JP2009260010A - Resist film drying device, and resist film drying method - Google Patents

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渡辺  誠
Junichi Kobayashi
順一 小林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist film drying device that suppresses variations in film thickness of a resist film without spoiling a circumferential environment. <P>SOLUTION: The resist film drying device has a heating plate 2 which heats a resist film 10 containing a solvent component applied over a substrate 9. Further, the resist film drying device includes a convection suppressing plate 3 disposed having its reverse surface opposed to a top surface of the resist film 10 to be close to the top surface of the resist film 10, and an outer exhaustion cover 5 having an exhaust port 5a formed outside above an outer circumference of the reverse surface of the convection suppressing plate 3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、レジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法に関する。   The present invention relates to a resist film drying apparatus and a resist film drying method.

インクジェット記録ヘッドなどの電子デバイス等の製造工程には、基板にレジスト膜を形成する工程が含まれていることが多い。レジスト膜形成工程は、通常、基板にレジストを塗布する塗布工程と、塗布工程で基板に塗布したレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、を有している。   Manufacturing processes of electronic devices such as inkjet recording heads often include a process of forming a resist film on a substrate. The resist film forming process usually includes an application process for applying a resist to the substrate and a drying process for drying the resist film applied to the substrate in the application process.

塗布工程では、スピンコートなどの方式により基板にレジストを塗布する。スピンコート方式は、基板面の中央部に液状のレジストを滴下し、基板を高速回転させることで生じる遠心力によってレジストを基板面の外周部へ向けて広げることにより、レジストを基板面全体に均一に塗布する方式である。   In the coating process, a resist is applied to the substrate by a method such as spin coating. In the spin coating method, a liquid resist is dropped on the center of the substrate surface, and the resist is spread toward the outer periphery of the substrate surface by centrifugal force generated by rotating the substrate at a high speed. It is a method to apply to.

乾燥工程では、塗布工程で基板に塗布したレジスト膜を、加熱プレート(ホットプレート)や熱風循環炉(オーブン)などで加熱して、レジスト膜に含まれている溶媒成分を除去することにより、レジスト膜を硬化する。その後、基板およびレジスト膜を冷却プレート(コールドプレート)で冷却して、乾燥工程が終了する。   In the drying process, the resist film applied to the substrate in the coating process is heated by a heating plate (hot plate) or a hot-air circulation furnace (oven) to remove the solvent component contained in the resist film, thereby Cure the film. Thereafter, the substrate and the resist film are cooled by a cooling plate (cold plate), and the drying process is completed.

従来から用いられている乾燥工程では、レジスト膜を加熱プレートによって基板の下側のみから加熱するため、レジスト膜の上方の空間には熱対流が生じやすい。そのため、乾燥工程において、レジスト膜に乾燥ムラや温度ムラが生じることがある。   In the conventional drying process, the resist film is heated only from the lower side of the substrate by the heating plate, so that heat convection tends to occur in the space above the resist film. Therefore, in the drying process, drying unevenness and temperature unevenness may occur in the resist film.

レジスト膜は、乾燥工程において、乾燥前のレジスト膜に含まれている溶媒成分が蒸発して、レジスト膜の樹脂成分の密度が高くなることにより粘性が高くなっていき、最終的に溶媒成分が除去されて硬化する。一方、それと同時に、加熱によりレジスト膜の樹脂成分の粘性が低下することによる軟化作用も生じる。したがって、乾燥工程において、レジスト膜に乾燥ムラや温度ムラが生じると、レジスト膜には硬さのばらつきが発生する。   In the drying process, the solvent component contained in the resist film before drying evaporates in the drying process, and the viscosity of the resist film increases as the density of the resin component of the resist film increases. Removed and cured. On the other hand, at the same time, a softening action is caused by the viscosity of the resin component of the resist film being reduced by heating. Therefore, when the drying unevenness or temperature unevenness occurs in the resist film in the drying process, the resist film varies in hardness.

乾燥工程において、レジスト膜に硬さのばらつきが発生すると、乾燥工程終了後に風紋や吹かれムラと呼ばれる膜厚のばらつきが発生することがある。この膜厚のばらつきは、膜厚が厚いレジスト膜ほど顕著に発生し、30μm以上のレジスト膜が形成される場合に特に顕著に発生する。   In the drying process, if a variation in hardness occurs in the resist film, a variation in film thickness called a wind pattern or blown unevenness may occur after the drying process. This variation in film thickness is more noticeable as the resist film is thicker, and is particularly noticeable when a resist film of 30 μm or more is formed.

特許文献1にはレジスト膜の膜厚のばらつきの発生が抑制されるように構成されたレジスト膜乾燥装置が記載されている。このレジスト膜乾燥装置では、対流抑制板が、加熱プレート上の基板に塗布されたレジスト膜の表面に近接するように、対流抑制板の下面がレジスト膜の表面に対向する位置に配置されている。   Patent Document 1 describes a resist film drying apparatus configured to suppress the occurrence of variations in resist film thickness. In this resist film drying apparatus, the lower surface of the convection suppression plate is arranged at a position facing the surface of the resist film so that the convection suppression plate is close to the surface of the resist film applied to the substrate on the heating plate. .

