面は粗く仕上げられている。
このように、プロセスガスが腐食性でない場合は加熱管として市販の金属管を使用することができる他、腐食性の強いプロセスガスに対しては耐食性に優れた石英からなる管を使用することもできる。また、加熱管内表面を鏡面仕上げすることで、高純度の流体を加熱することができるとともに、加熱管外表面を粗く仕上げることで、熱効率を向上することができる。 The heating tube 8 is made of, for example, a metal material such as stainless steel, copper or aluminum, or quartz, and the diameter thereof is set to, for example, about 1/8 ″ to 1 ″.
Further, the inner surface of the heating tube 8 is mirror-finished and the outer surface is roughened.
In this way, when the process gas is not corrosive, a commercially available metal tube can be used as the heating tube, and for a highly corrosive process gas, a tube made of quartz having excellent corrosion resistance can be used. it can. Moreover, high-purity fluid can be heated by mirror-finishing the inner surface of the heating tube, and thermal efficiency can be improved by roughly finishing the outer surface of the heating tube.

加熱管８の螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４の内側には赤外線ヒータからなる加熱源１６が設けられている。
加熱源１６は、必ずしも円周方向において連続して設けられる必要はなく、本例では図３に示すように、円周方向において４分割された４つの赤外線ヒータ１７から構成されている。赤外線ヒータ１７としては、セラミックヒータ、ハロゲンヒータ、あるいはランプヒータが用いられる。
それぞれの赤外線ヒータ１７は、ヒータ保持部材１８により一体的に保持され、容器入口部の端部側壁９から容器内部に挿脱可能な構造をしており、ヒータ保持部材１８および赤外線ヒータ１７は容器７の外部から自由に取り外し、交換が可能となっている。
ヒータ保持部材１８と端部側壁９との間にはＯリング１９が装着され、両者は密封状態でボルトにより固定される。また、赤外線ヒータ１７には図示しない電源に接続されたリード線２０を介して電流が供給されるようになっている。
加熱管８の出口部１５には、図２に示すように、熱電対２１が装着されており、熱電対線２２を介して制御装置に接続されている。熱電対２１の温度に基づいて、赤外線ヒータ１７は制御される。 Inside the spiral retrograde portion 13 and the spiral forward portion 14 of the heating tube 8, a heating source 16 composed of an infrared heater is provided.
The heating source 16 does not necessarily have to be provided continuously in the circumferential direction. In this example, as shown in FIG. 3, the heating source 16 includes four infrared heaters 17 divided into four in the circumferential direction. As the infrared heater 17, a ceramic heater, a halogen heater, or a lamp heater is used.
Each of the infrared heaters 17 is integrally held by a heater holding member 18 and has a structure that can be inserted into and removed from the inside of the container from the side wall 9 at the inlet of the container. The heater holding member 18 and the infrared heater 17 are containers. 7 can be freely removed from the outside and replaced.
An O-ring 19 is mounted between the heater holding member 18 and the end side wall 9, and both are fixed by bolts in a sealed state. The infrared heater 17 is supplied with a current via a lead wire 20 connected to a power source (not shown).
As shown in FIG. 2, a thermocouple 21 is attached to the outlet portion 15 of the heating tube 8, and is connected to a control device via a thermocouple wire 22. The infrared heater 17 is controlled based on the temperature of the thermocouple 21.

