JP6571045B2 - Charged particle beam apparatus and image generation method using charged particle beam apparatus - Google Patents

Charged particle beam apparatus and image generation method using charged particle beam apparatus Download PDF

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Description

本発明は、荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法に関する。   The present invention relates to a charged particle beam apparatus and an image generation method using the charged particle beam apparatus.

荷電粒子ビーム装置におけるパルスカウンティング方式に関係する先行技術例として、特開2012−226842号公報(特許文献1)、WO2012/039206(特許文献2)に記載された技術がある。   As prior art examples related to a pulse counting method in a charged particle beam apparatus, there are techniques described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-226842 (Patent Document 1) and WO 2012/039206 (Patent Document 2).

特許文献1では、以下の内容が記載されている。多層レイヤにおける下層領域やホールパターンの穴底など,試料から十分な信号量が得られにくい領域に対しても高画質である画像を撮像する。荷電粒子顕微鏡装置を用いた試料の画像撮像方法であって,前記荷電粒子顕微鏡装置の検出器のゲインを第一のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い,第一の画像を取得する第一画像取得ステップと,前記検出器のゲインを前記第一のゲイン値とは異なる第二のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い,第二の画像を取得する第二画像取得ステップと,前記第一のゲイン値と前記第二のゲイン値を用いて,前記第一の画像と前記第二の画像を合成する画像合成ステップと、を有することを特徴とする画像撮像方法である。   Patent Document 1 describes the following contents. High-quality images are captured even in areas where it is difficult to obtain a sufficient amount of signal from the sample, such as lower layer areas in a multilayer layer or the bottom of a hole pattern. A sample imaging method using a charged particle microscope apparatus, wherein the gain of a detector of the charged particle microscope apparatus is set to a first gain value, and the sample is scanned with a charged particle beam. A first image acquisition step of acquiring one image, and setting the gain of the detector to a second gain value different from the first gain value, scanning the sample with a charged particle beam, A second image acquisition step of acquiring a second image; an image combination step of combining the first image and the second image using the first gain value and the second gain value; It is an image pick-up method characterized by having.

特許文献2では、以下の内容が記載されている。本発明の荷電粒子ビーム顕微鏡は、検出粒子(118)の計測処理法の選択手段(153、155)を備え、前記手段は、試料(114)から放出される2次電子(115)数が多い走査領域と、2次電子数の少ない走査領域とで、異なる計測処理法を選択することを特徴とする。これにより、荷電粒子ビーム顕微鏡を用いた試料検査において、放出される2次電子数が少ない孔底や溝底のコントラストを強調した像、及び陰影コントラストを強調した像を短時間で取得することが可能となった。   In Patent Document 2, the following contents are described. The charged particle beam microscope of the present invention includes a selection means (153, 155) for measuring and processing the detection particles (118), and the means has a large number of secondary electrons (115) emitted from the sample (114). Different measurement processing methods are selected for the scanning region and the scanning region having a small number of secondary electrons. Thereby, in the sample inspection using the charged particle beam microscope, it is possible to acquire an image in which the contrast of the hole bottom and the groove bottom with a small number of emitted secondary electrons and an image in which the shadow contrast is enhanced in a short time. It has become possible.

特開2012−226842号公報JP 2012-226842 A 国際公開WO2012/039206号公報International Publication WO2012 / 039206

半導体製造プロセスにおいて、半導体基板(ウェハ)上に形成される回路パターンの微細化が急速に進んでおり、それらのパターンが設計通りに形成されているか否か等を監視するプロセスモニタリングの重要性が益々増加している。例えば、半導体製造プロセスにおける異常や不良(欠陥)の発生を早期に或いは事前に検知するために、各製造工程の終了時に、ウェハ上の回路パターン等の計測及び検査が行われる。   In semiconductor manufacturing processes, circuit patterns formed on a semiconductor substrate (wafer) are rapidly miniaturized, and the importance of process monitoring for monitoring whether these patterns are formed as designed is important. Increasingly. For example, in order to detect the occurrence of abnormalities and defects (defects) in the semiconductor manufacturing process at an early stage or in advance, measurement and inspection of circuit patterns on the wafer are performed at the end of each manufacturing process.

上記計測・検査の際、走査型電子ビーム方式を用いた電子顕微鏡装置(SEM)などの計測・検査装置及び対応する計測・検査方法においては、対象のウェハ(試料)に対して電子ビーム(電子線)を走査(スキャン)しながら照射し、これにより発生する二次電子・反射などを検出する。そしてその検出に基づき信号処理・画像処理などにより画像(計測画像や検査画像)を生成し、当該画像に基づいて計測、観察又は検査が行われる。   In the measurement / inspection, in a measurement / inspection apparatus such as an electron microscope apparatus (SEM) using a scanning electron beam method and a corresponding measurement / inspection method, an electron beam (electron) is applied to a target wafer (sample). (Line) is irradiated while scanning (scanning), and secondary electrons and reflections generated by this are detected. Based on the detection, an image (measurement image or inspection image) is generated by signal processing, image processing, or the like, and measurement, observation, or inspection is performed based on the image.

従来例のSEM等の計測・検査装置及び方法における電子ビーム走査方式について以下に説明する。例えばCD−SEM(測長SEM)における通常の走査を、TV走査またはラスタ走査などと呼ぶ。またTV走査を基準としてそのn倍速とした走査をn倍速走査などと呼ぶ。   An electron beam scanning method in a conventional measuring / inspecting apparatus and method such as SEM will be described below. For example, normal scanning in a CD-SEM (measurement SEM) is called TV scanning or raster scanning. Further, scanning at the n-times speed on the basis of TV scanning is referred to as n-times speed scanning.

従来例のラスタ走査方式またはTV走査方式では、電子ビームの走査方向や走査速度、試料上に形成されたパターンの形状などに応じて、試料の帯電量に違いが生じるという課題がある。すなわち、試料の帯電量の違いにより、二次電子を検出して得た画像において、画像コントラストが低下、あるいは回路パターンのエッジが消失する等、試料表面状態の観察すなわち測定や検査の精度が低下するまたは不可能となる。   The conventional raster scanning method or TV scanning method has a problem that the charge amount of the sample varies depending on the scanning direction and scanning speed of the electron beam, the shape of the pattern formed on the sample, and the like. That is, due to the difference in the amount of charge of the sample, the image surface state observation, that is, the accuracy of measurement and inspection is reduced, such as the image contrast is reduced or the edge of the circuit pattern is lost in the image obtained by detecting secondary electrons. Do or become impossible.