このレジスト膜乾燥装置では、レジスト膜の表面と対流抑制板の下面との間の空間が狭く、乾燥工程中、この空間内に大きな温度差が発生しないため、レジスト膜の表面近傍には熱対流が発生しにくい。また、対流抑制板より上方の空間に熱対流が発生しても、レジスト膜の表面近傍は対流抑制板に覆われているため、レジスト膜はこの熱対流の影響を受けにくい。このように、このレジスト膜乾燥装置では、対流抑制板が配置されていることにより、レジスト膜が熱対流の影響を受けることを抑制できる。
特開2003−305399号公報
In this resist film drying apparatus, the space between the surface of the resist film and the lower surface of the convection suppression plate is narrow, and a large temperature difference does not occur in this space during the drying process. Is unlikely to occur. Even if thermal convection occurs in the space above the convection suppression plate, the resist film is not easily affected by the thermal convection because the vicinity of the surface of the resist film is covered with the convection suppression plate. Thus, in this resist film drying apparatus, it can suppress that a resist film receives the influence of a thermal convection by arrange | positioning the convection suppression board.
JP 2003-305399 A

しかし、特許文献1に記載されたレジスト膜乾燥装置は、大気中で使用されるため、乾燥工程中に蒸発したレジスト膜の溶媒成分が周囲に充満することが考えられる。また、レジスト膜と対流抑制板との隙間にゴミ等が混入してレジスト膜の表面に付着することによりレジスト膜の品質が低下することがありうる。   However, since the resist film drying apparatus described in Patent Document 1 is used in the air, it is considered that the solvent component of the resist film evaporated during the drying process fills the surroundings. Moreover, the quality of the resist film may be deteriorated when dust or the like enters the gap between the resist film and the convection suppressing plate and adheres to the surface of the resist film.

これらを抑制するために、レジスト膜乾燥装置の周囲を覆う外装および排気機構を設けることが考えられる。しかし、外装および排気機構を設けると、外装の内部には排気による強制的な空気の流れが発生する。そのため、乾燥工程において、対流抑制板を配置させることでレジスト膜が熱対流の影響を受けることを抑制できても、レジスト膜が排気による空気の流れの影響を受けることで膜厚のばらつきが発生することが考えられる。   In order to suppress these, it is conceivable to provide an exterior and an exhaust mechanism that cover the periphery of the resist film drying apparatus. However, when an exterior and an exhaust mechanism are provided, a forced air flow due to exhaust is generated inside the exterior. Therefore, even if the resist film can be suppressed from being affected by thermal convection by arranging a convection suppression plate in the drying process, the resist film is affected by the flow of air due to exhaust, resulting in variations in film thickness. It is possible to do.

そこで、本発明は、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a resist film drying apparatus and a resist film drying method that suppress the occurrence of variations in the film thickness of a resist film without deteriorating the surrounding environment.

上記目的を達成するため、本発明のレジスト膜乾燥装置は、基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱する加熱手段を有するレジスト膜乾燥装置において、前記レジスト膜の表面に近接するように、下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置された板部材と、該板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気手段と、を有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a resist film drying apparatus of the present invention is a resist film drying apparatus having a heating means for heating a resist film containing a solvent component applied to a substrate so as to be close to the surface of the resist film. And a plate member disposed at a position where the lower surface opposes the surface of the resist film, and an exhaust means for exhausting air from above the outer periphery of the lower surface of the plate member.

本発明によれば、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist film drying apparatus and resist film drying method which suppress that the dispersion | variation in the film thickness of a resist film generate | occur | produces without impairing the surrounding environment can be provided.

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。このレジスト膜塗布乾燥装置は、基板9を搬入するセンダ6と、基板9にレジストを塗布するスピンコータ7と、基板9に塗布されたレジスト膜を乾燥させるレジスト膜乾燥装置1と、レジスト膜が形成された基板9が搬送されるレシーバ8と、を有している。レジスト膜乾燥装置1は、レジスト膜を加熱して乾燥させる3つの加熱プレート2と、レジスト膜が形成された基板9を冷却する冷却プレート4と、を有している。   FIG. 1 is a top view showing the inside of a resist film coating / drying apparatus provided with a resist film drying apparatus according to an embodiment of the present invention. This resist film coating / drying apparatus includes a sender 6 for carrying a substrate 9, a spin coater 7 for coating a resist on the substrate 9, a resist film drying apparatus 1 for drying the resist film applied to the substrate 9, and a resist film. And a receiver 8 to which the processed substrate 9 is conveyed. The resist film drying apparatus 1 includes three heating plates 2 that heat and dry the resist film, and a cooling plate 4 that cools the substrate 9 on which the resist film is formed.

レジスト膜乾燥装置1では、3つの加熱プレート2が並べて配置されており、各々の加熱プレート2は個別に温度条件の設定が可能である。よって、レジスト膜乾燥装置1では、レジストが塗布された基板9を、段階的に温度条件が変更された各々の加熱プレート2に連続して搬送させて、レジスト膜をより安定して乾燥させることによりレジスト膜の高品質化が図れる。なお、レジスト膜乾燥装置は、加熱プレートを複数有していることが望ましいが、少なくとも1つ有していればよい。   In the resist film drying apparatus 1, three heating plates 2 are arranged side by side, and the temperature conditions of each heating plate 2 can be set individually. Therefore, in the resist film drying apparatus 1, the resist-coated substrate 9 is continuously transported to the respective heating plates 2 whose temperature conditions have been changed stepwise, thereby drying the resist film more stably. As a result, the quality of the resist film can be improved. Note that the resist film drying apparatus preferably includes a plurality of heating plates, but may have at least one heating plate.