図２および図３に示すように、加熱管８の導入部１２と加熱源１６である赤外線ヒータ１７との間には導入部１２外周を包囲する熱反射板２３が設けられている。さらに、熱反射板２３は、容器７の入口部の端部側壁９および円筒部２４の内壁に添って連続して設けられており、容器７の出口側において、処理チャンバー２の外面と容器７のフランジ１０との間に挟着されたフランジ２５により支持される構造となっている。
なお、本例では、熱反射板２３は、一体構造をなしている。
また、赤外線ヒータ１７と対向する熱反射板２３の面は鏡面仕上げ、あるいは、メッキ処理されて反射率を向上させるようになっている。
このように、加熱管８の導入部１２と加熱源１６である赤外線ヒータ１７との間に導入部１２外周を包囲する熱反射板２３を設けることにより、加熱管８の導入部１２は加熱されないことから、導入部１２の入口端をほとんど室温の状態に維持することができる。また、導入部１２の長さを調整することにより、その入口端の温度を調整することができる。
さらに、熱反射板２３を容器内壁に添って設けることにより、容器７の断熱効率を向上させることができるとともに、加熱管を効率よく加熱することができる。 As shown in FIGS. 2 and 3, a heat reflecting plate 23 is provided between the introduction portion 12 of the heating tube 8 and the infrared heater 17 as the heating source 16 so as to surround the outer periphery of the introduction portion 12. Further, the heat reflecting plate 23 is provided continuously along the end side wall 9 of the inlet portion of the container 7 and the inner wall of the cylindrical portion 24, and on the outlet side of the container 7, the outer surface of the processing chamber 2 and the container 7 are provided. It is the structure supported by the flange 25 pinched | interposed between the other flanges 10.
In this example, the heat reflecting plate 23 has an integral structure.
Further, the surface of the heat reflecting plate 23 facing the infrared heater 17 is mirror-finished or plated to improve the reflectance.
Thus, by providing the heat reflecting plate 23 that surrounds the outer periphery of the introduction portion 12 between the introduction portion 12 of the heating tube 8 and the infrared heater 17 that is the heating source 16, the introduction portion 12 of the heating tube 8 is not heated. For this reason, the inlet end of the introduction portion 12 can be maintained almost at room temperature. Moreover, the temperature of the inlet end can be adjusted by adjusting the length of the introduction part 12.
Furthermore, by providing the heat reflecting plate 23 along the inner wall of the container, the heat insulation efficiency of the container 7 can be improved and the heating tube can be efficiently heated.

容器７の内部は、図示されていない真空ポンプにより排気されて減圧状態に維持されている。このため、自然対流による抜熱が小さくなり、大気中で加熱する場合に比較して３割程度投入電力を小さくすることができる。さらに、プロセスガスの需要装置である半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを減圧状態において加工するための処理チャンバー２に直接、プロセスガス通路６を介して接続することができ、処理チャンバー２内へ導入するプロセスガスの温度を正確に把握し制御することができる。 The inside of the container 7 is evacuated by a vacuum pump (not shown) and maintained in a reduced pressure state. For this reason, the heat removal due to natural convection is reduced, and the input power can be reduced by about 30% compared to the case of heating in the atmosphere. Furthermore, it can be directly connected to the processing chamber 2 for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel, which is a process gas demand apparatus, in a reduced pressure state via the process gas passage 6 and introduced into the processing chamber 2. It is possible to accurately grasp and control the temperature of the process gas.

図４は、実施の形態１に係る流体加熱装置１の変形例を示す正面断面図、図５は、図４のＢ−Ｂ断面を示す断面図であって、その構成上、図２および図３の基本例と異なる点は、下記のとおりである。
なお、図２に示したと同じ符号は同じ部材を示しており、その説明は省略する。
図４および図５において、加熱管８の螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４の外側には赤外線ヒータからなる加熱源１６が設けられている。また、加熱管８の導入部１２と螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４との間には導入部１２外周を包囲する熱反射板２３が設けられている。 FIG. 4 is a front sectional view showing a modification of the fluid heating apparatus 1 according to the first embodiment, and FIG. 5 is a sectional view showing a BB section in FIG. The differences from the basic example 3 are as follows.
In addition, the same code | symbol as shown in FIG. 2 has shown the same member, The description is abbreviate | omitted.
4 and 5, a heating source 16 composed of an infrared heater is provided outside the spiral retrograde portion 13 and the spiral forward portion 14 of the heating tube 8. A heat reflecting plate 23 is provided between the introduction portion 12 of the heating tube 8 and the spiral retrograde portion 13 and the spiral forward portion 14 so as to surround the outer periphery of the introduction portion 12.