上記計測・検査の精度低下に関して、単位領域あたりの電子ビーム照射時間を短くし、即ち照射電荷密度を小さくし、試料の帯電量を下げる又は適切にすることが有効である。このためには、電子ビーム照射走査速度をn倍速のように速くすること即ち高速走査を実現することが有効である。しかし、上記電子ビームの高速走査による照射電荷密度低下に伴い、試料から生じる二次電子・反射電子などの発生頻度が減少、すなわち二次電子等の検出頻度が低下する。   Regarding the above-described decrease in accuracy of measurement / inspection, it is effective to shorten the electron beam irradiation time per unit area, that is, to reduce the irradiation charge density, and to reduce or make appropriate the charge amount of the sample. For this purpose, it is effective to increase the electron beam irradiation scanning speed such as n times speed, that is, to realize high-speed scanning. However, as the irradiation charge density is reduced by the high-speed scanning of the electron beam, the generation frequency of secondary electrons and reflected electrons generated from the sample decreases, that is, the detection frequency of secondary electrons and the like decreases.

二次電子・反射電子などの検出方式として、アナログ検出方式とパルスカウンティング方式がある。アナログ検出方式は、二次電子等を信号に変換して平均化した信号強度を検出する方式である。一方、パルスカウンティング方式は、二次電子等を信号に変換して二次電子数に相当する信号数を検出する方式である。二次電子等の発生頻度低下に対して、パルスカウンティング方式は、アナログ検出方式と比較して高い信号対雑音比で検出でき、低頻度の二次電子等検出に有効である。   As detection methods for secondary electrons and reflected electrons, there are an analog detection method and a pulse counting method. The analog detection method is a method of detecting signal intensity obtained by converting secondary electrons and the like into signals and averaging them. On the other hand, the pulse counting method is a method of detecting the number of signals corresponding to the number of secondary electrons by converting secondary electrons or the like into signals. The pulse counting method can be detected with a higher signal-to-noise ratio than the analog detection method with respect to a decrease in the generation frequency of secondary electrons and the like, and is effective in detecting secondary electrons and the like with a low frequency.

パルスカウンティング方式の電子顕微鏡では、深溝・深穴等の視認性を向上させるため、低頻度で発生する二次電子・反射電子等を漏れなく検出するとともに、二次電子・反射電子等の発生頻度が低下する穴底と、比較的発生頻度の高い表面等の異なる発生頻度の領域を有する検出画像において視認性を両立させることが要求される。特に、二次電子・反射電子等の発生頻度が極端に低下する深穴・深溝の視認性向上に対する要求が高い。   In the pulse counting electron microscope, in order to improve the visibility of deep grooves and deep holes, secondary electrons and backscattered electrons that occur at low frequency are detected without leakage, and the frequency of occurrence of secondary and backscattered electrons, etc. Therefore, it is required to achieve both visibility in a detection image having a hole bottom where a drop occurs and a region having a different occurrence frequency such as a surface having a relatively high occurrence frequency. In particular, there is a high demand for improving the visibility of deep holes and deep grooves in which the occurrence frequency of secondary electrons, reflected electrons, and the like extremely decreases.

前記特許文献1には、第一の画像を取得し、事前に設定した目標信号量と第一の画像から得られた信号量とを比較し、信号量の少ない領域を判定し、再度走査して第二の画像を取得し、第一の画像と第二の画像との合成画像を生成する画像撮像方法において、第二の画像を取得する際、第一の画像の取得条件から、検出器のゲイン、または、試料への照射電流量、照射時間を変更することが記載されている。しかし、この方法では、信号強度を信号量とするアナログ検出方式への適用を前提にしているため、信号数を信号量とするパルスカウンティング方式に適用した場合、信号量の少ない領域を誤判定してしまう可能性がある。   In Patent Document 1, a first image is acquired, a target signal amount set in advance is compared with a signal amount obtained from the first image, an area with a small signal amount is determined, and scanning is performed again. In the image capturing method of acquiring the second image and generating a composite image of the first image and the second image, when acquiring the second image, a detector is obtained from the acquisition condition of the first image. Is changed, or the amount of irradiation current to the sample and the irradiation time are changed. However, since this method is premised on application to an analog detection method in which the signal intensity is the signal amount, when applied to a pulse counting method in which the number of signals is the signal amount, a region with a small signal amount is erroneously determined. There is a possibility that.

前記特許文献2に記載された方法は、二次電子等の発生数を照射電流、照射時間などから算出し、その発生数に応じて処理方式をアナログ検出方式、または、パルスカウンティング方式、交流方式に変更する方法である。しかし、パルスカウンティング方式の信号処理方法に関する記述はない。   In the method described in Patent Document 2, the number of secondary electrons generated is calculated from the irradiation current, irradiation time, etc., and the processing method is analog detection method, pulse counting method, AC method according to the number of generations. It is a method to change to. However, there is no description regarding the signal processing method of the pulse counting method.

本発明は、上記した従来技術の課題を解決して、パルスカウンティング方式により二次電子・反射電子等の発生頻度が極端に低下する深穴・深溝の視認性を向上させる可能にする荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法を提供するものである。   The present invention solves the above-described problems of the prior art, and makes it possible to improve the visibility of deep holes and deep grooves where the occurrence frequency of secondary electrons and reflected electrons is extremely reduced by the pulse counting method. An image generation method using the apparatus and the charged particle beam apparatus is provided.