このレジスト膜塗布乾燥装置では、まず、センダ6にセットされた基板9が、スピンコータ7のカップに搬送され、バキュームチャックされる。その後、液状のレジストが基板9の中央部に滴下され、スピンコータ7のカップが高速回転させられることにより、レジストが基板9の全面に均一に広げられる。そして基板9が、各加熱プレート2に搬送され、加熱されることによりレジスト膜が乾燥させられた後に、冷却プレート4に搬送され基板9およびレジスト膜が冷却される。その後、レジスト膜が形成された基板9がレシーバ8に搬送され、レジスト膜形成工程が終了する。   In this resist film coating and drying apparatus, first, the substrate 9 set on the sender 6 is transported to the cup of the spin coater 7 and vacuum chucked. Thereafter, a liquid resist is dropped on the central portion of the substrate 9 and the cup of the spin coater 7 is rotated at a high speed, so that the resist is uniformly spread over the entire surface of the substrate 9. Then, after the substrate 9 is conveyed to each heating plate 2 and heated to dry the resist film, the substrate 9 is conveyed to the cooling plate 4 to cool the substrate 9 and the resist film. Thereafter, the substrate 9 on which the resist film is formed is conveyed to the receiver 8, and the resist film forming step is completed.

次に、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の詳細について図2を参照して説明する。   Next, details of the resist film drying apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図2(A)は本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図2(B)はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。図2(A),(B)は、レジスト膜乾燥装置1の、基板9上に塗布されたレジスト膜10が加熱プレート2に加熱されて乾燥させられる乾燥工程中の状態を示している。   2A is a side sectional view of the heating plate portion of the resist film drying apparatus according to the present embodiment in the substrate transport direction, and FIG. 2B is orthogonal to the substrate transport direction of the heating plate portion of the resist film drying apparatus. FIG. 2A and 2B show a state in the drying process of the resist film drying apparatus 1 in which the resist film 10 applied on the substrate 9 is heated by the heating plate 2 and dried.

レジスト膜乾燥装置1は、内部にヒータ(不図示)を備えた加熱プレート2と、板部材である対流抑制板3と、加熱プレート2を収容した加熱プレートボックス2aと、対流抑制板3の上面の全体を覆った外装排気カバー5と、を有している。   The resist film drying apparatus 1 includes a heating plate 2 provided with a heater (not shown) therein, a convection suppression plate 3 that is a plate member, a heating plate box 2a that accommodates the heating plate 2, and an upper surface of the convection suppression plate 3. And an exterior exhaust cover 5 that covers the whole.

加熱プレート2上には基板9を支持する少なくとも3つのプロキシピン2bが設けられており、レジストが塗布された基板9が、搬送ハンド(不図示)等によりスピンコータ7のカップから加熱プレート2のプロキシピン2b上に搬送される。加熱プレート2によって基板9およびレジスト膜10が加熱されると、基板9に塗布されたレジスト膜10の温度が上昇し、レジスト膜10に含まれている溶媒成分が蒸発する。   At least three proxy pins 2b for supporting the substrate 9 are provided on the heating plate 2, and the substrate 9 on which the resist is applied is proximate from the cup of the spin coater 7 by a transport hand (not shown) or the like. It is conveyed on the pin 2b. When the substrate 9 and the resist film 10 are heated by the heating plate 2, the temperature of the resist film 10 applied to the substrate 9 rises and the solvent component contained in the resist film 10 evaporates.

なお、プロキシピン2bの高さを変更することによって、加熱プレート2と基板9との距離を調整することができる。これにより、基板9の昇温速度を変更することで、レジスト膜10の溶媒成分を蒸発させる速度を調整して、レジスト膜10の高品質化を図ることができる。レジスト膜乾燥装置1ではプロキシピン2bの高さは0.2mmに設定している。   The distance between the heating plate 2 and the substrate 9 can be adjusted by changing the height of the proxy pin 2b. Thereby, by changing the temperature increase rate of the substrate 9, the speed of evaporating the solvent component of the resist film 10 can be adjusted to improve the quality of the resist film 10. In the resist film drying apparatus 1, the height of the proxy pin 2b is set to 0.2 mm.

レジスト膜乾燥装置1では、対流抑制板3が、レジスト膜10の表面に近接するように、対流抑制板3の下面がレジスト膜10の表面に対向する位置に配置されている。対流抑制板3は、厚さ1mmの円盤状に、レジスト膜10の表面よりも表面の面積が大きくなるように形成され、下面がレジスト膜10の表面の全体を覆うように配置されている。   In the resist film drying apparatus 1, the lower surface of the convection suppression plate 3 is disposed at a position facing the surface of the resist film 10 so that the convection suppression plate 3 is close to the surface of the resist film 10. The convection suppression plate 3 is formed in a disk shape having a thickness of 1 mm so that the surface area is larger than the surface of the resist film 10, and the lower surface is disposed so as to cover the entire surface of the resist film 10.

レジスト膜乾燥装置1では、レジスト膜10の表面に近接するように対流抑制板3が配置されていることにより、乾燥工程においてレジスト膜10の表面近傍に熱対流が生じにくく、レジスト膜10の膜厚のばらつきの発生が抑制される。また、対流抑制板3がレジスト膜10の表面の全体を覆っていることにより、レジスト膜10は、より外周に近接する部分まで膜厚のばらつきの発生が抑制される。   In the resist film drying apparatus 1, the convection suppression plate 3 is arranged so as to be close to the surface of the resist film 10, so that heat convection hardly occurs in the vicinity of the surface of the resist film 10 in the drying process, and the film of the resist film 10 Occurrence of thickness variations is suppressed. In addition, since the convection suppression plate 3 covers the entire surface of the resist film 10, the resist film 10 is suppressed from causing variations in film thickness to a portion closer to the outer periphery.