図６は、実施の形態１に係る流体加熱装置１の他の変形例を示す正面断面図であって、その構成上、図４の変形例と異なる点は、下記のとおりである。
なお、図２に示したと同じ符号は同じ部材を示しており、その説明は省略する。
図６において、熱反射板２３は、加熱管８の導入部１２と螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４との間と、容器７の入口部の端部側壁９の内壁とにわたって一体的に設けられた第１の熱反射板２３−１と、容器７の円筒部２４の内壁に設けられた第２の熱反射板２３−２との、２つの部材から構成されている。第１の熱反射板２３−１は、加熱管８の導入部１２と螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４との間に設けられた円筒状の部材が上方に延長されて端部側壁９に当接する部分で支持され、また、第２の熱反射板２３−２は、容器７の出口側において、処理チャンバー２の外面と容器のフランジ１０との間に挟着されたフランジ２５により支持される構造となっている。本例では、必要に応じて、第１の熱反射板２３−１のみを設置することができるし、また、第１の熱反射板２３−１のうち、端部側壁９の内壁に添う部分をなくして導入部１２と螺旋状逆行部１３および螺旋状順行部１４との間にのみ設けることもできる。 FIG. 6 is a front sectional view showing another modification of the fluid heating apparatus 1 according to the first embodiment, and the difference from the modification of FIG. 4 in the configuration is as follows.
In addition, the same code | symbol as shown in FIG. 2 has shown the same member, The description is abbreviate | omitted.
In FIG. 6, the heat reflecting plate 23 is integrated between the introduction portion 12 of the heating tube 8, the spiral retrograde portion 13, and the spiral forward portion 14, and the inner wall of the end side wall 9 of the inlet portion of the container 7. The first heat reflecting plate 23-1 provided and the second heat reflecting plate 23-2 provided on the inner wall of the cylindrical portion 24 of the container 7 are composed of two members. The first heat reflecting plate 23-1 has an end portion in which a cylindrical member provided between the introduction portion 12 of the heating tube 8, the spiral retrograde portion 13, and the spiral forward portion 14 extends upward. The second heat reflection plate 23-2 is supported by a portion that abuts against the side wall 9, and the second heat reflection plate 23-2 is sandwiched between the outer surface of the processing chamber 2 and the flange 10 of the container on the outlet side of the container 7. It is the structure supported by. In this example, if necessary, only the first heat reflecting plate 23-1 can be installed, and a portion of the first heat reflecting plate 23-1 that follows the inner wall of the end side wall 9 is provided. It can also be provided only between the introduction part 12 and the spiral retrograde part 13 and the spiral forward part 14.

図７は、本発明の実施の形態２の全体を説明する説明図である。なお、図１に示したと同じ符号は同じ部材を示しており、その説明は省略する。
図７に示す実施の形態２は、流体加熱装置１が処理チャンバー２との取り合いの関係で直接取り付けできないため、管路２６を介して接続するものである。管路２６の長さは、できるだけ短かく設定し、公知の断熱材を施工し、熱の放出を最小限にすることが望ましい。 FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the entirety of the second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol as shown in FIG. 1 has shown the same member, The description is abbreviate | omitted.
In the second embodiment shown in FIG. 7, the fluid heating device 1 cannot be directly attached due to the relationship with the processing chamber 2, and therefore is connected via a pipeline 26. It is desirable to set the length of the pipe line 26 as short as possible, to install a known heat insulating material, and to minimize heat release.

図８および図９は、実施の形態２において用いられる流体加熱装置１を示す正面断面図である。図８および図９に示す流体加熱装置１の基本構造は図２〜図６に示された実施の形態１において用いられる流体加熱装置１と同じであり、同じ符号は同じ部材を示しており、その説明は省略する。 8 and 9 are front sectional views showing the fluid heating apparatus 1 used in the second embodiment. The basic structure of the fluid heating device 1 shown in FIG. 8 and FIG. 9 is the same as that of the fluid heating device 1 used in the first embodiment shown in FIG. 2 to FIG. The description is omitted.

図８に示す流体加熱装置１において、容器７は出口側が端部側壁７−１によって密閉され、加熱管８の出口部１５が端部側壁７−１を貫通して管路２６に接続されるようになっている。熱反射板は、図２に示された熱反射板２３と同様のものの他、出口側の端部側壁７−１の内壁に添う出口側熱反射板２３−３も設けられる。
また、赤外線ヒータ１７を保持するヒータ保持部材２７は、容器７に一体的に結合される密封構造となっており、容器内を予め減圧しておくことができる。 In the fluid heating apparatus 1 shown in FIG. 8, the container 7 is sealed on the outlet side by the end side wall 7-1, and the outlet 15 of the heating pipe 8 passes through the end side wall 7-1 and is connected to the pipe line 26. It is like that. In addition to the heat reflecting plate similar to the heat reflecting plate 23 shown in FIG. 2, an outlet side heat reflecting plate 23-3 that follows the inner wall of the outlet side wall 7-1 is also provided.
The heater holding member 27 that holds the infrared heater 17 has a sealed structure that is integrally coupled to the container 7, and the inside of the container can be depressurized in advance.