上記した従来技術の課題を解決するために、本発明では、荷電粒子ビーム装置を、電子銃と、この電子銃から発射された電子ビームを偏向させることにより試料に走査して照射する偏向電極部と、電子ビームが走査して照射された試料から発生した二次電子を検出する検出部と、二次電子を検出した検出部の出力を受けて二次電子によるパルス数をカウントするパルスカウント部と、二次電子によるパルス数をカウントしたパルスカウント部からの出力信号を処理して試料の画像を形成する信号処理・画像生成部と、信号処理・画像生成部で処理した結果を受けて偏向電極部を制御する偏向電極制御部と、信号処理・画像生成部で形成した試料の画像を表示する表示部とを備えて構成し、信号処理・画像生成部は、パルスカウント部からの出力信号を処理して試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出してこの抽出した領域に偏向電極部で電子ビームを走査して照射するように偏向電極制御部を制御するようにした。   In order to solve the above-described problems of the prior art, in the present invention, a charged particle beam device includes an electron gun and a deflection electrode unit that scans and irradiates a sample by deflecting an electron beam emitted from the electron gun. And a detection unit that detects secondary electrons generated from the sample irradiated with the electron beam and a pulse counting unit that receives the output of the detection unit that detects the secondary electrons and counts the number of pulses from the secondary electrons. And a signal processing / image generating unit that processes the output signal from the pulse counting unit that counts the number of pulses by secondary electrons to form an image of the sample, and deflects in response to the results processed by the signal processing / image generating unit A deflection electrode control unit that controls the electrode unit and a display unit that displays an image of the sample formed by the signal processing / image generation unit are configured, and the signal processing / image generation unit outputs from the pulse count unit. The deflection electrode control unit is controlled so as to extract a region where secondary electrons from the sample are not detected by processing the signal and to irradiate the extracted region by scanning the electron beam with the deflection electrode unit. .

また、上記した課題を解決するために、本発明では、荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法において、電子銃から発射された電子ビームを偏向電極部で偏向させることにより試料に走査して照射し、電子ビームが走査して照射された試料から発生した二次電子を検出部で検出し、二次電子を検出した検出部の出力を受けてパルスカウント部で二次電子によるパルス数をカウントし、二次電子によるパルス数をカウントしたパルスカウント部からの出力信号を信号処理・画像生成部で処理して試料の画像を形成し、信号処理・画像生成部で、パルスカウント部からの出力信号を処理して試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出し、信号処理・画像生成部で抽出した領域に電子ビームを走査して照射するように偏向電極制御部で偏向電極部を制御した状態で電子ビームを走査して照射して抽出した領域の画像を取得し、形成した試料の画像と取得した抽出した領域の画像とを重ね合わせて合成画像を生成するようにした。   In order to solve the above-described problems, in the present invention, in a method for generating an image using a charged particle beam apparatus, a sample is scanned by deflecting an electron beam emitted from an electron gun by a deflection electrode unit. The secondary electron generated from the irradiated sample is scanned by the electron beam and detected by the detection unit. The output of the detection unit detecting the secondary electron is received, and the pulse count unit determines the number of pulses by the secondary electron. The output signal from the pulse count unit that counts and counts the number of pulses by secondary electrons is processed by the signal processing / image generation unit to form an image of the sample, and the signal processing / image generation unit A region where the secondary electrons from the sample were not detected by processing the output signal is extracted, and the deflection electrode control unit is configured to scan and irradiate the region extracted by the signal processing / image generation unit. An image of the extracted region is acquired by scanning and irradiating an electron beam with the electrode part controlled, and a composite image is generated by superimposing the image of the formed sample and the acquired image of the extracted region. did.

本発明のうち代表的な形態によれば、計測・検査装置において、計測・検査画像の視認性を向上することができる。すなわち、荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法において、パルスカウンティング方式の検出システムにより二次電子・反射電子等の発生頻度が極端に低下する深穴・深溝の視認性を向上させることができるようになった。   According to the representative embodiment of the present invention, the visibility of the measurement / inspection image can be improved in the measurement / inspection apparatus. That is, in the charged particle beam device and the image generation method using the charged particle beam device, the visibility of deep holes and deep grooves where the generation frequency of secondary electrons, reflected electrons, etc. is extremely reduced by the pulse counting detection system. It became possible to improve.

実施例1の走査型電子顕微鏡を用いた計測・観察検査装置の概略の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a measurement / observation inspection apparatus using a scanning electron microscope of Example 1. FIG. 実施例1の二次電子等に相当する信号が検出されない画素を判定し、その画素を再度走査して画像を取得し、取得した画像から合成画像を生成する方法を説明するフローチャートの例である。6 is an example of a flowchart for explaining a method of determining a pixel in which a signal corresponding to secondary electrons or the like in Example 1 is not detected, scanning the pixel again, acquiring an image, and generating a composite image from the acquired image. . 実施例1において計測・観察の対象とする深溝パターンの断面図である。2 is a cross-sectional view of a deep groove pattern to be measured and observed in Example 1. FIG. 実施例1の合成画像を生成する方法を説明する図である。6 is a diagram illustrating a method for generating a composite image according to Embodiment 1. FIG. 実施例2の検出信号をもとに、信号処理によって画像を生成するフローチャートの例である。10 is an example of a flowchart for generating an image by signal processing based on the detection signal of the second embodiment.

本発明は、パルスカウンティング方式の検出システムによって画像を取得し、その画像から二次電子等に相当する信号が検出されない画素を判定し、その画素を再度走査して画像を取得し、それを繰り返すことで信号の検出されない画素を削減し、取得した画像から合成画像を生成する処理方法を特徴とする。   The present invention acquires an image by a pulse counting type detection system, determines a pixel from which a signal corresponding to secondary electrons or the like is not detected from the image, scans the pixel again, acquires an image, and repeats the process. This is characterized by a processing method for reducing pixels in which no signal is detected and generating a composite image from the acquired image.

即ち、本発明では、まず、計測領域全体を電子ビームで走査して全体画像を生成するとともに画像信号から低信号頻度領域を抽出し、この抽出した低信号頻度領域に限定して電子ビームを走査して部分画像を生成するとともにこの部分画像から更に低信号頻度領域を抽出する。次に、全体画像と部分画像を合成し,信号頻度の異なる領域の画像を生成する。この部分画像を生成することと全体画像と部分画像を合成することとを繰り返し行い,低信号頻度領域の信号量を増加させて、計測・検査画像の画質を向上させるようにしたものである。   That is, in the present invention, first, the entire measurement region is scanned with an electron beam to generate an entire image, and a low signal frequency region is extracted from the image signal, and the electron beam is scanned only in the extracted low signal frequency region. Thus, a partial image is generated, and a low signal frequency region is further extracted from the partial image. Next, the entire image and the partial image are combined to generate an image of an area having a different signal frequency. The generation of the partial image and the synthesis of the whole image and the partial image are repeatedly performed to increase the signal amount in the low signal frequency region, thereby improving the image quality of the measurement / inspection image.