また、レジスト膜乾燥装置1では、加熱プレート2が加熱プレートボックス2aに収容されている。加熱プレートボックス2aは、側壁となる壁部材が対流抑制板3の下面よりも高く形成されており、上部が開口されている。これにより、レジスト膜乾燥装置1では、レジスト膜10と対流抑制板3とのとの間に形成された隙間空間が、加熱プレートボックス2aの側壁に囲まれているため、レジスト膜10の表面にゴミ等が付着することを抑制できる。   In the resist film drying apparatus 1, the heating plate 2 is accommodated in the heating plate box 2a. In the heating plate box 2a, a wall member serving as a side wall is formed higher than the lower surface of the convection suppression plate 3, and an upper portion is opened. As a result, in the resist film drying apparatus 1, the gap space formed between the resist film 10 and the convection suppression plate 3 is surrounded by the side wall of the heating plate box 2 a. It is possible to suppress the adhesion of dust and the like.

また、レジスト膜乾燥装置1には、対流抑制板3の上面の全体を覆うように対流抑制板3の上面に対して対向配置されたカバー部材である外装排気カバー5が設けられている。これにより、加熱プレートボックス2aの開口された上部からゴミ等が混入することを防止できる。   In addition, the resist film drying apparatus 1 is provided with an exterior exhaust cover 5 that is a cover member disposed to face the upper surface of the convection suppression plate 3 so as to cover the entire upper surface of the convection suppression plate 3. Thereby, it can prevent that dust etc. mix from the upper part by which the heating plate box 2a was opened.

また、外装排気カバー5には、対流抑制板3の外周に対向する部分よりも外側の領域に排気口5aが形成されており、レジスト膜10から蒸発した溶媒成分が排気口5aから吸引されて排気管(不図示)等を介して屋外に排出される。外装排気カバー5による排気は、遅くともレジスト膜10が加熱プレート2によって加熱される以前に開始される。これにより、レジスト膜10から蒸発した溶媒成分が周囲に充満することが抑制される。   The exterior exhaust cover 5 has an exhaust port 5a in a region outside the portion facing the outer periphery of the convection suppression plate 3, and the solvent component evaporated from the resist film 10 is sucked from the exhaust port 5a. It is discharged outdoors through an exhaust pipe (not shown). Exhaust by the exterior exhaust cover 5 is started before the resist film 10 is heated by the heating plate 2 at the latest. Thereby, it is suppressed that the solvent component evaporated from the resist film 10 fills the surroundings.

また、レジスト膜乾燥装置1では、排気口5aが、加熱されて蒸発したレジスト膜10の溶媒成分が向かおうとする、対流抑制板3の外周の外側上方に配置されていることにより、強制的な空気の流れを作らずにレジスト膜10の溶媒成分が排気される。また、加熱プレートボックス2aと外装排気カバー5とが互いに離間して配置されており、加熱プレートボックス2aの内部は密閉されていないため、排気による空気の流れによって加熱プレートボックス2aの内部に対流が発生しにくい。   Further, in the resist film drying apparatus 1, the exhaust port 5 a is forcibly disposed on the outside of the outer periphery of the convection suppression plate 3 where the solvent component of the resist film 10 heated and evaporated is directed. The solvent component of the resist film 10 is exhausted without creating a simple air flow. Further, since the heating plate box 2a and the exterior exhaust cover 5 are arranged apart from each other and the inside of the heating plate box 2a is not sealed, convection is generated inside the heating plate box 2a by the flow of air due to exhaust. Hard to occur.

さらに、外装排気カバー5の下面には、中央領域から排気口5aへ向けて上方に傾斜する傾斜面が形成されている。これにより、上方へ向かおうとする加熱されて蒸発した溶媒成分が効率良く、強制的な空気の流れを作ることなく排気される。   Furthermore, an inclined surface that is inclined upward from the central region toward the exhaust port 5a is formed on the lower surface of the exterior exhaust cover 5. As a result, the heated and evaporated solvent component going upward is efficiently exhausted without creating a forced air flow.

以上述べたように、レジスト膜乾燥装置1では、加熱プレートボックス2a内に排気による空気の流れが発生しにくいため、レジスト膜10に膜厚のばらつきが発生することを抑制できる。   As described above, in the resist film drying apparatus 1, it is difficult for the air flow due to the exhaust to occur in the heating plate box 2 a, so that it is possible to suppress the occurrence of film thickness variations in the resist film 10.

レジスト膜10の加熱プレート2による乾燥が終了すると、対流抑制板3を支持している対流抑制板支持アーム3aが対流抑制板昇降シリンダ3bにより上昇させられ、レジスト膜10が形成された基板9が搬送ハンド等により冷却プレート4に搬送される。   When the drying of the resist film 10 by the heating plate 2 is completed, the convection suppression plate support arm 3a supporting the convection suppression plate 3 is raised by the convection suppression plate elevating cylinder 3b, and the substrate 9 on which the resist film 10 is formed is formed. It is conveyed to the cooling plate 4 by a conveyance hand or the like.

