JP2009266453A - Charged particle beam device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To display high precision analysis information for evaluating the stability of an irradiation position of electron beams in a charged particle beam device. <P>SOLUTION: The charged particle beam device 100 is provided with an AC coupling 16 which removes the offset of a secondary electron detection signal outputted from a detector 7, a low-path filter (first low-path filter 17) which removes a high frequency component by scanning the charged particle beams by receiving an input of the secondary electron detection signal removed in the offset, a complementing means which, by receiving the input of the secondary electron detection signal removed in the high frequency component and canceling a discontinuous waveform component at the time of switching a detection image, complements the component based on a continuous waveform component, an analysis means to carry out a frequency analysis of the waveform of the complemented secondary electron detection signal, and a display means (display 9) which displays the result of the frequency analysis as information relating to the environmental disturbance of a low frequency. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、荷電粒子線装置に関し、特に、電子線(荷電粒子線)を試料に照射した後の2次電子検出信号に基づき、電子線の照射位置の安定性に影響を与える可能性のある低周波の環境外乱に関する情報を表示する荷電粒子線装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam apparatus, and in particular, may affect the stability of the irradiation position of an electron beam based on a secondary electron detection signal after the sample is irradiated with an electron beam (charged particle beam). The present invention relates to a charged particle beam apparatus that displays information related to low-frequency environmental disturbances.

近年、SEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)などの荷電粒子線装置では、分解能の向上などに伴って、電子線の照射位置の安定性がより要求されるようになってきている。例えば、SEMを利用した半導体検査装置では、試料を載せたステージを移動し、電子線で試料を走査し、試料から放出された2次電子を捉え、SEM画像(荷電粒子線装置の検出画像)によってパターン線幅や欠陥を評価している。そして、半導体部品などの検査対象物の微細化に伴い、電子線の照射位置の高い安定性がより必要になってきている。   In recent years, in a charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope (SEM), the stability of the irradiation position of an electron beam has been increasingly required as the resolution is improved. For example, in a semiconductor inspection apparatus using SEM, a stage on which a sample is placed is moved, the sample is scanned with an electron beam, secondary electrons emitted from the sample are captured, and an SEM image (detected image of a charged particle beam apparatus) To evaluate the pattern line width and defects. And with the miniaturization of inspection objects such as semiconductor parts, high stability of the irradiation position of the electron beam is becoming more necessary.

SEM画像の場合、解像度、画素数、コントラスト、エッジシャープネスなどから画質を判断されることが多い。そして、解像度やエッジシャープネスを左右する要素として、試料に対する電子線の照射位置の変動が挙げられる。つまり、振動(電車、車両、人などによる振動)、磁場、騒音などの環境外乱が装置に作用すると、電子線の光軸がずれ、ステージが微小振動するために、所定の位置に電子線を偏向できず、そのため、SEM画像のエッジが不鮮明になったり、局所的にノイズが入ったりする。   In the case of an SEM image, the image quality is often judged from the resolution, the number of pixels, contrast, edge sharpness, and the like. As a factor that affects the resolution and edge sharpness, there is a change in the irradiation position of the electron beam on the sample. In other words, when environmental disturbances such as vibration (vibration caused by trains, vehicles, people, etc.), magnetic field, noise, etc. act on the device, the optical axis of the electron beam shifts and the stage vibrates slightly. It cannot be deflected, and therefore, the edge of the SEM image becomes unclear or noise occurs locally.

例えば、特許文献1では、床振動などの外部環境から電子線描画装置に伝達される振動を検出し、電子線の照射位置を偏向補正することによって高精度に描画を行う電子線描画装置に関する技術が開示されている。   For example, in Patent Document 1, a technique related to an electron beam drawing apparatus that performs drawing with high accuracy by detecting vibration transmitted to the electron beam drawing apparatus from an external environment such as floor vibration and correcting the deflection of the irradiation position of the electron beam. Is disclosed.

しかし、特許文献1の開示技術は、電子線描画装置に関するものであって、SEMなどに関するものではない。また、特許文献1の開示技術は、反射電子を利用するものであって、2次電子を利用する技術とは前提が異なり、SEMなどに応用するのは容易ではなく、応用できたとしても高精度を実現するのは困難である。   However, the technique disclosed in Patent Document 1 relates to an electron beam drawing apparatus, and not to an SEM or the like. Further, the disclosed technique of Patent Document 1 uses reflected electrons, and is different from the technique using secondary electrons, and is not easy to apply to SEM or the like. It is difficult to achieve accuracy.

そこで、本発明者らは、特許出願(特願2008-054223:以下、「先願特許」という。)で、SEM画像を取得する際の2次電子検出信号に同期した電子線の照射位置の計測方法を提案した。この方法では、電子線でパターンエッジを走査し、そのときの2次電子検出信号から荷電粒子線の走査による高周波成分をローパスフィルタによって取り除くことで、低周波の振動成分あるいはノイズ成分を抽出することができる。つまり、SEM画像を1枚取得するときの2次電子検出信号から、環境外乱による電子線の照射位置のずれを検出し、安定性の評価パラメータとして扱うことができる。
特許第3075468号公報
Therefore, the inventors of the present invention have applied for a position of an electron beam irradiation position synchronized with a secondary electron detection signal when acquiring an SEM image in a patent application (Japanese Patent Application No. 2008-054223: hereinafter referred to as “prior application patent”). A measurement method was proposed. In this method, a pattern edge is scanned with an electron beam, and a high-frequency component due to scanning of the charged particle beam is removed from the secondary electron detection signal at that time by a low-pass filter, thereby extracting a low-frequency vibration component or noise component. Can do. That is, it is possible to detect a shift in the irradiation position of the electron beam due to an environmental disturbance from the secondary electron detection signal when acquiring one SEM image, and handle it as a stability evaluation parameter.
Japanese Patent No. 3075468