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、実施形態の説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、計測・観察検査装置および計測・観察検査方法とは、計測、観察、検査のうち何れか一つ又はそれらの組み合わせた場合を含む。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted. Hereinafter, the measurement / observation inspection apparatus and the measurement / observation inspection method include one of measurement, observation, and inspection, or a combination thereof.

本実施例では、収束させた電子ビームを試料に走査しながら照射して試料から発生する二次電子を検出器で検出する場合に、検出器からの出力で二次電子等(反射電子も含めて、以下、二次電子と記す)に相当する信号が検出されない画素を判定し、その画素に対応する領域を電子ビームで再度走査して信号を取得し、それを繰り返すことで信号の検出されない画素を削減し、取得した信号から合成画像を生成するための方法について説明する。   In this embodiment, when a secondary electron generated from a sample is detected by a detector by irradiating the sample with a focused electron beam while scanning the sample, secondary electrons and the like (including reflected electrons) are output from the detector. In the following, the pixel corresponding to the secondary electron is not detected, and the region corresponding to the pixel is scanned again with the electron beam to obtain the signal. A method for reducing the number of pixels and generating a composite image from the acquired signal will be described.

図1に、走査型電子顕微鏡を用いた計測・観察検査装置の一例(概略)を示す。計測・観察検査装置は、走査型電子顕微鏡100とコンピュータ120で構成される。   FIG. 1 shows an example (outline) of a measurement / observation inspection apparatus using a scanning electron microscope. The measurement / observation inspection apparatus includes a scanning electron microscope 100 and a computer 120.

走査型電子顕微鏡100には、電子ビーム102を発射する電子銃101、電子銃101から発射された電子ビーム102を走査するための偏向電極103、計測又は観察又は検査の対象である試料104、電子ビーム102の照射により試料104から発生した二次電子等106を検出して信号107に変換して出力する検出器105、信号107から二次電子等106の個数に相当する信号数を検出・計数して検出信号109を出力するパルスカウント検出システム108、パルスカウント検出システム108から出力された検出信号109から画像情報111および偏向走査情報112を生成する信号処理・画像生成ブロック110、信号処理・画像生成ブロック110で生成された偏向走査情報112から偏向電極103に印加する偏向信号114を生成する偏向走査システム113を備える。   The scanning electron microscope 100 includes an electron gun 101 that emits an electron beam 102, a deflection electrode 103 that scans the electron beam 102 emitted from the electron gun 101, a sample 104 that is a target of measurement or observation or inspection, and an electron A detector 105 that detects secondary electrons 106 generated from the specimen 104 by irradiation of the beam 102, converts them into a signal 107, and outputs them, and detects and counts the number of signals corresponding to the number of secondary electrons 106 from the signal 107. Pulse count detection system 108 for outputting detection signal 109, signal processing / image generation block 110 for generating image information 111 and deflection scanning information 112 from detection signal 109 output from pulse count detection system 108, signal processing / image The deflection scanning information 112 generated in the generation block 110 is applied to the deflection electrode 103. Comprising a deflection scanning system 113 for generating a counter signal 114.

信号処理・画像生成ブロック110から出力される計測又は観察又は検査の画像情報111はコンピュータ120に伝送され、計測・観察検査画像121としてユーザインタフェース画面122に表示される。   Measurement or observation or inspection image information 111 output from the signal processing / image generation block 110 is transmitted to the computer 120 and displayed on the user interface screen 122 as a measurement / observation inspection image 121.

図2に、二次電子等に相当する信号が検出されない画素を判定し、その画素を再度走査して画像を取得し、取得した画像から合成画像を生成する方法を説明するフローチャートを示す。   FIG. 2 shows a flowchart for explaining a method of determining a pixel in which a signal corresponding to secondary electrons or the like is not detected, scanning the pixel again to acquire an image, and generating a composite image from the acquired image.

図3Aに、計測・観察対象パターンの断面図を示し、図3Bに計測・観察検査画像121を生成するための合成画像の生成方法を説明する図を示す。   FIG. 3A shows a cross-sectional view of the measurement / observation target pattern, and FIG. 3B shows a diagram for explaining a method for generating a composite image for generating the measurement / observation inspection image 121.

本実施例における、二次電子等に相当する信号が検出されない画素を判定し、その画素を再度走査して画像を取得し、取得した画像から合成画像を生成する方法について、図1〜図3Bを用いて説明する。   A method for determining a pixel in which a signal corresponding to secondary electrons or the like is not detected in this embodiment, scanning the pixel again to acquire an image, and generating a composite image from the acquired image is illustrated in FIGS. Will be described.

まず、図2に示したフロー図において、コンピュータ120より走査型電子顕微鏡100を操作して試料104の計測条件および試料104上での電子ビーム102の走査領域300を設定する(S201)。   First, in the flowchart shown in FIG. 2, the scanning electron microscope 100 is operated from the computer 120 to set the measurement conditions of the sample 104 and the scanning region 300 of the electron beam 102 on the sample 104 (S201).

次に、試料104上の設定された走査領域300に電子ビーム102を照射して走査する。図3Aに,走査領域300の一例として、試料104に形成された深溝パターン1041の断面を示す。電子ビーム102を照射して走査した走査領域300から発生した二次電子106のうち検出器105で検出された二次電子は、検出器105で信号107に変換されてパルスカウント検出システム108に入力する。   Next, scanning is performed by irradiating the set scanning region 300 on the sample 104 with the electron beam 102. FIG. 3A shows a cross section of a deep groove pattern 1041 formed in the sample 104 as an example of the scanning region 300. The secondary electrons detected by the detector 105 among the secondary electrons 106 generated from the scanning region 300 scanned with the electron beam 102 are converted into a signal 107 by the detector 105 and input to the pulse count detection system 108. To do.