本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1と比較するために、図3および図4に示すレジスト膜乾燥装置を用意した。   For comparison with the resist film drying apparatus 1 according to this embodiment, the resist film drying apparatus shown in FIGS. 3 and 4 was prepared.

図3(A)は比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図3(B)はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。レジスト膜乾燥装置11の加熱プレート12は加熱プレートボックス12aに収容されている。また、加熱プレートボックス12aの、加熱プレート12の上方の中央領域には排気口12bが形成されており、レジスト膜20から蒸発した溶媒成分が排気口12bから吸引されて排気管等を介して屋外に排出される。なお、加熱プレートボックス12aの排気口12b以外の部分は密閉されている。   3A is a side sectional view of the heating plate portion of the comparative resist film drying apparatus in the substrate transport direction, and FIG. 3B is a side perpendicular to the substrate transport direction of the heating plate portion of the resist film drying apparatus. It is sectional drawing. The heating plate 12 of the resist film drying apparatus 11 is accommodated in a heating plate box 12a. In addition, an exhaust port 12b is formed in the central region of the heating plate box 12a above the heating plate 12, and the solvent component evaporated from the resist film 20 is sucked from the exhaust port 12b and is outdoors through an exhaust pipe or the like. To be discharged. In addition, parts other than the exhaust port 12b of the heating plate box 12a are sealed.

レジスト膜乾燥装置11と本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1とは、2つの点において異なる。まず1点目は、レジスト膜乾燥装置1ではレジスト膜の表面の全体を覆うように対流抑制板3が配置されているのに対し、レジスト膜乾燥装置11では対流抑制板が配置されていない点である。2点目は、レジスト膜乾燥装置1では、外装排気カバー5に形成された排気口5aから排気が行われるのに対し、レジスト膜乾燥装置11では、密閉された加熱プレートボックス12aの中央領域に形成された排気口12bから排気が行われる点である。   The resist film drying apparatus 11 and the resist film drying apparatus 1 according to this embodiment are different in two points. First, the resist film drying apparatus 1 has the convection suppression plate 3 disposed so as to cover the entire surface of the resist film, whereas the resist film drying apparatus 11 has no convection suppression plate disposed. It is. The second point is that the resist film drying apparatus 1 exhausts air from the exhaust port 5a formed in the exterior exhaust cover 5, whereas the resist film drying apparatus 11 has a central region of the sealed heating plate box 12a. Exhaust is performed from the formed exhaust port 12b.

図4(A)は比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図4(B)はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。レジスト膜乾燥装置11aは、図3に示したレジスト膜乾燥装置11に、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1の対流抑制板3と同様の対流抑制板13を取り付けたものである。対流抑制板13は、レジスト膜20aの表面に近接するように、対流抑制板13の下面がレジスト膜20aの表面に対向する位置に配置されている。   4A is a side sectional view of the heating plate portion of the comparative resist film drying apparatus in the substrate transport direction, and FIG. 4B is a side orthogonal to the substrate transport direction of the heating plate portion of the resist film drying apparatus. It is sectional drawing. The resist film drying apparatus 11a is obtained by attaching the convection suppression plate 13 similar to the convection suppression plate 3 of the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment to the resist film drying apparatus 11 shown in FIG. The convection suppression plate 13 is disposed at a position where the lower surface of the convection suppression plate 13 faces the surface of the resist film 20a so as to be close to the surface of the resist film 20a.

レジスト膜乾燥装置11aと本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1とは、1つの点において異なる。すなわち、レジスト膜乾燥装置1では、外装排気カバー5に形成された排気口5aから排気を行っているのに対し、レジスト膜乾燥装置11aでは、密閉された加熱プレートボックス12aの中央領域に形成された排気口12bから排気を行っている点である。   The resist film drying apparatus 11a and the resist film drying apparatus 1 according to this embodiment differ in one point. That is, while the resist film drying apparatus 1 exhausts air from the exhaust port 5a formed in the exterior exhaust cover 5, the resist film drying apparatus 11a is formed in the central region of the sealed heating plate box 12a. The exhaust gas is exhausted from the exhaust port 12b.

図5は、比較用のレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。このレジスト膜塗布乾燥装置では、図1に示したレジスト膜塗布乾燥装置と同様に、基板が、センダ16から、スピンコータ17、加熱プレート12、冷却プレート14、レシーバ18へと連続して搬送されて、レジスト膜が形成される。   FIG. 5 is a top view showing the inside of a resist film coating and drying apparatus provided with a comparative resist film drying apparatus. In this resist film coating and drying apparatus, as in the resist film coating and drying apparatus shown in FIG. 1, the substrate is continuously conveyed from the sender 16 to the spin coater 17, the heating plate 12, the cooling plate 14, and the receiver 18. A resist film is formed.