しかしながら、1枚のSEM画像を取得してから次のSEM画像を取得するまでには、待ち時間(タイムラグ)が存在する。したがって、前記先願特許の技術では、2次電子検出信号が、SEM画像1枚の取得時間内であれば連続波形となるが、SEM画像の切り替わり時には不連続波形を含んでしまう。また、複数のSEM画像を取得する場合や1Hz以下のFFT(Fast Fourier Transform:高速フーリエ変換)演算などの周波数解析を行う場合には、1秒以上の連続波形が必要となる。   However, there is a waiting time (time lag) between acquiring one SEM image and acquiring the next SEM image. Therefore, in the technology of the prior application patent, the secondary electron detection signal has a continuous waveform if it is within the acquisition time of one SEM image, but it includes a discontinuous waveform when the SEM image is switched. Further, when acquiring a plurality of SEM images or performing frequency analysis such as FFT (Fast Fourier Transform) at 1 Hz or less, a continuous waveform of 1 second or more is required.

そこで、本発明は、前記した問題を解決するためになされたものであり、荷電粒子線装置において、検出画像の切り替わり時の不連続波形を含んだ2次電子検出信号に基づいた場合でも、電子線の照射位置の安定性を評価するための高精度な解析情報を表示することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and in the charged particle beam apparatus, even when the detection is performed based on the secondary electron detection signal including the discontinuous waveform at the time of switching of the detection image, It is an object to display highly accurate analysis information for evaluating the stability of the irradiation position of a line.

前記した課題を解決するために、本発明は、試料へ荷電粒子線を照射し前記試料から発生する2次電子を検出器で検出して検出画像を生成する機能を有し、さらに、前記荷電粒子線の照射位置の安定性に影響を与える可能性のある低周波の環境外乱に関する情報を表示する機能を有する荷電粒子線装置である。荷電粒子線装置は、前記検出器から出力される2次電子検出信号のオフセットを取り除くACカップリングと、前記オフセットを取り除かれた2次電子検出信号の入力を受け付けて、前記荷電粒子線の走査による高周波成分を取り除くローパスフィルタと、前記高周波成分を取り除かれた2次電子検出信号の入力を受け付けて、前記検出画像の切り替わり時の不連続波形成分をキャンセルして連続波形成分に基づいて補完する補完手段と、前記補完された2次電子検出信号の波形を周波数解析する解析手段と、前記周波数解析の結果を、前記低周波の環境外乱に関する情報として表示する表示手段と、を備えることを特徴とする。その他の手段については後記する。   In order to solve the above-described problems, the present invention has a function of generating a detection image by irradiating a charged particle beam to a sample, detecting secondary electrons generated from the sample with a detector, and further, This is a charged particle beam apparatus having a function of displaying information on low-frequency environmental disturbance that may affect the stability of the irradiation position of the particle beam. The charged particle beam apparatus receives an AC coupling for removing an offset of a secondary electron detection signal output from the detector and an input of the secondary electron detection signal from which the offset is removed, and scans the charged particle beam. Accepts the input of the secondary electron detection signal from which the high frequency component has been removed, and cancels the discontinuous waveform component at the time of switching of the detected image, and complements based on the continuous waveform component Complementing means, analysis means for analyzing the frequency of the waveform of the supplemented secondary electron detection signal, and display means for displaying the result of the frequency analysis as information relating to the low-frequency environmental disturbance. And Other means will be described later.

本発明によれば、荷電粒子線装置において、検出画像の切り替わり時の不連続波形を含んだ2次電子検出信号に基づいた場合でも、電子線の照射位置の安定性を評価するための高精度な解析情報を表示することができる。   According to the present invention, in a charged particle beam apparatus, even when based on a secondary electron detection signal including a discontinuous waveform when a detection image is switched, high accuracy for evaluating the stability of the irradiation position of an electron beam. Analysis information can be displayed.

以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、「実施形態」という。)について、図面を参照(言及図以外の図も適宜参照)しながら説明する。
図1は、荷電粒子線装置の構成図である。荷電粒子線装置100において、電子源1から放出された電子線2は、電子光学鏡筒3の内部で、対物レンズ4によって収束し、偏向レンズ5によって偏向される。また、電子線2は試料6上の偏向領域内で走査され、検出器7で捉えた2次電子の検出信号は、増幅器11によって増幅され、コンソール8のコンピュータ装置30に送られる。そして、コンピュータ装置30によって、試料6の表面形状などの情報を得ることができる。
The best mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as “embodiment”) will be described below with reference to the drawings (refer to drawings other than the referenced drawings as appropriate).
FIG. 1 is a configuration diagram of a charged particle beam apparatus. In the charged particle beam apparatus 100, the electron beam 2 emitted from the electron source 1 is converged by the objective lens 4 and deflected by the deflection lens 5 inside the electron optical column 3. Further, the electron beam 2 is scanned within the deflection region on the sample 6, and the detection signal of the secondary electrons captured by the detector 7 is amplified by the amplifier 11 and sent to the computer device 30 of the console 8. Information such as the surface shape of the sample 6 can be obtained by the computer device 30.