信号107が入力したパルスカウント検出システム108からは、検出信号109が出力されて、信号処理・画像生成ブロック110に入力される。信号処理・画像生成ブロック110では、検出信号109をもとに画像を生成し、第一の画像301を取得する(S202)。   A detection signal 109 is output from the pulse count detection system 108 to which the signal 107 is input, and is input to the signal processing / image generation block 110. The signal processing / image generation block 110 generates an image based on the detection signal 109 and acquires the first image 301 (S202).

信号処理・画像生成ブロック110では、取得した第一の画像301から、第一の画像の検出信号なしの領域302(図3参照)の検出処理を実行し(S203)、この検出処理の結果に基づいて当該領域の有無を判定する(S204)。   In the signal processing / image generation block 110, the detection processing of the region 302 (see FIG. 3) without the detection signal of the first image is executed from the acquired first image 301 (S203). Based on this, the presence or absence of the area is determined (S204).

次に、取得した第一の画像301に検出信号なしの領域302がある場合(S204で「あり」の場合)、カウンタiをインクリメントし(S205)、信号処理・画像生成ブロック110から第一の画像301の検出信号なしの領域302の情報を元に偏向走査情報112を生成する。この生成した偏向走査情報112は偏向走査システム113に伝送され、偏向走査システム113で偏向電極103を制御する偏向信号114に変換して第二の画像の走査領域310を設定する(S206)。   Next, when the acquired first image 301 includes a region 302 without a detection signal (in the case of “Yes” in S204), the counter i is incremented (S205). Deflection scanning information 112 is generated based on the information of the area 302 of the image 301 where there is no detection signal. The generated deflection scanning information 112 is transmitted to the deflection scanning system 113 and converted into a deflection signal 114 for controlling the deflection electrode 103 by the deflection scanning system 113 to set the scanning area 310 of the second image (S206).

偏向電極103は、偏向走査システム113から出力された偏向信号114で制御されて、第二の画像の走査領域310に電子ビーム102を走査し、検出器105で二次電子106を検出して得た信号107をパルスカウント検出システム108に入力し、パルスカウント検出システム108から出力された検出信号109を信号処理・画像生成部ロック110で処理することによって、第二の画像311を取得する(S207)。   The deflection electrode 103 is controlled by the deflection signal 114 output from the deflection scanning system 113, scans the electron beam 102 in the scanning area 310 of the second image, and detects the secondary electrons 106 with the detector 105. The second image 311 is obtained by inputting the received signal 107 to the pulse count detection system 108 and processing the detection signal 109 output from the pulse count detection system 108 by the signal processing / image generation unit lock 110 (S207). ).

信号処理・画像生成ブロック110では、取得した第二の画像311から第二の画像の検出信号なしの領域312の検出処理を実行し(S208)、この検出処理の結果に基づいて当該領域の有無を判定する(S209)。   The signal processing / image generation block 110 executes detection processing of the region 312 without the detection signal of the second image from the acquired second image 311 (S208), and the presence / absence of the region based on the result of this detection processing Is determined (S209).

S209における判定の結果、第二の画像の検出信号なしの領域312があると判定した場合、S205に戻ってS209までの処理を実施する。第iの画像321に検出信号なしの領域がなくなるまで、S205からS209までの処理を繰り返し実施する。   As a result of the determination in S209, if it is determined that there is an area 312 without a detection signal of the second image, the process returns to S205 and the processes up to S209 are performed. The processes from S205 to S209 are repeated until there is no area without a detection signal in the i-th image 321.

S209における判定の結果、第iの画像に検出信号なしの領域がないと判定した場合、第一の画像301から第iの画像321を元に、カウンタiに応じた重み付けし(具体的には、第iの画像321の輝度をカウンタiの値で除算する:S210)、信号処理・画像生成ブロック110で、図3Bに示す合成画像330を生成する(S211)。その後、合成画像330の画像情報111をコンピュータ120に伝送し、計測・観察検査画像121としてユーザインタフェース画面122に表示する(S212)。   As a result of the determination in S209, when it is determined that there is no area without a detection signal in the i-th image, weighting is performed according to the counter i based on the i-th image 321 from the first image 301 (specifically, Then, the luminance of the i-th image 321 is divided by the value of the counter i: S210), and the signal processing / image generation block 110 generates a composite image 330 shown in FIG. 3B (S211). Thereafter, the image information 111 of the composite image 330 is transmitted to the computer 120 and displayed on the user interface screen 122 as the measurement / observation inspection image 121 (S212).

以上、本実施例によれば、検出信号なしの領域において、検出信号が得られるまで繰り返し画像を取得し、それらの画像を元に合成画像を生成することで、未検出領域のない計測・観察検査画像を生成することができ、視認性を向上することができる。また、走査領域を限定して画像を取得することにより、画像取得時間を短縮できる。   As described above, according to the present embodiment, measurement / observation without an undetected region is obtained by repeatedly acquiring images in a region without a detection signal until a detection signal is obtained, and generating a composite image based on those images. An inspection image can be generated and visibility can be improved. In addition, the image acquisition time can be shortened by acquiring an image by limiting the scanning region.

また、電子ビームの照射条件を変えずに複数枚の画像を取得して合成画像を生成するので、同じ画質の複数枚の画像を得ることができ、また、この複数枚の画像間に位置ずれが発生しない。   In addition, since a plurality of images are acquired without changing the electron beam irradiation conditions and a composite image is generated, a plurality of images with the same image quality can be obtained. Does not occur.

これにより、本発明を適用せずに照射条件を変えて取得した複数枚の画像を重ね合わせて合成画像を生成する場合と比べて、重ね合わせる画像間の重なりの境界領域の明るさ(輝度勾配)がそろっているので、より鮮明でコントラストが良好な合成画像を比較的容易に生成することができる。   Thus, compared to the case where a composite image is generated by superimposing a plurality of images acquired by changing the irradiation condition without applying the present invention, the brightness of the boundary region between the images to be superimposed (luminance gradient). ), It is possible to generate a composite image with clearer and better contrast relatively easily.