次に、比較用のレジスト膜乾燥装置11,11aを用いて乾燥させたレジスト膜と、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1を用いて乾燥させたレジスト膜とを比較した結果について説明する。なお、いずれのサンプルも、レジストには同等の成分を有するものを用い、以下に特に示す条件以外は同様の条件で、乾燥後のレジスト膜の平均膜厚が75μmになるように処理した。また、いずれのサンプルでも、基板には厚さ0.625mmの6インチSi基板を使用し、乾燥工程では、加熱プレートを1つのみ用いて基板の温度を90℃で15分間保持することにより基板に塗布されたレジスト膜を乾燥させた。また、膜厚分布は、基板外周部5mmを除き2mmピッチで測定した約3800ポイントを評価の対象とした。   Next, the result of comparing the resist film dried using the comparative resist film drying apparatuses 11 and 11a and the resist film dried using the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment will be described. In addition, all samples used resists having the same components, and were processed under the same conditions except for those shown below so that the average thickness of the resist film after drying was 75 μm. In any sample, a 6-inch Si substrate having a thickness of 0.625 mm is used as the substrate, and the substrate temperature is maintained at 90 ° C. for 15 minutes using only one heating plate in the drying process. The resist film applied to was dried. The film thickness distribution was evaluated at about 3800 points measured at a pitch of 2 mm except for the outer peripheral portion of the substrate 5 mm.

図6は、図3に示した比較用のレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜20の表面には目視で確認できる風紋が発生しており、乾燥工程において、レジスト膜20が熱対流の影響を受けていることが確認された。また、最大膜厚と最小膜厚との差は15μmであり、膜厚分布は平均膜厚に対して20%の幅を有しており不均一であることがわかった。   FIG. 6 is a view showing a film thickness distribution of a resist film formed on a substrate using the comparative resist film drying apparatus shown in FIG. A wind pattern that can be visually confirmed is generated on the surface of the resist film 20, and it was confirmed that the resist film 20 was affected by thermal convection in the drying process. The difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was 15 μm, and the film thickness distribution was 20% of the average film thickness, indicating that the film was non-uniform.

図7は、図4に示した比較用のレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜乾燥装置11aにおいて基板19aに塗布されたレジスト膜20aの表面と対流抑制板13の下面との間隔はd=6mmとした。レジスト膜20aの表面には、レジスト膜20よりは抑制されてはいるものの風紋が見られた。また、最大膜厚と最小膜厚との差は10μm以上あり不均一であることがわかった。   FIG. 7 is a view showing the film thickness distribution of the resist film formed on the substrate using the comparative resist film drying apparatus shown in FIG. In the resist film drying apparatus 11a, the distance between the surface of the resist film 20a applied to the substrate 19a and the lower surface of the convection suppression plate 13 was d = 6 mm. On the surface of the resist film 20a, although it was suppressed more than the resist film 20, a wind pattern was observed. Further, it was found that the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was 10 μm or more and was not uniform.

レジスト膜乾燥装置11aでは、対流抑制板13が配置されているにもかかわらず、レジスト膜20aに風紋が見られたことから、レジスト膜20aが熱対流以外の空気の流れの影響を受けていることがわかる。すなわち、レジスト膜乾燥装置11aでは、排気口12bから排気されることにより、排気口12bへ向かう空気の流れが発生することによって、密閉された加熱プレートボックス12a内に対流が発生したことが考えられる。   In the resist film drying apparatus 11a, although the convection suppressing plate 13 is disposed, the resist film 20a is affected by the air flow other than the thermal convection because the resist film 20a has a wind pattern. I understand that. That is, in the resist film drying apparatus 11a, it is considered that convection is generated in the sealed heating plate box 12a by generating an air flow toward the exhaust port 12b by being exhausted from the exhaust port 12b. .

図8は、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。基板に塗布されたレジスト膜の表面と対流抑制板3の下面との間隔はd=6mmとした。レジスト膜の表面には風紋等の乱れは確認されなかった。また、最大膜厚と最小膜厚との差は7〜8μmであり、膜厚分布は平均膜厚に対して10%程度の幅に収まっており均一であることがわかった。   FIG. 8 is a view showing the film thickness distribution of the resist film formed on the substrate using the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment. The distance between the surface of the resist film applied to the substrate and the lower surface of the convection suppression plate 3 was d = 6 mm. No disturbance such as wind ripples was observed on the surface of the resist film. Further, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was 7 to 8 μm, and the film thickness distribution was within 10% of the average film thickness and was found to be uniform.

これは、レジスト膜乾燥装置1では、対流抑制板3によってレジスト膜の表面近傍での熱対流の発生が抑制され、かつ、外装排気カバー5によって加熱プレートボックス2a内での排気による空気の流れの発生が抑制されたことの効果であると考えられる。   This is because, in the resist film drying apparatus 1, the occurrence of thermal convection near the surface of the resist film is suppressed by the convection suppression plate 3, and the air flow caused by exhaust in the heating plate box 2 a is suppressed by the exterior exhaust cover 5. This is considered to be the effect of the occurrence being suppressed.

また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板3の下面との間隔をd=8mmとして基板に形成されたレジスト膜も、膜厚分布は平均膜厚に対して10%程度の幅に収まっており均一であることがわかった。   In addition, the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment is used to form a resist film formed on the substrate with the distance between the surface of the resist film and the lower surface of the convection suppression plate 3 being d = 8 mm. It was found that the width was within about 10% of the thickness and was uniform.

また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板3の下面との間隔をd=10mmとして基板に形成されたレジスト膜には、若干の風紋が見られた。また、最大膜厚と最小膜厚との差は10μm以上あり不均一であった。これは、レジスト膜の表面と対流抑制板3の下面との間隔を大きくしたことにより、対流抑制板3の熱対流を抑制する効果が弱まり、レジスト膜の表面近傍に熱対流が発生したためであると考えられる。   In addition, using the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment, a slight wind pattern is observed on the resist film formed on the substrate with the distance between the surface of the resist film and the lower surface of the convection suppression plate 3 being d = 10 mm. It was. Further, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was 10 μm or more and was non-uniform. This is because the effect of suppressing the thermal convection of the convection suppression plate 3 is weakened by increasing the distance between the surface of the resist film and the lower surface of the convection suppression plate 3, and thermal convection is generated near the surface of the resist film. it is conceivable that.