コンソール8は、コンピュータ装置30とディスプレイ9(表示手段)を備えて構成される。コンピュータ装置30は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、入出力インタフェースなどから構成され、それらによって画像処理装置12や演算処理装置31の機能などが実現される。画像処理装置12は、増幅器11からの情報に基づいて検出画像を作成する。演算処理装置31(解析手段)は、FFT演算や平均化処理(複数データの加算平均などを算出して使用する処理)などを行う。   The console 8 includes a computer device 30 and a display 9 (display means). The computer device 30 includes a central processing unit (CPU), a random access memory (RAM), a read only memory (ROM), a hard disk drive (HDD), an input / output interface, and the like. Functions of the device 31 and the like are realized. The image processing device 12 creates a detection image based on information from the amplifier 11. The arithmetic processing unit 31 (analyzing means) performs an FFT operation, an averaging process (a process that calculates and uses an addition average of a plurality of data), and the like.

なお、解像度の良い画像(検出画像)を取得するためには電子線2が細く収束し、かつ、電子線2の光軸が試料6に対して安定していなければならない。そこで、電子線の照射位置の安定性に影響を与える可能性のある低周波の環境外乱に関する高精度な解析情報などをディスプレイ9に表示させることが、本実施形態の荷電粒子線装置100における目的となる。   In order to obtain an image (detection image) with good resolution, the electron beam 2 must converge finely and the optical axis of the electron beam 2 must be stable with respect to the sample 6. Therefore, the purpose of the charged particle beam apparatus 100 according to the present embodiment is to display on the display 9 highly accurate analysis information regarding low-frequency environmental disturbance that may affect the stability of the irradiation position of the electron beam. It becomes.

ここで、理解を助けるため、前記先願特許の技術について説明する。図9は、前記先願特許における電子線の照射位置の安定性評価方法の説明図である。なお、図1と同じ構成には同じ符号を付し、説明を省略する。図9に示すように、電子線2の偏向領域に、試料6上に形成されたパターンのエッジであるパターンエッジ10が掛かるようにしておく。このように、高倍率でパターンエッジ10を観察することにより、電子線の偏向走査周波数より低域(低い周波数)の変動を計測でき、電子線の照射位置の安定性を評価することができる。   Here, in order to help understanding, the technology of the prior application patent will be described. FIG. 9 is an explanatory diagram of the stability evaluation method of the irradiation position of the electron beam in the prior patent. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as FIG. 1, and description is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 9, the pattern edge 10, which is the edge of the pattern formed on the sample 6, is applied to the deflection region of the electron beam 2. In this way, by observing the pattern edge 10 at a high magnification, it is possible to measure fluctuations in a lower range (lower frequency) than the deflection scanning frequency of the electron beam, and to evaluate the stability of the irradiation position of the electron beam.

試料6から放出される2次電子を検出器7が検出し、その検出情報を増幅器11が増幅する。増幅器11が増幅した情報91(縦軸は電圧、横軸は時間)は画像処理装置12に送られ、画像処理装置12が処理してディスプレイ9にSEM画像14として表示する。パターンエッジ10を含む領域を電子線2で走査した場合のSEM画像14では、エッジ部は明るく表示(右側の狭い領域)され、それ以外の領域は暗く表示(左側の広い領域)される。   The detector 7 detects secondary electrons emitted from the sample 6, and the amplifier 11 amplifies the detected information. Information 91 amplified by the amplifier 11 (the vertical axis is voltage and the horizontal axis is time) is sent to the image processing device 12, and the image processing device 12 processes and displays the SEM image 14 on the display 9. In the SEM image 14 when the region including the pattern edge 10 is scanned with the electron beam 2, the edge portion is displayed brightly (the narrow region on the right side), and other regions are displayed darkly (the wide region on the left side).

電子線の照射位置の不安定な挙動は1ラインごとの明暗の比の変化となって現れるため、偏向周期の明暗信号をローパスフィルタ13に通過させることによって、電子線の照射位置の変動成分のみ(情報92)が得られる。その後、情報92に対してFFT演算15(周波数解析)などを施すことで、電子線の照射位置の不安定な挙動の原因となっている環境外乱(振動など)に関するパワースペクトルなどが得られる。   Since the unstable behavior of the irradiation position of the electron beam appears as a change in the light / dark ratio for each line, only the fluctuation component of the irradiation position of the electron beam is obtained by passing the light / dark signal of the deflection cycle through the low-pass filter 13. (Information 92) is obtained. Thereafter, an FFT calculation 15 (frequency analysis) or the like is performed on the information 92 to obtain a power spectrum related to environmental disturbance (vibration or the like) that causes an unstable behavior of the irradiation position of the electron beam.

このように、前記先願特許の技術によれば、SEM画像14を1枚取得する時間内に関しては、連続波形が得られる。しかし、SEM画像を数枚取得して平均化処理をしたり、FFT解析の下限周波数を1Hz以下としたりする場合には、画像が切り替わる間でも連続した波形が必要になる。そこで、以下の本発明の第1実施形態〜第6実施形態において、当該連続波形を得る手法、および、その連続波形に基づいた解析処理や表示などについて説明する。   As described above, according to the technology of the prior patent, a continuous waveform can be obtained within the time for acquiring one SEM image 14. However, when several SEM images are acquired and averaged, or when the lower limit frequency of FFT analysis is set to 1 Hz or less, a continuous waveform is required even during image switching. Therefore, in the following first to sixth embodiments of the present invention, a method for obtaining the continuous waveform, and analysis processing and display based on the continuous waveform will be described.