また、本実施例によれば、信号頻度の異なる計測領域において,高信号頻度領域の信号過多を抑制し,低信号頻度領域の検出信号量を増加でき,計測画像の画質向上を実現することができた。また、低信号頻度領域に限定した走査により,計測領域全体の走査に対して時間短縮でき,スループット向上を実現することができた。   Further, according to the present embodiment, it is possible to suppress the signal excess in the high signal frequency region and increase the detection signal amount in the low signal frequency region in the measurement regions having different signal frequencies, thereby realizing improvement in the image quality of the measurement image. did it. In addition, the scanning limited to the low signal frequency region can shorten the time for the entire measurement region and can improve the throughput.

本実施例では、使用メモリ領域の節約と、画像生成時間削減による時間短縮のため、検出信号109を信号処理し、画像を生成する方法について説明する。   In the present embodiment, a method of generating an image by processing the detection signal 109 in order to save the memory area used and reduce the time by reducing the image generation time will be described.

本実施例における走査型電子顕微鏡を用いた計測・観察検査装置の構成は実施例1で説明した図1の構成と同じである。図4に、検出信号109をもとに、信号処理によって画像を生成するフローチャートを示す。   The configuration of the measurement / observation inspection apparatus using the scanning electron microscope in the present embodiment is the same as the configuration of FIG. 1 described in the first embodiment. FIG. 4 shows a flowchart for generating an image by signal processing based on the detection signal 109.

本実施例における、計測・観察検査画像を生成する動作について、図1、図4を用いて説明する。   An operation for generating a measurement / observation inspection image in this embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、コンピュータ120より走査型電子顕微鏡100を操作して試料104の計測条件および走査領域を設定する(S401)。   First, the scanning electron microscope 100 is operated from the computer 120 to set the measurement conditions and scanning region of the sample 104 (S401).

次に、試料104の設定した走査領域に電子ビーム102を照射して走査するように偏向電極103を制御し、発生した二次電子106のうち検出器105で検出された二次電子を検出器105で信号107に変換してパルスカウント検出システム108に入力し、パルスカウント検出システム108から検出信号109を出力して信号処理・画像生成ブロック110に入力する。   Next, the deflection electrode 103 is controlled so as to scan the set scanning region of the sample 104 by irradiating the electron beam 102, and the secondary electrons detected by the detector 105 among the generated secondary electrons 106 are detected. The signal is converted into a signal 107 at 105 and input to the pulse count detection system 108, and the detection signal 109 is output from the pulse count detection system 108 and input to the signal processing / image generation block 110.

信号処理・画像生成ブロック110では、入力された検出信号109をカウンタiが1のときの検出信号(i=1)として取得し(S402)、この検出信号(i=1)を図示していない信号処理・画像生成ブロック110のメモリ(1)に保存する(S403)。信号処理・画像生成ブロック110では、メモリ(1)の検出信号なしの領域を検出する処理を実行し(S404)、この検出処理の結果に基づいて検出信号なしの領域の有無を判定する(S405)。   The signal processing / image generation block 110 acquires the input detection signal 109 as a detection signal (i = 1) when the counter i is 1 (S402), and this detection signal (i = 1) is not shown. It is stored in the memory (1) of the signal processing / image generation block 110 (S403). The signal processing / image generation block 110 executes processing for detecting a region without a detection signal in the memory (1) (S404), and determines the presence or absence of a region without a detection signal based on the result of this detection processing (S405). ).

次に、検出信号なしの領域がある場合(S405で「あり」の場合)、カウンタiをインクリメントし(S406)、S404においてメモリ(1)から検出された検出信号なしの領域をもとに、第2の走査範囲を設定し(S407)、この設定した第2の走査範囲に電子ビーム102を照射して走査することにより、S402で説明したのと同じ方法で処理して、検出信号(2)を取得する(S408)。   Next, when there is an area without a detection signal (in the case of “Yes” in S405), the counter i is incremented (S406), and based on the area without the detection signal detected from the memory (1) in S404, The second scanning range is set (S407), and the second scanning range thus set is irradiated with the electron beam 102 and scanned, and the detection signal (2) is processed in the same manner as described in S402. ) Is acquired (S408).

信号処理・画像生成ブロック110で、検出信号(2)をカウンタiに応じた重み付けをし(具体的には、カウンタiの値で除算する)(S409)、メモリ(2)に保存する(S410)。その後、メモリ(1)にメモリ(2)を加算し(S411)、メモリ(1)に保存する(S412)。保存されたメモリ(1)から、検出信号なしの領域を検出し(S413)、検出信号なしの領域の有無を判定する(S414)。   In the signal processing / image generation block 110, the detection signal (2) is weighted according to the counter i (specifically, divided by the value of the counter i) (S409) and stored in the memory (2) (S410). ). Thereafter, the memory (2) is added to the memory (1) (S411), and is stored in the memory (1) (S412). An area without a detection signal is detected from the stored memory (1) (S413), and the presence / absence of an area without a detection signal is determined (S414).

S414における判定の結果、メモリ(1)に検出信号なしの領域があると判定した場合、S406からS414までに処理を繰り返し実施する。   As a result of the determination in S414, when it is determined that there is an area without a detection signal in the memory (1), the processing is repeatedly performed from S406 to S414.

S414における判定の結果、メモリ(1)に検出信号なしの領域がないと判定した場合、信号処理・画像生成ブロック110で、メモリ(1)に保存された信号をもとに画像を生成し(S415)、生成した画像の画像情報111をコンピュータ120に伝送し、計測・観察検査画像121としてユーザインタフェース画面122に表示する(S416)。   As a result of the determination in S414, when it is determined that there is no area without a detection signal in the memory (1), the signal processing / image generation block 110 generates an image based on the signal stored in the memory (1) ( In step S415, the image information 111 of the generated image is transmitted to the computer 120 and displayed on the user interface screen 122 as the measurement / observation inspection image 121 (step S416).

以上、本実施例によれば、検出信号なしの領域毎に画像を生成することなく、計測・観察検査画像を生成することでき、使用メモリ領域の節約と、画像生成時間削減による時間短縮が可能となる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to generate a measurement / observation inspection image without generating an image for each region without a detection signal, and it is possible to save the memory area used and shorten the time by reducing the image generation time. It becomes.