図9は、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板3の下面との間隔をd=4mmとして基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜の表面には風紋等の乱れは確認されず、対流抑制板3および外装排気カバー5を設置したことの効果が確認できた。しかし、最大膜厚と最小膜厚との差は10μm以上あり膜厚が不均一であった。この結果は、レジスト膜の表面と対流抑制板3の下面とをより近接させた場合には、温度条件等をさらに検討する必要があることを示唆していると考えられる。   FIG. 9 shows the film thickness distribution of the resist film formed on the substrate using the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment, with the distance between the surface of the resist film and the lower surface of the convection suppression plate 3 being d = 4 mm. It is a figure. Disturbances such as wind ripples were not confirmed on the surface of the resist film, and the effect of installing the convection suppression plate 3 and the exterior exhaust cover 5 was confirmed. However, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was 10 μm or more, and the film thickness was not uniform. This result is considered to suggest that when the surface of the resist film and the lower surface of the convection suppression plate 3 are brought closer to each other, it is necessary to further examine the temperature condition and the like.

以上の結果をまとめたものを表1に示す。   Table 1 summarizes the above results.

◎:良好であった。
○:風紋等の乱れは見られなかったが、最大膜厚と最小膜厚との差が10μm以上であった。
△:風紋が若干見られた。
×:風紋が多く見られた。
A: Good.
○: Disturbances such as wind ripples were not observed, but the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was 10 μm or more.
Δ: Some wind ripples were observed.
X: Many wind ripples were seen.

この結果から、レジスト膜乾燥装置1において、対流抑制板3および外装排気カバー5を設置したことの効果が確認できた。また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1では、レジスト膜の表面と対流抑制板との間隔を6mm以上8mm以下にした場合に、特にレジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制できることがわかった。   From this result, in the resist film drying apparatus 1, the effect of having installed the convection suppression board 3 and the exterior exhaust cover 5 has been confirmed. Moreover, in the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment, it is possible to suppress the variation in the film thickness of the resist film particularly when the distance between the surface of the resist film and the convection suppression plate is 6 mm or more and 8 mm or less. I understood.

また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置1を用いて、同様の方法で、膜厚を変更して基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を評価した。その結果、乾燥後の平均膜厚が100μm以下のレジスト膜において、膜厚分布が平均膜厚の10%程度の幅に収まっており、均一な膜厚が得られることが確認できた。よって、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置によれば、30μm以上100μm以下のレジスト膜を形成する場合に、特に効果的にレジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制できる。   Further, using the resist film drying apparatus 1 according to the present embodiment, the film thickness distribution of the resist film formed on the substrate by changing the film thickness was evaluated in the same manner. As a result, in the resist film having an average film thickness after drying of 100 μm or less, the film thickness distribution was within about 10% of the average film thickness, and it was confirmed that a uniform film thickness was obtained. Therefore, according to the resist film drying apparatus according to the present embodiment, when a resist film having a thickness of 30 μm or more and 100 μm or less is formed, it is possible to suppress the variation in the thickness of the resist film particularly effectively.

以上述べたように、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置によれば、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜に、風紋等の乱れが発生することや膜厚のばらつきが発生することを抑制することができる。   As described above, according to the resist film drying apparatus according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of wind ripples and the like and the variation in film thickness in the resist film without damaging the surrounding environment. can do.

本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。It is the top view which showed the inside of the resist film application | coating drying apparatus provided with the resist film drying apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。It is the side sectional view of the substrate conveyance direction of the heating plate part of the resist film drying apparatus concerning one embodiment of the present invention, and the side sectional view orthogonal to the substrate conveyance direction. 比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。It is the side sectional view of the substrate conveyance direction of the heating plate part of the resist film drying apparatus for comparison, and the side sectional view orthogonal to the substrate conveyance direction. 比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。It is the side sectional view of the substrate conveyance direction of the heating plate part of the resist film drying apparatus for comparison, and the side sectional view orthogonal to the substrate conveyance direction. 比較用のレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。It is the top view which showed the inside of the resist film application | coating drying apparatus provided with the resist film drying apparatus for a comparison. 図3に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。It is the figure which showed the film thickness distribution of the resist film formed in the board | substrate using the resist film drying apparatus shown in FIG. 図4に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。It is the figure which showed the film thickness distribution of the resist film formed in the board | substrate using the resist film drying apparatus shown in FIG. 図2に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。It is the figure which showed the film thickness distribution of the resist film formed in the board | substrate using the resist film drying apparatus shown in FIG. 図2に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。It is the figure which showed the film thickness distribution of the resist film formed in the board | substrate using the resist film drying apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 レジスト膜乾燥装置
2 加熱プレート
2a 加熱プレートボックス
2b プロキシピン2b
3 対流抑制板
3a 対流抑制板支持アーム
3b 対流抑制板昇降シリンダ
4 冷却プレート
5 外装排気カバー
5a 排気口
6 センダ
7 スピンコータ
8 レシーバ
9 基板
10 レジスト膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resist film drying apparatus 2 Heating plate 2a Heating plate box 2b Proxy pin 2b
3 Convection Suppression Plate 3a Convection Suppression Plate Support Arm 3b Convection Suppression Plate Lifting Cylinder 4 Cooling Plate 5 Exterior Exhaust Cover 5a Exhaust Port 6 Sender 7 Spin Coater 8 Receiver 9 Substrate 10 Resist Film