(第1実施形態)
図2は、第1実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。なお、図9と同じ構成には同じ符号を付し、説明を適宜省略する。第1実施形態では、SEM画像14の切り替わり時の不連続な2次電子検出信号の影響を低減させて、電子線の照射位置の安定性を評価するための情報を得る方法について説明する。
(First embodiment)
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the charged particle beam apparatus according to the first embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as FIG. 9, and description is abbreviate | omitted suitably. In the first embodiment, a method of obtaining information for evaluating the stability of the irradiation position of the electron beam by reducing the influence of the discontinuous secondary electron detection signal when the SEM image 14 is switched will be described.

電子線2でパターンエッジ10を含む領域を走査したのち、その領域から放出される2次電子を検出器7で捉え、その出力を増幅器11で増幅し、画像処理装置12で画像に処理してSEM画像14とする。ここで、図3は、2次電子検出信号が順次処理されるときの各波形を示す模式図である。なお、図3の(a)TP1〜(e)TP5は、図2に示すTP1〜TP5の時点での信号である。   After scanning the region including the pattern edge 10 with the electron beam 2, the secondary electrons emitted from the region are captured by the detector 7, the output is amplified by the amplifier 11, and processed into an image by the image processing device 12. The SEM image 14 is assumed. Here, FIG. 3 is a schematic diagram showing each waveform when the secondary electron detection signal is sequentially processed. In addition, (a) TP1- (e) TP5 of FIG. 3 is a signal at the time of TP1-TP5 shown in FIG.

増幅器11から出力された信号波形は、図3(a)のように電子線の偏向走査周期に同期した波形となっており、SEM画像1枚分の走査が繰り返された後に待ち時間(時刻T〜T間、時刻T〜T間)がある。この図3(a)の信号が得られた後の処理が比較技術(前記先願特許)の場合とは異なる。 The signal waveform output from the amplifier 11 is a waveform synchronized with the deflection scanning period of the electron beam as shown in FIG. 3A, and the waiting time (time T) after the scanning of one SEM image is repeated. between 1 through T 2, between time T 3 through T 4) is. The processing after the signal of FIG. 3A is obtained is different from the case of the comparative technique (the prior application patent).

TP1の出力波形を、ACカップリング16に通過させることによって、DC(直流)オフセットを取り除く(図3(b)の波形となる)。つまり、図3(b)のTP2の出力波形は、図3(a)のTP1の出力波形を、平均(あるいは中央)値が0(ゼロ)Vとなるように下方に平行移動したものである。なお、ACカップリング16は、電気信号のDC成分(直流成分)を除去する回路構成である。   By passing the output waveform of TP1 through the AC coupling 16, the DC (direct current) offset is removed (the waveform is as shown in FIG. 3B). That is, the output waveform of TP2 in FIG. 3B is a parallel translation of the output waveform of TP1 in FIG. 3A so that the average (or center) value is 0 (zero) V. . The AC coupling 16 has a circuit configuration that removes a DC component (DC component) of the electrical signal.

次に、TP2の出力波形を、第1のローパスフィルタ17に通過させることにより、電子線の照射位置の変動(目標位置に対する実際の照射位置との偏差)が得られる(図3(c)の波形となる)。つまり、第1のローパスフィルタ17は、電子線の走査による高周波成分(例えば数キロHz程度)を取り除く役割を果たす。ただし、このTP3の波形は、変動の振幅に対して画像切り替わり時の矩形波のノイズ(時刻T〜T間、時刻T〜T間の波形)が大きく、FFT演算をしても充分な検出精度が得られない。 Next, by passing the output waveform of TP2 through the first low-pass filter 17, fluctuations in the irradiation position of the electron beam (deviation from the actual irradiation position with respect to the target position) are obtained (in FIG. 3C). Waveform). That is, the first low-pass filter 17 serves to remove a high-frequency component (for example, about several kiloHz) by scanning with an electron beam. However, the waveform of the TP3 is (between times T 1 through T 2, the waveform between the time T 3 through T 4) square wave of noise when switching images to the amplitude of fluctuation is large, even if the FFT operation Sufficient detection accuracy cannot be obtained.

そこで、図2に示すように、第1のローパスフィルタ17の出力をアナログスイッチ18(補完手段)の入力信号とし、同時にこの信号を反転増幅器19で反転させて、アナログスイッチ18のコントロール入力とする。このアナログスイッチ18はコントロール入力信号がローレベル(L)で導通、ハイレベル(H)で非導通となる。アナログスイッチ18の出力とGND間は高抵抗20で接続されている。この構成によって、SEM画像14の電子線の照射位置の変動の情報が得られている間は、アナログスイッチ18が導通して、後段の回路にその変動信号が出力される。一方、SEM画像14の切り替わり時には、GND(ゼロ)電位がアナログスイッチ18の後段に出力される。このアナログスイッチ18による出力波形は、図3(d)のTP4に示す通りである。なお、アナログスイッチ18のコントロール入力信号は、適宜増幅器でレベルを調整してもよい。   Therefore, as shown in FIG. 2, the output of the first low-pass filter 17 is used as the input signal of the analog switch 18 (complementing means), and at the same time, this signal is inverted by the inverting amplifier 19 and used as the control input of the analog switch 18. . The analog switch 18 is turned on when the control input signal is at a low level (L), and is turned off when the control input signal is at a high level (H). The output of the analog switch 18 and GND are connected by a high resistance 20. With this configuration, while the information on the fluctuation of the electron beam irradiation position in the SEM image 14 is obtained, the analog switch 18 is turned on, and the fluctuation signal is output to the subsequent circuit. On the other hand, when the SEM image 14 is switched, the GND (zero) potential is output to the subsequent stage of the analog switch 18. The output waveform by the analog switch 18 is as shown by TP4 in FIG. Note that the level of the control input signal of the analog switch 18 may be appropriately adjusted by an amplifier.