また、電子ビームの照射条件を変えずに取得した複数枚の画像から合成画像を生成するので、同じ画質の複数枚の画像を得ることができ、また、この複数枚の画像間に位置ずれが発生しない。   In addition, since a composite image is generated from a plurality of images acquired without changing the electron beam irradiation conditions, a plurality of images having the same image quality can be obtained, and there is a positional shift between the plurality of images. Does not occur.

これにより、本発明を適用せずに照射条件を変えて取得した複数枚の画像を重ね合わせて合成画像を生成する場合と比べて、重ね合わせる画像間の重なりの境界領域の明るさ(輝度勾配)がそろっているので、より鮮明でコントラストが良好な合成画像を比較的容易に生成することができる。   Thus, compared to the case where a composite image is generated by superimposing a plurality of images acquired by changing the irradiation condition without applying the present invention, the brightness of the boundary region between the images to be superimposed (luminance gradient). ), It is possible to generate a composite image with clearer and better contrast relatively easily.

また、本実施例によれば、信号頻度の異なる計測領域において,高信号頻度領域の信号過多を抑制し,低信号頻度領域の検出信号量を増加でき,計測画像の画質向上を実現することができた。また、低信号頻度領域に限定した走査により,計測領域全体の走査に対して時間短縮でき,スループット向上を実現することができた。   Further, according to the present embodiment, it is possible to suppress the signal excess in the high signal frequency region and increase the detection signal amount in the low signal frequency region in the measurement regions having different signal frequencies, thereby realizing improvement in the image quality of the measurement image. did it. In addition, the scanning limited to the low signal frequency region can shorten the time for the entire measurement region and can improve the throughput.

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。   In addition, this invention is not limited to an above-described Example, Various modifications are included. For example, the above-described embodiments have been described in detail for easy understanding of the present invention, and are not necessarily limited to those having all the configurations described. Further, a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment.

また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。また、上記の各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部又は全部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、SSD(Solid State Drive)等の記録装置、または、ICカード、SDカード、DVD等の記録媒体に置くことができる。   Further, it is possible to add, delete, and replace other configurations for a part of the configuration of each embodiment. Each of the above-described configurations, functions, processing units, processing means, and the like may be realized by hardware by designing a part or all of them with, for example, an integrated circuit. Each of the above-described configurations, functions, and the like may be realized by software by interpreting and executing a program that realizes each function by the processor. Information such as programs, tables, and files for realizing each function can be stored in a recording device such as a memory, a hard disk, or an SSD (Solid State Drive), or a recording medium such as an IC card, an SD card, or a DVD.

100…走査型電子顕微鏡 101…電子銃 102…電子ビーム 103…偏向電極 104…試料 105…検出器 106…二次電子 108…パルスカウント検出システム 109…検出信号 110…信号処理・画像生成ブロック
113…偏向走査システム 120…コンピュータ 121…計測・観察検査画像
122…ユーザインタフェース画面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Scanning electron microscope 101 ... Electron gun 102 ... Electron beam 103 ... Deflection electrode 104 ... Sample 105 ... Detector 106 ... Secondary electron 108 ... Pulse count detection system 109 ... Detection signal 110 ... Signal processing and image generation block 113 ... Deflection scanning system 120 ... Computer 121 ... Measurement / observation inspection image 122 ... User interface screen.

Claims (10)