Claims (13)

基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱する加熱手段を有するレジスト膜乾燥装置において、
前記レジスト膜の表面に近接するように、下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置された板部材と、該板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気手段と、を有することを特徴とするレジスト膜乾燥装置。
In a resist film drying apparatus having a heating means for heating a resist film containing a solvent component applied to a substrate,
A plate member having a lower surface disposed at a position facing the surface of the resist film so as to be close to the surface of the resist film; and an exhaust unit that exhausts air from outside the outer periphery of the lower surface of the plate member. A resist film drying apparatus.
前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間に形成された隙間空間の周囲を囲む壁部材をさらに有する、請求項1に記載のレジスト膜乾燥装置。   The resist film drying apparatus according to claim 1, further comprising a wall member surrounding a periphery of a gap space formed between a surface of the resist film and a lower surface of the plate member. 前記排気手段は、前記板部材の上面の全体を覆うように前記上面に対して対向配置されたカバー部材を有し、前記カバー部材の、前記板部材の外周に対向する部分よりも外側の領域には排気口が形成されている、請求項1または2に記載のレジスト膜乾燥装置。   The exhaust means has a cover member disposed to face the upper surface so as to cover the entire upper surface of the plate member, and is an area outside the portion of the cover member facing the outer periphery of the plate member The resist film drying apparatus according to claim 1, wherein an exhaust port is formed in the resist film drying apparatus. 前記カバー部材の下面には、前記カバー部材の中央領域から前記排気口へ向けて上方に傾斜する傾斜面が形成されている、請求項3に記載のレジスト膜乾燥装置。   The resist film drying apparatus according to claim 3, wherein an inclined surface that is inclined upward from a central region of the cover member toward the exhaust port is formed on a lower surface of the cover member. 前記カバー部材と前記壁部材とが互いに離間して配置されている、請求項3または4に記載のレジスト膜乾燥装置。   The resist film drying apparatus according to claim 3, wherein the cover member and the wall member are disposed to be separated from each other. 前記板部材の下面は、前記レジスト膜の表面の全体を覆っている、請求項1から5のいずれか1項に記載のレジスト膜乾燥装置。   The resist film drying apparatus according to claim 1, wherein a lower surface of the plate member covers the entire surface of the resist film. 前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間隔が6mm以上8mm以下である、請求項1から6のいずれか1項に記載のレジスト膜乾燥装置。   The resist film drying apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein a distance between the surface of the resist film and a lower surface of the plate member is 6 mm or more and 8 mm or less. 基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱して前記溶媒成分を蒸発させる蒸発工程を有するレジスト膜乾燥方法において、
前記レジスト膜の表面に近接するように、板部材を、該板部材の下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置する配置工程と、前記板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気工程と、を有しており、
遅くとも前記蒸発工程を開始する以前に前記配置工程および前記排気工程を開始することを特徴とするレジスト膜乾燥方法。
In a resist film drying method including an evaporation step of heating a resist film containing a solvent component applied to a substrate to evaporate the solvent component,
An arrangement step of disposing the plate member at a position where the lower surface of the plate member faces the surface of the resist film so as to be close to the surface of the resist film, and exhausting from above the outer periphery of the lower surface of the plate member. An exhaust process to be performed,
A resist film drying method, wherein the placement step and the exhaust step are started before the evaporation step is started at the latest.
前記配置工程は、前記板部材を、前記板部材の下面が前記レジスト膜の表面の全体を覆うように配置することを含む、請求項8に記載のレジスト膜乾燥方法。   The resist film drying method according to claim 8, wherein the disposing step includes disposing the plate member such that a lower surface of the plate member covers the entire surface of the resist film. 前記配置工程は、前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間隔が6mm以上8mm以下になるように前記板部材を配置することを含む、請求項8または9に記載のレジスト膜乾燥方法。   The resist film drying method according to claim 8 or 9, wherein the disposing step includes disposing the plate member such that a distance between a surface of the resist film and a lower surface of the plate member is 6 mm or more and 8 mm or less. . 前記蒸発工程は、前記レジスト膜の乾燥後の平均膜厚を30μm以上100μm以下とすることを含む、請求項8から10のいずれか1項に記載のレジスト膜乾燥方法。   The resist film drying method according to claim 8, wherein the evaporation step includes setting an average film thickness after drying of the resist film to 30 μm or more and 100 μm or less. 前記レジスト膜と前記板部材との間に形成された隙間空間の周囲を壁部材で囲んだ状態で前記蒸発工程を行う、請求項8から11のいずれか1項に記載のレジスト膜乾燥方法。   12. The method of drying a resist film according to claim 8, wherein the evaporation step is performed in a state in which a gap member formed between the resist film and the plate member is surrounded by a wall member. 前記板部材の上面に対して対向配置されたカバー部材によって前記上面の全体を覆った状態で前記蒸発工程を行う、請求項8から12のいずれか1項に記載のレジスト膜乾燥方法。   13. The resist film drying method according to claim 8, wherein the evaporation step is performed in a state where the entire upper surface is covered with a cover member disposed to face the upper surface of the plate member.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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