その後、出力ゼロ(V)の区間を含むTP4の波形を、第2のローパスフィルタ21(補完手段)に通過させることによって、SEM画像の切り替わり時の不連続な波形の影響を低減させることができる(図3(e)のTP5の波形となる)。不連続波形は高周波周期関数で構成されるため、第2のローパスフィルタ21はこの高周波成分を低減させ、評価対象の低周波成分を通過させる役割を果たす。結果として、この第2のローパスフィルタ21により、SEM画像の切り替わり時の不連続波形成分(ゼロ電位とされた部分)を連続波形成分によって補完することができる。また、第2のローパスフィルタ21により、アナログスイッチ18の切り替わり時のノイズの影響を減らすことができ、さらに、その後に周波数解析をする前段階として信号波形の帯域を制限(高域カット)することができる。   Thereafter, by passing the waveform of TP4 including the section of output zero (V) through the second low-pass filter 21 (complementing means), the influence of the discontinuous waveform at the time of switching of the SEM images can be reduced. (This is the waveform of TP5 in FIG. 3 (e)). Since the discontinuous waveform is composed of a high-frequency periodic function, the second low-pass filter 21 serves to reduce this high-frequency component and pass the low-frequency component to be evaluated. As a result, the second low-pass filter 21 can supplement the discontinuous waveform component (the portion set to zero potential) at the time of switching of the SEM images with the continuous waveform component. The second low-pass filter 21 can reduce the influence of noise when the analog switch 18 is switched. Further, the signal waveform band is limited (high-frequency cut) as a previous stage of frequency analysis thereafter. Can do.

このように、第1実施形態の荷電粒子線装置100によれば、簡単なアナログ回路での信号処理によって、ビーム変位(電子線の照射位置)を、直接、電圧信号としてモニタできる。そして、その後、この電圧信号をA/D(analog to digital)変換して周波数解析し、その周波数解析の結果を低周波の環境外乱に関する情報として表示することで、利用者は、検出画像の切り替わり時の2次電子検出信号の不連続波形の影響をあまり受けずに、電子線の照射位置の安定性を評価することができる(詳細は第2実施形態〜第6実施形態で後記)。   Thus, according to the charged particle beam apparatus 100 of 1st Embodiment, beam displacement (electron beam irradiation position) can be directly monitored as a voltage signal by signal processing with a simple analog circuit. After that, this voltage signal is subjected to A / D (analog to digital) conversion and frequency analysis, and the result of the frequency analysis is displayed as information on low-frequency environmental disturbance, so that the user can change the detected image. The stability of the irradiation position of the electron beam can be evaluated without being significantly affected by the discontinuous waveform of the secondary electron detection signal at the time (details will be described later in the second to sixth embodiments).

(第2実施形態)
図4は、第2実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。第2実施形態では、検出器7から第2のローパスフィルタ21までの構成は第1実施形態の場合と同じであるので、その部分の構成の説明を省略する。第2のローパスフィルタ21が出力した信号を、その後、A/D変換器22がデジタル信号に変換し、コンピュータ装置30が、メモリ23に記憶し、ウィンドウ処理24、FFT演算15、平均化処理25を行い、その演算処理結果をディスプレイ9に表示する(表示内容については第6実施形態で後記)。なお、ウィンドウ処理24とは、漏れ誤差(リーケージ誤差)を減らすために、データの切り取り(ウィンドウ)の始点と終点の両端を徐々に小さくしていき、次の周期に移る境目をゼロに近くするような重み付け処理のことである。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of the charged particle beam apparatus according to the second embodiment. In the second embodiment, since the configuration from the detector 7 to the second low-pass filter 21 is the same as that in the first embodiment, description of the configuration of that portion is omitted. The signal output from the second low-pass filter 21 is then converted into a digital signal by the A / D converter 22, and the computer device 30 stores it in the memory 23. The window processing 24, the FFT operation 15, and the averaging processing 25 are performed. And the calculation processing result is displayed on the display 9 (the display content will be described later in the sixth embodiment). Note that the window process 24 is to gradually reduce both the start and end points of data cut (window) in order to reduce leakage error (leakage error), and to make the boundary of the next cycle close to zero. This is a weighting process.

このように、第2実施形態の荷電粒子線装置100によれば、第2のローパスフィルタ21が出力した信号に対して、ウィンドウ処理24、FFT演算15、平均化処理25などの周波数解析を具体的に行い、その周波数解析の結果を低周波の環境外乱に関する情報として表示することで、利用者は、荷電粒子線装置の検出画像の切り替わり時の2次電子検出信号の不連続波形の影響をあまり受けずに電子線の照射位置の安定性を評価することができる。   As described above, according to the charged particle beam apparatus 100 of the second embodiment, the frequency analysis such as the window process 24, the FFT calculation 15, and the averaging process 25 is performed on the signal output from the second low-pass filter 21. By displaying the result of the frequency analysis as information on low-frequency environmental disturbance, the user can influence the discontinuous waveform of the secondary electron detection signal when the detection image of the charged particle beam device is switched. The stability of the irradiation position of the electron beam can be evaluated without receiving much.