図９に示す流体加熱装置１において、容器７は出口側がフランジ２８を備えた端部側壁７−２によって密閉され、加熱管８の出口部１５が端部側壁７−２を貫通して管路２６に接続されるようになっている。端部側壁７−２には、図示されていない真空ポンプに接続される排気ポート２９が設けられ、容器内を減圧させることが可能である。 In the fluid heating apparatus 1 shown in FIG. 9, the container 7 is sealed on the outlet side by an end side wall 7-2 provided with a flange 28, and the outlet portion 15 of the heating pipe 8 passes through the end side wall 7-2 to form a pipeline. 26 is connected. The end side wall 7-2 is provided with an exhaust port 29 connected to a vacuum pump (not shown) so that the inside of the container can be depressurized.

図１０および図１１は、本発明の実施の形態３の全体を説明する説明図である。なお、図１に示したと同じ符号は同じ部材を示しており、その説明は省略する。
図１０および図１１に示す実施の形態３は、流体加熱装置１の流体の需要側が半導体ウエハまたは液晶パネル等のワークを加工するための処理チャンバー２の排気配管３０に接続されている。
図１０では、流体加熱装置１の流体の需要側が排気配管３０に設けられたポンプの吸入側に接続されているため、流体加熱装置１の流体の需要側は減圧状態となっている。
一方、図１１では、流体加熱装置１の流体の需要側が排気配管３０に設けられたポンプの吐出側に接続されているため、流体加熱装置１の流体の需要側は大気圧状態、または、加圧状態となっている。
このように、流体加熱装置１の流体の需要側が処理チャンバー２の排気配管３０に接続されていることにより、処理チャンバー２の排気配管３０に流体加熱装置１で加熱された高温の窒素ガス等を流すことにより、排気配管３０における反応性副生成物等の堆積を防止することができる。 10 and 11 are explanatory diagrams for explaining the entire third embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol as shown in FIG. 1 has shown the same member, The description is abbreviate | omitted.
In the third embodiment shown in FIGS. 10 and 11, the fluid demand side of the fluid heating apparatus 1 is connected to the exhaust pipe 30 of the processing chamber 2 for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel.
In FIG. 10, the fluid demand side of the fluid heating apparatus 1 is connected to the suction side of the pump provided in the exhaust pipe 30, so the fluid demand side of the fluid heating apparatus 1 is in a decompressed state.
On the other hand, in FIG. 11, the fluid demand side of the fluid heating device 1 is connected to the discharge side of the pump provided in the exhaust pipe 30. It is in a pressure state.
As described above, the fluid demand side of the fluid heating apparatus 1 is connected to the exhaust pipe 30 of the processing chamber 2, so that the high-temperature nitrogen gas heated by the fluid heating apparatus 1 is supplied to the exhaust pipe 30 of the processing chamber 2. By flowing, it is possible to prevent the deposition of reactive by-products in the exhaust pipe 30.

図１２は、特許文献２に記載の従来技術の加熱装置と本発明の加熱装置とにおいて、両者の加熱源の容量を同じにした場合の出口部のガスの温度を比較したものである。
従来技術に比較して本発明の加熱装置では、約１２０〜１５０℃程度、出口部の温度が高くなっており、加熱効率が良いのが分かる。 FIG. 12 is a comparison of the temperature of the gas at the outlet when the heating device of the prior art described in Patent Document 2 and the heating device of the present invention have the same capacity of both heating sources.
Compared with the prior art, the heating device of the present invention has a temperature of about 120 to 150 ° C. and the outlet portion has a high temperature, which indicates that the heating efficiency is good.