電子銃と、
前記電子銃から発射された電子ビームを偏向させることにより試料に走査して照射する偏向電極部と、
前記電子ビームが走査して照射された試料から発生した二次電子を検出する検出部と、
前記二次電子を検出した前記検出部の出力を受けて前記二次電子によるパルス数をカウントするパルスカウント部と、
前記二次電子によるパルス数をカウントした前記パルスカウント部からの出力信号を処理して前記試料の画像を形成する信号処理・画像生成部と、
前記信号処理・画像生成部で処理した結果を受けて前記偏向電極部を制御する偏向電極制御部と、
前記信号処理・画像生成部で形成した前記試料の画像を表示する表示部と、
を備えた荷電粒子ビーム装置であって、
前記信号処理・画像生成部は、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して前記試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出して前記抽出した領域に前記偏向電極部で前記電子ビームを走査して照射するように前記偏向電極制御部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
An electron gun,
A deflection electrode unit that scans and irradiates a sample by deflecting an electron beam emitted from the electron gun;
A detection unit for detecting secondary electrons generated from the sample irradiated with the electron beam scanned;
A pulse counting unit that receives the output of the detection unit that has detected the secondary electrons and counts the number of pulses by the secondary electrons;
A signal processing / image generating unit that forms an image of the sample by processing an output signal from the pulse counting unit that counts the number of pulses by the secondary electrons;
A deflection electrode control unit that controls the deflection electrode unit in response to a result processed by the signal processing / image generation unit;
A display unit for displaying an image of the sample formed by the signal processing / image generation unit;
A charged particle beam device comprising:
The signal processing / image generation unit processes an output signal from the pulse count unit to extract a region where secondary electrons from the sample are not detected, and the deflection electrode unit adds the electrons to the extracted region. A charged particle beam apparatus that controls the deflection electrode control unit so as to scan and irradiate a beam.
請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記信号処理・画像生成部は、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して形成した前記試料の画像と、前記偏向電極制御部を制御して前記抽出した前記試料からの二次電子を検出しなかった領域に前記偏向電極部で前記電子ビームを走査して照射することにより得られた画像に重みつけ処理を行った画像と重ね合わせて合成画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。   2. The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the signal processing / image generation unit controls an image of the sample formed by processing an output signal from the pulse counting unit and the deflection electrode control unit. The image obtained by scanning and irradiating the electron beam with the deflecting electrode section onto the region where the secondary electrons from the extracted sample are not detected is superimposed on the weighted image. A charged particle beam device for generating a composite image. 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記信号処理・画像生成部は、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して生成した画像から前記試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出し、前記抽出した領域に前記偏向電極部で前記電子ビームを走査して照射するように前記偏向電極制御部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。   2. The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the signal processing / image generating unit does not detect secondary electrons from the sample from an image generated by processing an output signal from the pulse counting unit. A charged particle beam apparatus characterized in that the deflection electrode control unit is controlled so as to extract a region and scan and irradiate the extracted region with the electron beam by the deflection electrode unit. 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記信号処理・画像生成部は、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して前記パルスカウント部からの出力信号がない領域を抽出し、前記抽出した領域に前記偏向電極部で前記電子ビームを走査して照射するように前記偏向電極制御部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。   The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the signal processing / image generation unit extracts an area where there is no output signal from the pulse count unit by processing an output signal from the pulse count unit, A charged particle beam apparatus that controls the deflection electrode control unit to scan and irradiate the extracted region with the electron beam with the deflection electrode unit. 電子銃から発射された電子ビームを偏向電極部で偏向させることにより試料に走査して照射し、
前記電子ビームが走査して照射された試料から発生した二次電子を検出部で検出し、
前記二次電子を検出した前記検出部の出力を受けてパルスカウント部で前記二次電子によるパルス数をカウントし、
前記二次電子によるパルス数をカウントした前記パルスカウント部からの出力信号を信号処理・画像生成部で処理して前記試料の画像を形成し、
前記信号処理・画像生成部で、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して前記試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出し、
前記信号処理・画像生成部で前記抽出した領域に前記電子ビームを走査して照射するように偏向電極制御部で前記偏向電極部を制御した状態で前記電子ビームを走査して照射して前記抽出した領域の画像を取得し、
前記形成した前記試料の画像と前記取得した前記抽出した領域の画像とを重ね合わせて合成画像を生成する
することを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法。
Scanning and irradiating the sample by deflecting the electron beam emitted from the electron gun at the deflection electrode unit,
The detection unit detects secondary electrons generated from the sample irradiated with the electron beam by scanning.
In response to the output of the detection unit that has detected the secondary electrons, the pulse count unit counts the number of pulses by the secondary electrons,
The output signal from the pulse count unit that counted the number of pulses by the secondary electrons is processed by a signal processing / image generation unit to form an image of the sample,
In the signal processing / image generation unit, an output signal from the pulse count unit is processed to extract a region in which secondary electrons from the sample are not detected,
The extraction is performed by scanning and irradiating the electron beam in a state in which the deflection electrode control unit is controlled by the deflection electrode control unit so that the electron beam is scanned and irradiated to the extracted region by the signal processing / image generation unit. Image of the selected area,
A method of generating an image using a charged particle beam device, wherein a composite image is generated by superimposing the formed image of the sample and the acquired image of the extracted region.
請求項5記載の荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法であって、前記信号処理・画像生成部で、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して前記試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出し、前記抽出した領域に前記電子ビームを走査して照射するように偏向電極制御部で前記偏向電極部を制御した状態で前記電子ビームを走査して照射して前記抽出した領域の画像を取得することを、前記試料からの二次電子を検出しなかった領域が抽出されなくなるまで繰り返し行うことを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法。   6. The image generation method using the charged particle beam apparatus according to claim 5, wherein the signal processing / image generation unit processes an output signal from the pulse count unit to detect secondary electrons from the sample. The extracted region is extracted, and the extracted beam is scanned and irradiated in a state where the deflection electrode control unit is controlled so that the extracted beam is scanned and irradiated with the electron beam. A method of generating an image using a charged particle beam device is characterized in that acquiring an image of the region is repeatedly performed until a region in which secondary electrons from the sample are not detected is not extracted. 請求項5記載の荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法であって、前記信号処理・画像生成部において、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して形成した前記試料の画像に対して前記抽出した領域の画像に重みつけ処理を行って重ね合わせて合成画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法。   6. A method for generating an image using the charged particle beam device according to claim 5, wherein the signal processing / image generating unit processes an output signal from the pulse counting unit with respect to an image of the sample formed. A method of generating an image using a charged particle beam device, wherein a weighted process is performed on the extracted image of the region and superimposed to generate a composite image. 請求項5記載の荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法であって、前記信号処理・画像生成部において、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して生成した画像から前記試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出し、前記抽出した領域に前記偏向電極部で前記電子ビームを走査して照射するように前記偏向電極制御部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法。   6. A method for generating an image using the charged particle beam apparatus according to claim 5, wherein the signal processing / image generation unit is configured to generate a second image from the sample from an image generated by processing an output signal from the pulse count unit. A charged particle beam apparatus characterized by extracting a region in which secondary electrons have not been detected and controlling the deflection electrode control unit so as to scan and irradiate the extracted region with the electron beam on the deflection electrode unit A method for generating images. 請求項5記載の荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法であって、前記信号処理・画像生成部において、前記パルスカウント部からの出力信号を処理して前記パルスカウント部からの出力信号がない領域を抽出し、前記抽出した領域に前記偏向電極部で前記電子ビームを走査して照射するように前記偏向電極制御部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法。   The image generation method using the charged particle beam apparatus according to claim 5, wherein the signal processing / image generation unit processes an output signal from the pulse count unit and outputs an output signal from the pulse count unit. Generation of an image using a charged particle beam device, wherein a non-existing region is extracted, and the deflection electrode control unit is controlled to irradiate the extracted region by scanning the electron beam with the deflection electrode unit Method. 請求項5記載の荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法であって、前記信号処理・画像生成部において、前記パルスカウント部からの出力信号をメモリにデータとして保存し、前記メモリに保存したデータから前記試料からの二次電子を検出しなかった領域を抽出し、前記抽出した領域を前記電子ビームで走査して得られた前記パルスカウント部からの出力信号を前記メモリに保存したデータに加算して前記加算した信号を前記メモリに保存することを、前記試料からの二次電子を検出しなかった領域がなくなるまで繰り返し、前記メモリに保存した前記データから画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いた画像の生成方法。   The image generation method using the charged particle beam apparatus according to claim 5, wherein the signal processing / image generation unit stores an output signal from the pulse count unit as data in a memory and stores the data in the memory. A region where secondary electrons from the sample are not detected is extracted from the data, and an output signal from the pulse count unit obtained by scanning the extracted region with the electron beam is stored in the memory. Adding and storing the added signal in the memory is repeated until there is no region where secondary electrons from the sample are not detected, and an image is generated from the data stored in the memory, An image generation method using a charged particle beam apparatus.
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