(第3実施形態)
図5は、第3実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。第3実施形態の特徴は、増幅器11の出力をA/D変換し、それ以降の処理をプログラム(ソフトウェア)で行っていることである。具体的には、まず、増幅器11が出力した信号を、A/D変換器22がデジタル信号に変換する。その後、コンピュータ装置30は、そのA/D変換したデータ(図3(a))をメモリ23に書き込み、オフセット調整26を行う(図3(b))。次に、コンピュータ装置30は、その出力を第1のローパスフィルタ17a(ソフトウェアによるローパスフィルタ)で処理し(図3(c))、ゼロ補完27でしきい値V(マイナスの値)を下回った場合に出力をゼロ電位で補完する(図3(d))。そして、コンピュータ装置30は、その出力を第2のローパスフィルタ21a(ソフトウェアによるローパスフィルタ)で処理し、それ以降は、第1実施形態の場合と同様、ウィンドウ処理24、FFT演算15、平均化処理25を行い、その演算結果をディスプレイ9に表示する
(Third embodiment)
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of the charged particle beam apparatus according to the third embodiment. The feature of the third embodiment is that the output of the amplifier 11 is A / D converted, and the subsequent processing is performed by a program (software). Specifically, first, the A / D converter 22 converts the signal output from the amplifier 11 into a digital signal. Thereafter, the computer device 30 writes the A / D converted data (FIG. 3A) to the memory 23 and performs the offset adjustment 26 (FIG. 3B). Next, the computer apparatus 30 processes the output by the first low-pass filter 17a (low-pass filter by software) (FIG. 3C), and falls below the threshold value V L (negative value) by the zero complement 27. In this case, the output is supplemented with zero potential (FIG. 3 (d)). Then, the computer apparatus 30 processes the output by the second low-pass filter 21a (software low-pass filter), and thereafter, as in the case of the first embodiment, the window process 24, the FFT operation 15, and the averaging process 25, and the calculation result is displayed on the display 9.

このように、第3実施形態の荷電粒子線装置100によれば、第1実施形態および第2実施形態でアナログ回路によって処理していた部分をソフトウェア的に処理することで、アナログ回路が不要となり、低コスト化を実現することができる。   As described above, according to the charged particle beam apparatus 100 of the third embodiment, the analog circuit is not required by processing the part processed by the analog circuit in the first embodiment and the second embodiment in software. Cost reduction can be realized.

(第4実施形態)
図6は、第4実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。第4実施形態では、処理内容は第3実施形態の場合と同じであるが、増幅器11とA/D変換器22もコンソール8として一体化した点が特徴である。
(Fourth embodiment)
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of the charged particle beam apparatus according to the fourth embodiment. In the fourth embodiment, the processing content is the same as in the third embodiment, but the amplifier 11 and the A / D converter 22 are also integrated as a console 8.

このように、第4実施形態の荷電粒子線装置100によれば、検出器7から出力される信号の処理構成全体をコンソール8に一体化することで、装置の管理が容易になる。   Thus, according to the charged particle beam apparatus 100 of 4th Embodiment, management of an apparatus becomes easy by integrating the whole processing structure of the signal output from the detector 7 in the console 8. FIG.

(第5実施形態)
図7は、第5実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。第5実施形態では、処理内容は第3実施形態の場合と同じであるが、A/D変換器22のデジタル出力を受け付けるメモリ23から平均化処理25までの機能をFPGA(Field Programmable Gate Array)40(あるいはCPLD(Complex Programmable Logic Device))に集約(半導体チップ化)している。つまり、この場合、図1の構成におけるコンピュータ装置30がFPGA40(またはCPLD)に置き換わる。
(Fifth embodiment)
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of the charged particle beam device according to the fifth embodiment. In the fifth embodiment, the processing contents are the same as in the third embodiment, but the functions from the memory 23 that receives the digital output of the A / D converter 22 to the averaging process 25 are the FPGA (Field Programmable Gate Array). 40 (or CPLD (Complex Programmable Logic Device)). That is, in this case, the computer apparatus 30 in the configuration of FIG. 1 is replaced with the FPGA 40 (or CPLD).

このように、第5実施形態の荷電粒子線装置によれば、ハードウェア記述言語によって動作するFPGA40(またはCPLD)で演算を行うことにより、演算の高速化、コンピュータ装置不要による低コスト化、開発や実装の容易化などを実現することができる。   As described above, according to the charged particle beam apparatus of the fifth embodiment, calculation is performed with the FPGA 40 (or CPLD) that operates according to the hardware description language, thereby speeding up the calculation and reducing the cost by eliminating the need for a computer device. And easy implementation.

(第6実施形態)
図8は、周波数解析の結果を表示するディスプレイの画面例である。ディスプレイ9には、SEM画像14、条件50、グラフ28およびパワースペクトル29が表示される。
(Sixth embodiment)
FIG. 8 is a screen example of a display that displays the result of frequency analysis. On the display 9, an SEM image 14, a condition 50, a graph 28, and a power spectrum 29 are displayed.

条件50は、SEM画像14の取得時の各条件を示す。
グラフ28は、3枚のSEM画像14を取得したときの電子線の照射位置の変動の時刻歴波形(時間的変化を示す波形)を示し、縦軸は変位、横軸は時間である。
パワースペクトル29は、前記した時刻歴波形をFFT演算した結果であり、縦軸は振幅、横軸は周波数である。
The condition 50 indicates each condition when acquiring the SEM image 14.
A graph 28 shows a time history waveform (waveform showing a temporal change) of fluctuation of the irradiation position of the electron beam when three SEM images 14 are acquired, the vertical axis is displacement, and the horizontal axis is time.
The power spectrum 29 is the result of FFT calculation of the above-described time history waveform, the vertical axis is amplitude, and the horizontal axis is frequency.