本発明の実施の形態１の全体を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the whole Embodiment 1 of this invention. 実施の形態１に係る流体加熱装置の一例を示す正面断面図である。2 is a front cross-sectional view illustrating an example of a fluid heating device according to Embodiment 1. FIG. 図２のＡ−Ａ断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the AA cross section of FIG. 実施の形態１に係る流体加熱装置の変形例を示す正面断面図である。FIG. 6 is a front sectional view showing a modification of the fluid heating apparatus according to Embodiment 1. 図４のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the BB cross section of FIG. 実施の形態１に係る流体加熱装置の他の変形例を示す正面断面図である。FIG. 8 is a front sectional view showing another modification of the fluid heating apparatus according to Embodiment 1. 本発明の実施の形態２の全体を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the whole Embodiment 2 of this invention. 実施の形態２に係る流体加熱装置の一例を示す正面断面図であるIt is front sectional drawing which shows an example of the fluid heating apparatus which concerns on Embodiment 2. 実施の形態２に係る流体加熱装置の変形例を示す正面断面図である。FIG. 10 is a front cross-sectional view showing a modification of the fluid heating apparatus according to Embodiment 2. 本発明の実施の形態３の一例の全体を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the whole example of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態３の他の例の全体を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the whole of the other example of Embodiment 3 of this invention. 従来技術の加熱装置と本発明の加熱装置とにおける出口部のガスの温度を比較したものである。It compares the temperature of the gas of the exit part in the heating apparatus of a prior art, and the heating apparatus of this invention.

Explanation of symbols

１流体加熱装置
２処理チャンバー
３ガスボンベ
４管路
５マスフローコントローラ
６プロセスガス通路
７容器
８加熱管
９端部側壁
１０フランジ
１１Ｏリング
１２導入部
１３螺旋状逆行部
１４螺旋状順行部
１５出口部
１６加熱源
１７赤外線ヒータ
１８ヒータ保持部材
１９Ｏリング
２０リード線
２１熱電対
２２熱電対線
２３熱反射板
２４円筒部
２５フランジ
２６管路
２７ヒータ保持部材
２８フランジ
２９排気ポート
３０排気配管

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fluid heating apparatus 2 Processing chamber 3 Gas cylinder 4 Pipe line 5 Mass flow controller 6 Process gas passage 7 Container 8 Heating pipe 9 End side wall 10 Flange 11 O-ring 12 Introduction part 13 Spiral reverse part 14 Helical forward part 15 Outlet part 16 Heating Source 17 Infrared Heater 18 Heater Holding Member 19 O-ring 20 Lead Wire 21 Thermocouple 22 Thermocouple Wire 23 Heat Reflecting Plate 24 Cylindrical Part 25 Flange 26 Pipe 27 Heater Holding Member 28 Flange 29 Exhaust Port 30 Exhaust Piping

Claims

In a heating apparatus in which a heating pipe having one end connected to the fluid supply side and the other end connected to the fluid demand side is introduced into the container to heat the fluid, the heating pipe in the container is a container inlet portion. To the vicinity of the container outlet portion, the introduction portion to be introduced to the vicinity of the container inlet portion, a spiral retrograde portion formed so as to return to the vicinity of the container inlet portion, and the container outlet portion along the spiral retrograde portion Consisting of a spiral forward portion formed to the vicinity, a heating source is provided inside or outside the spiral retrograde portion and the spiral forward portion of the heating tube, and surrounds the outer periphery of the introduction portion of the heating tube A fluid heating apparatus characterized in that a heat reflecting plate is provided inside a spiral retrograde part and a spiral forward part of a heating source and a heating tube, and the inside of the container is decompressed.

2. The fluid heating apparatus according to claim 1, wherein the heating source is an infrared heater.

3. The fluid heating apparatus according to claim 1, wherein the heating tube is made of a metal material such as stainless steel, copper or aluminum.

3. The fluid heating apparatus according to claim 1, wherein the heating tube is made of quartz.

5. The fluid heating apparatus according to claim 1, wherein the inner surface of the heating tube is mirror-finished and the outer surface is roughened.

6. The fluid heating apparatus according to claim 1, wherein a heat reflecting plate is provided along the inner wall of the container.

The fluid heating apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein a mass flow controller is installed on a fluid supply side of the fluid heating apparatus.

The fluid heating device according to any one of claims 1 to 7, wherein the fluid demand side of the fluid heating device is in a reduced pressure state, an atmospheric pressure state, or a pressurized state.

The fluid heating apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein a fluid demand side of the fluid heating apparatus is connected to the fluid demand apparatus directly or via a pipe.

10. The fluid heating apparatus according to claim 9, wherein the fluid demand apparatus is a processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel.

8. The fluid according to claim 1, wherein a fluid demand side of the fluid heating device is connected to an exhaust pipe of a processing chamber for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel. Heating device.