そして、前記したように2次電子検出信号はSEM画像の切り替わり時に不連続となるが、第1実施形態から第5実施形態で説明した方法により、不連続波形の影響を低減させているため、パワースペクトル29においては、電源同期ノイズ、機械振動起因のスペクトルが識別できるほどの分解能が得られる。さらに、平均化処理によって、周波数解析結果を平滑化することができるが、これは必ずしも必須の処理ではない。   As described above, the secondary electron detection signal becomes discontinuous when the SEM image is switched, but the influence of the discontinuous waveform is reduced by the method described in the first to fifth embodiments. In the power spectrum 29, a resolution sufficient to identify a spectrum caused by power supply synchronization noise and mechanical vibration can be obtained. Furthermore, although the frequency analysis result can be smoothed by the averaging process, this is not necessarily an essential process.

このように、第6実施形態の画面例によれば、周波数解析の結果を、低周波の環境外乱に関する情報として表示することができる。これにより、利用者は、荷電粒子線装置の検出画像の切り替わり時の2次電子検出信号の不連続波形の影響をあまり受けずに電子線の照射位置の安定性を評価することができる。   As described above, according to the screen example of the sixth embodiment, the result of the frequency analysis can be displayed as information related to the low-frequency environmental disturbance. Thereby, the user can evaluate the stability of the irradiation position of the electron beam without being greatly affected by the discontinuous waveform of the secondary electron detection signal when the detection image of the charged particle beam apparatus is switched.

このようにして、各実施形態の荷電粒子線装置100によれば、検出画像の切り替わり時の不連続波形成分をキャンセルして連続波形成分によって補完し、その補完された2次電子検出信号の波形を周波数解析して、その周波数解析の結果を、低周波の環境外乱に関する情報として表示することで、利用者は、荷電粒子線装置の検出画像の切り替わり時の2次電子検出信号の不連続波形の影響をあまり受けずに電子線の照射位置の安定性を評価することができる。   Thus, according to the charged particle beam apparatus 100 of each embodiment, the discontinuous waveform component at the time of switching of the detection image is canceled and complemented by the continuous waveform component, and the waveform of the complemented secondary electron detection signal is obtained. The frequency analysis is performed, and the result of the frequency analysis is displayed as information related to the low-frequency environmental disturbance, so that the user can obtain a discontinuous waveform of the secondary electron detection signal when the detection image of the charged particle beam device is switched. It is possible to evaluate the stability of the irradiation position of the electron beam without being greatly affected by the above.

また、高周波成分を取り除かれた2次電子検出信号の入力を受け付けて検出画像の切り替わり時の不連続波形成分をゼロ電位にするアナログスイッチ18と、不連続波形成分をゼロ電位とされた2次電子検出信号の入力を受け付けてゼロ電位とされた部分を連続波形成分によって補完するための第2のローパスフィルタ21と、によって補完手段を具体的に実現することができる。   In addition, the analog switch 18 that accepts the input of the secondary electron detection signal from which the high-frequency component has been removed and sets the discontinuous waveform component to zero potential when the detected image is switched, and the secondary that has the discontinuous waveform component set to zero potential. The complementing means can be specifically realized by the second low-pass filter 21 for complementing the portion that has received the input of the electronic detection signal and made zero potential with the continuous waveform component.

さらに、電子線2の試料6上における照射位置の変動の時刻歴波形(複数の検出画像の切り替わり前後の波形を含んでいる時刻歴波形)と、当該時刻歴波形を周波数解析した結果と、をディスプレイ9に表示することで、複数のSEM画像14に関する高精度な解析結果を表示することができる。   Furthermore, a time history waveform (a time history waveform including waveforms before and after switching of a plurality of detected images) of an irradiation position variation on the sample 6 of the electron beam 2 and a result of frequency analysis of the time history waveform. By displaying on the display 9, it is possible to display highly accurate analysis results regarding the plurality of SEM images 14.

また、周波数解析の結果が時刻歴波形のパワースペクトルを含んでいることで、利用者は、電子線の照射位置の安定性を評価しやすい。   In addition, since the result of the frequency analysis includes the power spectrum of the time history waveform, the user can easily evaluate the stability of the irradiation position of the electron beam.

以上で実施形態の説明を終えるが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。例えば、各実施形態の荷電粒子線装置は、半導体検査装置、測長SEM、分析SEM、などに適用することができる。また、周波数解析は、FFT演算によるものでなくても、通常のFT(Fourier Transform:フーリエ変換)演算によるものであってもよい。その他、具体的な構成について、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。   This is the end of the description of the embodiments, but the aspects of the present invention are not limited to these. For example, the charged particle beam apparatus of each embodiment can be applied to a semiconductor inspection apparatus, a length measurement SEM, an analysis SEM, and the like. Further, the frequency analysis may not be based on the FFT calculation but may be based on a normal FT (Fourier Transform) calculation. In addition, the specific configuration can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention.

荷電粒子線装置の構成図である。It is a block diagram of a charged particle beam apparatus. 第1実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the charged particle beam apparatus of 1st Embodiment. 2次電子検出信号が順次処理されるときの各波形を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows each waveform when a secondary electron detection signal is processed sequentially. 第2実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the charged particle beam apparatus of 2nd Embodiment. 第3実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the charged particle beam apparatus of 3rd Embodiment. 第4実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the charged particle beam apparatus of 4th Embodiment. 第5実施形態の荷電粒子線装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the charged particle beam apparatus of 5th Embodiment. 周波数解析の結果を表示するディスプレイの画面例である。It is an example of the screen of the display which displays the result of a frequency analysis. 先願特許における電子線の照射位置の安定性評価方法の説明図である。It is explanatory drawing of the stability evaluation method of the irradiation position of the electron beam in a prior application patent.

符号の説明Explanation of symbols

1 電子源
2 電子線
3 電子光学鏡筒
4 対物レンズ
5 偏向レンズ
6 試料
7 検出器
8 コンソール
9 ディスプレイ
10 パターンエッジ
11 増幅器
12 画像処理装置
13 ローパスフィルタ
14 SEM画像
15 FFT演算
16 ACカップリング
17,17a 第1のローパスフィルタ
18 アナログスイッチ
19 反転増幅器
20 高抵抗
21,21a 第2のローパスフィルタ
22 A/D変換器
23 メモリ
24 ウィンドウ処理
25 平均化処理
26 オフセット調整
27 ゼロ補完
28 グラフ
29 パワースペクトル
30 コンピュータ装置
40 FPGA(CPLD)
100 荷電粒子線装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron source 2 Electron beam 3 Electron optical column 4 Objective lens 5 Deflection lens 6 Sample 7 Detector 8 Console 9 Display 10 Pattern edge 11 Amplifier 12 Image processing apparatus 13 Low pass filter 14 SEM image 15 FFT calculation 16 AC coupling 17 17a First low-pass filter 18 Analog switch 19 Inverting amplifier 20 High resistance 21, 21a Second low-pass filter 22 A / D converter 23 Memory 24 Window processing 25 Averaging processing 26 Offset adjustment 27 Zero interpolation 28 Graph 29 Power spectrum 30 Computer device 40 FPGA (CPLD)
100 charged particle beam equipment

Claims (4)

試料へ荷電粒子線を照射し前記試料から発生する2次電子を検出器で検出して検出画像を生成する機能を有し、さらに、前記荷電粒子線の照射位置の安定性に影響を与える可能性のある低周波の環境外乱に関する情報を表示する機能を有する荷電粒子線装置であって、
前記検出器から出力される2次電子検出信号のオフセットを取り除くACカップリングと、
前記オフセットを取り除かれた2次電子検出信号の入力を受け付けて、前記荷電粒子線の走査による高周波成分を取り除くローパスフィルタと、
前記高周波成分を取り除かれた2次電子検出信号の入力を受け付けて、前記検出画像の切り替わり時の不連続波形成分をキャンセルして連続波形成分に基づいて補完する補完手段と、
前記補完された2次電子検出信号の波形を周波数解析する解析手段と、
前記周波数解析の結果を、前記低周波の環境外乱に関する情報として表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
A function to generate a detection image by irradiating a sample with a charged particle beam and detecting secondary electrons generated from the sample with a detector. Further, it may affect the stability of the irradiation position of the charged particle beam. A charged particle beam apparatus having a function of displaying information on environmental low-frequency environmental disturbances,
AC coupling for removing the offset of the secondary electron detection signal output from the detector;
A low-pass filter that receives an input of the secondary electron detection signal from which the offset is removed, and removes a high-frequency component due to scanning of the charged particle beam;
Complementing means for receiving an input of the secondary electron detection signal from which the high-frequency component has been removed, canceling the discontinuous waveform component at the time of switching of the detected image, and complementing based on the continuous waveform component;
Analyzing means for analyzing the frequency of the waveform of the complemented secondary electron detection signal;
Display means for displaying the result of the frequency analysis as information on the low-frequency environmental disturbance;
A charged particle beam apparatus comprising:
前記補完手段は、
前記高周波成分を取り除かれた2次電子検出信号の入力を受け付けて、前記検出画像の切り替わり時の不連続波形成分をゼロ電位にするスイッチと、
前記不連続波形成分をゼロ電位とされた2次電子検出信号の入力を受け付けて、ゼロ電位とされた部分を連続波形成分に基づいて補完するための第2のローパスフィルタと、
を備えて構成されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線装置。
The supplement means is
A switch that receives an input of the secondary electron detection signal from which the high-frequency component has been removed, and sets the discontinuous waveform component at the time of switching of the detected image to zero potential;
A second low-pass filter for accepting an input of a secondary electron detection signal in which the discontinuous waveform component is set to zero potential, and complementing the portion set to zero potential based on the continuous waveform component;
The charged particle beam apparatus according to claim 1, comprising:
前記表示手段は、
前記荷電粒子線の前記試料上における照射位置の変動の時間的変化を表す時刻歴波形と、当該時刻歴波形を周波数解析した結果と、を表示し、前記時刻歴波形は複数の前記検出画像の切り替わり前後の波形を含んでいる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の荷電粒子線装置。
The display means includes
A time history waveform representing a temporal change in fluctuation of the irradiation position of the charged particle beam on the sample and a result of frequency analysis of the time history waveform are displayed, and the time history waveform includes a plurality of the detected images. The charged particle beam device according to claim 1, wherein the charged particle beam device includes waveforms before and after switching.
前記周波数解析の結果は、前記時刻歴波形に関するパワースペクトルを含んでいることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の荷電粒子線装置。   The charged particle beam apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the result of the frequency analysis includes a power spectrum related to the time history waveform.
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